Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP3413074B2 - 露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

露光装置およびデバイス製造方法

Info

Publication number
JP3413074B2
JP3413074B2 JP24749997A JP24749997A JP3413074B2 JP 3413074 B2 JP3413074 B2 JP 3413074B2 JP 24749997 A JP24749997 A JP 24749997A JP 24749997 A JP24749997 A JP 24749997A JP 3413074 B2 JP3413074 B2 JP 3413074B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
parameters
history information
parameter
various parameters
grouped
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP24749997A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH1174185A (ja
Inventor
利彦 本木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP24749997A priority Critical patent/JP3413074B2/ja
Publication of JPH1174185A publication Critical patent/JPH1174185A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3413074B2 publication Critical patent/JP3413074B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造装
置、特にウエハ上に回路パターンを焼き付ける半導体露
光装置およびそれを用いることができるデバイス製造方
法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体製造(露光)工程に用いる
露光装置では、制御パラメータの数は、2000以上も
の数に達している。これら、パラメータは、条件出しと
呼ばれる各種計測シーケンスにより、随時、適切な値に
変更していかなければならない。これらパラメータは一
つでも適切な値でないパラメータが入力されていれば、
半導体露光装置の性能に重大な影響を与え、不良なウエ
ハ焼付けの原因になる。特に近年、半導体の微細化が進
むとともに、装置の高精度化が要求され、制御パラメー
タの数もさらに増加している。また、制御パラメータの
条件出しも、より複雑化してきている。この増加するパ
ラメータ、複雑化する条件出しにともない、適切でない
パラメータが誤って入力されてしまう可能性も高くなっ
てきている。
【0003】さて、装置のスループットが低下したり位
置合わせ性能が低下したりした場合に、その原因が、制
御パラメータの変更が適切でないためによるものかをチ
エックする必要がある。チェックする範囲は、場合によ
っては全パラメータに渡って行う場合もある。従来、こ
のようなチェックをする場合、パラメータの変更前の内
容を、プリントアウトや、メモしておいて、それと現在
の内容を人間が比較チェックして、影響がないかをチェ
ックしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この作
業は、パラメータの数が多いので、チェックに大変時間
がかかるという問題点がある。また、変更前の内容が記
録されてない場合、チェックすらできず、条件出し作業
を再度やりなおし、全パラメータを入力しなおさなけれ
ばならなくなるという問題もある。
【0005】本発明の目的では、このような従来技術の
問題点に鑑み、露光装置およびデバイス製造方法におい
て、効率的に制御パラメータのチェックを行うことがで
きるようにすることにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
本発明の露光装置は、装置の動作状態を示す各種パ
ラメータの変化を履歴情報として保持する手段と、前記
各種パラメータのうち少なくとも2つのパラメータをグ
ループ化する手段と、保持された前記履歴情報に基づい
て、グループ化された前記少なくとも2つのパラメータ
の変化を1つのグラフ上に表示する手段と、を有するこ
とを特徴とする。また、本発明の露光装置は、装置の動
作状態を示す各種パラメータの変化を履歴情報として保
持する手段と、保持された前記履歴情報に基づいて、前
記各種パラメータのうち、被露光基板の位置決め用のス
テージの位置決め精度、前記ステージを構成する各ユニ
ットの駆動量に対する補正量、および、単位時間当りの
被露光基板の処理枚数の変化をグラフ形式で表示する手
段と、を有することを特徴とする。
【0007】また、露光装置により基板に露光を施すデ
バイス製造方法において、前記露光装置の動作状態を示
す各種パラメータの変化を履歴情報として保持前記
各種パラメータのうち少なくとも2つのパラメータをグ
ループ化し、保持された前記履歴情報に基づいて、グル
ープ化された前記少なくとも2つのパラメータの変化を
1つのグラフ上に表示することを特徴とする。また、露
光装置により基板に露光を施すデバイス製造方法におい
て、前記露光装置の動作状態を示す各種パラメータの変
化を履歴情報として保持し、保持された前記履歴情報に
基づいて、前記各種パラメータのうち、被露光基板の位
置決め用のステージの位置決め精度、前記ステージを構
成する各ユニットの駆動量に対する補正量、および、単
位時間当りの被露光基板の処理枚数の変化をグラフ形式
表示ることを特徴とする。
【0008】これによれば、パラメータの変更の度に、
変更前と変更後の内容をいちいちプリントアウトやメモ
しておくことが不要となり、必要に応じて履歴情報を参
照してパラメータのチェックを行うことができる。ま
た、その際、チェックしやすい形式で出力させることも
できる。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施形態におい
ては、各種パラメータには、装置の動作を制御するため
の制御パラメータや装置が計測するもの、例えば温度や
気圧が含まれる。
【0010】また、履歴情報に基き、パラメータの変化
の履歴を表形式で表示させたり、パラメータの変化をグ
ラフ形式で表示させることができる。
【0011】また、履歴情報中の任意のパラメータをグ
ループ化し、グループ化した各パラメータの変化を併せ
て1つのグラフ上に表示するようにしてもよい。その
際、そのグラフ上に、グループ化された各パラメータを
用いた所定の演算の結果も併せて表示するようにしても
よい。
【0012】グラフ形式で表示するパラメータの変化と
しては、例えば、装置を制御するための制御パラメータ
である、露光用投影光学系のフォーカス変動量および露
光像面変動量の各変化、露光用投影レンズのレンズディ
ストーションおよびレンズ倍率の各変化、被露光基板の
アライメント精度に関する計測値と補正量の各変化、な
らびに被露光基板の位置決め用のステージの位置決め精
度、このステージを構成する各ユニットの駆動量に対す
る補正量、および単位時間当りの被露光基板の処理枚数
の各変化がある。
【0013】各種パラメータの変化の記録は、例えば、
露光装置の条件設定のための編集機能を有するエディタ
によるパラメータの更新時に、更新情報を履歴情報のフ
ァイルに書き込むことにより行うことができる。
【0014】これによれば、履歴情報から、どのパラメ
ータが更新されているかがわかるので、操作者が全パラ
メータを比較してパラメータの変更を見い出すといった
作業が必要なくなり、さらにはパラメータの変化がチェ
ックし易い形式で表示されるため、効率的にパラメータ
チェックを行うことができ、パラメータに要していた
時間を大幅に短縮することができる。
【0015】
【実施例】図1は、本発明の一実施例に係る半導体露光
装置の概略の構成を示す。同図において、1は半導体露
光装置本体部、2は半導体露光装置本体部1の制御パラ
メータを設定したり、動作の開始や停止等を指示する為
のコンソール部である。コンソール部2は、CPU3、
モニタ4,キーボード5およびマウス6等を備えてい
る。半導体露光装置における制御パラメータは、200
0以上になる。
【0016】これらのパラメータの入力編集は、装置に
附属している入力手段を提供するためのコンピュータ上
のプログラムで、実現している。このプログラムはエデ
ィターと呼ばれ、操作者は、このエディターにより、コ
ンピュータのモニタ4の画面に表示されるパラメータの
名称や、入力ガイドに従い、入力手段である、マウス
6、キーボード5、タッチパネル等を使用して入力を行
う。
【0017】図2は、エディタープログラムによるモニ
タ4上の表示を示す図である。エディタープログラムに
よる表示は、タイトル表示部21、スクロールエリア2
2、スクロール操作部23、パラメータ名称表示部2
4、パラメータ入力部25、パラメータ単位表示部2
6、ガイド表示部27、ページ前送り操作部28、ペー
ジ後ろ送り操作部29、保存操作ボタン7、履歴表示操
作ボタン9から構成されている1つのパラメータについ
ての表示は、パラメータ名称表示部24、パラメータ入
力部25、パラメータ単位表示部26から構成されてい
る。パラメータは、いくつかのページに分類され、ペー
ジ送りは、ページ送り操作部28および29によって操
作する。1ページのパラメータが、スクロールエリアの
範囲で表示しきれない場合は、スクロール操作により画
面を移動させ、入力を行う。
【0018】図5は、パラメータの変更に関する情報の
データの流れを示す図である。エディター51は、パラ
メータファイル52から、パラメータの内容をパラメー
タ記憶エリアに読み込み、入力エリアに表示する。操作
者は、変更したい入力エリアを、タッチパネルやマウス
で指示し、その後、指定入力エリアに変更したい値を入
力し、キーボードのリターンキーで決定する。このと
き、変更したパラメータの名称をエディタは変更パラメ
ータと一時記憶エリアに記憶しておき、操作者はいくつ
かパラメータを同様の手順で変更したあと、保存の動作
を指示する。この保存の指示により、エディタプログラ
ム51は、パラメータ記憶エリアの内容を、パラメータ
ファイル52に書き込み保存する。また、同時に変更パ
ラメータ記憶エリアに記憶していたパラメータ名称を現
在の時刻とともに、履歴情報ファイル53に書き込み保
存しておく。
【0019】さて、操作者がパラメータの履歴情報を表
示したい場合、以下のような操作を行う。個別のパラメ
ータの履歴を表示したい場合、図2の個別履歴表示操作
ボタン8を指示する。すると、図3のようなパラメータ
履歴表示画面が現れる。このとき、先に記憶した、履歴
情報ファイル53を履歴情報記憶エリアに読み込み、履
歴表示エリア32に表示する。履歴表示エリア32に
は、図3のように、変更日付、変更した値および作業者
名がリスト表示される。操作者は、この画面から、個別
のパラメータの変更履歴(変更時刻と変更値、作業者
名)を読むことができるとともに、コメントを変更理由
として、書き込むことができる。このコメントの情報
も、履歴情報ファイル53に記憶しておく。また、パラ
メータ全体の履歴情報を表示したい場合、図2の全体履
歴表示実行ボタン12を指示する。すると、図4のよう
な全体パラメータ履歴表示画面が現れる。履歴表示エリ
ア42には、図4のように、変更日付、変更されたパラ
メータ名称、変更した値、作業者名がリスト表示され
る。操作者は、変更履歴(変更パラメータ名称、変更時
刻、変更値、変更作業者名)を読むことができる。ま
た、個別パラメータ履歴表示画面と同様に、コメントを
書き加えることが可能である。
【0020】次に、グラフ化表示について説明する。装
置の経時変化に関わるパラメータなどは、履歴を長期に
わたって記憶、保存し、長期的なパラメータの変化を、
調査、把握する必要がある。このような場合、操作者
は、図3のグラフ表示ボタン35を操作することによ
り、図6のようにグラフ化した表示を行わせることがで
きる。このグラフは、保存しているパラメータ履歴情報
の値を読み込み、横軸に時刻、縦軸に値をプロットして
いくような工夫により容易に実現可能である。このよう
なグラフ表示により、長期にわたるパラメータの経時変
化の様子を容易に把握することが可能になる。
【0021】次に、このパラメータ履歴情報と同様に、
装置ステータス情報も履歴ファイルに記憶しておく例に
ついて述べる。半導体露光装置は、チャンバー内の温
度、気温、気圧、露光レンズ周辺の温度、移動ステージ
周辺の温度などのステータス情報を計測している。この
情報は、ステータスモニター表示画面に表示されてい
る。このステータス情報を一定の時間周期で、時刻とと
もに履歴情報ファイル53に書き込み保存しておく、こ
のステータス情報の履歴も、パラメータ履歴と同様に表
示し、グラフ化することができる。これは、ステータス
情報の記憶フォーマットと同様にしておくことにより、
パラメータ履歴表示と同様の処理を行い容易に実現する
ことができる。
【0022】また、パラメータ履歴のグラフとステータ
ス履歴のファイルを同じ画面に併せて、表示することも
容易に実現できる。このような表示をすれば、もし、ス
テータス情報とパラメータの履歴に相関があった場合に
相関を発見しやすく、法則性が解れば、パラメータの変
更を予想し、あらかじめ設定していたパラメータ値のリ
ミット値を越える前に警告を出すような工夫も可能であ
る。
【0023】次に、ステッパのパラメータをグループ化
して表示する例を述べる。ステッパのパラメータの変化
は、いくつかのパラメータに相関がある可能性がある。
そこで、相関のありそうなパラメータをグループとして
定義し、そのグループ内のパラメータの変化量を併せて
表示し、パラメータ間の相関をよりわかりやすく表示
し、相関関係をみつけやすくすることができる。この相
関関係をみつけることにより、一つのパラメータを監視
するだけで、装置の性能の変化を把握することも可能に
なる。また、パラメータに適当な演算処理を行い、その
変化量をより明確にしたり、相関をみつけやすくするよ
うな工夫もできる。
【0024】図8は、ステッパのパラメータからいくつ
かのパラメータを選択しグループ化するための操作画面
である。この操作は、グループ名称定義エリア81にお
いてグループ名称を定義し、パラメータ一覧82から、
グループ化したいパラメータを登録する。登録が終わっ
たら、確定ボタン83により操作を終了する。もし、演
算を設定したい場合は、演算設定ボタン84を押し、図
9の演算設定画面を表示し、演算式を入力することも可
能である。
【0025】図7は、このようにしてフォーカス変動履
歴に関するパラメータをグループ化し、表示した例を示
す。この他にも、フォーカスと露光画像の変化量、ディ
ストーションとレンズ倍率、アライメント精度に関する
計測値と補正値、ステージ精度と各ユニット駆動量およ
び単位時間処理枚数、ならびに設定露光量と、使用レチ
クルとその透過率、レンズ絞り値およびマスキングブレ
ード開口量の変化量等を、グループ化し表示することな
どが考えられる。
【0026】次に、この露光装置を利用することができ
るデバイス製造例を説明する。図10は微小デバイス
(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CC
D、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造のフロ
ーを示す。ステップ31(回路設計)では半導体デバイ
スの回路設計を行なう。ステップ32(マスク製作)で
は設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
一方、ステップ33(ウエハ製造)ではシリコン等の材
料を用いてウエハを製造する。ステップ34(ウエハプ
ロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエ
ハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際
の回路を形成する。次のステップ35(組み立て)は後
工程と呼ばれ、ステップ34によって作製されたウエハ
を用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ
工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工
程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ36(検
査)では、ステップ35で作製された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こう
した工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷
(ステップ37)する。
【0027】図11は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ41(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ42(CVD)ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ43(電極形成)ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ44(イオ
ン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ4
5(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ46(露光)では、上記説明した露光装置によっ
てマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステ
ップ47(現像)では露光したウエハを現像する。ステ
ップ48(エッチング)では現像したレジスト像以外の
部分を削り取る。ステップ49(レジスト剥離)では、
エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行なうことによってウエハ
上に多重に回路パターンを形成する。
【0028】この製造方法を用いれば、従来は製造が難
しかった高集積度の半導体デバイスを低コストで製造す
ることができる。
【0029】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、装置の
動作状態を示す各種のパラメータの変化を記録して履歴
情報として保持するようにしたため、必要に応じてその
情報を表示することによって、効率的にパラメータのチ
ェックを行うことができる。したがって、パラメータの
チェックに要していた時間を大幅に短縮することが可能
になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例に係る半導体露光装置の概
略構成図である。
【図2】 図1の装置のエディタによるモニタ上の表示
を示す図である。
【図3】 図1の装置において、各パラメータの履歴を
個別的に表示した画面の図である。
【図4】 図1の装置において、パラメータ全体の履歴
を表示した画面の図である。
【図5】 図1の装置における、パラメータ履歴情報の
データの流れを示す図である。
【図6】 図1の装置における、パラメータ履歴情報の
グラフ表示画面の図である。
【図7】 図1の装置において、フォーカス変動履歴に
関するパラメータ履歴情報をグループ化し、グラフ表示
した画面の図である。
【図8】 図1の装置において、関連するパラメータの
グループ化の設定をする操作画面の図である。
【図9】 図1の装置において、パラメータの演算結果
を表示させたい場合に、その設定を行うための操作画面
の図である。
【図10】 図1の装置により製造し得る微小デバイス
の製造の流れを示すフローチャートである。
【図11】 図10におけるウエハプロセスの詳細な流
れを示すフローチャートである。
【符号の説明】
1:半導体露光装置本体部、2:コンソール部、3:C
PU部、4:モニタ、5:キーボード、6:マウス、
7:保存操作ボタン、8:個別履歴表示操作ボタン、
9:全体履歴表示操作ボタン、21:タイトル部、2
2:スクロールエリア、23:スクロールエリア操作
部、24:パラメータ名称表示部、25:パラメータ入
力部、26:パラメータ単位表示部、27:ガイド表示
部、28:ページ前送りボタン、29:ページ後送りボ
タン、31:個別パラメータ名称表示部、32:履歴表
示エリア、34:画面終了ボタン、35:グラフ表示ボ
タン、41:名称表示部、42:履歴表示エリア、5
1:エディタ、52:パラメータファイル、53:履歴
情報ファイル、81:グループ化するパラメータを代表
する名前を設定をするエリア、82:指定したグループ
に登録するパラメータ候補を選択するエリア、83:選
択したパラメータ候補を、決定する操作ボタン、84:
演算設定画面を呼び出す操作ボタン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 G03F 7/20 521

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 装置の動作状態を示す各種パラメータの
    変化を履歴情報として保持する手段と、 前記各種パラメータのうち少なくとも2つのパラメータ
    をグループ化する手段と、 保持された 前記履歴情報に基づいて、グループ化された
    前記少なくとも2つのパラメータの変化を1つのグラフ
    上に表示する手段と、 を有することを特徴とする露光装置。
  2. 【請求項2】 グループ化された前記少なくとも2つの
    パラメータの変化を1つのグラフ上に表示する際、グル
    ープ化された前記少なくとも2つのパラメータのうちの
    少なくとも1つのパラメータを用いて設定された演算の
    結果も併せて表示することを特徴とする請求項に記載
    の露光装置。
  3. 【請求項3】 グループ化された前記少なくとも2つの
    パラメータは、露光用投影光学系のフォーカス変動量
    露光像面変動量、前記露光用投影光学系のレンズディス
    トーションとレンズ倍率、および、被露光基板のアライ
    メントに関する計測値と補正量のうちのいずれか1組で
    ることを特徴とする請求項1または2に記載の露光装
    置。
  4. 【請求項4】 装置の動作状態を示す各種パラメータの
    変化を履歴情報として保持する手段と、 保持された 前記履歴情報に基づいて、前記各種パラメー
    タのうち被露光基板の位置決め用のステージの位置決
    め精度、前記ステージを構成する各ユニットの駆動量に
    対する補正量、および単位時間当りの被露光基板の処
    理枚数の変化をグラフ形式で表示する手段と、 を有することを特徴とする露光装置。
  5. 【請求項5】 前記履歴情報には、温度または気圧に関
    する装置ステータス情報が含まれることを特徴とする請
    求項1〜4のいずれか1項に記載の露光装置。
  6. 【請求項6】 前記各種パラメータには、装置の動作を
    制御するための制御パラメータが含まれることを特徴と
    する請求項1〜5のいずれか1項に記載の露光装置。
  7. 【請求項7】 前記履歴情報を表形式で表示する手段を
    さらに有することを特徴とする請求項1〜のいずれか
    1項に記載の露光装置。
  8. 【請求項8】 露光装置により基板に露光を施すデバイ
    ス製造方法において、前記 露光装置の動作状態を示す各種パラメータの変化
    歴情報として保持前記各種パラメータのうち少なくとも2つのパラメータ
    をグループ化し、 保持された前記履歴情報に基づいて、グループ化された
    前記少なくとも2つのパラメータの変化を1つのグラフ
    上に 表示ることを特徴とするデバイス製造方法。
  9. 【請求項9】 グループ化された前記少なくとも2つの
    パラメータの変化を1つのグラフ上に表示する際、グル
    ープ化された前記少なくとも2つのパラメータのうちの
    少なくとも1つのパラメータを用いて設定された演算の
    結果も併せて表示することを特徴とする請求項8に記載
    のデバイス製造方法。
  10. 【請求項10】 露光装置により基板に露光を施すデバ
    イス製造方法において、 前記露光装置の動作状態を示す各種パラメータの変化を
    履歴情報として保持し、 保持された前記履歴情報に基づいて、前記各種パラメー
    タのうち、被露光基板の位置決 め用のステージの位置決
    め精度、前記ステージを構成する各ユニットの駆動量に
    対する補正量、および、単位時間当りの被露光基板の処
    理枚数の変化をグラフ形式で表示することを特徴とする
    デバイス製造方法。
JP24749997A 1997-08-29 1997-08-29 露光装置およびデバイス製造方法 Expired - Fee Related JP3413074B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24749997A JP3413074B2 (ja) 1997-08-29 1997-08-29 露光装置およびデバイス製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24749997A JP3413074B2 (ja) 1997-08-29 1997-08-29 露光装置およびデバイス製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1174185A JPH1174185A (ja) 1999-03-16
JP3413074B2 true JP3413074B2 (ja) 2003-06-03

Family

ID=17164384

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24749997A Expired - Fee Related JP3413074B2 (ja) 1997-08-29 1997-08-29 露光装置およびデバイス製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3413074B2 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4434372B2 (ja) * 1999-09-09 2010-03-17 キヤノン株式会社 投影露光装置およびデバイス製造方法
JP2002203773A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Canon Inc 露光装置
EP3229077A1 (en) 2003-04-09 2017-10-11 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and method for fabricating device
TWI511179B (zh) 2003-10-28 2015-12-01 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
TWI519819B (zh) 2003-11-20 2016-02-01 尼康股份有限公司 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法
TWI389174B (zh) 2004-02-06 2013-03-11 尼康股份有限公司 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法
KR20070085213A (ko) * 2004-11-30 2007-08-27 가부시키가이샤 니콘 디바이스 처리 시스템, 정보 표시 방법, 프로그램, 및 기록매체
KR101544336B1 (ko) 2005-05-12 2015-08-12 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법
JP5147097B2 (ja) * 2006-05-09 2013-02-20 東京エレクトロン株式会社 サーバ装置、およびプログラム
JP4324207B2 (ja) * 2007-04-20 2009-09-02 キヤノン株式会社 露光装置
JP5267029B2 (ja) 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JPH1174185A (ja) 1999-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3413074B2 (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
US8060472B2 (en) Information processing system, information processing method, and computer-readable storage medium
US8533634B2 (en) Exposure mask manufacturing method, drawing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and mask blanks product
US6963389B2 (en) Alignment method, exposure apparatus and device fabrication method
US20090217197A1 (en) Screen data processing apparatus, screen data processing method, and computer program
JP4850643B2 (ja) 露光装置
JP2007189065A (ja) 露光方法及び半導体装置の製造方法
US6523748B1 (en) Substrate for exposure, readout method and apparatus for the substrate, exposure apparatus, and method for producing semiconductor devices using the exposure apparatus
EP3940466A2 (en) Information processing apparatus, display control method, program, substrate processing system, and method for manufacturing article
US20100248165A1 (en) Information processing method, exposure processing system using same, device manufacturing method, and information processing apparatus
Tabery et al. Design-based metrology: advanced automation for CD-SEM recipe generation
US5197118A (en) Control system for a fine pattern printing apparatus
JP2000228355A (ja) 半導体露光装置およびデバイス製造方法
JP2008306030A (ja) マーク設計装置および位置検出装置
US20030061596A1 (en) Exposure apparatus, method of controlling same, and method of manufacturing devices
US20220246456A1 (en) Information processing apparatus, information processing method, article manufacturing system, and article manufacturing method
JP2011129801A (ja) 情報処理装置、露光装置およびデバイス製造方法
JP2010109273A (ja) 情報処理装置、露光装置、デバイスの製造方法、情報処理方法およびプログラム
JPH11184589A (ja) 制御装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法
JP2006114583A (ja) 表示システム及びプログラム
KR100263324B1 (ko) 오버레이 스티칭 체크방법
JP2000252193A (ja) 露光装置、露光方法およびデバイス製造方法
JP2000182924A (ja) デバイス製造装置
JPH0535565B2 (ja)
JPH0555104A (ja) 半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080328

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090328

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100328

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100328

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120328

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130328

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140328

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees