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JP3351671B2 - Measurement method of charged particle beam - Google Patents

Measurement method of charged particle beam

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JP3351671B2
JP3351671B2 JP32863295A JP32863295A JP3351671B2 JP 3351671 B2 JP3351671 B2 JP 3351671B2 JP 32863295 A JP32863295 A JP 32863295A JP 32863295 A JP32863295 A JP 32863295A JP 3351671 B2 JP3351671 B2 JP 3351671B2
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charged particle
particle beam
signal
evaluation function
parameters
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する分野】本発明は、電子ビーム描画装置や
イオンビーム装置などの荷電粒子ビームを用いた装置に
おける荷電粒子ビームの測定方法に関する。
The present invention relates to a method for measuring a charged particle beam in an apparatus using a charged particle beam, such as an electron beam writing apparatus or an ion beam apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、電子ビーム描画装置では、実際
の描画動作に先だって、描画に用いる電子ビームのサイ
ズや位置、あるいは、電子ビームのフォーカスの状態を
測定し、その測定結果に基づいて電子ビームの調整を行
っている。図1はこのような電子ビームの測定に用いら
れる装置の一例を示しており、1は測定される電子ビー
ムである。電子ビーム1は図示していないが、2枚の矩
形スリットと、2枚の矩形スリットの間に設けられた偏
向器によって断面が矩形に形成されている。
2. Description of the Related Art For example, in an electron beam writing apparatus, prior to an actual writing operation, the size and position of an electron beam used for writing or the focus state of the electron beam are measured, and based on the measurement result, the electron beam is drawn. Has been adjusted. FIG. 1 shows an example of an apparatus used for measuring such an electron beam, and 1 is an electron beam to be measured. Although not shown, the electron beam 1 has a rectangular cross section formed by two rectangular slits and a deflector provided between the two rectangular slits.

【0003】電子ビーム1は、最終段レンズ2によって
集束され、更に、静電偏向器3によって偏向を受ける。
偏向器3の下部には、ナイフエッジ部材4が配置されて
いるが、ナイフエッジ部材4は矩形の開口が設けられて
おり、その各内側は薄く直線状に形成されている。ナイ
フエッジ部材4の下部には、散乱された電子ビームをカ
ットするアパーチャ5が設けられ、更にその下部には、
電子ビームの電流量を検出するファラデーカップ6が配
置されている。
An electron beam 1 is focused by a final lens 2 and further deflected by an electrostatic deflector 3.
A knife edge member 4 is arranged below the deflector 3, and the knife edge member 4 is provided with a rectangular opening, and the inside thereof is formed thin and linearly. At the lower part of the knife edge member 4, an aperture 5 for cutting the scattered electron beam is provided.
A Faraday cup 6 for detecting a current amount of the electron beam is provided.

【0004】上記の構成で、偏向器3に図2(a)に示
す鋸歯状の偏向信号を印加すると、矩形の電子ビーム1
は、X方向に偏向を受ける。電子ビームの偏向により、
電子ビームは徐々にナイフエッジ部材4によって遮蔽さ
れ、ファラデーカップ6に入射する電子ビームの量は減
少する。電子ビーム1がナイフエッジ部材4によって完
全に遮蔽されると、ファラデーカップ6の検出電流は0
となる。
In the above configuration, when a sawtooth-shaped deflection signal shown in FIG.
Are deflected in the X direction. By electron beam deflection,
The electron beam is gradually blocked by the knife edge member 4, and the amount of the electron beam incident on the Faraday cup 6 decreases. When the electron beam 1 is completely shielded by the knife edge member 4, the detection current of the Faraday cup 6 becomes zero.
Becomes

【0005】図2(b)は、ファラデーカップ6の検出
電流を示しており、この検出電流信号を1回微分する
と、図2(c)の信号が得られる。更に、図2(c)の
信号を再度微分すると、図2(d)の信号が得られる。
この図2(d)で横軸は電子ビームの走査位置であり、
信号の2つのピーク間の距離に基づいて電子ビームのサ
イズが求められる。また、2つのピーク位置の中間位置
に基づいて、電子ビームの位置が判明する。更に、ピー
クの波高値は、電子ビームのフォーカスの状態を示して
いる。このようにして得られたビームサイズ、ビーム位
置、フォーカス状態により、電子ビームの各種調整が行
われ、その後に正規の描画動作が実行される。
FIG. 2B shows a detection current of the Faraday cup 6. When the detection current signal is differentiated once, a signal shown in FIG. 2C is obtained. Further, when the signal of FIG. 2C is differentiated again, the signal of FIG. 2D is obtained.
In FIG. 2D, the horizontal axis represents the scanning position of the electron beam.
The size of the electron beam is determined based on the distance between the two peaks of the signal. Further, the position of the electron beam is determined based on the intermediate position between the two peak positions. Further, the peak value of the peak indicates the focus state of the electron beam. Various adjustments of the electron beam are performed based on the beam size, the beam position, and the focus state obtained as described above, and then a normal drawing operation is performed.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記した電子ビームの
サイズ等の測定において、図2(b)に示した検出信号
は、通常ノイズ成分が含まれている。図3(a)はノイ
ズ成分を含んだファラデーカップの検出信号波形を示し
ており、このようなノイズ成分を含んだ信号を1回微分
すると、図3(b)の信号が得られ、更に、2回微分し
た結果の信号は、図3(c)のようになる。この図3
(c)の信号は、2つのピークがノイズピークの中に埋
もれてしまい、正確なビームサイズ,位置,フォーカス
状態の測定が不可能となる。
In the measurement of the size of the electron beam and the like, the detection signal shown in FIG. 2B usually contains a noise component. FIG. 3A shows a detection signal waveform of a Faraday cup containing a noise component. When a signal containing such a noise component is differentiated once, a signal shown in FIG. 3B is obtained. The signal resulting from the second differentiation is as shown in FIG. This figure 3
In the signal (c), two peaks are buried in the noise peak, and it becomes impossible to accurately measure the beam size, position, and focus state.

【0007】そのため、信号の平滑化処理を行うことが
実施されている。図4(a)はノイズ成分を含んだ検出
信号であり、この信号を微分すると図4(b)の信号が
得られる。この時、1次微分信号はノイズ除去の平滑化
処理が施されている。この処理を実行した後、再度微分
を行うと、図4(c)の信号が得られる。この信号で
は、ピーク位置は正しく得られるものの、平滑化処理に
よってピークが鈍ってしまうため、ビームのフォーカス
状態を反映するピークの波高値は、正しいものとはなら
なくなり、実質的にフォーカス状態を正しく測定するこ
とはできない。
[0007] Therefore, a signal smoothing process is performed. FIG. 4A shows a detection signal containing a noise component, and when this signal is differentiated, a signal shown in FIG. 4B is obtained. At this time, the primary differential signal has been subjected to noise removal smoothing processing. After performing this processing, when differentiation is performed again, a signal shown in FIG. 4C is obtained. In this signal, although the peak position can be obtained correctly, the peak becomes dull due to the smoothing process, so that the peak value of the peak reflecting the beam focus state is not correct, and the focus state is substantially correct. It cannot be measured.

【0008】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、ノイズ成分に影響されず、ビーム
サイズやビーム位置やフォーカス状態を正しく測定する
ことができる荷電粒子ビームの測定方法を実現するにあ
る。
[0008] The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to measure a charged particle beam capable of correctly measuring a beam size, a beam position, and a focus state without being affected by noise components. There is a way to realize.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明に基づく
荷電粒子ビームの測定方法は、荷電粒子ビーム直線状
のエッジを有した部材を横切って走査し、この走査に伴
って検出された荷電粒子ビームの信号波形を、モデル化
された信号波形に対してカーブフィッティング処理を行
い、カーブフィッティング処理された波形に基づいて
荷電粒子ビームのビームサイズビーム位置フォーカ
ス情報を測定するようにしたことを特徴としている。
Means for Solving the Problems] method of measuring a charged particle beam based on the invention of claim 1 scans across the member having a straight edge with a charged particle beam, which is detected with this scanning Model the signal waveform of the charged particle beam
Performs curve fitting on the processed signal waveform
Based on the curve-fitted waveform
It is characterized in that so as to measure the beam size and the beam position and focus <br/> scan information of the charged particle beam.

【0010】請求項2の発明に基づく荷電粒子ビームの
測定方法は、荷電粒子ビームで直線状のエッジを有した
部材を横切って走査し、この走査に伴って検出された荷
電粒子ビームの信号波形データまたはその一次微分信号
の波形データを、ビームサイズa,ビーム位置b,フォ
ーカス情報σをパラメータとする評価関数に対しカーブ
フィッティング処理を行うことにより、測定対象の荷電
粒子ビームのパラメータa,b,σを決定するようにし
たことを特徴としている。
According to the second aspect of the present invention, a charged particle beam
Measurement method had a straight edge with charged particle beam
Scans across the member and the load detected during this scan
Signal waveform data of the electron beam or its first derivative signal
Of the beam size a, beam position b,
Curve for evaluation function with focus information σ as a parameter
By performing the fitting process, the charged object
Determine the parameters a, b, and σ of the particle beam.
Was it that features a.

【0011】請求項の発明に基づく荷電粒子ビームの
測定方法は、荷電粒子ビーム直線状のエッジを有した
部材を横切って走査し、この走査に伴って検出された荷
電粒子ビームの信号を一次微分し、一次微分された信号
の波形データAi(iは走査位置,i=1,2,……
…,n)を、ビームサイズa,ビーム位置b,フォーカ
ス情報σをパラメータとする次の評価関数 Fi(a,b,σ)=Tanh{(i−a−b)/σ} −Tanh{(i+a−b)/σ} に対し 、波形データAiと評価関数Fiとの差分の2乗
和が最小となるようにカーブフィッティング処理を行う
ことにより、測定対象の荷電粒子ビームのパラメータ
a,b,σを決定するようにしたことを特徴としてい
る。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a charged particle beam measuring method in which a charged particle beam is scanned across a member having a linear edge, and a signal of the charged particle beam detected in accordance with the scanning is obtained. First-order differentiated, first-order differentiated signal
Waveform data Ai (i is a scanning position, i = 1, 2,...)
.., N) are changed to beam size a, beam position b, focus
Scan information sigma to you and parameters following the evaluation function Fi (a, b, σ) = relative Tanh {(i-a-b ) / σ} -Tanh {(i + a-b) / σ}, waveform data Ai Curve fitting processing is performed so that the sum of squares of the difference between the evaluation function Fi and the evaluation function Fi is minimized.
This is characterized in that the parameters a, b, and σ of the charged particle beam to be measured are determined.

【0012】請求項4の発明に基づく荷電粒子ビームの
測定方法は、荷電粒子ビームで直線状のエッジを有した
部材を横切って走査し、この走査に伴って検出された荷
電粒子ビームの信号の波形データBi(iは走査位置,
i=1,2,………,n)を、ビームサイズa,ビーム
位置b,フォーカス情報σをパラメータとする次の評価
関数 Fi(a,b,σ)=Log[Cosh{(i+a−b)/σ}] −Log[Cosh{(−i+a+b)/σ}] に対し、波形データBiと評価関数Fiとの差分の2乗
和が最小となるようにカーブフィッティング処理を行う
ことにより、測定対象の荷電粒子ビームのパラメータ
a,b,σを決定するようにしたことを特徴としてい
る。
ClaimsOf the charged particle beam based on the fourth invention
Measurement method had a straight edge with charged particle beam
Scans across the member and the load detected during this scan
Electron beam signal waveformData Bi (i is the scanning position,
i = 1, 2,..., n)Beam size a, beam
Next evaluation using position b and focus information σ as parameters
function Fi (a, b, σ) = Log [Cosh {(i + ab) / σ}] −Log [Cash {(−i + a + b) / σ}] , The square of the difference between the waveform data Bi and the evaluation function Fi
Perform curve fitting processing to minimize the sum
The parameters of the charged particle beam to be measured
a, b, and σ are determined.
 You.

【0013】[0013]

【0014】[0014]

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図5は本発明の一例を示し
ており、図1の従来装置と同一番号は同一構成要素を示
す。この実施の形態で、ファラデーカップ6によって検
出された電流信号は、AD変換器7によってディジタル
信号に変換された後、波形メモリー8に供給される。波
形メモリー8に供給されて記憶された信号は、制御CP
U9によって読み出され、カーブフィッティング処理が
施される。なお、制御CPU9は静電偏向器3に電子ビ
ーム1の走査信号を供給するための偏向回路10を制御
している。このような構成の動作を次に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 5 shows an example of the present invention, and the same reference numerals as those of the conventional device of FIG. 1 indicate the same components. In this embodiment, the current signal detected by the Faraday cup 6 is supplied to the waveform memory 8 after being converted into a digital signal by the AD converter 7. The signal supplied to and stored in the waveform memory 8 is the control CP
The data is read by U9 and subjected to a curve fitting process. The control CPU 9 controls a deflection circuit 10 for supplying a scanning signal of the electron beam 1 to the electrostatic deflector 3. The operation of such a configuration will now be described.

【0016】電子ビーム1のサイズ,位置,フォーカス
状態を測定する場合、制御CPU9は偏向回路10を制
御し、静電偏向器3に鋸歯状の偏向信号を印加する。こ
の偏向信号の印加に伴って、矩形の電子ビーム1は、X
方向に偏向を受ける。電子ビームの偏向により、電子ビ
ームは徐々にナイフエッジ部材4によって遮蔽され、フ
ァラデーカップ6に入射する電子ビームの量は減少す
る。電子ビーム1がナイフエッジ部材4によって完全に
遮蔽されると、ファラデーカップ6の検出電流は0とな
る。
When measuring the size, position and focus state of the electron beam 1, the control CPU 9 controls the deflection circuit 10 to apply a sawtooth-shaped deflection signal to the electrostatic deflector 3. With the application of this deflection signal, the rectangular electron beam 1
To be deflected in the direction. Due to the deflection of the electron beam, the electron beam is gradually blocked by the knife edge member 4, and the amount of the electron beam incident on the Faraday cup 6 decreases. When the electron beam 1 is completely shielded by the knife edge member 4, the detection current of the Faraday cup 6 becomes zero.

【0017】図6(a)は電子ビーム1の偏向によって
得られたファラデーカップ6の検出信号波形を示してお
り、この検出信号は波形メモリー8に記憶される。この
波形メモリー8に記憶された検出信号は制御CPU9に
よって読み出され、一次微分が行われる。ここで、一次
微分波形は予め図7に示すようにモデル化してある。図
7においてaはビームサイズの2分の1、bはビーム位
置である。
FIG. 6A shows a detection signal waveform of the Faraday cup 6 obtained by deflecting the electron beam 1, and this detection signal is stored in the waveform memory 8. The detection signal stored in the waveform memory 8 is read out by the control CPU 9, and the first differentiation is performed. Here, the primary differential waveform is modeled in advance as shown in FIG. In FIG. 7, a is a half of the beam size, and b is a beam position.

【0018】本発明における基本的な考え方は、検出信
号波形をモデル化した波形に対してフィティング処理を
行うことであり、図6(a)に示した信号波形は、一次
微分され図7に示すモデル化された信号波形とフィッテ
ィングを行うことにより、図6(b)の信号が得られ
る。フィッティング処理された信号はノイズ成分が除去
され、図6(b)の信号を更に微分することにより、図
6(c)の信号が得られる。
The basic idea of the present invention is to perform fitting processing on a waveform obtained by modeling a detection signal waveform. The signal waveform shown in FIG. By performing fitting with the modeled signal waveform shown, the signal in FIG. 6B is obtained. The noise component is removed from the signal subjected to the fitting processing, and the signal of FIG. 6C is obtained by further differentiating the signal of FIG. 6B.

【0019】この図6(c)の信号は、フィッティング
処理が施されているのでノイズ成分が除去されており、
更に、平滑化処理がされていないので、ナイフエッジの
端部に基づく信号成分が鈍らずに明瞭に残っており、従
って、電子ビーム1のサイズ,位置,フォーカス状態を
正確に測定することができる。
Since the signal shown in FIG. 6C has been subjected to fitting processing, noise components have been removed.
Furthermore, since the smoothing processing is not performed, the signal component based on the edge of the knife edge remains clearly without dulling, so that the size, position, and focus state of the electron beam 1 can be accurately measured. .

【0020】次により具体的なフィッティング処理につ
いて述べる。まず、波形メモリー8に記憶されたファラ
デーカップ6の検出信号は制御CPU9に読み出され、
一次微分処理が施される。一次微分信号に対して、制御
CPU9はフィッティグ処理を行う。このフィッティン
グ処理は、適宜な評価関数を用いて行う。例えば、aが
ビームサイズの1/2、bがビーム位置、σがフォーカ
ス情報とすると、次の評価関数を用いることができる。
Next, a more specific fitting process will be described. First, the detection signal of the Faraday cup 6 stored in the waveform memory 8 is read out by the control CPU 9,
First derivative processing is performed. The control CPU 9 performs fitting processing on the primary differential signal. This fitting process is performed using an appropriate evaluation function. For example, if a is 1 / of the beam size, b is the beam position, and σ is the focus information, the following evaluation function can be used.

【0021】Fi(a,b,σ)=Tanh{(i−a
−b)/σ}−Tanh{(i+a−b)/σ} なお、上式でiはビームの走査位置(i=1,2,……
…,n)を示している。フィッティングは、一次微分信
号のn個のデータAiと上記評価関数との差分の2乗和
が最小となるようにパラメータa,b,σを決定する。
すなわち、次式を用いてパラメータが決定される。
Fi (a, b, σ) = Tanh {(ia
−b) / σ} −Tanh {(i + ab) / σ} where i is the beam scanning position (i = 1, 2,...)
.., N). The fitting determines parameters a, b, and σ such that the sum of squares of the difference between the n data Ai of the primary differential signal and the evaluation function is minimized.
That is, the parameters are determined using the following equation.

【0022】[0022]

【数1】 (Equation 1)

【0023】前記した例では、ファラデーカップ6の検
出信号を一次微分し、その後にフィッティング処理を行
ったが、この場合には、検出信号のSN比が比較的優れ
ている場合に適用することができる。ファラデーカップ
6の検出信号のSN比が比較的悪い場合には、波形メモ
リー8のn個のデータBi(i=1,2,……,n)と
評価関数Fiとの差分の2乗和
In the above-described example, the detection signal of the Faraday cup 6 is first-order differentiated, and then the fitting processing is performed. In this case, the present invention can be applied to a case where the SN ratio of the detection signal is relatively excellent. it can. When the SN ratio of the detection signal of the Faraday cup 6 is relatively poor, the square sum of the difference between the n data Bi (i = 1, 2,..., N) of the waveform memory 8 and the evaluation function Fi

【0024】[0024]

【数2】 (Equation 2)

【0025】が最小となるようにパラメータa,b,σ
を決定することができる。この場合、評価関数として
は、例えば、非線形最小2乗法を用いた次の関数を用い
ることができる。
Parameters a, b, and σ such that
Can be determined. In this case, as the evaluation function, for example, the following function using the nonlinear least squares method can be used.

【0026】Fi(a,b,σ)=Log[Cosh
{(i+a−b)/σ}]−Log[Cosh{(−i
+a+b)/σ}] 上記はX方向のビームの測定であるが、同様にしてY方
向のビームの測定が行われる。このようにして、電子ビ
ームのビームサイズ、ビーム位置、フォーカス情報を測
定した後、ビームサイズの調整、ビーム位置の補正、フ
ォーカスの調整が実施され、その後、正規の描画動作が
開始される。
Fi (a, b, σ) = Log [Cosh
{(I + ab) / σ}]-Log [Cosh} (-i
+ A + b) / σ}] The above is the measurement of the beam in the X direction, but the measurement of the beam in the Y direction is performed in the same manner. After measuring the beam size, the beam position, and the focus information of the electron beam in this way, the adjustment of the beam size, the correction of the beam position, and the adjustment of the focus are performed, and then the normal drawing operation is started.

【0027】以上本発明の実施の形態を説明したが、本
発明は上記形態に限定されない。例えば、フィッティン
グの計算処理は、スピード向上のため、制御CPUで行
わず、別個のマイクロプロセッサーを用いても良い。ま
た、評価関数は、ビームサイズ、ビーム位置、フォーカ
ス情報を表せるものであれば、上式に限定されるもので
はない。更に、評価関数を変更すれば、矩形ビームのみ
ならず、スポットビームにも本発明を適用することがで
きる。
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments. For example, the fitting calculation process may be performed by a separate microprocessor instead of being performed by the control CPU in order to improve the speed. The evaluation function is not limited to the above equation as long as it can represent the beam size, the beam position, and the focus information. Further, if the evaluation function is changed, the present invention can be applied to not only a rectangular beam but also a spot beam.

【0028】また、上記実施の形態では電子ビームを用
いて説明したが、イオンビーム装置にも本発明を適用す
ることができる。更に、ナイフエッジ部材4によって遮
蔽され、ファラデーカップ6に入射する電子ビームの量
を検出したが、直線状のエッジを有した2次電子や反射
電子の放出係数の高い材料を用い、その材料を横切って
荷電粒子ビームを走査し、材料からの2次電子や反射電
子を検出するように構成しても良い。
Although the above embodiment has been described using an electron beam, the present invention can be applied to an ion beam apparatus. Further, the amount of the electron beam which is shielded by the knife edge member 4 and enters the Faraday cup 6 is detected. A material having a linear edge and a high emission coefficient of secondary electrons and reflected electrons is used. A configuration may be employed in which a charged particle beam is scanned across the material to detect secondary electrons and reflected electrons from the material.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1〜4の発
明によれば、ノイズの影響なく、ビームサイズ,ビーム
位置,フォーカス情報を正確に測定することができる。
また、検出信号の平滑化処理を行わないので、フォーカ
ス情報をより正確に測定できる。
As described above, according to the first to fourth aspects of the present invention,
According to Ming, the beam size, beam
Position and focus information can be accurately measured.
In addition, since the detection signal is not smoothed, focus information can be measured more accurately.

【0030】[0030]

【0031】[0031]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来の電子ビーム測定に用いられる装置の一例
を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing an example of an apparatus used for conventional electron beam measurement.

【図2】電子ビーム測定のための基本的な信号処理を説
明するための波形図である。
FIG. 2 is a waveform chart for explaining basic signal processing for electron beam measurement.

【図3】従来の信号処理による各種波形を示す図であ
る。
FIG. 3 is a diagram showing various waveforms obtained by conventional signal processing.

【図4】平滑化処理を伴った従来の信号処理による各種
波形を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing various waveforms by conventional signal processing accompanied by smoothing processing.

【図5】本発明を実施するための装置の一例を示す図で
ある。
FIG. 5 is a diagram showing an example of an apparatus for implementing the present invention.

【図6】フィッティング処理を伴った信号処理による各
種波形を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing various waveforms obtained by signal processing accompanied by fitting processing.

【図7】モデル化された一次微分信号を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a modeled primary differential signal.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 電子ビーム 2 最終段レンズ 3 静電偏向器 4 ナイフエッジ部材 5 アパーチャ 6 ファラデーカップ 7 AD変換器 8 波形メモリー 9 制御CPU 10 偏向回路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electron beam 2 Last lens 3 Electrostatic deflector 4 Knife edge member 5 Aperture 6 Faraday cup 7 A / D converter 8 Waveform memory 9 Control CPU 10 Deflection circuit

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 荷電粒子ビーム直線状のエッジを有し
た部材を横切って走査し、この走査に伴って検出された
荷電粒子ビームの信号波形を、モデル化された信号波形
に対してカーブフィッティング処理を行い、カーブフィ
ッティング処理された波形に基づいて、荷電粒子ビーム
のビームサイズビーム位置フォーカス情報を測定
するようにした荷電粒子ビームの測定方法。
1. A charged particle beam is scanned across a member having a linear edge, and a signal waveform of the charged particle beam detected in accordance with the scanning is converted into a modeled signal waveform.
To the curve fitting process.
Based on the potting processed waveform, the measurement method of the charged particle beam so as to measure the beam size and the beam position and focus information of the charged particle beam.
【請求項2】 荷電粒子ビーム直線状のエッジを有し
た部材を横切って走査し、この走査に伴って検出された
荷電粒子ビームの信号波形データまたはその一次微分信
号の波形データを、ビームサイズa,ビーム位置b,フ
ォーカス情報σをパラメータとする評価関数に対しカー
ブフィッティング処理を行うことにより、測定対象の荷
電粒子ビームのパラメータa,b,σを決定するように
した荷電粒子ビームの測定方法。
2. A charged particle beam is scanned across a member having a linear edge, and the signal waveform data of the charged particle beam detected in accordance with the scanning or a first-order differential signal thereof.
The waveform data of the signal is represented by beam size a, beam position b,
Kerr for the evaluation function with the focus information σ as a parameter
By performing the fitting process, the load
A method for measuring a charged particle beam, wherein parameters a, b, and σ of the charged particle beam are determined.
【請求項3】 荷電粒子ビーム直線状のエッジを有し
た部材を横切って走査し、この走査に伴って検出された
荷電粒子ビームの信号を一次微分し、一次微分された信
号の波形データAi(iは走査位置,i=1,2,……
…,n)を、ビームサイズa,ビーム位置b,フォーカ
ス情報σをパラメータとする次の評価関数 Fi(a,b,σ)=Tanh{(i−a−b)/σ} −Tanh{(i+a−b)/σ} に対し、波形データA iと評価関数Fiとの差分の2乗
和が最小となるようにカーブフィッティング処理を行う
ことにより、測定対象の荷電粒子ビームのパラメータ
a,b,σを決定するようにした荷電粒子ビームの測定
方法。
3. A charged particle beam is scanned across a member having a linear edge, and a signal of the charged particle beam detected in accordance with the scanning is first differentiated.
Signal waveform data Ai (i is a scanning position, i = 1, 2,...)
.., N) are changed to beam size a, beam position b, focus
Scan information sigma to you and parameters following the evaluation function Fi (a, b, σ) = relative Tanh {(i-a-b ) / σ} -Tanh {(i + a-b) / σ}, waveform data A Curve fitting processing is performed so that the sum of squares of the difference between i and the evaluation function Fi is minimized.
A charged particle beam measuring method in which the parameters a, b, and σ of the charged particle beam to be measured are determined.
【請求項4】 荷電粒子ビームで直線状のエッジを有し
た部材を横切って走査し、この走査に伴って検出された
荷電粒子ビームの信号の波形 データBi(iは走査位
置,i=1,2,………,n)を、ビームサイズa,ビ
ーム位置b,フォーカス情報σをパラメータとする次の
評価関数 Fi(a,b,σ)=Log[Cosh{(i+a−b)/σ}] −Log[Cosh{(−i+a+b)/σ}] に対し、波形データBiと評価関数Fiとの差分の2乗
和が最小となるようにカ ーブフィッティング処理を行う
ことにより、測定対象の荷電粒子ビームのパラメータ
a,b,σを決定するようにした荷電粒子ビームの測定
方法。
4. A charged particle beam having a straight edge.
Scan across the member that was
The charged particle beam signal waveform data Bi (i is the scanning position, i = 1, 2,..., N) is converted into a beam size a,
With the camera position b and focus information σ as parameters
For the evaluation function Fi (a, b, σ) = Log [Cosh {(i + ab) / σ}] − Log [Cosh {(− i + a + b) / σ}] , the difference between the waveform data Bi and the evaluation function Fi Square of
Perform the card must be installed blanking fitting process so that the sum is minimized
The parameters of the charged particle beam to be measured
Measurement of charged particle beam to determine a, b, σ
Method.
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