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JP3182302B2 - Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device - Google Patents

Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

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JP3182302B2
JP3182302B2 JP29300294A JP29300294A JP3182302B2 JP 3182302 B2 JP3182302 B2 JP 3182302B2 JP 29300294 A JP29300294 A JP 29300294A JP 29300294 A JP29300294 A JP 29300294A JP 3182302 B2 JP3182302 B2 JP 3182302B2
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mold
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Abstract

PURPOSE: To obtain a die for manufacturing a resin-sealable semiconductor device which can prevent a defective appearance from generating by providing an adjustment means for adjusting the opening amount of an injection orifice, on the injection orifice for injecting a resin into the space of a mold. CONSTITUTION: Dies 11, 12 for manufacturing a resin-sealable semiconductor device are constituted of a movable gate 18 for adjusting the opening amount of a resin infection orifice 14, provided on the resin infection orifice for injecting a sealing resin 3 into a cavity 13. Consequently, it is possible to set the opening amount of the resin injection orifice 14 optionally. For example, if the opening amount is increased at the time of resin injection and the sealing resin 3 is semi-cured after resin injection, the opening amount can be lessened. Thus it is possible to control the thickness of a root part connected to the unnecessary part of the semiconductor device, which is formed from a track of an injection groove 15 projecting from the semiconductor device part. Thus the root part can be made thin.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、トランスファーモール
ド成形されてなる電力用樹脂封止型半導体装置等の樹脂
封止型半導体装置の製造方法に関するものである。
The present invention relates to relates to a manufacturing method of the resin-sealed semiconductor device such as a power resin-sealed semiconductor device formed by transfer molding.

【0002】[0002]

【従来の技術】図5は、従来の電力用樹脂封止型半導体
装置を示す斜視図である。図6は、図5に示す電力用樹
脂封止型半導体装置の製造金型及び製造方法を説明する
ための図であり、(a)は側面断面図であり、(b)は
上面側からの透視図である。
2. Description of the Related Art FIG. 5 is a perspective view showing a conventional resin-encapsulated power semiconductor device. 6A and 6B are views for explaining a manufacturing die and a manufacturing method of the power-resin-sealed semiconductor device shown in FIG. 5, wherein FIG. 6A is a side sectional view, and FIG. It is a perspective view.

【0003】該電力用樹脂封止型半導体装置(以下、単
に「半導体装置」と称す。)は、リードフレーム1の半
導体チップ2が実装された支持板1aの表面のみが封止
樹脂(例えば、エポキシ樹脂,ポリイミド樹脂等)3に
て封止されてなる構造からなる。
In the power-resin-sealed semiconductor device (hereinafter simply referred to as "semiconductor device"), only the surface of a support plate 1a on which a semiconductor chip 2 of a lead frame 1 is mounted is formed of a sealing resin (for example, (Epoxy resin, polyimide resin, etc.) 3.

【0004】該半導体装置の樹脂封止技術では、図6に
示すように、上面モールド金型11と下面モールド金型
12とを用いて半導体チップ2の樹脂封止が行われる。
In the resin sealing technique of the semiconductor device, as shown in FIG. 6, resin sealing of the semiconductor chip 2 is performed using an upper mold die 11 and a lower mold die 12.

【0005】即ち、この方法では、まず、リードフレー
ム1の一部を構成する支持板1a上に半導体チップ2を
電気伝導可能に接着し、この半導体チップ2をボンディ
ングワイヤ4にて外部リード端子1bと接続する。
That is, in this method, first, a semiconductor chip 2 is bonded to a support plate 1a constituting a part of a lead frame 1 so as to be electrically conductive, and the semiconductor chip 2 is bonded to external lead terminals 1b by bonding wires 4. Connect with

【0006】次に、前記支持板1aを、図6に示すよう
に、上記モールド金型11,12にて構成するキャビテ
ィ(モールド空間部)13内に配置し、樹脂注入口14
から前記キャビティ13内に封止樹脂3を圧入される。
前記樹脂注入口14のサイズは、厚み方向(両金型1
1,12の並置方向)が0.5mmからなり、幅方向が
3mmからなる。ここで、前記リードフレーム1は、そ
の支持板1aの裏面側が下面モールド金型11の表面に
沿って配置され、外部リード端子1bが前記両モールド
金型11,12にて挟持される。
Next, as shown in FIG. 6, the support plate 1a is disposed in a cavity (mold space) 13 formed by the molds 11 and 12, and a resin injection port 14 is provided.
The sealing resin 3 is pressed into the cavity 13 from above.
The size of the resin injection port 14 is in the thickness direction (both molds 1).
1 and 12) are 0.5 mm, and the width direction is 3 mm. Here, in the lead frame 1, the back side of the support plate 1 a is arranged along the surface of the lower mold die 11, and the external lead terminals 1 b are sandwiched between the two mold dies 11 and 12.

【0007】上記封止樹脂3の硬化後、両モールド金型
11,12から樹脂封止されたリードフレーム1を取り
出し、細条5及びタイバー6等のリードフレーム1の不
要部分を切断すると共に、封止樹脂3の不要部分(樹脂
注入による注入溝15跡部分)を除去することにより、
図5に示すような樹脂封止型の半導体装置が得られる。
図7は、他の半導体装置を示す斜視図である。図8は、
図7に示す電力用樹脂封止型半導体装置の製造金型及び
製造方法を説明するための図であり、(a)は側面断面
図であり、(b)は上面側からの透視図である。
After the sealing resin 3 is cured, the resin-sealed lead frame 1 is taken out of the molds 11 and 12, and unnecessary portions of the lead frame 1 such as the strip 5 and the tie bar 6 are cut off. By removing unnecessary portions of the sealing resin 3 (traces of the injection grooves 15 due to resin injection),
A resin-sealed semiconductor device as shown in FIG. 5 is obtained.
FIG. 7 is a perspective view showing another semiconductor device. FIG.
8A and 8B are views for explaining a manufacturing die and a manufacturing method of the power resin-sealed semiconductor device shown in FIG. 7, wherein FIG. 8A is a side cross-sectional view, and FIG. .

【0008】該半導体装置は、リードフレーム1の半導
体チップ2が実装された支持板1a全体を封止樹脂3に
て樹脂封止してなる構造からなる。
The semiconductor device has a structure in which the entire support plate 1 a on which the semiconductor chip 2 of the lead frame 1 is mounted is resin-sealed with a sealing resin 3.

【0009】該半導体装置の樹脂封止技術では、図8に
示すように、上面モールド金型11と下面モールド金型
12とを用いて半導体チップの樹脂封止が行われる。前
記上面モールド金型11及び下面モールド金型12はそ
れぞれキャビティ13内において支持板1aの端部を支
持する位置決めピン16,17を備えてなる。
In the resin sealing technique for a semiconductor device, as shown in FIG. 8, a resin sealing of a semiconductor chip is performed using an upper mold die 11 and a lower mold die 12. The upper mold die 11 and the lower mold die 12 each include positioning pins 16 and 17 for supporting the end of the support plate 1 a in the cavity 13.

【0010】即ち、この方法では、まず、リードフレー
ム1の一部を構成する支持板1a上に半導体チップ2を
電気伝導可能に接着し、この半導体チップ2をボンディ
ングワイヤ4にて外部リード端子1bと接続する。
That is, in this method, first, a semiconductor chip 2 is bonded to a support plate 1a constituting a part of the lead frame 1 so as to be electrically conductive, and the semiconductor chip 2 is bonded to external lead terminals 1b by bonding wires 4. Connect with

【0011】次に、前記支持板1aを、図8に示すよう
に、上記モールド金型11,12にて構成するキャビテ
ィ13内に配置し、樹脂注入口14からキャビティ13
内に封止樹脂3を圧入される。前記樹脂注入口14のサ
イズは、上記従来例同様、厚み方向が0.5mmからな
り、幅方向が3mmからなる。ここで、前記リードフレ
ーム1は、その支持板1a端部が前記位置決めピン1
6,17にて挟持され、外部リード端子1bが前記両モ
ールド金型11,12にて挟持される。
Next, as shown in FIG. 8, the support plate 1a is placed in a cavity 13 formed by the molds 11 and 12, and
The sealing resin 3 is press-fitted therein. The size of the resin injection port 14 is 0.5 mm in the thickness direction and 3 mm in the width direction, as in the conventional example. Here, the lead frame 1 has an end portion of the support plate 1a and the positioning pins 1a.
6, 17 and the external lead terminal 1b is sandwiched between the two molds 11, 12.

【0012】上記封止樹脂3の半硬化後、前記位置決め
ピン16,17を各モールド金型11,12の表面まで
移動させる。
After semi-curing of the sealing resin 3, the positioning pins 16 and 17 are moved to the surfaces of the molds 11 and 12, respectively.

【0013】上記封止樹脂3の硬化後、両モールド金型
11,12から樹脂封止されたリードフレーム1を取り
出し、タイバー6等のリードフレーム1の不要部分を切
断すると共に、封止樹脂3の不要部分を除去することに
より、図7に示すような樹脂封止型の半導体装置が得ら
れる。
After the sealing resin 3 is cured, the resin-sealed lead frame 1 is taken out of the molds 11 and 12, and unnecessary portions of the lead frame 1 such as tie bars 6 are cut off. By removing unnecessary portions, a resin-sealed semiconductor device as shown in FIG. 7 is obtained.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来例では、
封止樹脂3の不要部分を除去する方法として、例えば図
5に示す半導体装置では、図9に示すように前記不要部
分3aを固定して半導体装置部分を上下動させることに
よってゲートブレイク(不要部分3aの除去)を行って
いる。図9(a)は、不要部分3aを固定した時の側面
図であり、(b)は上下動させた時の側面図である。
In the above-mentioned conventional example,
As a method of removing the unnecessary portion of the sealing resin 3, for example, in the semiconductor device shown in FIG. 5, the unnecessary portion 3a is fixed and the semiconductor device portion is moved up and down as shown in FIG. 3a). FIG. 9A is a side view when the unnecessary portion 3a is fixed, and FIG. 9B is a side view when it is moved up and down.

【0015】ここで、前記不要部分3aの付け根部分、
即ち半導体装置と連結している部分はその厚みが0.5
mmと厚く形成されているため、図10(a)のように
不要部分残りや、図10(b)のように半導体装置部分
に欠けを発生させるといった不都合を生じ、外観不良品
が発生していた。また、前記支持板1aと封止樹脂3の
不要部分3aとの密着力により、切断時の上下動によっ
て図10(c)のように前記支持板1aが変形するとと
いった不都合も発生していた。
Here, a root portion of the unnecessary portion 3a,
That is, the portion connected to the semiconductor device has a thickness of 0.5
10A, an unnecessary portion remains as shown in FIG. 10A or a chipping occurs in the semiconductor device portion as shown in FIG. 10B, resulting in defective appearance. Was. Further, due to the adhesive force between the support plate 1a and the unnecessary portion 3a of the sealing resin 3, there is a problem that the support plate 1a is deformed as shown in FIG.

【0016】また、図7に示す半導体装置では、図11
に示すように、ゲートブレイクローラー21等を用いて
封止樹脂3の不要部分3aに応力を加え、機械的に強制
ブレイクを行っていたが、上記同様、図12(a),
(b)に示すように不要部分残りや、図12(c),
(d)に示すように半導体部分に欠けを発生させるとい
った不都合を生じ、外観不良品となった。図12(a)
は不要部分残りが発生した場合の側面図であり、(b)
は(a)の斜視図であり、(c)は欠けが発生した場合
の側面図であり、(d)は(c)の斜視図である。
In the semiconductor device shown in FIG.
As shown in FIG. 12, stress was applied to the unnecessary portion 3a of the sealing resin 3 by using the gate break roller 21 and the like, and the forced break was performed mechanically.
As shown in FIG. 12B, the unnecessary portion remains, and FIG.
As shown in (d), there was a problem that the semiconductor portion was chipped, resulting in a defective appearance. FIG. 12 (a)
(B) is a side view when an unnecessary portion remains.
3A is a perspective view of FIG. 3A, FIG. 3C is a side view of the case where chipping has occurred, and FIG. 3D is a perspective view of FIG.

【0017】本発明は、上記課題に鑑み、外観不良等の
発生を防止することが可能な樹脂封止型半導体装置の製
造方法を提供することを目的とするものである。
In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device which can prevent appearance defects and the like from occurring.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1記載の
樹脂封止型半導体装置の製造方法は、上面金型と下面金
型との間に一端側に半導体チップを実装したリードフレ
ームを配置し、該リードフレームの一端側を上面金型と
下面金型との間で形成されたモールド空間部に配置する
と共に他端側を上面金型と下面金型とで挟持し、前記モ
ールド空間部に樹脂を注入して記リードフレームの一
端側を樹脂封止するのに前記モールド空間部内におい
て前記リードフレームの端部を支持する位置決めピン
と、前記モールド空間部に樹脂を注入する注入口に、該
注入口の開口量を調整する調整手段を設けてなる樹
封止型半導体装置の製造金型を用いた樹脂封止型半導体
装置の製造方法において、一端側に半導体チップをボン
ディングワイヤにて外部リード端子に接続して実装した
リードフレームの一端側を上面金型と下面金型との間で
形成されたモールド空間部に配置すると共に他端側を上
面金型と下面金型とで挟持する工程と、前記モールド空
間部内に前記位置決めピンを挿入して前記リードフレー
ム端部を固定する工程と、前記注入口の開口量を大きく
した状態で前記モールド空間部に前記注入口より樹脂を
注入する工程と、前記樹脂が半硬化状態となったとき、
前記位置決めピンを金型表面まで移動させると共に、前
記注入口に設けられた調整手段により注入口の開口量を
小さくする工程と、を備えてなることを特徴とするもの
である。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, comprising the steps of: mounting a lead frame having a semiconductor chip mounted on one end between an upper mold and a lower mold; Disposing the one end of the lead frame in a mold space formed between the upper mold and the lower mold, and clamping the other end between the upper mold and the lower mold to form the mold space. to one end of the previous SL lead frame by injecting resin to resin seal part, the mold space portion smell
Positioning pin for supporting the end of the lead frame
When, the inlet for injecting the resin into the mold space, the resin-sealed with a mold for manufacturing ∎ You can Aburafutome type semiconductor device name provided with adjusting means for adjusting the amount of opening of the infusion inlet semiconductor
In a method of manufacturing a device, a semiconductor chip is bonded to one end side.
Connected to the external lead terminal with a mounting wire
Hold one end of the lead frame between the upper mold and the lower mold.
Place it in the formed mold space and raise the other end
A step of clamping between a surface mold and a lower surface mold;
Insert the positioning pin into the space between the lead frame
Fixing the end of the inlet and increasing the opening amount of the inlet.
Resin in the mold space from the injection port
Injecting and when the resin is in a semi-cured state,
Move the positioning pin to the mold surface and
The opening amount of the inlet is adjusted by adjusting means provided at the inlet.
And a step of reducing the size .

【0019】本発明の請求項2記載の樹脂封止型半導体
装置の製造方法は、前記上面金型及び下面金型の何れか
一方の金型に、上面金型と下面金型とが略重なり合う部
分の一部分に前記モールド空間部に樹脂を導く注入溝を
設け、さらに前記上面金型及び下面金型の何れか一方の
金型に、前記注入溝に挿通される前記調整手段が設けて
なることを特徴とするものである。
According to a second aspect of the present invention, in the method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device, the upper mold and the lower mold substantially overlap with one of the upper mold and the lower mold. An injection groove for guiding a resin into the mold space is provided in a part of the portion, and the adjusting means inserted into the injection groove is provided in one of the upper mold and the lower mold. It is characterized by the following.

【0020】本発明の請求項3記載の樹脂封止型半導体
装置の製造方法は、前記調整手段の先端面が注入口側か
らその反対側にかけて該先端面と下面金型との距離が広
くなるよう傾斜させてなることを特徴とするものであ
る。
According to a third aspect of the present invention, in the method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, the distance between the front end surface and the lower surface mold increases from the injection port side to the opposite side. It is characterized by being inclined as described above.

【0021】[0021]

【0022】本発明の請求項記載の樹脂封止型半導体
装置の製造方法は、樹脂が半硬化状態となったときの前
記注入口の開口量を、上面金型と下面金型とが並置する
方向に対して0.3〜0.2mとしてなることを特徴
とするものである。
According to a fourth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, the opening amount of the injection port when the resin is in a semi-cured state is determined by juxtaposing the upper mold and the lower mold. and it is characterized in by comprising a 0.3 to 0.2 m m with respect to a direction.

【0023】[0023]

【作用】上記構成によれば、本発明の樹脂封止型半導体
装置の製造方法の製造金型は、モールド空間部に樹脂を
注入する注入口に、該注入口の開口量を調整する調整手
段を設けてなる構成なので、注入口の開口量を任意に設
定することが可能であり、例えば樹脂注入時には開口量
を大きくし、樹脂注入後であって該樹脂が半硬化状態と
なった時、開口量を小さくすることが可能である。さら
に、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、前記
注入口の開口量を大きくした状態でモールド空間部に前
記注入口より樹脂を注入する工程と、前記樹脂が半硬化
状態となったとき、前記位置決めピンを金型表面まで移
動させると共に、前記注入口に設けられた調整手段によ
り注入口の開口量を小さくする工程とを備えてなる構成
なので、樹脂注入時には大きく開口した注入口から樹脂
が注入され注入時間を短くでき、また、注入された樹脂
が半硬化状態となった時開口量を小さくして硬化させる
ことにより、樹脂の不要部分の付け根部分の厚みを薄く
することができる。
According to the above configuration, manufacturing mold of the manufacturing method of the tree Aburafutome type semiconductor device of the present invention, the inlet for injecting the resin into the mold space, adjustment for adjusting the amount of opening of the infusion inlet Because of the configuration provided with the means, it is possible to arbitrarily set the opening amount of the injection port, for example, to increase the opening amount at the time of resin injection, and when the resin is in a semi-cured state after the resin injection It is possible to reduce the opening amount. Further
The method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device of the present invention
In front of the mold space with the inlet opening large
The step of injecting the resin from the injection port and the resin is semi-cured
When the condition is reached, move the positioning pin to the mold surface.
And adjusting means provided at the injection port.
And reducing the amount of opening of the injection port.
Therefore, when injecting the resin,
Can be injected to shorten the injection time, and the injected resin
When the material is in a semi-cured state, cure by reducing the opening amount
As a result, the thickness of the root of the unnecessary portion of the resin is reduced.
can do.

【0024】また、本発明の樹脂封止型半導体装置の
造方法は、前記調整手段の先端面が注入口側からその反
対側にかけて該先端面と下面金型との距離が広くなるよ
う傾斜させてなる製造金型を用いるので、注入溝跡から
なる封止樹脂の不要部分の厚みを付け根方向に対して徐
々に薄くすることが可能である。
[0024] In addition, manufacturing of the tree Aburafutome type semiconductor device of the present invention
The manufacturing method uses a manufacturing mold in which the tip end surface of the adjusting means is inclined so that the distance between the tip end surface and the lower surface mold is widened from the injection port side to the opposite side, so that the sealing formed by the injection groove mark is used . It is possible to gradually reduce the thickness of the unnecessary portion of the sealing resin in the root direction.

【0025】[0025]

【0026】[0026]

【実施例】図1は、本発明の一実施例からなる樹脂封止
型半導体装置の製造金型およびそれを用いた製造方法に
て形成されてなる樹脂封止型半導体装置の外観図であ
り、(a)は斜視図であり、(b)は側面図である。
FIG. 1 is an external view of a mold for manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to an embodiment of the present invention and a resin-sealed semiconductor device formed by a manufacturing method using the same. , (A) is a perspective view, and (b) is a side view.

【0027】本実施例より形成される樹脂封止型半導体
装置(以下、単に「半導体装置」と称す。)は、リード
フレーム1の支持板1aの裏面側についても樹脂封止し
てなる半導体装置からなる。
A resin-sealed semiconductor device (hereinafter simply referred to as a “semiconductor device”) formed according to the present embodiment is a semiconductor device in which the back surface of the support plate 1 a of the lead frame 1 is also resin-sealed. Consists of

【0028】本実施例からなる半導体装置の製造金型
は、図2(a),(b)に示すように、上面モールド金
型11と下面モールド金型12とからなり、前記両モー
ルド金型11,12はそれぞれ凹部11a,12aが形
成されており、互いの凹部11a,12aを重ね合わせ
ることによってキャビティ(モールド空間部)13が形
成される。
As shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b), the mold for manufacturing the semiconductor device according to this embodiment comprises an upper mold mold 11 and a lower mold mold 12. Concave portions 11a and 12a are formed in the portions 11 and 12, respectively, and a cavity (mold space portion) 13 is formed by overlapping the concave portions 11a and 12a with each other.

【0029】また、前記上面モールド金型11は、前記
キャビティ13に封止樹脂3を導くための注入溝15が
形成されており、さらに、該注入溝15のキャビティ1
3に隣接する樹脂注入口14近傍に該樹脂注入口14の
開口量を調整する可動ゲート等かならなる調整手段18
が設けられてなる。
In the upper mold 11, an injection groove 15 for guiding the sealing resin 3 to the cavity 13 is formed.
An adjusting means 18 comprising a movable gate or the like for adjusting the opening amount of the resin injection port 14 in the vicinity of the resin injection port 14 adjacent to 3
Is provided.

【0030】該可動ゲート18は、上面モールド金型1
1の注入溝15に対応する位置に前記両モールド金型1
1,12の並置方向に形成された貫通孔19に挿通され
てなるものであり、該貫通孔19内を上下動することに
よって前記樹脂注入口14の開口量を調整するものであ
る。前記可動ゲート18の先端面18aは、注入口側か
らその反対側にかけて該先端面18aと下面モールド金
型12との距離が広くなるよう傾斜させてなる構造を有
する。
The movable gate 18 is provided on the upper mold 1.
The two molds 1 are located at positions corresponding to the injection grooves 15 of the first mold 1.
The through holes 19 formed in the juxtaposition direction of the first and second through holes 12 are inserted into the through holes 19, and the opening amount of the resin injection port 14 is adjusted by moving up and down in the through holes 19. The distal end surface 18a of the movable gate 18 has a structure that is inclined from the injection port side to the opposite side so that the distance between the distal end surface 18a and the lower mold 12 is increased.

【0031】さらに、前記両モールド金型11,12
は、それぞれキャビティ13内においてリードフレーム
1の支持板1aの端部を支持する位置決めピン16,1
7を備えている。これにより、リードフレーム1の支持
板1a端部は該位置決めピン16,17によって挟持さ
れる。該位置決めピン16,17は、それぞれ上面モー
ルド金型11又は下面モールド金型12の所定の位置に
設けられた貫通孔を介してキャビティ13内に導かれ、
前記貫通孔内を上下動することによって支持板1a端部
を挟持したりしなかったりするものである。
Further, the two molds 11, 12
Are positioning pins 16, 1 for supporting the end of the support plate 1a of the lead frame 1 in the cavity 13, respectively.
7 is provided. As a result, the end of the support plate 1a of the lead frame 1 is held between the positioning pins 16 and 17. The positioning pins 16 and 17 are guided into the cavity 13 through through holes provided at predetermined positions of the upper mold die 11 or the lower mold die 12, respectively.
By moving up and down in the through hole, the end of the support plate 1a is not held or not.

【0032】以下、上述した上面モールド金型11及び
下面モールド金型12を用いた樹脂封止型半導体装置の
製造方法について説明する。
Hereinafter, a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device using the above-described upper mold die 11 and lower mold die 12 will be described.

【0033】まず、半導体チップ2をリードフレーム1
の支持板1a上に電気伝導可能に接着し、さらに、半導
体チップ2をボンディングワイヤ4にて外部リード端子
1bに接続する。
First, the semiconductor chip 2 is connected to the lead frame 1.
The semiconductor chip 2 is connected to the external lead terminal 1b by a bonding wire 4 on the supporting plate 1a so as to be electrically conductive.

【0034】次に、半導体チップ2が実装されたリード
フレーム1を、図2(a)に示すように、下面モールド
金型12上にセットし、上面モールド金型11と下面モ
ールド金型12にて外部リード端子1bを挟持する。次
に、キャビティ13内に各モールド金型11,12の位
置決めピン16,17を挿通し、支持板1aの端部を固
定する。
Next, the lead frame 1 on which the semiconductor chip 2 is mounted is set on a lower mold 12 as shown in FIG. To hold the external lead terminal 1b. Next, the positioning pins 16 and 17 of the molds 11 and 12 are inserted into the cavity 13 to fix the end of the support plate 1a.

【0035】この後、トランスファーモールド法によ
り、両モールド金型11,12間に形成されるキャビテ
ィ13内に例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の封
止樹脂3を樹脂注入口14から圧入し、射出成形を行
う。このとき、前記可動ゲート18は、その先端が上面
モールド金型11の表面と略々一致する位置に配置して
おき、樹脂注入口14を大きく開けておく。このときの
樹脂注入口14のサイズは、厚み方向(両金型11,1
2の並置方向)が0.5mmからなり、幅方向が3mm
からなる。
Thereafter, a sealing resin 3 such as an epoxy resin or a polyimide resin is press-fitted into a cavity 13 formed between the mold dies 11 and 12 from a resin injection port 14 by a transfer molding method, and injection molding is performed. I do. At this time, the movable gate 18 is disposed at a position where the tip thereof substantially coincides with the surface of the upper mold die 11, and the resin injection port 14 is largely opened. The size of the resin inlet 14 at this time is in the thickness direction (both molds 11 and 1).
2) are 0.5 mm in width and 3 mm in width.
Consists of

【0036】上記封止樹脂3の半硬化後、図2(b)に
示すように、前記位置決めピン16,17を各モールド
金型11,12の表面まで移動させると共に、前記可動
ゲート18をその注入口側と下面モールド金型12との
間の距離が0.2mmとなる位置まで下降させる。この
とき、前記位置決めピン16,17の残り跡部分には、
前記可動ゲート18の下降による押された際の封止樹脂
3の流動によって前記位置決めピン16,17跡が充填
される。
After semi-curing of the sealing resin 3, as shown in FIG. 2B, the positioning pins 16, 17 are moved to the surfaces of the molding dies 11, 12, and the movable gate 18 is moved to the surface. It is lowered to a position where the distance between the injection port side and the lower mold 12 is 0.2 mm. At this time, the remaining traces of the positioning pins 16 and 17
The traces of the positioning pins 16 and 17 are filled by the flow of the sealing resin 3 when pressed by the lowering of the movable gate 18.

【0037】上記封止樹脂3の硬化後、両モールド金型
11,12から樹脂封止されたリードフレーム1を取り
出し、タイバー,横枠等のリードフレーム1の不要部分
を切断すると共に、図2(c)に示すように、ゲートブ
レイクローラ21等を用いて封止樹脂3の不要部分3a
に応力を加え、機械的に除去することにより、図1に示
すような樹脂封止型の半導体装置が得られる。
After the sealing resin 3 is cured, the resin-sealed lead frame 1 is taken out of the molds 11 and 12, and unnecessary portions of the lead frame 1, such as tie bars and horizontal frames, are cut off, and FIG. As shown in (c), the unnecessary portion 3a of the sealing resin 3 is formed by using the gate break roller 21 or the like.
By applying stress to and mechanically removing the resin, a resin-sealed semiconductor device as shown in FIG. 1 is obtained.

【0038】このように、本実施例の樹脂封止型半導体
装置の製造金型は、キャビティ13内に封止樹脂3を注
入する樹脂注入口14に、該樹脂注入口14の開口量を
調整する可動ゲート18を設けてなる構成なので、前記
樹脂注入口14の開口量を任意に設定することが可能で
あり、例えば樹脂注入時には開口量を大きくし、樹脂注
入後であって該封止樹脂3が半硬化状態となった時、開
口量を小さくすることが可能である。これによって、半
導体装置部分より突出する注入溝跡からなる不要部分3
aの半導体装置と連結する付け根部分の厚みを制御する
ことが可能となる。したがって、前記付け根部分の厚み
を薄くすることが可能となる。
As described above, in the mold for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment, the opening amount of the resin injection port 14 is adjusted to the resin injection port 14 for injecting the sealing resin 3 into the cavity 13. Since the movable gate 18 is provided, the opening amount of the resin injection port 14 can be set arbitrarily. For example, the opening amount is increased when the resin is injected, and the sealing resin is injected after the resin injection. When 3 is in a semi-cured state, the opening amount can be reduced. As a result, the unnecessary portion 3 consisting of the injection groove mark protruding from the semiconductor device portion
It is possible to control the thickness of the base portion connected to the semiconductor device of a. Therefore, the thickness of the root portion can be reduced.

【0039】また、前記可動ゲート18は、その先端面
18aが樹脂注入口14側からその反対側にかけて該先
端面18aと下面モールド金型12との距離が広くなる
よう傾斜させてなる構造よりなるので、注入溝15跡か
らなる封止樹脂3の不要部分3aの厚みを付け根方向に
対して徐々に薄くすることが可能である。これによって
不要部分3aの切断時の応力は一番薄い付け根部分に加
わることとなり、外観不良等起こすことなく容易に切断
することが可能となる。
The movable gate 18 has a structure in which the front end surface 18a is inclined so that the distance between the front end surface 18a and the lower mold 12 increases from the resin injection port 14 side to the opposite side. Therefore, it is possible to gradually reduce the thickness of the unnecessary portion 3a of the sealing resin 3 including the trace of the injection groove 15 in the base direction. As a result, the stress at the time of cutting the unnecessary portion 3a is applied to the thinnest root portion, and the cutting can be easily performed without causing poor appearance or the like.

【0040】さらに、樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、前記樹脂注入口14の開口量を大きくした状態でキ
ャビティ13内に前記樹脂注入口14より封止樹脂3を
注入する工程と、前記封止樹脂3が半硬化状態となった
とき、上記樹脂注入口14に設けられた可動ゲート18
により前記樹脂注入口14の開口量を小さくする工程と
を備えてなる構成なので、樹脂注入時には大きく開口し
た樹脂注入口14から封止樹脂3が注入され注入時間を
短くでき、また、注入された封止樹脂3が半硬化状態と
なった時開口量を小さくして硬化させることにより、半
導体装置部分より突出する注入溝15跡からなる不要部
分3aの半導体装置と連結する不要部分3aの付け根部
分の厚みを薄くすることができる。これにより、半導体
装置と不要部分3aとの接合面積を小さくでき、且つ切
断時の応力をかける方向に薄く形成しているので、切断
時の応力が小さくてすむと共に、半導体装置に不要樹脂
残りや欠け等を発生することなしに不要部分3aを除去
でき、外観不良を防止できる。図3は、本発明の他の実
施例からなる樹脂封止型半導体装置の製造金型およびそ
れを用いた製造方法にて形成されてなる樹脂封止型半導
体装置の外観図であり、(a)は斜視図であり、(b)
は側面図である。
Further, the method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device includes a step of injecting the sealing resin 3 from the resin injection port 14 into the cavity 13 with the opening amount of the resin injection port 14 being large. When the sealing resin 3 is in a semi-cured state, a movable gate 18 provided at the resin injection port 14 is provided.
And the step of reducing the opening amount of the resin injection port 14 by the above method. Therefore, the sealing resin 3 is injected from the resin injection port 14 which is largely opened at the time of resin injection, and the injection time can be shortened. When the sealing resin 3 is in a semi-cured state, the opening amount is reduced and hardened, so that the unnecessary portion 3a including the trace of the injection groove 15 protruding from the semiconductor device portion is connected to the semiconductor device at the base of the unnecessary portion 3a. Can be reduced in thickness. Thereby, the bonding area between the semiconductor device and the unnecessary portion 3a can be reduced, and the semiconductor device is formed to be thin in the direction in which the stress at the time of cutting is applied. Unnecessary portions 3a can be removed without causing chipping or the like, and appearance defects can be prevented. FIG. 3 is an external view of a mold for manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to another embodiment of the present invention and a resin-sealed semiconductor device formed by a manufacturing method using the same. ) Is a perspective view, and (b)
Is a side view.

【0041】本実施例より形成される樹脂封止型半導体
装置(以下、単に「半導体装置」と称す。)は、リード
フレーム1の支持板1aの裏面側を樹脂封止せず、露出
させてなる半導体装置からなる。
The resin-encapsulated semiconductor device (hereinafter simply referred to as “semiconductor device”) formed according to this embodiment is formed by exposing the back surface of the support plate 1 a of the lead frame 1 without performing resin encapsulation. It consists of a semiconductor device.

【0042】本実施例からなる半導体装置の製造金型
は、図4(a),(b)に示すように、上面モールド金
型11と下面モールド金型12とからなり、前記両モー
ルド金型11,12はそれぞれ凹部11a,12aが形
成されており、互いの凹部11a,12aを重ね合わせ
ることによってキャビティ13が形成される。
As shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b), the mold for manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment comprises an upper mold mold 11 and a lower mold mold 12, both of which molds. The recesses 11a and 12a are formed in the recesses 11 and 12, respectively. The cavity 13 is formed by overlapping the recesses 11a and 12a with each other.

【0043】また、前記下面モールド金型12は、前記
キャビティ13に封止樹脂3を導くための注入溝15が
形成されており、さらに、前記上面モールド金型11
は、注入溝15のキャビティ13に隣接する樹脂注入口
14近傍に該樹脂注入口14の開口量を調整する可動ゲ
ート等かならなる調整手段18が設けられてなる。
The lower mold 12 has an injection groove 15 for guiding the sealing resin 3 to the cavity 13.
An adjusting means 18 such as a movable gate for adjusting the opening amount of the resin injection port 14 is provided near the resin injection port 14 adjacent to the cavity 13 of the injection groove 15.

【0044】該可動ゲート18は、上面モールド金型1
1の注入溝15に対応する位置に前記両モールド金型1
1,12の並置方向に形成された貫通孔19に挿通され
てなるものであり、該貫通孔19内を上下動することに
よって前記樹脂注入口14の開口量を調整するものであ
る。前記可動ゲート18の先端面18aは、注入口側か
らその反対側にかけて該先端面18aと下面モールド金
型12との距離が広くなるよう傾斜させてなる構造を有
する。
The movable gate 18 is provided in the upper mold 1.
The two molds 1 are located at positions corresponding to the injection grooves 15 of the first mold 1.
The through holes 19 formed in the juxtaposition direction of the first and second through holes 12 are inserted into the through holes 19, and the opening amount of the resin injection port 14 is adjusted by moving up and down in the through holes 19. The distal end surface 18a of the movable gate 18 has a structure that is inclined from the injection port side to the opposite side so that the distance between the distal end surface 18a and the lower mold 12 is increased.

【0045】以下、上述した上面モールド金型11及び
下面モールド金型12を用いた樹脂封止型半導体装置の
製造方法について説明する。
A method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device using the above-described upper mold die 11 and lower mold die 12 will be described below.

【0046】まず、半導体チップ2をリードフレーム1
の支持板1a上に電気伝導可能に接着し、さらに、半導
体チップ2をボンディングワイヤ4にて外部リード端子
1bに接続する。
First, the semiconductor chip 2 is connected to the lead frame 1.
The semiconductor chip 2 is connected to the external lead terminal 1b by a bonding wire 4 on the supporting plate 1a so as to be electrically conductive.

【0047】次に、半導体チップ2が実装されたリード
フレーム1を、図4(a)に示すように、下面モールド
金型12上にセットし、上面モールド金型11と下面モ
ールド金型12にて外部リード端子1bを挟持すると共
に、前記リードフレーム1の支持板1aの裏面側を前記
下面モールド金型12の凹部12aの底面に沿わせて前
記支持板1aをキャビティ13内に配置する。
Next, the lead frame 1 on which the semiconductor chip 2 is mounted is set on the lower mold 12 as shown in FIG. The support plate 1a is disposed in the cavity 13 while the external lead terminals 1b are sandwiched between the support plates 1a and the back surface of the support plate 1a of the lead frame 1 is aligned with the bottom surface of the concave portion 12a of the lower mold 12.

【0048】この後、トランスファーモールド法によ
り、両モールド金型11,12間に形成されるキャビテ
ィ13内に例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の封
止樹脂3を樹脂注入口14から圧入し、射出成形を行
う。このとき、前記可動ゲート18は、その先端が上面
モールド金型11の表面と略々一致する位置に配置して
おき、樹脂注入口14を大きく開けておく。
Thereafter, a sealing resin 3 such as an epoxy resin or a polyimide resin is press-fitted into a cavity 13 formed between the mold dies 11 and 12 from a resin injection port 14 by transfer molding, and injection molding is performed. I do. At this time, the movable gate 18 is disposed at a position where the tip thereof substantially coincides with the surface of the upper mold die 11, and the resin injection port 14 is largely opened.

【0049】上記封止樹脂3の半硬化後、図4(b)に
示すように、前記可動ゲート18をその注入口側と下面
モールド金型12上に配置された支持板1aとの間の距
離が0.2mmとなる位置まで下降させる。
After semi-curing of the sealing resin 3, as shown in FIG. 4 (b), the movable gate 18 is moved between the injection port side and the support plate 1 a disposed on the lower mold 12. It is lowered to a position where the distance becomes 0.2 mm.

【0050】上記封止樹脂3の硬化後、両モールド金型
11,12から樹脂封止されたリードフレーム1を取り
出し、タイバー,横枠等のリードフレーム1の不要部分
を切断すると共に、図4(c)に示すように、不要部分
3aを固定して外部リード端子1b側を上下動させるこ
とにより前記不要部分3aを除去し、図1に示すような
樹脂封止型の半導体装置が得られる。
After the sealing resin 3 is cured, the resin-sealed lead frame 1 is taken out of the molds 11 and 12, and unnecessary portions of the lead frame 1 such as tie bars and horizontal frames are cut off. As shown in FIG. 1C, the unnecessary portion 3a is removed by moving the external lead terminal 1b up and down while fixing the unnecessary portion 3a, thereby obtaining a resin-sealed semiconductor device as shown in FIG. .

【0051】このように、本実施例の樹脂封止型半導体
装置の製造金型は、上記実施例同様、樹脂注入口14の
開口量を任意に設定することが可能であり、例えば樹脂
注入時には開口量を大きくし、樹脂注入後であって該封
止樹脂3が半硬化状態となった時、開口量を小さくする
ことが可能である。これによって、半導体装置部分より
突出する注入溝15跡からなる不要部分3aの半導体装
置と連結する付け根部分の厚みを制御することが可能と
なる。したがって、前記付け根部分の厚みを薄くするこ
とが可能となる。
As described above, in the mold for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment, the opening amount of the resin injection port 14 can be arbitrarily set, as in the above-described embodiment. It is possible to increase the opening amount and reduce the opening amount when the sealing resin 3 is in a semi-cured state after resin injection. Accordingly, it is possible to control the thickness of the root portion of the unnecessary portion 3a, which is formed by the trace of the injection groove 15 protruding from the semiconductor device portion and is connected to the semiconductor device. Therefore, the thickness of the root portion can be reduced.

【0052】また、前記可動ゲート18は、その先端面
18aが樹脂注入口14側からその反対側にかけて該先
端面18aと下面モールド金型12との距離が広くなる
よう傾斜させてなる構造よりなるので、注入溝15跡か
らなる封止樹脂3の不要部分3aの厚みを付け根方向に
対して徐々に薄くすることが可能である。これによって
不要部分3aの切断時の応力は一番薄い付け根部分に加
わることとなり、外観不良等起こすことなく容易に切断
することが可能となる。
The movable gate 18 has a structure in which the front end face 18a is inclined so that the distance between the front end face 18a and the lower mold 12 increases from the resin injection port 14 side to the opposite side. Therefore, it is possible to gradually reduce the thickness of the unnecessary portion 3a of the sealing resin 3 including the trace of the injection groove 15 in the base direction. As a result, the stress at the time of cutting the unnecessary portion 3a is applied to the thinnest root portion, and the cutting can be easily performed without causing poor appearance or the like.

【0053】さらに、樹脂封止型半導体装置の製造方法
についても、上記実施例同様、樹脂注入時には大きく開
口した樹脂注入口14から封止樹脂3が注入され注入時
間を短くでき、また、注入された封止樹脂3が半硬化状
態となった時開口量を小さくして硬化させることによ
り、半導体装置の封止部分より突出する注入溝15跡か
らなる不要部分3aの半導体装置の封止部分と連結する
不要部分3aの付け根部分の厚みを薄くすることができ
る。これにより、半導体装置の封止部分と不要部分3a
との接合面積を小さくでき、且つ切断時の応力をかける
方向に薄く形成しているので、切断時の応力が小さくて
すむと共に、半導体装置に不要樹脂残りや欠け等を発生
することなしに不要部分3aを除去でき、外観不良を防
止できる。上述した実施例においては、可動ゲート18
の先端面18aの樹脂注入口側と下面モールド金型12
との間、又は可動ゲート18の先端面18aの樹脂注入
口側とリードフレーム1の支持板1aとの間からなる樹
脂注入口14の金型11,12が並置する方向の開口量
を0.2mmとしたが、0.2mmに限定されるもので
はなく、以下にその数値について説明する。
Further, in the method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device, similarly to the above embodiment, the sealing resin 3 is injected from the resin injection port 14 which is largely opened at the time of injecting the resin, so that the injection time can be shortened. When the sealing resin 3 in the semi-cured state is hardened by reducing the opening amount, the unnecessary portion 3a including the trace of the injection groove 15 protruding from the sealing portion of the semiconductor device and the sealing portion of the semiconductor device are removed. The thickness of the root portion of the unnecessary portion 3a to be connected can be reduced. Thereby, the sealing portion and the unnecessary portion 3a of the semiconductor device are formed.
The joint area can be reduced, and it is formed thin in the direction in which the stress at the time of cutting is applied. Therefore, the stress at the time of cutting can be small, and it is unnecessary without generating unnecessary resin residue or chipping on the semiconductor device. The portion 3a can be removed, and appearance defects can be prevented. In the embodiment described above, the movable gate 18
Of the tip end surface 18a of the resin injection port and the lower mold 12
, Or between the resin injection port side of the front end face 18a of the movable gate 18 and the support plate 1a of the lead frame 1 in the direction in which the molds 11 and 12 are juxtaposed. Although it was set to 2 mm, it is not limited to 0.2 mm, and the numerical value will be described below.

【0054】一般的には、前記樹脂注入口14の金型1
1,12が並置する方向の開口量を小さくすればする
程、封止樹脂3の不要部分3aの付け根部分の肉厚は薄
くなり、薄くする程樹脂の強度は弱くなるため上述した
ように問題点は解決される。したがって、従来の開口量
0.5mmよりも小さくすれば問題点の発生は多少低減
される。
Generally, the mold 1 of the resin injection port 14 is used.
The smaller the opening amount in the direction in which the 1, 2 are juxtaposed, the thinner the base portion of the unnecessary portion 3a of the sealing resin 3 becomes, and the thinner the resin becomes, the weaker the strength of the resin becomes. The point is solved. Therefore, if the opening amount is smaller than the conventional opening amount of 0.5 mm, the occurrence of the problem is somewhat reduced.

【0055】ここで、問題点を完全に解決するために
は、0.3〜0.2mm程度とすることが望ましい。
Here, in order to completely solve the problem, it is desirable that the thickness is about 0.3 to 0.2 mm.

【0056】ところで、前記樹脂注入口14の金型1
1,12が並置する方向の開口量を0.2mmよりも小
さく設定した場合には、不要部分3aの付け根部分の肉
厚は前記開口量に対応して0.2mmよりも小さくな
り、非常に薄いものとなり、このような薄い肉厚である
と樹脂の強度は弱く、封止樹脂3が硬化後、半導体装置
を金型11,12から離脱させる際に前記不要部分3a
が落下し、金型内に残る等の不具合を発生する恐れがあ
る。このため、0.2mmよりも小さく設定することこ
とはあまり望ましくはない。
By the way, the mold 1 of the resin
When the opening amount in the direction in which 1, 12 are juxtaposed is set to be smaller than 0.2 mm, the thickness of the root portion of the unnecessary portion 3a becomes smaller than 0.2 mm corresponding to the opening amount, and becomes extremely small. When the semiconductor device is detached from the molds 11 and 12 after the sealing resin 3 is hardened, the unnecessary portion 3a becomes thin.
May fall and cause problems such as remaining in the mold. For this reason, it is not so desirable to set it smaller than 0.2 mm.

【0057】しかしながら、前記開口量を0mm、即ち
樹脂注入口14を封止樹脂3が半硬化時に完全に閉じて
しまえば、前記不要部分3aが発生することがなくな
り、半導体装置の製造工程におけるケートブレイク工程
を削除することが可能となる。これにより、製造工程の
簡略化が図れる。
However, if the opening amount is 0 mm, that is, if the resin injection port 14 is completely closed when the sealing resin 3 is semi-cured, the unnecessary portion 3a does not occur, and the gate in the manufacturing process of the semiconductor device is eliminated. It is possible to eliminate the breaking step. This simplifies the manufacturing process.

【0058】[0058]

【発明の効果】このように、本発明の樹脂封止型半導体
装置の製造方法の製造金型は、モールド空間部に封止樹
脂を注入する注入口に、該注入口の開口量を調整する調
整手段を設けてなる構成なので、注入口の開口量を任意
に設定することが可能であり、例えば樹脂注入時には開
口量を大きくし、樹脂注入後であって該封止樹脂が半硬
化状態となった時、開口量を小さくすることが可能であ
り、これによって、半導体装置部分より突出する注入溝
跡からなる不要部分の半導体装置と連結する付け根部分
の厚みを制御することが可能となる。さらに、本発明の
樹脂封止型半導体装置の製造方法は、前記注入口の開口
量を大きくした状態でモールド空間部に前記注入口より
樹脂を注入する工程と、前記樹脂が半硬化状態となった
とき、前記位置決めピンを金型表面まで移動させると共
に、前記注入口に設けられた調整手段により注入口の開
口量を小さくする工程とを備えてなる構成なので、樹脂
注入時には大きく開口した注入口から樹脂が注入され注
入時間を短くでき、また、注入された樹脂が半硬化状態
となった時開口量を小さくして硬化させることにより、
半導体装置部分より突出する注入溝跡からなる不要部分
の半導体装置と連結する不要部分の付け根部分の厚みを
薄くすることができ、これによって半導体装置と不要部
分との接合面積を小さくでき、且つ切断時の応力をかけ
る方向に薄く形成しているので、切断時の応力が小さく
てすむと共に、半導体装置に不要樹脂残りや欠け等を発
生することなしに不要部分を除去でき、外観不良を防止
できる。
[Effect of the Invention] Thus, the manufacturing mold of the manufacturing method of the tree Aburafutome type semiconductor device of the present invention, the inlet for injecting the encapsulating resin into the mold space, adjusting the opening amount of the noted inlet The opening amount of the injection port can be arbitrarily set, for example, the opening amount is increased at the time of resin injection, and the sealing resin is in a semi-cured state after the resin injection. In this case, it is possible to reduce the opening amount, and thereby, it is possible to control the thickness of the root portion that is connected to the unnecessary portion of the semiconductor device, which is formed by the injection groove mark protruding from the semiconductor device portion. . Furthermore, the present invention
The method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device may further include opening the injection port.
With the volume increased from the injection port into the mold space
The step of injecting the resin and the resin is in a semi-cured state
When the positioning pin is moved to the mold surface,
The opening of the inlet is adjusted by adjusting means provided at the inlet.
Because it is a configuration that includes a process to reduce the amount of mouth, resin
At the time of injection, resin is injected from the large opening
Injection time can be shortened, and injected resin is in a semi-cured state
By reducing the opening amount and curing when it becomes
Unnecessary part consisting of injection groove trace protruding from the semiconductor device part
The thickness of the root of the unnecessary part connected to the semiconductor device of
It can be thinner, which allows semiconductor devices and unnecessary parts
To reduce the bonding area and apply stress during cutting.
Is thin in the direction of
As well as unnecessary resin residue or chipping on the semiconductor device.
Unnecessary parts can be removed without producing, preventing appearance defects
it can.

【0059】また、本発明の樹脂封止型半導体装置の
造方法によれば、前記調整手段の先端面が注入口側から
その反対側にかけて該先端面と下面金型との距離が広く
なるよう傾斜させてなる製造金型を用いるので、注入溝
跡からなる封止樹脂の不要部分の厚みを付け根方向に対
して徐々に薄くすることが可能であり、これによって不
要部分の切断時の応力は一番薄い付け根部分に加わるこ
ととなり、外観不良等起こすことなく容易に切断するこ
とが可能となる。
[0059] In addition, manufacturing of the tree Aburafutome type semiconductor device of the present invention
According to the manufacturing method , since the leading end surface of the adjusting means is inclined so that the distance between the leading end surface and the lower surface mold is widened from the injection port side to the opposite side, the manufacturing die is used . It is possible to gradually reduce the thickness of the unnecessary portion of the sealing resin with respect to the root direction, so that the stress at the time of cutting the unnecessary portion is applied to the thinnest root portion, causing poor appearance etc. It is possible to cut easily without the need.

【0060】[0060]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例より形成されてなる樹脂封止
型半導体装置を示す外観図であり、(a)は斜視図であ
り、(b)は側面図である。
FIGS. 1A and 1B are external views showing a resin-sealed semiconductor device formed according to an embodiment of the present invention, wherein FIG. 1A is a perspective view and FIG. 1B is a side view.

【図2】本発明の一実施例からなる樹脂封止型半導体装
置の製造金型及び製造方法を説明するための側面断面図
である。
FIG. 2 is a side sectional view for explaining a manufacturing die and a manufacturing method of the resin-sealed semiconductor device according to one embodiment of the present invention.

【図3】本発明の他の実施例より形成されてなる樹脂封
止型半導体装置を示す外観図であり、(a)は斜視図で
あり、(b)は側面図である。
3A and 3B are external views showing a resin-sealed semiconductor device formed according to another embodiment of the present invention, wherein FIG. 3A is a perspective view and FIG. 3B is a side view.

【図4】本発明の他の実施例からなる樹脂封止型半導体
装置の製造金型及び製造方法を説明するための側面断面
図である。
FIG. 4 is a side sectional view for explaining a manufacturing die and a manufacturing method of a resin-sealed semiconductor device according to another embodiment of the present invention.

【図5】従来の樹脂封止型半導体装置を示す斜視図であ
る。
FIG. 5 is a perspective view showing a conventional resin-encapsulated semiconductor device.

【図6】図5に示す樹脂封止型半導体装置の製造金型及
び製造方法を説明するための図であり、(a)は側面断
面図であり、(b)は上面側からの透視図である。
6A and 6B are views for explaining a manufacturing die and a manufacturing method of the resin-encapsulated semiconductor device shown in FIG. 5, wherein FIG. 6A is a side sectional view, and FIG. It is.

【図7】従来の他の樹脂封止型半導体装置を示す斜視図
である。
FIG. 7 is a perspective view showing another conventional resin-encapsulated semiconductor device.

【図8】図7に示す樹脂封止型半導体装置の製造金型及
び製造方法を説明するための図であり、(a)は側面断
面図であり、(b)は上面側からの透視図である。
8A and 8B are views for explaining a manufacturing die and a manufacturing method of the resin-encapsulated semiconductor device shown in FIG. 7, wherein FIG. 8A is a side sectional view, and FIG. It is.

【図9】図5及び図6に示す従来例の封止樹脂の不要部
分の除去方法を説明するための側面図である。
FIG. 9 is a side view for explaining a method of removing unnecessary portions of the sealing resin of the conventional example shown in FIGS. 5 and 6.

【図10】図9に示す除去方法にて封止樹脂の不要部分
を除去した場合の問題点を説明するための図である。
10 is a view for explaining a problem when an unnecessary portion of the sealing resin is removed by the removing method shown in FIG. 9;

【図11】図7及び図8に示す従来例の封止樹脂の不要
部分の除去方法を説明するための図である。
FIG. 11 is a view for explaining a method of removing unnecessary portions of the sealing resin of the conventional example shown in FIGS. 7 and 8;

【図12】図11に示す除去方法にて封止樹脂の不要部
分を除去した場合の問題点を説明するための図である。
FIG. 12 is a view for explaining a problem when an unnecessary portion of the sealing resin is removed by the removing method shown in FIG. 11;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 リードフレーム 1a 支持板 1b 外部リード端子 2 半導体チップ 3 封止樹脂 3a 不要部分 11 上面モールド金型 11a 凹部 12 下面モールド金型 12a 凹部 13 キャビティ(モールド空間部) 14 樹脂注入口 15 注入溝 18 可動ゲート(調整手段) 18a 先端面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lead frame 1a Support plate 1b External lead terminal 2 Semiconductor chip 3 Sealing resin 3a Unnecessary part 11 Top molding die 11a Depression 12 Lower molding die 12a Depression 13 Cavity (mold space part) 14 Resin injection port 15 Injection groove 18 Movable Gate (adjustment means) 18a Tip surface

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI // B29K 105:22 B29L 31:34 (56)参考文献 特開 平1−123713(JP,A) 特開 平6−326145(JP,A) 特開 平6−124971(JP,A) 特開 平5−237864(JP,A) 特開 平4−249121(JP,A) 特開 平1−105550(JP,A) 特開 平2−168637(JP,A) 特開 平3−259553(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B29C 45/00 - 45/84 B29C 33/00 - 33/28 H01L 21/56 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI // B29K 105: 22 B29L 31:34 (56) References JP-A-1-123713 (JP, A) JP-A-6-326145 (JP, A) JP-A-6-124971 (JP, A) JP-A-5-237864 (JP, A) JP-A-4-249121 (JP, A) JP-A-1-105550 (JP, A) JP-A-2-168637 (JP, A) JP-A-3-259553 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) B29C 45/00-45/84 B29C 33/00- 33/28 H01L 21/56

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 上面金型と下面金型との間に一端側に半
導体チップを実装したリードフレームを配置し、該リー
ドフレームの一端側を上面金型と下面金型との間で形成
されたモールド空間部に配置すると共に他端側を上面金
型と下面金型とで挟持し、前記モールド空間部に樹脂を
注入して記リードフレームの一端側を樹脂封止する
前記モールド空間部内において前記リードフレーム
の端部を支持する位置決めピンと、前記モールド空間部
に樹脂を注入する注入口に、該注入口の開口量を調整す
る調整手段を設けてなる樹脂封止型半導体装置の製造
金型を用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法におい
て、 一端側に半導体チップをボンディングワイヤにて外部リ
ード端子に接続して実装したリードフレームの一端側を
上面金型と下面金型との間で形成されたモールド空間部
に配置すると共に他端側を上面金型と下面金型とで挟持
する工程と、 前記モールド空間部内に前記位置決めピンを挿入して前
記リードフレーム端部を固定する工程と、 前記注入口の開口量を大きくした状態で前記モールド空
間部に前記注入口より樹脂を注入する工程と、 前記樹脂が半硬化状態となったとき、前記位置決めピン
を金型表面まで移動させると共に、前記注入口に設けら
れた調整手段により注入口の開口量を小さくする工程
と、を備えてなることを特徴とする樹脂封止型半導体装
置の製造方法
1. A lead frame having a semiconductor chip mounted on one end between an upper mold and a lower mold. One end of the lead frame is formed between the upper mold and the lower mold. and clamping the other end in the upper surface mold and the lower surface mold with placing the mold space, the one end of the previous SL lead frame by injecting resin to resin sealing to the mold space
And the lead frame in the mold space.
A positioning pin for supporting the end, the inlet for injecting the resin into the mold space, a mold for manufacturing ∎ You can Aburafutome type semiconductor device name provided with adjusting means for adjusting the amount of opening of the infusion inlet In manufacturing method of resin-encapsulated semiconductor device using
The semiconductor chip on one end with a bonding wire.
Connect one end of the lead frame
Mold space formed between upper mold and lower mold
And the other end is clamped between the upper mold and the lower mold.
And inserting the positioning pin into the mold space, and
Fixing the end portion of the lead frame, and forming the mold cavity with the opening of the injection port enlarged.
A step of injecting the resin from the injection port into the space, and when the resin is in a semi-cured state, the positioning pin
To the mold surface, and
Of reducing the opening amount of the injection port by using the adjusted adjusting means
And a resin-encapsulated semiconductor device characterized by comprising:
Manufacturing method .
【請求項2】 前記上面金型及び下面金型の何れか一方
の金型は、上面金型と下面金型とが略重なり合う部分の
一部分に前記モールド空間部に樹脂を導く注入溝が設け
られ、さらに前記上面金型及び下面金型の何れか一方の
金型は、前記注入溝に挿通される前記調整手段が設けら
れてなることを特徴とする請求項1記載の樹脂封止型半
導体装置の製造方法
2. The mold of one of the upper mold and the lower mold is provided with an injection groove for guiding a resin into the mold space at a part of a portion where the upper mold and the lower mold substantially overlap. 2. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein one of the upper mold and the lower mold is provided with the adjusting means inserted into the injection groove. Manufacturing method .
【請求項3】 前記調整手段は、その先端面が注入口側
からその反対側にかけて該先端面と下面金型との距離が
広くなるよう傾斜させてなることを特徴とする請求項2
記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法
3. The adjusting device according to claim 2, wherein the tip end surface is inclined so that the distance between the tip end surface and the lower surface mold increases from the injection port side to the opposite side.
The manufacturing method of the resin-sealed semiconductor device according to the above.
【請求項4】 樹脂が半硬化状態となったときの前記注
入口の開口量を、上面金型と下面金型とが並置する方向
に対して0.3〜0.2mmとしてなること を特徴とす
る請求項1、2、又は3記載の樹脂封止型半導体装置の
製造方法。
4. The method according to claim 1 , wherein said resin is in a semi-cured state.
Set the opening amount of the inlet in the direction in which the upper mold and the lower mold are juxtaposed.
0.3 to 0.2 mm with respect to
4. The method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, 2 or 3 .
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