JP3164050B2 - Manufacturing method of magnetoresistive composite head - Google Patents
Manufacturing method of magnetoresistive composite headInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果を利
用した再生ヘッドと、誘導型記録ヘッドとを備える磁気
抵抗効果型複合型ヘッドの製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a magneto-resistive composite head including a reproducing head utilizing a magneto-resistive effect and an inductive recording head.
【0002】[0002]
【従来の技術】磁気抵抗効果型複合ヘッド(以下、複合
ヘッドと記す)は、磁気抵抗効果型ヘッドと、これに積
層された誘導型ヘッド(インダクティブヘッド、以下、
IDヘッドと記す)とを備える。実用的な複合ヘッドで
は、MRヘッドは、再生ヘッドとして使用され、二層の
対向する磁気シールド膜S1及びS2と、S1及びS2
間にあって、これらから絶縁体を成す磁気的分離層によ
って隔てられた磁気抵抗効果素子とを有する。また、I
Dヘッドは、記録ヘッドとして使用され、MRヘッドの
二層の磁気シールド膜S1及びS2の内の一層の磁気シ
ールド膜S2を一方の磁極膜P1とし、この磁極膜P1
のMR効果素子と反対側の面に、絶縁体で挟まれたコイ
ルともう一方の磁極P2とを有する。P1とP2は、相
互に平行に積層され、P1およびP2間に設けられた磁
気ギャップ15に発生する磁界により記録を行う。2. Description of the Related Art A magnetoresistive head (hereinafter referred to as a composite head) includes a magnetoresistive head and an inductive head (inductive head;
ID head). In a practical composite head, the MR head is used as a read head, and has two opposing magnetic shield films S1 and S2, and S1 and S2.
And a magnetoresistive effect element interposed therebetween and separated by a magnetic separation layer forming an insulator therefrom. Also, I
The D head is used as a recording head, and one of the two magnetic shield films S1 and S2 of the MR head is used as one magnetic pole film P1.
Has a coil sandwiched between insulators and another magnetic pole P2 on the surface opposite to the MR effect element. P1 and P2 are stacked in parallel with each other, and perform recording by a magnetic field generated in a magnetic gap 15 provided between P1 and P2.
【0003】記録密度の向上に伴って、記録トラック幅
を規定する上磁極P2の、記録磁気媒体と対向する面
(空気浮上面、以下ABS面と記す)における端部のト
ラック幅Wは狭いことが求められている。しかしなが
ら、下磁極P1を形成し次いで絶縁層で覆われたコイル
を形成した後に、上磁極P2を形成するプロセスでは、
上磁極P2の外形を決定するフォトレジストフレーム
(以後レジストフレームと記す)を、中央部が厚く端部
に向かって薄くなる絶縁層で覆われたコイルに乗り上げ
た状態で形成しなければならず、さらに、記録トラック
幅Wを規定する上磁極P2の端部がコイル絶縁層の端部
の近傍に位置するため、上磁極P2の端部の狭幅化が困
難であり、その限界は2μm程度であった。As the recording density increases, the track width W at the end of the upper magnetic pole P2 defining the recording track width on the surface (air floating surface, hereinafter referred to as ABS surface) facing the recording magnetic medium must be narrower. Is required. However, in the process of forming the upper magnetic pole P2 after forming the lower magnetic pole P1 and then forming the coil covered with the insulating layer,
A photoresist frame (hereinafter referred to as a resist frame) for determining the outer shape of the upper magnetic pole P2 must be formed on a coil covered with an insulating layer whose center portion is thicker and thinner toward its ends, Further, since the end of the upper magnetic pole P2 that defines the recording track width W is located near the end of the coil insulating layer, it is difficult to narrow the end of the upper magnetic pole P2, and its limit is about 2 μm. there were.
【0004】特開平7―225917号公報に記載され
た製造方法では、上記限界を超えるために、上磁極P2
のトラック幅を規定する端部のみを、絶縁層で覆われた
コイルの形成前に形成し、その後にコイル部およびその
他の上磁極部分を形成している。このように上磁極P2
の先端部を前工程として形成することによって、1μm
程度の狭幅の端部を持つ上磁極P2を形成している。In the manufacturing method described in JP-A-7-225917, the upper magnetic pole P2
Is formed before the formation of the coil covered with the insulating layer, and thereafter, the coil portion and other upper magnetic pole portions are formed. Thus, the upper magnetic pole P2
1 μm by forming the tip of
An upper magnetic pole P2 having a narrow end is formed.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、上記公報
に記載の方法で実際にIDヘッドを製造した。しかしこ
の記載された方法は、工程が複雑であるばかりか、以下
の問題を含むものであった。The present inventor actually manufactured an ID head by the method described in the above publication. However, the described method is not only complicated in steps but also involves the following problems.
【0006】まず、先行して形成する上磁極P2の先端
部の形成にあたって、製造コストを考慮してフレームめ
っき法を用いると、上磁極P2の先端部はスロートハイ
ト(コイルの絶縁層の端部からABS面までの長さH)
がゼロの位置で規定されるため、レジストフレームの形
状は、コの字型の袋小路となる。First, when forming the leading end of the upper magnetic pole P2 to be formed in advance by using a frame plating method in consideration of the manufacturing cost, the leading end of the upper magnetic pole P2 becomes a throat height (the end of the insulating layer of the coil). Length from the surface to the ABS)
Is defined at the zero position, the shape of the resist frame is a U-shaped blind alley.
【0007】そのため、通常のパドルめっきで磁極を形
成すると、この袋小路部にめっき液が十分に流動しにく
く、結果として、形成されるめっき膜の組成が変化し、
最も良好な磁気特性を必要とする上磁極P2の先端部の
磁気特性が劣化し、或いはばらつくこととなり製造歩留
まりが低下する。Therefore, when the magnetic pole is formed by ordinary paddle plating, it is difficult for the plating solution to sufficiently flow in this dead end, and as a result, the composition of the formed plating film changes,
The magnetic properties at the tip of the upper magnetic pole P2, which requires the best magnetic properties, are degraded or varied, and the manufacturing yield is reduced.
【0008】また、上磁極P2において、スロートハイ
ト長のばらつきが大きくなる。スロートハイト長は、I
Dヘッドのオーバーライト特性などの記録性能に大きく
影響を及ぼすため、厳密な制御が必要である。しかし本
ヘッドでは、この長さの制御が困難であるために、さら
に、製造歩留まりが低下する。Further, in the upper magnetic pole P2, the variation in the throat height becomes large. The throat height is I
Strict control is necessary because it greatly affects the recording performance such as the overwrite characteristics of the D head. However, in the present head, since it is difficult to control the length, the production yield further decreases.
【0009】本発明の目的は、コイル形成前にIDヘッ
ドの上磁極P2の先端部だけを前工程として別に形成す
ることを要しなく、コイル形成後に上磁極P2を形成し
ても、寸法精度が高く、狭トラック幅を実現できる磁気
抵抗効果型複合ヘッドの製造方法を提供することにあ
る。An object of the present invention is to eliminate the necessity of separately forming only the tip of the upper magnetic pole P2 of the ID head as a pre-process before forming the coil. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a magnetoresistive composite head which is high in performance and can realize a narrow track width.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法は、
スライダに順次に積層された一対の磁気シールド膜と、
該一対の磁気シールド膜間に配設された磁気抵抗(以下
MRと記す)効果素子とを有する再生ヘッドと、前記第
1の磁気シールドを第1の記録磁極とし、該第1の記録
磁極と記録磁気ギャップを挟んで対向する第2の記録磁
極を有する記録ヘッドとを備える磁気抵抗効果型複合ヘ
ッドの製造方法であって、レジストフレームを形成する
工程と、該レジストフレームの内側に第2の記録磁極を
めっき法により形成する工程と、前記レジストフレーム
を除去する前に、前記第2の記録磁極の先端幅が所望の
幅になるようにトリミングする工程を備えることを特徴
とする。本発明によれば、レジストフレームを残してト
リミングを行うことによってレジストフレーム下の部分
を保護することができる。ここで、前記トリミング工程
は、フォーカスイオンビーム(FIB)法を使用するこ
とが好ましい。この場合、高い寸法精度が得られる。ま
た、前記トリミング工程において、レジストフレームの
一部を除去するが分断しないことが好ましい。この場
合、その後の工程で磁極がエッチング液によって浸食さ
れることを防止できる。前記レジストフレームにトリミ
ング工程のためのアラインメントマークを形成すること
が好ましい。この場合、トリミング工程での位置決めが
容易になる。In order to achieve the above object, a method of manufacturing a magnetoresistive head according to the present invention comprises:
A pair of magnetic shield films sequentially laminated on the slider,
A read head having a magnetoresistive (hereinafter referred to as MR) effect element disposed between the pair of magnetic shield films; and the first magnetic shield as a first write magnetic pole. A method of manufacturing a magnetoresistive composite head, comprising: a recording head having a second recording magnetic pole opposed to a recording magnetic gap, wherein a step of forming a resist frame; The method further includes a step of forming a recording magnetic pole by a plating method and a step of trimming the second recording magnetic pole so that a leading end width thereof becomes a desired width before removing the resist frame. According to the present invention, the portion under the resist frame can be protected by performing the trimming while leaving the resist frame. Here, it is preferable that the trimming process uses a focus ion beam (FIB) method. In this case, high dimensional accuracy is obtained. Further, in the trimming step, it is preferable that a part of the resist frame is removed but not divided. In this case, it is possible to prevent the magnetic pole from being eroded by the etchant in a subsequent step. It is preferable that an alignment mark for a trimming process is formed on the resist frame. In this case, positioning in the trimming step is facilitated.
【0011】[0011]
【発明の実施の形態】図面を参照して本発明を更に詳細
に説明する。図1は、本発明の一実施形態例の製造方法
によって製造される複合ヘッドを、ABS面から見た断
面図である。ウエハ21上に下シールド11が形成され
ており、その上に中央領域12A及び端部領域12Bを
有するMR素子12が配置され、更に、上シールド1
3、次いで上磁極14が形成されている。上シールド1
3の一部には凸部16が形成され、この凸部16と上磁
極14との間には、アルミナ層から成るギャップ層15
が配置されている。The present invention will be described in more detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of a composite head manufactured by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention as viewed from the ABS. A lower shield 11 is formed on a wafer 21, on which an MR element 12 having a central region 12A and an end region 12B is arranged.
Third, the upper magnetic pole 14 is formed. Upper shield 1
3 is provided with a convex portion 16, and a gap layer 15 made of an alumina layer is provided between the convex portion 16 and the upper magnetic pole 14.
Is arranged.
【0012】図2は、スライダを構成するAl2O3−T
iO複合セラミックからなるウエハ21上に、図1に示
した素子が縦横に整列して形成される様子を示してお
り、各素子は、この状態から切り出された後、ABS面
が研磨される。FIG. 2 shows an Al 2 O 3 -T constituting a slider.
1 shows a state in which the elements shown in FIG. 1 are formed on a wafer 21 made of an iO composite ceramic so as to be aligned vertically and horizontally. After each element is cut out from this state, the ABS surface is polished.
【0013】図3(a)〜(d)は、図2で示した各素
子の製造工程毎の平面図であり、上記磁気抵抗効果複合
複合ヘッドの製造方法における主な製造工程を順次に図
示している。FIGS. 3 (a) to 3 (d) are plan views of the respective manufacturing steps of the respective elements shown in FIG. 2 and sequentially show the main manufacturing steps in the method of manufacturing the magnetoresistive composite head. Is shown.
【0014】ウエハ上に、まず、スパッタ法により膜厚
1μmのCo−Ta−Zr膜を形成し、下シールドS1
(11)としてパタン化する。この後、一方の再生用磁気
ギャップとなる絶縁膜として膜厚80nmのアルミナ膜
をスパッタ成膜した後、MR膜を中央領域12A(図
1)とし、電極膜及び磁気バイアス膜から成る積層膜を
端部領域12BとしたMR素子12を形成する。MR素
子の中央領域を構成する積層膜は、膜厚30nmのNi
−Mn膜、膜厚3nmのCo−Fe膜、膜厚2.5nm
のCu膜、及び、膜厚6nmのNi−Fe膜からなるス
ピンバルブ膜から構成される。磁気バイアス膜は、同様
に積層膜から成り、膜厚10nmのCr下地膜、膜厚4
0nmのCo−Cr−Pt永久磁石膜、膜厚5nmのT
a密着膜、膜厚100nmのAu膜から構成される。First, a 1 μm-thick Co—Ta—Zr film is formed on the wafer by sputtering, and the lower shield S 1
Patterned as (11). After that, an alumina film having a thickness of 80 nm is formed by sputtering as an insulating film to be one of the reproducing magnetic gaps. Then, the MR film is used as the central region 12A (FIG. 1), and a laminated film including the electrode film and the magnetic bias film is formed. The MR element 12 having the end region 12B is formed. The laminated film constituting the central region of the MR element is made of Ni having a thickness of 30 nm.
-Mn film, 3 nm thick Co-Fe film, 2.5 nm thick
And a spin valve film made of a 6-nm-thick Ni—Fe film. The magnetic bias film is also formed of a laminated film, and has a 10 nm-thick Cr underlayer, a thickness of 4 mm.
0 nm Co-Cr-Pt permanent magnet film, 5 nm thick T
a Adhesion film, composed of an Au film having a thickness of 100 nm.
【0015】次に、もう一方の再生磁気ギャップとなる
膜厚60nmのアルミナ膜をスパッタ成膜した後に、フ
レームめっき法により、上シールド兼電極13を構成す
る膜厚2μmのNi−Fe膜パタンを形成する。次に、
記録磁気ギャップとなる膜厚0.25μmのアルミナ膜
15をスパッタ成膜し、その上に絶縁レジストにより覆
われた記録ヘッドの磁界発生用コイル25を形成する。
これにより図3(a)の構造が得られる。Next, after a 60 nm-thick alumina film serving as the other reproducing magnetic gap is formed by sputtering, a 2 μm-thick Ni—Fe film pattern constituting the upper shield / electrode 13 is formed by frame plating. Form. next,
A 0.25 μm-thick alumina film 15 serving as a recording magnetic gap is formed by sputtering, and a magnetic field generating coil 25 of a recording head covered with an insulating resist is formed thereon.
As a result, the structure shown in FIG.
【0016】更に、記録ヘッドの上磁極P2(14)を
パタン化するためのレジストフレーム26を、マスクを
利用したパタン転写によって形成し、上磁極14として
のNi−Fe膜をレジストフレーム26の内側にめっき
法により形成する。これにより図3(b)の構造が得ら
れる。Further, a resist frame 26 for patterning the upper magnetic pole P2 (14) of the recording head is formed by pattern transfer using a mask, and a Ni-Fe film as the upper magnetic pole 14 is formed inside the resist frame 26. Is formed by plating. Thus, the structure shown in FIG. 3B is obtained.
【0017】次いで、レジストフレーム26を残したま
ま、FIB法を利用してトリミング加工28を行う。こ
のトリミング加工によって上磁極P2先端のトラック幅
Wを決定する。これにより図3(c)の構造が得られ
る。レジストフレーム26を残したことによって、レジ
ストフレーム下の部分でFIBにより削る必要のない部
分を保護することが出来る。このトリミング時に切除さ
れる各層としては、上層より上磁極14、レジストフレ
ーム26、ギャップ層としてのアルミナ膜15、上シー
ルド13の凸部の形成部分である。Next, a trimming process 28 is performed using the FIB method while the resist frame 26 is left. The track width W at the tip of the upper magnetic pole P2 is determined by this trimming. As a result, the structure shown in FIG. 3C is obtained. By leaving the resist frame 26, a portion under the resist frame that does not need to be cut by the FIB can be protected. The layers to be cut off during the trimming are the upper magnetic pole 14, the resist frame 26, the alumina film 15 as a gap layer, and the projections of the upper shield 13 from the upper layer.
【0018】次に、フレーム内の磁極パタンを最終的に
残すために、レジストフレームにレジストカバーを掛け
て、ケミカルエッチングによりレジストフレーム26外
周部の磁極以外の不要部分のめっきNi−Fe膜29を
除去する。これにより図3(d)の構造が得られる。こ
の際、レジストフレーム26は、図3(c)に示したよ
うに、FIB法により一部切除されるが、レジストフレ
ームを分断しないようにする。これにより、エッチング
液がレジストフレーム内の上磁極P2を浸食することを
防ぐことができる。次に、レジストフレーム26を除去
し、膜厚30μmのアルミナ膜で素子を覆い、さらに電
極パッドを形成しウエハ上の素子を完成する。なお、図
3(d)のI−I部は、図1において述べたABS面の
研磨後の面を示す。Next, in order to finally leave the magnetic pole pattern in the frame, the resist frame is covered with a resist cover, and an unnecessary portion of the plated Ni-Fe film 29 other than the magnetic pole on the outer peripheral portion of the resist frame 26 is subjected to chemical etching. Remove. Thus, the structure shown in FIG. 3D is obtained. At this time, the resist frame 26 is partially cut by the FIB method as shown in FIG. 3C, but the resist frame is not divided. This can prevent the etching solution from eroding the upper magnetic pole P2 in the resist frame. Next, the resist frame 26 is removed, the device is covered with a 30 μm-thick alumina film, and an electrode pad is formed to complete the device on the wafer. 3 (d) shows the polished surface of the ABS surface described in FIG.
【0019】図4は、上記製造方法で使用されるレジス
トフレームの一例を示す。マスクを利用したパタン転写
によってこのレジストフレーム26を形成した後にめっ
き法によって上磁極P2の形成を行う。その後、FIB
法により、トラック幅Wを決定する上磁極P2先端幅を
トリミングする加工を、レジストフレームを残したまま
行う。これは、レジストフレームを残しておくことで、
FIB法によるトリミングを必要としないフレームの下
の部分を保護するためである。レジストフレームは、図
3(c)に示されるように、FIB工程28により一部
切除される。この場合、前述のように、レジストフレー
ムを切断しない。これはケミカルエッチングにより、レ
ジストフレーム外周部の不要なめっき膜29を除去し、
レジストフレーム内の上磁極P2のパタンを最終的に残
す工程で、エッチング液がレジストフレーム内の磁極を
浸食しないようにするためである。レジストフレームに
は、FIBによるトリミング工程の位置決め画像処理を
行いやすくするために、図4に示すアラインメントマー
ク32を設けてある。FIG. 4 shows an example of a resist frame used in the above manufacturing method. After the resist frame 26 is formed by pattern transfer using a mask, the upper magnetic pole P2 is formed by plating. Then, FIB
The process of trimming the tip width of the upper magnetic pole P2 for determining the track width W is performed with the resist frame left. This is by leaving the resist frame
This is to protect the lower part of the frame that does not require trimming by the FIB method. The resist frame is partially removed by the FIB process 28 as shown in FIG. In this case, as described above, the resist frame is not cut. This removes unnecessary plating film 29 on the periphery of the resist frame by chemical etching,
This is to prevent the etchant from eroding the magnetic poles in the resist frame in the step of finally leaving the pattern of the upper magnetic pole P2 in the resist frame. An alignment mark 32 shown in FIG. 4 is provided on the resist frame to facilitate the positioning image processing in the trimming step by the FIB.
【0020】本発明の製造方法によって、記録ヘッドの
トラック幅を決定する上磁極14の幅Wは2μm以下の
高密度記録に適したものとなる。さらに、FIB処理の
調整により、上シールド13に上磁極14に一致した凸
部16を形成することができ、これにより、トラック幅
横方向への記録にじみが抑制された記録が実現する。According to the manufacturing method of the present invention, the width W of the upper magnetic pole 14, which determines the track width of the recording head, is suitable for high-density recording of 2 μm or less. Further, by adjusting the FIB process, it is possible to form the convex portion 16 corresponding to the upper magnetic pole 14 on the upper shield 13, thereby realizing the recording in which the recording bleeding in the lateral direction of the track width is suppressed.
【0021】FIB処理の調整によって、上シールド上
に凸部16がない構造を形成することも出来る。また、
下シールド材料11としてはCo−Ta−Zr膜以外に
も、一般に軟磁性膜と呼ばれる膜、即ち、Ni−Fe
膜、Co系非晶質膜、Fe系あるいはCo系の微結晶
膜、センダスト膜であれば、同様の結果が得られる。By adjusting the FIB process, it is possible to form a structure having no projection 16 on the upper shield. Also,
As the lower shield material 11, besides the Co-Ta-Zr film, a film generally called a soft magnetic film, that is, Ni-Fe
Similar results can be obtained with a film, a Co-based amorphous film, an Fe-based or Co-based microcrystalline film, or a sendust film.
【0022】また、MR膜12としては、前記のスピン
バルブ膜のみならず、一般的にスピンバルブと呼ばれる
膜であれば、同様の結果が得られる。また、Ni−Fe
膜などの異方性磁気抵抗効果を用いた一般的なMR膜を
用いた場合に、また強磁性トンネル接合型のMR効果を
用いたMR膜の場合においても、同様の結果が得られ
る。The same result can be obtained if the MR film 12 is a film generally called a spin valve in addition to the above-mentioned spin valve film. Also, Ni-Fe
Similar results are obtained when a general MR film using an anisotropic magnetoresistance effect such as a film is used, and when a MR film using a ferromagnetic tunnel junction type MR effect is used.
【0023】上シールド膜13としては、Ni−Fe膜
以外にも、Co系非晶質膜などであっても同様の結果が
得られる。更に、上磁極膜としては、Ni−Fe膜以外
にも、一般に軟磁性膜と呼ばれるめっき膜、即ち、Ni
−Fe−Co膜などであっても同様の結果が得られる。Similar results can be obtained by using a Co-based amorphous film or the like as the upper shield film 13 in addition to the Ni-Fe film. Further, as the upper magnetic pole film, in addition to the Ni—Fe film, a plating film generally called a soft magnetic film, ie, Ni
A similar result can be obtained with an Fe—Co film or the like.
【0024】以上、本発明をその好適な実施形態例に基
づいて説明したが、本発明の磁気効果型複合ヘッドの製
造方法は、上記実施形態例の構成にのみ限定されるもの
でなく、上記実施形態例の構成から種々の修正および変
更を施した磁気効果型複合ヘッドの製造方法も、本発明
の範囲に含まれる。Although the present invention has been described based on the preferred embodiment, the method of manufacturing the magnetic effect type composite head of the present invention is not limited to the configuration of the above-described embodiment, but is limited to the above embodiment. A method of manufacturing a magnetic effect type composite head in which various modifications and changes are made from the configuration of the embodiment is also included in the scope of the present invention.
【0025】[0025]
【発明の効果】本発明の製造方法によって、記録トラッ
ク幅を決定する上磁極の幅を精度良く2μm以下とする
ことができ、高密度記録に適した複合型ヘッドを歩留ま
り良く製造できる。According to the manufacturing method of the present invention, the width of the upper magnetic pole for determining the recording track width can be accurately set to 2 μm or less, and a composite head suitable for high-density recording can be manufactured with high yield.
【図1】本発明により製造された磁気抵抗効果型複合ヘ
ッドの磁気媒体対向面から見た端面図である。FIG. 1 is an end view of a magnetoresistive composite head manufactured according to the present invention as viewed from a surface facing a magnetic medium.
【図2】本発明の製造工程の一段階を示す平面図であ
る。FIG. 2 is a plan view showing one stage of the manufacturing process of the present invention.
【図3】本発明の製造工程を示す図で、(a)は、コイ
ル積層工程までを示し (b)は、レジストフレームの
転写工程とNi−Fe膜のめっき工程を示し(c)は、
トリミング加工工程を示し(d)は、Ni−Fe膜のめ
っき膜の除去工程とレジストフレームの除去工程後を示
している。3A and 3B are diagrams showing a manufacturing process of the present invention, in which FIG. 3A shows up to a coil laminating process, FIG. 3B shows a resist frame transferring process and a Ni—Fe film plating process, and FIG.
(D) shows a trimming process step and a step after the step of removing the plating film of the Ni—Fe film and the step of removing the resist frame.
【図4】本発明の製造方法に用いるレジストフレームの
一例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an example of a resist frame used in the manufacturing method of the present invention.
11 下シールド 12 MR素子 13 上シールド 14 上磁極 15 ギャップ層 16 上シールド凸部 21 ウエハ 25 記録ヘッドコイル/絶縁体形成 26 上磁極パタン化フォトレジストフレーム形成 28 FIB加工穴 29 不要部分めっき膜 31 レジストフレーム 32 レジストフレーム切り込み部 H スロートハイト W トラック幅 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Lower shield 12 MR element 13 Upper shield 14 Upper magnetic pole 15 Gap layer 16 Upper shield convex part 21 Wafer 25 Recording head coil / insulator formation 26 Upper magnetic pole patterning photoresist frame formation 28 FIB processing hole 29 Unnecessary partial plating film 31 Resist Frame 32 Notch of resist frame H Throat height W Track width
Claims (4)
シールド膜と、該一対の磁気シールド膜間に配設された
磁気抵抗(以下MRと記す)効果素子とを有する再生ヘ
ッドと、前記第1の磁気シールドを第1の記録磁極と
し、該第1の記録磁極と記録磁気ギャップを挟んで対向
する第2の記録磁極を有する記録ヘッドとを備える磁気
抵抗効果型複合ヘッドの製造方法であって、 レジストフレームを形成する工程と、該レジストフレー
ムの内側に第2の記録磁極をめっき法により形成する工
程と、前記レジストフレームを除去する前に、前記第2
の記録磁極の先端幅が所望の幅になるようにトリミング
する工程とを備えることを特徴とする磁気抵抗効果型複
合ヘッドの製造方法。A reproducing head having a pair of magnetic shield films sequentially stacked on a slider, and a magnetoresistive (hereinafter referred to as MR) effect element disposed between the pair of magnetic shield films; A method of manufacturing a magneto-resistive composite head comprising: a first magnetic shield as a first recording magnetic pole; and a recording head having a second recording magnetic pole opposed to the first recording magnetic pole across a recording magnetic gap. Forming a resist frame, forming a second recording magnetic pole inside the resist frame by plating, and removing the resist frame before removing the resist frame.
Trimming so that the leading end width of the recording magnetic pole becomes a desired width.
ンビーム(FIB)法を使用することを特徴とする、請
求項1に記載の磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法。2. The method according to claim 1, wherein the trimming step uses a focus ion beam (FIB) method.
フレームの一部を除去するが分断しないことを特徴とす
る、請求項1又は2に記載の磁気抵抗効果型複合ヘッド
の製造方法。3. The method according to claim 1, wherein in the trimming step, a part of the resist frame is removed but not divided.
のためのアラインメントマークを形成することを特徴と
する、請求項1〜3のいずれかに記載の磁気抵抗効果複
合ヘッドの製造方法。4. The method according to claim 1, wherein an alignment mark for a trimming step is formed on the resist frame.
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