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JP2905094B2 - 分波器パッケージ - Google Patents

分波器パッケージ

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JP2905094B2
JP2905094B2 JP6151319A JP15131994A JP2905094B2 JP 2905094 B2 JP2905094 B2 JP 2905094B2 JP 6151319 A JP6151319 A JP 6151319A JP 15131994 A JP15131994 A JP 15131994A JP 2905094 B2 JP2905094 B2 JP 2905094B2
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JP
Japan
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strip line
characteristic impedance
duplexer
filter
circuit
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JP6151319A
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理 伊形
良夫 佐藤
暢朗 平沢
秀樹 大森
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Publication date
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  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波帯域通過フ
ィルタを用いた分波器パッケージに関し、特に、位相整
合用回路を備えた多階層の分波器用パッケージに関す
る。
【０００２】近年、携帯用電話機に代表される移動通信
機器の小型化が急速に進められ、これらに使用される部
品の小型・高性能化が要望されている。これら無線通信
機器における信号の分岐、生成を行うために送信信号及
び受信信号が干渉しないように、分波器が用いられてい
る。分波器は誘電体を用いた帯域通過フィルタ、帯域阻
止フィルタあるいはそれらの組み合わせにより構成され
たものが多いが、今日では弾性表面フィルタを用いたも
のが研究開発されている。
【０００３】
【従来の技術】二つの帯域通過弾性表面波フィルタチッ
プＦ1及びＦ2を用いて分波器を構成する場合、互いのフ
ィルタ特性を干渉しないように設計する必要があり、そ
のために各フィルタに対して位相整合回路が付加され
る。
【０００４】これは、一般に、上記のフィルタチップＦ
1及びＦ2は、それぞれの通過帯域の中心周波数付近では
分波器回路全体の特性インピーダンス（通常50Ω）に近
い値を持ち、他の周波数帯域では特性インピーダンスは
はるかに大きな値を持つように設計されるが、回路パタ
ーンに存在する抵抗分等の影響のため相手のフィルタチ
ップの通過帯域において相手のフィルタ特性に対して干
渉しないようにすることは難しいためである。この位相
整合回路の定数は２つのフィルタチップの中心周波数
（ｆ1及びｆ2）の値とその差によって決定される。
【０００５】従来、この位相整合回路としては、Ｌ（イ
ンダクタンス）素子やＣ（コンデンサ）素子を用いるも
の、又はＬ、Ｃ成分としての役割を果たす線路を用いる
もの等が提案されている。
【０００６】例えば、特開平５−１６７３８８号公報、
及び特開平５−１６７３８９号公報には、ガラスエポキ
シ基板またはセラミック基板上に金属のストリップ線路
により位相整合回路を形成した分波器が記載されてい
る。また、２つのフィルタチップ及び位相整合回路を多
層のセラミックパッケージの中に納めたものもある。
【０００７】この従来の多層セラミックパッケージを用
いた分波器の例を図８（ａ），（ｂ）に示す。これは、
同図に示すように、複数のグランド層ＧＮＤと、位相整
合回路１及び２と、接地用端子３、フィルタ側信号端子
４、共通信号端子５とが設けられた多層セラミックパッ
ケージ６に、フィルタチップ７及び８が搭載され、フィ
ルタチップ７、８と各端子３、４、５間をワイヤ９で接
続している。
【０００８】パッケージ内に納められた位相整合回路１
及び２は、同図に示すように、フィルタチップの層の下
方でＧＮＤ層にはさまれた位置にあり、通常ストリップ
線路により形成され、その特性インピーダンスが共通信
号端子５に接続される外部回路の特性インピーダンスと
一致させるように作成される。これにより回路損失の低
減が図られる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、分波器
を構成する２つの異なる中心周波数を持ったフィルタチ
ップは使用する信号の周波数により特性インピーダンス
が変化する。例えば、フィルタチップの特性インピーダ
ンスは通過帯域においては外部回路の特性インピーダン
スと略同等の値となり、阻止域においては外部回路の特
性インピーダンスよりも遙に小さいかあるいは大きな値
となる。そして、回路損失を低減するために、これらを
用いて分波器を構成する際には、フィルタチップ及び外
部回路の互いの特性を劣化させないようにしなければな
らない。そのためには、互いの通過域においては、相手
方の特性インピーダンスが無限大に且つ反射係数も略１
になっていることが理想である。
【００１０】このような理想的特性に近づけるために位
相を整合する回路が必要であり、前記したようなストリ
ップ線路を形成させることが提案されているが、この場
合、線路長に比例して抵抗も増加する。抵抗が増加する
ということは、信号の伝搬損失の発生や、分布定数にお
ける浮遊容量の増加をもたらすおそれがある。この浮遊
容量の増加は、位相回路定数等に影響を及ぼし、使用す
る信号の周波数が高周波数になる程、その影響の度合い
は大きくなる。すなわち、送受信信号の分岐の特性の劣
化となり、さらに送受信信号の伝達の損失につながる。
【００１１】また、パッケージに高誘電率の材料を使う
と、高温で各層の結合をさせなければならず、したがっ
てストリップ線路にも高融点のものを使わなければなら
ないため、上記のフィルタ特性の劣化の度合いが大きく
なる。
【００１２】そこで、この発明は、以上のような事情を
考慮してなされたものであり、分波器パッケージに内蔵
された位相整合回路であるストリップ線路の特性インピ
ーダンスの設定及び分波器パッケージの接地用端子の数
の調整によって、帯域中心周波数の異なる２つのフィル
タの特性劣化を改善することができる分波器パッケージ
を提供することを目的とする。
【００１３】ここで、ストリップ線路の特性インピーダ
ンスの値を分波器に接続される外部回路の特性インピー
ダンスの値よりも高めに設定することによって、上記２
つの特性インピーダンスを一致させた時に比べて通常帯
域の信号損失を減らし、特性劣化を改善することを目的
とする。
【００１４】また、前記ストリップ線路の幅を一定でな
く線路の両端において異ならせることによって、通過帯
域の信号損失を減らし、特性劣化を改善することを目的
とする。また、分波用パッケージの接地用端子の数をフ
ィルタチップを構成する並列型の弾性表面波共振器の数
よりも多くすることによって、阻止帯域の信号減衰量を
増加させて、特性劣化を改善することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この発明は、それぞれ異
なる帯域中心周波数を有する２つの弾性表面波フィルタ
チップと、２つのフィルタ間の位相整合用回路とを一つ
に収めた多層分波器パッケージであって、前記位相整合
用回路が積層化された少なくとも２つのストリップ線路
により形成され、前記ストリップ線路とフィルタを組み
合せた時の相手側通過帯域における反射係数が当該フィ
ルタの相手側通過帯域における反射係数より大きくな
る、すなわちストリップ線路による位相回転前後での相
手側通過帯域での反射係数変化分が０以上となるよう
に、前記ストリップ線路の特性インピーダンス値を前記
分波器パッケージに接続される外部回路の特性インピー
ダンス値よりも大きくしたことを特徴とする分波器パッ
ケージを提供するものである。
【００１６】ここで、前記ストリップ線路の特性インピ
ーダンス値を前記外部回路の特性インピーダンス値に対
し、1.11倍±７％以内とすることが好ましい。また、前
記ストリップ線路の幅を、そのストリップ線路の両端に
おいて異ならしめるようにしてもよい。
【００１７】さらに、前記外部回路を接続するための共
通信号端子を備え、前記ストリップ線路の一端が前記共
通信号端子に接続されると共に前記ストリップ線路の他
端が前記フィルタチップに接続され、かつ前記共通信号
端子との接続部のストリップ線路の幅が前記フィルタチ
ップとの接続部のストリップ線路の幅よりも小さく、ス
トリップ線路の幅が前記フィルタチップ接続部から前記
共通信号端子接続部にかけて徐々に細く形成されるよう
にすることが好ましい。さらに、前記フィルタチップと
前記ストリップ線路は階層化されて形成されるようにし
てもよい。
【００１８】
【００１９】ここで、分波器パッケージは一般にアルミ
ナ又はガラスセラミックで形成されるが、高誘電率を持
つ材料であればよい。また、ストリップ線路は、金、タ
ングステン、銅等の金属が用いられるが、抵抗分が少な
く導電率の高い材料が好ましい。また、２つのストリッ
プ線路は、前記したような高誘電率の材料で作られたパ
ッケージの層間に挟まれて形成され、２つのストリップ
線路は、パッケージの層を介在して積層化して形成され
ることが好ましい。
【００２０】
【作用】この発明によれば、ストリップ線路の特性イン
ピーダンスの値を分波器パッケージに接続される外部回
路の特性インピーダンス値よりも大きく設定しているた
め、フィルタチップの通過帯域の信号損失を減らし、特
性劣化を改善することができる。
【００２１】また、ストリップ線路の幅を一定でなく、
そのストリップ線路の両端において異ならせるように
し、特に、ストリップ線路の共通信号端子との接続部の
幅をストリップ線路のフィルタチップとの接続部の幅よ
りも小さくし、かつストリップ線路の幅をフィルタチッ
プ接続部から前記共通信号端子接続部にかけて徐々に細
く形成されるようにするため、フィルタチップの通過帯
域の信号損失を減らし、特性劣化を改善することができ
る。
【００２２】また、フィルタチップとストリップ線路が
階層化されて形成されるため、分波器パッケージを小型
化することができる。
【００２３】
【００２４】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明
を詳述する。なお、これによってこの発明が限定される
ものではない。
【００２５】第１実施例 図１にこの発明に関する分波器の概略構成図を示す。同
図に示すように、共通端子Ｔ−Ｔ’に対し、２つの弾性
表面波帯域通過フィルタチップＦ１及びＦ２が接続さ
れ、これらのフィルタチップとＴ−Ｔ’の間に２つの位
相整合回路１及び２が設けられる。
【００２６】ここで、共通端子Ｔ，Ｔ’は、アンテナを
通して電波を送受信する外部回路を接続する端子であ
る。また、同図のフィルタチップＦ１及びＦ２に接続さ
れ、たとえば外部の送信用回路が接続されるＦ1用端子
及び外部の受信用回路が接続されるＦ2用端子が設けら
れる。
【００２７】図２に分波器のフィルタチップの周波数特
性の説明図を示す。同図に示すように、弾性表面波帯域
通過フィルタチップＦ１，Ｆ２は、互いに異なる帯域中
心周波数を有しており、例えばフィルタチップＦ１の中
心周波数f1は932MHz、フィルタチップＦ２の中心周波数
f2は878MHzに設定される。このとき、各フィルタチップ
の帯域通過特性が互いに干渉し合わないようにするた
め、すなわち、図２における各フィルタチップの通過強
度の山がなるべく干渉し合わないようにするために、位
相整合用の回路が付加される。
【００２８】図３（ａ），（ｂ）に、この発明における
多層セラミックパッケージを用いた分波器の平面図及び
断面図を示す。同図において、１，２は位相整合回路で
あり、タングステン等の材料を用いたストリップ線路に
よって形成される。ＧＮＤは、グランド層であり、２つ
のストリップ線路を間にはさんで積層される。３はこの
分波器を接地するための接地用端子であり、４は信号を
分岐した後のフィルタチップに接続されるフィルタ側信
号端子であり、５は外部回路に接続する共通側信号端子
である。
【００２９】７及び８はフィルタチップであり、ＧＮＤ
層の上方に搭載される。また、フィルタチップ７及び８
と、接地用端子３、フィルタ側信号端子４、共通側信号
端子５とはワイヤ９によって接続される。また、ストリ
ップ線路１，２と各信号端子及びフィルタチップとは階
層構造をなすため、層間にわたって形成され電気的に接
続されたスルーホールを通して結合される。
【００３０】以上のような構成を持った多層セラミック
パッケージ６はガラスセラミック材料（誘電率＝５）で
作成され、縦7.5 mm、横8.5 mm、高さ2.1 mm程度の高さ
で形成できる。
【００３１】また、ＧＮＤ層の間に埋め込まれた２つの
ストリップ線路１、２は単なる直線ラインではなく、同
一平面上で適当に折れ曲がった直線状の線路から構成さ
れる。図４にこのストリップ線路１の形状の平面図の例
を示す。なお、ストリップ線路１の長さは35mm、線幅は
0.2mm 程度である。もう１つのストリップ線路２はスト
リップ線路１と形状が異なり、長さも25mmと短いが線幅
は同じ0.2mmである。
【００３２】２つのストリップ線路は図３（ａ）、
（ｂ）に示すようにガラスセラミック材料で作成された
ＧＮＤ層の間に形成されるが、２つのストリップ線路の
パターンの特性インピーダンス値を５５Ωとするため、
各ＧＮＤ層の厚みは図３（ｂ）に示すような値とした。
ここで、ストリップ線路の特性インピーダンス値（＝55
Ω）は、外部回路の特性インピーダンス値（＝50Ω）よ
りも大きく設定している。
【００３３】図５に、ストリップ線路の特性インピーダ
ンス値に対するフィルタ特性の変化の測定図を示す。フ
ィルタ特性値として、縦軸にストリップ線路による位相
回転後の通過帯域内ＶＳＷＲ（Voltage Standing Wave
Ratio:電圧定存波比）、ストリップ線路による位相回転
前後での相手通過帯域での反射係数変化分、ストリップ
線路による位相回転後、相手側フィルタと組み合わせた
ときの相手側フィルタチップの通過帯域における損失増
加分を示している。
【００３４】ここで、通過帯域内ＶＳＷＲは、通常２以
下で用いられるものであり、理想的なフィルタでは１を
示すものである。従って、ＶＳＷＲは、２以下でできる
だけ１に近い値を示すほうがよい。
【００３５】また、相手側通過帯域内における反射係数
は、理想的には１であることが望ましいが、通常用いら
れるフィルタでは、0.85〜0.90の値を示しており、フィ
ルタの特性劣化をさけるためには、反射係数変化分は、
反射係数をできるだけ１に近づける方向の値、すなわち
０以上であることが必須条件である。
【００３６】また、ストリップ線路の特性インピーダン
スを変化させると、損失もそれに応じて増減するが、こ
こでは、実質的な信号伝送に問題のない損失増加分とし
て０から0.5 までの範囲は許容するものとする。
【００３７】同図において、たとえば、特性インピーダ
ンスが50Ωの場合には、55Ωの場合に比べてＶＳＷＲは
良い数値を示しているが、反射係数変化分と損失増加分
の値は、悪い数値を示している。
【００３８】従って、図５において、ストリップ線路の
特性インピーダンスが50Ωよりも55Ωにした方がフィル
タの特性劣化が少ないと言うことができる。すなわち、
ストリップ線路の特性インピーダンスは、外部回路の特
性インピーダンスよりも若干大きな値を持つようにした
方が特性劣化が少ないことを意味する。また、特性イン
ピーダンスが60Ω付近になるとＶＳＷＲ値が２以上とな
り、また不整合損失の増加分が0.5ｄＢを越えるように
なり、無視できないフィルタ特性の劣化が発生しつつあ
る状態にある。
【００３９】そこで、実用上問題のないストリップ線路
の特性インピーダンスを選ぶ基準としてＶＳＷＲは２以
下、反射係数変化分は０以上、損失増加分は０．５ｄＢ
以下を採用することにする。このとき、フィルタ特性の
劣化を押え、実質的な信号伝送に問題とならないため
に、ストリップ線路の特性インピーダンスとしては、外
部回路の特性インピーダンス値５０Ωに対して、1.11倍
±7%（51.615〜59.385Ω）を利用することができる。
【００４０】ここで、ストリップ線路の特性インピーダ
ンスの上限値としては、ＶＳＷＲが２となるものを採用
し、その下限値としては、反射係数変化分が０となるも
のを採用している。この特性インピーダンスの上限値と
下限値の範囲を外部回路の特性インピーダンス値５０Ω
で現格化したものが1.11倍±7%である。
【００４１】以上のように、位相整合回路であるストリ
ップ線路の特性インピーダンス値を外部回路の特性イン
ピーダンス値よりも大きく設定することによって、フィ
ルタチップ通過帯域の信号損失を減少し、フィルタチッ
プの特性劣化を改善することができる。
【００４２】また、２つのストリップ線路を積層化し、
さらに、フィルタチップをストリップ線路の上方に搭載
しているため、分波器パッケージ全体の大きさを小型化
することができる。また、前記のようにフィルタチップ
の特性劣化が改善できるので、分波器パッケージの製造
上の歩留りも向上させることができる。
【００４３】第２実施例 次に、ストリップ線路の幅をその両端において異ならせ
た場合の分波器の実施例を示す。図３におけるような層
構成を持つ分波器において、図４に示したようなグラン
ド層の間に埋め込まれたストリップ線路のパターンの幅
を変化させるわけであるが、ストリップ線路１を例にと
るとフィルタチップと接続される側を240μｍとし、線
路長方向に対して徐々にパターン幅を狭くしていき、ス
トリップ線路の共通端子と接続される側を180μｍと
し、線路中間で200μｍとする。
【００４４】図６にストリップ線路の線路幅を異ならせ
た場合の特性インピーダンスの変化を測定した図を示
す。ただし、この中には、線路の抵抗による成分も含ま
れる。同図において、横軸が線路長に相当し、縦軸がス
トリップ線路の特性インピーダンスである。図６の上の
グラフはストリップ線路１に対応する線路長が35mmのも
のであり、下のグラフはストリップ線路２に対応する線
路長が25mmのものである。
【００４５】また、グラフの左側が線路幅の広いフィル
タチップ側であり、グラフの右側が線路幅の狭い共通端
子側である。同図のグラフより、外部回路の特性インピ
ーダンス値50Ωで規格化した場合には、ストリップ線路
の特性インピーダンスは線路幅の広いフィルタチップ側
で0.95倍、線路幅の狭い共通端子側で1.3倍、全体平均
で1.11倍となっていることがわかる。
【００４６】図７に、第１実施例におけるような線路幅
を一定にした場合と、この第２実施例における線路幅を
変化させた場合の比較の測定図を示す。横幅が周波数で
あり、縦軸が通過強度である。
【００４７】これによれば、線幅を変化させた場合の方
が通過強度が改善され、不整合損失は約0.20ｄＢとな
り、第１実施例の線幅一定の場合に比べて不整合損失が
８割程度に低減されていることがわかる。これはストリ
ップ線路の特性インピーダンス値と外部回路の特性イン
ピーダンス値は大きく異なるが、ストリップ線路により
位相回転を起こした結果、フィルタチップの特性インピ
ーダンス値が外部回路と同等の値となるため、理論値よ
り実際の不整合損失が小さくなったと考えられる。
【００４８】以上のように、ストリップ線路の線幅をそ
の両端において異ならせることによって、フィルタチッ
プの通過帯域の信号損失を減らし、フィルタチップの特
性劣化を改善することができる。また、この特性劣化の
改善によって、分波器パッケージの製造の歩留りも向上
できる。
【００４９】
【００５０】
【００５１】
【００５２】
【００５３】
【００５４】
【００５５】
【００５６】
【００５７】
【００５８】なお、パッケージ材料はガラスセラミック
のみならず、アルミナ（誘電率：10）を用いてもよく、
減衰量の絶対値としては多少の違いが見られるが、略同
様にフィルタの特性が改善できる。従って、パッケージ
材料としてムライト等の材料を用いても同様の結果が得
られることはいうまでもない。
【００５９】なお、以上の実施例では、２つのストリッ
プ線路を積層化し、フィルタチップとストリップ線路が
階層化された構造の分波器パッケージを用いたが、積層
化せずに、１板のガラスセラミック基板上に２つのスト
リップ線路とフィルタチップを並べて配置してもかまわ
ない。この場合底面積は増加するが、高さを低くするこ
とが可能であり、用途に応じて、積層化された構造の分
波器か、又はフィルタチップ等を並列に配置した構造の
分波器を採用すればよい。
【００６０】また、ストリップ線路とフィルタチップを
それぞれ別の基板上に配置した構造や、ガラスセラミッ
ク基板の中に２つのストリップ線路を並列に埋め込む構
造を持つように分波器を形成してもよい。
【００６１】
【発明の効果】この発明によれば、ストリップ線路の特
性インピーダンスの値を分波器パッケージに接続される
外部回路の特性インピーダンス値よりも大きく設定する
こと、ストリップ線路の両端において線路幅を異ならせ
ることによって、フィルタチップの特性劣化を改善する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例である分波器の構成図であ
る。
【図２】分波器のフィルタチップの周波数特性の説明図
である。
【図３】この発明の一実施例である多層セラミックパッ
ケージを用いた分波器の平面図及び断面図である。
【図４】この発明のストリップ線路の形状の例を示す平
面図である。
【図５】この発明におけるストリップ線路の特性インピ
ーダンス値に対するフィルタ特性の変化を示す測定図で
ある。
【図６】この発明の第２実施例におけるストリップ線路
の特性インピーダンスの変化を示す測定図である。
【図７】第１実施例と第２実施例との帯域特性の比較図
である。
【図８】従来における分波器パッケージの平面図及び断
面図である。
【符号の説明】
１ 位相整合回路（ストリップ線路） ２ 位相整合回路（ストリップ線路） ３ 接地用端子 ４ フィルタ側信号端子 ５ 共通側信号端子 ６ 多層セラミックパッケージ ７ フィルタチップ ８ フィルタチップ ９ ワイヤ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大森 秀樹 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−291501（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−112762（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−71301（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−52336（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01P 1/213 H03H 9/72 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ) ＷＰＩ（ＤＩＡＬＯＧ)

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 それぞれ異なる帯域中心周波数を有する
    ２つの弾性表面波フィルタチップと、２つのフィルタ間
    の位相整合用回路とを一つに収めた多層分波器パッケー
    ジであって、前記位相整合用回路が積層化された少なく
    とも２つのストリップ線路により形成され、前記ストリ
    ップ線路とフィルタを組み合せた時の相手側通過帯域に
    おける反射係数が当該フィルタの相手側通過帯域におけ
    る反射係数より大きくなるように、前記ストリップ線路
    の特性インピーダンス値を前記分波器パッケージに接続
    される外部回路の特性インピーダンス値よりも大きくし
    たことを特徴とする分波器パッケージ。
  2. 【請求項２】 それぞれ異なる帯域中心周波数を有する
    ２つの弾性表面波フィルタチップと、２つのフィルタ間
    の位相整合用回路とを一つに収めた多層分波器パッケー
    ジであって、前記位相整合用回路が積層化された少なく
    とも２つのストリップ線路により形成され、前記ストリ
    ップ線路の特性インピーダンス値を前記分波器パッケー
    ジに接続される外部回路の特性インピーダンス値よりも
    大きくし、前記ストリップ線路の特性インピーダンス値
    を前記外部回路の特性インピーダンス値に対し、１．１
    １倍±７％以内としたことを特徴とする分波器パッケー
    ジ。
  3. 【請求項３】 前記ストリップ線路の幅をその両端にお
    いて異ならしめたことを特徴とする請求項２記載の分波
    器パッケージ。
  4. 【請求項４】 前記外部回路を接続するための共通信号
    端子を備え、前記ストリップ線路の一端が前記共通信号
    端子に接続されると共に前記ストリップ線路の他端が前
    記フィルタチップに接続され、かつ前記共通信号端子と
    の接続部のストリップ線路の幅が前記フィルタチップと
    の接続部のストリップ線路の幅よりも小さく、ストリッ
    プ線路の幅が前記フィルタチップ接続部から前記共通信
    号端子接続部にかけて徐々に細くなるように形成される
    ことを特徴とする請求項３記載の分波器パッケージ。
  5. 【請求項５】 前記フィルタチップと前記ストリップ線
    路が階層化されて形成されることを特徴とする請求項
    １，２，３または４記載の分波器パッケージ。
  6. 【請求項６】 それぞれ異なる帯域中心周波数を有する
    ２つの弾性表面波フィルタチップと、２つのフィルタ間
    の位相整合用回路とを一つに収めた多層分波器パッケー
    ジであって、前記位相整合用回路が積層化された少なく
    とも２つのストリップ線路により形成され、前記ストリ
    ップ線路の特性インピーダンス値を前記分波器パッケー
    ジに接続される外部回路の特性インピーダンス値よりも
    大きくし、前記ストリップ線路の幅をその両端において
    異ならしめたことを特徴とする分波器パッケージ。
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