Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP2726130B2 - 金属有機物膜からなる少量アンペア用ヒューズ及びその製造方法 - Google Patents

金属有機物膜からなる少量アンペア用ヒューズ及びその製造方法

Info

Publication number
JP2726130B2
JP2726130B2 JP1504660A JP50466089A JP2726130B2 JP 2726130 B2 JP2726130 B2 JP 2726130B2 JP 1504660 A JP1504660 A JP 1504660A JP 50466089 A JP50466089 A JP 50466089A JP 2726130 B2 JP2726130 B2 JP 2726130B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fuse element
support means
thin film
fuse
metal organic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP1504660A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH02503969A (ja
Inventor
ギュアヴィッチ，レオン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cooper Industries LLC
Original Assignee
Cooper Industries LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cooper Industries LLC filed Critical Cooper Industries LLC
Publication of JPH02503969A publication Critical patent/JPH02503969A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2726130B2 publication Critical patent/JP2726130B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
    • H01H85/02—Details
    • H01H85/04—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges
    • H01H85/041—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges characterised by the type
    • H01H85/046—Fuses formed as printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
    • H01H85/0013—Means for preventing damage, e.g. by ambient influences to the fuse
    • H01H85/0021—Means for preventing damage, e.g. by ambient influences to the fuse water or dustproof devices
    • H01H2085/0034—Means for preventing damage, e.g. by ambient influences to the fuse water or dustproof devices with molded casings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
    • H01H85/02—Details
    • H01H85/04—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges
    • H01H85/041—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges characterised by the type
    • H01H85/0411—Miniature fuses
    • H01H2085/0412—Miniature fuses specially adapted for being mounted on a printed circuit board
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
    • H01H85/02—Details
    • H01H85/04—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges
    • H01H85/041—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges characterised by the type
    • H01H85/0411—Miniature fuses
    • H01H2085/0414—Surface mounted fuses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
    • H01H85/0013—Means for preventing damage, e.g. by ambient influences to the fuse
    • H01H85/0021—Means for preventing damage, e.g. by ambient influences to the fuse water or dustproof devices
    • H01H85/003—Means for preventing damage, e.g. by ambient influences to the fuse water or dustproof devices casings for the fusible element
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49107—Fuse making

Landscapes

  • Fuses (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は、ヒューズリンクとして金属有機物の薄膜を
使用する少量及び低アンペア用ヒューズ及びそれらのヒ
ューズを製造する方法に関する。
マイクロヒューズは、本来的に印刷回路に使用され、
物理的に小さいことを要求される。ヒューズはしばし
ば、サージ電流を非常な短時間でかつ非常に小さい電流
において遮断するために必要である。例えば、半導体装
置に損害を与えるサージを潜在的に制限するために、低
アンペア用ヒューズがしばしば必要であり、このヒュー
ズは10倍の定格電流のとき0.001秒以下の時間で遮断を
生じて、ヒューズに接続された構成部品にエネルギーが
分配されるのを制限する。
従来、この範囲で作動するヒューズを提供する試みと
して、約25.4ミクロン（1 mil）以下の直径の細いワイ
ヤを使用するものがあった。ヒューズ要素として小さい
直径のワイヤを使用することは、現在の製造技術から見
て多くの問題がある。そのような一つの問題は細いワイ
ヤのマイクロヒューズは製造コストが高いということで
ある。ヒューズの溶融要素はそのように小直径ゆえリー
ドワイヤ又は端部キャップに対し手作業により取付けな
ければならない。
もし半田及びフラックスが溶融ワイヤ要素を取付ける
ために使用されると、そのような小さいな装置において
は、製造工程中にワイヤ端部を取付けるのに使用された
半田がワイヤの下方へ拡散し移動するのを防ぐのは困難
である。この半田の移動はヒューズの定格に変化を引き
起こす。更に、外部リードが印刷回路板上に半田付けさ
れるときその工程により発生した熱がヒューズ内部の半
田を溶融させて逆流させるゆえ、ヒューズの定格が変化
する可能性がある。これもまた、ヒューズの定格を変化
させる。
マイクロヒューズを製造する際の他の問題は、米国特
許第4,612,529号に記載されている如く、ヒューズを包
装するとき小直径ワイヤを被覆することであるがこれは
困難であるため、セラミックス充填体の如きアーク焼き
入れ材料によりワイヤを囲んでいる。
溶融可能なリンクとしてワイヤを用いないでヒューズ
を製造する方法が知られている。例えばマクガリアード
に付与された米国特許第4,296,398号では、耐腐食写真
感光技術（etch−resistant photography）、シルクス
クリーニング（silk screening）、打ち抜き（stampin
g）又は接合（bonding）により複数のヒューズ要素を形
成することを述べている。この技術は厚膜印刷として知
られており、典型的には約12.7〜25.4ミクロン（one ha
lf to one mil）の厚さの金属層を形成するが、幾つか
の欠点を有している。例えば、焼成の前に厚膜を乾燥さ
せるために時間を要するゆえコストが増大する。更に、
低アンペアの定格を達成するに要する溶融可能な要素の
幅寸法を、一定の作業期間中に基板を介して熱を適切に
放散させ得る程度にし得ないことである。典型的な厚膜
は約12.7ミクロン（0.5mil）の厚さを限界としており、
これは例えば米国特許第3,401,452号を参照されたい。
厚膜印刷により約76.2ミクロン（3mil）の幅のラインを
作ることができる。かくして、厚膜印刷によってはその
厚さ及び幅寸法の限界に起因して少量アンペア用ヒュー
ズを製造することは不可能である。即ち、厚膜の断面積
は約968平方ミクロン（1.5square mils）までであり、
１アンペア又はそれ以下では溶融しない。
他のヒューズを製造する方法は、「IEEE Transaction
On Parts Hybrid and Packing（PHP−13 第14巻、197
7年12月）」のホリグチ等による記事に述べられてい
る。そのヒューズは二層からなり、第１の層は有機物層
であり、第２の層はニッケル−クロム層である。これは
有機物層及び金属層の両方を堆積させるために空気排出
が必要であって複雑な製造工程となり、製造コストが高
くなってしまう。このヒューズ構造によれば、有機物膜
が溶けて導体層を損傷し、ヒューズを開状態にしてしま
う。
発明の要約 本発明は、有機物薄膜技術を利用して、新規な少量ア
ンペアヒューズ及び低アンペアヒューズを製造する方法
を提供する。ガラス、セラミックス又は他の適当な材料
からなる研磨された絶縁基板の端部が金属化される。溶
融可能な要素が、スクリーン印刷工程により、有機物イ
ンキを使用して、金属化された端部を連結しかつこれら
に重ねられて、基板上に印刷される。基板は１分につき
約２〜15°Ｃの割合で加熱され、約１時間の間500〜900
°Ｃの温度に保たれる。ヒューズはセラミックス粘着剤
又は他の適当な包装材料により被覆される。
図面の簡単な説明 第１図は、マイクロヒューズ基板を製造するために使
用される絶縁基板のセグメント（一部）を示す斜視図、 第２図は、切れ目を入れたマイクロヒューズ基板を製
造するために使用される板の斜視図、 第３図は、印刷及び切れ目刻入の後の第２図に示した
一部の拡大斜視図、 第４図は、リードワイヤを取付けられた一列のマイク
ロヒューズを設けた基板を示す斜視図、 第５図は、本発明になる軸方向マイクロヒューズの断
面図、 第６図は、本発明マイクロヒューズの包装以前の状態
を示斜視図、 第７図は、半径方向に取付けられたリードを有するヒ
ューズ要素のサブアセンブリの平面図、 第８図は表面取付けに適した方法で取付けられたリー
ドを有する本発明によるヒューズを示す断面図である。
図面についての詳細な説明 本発明によるヒューズを製造するには、まず第１図お
よび第２図に示すような絶縁材料でできた板、基板ある
いは他の支持手段を用意する。本発明においてはセラミ
ックスが好ましい材料である。しかしながら、これらの
低アンペア数のマイクロヒューズでは高いアーク温度が
問題となることもないであろうし、加熱処理製造も比較
的低温状態で行われるので、セラミックスのような耐熱
絶縁材料を使用することが必要なわけではない。重要な
ことは、絶縁材料がヒューズの作用する温度で炭化しな
いことである。炭化は電気伝導を助けることになるから
である。他の適当な板材料としては、ホウケイ酸ガラス
のようなガラスを含むもの、また、アルミナ、ベリリ
ア、マグネシア、ジルコニア、ホルステライトのような
セラミックスを含むものがある。
望ましくは絶縁材料は、約2.0〜3.0ミクロン（80 to
120 micro inches）以上の精度で仕上げられた研磨面を
有するものとする。仕上げられたヒューズリンクの厚さ
は約0.025〜2.5ミクロン（１−100 micro inches）のオ
ーダーなので、ヒューズ要素の厚さを同じにし、出来上
がった製品の特性を反復可能性のあるものにするには、
基板の表面が研磨されていることが必要である。上薬を
かけて（オーバーグレイジング）滑らかな仕上げ面とな
るようにしてもよい。
板30に求められるもう一つの重要な性質は、ヒューズ
が切れているときに板30を通していかなる導電も起こら
ないよう、良好な絶縁耐力を有することである。上述し
たようなセラミック多結晶体材料は、熱絶縁性に加えて
絶縁耐力においても良好である。
板30は、工業界で周知のように、厚膜用インキを用い
てスクリーン印刷処理あるいはこれと同様の処理方法で
印刷される。この処理において、所望のパターンに対応
する開口を有するスクリーンが板30の上に置かれる。イ
ンキは開口から板の上に押し出されて金属化領域すなわ
ちパッド14のパターンをつくる。パッド14は後でリード
ワイヤおよび溶融要素の取り付けに供される。パッド14
を形成するのに用いられるインキは、銀をベースにした
成分になっている。一つの実施例においては、銀の厚膜
用インキが使用される。金属化領域のための他の適当な
材料としては、銅、ニッケル、金、アルミニウム、パラ
ジウム、プラチナ、あるいはこれらの組み合わせ、また
は他の導電材料をベースにした厚膜用インキなどがあ
る。
パッド14は、印刷以外の他の方法で板30の上に配置す
るようにしてもよい。例えば、ラミネート処理によって
金属化パッドを板30に付けるようにしてもよい。もう一
つの別の態様としては、スパッタリング、熱蒸発または
電子ビーム蒸発を利用した技術を用いた蒸気蒸着によっ
て、板30の上にパッドをつくるものがある。このような
技術は当業界で周知である。
金属化インキによる矩形のパターンすなわちパッドが
板30の上に印加された後、板は乾燥され焼かれる。典型
的な乾燥および焼成処理は、コンベアベルト上の板30を
乾燥炉を通して移動させ、そこで約150℃で乾燥させ、
約850℃で焼くというものである。乾燥処理により有機
物が除かれ、焼成処理によりパッドを焼結させて板30に
接着させる。
印刷処理により板30上へ据え付けられたパッドは、焼
成後には約12.7ミクロン（0.0005″）の厚さになる。金
属化パッドの導電性やパッドの幅および長さといった種
々の因子に応じて、いろいろな形や厚さのパッドが用い
られる。
薄膜のヒューズリンク16が、二つの金属化領域14に重
なってこれらを互いに連結するようにして、板30上にプ
リントされる。薄膜のヒューズリンク16は、上述したよ
うなスクリーン印刷、またはペインティング、スプレイ
ング、ブラッシングあるいは他の方法により板30の上に
配置してもよい。これらの手法は当業界において周知で
ある。上述した順序は、最初にパッドを印刷し、それか
ら溶融要素16を印刷するというものであったが、この順
序は逆にしてもよいし、また、パッドと溶融要素とを同
時に印刷してもよい。
薄膜用インキとは異なり、このインキは、金属粉と有
機材料との混合物ではなく、化学的にリンクされた金属
と樹脂であり、通常は、炭素および金属原子に結合され
た酸素、硫黄、窒素またはリン原子からなっている。こ
れらのインキは簡単に手に入り、製造会社は加熱速度や
温度を金属有機物（metallo−organics）のインキの組
成によって特定する。
金属有機物蒸着は、金属またはこれらの化合物の薄膜
を金属有機物の熱分解によって基板上に蒸着する処理で
ある。化学的な蒸気蒸着において使用される有機金属と
金属有機物とは顕著な相異がある。有機金属の場合、金
属原子が一つまたはそれ以上の炭素原子と直接結合して
いるが、金属有機物では、金属原子は、一つまたはそれ
以上の炭素原子と結合した酸素、硫黄、窒素またはリン
原子にリンクしているのである。したがって、主な違い
は、有機金属は金属原子が炭素原子に直接結合してなる
のに対して、金属有機物では、金属原子が、炭素と直接
結合するかわりに、O2、Ｎ、Ｐなどの他の原子を利用し
て炭素とリンクしているということである。一般的に、
金属有機物は有機金属よりも多くの炭素を含む。
金属有機物を用いることの主な利点は、次のようであ
る。まず、真空蒸着方法と比べて設備が安く、処理に熟
練者を必要としない。金属有機物は、光重合体と混合し
てもよく、２ないし３ミクロンもの狭い幅の所望のパタ
ーンをフォトグラフィックな手法で作り出すこともでき
る。同じ分量に対して大きく広げることができるので、
金属有機物の膜は、従来の厚膜用ペーストから作られた
膜よりも非常に安くつく。そして、金属有機物組成の膜
は、通常は残留炭素と１％以下しか含んでいないので、
ヒューズに適用して差し支えない。
板30が再び焼かれる。焼かれたことによって生ずる金
属有機物の膜の厚さは約0.025〜2.5ミクロン（１−100
micro inches）の値である。金、銀、パラジウム、ニッ
ケルのごとき材料が金属有機物のインキに有効である。
他の伝導性の金属有機物のインキも適当である。金属有
機物のインキは約645平方ミクロン（1 square mil）当
たり100ないし1000ミリオームの面積抵抗を形成するよ
うに選択され得る。
焼かれた要素のおおよその組成は、98％が純粋金属で
あって、炭素は１％以下である。印刷によって作られ得
る溶融要素16の幅は約76.2ミクロン（3mil）である。ホ
トリソグラフィおよびエッチングによれば約2.0〜3.0ミ
クロン（0.08−0.12mils）もの狭い線を作ることができ
る。
好ましい実施例における板30は、16.1cm2（2 1/2″sq
uare）の面積と約0.38mm乃至0.635mm（0.015″to 0.2
5″）の厚さとを有する。この板は、焼いた後、第２図
および第３図に示すように、縦方向32および横方向34に
切れ目を設けることによってチップすなわち基板に分割
される。こうして生じたチップの数はチップの寸法によ
って変わる。これら切れ目は、ダイヤモンド工具で線引
きするか、ダイヤモンド入り刃または適当な研磨剤で刻
み目を設けるか、レーザーで線引きするか又は高圧のウ
ォータージェットで切るごとく、当業界で公知の任意の
適当な手段によって形成される。これら切れ目は、板30
の全厚に及ぶものではなく、板30が力を加えて折られる
ことによって列35に分割され、その後、個々のチップ12
に分割できるような折れ線を設ければ足りる。好ましい
実施例においては、ダイヤモンド入り刃による切れ目が
用いられる。
別の実施例では、板は切れ目を予め形成することによ
って構成される。セラミック基板の場合、セラミックス
はその表面に交差する溝を有する縁の状態に形成され、
次いで焼かれる。
チップの列35は第４図に示すように、力を加えて切り
離される。次いで、このチップの列は、軸方向形態で配
置されたヒューズワイヤとともにリードワイヤが抵抗溶
接によってチップ12の各端部に取り付けられる。この抵
抗溶接は、リードワイヤをパッド14に結合させるために
ワイヤを加熱する電流をリードワイヤ24に流すことによ
って行われる。この型式の平行なギャップ抵抗溶接機は
当業界で周知であり且つゼネラルモーターズの子会社で
あるヒューズ・エアクラフト等の会社から入手可能であ
る。リードワイヤ24は、このリードワイヤとパッド14と
の間に大きな接触面積を得るために平坦部分25を有す
る。このリードワイヤ24の端部には基板またはヒューズ
要素をヒューズボディに適切に中心位置決めするために
段部が形成されている。
チップ12、パッド14、溶接要素およびリードワイヤ24
を備える各ヒューズアセンブリは、一つが列35から一回
で切り離されてセラミック粘着剤18のごときアーク消去
材料または絶縁材料によって被覆される。これは、浸
漬、スプレー、塗布等によって達成される。他の適当な
被覆が含まれ、しかも、他の高温セラミックスまたはガ
ラス被覆も用いることができる。この絶縁被覆は回路の
干渉によって生ずるプラズマを吸収し且つ温度を下げ
る。セラミック被覆は溶融伝導体の気化によって生ずる
溝を最小体積に制限する。この体積が小さいので、この
小さな体積は高圧を受けることになる。この圧力は、ヒ
ューズの性能を、アークを消去するのに必要な時間を短
くすることによって改良する。また、セラミック被覆
は、アーク冷却を増大することによってヒューズ性能を
改良する。
好ましい実施例では、ヒューズアセンブリが一側が被
覆され、この被覆材料は溶融要素16、パッド14、チップ
12の一側及びリード24の取り付け端部を完全に被覆す
る。しかし、本発明では、このヒューズアセンブリの一
部をセラミック粘着剤18で被覆することによって行われ
る。このヒューズアセンブリの一部を被覆することは、
一つまたは幾つかの部品の僅かな表面積を被覆したり又
はこれら部品の表面積を全部被覆したり適宜に変更し得
る。例えば、溶融要素16は被覆されるが、パッド14また
はリード24は被覆されない。
この被覆されたヒューズアセンブリは、次いで、モー
ルドの中に挿入されてプラスチック、例えばエポキシ又
は他の適当な材料でインジェクションモールド工程また
は他の周知の工程を通して被覆される。プラスチックボ
ディ20は、例えばフィリップスケミカル会社のレイトン
Ｒ−10のごとき幾つかのモールド材料から作ることがで
きる。
第５図は、モールドプラスチックボディの中に封入さ
れた後の軸方向配置のマイクロヒューズの横断面を示
す。
第６図は、ヒューズ要素のサブアセンブリ８が基板1
2、溶融要素16および金属パッド14から成る他の実施例
を示す。この簡単なアセンブリにおいて、ヒューズサブ
アセンブリ８は回路が構成されるときに他の種々の製品
に他の作業者によって直接に組み込まれる。次いで、リ
ードが他の作業者によって適当に取り付けられ、セラミ
ック被覆を必要に応じて設けて全体の回路が構成され
る。このヒューズ要素サブアセンブリ８は所望の特性に
応じて並列にまたは直列に接続される。
第７図および第８図はリード24をサブアセンブリ８に
取り付ける他の方法を示す。第７図において、これらリ
ードはラジアルヒューズとして知られた形状に取り付け
られ、第８図においては、これらリードは表面取り付け
ヒューズとして用いるのに適当な態様で取り付けられて
いる。本発明の軸方向配置の実施例について上述された
製造段階は、基本的には、異なる手順で行われる幾つか
の段階を用いてラジアルおよび表面取り付けヒューズを
作るのと同じである。リードワイヤの形状および配置、
プラスチックボディの形状および寸法は、基本的な製造
条件または作業および本発明の利点に影響を与えること
なく異なる封入条件に合致するように変えることができ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−66330（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−221920（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−190631（ＪＰ，Ａ) 米国特許4460888（ＵＳ，Ａ) 米国特許4208645（ＵＳ，Ａ) 米国特許4306213（ＵＳ，Ａ) 米国特許4272753（ＵＳ，Ａ)

Claims (18)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ヒューズ要素サブアセンブリの製造方法に
    して、 絶縁材料から成る支持手段を用意するステップ、該支持
    手段が少なくとも２個の分離された金属化領域を有する
    ように該支持手段に金属化領域を設けるステップ、及び
    該金属化領域を電気的に接続するように該支持手段上に
    薄膜ヒューズ要素を設けるステップから成り、該薄膜ヒ
    ューズ要素が金属有機物材料から作られることを特徴と
    する製造方法。
  2. 【請求項２】請求項１に記載のヒューズ要素サブアセン
    ブリの製造方法にして、 該支持手段が、セラミックス、ガラス、アルミナ、及び
    ホルステライトを含むグループから選定されることを特
    徴とする製造方法。
  3. 【請求項３】請求項１に記載のヒューズ要素サブアセン
    ブリの製造方法にして、 該支持手段が、薄膜ヒューズ要素を焼くために必要な温
    度に耐えることができることを特徴とする製造方法。
  4. 【請求項４】請求項１に記載のヒューズ要素サブアセン
    ブリの製造方法にして、 該支持手段が研磨されたセラミックスであることを特徴
    とする製造方法。
  5. 【請求項５】請求項１に記載のヒューズ要素サブアセン
    ブリの製造方法にして、 該支持手段が研磨面を有することを特徴とする製造方
    法。
  6. 【請求項６】請求項１に記載のヒューズ要素サブアセン
    ブリの製造方法にして、 該支持手段が上薬をかけられたセラミックス研磨面を有
    することを特徴とする製造方法。
  7. 【請求項７】ヒューズ要素アセンブリにして、 絶縁材料から成る支持手段、該支持手段上の少なくとも
    ２つの金属化領域、及び該金属化領域に電気的に接続さ
    れる該支持手段上に薄膜ヒューズ要素を含み、該薄膜ヒ
    ューズ要素が金属有機物材料から作られることを特徴と
    するヒューズ要素サブアセンブリ。
  8. 【請求項８】ヒューズ要素アセンブリにして、 絶縁材料から成る支持手段、及び該支持手段上に薄膜ヒ
    ューズ要素を含み、該薄膜ヒューズ要素が金属有機物材
    料から作られることを特徴とするヒューズ要素サブアセ
    ンブリ。
  9. 【請求項９】請求項７又は８に記載のヒューズ要素サブ
    アセンブリにして、 該ヒューズ要素の厚さが該支持手段の面の不規則性に対
    して逆比例して変化することを特徴とするヒューズ要素
    サブアセンブリ。
  10. 【請求項１０】請求項７又は８に記載のヒューズ要素サ
    ブアセンブリにして、 該ヒューズ要素が該支持手段に強固に粘着することを特
    徴とするヒューズ要素サブアセンブリ。
  11. 【請求項１１】請求項７又は８に記載のヒューズ要素サ
    ブアセンブリにして、 該支持手段が、セラミックス、ガラス、アルミナ、及び
    ホルステライトを含むグループから選定されることを特
    徴とするヒューズ要素サブアセンブリ。
  12. 【請求項１２】請求項７又は８に記載のヒューズ要素サ
    ブアセンブリにして、 該支持手段が約0.0508〜0.0762ミクロンより平滑に仕上
    げられた面を有することを特徴とするヒューズ要素サブ
    アセンブリ。
  13. 【請求項１３】請求項７又は８に記載のヒューズ要素サ
    ブアセンブリにして、 該支持手段が熱伝導性のコーティングを有することを特
    徴とするヒューズ要素サブアセンブリ。
  14. 【請求項１４】請求項７又は８に記載のヒューズ要素サ
    ブアセンブリにして、 該支持手段が上薬をかけられたセラミックスであること
    を特徴とするヒューズ要素サブアセンブリ。
  15. 【請求項１５】請求項７又は８に記載のヒューズ要素サ
    ブアセンブリにして、 該ヒューズ要素が約2.54ミクロンより薄いことを特徴と
    するヒューズ要素サブアセンブリ。
  16. 【請求項１６】薄膜ヒューズ要素にして、 絶縁材料から成る支持手段、該支持手段上の少なくとも
    ２つの金属化領域、及び該金属化領域に電気的に接続さ
    れる該支持手段上に薄膜ヒューズ要素を含み、該薄膜ヒ
    ューズ要素が金属有機物インキであることを特徴とする
    薄膜ヒューズ要素。
  17. 【請求項１７】請求項16に記載の薄膜ヒューズ要素にし
    て、 該ヒューズ要素が約2.54ミクロンより薄いことを特徴と
    する薄膜ヒューズ要素。
  18. 【請求項１８】請求項16に記載の薄膜ヒューズ要素にし
    て、 該ヒューズ要素が約6.45cm2当たり100乃至1000マイクロ
    オームのシート抵抗を有することを特徴とする薄膜ヒュ
    ーズ要素。
JP1504660A 1988-03-09 1989-02-14 金属有機物膜からなる少量アンペア用ヒューズ及びその製造方法 Expired - Lifetime JP2726130B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US166,082 1988-03-09
US07/166,082 US4873506A (en) 1988-03-09 1988-03-09 Metallo-organic film fractional ampere fuses and method of making

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02503969A JPH02503969A (ja) 1990-11-15
JP2726130B2 true JP2726130B2 (ja) 1998-03-11

Family

ID=22601750

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1504660A Expired - Lifetime JP2726130B2 (ja) 1988-03-09 1989-02-14 金属有機物膜からなる少量アンペア用ヒューズ及びその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4873506A (ja)
EP (1) EP0364570B1 (ja)
JP (1) JP2726130B2 (ja)
DE (1) DE68923339T2 (ja)
WO (1) WO1989008925A1 (ja)

Families Citing this family (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5155462A (en) * 1987-01-22 1992-10-13 Morrill Glasstek, Inc. Sub-miniature electrical component, particularly a fuse
US5131137A (en) * 1987-01-22 1992-07-21 Morrill Glasstek, Inc. Method of making a sub-miniature electrical component particularly a fuse
US5040284A (en) * 1987-01-22 1991-08-20 Morrill Glasstek Method of making a sub-miniature electrical component, particularly a fuse
US5027101A (en) * 1987-01-22 1991-06-25 Morrill Jr Vaughan Sub-miniature fuse
US5097245A (en) * 1987-01-22 1992-03-17 Morrill Glasstek, Inc. Sub-miniature electrical component, particularly a fuse
US5224261A (en) * 1987-01-22 1993-07-06 Morrill Glasstek, Inc. Method of making a sub-miniature electrical component, particularly a fuse
US5066998A (en) * 1989-06-30 1991-11-19 At&T Bell Laboratories Severable conductive path in an integrated-circuit device
US5097246A (en) * 1990-04-16 1992-03-17 Cooper Industries, Inc. Low amperage microfuse
CH682959A5 (fr) * 1990-05-04 1993-12-15 Battelle Memorial Institute Fusible.
US5059950A (en) * 1990-09-04 1991-10-22 Monarch Marking Systems, Inc. Deactivatable electronic article surveillance tags, tag webs and method of making tag webs
US5115220A (en) * 1991-01-03 1992-05-19 Gould, Inc. Fuse with thin film fusible element supported on a substrate
US5148141A (en) * 1991-01-03 1992-09-15 Gould Inc. Fuse with thin film fusible element supported on a substrate
US5091712A (en) * 1991-03-21 1992-02-25 Gould Inc. Thin film fusible element
GB2255455A (en) * 1991-04-22 1992-11-04 Electronic Components Ltd Fuse
US5095297A (en) * 1991-05-14 1992-03-10 Gould Inc. Thin film fuse construction
US5166656A (en) * 1992-02-28 1992-11-24 Avx Corporation Thin film surface mount fuses
US5446436A (en) * 1992-11-04 1995-08-29 Space Systems/Loral, Inc. High voltage high power arc suppressing fuse
JPH06150802A (ja) * 1992-11-12 1994-05-31 Kamaya Denki Kk チップ型ヒューズ抵抗器
JPH0821301B2 (ja) * 1993-04-16 1996-03-04 エーブイエックス コーポレーション 表面実装型薄膜ヒューズおよびその製造方法
JP2624439B2 (ja) * 1993-04-30 1997-06-25 コーア株式会社 回路保護用素子
US5363082A (en) * 1993-10-27 1994-11-08 Rapid Development Services, Inc. Flip chip microfuse
US5432378A (en) * 1993-12-15 1995-07-11 Cooper Industries, Inc. Subminiature surface mounted circuit protector
US5453726A (en) * 1993-12-29 1995-09-26 Aem (Holdings), Inc. High reliability thick film surface mount fuse assembly
US5726482A (en) * 1994-02-08 1998-03-10 Prolinx Labs Corporation Device-under-test card for a burn-in board
US5834824A (en) * 1994-02-08 1998-11-10 Prolinx Labs Corporation Use of conductive particles in a nonconductive body as an integrated circuit antifuse
US5917229A (en) * 1994-02-08 1999-06-29 Prolinx Labs Corporation Programmable/reprogrammable printed circuit board using fuse and/or antifuse as interconnect
US5813881A (en) * 1994-02-08 1998-09-29 Prolinx Labs Corporation Programmable cable and cable adapter using fuses and antifuses
SE514819C2 (sv) * 1994-02-24 2001-04-30 Ericsson Telefon Ab L M Elektrisk skyddskrets
US5664320A (en) * 1994-04-13 1997-09-09 Cooper Industries Method of making a circuit protector
US6191928B1 (en) 1994-05-27 2001-02-20 Littelfuse, Inc. Surface-mountable device for protection against electrostatic damage to electronic components
US5974661A (en) * 1994-05-27 1999-11-02 Littelfuse, Inc. Method of manufacturing a surface-mountable device for protection against electrostatic damage to electronic components
US5790008A (en) * 1994-05-27 1998-08-04 Littlefuse, Inc. Surface-mounted fuse device with conductive terminal pad layers and groove on side surfaces
US5552757A (en) * 1994-05-27 1996-09-03 Littelfuse, Inc. Surface-mounted fuse device
US5726621A (en) * 1994-09-12 1998-03-10 Cooper Industries, Inc. Ceramic chip fuses with multiple current carrying elements and a method for making the same
US5440802A (en) * 1994-09-12 1995-08-15 Cooper Industries Method of making wire element ceramic chip fuses
US5962815A (en) * 1995-01-18 1999-10-05 Prolinx Labs Corporation Antifuse interconnect between two conducting layers of a printed circuit board
US5906042A (en) * 1995-10-04 1999-05-25 Prolinx Labs Corporation Method and structure to interconnect traces of two conductive layers in a printed circuit board
US5767575A (en) * 1995-10-17 1998-06-16 Prolinx Labs Corporation Ball grid array structure and method for packaging an integrated circuit chip
US5872338A (en) * 1996-04-10 1999-02-16 Prolinx Labs Corporation Multilayer board having insulating isolation rings
US5977860A (en) * 1996-06-07 1999-11-02 Littelfuse, Inc. Surface-mount fuse and the manufacture thereof
US5699032A (en) * 1996-06-07 1997-12-16 Littelfuse, Inc. Surface-mount fuse having a substrate with surfaces and a metal strip attached to the substrate using layer of adhesive material
US5731624A (en) * 1996-06-28 1998-03-24 International Business Machines Corporation Integrated pad and fuse structure for planar copper metallurgy
US5812046A (en) * 1997-01-30 1998-09-22 Cooper Technologies, Inc. Subminiature fuse and method for making a subminiature fuse
DE19704097A1 (de) * 1997-02-04 1998-08-06 Wickmann Werke Gmbh Elektrisches Sicherungselement
US6175145B1 (en) * 1997-07-26 2001-01-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of making a fuse in a semiconductor device and a semiconductor device having a fuse
US6373371B1 (en) * 1997-08-29 2002-04-16 Microelectronic Modules Corp. Preformed thermal fuse
US5861809A (en) * 1997-09-22 1999-01-19 Checkpoint Systems, Inc. Deactivateable resonant circuit
US5923239A (en) * 1997-12-02 1999-07-13 Littelfuse, Inc. Printed circuit board assembly having an integrated fusible link
US6034427A (en) * 1998-01-28 2000-03-07 Prolinx Labs Corporation Ball grid array structure and method for packaging an integrated circuit chip
US6294453B1 (en) 1998-05-07 2001-09-25 International Business Machines Corp. Micro fusible link for semiconductor devices and method of manufacture
JP4396787B2 (ja) * 1998-06-11 2010-01-13 内橋エステック株式会社 薄型温度ヒュ−ズ及び薄型温度ヒュ−ズの製造方法
US5994993A (en) * 1998-07-31 1999-11-30 Flexcon Company, Inc. Fuse indicator label
US6034589A (en) * 1998-12-17 2000-03-07 Aem, Inc. Multi-layer and multi-element monolithic surface mount fuse and method of making the same
US20070190751A1 (en) * 1999-03-29 2007-08-16 Marr Kenneth W Semiconductor fuses and methods for fabricating and programming the same
JP2000306477A (ja) * 1999-04-16 2000-11-02 Sony Chem Corp 保護素子
US6261873B1 (en) 1999-04-29 2001-07-17 International Business Machines Corporation Pedestal fuse
WO2001069988A1 (fr) * 2000-03-14 2001-09-20 Rohm Co., Ltd. Carte a circuits imprimes comprenant un fusible
US6400271B1 (en) * 2000-03-20 2002-06-04 Checkpoint Systems, Inc. Activate/deactiveable security tag with enhanced electronic protection for use with an electronic security system
US6456189B1 (en) 2000-11-28 2002-09-24 Ferraz Shawmut Inc. Electrical fuse with indicator
US6518643B2 (en) 2001-03-23 2003-02-11 International Business Machines Corporation Tri-layer dielectric fuse cap for laser deletion
JP4103594B2 (ja) * 2001-05-21 2008-06-18 松下電器産業株式会社 温度ヒューズの検査方法
EP1274110A1 (de) 2001-07-02 2003-01-08 Abb Research Ltd. Schmelzsicherung
CN1541437A (zh) * 2001-07-10 2004-10-27 力特保险丝有限公司 网络设备用静电放电装置
US7034652B2 (en) * 2001-07-10 2006-04-25 Littlefuse, Inc. Electrostatic discharge multifunction resistor
US6878004B2 (en) * 2002-03-04 2005-04-12 Littelfuse, Inc. Multi-element fuse array
US6667533B2 (en) 2002-03-11 2003-12-23 International Business Machines Corporation Triple damascene fuse
US7132922B2 (en) 2002-04-08 2006-11-07 Littelfuse, Inc. Direct application voltage variable material, components thereof and devices employing same
WO2003088356A1 (en) 2002-04-08 2003-10-23 Littelfuse, Inc. Voltage variable material for direct application and devices employing same
US7183891B2 (en) 2002-04-08 2007-02-27 Littelfuse, Inc. Direct application voltage variable material, devices employing same and methods of manufacturing such devices
US20040038458A1 (en) * 2002-08-23 2004-02-26 Marr Kenneth W. Semiconductor fuses, semiconductor devices containing the same, and methods of making and using the same
JP2007512185A (ja) * 2003-11-26 2007-05-17 リッテルフューズ，インコーポレイティド 車両用電気的保護装置、及び車両用電気的保護装置を使用するシステム
US20050127475A1 (en) * 2003-12-03 2005-06-16 International Business Machines Corporation Apparatus and method for electronic fuse with improved esd tolerance
US7106164B2 (en) * 2003-12-03 2006-09-12 International Business Machines Corporation Apparatus and method for electronic fuse with improved ESD tolerance
DE102004033251B3 (de) * 2004-07-08 2006-03-09 Vishay Bccomponents Beyschlag Gmbh Schmelzsicherung für einem Chip
US7477130B2 (en) * 2005-01-28 2009-01-13 Littelfuse, Inc. Dual fuse link thin film fuse
US7569907B2 (en) 2005-03-28 2009-08-04 Cooper Technologies Company Hybrid chip fuse assembly having wire leads and fabrication method therefor
DE102005024346B4 (de) * 2005-05-27 2012-04-26 Infineon Technologies Ag Sicherungselement mit Auslöseunterstützung
US8289123B2 (en) * 2005-07-22 2012-10-16 Littelfuse, Inc. Electrical device with integrally fused conductor
WO2007041529A2 (en) * 2005-10-03 2007-04-12 Littelfuse, Inc. Fuse with cavity forming enclosure
US7983024B2 (en) * 2007-04-24 2011-07-19 Littelfuse, Inc. Fuse card system for automotive circuit protection
TW200929310A (en) * 2007-12-21 2009-07-01 Chun-Chang Yen Surface Mounted Technology type thin film fuse structure and the manufacturing method thereof
US8179224B2 (en) * 2008-04-17 2012-05-15 Chun-Chang Yen Overcurrent protection structure and method and apparatus for making the same
US8525633B2 (en) * 2008-04-21 2013-09-03 Littelfuse, Inc. Fusible substrate
US20100033295A1 (en) 2008-08-05 2010-02-11 Therm-O-Disc, Incorporated High temperature thermal cutoff device
US8576041B2 (en) * 2008-12-17 2013-11-05 Cooper Technologies Company Radial fuse base and assembly
DE102010031187A1 (de) * 2010-07-09 2012-01-12 Robert Bosch Gmbh Schichtdicken optimierendes Jettlayout
EP2408277B1 (de) * 2010-07-16 2016-02-17 Schurter AG Sicherungselement
CN201774742U (zh) * 2010-08-19 2011-03-23 依必安派特风机(上海)有限公司 集成于印刷电路板上的保险单元以及印刷电路板
DE102010063832B4 (de) * 2010-12-22 2020-08-13 Tridonic Gmbh & Co Kg Leiterbahnsicherung, Leiterplatte und Betriebsschaltung für Leuchtmittel mit der Leiterbahnsicherung
US9558905B2 (en) 2011-10-27 2017-01-31 Littelfuse, Inc. Fuse with insulated plugs
US9202656B2 (en) 2011-10-27 2015-12-01 Littelfuse, Inc. Fuse with cavity block
CN103515041B (zh) 2012-06-15 2018-11-27 热敏碟公司 用于热截止装置的高热稳定性丸粒组合物及其制备方法和用途
JP2016143646A (ja) * 2015-02-05 2016-08-08 内橋エステック株式会社 保護素子
JP6480742B2 (ja) * 2015-02-05 2019-03-13 内橋エステック株式会社 保護素子
JP2019021650A (ja) * 2018-11-13 2019-02-07 内橋エステック株式会社 保護素子
JP7368144B2 (ja) * 2019-08-27 2023-10-24 Koa株式会社 チップ型電流ヒューズ
US11636993B2 (en) 2019-09-06 2023-04-25 Eaton Intelligent Power Limited Fabrication of printed fuse

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4208645A (en) 1977-12-09 1980-06-17 General Electric Company Fuse employing oriented plastic and a conductive layer
US4272753A (en) 1978-08-16 1981-06-09 Harris Corporation Integrated circuit fuse
US4306213A (en) 1980-01-28 1981-12-15 General Electric Company Layered plastic fuse
US4460888A (en) 1981-11-27 1984-07-17 Dorman Smith Fuses Limited Fuse

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1340332A (en) * 1971-04-21 1973-12-12 Lucas Industries Ltd Cartridge fuses
JPS6166330A (ja) * 1984-09-07 1986-04-05 エヌオーケー株式会社 薄膜ヒユ−ズ
JPS60221920A (ja) * 1985-02-28 1985-11-06 株式会社村田製作所 チツプ型セラミツクヒユ−ズの製造方法
JPS62190631A (ja) * 1986-02-18 1987-08-20 アンリツ株式会社 ヒユ−ズ素子
US4751489A (en) * 1986-08-18 1988-06-14 Cooper Industries, Inc. Subminiature fuses

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4208645A (en) 1977-12-09 1980-06-17 General Electric Company Fuse employing oriented plastic and a conductive layer
US4272753A (en) 1978-08-16 1981-06-09 Harris Corporation Integrated circuit fuse
US4306213A (en) 1980-01-28 1981-12-15 General Electric Company Layered plastic fuse
US4460888A (en) 1981-11-27 1984-07-17 Dorman Smith Fuses Limited Fuse

Also Published As

Publication number Publication date
WO1989008925A1 (en) 1989-09-21
DE68923339T2 (de) 1995-11-23
US4873506A (en) 1989-10-10
EP0364570A1 (en) 1990-04-25
DE68923339D1 (de) 1995-08-10
JPH02503969A (ja) 1990-11-15
EP0364570A4 (en) 1991-12-18
EP0364570B1 (en) 1995-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2726130B2 (ja) 金属有機物膜からなる少量アンペア用ヒューズ及びその製造方法
US4771260A (en) Wire bonded microfuse and method of making
US4681656A (en) IC carrier system
KR0152072B1 (ko) 배선접속마이크로퓨우즈
EP0628211B1 (en) Thin film surface mount fuses
EP0958586B1 (en) Electrical fuse
US10354826B2 (en) Fuse in chip design
JPH0750128A (ja) 超小型ヒューズ
JPH01302803A (ja) チップ抵抗およびその製造方法
US4542401A (en) Semiconductor device with sprayed metal layer
EP0812665B1 (en) Hot cutting blade
US4928384A (en) Method of making a wire bonded microfuse
KR19980018524A (ko) 최소한 한 금속-적층을 가진 기판의 제조방법 및 프린트기판과 그의 적용
JP3209354B2 (ja) 熱溶断ヒユーズ及びその製造方法
JP2004319195A (ja) チップ型ヒューズ
JP4290244B2 (ja) 基板型温度ヒュ−ズの製造方法
Sergent Hybrid microelectronics technology
JPH02244531A (ja) 基板型温度ヒューズ・抵抗体及びその製造方法
JPH10172806A (ja) 温度センサ及びその製造方法
WO1997033311A1 (en) Method for making electrical connections
JPH04365304A (ja) ヒューズ付チップ抵抗器
JP2000173805A (ja) ヒューズ付き抵抗器とその製造方法
JPH04137752A (ja) メタライズ金属層を有するセラミック基板の製造方法
JP2000030584A (ja) 基板型温度ヒュ−ズの製造方法
JPS6232632A (ja) 集積回路容器

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071205

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081205

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091205

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091205

Year of fee payment: 12