JP2721840B2

JP2721840B2 - ガス式角速度検出器

Info

Publication number: JP2721840B2
Application number: JP1165762A
Authority: JP
Inventors: 常夫高橋; 雅幸池上; 友行西尾; 貴浩郡司
Original assignee: Honda Motor Co Ltd
Current assignee: Honda Motor Co Ltd
Priority date: 1989-06-28
Filing date: 1989-06-28
Publication date: 1998-03-04
Anticipated expiration: 2013-03-04
Also published as: JPH0329858A; EP0405452B1; EP0405452A3; DE69003033D1; DE69003033T2; US5107707A; EP0405452A2

Description

【発明の詳細な説明】技術分野本発明は、検出器本体に作用する角速度を検出するガ
ス式角速度検出器に関する。

従来技術一般に、ガス式角速度検出器は、第９図に示すよう
に、密閉したケーシング８内で、ノズル孔９からガス通
路10内に一対のフローセンサ11に向かってガス流を噴出
させておき、第10図に示すように、検出器本体に角速度
ωが加わってガス流が中心線○−○からずれεを生じて
一方に偏向したときに、フローセンサ11における抵抗温
度係数の大きなタングステンなどからなる一対のヒート
ワイヤ111,112に生ずる感温出力の差をとり出して、そ
のとき検出器本体に作用する角速度ωの向きおよび大き
さを検出するようにしている。

その一対のヒートワイヤ111,112は、ノズル孔９およ
びガス通路10の中心線○−○に対して左右対象となるよ
うに配設されており、検出器本体に横方向の角速度ωが
何ら作用しないときにはノズル孔９から噴出されたガス
がその中心線○−○に沿ってまっすぐ流れて各ヒートワ
イヤ111,112に均等に当たり、その各ヒートワイヤ111,1
12に対する放熱量を等しくしている。

したがって、このようなガス式角速度検出器を移動体
に搭載すれば、移動体の移動方向の変化量を求めること
ができるようになる。

第９図中、14はノズル孔９からガス通路10内に噴出さ
れるガス流を整流する整流孔であり、ノズル孔９を中心
として対称となるように、ノズル孔９の両側に少なくと
も２つの整流孔14が設けられている。

しかしてこのようなガス式角速度検出器にあっては、
検出器本体に横方向の角速度ωが何ら作用しないとき、
ノズル孔９からガス通路10内に噴出されるガス流がノズ
ル孔９およびガス通路10の中心線○−○に沿ってまっす
ぐ流れるようにノズル孔９およびガス通路10を形成する
必要があり、その加工精度が検出精度にそのままつなが
るものとなっている。

従来、このようなガス式角速度検出器にあって、筒上
のアルミニウム素材を切削加工することによってノズル
孔９およびガス通路10を形成するようにしている。

しかしこのようなノズル孔９およびガス通路10の加工
手段をとるのでは、精密加工を必要とするために熟練を
要し、また製造時の歩留りが悪く、製品のばらつきを生
じて量産性が悪いものになっている。

また、このようなガス式角速度検出器では、そのフロ
ーセンサ11における各ヒートワイヤ111,112が細いほど
ガス流の微少変位を感知できて角速度の検出感度を高め
ることができるようになり、普通、各ヒートワイヤ111,
112が直径５μｍ程度の細線に形成される。

従来の各ヒートワイヤ111,112は、第11図に示すよう
に、それが予め細線に形成されて、基板16上に設けられ
た電極を兼ねる支柱17間に張架されてそれぞれ設置され
ている。

しかし、ヒートワイヤ111,112をそれぞれ予め細線に
形成するのでは、その製造上からしてワイヤ素材の組
成、結晶構造または抵抗温度特性などが不均一となって
しまう。

そのため、一対に設けられる各ヒートワイヤ111,112
における抵抗温度特性を同一にそろえるのが難しく、そ
の特性がばらつくと、検出器本体に角速度ωが何ら加わ
らないのにそのヒートワイヤ対に出力差を生ずるドリフ
ト誤差を生じて検出精度の低下をまねいてしまう。

また、ヒートワイヤ111,112を支柱17間に張架して、
通電し、発熱させると、そのストレスの影響を受けて、
時間の経過とともにヒートワイヤ111,112の抵抗温度特
性が変化してしまうという問題がある。

また従来では、ヒートワイヤ111,112を支柱17間に取
り付ける際、各ヒートワイヤ111,112および支柱17にそ
れぞれ金メッキを施して、金ボンディング手段によって
取り付けるようにしている。

しかしこのようなヒートワイヤ111,112の取付手段を
とるのでは、ヒートワイヤ111,112に金メッキが施され
ているために検出感度が低下してしまい、またヒートワ
イヤ111,112に異種金属による熱起電力が発生して検出
精度の低下をきたしてしまう。

したがって従来では、ヒートワイヤ111,112を支柱17
間に金ボンディング手段によって取り付けたうえで、酸
化防止のために真空中または不活性ガス中でヒートワイ
ヤ111,112を加熱するアニール処理をなして、それによ
りヒートワイヤ111,112を再結晶化して組成を安定にさ
せるとともに、表面にメッキされた金を蒸発させるよう
にしている。

また、従来のガス式角速度検出器では、第９図に示す
ように、ケーシング８の端部にダイヤフラム式のポンプ
12を設けて、そのポンプ12によってケーシング８内にと
じ込められたガスを循環させながら流路13を通してノズ
ル孔９に送って、ガス通路10にガス流（層流）を生じさ
せている。

しかしてこのようなガス式角速度検出器では、ポンプ
12の部分が大きくなって、検出器全体が大形化してしま
っている。

また、ポンプ12の加工精度が悪くて動作むらがあった
りすると、ガス流を安定して生じさせることができなく
なり、ポンプ12の加工精度が検出器の検出精度に影響を
及ぼすものとなっている。

さらに、従来のガス式角速度検出器では、第９図に示
すように、ケーシング８の一端に、検出器本体とは別途
に回路基板15を取り付けて、その回路基板15上に前記抵
抗ブリッジ回路におけるヒートワイヤ対を除く回路部分
および増幅回路を形成するようにしている。

しかし、検出器本体とは別途に回路基板15を設けるの
では、検出器本体におけるヒートワイヤ対とその基板上
に形成された回路との間をリード線を用いてハンダ付け
などによって接続しなければならず、その接続部分にお
ける接触抵抗の発生および異種金属の接合による熱起電
力の発生などが避けられないものとなり、それが角速度
の検出に影響して検出精度が低下してしまっている。

また従来では、一対に設けられる各ヒートワイヤ111,
112の抵抗温度特性の差異が否めず、そのため検出器本
体に角速度が何ら作用しないときにも検出器に出力を生
じてしまい、そのときの出力分をオフセットさせるよう
にしているが、ガス温度が変化するとそのオフセット値
が変動してしまうので、検出器本体を恒温槽内に設置す
るようにしている。

その際、前記回路が形成された回路基板をも同じ恒温
槽内に入れて温度ドリフトを抑制するようにしている
が、厳密には、検出器本体内部に設けられるヒートワイ
ヤ対とその外部に設けられる回路部分とが同一の温度環
境下にあるとはいえず、その温度環境の違いから温度ド
リフトを生じて検出器の出力にノイズが混入してしまう
という問題がある。

目的本発明は以上の点を考慮してなされたもので、加工精
度の良いノズル孔およびガス通路を容易に得ることがで
きるようにしたガス式角速度検出器を提供するものであ
る。

また本発明は、アニール処理などの後処理を何ら要す
ることなく、組成が安定し、かつ抵抗温度特性が均一な
ヒートワイヤ対を容易に得ることができるようにしたガ
ス式角速度検出器を提供するものである。

また本発明は、小形で、加工精度の良いポンプを検出
器本体内に最適な状態で組み込んで、安定したガス流を
効率良く生じさせることができるようにしたガス式角速
度検出器を提供するものである。

さらに本発明は、ヒートワイヤ対と抵抗値が既知の基
準抵抗とによって形成される角速度を検出するための抵
抗ブリッジ回路およびその検出信号を増幅する増幅回路
を、検出器本体の内部に占積率良く、かつ角速度検出に
何ら支障をきたすことがないように最適な状態で設置し
て、前述のリード接続の問題および温度ドリフトによる
ノイズ発生の問題を解決したガス式角速度検出器を提供
するものである。

構成本発明はその目的達成のため、半導体製造技術を利用
して、半導体基板をエッチングしたものを用いてノズル
孔およびガス通路を構成するようにしている。

また本発明は、半導体製造技術を用いて、基板上にヒ
ートワイヤの材料となる金属を蒸着したうえで、その金
属をエッチングしてフローセンサとしてのヒートワイヤ
対を形成するようにしている。

また本発明は、IC製造技術を利用して、ガス通路が形
成される半導体基板上に、ピエゾ素子を駆動源とするマ
イクロポンプを集積化して形成するようにしている。

さらに本発明は、IC製造技術を利用して、ガス通路が
形成される半導体基板に、抵抗ブリッジ回路および増幅
回路を集積化して形成するようにしている。

以下、添付図面を参照して本発明の一実施例について
詳述する。

本発明によるガス式角速度検出器にあっては、第１図
ないし第４図に示すように、それぞれ半導体基板にノズ
ル孔３を形成する半孔31とそれにつながるガス通路４を
形成する半溝41とがエッチングによって形成された下側
半導体基板１と上側半導体基板２とを、それぞれの半孔
31および半溝41をつき合せるように重ねて、両者を接着
させることによってノズル孔３およびガス通路４を構成
するようにしている。

このように半導体製造技術を用いた半導体基板1,2の
エッチングによれば、サブミクロン単位の加工精度をも
って、かつ量産性良くノズル孔３およびガス通路４を構
成することができるようになる。

したがって本発明によれば、従来のように熟練工によ
る一品生産によることなく、一度に大量の製品を歩留り
良く、しかも製品にばらつきのないものを容易に製造す
ることができるようになる。

しかして、加工精度の良いノズル孔３およびガス通路
４が得られることにより、検出器本体に角速度が何ら作
用しないとき、ガス通路４の中心線○−○に沿ってまっ
すぐ流れるガス流をノズル孔３から噴出させて、ガス式
角速度検出器の検出精度を有効に向上させることができ
る。

また、本発明によれば、ノズル孔３およびガス通路４
を精度良く小形に加工することができるようになり、超
小型のガス式角速度検出器を実現することができるよう
になる。

なお、ノズル孔３の両側に、特に図示しないが、必要
に応じて、ガス通路４内に噴出されるガス流を整流する
整流孔（第６図参照）を、前述と同様に、下側基板１と
上側基板２とに整流孔の半孔をそれぞれエッチングする
ことによって形成できることはいうまでもない。

この整流孔を設ける場合にあっても、それを一律に精
度良く加工することができることになる。

なお、少なくとも下側半導体基板１または上側半導体
基板２の何れか一方に、ノズル孔となる半孔（小溝）を
形成するようにしてもよいことはいうまでもない。

また本発明では、ガス通路４の一部をなす下側の半導
体基板１をエッチングしてガス通路４にかかるブリッジ
部６を形成し、そのブリッジ部６の上面に一対のヒート
ワイヤ51,52を形成させるようにしている。

なおその際、ブリッジ部６はガス通路４の高さのほぼ
中間位置にくるように設けられる。

各ヒートワイヤ51,52は、ブリッジ部６の上面にヒー
トワイヤの材料となるタングステンまたは白金などの金
属を蒸着あるいは結晶成長などによって形成したうえ
で、その形成された材料をエッチングし、トリミングす
ることによって所定のパターンをもって成形される。

その際、充分な長さをもってガス流を感度良く検知で
きるように、各ヒートワイヤ51,52の全長が長くなるよ
うなパターンをもってそれぞれのヒートワイヤ51,52が
形成される。

第５図に、ヒートワイヤ51,52の他のパターン例を示
している。

また、そのブリッジ部６の両端側の基板１上には、ヒ
ートワイヤ51,52と同一材料による金属を蒸着し、それ
をエッチングし、トリミングすることによって各ヒート
ワイヤ51,52にそれぞれつながる電極部７が形成されて
いる。

しかして本発明によれば、半導体製造技術により、同
時プロセスで各ヒートワイヤ51,52を精密加工すること
ができ、組成、結晶構造および抵抗温度特性などの点で
ばらつきのない一対のヒートワイヤ51,52を容易にかつ
量産性良く得ることができるようになる。

また本発明によれば、ヒートワイヤ51,52と電極部７
を同一金属によって一体化して形成することができるの
で、従来のようにヒートワイヤと電極部とを接続するた
めの金ボンディング手段などをとる必要がなくなり、そ
のため金などの異種金属が介在してヒートワイヤ51,52
の検出感度が低下したり、またヒートワイヤ51,52に異
種金属による熱起電力が発生して検出精度の低下をきた
すようなことがなくなる。

また、本発明では、ガス通路４内のヒートワイヤ51,5
2の下流側の奥方における下側半導体基板１の部分に、
ピエゾ素子を駆動源とするマイクロポンプ18を集積化し
て形成するようにしている。

第６図に、マイクロポンプ18の一般的な構成例を示し
ている。

ここでは、ピエゾ素子181によって駆動されるダイヤ
フラム182を半導体（Si）基板1aをエッチングすること
によって形成している。また、そのダイヤフラム182の
上方に、半導体（Si）基板1bを重ねることによってポン
プ室183を形成し、基板1bをエッチングすることによっ
て吸入孔184および吐出孔185を形成している。そして、
吸入孔184の開口部分に吸入弁186が、吐出孔185の開口
部分に吐出弁187がそれぞれ形成されている。

このように本発明によれば、ガス通路４を形成する半
導体基板１部分に、IC製造技術を用いて、マイクロポン
プ18を集積化して設けるようにしているので、小形で、
加工精度の良いポンプを検出器本体内に最適な状態で組
み込むことができる。

したがって、マイクロポンプ18により安定したガス流
を効率良く生じさせて、検出器本体に作用する角速度を
精度良く検出することができるようになる。

また、大量の製品を歩留り長く、しかも製品にばらつ
きのないものを容易に製造することができ、量産性に優
れたものとなる。

さらに、本発明では第７図に示すように、半導体基板
１におけるガス通路４を形成する半溝41の両側に、集積
回路19,20をそれぞれ形成するようにしている。

その集積回路19,20には、角速度を検出するための抵
抗ブリッジ回路におけるヒートワイヤ51,52を除く回路
部分と、抵抗ブリッジ回路から出力される検出信号を増
幅する増幅回路とが集積化されて形成されている。

なおその際、集積化された抵抗ブリッジ回路における
ヒートワイヤ51,52を除く回路部分と、ブリッジ部６上
に設けられる各ヒートワイヤ51,52とが一体になるよう
に形成される。

図中、21は集積回路19,20の形成時に同時に形成され
た外部接続用端子であり、抵抗ブリッジ回路の電源接続
用または増幅回路から出力される角速度検出信号の外部
引出し用の端子として用いられる。

このように本発明によれば、ガス通路４を形成する半
導体基板１に抵抗ブリッジ回路および増幅回路を集積化
して形成するようにしているため、検出器本体の内部に
占積率良く、かつ角速度検出に何ら支障をきたすことが
ないように最適な状態で抵抗ブリッジ回路および増幅回
路を設置することができるものとなっている。

その際、抵抗ブリッジ回路における２つの技術にそれ
ぞれ設けられる基準抵抗を、IC製造技術によって高精度
な抵抗値を有するように形成することができる。また、
その各基準抵抗をガスの影響を受けない箇所に設置する
ことができる。

したがって、従来のように抵抗ブリッジ回路の一部を
構成するヒートワイヤ51,52と抵抗ブリッジ回路の他の
構成部分とのあいだ、および抵抗ブリッジ回路と増幅回
路とのあいだをそれぞれリード線によって接続するよう
なことがなくなり、そのためリード線の接続部分におけ
る接触部分における接触抵抗および異種金属の接合によ
る熱起電力が生ずることがなくなって、角速度の検出精
度が向上する。

また、ガス通路４上に一対に設けられたヒートワイヤ
51,52を抵抗ブリッジ回路の他の構成部分および増幅回
路とが同じ温度環境下に設置されることになり、その回
路部分の温度ドリフトによるノズルの発生が有効に軽減
される。

第８図は、本発明によるガス式角速度検出の実際の使
用状態を示している。

ここでは、ノズル孔３およびガス通路４が形成され、
ガス通路４内に一対のヒートワイヤ51,52が設けられ、
かつガス通路４の奥方にマイクロポンプ18が組み込まれ
た半導体基板1,2から検出器本体22をガスが封入された
ケース23内の台24上に設置して、マイクロポンプ18を駆
動することにより、ガスをケース23内に循環させながら
ノズル孔３からガス通路４にガスを送り込んでガス流を
生じさせるようにしている。

図中、25は電源端子、26は出力端子をそれぞれ示して
いる。

このように本発明によれば、ガス式角速度検出器の全
てを半導体およびIC製造技術によって形成することが可
能とない、小形で、加工精度の良いガス式角速度検出器
を量産性をもって得ることができる。

効果以上、本発明によるガス式角速度検出器にあっては、
ノズル孔からヒートワイヤ対に向けてガス通路内に噴出
されたガス流に対して角速度が作用したときに生ずるガ
ス流の偏向にもとづいて、ヒートワイヤ対に生じた感温
出力の差に応じた出力を生ずるガス式角速度検出器にお
いて、それぞれ半導体基板にノズル孔を形成する半孔と
ガス通路を形成する半溝とがエッチングによって形成さ
れた上側半導体基板と下側半導体基板とを、それぞれの
半孔および半溝をつき合せるように重ねることによって
ノズル孔およびガス通路を構成したもので、加工精度の
良いノズル孔およびガス通路を容易に得ることができ、
量産性に優れるという利点を有している。

また本発明によるガス式角速度検出器にあっては、上
側または下側の半導体基板上にヒートワイヤ材料を形成
したうえで、その材料をエッチングしてもヒートワイヤ
対を形成するようにしたもので、組成、結晶構造が安定
し、かつ抵抗温度特性が均一なヒートワイヤ対を容易に
かつ量産性良く製造することができるという利点を有し
ている。

また本発明によるガス式角速度検出器にあっては、ガ
ス通路内の半導体基板部分に、ピエズ素子を駆動源とす
るマイクロポンプを集積化し形成するようにしたもの
で、小型で、加工精度の良いポンプを検出器本体内に最
適な状態で組み込んで、安定したガス流を効率良く生じ
させることができるという優れた利点を有している。

さらに本発明によるガス式角速度検出器にあっては、
半導体基板をエッチングすることによってガス通路を形
成するとともに、その半導体基板部分に、ヒートワイヤ
対と抵抗値が既知の抵抗とによって形成された角速度を
検出するための抵抗ブリッジ回路と、その検出信号を増
幅する増幅回路とをそれぞれ集積化して形成するように
したもので、その回路構成部分を検出器本体の内部に占
積率良く、かつ角速度検出に何ら支障をきたすことがな
いように最適な状態で設置することができ、従来のよう
にリード線接続による接触抵抗および異種金属の接合に
よる熱起電力が生ずることがなくなり、またその回路構
成部分が同じ温度環境下に設置されて、その回路構成部
分の温度ドリフトによるノイズの発生が有効に軽減され
て、角速度の検出精度が向上するという優れた利点を有
している。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すガス式角速度検出器の
本体部分の斜視図、第２図はその検出器本体における下
側半導体基板の一構成例を示す平面図、第３図はその下
側半導体基板の部分的な斜視図、第４図は第１図のＡ−
Ａ線に沿う断面図、第５図はヒートワイヤの他のパター
ン例を示す図、第６図はマイクロポンプの一構成例を示
す正断面図、第７図は下側半導体基板の他の構成を示す
平面図、第８図は本発明によるガス式角速度検出器の全
体構成を示す斜視図、第９図は従来のガス式角速度検出
器を示す正断面図、第10図はガス式角速度検出器に角速
度が加わったときのガス流の偏向状態を示す図、第11図
は従来のガス式角速度検出器におけるフローセンサの斜
視図である。 1,2……半導体基板、３……ノズル孔、４……ガス通
路、51,52……ヒートワイヤ、６……ブリッジ部、７…
…電極部、18……マイクロポンプ、19,20……集積回路

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】ノズル孔からヒートワイヤ対に向けてガス
通路内に噴出されたガス流に対して角速度が作用したと
きに生ずるガス流の偏向にもとづいて、ヒートワイヤ対
に生じた感温出力の差に応じた出力を生ずるガス式角速
度検出器において、それぞれ半導体基板にノズル孔の一
部を形成する半孔とガス通路の一部を形成する半溝とが
エッチングによって形成された上側半導体基板と下側半
導体基板とを、それぞれの半孔および半溝をつき合せる
ように接合することによってノズル孔およびガス通路を
構成したことを特徴とするガス式角速度検出器。
【請求項２】上側または下側の半導体基板上にヒートワ
イヤ材料を形成したうえで、その材料をエッチングして
ヒートワイヤ対を成形するようにしたことを特徴とする
前記第１項の記載によるガス式角速度検出器。
【請求項３】蒸着によって半導体基板上にヒートワイヤ
材料を形成したことを特徴とする前記第２項の記載によ
るガス式角速度検出器。
【請求項４】結晶成長によって半導体基板上にヒートワ
イヤ材料を形成したことを特徴とする前記第２項の記載
によるガス式角速度検出器。
【請求項５】半導体基板をエッチングすることによって
ガス通路にかかるブリッジ部を形成し、そのブリッジ部
にヒートワイヤ対を形成するようにしたことを特徴とす
る前記第２項の記載によるガス式角速度検出器。
【請求項６】各ヒートワイヤ長を長くなるようなパター
ンをもってヒートワイヤ対を形成するようにしたことを
特徴とする前記第２項の記載によるガス式角速度検出
器。
【請求項７】ガス通路内の半導体基板部分に、ピエゾ素
子を駆動源とするマイクロポンプを集積化して形成する
ようにしたことを特徴とする前記第１項または第２項の
記載によるガス式角速度検出器。
【請求項８】ガス通路におけるガス流に対して、ヒート
ワイヤ対の下流側にマイクロポンプを形成したことを特
徴とする前記第７項の記載によるガス式角速度検出器。
【請求項９】ノズル孔からヒートワイヤ対に向けてガス
通路内に噴出されたガス流に対して角速度が作用したと
きに生ずるガス流の偏向にもとづいて、各ヒートワイヤ
に生じた抵抗温度特性の変化の差に応じた信号を、その
ヒートワイヤ対と抵抗値が既知の抵抗とによって形成さ
れた抵抗ブリッジ回路を用いて検出し、その検出信号を
増幅回路によって増幅して角速度に比例した出力信号を
得るようにしたガス式角速度検出器において、半導体基
板をエッチングすることによってガス通路を形成すると
ともに、その半導体基板部分に前記抵抗ブリッジ回路お
よび増幅回路を集積化して形成するようにしたことを特
徴とするガス式角速度検出器。
【請求項１０】ノズル孔からヒートワイヤ対に向けてガ
ス通路内に噴出されたガス流に対して角速度が作用した
ときに生ずるガス流の偏向にもとづいて、ヒートワイヤ
対に生じた感温出力の差に応じた出力を生ずるガス式角
速度検出器において、ガス通路の一部をなす半溝が形成
された第１の半導体基板と、ガス通路の一部をなす半溝
およびその半溝につながるノズル孔となる小溝が形成さ
れた第２の半導体基板とを、それぞれの半溝をつき合せ
るように接合することによってガス通路およびノズル孔
を構成したことを特徴とするガス式角速度検出器。
【請求項１１】ノズル孔からヒートワイヤ対に向けてガ
ス通路内に噴出されたガス流に対して角速度が作用した
ときに生ずるガス流の偏向にもとづいて、ヒートワイヤ
対に生じた感温出力の差に応じた出力を生ずるガス式角
速度検出器において、ガス通路の一部をなす半溝、その
半溝上にかかるブリッジ部およびそのブリッジ部上にヒ
ートワイヤ対が形成され、かつ前記半溝につながるノズ
ル孔となる小溝が形成された第１の半導体基板と、ガス
通路の一部をなす半溝が形成された第２の半導体基板と
を、それぞれの半溝をつき合せるように接合することに
よって検出器本体を構成したことを特徴とするガス式角
速度検出器。
【請求項１２】ノズル孔からヒートワイヤ対に向けてガ
ス通路内に噴出されたガス流に対して角速度が作用した
ときに生ずるガス流の偏向にもとづいて、ヒートワイヤ
対に生じた感温出力の差に応じた出力を生ずるガス式角
速度検出器において、ガス通路の一部をなす半溝が形成
され、かつその半溝につながるノズル孔となる小溝が形
成された第１の半導体基板と、ガス通路の一部をなす半
溝、その半溝上にかかるブリッジ部およびそのブリッジ
部上にヒートワイヤ対が形成された第２の半導体基板
と、それぞれの半溝をつき合せるように接合することに
よって検出器本体を構成したことを特徴とするガス式角
速度検出器。