JP2770707B2 - ＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用チップの製造方法 - Google Patents
ＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用チップの製造方法Info
- Publication number
- JP2770707B2 JP2770707B2 JP15616293A JP15616293A JP2770707B2 JP 2770707 B2 JP2770707 B2 JP 2770707B2 JP 15616293 A JP15616293 A JP 15616293A JP 15616293 A JP15616293 A JP 15616293A JP 2770707 B2 JP2770707 B2 JP 2770707B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- algainp
- based light
- mixed crystal
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＡｌＧａＩｎＰ系発光
素子用チップの製造方法に関する。さらに詳しくは、ダ
イシング時に導入される加工歪を完全に除去でき、光取
り出し効率を向上することができるＡｌＧａＩｎＰ系発
光素子用チップの製造方法に関する。
素子用チップの製造方法に関する。さらに詳しくは、ダ
イシング時に導入される加工歪を完全に除去でき、光取
り出し効率を向上することができるＡｌＧａＩｎＰ系発
光素子用チップの製造方法に関する。
【０００２】
【発明の背景技術】ＡｌＧａＩｎＰ系材料は、窒化物を
除くIII-V族化合物半導体混晶中で最大の直接遷移型エ
ネルギーギャップを有し、５５０〜６５０ｎｍ帯（緑色
〜赤色域）の高輝度可視光発光装置の発光材料として注
目されている。高輝度の発光素子（ＬＥＤ）を製造する
には、ＡｌＧａＩｎＰ系発光材料の発光効率を高めると
ともに、発光光の外部取り出し効率を向上させることが
重要である。
除くIII-V族化合物半導体混晶中で最大の直接遷移型エ
ネルギーギャップを有し、５５０〜６５０ｎｍ帯（緑色
〜赤色域）の高輝度可視光発光装置の発光材料として注
目されている。高輝度の発光素子（ＬＥＤ）を製造する
には、ＡｌＧａＩｎＰ系発光材料の発光効率を高めると
ともに、発光光の外部取り出し効率を向上させることが
重要である。
【０００３】図１は、ＡｌＧａＩｎＰ系発光素子（ＬＥ
Ｄ）を構成するＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用チップ１０
の構造断面図を示す。このＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用
チップ１０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバ
ッファ層２、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、ＡｌＧ
ａＩｎＰ活性層４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５及
びｐ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層６を順次積層形成し、前
記ｐ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層６上にｐ側電極（上面電
極）７、ｎ型ＧａＡｓ基板１の下面にｎ側電極（下面電
極）８を設けた構成になっている。なお、電流拡散層６
の材料としては、ＡｌＧａＡｓの代りにＡｌＧａＡｓＰ
を用いる場合もある。
Ｄ）を構成するＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用チップ１０
の構造断面図を示す。このＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用
チップ１０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバ
ッファ層２、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、ＡｌＧ
ａＩｎＰ活性層４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５及
びｐ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層６を順次積層形成し、前
記ｐ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層６上にｐ側電極（上面電
極）７、ｎ型ＧａＡｓ基板１の下面にｎ側電極（下面電
極）８を設けた構成になっている。なお、電流拡散層６
の材料としては、ＡｌＧａＡｓの代りにＡｌＧａＡｓＰ
を用いる場合もある。
【０００４】ここで、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
３、ＡｌＧａＩｎＰ活性層４及びｐ型ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層５とで構成されるＡｌＧａＩｎＰダブルヘテロ
構造層は発光層部９を構成し、ＡｌＧａＩｎＰ活性層４
が発光層となる。
３、ＡｌＧａＩｎＰ活性層４及びｐ型ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層５とで構成されるＡｌＧａＩｎＰダブルヘテロ
構造層は発光層部９を構成し、ＡｌＧａＩｎＰ活性層４
が発光層となる。
【０００５】次に、図１に示したＡｌＧａＩｎＰ系発光
素子用チップ１０の従来の製造工程の一例を図２に基づ
いて説明する。図２において１２は、ｎ型ＧａＡｓバッ
ファ層２、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、ＡｌＧａ
ＩｎＰ活性層４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５及び
ｐ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層６からなる積層部を示す。
素子用チップ１０の従来の製造工程の一例を図２に基づ
いて説明する。図２において１２は、ｎ型ＧａＡｓバッ
ファ層２、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、ＡｌＧａ
ＩｎＰ活性層４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５及び
ｐ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層６からなる積層部を示す。
【０００６】まず、ＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用エピタ
キシャルウエーハ１１に形成されたｐ型ＡｌＧａＡｓ電
流拡散層６上にｐ側電極７、ｎ型ＧａＡｓ基板１の下面
にｎ側電極８を形成する（図２（Ａ））。このようにし
て製造された構造体を、粘着シート１３に貼り付けて固
定し、ダイシング分離する（図２（Ｂ））。その後、各
チップの間隔を広げ（エキスパンジョン工程、図２
（Ｃ））、次いで［硫酸（Ｈ2ＳＯ4）−過酸化水素水
（Ｈ2Ｏ2）］系エッチング液でエッチング処理を施し、
ダイシング時に導入された加工歪（以下、「ダイシング
歪」と言う。）を除去する（図２（Ｄ））。このように
して図１に示すＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用チップ１０
を得る。
キシャルウエーハ１１に形成されたｐ型ＡｌＧａＡｓ電
流拡散層６上にｐ側電極７、ｎ型ＧａＡｓ基板１の下面
にｎ側電極８を形成する（図２（Ａ））。このようにし
て製造された構造体を、粘着シート１３に貼り付けて固
定し、ダイシング分離する（図２（Ｂ））。その後、各
チップの間隔を広げ（エキスパンジョン工程、図２
（Ｃ））、次いで［硫酸（Ｈ2ＳＯ4）−過酸化水素水
（Ｈ2Ｏ2）］系エッチング液でエッチング処理を施し、
ダイシング時に導入された加工歪（以下、「ダイシング
歪」と言う。）を除去する（図２（Ｄ））。このように
して図１に示すＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用チップ１０
を得る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のように［硫酸
（Ｈ2ＳＯ4）−過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）］系エッチング
液を用いてダイシング歪除去エッチングを行うと、Ａｌ
ＧａＩｎＰのエッチング速度がＧａＡｓやＡｌＧａＡｓ
（またはＡｌＧａＡｓＰ）のそれと比べて著しく小さい
ため、所定量のエッチングにおいて、前記ｎ型ＧａＡｓ
基板１、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２及びｐ型ＡｌＧａＡ
ｓ電流拡散層６が主体的にエッチングされ、発光層部９
のダイシング切断面がほとんどエッチングされないとい
う問題があった。発光層部９がほとんどエッチングされ
ないと、ダイシング歪を十分に除去できないため、光取
り出し効率の悪化による輝度の低下、リーク電流の増大
等の発光素子特性の悪化を引き起こす。また、エッチン
グ後の発光素子用チップに発光層部９が鍔状に残り、後
の発光素子組立工程において取扱いが困難となり、歩留
低下の要因となる。
（Ｈ2ＳＯ4）−過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）］系エッチング
液を用いてダイシング歪除去エッチングを行うと、Ａｌ
ＧａＩｎＰのエッチング速度がＧａＡｓやＡｌＧａＡｓ
（またはＡｌＧａＡｓＰ）のそれと比べて著しく小さい
ため、所定量のエッチングにおいて、前記ｎ型ＧａＡｓ
基板１、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２及びｐ型ＡｌＧａＡ
ｓ電流拡散層６が主体的にエッチングされ、発光層部９
のダイシング切断面がほとんどエッチングされないとい
う問題があった。発光層部９がほとんどエッチングされ
ないと、ダイシング歪を十分に除去できないため、光取
り出し効率の悪化による輝度の低下、リーク電流の増大
等の発光素子特性の悪化を引き起こす。また、エッチン
グ後の発光素子用チップに発光層部９が鍔状に残り、後
の発光素子組立工程において取扱いが困難となり、歩留
低下の要因となる。
【０００８】そこで本発明は、ダイシング時に導入され
る加工歪を完全に除去でき、光取り出し効率を向上する
ことができるＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用チップの製造
方法を提供することを目的とする。
る加工歪を完全に除去でき、光取り出し効率を向上する
ことができるＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用チップの製造
方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した従来技
術の問題を解決するために、［硫酸（Ｈ2ＳＯ4）−過酸
化水素水（Ｈ2Ｏ2）］系に代るエッチング液の検討を行
い、［塩酸（ＨＣｌ）−過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）］系エ
ッチング液を用いると、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＡｓ、Ａ
ｌＧａＡｓ（またはＡｌＧａＡｓＰ）のエッチング速度
が同程度であることを見出し、本発明に到達したもので
ある。
術の問題を解決するために、［硫酸（Ｈ2ＳＯ4）−過酸
化水素水（Ｈ2Ｏ2）］系に代るエッチング液の検討を行
い、［塩酸（ＨＣｌ）−過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）］系エ
ッチング液を用いると、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＡｓ、Ａ
ｌＧａＡｓ（またはＡｌＧａＡｓＰ）のエッチング速度
が同程度であることを見出し、本発明に到達したもので
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、Ｇａ
Ａｓ基板上にＡｌＧａＩｎＰ混晶からなる発光層部とＡ
ｌＧａＡｓ混晶からなる層が形成されたＡｌＧａＩｎＰ
系発光素子用エピタキシャルウェーハに、電極を形成
後、ダイシング分離し、その後ダイシング加工歪を除去
するためのエッチング処理を行ってＡｌＧａＩｎＰ系発
光素子用チップを製造する方法において、前記エッチン
グ処理を、ＧａＡｓ基板とＡｌＧａＩｎＰ混晶からなる
発光層部とＡｌＧａＡｓ混晶からなる層とが同程度のエ
ッチング速度でエッチングされる混合比の［塩酸（ＨＣ
ｌ）−過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）］系エッチング液を用
いて行うようにした。また本発明は、ＧａＡｓ基板上に
ＡｌＧａＩｎＰ混晶からなる発光層部とＡｌＧａＡｓＰ
混晶からなる層が形成されたＡｌＧａＩｎＰ系発光素子
用エピタキシャルウェーハに、電極を形成後、ダイシン
グ分離し、その後ダイシング加工歪を除去するためのエ
ッチング処理を行ってＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用チッ
プを製造する方法において、前記エッチング処理を、Ｇ
ａＡｓ基板とＡｌＧａＩｎＰ混晶からなる発光層部とＡ
ｌＧａＡｓＰ混晶からなる層とが同程度のエッチング速
度でエッチングされる混合比の［塩酸（ＨＣｌ）−過酸
化水素水（Ｈ ２ Ｏ ２ ）］系エッチング液を用いて行うよ
うにした。 前記混合比は、前記発光層部が鍔状に残るこ
とがないように選択されることが望ましい。
Ａｓ基板上にＡｌＧａＩｎＰ混晶からなる発光層部とＡ
ｌＧａＡｓ混晶からなる層が形成されたＡｌＧａＩｎＰ
系発光素子用エピタキシャルウェーハに、電極を形成
後、ダイシング分離し、その後ダイシング加工歪を除去
するためのエッチング処理を行ってＡｌＧａＩｎＰ系発
光素子用チップを製造する方法において、前記エッチン
グ処理を、ＧａＡｓ基板とＡｌＧａＩｎＰ混晶からなる
発光層部とＡｌＧａＡｓ混晶からなる層とが同程度のエ
ッチング速度でエッチングされる混合比の［塩酸（ＨＣ
ｌ）−過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）］系エッチング液を用
いて行うようにした。また本発明は、ＧａＡｓ基板上に
ＡｌＧａＩｎＰ混晶からなる発光層部とＡｌＧａＡｓＰ
混晶からなる層が形成されたＡｌＧａＩｎＰ系発光素子
用エピタキシャルウェーハに、電極を形成後、ダイシン
グ分離し、その後ダイシング加工歪を除去するためのエ
ッチング処理を行ってＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用チッ
プを製造する方法において、前記エッチング処理を、Ｇ
ａＡｓ基板とＡｌＧａＩｎＰ混晶からなる発光層部とＡ
ｌＧａＡｓＰ混晶からなる層とが同程度のエッチング速
度でエッチングされる混合比の［塩酸（ＨＣｌ）−過酸
化水素水（Ｈ ２ Ｏ ２ ）］系エッチング液を用いて行うよ
うにした。 前記混合比は、前記発光層部が鍔状に残るこ
とがないように選択されることが望ましい。
【００１１】本発明によると、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＡ
ｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓＰのエッチング速度が
同程度であるので、ＡｌＧａＩｎＰからなる発光層部の
ダイシング歪が完全に除去され、且つ発光層部が鍔状に
残ることのないＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用チップの製
造が可能となる。
ｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓＰのエッチング速度が
同程度であるので、ＡｌＧａＩｎＰからなる発光層部の
ダイシング歪が完全に除去され、且つ発光層部が鍔状に
残ることのないＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用チップの製
造が可能となる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明のＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用
チップの製造方法の実施例について図を参照して説明す
る。まず、図２を参照してＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用
エピタキシャルウエーハ１１から図１に示したＡｌＧａ
ＩｎＰ系発光素子用チップ１０を製造する工程の実施例
を説明する。
チップの製造方法の実施例について図を参照して説明す
る。まず、図２を参照してＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用
エピタキシャルウエーハ１１から図１に示したＡｌＧａ
ＩｎＰ系発光素子用チップ１０を製造する工程の実施例
を説明する。
【００１３】工程１：ｎ型ＧａＡｓ基板（厚さ約２５
０μｍ）１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層（厚さ０．５
μｍ）２、ｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラ
ッド層（厚さ１μｍ）３、（ＡｌXＧａ1-X）0.51Ｉｎ
0.49Ｐ活性層（厚さ０．６μｍ、黄色発光の場合はｘ＝
０．３５）４、ｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐ
クラッド層（厚さ１μｍ）５及びｐ型Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａ
ｓ電流拡散層（厚さ１０μｍ）６をＭＯＶＰＥ法（有機
金属気相エピタキシャル成長法）により順次積層形成し
てなるＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用エピタキシャルウエ
ーハ１１の前記ｐ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層６上にｐ側
電極７、ｎ型ＧａＡｓ基板１の下面にｎ側電極８を形成
する（図２（Ａ））。 工程２：上記のようにして製造された構造体を粘着シ
ート１３に貼り付けて固定し、各チップ毎にダイシング
分離する（図２（Ｂ））。 工程３：エキスパンジョンして各チップの間隔を広げ
る（図２（Ｃ））。 工程４：［塩酸（ＨＣｌ）−過酸化水素水（Ｈ
2Ｏ2）］系エッチング液でエッチング処理を施し、ダイ
シング歪を除去する（図２（Ｄ））。
０μｍ）１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層（厚さ０．５
μｍ）２、ｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐクラ
ッド層（厚さ１μｍ）３、（ＡｌXＧａ1-X）0.51Ｉｎ
0.49Ｐ活性層（厚さ０．６μｍ、黄色発光の場合はｘ＝
０．３５）４、ｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.51Ｉｎ0.49Ｐ
クラッド層（厚さ１μｍ）５及びｐ型Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａ
ｓ電流拡散層（厚さ１０μｍ）６をＭＯＶＰＥ法（有機
金属気相エピタキシャル成長法）により順次積層形成し
てなるＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用エピタキシャルウエ
ーハ１１の前記ｐ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層６上にｐ側
電極７、ｎ型ＧａＡｓ基板１の下面にｎ側電極８を形成
する（図２（Ａ））。 工程２：上記のようにして製造された構造体を粘着シ
ート１３に貼り付けて固定し、各チップ毎にダイシング
分離する（図２（Ｂ））。 工程３：エキスパンジョンして各チップの間隔を広げ
る（図２（Ｃ））。 工程４：［塩酸（ＨＣｌ）−過酸化水素水（Ｈ
2Ｏ2）］系エッチング液でエッチング処理を施し、ダイ
シング歪を除去する（図２（Ｄ））。
【００１４】上記のようにして得られた発光素子用チッ
プ１０を導電性ペーストで支持体に固着し、ワイヤボン
ディング後、封止剤で封止してＡｌＧａＩｎＰ系発光素
子（ＬＥＤ）が作製される。
プ１０を導電性ペーストで支持体に固着し、ワイヤボン
ディング後、封止剤で封止してＡｌＧａＩｎＰ系発光素
子（ＬＥＤ）が作製される。
【００１５】次に、ダイシング歪の除去エッチング工程
で用いるエッチング液として、［塩酸（ＨＣｌ）−過酸
化水素水（Ｈ2Ｏ2）］系（実施例１）、［塩酸（ＨＣ
ｌ）］系（比較例１）及び［硫酸（Ｈ2ＳＯ4）−過酸化
水素水（Ｈ2Ｏ2）］系（比較例２）の各エッチング液を
用いた場合のエッチング特性や得られたＬＥＤの諸特性
を評価した。
で用いるエッチング液として、［塩酸（ＨＣｌ）−過酸
化水素水（Ｈ2Ｏ2）］系（実施例１）、［塩酸（ＨＣ
ｌ）］系（比較例１）及び［硫酸（Ｈ2ＳＯ4）−過酸化
水素水（Ｈ2Ｏ2）］系（比較例２）の各エッチング液を
用いた場合のエッチング特性や得られたＬＥＤの諸特性
を評価した。
【００１６】（エッチング条件）実施例１、比較例１及
び比較例２として、エッチング液及びエッチング条件を
以下の表１に示すように選択した。
び比較例２として、エッチング液及びエッチング条件を
以下の表１に示すように選択した。
【００１７】
【表１】 （註）薬品濃度 ＨＣｌ：３６％、Ｈ2ＳＯ4：９６％、
Ｈ2Ｏ2：３０％
Ｈ2Ｏ2：３０％
【００１８】（評価結果のまとめ）表２は、実施例１、
比較例１及び比較例２の評価結果をまとめたものであ
る。
比較例１及び比較例２の評価結果をまとめたものであ
る。
【００１９】
【表２】 （註）○：歪除去、断面形状良好（鍔無し） ×：歪有り、断面形状不良（鍔有り） −：実験せず
【００２０】（実施例１の歪除去エッチング前後のチッ
プの断面形状（ダイシング面形状））図３は歪除去エッ
チング前後のチップの断面形状を示す。エッチング前
（ダイシング後）のチップ断面（ダイシング面）にはダ
イシング跡が形成されているが（図３（ａ））、実施例
１で１分のエッチング処理をすると、チップ断面に形成
されたダイシング跡が無くなり、表面が綺麗な面になる
（図３（ｂ））。すなわち実施例１では、チップ形状を
ほぼ保ったままダイシング歪が短時間のエッチング処理
で除去できる。
プの断面形状（ダイシング面形状））図３は歪除去エッ
チング前後のチップの断面形状を示す。エッチング前
（ダイシング後）のチップ断面（ダイシング面）にはダ
イシング跡が形成されているが（図３（ａ））、実施例
１で１分のエッチング処理をすると、チップ断面に形成
されたダイシング跡が無くなり、表面が綺麗な面になる
（図３（ｂ））。すなわち実施例１では、チップ形状を
ほぼ保ったままダイシング歪が短時間のエッチング処理
で除去できる。
【００２１】（歪除去エッチング後のチップの断面形状
（ダイシング面形状））図４（ａ）は実施例１で２分の
エッチングをした場合のチップの断面（ダイシング面）
形状、図４（ｂ）は比較例２で１分のエッチングをした
場合のチップの断面形状を示す。比較例２のエッチング
処理の場合、１分のエッチングで発光層部９が鍔状に残
った（図４（ｂ））。一方、実施例１のエッチング処理
の場合には１分のみならず２分のエッチングを行っても
発光層部９が鍔状に残らず、滑らかな表面を有するチッ
プ形状になった（図４（ａ））。従って、［塩酸（ＨＣ
ｌ）−過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）］系エッチング液でダイ
シング歪除去を行うと、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎ
Ｐ、ＧａＡｓが同程度のエッチング速度でエッチングさ
れることが分る。
（ダイシング面形状））図４（ａ）は実施例１で２分の
エッチングをした場合のチップの断面（ダイシング面）
形状、図４（ｂ）は比較例２で１分のエッチングをした
場合のチップの断面形状を示す。比較例２のエッチング
処理の場合、１分のエッチングで発光層部９が鍔状に残
った（図４（ｂ））。一方、実施例１のエッチング処理
の場合には１分のみならず２分のエッチングを行っても
発光層部９が鍔状に残らず、滑らかな表面を有するチッ
プ形状になった（図４（ａ））。従って、［塩酸（ＨＣ
ｌ）−過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）］系エッチング液でダイ
シング歪除去を行うと、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎ
Ｐ、ＧａＡｓが同程度のエッチング速度でエッチングさ
れることが分る。
【００２２】（電流−電圧特性（Ｉ−Ｖ特性））図５
は、実施例１と比較例２のエッチング処理をしたチップ
のＩ−Ｖ特性、すなわち電圧に対するリーク電流を調べ
た結果を示す。歪除去が不十分であるとリーク電流が多
くなるので、これによりダイシング歪の除去が十分か否
かを確認できる。その結果、比較例２の場合はリーク電
流が多く、従って歪除去が不十分であるが、実施例１に
おいてはリーク電流が極めて少なく、ダイシング歪が有
効に除去されたものと判断できる。
は、実施例１と比較例２のエッチング処理をしたチップ
のＩ−Ｖ特性、すなわち電圧に対するリーク電流を調べ
た結果を示す。歪除去が不十分であるとリーク電流が多
くなるので、これによりダイシング歪の除去が十分か否
かを確認できる。その結果、比較例２の場合はリーク電
流が多く、従って歪除去が不十分であるが、実施例１に
おいてはリーク電流が極めて少なく、ダイシング歪が有
効に除去されたものと判断できる。
【００２３】（輝度特性）図６は、実施例１と比較例２
のエッチング処理をしたチップの電流−輝度特性（Ｉ−
Ｌ特性）を示す。この結果から、実施例１の場合は比較
例２に比べて輝度が高いことが分る。
のエッチング処理をしたチップの電流−輝度特性（Ｉ−
Ｌ特性）を示す。この結果から、実施例１の場合は比較
例２に比べて輝度が高いことが分る。
【００２４】以上本発明の実施例について詳細に説明し
たが、本発明は上記実施例に限定されることなく、本発
明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であるこ
とは言うまでもない。例えば、本実施例ではｎ型ＧａＡ
ｓ基板上にｎ型ＧａＡｓバッファ層、ｎ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層、ＡｌＧａＩｎＰ活性層、ｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層及びｐ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層が形成
されたダブルヘテロ構造を有するＡｌＧａＩｎＰ系発光
素子用チップを例に挙げて説明したが、基板及び各層の
導電型が全く逆の場合でもよく、またシングルヘテロ構
造の場合にも適用できる。
たが、本発明は上記実施例に限定されることなく、本発
明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であるこ
とは言うまでもない。例えば、本実施例ではｎ型ＧａＡ
ｓ基板上にｎ型ＧａＡｓバッファ層、ｎ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層、ＡｌＧａＩｎＰ活性層、ｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層及びｐ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層が形成
されたダブルヘテロ構造を有するＡｌＧａＩｎＰ系発光
素子用チップを例に挙げて説明したが、基板及び各層の
導電型が全く逆の場合でもよく、またシングルヘテロ構
造の場合にも適用できる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明した通り本発明によれば、ダイ
シング時に導入される加工歪を完全に除去することがで
きるため、光取り出し効率が向上し、高輝度のＡｌＧａ
ＩｎＰ系発光ダイオードが得られる。
シング時に導入される加工歪を完全に除去することがで
きるため、光取り出し効率が向上し、高輝度のＡｌＧａ
ＩｎＰ系発光ダイオードが得られる。
【図１】ＡｌＧａＩｎＰ系発光素子（ＬＥＤ）を構成す
るＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用チップの一例を示す構造
断面図である。
るＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用チップの一例を示す構造
断面図である。
【図２】図１に示したＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用チッ
プの製造工程の一例を示す工程説明図である。
プの製造工程の一例を示す工程説明図である。
【図３】ＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用チップの歪除去エ
ッチング前後の断面結晶組織構造を示し、（ａ）はエッ
チング前、（ｂ）はエッチング後を示す写真である。
ッチング前後の断面結晶組織構造を示し、（ａ）はエッ
チング前、（ｂ）はエッチング後を示す写真である。
【図４】実施例１及び比較例２のエッチングをした場合
のＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用チップの断面結晶構造を
示し、（ａ）は実施例１の場合、（ｂ）は比較例２の場
合の断面結晶構造を示す写真である。
のＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用チップの断面結晶構造を
示し、（ａ）は実施例１の場合、（ｂ）は比較例２の場
合の断面結晶構造を示す写真である。
【図５】実施例１と比較例２のエッチング処理をしたチ
ップの電流−電圧特性（Ｉ−Ｖ特性）を示すグラフであ
る。
ップの電流−電圧特性（Ｉ−Ｖ特性）を示すグラフであ
る。
【図６】実施例１と比較例２のエッチング処理をしたチ
ップの電流−輝度特性（Ｉ−Ｌ特性）を示すグラフであ
る。
ップの電流−輝度特性（Ｉ−Ｌ特性）を示すグラフであ
る。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型ＧａＡｓバッファ層 ３ ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ４ ＡｌＧａＩｎＰ活性層 ５ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ６ ｐ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層 ７ ｐ側電極 ８ ｎ側電極 ９ 発光層部 １０ ＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用チップ １１ ＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用エピタキシャルウエ
ーハ １２ 積層部
ーハ １２ 積層部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 33/00
Claims (3)
- 【請求項１】 ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＩｎＰ混晶か
らなる発光層部とＡｌＧａＡｓ混晶からなる層が形成さ
れたＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用エピタキシャルウェー
ハに、電極を形成後、ダイシング分離し、その後ダイシ
ング加工歪を除去するためのエッチング処理を行ってＡ
ｌＧａＩｎＰ系発光素子用チップを製造する方法におい
て、前記エッチング処理を、ＧａＡｓ基板とＡｌＧａＩ
ｎＰ混晶からなる発光層部とＡｌＧａＡｓ混晶からなる
層とが同程度のエッチング速度でエッチングされる混合
比の［塩酸（ＨＣｌ）−過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）］系
エッチング液を用いて行うことを特徴とするＡｌＧａＩ
ｎＰ系発光素子用チップの製造方法。 - 【請求項２】 ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＩｎＰ混晶か
らなる発光層部とＡｌＧａＡｓＰ混晶からなる層が形成
されたＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用エピタキシャルウェ
ーハに、電極を形成後、ダイシング分離し、その後ダイ
シング加工歪を除去するためのエッチング処理を行って
ＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用チップを製造する方法にお
いて、前記エッチング処理を、ＧａＡｓ基板とＡｌＧａ
ＩｎＰ混晶からなる発光層部とＡｌＧａＡｓＰ混晶から
なる層とが同程度のエッチング速度でエッチングされる
混合比の［塩酸（ＨＣｌ）−過酸化水素水（Ｈ
２ Ｏ ２ ）］系エッチング液を用いて行うことを特徴とす
るＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用チップの製造方法。 - 【請求項３】 前記混合比は、前記発光層部が鍔状に残
ることがないように選択されることを特徴とする請求項
１または請求項２記載のＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用チ
ップの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15616293A JP2770707B2 (ja) | 1993-06-02 | 1993-06-02 | ＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用チップの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15616293A JP2770707B2 (ja) | 1993-06-02 | 1993-06-02 | ＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用チップの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06350136A JPH06350136A (ja) | 1994-12-22 |
| JP2770707B2 true JP2770707B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=15621710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15616293A Expired - Fee Related JP2770707B2 (ja) | 1993-06-02 | 1993-06-02 | ＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用チップの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2770707B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3897184B2 (ja) * | 1996-11-06 | 2007-03-22 | シチズン電子株式会社 | 半導体素子の製造方法および端面発光型発光ダイオ−ドの製造方法 |
| JP2002280601A (ja) * | 2000-06-08 | 2002-09-27 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子 |
| CN100401535C (zh) * | 2004-01-07 | 2008-07-09 | 洲磊科技股份有限公司 | 形成具有金属基板的发光二极管的方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55128885A (en) * | 1979-03-29 | 1980-10-06 | Toshiba Corp | Method of fabricating gallium phosphide light emitting display element |
-
1993
- 1993-06-02 JP JP15616293A patent/JP2770707B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06350136A (ja) | 1994-12-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9455373B2 (en) | Light emitting element, method of manufacturing the same, and light emitting device | |
| CN100423300C (zh) | 辐射发射的半导体芯片及其制造方法 | |
| TWI405350B (zh) | Light emitting element and manufacturing method thereof | |
| JP2011071540A (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
| JPH0832112A (ja) | ３族窒化物半導体発光素子 | |
| JP2004153241A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JPH1168157A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JPH1051030A (ja) | ３族窒化物半導体発光素子 | |
| JP3520919B2 (ja) | 窒化物系半導体装置の製造方法 | |
| JP2770707B2 (ja) | ＡｌＧａＩｎＰ系発光素子用チップの製造方法 | |
| JPH07176826A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子 | |
| JP3442864B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3507716B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| US5270245A (en) | Method of forming a light emitting diode | |
| JP2003282543A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法 | |
| JP3016241B2 (ja) | ３族窒化物半導体発光素子 | |
| JP2002232006A (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
| CN107735870B (zh) | 发光组件以及发光组件的制造方法 | |
| JP3152474B2 (ja) | 発光ダイオ−ド | |
| JP2005079152A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP2004356279A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JP2001036132A (ja) | ＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JP2006032837A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH07169992A (ja) | 半導体発光装置 | |
| TWI455358B (zh) | 半導體發光晶片製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080417 Year of fee payment: 10 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080417 Year of fee payment: 10 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090417 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090417 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100417 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110417 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |