JP2504456B2 - 回路基板装置 - Google Patents
回路基板装置Info
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- JP2504456B2 JP2504456B2 JP62071681A JP7168187A JP2504456B2 JP 2504456 B2 JP2504456 B2 JP 2504456B2 JP 62071681 A JP62071681 A JP 62071681A JP 7168187 A JP7168187 A JP 7168187A JP 2504456 B2 JP2504456 B2 JP 2504456B2
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- Japan
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- capacitor
- shield case
- circuit board
- insulating substrate
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
- Details Of Connecting Devices For Male And Female Coupling (AREA)
- Multi-Conductor Connections (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は、印刷回路を搭載した回路基板をシールド
ケースに収納してなる高周波回路基板装置に係り、特に
信号入出力端における電磁波シールドシールド素子とし
て用いられる貫通コンデンサを、そのシールド効果が高
く、且つ簡潔な工程で形成することができるようにした
高周波回路基板装置に関する。
ケースに収納してなる高周波回路基板装置に係り、特に
信号入出力端における電磁波シールドシールド素子とし
て用いられる貫通コンデンサを、そのシールド効果が高
く、且つ簡潔な工程で形成することができるようにした
高周波回路基板装置に関する。
（従来の技術） オーディオ・ビデオ機器等の電子機器にチューナや高
周波モジュレーター等の高周波回路基板機器を搭載する
場合、回路周辺からの妨害電磁波や回路自体からの電磁
波リークを防止するため、回路基板全体をシールドケー
ス内に収納し、且つ入出力端子部分はシールドケース上
に設置した貫通コンデンサを貫通する状態で配設する。
これにより、貫通コンデンサを通してノイズ成分がシー
ルドケース（アース）に導かれ、電圧源や信号へのノイ
ズ重畳を抑制している。
周波モジュレーター等の高周波回路基板機器を搭載する
場合、回路周辺からの妨害電磁波や回路自体からの電磁
波リークを防止するため、回路基板全体をシールドケー
ス内に収納し、且つ入出力端子部分はシールドケース上
に設置した貫通コンデンサを貫通する状態で配設する。
これにより、貫通コンデンサを通してノイズ成分がシー
ルドケース（アース）に導かれ、電圧源や信号へのノイ
ズ重畳を抑制している。
一般に用いられている貫通コンデンサは、第７図
（ａ），（ｂ）に示すように、中央に貫通孔１を有する
円環状に成形されたセラミック誘電体２を用いて構成す
る。第７図に示す誘電体２は、第８図（ａ）に示すよう
に、貫通孔１に直行する両面に、電極3,3を形成し、更
に同図（ｂ）のように、錫メッキ導線製のリード線４を
貫通孔１に挿入してその突出部を電極３に半田５により
半田付けする。このリード線４が引出された貫通コンデ
ンサは、シールドケース６の側壁にリード線４を挿入
し、半田付け又は導電性接着剤７による接着を行ない同
図（ｃ）のように構成される。
（ａ），（ｂ）に示すように、中央に貫通孔１を有する
円環状に成形されたセラミック誘電体２を用いて構成す
る。第７図に示す誘電体２は、第８図（ａ）に示すよう
に、貫通孔１に直行する両面に、電極3,3を形成し、更
に同図（ｂ）のように、錫メッキ導線製のリード線４を
貫通孔１に挿入してその突出部を電極３に半田５により
半田付けする。このリード線４が引出された貫通コンデ
ンサは、シールドケース６の側壁にリード線４を挿入
し、半田付け又は導電性接着剤７による接着を行ない同
図（ｃ）のように構成される。
又、実際の回路に適用する場合は、第９図に示すよう
に、シールドケース６に取付ける。
に、シールドケース６に取付ける。
第９図は厚膜基板をシールドケース６に収納して構成
する回路機器に貫通コンデンサを構成するようにしたも
ので、第８図と同一部分には同一の符号を付してある。
する回路機器に貫通コンデンサを構成するようにしたも
ので、第８図と同一部分には同一の符号を付してある。
符号８は厚膜技術によって配線導体９及び抵抗体10が
形成された絶縁基板である。この絶縁基板８の所定位置
には、貫通コンデンサのリード線４が挿通される透孔11
が形成されている。第８図のようにシールドケース６に
取付けられた貫通コンデンサのリード線４は、上記透孔
11に挿通され半田５により配線導体９と電気的に接続さ
れると共に、更に取付け側と対面するシールドケース平
坦側壁を貫通して端子部12を形成している。
形成された絶縁基板である。この絶縁基板８の所定位置
には、貫通コンデンサのリード線４が挿通される透孔11
が形成されている。第８図のようにシールドケース６に
取付けられた貫通コンデンサのリード線４は、上記透孔
11に挿通され半田５により配線導体９と電気的に接続さ
れると共に、更に取付け側と対面するシールドケース平
坦側壁を貫通して端子部12を形成している。
しかし、第９図に示す貫通コンデンサは、シールドケ
ース６より突設するので、外観的に不具合である。
ース６より突設するので、外観的に不具合である。
又、製造工程は、第８図に示すように、シールドケー
ス６に貫通コンデンサを構成（取付け）した後、第９図
に示すように、印刷回路基板をシールドケースに収納す
る際にリード線を配線導体接続するという煩雑な作業と
なる。
ス６に貫通コンデンサを構成（取付け）した後、第９図
に示すように、印刷回路基板をシールドケースに収納す
る際にリード線を配線導体接続するという煩雑な作業と
なる。
又、第10図は第９図の貫通コンデンサの等価回路であ
るが、この回路図から判るように、貫通コンデンサは、
端子部12の反対側即ち，リード線４と配線導体９との接
続点を中心にして、貫通コンデンサは一方側に、端子部
12は他方側に別れている。このような構造は、電磁波シ
ールド効果からすると最適ではない。つまり、貫通コン
デンサは、端子部12と接続点との中間に位置する方が電
磁波シールド効果は高くなる。
るが、この回路図から判るように、貫通コンデンサは、
端子部12の反対側即ち，リード線４と配線導体９との接
続点を中心にして、貫通コンデンサは一方側に、端子部
12は他方側に別れている。このような構造は、電磁波シ
ールド効果からすると最適ではない。つまり、貫通コン
デンサは、端子部12と接続点との中間に位置する方が電
磁波シールド効果は高くなる。
（発明が解決しようとする問題点） このように、従来の貫通コンデンサ形成技術は、本来
の目的（電磁波シールド）も充分に達成されないような
構造をしており、しかも形成工程が煩雑であるという不
都合があった。
の目的（電磁波シールド）も充分に達成されないような
構造をしており、しかも形成工程が煩雑であるという不
都合があった。
この発明の目的は、貫通コンデンサ形成のために特別
な工程を要さず、且つ電磁波シールド効果が高い高周波
回路基板装置を提供することにある。
な工程を要さず、且つ電磁波シールド効果が高い高周波
回路基板装置を提供することにある。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） この発明は、通常のバイパスコンデンサと共に貫通コ
ンデンサ部が形成された厚膜回路基板をシールドケース
内に収納して構成されている。
ンデンサ部が形成された厚膜回路基板をシールドケース
内に収納して構成されている。
（作用） この発明によれば、貫通コンデンサ部が、シールドケ
ースに収納される基板側に形成されるので、貫通コンデ
ンサ部の一方の電極と配線導体との接続点，及びシール
ドケースより突出される端子部とは貫通コンデンサ部を
挟んで相対峙するかたちとなり、電磁波シールド効果が
最適となる回路構成となる。又、貫通コンデンサ部は他
のコンデンサと同時に形成可能なため、貫通コンデンサ
形成のために特別な工程を必要としないものである。
ースに収納される基板側に形成されるので、貫通コンデ
ンサ部の一方の電極と配線導体との接続点，及びシール
ドケースより突出される端子部とは貫通コンデンサ部を
挟んで相対峙するかたちとなり、電磁波シールド効果が
最適となる回路構成となる。又、貫通コンデンサ部は他
のコンデンサと同時に形成可能なため、貫通コンデンサ
形成のために特別な工程を必要としないものである。
（実施例） 以下、この発明を第１図に示す実施例について説明す
る。
る。
第１図において、（ａ）はアルミナ基板等の絶縁基板
21であり、この絶縁基板21には貫通コンデンサのリード
線挿通用の軸穴22が形成されている。尚、軸穴22は例え
ば炭酸ガスレーザー光線により穿設加工する。
21であり、この絶縁基板21には貫通コンデンサのリード
線挿通用の軸穴22が形成されている。尚、軸穴22は例え
ば炭酸ガスレーザー光線により穿設加工する。
次に、第１図（ｂ）の如く、絶縁基板21の両面に、例
えば銀パラジウム系ペーストを用いスクリーン印刷等の
手法で配線導体23,23′を形成する。その後，第１図
（ｃ）のように、高誘電率の誘電体ペーストにより厚膜
コンデンサ層24,24aを形成する。
えば銀パラジウム系ペーストを用いスクリーン印刷等の
手法で配線導体23,23′を形成する。その後，第１図
（ｃ）のように、高誘電率の誘電体ペーストにより厚膜
コンデンサ層24,24aを形成する。
ここで、上記配線導体23は通常の配線パターンを構成
し、配線導体23′は、貫通コンデンサの下部電極となる
ものである。又、厚膜コンデンサ層24,24は、貫通コン
デンサのための誘電体層であり、例えば井形に形成され
ている。尚、24aは他のコンデンサのための誘電体層で
ある。
し、配線導体23′は、貫通コンデンサの下部電極となる
ものである。又、厚膜コンデンサ層24,24は、貫通コン
デンサのための誘電体層であり、例えば井形に形成され
ている。尚、24aは他のコンデンサのための誘電体層で
ある。
こうして厚膜コンデンサ層24,24aが形成された絶縁基
板21は、貫通コンデンサ用厚膜コンデンサ層24の上に上
部電極として配線導体25,及び通常コンデンサ用厚膜コ
ンデンサ層24aの上に、同じく上部電極としての配線導
体25aが形成される（第１図ｄ参照）。本実施例は、上
記第１図（ｄ）の配線導体25,25aを形成した段階で、90
0゜〜950゜の雰囲気により焼成が行なわれる。
板21は、貫通コンデンサ用厚膜コンデンサ層24の上に上
部電極として配線導体25,及び通常コンデンサ用厚膜コ
ンデンサ層24aの上に、同じく上部電極としての配線導
体25aが形成される（第１図ｄ参照）。本実施例は、上
記第１図（ｄ）の配線導体25,25aを形成した段階で、90
0゜〜950゜の雰囲気により焼成が行なわれる。
又、第１図（ｄ）の絶縁基板21に対し、第１図（ｅ）
に示すように抵抗体26を形成し、850℃の焼成を行う。
に示すように抵抗体26を形成し、850℃の焼成を行う。
第１図（ｆ）は、本実施例に係る高周波回路基板装置
の完成品を示し、同図（ｆ）のように各厚膜層が形成，
焼成された絶縁基板21は、チップ部品等のディスクリー
ト部品32が半田付けされてシールドケース27内に収納さ
れる。ただし、リード線28は絶縁基板21をシールドケー
ス27に収納する前に、軸穴22に挿入され半田29によって
配線導体23と接続される。又、リード線28と配線導体25
も貫通コンデンサの他方電極として半田接続すると共
に、線材Ｌによってシールドケース27と配線導体23′と
を半田接続する。更に、リード線28は、絶縁基板21をシ
ールドケー27に収納するとき、該シールドケース27に形
成された端子部突出用孔30を通してケース外部に突出さ
れ、その突出部で端子部31を構成している。
の完成品を示し、同図（ｆ）のように各厚膜層が形成，
焼成された絶縁基板21は、チップ部品等のディスクリー
ト部品32が半田付けされてシールドケース27内に収納さ
れる。ただし、リード線28は絶縁基板21をシールドケー
ス27に収納する前に、軸穴22に挿入され半田29によって
配線導体23と接続される。又、リード線28と配線導体25
も貫通コンデンサの他方電極として半田接続すると共
に、線材Ｌによってシールドケース27と配線導体23′と
を半田接続する。更に、リード線28は、絶縁基板21をシ
ールドケー27に収納するとき、該シールドケース27に形
成された端子部突出用孔30を通してケース外部に突出さ
れ、その突出部で端子部31を構成している。
本実施例による高周波回路基板装置は、以上のように
して構成されている。このように、厚膜技術を利用して
他のコンデンサの形成と同時に貫通コンデンサを形成す
ることができるので、形成工程が簡略化され、又、貫通
コンデンサ部（下部電極23′，厚膜コンデンサ層24,上
部電極25）は、シールドケース27の内部に収まり、従来
のように突出することがない。
して構成されている。このように、厚膜技術を利用して
他のコンデンサの形成と同時に貫通コンデンサを形成す
ることができるので、形成工程が簡略化され、又、貫通
コンデンサ部（下部電極23′，厚膜コンデンサ層24,上
部電極25）は、シールドケース27の内部に収まり、従来
のように突出することがない。
第２図は貫通コンデンサの平面形状を説明するための
説明図であり、実際の高周波回路を想定して複数個形成
してある。尚、第１図と共通する部分には同一の符号を
付してある。第２図に示すように、本実施例は、従来の
ように円環状とせず、井形に形成したものであるが、勿
論円環状であっても良い。因みに、本実施例のように高
誘電率ペーストを用い、下部電極23′の面積を2.0m
m□，厚膜コンデンサ層24の平面積を2.4mm□，上部電極
25の面積を2.2mm□とした場合、第１図（ｄ）の焼成後
の容量は2500〜3500P Fのものが得られた。
説明図であり、実際の高周波回路を想定して複数個形成
してある。尚、第１図と共通する部分には同一の符号を
付してある。第２図に示すように、本実施例は、従来の
ように円環状とせず、井形に形成したものであるが、勿
論円環状であっても良い。因みに、本実施例のように高
誘電率ペーストを用い、下部電極23′の面積を2.0m
m□，厚膜コンデンサ層24の平面積を2.4mm□，上部電極
25の面積を2.2mm□とした場合、第１図（ｄ）の焼成後
の容量は2500〜3500P Fのものが得られた。
又、第３図は第２図に対応する本貫通コンデンサの等
価回路を示す。この等価回路図と第10図の等価回路図を
比較すると明らかなように、第10図の貫通コンデンサ
は、コンデンサ部が端子部12と反対側にあるのに対し、
本実施例による貫通コンデンサは、端子部31と配線ライ
ン33との間に貫通コンデンサが位置し、電磁波シールド
性能が良好となっている。
価回路を示す。この等価回路図と第10図の等価回路図を
比較すると明らかなように、第10図の貫通コンデンサ
は、コンデンサ部が端子部12と反対側にあるのに対し、
本実施例による貫通コンデンサは、端子部31と配線ライ
ン33との間に貫通コンデンサが位置し、電磁波シールド
性能が良好となっている。
又、本実施例による貫通コンデンサの実装面積は、同
じ容量の従来のものに比し、略半分以下の面積で形成す
ることができた。
じ容量の従来のものに比し、略半分以下の面積で形成す
ることができた。
第４図はこの発明の他の実施例を示す断面図である。
第４図において、第１図と同等の部材には同一の符号を
付し、その特徴とする構成は、第１図の実施例が端子部
31をシールドケース27の上平坦部より延出していたのに
対し、この実施例は端子部31をシールドケース27の端側
面から延出するようにしたものである。この場合リード
線41は、絶縁基板21をシールドケース内部で支持し、且
つ、端側面に形成された端子部突出用孔30より端子部31
となる部分を突出している。又、貫通コンデンサ部の上
部電極25は、ケース内リード線41と接触しないように、
絶縁層43が形成されている。
第４図において、第１図と同等の部材には同一の符号を
付し、その特徴とする構成は、第１図の実施例が端子部
31をシールドケース27の上平坦部より延出していたのに
対し、この実施例は端子部31をシールドケース27の端側
面から延出するようにしたものである。この場合リード
線41は、絶縁基板21をシールドケース内部で支持し、且
つ、端側面に形成された端子部突出用孔30より端子部31
となる部分を突出している。又、貫通コンデンサ部の上
部電極25は、ケース内リード線41と接触しないように、
絶縁層43が形成されている。
本実施例の第２の特徴は、絶縁基板21にリード線41を
配線導体23′（下部電極）と直接接続していないことで
ある。このため、絶縁基板21にはリード線41を挿通する
ための軸穴は形成する必要がなく、その代りに、リード
線41は、井形の中央に半田42が侵入するようにして配線
導体23′と接続してある。
配線導体23′（下部電極）と直接接続していないことで
ある。このため、絶縁基板21にはリード線41を挿通する
ための軸穴は形成する必要がなく、その代りに、リード
線41は、井形の中央に半田42が侵入するようにして配線
導体23′と接続してある。
尚、貫通コンデンサの上部電極25は基板端部から線材
Ｌによりシールドケース27に半田接続する。
Ｌによりシールドケース27に半田接続する。
第５図は第４図の貫通コンデンサの平面形状を示し、
２点鎖線部で囲まれる部分は絶縁層43,1点鎖線で囲まれ
る部分は厚膜コンデンサ層24,これら下方部材として示
される点線部は、下部電極23′，実線部は上部電極25で
ある。
２点鎖線部で囲まれる部分は絶縁層43,1点鎖線で囲まれ
る部分は厚膜コンデンサ層24,これら下方部材として示
される点線部は、下部電極23′，実線部は上部電極25で
ある。
又、第６図は第４図の貫通コンデンサの等価回路を示
し、第３図と同様の回路構造となり、電磁波シールド効
果が高くなることが判る。
し、第３図と同様の回路構造となり、電磁波シールド効
果が高くなることが判る。
［発明の効果］ 以上説明したようにこの発明によれば、貫通コンデン
サ形成工程が簡略化できる。
サ形成工程が簡略化できる。
第１図はこの発明に係る高周波回路基板装置のの一実施
例を示す製造工程図、第２図及び第３図は第１図の装置
を詳述するための平面図及び等価回路図、第４図はこの
発明の他の実施例を示す断面図、第５図及び第６図は第
４図の装置を詳述するための平面図及び等価回路図、第
７図及び第８図は従来の貫通コンデンサ形成方法を説明
するための説明図、第９図及び第10図は第７図及び第８
図の方法で貫通コンデンサが形成された従来の高周波回
路基板装置の一例を示す断面図及び等価回路図である。 21……絶縁基板、 23,23′,25……配線導体、 24……厚膜コンデンサ層、 27……シールドケース、 30……端子部突出用孔， 31……リード線。
例を示す製造工程図、第２図及び第３図は第１図の装置
を詳述するための平面図及び等価回路図、第４図はこの
発明の他の実施例を示す断面図、第５図及び第６図は第
４図の装置を詳述するための平面図及び等価回路図、第
７図及び第８図は従来の貫通コンデンサ形成方法を説明
するための説明図、第９図及び第10図は第７図及び第８
図の方法で貫通コンデンサが形成された従来の高周波回
路基板装置の一例を示す断面図及び等価回路図である。 21……絶縁基板、 23,23′,25……配線導体、 24……厚膜コンデンサ層、 27……シールドケース、 30……端子部突出用孔， 31……リード線。
Claims (1)
- 【請求項１】無機質絶縁基板と、 前記絶縁基板に形成した第１の膜導体と、 前記第１の膜導体上に形成した膜誘電体と 前記第１の膜導体と対向配置されるとともに、前記膜誘
電体層上に形成した第２の膜導体とを備え、 前記第１および第２の膜導体のうち、一方は信号ライン
に接続し、他方は前記絶縁基板上では前記誘電体層を介
して信号ラインの一部を囲み電気的に接地してなること
を特徴とする回路基板装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62071681A JP2504456B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 回路基板装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62071681A JP2504456B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 回路基板装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63239900A JPS63239900A (ja) | 1988-10-05 |
| JP2504456B2 true JP2504456B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=13467551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62071681A Expired - Lifetime JP2504456B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 回路基板装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2504456B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5704810A (en) * | 1994-02-03 | 1998-01-06 | Nippon Carbide Kogyo Kabushiki Kaisha | Electrical connector with filter |
| JP2707999B2 (ja) * | 1995-03-06 | 1998-02-04 | 日本電気株式会社 | 高周波遮断用中継端子及びそれを用いた高周波回路 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57134999A (en) * | 1981-02-13 | 1982-08-20 | Meisei Electric Co Ltd | Structure for connecting shielded circuit to other circuit |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP62071681A patent/JP2504456B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63239900A (ja) | 1988-10-05 |
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