JP2023147678A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】開口率を向上させる。【解決手段】電気光学装置は、基板と、トランジスターと、基板とトランジスターとの間に設けられた容量素子と、トランジスターに電気的に接続されたソースドレイン電極と、トランジスターに対応して設けられた画素電極と、ソースドレイン電極と画素電極とを電気的に接続する導電部材と、容量素子と導電部材との間に設けられ、第１コンタクトホールを有する絶縁部材と、を備え、導電部材は、第１コンタクトホールを介して、ソースドレイン電極の端部に電気的に接続されるとともに、容量素子に電気的に接続される。【選択図】図６

Description

本開示は、電気光学装置および電子機器に関する。

プロジェクター等の電子機器には、例えば、画素ごとに光学的特性を変更可能な液晶表示装置等の電気光学装置が用いられる。

特許文献１に記載の電気光学装置は、基板と、トランジスターと、基板とトランジスターとの間に設けられた容量素子と、トランジスターに電気的に接続されたソース電極と、トランジスターに対応して設けられた画素電極と、を有する。特許文献１では、トランジスターのゲート電極と同一層に設けられた第２中継層を介して、容量素子およびソース電極が互いに電気的に接続される。

特開２０２０－３８２４８号公報

特許文献１では、容量素子とトランジスターとを電気的に接続するためのコンタクトホールを複数設ける必要がある。このため、製造工程の負荷を増大させるとともに開口率の低下を招くという課題がある。

本開示の電気光学装置の一態様は、基板と、トランジスターと、前記基板と前記トランジスターとの間に設けられた容量素子と、前記トランジスターに電気的に接続されたソースドレイン電極と、前記トランジスターに対応して設けられた画素電極と、前記ソースドレイン電極と前記画素電極とを電気的に接続する導電部材と、前記容量素子と前記導電部材との間に設けられ、第１コンタクトホールを有する絶縁部材と、を備え、前記導電部材は、前記第１コンタクトホールを介して、前記ソースドレイン電極の端部に電気的に接続されるとともに、前記容量素子に電気的に接続される。

本開示の電子機器の一態様は、前述の態様の電気光学装置と、前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有する。

第１実施形態に係る電気光学装置の平面図である。 図１中のＡ－Ａ線断面図である。 図１の素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。 図２の素子基板の一部を示す平面図である。 図２の素子基板の一部を示す断面図である。 図２の素子基板の一部を示す断面図である。 図５に示す第１凹部の拡大断面図である。 複数の容量素子の平面図である。 第１実施形態における複数のトランジスターの平面図である。 第１実施形態における容量素子およびトランジスターの平面視での位置関係を説明するための図である。 ソースドレイン電極およびこれと同層の中継電極の平面図である。 データ線およびこれと同層の中継電極の平面図である。 定電位線およびこれと同層の中継電極の平面図である。 第２実施形態における素子基板の一部を示す断面図である。 電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。 電子機器の一例であるスマートフォンを示す平面図である。 電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。

以下、添付図面を参照しながら本開示に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法および縮尺は実際と適宜に異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本開示の範囲は、以下の説明において特に本開示を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。

１．電気光学装置
１－１．第１実施形態
１－１Ａ．基本構成
図１は、第１実施形態に係る電気光学装置１００の平面図である。図２は、図１中のＡ－Ａ線断面図である。なお、図１では、説明の便宜上、対向基板３の図示が省略される。また、以下の説明は、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いる。また、Ｘ軸に沿う一方向がＸ１方向と表記され、Ｘ１方向とは反対の方向がＸ２方向と表記される。同様に、Ｙ軸に沿う一方向がＹ１方向と表記され、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向が表記される。Ｚ軸に沿う一方向がＺ１方向と表記され、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向が表記される。また、以下では、Ｚ１方向またはＺ２方向にみることを「平面視」という場合がある。さらに、以下の説明では、Ｘ方向は、Ｘ１方向またはＸ２方向である。Ｙ方向は、Ｙ１方向またはＹ２方向である。Ｚ方向は、Ｚ１方向またはＺ２方向である。

図１および図２に示す電気光学装置１００は、アクティブマトリクス駆動方式の透過型の電気光学装置である。図２に示すように、電気光学装置１００は、素子基板２と、対向基板３と、枠状のシール部材４と、液晶層５と、を有する。素子基板２、液晶層５および対向基板３は、この順にＺ１方向に並ぶ。図１に示す例では、電気光学装置１００の平面視形状が四角形である。なお、電気光学装置１００の平面視形状は、図１に示す例に限定されず、例えば、円形であってもよい。

素子基板２は、後述の複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）を有する基板である。素子基板２は、「基板」の一例である第１基板２１と、積層体２２と、複数の画素電極２５と、第１配向膜２９と、を有する。第１基板２１、積層体２２、複数の画素電極２５および第１配向膜２９のそれぞれは、透光性を有する。また、図示しないが、素子基板２は、複数の画素電極２５を平面視で囲む領域に配置される複数のダミー画素電極を有する。なお、「透光性」とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。

第１基板２１、積層体２２、複数の画素電極２５および第１配向膜２９は、この順にＺ１方向に積層される。第１基板２１は、透光性および絶縁性を有する平板である。第１基板２１は、例えば、ガラス基板または石英基板である。積層体２２は、透光性を有する複数の絶縁層と、当該複数の絶縁層同士の間に配置される各種配線と、を有する。第１基板２１および積層体２２の詳細については、後に図５から図１３に基づいて説明する。また、画素電極２５は、透光性および導電性を有する。画素電極２５は、液晶層５に電界を印加するために用いられる。画素電極２５は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）およびＦＴＯ（Fluorine-doped tin oxide）等の透明導電材料で構成される。第１配向膜２９は、透光性および絶縁性を有する。第１配向膜２９は、液晶層５に含まれる液晶分子を配向させる。第１配向膜２９は、複数の画素電極２５を覆うように配置される。第１配向膜２９を構成する材料は、例えば、ポリイミドおよび酸化ケイ素等である。

対向基板３は、素子基板２に対向して配置される基板である。対向基板３は、透光性を有する第２基板３１と、透光性を有する無機絶縁層３２と、透光性を有する共通電極３３と、透光性を有する第２配向膜３４と、を有する。また、図示しないが、対向基板３は、平面視で複数の画素電極２５を囲む形状をなす遮光性の見切りを有する。なお、「遮光性」とは、可視光に対する遮光性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％未満であることをいい、より好ましくは１０％以下であることをいう。

第２基板３１、無機絶縁層３２、共通電極３３および第２配向膜３４は、この順にＺ２方向に積層される。第２基板３１は、透光性および絶縁性を有する平板である。第２基板３１は、例えば、ガラス基板または石英基板である。無機絶縁層３２は、透光性および絶縁性を有しており、例えば、酸化ケイ素等のケイ素を含む無機材料で構成される。共通電極３３は、複数の画素電極２５に対して液晶層５を介して配置される対向電極である。共通電極３３は、液晶層５に電界を印加するために用いられる。共通電極３３は、透光性および導電性を有する。共通電極３３は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯおよびＦＴＯ等の透明導電材料を含む。第２配向膜３４は、透光性および絶縁性を有する。第２配向膜３４は、液晶層５が有する液晶分子を配向させる。第２配向膜３４を構成する材料は、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等である。

シール部材４は、素子基板２と対向基板３との間に配置される。シール部材４は、例えばエポキシ樹脂等の各種硬化性樹脂を含む接着剤等で構成される。シール部材４は、ガラス等の無機材料で構成されるギャップ材を含んでもよい。

液晶層５は、素子基板２、対向基板３およびシール部材４によって囲まれる領域内に配置される。液晶層５は、電界に応じて光学的特性が変化する。液晶層５は、正または負の誘電異方性を有する液晶分子を含む。液晶分子の配向は、液晶層５に印加される電圧に応じて変化する。

図１に示すように、素子基板２には、複数の走査線駆動回路１１とデータ線駆動回路１２と複数の外部端子１３とが配置される。複数の外部端子１３の一部は、図示しないが、走査線駆動回路１１またはデータ線駆動回路１２から引き回される配線に接続される。また、複数の外部端子１３は、共通電位が印加される端子を含む。当該端子は、図示しない配線および導通材を介して、対向基板３の共通電極３３に電極的に接続される。

このような電気光学装置１００は、画像を表示する表示領域Ａ１０と、平面視で表示領域Ａ１０の外側に位置する周辺領域Ａ２０とを有する。表示領域Ａ１０には、行列状に配列される複数の画素Ｐが設けられる。複数の画素Ｐに対して複数の画素電極２５が１対１で配置される。前述の共通電極３３は、複数の画素Ｐで共通に設けられる。また、周辺領域Ａ２０は、平面視で表示領域Ａ１０を囲む。周辺領域Ａ２０には、走査線駆動回路１１およびデータ線駆動回路１２が配置される。

本実施形態では、電気光学装置１００は透過型である。具体的には、本実施形態では、図２に示すように、光ＬＬが対向基板３に入射し、対向基板３に入射した光が素子基板２から出射される間に変調することにより、画像が表示される。なお、素子基板２に入射した光が対向基板３から出射される間に変調することにより、画像が表示されてもよい。

また、電気光学装置１００は、例えば、後述するパーソナルコンピューターおよびスマートフォン等のカラー表示を行う表示装置に適用される。当該表示装置に適用される場合、電気光学装置１００に対してカラーフィルターが適宜用いられる。また、電気光学装置１００は、例えば、後述する投射型のプロジェクターに適用される。この場合、電気光学装置１００は、ライトバルブとして機能する。なお、この場合、電気光学装置１００に対してカラーフィルターが省略される。

１－１Ｂ．素子基板２の電気的な構成
図３は、図１の素子基板２の電気的な構成を示す等価回路図である。素子基板２は、図３に示すように、複数のトランジスター２３とｎ本の走査線２４１とｍ本のデータ線２４２とｎ本の定電位線２４３とを有しており、これらは、前述の図２に示す積層体２２に設けられる。ｎおよびｍのそれぞれは、２以上の整数である。ｎ本の走査線２４１とｍ本のデータ線２４２との各交差に対応してトランジスター２３が配置される。各トランジスター２３は、例えば、スイッチング素子として機能するＴＦＴ（thin film transistor）である。各トランジスター２３は、ゲート、ソースおよびドレインを含む。

ｎ本の走査線２４１のそれぞれはＸ方向に延在し、ｎ本の走査線２４１はＹ方向に等間隔で並ぶ。ｎ本の走査線２４１のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２３のゲートに電気的に接続される。ｎ本の走査線２４１は、図１に示す走査線駆動回路１１に電気的に接続される。１～ｎ本の走査線２４１には、走査線駆動回路１１から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが線順次で供給される。

図３に示すｍ本のデータ線２４２のそれぞれはＹ方向に延在し、ｍ本のデータ線２４２はＸ方向に等間隔で並ぶ。ｍ本のデータ線２４２のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２３のソースに電気的に接続される。ｍ本のデータ線２４２は、図１に示すデータ線駆動回路１２に電気的に接続される。１～ｍ本のデータ線２４２には、データ線駆動回路１２から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが並行に供給される。

図３に示すｎ本の走査線２４１とｍ本のデータ線２４２とは、互いに電気的に絶縁されており、平面視で格子状に配置される。隣り合う２つの走査線２４１と隣り合う２つのデータ線２４２とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。各画素電極２５は、対応するトランジスター２３のドレインに電気的に接続される。

ｎ本の定電位線２４３のそれぞれはＹ方向に延在し、ｎ本の定電位線２４３はＸ方向に等間隔で並ぶ。また、ｎ本の定電位線２４３は、ｍ本のデータ線２４２およびｎ本の走査線２４１に対して電気的に絶縁されており、これらに対して間隔をもって配置される。各定電位線２４３には、グランド電位等の定電位が印加される。ｎ本の定電位線２４３のそれぞれは、対応する容量素子２６に電気的に接続される容量線である。各容量素子２６は、画素電極２５の電位を保持するための保持容量であり、平面視でトランジスター２３と重なって配置される。なお、複数の容量素子２６は、複数の画素電極２５に１対１で電気的に接続される。複数の容量素子２６は、複数のトランジスター２３のドレインに１対１で電気的に接続される。

走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが順次アクティブとなることにより、ｎ本の走査線２４１が順次選択されると、選択される走査線２４１に接続されるトランジスター２３がオン状態となる。すると、ｍ本のデータ線２４２を介して表示すべき階調に応じた大きさの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが、選択される走査線２４１に対応する画素Ｐの画素電極２５に印加される。これにより、画素電極２５と図２に示す共通電極３３との間に形成される液晶容量に、表示すべき階調に応じた電圧が印加され、印加される電圧に応じて液晶分子の配向が変化する。また、容量素子２６によって、印加される電圧が保持される。このような液晶分子の配向の変化によって光が変調され階調表示が可能となる。

１－１Ｃ．素子基板２の構造
図４は、図２の素子基板２の一部を示す平面図である。図４では、図２中の領域Ｂにおいて素子基板２をＺ２方向にみた図が示される。図４に示すように、素子基板２の複数の画素電極２５は、互いに離隔し、行列状に配置される。素子基板２には、画素電極２５ごとに、平面視で画素電極２５に重なる領域に透光性の開口部Ａ１１が設けられる。また、素子基板２には、平面視で複数の開口部Ａ１１の間に位置する枠状の領域が遮光領域Ａ１２として設けられる。遮光領域Ａ１２には、前述の図３に示すトランジスター２３、容量素子２６および走査線２４１、データ線２４２、定電位線２４３等の各種配線が配置される。画素電極２５は、コンタクトホールＣＨ１３を介してトランジスター２３および容量素子２６のそれぞれに電気的に接続される。

図５および図６のそれぞれは、図２の素子基板２の一部を示す断面図である。図５では、図４中の領域ＣをＸ方向に沿ってＣ１－Ｃ１線で切断した断面が模式的に示される。図６では、図４中の領域ＣをＹ方向に沿ってＣ２－Ｃ２線で切断した断面が模式的に示される。なお、図４中のＣ１－Ｃ１線が平面視で後述の図８中のＣ１－Ｃ１線に対応し、図４中のＣ２－Ｃ２線が平面視で後述の図８中のＣ２－Ｃ２線に対応する。

素子基板２は、前述のように、第１基板２１、積層体２２、複数の画素電極２５および第１配向膜２９を有する。ここで、図５および図６に示すように、第１基板２１と積層体２２との間には、複数の容量素子２６が配置される。また、積層体２２の内部には、トランジスター２３、走査線２４１、データ線２４２、定電位線２４３および中継電極２７１、２７２、２７３、２７４、２７５、２７６、２７７、２７９が適宜に配置される。ここで、中継電極２７１は、「ソースドレイン電極」の一例である。中継電極２７３は、「導電部材」の一例である。以下、素子基板２の積層構造について、図５および図６に基づいて、素子基板２の各部を順に説明する。

第１基板２１は、「凹部」の一例である第１凹部２１１と、第２凹部２１２と、第３凹部２１３と、を有する。第１凹部２１１、第２凹部２１２および第３凹部２１３のそれぞれは、トランジスター２３ごとに、第１基板２１のＺ１方向を向く面に設けられた窪みである。これらの凹部は、Ｘ１方向に、第２凹部２１２、第１凹部２１１、第３凹部２１３の順に並んでおり、互いに離れて配置される。ここで、第１凹部２１１は、データ線２４２に沿ってＹ方向に延びる。これに対し、第２凹部２１２および第３凹部２１３のそれぞれは、走査線２４１に沿ってＸ方向に延びる。本実施形態では、第１凹部２１１、第２凹部２１２および第３凹部２１３のＺ２方向の深さは、互いに等しい。

第１基板２１上には、容量素子２６が配置される。容量素子２６は、第１導電層２６１と、誘電体層２６３と、第２導電層２６２と、を有する。第１導電層２６１、誘電体層２６３および第２導電層２６２は、Ｚ１方向にこの順に積層される。第１導電層２６１は、第１基板２１に接触する。誘電体層２６３は、第１導電層２６１と第２導電層２６２との間に配置される。なお、第１導電層２６１と第１基板２１に透光層があってもよい。

容量素子２６は、第１基板２１のＺ１方向を向く面の形状に沿う形状をなす。ここで、容量素子２６は、第１凹部２１１、第２凹部２１２および第３凹部２１３の各内部に配置される部分を有する。したがって、容量素子２６は、第１凹部２１１、第２凹部２１２および第３凹部２１３の各形状に沿う形状の部分を有する。第１導電層２６１、誘電体層２６３および第２導電層２６２の各層の厚みが各凹部の底面と側面とにわたり均一であることにより、安定した特性の容量素子２６が得られる。

このような容量素子２６は、第１素子部２６５と、第２素子部２６６と、第３素子部２６７と、を有する。第１素子部２６５は、第１凹部２１１に配置される容量素子２６の部分である。第２素子部２６６は、第２凹部２１２に配置される容量素子２６の部分である。第３素子部２６７は、第３凹部２１３に配置される容量素子２６の部分である。

第１導電層２６１および第２導電層２６２を構成する材料は、例えば、遮光性が低く、導電性のポリシリコンであることが望ましいが、これに限定されず、チタン等の金属、金属酸化物または金属窒化物がであってもよい。当該ポリシリコンは、例えば、リン（Ｐ）等の不純物を含む。また、誘電体層２６３には、例えば、遮光性が低く、誘電率の高い窒化シリコン膜が望ましいが、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコン等の金属酸化膜、窒化シリコン等の金属窒化膜、あるいはこれらの金属酸化膜および金属窒化膜が積層された多層膜が用いられてもよい。

第１導電層２６１および第２導電層２６２の各厚みは、例えば、０.０３μｍ以上０．２μｍ以下である。誘電体層２６３の厚みは、例えば、０．０１μｍ以上０．０３μｍ以下である。第１導電層２６１、誘電体層２６３および第２導電層２６２からなる積層膜の厚みは、例えば、０.１３μｍ以上０．２６μｍ以下である。第１導電層２６１、誘電体層２６３および第２導電層２６２は、一括して形成可能である。また、第２導電層２６２の厚みは、第１導電層２６１の厚みより大きいことが好ましい。

以上の容量素子２６を覆うように、第１基板２１上には、積層体２２が配置される。積層体２２は、複数の絶縁層２２１、２２２、２２３、２２４、２２５、２２６、２２７を有する。これらの層は、絶縁層２２１、２２２、２２３、２２４、２２５、２２６、２２７の順でＺ１方向に積層される。ここで、絶縁層２２１、２２２、２２３、２２４からなる積層体は、絶縁部材２２ａを構成する。

絶縁層２２１～２２７は、透光性および絶縁性を有する。絶縁層２２１～２２７を構成する材料は、例えば、酸化ケイ素または酸窒化ケイ素等のケイ素を含む無機材料である。絶縁層２２１および絶縁層２２１のそれぞれの厚みは、例えば、０．２μｍ以上０．６μｍ以下である。絶縁層２２１は、第１基板２１の窪みの領域を埋め込み、埋め込んだ領域のＺ２方向の厚さは他の部分に比べて厚くなる。

絶縁層２２１は、容量素子２６を覆うように第１基板２１上に配置される。ここで、絶縁層２２１は、第１凹部２１１、第２凹部２１２および第３凹部２１３により容量素子２６に形成される各凹部を埋めるように配置される。したがって、当該各凹部に対応する領域の絶縁層２２１のＺ方向での厚さは、絶縁層２２１の他の領域よりも厚い。第１凹部２１１等の形状や絶縁層２２１の形成条件により、絶縁層２２１のＺ１方向を向く面は、後述の図７に示すような形状とすることができるが、これに限定されず、ＣＭＰ法等の平坦化処理により平坦化されてもよい。

絶縁層２２１と絶縁層２２２との間には、走査線２４１が配置される。走査線２４１は、遮光性および導電性を有する。絶縁層２２２と絶縁層２２３との間には、トランジスター２３の半導体層２３１が配置される。

半導体層２３１は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有する。具体的には、半導体層２３１は、チャネル領域２３１ａ、ソースドレイン領域２３１ｂ、ソース領域２３１ｃ、低濃度ソースドレイン領域２３１ｄおよび低濃度ソース領域２３１ｅを有する。チャネル領域２３１ａは、ソースドレイン領域２３１ｂとソースドレイン領域２３１ｃとの間に位置する。低濃度ソースドレイン領域２３１ｄは、チャネル領域２３１ａとソースドレイン領域２３１ｂとの間に位置する。低濃度ソースドレイン領域２３１ｅは、チャネル領域２３１ａとソースドレイン領域２３１ｃとの間に位置する。半導体層２３１は、例えば、ポリシリコンで構成される。チャネル領域２３１ａを除く領域には、導電性を高める不純物がドープされる。低濃度ソースドレイン領域２３１ｄ中の不純物濃度は、ソースドレイン領域２３１ｂ中の不純物濃度よりも低い。低濃度ソースドレイン領域２３１ｅ中の不純物濃度は、ソースドレイン領域２３１ｃ中の不純物濃度よりも低い。なお、例えば、低濃度ソースドレイン領域２３１ｅは、省略してもよい。

トランジスター２３は、半導体層２３１のほか、ゲート電極２３２と、ゲート絶縁膜２３３と、を有する。ゲート電極２３２は、絶縁層２２３と絶縁層２２４との間に配置される。ゲート絶縁膜２３３は、ゲート電極２３２と半導体層２３１のチャネル領域２３１ａとの間に介在する。ここで、絶縁層２２３のゲート電極２３２に対応する領域がゲート絶縁膜２３３として機能する。

ゲート絶縁膜２３３は、例えば、熱酸化またはＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等で成膜される酸化ケイ素膜で構成される。ゲート電極２３２は、例えば、ポリシリコンに導電性を高める不純物がドープされることにより形成される。なお、ゲート電極２３２は、金属、金属酸化物および金属化合物の導電性を有する材料を用いて形成されてもよい。

ゲート電極２３２は、絶縁層２２２、２２３を貫通するコンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２のそれぞれに配置される部分を有し、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２を介して走査線２４１に接続される。

絶縁層２２３上には、ゲート電極２３２のほか、図５に示すように中継電極２７２の一部が配置されるとともに、図６に示すように中継電極２７１の一部が配置される。

中継電極２７２は、絶縁層２２１～２２３を貫通するコンタクトホールＣＨ３に配置される部分を有し、コンタクトホールＣＨ３を介して容量素子２６の第２導電層２６２に接続される。中継電極２７１は、絶縁層２２３を貫通するコンタクトホールＣＨ６に配置される部分を有し、コンタクトホールＣＨ６を介して半導体層２３１のソースドレイン領域２３１ｂに接続される。

絶縁層２２４上には、図５に示すように中継電極２７５の一部が配置されるとともに、図６に示すように中継電極２７３の一部と中継電極２７４の一部とが配置される。

中継電極２７５は、絶縁層２２４を貫通するコンタクトホールＣＨ５に配置される部分を有し、コンタクトホールＣＨ５を介して中継電極２７２に接続される。中継電極２７３は、絶縁層２２１～２２４からなる絶縁部材２２ａを貫通するコンタクトホールＣＨ４に配置される部分を有し、コンタクトホールＣＨ４を介して容量素子２６の第１導電層２６１および中継電極２７１のそれぞれに接続される。ここで、中継電極２７３は、中継電極２７１のＹ２方向での端部に接続される。当該端部は、中継電極２７１のＹ２方向での端（端面）とＺ１方向を向く面の一部とを含む。中継電極２７４は、絶縁層２２３、２２４を貫通するコンタクトホールＣＨ７に配置される部分を有し、コンタクトホールＣＨ７を介して半導体層２３１のソースドレイン領域２３１ｃに接続される。

絶縁層２２５は、中継電極２７３、２７４、２７５を覆って設けられる。絶縁層２２５上には、図５および図６に示すように、中継電極２７６の一部と中継電極２７７の一部とデータ線２４２とが配置される。

中継電極２７６は、絶縁層２２５を貫通するコンタクトホールＣＨ８に配置される部分を有し、コンタクトホールＣＨ８を介して中継電極２７５に接続される。中継電極２７７は、絶縁層２２５を貫通するコンタクトホールＣＨ９に配置される部分を有し、コンタクトホールＣＨ９を介して中継電極２７３に接続される。

データ線２４２は、図６に示すように、絶縁層２２５を貫通するコンタクトホールＣＨ１０に配置される部分を有し、コンタクトホールＣＨ１０を介して中継電極２７４に接続される。これにより、データ線２４２は、中継電極２７４を介して半導体層２３１のソースドレイン領域２３１ｃに電気的に接続される。

絶縁層２２６は、データ線２４２および中継電極２７６、２７７を覆って設けられる。絶縁層２２６上には、図５に示すように定電位線２４３の一部と中継電極２７９の一部とが配置されるとともに、図６に示すように定電位線２４３が配置される。

定電位線２４３は、絶縁層２２６を貫通するコンタクトホールＣＨ１１に配置される部分を有し、コンタクトホールＣＨ１１を介して中継電極２７６に接続される。中継電極２７９は、絶縁層２２６を貫通するコンタクトホールＣＨ１２に配置される部分を有し、コンタクトホールＣＨ１２を介して中継電極２７７に接続される。定電位線２４３は、中継電極２７６、２７５および中継電極２７２を介して、容量素子２６の第２導電層２６２に電気的に接続される。

絶縁層２２７は、定電位線２４３、および中継電極２７９を覆って設けられる。絶縁層２２７上には、画素電極２５が配置される。

画素電極２５は、図５に示すように、絶縁層２２７を貫通するコンタクトホールＣＨ１３に配置される部分を有し、コンタクトホールＣＨ１３を介して中継電極２７９に接続される。これにより、画素電極２５は、中継電極２７９、２７７および中継電極２７３を介して、半導体層２３１のソースドレイン領域２３１ｂに電気的に接続されるととともに、中継電極２７９、２７７、２７３および中継電極２７１を介して、容量素子２６の第１導電層２６１に電気的に接続される。また、容量素子２６の第１導電層２６１は、中継電極２７３、２７１を介して、半導体層２３１のソースドレイン領域２３１ｂに電気的に接続される。

走査線２４１、データ線２４２および定電位線２４３を構成する材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）およびアルミニウム（Ａｌ）等の金属、チタンナイトライド等の金属窒化物ならびにタングステンシリサイド等の金属酸化物等の金属材料が挙げられる。また、走査線２４１、データ線２４２および定電位線２４３のそれぞれは、金属材料の単層または積層で構成される。走査線２４１の厚みは、例えば、０．１以上０．４μｍ以下である。また、データ線２４２および定電位線２４３のそれぞれの厚みは、例えば、０．３以上０．６μｍ以下である。

中継電極２７１、２７２、中継電極２７３、２７４、２７５、２７６、２７７および中継電極２７９のそれぞれは、ゲート電極２３２、データ線２４２および定電位線２４３と同じ材料で構成される。

以上、図５および図６に基づいて素子基板２の積層構造を説明したが、素子基板２の各種配線等の構成は一例であり、図５および図６に示す構成に限定されない。例えば、走査線２４１は、トランジスター２３よりも上層に設けられてもよい。この場合、容量素子２６とトランジスター２３との間には、走査線２４１以外の遮光性を有する遮光膜が配置される。当該遮光膜は、遮光性を有すればよく、配線でもよいし、配線とは絶縁された導電膜でもよい。

以下、第１凹部２１１の断面構造および素子基板２の平面視構造について詳述する。

図７は、図５に示す第１凹部２１１の拡大断面図である。第１凹部２１１は、底面２１１１と側面２１１３とを備える。第１凹部２１１の深さＤ１は、第１凹部２１１の底面２１１１の幅Ｗ１よりも大きい。また、深さＤ１は、第１凹部２１１の開口２１１２の幅Ｗ２よりも大きい。なお、深さＤ１は、開口２１１２から底面２１１１までのＺ方向での長さである。幅Ｗ１は、底面２１１１のＸ方向での長さである。また、幅Ｗ２は、開口２１１２のＸ方向での長さである。

第１凹部２１１の深さＤ１と幅Ｗ１との比（Ｄ１／Ｗ１）は、例えば、１．５以上であることが好ましい。さらに、深さＤ１と幅Ｗ２との比（Ｄ１／Ｗ２）は、例えば、１．４以上であることが好ましい。具体的な深さＤ１は、容量素子２６の特性等に応じて決められ、特に限定されないが、例えば０．５μｍ以上２．０μｍ以下である。具体的な幅Ｗ１は、例えば、０．２μｍ以上１．０μｍ以下である。具体的な幅Ｗ２は、例えば、０．３μｍ以上１．５μｍ以下である。

図７に示すように、容量素子２６の第１素子部２６５は、第１凹部２１１の形状に沿う形状をなしており、第１素子部２６５には、第１凹部２１１に起因する凹部が設けられる。この凹部の開口２６０の幅Ｗ３は、第１凹部２１１の深さＤ１よりも小さい。図７に示す例では、幅Ｗ３は、第１凹部２１１の幅Ｗ１よりも小さい。ただし、第１凹部２１１の側面２１１３の底面２１１１に対する傾斜角度等によって、幅Ｗ３は、幅Ｗ１以上でもよい。なお、幅Ｗ３は、開口２６０のＸ方向での長さである。また、前述の幅Ｗ１、Ｗ２およびＷ３のそれぞれは、深さＤ１以上でもよい。

図７に示すように、走査線２４１は、容量素子２６の第１素子部２６５に向かって凹む部分２４１０を有する。部分２４１０は、走査線２４１の一部が第１凹部２１１上に設けられることに起因して設けられる。なお、絶縁層２２１のＺ１方向を向く面も、第１素子部２６５に向かって凹む部分を有する。

図７に示すように、絶縁層２２２のＺ１方向を向く面は、平坦な面である。絶縁層２２２が積層されることで、第１凹部２１１の影響が緩和された結果、絶縁層２２２のＺ１方向の面は、平坦な面になる。

図８は、複数の容量素子２６の平面図である。図８では、第１基板２１上の構成をＺ２方向にみた図が示されており、第１基板２１上の構成が実線で示されるとともに、第１凹部２１１、第２凹部２１２および第３凹部２１３が破線で示される。

前述のように、第１基板２１のＺ１方向を向く面には、第１導電層２６１、誘電体層２６３および第２導電層２６２を含む積層膜、および絶縁層２２１が設けられる。図８に示すように、第１凹部２１１は、平面視で、Ｙ方向での方向に延びる長尺状をなす。第２凹部２１２および第３凹部２１３のそれぞれは、Ｘ方向での方向に延びる。ここで、第１凹部２１１は、平面視で、第２凹部２１２と第３凹部２１３との間に、第２凹部２１２および第３凹部２１３のそれぞれに対して間隔を隔てて位置する。

容量素子２６は、Ｙ方向に延在する部分と、Ｘ方向に延在する部分と、これらの部分が交差する交差部と、を有する。また、容量素子２６は、平面視で、第１凹部２１１、第２凹部２１２および第３凹部２１３と重なる。具体的には、容量素子２６は、平面視で第１凹部２１１、第２凹部２１２および第３凹部２１３を包含する領域にわたり設けられる。容量素子２６のＹ２方向の一端には、第１導電層２６１と画素電極２５等とを電気的に接続するため、誘電体層２６３および第２導電層２６２を切り欠いた切り欠き部２７１０が設けられる。切り欠き部２７１０および第１凹部２１１は、平面視で互いに重ならない。また、容量素子２６の第２導電層２６２のＸ１方向での端部は、中継電極２７２等を介して定電位線２４３に電気的に接続される部分であり、平面視で第２凹部２１２および第３凹部２１３のいずれにも重ならない。

図９は、複数のトランジスター２３の平面図である。図９では、絶縁層２２３上の構成をＺ２方向にみた図が示されており、絶縁層２２３上の構成が実線で示されるとともに、絶縁層２２１と絶縁層２２３との間の構成が破線で示される。

前述のように、絶縁層２２１上には、走査線２４１、絶縁層２２２、半導体層２３１、絶縁層２２３、ゲート電極２３２、中継電極２７１、２７２および絶縁層２２４が設けられる。

図９に示すように、半導体層２３１は、平面視で、Ｙ１方向に沿って、ソースドレイン領域２３１ｂ、低濃度ソースドレイン領域２３１ｄ、チャネル領域２３１ａ、低濃度ソースドレイン領域２３１ｅおよびソースドレイン領域２３１ｃがこの順で配置される。半導体層２３１のＸ方向での幅は、例えば、０．３μｍ程度である。半導体層２３１は、平面視で、Ｙ方向に直線状に延びる長尺状の形状をなす。なお、ソースドレイン領域２３１ｂのドレイン電極形成領域およびソースドレイン領域２３１ｃのソース電極形成領域は、他の領域に比べて幅広であってもよい。

ゲート電極２３２は、平面視で、半導体層２３１のチャネル領域２３１ａに重なる。ここで、前述のように、ゲート電極２３２の一部がコンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２に配置されており、平面視で、コンタクトホールＣＨ１とコンタクトホールＣＨ２との間には、低濃度ソースドレイン領域２３１ｄが位置する。これにより、Ｘ１方向およびＸ２方向で低濃度ソースドレイン領域２３１ｄに向かう光がゲート電極２３２により遮光される。また、低濃度ソースドレイン領域２３１ｄは、平面視で走査線２４１と重なる。これにより、Ｚ２方向で低濃度ソースドレイン領域２３１ｄに向かう光が走査線２４１により遮光される。

走査線２４１は、平面視で、Ｘ方向に延びており、その幅は、例えば、幅０．５μｍ以上１μｍ以下である。また、走査線２４１は、平面視で、半導体層２３１と重なる幅広部と、当該幅広部からＹ1方向およびＹ２方向に延びる突出部と、を備える。当該幅広部および当該突出部は、平面視で半導体層２３１を包含する領域にわたり設けられる。また、走査線２４１は、当該幅広部で、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２を介して、ゲート電極２３２に電気的に接続される。

中継電極２７２は、平面視で、ゲート電極２３２に対してＸ１方向の位置に間隔を隔てて配置される。中継電極２７２の一部は、平面視で、走査線２４１に重なる。中継電極２７１は、平面視で、ゲート電極２３２に対してＹ２方向の位置で間隔を隔てて配置される。

中継電極２７１は、Ｙ方向に延在しており、中継電極２７３に接続される。ここで、前述のように、中継電極２７３の一部は、コンタクトホールＣＨ４に配置されており、コンタクトホールＣＨ４は、半導体層２３１の低濃度ソースドレイン領域２３１ｄおよびソースドレイン領域２３１ｂに対して、Ｙ２方向に位置する。これにより、Ｙ１方向およびそれよりもやや傾斜した方向で低濃度ソースドレイン領域２３１ｄおよびソースドレイン領域２３１ｂに向かう光が中継電極２７３により遮光される。

図１０は、容量素子２６およびトランジスター２３の平面視での位置関係を説明するための図である。図１０では、第１凹部２１１、第１素子部２６５、走査線２４１、半導体層２３１およびゲート電極２３２をＺ２方向にみた図が示される。

第１凹部２１１は、平面視で、半導体層２３１の長手方向に沿って配置されており、半導体層２３１に重なる。したがって、容量素子２６の第１素子部２６５は、平面視で、半導体層２３１に沿って配置されており、半導体層２３１に重なる。また、走査線２４１の部分２４１０は、平面視で、第１凹部２１１、第１素子部２６５、および低濃度ソースドレイン領域２３１ｄに重なる。

図１０に示す例では、第１凹部２１１の底面２１１１の幅Ｗ１は、半導体層２３１のソースドレイン領域２３１ｃの幅Ｗ０以下である。幅Ｗ０は、ソースドレイン領域２３１ｃのＸ方向での長さである。また、ソースドレイン領域２３１ｃの幅Ｗ０とソースドレイン領域２３１ｂの幅とは、互いに等しい。また、ソースドレイン領域２３１ｃの幅Ｗ０は、前述の図７に示す第１素子部２６５の開口２６０の幅Ｗ３よりも大きい。なお、幅Ｗ１は幅Ｗ０を超えてもよい。また、図１０に示す例では、第１凹部２１１の底面２１１１の幅Ｗ１は、チャネル領域２３１ａの幅よりも小さいが、これに限定されず、チャネル領域２３１ａの幅以上でもよい。また、幅Ｗ０は、幅Ｗ３以下であってもよい。

図１１は、中継電極２７３、２７４、２７５の平面図である。図１１では、絶縁層２２４上の構成をＺ２方向にみた図が示されており、絶縁層２２４上の構成が実線で示されるとともに、半導体層２３１が破線で示される。

前述のように、絶縁層２２４上には、中継電極２７３、２７４、２７５が設けられる。中継電極２７３は、平面視で半導体層２３１の一部に重なる。また、中継電極２７４は、平面視で半導体層２３１の一部に重なり、かつ、中継電極２７３に対してＹ１方向の位置で間隔を隔てて配置される。また、中継電極２７５は、平面視で中継電極２７３に対してＸ１方向の位置で間隔を隔てて配置される。

ここで、図１１に示すように、中継電極２７３は、平面視で、Ｙ方向に延びる幅広部２４６を有する。幅広部２４６は、平面視で、半導体層２３１のソースドレイン領域２３１ｂおよび低濃度ソースドレイン領域２３１ｄと重なる。これにより、Ｚ２方向でソースドレイン領域２３１ｂおよび低濃度ソースドレイン領域２３１ｄに向かう光が幅広部２４６により遮光される。また、前述のように、中継電極２７１の一部は、コンタクトホールＣＨ６に配置されており、コンタクトホールＣＨ６は、低濃度ソースドレイン領域２３１ｄおよびソースドレイン領域２３１ｂに対して、Ｙ２方向に位置する。これにより、Ｙ１方向でソースドレイン領域２３１ｂおよび低濃度ソースドレイン領域２３１ｄに向かう光が中継電極２７１により遮光される。

図１２は、データ線２４２および中継電極２７６、２７７の平面図である。図１２では、絶縁層２２５上の構成をＺ２方向にみた図が示される。

前述のように、絶縁層２２５上には、データ線２４２および中継電極２７６、２７７が設けられる。図１２に示すように、中継電極２７６は、平面視で、対応するデータ線２４２に対してＸ１方向の位置で間隔を隔てて配置される。中継電極２７７は、平面視で、対応するデータ線２４２に対してＸ２方向の位置で間隔を隔てて配置される。データ線２４２は、Ｙ方向に延在しており、平面視で、半導体層２３１に重なる。データ線２４２の幅は、例えば、０．５μｍ以上１μｍ以下である。

図１３は、定電位線２４３および中継電極２７９の平面図である。図１３では、絶縁層２２６上の構成をＺ２方向にみた図が示される。

前述のように、絶縁層２２６上には、定電位線２４３および中継電極２７９が配置される。図１３に示すように、定電位線２４３の一部は、平面視で、対応する定電位線２４３からＸ１方向に突出する。中継電極２７９は、平面視で、対応する定電位線２４３に対してＸ２方向の位置に配置される。定電位線２４３は、Ｙ方向に延在しており、平面視で、データ線２４２および半導体層２３１のそれぞれに重なる。定電位線２４３の幅は、例えば、０．５μｍ以上１μｍ以下である。

以上のように、電気光学装置１００は、「基板」の一例である第１基板２１と、トランジスター２３と、容量素子２６と、「ソースドレイン電極」の一例である中継電極２７１と、画素電極２５と、「導電部材」の一例である中継電極２７３と、絶縁部材２２ａと、を備える。容量素子２６は、第１基板２１とトランジスター２３との間に設けられる。中継電極２７１は、トランジスター２３に電気的に接続される。画素電極２５は、トランジスター２３に対応して設けられる。中継電極２７３は、中継電極２７１と画素電極２５とを電気的に接続する。絶縁部材２２ａは、容量素子２６と中継電極２７３との間に設けられ、「第１コンタクトホール」の一例であるコンタクトホールＣＨ４を有する。そして、中継電極２７３は、コンタクトホールＣＨ４を介して、中継電極２７１の端部に電気的に接続されるとともに、容量素子２６に電気的に接続される。

以上の電気光学装置１００では、中継電極２７３がコンタクトホールＣＨ４を介して中継電極２７１の端面に接続されるとともに容量素子２６に接続されるので、中継電極２７３と中継電極２７１とを接続するためのコンタクトホールを、中継電極２７３と容量素子２６とを接続するためのコンタクトホールと別途設ける必要がない。このため、開口率を向上させることができる。

また、前述のように、コンタクトホールＣＨ４は、平面視で、トランジスター２３と重ならない。このため、中継電極２７３を設ける層と容量素子を設ける層との間にトランジスター２３が設けられていても、コンタクトホールＣＨ４を介して中継電極２７３と容量素子２６とを接続することができる。また、コンタクトホールＣＨ４をトランジスター２３の側方に配置することができる。この結果、コンタクトホールＣＨ４内の中継電極２７３の一部をトランジスター２３に対する遮光体として用いることができる。

さらに、前述のように、トランジスター２３は、ゲート電極２３２を含んでおり、中継電極２７１は、ゲート電極２３２と同一層に設けられる。このため、中継電極２７１およびゲート電極２３２を同一の成膜工程で一括して形成することができる。

また、前述のように、電気光学装置１００は、データ線２４２をさらに備える。データ線２４２は、トランジスター２３に電気的に接続され、「第１方向」の一例であるＸ方向に沿って延びる。また、絶縁部材２２ａは、「第２コンタクトホール」の一例であるコンタクトホールＣＨ６を有する。コンタクトホールＣＨ６は、トランジスター２３と中継電極２７１とを電気的に接続するためのコンタクトホールである。そして、コンタクトホールＣＨ４およびコンタクトホールＣＨ６は、平面視でデータ線２４２に重なる位置で、Ｘ方向に沿って並ぶ。このため、平面視でＸ方向に交差する方向にコンタクトホールＣＨ４とコンタクトホールＣＨ６とを並べる構成に比べて、開口率を高めることができる。

さらに、前述のように、トランジスター２３は、半導体層２３１を含んでおり、半導体層２３１は、Ｘ方向に沿って延びるとともに平面視でデータ線２４２に重なる。このため、データ線２４２を半導体層２３１に対する遮光体として用いることができる。

また、前述のように、第１基板２１は、「凹部」の一例である第１凹部２１１を有する。第１凹部２１１は、Ｘ方向に沿って延びるとともに平面視でデータ線２４２に重なる。そして、容量素子２６は、第１凹部２１１に沿って設けられる。このため、容量素子２６に必要な容量を確保しつつ、容量素子２６の平面視での小型化を図ることができる。この結果、開口率を高めることができる。

さらに、前述のように、電気光学装置１００は、「遮光部材」の一例である走査線２４１をさらに備える。走査線２４１は、トランジスター２３と容量素子２６との間に設けられる。そして、コンタクトホールＣＨ６は、平面視で走査線２４１に重ならない。このため、コンタクトホールＣＨ６が平面視で走査線２４１に重なる構成に比べて、開口率を高めることができる。

１－２．第２実施形態
以下、本発明の第２実施形態について説明する。以下に例示する形態において作用および機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図１４は、第２実施形態における素子基板２Ａの一部を示す断面図である。素子基板２Ａは、中継電極２７１が省略されるとともに、トランジスター２３に代えてトランジスター２３Ａを備えること以外は、前述の第１実施形態と同様に構成される。

トランジスター２３Ａは、半導体層２３１に代えて半導体層２３１Ａを有すること以外は、第１実施形態のトランジスター２３と同様に構成される。半導体層２３１Ａは、ドレイン領域２３ｂをコンタクトホールＣＨ４まで延長した延長部２３１ｆを追加したこと以外は、第１実施形態の半導体層２３１と同様に構成される。延長部２３１ｆは、「ソースドレイン電極」の一例である。

本実施形態では、コンタクトホールＣＨ４が延長部２３１ｆを貫通する。中継電極２７３は、コンタクトホールＣＨ４を介して延長部２３１ｆの側面に接続される。

以上の第２実施形態によっても、開口率を高めることができる。本実施形態では、前述のように、中継電極２７３がソースドレイン電極を構成する。このため、ソースドレイン電極を別途設ける構成に比べて、成膜工程数を少なくすることができる。

２．変形例
以上に例示した実施形態は多様に変形され得る。前述の実施形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。

前述の各実施形態では、アクティブマトリクス方式の電気光学装置１００が例示されるが、これに限定されず、電気光学装置１００の駆動方式は、例えば、パッシブマトリクス方式等でもよい。

「電気光学装置」の駆動方式は、縦電界方式に限定されず、横電界方式でもよい。なお、横電界方式としては、例えばＩＰＳ（In Plane Switching）モードが挙げられる。また、縦電界方式としては、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertical Alignment）、ＰＶＡモードおよびＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モードが挙げられる。

３．電子機器
電気光学装置１００は、各種電子機器に用いることができる。

図１７は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター２０００を示す斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設置される本体部２０１０と、制御部２００３と、を有する。制御部２００３は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

図１８は、電子機器の一例であるスマートフォン３０００を示す平面図である。スマートフォン３０００は、操作ボタン３００１と、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、制御部３００２と、を有する。操作ボタン３００１の操作に応じて電気光学装置１００に表示される画面内容が変更される。制御部３００２は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

図１９は、電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。投射型表示装置４０００は、例えば、３板式のプロジェクターである。電気光学装置１ｒは、赤色の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｇは、緑の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｂは、青色の表示色に対応する電気光学装置１００である。すなわち、投射型表示装置４０００は、赤、緑および青の表示色に各々対応する３個の電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂを有する。制御部４００５は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

照明光学系４００１は、光源である照明装置４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを電気光学装置１ｒに供給し、緑色成分ｇを電気光学装置１ｇに供給し、青色成分ｂを電気光学装置１ｂに供給する。各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂは、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。投射光学系４００３は、各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂからの出射光を合成して投射面４００４に投射する。

以上の電子機器は、前述の電気光学装置１００と、制御部２００３、３００２または４００５と、を備える。前述の電気光学装置１００を備えることで、パーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００または投射型表示装置４０００の表示品位を高めることができる。

なお、本開示の電気光学装置が適用される電子機器としては、例示した機器に限定されず、例えば、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）端末等が挙げられる。さらに、本開示が適用される電子機器としては、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

以上、好適な実施形態に基づいて本開示を説明したが、本開示は前述の実施形態に限定されない。また、本開示の各部の構成は、前述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。

また、前述した説明では、本開示の電気光学装置の一例として液晶表示装置について説明したが、本開示の電気光学装置はこれに限定されない。例えば、本開示の電気光学装置は、イメージセンサー等にも適用することができる。

１ｂ…電気光学装置、１ｇ…電気光学装置、１ｒ…電気光学装置、２…素子基板、２Ａ…素子基板、３…対向基板、４…シール部材、５…液晶層、１１…走査線駆動回路、１２…データ線駆動回路、１３…外部端子、２１…第１基板（基板）、２２…積層体、２２ａ…絶縁部材、２３…トランジスター、２３Ａ…トランジスター、２３ｂ…ドレイン領域、２５…画素電極、２６…容量素子、２９…第１配向膜、３１…第２基板、３２…無機絶縁層、３３…共通電極、３４…第２配向膜、１００…電気光学装置、２１１…第１凹部（凹部）、２１２…第２凹部、２１３…第３凹部、２２１…絶縁層、２２２…絶縁層、２２３…絶縁層、２２４…絶縁層、２２５…絶縁層、２２６…絶縁層、２２７…絶縁層、２３１…半導体層、２３１Ａ…半導体層、２３１ａ…チャネル領域、２３１ｂ…ドレイン領域、２３１ｃ…ソース領域、２３１ｄ…低濃度ドレイン領域、２３１ｅ…低濃度ソース領域、２３１ｆ…延長部、２３２…ゲート電極、２３３…ゲート絶縁膜、２４１…走査線（遮光部材）、２４２…データ線、２４３…定電位線、２４６…幅広部、２６０…開口、２６１…第１導電層、２６２…第２導電層、２６３…誘電体層、２６５…第１素子部、２６６…第２素子部、２６７…第３素子部、２７１…中継電極（ソースドレイン電極）、２７２…中継電極、２７３…中継電極（導電部材）、２７４…中継電極、２７５…中継電極、２７６…中継電極、２７７…中継電極、２７９…中継電極、２０００…パーソナルコンピューター、２００１…電源スイッチ、２００２…キーボード、２００３…制御部、２０１０…本体部、２１１１…底面、２１１２…開口、２１１３…側面、２４１０…部分、２７１０…切り欠き部、３０００…スマートフォン、３００１…操作ボタン、３００２…制御部、４０００…投射型表示装置、４００１…照明光学系、４００２…照明装置、４００３…投射光学系、４００４…投射面、４００５…制御部、Ａ１０…表示領域、Ａ１１…開口部、Ａ１２…遮光領域、Ａ２０…周辺領域、Ｂ…領域、Ｃ…領域、ＣＨ１…コンタクトホール、ＣＨ２…コンタクトホール、ＣＨ３…コンタクトホール、ＣＨ４…コンタクトホール（第１コンタクトホール）、ＣＨ５…コンタクトホール、ＣＨ６…コンタクトホール（第２コンタクトホール）、ＣＨ７…コンタクトホール、ＣＨ８…コンタクトホール、ＣＨ９…コンタクトホール、ＣＨ１０…コンタクトホール、ＣＨ１１…コンタクトホール、ＣＨ１２…コンタクトホール、ＣＨ１３…コンタクトホール、Ｄ１…深さ、Ｇ１…走査信号、Ｇ２…走査信号、ＬＬ…光、Ｐ…画素、Ｓ１…画像信号、Ｓ２…画像信号、Ｗ０…幅、Ｗ１…幅、Ｗ２…幅、Ｗ３…幅、ｂ…青色成分、ｇ…緑色成分、ｒ…赤色成分。

Claims (8)

1. 基板と、
   トランジスターと、
   前記基板と前記トランジスターとの間に設けられた容量素子と、
   前記トランジスターに電気的に接続されたソースドレイン電極と、
   前記トランジスターに対応して設けられた画素電極と、
   前記ソースドレイン電極と前記画素電極とを電気的に接続する導電部材と、
   前記容量素子と前記導電部材との間に設けられ、第１コンタクトホールを有する絶縁部材と、を備え、
   前記導電部材は、前記第１コンタクトホールを介して、前記ソースドレイン電極の端部と電気的に接続されるとともに、前記容量素子に電気的に接続される、
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記第１コンタクトホールは、平面視で、前記トランジスターと重ならない、
   請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記ソースドレイン電極は、前記トランジスターのゲート電極と同一層に設けられる、
   請求項１または２に記載の電気光学装置。
4. 前記トランジスターに電気的に接続され、第１方向に沿って延びるデータ線を備え、
   前記絶縁部材は、前記トランジスターと前記ソースドレイン電極とを電気的に接続するための第２コンタクトホールを有し、
   前記第１コンタクトホールおよび前記第２コンタクトホールは、平面視で前記データ線に重なる位置で、前記第１方向に沿って並ぶ、
   請求項１から３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
5. 前記トランジスターの半導体層は、前記第１方向に沿って延びるとともに平面視で前記データ線に重なる、
   請求項４に記載の電気光学装置。
6. 前記基板は、前記第１方向に沿って延びるとともに平面視で前記データ線に重なる凹部を有し、
   前記容量素子は、前記凹部に沿って設けられる、
   請求項４または５に記載の電気光学装置。
7. 前記トランジスターと前記容量素子との間に設けられる遮光部材を備え、
   前記第２コンタクトホールは、平面視で前記遮光部材に重ならない、
   請求項４から６のいずれか１項に記載の電気光学装置。
8. 請求項１から７のいずれか１項に記載の電気光学装置と、
   前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。

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