JP2022137027A

JP2022137027A - 表示装置

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Publication number: JP2022137027A
Application number: JP2022093218A
Authority: JP
Inventors: 昌一太; Changil Tae; 南錫盧; Nanshaku Ro; 周洛孫; Joo Lark Son; 榮九宋; Eikyu So; 昇 ▲俊▼ 劉; Seung Jun Yu
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2016-10-14
Filing date: 2022-06-08
Publication date: 2022-09-21
Anticipated expiration: 2037-10-12
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Abstract

【課題】ラウンド型周縁でカラーシフトが発生することを防止し、ラウンド型周縁が階段状に視認されることを防止すること。【解決手段】本開示は表示装置に関し、一実施例による表示装置は、ラウンド型周縁を含む基板と、表示領域の外郭に位置し、コーナー部がラウンド状である遮光部材と、基板上に位置する複数の画素と、複数の画素それぞれに位置し、横幹部、縦幹部、および複数の微細枝部を含む画素電極とを含み、複数の画素は、遮光部材と重複する第１画素、および第１画素と隣接した第２画素とを含み、第１画素に位置する微細枝部の形状は、第２画素に位置する微細枝部の形状と相違する。【選択図】図１

Description

本開示は、表示装置に関し、より具体的にはラウンド型周縁を含む表示装置に関する。

表示装置は画面を表示する装置であって、液晶表示装置、有機発光表示装置などがある。表示装置は略四角形からなる場合が一般的であった。最近、表示装置が多様な用途に用いられることにつれ、ラウンド型周縁を含む表示装置が開発されている。

表示装置は複数の画素を含み、複数の画素はマトリックス状に配置されている。表示装置の周縁には外郭遮光部材が位置し、ラウンド型周縁に位置する画素の一部は外郭遮光部材と重複し得る。この時、外郭遮光部材と重複する画素をオフにすると、画面の周縁が階段状に現れる問題点がある。また、外郭遮光部材と重複する画素をオンにすると、一つの画素に含まれている複数の副画素のうち一部の副画素が外郭遮光部材によって覆われて一部の色の輝度が低くなり、カラーシフトが発生するという問題点がある。例えば、赤色副画素のみが外郭遮光部材によって覆われると、緑色や青色の帯状に視認され得る。

そこで、本発明の目的の一つは、ラウンド型周縁でカラーシフトが発生することを防止し、ラウンド型周縁が階段状に視認されることを防止することにある。

一実施例による表示装置は、ラウンド型周縁を含む基板と、表示領域の外郭に位置し、コーナー部がラウンド状である遮光部材と、前記基板上に位置する複数の画素と、前記複数の画素それぞれに位置し、横幹部、縦幹部、および複数の微細枝部を含む画素電極とを含み、前記複数の画素は、前記遮光部材と重複する第１画素と、前記第１画素と隣接した第２画素とを含み、前記第１画素に位置する微細枝部の形状は、前記第２画素に位置する微細枝部の形状と相違する。

前記第１画素に位置する微細枝部の幅は、前記第２画素に位置する微細枝部の幅と相違してもよい。

前記複数の画素それぞれは、第１色を表示する第１副画素と、第２色を表示する第２副画素と、第３色を表示する第３副画素とを含み、前記第１副画素、前記第２副画素、および前記第３副画素は、第１方向に沿って配列されており、前記第２画素は、前記第１画素と前記第１方向に隣接して前記基板の周縁から前記第１画素よりさらに遠く位置し、前記第１副画素、前記第２副画素、および前記第３副画素それぞれに前記画素電極が位置してもよい。

前記第１画素の第１副画素が前記遮光部材と重畳し、前記第１画素の第２副画素および第３副画素に位置する微細枝部の幅は、前記第２画素に位置する微細枝部の幅より狭くてもよい。

前記第１画素の第２副画素に位置する微細枝部の間の間隔および第３副画素に位置する微細枝部の間の間隔は、前記第２画素に位置する微細枝部の間の間隔より広くてもよい。

前記第１画素の第２副画素および第３副画素に位置する微細枝部の幅は、前記第１画素の第１副画素に位置する微細枝部の幅より狭くてもよい。

前記第１画素の第２副画素に位置する微細枝部の間の間隔および第３副画素に位置する微細枝部の間の間隔は、前記第１画素の第１副画素に位置する微細枝部の間の間隔より広くてもよい。

前記第１画素の第１副画素に位置する微細枝部の幅は、前記第２画素に位置する微細枝部の幅と同じであってもよい。

前記第１画素の第１副画素が前記遮光部材と重畳し、前記第１画素の第２副画素および第３副画素に位置する微細枝部の幅は、前記第１画素の第１副画素に位置する微細枝部の幅より狭くてもよい。

前記第１画素の第２副画素および第３副画素に位置する微細枝部の間の間隔は、前記第１画素の第１副画素に位置する微細枝部の間の間隔より広くてもよい。

前記第１画素の第１副画素が前記遮光部材と重畳し、前記第１画素の第１副画素に位置する微細枝部の幅は、前記第２画素に位置する微細枝部の幅より広くてもよい。

前記第１画素の第１副画素に位置する微細枝部の間の間隔は、前記第２画素に位置する微細枝部の間の間隔より狭くてもよい。

前記第１画素の第１副画素に位置する微細枝部の幅は、前記第１画素の第２副画素および第３副画素に位置する微細枝部の幅より広くてもよい。

前記第１画素の第１副画素に位置する微細枝部の間の間隔は、前記第１画素の第２副画素および第３副画素に位置する微細枝部の間の間隔より狭くてもよい。

前記第１画素の第２副画素および第３副画素に位置する微細枝部の幅は、前記第２画素に位置する微細枝部の幅と同じであってもよい。

前記第１画素に位置する横幹部と微細枝部との間の角は、前記第２画素に位置する横幹部と微細枝部との間の角と相違してもよい。

前記第１画素の第１副画素が前記遮光部材と重畳し、前記第１画素の第２副画素および第３副画素に位置する横幹部と微細枝部との間の角は、前記第２画素に位置する横幹部と微細枝部との間の角より小さくてもよい。

前記第１画素の第２副画素および第３副画素に位置する横幹部と微細枝部との間の角は、前記第１画素の第１副画素に位置する横幹部と微細枝部との間の角より小さくてもよい。

前記第１画素の第１副画素に位置する横幹部と微細枝部との間の角は、前記第２画素に位置する横幹部と微細枝部との間の角と同じであってもよい。

前記第１画素の第１副画素が前記遮光部材と重畳し、前記第１画素の第２副画素および第３副画素に位置する横幹部と微細枝部との間の角は、前記第１画素の第１副画素に位置する横幹部と微細枝部との間の角より小さくてもよい。

前記第１画素の第１副画素が前記遮光部材と重畳し、前記第１画素の第１副画素に位置する横幹部と微細枝部との間の角は、前記第２画素に位置する横幹部と微細枝部との間の角より大きくてもよい。

前記第１画素の第１副画素に位置する横幹部と微細枝部との間の角は、前記第１画素の第２副画素および第３副画素に位置する横幹部と微細枝部との間の角より大きくてもよい。

前記第１画素の第２副画素および第３副画素に位置する横幹部と微細枝部との間の角は、前記第２画素に位置する横幹部と微細枝部との間の角と同じであってもよい。

一実施例による表示装置は、ラウンド型周縁を含む基板と、表示領域の外郭に位置し、コーナー部がラウンド状である遮光部材と、前記基板上に位置する複数の画素と、前記複数の画素それぞれに位置し、横幹部、縦幹部、および複数の微細枝部を含む画素電極とを含み、前記複数の画素は、前記遮光部材と隣接した第１画素と、前記第１画素と隣接した第２画素とを含み、前記第１画素の大きさは、前記第２画素の大きさより小さい。

前記第１画素に位置する微細枝部の形状は、前記第２画素に位置する微細枝部の形状と相違してもよい。

前記第２画素は、前記基板の周縁から前記第１画素よりさらに遠く位置してもよい。

前記第１画素に位置する微細枝部の幅は、前記第２画素に位置する微細枝部の幅より広くてもよい。

前記第１画素に位置する微細枝部の間の間隔は、前記第２画素に位置する微細枝部の間の間隔より狭くてもよい。

前記第１画素に位置する横幹部と微細枝部との間の角は、前記第２画素に位置する横幹部と微細枝部との間の角より大きくてもよい。

前記複数の画素それぞれは、第１色を表示する第１副画素と、第２色を表示する第２副画素と、第３色を表示する第３副画素とを含み、前記第１画素の第１副画素、第２副画素、および第３副画素は、それぞれ大きさは同じであり、形状は相違してもよい。

一実施例による表示装置は、ラウンド型周縁を含む基板と、表示領域の外郭に位置し、コーナー部がラウンド状である遮光部材と、前記基板上に位置する複数の画素とを含み、前記複数の画素は、前記遮光部材とすぐ隣接した第１副画素と、前記第１副画素とすぐ隣接した第２副画素とを含み、前記第１副画素の上側周縁の長さが、前記第２副画素の上側周縁の長さより長いか、前記第１副画素の下側周縁の長さが前記第２副画素の下側周縁の長さより長い。

前記第２副画素は、前記基板の周縁から前記第１副画素よりさらに遠く位置してもよい。

前記第２副画素の面積は、前記第１副画素の面積と同じであってもよい。

前記第１副画素の上側周縁の長さが前記第２副画素の上側周縁の長さより長い時、前記第１副画素の下側周縁の長さは、前記第２副画素の下側周縁の長さより短く、前記第１副画素の下側周縁の長さが前記第２副画素の下側周縁の長さより長い時、前記第１副画素の上側周縁の長さは、前記第２副画素の上側周縁の長さより短くてもよい。

本発明によれば、カラーシフトが発生することを防止することができ、ラウンド型周縁が階段状に視認されることを防止することができる。

一実施例による表示装置を示す平面図である。一実施例による表示装置の一部の画素を示す平面図である。一実施例による表示装置の一つの副画素を示す平面図である。図３のＩＶ－ＩＶ線に沿って示す断面図である。一実施例による表示装置のある一つの副画素の画素電極の一部を示す平面図である。図５のＶＩ－ＶＩ線に沿って示す断面図である。一実施例による表示装置の他の一つの副画素の画素電極の一部を示す平面図である。図７のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿って示す断面図である。一実施例による表示装置のある一つの副画素の画素電極の一部を示す平面図である。図９のＸ－Ｘ線に沿って示す断面図である。一実施例による表示装置のある一つの副画素の画素電極の一部を示す平面図である。一実施例による表示装置の他の一つの副画素の画素電極の一部を示す平面図である。一実施例による表示装置のある一つの副画素の画素電極の一部を示す平面図である。一実施例による表示装置の一部の画素を示す平面図である。一実施例による表示装置の一部の画素を示す平面図である。

以下、添付した図面を参照して本発明の様々な実施例について本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。本発明は、様々な相違する形態で具現され得るものであり、ここで説明する実施例に限られない。

本発明を明確に説明するため、説明上不要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素に対しては同一の参照符号を付する。

また、図面に示す各構成の大きさおよび厚さは、説明の便宜上任意に示したため、本発明は必ずしも図面に示したものに限られない。図面において、様々な層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。そして、図面において、説明の便宜上、一部層および領域の厚さを誇張して示した。

また、層、膜、領域、板のような各部分が他の部分の「上に」あるとするとき、それは他の部分の「真上に」ある場合だけではなく、その間に他の要素が介在された場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「真上に」あるとするときは、間に他の要素がないことを意味する。また、基準になる部分の「上に」あるとするときは、基準になる部分の上または下に位置するものであり、必ずしも重力の反対方向に「上に」位置することを意味するものではない。

また、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」とするときは、特に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除くものではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。

また、明細書全体において、「平面上」とするときは、対象の部分を上から見たときを意味し、「断面上」とするときは、対象の部分を垂直に切断した断面を横から見たときを意味する。

まず、図１を参照して一実施例による表示装置について説明する。

図１は一実施例による表示装置を示す平面図である。

一実施例による表示装置は、第１基板１１０を含み、第１基板１１０の上には複数の画素が位置する。図面に示していないが、各画素には薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタに接続されている画素電極が形成されている。各画素の画素電極に印加されるデータ電圧を調節することで、各画素の輝度を制御することができ、これにより画面を表示することができる。本実施例による表示装置は、液晶表示装置や有機発光表示装置であってもよい。

第１基板１１０は全体的に四角形状であり、各コーナー部がラウンド状となっている。つまり、第１基板１１０は直線型周縁（ＢＬ）とラウンド型周縁（ＢＲ）を含む。第１基板１１０は４個の直線型周縁（ＢＬ）を含み、直線型周縁（ＢＬ）の間にラウンド型周縁（ＢＲ）が位置している。このような第１基板１１０の形状によって表示装置の形状が決定される。つまり、本実施例による表示装置は、第１基板１１０の形状と同様に全体的に四角形状であり、各コーナー部がラウンド状となっている。

ただし、本実施例はこれに限定されず、第１基板１１０はラウンド型周縁を含む多様な形状に形成され得る。また、第１基板１１０は円形または楕円形などに形成されてもよい。

本実施例による表示装置は、第１基板１１０の周縁に沿って形成されている外郭遮光部材２２０ａをさらに含む。外郭遮光部材２２０ａはラウンド型周縁（ＢＲ）と重複してもよく、直線型周縁（ＢＬ）とも重複してもよい。外郭遮光部材２２０ａは遮光性物質からなり、光漏れが発生することを防止することができる。

次に、図２を参照して一実施例による表示装置のラウンド型周縁に位置する画素およびこれと隣接した画素について説明する。

図２は一実施例による表示装置の一部の画素を示す平面図である。図２はラウンド型周縁に位置する画素およびこれと隣接した画素を示している。

一実施例による表示装置の第１基板１１０の上には第１画素ＰＸ１、第２画素ＰＸ２、第３画素ＰＸ３、第４画素ＰＸ４、第５画素ＰＸ５、第６画素ＰＸ６、第７画素ＰＸ７、および第８画素ＰＸ８が位置している。

各画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３、ＰＸ４、ＰＸ５、ＰＸ６、ＰＸ７、ＰＸ８）は、それぞれ第１副画素（ＰＸ１ｒ、ＰＸ２ｒ、ＰＸ３ｒ、ＰＸ４ｒ、ＰＸ５ｒ、ＰＸ６ｒ、ＰＸ７ｒ、ＰＸ８ｒ）、第２副画素（ＰＸ１ｇ、ＰＸ２ｇ、ＰＸ３ｇ、ＰＸ４ｇ、ＰＸ５ｇ、ＰＸ６ｇ、ＰＸ７ｇ、ＰＸ８ｇ）、および第３副画素（ＰＸ１ｂ、ＰＸ２ｂ、ＰＸ３ｂ、ＰＸ４ｂ、ＰＸ５ｂ、ＰＸ６ｂ、ＰＸ７ｂ、ＰＸ８ｂ）を含む。つまり、第１画素ＰＸ１は、第１副画素ＰＸ１ｒ、第２副画素ＰＸ１ｇ、および第３副画素ＰＸ１ｂを含み、第２画素ＰＸ２は、第１副画素ＰＸ２ｒ、第２副画素ＰＸ２ｇ、および第３副画素ＰＸ２ｂを含み、第３画素ＰＸ３は、第１副画素ＰＸ３ｒ、第２副画素ＰＸ３ｇ、および第３副画素ＰＸ３ｂを含み、第４画素ＰＸ４は、第１副画素ＰＸ４ｒ、第２副画素ＰＸ４ｇ、および第３副画素ＰＸ４ｂを含む。第５画素ＰＸ５は、第１副画素ＰＸ５ｒ、第２副画素ＰＸ５ｇ、および第３副画素ＰＸ５ｂを含み、第６画素ＰＸ６ＰＸ６は、第１副画素ＰＸ６ｒ、第２副画素ＰＸ６ｇ、および第３副画素ＰＸ６ｂを含み、第７画素ＰＸ７は、第１副画素ＰＸ７ｒ、第２副画素ＰＸ７ｇ、および第３副画素ＰＸ７ｂを含み、第８画素ＰＸ８は、第１副画素ＰＸ８ｒ、第２副画素ＰＸ８ｇ、および第３副画素ＰＸ８ｂを含む。

それぞれの第１副画素（ＰＸ１ｒ、ＰＸ２ｒ、ＰＸ３ｒ、ＰＸ４ｒ、ＰＸ５ｒ、ＰＸ６ｒ、ＰＸ７ｒ、ＰＸ８ｒ）は、赤色を表示する副画素であってもよく、それぞれの第２副画素（ＰＸ１ｇ、ＰＸ２ｇ、ＰＸ３ｇ、ＰＸ４ｇ、ＰＸ５ｇ、ＰＸ６ｇ、ＰＸ７ｇ、ＰＸ８ｇ）は、緑色を表示する副画素であってもよく、それぞれの第３副画素（ＰＸ１ｂ、ＰＸ２ｂ、ＰＸ３ｂ、ＰＸ４ｂ、ＰＸ５ｂ、ＰＸ６ｂ、ＰＸ７ｂ、ＰＸ８ｂ）は、青色を表示する副画素であってもよい。同じ色を表示する副画素は同じ列に配置されてもよい。ただし、各副画素の配置形態はこれに限定されず、多様に変更されてもよい。また、各画素が、赤色副画素、緑色副画素、および青色副画素からなる場合を説明したが、本発明はこれに限られない。第１副画素（ＰＸ１ｒ、ＰＸ２ｒ、ＰＸ３ｒ、ＰＸ４ｒ、ＰＸ５ｒ、ＰＸ６ｒ、ＰＸ７ｒ、ＰＸ８ｒ）が表示する第１色、第２副画素（ＰＸ１ｇ、ＰＸ２ｇ、ＰＸ３ｇ、ＰＸ４ｇ、ＰＸ５ｇ、ＰＸ６ｇ、ＰＸ７ｇ、ＰＸ８ｇ）が表示する第２色、第３副画素（ＰＸ１ｂ、ＰＸ２ｂ、ＰＸ３ｂ、ＰＸ４ｂ、ＰＸ５ｂ、ＰＸ６ｂ、ＰＸ７ｂ、ＰＸ８ｂ）が表示する第３色を混合すると白色となる。したがって、第１色、第２色、および第３色は、赤色、緑色、および青色の代わりにシアン、マゼンタ、イエローであってもよい。また、画素は白色副画素をさらに含んでもよい。

各画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３、ＰＸ４、ＰＸ５、ＰＸ６、ＰＸ７、ＰＸ８）内で第１副画素（ＰＸ１ｒ、ＰＸ２ｒ、ＰＸ３ｒ、ＰＸ４ｒ、ＰＸ５ｒ、ＰＸ６ｒ、ＰＸ７ｒ、ＰＸ８ｒ）、第２副画素（ＰＸ１ｇ、ＰＸ２ｇ、ＰＸ３ｇ、ＰＸ４ｇ、ＰＸ５ｇ、ＰＸ６ｇ、ＰＸ７ｇ、ＰＸ８ｇ）、および第３副画素（ＰＸ１ｂ、ＰＸ２ｂ、ＰＸ３ｂ、ＰＸ４ｂ、ＰＸ５ｂ、ＰＸ６ｂ、ＰＸ７ｂ、ＰＸ８ｂ）は、第１方向に配置されている。例えば、第１方向は行方向であってもよい。

外郭遮光部材２２０ａは、第１基板１１０の周縁と重複しており、複数の画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３、ＰＸ４、ＰＸ５、ＰＸ６、ＰＸ７、ＰＸ８）のうち一部の画素が外郭遮光部材２２０ａと重複し得る。例えば、第１画素ＰＸ１、第３画素ＰＸ３、第５画素ＰＸ５、および第７画素ＰＸ７が外郭遮光部材２２０ａと重複し得る。

第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒは、外郭遮光部材２２０ａと重複し得る。第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇおよび第３副画素ＰＸ１ｂは、外郭遮光部材２２０ａと重複せず、第１画素ＰＸ１と行方向に隣接した第２画素ＰＸ２は、外郭遮光部材２２０ａと重複しない。第２画素ＰＸ２は、第１基板１１０の周縁から第１画素ＰＸ１よりさらに遠く位置している。

第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒは、外郭遮光部材２２０ａと重複し得る。第３画素ＰＸ３の第２副画素ＰＸ３ｇおよび第３副画素ＰＸ３ｂは、外郭遮光部材２２０ａと重複せず、第３画素ＰＸ３と行方向に隣接した第４画素ＰＸ４は、外郭遮光部材２２０ａと重複しない。第４画素ＰＸ４は、第１基板１１０の周縁から第３画素ＰＸ３よりさらに遠く位置している。

第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒは、外郭遮光部材２２０ａと重複し得る。第５画素ＰＸ５の第２副画素ＰＸ５ｇおよび第３副画素ＰＸ５ｂは、外郭遮光部材２２０ａと重複せず、第５画素ＰＸ５と行方向に隣接した第６画素ＰＸ６は、外郭遮光部材２２０ａと重複しない。第６画素ＰＸ６は第１基板１１０の周縁から第５画素ＰＸ５よりさらに遠く位置している。

第７画素ＰＸ７の第１副画素ＰＸ７ｒは、外郭遮光部材２２０ａと重複し得る。第７画素ＰＸ７の第２副画素ＰＸ７ｇおよび第３副画素ＰＸ７ｂは、外郭遮光部材２２０ａと重複せず、第７画素ＰＸ７と行方向に隣接した第８画素ＰＸ８は、外郭遮光部材２２０ａと重複しない。第８画素ＰＸ８は第１基板１１０の周縁から第７画素ＰＸ７よりさらに遠く位置している。

次に、図３および図４を参照して一実施例による表示装置の一つの副画素についてさらに詳細に説明する。

図３は一実施例による表示装置の一つの副画素を示す平面図であり、図４は図３のＩＶ－ＩＶ線に沿って示す断面図である。

図３および図４に示すように、一実施例による表示装置は、互いに対向する下部表示パネル１００と上部表示パネル２００、そして二つの表示パネル１００、２００の間に介在している液晶層３を含む。

まず、下部表示パネル１００について説明する。

第１基板１１０の上にゲート線１２１およびゲート線１２１から突出しているゲート電極１２４が位置する。

ゲート線１２１は略横方向に延びており、ゲート信号を伝達する。ゲート電極１２４は平面図上でゲート線１２１の上側に突出している。ただし、本発明はこれに限定されず、ゲート電極１２４の突出形態は多様に変形可能である。また、ゲート電極１２４はゲート線１２１から突出せず、ゲート線１２１上に位置してもよい。

基板１１０の上には基準電圧線１３１および基準電圧線１３１から突出している維持電極１３５ａ、１３５ｂがさらに位置してもよい。

基準電圧線１３１はゲート線１２１と略並列方向に延びており、ゲート線１２１と離隔している。基準電圧線１３１には一定の電圧が印加されてもよい。維持電極１３５ａ、１３５ｂは、基準電圧線１３１に対して実質的に垂直に延びた一対の第１維持電極１３５ａおよび一対の第１維持電極１３５ａを接続する第２維持電極１３５ｂを含む。基準電圧線１３１および維持電極１３５ａ、１３５ｂは、後述する画素電極１９１を囲む形態を有してもよい。

ゲート線１２１、ゲート電極１２４、基準電圧線１３１、および維持電極１３５ａ、１３５ｂの上にはゲート絶縁膜１４０が位置する。ゲート絶縁膜１４０は、シリコン硝酸塩（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）などのような無機絶縁物質からなる。また、ゲート絶縁膜１４０は単一膜または多重膜からなる。

ゲート絶縁膜１４０の上には半導体１５４が位置する。半導体１５４はゲート電極１２４の上に位置してもよい。半導体１５４は非晶質シリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎ）、多結晶シリコン（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｚｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎ）、金属酸化物（ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅ）などからなる。

半導体１５４の上には抵抗性接触部材（図示せず）がさらに位置してもよい。抵抗性接触部材は、シリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）またはｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質で作られてもよい。

半導体１５４およびゲート絶縁膜１４０の上にはデータ線１７１、ソース電極１７３およびドレイン電極１７５が位置する。

データ線１７１はデータ信号を伝達し、略縦方向に延びてゲート線１２１および基準電圧線１３１と交差する。ソース電極１７３はデータ線１７１からゲート電極１２４の上に突出しており、Ｕ字型に曲げられてもよい。ドレイン電極１７５は広い片方の端部と棒状の他方の端部を含む。ドレイン電極１７５の広い端部は画素電極１９１と重複している。ドレイン電極１７５の棒状の端部は、ソース電極１７３によって一部囲まれている。ただし、本発明はこれに限定されず、ソース電極１７３およびドレイン電極１７５の形状は多様に変更されてもよい。

ゲート電極１２４、ソース電極１７３およびドレイン電極１７５は、半導体１５４と共に一つの薄膜トランジスタＱをなす。この時、薄膜トランジスタＱのチャネルは、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の半導体１５４に形成されている。

データ線１７１、ソース電極１７３、ドレイン電極１７５の上には保護膜１８０が位置する。保護膜１８０はソース電極１７３とドレイン電極１７５との間に露出されている半導体１５４の上にも位置する。保護膜１８０は、有機絶縁物質または無機絶縁物質からなってもよく、単一膜または多重膜からなる。

保護膜１８０にはドレイン電極１７５の少なくとも一部と重複する接触孔１８１が形成されている。接触孔１８１はドレイン電極１７５の広い端部を露出させてもよい。

保護膜１８０の上には画素電極１９１が形成されている。画素電極１９１は、インジウム－スズ酸化物（ＩＴＯ、ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、インジウム－亜鉛酸化物（ＩＺＯ、ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）などのような透明な導電物質からなる。画素電極１９１は接触孔１８１を介してドレイン電極１７５と接続されている。したがって、薄膜トランジスタＱがオン状態であるとき、画素電極１９１はドレイン電極１７５を介してデータ電圧の印加を受ける。

画素電極１９１は全体的に四角形状であり、画素電極１９１は互いに交差する横幹部１９３と縦幹部１９２、これらから延びている微細枝部１９４を含む。画素電極１９１は横幹部１９３と縦幹部１９２によって４個の副領域に分けられる。微細枝部１９４は横幹部１９３および縦幹部１９２からななめに延びており、その延びる方向はゲート線１２１または横幹部１９３と略４５度または１３５度の角を成し得る。

本実施例において、画素電極１９１は、副画素の外郭を囲む外郭幹部をさらに含んでもよい。

前述した副画素の配置形態、薄膜トランジスタの構造および画素電極の形状は一つの例に過ぎず、本発明はこれに限定されず、多様な変形が可能である。例えば、一つの副画素が複数の領域を含み、各領域に差など電圧が印加される構造を有してもよい。このために一つの副画素に複数の薄膜トランジスタが形成されてもよい。

図面に示していないが、下部表示パネル２００の内側面には第１配向膜が形成されてもよい。第１配向膜は画素電極１９１の上に位置してもよい。

次に、上部表示パネル２００について説明する。

透明なガラスまたはプラスチックなどで作られた第２基板２１０の上に遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０はブラックマトリックス（ｂｌａｃｋｍａｔｒｉｘ）ともいい、光漏れを防ぐ。遮光部材２２０はゲート線１２１、データ線１７１、および薄膜トランジスタＱなどのような各副画素の境界部に形成されてもよい。本実施例では遮光部材２２０が上部表示パネル２００に形成される場合を説明したが、本発明はこれに限られない。遮光部材２２０は下部表示パネル１００に形成されてもよい。

先に説明した外郭遮光部材２２０ａは、遮光部材２２０と同一層に位置してもよく、他の層に位置してもよい。つまり、外郭遮光部材２２０ａは、上部表示パネル２００に位置してもよく、下部表示パネル１００に位置してもよい。

第２基板２１０の上には、複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は、遮光部材２２０に囲まれた領域内に大部分が存在し、画素電極１９１列に沿って縦方向に長く延ばされてもよい。各カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色および青色の三原色など基本色（ｐｒｉｍａｒｙｃｏｌｏｒ）のうちの一つを表示してもよい。基本色の例としては赤色、緑色、青色など三原色または黄色（ｙｅｌｌｏｗ）、青緑色（ｃｙａｎ）、紫紅色（ｍａｇｅｎｔａ）などが挙げられる。例えば、第１副画素（ＰＸ１ｒ、ＰＸ２ｒ、ＰＸ３ｒ、ＰＸ４ｒ、ＰＸ５ｒ、ＰＸ６ｒ、ＰＸ７ｒ、ＰＸ８ｒ）には赤カラーフィルタが位置し、第２副画素（ＰＸ１ｇ、ＰＸ２ｇ、ＰＸ３ｇ、ＰＸ４ｇ、ＰＸ５ｇ、ＰＸ６ｇ、ＰＸ７ｇ、ＰＸ８ｇ）には緑カラーフィルタが位置し、第３副画素（ＰＸ１ｂ、ＰＸ２ｂ、ＰＸ３ｂ、ＰＸ４ｂ、ＰＸ５ｂ、ＰＸ６ｂ、ＰＸ７ｂ、ＰＸ８ｂ）には青カラーフィルタが位置してもよい。図面に示していないが、カラーフィルタは基本色以外に基本色の混合色または白色（ｗｈｉｔｅ）を表示するカラーフィルタをさらに含んでもよい。

本実施例ではカラーフィルタ２３０が上部表示パネル２００に形成される場合を説明したが、本発明はこれに限られない。カラーフィルタ２３０は下部表示パネル１００に形成されてもよい。

カラーフィルタ２３０および遮光部材２２０の上にはオーバーコート２４０が形成されている。オーバーコート２４０は有機絶縁物質で作られてもよく、カラーフィルタ２３０が露出することを防止して平坦面を提供する。オーバーコート２４０は省略し得る。

オーバーコート２４０の上には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０はインジウム－スズ酸化物（ＩＴＯ、ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、インジウム－亜鉛酸化物（ＩＺＯ、ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）などのような透明な導電物質からなる。共通電極２７０には共通電圧が印加されてもよく、共通電圧は一定の電圧からなる。

図面に示していないが、上部表示パネル２００の内側面には第２配向膜が形成されてもよい。第２配向膜は共通電極２７０の上に位置してもよい。

液晶層３は負の誘電率異方性を有する複数の液晶分子３１０からなり、液晶層３の液晶分子３１０は電場がない状態でその長軸が二つの表示パネル１００、２００の表面に対して垂直になすように配向されてもよい。

データ電圧が印加された画素電極１９１は、共通電極２７０と共に電場を生成することによって、二つの電極１９１、２７０の間に位置する液晶層３の液晶分子３１０の方向を決定する。このように決定された液晶分子３１０の方向によって液晶層３を通過する光の輝度が変わる。

次に、図５乃至図８を参照して一実施例による表示装置の隣接した二つの副画素の画素電極の形状の差について説明する。

図５は一実施例による表示装置のある一つの副画素の画素電極の一部を示す平面図であり、図６は図５のＶＩ－ＶＩ線に沿って示す断面図である。図７は一実施例による表示装置の他の一つの副画素の画素電極の一部を示す平面図であり、図８は図７のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿って示す断面図である。

図５および図６に示すように、画素電極１９１は、複数の微細枝部１９４と複数の微細枝部１９４との間に位置する微細スリット１９５を含む。微細枝部１９４は横幹部１９３または縦幹部１９２と接続されて薄膜トランジスタＱがオン状態であるときデータ電圧が印加される。複数の微細枝部１９４は、所定の間隔を有して離隔している。微細スリット１９５は微細枝部１９４の間の空間を意味する。

一つの副画素内で微細枝部１９４の幅ｗｂ、微細枝部１９４の間の間隔ｗｓは、一定であってもよい。微細枝部１９４の幅ｗｂと微細枝部１９４との間の間隔ｗｓを合わせた値は画素電極１９１のピッチｗｐと定義される。ピッチｗｐは一定であってもよい。

図７および図８に示すように、画素電極１９１は複数の微細枝部１９４と複数の微細枝部１９４との間に位置する微細スリット１９５を含む。

一つの副画素内で微細枝部１９４の幅ｗｂ、微細枝部１９４の間の間隔ｗｓ、および画素電極１９１のピッチｗｐは、一定であってもよい。

図７および図８に示す副画素の微細枝部１９４の幅ｗｂは、図５および図６に示示す副画素の微細枝部１９４の幅ｗｂより狭い。この時、図７および図８に示す副画素の微細枝部１９４の間の間隔ｗｓは、図５および図６に示す副画素の微細枝部１９４の間の間隔ｗｓより広い。また、図７および図８に示す副画素の画素電極１９１のピッチｗｐは、図５および図６に示す副画素の画素電極１９１のピッチｗｐと実質的に同じであってもよい。

微細枝部１９４の幅ｗｂが広いほど当該副画素の輝度は高くなり、微細枝部１９４の間の間隔ｗｓが狭いほど当該副画素の輝度は高くなる。したがって、図７および図８に示す副画素の輝度は、図５および図６に示す副画素の輝度より低くなる。

例えば、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒ、第２画素ＰＸ２の第１副画素ＰＸ２ｒ、第２副画素ＰＸ２ｇ、および第３副画素ＰＸ２ｂが図５および図６に示す副画素の形状を有してもよく、第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇおよび第３副画素ＰＸ１ｂが図７および図８に示す副画素の形状を有してもよい。

外郭遮光部材２２０ａと重複する第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒは、外郭遮光部材２２０ａによって一部領域が覆われるので、輝度が低くなる。一般的な表示装置では、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの輝度が、第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇおよび第３副画素ＰＸ１ｂの輝度より相対的に低くなり、カラーシフトが発生する。本実施例では、第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇおよび第３副画素ＰＸ１ｂの微細枝部１９４の幅ｗｂを第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの微細枝部１９４の幅ｗｂより狭くすることによって、第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇおよび第３副画素ＰＸ１ｂの輝度水準を、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの輝度水準よりも低くすることができる。したがって、第１画素ＰＸ１でカラーシフトが発生することを防止することができる。

この時、第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇおよび第３副画素ＰＸ１ｂの微細枝部１９４の間の間隔ｗｓは、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの微細枝部１９４の間の間隔ｗｓより広くてもよい。第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇおよび第３副画素ＰＸ１ｂの微細枝部１９４の幅ｗｂは、第２画素ＰＸ２の微細枝部１９４の幅ｗｂより狭い。第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇおよび第３副画素ＰＸ１ｂの微細枝部１９４の間の間隔ｗｓは、第２画素ＰＸ２の微細枝部１９４の間の間隔ｗｓより広くてもよい。第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの微細枝部１９４の幅ｗｂは、第２画素ＰＸ２の微細枝部１９４の幅ｗｂと実質的に同じであってもよい。第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの微細枝部１９４の間の間隔ｗｓは、第２画素ＰＸ２の微細枝部１９４の間の間隔ｗｓと実質的に同じであってもよい。

第１画素ＰＸ１および第２画素ＰＸ２の画素電極１９１のピッチｗｐは、実質的に同じであってもよい。

第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒは、外郭遮光部材２２０ａと重複して輝度が低くなる。したがって、第３画素ＰＸ３の第２副画素ＰＸ３ｇおよび第３副画素ＰＸ３ｂの微細枝部１９４の幅ｗｂを狭くすることによって、第３画素ＰＸ３でカラーシフトが発生することを防止してもよい。この時、第３画素ＰＸ３の第２副画素ＰＸ３ｇおよび第３副画素ＰＸ３ｂの微細枝部１９４の幅ｗｂは、第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒ、第４画素ＰＸ４の微細枝部１９４の幅ｗｂより狭い。また、第３画素ＰＸ３の第２副画素ＰＸ３ｇおよび第３副画素ＰＸ３ｂの微細枝部１９４の間の間隔ｗｓは、第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒ、第４画素ＰＸ４の微細枝部１９４の間の間隔ｗｓより広くてもよい。

第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒと外郭遮光部材２２０ａの重畳面積は、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒと外郭遮光部材２２０ａの重畳面積より小さい。したがって、第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒの輝度減少量は、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの輝度減少量より少ない。したがって、第３画素ＰＸ３の第２副画素ＰＸ３ｇおよび第３副画素ＰＸ３ｂの微細枝部１９４の幅ｗｂは、第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇおよび第３副画素ＰＸ１ｂの微細枝部１９４の幅ｗｂより広くてもよい。つまり、当該副画素と外郭遮光部材２２０ａの重畳面積に応じた輝度減少量を考慮して微細枝部１９４の幅ｗｂを調節してもよい。

第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒは、外郭遮光部材２２０ａと重複して輝度が低くなる。したがって、第５画素ＰＸ５の第２副画素ＰＸ５ｇおよび第３副画素ＰＸ５ｂの微細枝部１９４の幅ｗｂを狭くすることによって、第５画素ＰＸ５でカラーシフトが発生することを防止してもよい。この時、第５画素ＰＸ５の第２副画素ＰＸ５ｇおよび第３副画素ＰＸ５ｂの微細枝部１９４の幅ｗｂは、第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒ、第６画素ＰＸ６の微細枝部１９４の幅ｗｂより狭い。また、第５画素ＰＸ５の第２副画素ＰＸ５ｇおよび第３副画素ＰＸ５ｂの微細枝部１９４の間の間隔ｗｓは、第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒ、第６画素ＰＸ６の微細枝部１９４の間の間隔ｗｓより広くてもよい。

第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒと外郭遮光部材２２０ａの重畳面積は、第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒと外郭遮光部材２２０ａの重畳面積より小さい。したがって、第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒの輝度減少量は、第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒの輝度減少量より少ない。したがって、第５画素ＰＸ５の第２副画素ＰＸ５ｇおよび第３副画素ＰＸ５ｂの微細枝部１９４の幅ｗｂは、第３画素ＰＸ３の第２副画素ＰＸ３ｇおよび第３副画素ＰＸ３ｂの微細枝部１９４の幅ｗｂより広くてもよい。つまり、当該副画素と外郭遮光部材２２０ａの重畳面積に応じた輝度減少量を考慮して微細枝部１９４の幅ｗｂを調節してもよい。

第７画素ＰＸ７の第１副画素ＰＸ７ｒは、外郭遮光部材２２０ａと重複して輝度が低くなる。したがって、第７画素ＰＸ７の第２副画素ＰＸ７ｇおよび第３副画素ＰＸ７ｂの微細枝部１９４の幅ｗｂを狭くすることによって、第７画素ＰＸ７でカラーシフトが発生することを防止してもよい。この時、第７画素ＰＸ７の第２副画素ＰＸ７ｇおよび第３副画素ＰＸ７ｂの微細枝部１９４の幅ｗｂは、第７画素ＰＸ７の第１副画素ＰＸ７ｒ、第８画素ＰＸ８の微細枝部１９４の幅ｗｂより狭い。また、第７画素ＰＸ７の第２副画素ＰＸ７ｇおよび第３副画素ＰＸ７ｂの微細枝部１９４の間の間隔ｗｓは、第７画素ＰＸ７の第１副画素ＰＸ７ｒ、第８画素ＰＸ８の微細枝部１９４の間の間隔ｗｓより広くてもよい。

第７画素ＰＸ７の第１副画素ＰＸ７ｒと外郭遮光部材２２０ａの重畳面積は、第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒと外郭遮光部材２２０ａの重畳面積より小さい。したがって、第７画素ＰＸ７の第１副画素ＰＸ７ｒの輝度減少量は、第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒの輝度減少量より少ない。したがって、第７画素ＰＸ７の第２副画素ＰＸ７ｇおよび第３副画素ＰＸ７ｂの微細枝部１９４の幅ｗｂは、第５画素ＰＸ５の第２副画素ＰＸ５ｇおよび第３副画素ＰＸ５ｂの微細枝部１９４の幅ｗｂより広くてもよい。つまり、当該副画素と外郭遮光部材２２０ａの重畳面積に応じた輝度減少量を考慮して微細枝部１９４の幅ｗｂを調節してもよい。

次に、図９および図１０を参照して一実施例による表示装置について説明する。

本実施例は、図１乃至図８に示す一実施例による表示装置と同じ部分が多いためこれに関する説明は省略する。本実施例では遮光部材と重複する副画素の輝度を高めることによって、輝度減少量を補償するという点で前述した実施例と相違し、以下で詳細に説明する。

図９は一実施例による表示装置のある一つの副画素の画素電極の一部を示す平面図であり、図１０は図９のＸ－Ｘ線に沿って示す断面図である。

図９および図１０に示すように、画素電極１９１は複数の微細枝部１９４と複数の微細枝部１９４との間に位置する微細スリット１９５を含む。

一つの副画素内で微細枝部１９４の幅ｗｂ、微細枝部１９４の間の間隔ｗｓ、および画素電極１９１のピッチｗｐは一定であってもよい。

図９および図１０に示す副画素の微細枝部１９４の幅ｗｂは、図５および図６に示す副画素の微細枝部１９４の幅ｗｂより広い。この時、図９および図１０に示す副画素の微細枝部１９４の間の間隔ｗｓは、図５および図６に示す副画素の微細枝部１９４の間の間隔ｗｓより狭い。また、図９および図１０に示す副画素の画素電極１９１のピッチｗｐは、図５および図６に示す副画素の画素電極１９１のピッチｗｐと実質的に同じであってもよい。

微細枝部１９４の幅ｗｂが広いほど当該副画素の輝度は高くなり、微細枝部１９４の間の間隔ｗｓが狭いほど当該副画素の輝度は高くなる。したがって、図９および図１０に示す副画素の輝度は、図５および図６に示す副画素の輝度より高くなる。

例えば、第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇ、第３副画素ＰＸ１ｂ、第２画素ＰＸ２の第１副画素ＰＸ２ｒ、第２副画素ＰＸ２ｇ、および第３副画素ＰＸ２ｂが図５および図６に示す副画素の形状を有してもよく、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒが図９および図１０に示す副画素の形状を有してもよい。

外郭遮光部材２２０ａと重複する第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒは、外郭遮光部材２２０ａによって一部領域が覆われるので、輝度が低くなる。一般的な表示装置では、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの輝度が、第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇおよび第３副画素ＰＸ１ｂの輝度より相対的に低くなり、カラーシフトが発生する。本実施例では、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの微細枝部１９４の幅ｗｂを、第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇおよび第３副画素ＰＸ１ｂの微細枝部１９４の幅ｗｂより広くすることにより、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの輝度水準を第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇおよび第３副画素ＰＸ１ｂの輝度水準よりも高め得る。したがって、第１画素ＰＸ１でカラーシフトが発生することを防止することができる。さらに、外郭遮光部材２２０ａと重複する第１画素ＰＸ１の輝度が、第２画素ＰＸ２と類似する水準に維持され得るので、ラウンド型周縁が階段状に視認されることを防止することができる。

この時、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの微細枝部１９４の間の間隔ｗｓは、第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇおよび第３副画素ＰＸ１ｂの微細枝部１９４の間の間隔ｗｓより狭くてもよい。第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの微細枝部１９４の幅ｗｂは、第２画素ＰＸ２の微細枝部１９４の幅ｗｂより広い。第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの微細枝部１９４の間の間隔ｗｓは、第２画素ＰＸ２の微細枝部１９４の間の間隔ｗｓより狭くてもよい。第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇおよび第３副画素ＰＸ１ｂの微細枝部１９４の幅ｗｂは、第２画素ＰＸ２の微細枝部１９４の幅ｗｂと実質的に同じであってもよい。第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇおよび第３副画素ＰＸ１ｂの微細枝部１９４の間の間隔ｗｓは、第２画素ＰＸ２の微細枝部１９４の間の間隔ｗｓと実質的に同じであってもよい。

第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒは、外郭遮光部材２２０ａと重複して輝度が低くなる。したがって、第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒの微細枝部１９４の幅ｗｂを広くすることにより、第３画素ＰＸ３でカラーシフトが発生することを防止してもよい。この時、第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒの微細枝部１９４の幅ｗｂは、第３画素ＰＸ３の第２副画素ＰＸ３ｇ、第３副画素ＰＸ３ｂ、第４画素ＰＸ４の微細枝部１９４の幅ｗｂより広い。また、第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒの微細枝部１９４の間の間隔ｗｓは、第３画素ＰＸ３の第２副画素ＰＸ３ｇ、第３副画素ＰＸ３ｂ、第４画素ＰＸ４の微細枝部１９４の間の間隔ｗｓより狭くてもよい。

第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒと外郭遮光部材２２０ａの重畳面積は、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒと外郭遮光部材２２０ａの重畳面積より小さい。したがって、第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒの輝度減少量は、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの輝度減少量より少ない。したがって、第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒの微細枝部１９４の幅ｗｂは、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの微細枝部１９４の幅ｗｂより狭くてもよい。つまり、当該副画素と外郭遮光部材２２０ａの重畳面積に応じた輝度減少量を考慮して微細枝部１９４の幅ｗｂを調節してもよい。

第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒは、外郭遮光部材２２０ａと重複して輝度が低くなる。したがって、第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒの微細枝部１９４の幅ｗｂを広くすることにより、第５画素ＰＸ５でカラーシフトが発生することを防止してもよい。この時、第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒの微細枝部１９４の幅ｗｂは、第５画素ＰＸ５の第２副画素ＰＸ５ｇ、第３副画素ＰＸ５ｂ、第６画素ＰＸ６の微細枝部１９４の幅ｗｂより広い。また、第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒの微細枝部１９４の間の間隔ｗｓは、第５画素ＰＸ５の第２副画素ＰＸ５ｇおよび第３副画素ＰＸ５ｂ、第６画素ＰＸ６の微細枝部１９４の間の間隔ｗｓより狭くてもよい。

第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒと外郭遮光部材２２０ａの重畳面積は、第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒと外郭遮光部材２２０ａの重畳面積より小さい。したがって、第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒの輝度減少量は、第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒの輝度減少量より少ない。したがって、第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒの微細枝部１９４の幅ｗｂは、第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒの微細枝部１９４の幅ｗｂより狭くてもよい。つまり、当該副画素と外郭遮光部材２２０ａの重畳面積に応じた輝度減少量を考慮して微細枝部１９４の幅ｗｂを調節してもよい。

第７画素ＰＸ７の第１副画素ＰＸ７ｒは、外郭遮光部材２２０ａと重複して輝度が低くなる。したがって、第７画素ＰＸ７の第１副画素ＰＸ７ｒの微細枝部１９４の幅ｗｂを広くすることにより、第７画素ＰＸ７でカラーシフトが発生することを防止してもよい。この時、第７画素ＰＸ７の第１副画素ＰＸ７ｒの微細枝部１９４の幅ｗｂは、第７画素ＰＸ７の第２副画素ＰＸ７ｇおよび第３副画素ＰＸ７ｂ、第８画素ＰＸ８の微細枝部１９４の幅ｗｂより広い。また、第７画素ＰＸ７の第１副画素ＰＸ７ｒの微細枝部１９４の間の間隔ｗｓは、第７画素ＰＸ７の第２副画素ＰＸ７ｇおよび第３副画素ＰＸ７ｂ、第８画素ＰＸ８の微細枝部１９４の間の間隔ｗｓより狭くてもよい。

第７画素ＰＸ７の第１副画素ＰＸ７ｒと外郭遮光部材２２０ａの重畳面積は、第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒと外郭遮光部材２２０ａの重畳面積より小さい。したがって、第７画素ＰＸ７の第１副画素ＰＸ７ｒの輝度減少量は、第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒの輝度減少量より少ない。したがって、第７画素ＰＸ７の第１副画素ＰＸ７ｒの微細枝部１９４の幅ｗｂは、第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒの微細枝部１９４の幅ｗｂより狭くてもよい。つまり、当該副画素と外郭遮光部材２２０ａの重畳面積に応じた輝度減少量を考慮して微細枝部１９４の幅ｗｂを調節してもよい。

次に、図１１および図１２を参照して一実施例による表示装置について説明する。

本実施例は、図１乃至図８に示す一実施例による表示装置と同じ部分が多いので、これに関する説明は省略する。本実施例では、微細枝部と横幹部が成す角を調節して輝度を調節するという点で前述した実施例と相違し、以下で詳細に説明する。

図１１は一実施例による表示装置のある一つの副画素の画素電極の一部を示す平面図であり、図１２は一実施例による表示装置の他の一つの副画素の画素電極の一部を示す平面図である。

図１１および図１２に示すように、画素電極１９１は、横幹部１９３、縦幹部１９２、およびこれらから延びている複数の微細枝部１９４を含み、複数の微細枝部１９４の間には微細スリット１９５が形成されている。微細枝部１９４は、横幹部１９３に対して所定の角を有して傾いている。

図１２において、横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）は、図１１での横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）より小さい。例えば、図１１での横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）は、約４０度であってもよく、図１２での横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）は、約３５度であってもよい。

横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）が、４５度に近いほど当該副画素の輝度は高くなる。したがって、図１２に示す副画素の輝度は、図１１に示す副画素の輝度より低くなる。

例えば、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒ、第２画素ＰＸ２の第１副画素ＰＸ２ｒ、第２副画素ＰＸ２ｇ、および第３副画素ＰＸ２ｂが、図１１に示す副画素の形状を有してもよく、第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇおよび第３副画素ＰＸ１ｂが、図１２に示す副画素の形状を有してもよい。

外郭遮光部材２２０ａと重複する第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒは、外郭遮光部材２２０ａによって一部領域が覆われるので、輝度が低くなる。一般的な表示装置では、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの輝度が、第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇおよび第３副画素ＰＸ１ｂの輝度より相対的に低くなり、カラーシフトが発生する。本実施例では、第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇおよび第３副画素ＰＸ１ｂに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）を、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）より小さくすることにより、第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇおよび第３副画素ＰＸ１ｂの輝度水準を、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの輝度水準よりも低くすることができる。したがって、第１画素ＰＸ１でカラーシフトが発生することを防止することができる。

この時、第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇおよび第３副画素ＰＸ１ｂに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）は、第２画素ＰＸ２に位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）より小さい。第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）は、第２画素ＰＸ２に位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）と実質的に同じであってもよい。

第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒは、外郭遮光部材２２０ａと重複して輝度が低くなる。したがって、第３画素ＰＸ３の第２副画素ＰＸ３ｇおよび第３副画素ＰＸ３ｂに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）を小さくすることにより、第３画素ＰＸ３でカラーシフトが発生することを防止してもよい。この時、第３画素ＰＸ３の第２副画素ＰＸ３ｇおよび第３副画素ＰＸ３ｂに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）は、第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒ、第４画素ＰＸ４に位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）より小さい。

第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒと外郭遮光部材２２０ａの重畳面積は、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒと外郭遮光部材２２０ａの重畳面積より小さい。したがって、第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒの輝度減少量は、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの輝度減少量より少ない。したがって、第３画素ＰＸ３の第２副画素ＰＸ３ｇおよび第３副画素ＰＸ３ｂに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）は、第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇおよび第３副画素ＰＸ１ｂに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）より大きくてもよい。つまり、当該副画素と外郭遮光部材２２０ａの重畳面積に応じた輝度減少量を考慮して横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）を調節してもよい。

第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒは、外郭遮光部材２２０ａと重複して輝度が低くなる。したがって、第５画素ＰＸ５の第２副画素ＰＸ５ｇおよび第３副画素ＰＸ５ｂに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）を小さくすることにより、第５画素ＰＸ５でカラーシフトが発生することを防止してもよい。この時、第５画素ＰＸ５の第２副画素ＰＸ５ｇおよび第３副画素ＰＸ５ｂに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）は、第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒ、第６画素ＰＸ６に位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）より小さい。

第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒと外郭遮光部材２２０ａの重畳面積は、第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒと外郭遮光部材２２０ａの重畳面積より小さい。したがって、第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒの輝度減少量は、第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒの輝度減少量より少ない。したがって、第５画素ＰＸ５の第２副画素ＰＸ５ｇおよび第３副画素ＰＸ５ｂに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）は、第３画素ＰＸ３の第２副画素ＰＸ３ｇおよび第３副画素ＰＸ３ｂに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）より大きくてもよい。つまり、当該副画素と外郭遮光部材２２０ａの重畳面積に応じた輝度減少量を考慮して横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）を調節してもよい。

第７画素ＰＸ７の第１副画素ＰＸ７ｒは、外郭遮光部材２２０ａと重複して輝度が低くなる。したがって、第７画素ＰＸ７の第２副画素ＰＸ７ｇおよび第３副画素ＰＸ７ｂに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）を小さくすることにより、第７画素ＰＸ７でカラーシフトが発生することを防止してもよい。この時、第７画素ＰＸ７の第２副画素ＰＸ７ｇおよび第３副画素ＰＸ７ｂに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）は、第７画素ＰＸ７の第１副画素ＰＸ７ｒ、第８画素ＰＸ８に位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）より小さい。

第７画素ＰＸ７の第１副画素ＰＸ７ｒと外郭遮光部材２２０ａの重畳面積は、第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒと外郭遮光部材２２０ａの重畳面積より小さい。したがって、第７画素ＰＸ７の第１副画素ＰＸ７ｒの輝度減少量は、第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒの輝度減少量より少ない。したがって、第７画素ＰＸ７の第２副画素ＰＸ７ｇおよび第３副画素ＰＸ７ｂに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）は、第５画素ＰＸ５の第２副画素ＰＸ５ｇおよび第３副画素ＰＸ５ｂに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）より大きくてもよい。つまり、当該副画素と外郭遮光部材２２０ａの重畳面積に応じた輝度減少量を考慮して横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）を調節してもよい。

次に、図１３を参照して一実施例による表示装置について説明する。

本実施例は図１１および図１２に示す一実施例による表示装置と同じ部分が多いので、これに関する説明は省略する。本実施例では、遮光部材と重複する副画素に位置する横幹部と微細枝部との間の角を高めることによって、輝度減少量を補償するという点で前述した実施例と相違し、以下で詳細に説明する。

図１３は一実施例による表示装置のある一つの副画素の画素電極の一部を示す平面図である。

図１３に示すように、画素電極１９１は、横幹部１９３、縦幹部１９２、およびこれらから延びている複数の微細枝部１９４を含み、複数の微細枝部１９４の間には微細スリット１９５が形成されている。微細枝部１９４は横幹部１９３に対して所定の角を有して傾いている。

図１３において、横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）は、図１１での横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）より大きい。例えば、図１１において、横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）は、約４０度であってもよく、図１３において、横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）は、約４５度であってもよい。

横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）が、４５度に近いほど当該副画素の輝度は高くなる。したがって、図１３に示す副画素の輝度は、図１１に示す副画素の輝度より高くなる。

例えば、第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇおよび第３副画素ＰＸ１ｂ、第２画素ＰＸ２の第１副画素ＰＸ２ｒ、第２副画素ＰＸ２ｇ、および第３副画素ＰＸ２ｂが、図１１に示す副画素の形状を有してもよく、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒが図１３に示す副画素の形状を有してもよい。

外郭遮光部材２２０ａと重複する第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒは、外郭遮光部材２２０ａによって一部領域が覆われるので、輝度が低くなる。一般的な表示装置では、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの輝度が、第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇおよび第３副画素ＰＸ１ｂの輝度より相対的に低くなり、カラーシフトが発生する。本実施例では、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）を、第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇおよび第３副画素ＰＸ１ｂに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）より大きくすることにより、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの輝度水準を、第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇおよび第３副画素ＰＸ１ｂの輝度水準よりも高めることができる。したがって、第１画素ＰＸ１でカラーシフトが発生することを防止することができる。さらに、外郭遮光部材２２０ａと重複する第１画素ＰＸ１の輝度が、第２画素ＰＸ２と類似の水準に維持され得るので、ラウンド型周縁が階段状に視認されることを防止することができる。

この時、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）は、第２画素ＰＸ２に位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）より大きい。第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇおよび第３副画素ＰＸ１ｂに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）は、第２画素ＰＸ２に位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）と実質的に同じであってもよい。

第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒは、外郭遮光部材２２０ａと重複して輝度が低くなる。したがって、第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）を大きくすることにより、第３画素ＰＸ３でカラーシフトが発生することを防止してもよい。この時、第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）は、第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒ、第４画素ＰＸ４に位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）より大きい。

第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒと外郭遮光部材２２０ａの重畳面積は、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒと外郭遮光部材２２０ａの重畳面積より小さい。したがって、第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒの輝度減少量は、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの輝度減少量より少ない。したがって、第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）は、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）より小さくてもよい。つまり、当該副画素と外郭遮光部材２２０ａの重畳面積に応じた輝度減少量を考慮して横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）を調節してもよい。

第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒは、外郭遮光部材２２０ａと重複して輝度が低くなる。したがって、第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）を大きくすることにより、第５画素ＰＸ５でカラーシフトが発生することを防止してもよい。この時、第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）は、第５画素ＰＸ５の第２副画素ＰＸ５ｇおよび第３副画素ＰＸ５ｂ、第６画素ＰＸ６に位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）より大きい。

第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒと外郭遮光部材２２０ａの重畳面積は、第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒと外郭遮光部材２２０ａの重畳面積より小さい。したがって、第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒの輝度減少量は、第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒの輝度減少量より少ない。したがって、第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）は、第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）より小さくてもよい。つまり、当該副画素と外郭遮光部材２２０ａの重畳面積に応じた輝度減少量を考慮して横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）を調節してもよい。

第７画素ＰＸ７の第１副画素ＰＸ７ｒは、外郭遮光部材２２０ａと重複して輝度が低くなる。したがって、第７画素ＰＸ７の第１副画素ＰＸ７ｒに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）を大きくすることにより、第７画素ＰＸ７でカラーシフトが発生することを防止してもよい。この時、第７画素ＰＸ７の第１副画素ＰＸ７ｒに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）は、第７画素ＰＸ７の第２副画素ＰＸ７ｇおよび第３副画素ＰＸ７ｂ、第８画素ＰＸ８に位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）より大きい。

第７画素ＰＸ７の第１副画素ＰＸ７ｒと外郭遮光部材２２０ａの重畳面積は、第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒと外郭遮光部材２２０ａの重畳面積より小さい。したがって、第７画素ＰＸ７の第１副画素ＰＸ７ｒの輝度減少量は、第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒの輝度減少量より少ない。したがって、第７画素ＰＸ７の第１副画素ＰＸ７ｒに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）は、第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒに位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）より大きくてもよい。つまり、当該副画素と外郭遮光部材２２０ａの重畳面積に応じた輝度減少量を考慮して横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）を調節してもよい。

次に、図１４を参照して一実施例による表示装置について説明する。

本実施例は、図１乃至図８に示す一実施例による表示装置と同じ部分が多いので、これに関する説明は省略する。実施例では、表示装置の周縁に位置する画素の大きさが隣接した画素の大きさと相違するという点で前述した実施例と差異があり、以下で詳細に説明する。

図１４は一実施例による表示装置の一部の画素を示す平面図である。図１４はラウンド型周縁に位置する画素およびこれと隣接した画素を示している。

一実施例による表示装置の第１基板１１０の上には第１画素ＰＸ１、第２画素ＰＸ２、第３画素ＰＸ３、第４画素ＰＸ４、第５画素ＰＸ５、第６画素ＰＸ６、第７画素ＰＸ７および第８画素ＰＸ８が位置している。

外郭遮光部材２２０ａは、第１基板１１０の周縁と重複しており、複数の画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３、ＰＸ４、ＰＸ５、ＰＸ６、ＰＸ７、ＰＸ８）のうち一部の画素が外郭遮光部材２２０ａと隣接し得る。例えば、第１画素ＰＸ１、第３画素ＰＸ３、第５画素ＰＸ５、および第７画素ＰＸ７が外郭遮光部材２２０ａと隣接し得る。

第２画素ＰＸ２は、第１基板１１０の周縁から第１画素ＰＸ１よりさらに遠く位置し、第４画素ＰＸ４は、第１基板１１０の周縁から第３画素ＰＸ３よりさらに遠く位置している。また、第６画素ＰＸ６は、第１基板１１０の周縁から第５画素ＰＸ５よりさらに遠く位置し、第８画素ＰＸ８は、第１基板１１０の周縁から第７画素ＰＸ７よりさらに遠く位置している。

第１画素ＰＸ１の大きさは第２画素ＰＸ２の大きさより小さい。この時、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒ、第２副画素ＰＸ１ｇ、および第３副画素ＰＸ１ｂの大きさは実質的に同じである。ただし、平面上で第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒ、第２副画素ＰＸ１ｇ、および第３副画素ＰＸ１ｂの形状は相違してもよい。例えば、平面上で第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇおよび第３副画素ＰＸ１ｂの形状は略長方形である。平面上で第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの形状は略梯形である。平面上で第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの形状は三個の直線と一つの曲線を含む図形である。

第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの下側周縁の長さは、第２副画素ＰＸ１ｇの下側周縁の長さより長くてもよい。この時、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの上側周縁の長さは、第２副画素ＰＸ１ｇの上側周縁の長さより短い。また、本発明はこれに限定されず、外郭遮光部材２２０ａの形状に応じて第１副画素ＰＸ１ｒの形状も変更されてもよい。例えば、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの上側周縁の長さが、第２副画素ＰＸ１ｇの上側周縁の長さより長くてもよい。この時、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの下側周縁の長さは、第２副画素ＰＸ１ｇの下側周縁の長さより短い。

このように、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒ、第２副画素ＰＸ１ｇ、および第３副画素ＰＸ１ｂは、形状が相違してもその大きさが実質的に同じであるので、カラーシフトが発生することを防止することができる。ただし、第１画素ＰＸ１が第２画素ＰＸ２より相対的に低い輝度を有し得る。この時、第１画素ＰＸ１に位置する微細枝部１９４の幅ｗｂを、第２画素ＰＸ２に位置する微細枝部１９４の幅ｗｂより広くすることにより、輝度減少量を補償してもよい。つまり、第１画素ＰＸ１と第２画素ＰＸ２の輝度水準を実質的に同一にすることができる。第１画素ＰＸ１に位置する微細枝部１９４の間の間隔ｗｓは、第２画素ＰＸ２に位置する微細枝部１９４の間の間隔ｗｓより狭くてもよい。第１画素ＰＸ１に位置する画素電極１９１のピッチｗｐは、第２画素ＰＸ２に位置する画素電極１９１のピッチｗｐと実質的に同じであってもよい。

前記では第１画素ＰＸ１に位置する微細枝部１９４の幅ｗｂを調節して輝度を補償する場合を説明したが、本発明はこれに限られない。第１画素ＰＸ１に位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）を、第２画素ＰＸ２に位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）より大きくすることにより、輝度減少量を補償してもよい。

第３画素ＰＸ３の大きさは、第４画素ＰＸ４の大きさより小さい。この時、第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒ、第２副画素ＰＸ３ｇ、および第３副画素ＰＸ３ｂの大きさは、実質的に同じである。ただし、平面上で第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒ、第２副画素ＰＸ３ｇ、および第３副画素ＰＸ３ｂの形状は相違してもよい。

このように、第３画素ＰＸ３の第１副画素ＰＸ３ｒ、第２副画素ＰＸ３ｇ、および第３副画素ＰＸ３ｂは、形状が相違してもその大きさが実質的に同じであるので、カラーシフトが発生することを防止することができる。ただし、第３画素ＰＸ３が第４画素ＰＸ４より相対的に低い輝度を有し得る。この時、第３画素ＰＸ３に位置する微細枝部１９４の幅ｗｂを第４画素ＰＸ４に位置する微細枝部１９４の幅ｗｂより広くすることにより、輝度減少量を補償してもよい。第３画素ＰＸ３の大きさは、第１画素ＰＸ１の大きさよりは大きい。したがって、第３画素ＰＸ３の輝度は、第１画素ＰＸ１の輝度より大きくてもよい。したがって、第３画素ＰＸ３に位置する微細枝部１９４の幅ｗｂが、第１画素ＰＸ１に位置する微細枝部１９４の幅ｗｂより狭くてもよい。

また、第３画素ＰＸ３に位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）を、第４画素ＰＸ４に位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）より大きくすることにより、輝度減少量を補償してもよい。この時、第３画素ＰＸ３に位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）は、第１画素ＰＸ１に位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）より小さくてもよい。

第５画素ＰＸ５の大きさは、第６画素ＰＸ６の大きさより小さい。この時、第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒ、第２副画素ＰＸ５ｇ、および第３副画素ＰＸ５ｂの大きさは実質的に同じである。ただし、平面上で第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒ、第２副画素ＰＸ５ｇ、および第３副画素ＰＸ５ｂの形状は相違してもよい。

このように、第５画素ＰＸ５の第１副画素ＰＸ５ｒ、第２副画素ＰＸ５ｇ、および第３副画素ＰＸ５ｂは、形状が相違してもその大きさが実質的に同じであるので、カラーシフトが発生することを防止することができる。ただし、第５画素ＰＸ５が第６画素ＰＸ６より相対的に低い輝度を有し得る。この時、第５画素ＰＸ５に位置する微細枝部１９４の幅ｗｂを、第６画素ＰＸ６に位置する微細枝部１９４の幅ｗｂより広くすることにより、輝度減少量を補償してもよい。第５画素ＰＸ５の大きさは、第３画素ＰＸ３の大きさよりは大きい。したがって、第５画素ＰＸ５の輝度は、第３画素ＰＸ３の輝度より大きくてもよい。したがって、第５画素ＰＸ５に位置する微細枝部１９４の幅ｗｂが、第３画素ＰＸ３に位置する微細枝部１９４の幅ｗｂより狭くてもよい。

また、第５画素ＰＸ５に位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）を、第６画素ＰＸ６に位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）より大きくすることにより、輝度減少量を補償してもよい。この時、第５画素ＰＸ５に位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）は、第３画素ＰＸ３に位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）より小さくてもよい。

第７画素ＰＸ７の大きさは、第８画素ＰＸ８の大きさより小さい。この時、第７画素ＰＸ７の第１副画素ＰＸ７ｒ、第２副画素ＰＸ７ｇ、および第３副画素ＰＸ７ｂの大きさは実質的に同じである。ただし、平面上で第７画素ＰＸ７の第１副画素ＰＸ７ｒ、第２副画素ＰＸ７ｇ、および第３副画素ＰＸ７ｂの形状は相違してもよい。

このように、第７画素ＰＸ７の第１副画素ＰＸ７ｒ、第２副画素ＰＸ７ｇ、および第３副画素ＰＸ７ｂは、形状が相違してもその大きさが実質的に同じであるので、カラーシフトが発生することを防止することができる。ただし、第７画素ＰＸ７が第８画素ＰＸ８より相対的に低い輝度を有し得る。この時、第７画素ＰＸ７に位置する微細枝部１９４の幅ｗｂを、第８画素ＰＸ８に位置する微細枝部１９４の幅ｗｂより広くすることにより、輝度減少量を補償してもよい。第７画素ＰＸ７の大きさは、第５画素ＰＸ５の大きさよりは大きい。したがって、第７画素ＰＸ７の輝度は、第５画素ＰＸ５の輝度よりは大きくてもよい。したがって、第７画素ＰＸ７に位置する微細枝部１９４の幅ｗｂが、第５画素ＰＸ５に位置する微細枝部１９４の幅ｗｂより狭くてもよい。

また、第７画素ＰＸ７に位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）を、第８画素ＰＸ８に位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）より大きくすることにより、輝度減少量を補償してもよい。この時、第７画素ＰＸ７に位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）は、第５画素ＰＸ５に位置する横幹部１９３と微細枝部１９４との間の角（θ）より小さくてもよい。

次に、図１５を参照して一実施例による表示装置について説明する。

本実施例は、図１４に示す一実施例による表示装置と同じ部分が多いので、これに関する説明は省略する。本実施例では第１画素と第２画素の面積が同じである点で、前述した実施例と差異がある。以下で詳細に説明する。

図１５は一実施例による表示装置の一部の画素を示す平面図である。

一実施例による表示装置の第１基板１１０の上には第１画素ＰＸ１および第２画素ＰＸ２が位置している。外郭遮光部材２２０ａは第１基板１１０の周縁と重複しており、第１画素ＰＸ１は、外郭遮光部材２２０ａと隣接し、第２画素ＰＸ２は第１画素ＰＸ１と隣接する。第２画素ＰＸ２は第１基板１１０の周縁から第１画素ＰＸ１よりさらに遠く位置している。

第１画素ＰＸ１と第２画素ＰＸ２の大きさは、実質的に同じである。第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒ、第２副画素ＰＸ１ｇ、第３副画素ＰＸ１ｂ、第２画素ＰＸ２の第１副画素ＰＸ２ｒ、第２副画素ＰＸ２ｇ、および第３副画素ＰＸ２ｂの大きさは実質的に同じである。ただし、平面上で第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒ、第２副画素ＰＸ１ｇ、第３副画素ＰＸ１ｂ、第２画素ＰＸ２の第１副画素ＰＸ２ｒ、第２副画素ＰＸ２ｇ、および第３副画素ＰＸ２ｂの形状は相違してもよい。例えば、平面上で第１画素ＰＸ１の第２副画素ＰＸ１ｇ、第３副画素ＰＸ１ｂ、第２画素ＰＸ２の第１副画素ＰＸ２ｒ、第２副画素ＰＸ２ｇ、および第３副画素ＰＸ２ｂの形状は略長方形である。平面上で第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの形状は略梯形である。平面上で第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒの形状は、三個の直線と一つの曲線を含む図形である。

このように、第１画素ＰＸ１の第１副画素ＰＸ１ｒ、第２副画素ＰＸ１ｇ、第３副画素ＰＸ１ｂ、第２画素ＰＸ２の第１副画素ＰＸ２ｒ、第２副画素ＰＸ２ｇ、および第３副画素ＰＸ２ｂの形状が相違してもその大きさが実質的に同じであるので、カラーシフトが発生することを防止することができる。また、第１画素ＰＸ１と第２画素ＰＸ２の輝度水準を実質的に同一にすることができる。

以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲は、これに限定されず、次の特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形および改良形態もまた、本発明の権利範囲に属する。

１１０：第１基板
１９１：画素電極
１９２：縦幹部
１９３：横幹部
１９４：微細枝部
１９５：微細スリット
２２０ａ：外郭遮光部材

Claims

基板と、
表示領域の外郭に位置し、コーナー部がラウンド状である遮光部材と、
前記基板上に位置する複数の画素と、
前記複数の画素それぞれに位置し、横幹部、縦幹部、および複数の微細枝部を含む画素電極とを含み、
前記複数の画素は、
前記遮光部材と重複する第１画素と、
前記第１画素と隣接した第２画素とを含み、
前記第１画素に位置する微細枝部の形状は、前記第２画素に位置する微細枝部の形状と相違する表示装置。
前記第１画素に位置する微細枝部の幅は、前記第２画素に位置する微細枝部の幅と相違し、
前記複数の画素それぞれは、
第１色を表示する第１副画素と、
第２色を表示する第２副画素と、
第３色を表示する第３副画素とを含み、
前記第１副画素、前記第２副画素、および前記第３副画素は、第１方向に沿って配列されており、
前記第２画素は、前記第１画素と前記第１方向に隣接して前記基板の周縁から前記第１画素よりさらに遠く位置し、
前記第１副画素、前記第２副画素、および前記第３副画素それぞれに前記画素電極が位置する請求項１に記載の表示装置。
前記第１画素の第１副画素が前記遮光部材と重畳し、
前記第１画素の第２副画素および第３副画素に位置する微細枝部の幅は、前記第２画素に位置する微細枝部の幅より狭い請求項２に記載の表示装置。
前記第１画素の第２副画素に位置する微細枝部の間の間隔および第３副画素に位置する微細枝部の間の間隔は、前記第２画素に位置する微細枝部の間の間隔より広い請求項３に記載の表示装置。
前記第１画素の第２副画素および第３副画素に位置する微細枝部の幅は、前記第１画素の第１副画素に位置する微細枝部の幅より狭い請求項３に記載の表示装置。
前記第１画素の第２副画素に位置する微細枝部の間の間隔および第３副画素に位置する微細枝部の間の間隔は、前記第１画素の第１副画素に位置する微細枝部の間の間隔より広い請求項５に記載の表示装置。
前記第１画素の第１副画素が前記遮光部材と重畳し、
前記第１画素の第１副画素に位置する微細枝部の幅は、前記第２画素に位置する微細枝部の幅より広い請求項２に記載の表示装置。
前記第１画素に位置する横幹部と微細枝部との間の角は、前記第２画素に位置する横幹部と微細枝部との間の角と相違し、
前記複数の画素それぞれは、
第１色を表示する第１副画素と、
第２色を表示する第２副画素と、
第３色を表示する第３副画素とを含み、
前記第１副画素、前記第２副画素、および前記第３副画素は、第１方向に沿って配列されており、
前記第２画素は、前記第１画素と前記第１方向に隣接して前記基板の周縁から前記第１画素よりさらに遠く位置し、
前記第１副画素、前記第２副画素、および前記第３副画素それぞれに前記画素電極が位置する請求項１に記載の表示装置。
前記第１画素の第１副画素が前記遮光部材と重畳し、
前記第１画素の第２副画素および第３副画素に位置する横幹部と微細枝部との間の角は、前記第２画素に位置する横幹部と微細枝部との間の角より小さい請求項８に記載の表示装置。
前記第１画素の第１副画素が前記遮光部材と重畳し、
前記第１画素の第１副画素に位置する横幹部と微細枝部との間の角は、前記第２画素に位置する横幹部と微細枝部との間の角より大きい請求項８に記載の表示装置。