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JP2017076187A - Method for producing metal pattern substrate, metal pattern substrate, and display device with touch position detection function - Google Patents

Method for producing metal pattern substrate, metal pattern substrate, and display device with touch position detection function Download PDF

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JP2017076187A
JP2017076187A JP2015202240A JP2015202240A JP2017076187A JP 2017076187 A JP2017076187 A JP 2017076187A JP 2015202240 A JP2015202240 A JP 2015202240A JP 2015202240 A JP2015202240 A JP 2015202240A JP 2017076187 A JP2017076187 A JP 2017076187A
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groove
metal
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JP2015202240A
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Japanese (ja)
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口 雅 也 江
Masaya Eguchi
口 雅 也 江
屋 誠 治 俵
Seiji Tawaraya
屋 誠 治 俵
中 佳 子 田
Yoshiko Tanaka
中 佳 子 田
江 崇 網
Takashi Amie
江 崇 網
真 史 榊
Masashi Sakaki
真 史 榊
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Dai Nippon Printing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make a metal pattern thinner while securing reliability.SOLUTION: A method for producing a metal pattern substrate comprises a groove forming step for forming a plurality of grooves G1 of a predetermined pattern on the surface of a substrate 32, a metal film formation step for forming a metal film 40 inside the groove and on the substrate between adjacent grooves, a resist layer forming step for forming a resist layer 50 on the metal film formed inside the groove, an etching step for etching the metal film with the resist layer as a mask, and a peeling step for peeling the resist layer.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、金属パターン基板の製造方法、金属パターン基板、及び、金属パターン基板と表示装置とを組み合わせて得られるタッチ位置検出機能付き表示装置に関する。   The present invention relates to a metal pattern substrate manufacturing method, a metal pattern substrate, and a display device with a touch position detection function obtained by combining a metal pattern substrate and a display device.

今日、入力手段として、タッチパネル装置が広く用いられている。タッチパネル装置は、タッチパネルセンサ、タッチパネルセンサ上への接触位置を検出する制御回路、配線およびFPC(フレキシブルプリント基板)を含んでいる。タッチパネル装置は、多くの場合、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイ等の表示装置が組み込まれた種々の装置等(例えば、券売機、ATM装置、携帯電話、ゲーム機)に対する入力手段として、表示装置とともに用いられている。このような装置においては、タッチパネルセンサが表示装置の表示面上に配置されており、これによって、表示装置に対する極めて直接的な入力が可能になっている。タッチパネルセンサのうち表示装置の表示領域に対面する領域は透明になっており、タッチパネルセンサのこの領域が、接触位置(接近位置)を検出し得るアクティブエリアを構成するようになる。   Today, touch panel devices are widely used as input means. The touch panel device includes a touch panel sensor, a control circuit that detects a contact position on the touch panel sensor, wiring, and an FPC (flexible printed circuit board). In many cases, the touch panel device is used together with the display device as an input means for various devices including a display device such as a liquid crystal display or an organic EL display (for example, a ticket vending machine, an ATM device, a mobile phone, a game machine). It has been. In such a device, the touch panel sensor is disposed on the display surface of the display device, thereby enabling extremely direct input to the display device. The area | region which faces the display area of a display apparatus among touch panel sensors is transparent, and this area | region of a touch panel sensor comprises the active area which can detect a contact position (approach position).

タッチパネルセンサとして、投影型容量結合方式のタッチパネルセンサが知られている。容量結合方式のタッチパネルセンサにおいては、位置を検知されるべき外部導体(典型的には、指)が誘電体を介してタッチパネルセンサに接触(接近)する際、新たに奇生容量が発生する。この奇生容量に起因する静電容量の変化に基づいて、タッチパネルセンサ上における外部導体の位置が検出される。このような投影型容量結合方式のタッチパネルセンサは、例えば、PETなどからなる基材と、基材の観察者側の面に設けられた複数の第1検出パターンと、基材の表示装置側の面に設けられた複数の第2検出パターンと、を備えている。第1検出パターンおよび第2検出パターンは、例えば、透光性および導電性を有する透明導電材料から構成される。第1検出パターンおよび第2検出パターンは、アクティブエリア内に配置されている。   As a touch panel sensor, a projection capacitive coupling type touch panel sensor is known. In the capacitive coupling type touch panel sensor, when an external conductor (typically, a finger) whose position is to be detected contacts (approaches) the touch panel sensor via a dielectric, a strange capacitance is newly generated. The position of the external conductor on the touch panel sensor is detected on the basis of the change in capacitance caused by this strange capacitance. Such a projected capacitively coupled touch panel sensor includes, for example, a base material made of PET or the like, a plurality of first detection patterns provided on the surface of the base material on the viewer side, and a base material on the display device side. A plurality of second detection patterns provided on the surface. The first detection pattern and the second detection pattern are made of a transparent conductive material having translucency and conductivity, for example. The first detection pattern and the second detection pattern are arranged in the active area.

また、タッチパネルセンサのアクティブエリアの周囲の非アクティブエリア(額縁領域)には、金属から構成された複数の引き出し配線(額縁配線)が設けられている。複数の引き出し配線は、それぞれ、対応する第1又は第2検出パターンと、基材の外縁近傍に配置された対応する端子との間に電気的に接続されている(例えば、特許文献1参照)。   A plurality of lead wires (frame wires) made of metal are provided in an inactive area (frame region) around the active area of the touch panel sensor. Each of the plurality of lead-out wirings is electrically connected between the corresponding first or second detection pattern and the corresponding terminal arranged in the vicinity of the outer edge of the base material (for example, see Patent Document 1). .

このような引き出し配線は、次のように形成される。図9(a)〜(e)は、従来の引き出し配線の製造方法を説明する図である。図9(a)〜(e)は、タッチパネルセンサの非アクティブエリアの一部の断面を概略的に示す。   Such a lead-out wiring is formed as follows. 9A to 9E are diagrams for explaining a conventional method for manufacturing a lead wiring. FIGS. 9A to 9E schematically show a cross section of a part of the inactive area of the touch panel sensor.

まず、図9(a)に示すように、基材33上にオーバーコート層34Xを形成する。   First, as shown in FIG. 9A, the overcoat layer 34 </ b> X is formed on the base material 33.

次に、図9(b)に示すように、オーバーコート層34X上に金属膜40Xを形成する。オーバーコート層34Xは、金属膜40Xと基材33との密着性を向上させる。   Next, as shown in FIG. 9B, a metal film 40X is formed on the overcoat layer 34X. The overcoat layer 34X improves the adhesion between the metal film 40X and the base material 33.

次に、図9(c)に示すように、金属膜40X上にレジスト層50Xを形成し、レジスト層50Xをパターニングする。レジスト層50Xのパターンは、引き出し配線のパターンに対応する。   Next, as shown in FIG. 9C, a resist layer 50X is formed on the metal film 40X, and the resist layer 50X is patterned. The pattern of the resist layer 50X corresponds to the pattern of the lead wiring.

次に、図9(d)に示すように、パターニングされたレジスト層50Xをマスクとして、金属膜40Xをエッチングする。   Next, as shown in FIG. 9D, the metal film 40X is etched using the patterned resist layer 50X as a mask.

最後に、図9(e)に示すように、レジスト層50Xを剥離して、オーバーコート層34X上に配線41Xが形成される。配線41Xは、引き出し配線として機能する。   Finally, as shown in FIG. 9E, the resist layer 50X is peeled off to form the wiring 41X on the overcoat layer 34X. The wiring 41X functions as a lead wiring.

ところで近年、非アクティブエリアの幅をより狭くすることが求められている。そのためには、引き出し配線の幅及び間隔をより狭くする必要がある。   In recent years, there has been a demand for a narrower inactive area. For this purpose, it is necessary to narrow the width and interval of the lead-out wiring.

特開2010−277392号公報JP 2010-277392 A

しかしながら、前述した製造方法においては、金属膜40Xをエッチングする時、エッチングの進行に伴ってエッチング液がレジスト層50Xの下方にも回り込み、レジスト層50Xの下方の金属膜40Xの一部もエッチングされてしまう。即ち、サイドエッチングが発生する。これにより、図9(e)に示すように、形成された配線41Xの断面形状は台形になり、特に配線41Xの上部の幅が目標配線幅(即ち、パターニングされたレジスト層50Xの幅)より狭くなってしまう。従って、配線41Xの抵抗値が上昇したり、配線41Xの一部が欠落したりするため、配線41Xの細線化には限界がある。   However, in the manufacturing method described above, when the metal film 40X is etched, as the etching proceeds, the etching solution also flows below the resist layer 50X, and a part of the metal film 40X below the resist layer 50X is also etched. End up. That is, side etching occurs. As a result, as shown in FIG. 9E, the formed wiring 41X has a trapezoidal cross-sectional shape, and in particular, the upper width of the wiring 41X is larger than the target wiring width (ie, the width of the patterned resist layer 50X). It becomes narrower. Therefore, since the resistance value of the wiring 41X increases or a part of the wiring 41X is lost, there is a limit to thinning the wiring 41X.

また、配線41Xの間隔が狭くなると、エレクトロマイグレーションが起こりやすくなり、隣り合う配線41X,41X同士がショートする恐れもある。   Further, when the interval between the wirings 41X becomes narrow, electromigration is likely to occur, and there is a possibility that the adjacent wirings 41X and 41X are short-circuited.

このような点は、タッチパネルセンサの引き出し配線に限らず、細線化が必要な金属パターン全般に関して問題となり得る。   Such a point is not limited to the lead wiring of the touch panel sensor, and may be a problem with respect to all metal patterns that require thinning.

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、信頼性を確保した上で金属パターンをより細線化できる金属パターン基板の製造方法、金属パターン基板、及び、タッチ位置検出機能付き表示装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of such points, and has a metal pattern substrate manufacturing method, a metal pattern substrate, and a touch position detection function capable of making a metal pattern thinner while ensuring reliability. An object is to provide a display device.

本発明の一態様に係る金属パターン基板の製造方法は、
基板の表面に所定パターンの複数の溝を形成する溝形成工程と、
前記溝内と、隣り合う溝間の前記基板上とに金属膜を形成する金属膜形成工程と、
前記溝内に形成された前記金属膜上にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
前記レジスト層をマスクとして前記金属膜をエッチングするエッチング工程と、
前記レジスト層を剥離する剥離工程と、
を備える。
A method for producing a metal pattern substrate according to an aspect of the present invention includes:
A groove forming step of forming a plurality of grooves of a predetermined pattern on the surface of the substrate;
A metal film forming step of forming a metal film in the groove and on the substrate between adjacent grooves;
A resist layer forming step of forming a resist layer on the metal film formed in the groove;
An etching step of etching the metal film using the resist layer as a mask;
A peeling step of peeling the resist layer;
Is provided.

また、前記金属パターン基板の製造方法において、
前記金属膜形成工程において、前記金属膜の厚みが前記溝の深さより小さくなるように前記金属膜を形成してもよい。
Moreover, in the manufacturing method of the metal pattern substrate,
In the metal film forming step, the metal film may be formed so that a thickness of the metal film is smaller than a depth of the groove.

また、前記金属パターン基板の製造方法において、
前記溝形成工程は、
基材上にオーバーコート層を形成して前記基板を得る工程と、
前記オーバーコート層に前記溝を形成する工程と、
を有してもよい。
Moreover, in the manufacturing method of the metal pattern substrate,
The groove forming step includes
Forming an overcoat layer on a substrate to obtain the substrate;
Forming the groove in the overcoat layer;
You may have.

また、前記金属パターン基板の製造方法において、
前記溝形成工程において、前記オーバーコート層を貫通して前記基材に達する前記溝を形成してもよい。
Moreover, in the manufacturing method of the metal pattern substrate,
In the groove forming step, the groove that penetrates the overcoat layer and reaches the base material may be formed.

また、前記金属パターン基板の製造方法において、
前記基板は可塑性を有し、
前記溝形成工程は、
前記基板の表面に、前記所定パターンに対応した凹凸パターンを有する型を押し当てる工程と、
前記基板から前記型を取り外す工程と、
を有してもよい。
Moreover, in the manufacturing method of the metal pattern substrate,
The substrate has plasticity;
The groove forming step includes
Pressing a mold having a concavo-convex pattern corresponding to the predetermined pattern on the surface of the substrate;
Removing the mold from the substrate;
You may have.

本発明の一態様に係る金属パターン基板は、
表面に所定パターンの複数の溝を有する基板と、
前記溝に埋め込まれた金属層と、
を備える。
The metal pattern substrate according to one aspect of the present invention is
A substrate having a plurality of grooves of a predetermined pattern on the surface;
A metal layer embedded in the groove;
Is provided.

また、前記金属パターン基板において、
前記金属層の厚みは、前記溝の深さより小さくてもよい。
In the metal pattern substrate,
The thickness of the metal layer may be smaller than the depth of the groove.

また、前記金属パターン基板において、
前記基板は、
基材と、
前記基材上に設けられ、表面に前記溝を有するオーバーコート層と、
を有してもよい。
In the metal pattern substrate,
The substrate is
A substrate;
An overcoat layer provided on the substrate and having the groove on the surface;
You may have.

また、前記金属パターン基板において、
前記溝は、前記オーバーコート層を貫通して前記基材に達してもよい。
In the metal pattern substrate,
The groove may penetrate the overcoat layer and reach the substrate.

本発明の一態様に係るタッチ位置検出機能付き表示装置は、
表示装置と、
前記表示装置の表示面側に配置されたタッチパネルセンサと、を備え、
前記タッチパネルセンサは、
表面に所定パターンの溝を有する基板と、
前記溝に埋め込まれた金属層と、
を有する。
A display device with a touch position detection function according to one embodiment of the present invention is provided.
A display device;
A touch panel sensor disposed on the display surface side of the display device,
The touch panel sensor
A substrate having a predetermined pattern of grooves on the surface;
A metal layer embedded in the groove;
Have

また、前記タッチ位置検出機能付き表示装置において、
前記タッチパネルセンサは、前記基板上のアクティブエリアに設けられた検出パターンを有し、
前記溝及び前記金属層は、前記アクティブエリアの周辺に位置する非アクティブエリアに設けられ、
前記金属層は、前記検出パターンに接続され、引き出し配線として機能してもよい。
In the display device with a touch position detection function,
The touch panel sensor has a detection pattern provided in an active area on the substrate,
The groove and the metal layer are provided in an inactive area located around the active area,
The metal layer may be connected to the detection pattern and function as a lead wiring.

本発明によれば、信頼性を確保した上で金属パターンをより細線化できる。   According to the present invention, the metal pattern can be further thinned while ensuring reliability.

第1の実施形態に係るタッチ位置検出機能付き表示装置を示す分解図である。It is an exploded view showing the display device with a touch position detection function according to the first embodiment. 観察者側から見た場合のタッチパネルセンサを示す平面図である。It is a top view which shows the touchscreen sensor at the time of seeing from the observer side. 図2のタッチパネルセンサのI−I線に沿った縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view along the II line of the touch panel sensor of FIG. (a)〜(e)は、第1の実施形態に係るタッチパネルセンサの製造方法を説明する図である。(A)-(e) is a figure explaining the manufacturing method of the touch-panel sensor which concerns on 1st Embodiment. (a)〜(e)は、第2の実施形態に係るタッチパネルセンサの製造方法を説明する図である。(A)-(e) is a figure explaining the manufacturing method of the touch-panel sensor which concerns on 2nd Embodiment. (a)〜(e)は、第3の実施形態に係るタッチパネルセンサの製造方法を説明する図である。(A)-(e) is a figure explaining the manufacturing method of the touch-panel sensor which concerns on 3rd Embodiment. (a)〜(d)は、モールドの作製方法を説明する図である。(A)-(d) is a figure explaining the production method of a mold. (a)〜(g)は、マスターモールドの作製方法を説明する図である。(A)-(g) is a figure explaining the preparation methods of a master mold. 図9(a)〜(e)は、従来の引き出し配線の製造方法を説明する図である。9A to 9E are diagrams for explaining a conventional method for manufacturing a lead wiring.

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、本明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings attached to the present specification, for the sake of illustration and ease of understanding, the scale, the vertical / horizontal dimension ratio, and the like are appropriately changed and exaggerated from those of the actual ones.

(第1の実施形態)
タッチ位置検出機能付き表示装置
はじめに図1を参照して、タッチパネルセンサ(金属パターン基板)30を備えたタッチ位置検出機能付き表示装置10について説明する。図1に示すように、タッチ位置検出機能付き表示装置10は、タッチパネルセンサ30と、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイなどの表示装置15とを組み合わせることによって構成されている。図示された表示装置15は、フラットパネルディスプレイとして構成されている。表示装置15は、表示面16aを有した表示パネル16と、表示パネル16に接続された表示制御部(図示せず)と、を有している。
(First embodiment)
Display Device with Touch Position Detection Function First, a display device 10 with a touch position detection function including a touch panel sensor (metal pattern substrate) 30 will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 1, the display device with a touch position detection function 10 is configured by combining a touch panel sensor 30 and a display device 15 such as a liquid crystal display or an organic EL display. The illustrated display device 15 is configured as a flat panel display. The display device 15 includes a display panel 16 having a display surface 16 a and a display control unit (not shown) connected to the display panel 16.

表示パネル16は、映像を表示することができるアクティブエリアA1と、アクティブエリアA1を取り囲むようにしてアクティブエリアA1の外側に配置された非アクティブエリア(額縁領域とも呼ばれる)A2と、を含んでいる。表示制御部は、表示されるべき映像に関する情報を処理し、映像情報に基づいて表示パネル16を駆動する。表示パネル16は、表示制御部の制御信号に基づいて、所定の映像を表示面16aに表示する。すなわち、表示装置15は、文字や図等の情報を映像として出力する出力装置としての役割を担っている。   The display panel 16 includes an active area A1 that can display an image, and an inactive area (also referred to as a frame area) A2 that is disposed outside the active area A1 so as to surround the active area A1. . The display control unit processes information regarding the video to be displayed, and drives the display panel 16 based on the video information. The display panel 16 displays a predetermined image on the display surface 16a based on a control signal from the display control unit. That is, the display device 15 plays a role as an output device that outputs information such as characters and drawings as video.

アクティブエリアA1の形状は、本実施形態においては、図1に示すように、平面視において略矩形である。もっとも、アクティブエリアA1の平面視における形状は、他の形状であってもよく、例えば楕円形状であってもよい。   In the present embodiment, the shape of the active area A1 is substantially rectangular in plan view as shown in FIG. However, the shape of the active area A1 in plan view may be another shape, for example, an elliptical shape.

図1に示すように、タッチパネルセンサ30は、表示装置15の表示面16aに、例えば接着層(図示せず)を介して接着されている。   As shown in FIG. 1, the touch panel sensor 30 is bonded to the display surface 16 a of the display device 15 via, for example, an adhesive layer (not shown).

タッチパネルセンサ
タッチパネルセンサ30は、どのような構成を有していてもよいが、一例として、図2に示す構成について説明する。
The touch panel sensor touch panel sensor 30 may have any configuration, but the configuration illustrated in FIG. 2 will be described as an example.

図2は、観察者側から見た場合のタッチパネルセンサ30を示す平面図である。ここでは、タッチパネルセンサ30が、投影型の静電容量結合方式のタッチパネルセンサとして構成される例について説明する。なお、「容量結合」方式は、タッチパネルの技術分野において「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等とも呼ばれており、本件では、これらの「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等と同義の用語として取り扱う。典型的な静電容量結合方式のタッチパネルセンサは、透光性を有する導電性のパターンを有しており、外部の導体(典型的には人間の指)がタッチパネルセンサに接近することにより、外部の導体とタッチパネルセンサの導電性のパターンとの間でコンデンサ(静電容量)が形成される。そして、このコンデンサの形成に伴った電気的な状態の変化に基づき、タッチパネルセンサ上において外部導体が接近している位置の位置座標が特定される。なお本実施形態によるタッチパネルセンサ30は、自己容量方式のものであってもよく、相互容量方式のものであってもよい。   FIG. 2 is a plan view showing the touch panel sensor 30 when viewed from the observer side. Here, an example in which the touch panel sensor 30 is configured as a projection capacitive touch panel sensor will be described. The “capacitive coupling” method is also referred to as “capacitance” method or “capacitance coupling” method in the technical field of touch panels. It is treated as a term synonymous with the “capacitive coupling” method. A typical capacitive coupling type touch panel sensor has a light-transmitting conductive pattern, and an external conductor (typically a human finger) approaches the touch panel sensor to externally. A capacitor (capacitance) is formed between this conductor and the conductive pattern of the touch panel sensor. Based on the change in the electrical state accompanying the formation of the capacitor, the position coordinates of the position where the external conductor is approaching on the touch panel sensor are specified. The touch panel sensor 30 according to the present embodiment may be a self-capacitance type or a mutual capacitance type.

図2に示すように、タッチパネルセンサ30は、観察者側を向く第1面32aおよび表示装置15側を向く第2面32bを含み透光性を有する基板32と、基板32の第1面32a上に設けられ、第1方向D1に延びる複数の第1検出パターン(検出パターン)42と、基板32の第2面32b上に設けられ、第1方向D1に交差する、例えば第1方向D1に直交する第2方向D2に延びる複数の第2検出パターン(検出パターン)46と、を備えている。図2に示すように、第1検出パターン42および第2検出パターン46はそれぞれ帯状に延びている。また、複数の第1検出パターン42は一定の配列ピッチで第2方向D2に並べられており、複数の第2検出パターン46も一定の配列ピッチで第1方向D1に並べられている。第1検出パターン42および第2検出パターン46の配列ピッチは、タッチ位置の検出に関して求められる分解能に応じて定められるが、例えば数mmになっている。なお図2においては、基板32の第1面32a側に設けられている構成要素が実線で表され、基板32の第2面32b側に設けられている構成要素が点線で表されている。   As shown in FIG. 2, the touch panel sensor 30 includes a light-transmitting substrate 32 including a first surface 32 a facing the viewer side and a second surface 32 b facing the display device 15 side, and a first surface 32 a of the substrate 32. A plurality of first detection patterns (detection patterns) 42 provided on the first direction D1 and provided on the second surface 32b of the substrate 32 and intersecting the first direction D1, for example, in the first direction D1 And a plurality of second detection patterns (detection patterns) 46 extending in a second direction D2 orthogonal to each other. As shown in FIG. 2, the first detection pattern 42 and the second detection pattern 46 each extend in a band shape. The plurality of first detection patterns 42 are arranged in the second direction D2 at a constant arrangement pitch, and the plurality of second detection patterns 46 are also arranged in the first direction D1 at a constant arrangement pitch. The arrangement pitch of the first detection pattern 42 and the second detection pattern 46 is determined according to the resolution required for the detection of the touch position, and is, for example, several mm. In FIG. 2, components provided on the first surface 32a side of the substrate 32 are represented by solid lines, and components provided on the second surface 32b side of the substrate 32 are represented by dotted lines.

図2に示すように、タッチパネルセンサ30の基板32は、タッチ位置を検出され得る領域に対応する矩形状のアクティブエリアAa1と、アクティブエリアAa1の周辺に位置する矩形枠状の非アクティブエリアAa2と、を含んでいる。アクティブエリアAa1および非アクティブエリアAa2はそれぞれ、表示パネル16のアクティブエリアA1および非アクティブエリアA2に対応して区画されたものである。   As shown in FIG. 2, the substrate 32 of the touch panel sensor 30 includes a rectangular active area Aa1 corresponding to an area where the touch position can be detected, and a rectangular frame-shaped inactive area Aa2 positioned around the active area Aa1. , Including. The active area Aa1 and the inactive area Aa2 are respectively partitioned corresponding to the active area A1 and the inactive area A2 of the display panel 16.

上述の第1検出パターン42および第2検出パターン46は、アクティブエリアAa1内に配置されている。また非アクティブエリアAa2のうち基板32の第1面32a上には、それぞれが対応する第1検出パターン42に電気的に接続された複数の第1引き出し配線44aと、基板32の外縁近傍に配置され、それぞれが対応する第1引き出し配線44aに電気的に接続された複数の第1端子部44bと、が設けられている。さらに、非アクティブエリアAa2のうち基板32の第2面32b上には、それぞれが対応する第2検出パターン46に電気的に接続された複数の第2引き出し配線49aと、基板32の外縁近傍に配置され、それぞれが対応する第2引き出し配線49aに電気的に接続された複数の第2端子部49bと、が設けられている。   The first detection pattern 42 and the second detection pattern 46 described above are arranged in the active area Aa1. In addition, on the first surface 32a of the substrate 32 in the inactive area Aa2, a plurality of first lead wirings 44a electrically connected to the corresponding first detection patterns 42 and the vicinity of the outer edge of the substrate 32 are arranged. A plurality of first terminal portions 44b that are electrically connected to the corresponding first lead-out wirings 44a are provided. Further, on the second surface 32b of the substrate 32 in the inactive area Aa2, a plurality of second extraction wirings 49a that are electrically connected to the corresponding second detection patterns 46, and in the vicinity of the outer edge of the substrate 32, respectively. A plurality of second terminal portions 49b that are arranged and electrically connected to the corresponding second lead-out wirings 49a are provided.

第1及び第2検出パターン42,46は、例えば、透光性および導電性を有する透明導電材料から構成される。または、第1及び第2検出パターン42,46は、透明導電材料よりも高い導電性を有する銀や銅などの金属材料から構成されてもよい。これにより、第1及び第2検出パターン42,46の電気抵抗値を低くすることができる。第1及び第2検出パターン42,46が金属材料から構成される場合、第1及び第2検出パターン42,46には、表示装置15からの映像光を適切な比率で透過させるための開口部が形成されている。例えば第1及び第2検出パターン42,46は、金属材料からなり、網目状に配置された導線によって構成されてもよい。   The first and second detection patterns 42 and 46 are made of, for example, a transparent conductive material having translucency and conductivity. Alternatively, the first and second detection patterns 42 and 46 may be made of a metal material such as silver or copper having higher conductivity than the transparent conductive material. Thereby, the electrical resistance value of the 1st and 2nd detection patterns 42 and 46 can be made low. When the first and second detection patterns 42 and 46 are made of a metal material, the first and second detection patterns 42 and 46 have openings for transmitting the image light from the display device 15 at an appropriate ratio. Is formed. For example, the 1st and 2nd detection patterns 42 and 46 may be comprised by the conducting wire which consists of metal materials and is arrange | positioned at mesh shape.

第1及び第2引き出し配線44a,49a、並びに、第1及び第2端子部44b,49bは、例えば、アルミニウム、モリブデン、銀、銅、又は、これらの合金などの金属材料から構成される。   The first and second lead wires 44a and 49a and the first and second terminal portions 44b and 49b are made of a metal material such as aluminum, molybdenum, silver, copper, or an alloy thereof.

図3は、図2のタッチパネルセンサ30のI−I線に沿った縦断面図である。即ち、図3は、第2引き出し配線49aが形成された領域の断面を示している。   FIG. 3 is a longitudinal sectional view taken along the line II of the touch panel sensor 30 of FIG. That is, FIG. 3 shows a cross section of a region where the second lead wiring 49a is formed.

図3に示すように、基板32は、表面(第2面)32bに所定パターンの複数の溝G1を有する。溝G1のパターンは、第2引き出し配線49aのパターンに対応する。   As shown in FIG. 3, the substrate 32 has a plurality of grooves G1 having a predetermined pattern on the surface (second surface) 32b. The pattern of the groove G1 corresponds to the pattern of the second lead wiring 49a.

基板32は、基材33と、基材33上に設けられ、溝G1を有するオーバーコート層34と、を有する。溝G1は、オーバーコート層34を貫通して基材33に達している。   The substrate 32 includes a base material 33 and an overcoat layer 34 provided on the base material 33 and having the groove G1. The groove G1 passes through the overcoat layer 34 and reaches the base material 33.

基材33は、タッチパネルセンサ30において誘電体として機能するものである。基材33を構成する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、シクロオレフィンポリマー(COP)やガラスなど、十分な透光性を有する材料が用いられる。第1検出パターン42、第2検出パターン46、引き出し配線44a,49aや端子部44b,49bを適切に保持することができる限りにおいて、基材33の具体的な構成が特に限られることはない。   The base material 33 functions as a dielectric in the touch panel sensor 30. As a material constituting the base material 33, for example, a material having sufficient translucency such as polyethylene terephthalate (PET), cycloolefin polymer (COP) or glass is used. As long as the first detection pattern 42, the second detection pattern 46, the lead-out wirings 44a and 49a, and the terminal portions 44b and 49b can be appropriately held, the specific configuration of the base material 33 is not particularly limited.

オーバーコート層34は、透光性を有している。オーバーコート層34の材料としては、例えばアクリル樹脂等が用いられ得る。オーバーコート層34がフォトリソグラフィ法を用いて形成される場合、オーバーコート層34は、光硬化型の感光剤を含んでいてもよい。後述する製造方法においては、オーバーコート層34に光硬化型の感光剤が含まれている場合について説明する。   The overcoat layer 34 has translucency. As a material of the overcoat layer 34, for example, an acrylic resin or the like can be used. In the case where the overcoat layer 34 is formed using a photolithography method, the overcoat layer 34 may contain a photocurable photosensitive agent. In the manufacturing method to be described later, the case where the overcoat layer 34 contains a photocurable photosensitive agent will be described.

第2引き出し配線49aは、溝G1に埋め込まれた金属層41から構成されている。金属層41の厚みは、溝G1の深さより小さいことが好ましい。   The second lead wiring 49a is composed of a metal layer 41 embedded in the groove G1. The thickness of the metal layer 41 is preferably smaller than the depth of the groove G1.

金属層41の厚みは、例えば、数百nmであってもよい。オーバーコート層34の厚み、即ち溝G1の深さは、例えば、数μmであってもよい。   The metal layer 41 may have a thickness of several hundred nm, for example. The thickness of the overcoat layer 34, that is, the depth of the groove G1, may be several μm, for example.

図示は省略するが、第1引き出し配線44aも、第2引き出し配線49aと同様に、溝G1に埋め込まれた金属層41から構成される。この場合、金属層41は、第1面32a側に設けられる。   Although not shown, the first lead wiring 44a is also composed of the metal layer 41 embedded in the groove G1, like the second lead wiring 49a. In this case, the metal layer 41 is provided on the first surface 32a side.

なお図1,2においては、第1検出パターン42、第1引き出し配線44aおよび第1端子部44bが基板32の第1面32a側に設けられ、第2検出パターン46、第2引き出し配線49aおよび第2端子部49bが基板32の第2面32b側に設けられる例を示したが、これに限られることはない。例えば、第1検出パターン42、第1引き出し配線44aおよび第1端子部44bが基板32の第1面32a側に設けられ、第2検出パターン46、第2引き出し配線49aおよび第2端子部49bが追加の基板(図示せず)の一方の面側に設けられ、追加の基材の一方の面と基板32の第2面32bとが透明接着剤で貼り合わされていてもよい。   1 and 2, the first detection pattern 42, the first lead wiring 44a, and the first terminal portion 44b are provided on the first surface 32a side of the substrate 32, and the second detection pattern 46, the second lead wiring 49a, and Although the example in which the second terminal portion 49b is provided on the second surface 32b side of the substrate 32 has been shown, the present invention is not limited to this. For example, the first detection pattern 42, the first lead wiring 44a, and the first terminal portion 44b are provided on the first surface 32a side of the substrate 32, and the second detection pattern 46, the second lead wiring 49a, and the second terminal portion 49b are provided. It may be provided on one surface side of an additional substrate (not shown), and one surface of the additional base material may be bonded to the second surface 32b of the substrate 32 with a transparent adhesive.

タッチパネルセンサの製造方法
次に、図4(a)〜(e)を参照して、以上のような構成のタッチパネルセンサ30を製造する方法について説明する。なお、第1及び第2引き出し配線44a,49a以外の第1及び第2検出パターン42,46等は、周知の方法により形成できるため、以下では説明を省略する。また、第1引き出し配線44aと第2引き出し配線49aは同じ方法で形成できるため、以下では第2引き出し配線49aの形成方法のみを説明する。
Method for Manufacturing Touch Panel Sensor Next, a method for manufacturing the touch panel sensor 30 having the above configuration will be described with reference to FIGS. Note that the first and second detection patterns 42 and 46 other than the first and second lead wires 44a and 49a can be formed by a known method, and thus the description thereof is omitted below. Further, since the first lead wiring 44a and the second lead wiring 49a can be formed by the same method, only the method for forming the second lead wiring 49a will be described below.

〔溝形成工程〕
最初に、図4(a)に示すように、基板32の表面に所定パターンの複数の溝G1を形成する。具体的には、基材33上にオーバーコート層34を形成して基板32を得る。そして、基板32のオーバーコート層34に、オーバーコート層34を貫通して基材33に達する溝G1を形成する。
[Groove formation process]
First, as shown in FIG. 4A, a plurality of grooves G1 having a predetermined pattern are formed on the surface of the substrate 32. Specifically, the overcoat layer 34 is formed on the base material 33 to obtain the substrate 32. Then, a groove G <b> 1 that penetrates the overcoat layer 34 and reaches the base material 33 is formed in the overcoat layer 34 of the substrate 32.

オーバーコート層34に溝を形成する方法は特に限られないが、例えば、フォトリソグラフィ法を用いることが好ましい。これにより、比較的微細な溝G1を精度良く形成できる。   A method for forming the groove in the overcoat layer 34 is not particularly limited, but for example, a photolithography method is preferably used. Thereby, the comparatively fine groove | channel G1 can be formed with sufficient precision.

フォトリソグラフィ法を用いる場合、まず、基材33上に感光性オーバーコート層用塗工液(以下、塗工液と称す)を塗布する。   When the photolithography method is used, first, a photosensitive overcoat layer coating solution (hereinafter referred to as a coating solution) is applied onto the substrate 33.

次に、基材33上に塗布された塗工液を加熱(プリベイク)し、これによって、塗工液中の溶剤を除去する。この結果、基板33上にオーバーコート層用材料が得られる。ネガ型およびポジ型のいずれのオーバーコート層用材料も使用され得るが、ここではネガ型を用いた一例について説明する。   Next, the coating liquid applied on the substrate 33 is heated (prebaked), thereby removing the solvent in the coating liquid. As a result, an overcoat layer material is obtained on the substrate 33. Any of the negative-type and positive-type overcoat layer materials can be used. Here, an example using the negative type will be described.

次に、露光マスクを介して、オーバーコート層用材料を露光する。
次に、露光されたオーバーコート層用材料を現像液により現像し、これによって、オーバーコート層用材料のうち露光光が照射されなかった部分を現像液中に溶解させる。
Next, the overcoat layer material is exposed through an exposure mask.
Next, the exposed overcoat layer material is developed with a developer, whereby the portion of the overcoat layer material that has not been exposed to the exposure light is dissolved in the developer.

最後に、基材33上に残っているオーバーコート層用材料、即ち現像されたオーバーコート層用材料を焼成する。これによって、図4(a)に示すように、オーバーコート層34に、オーバーコート層34を貫通して基材33に達する溝G1が形成される。   Finally, the overcoat layer material remaining on the substrate 33, that is, the developed overcoat layer material is fired. As a result, as shown in FIG. 4A, a groove G <b> 1 that penetrates the overcoat layer 34 and reaches the base material 33 is formed in the overcoat layer 34.

〔金属膜形成工程〕
次に、図4(b)に示すように、スパッタ等の方法を用いて、溝G1が形成された側の基板32の表面に金属膜40を形成する。即ち、溝G1内と、隣り合う溝G1,G1間の基板32上(即ちオーバーコート層34上)とに金属膜40を形成する。従って、金属膜40は、溝G1内に埋め込まれた金属膜40aと、オーバーコート層34上に配置された金属膜40bと、を有する。金属膜40には、溝G1に対応する位置に溝G2が形成される。ここで、金属膜40の厚みが溝G1の深さより小さくなるように金属膜40を形成する。
[Metal film forming process]
Next, as shown in FIG. 4B, a metal film 40 is formed on the surface of the substrate 32 on the side where the groove G1 is formed using a method such as sputtering. That is, the metal film 40 is formed in the groove G1 and on the substrate 32 (that is, on the overcoat layer 34) between the adjacent grooves G1 and G1. Therefore, the metal film 40 includes the metal film 40a embedded in the groove G1 and the metal film 40b disposed on the overcoat layer 34. A groove G2 is formed in the metal film 40 at a position corresponding to the groove G1. Here, the metal film 40 is formed so that the thickness of the metal film 40 is smaller than the depth of the groove G1.

〔レジスト層形成工程〕
次に、図4(c)に示すように、フォトリソグラフィ法を用いて、溝G1内に形成された金属膜40a上に選択的にレジスト層50を形成する。即ち、金属膜40の溝G2内に選択的にレジスト層50を形成する。
[Resist layer forming step]
Next, as shown in FIG. 4C, a resist layer 50 is selectively formed on the metal film 40a formed in the groove G1, using a photolithography method. That is, the resist layer 50 is selectively formed in the groove G2 of the metal film 40.

具体的には、まず、金属膜40を覆う様に感光性レジスト材料を塗布して、硬化させる。ネガ型およびポジ型のいずれの感光性レジスト材料も使用され得るが、ここではポジ型を用いた一例について説明する。   Specifically, first, a photosensitive resist material is applied and cured so as to cover the metal film 40. Although both negative and positive photosensitive resist materials can be used, an example using the positive type will be described here.

次に、オーバーコート層34に対応する位置、即ち金属膜40bに対応する位置に開口を有する露光マスクを介して、感光性レジスト材料を露光する。   Next, the photosensitive resist material is exposed through an exposure mask having an opening at a position corresponding to the overcoat layer 34, that is, a position corresponding to the metal film 40b.

次に、露光された感光性レジスト材料を現像液により現像し、これによって、感光性レジスト材料のうち露光光が照射された部分を現像液中に溶解させる。よって、オーバーコート層34の上方、即ち金属膜40b上の感光性レジスト材料は除去され、金属膜40の溝G2内の感光性レジスト材料が残存する。最後に、焼成等の必要な処理を行い、金属膜40の溝G2内にレジスト層50が形成される。   Next, the exposed photosensitive resist material is developed with a developer, and thereby the portion of the photosensitive resist material that has been exposed to the exposure light is dissolved in the developer. Therefore, the photosensitive resist material above the overcoat layer 34, that is, on the metal film 40b is removed, and the photosensitive resist material in the groove G2 of the metal film 40 remains. Finally, necessary processing such as baking is performed, and the resist layer 50 is formed in the groove G <b> 2 of the metal film 40.

ここで、前述のように、金属膜40の厚みは溝G1の深さより小さい。そのため、溝G1内の金属膜40aの側面はオーバーコート層34に覆われ、金属膜40aの上面はレジスト層50に覆われるようになる。即ち、金属膜40aは、外方に殆ど露出しないようになる。   Here, as described above, the thickness of the metal film 40 is smaller than the depth of the groove G1. Therefore, the side surface of the metal film 40 a in the groove G 1 is covered with the overcoat layer 34, and the upper surface of the metal film 40 a is covered with the resist layer 50. That is, the metal film 40a is hardly exposed to the outside.

〔エッチング工程〕
次に、図4(d)に示すように、レジスト層50をマスクとして金属膜40をエッチングする。金属膜40のうち、金属膜40bはレジスト層50から露出しており、一方、金属膜40aはレジスト層50に覆われている。従って、金属膜40bはエッチングされるが、金属膜40aはエッチングされ難い。最終的には、金属膜40bは、エッチング液に溶解して除去され、金属膜40aが残存する。
[Etching process]
Next, as shown in FIG. 4D, the metal film 40 is etched using the resist layer 50 as a mask. Of the metal film 40, the metal film 40 b is exposed from the resist layer 50, while the metal film 40 a is covered with the resist layer 50. Therefore, the metal film 40b is etched, but the metal film 40a is hardly etched. Eventually, the metal film 40b is dissolved and removed in the etching solution, and the metal film 40a remains.

〔剥離工程〕
最後に、レジスト層50を剥離する。これにより、図4(e)に示すように、基板32の複数の溝G1内に金属層41(第2引き出し配線49a)が形成される。
[Peeling process]
Finally, the resist layer 50 is peeled off. As a result, as shown in FIG. 4E, the metal layer 41 (second lead wiring 49a) is formed in the plurality of grooves G1 of the substrate 32.

以上で説明したように、本実施形態によれば、基板32の溝G1内に金属膜40aを形成し、溝G1内の金属膜40a上にレジスト層50を形成している。従って、溝G1内の金属膜40aはレジスト層50で覆われている。そのため、隣り合う溝G1,G1間のオーバーコート層34上の不要な金属膜40bをエッチングする際に、溝G1内の金属膜40aはエッチングされ難い。   As described above, according to the present embodiment, the metal film 40a is formed in the groove G1 of the substrate 32, and the resist layer 50 is formed on the metal film 40a in the groove G1. Therefore, the metal film 40a in the groove G1 is covered with the resist layer 50. Therefore, when etching the unnecessary metal film 40b on the overcoat layer 34 between the adjacent grooves G1 and G1, the metal film 40a in the groove G1 is difficult to be etched.

また、レジスト層50の下方の角とオーバーコート層34の上方の角との間に隙間があったとしても、溝G1内の金属膜40aは、オーバーコート層34上の不要な金属膜40bより深い位置にあるため、エッチング液が溝G1内の金属膜40aに到達する前に不要な金属膜40bをエッチングして除去できる。そのため、このような場合にも溝G1内の金属膜40aはエッチングされ難い。   Even if there is a gap between the lower corner of the resist layer 50 and the upper corner of the overcoat layer 34, the metal film 40a in the groove G1 is more than the unnecessary metal film 40b on the overcoat layer 34. Because of the deep position, the unnecessary metal film 40b can be etched and removed before the etching solution reaches the metal film 40a in the groove G1. Therefore, even in such a case, the metal film 40a in the groove G1 is difficult to be etched.

以上から、サイドエッチングを抑制できる。従って、断面形状が矩形に近く、目標配線幅に近い幅の金属層41を形成できるため、金属層41の抵抗値が上昇すること、及び、金属層41の一部が欠落することを抑制できる。   From the above, side etching can be suppressed. Accordingly, since the metal layer 41 having a cross-sectional shape close to a rectangle and a width close to the target wiring width can be formed, it is possible to suppress an increase in the resistance value of the metal layer 41 and a loss of a part of the metal layer 41. .

また、金属層41は溝G1に埋め込まれ、隣り合う金属層41,41間にオーバーコート層34が介在しているので、エレクトロマイグレーションを抑制できる。従って、隣り合う金属層41,41の間隔が狭くなっても、隣り合う金属層41,41同士のショートを抑制できる。
このように、信頼性を確保した上で、金属パターンをより細線化できる。
Moreover, since the metal layer 41 is embedded in the groove G1 and the overcoat layer 34 is interposed between the adjacent metal layers 41, 41, electromigration can be suppressed. Therefore, even if the interval between the adjacent metal layers 41 and 41 is narrowed, a short circuit between the adjacent metal layers 41 and 41 can be suppressed.
In this way, the metal pattern can be made finer while ensuring reliability.

従って、タッチパネルセンサ30において、非アクティブエリアAa2の幅をより狭くすることができる。これにより、タッチパネルセンサ30の面積を変更せずに、アクティブエリアAa1の面積を相対的に大きくすることができ、タッチ位置検出機能付き表示装置10の表示性能を高めることができる。   Therefore, in the touch panel sensor 30, the width of the inactive area Aa2 can be made narrower. Thereby, the area of the active area Aa1 can be relatively increased without changing the area of the touch panel sensor 30, and the display performance of the display device 10 with a touch position detection function can be improved.

なお、第1引き出し配線44aと第2引き出し配線49aの少なくとも一部が溝G1に埋め込まれた金属層41から構成されていてもよい。この場合、第1引き出し配線44aが密集している部分において、第1引き出し配線44aは溝G1に埋め込まれた金属層41から構成されていてもよい。第2引き出し配線49aについても同様である。   Note that at least a part of the first lead-out wiring 44a and the second lead-out wiring 49a may be composed of the metal layer 41 embedded in the groove G1. In this case, in the portion where the first lead wirings 44a are densely packed, the first lead wirings 44a may be composed of the metal layer 41 embedded in the groove G1. The same applies to the second lead wiring 49a.

また、基材33と、オーバーコート層34及び金属膜40aとの間などに、追加の機能層が設けられていてもよい。   Further, an additional functional layer may be provided between the base material 33 and the overcoat layer 34 and the metal film 40a.

また、以上の説明では、溝G1に埋め込まれた金属層41が第1及び第2引き出し配線44a,49aとして用いられる一例について説明したが、これに限らない。例えば、第1及び第2検出パターン42,46が、網目状に配置された導線によって構成される場合、溝G1に埋め込まれた金属層41が、第1及び第2検出パターン42,46を構成する導線として用いられてもよい。   In the above description, an example in which the metal layer 41 embedded in the groove G1 is used as the first and second lead wirings 44a and 49a has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, when the first and second detection patterns 42 and 46 are configured by conductive wires arranged in a mesh pattern, the metal layer 41 embedded in the groove G1 configures the first and second detection patterns 42 and 46. It may be used as a conducting wire.

さらに、金属パターン基板の一例としてタッチパネルセンサ30について説明したが、これに限らない。金属パターン基板は、タッチパネルセンサ30以外にも適用することができる。例えば、溝G1及び金属層41を網目状に設け、半透明膜として機能する金属パターン基板を形成してもよい。この場合、本実施形態によれば、目標配線幅に近い幅の細線化した金属層41を形成でき、金属層41の一部が欠落することを抑制できる。従って、金属パターン基板の面内の位置によらず一様な幅の金属層41を形成できるので、面内の位置によらず一様な透過率を得ることができる。このように、金属層41は、電圧が印加される配線として用いられず、電圧が印加されない単なる金属パターンとして用いられてもよい。   Furthermore, although the touch panel sensor 30 was demonstrated as an example of a metal pattern board | substrate, it is not restricted to this. The metal pattern substrate can be applied to other than the touch panel sensor 30. For example, the groove G1 and the metal layer 41 may be provided in a mesh shape to form a metal pattern substrate that functions as a translucent film. In this case, according to the present embodiment, the thinned metal layer 41 having a width close to the target wiring width can be formed, and the loss of a part of the metal layer 41 can be suppressed. Therefore, since the metal layer 41 having a uniform width can be formed regardless of the position in the plane of the metal pattern substrate, a uniform transmittance can be obtained regardless of the position in the plane. As described above, the metal layer 41 may not be used as a wiring to which a voltage is applied, but may be used as a simple metal pattern to which no voltage is applied.

(第2の実施形態)
第2の実施形態では、溝G1がオーバーコート層34を貫通していない点において第1の実施形態と異なる。以下では、第1の実施形態との相違点を中心に説明する。
(Second Embodiment)
The second embodiment is different from the first embodiment in that the groove G1 does not penetrate the overcoat layer 34. Below, it demonstrates centering around difference with 1st Embodiment.

図5(a)〜(e)は、第2の実施形態に係るタッチパネルセンサ30の製造方法を説明する図である。図5(a)〜(e)は、図4(a)〜(e)に対応する。   5A to 5E are views for explaining a method for manufacturing the touch panel sensor 30 according to the second embodiment. FIGS. 5A to 5E correspond to FIGS. 4A to 4E.

〔溝形成工程〕
最初に、図5(a)に示すように、基板32Aの表面に所定パターンの複数の溝G1を形成する。具体的には、基板32Aのオーバーコート層34Aの表面に溝G1を形成する。即ち、溝G1と基材33との間には、薄いオーバーコート層34Aが存在している。
[Groove formation process]
First, as shown in FIG. 5A, a plurality of grooves G1 having a predetermined pattern are formed on the surface of the substrate 32A. Specifically, the groove G1 is formed on the surface of the overcoat layer 34A of the substrate 32A. That is, a thin overcoat layer 34 </ b> A exists between the groove G <b> 1 and the base material 33.

オーバーコート層34Aに溝G1を形成する方法は特に限られないが、例えば、フォトリソグラフィ法を用いることが好ましい。本実施形態では、露光マスクとしてハーフトーンマスクなどの多階調マスクを用い、オーバーコート層用材料を露光する点において、第1の実施形態と異なる。これにより、溝G1が形成される領域と、溝G1が形成されない領域とにおいて露光量を異ならせることができる。そのため、現像により、図5(a)に示すように、溝G1と基材33との間に薄いオーバーコート層34Aを残すようにして、オーバーコート層34Aの表面に溝G1が形成される。   The method for forming the groove G1 in the overcoat layer 34A is not particularly limited, but for example, it is preferable to use a photolithography method. The present embodiment is different from the first embodiment in that a multi-tone mask such as a halftone mask is used as an exposure mask and the overcoat layer material is exposed. Thereby, the exposure amount can be made different between the region where the groove G1 is formed and the region where the groove G1 is not formed. Therefore, as shown in FIG. 5A, the groove G1 is formed on the surface of the overcoat layer 34A by leaving the thin overcoat layer 34A between the groove G1 and the base material 33 by development.

以降の金属膜形成工程(図5(b))、レジスト層形成工程(図5(c))、エッチング工程(図5(d))及び剥離工程は、第1の実施形態と同一である。これにより、図5(e)に示すように、基板32Aの複数の溝G1内に金属層41が形成される。金属層41と基材33との間には、薄いオーバーコート層34Aが介在している。   The subsequent metal film forming step (FIG. 5B), resist layer forming step (FIG. 5C), etching step (FIG. 5D), and peeling step are the same as those in the first embodiment. Thereby, as shown in FIG. 5E, the metal layer 41 is formed in the plurality of grooves G1 of the substrate 32A. A thin overcoat layer 34 </ b> A is interposed between the metal layer 41 and the base material 33.

このような構成により、本実施形態によれば、金属層41と基材33との密着性を第1の実施形態よりも向上できる。また、第1の実施形態と同様の効果も得られる。   With such a configuration, according to the present embodiment, the adhesion between the metal layer 41 and the base material 33 can be improved as compared with the first embodiment. Moreover, the same effect as 1st Embodiment is also acquired.

なお、製造コストについては、ハーフトーンマスクを用いない第1の実施形態の方が第2の実施形態より低い。   The manufacturing cost of the first embodiment that does not use a halftone mask is lower than that of the second embodiment.

(第3の実施形態)
第3の実施形態は、型転写によって溝G1を形成する。以下では、第1の実施形態との相違点を中心に説明する。
(Third embodiment)
In the third embodiment, the groove G1 is formed by mold transfer. Below, it demonstrates centering around difference with 1st Embodiment.

図6(a)〜(e)は、第3の実施形態に係るタッチパネルセンサ30の製造方法を説明する図である。図6(a)〜(e)は、図4(a)〜(e)に対応する。   6A to 6E are views for explaining a method for manufacturing the touch panel sensor 30 according to the third embodiment. 6A to 6E correspond to FIGS. 4A to 4E.

〔溝形成工程〕
基板32Bは、例えば樹脂等で構成され、可塑性を有する。基板32Bは、フィルムの形態であってもよい。まず、図6(a)に示すように、基板32Bの表面に、形成されるべき溝G1のパターンに対応した凹凸パターンを有するモールド(型)60を押し当てる。これにより、基板32Bの表面形状は、モールド60の凹凸パターンに対応したものになる。基板32Bが樹脂で構成されている場合、モールド60を押し当てる前に基板32Bを加熱して軟化させておく。
[Groove formation process]
The substrate 32B is made of, for example, a resin and has plasticity. The substrate 32B may be in the form of a film. First, as shown in FIG. 6A, a mold 60 having a concavo-convex pattern corresponding to the pattern of the groove G1 to be formed is pressed against the surface of the substrate 32B. Thereby, the surface shape of the substrate 32 </ b> B corresponds to the uneven pattern of the mold 60. When the board | substrate 32B is comprised with resin, before pressing the mold 60, the board | substrate 32B is heated and softened.

次に、基板32Bからモールド60を取り外す。これにより、基板32Bの表面に所定パターンの複数の溝G1が形成される。   Next, the mold 60 is removed from the substrate 32B. As a result, a plurality of grooves G1 having a predetermined pattern are formed on the surface of the substrate 32B.

モールド60の材料としては、例えば、石英ガラスなどのガラス、又は、タンタルなどの金属を挙げることができる。   Examples of the material of the mold 60 include glass such as quartz glass or metal such as tantalum.

以降の金属膜形成工程(図6(b))、レジスト層形成工程(図6(c))、エッチング工程(図6(d))及び剥離工程は、第1の実施形態と同一である。但し、金属膜形成工程に先立ち、基板32Bの溝G1が形成されていない面に、ガラスキャリア70を貼り付けておくことが好ましい。これにより、基板32Bがフィルムの形態であって、柔軟性を有していても、金属膜形成工程、レジスト層形成工程及びエッチング工程を容易に実行することができる。ガラスキャリア70は、剥離工程において除去する。   The subsequent metal film forming step (FIG. 6B), resist layer forming step (FIG. 6C), etching step (FIG. 6D), and peeling step are the same as in the first embodiment. However, prior to the metal film forming step, it is preferable to attach the glass carrier 70 to the surface of the substrate 32B where the groove G1 is not formed. Thereby, even if the board | substrate 32B is a form of a film and it has a softness | flexibility, a metal film formation process, a resist layer formation process, and an etching process can be performed easily. The glass carrier 70 is removed in the peeling process.

これにより、図6(e)に示すように、基板32Bの複数の溝G1内に金属層41が形成される。   Thereby, as shown in FIG. 6E, the metal layer 41 is formed in the plurality of grooves G1 of the substrate 32B.

従って、本実施形態においても、第1の実施形態の効果が得られる。但し、本実施形態では、複数の基板32Bを形成するために溝形成工程を複数回繰り返した後、基板32Bの樹脂がモールド60に付着する可能性があるため、モールド60を新たなものに交換する必要がある。また、溝形成工程において、基板32Bからモールド60を取り外す工程も必要になる。そのため、本実施形態では、第1の実施形態と比較して製造コストが増加する可能性がある。   Therefore, also in this embodiment, the effect of the first embodiment can be obtained. However, in this embodiment, after the groove forming process is repeated a plurality of times in order to form a plurality of substrates 32B, the resin of the substrate 32B may adhere to the mold 60, so the mold 60 is replaced with a new one. There is a need to. In the groove forming step, a step of removing the mold 60 from the substrate 32B is also required. Therefore, in this embodiment, there is a possibility that the manufacturing cost is increased as compared with the first embodiment.

[モールドの作製方法]
モールド60の作製方法は、特に限られないが、以下に一例を説明する。
図7(a)〜(d)は、モールド60の作製方法を説明する図である。まず、図7(a)に示すように、ガラス基板61上にアクリル樹脂を塗布して、アクリル樹脂層62を形成する。アクリル樹脂としては、例えば、PMMA樹脂を用いることができる。
[Mold manufacturing method]
Although the manufacturing method of the mold 60 is not particularly limited, an example will be described below.
7A to 7D are views for explaining a method for producing the mold 60. FIG. First, as shown in FIG. 7A, an acrylic resin is applied on a glass substrate 61 to form an acrylic resin layer 62. As the acrylic resin, for example, PMMA resin can be used.

次に、図7(b)に示すように、アクリル樹脂層62を加熱して軟化させた後、マスターモールド80をアクリル樹脂層62に押し当てる。マスターモールド80は、例えば、石英ガラスなどのガラスから構成されてもよい。   Next, as shown in FIG. 7B, after the acrylic resin layer 62 is heated and softened, the master mold 80 is pressed against the acrylic resin layer 62. The master mold 80 may be made of glass such as quartz glass, for example.

これにより、図7(c)に示すように、マスターモールド80の凹凸パターンがアクリル樹脂層62に転写される。その後、アクリル樹脂層62を冷却して固化させ、マスターモールド80を取り外す。   Thereby, as shown in FIG. 7C, the concave / convex pattern of the master mold 80 is transferred to the acrylic resin layer 62. Thereafter, the acrylic resin layer 62 is cooled and solidified, and the master mold 80 is removed.

次に、図7(d)に示すように、アクリル樹脂層62をマスクとして、ガラス基板61をエッチングする。これにより、マスターモールド80の凹凸パターンに応じた凹凸パターンがガラス基板61に形成される。最後に、アクリル樹脂層62を除去することにより、モールド60を得ることができる。   Next, as shown in FIG. 7D, the glass substrate 61 is etched using the acrylic resin layer 62 as a mask. Thereby, a concavo-convex pattern corresponding to the concavo-convex pattern of the master mold 80 is formed on the glass substrate 61. Finally, the mold 60 can be obtained by removing the acrylic resin layer 62.

[マスターモールドの作製方法]
マスターモールド80の作製方法も、特に限られないが、以下に一例を説明する。
[Manufacturing method of master mold]
A method for producing the master mold 80 is not particularly limited, but an example will be described below.

図8(a)〜(g)は、マスターモールド80の作製方法を説明する図である。まず、図8(a)に示すように、ガラス基板81上に樹脂層82を形成し、樹脂層82上に電子線レジスト層83を形成する。   FIGS. 8A to 8G are views for explaining a method for producing the master mold 80. First, as shown in FIG. 8A, a resin layer 82 is formed on a glass substrate 81, and an electron beam resist layer 83 is formed on the resin layer 82.

次に、図8(b)に示すように、電子線レジスト層83に対して電子ビームを照射して、電子線レジスト層83を所定のパターンに加工する。これにより、光を用いたフォトリソグラフィ法よりも微細なパターンを形成することができる。   Next, as shown in FIG. 8B, the electron beam resist layer 83 is irradiated with an electron beam to process the electron beam resist layer 83 into a predetermined pattern. Thereby, a finer pattern can be formed than the photolithography method using light.

次に、図8(c)に示すように、パターニングされた電子線レジスト層83をマスクとして樹脂層82をエッチングする。   Next, as shown in FIG. 8C, the resin layer 82 is etched using the patterned electron beam resist layer 83 as a mask.

次に、図8(d)に示すように、電子線レジスト層83の上方からクロム等をめっきすることにより、金属層84を形成する。金属層84は、電子線レジスト層83上と、露出していたガラス基板81の表面とに形成される。   Next, as shown in FIG. 8D, a metal layer 84 is formed by plating chromium or the like from above the electron beam resist layer 83. The metal layer 84 is formed on the electron beam resist layer 83 and the exposed surface of the glass substrate 81.

次に、図8(e)に示すように、樹脂層82を溶かすことにより、樹脂層82と、電子線レジスト83と、電子線レジスト層83上の金属層84と、を除去する(リフトオフ)。これにより、ガラス基板81の表面上の金属層84が残存する。   Next, as shown in FIG. 8E, the resin layer 82, the electron beam resist 83, and the metal layer 84 on the electron beam resist layer 83 are removed by dissolving the resin layer 82 (lift-off). . Thereby, the metal layer 84 on the surface of the glass substrate 81 remains.

次に、図8(f)に示すように、金属層84をマスクとしてガラス基板81をエッチングする。   Next, as shown in FIG. 8F, the glass substrate 81 is etched using the metal layer 84 as a mask.

最後に、図8(g)に示すように、金属層84を除去して、マスターモールド80を得る。   Finally, as shown in FIG. 8G, the metal layer 84 is removed to obtain the master mold 80.

なお、本実施形態の型転写に代えて、例えば、エキシマレーザー等のレーザーを基板32Bの表面に照射することにより、レーザーが照射された部分を溶解させて、溝G1を形成するようにしてもよい。   In place of the mold transfer of this embodiment, for example, the surface of the substrate 32B is irradiated with a laser such as an excimer laser, so that the portion irradiated with the laser is dissolved to form the groove G1. Good.

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。   As mentioned above, although some embodiment of this invention was described, these embodiment is shown as an example and is not intending limiting the range of invention. These embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and their modifications are included in the scope and gist of the invention, and are also included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

10 タッチ位置検出機能付き表示装置
15 表示装置
A1 アクティブエリア
A2 非アクティブエリア(額縁領域)
30 タッチパネルセンサ(金属パターン基板)
32,32A,32B 基板
33 基材
34,34A オーバーコート層
G1 溝
40,40a,40b 金属膜
41 金属層
42 第1検出パターン(検出パターン)
44a 第1引き出し配線(金属層)
44b 第1端子部
46 第2検出パターン(検出パターン)
49a 第2引き出し配線(金属層)
49b 第2端子部
50 レジスト層
60 モールド(型)
70 ガラスキャリア
80 マスターモールド
10 Display Device with Touch Position Detection Function 15 Display Device A1 Active Area A2 Inactive Area (Frame Area)
30 Touch panel sensor (Metal pattern substrate)
32, 32A, 32B Substrate 33 Base material 34, 34A Overcoat layer G1 Grooves 40, 40a, 40b Metal film 41 Metal layer 42 First detection pattern (detection pattern)
44a First lead wiring (metal layer)
44b 1st terminal part 46 2nd detection pattern (detection pattern)
49a Second lead-out wiring (metal layer)
49b Second terminal portion 50 Resist layer 60 Mold
70 Glass carrier 80 Master mold

Claims (11)

基板の表面に所定パターンの複数の溝を形成する溝形成工程と、
前記溝内と、隣り合う溝間の前記基板上とに金属膜を形成する金属膜形成工程と、
前記溝内に形成された前記金属膜上にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
前記レジスト層をマスクとして前記金属膜をエッチングするエッチング工程と、
前記レジスト層を剥離する剥離工程と、
を備える、金属パターン基板の製造方法。
A groove forming step of forming a plurality of grooves of a predetermined pattern on the surface of the substrate;
A metal film forming step of forming a metal film in the groove and on the substrate between adjacent grooves;
A resist layer forming step of forming a resist layer on the metal film formed in the groove;
An etching step of etching the metal film using the resist layer as a mask;
A peeling step of peeling the resist layer;
A method of manufacturing a metal pattern substrate.
前記金属膜形成工程において、前記金属膜の厚みが前記溝の深さより小さくなるように前記金属膜を形成する、請求項1に記載の金属パターン基板の製造方法。   2. The method of manufacturing a metal pattern substrate according to claim 1, wherein in the metal film formation step, the metal film is formed such that a thickness of the metal film is smaller than a depth of the groove. 前記溝形成工程は、
基材上にオーバーコート層を形成して前記基板を得る工程と、
前記オーバーコート層に前記溝を形成する工程と、
を有する、請求項1又は請求項2に記載の金属パターン基板の製造方法。
The groove forming step includes
Forming an overcoat layer on a substrate to obtain the substrate;
Forming the groove in the overcoat layer;
The manufacturing method of the metal pattern board | substrate of Claim 1 or Claim 2 which has these.
前記溝形成工程において、前記オーバーコート層を貫通して前記基材に達する前記溝を形成する、請求項3に記載の金属パターン基板。   4. The metal pattern substrate according to claim 3, wherein in the groove forming step, the groove reaching the base material through the overcoat layer is formed. 5. 前記基板は可塑性を有し、
前記溝形成工程は、
前記基板の表面に、前記所定パターンに対応した凹凸パターンを有する型を押し当てる工程と、
前記基板から前記型を取り外す工程と、
を有する、請求項1又は請求項2に記載の金属パターン基板の製造方法。
The substrate has plasticity;
The groove forming step includes
Pressing a mold having a concavo-convex pattern corresponding to the predetermined pattern on the surface of the substrate;
Removing the mold from the substrate;
The manufacturing method of the metal pattern board | substrate of Claim 1 or Claim 2 which has these.
表面に所定パターンの複数の溝を有する基板と、
前記溝に埋め込まれた金属層と、
を備える金属パターン基板。
A substrate having a plurality of grooves of a predetermined pattern on the surface;
A metal layer embedded in the groove;
A metal pattern substrate comprising:
前記金属層の厚みは、前記溝の深さより小さい、請求項6に記載の金属パターン基板。   The metal pattern substrate according to claim 6, wherein a thickness of the metal layer is smaller than a depth of the groove. 前記基板は、
基材と、
前記基材上に設けられ、表面に前記溝を有するオーバーコート層と、
を有する、請求項6又は請求項7に記載の金属パターン基板。
The substrate is
A substrate;
An overcoat layer provided on the substrate and having the groove on the surface;
The metal pattern board | substrate of Claim 6 or Claim 7 which has these.
前記溝は、前記オーバーコート層を貫通して前記基材に達している、請求項8に記載の金属パターン基板。   The metal pattern substrate according to claim 8, wherein the groove penetrates the overcoat layer and reaches the base material. 表示装置と、
前記表示装置の表示面側に配置されたタッチパネルセンサと、を備え、
前記タッチパネルセンサは、
表面に所定パターンの溝を有する基板と、
前記溝に埋め込まれた金属層と、
を有する、タッチ位置検出機能付き表示装置。
A display device;
A touch panel sensor disposed on the display surface side of the display device,
The touch panel sensor
A substrate having a predetermined pattern of grooves on the surface;
A metal layer embedded in the groove;
A display device with a touch position detection function.
前記タッチパネルセンサは、前記基板上のアクティブエリアに設けられた検出パターンを有し、
前記溝及び前記金属層は、前記アクティブエリアの周辺に位置する非アクティブエリアに設けられ、
前記金属層は、前記検出パターンに接続され、引き出し配線として機能する、請求項10に記載のタッチ位置検出機能付き表示装置。
The touch panel sensor has a detection pattern provided in an active area on the substrate,
The groove and the metal layer are provided in an inactive area located around the active area,
The display device with a touch position detection function according to claim 10, wherein the metal layer is connected to the detection pattern and functions as a lead wiring.
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