JP2016048722A - フレックスリジッド配線板及び半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】リジッド部の表側と裏側に実装される電子部品同士を高密度に接続することが可能なフレックスリジッド配線板及び半導体モジュールの提供を目的とする。
【解決手段】本発明のフレックスリジッド配線板10は、可撓性基材15と、厚さ方向から見たときに可撓性基材15を挟むように配置される非可撓性基材30と、可撓性基材15及び非可撓性基材30の表裏の両面に積層されて主リジッド部12A及び副リジッド部12Bを形成すると共に、可撓性基材15の一部をフレックス部11として露出させるビルドアップ層50F,50Sと、主リジッド部12Aの表裏の両面に形成されて、グリッド状に配列される電子部品実装用の複数の実装パッド41F,41Sと、を有し、可撓性基材15の主リジッド部12A側の端部が、主リジッド部12Aを厚さ方向から見たときに、複数の実装パッド41F,41Sの配列領域R1の外側に配置されている。
【選択図】図1
【解決手段】本発明のフレックスリジッド配線板10は、可撓性基材15と、厚さ方向から見たときに可撓性基材15を挟むように配置される非可撓性基材30と、可撓性基材15及び非可撓性基材30の表裏の両面に積層されて主リジッド部12A及び副リジッド部12Bを形成すると共に、可撓性基材15の一部をフレックス部11として露出させるビルドアップ層50F,50Sと、主リジッド部12Aの表裏の両面に形成されて、グリッド状に配列される電子部品実装用の複数の実装パッド41F,41Sと、を有し、可撓性基材15の主リジッド部12A側の端部が、主リジッド部12Aを厚さ方向から見たときに、複数の実装パッド41F,41Sの配列領域R1の外側に配置されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、可撓性を有するフレックス部と、フレックス部の両側に配置されてフレックス部を介して接続される非可撓性のリジッド部と、を備えるフレックスリジッド配線板及びそれを有する半導体モジュールに関する。
従来、この種のフレックスリジッド配線板として、可撓性基材の両側部上に非可撓性基材が積層されて、可撓性基材の中央部によりフレックス部が形成されると共に、可撓性基材の両側部と非可撓性基材とによりリジッド部が形成されるものが知られている(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、上述した従来のフレックスリジッド配線板では、可撓性基材が伸縮しやすいため、リジッド部の表側と裏側に実装される電子部品同士を接続する配線の位置合わせが難しく、それら電子部品同士を高密度に接続することが困難であるという問題が考えられる。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、リジッド部の表側と裏側に実装される電子部品同士を高密度に接続することが可能なフレックスリジッド配線板及びそれを有する半導体モジュールの提供を目的とする。
上記目的を達成するためになされた本発明に係るフレックスリジッド配線板は、可撓性を有するフレックス部と、フレックス部の両側に配置されて、フレックス部を介して接続される非可撓性の主リジッド部及び副リジッド部と、を備えるフレックスリジッド配線板であって、可撓性基材と、厚さ方向から見たときに可撓性基材を挟むように配置される非可撓性基材と、可撓性基材及び非可撓性基材の表裏の両面に積層されて主リジッド部及び副リジッド部を形成すると共に、可撓性基材の一部をフレックス部として露出させるビルドアップ層と、主リジッド部における表裏の両面に形成されて、グリッド状に配列される電子部品実装用の複数の実装パッドと、を有し、可撓性基材の主リジッド部側の端部が、主リジッド部を厚さ方向から見たときに、複数の実装パッドの配列領域の外側に配置されている。
以下、本発明の一実施形態を図1〜図13に基づいて説明する。本実施形態のフレックスリジッド配線板10は、可撓性基材15と、厚さ方向から見たときに可撓性基材15を挟むように配置される非可撓性基材30,30とを備えている。可撓性基材15及び非可撓性基材30,30の表裏の両面には、非可撓性基材30と同じ材質のビルドアップ層50F,50Sが積層されている。
ビルドアップ層50F,50Sは、可撓性基材15の両側部を覆い、可撓性基材15の中央部を露出させる。そして、可撓性基材15の露出部分によって、可撓性を有するフレックス部11が形成され、フレックス部11の両側に、非可撓性基材30とビルドアップ層50F,50Sとを含む主リジッド部12A及び副リジッド部12Bが形成される。主リジッド部12Aと副リジッド部12Bとは、フレックス部11を介して折り曲げ可能に接続される。なお、可撓性基材15の両側部は、主リジッド部12A及び副リジッド部12Bに若干入り込んでいる。
可撓性基材15は、例えば、ポリイミドフィルム等の樹脂フィルム25Kの両面に接着層25Aを積層してなる可撓性中間基材25と、可撓性中間基材25の表裏の一方側の面である第1面25F上に形成される第1配線層24Fと、可撓性中間基材25の表裏の他方側の面である第2面25S上に形成される第2配線層24Sと、を備える。第1配線層24F及び第2配線層24Sは、主リジッド部12Aと副リジッド部12Bとを連絡する直線状に複数形成されている(図2参照。同図には、第1配線層24Fのみが示されている。)。なお、第1配線層24Fと第2配線層24Sとは、可撓性中間基材25を貫通するビアを介して接続されていてもよい。
第1配線層24F上には、接着層81Fが形成され、この接着層81F上にカバーレイ(被覆層)80Fが形成されている。カバーレイ80Fは、ソルダーレジスト層84Fにて被覆されている。第2配線層24S上には、接着層81Sが形成され、この接着層81S上にカバーレイ(被覆層)80Sが形成されている。カバーレイ80Sは、ソルダーレジスト層84Sにて被覆されている。なお、カバーレイ80F,80Sは、ポリイミド等の絶縁膜から構成されている。
非可撓性基材30は、非可撓性中間基材31と、非可撓性中間基材31の表裏の一方側の面である第1面31F上に形成されている第1中間導体層32Fと、非可撓性中間基材31の表裏の他方側の面である第2面31S上に形成されている第2中間導体層32Sと、を有する。第1中間導体層32Fと第2中間導体層32Sとは、非可撓性中間基材31を貫通するビア導体33を介して接続されている。非可撓性中間基板31は、絶縁性材料で構成され、例えば、プリプレグ(心材を樹脂含浸してなるBステージの樹脂シート)からなる。
第1中間導体層32F上には、ビルドアップ絶縁層51F,57F,63Fと、ビルドアップ導体層53Fと、が交互に積層されている。また、第2中間導体層32S上には、ビルドアップ絶縁層51S,57S,63Sと、ビルドアップ導体層53Sと、が交互に積層されている。そして、ビルドアップ絶縁層51F,57F,63Fとビルドアップ導体層53Fとによって上述のビルドアップ層50Fが形成され、ビルドアップ絶縁層51S,57S,63Sとビルドアップ導体層53Sとによって上述のビルドアップ層50Sが形成されている。
ビルドアップ絶縁層63F,63S上に積層されるビルドアップ導体層53F,53S、即ち、最外のビルドアップ導体層53F,53Sの上には、ソルダーレジスト層67F,67Sが積層されている。ソルダーレジスト層67Fは、フレックスリジッド配線板10の表裏の一方側の第1面10Fを構成し、ソルダーレジスト層67Sは、フレックスリジッド配線板10の表裏の他方側の第2面10Sを構成する。
フレックスリジッド配線板10の第1面10F側のソルダーレジスト層67Fには、最外のビルドアップ導体層53Fの一部を露出させる開口68Fが複数形成されている。そして、それら複数の開口68Fによって、主リジッド部12Aの表裏の一方側の第1面12AFに、最外のビルドアップ導体層53Fの一部を露出させてなる電子部品実装用の実装パッド41Fが複数形成され、副リジッド部12Bの表裏の一方側の第1面12BFに、最外のビルドアップ導体層53Fの一部を露出させてなる実装パッド43Fが複数形成される。また、フレックスリジッド配線板10の第2面10S側のソルダーレジスト層67Sには、最外のビルドアップ導体層53Sの一部を露出させる開口68Sが複数形成されている。そして、それら複数の開口68Sによって、主リジッド部12Aの表裏の他方側の第2面12ASに、最外のビルドアップ導体層53Sの一部を露出させてなる電子部品実装用の実装パッド41Sが複数形成され、副リジッド部12Bの表裏の他方側の第2面12BSに、最外のビルドアップ導体層53Sの一部を露出させてなる実装パッド43Sが複数形成される。なお、本実施形態では、実装パッド41Fにより本発明の「第1パッド」が構成され、実装パッド41Sにより本発明の「第2パッド」が構成されている。
図2に示すように、主リジッド部12Aの表裏の両面に形成される複数の実装パッド41F,41Sは、グリッド状に配列されている(図2には、実装パッド41Fのみが示されている。)。実装パッド41Fのピッチ及び実装パッド41Sのピッチは、250〜500μmになっている。ここで、上述したように、可撓性基材15の両側部は、主リジッド部12A及び副リジッド部12Bに入り込んでいる(図2では、可撓性基材15の両側部が点線で示されている。)。そして、主リジッド部12Aを厚さ方向から見たときに、可撓性基材15の主リジッド12A側の端部は、実装パッド41Fが配列されている配列領域R1の外側に配置されている。
図1に示すように、フレックスリジッド配線板10の第1面10F側の実装パッド41Fの一部は、可撓性基材15の第1配線層24Fを介して、副リジッド部12Bに接続され、残りの実装パッド41Fが、フレックスリジッド配線板10の第2面10S側の実装パッド41Sに接続される。具体的には、図1及び図2に示すように、実装パッド41Fのうち配列領域R1の外周部に配置される外側パッド41FAが、副リジッド部12Bに接続され、実装パッド41Fのうち外側パッド41FAよりも配列領域R1の内側に配置される内側パッド41FBが、実装パッド41Sに接続される。なお、図2の例では、実装パッド41Fが配列される配列領域R1と、内側パッド41FBが配列される内側領域R2とが、共に、四角形状に示されている。
図1に示すように、外側パッド41FAと第1配線層24Fとの間を接続する配線45は、ビルドアップ導体層53Fの一部に配線パターンを形成することで構成される。図3に示すように、配線45は、内側パッド41FBが配列される内側領域R2の外側に配置されていて、内側パッド41FB同士の間を通らないようになっている。
図1に示すように、実装パッド41Fと実装パッド41Sとは、主リジッド部12の厚さ方向に延びるスタックビア42を介して接続される。スタックビア42は、非可撓性基材30を貫通するビア導体33と、ビルドアップ絶縁層51F,57F,63Fを貫通する複数のビア導体54Fと、ビルドアップ絶縁層51S,57S,63Sを貫通する複数のビア導体54Sと、を直線状に積み重ねて形成されている。
主リジッド部12Aの第1面12AFには、能動部品90が実装され、この能動部品90に実装パッド41Fが接続される。また、主リジッド部12Aの第2面12ASには、受動部品91が実装され、この受動部品91に実装パッド41Sが接続される。そして、図4に示すように、フレックスリジッド配線板10と、能動部品90と、受動部品91とで、本発明に係る半導体モジュール100が形成される。能動部品90は、実装パッド41Fのうち内側パッド41FB(図1参照)を介して、受動部品91に接続されると共に、外側パッド41FA(図1参照)を介して、副リジッド部12Bに接続され、さらに、副リジッド部12B内に形成される配線(図示せず)によって実装パッド43F,43Sに接続される。なお、実装パッド43F,43Sには、コネクタ等の電子部品93が実装されてもよい。能動部品90の例としては、半導体素子やIC等が挙げられるが、本実施形態では、ICである。受動部品91の例としては、チップコンデンサ、インダクタ、抵抗、圧電素子等が挙げられる。
フレックスリジッド配線板10の構造に関する説明は以上である。次に図5〜図13に基づいて、フレックスリジッド配線板10の製造方法について説明する。
フレックスリジッド配線板10は、以下のように製造される。
(1)図5(A)に示すように、絶縁基材21Kの上面に銅箔21Cが積層されたキャリア21が、支持基板23上に積層される。なお、絶縁基材21Kと銅箔21Cとの間、及び、キャリア21(絶縁基材21K)と支持基板23との間には、図示しない接着層が形成され、絶縁基材21Kと銅箔21Cとの間の接着力は、キャリア21(絶縁基材21K)と支持基板23との間の接着力よりも弱くなっている。
(1)図5(A)に示すように、絶縁基材21Kの上面に銅箔21Cが積層されたキャリア21が、支持基板23上に積層される。なお、絶縁基材21Kと銅箔21Cとの間、及び、キャリア21(絶縁基材21K)と支持基板23との間には、図示しない接着層が形成され、絶縁基材21Kと銅箔21Cとの間の接着力は、キャリア21(絶縁基材21K)と支持基板23との間の接着力よりも弱くなっている。
(2)銅箔21C上に、無電解めっき処理、めっきレジスト処理、電解めっき処理が行われて、めっきレジストの非形成部に所定パターンの第1配線層24Fと第1中間導体層32Fとが形成される(図5(B)参照)。このとき、第1中間導体層32Fは、キャリア21の両端部の上に配置され、第1配線層24Fは、キャリア21の中央寄り部分の上に配置される。
(3)図5(C)に示すように、樹脂フィルム25Kの両面に接着層25Aを積層してなる可撓性中間基材25が準備されると共に、非可撓性中間基材31,31が、可撓性中間基材25を受容可能な隙間を空けて配置される。なお、可撓性中間基材25の厚さと非可撓性中間基材31の厚さは略同じになっている。
(4)図6(A)に示すように、キャリア21上に、可撓性中間基材25が第1面25F側から積層されると共に、非可撓性中間基材31,31が第1面31F側から積層され、さらに、非可撓性中間基材31,31の第2面31S,31S上と、可撓性中間基材25の第2面25S上とに銅箔34が積層されて、プレスが行われる。このとき、可撓性中間基材25は、第1配線層24F上に配置され、非可撓性中間基材31,31は、水平方向で可撓性中間基材25を挟むように配置される。また、第1配線層24F及び第1中間導体層32Fは、可撓性中間基材25及び非可撓性中間基材31,31にめり込む。
(5)レーザ加工によって、非可撓性中間基材31,31及び銅箔34に第1中間導体層32Fを露出させる開口35が形成される。そして、無電解めっき処理、めっきレジスト処理、電解めっき処理が行われ、図6(B)に示すように、めっきレジストの非形成部分に第2配線層24S及び第2中間導体層32Sが形成されると共に、開口35内にビア導体33が形成される。なお、第2配線層24Sは、非可撓性中間基材31,31同士を連絡する線状に複数形成され(図2参照)、第2配線層24Sの両端部が非可撓性中間基材31,31の第2面31S,31S上に配置される。
(6)図7(A)に示すように、キャリア21の絶縁基板21Kと、支持基材23とが剥離され、非可撓性中間基材31の第1面31F側に銅箔21Cが露出する。
(7)図7(B)に示すように、エッチング処理によって、銅箔21C及び銅箔34が除去される。このとき、第2配線層24S及び第2中間導体層32Sは、可撓性中間基材25の第2面25S及び非可撓性中間基材31の第2面31Sから突出し、第1配線層24F及び第1中間導体層32Fは、可撓性中間基材25及び非可撓性中間基材31内に埋設される。
(8)第1配線層24Fの中間部に接着層81Fを介してカバーレイ80Fが積層されると共に、第2配線層24Sの中間部に接着層81Sを介してカバーレイ80Sが積層され、さらに、非可撓性中間基材31の第1面31F側と第1配線層24Fの両端部とに、プリプレグからなるビルドアップ絶縁層51Fが積層されると共に、非可撓性中間基材31の第2面31S側と第2配線層24Sの両端部とに、ビルドアップ絶縁層51Sが積層される。そして、ビルドアップ絶縁層51F,51S上に銅箔52F,52Sが積層される(図8(A)参照)。
(9)レーザ加工によって、ビルドアップ絶縁層51Fに、第1配線層24F及び第1中間導体層32Fを露出させる開口55Fが形成されると共に、ビルドアップ絶縁層51Sに、第2中間導体層32Sを露出させる開口55Sが形成され、上記(5)〜(7)の工程と同様にして、ビア導体54F,54Sと、ビルドアップ導体層53F,53Sが形成される(図8(B)参照)。
(10)図9(A)に示すように、カバーレイ80F上にソルダーレジスト層84Fが形成されると共に、ソルダーレジスト層84F上に剥離層86Fが形成され、さらに、カバーレイ80S上にソルダーレジスト層84Sが形成されると共に、ソルダーレジスト層84S上に剥離層86Sが形成される。
(11)図9(B)に示すように、ソルダーレジスト層84F及び剥離層86Fの水平方向両側にビルドアップ絶縁層57Fが形成されると共に、ソルダーレジスト層84S及び剥離層86Sの水平方向両側にビルドアップ絶縁層57Sが形成され、それらビルドアップ絶縁層57F,57S上に銅箔62F,62Sが積層される。
(12)上記(9)の工程と同様にして、ビルドアップ絶縁層57F,57Sに開口55F,55Sが形成されると共に、ビルドアップ絶縁層57F,57Sを貫通するビア導体54F,54Sが形成され、ビルドアップ絶縁層57F,57S上にビルドアップ導体層53F,53Sが形成される。また、剥離層86F,86S上には、端部に銅箔62F,62Sを露出させた状態で剥離用導体61F,61Sが形成される(図10参照)。
(13)ビルドアップ導体層53F,53S上と、剥離用導体61F.61S上とに、ビルドアップ絶縁層63F,63Sと、銅箔64F,64Sが積層される。そして、レーザ加工によって、ビルドアップ絶縁層63F,63Sに、ビルドアップ導体層53F,53Sを露出させる開口55F,55Sが形成されると共に、剥離用導体61F,61Sの外周の銅箔62F,62Sを露出させるスリット66F,66Sが形成される(図11参照)。
(14)上記(9)の工程と同様に、ビルドアップ絶縁層63F,63Sを貫通するビア導体54F,54Sが形成され、ビルドアップ絶縁層63F,63S上にビルドアップ導体層53F,53Sが形成される。また、スリット66F,66Sの底部から剥離層86F,86Sの外側にはみ出す銅箔62F,62Sが除去される(図12参照)。なお、このとき、可撓性中間基材25に対して左右方向の一方側(図12の例では左側)に位置するビア導体33には、複数のビア導体54Fと複数のビア導体54Sとが厚さ方向に重ねて接続され、それらビア導体33,54F,54Sによってスタックビア42が形成される。
(15)図13に示すように、ソルダーレジスト層84F,84S上の剥離層86F,86S及びスリット66F,66Sの内側に位置するビルドアップ絶縁層63S,63Fが除去される。このとき、非可撓性中間基材25、カバーレイ80F,80S及びソルダーレジスト層84F,84Sを備える可撓性基材15の一部が露出し、その露出部分によってフレックス部11が形成される。
(16)ビルドアップ絶縁層63F,63S上にソルダーレジスト層67F,67S(図1参照)が形成されて、フレックス部11に対して左右方向の一方側に、スタックビア42を有する主リジッド部12Aが形成されると共に、フレックス部11を挟んで主リジッド部12Aと反対側に、副リジッド部12Bが形成される。そして、ソルダーレジスト層67F,67Sに開口68F,68Sが形成されて、主リジッド部12Aにおける最外のビルドアップ導体層53F,53Sの一部が第1パッド41F及び第2パッド41Sとして露出し、副リジッド部12Bにおける最外のビルドアップ導体層53F,53Sの一部が実装パッド43F,43Sとして露出する。以上により、図1に示したフレックスリジッド配線板10が完成する。
本実施形態のフレックスリジッド配線板10の構造及び製造方法に関する説明は以上である。次に、フレックスリジッド配線板10の作用効果について説明する。
本実施形態のフレックスリジッド配線板10によれば、主リジッド部12Aを厚さ方向から見たときに、可撓性基材15が実装パッド41F,41Sの配列領域R1の外側に配置されているので、主リジッド部12Aの表側と裏側に実装される電子部品90,91同士を接続する配線の位置合わせが容易となり、電子部品90,91同士を高密度に接続することが可能となる。しかも、実装パッド41F,41Sがグリッド状に配列されているので、電子部品90,91同士の接続をより高密度にすることが可能となる。
また、本実施形態のフレックスリジッド配線板10では、実装パッド41Fと実装パッド41Sとが、非可撓性基材30を貫通するビア導体33と、ビルドアップ層50F,50Sを貫通するビア導体54F,54Sを重ねて接続してなるスタックビア42を介して接続されているので、第1パッド41Fと第2パッド41Sを接続する配線の距離を短くすることが可能となる。
さらに、本実施形態のフレックスリジッド配線板10では、複数の第1パッド41のうち、副リジッド部12Bに接続される外側パッド41FAは、第1パッド41Fの配列領域R1の外周部に配置され、外側パッド41FAと副リジッド部12Bとの間を接続する配線45は、第2パッド41Sに接続される内側パッド41FBが配列される内側領域R2の外側に配置されているので、内側パッド41FB同士の間を配線45が通らなくなり、複数の内側パッド41FBのピッチを小さくして、内側パッド41FBの高密度化が可能となる。
[他の実施形態]
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
(1)上記実施形態では、実装パッド41F,41Sの配列領域R1及び内側パッド41FBが配列される内側領域R2が四角形状であったが、それら領域R1,R2の形状は、特に限定されることなく、例えば、円形状であっても十字形状であってもよい。また、配列領域R1と内側領域R2とは、異なる形状であってもよい。
(2)上記実施形態では、上記実施例では、可撓性中間基材25と非可撓性中間基材31とをほぼ同一の厚さとしたが、例えば、可撓性中間基材25を非可撓性中間基材31よりも薄くしてもよい。この場合、可撓性中間基材25と、ビルドアップ絶縁層51F,51Sとの間の空隙は、任意の樹脂、例えば、ビルドアップ絶縁層51F,51Sから滲み出た樹脂や、製造時に、高さ調整のために予め挿入される樹脂にて充填される。
(3)上記実施形態の例では、可撓性中間基材25は、ほぼ均一の幅に形成されていたが、フレックス部11を構成する部分(露出する部分)が幅広に形成されてもよい。
(4)上記実施形態では、副リジッド部12Bの表裏の両面に実装パッド43F,43Sが形成されていたが、片面にのみ形成されていてもよい。
(5)上記実施形態のフレックスリジッド配線板10及び半導体モジュール100では、主リジッド部12Aの側方にフレックス部11と副リジッド部12Bを1つずつ備える構成であったが、例えば、図14に示すフレックスリジッド配線板10V及び半導体モジュール100Vのように、フレックス部11と副リジッド部12Bを複数ずつ備える構成であってもよい(図14には、フレックス部11及び副リジッド部12Bを2つずつ備える例が示されている。)。
10,10V フレックスリジッド配線板
11 フレックス部
12A 主リジッド部
12B 副リジッド部
15 可撓性基材
30 非可撓性基材
33 ビア導体
41F 実装パッド(第1パッド)
41S 実装パッド(第2パッド)
42 スタックビア
50 ビルドアップ層
54F,54S ビア導体
90 能動部品
91 受動部品
100,100V 半導体モジュール
R1 配列領域
11 フレックス部
12A 主リジッド部
12B 副リジッド部
15 可撓性基材
30 非可撓性基材
33 ビア導体
41F 実装パッド(第1パッド)
41S 実装パッド(第2パッド)
42 スタックビア
50 ビルドアップ層
54F,54S ビア導体
90 能動部品
91 受動部品
100,100V 半導体モジュール
R1 配列領域
Claims (8)
- 可撓性を有するフレックス部と、
前記フレックス部の両側に配置されて、前記フレックス部を介して接続される主リジッド部及び副リジッド部と、を備えるフレックスリジッド配線板であって、
可撓性基材と、
厚さ方向から見たときに前記可撓性基材を挟むように配置される非可撓性基材と、
前記可撓性基材及び前記非可撓性基材の表裏の両面に積層されて前記主リジッド部及び前記副リジッド部を形成すると共に、前記可撓性基材の一部を前記フレックス部として露出させるビルドアップ層と、
前記主リジッド部における表裏の両面に形成されて、グリッド状に配列される電子部品実装用の複数の実装パッドと、を有し、
前記可撓性基材の前記主リジッド部側の端部が、前記主リジッド部を厚さ方向から見たときに、前記複数の実装パッドの配列領域の外側に配置されている - 請求項1に記載のフレックスリジッド配線板であって、
前記主リジッド部に形成されて、前記非可撓性基材を貫通するビア導体と前記ビルドアップ層を貫通するビア導体とを重ねて接続してなるスタックビアを備え、
前記実装パッドのうち表裏の一方側の面に配置される第1パッドと、前記実装パッドのうち表裏の他方側の面に配置される第2パッドとが、前記スタックビアを介して接続される。 - 請求項2に記載のフレックスリジッド配線板であって、
前記第1パッドが能動部品実装用であり、前記第2パッドが受動部品実装用である。 - 請求項3に記載のフレックスリジッド配線板であって、
前記第1パッドがIC実装用である。 - 請求項3又は4に記載のフレックスリジッド配線板であって、
複数の前記第1パッドは、前記配列領域の外周部に配置され且つ前記フレックス部を介して前記副リジッド部に接続される複数の外側パッドと、前記配列領域のうち前記複数の外側パッドより内側に配置され且つ前記第2パッドに接続される複数の内側パッドと、を有する。 - 請求項5に記載のフレックスリジッド配線板であって、
前記複数の内側パッドが全て前記スタックビアに接続されている。 - 請求項5又は6に記載のフレックスリジッド配線板であって、
前記外側パッドと前記副リジッド部との間を接続する配線は、厚さ方向から見たときに、前記複数の内側パッドが形成される領域の外側に配置されている。 - 請求項3乃至7に記載のフレックスリジッド配線板と、
前記第1パッドに実装される能動部品と、
前記第2パッドに実装される受動部品と、を有する半導体モジュール。
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2014
- 2014-08-27 JP JP2014172946A patent/JP2016048722A/ja active Pending
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