JP2012216495A - 有機発光素子およびこれを備えた表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】開口率を向上させると共に有機層および第２電極の断線を抑制することができる有機発光素子およびこの有機発光素子を備えた表示装置を提供することにある。
【解決手段】第１電極および第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間の、発光層を含む有機層と、前記第１電極の周縁を表面から側面にかけて覆うと共に前記有機層に接する内壁面を有し、前記内壁面に、稜線が前記第１電極の表面に平行な少なくとも一つの角部を有する絶縁膜とを備えた有機発光素子。
【選択図】図３

Description

本技術は、有機層下に素子分離膜としての絶縁膜を有する有機発光素子およびこれを備えた表示装置に関する。

近年、フラットパネルディスプレイの一つとして、有機発光素子を用いた有機発光ディスプレイが注目されている。有機発光ディスプレイは、バックライトが不要なため薄型化・軽量化が可能となる。また、自発光型であるため視野角が広く、消費電力が低いという特性を有し、更に、高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものと考えられており、実用化に向けて開発が進められている。

有機発光素子の構成としては、例えば、基板の上に、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）および平坦化層などを間にして、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極が順に形成されたものが知られている（例えば、特許文献１）。第１電極の周縁には、第１電極と第２電極との間の絶縁性を確保するために絶縁膜（素子分離膜）が設けられる（例えば、特許文献２，３）。この絶縁膜は非常に膜厚の薄い有機層や第２電極の断線による素子特性の劣化を防止するため、なだらかなテーパ形状で設けられる。

特開２００１−１１０５７５号公報 特開２００９−４３４７号公報 特開２００１−１７５２００号公報

しかしながら、このようななだらかなテーパ形状の絶縁膜では、第１電極が絶縁膜に広く覆われ、開口率が低くなるという問題が生じていた。特に小型の高精細な表示装置に適用させる場合には、この問題が大きく影響する。

本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、有機層および第２電極の断線を防止できると共に高開口率の有機発光素子およびこの有機発光素子を備えた表示装置を提供することにある。

本技術による第１の有機発光素子は、第１電極および第２電極と、第１電極と第２電極との間の、発光層を含む有機層と、第１電極の周縁を表面から側面にかけて覆うと共に有機層に接する内壁面を有し、その内壁面に、稜線が第１電極の表面に平行な少なくとも一つの角部を有する絶縁膜とを備えたものである。

本技術による第２の有機発光素子は、第１電極および第２電極と、第１電極と前記第２電極との間の、発光層を含む有機層と、第１電極の側面を覆うと共に、側面の上端から下端にかけて傾斜面を有する絶縁膜とを備えたものである。

本技術による第１の表示装置は上記第１の有機発光素子、本技術による第２の表示装置は上記第２の有機発光素子をそれぞれ備えたものである。

本技術の第１の有機発光素子または表示装置では、有機層に接する絶縁膜（素子分離膜）の内壁面に、当該角部を境として第１電極の表面（水平面）に対する傾斜角度が異なる複数の面、即ち、第１電極側の相対的に急峻な面（第１面）と、相対的により傾斜角度のなだらかな第２電極側の１または２以上の面（第２面）が存在する。この第２面によって第２電極での断線が抑制される一方、第１面では開口の大きさが確保される。

本技術の第２の有機発光素子または表示装置では、絶縁膜が第１電極の側面を上端から下端にかけて傾斜して覆うようにしたので、第１電極の表面には絶縁膜が形成されずに第１電極の表面全体が露出され、かつ、この絶縁膜の傾斜面によって第２電極の断線が抑えられる。

本技術の第１の有機発光素子および表示装置では、素子分離膜としての絶縁膜の内壁面に少なくとも一つの角部を設け、また、本技術の第２の有機発光素子および表示装置では、素子分離膜としての絶縁膜に傾斜面を設けるようにしたので、有機層および第２電極の断線を防止による素子特性の劣化を防止し、かつ、開口率を向上させることができる。

本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。 図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。 図１に示した有機ＥＬ素子の構成を表す断面図である。 図３に示した絶縁膜の拡大断面図である。 図３に示した有機ＥＬ素子の拡大断面図である。 比較例に係る絶縁膜の構成を表す断面図である。 絶縁膜の内壁面のうちの第１面と第１電極の表面とのなす角度（θ１）と電流量との関係を表した図である。 角部の有無による輝度劣化の違いについて説明するための図である。 エッジ発光について説明するための図である。 絶縁膜の内壁面のうちの第２面と第１電極の表面とのなす角度（θ２）と輝度劣化との関係を表した図である。 第１電極の表面から角部までの高さ（Ｈ）と輝度劣化率との関係を表した図である。 図４に示した絶縁膜の変形例に係る断面図である。 図１２に示した角度θ２，θ３の好ましい範囲について説明するための図である。 本開示の第２の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。 図３，１４に示した表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。 適用例１の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。 適用例３の外観を表す斜視図である。 適用例４の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側断面、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。

以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（絶縁膜が角部を有する例）
２．変形例（絶縁膜が複数の角部を有する例）
３．第２の実施の形態（絶縁膜が傾斜面を有する例）
３．適用例

〔第１の実施の形態〕
図１は、本開示の一実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の構成を表すものである。この表示装置１は、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置であり、基板１１の上に、表示領域１１０として、複数の有機ＥＬ素子（有機発光素子）１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されている。有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ赤色の光（波長６２０ｎｍ〜７５０ｎｍ），緑色の光（波長４９５ｎｍ〜５７０ｎｍ），青色の光（波長４５０ｎｍ〜４９５ｎｍ）を発生する。表示領域１１０の周辺には、映像表示用の信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。

表示領域１１０内には、アクティブ型の駆動回路（画素駆動回路１４０）が設けられている。画素駆動回路１４０は、図２に示したように駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２を有し、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間の領域にはキャパシタＣｓが設けられている。第１の電源ライン（Ｖｃｃ）と第２の電源ライン（ＧＮＤ）との間において、有機ＥＬ素子１０Ｒ（または有機ＥＬ素子１０Ｇ，１０Ｂ）がトランジスタＴｒ１に直列に接続されている。信号線駆動回路１２０は、列方向に配置された複数の信号線１２０Ａを通じてトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号を供給する。走査線駆動回路１３０は、行方向に配置された複数の走査線１３０Ａを通じてトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号を順次供給する。

図３は図１に示した有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇの断面構成を表したものである。なお、図３には有機ＥＬ素子１０Ｂは示していないが、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇと略同じ構成を有している。有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇは、それぞれ、基板１１の側から、上述した画素駆動回路１４０を含む駆動回路層１２、平坦化層１３、陽極としての第１電極１４、絶縁膜１５、後述する発光層１６Ｃを含む有機層１６、および陰極としての第２電極１７がこの順に積層された構成を有している。発光層１６Ｃで発生した光は第２電極１７側から取り出される。

このような有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、保護膜１８により被覆され、更にこの保護膜１８上に接着層３０を間にして封止パネル２０が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。

基板１１は、ガラス，シリコン（Ｓｉ）ウェハ、樹脂あるいは導電性基板などにより構成されている。導電性基板を使用する場合は、表面を酸化シリコン（ＳｉＯ₂）や樹脂で絶縁化しておく。駆動回路層１２の構成は、特に限定されず、例えば、駆動回路層１２のＴＦＴはボトムゲート型でもトップゲート型でもよい。また、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）により構成されていてもよい。

平坦化層１３は、画素駆動回路１４０が形成された基板１１の表面を平坦化するためのものであり、微細な接続孔１３Ａが設けられるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。駆動回路層１２の駆動トランジスタＴｒ１は、平坦化層１３に設けられた接続孔１３Ａを介して第１電極１４に電気的に接続されている。接続孔１３Ａには、導電性金属よりなるプラグ１３Ｂが設けられている。平坦化層１３の構成材料としては、例えば、アクリルやポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ₂），窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料が挙げられる。

第１電極１４は、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上では望ましい。しかし、第１電極１４を例えばアルミニウム（Ａｌ），アルミニウム合金あるいは銀（Ａｇ）合金等の高反射率の金属材料により形成すると、正孔注入障壁の問題から第１電極１４に接する有機層１６（後述する正孔注入層１６Ａ）には、抵抗値の高い材料を用いることが困難となる。即ち、隣接する有機ＥＬ素子１０Ｒと有機ＥＬ素子１０Ｇ（または有機ＥＬ素子１０Ｇと有機ＥＬ素子１０Ｂ，有機ＥＬ素子１０Ｂと有機ＥＬ素子１０Ｒ）との間でリーク電流が発生し易くなる。詳細については後述するが、本実施の形態では、絶縁膜１５の内壁面１５Ａに設けた角部１５Ｂにより、リーク電流の発生を抑えることができるため、第１電極１４に高反射率の材料を用いることが可能となる。角部１５Ｂを形成する際に第１電極１４の表面が削られ、絶縁膜１５から露出した部分では、絶縁膜１５と重なっている部分に比べて例えば４〜２５ｎｍ程度第１電極１４は薄くなる。

また、第１電極１４は陽極として使用するため、正孔注入性の高い材料により構成されていることが望ましい。このような第１電極１４としては、例えば、積層方向の厚み（以下、単に厚みと言う）が３０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。第１電極１４の表面には、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）などの透明導電膜が設けられていてもよい。第１電極の厚みは、配線抵抗と反射率（表面ラフネス）の
バランスにより調整する。

なお、アルミニウム（Ａｌ）合金のように、反射率が高くても、表面の酸化皮膜の存在や、仕事関数が大きくないことによる正孔注入障壁が問題となる材料においても、適切な正孔注入層１６Ａを設けることによって第１電極１４として使用することが可能である。例えば、３０ｎｍのアルミニウム層を単体で用いてもよく、２０ｎｍのチタン，タングステン，銅，タンタルまたはモリブデンに１５ｎｍのアルミニウムを積層させて第１電極１４を構成してもよい。本実施の形態では、第１電極１４は第１電極１４−１，１４−２の２層からなる。

絶縁膜１５は、第１電極１４の周縁を表面（第２電極１７との対向面）から側面（端面）にかけて覆うように設けられ、第１電極１４と第２電極１７との間の絶縁性および隣接する有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ間の絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものである。

絶縁膜１５は、例えば酸窒化シリコンにより構成されているが、これに限定されるものではない。例えば、酸化シリコン，窒化シリコンあるいはアクリルやポリイミド等の有機材料により構成されていてもよい。第１電極１４上の絶縁膜１５により囲まれた領域（開口）が発光領域に対応している。この開口（発光領域）の平面形状は特に限定されないが、本実施の形態では、矩形状となっている。画素配置によっては三角形状、円状にすることも可能である。有機層１６および上部電極１７は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通であり、第１電極１４上の開口部だけでなく絶縁膜１５の上にも設けられているが、発光が生じるのは絶縁膜１５の開口部だけである。この開口の面積を狭めることのないよう、絶縁膜１５の内壁面１５Ａは縦断面形状が順テーパ状であることが好ましい。絶縁膜１５の厚みは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下程度であることが好ましく、絶縁膜１５に角部１５Ｂを形成する際に削られた分の第１電極１４の厚みと絶縁膜１５の厚みとの合計が、１００ｎｍ以下であることがより好ましい。絶縁膜１５の厚みが１０ｎｍ未満であると、第１電極１４の側面が露出してしまい、１００ｎｍより厚いと、第２電極が断線する虞があるためである。

絶縁膜１５は、図４の断面構造に示したように、当該絶縁膜１５の開口側の、頂部から第１電極１４の表面１４Ａに至る面、即ち有機層１６に接する内壁面１５Ａに１または２以上の角部１５Ｂを有している。ここでは一例として１の角部１５Ｂを有するものとする。この角部１５Ｂは、その稜線が第１電極１４の表面（水平面）１４Ａに実質的に平行になるように設けられている。このような角部１５Ｂを設けた結果、内壁面１５Ａは角部１５Ｂの稜線を境として傾斜角度の異なる２つの面１５Ａ₁，１５Ａ₂を有する構成となっている。なお、実質的に平行とは製造上の誤差を含むものである。ここでは、第１電極１４側の面１５Ａ₁（第１面）の第１電極１４の表面１４Ａに対する角度をθ１、第２電極１７側の面１５Ａ₂（第２面）の第１電極１４の表面１４Ａに対する角度をθ２とする。上記のように、絶縁膜１５の断面形状は順テーパ状であることが好ましいため、θ１＞θ２となる。本実施の形態では、傾斜角度の大きな面１５Ａ₁は、後述のように主として開口の面積を確保し、かつ絶縁膜１５に接する有機層１６（後述の正孔注入層１６Ａ）の抵抗値を局所的に上昇させる機能を有している。一方、傾斜角度の小さな面１５Ａ₂は、第２電極１７の断線および電流集中（電界集中）による有機層１６の劣化を防止する機能を有している。即ち、第２電極１７に対し絶縁膜１５の内壁面１５Ａが大きな傾斜を有すると、第２電極１７の断線や、有機層１６が局所的に薄くなることによる電流集中が生じやすくなるため、傾斜角度の小さな面１５Ａ₂により、有機層１６のカバレッジを改善し、第２電極１７での断線や電流集中の発生を抑えている。

有機層１６は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色にかかわらず同一の構造
を有しており、図５に示したように例えば、正孔注入層１６Ａ，正孔輸送層１６Ｂ，発光層１６Ｃ，電子輸送層１６Ｄおよび電子注入層１６Ｅが第１電極１４の側からこの順に積層されている。

有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ毎にそれぞれ赤，緑および青の各色の発光層を設けるようにしてもよいが、高解像度や開口率の向上のためには、上記のように発光層を共通の構造とすることが好ましい。しかしながら、共通の発光層は、隣接する素子間で有機層（特に、正孔注入層）を介して駆動電流のリークが発生し易くなる。このリーク電流により、非発光画素が発光画素からの影響で発光し、発光効率が低下する虞がある。特許文献２のように逆テーパ形状の絶縁膜を一旦形成した後、順テーパ形状に成形し直す方法にも提案されているが、製造工程の途中、特に有機層の成膜後に熱処理を行うと素子の特性が劣化する可能性が高くなる。

本実施の形態では、絶縁膜１５の内壁面１５Ａのうち、第１電極１４側の面１５Ａ₁の傾斜角度が大きいので、面１５Ａ₁の直上の正孔注入層１６Ａの膜厚は、他の部分と比較して相対的に薄くなる。これにより、隣接する有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ間の正孔注入層１６Ａの抵抗値が局所的に上昇し、リーク電流の発生が抑制される。

正孔注入層１６Ａは、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔注入層１６Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、パターニングされずに所謂ベタ膜の状態で基板１１の全面に設けられている。正孔注入層１６Ａは、例えば化１または化２に示したヘキサアザトリフェニレン誘導体により構成されている。

（化１において、Ｒ１〜Ｒ６それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、アミノ基、アルールアミノ基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、ニトリル基、シアノ基、ニトロ基、またはシリル基から選ばれる置換基であり、隣接するＲｍ（ｍ＝１〜６）は環状構造を通じて互いに結合してもよい。また、Ｘ１〜Ｘ６はそれぞれ独立に炭素もしくは窒素原子である。）

正孔輸送層１６Ｂは、発光層１６Ｃへの正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層１６Ｃでは、電界がかかると電子と正孔との再結合が起こり、光を発生する。電子輸送層１６Ｄは、発光層１６Ｃへの電子輸送効率を高めるためのものである。電子注入層１６Ｅは、発光層１６Ｃへの電子注入効率を高めるためのものである。

正孔輸送層１６Ｂは、例えば、厚みが４０ｎｍ程度であり、４，４′，４″−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）またはα−ナフチルフェニルジアミン（αＮＰＤ）により構成されている。

発光層１６Ｃは、白色発光用の発光層であり、例えば、第１電極１４と第２電極１７との間に互いに積層して設けられた赤色発光層１６ＣＲ，緑色発光層１６ＣＧおよび青色発光層１６ＣＢを有している。赤色発光層１６ＣＲ，緑色発光層１６ＣＧおよび青色発光層１６ＣＢは、陽極である第１電極１４の側からこの順に積層されている。赤色発光層１６ＣＲは、電界をかけることにより、第１電極１４から正孔注入層１６Ａおよび正孔輸送層１６Ｂを介して注入された正孔の一部と、第２電極１７から電子注入層１６Ｅおよび電子輸送層１６Ｄを介して注入された電子の一部とが再結合して、赤色の光を発生するものである。緑色発光層１６ＣＧは、電界をかけることにより、第１電極１４から正孔注入層１６Ａおよび正孔輸送層１６Ｂを介して注入された正孔の一部と、第２電極１７から電子注入層１６Ｅおよび電子輸送層１６Ｄを介して注入された電子の一部とが再結合して、緑色の光を発生するものである。青色発光層１６ＣＢは、電界をかけることにより、第１電極１４から正孔注入層１６Ａおよび正孔輸送層１６Ｂを介して注入された正孔の一部と、第２電極１７から電子注入層１６Ｅおよび電子輸送層１６Ｄを介して注入された電子の一部とが再結合して、青色の光を発生するものである。

赤色発光層１６ＣＲは、例えば、赤色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。本実施の形態では、赤色発光層１６ＣＲは、例えば、厚みが５ｎｍ程度であり、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。

緑色発光層１６ＣＧは、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。本実施の形態では、緑色発光層１６ＣＧは、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５重量％混合したものにより構成されている。

青色発光層１６ＣＢは、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。本実施の形態では、青色発光層１６ＣＢは、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉに４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。

電子輸送層１６Ｄは、例えば、厚みが２０ｎｍ程度であり、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ3 ）により構成されている。

電子注入層１６Ｅは、例えば、厚みが０．３ｎｍ程度であり、ＬｉＦあるいはＬｉ₂Ｏ等により構成されている。

後述するように、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは有機層１６を共振部とした共振構造を有するものである。発光点から反射面までの距離を適切に調整することが可能となるため、有機層１６の膜厚は、８０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましく、１５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下であることがより好ましい。

第２電極１７は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの全てを覆うように金属導電膜により設けられている。具体的には、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ）またはナトリウム（Ｎａ）の合金が挙げられる。中でも、マグネシウムと銀との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）は、薄膜での導電性と吸収の小ささとを兼ね備えているので好ましい。Ｍｇ−Ａｇ合金におけるマグネシウムと銀との比率は特に限定されないが、膜厚比でＭｇ：Ａｇ＝２０：１〜１：１の範囲であることが望ましい。また、第２電極１７の材料は、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（Ａｌ−Ｌｉ合金）でもよい。

また、第２電極１７は、半透過性反射層としての機能も有する。すなわち、この有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、第１電極１４の反射層の表面を第１端部Ｐ１、第２電極１７の半透過性反射層の裏面を第２端部Ｐ２とし、有機層１６を共振部として、発光層１６Ｃで発生した光を共振させて第２端部Ｐ２の側から取り出す共振構造を有している（図５）。このように共振構造を有するようにすれば、発光層１６Ｃで発生した光が多重干渉を起こし、一種の狭帯域フィルタとして作用することにより、取り出される光のスペクトルの半値幅が減少し、色純度を向上させることができるので好ましい。

そのためには、共振器の第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間の光学的距離Ｌは数１を満
たすようにし、共振器の共振波長（取り出される光のスペクトルのピーク波長）と、取り
出したい光のスペクトルのピーク波長とを一致させることが好ましい。光学的距離Ｌは、
実際には、数１を満たす正の最小値となるように選択することが好ましい。

（数１）
（２Ｌ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ
（式中、Ｌは第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間の光学的距離、Φは第１端部Ｐ１で生じ
る反射光の位相シフトΦ1 と第２端部Ｐ２で生じる反射光の位相シフトΦ2 との和（Φ＝
Φ1 ＋Φ2 ）（ｒａｄ）、λは第２端部Ｐ２の側から取り出したい光のスペクトルのピー
ク波長、ｍはＬが正となる整数をそれぞれ表す。なお、数１においてＬおよびλは単位が
共通すればよいが、例えば（ｎｍ）を単位とする。）

保護膜１８は、窒化ケイ素（ＳｉＮx ），酸化ケイ素または金属酸化物などにより構成されている。接着層３０は、例えば熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂により構成されている。

封止パネル２０は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１７の側に位置しており、接着層３０と共に有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止するものである。封止パネル２０は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成された封止用基板２１と封止用基板２１の一方の面に設けられたカラーフィルタ２２により構成されている。カラーフィルタ２２は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光を取り出すと共に、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ並びにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。

カラーフィルタ２２は、封止用基板２１のどちら側の面に設けられてもよいが、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの側に設けられることが好ましい。カラーフィルタ２２が表面に露出せず、接着層３０により保護することができるからである。また、発光層１６Ｃとカラーフィルタ２２との間の距離が狭くなることにより、発光層１６Ｃから出射した光が隣接する他の色のカラーフィルタ２２に入射して混色を生じることを避けることができるからである。カラーフィルタ２２は、赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ（図示せず）を有しており、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して順に配置されている。

赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ（図示せず）は、それぞれ例えば矩形形状で隙間なく形成されている。これら赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。

更に、カラーフィルタ２２における透過率の高い波長範囲と、共振器構造から取り出したい光のスペクトルのピーク波長λとは一致している。これにより、封止用基板２１から入射する外光のうち、取り出したい光のスペクトルのピーク波長λに等しい波長を有するもののみがカラーフィルタ２２を透過し、その他の波長の外光が有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに侵入することが防止される。

この表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。

まず、上述した材料よりなる基板１１の上に駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０（駆動回路層１２）を形成したのち、全面に感光性樹脂を塗布する。この感光性樹脂に露光および現像を行い、所定の形状にパターニングして平坦化層１３を形成する。パターニングと同時に接続孔１３Ａおよびプラグ１３Ｂを形成する。

次いで、例えばスパッタ法により、例えばクロム等の金属膜を成膜した後、ウェットエッチングを行って各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに分離された第１電極１４を形成する。

続いて、基板１１の全面にわたり酸窒化シリコン膜を例えば５０ｎｍの膜厚で成膜した後、パターニングを行い、発光領域に対応して開口を設ける。パターニングした後、基板１１の全面に逆スパッタリング処理を行うことにより、酸窒化シリコン膜の表面（封止パネル２０との対向面）の角を削り、角部１５Ｂを有する絶縁膜１５を形成する。逆スパッタリング処理は、まず、真空チャンバー中にアルゴン（Ａｒ）を導入し、低真空下でプラズマ放電を起こした後、イオン化したＡｒを基板１１の全面に衝突させて、酸窒化シリコン膜表面の構成元素を弾き飛ばして削ることにより行う。絶縁膜１５の内壁面１５Ａを構成する一方の面１５Ａ₂の傾斜角度θ２は逆スパッタリング処理の時間により調整することができる。

そののち、例えば真空蒸着法，スパッタリング法，またはスピンコート法やダイコート法等のコーティング法により、上述した厚みおよび材料よりなる有機層１６の正孔注入層１６Ａ，正孔輸送層１６Ｂ，発光層１６Ｃ，電子輸送層１６Ｄおよび電子注入層１６Ｅを基板１１の全面に形成する。

有機層１６を形成したのち、例えば蒸着法により、基板１１の全面に上述した厚みおよび材料よりなる第２電極１７を形成する。これにより、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。

続いて、例えばＣＶＤ法またはスパッタ法により、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に上述した材料よりなる保護膜１８を形成する。

また、例えば、上述した材料よりなる封止用基板２１の上に、赤色フィルタ２２Ｒの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタ２２Ｒを形成する。続いて、赤色フィルタと同様にして、青色フィルタおよび緑色フィルタ２２Ｇを順次形成する。

そののち、保護層１８の上に、接着層３０を形成し、この接着層３０を間にして封止用基板２１を貼り合わせる。その際、封止用基板２１のカラーフィルタ２２を形成した面を、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ側にして配置することが好ましい。以上により、図１ないし図３に示した表示装置１が完成する。

この表示装置１では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第１電極１４（第１端部Ｐ１）と第２電極１７（第２端部Ｐ２）との間で多重反射し、第２電極１７，カラーフィルタ２２および封止用基板２１を透過して取り出される。このとき、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間の光学的距離Ｌに応じて、有機ＥＬ素子１０Ｒでは赤色の光ｈ_Rのみ、有機ＥＬ素子１０Ｇではｈ_Gのみ、有機ＥＬ素子１０Ｂではｈ_Bのみが第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間で多重反射し、第２電極１７を透過して取り出される。このようなトップエミッション構造の表示装置１はＴＦＴ（駆動回路層１２）によって発光層１６Ｃからの出射光が遮蔽されることがなく、光の取り出し効率の点でボトムエミッション構造に比べ優れている。また、トップエミッション構造の方がボトムエミッション構造に比べ高精細化を行い易い。

ここでは、前述のように素子分離膜としての絶縁膜１５の内壁面１５Ａに角部１５Ｂが設けられているので、内壁面１５Ａには第１電極１４の表面１４Ａに対して傾斜角度の異なる２つの面１５Ａ₁，１５Ａ₂が存在する。これにより、本実施の形態では、絶縁膜１５上の第２電極での断線および電流集中の発生を抑えると共に開口の大きさを確保し、かつ、隣接する有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ間に存在する有機層１６の抵抗値を上昇させることが可能となる。以下、これについて詳細に説明する。

図６に示したように、従来の絶縁膜１１５は第２電極１７の断線や電流集中を防止するため、第１電極１４に対して所定の角度（例えば２０°〜４０°程度）傾斜するように形成されるものの、角部１５Ｂは設けられていない。よって、隣接する有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ間にリーク電流が流れる可能性が高く、混色や発光効率の低下といった問題が生じる。また、第２電極１７の断線や電流集中を防ぐため、テーパ角を大きくすることができず、更に絶縁膜１１５を形成する際に使用する露光機のアラインメント精度を考慮して絶縁膜で第１電極１４を覆うため、絶縁膜１１５が第１電極の表面を覆う面積が広くなる。これにより、開口率および精細度が低下し、例えばＥＶＦ（Electronic View Finder）などの超小型高精細な表示装置に適用させることが困難となる。

これに対し、本実施の形態の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、逆スパッタリング処理により絶縁膜１５の内壁面１５Ａに傾斜角度の異なる２つの面１５Ａ₁，１５Ａ₂が存在する。そして、第２電極１７側の面１５Ａ₂の傾斜角度（θ２）は相対的に緩やかであるので、絶縁膜１５上の第２電極１７の傾斜もなだらかになる。よって、第２電極１７での断線の発生および第１電極１４と第２電極１７との間の電流集中が抑制される。また、詳細は後述するが、第１電極１４の表面１４Ａから角部１５Ｂまでの高さＨを調整することにより、より効果的に第２電極１７での断線の発生および第１電極１４と第２電極１７との間の電流集中を防ぐことができる。一方、第１電極１４側の面１５Ａ₁の傾斜角度（θ１）は相対的に急峻であるので、絶縁膜１５に接する有機層１６、特に正孔注入層１６Ａの膜厚が局所的に薄くなる。よって、正孔注入層１６Ａの抵抗値、即ち有機層１６の抵抗値が高くなり、その結果隣接する有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ間のリーク電流の発生が抑制される。更に、絶縁膜１５と第１電極１４との重なる面積を狭くすることができ、高開口率および高精細な表示装置１を実現することが可能となる。

図７は、縦軸に電流量、横軸に角度θ１をとり、角度θ１とリーク電流の発生との関係を表したものである。なお、縦軸の電流量は、角度θ１が７０°のときに必要な電流量を１として規格化したものである。図７に示したように、角度θ１が７０°以上９０°未満（７０°≦θ１＜９０°）であれば、リーク電流による異常発光の抑制効果が高まるため好ましい。

図８は、角度θ１を８０°とし、角部１５Ｂの有無による輝度劣化率（％）の違いを示したものである。一定時間後に、角部１５Ｂのないものの輝度が８０％まで低下するのに対し、角部１５Ｂを有するようにすると、略９５％程度の輝度を維持できる。即ち、角度θ１を８０°とした場合、リーク電流の発生は抑制できるものの、角部１５Ｂがないと、有機層１６が局所的に薄くなるため、電流集中による有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの劣化が顕著となる。

輝度劣化の原因の一つとして、エッジ発光によるものが挙げられる。図９に示したように絶縁膜１５の開口、即ち発光領域として形成された部分からの正常な発光Ｅｍの他に、テーパ形状の絶縁膜１５では、その内壁面１５Ａからエッジ発光Ｅｅが生じる場合がある。発光領域における有機層１６の抵抗値をＲ_m、第１電極１４の段差部分（角部１５Ｂ形成時に削られた部分）に接する有機層１６の抵抗値をＲ₁₄、面１５Ａ₁に接する有機層１６の抵抗値をＲ_a1とすると、エッジ発光Ｅｅを抑えるため、Ｒ_m＜Ｒ_a1＋Ｒ₁₄であることが好ましい。有機層１６の抵抗値は主に正孔注入層１６Ａの厚みにより調整することができ、Ｒ_m＜Ｒ_a1＋Ｒ₁₄の関係を満たすように角度θ１，θ２および高さＨを決定することが可能である。

このようなエッジ発光や電流集中による輝度劣化を防止するためには、角度θ２が５０°以下であることが好ましく、２０°以上４５°以下（２０°≦θ２≦４５°）であることがより好ましい。図１０に示したように、角度θ２が５０°以下であれば、３００００時間後の輝度劣化率を２０％未満に抑えることができ、２０°≦θ２≦４５°であれば１０％未満に抑えることができるためである。

また、第１電極１４の表面１４Ａ（薄くなった部分の表面）から、角部１５Ｂまでの高さＨ（図４）は、３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下（３０ｎｍ≦Ｈ≦７０ｎｍ）であることが好ましい。図１１に示したように、高さＨが３０ｎｍよりも低いと、エッジ発光による輝度劣化が顕著となり、高さＨが７０ｎｍよりも高いと、第２電極１７の断線や電流集中による輝度劣化が生じる。３０ｎｍ≦Ｈ≦７０ｎｍであれば輝度劣化率を１０％程度に抑えることができる。角度θ１，θ２および高さＨを適切に設定することにより、角部１５Ｂを設けない場合と比較して、発光効率を４０％向上させることができた。

このように本実施の形態の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、絶縁膜１５の内壁面１５Ａに第１電極１４の表面１４Ａに対して平行に角部１５Ｂを設けるようにしたので、第２電極１７での断線や電流集中の発生を抑えると共に、開口率を向上させることができる。また、隣接する有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの間に存在する有機層１６（正孔注入層１６Ａ）の抵抗値を上昇させることも可能となる。よって、リーク電流の発生に伴う発光効率の低下を抑制すると共に有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの特性劣化を防止することができる。特に、有機層１６が基板１１の全面に成膜される白色発光型の表示装置に有効である。

以下、上記実施の形態の変形例および他の実施の形態について説明するが、以降の説明において上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。

（変形例）
図１２は、変形例に係る絶縁膜１５の断面構造を表したものである。この絶縁膜１５は、角部１５Ｂ₁に加えて、更にもう一つの角部１５Ｂ₂を備えている点において上記実施の形態と異なるものである。

本変形例の内壁面１５Ａには、２つの角部１５Ｂ₁，１５Ｂ₂を有していることから、第１電極１４側から第１電極１４の表面１４Ａとそれぞれ異なる角度θ１，θ２，θ３で傾斜する面１５Ａ₁，１５Ａ₂，１５Ａ₃が存在する。このように複数の角部１５Ｂを有することにより、内壁面１５Ａの傾斜に、より沿うように有機層１６や第２電極１７を形成することができる。よって、有機層１６の膜厚の乱れにより輝度劣化が生じることを防ぐことが可能となる。勿論、角部１５Ｂを３つ以上有するようにしてもよい。角度θ３は、上記した角度θ２と同様に、５０°以下であることが好ましく、２０°≦θ３≦４５°であることがより好ましい。

図１３に示したように、第２電極１７のうち、絶縁膜１５の内壁面１５Ａに最も近接する位置Ｃから内壁面１５Ａまでの距離Ｄがどの位置においても等しくなるように角度θ２，θ３を設定することが好ましい。距離Ｄに差があると、より距離Ｄが短い部分の駆動電圧が低くなるため、その部分が優先的に発光し劣化が促進されてしまうからである。

〔第２の実施の形態〕
図１４は、本技術の第２の実施の形態に係る表示装置（表示装置２）の断面構成を表したものである。この表示装置２では、素子分離膜としての絶縁膜２５の形状が上記実施の形態の絶縁膜１５と異なる。

絶縁膜２５は第１電極１４の側面（端面）のみに設けられ、第１電極１４の表面全体が露出されている。絶縁膜２５は第１電極１４の上端から下端を傾斜して覆っており、基板１１（平坦化層１３）に対して角度θ４で傾斜する傾斜面（傾斜面２５Ｉ）を有している。傾斜面２５Ｉは絶縁膜２５の上端と下端とをつなぐ面（表面）であり、平坦であることが好ましいが、有機層１６の膜厚に対して十分小さい凹凸があってもよい。この傾斜面２５Ｉの端は、平坦化層１３に接している。即ち、絶縁膜２５では第１電極１４の側面にテーパ形状が設けられ、隣り合う有機ＥＬ素子間（例えば、図１４ 有機ＥＬ素子１０Ｒと有機ＥＬ素子１０Ｇ）では絶縁膜２５が離間している。この絶縁膜２５の傾斜面２５Ｉにより、第２電極１７および有機層１６の断線、第２電極１７の電流集中による有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの劣化を防ぐことができる。角度θ４は７０°以下であることが好ましく、３０°以上６０°以下（３０°≦θ４≦６０°）であることがより好ましい。このθ４は、有機層１６および第２電極の厚み、画素サイズおよび画素間距離によって適宜調整する。

絶縁膜２５は、例えば以下のようにして形成することができる。

まず、上記第１の実施の形態で説明したのと同様にして平坦化層１３を設けた後、例えば厚み１００ｎｍの金属膜を成膜してエッチングすることにより第１電極１４を形成する。このとき、ウェットエッチングやドライエッチング装置を使用して異方性の強い条件でエッチングし、第１電極１４の側面が基板１１（平坦化層１３）に対して略垂直となるようにすることが好ましい。第１電極１４の側面と基板１１とのなす角度（角度θ５）は、例えば８０°以上９０°以下（８０°≦θ５≦９０°）である。

第１電極１４を形成した後、絶縁膜２５の構成材料を厚み３００ｎｍで基板１１の全面に成膜し、これを例えばドライエッチング装置を用いて均一に全面エッチングする。次いで、この全面エッチングを第１電極１４の表面が見えた時点で中止することにより絶縁膜２５を形成することができる。絶縁膜２５の形状（例えば、角度θ４）は、第１電極１４と絶縁膜２５との厚みの比や、エッチング条件によって制御することができる。

本実施の形態では、絶縁膜２５のテーパ形状が第１電極１４の側面側に設けられ、第１電極１４の表面全体が露出されるので、開口の大きさが確保される。絶縁膜（素子分離膜）を設けずに、第１電極にテーパ形状を形成することにより有機層の断線等を防止する方法も提案されている（例えば、特許文献１）。しかしながら、この方法では第１電極１４のテーパ部も発光するため、発光効率の低下や画素間での色ずれ等が生じる虞がある。これに対し、表示装置２では絶縁膜２５にテーパ形状を設けているため、発光効率の低下や色ずれを生じることなく、開口率を向上させることができる。

（モジュール）
上記実施の形態および変形例の表示装置１，２は、例えば、図１５に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。特にビデオカメラや一眼レフカメラのビューファインダーあるいはヘッドマウント型ディスプレイなど高解像度が要求され、目の近くで拡大して使用されるものに適する。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、封止用基板２１および接着層３０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed
Circuit）２２０が設けられていてもよい。

（適用例１）
図１６は、上記実施の形態の表示装置１，２が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置１により構成されている。

（適用例２）
図１７は、上記実施の形態の表示装置１，２が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置１により構成されている。

（適用例３）
図１８は、上記実施の形態の表示装置１，２が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置１により構成されている。

（適用例４）
図１９は、上記実施の形態の表示装置１，２が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置１により構成されている。

（適用例５）
図２０は、上記実施の形態の表示装置１，２が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置１により構成されている。

以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。

また、上記実施の形態等においては、有機層１６の発光層１６Ｃとして赤色発光層１６ＣＲ，緑色発光層１６ＣＧおよび青色発光層１６ＣＢの３層を含む白色発光用の発光層を形成した場合について説明したが、白色発光用の発光層１６Ｃの構成は特に限定されず、橙色発光層および青色発光層、あるいは、青緑色発光層および赤色発光層など、互いに補色関係にある２色の発光層を積層した構造としてもよい。加えて、発光層１６Ｃは、白色発光用の発光層に限らず、例えば緑色発光層１６ＣＧのみを形成した単色の表示装置にも適用可能である。

更にまた、例えば上記実施の形態等では、第１電極１４を陽極、第２電極１７を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、第１電極１４を陰極、第２電極１７を陽極としてもよい。この場合、第２電極１７の材料としては、金，銀，白金，銅等の単体あるいは合金が好適であるが、第２電極１７の表面に適切なコーティングをすることにより他の材料を用いることも可能である。また、第１電極１４を陰極、第２電極１７を陽極とした場合には、発光層１６Ｃは、第２電極１７の側から順に赤色発光層１６ＣＲ，緑色発光層１６ＣＧおよび青色発光層１６ＣＢが積層されていることが好ましい。

なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）第１電極および第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間の、発光層を含む有機層と、前記第１電極の周縁を表面から側面にかけて覆うと共に前記有機層に接する内壁面を有し、前記内壁面に、稜線が前記第１電極の表面に平行な少なくとも一つの角部を有する絶縁膜とを備えた有機発光素子。
（２）前記絶縁膜の内壁面は前記稜線を境とした複数の面により構成され、前記複数の面の前記第１電極の表面に対する傾斜角度が互いに異なる前記（１）に記載の有機発光素子。
（３）前記絶縁膜の複数の面の各傾斜角度は、前記第２電極側から前記第１電極側に近づくにつれて大きくなる前記（１）または（２）に記載の有機発光素子。
（４）前記絶縁膜は１の角部を有し、前記内壁面のうち前記第１電極側の面の前記第１電極の表面とのなす角度は、７０°以上９０°未満である前記（１）乃至（３）のうちいずれか１つに記載の有機発光素子。
（５）前記内壁面のうち前記第２電極側の面の前記第１電極の表面とのなす角度は、２０°以上４５°以下である前記（１）乃至（４）のうちいずれか１つに記載の有機発光素子。
（６）前記絶縁膜は、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）からなる前記（１）乃至（５）のうちいずれか１つに記載の有機発光素子。
（７）前記角部は絶縁膜に対する逆スパッタリング処理により形成されたものである前記（１）乃至（６）のうちいずれか１つに記載の有機発光素子。
（８）第１電極および第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間の、発光層を含む有機層と、前記第１電極の側面を覆うと共に、前記側面の上端から下端にかけて傾斜面を有する絶縁膜とを備えた有機発光素子。
（９）前記第１電極、第２電極および有機層は基板上に設けられ、前記基板と前記傾斜面とのなす角度は、７０°以下である前記（８）に記載の有機発光素子。
（１０）前記基板と前記傾斜面とのなす角度は、３０°以上６０°以下である前記（９）に記載の有機発光素子。
（１１）前記基板と前記第１電極との間に平坦化層が設けられ、前記傾斜面は前記平坦化層に接する前記（９）または（１０）に記載の有機発光素子。
（１２）前記第１電極、第２電極および有機層は基板上に設けられ、前記基板と前記第１電極の側面とのなす角度は、８０°以上９０°以下である前記（８）乃至（１１）のうちいずれか１つに記載の有機発光素子。
（１３）複数の有機発光素子を備え、前記有機発光素子は、第１電極および第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間の、発光層を含む有機層と、前記第１電極の周縁を表面から側面にかけて覆うと共に前記有機層に接する内壁面を有し、前記内壁面に、稜線が前記第１電極の表面に平行な少なくとも一つの角部を有する絶縁膜とを備えた表示装置。
（１４）複数の有機発光素子を備え、前記有機発光素子は、第１電極および第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間の、発光層を含む有機層と、前記第１電極の側面を覆うと共に、前記側面の上端から下端にかけて傾斜面を有する絶縁膜とを備えた表示装置。

１，２・・・表示装置、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ・・・有機ＥＬ素子、１１・・・基板、１２・・・駆動回路層、１３・・・平坦化層、１４・・・第１電極、１５，２５・・・絶縁膜、１５Ａ・・・内壁面、１５Ａ₁，１５Ａ₂，１５Ａ₃・・・面、１５Ｂ，１５Ｂ₁，１５Ｂ₂・・・角部、１６・・・有機層、１７・・・第２電極、１８・・・保護膜、２０・・・封止パネル、２１・・・封止用基板、２２・・・カラーフィルタ、３０・・・接着層。

Claims (14)

1. 第１電極および第２電極と、
   前記第１電極と前記第２電極との間の、発光層を含む有機層と、
   前記第１電極の周縁を表面から側面にかけて覆うと共に前記有機層に接する内壁面を有し、前記内壁面に、稜線が前記第１電極の表面に平行な少なくとも一つの角部を有する絶縁膜と
   を備えた有機発光素子。
2. 前記絶縁膜の内壁面は前記稜線を境とした複数の面により構成され、前記複数の面の前記第１電極の表面に対する傾斜角度が互いに異なる
   請求項１に記載の有機発光素子。
3. 前記絶縁膜の複数の面の各傾斜角度は、前記第２電極側から前記第１電極側に近づくにつれて大きくなる
   請求項１に記載の有機発光素子。
4. 前記内壁面のうち前記第１電極側の面の前記第１電極の表面とのなす角度は、７０°以上９０°未満である
   請求項１に記載の有機発光素子。
5. 前記内壁面のうち前記第２電極側の面の前記第１電極の表面とのなす角度は、２０°以上４５°以下である
   請求項１に記載の有機発光素子。
6. 前記絶縁膜は、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）からなる
   請求項１に記載の有機発光素子。
7. 前記角部は絶縁膜に対する逆スパッタリング処理により形成されたものである
   請求項１に記載の有機発光素子。
8. 第１電極および第２電極と、
   前記第１電極と前記第２電極との間の、発光層を含む有機層と、
   前記第１電極の側面を覆うと共に、前記側面の上端から下端にかけて傾斜面を有する絶縁膜と
   を備えた有機発光素子。
9. 前記第１電極、第２電極および有機層は基板上に設けられ、
   前記基板と前記傾斜面とのなす角度は、７０°以下である
   請求項８に記載の有機発光素子。
10. 前記基板と前記傾斜面とのなす角度は、３０°以上６０°以下である
    請求項９に記載の有機発光素子。
11. 前記基板と前記第１電極との間に平坦化層が設けられ、
    前記傾斜面は前記平坦化層に接する
    請求項９に記載の有機発光素子。
12. 前記第１電極、第２電極および有機層は基板上に設けられ、
    前記基板と前記第１電極の側面とのなす角度は、８０°以上９０°以下である
    請求項８に記載の有機発光素子。
13. 複数の有機発光素子を備え、
    前記有機発光素子は、
    第１電極および第２電極と、
    前記第１電極と前記第２電極との間の、発光層を含む有機層と、
    前記第１電極の周縁を表面から側面にかけて覆うと共に前記有機層に接する内壁面を有し、前記内壁面に、稜線が前記第１電極の表面に平行な少なくとも一つの角部を有する絶縁膜とを備えた
    表示装置。
14. 複数の有機発光素子を備え、
    前記有機発光素子は、
    第１電極および第２電極と、
    前記第１電極と前記第２電極との間の、発光層を含む有機層と、
    前記第１電極の側面を覆うと共に、前記側面の上端から下端にかけて傾斜面を有する絶縁膜とを備えた
    表示装置。

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