JP2011158653A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】マルチドメイン構造の液晶表示装置の視野角特性を向上する
【解決手段】液晶表示装置1は、液晶層40を介して互いに対向配置される一対のTFT基板10、対向基板30を備え、TFT基板10には、画素20毎に、液晶分子41の配向を制御する画素電極16が配されており、画素電極16は、互いに平行であり、画素20におけるX軸方向に対して、傾斜して伸びて配されている線状画素電極16cと、互いに平行であり、線状画素電極16cとは異なる角度で、X軸に対して、傾斜して伸びて配されている線状画素電極16d・16e・16fと、線状画素電極16c間・16d間・16e間・16f間のそれぞれを、X軸方向に接続する線状画素電極16g・16h・16i・16jと、を備えている。
【選択図】図1
【解決手段】液晶表示装置1は、液晶層40を介して互いに対向配置される一対のTFT基板10、対向基板30を備え、TFT基板10には、画素20毎に、液晶分子41の配向を制御する画素電極16が配されており、画素電極16は、互いに平行であり、画素20におけるX軸方向に対して、傾斜して伸びて配されている線状画素電極16cと、互いに平行であり、線状画素電極16cとは異なる角度で、X軸に対して、傾斜して伸びて配されている線状画素電極16d・16e・16fと、線状画素電極16c間・16d間・16e間・16f間のそれぞれを、X軸方向に接続する線状画素電極16g・16h・16i・16jと、を備えている。
【選択図】図1
Description
本発明は、マルチドメイン構造の液晶表示装置に関する。
従来から、液晶表示装置の視野角を改善するために、さまざまな工夫がなされている。その一例としてMVA(Multi-domain Vertical Alignment)モードの液晶表示装置が知
られている。
られている。
一般的に、液晶表示装置では、液晶層を介して、互いに対向配置される一方の基板に画素電極が形成され、他方の基板にコモン電極が形成される。MVAモードの液晶表示装置では、そのうち、画素電極に、液晶分子の配向を制御するためのスリットが設けられる。
図11は、一般的なMVAモードの液晶表示装置の画素を表す平面図である。
図11に示すように、液晶表示装置のTFT基板には、水平方向(X軸方向)に伸びる複数のゲートバスライン102と、垂直方向(Y軸方向)に伸びる複数のデータバスライン107とが形成されている。これらのゲートバスライン102及びデータバスライン107により区画される矩形の領域がそれぞれ画素101である。なお、図11では、2画素を表している。
画素101には、画素電極103が形成されており、さらに、画素電極103には、それぞれ電圧印加時の液晶分子の配向方向を規定するスリット104が設けられている。
画素電極103には、画素101の右上側の領域では、X軸に対しほぼ45°方向に伸びる複数のスリット104が形成されており、左上側の領域では、X軸に対しほぼ135°方向に伸びる複数のスリット104が形成されている。また、画素電極103には、画素101の左下側の領域では、X軸に対しほぼ225°の方向に伸びる複数のスリット104が形成されており、右下側の領域では、X軸に対しほぼ315°の方向に伸びる複数のスリット104が形成されている。
なお、このように、スリット104が設けられた形状を、フィッシュボーン状(FB状;魚の骨状)などと呼ぶ場合がある。
画素101は、このように、スリット104の方向が異なる4つの領域に分割されている。そして、画素電極103に電圧を印加することで、液晶分子110をスリット104のそれぞれの方向に配向させ、広い視野角を得ることができる。
しかし、従来のMVAモードの液晶表示装置は、正面から見たときには良好な表示品質を得ることができるものの、斜め方向から見たときには表示品質が劣化するという課題がある。
図12は、特許文献1の画素の構成を表す平面図である。図13は、特許文献1の画素の構成を表す断面図である。
これに対して、特許文献1では、図12に示すように、データバスライン117及びゲートバスライン112によって区画された画素領域に、3つの副画素電極121a〜121cを設けている。それぞれスリット122が設けられた副画素電極121a〜121c
は、副画素電極121bが画素領域の中央に配されており、副画素電極121aが画素領域の上側に配されており、副画素電極121cが画素領域の下側に配されている。
は、副画素電極121bが画素領域の中央に配されており、副画素電極121aが画素領域の上側に配されており、副画素電極121cが画素領域の下側に配されている。
図13に示すように、副画素電極121aは第2の絶縁膜120を介して制御電極119aと容量結合しており、副画素電極121cは第2の絶縁膜120を介して制御電極119cと容量結合している。また、副画素電極121bは、第2の絶縁膜120に設けられたコンタクトホール120aを介して補助容量電極119bと電気的に接続されている。そして、副画素電極121a,121cには、副画素電極121bよりも低い電圧を印加する。
このように、特許文献1では、1画素内に透過率−印加電圧特性が異なる複数の領域を形成することにより、画面を斜めから見たときの表示品質の劣化を回避している。
また、特許文献1では、4つに分割された画素のそれぞれの領域の画素電極に、異なる角度のスリットを入れることも開示されている。
図14は、特許文献1の他の画素の構成を表す平面図である。
図14に示すように、画素電極451の右上の領域には、X軸に対して45°方向に伸びるスリット452aと、25°方向に伸びるスリット452bが設けられている。また、左上の領域には、X軸に対し135°方向に伸びるスリット452cと、155°方向に伸びるスリット452dとが設けられている。更に、左下の領域には、X軸に対し225°方向に伸びるスリット452eと、205°方向に伸びるスリット452fとが設けられている。更にまた、右下の領域には、X軸に対し315°方向に伸びるスリット452gと、335°方向に伸びるスリット452hとが設けられている。
このように、X軸に対し45°、135°、225°、315°の方向に伸びるスリットを形成し、さらに、4方向(25°、155°、205°、315°)のスリットを形成することで、データバスライン側であるスリットの先端部に暗部が発生することを抑制している。
図15、図16(a)(b)を用いて、MVAモードで、視野角によっては画質の表示品位が劣化することについて説明する。
図15は、液晶分子110の構成を表す斜視図である。図16(a)は、図11に示すMVAモードの液晶表示装置の画素の中心近傍を表す平面図であり、(b)は(a)の斜視図である。
図15に示すように、液晶分子110は細長い棒状構造を有している。ここでは、液晶分子110の両端部のうち、垂直配向をしたときに正面となる、画素電極103から遠い側の端部を頭110aと称する。また、液晶分子110の長軸方向の側面を腹110bと称する。
図16(a)に示すように、画素101を平面視したときに、液晶分子110は、X軸に対して45°傾斜して配向している。このように、画素101の右側の上下領域、及び左側の上下領域とも、液晶分子110は、その長軸方向のX軸に対する傾きが大きい。
このため、例えば、図16(b)に示すように、画素101を右斜め方向から見た場合、液晶分子110は、頭110aよりも、腹110bを見せる割合の方が大きい。
液晶分子110は複屈折率を有するので、液晶分子110の腹110bが見える割合が大きいと、視野角の変化による液晶分子110の角度の変化により、光学特性は複雑に変化する。このことが、画質品位が劣化する原因となっている。
図12、図13を用いて説明した画素の構成でも、同様の現象が生じているので、画素を斜めから見たときの画質の表示品位の劣化の防止が不十分であり、改善の余地があった。
また、図14を用いて説明した画素電極の構造は、データバスライン側であるスリットの先端部に発生する暗部を抑制することはできるものの、画素を斜めから見たときの画質の表示品位の劣化を防止できるものではない。
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、マルチドメイン構造の液晶表示装置の視野角特性を向上することにある。
上記の課題を解決するために、本発明の液晶表示装置は、液晶層を介して互いに対向配置される一対の基板を備え、上記基板の一方には、画素毎に、液晶の配向を制御する画素電極が配されている液晶表示装置であって、上記画素電極は、互いに平行であり、上記画素における水平方向の水平軸に対して、傾斜して伸びて配されている複数の第1の画素電極と、互いに平行であり、上記第1の画素電極とは異なる角度で、上記水平軸に対して、傾斜して伸びて配されている第2の画素電極と、上記複数の第1の画素電極間及び上記第2の画素電極間のそれぞれを、上記画素における水平方向に接続する第3の画素電極と、を備えていることを特徴としている。
上記構成によると、上記第1の画素電極は、互いに平行であり、上記水平軸に対して、傾斜して伸びて配されている。また、上記第2の画素電極は、互いに平行であり、上記第1の画素電極とは異なる角度で、上記水平軸に対して、傾斜して伸びて配されている。
このため、上記画素電極に電圧が印加されると、上記第1の画素電極が伸びる方向に配向方向が規定される液晶分子と、第2の画素電極が伸びる方向に配向方向が規定される液晶分子とが生じる。そして、第1及び第2の画素電極のそれぞれによって配向方向が規定される液晶分子の配向方向は異なることになる。
このように、画素内の液晶分子の配向方向を異ならせるマルチドメイン構造とすることで、視野角を広げることができる。
そして、上記第3の画素電極は、上記複数の第1の画素電極間及び上記第2の画素電極間のそれぞれを、上記水平方向に接続している。
このため、上記画素を平面視したとき、液晶分子の配向方向は、上記第1の画素電極及び上記第2の画素電極が、上記水平軸に対して傾斜している角度より、水平方向に近づくので、水平方向の視野角に対する画像の品位を向上させることができる。
このように、上記構成によると、マルチドメイン構造の液晶表示装置の視野角特性を向上させることができる。
本発明の液晶表示装置は、上記第1の画素電極及び上記第2の画素電極は、上記水平軸に対する鋭角の角度が、略45°となるように、上記水平軸に対して傾斜して配されていることが好ましい。
上記構成によると、上記第1の画素電極及び上記第2の画素電極のそれぞれにより、配向方向を異ならせる向きの違いを大きくすることができるので、視野角を大きく向上させることができる。
本発明の液晶表示装置では、上記画素電極は、上記画素の水平方向及び垂直方向に伸びる第4の画素電極を備えていることで、4つの領域に区画されており、上記第1の画素電極及び上記第2の画素電極は、上記4つの領域のうち、異なる領域に配されていることが好ましい。
上記構成によると、上記4つの領域に区画されたマルチドメイン構造を構成することができる。
本発明の液晶表示装置は、互いに隣接する上記第3の画素電極間の距離は、互いに隣接する上記第1の画素電極間の距離、及び互いに隣接する上記第2の画素電極間の距離より大きいことが好ましい。
上記構成により、液晶分子は、上記第3の画素電極により規定される配向方向より、上記第1及び第2の画素電極により規定される配向方向による影響を強く受けることになる。このため、マルチドメイン構造を保ちつつ、水平方向の視野角特性を向上させることができるので、確実に、マルチドメイン構造の液晶表示装置の視野角特性を向上させることができる。
本発明の液晶表示装置は、上記第3の画素電極が配されているピッチに対する上記第3の画素電極の幅の密度は、50%未満であることが好ましい。
上記構成により、液晶分子を、上記第1及び第2の画素電極により規定される配向方向に、確実に配向させることができるので、確実に、マルチドメイン構造を保ちつつ、水平方向の視野角特性を向上させることができる。
本発明の液晶表示装置は、上記第3の画素電極が配されているピッチに対する上記第3の画素電極の幅の密度は、18%以上であることが好ましい。上記構成により、液晶分子を、上記第1及び第2の画素電極により規定される配向方向より、確実に、上記画素を平面視したときの水平方向に近づく方向へ配向させることができる。このため、確実に、マルチドメイン構造の液晶表示装置の視野角特性を向上させることができる。
本発明の液晶表示装置は、上記画素の水平方向に伸びる第4の画素電極と、当該画素の水平方向に伸びる第4の画素電極に隣接して配されている上記第3の画素電極との距離は、互いに隣接して配されている上記第3の画素電極間の距離より大きいことが好ましい。
上記構成により、上記画素の水平方向及び垂直方向に伸びる第4の画素電極と、上記画素の垂直方向に伸びる第4の画素電極とが交差する領域に配されている液晶分子に対して、上記第3の画素電極により規定される配向方向の影響を及ぼすことを低減することがで
きる。このため、上記画素の水平方向及び垂直方向に伸びる第4の画素電極と、上記画素の垂直方向に伸びる第4の画素電極とが交差する領域に配されている液晶分子の配向が制御できなくなり、画素の透過率が低下することを防止することができる。
きる。このため、上記画素の水平方向及び垂直方向に伸びる第4の画素電極と、上記画素の垂直方向に伸びる第4の画素電極とが交差する領域に配されている液晶分子の配向が制御できなくなり、画素の透過率が低下することを防止することができる。
本発明の液晶表示装置は、液晶層を介して互いに対向配置される一対の基板を備え、上記基板の一方には、画素毎に、液晶の配向を制御する画素電極が配されており、上記画素電極は、互いに平行であり、上記画素における水平方向の水平軸に対して、傾斜して伸びて配されている複数の第1の画素電極と、互いに平行であり、上記第1の画素電極とは異なる角度で、上記水平軸に対して、傾斜して伸びて配されている第2の画素電極と、上記複数の第1の画素電極間及び上記第2の画素電極間のそれぞれを、上記画素における水平方向に接続する第3の画素電極と、を備えている。
これにより、マルチドメイン構造の液晶表示装置の視野角特性を向上させることができる。
〔実施の形態〕
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
図1は、本実施の形態に係る液晶表示装置1の構成を表す平面図である。図2は、図1のA-A’線矢視断面図である。
図1に示すように、液晶表示装置1は、水平方向(X軸方向)に配されている複数のゲートバスライン12と、垂直方向(Y軸方向)に配されている複数のデータバスライン28とが配されている。この、ゲートバスライン12と、データバスライン28とで区画さ
れている領域が、画素20である。
れている領域が、画素20である。
画素20には、液晶分子の配向を制御するための画素電極16が配されている。この画素電極16には、互いに平行であり、画素20における水平方向の水平軸(X軸)に対して、異なる方向に傾斜して伸びて配されているスリット21が形成されている。
このようなスリット21により、画素電極16は、互いに平行であり、画素20における水平方向の水平軸(X軸)に対して、異なる方向に傾斜して伸びて配されている複数の線状画素電極(画素電極)16c〜16fを含む。
これにより、画素電極16に、画素20の駆動用の電圧が印加されると、液晶分子は、画素電極16の平面形状が異なる領域(線状画素電極16c〜16fが配されている領域)ごとに、配向する向きが異なることになる。このように、液晶表示装置1は、1つの画素20内に、液晶分子が配向する方向が異なる複数の領域(ドメイン)が配されているMVAモード(マルチドメイン構造)の液晶表示装置である。
まず、図1、2を用いて、液晶表示装置1の構成について説明する。
液晶表示装置1は、液晶層40を介して互いに対向配置されている一対のTFT基板(基板)10と、対向基板(基板)30とを備えている。また、液晶表示装置1は、TFT基板10及び対向基板30のそれぞれの外側面に配されている偏光板45・46を備えている。
偏光板45・46は、透過軸(偏光軸)が互いに直交するように配されている。偏光板45・46のうち、一方は、図1のX軸に対して平行な方向の直線偏光を透過し、他方は、図1のY軸に対して平行な方向の直線偏光を透過するように配されている。
TFT基板10は、TFT14及び画素電極16が配されているものである。TFT基板10は、ガラス基板11と、ガラス基板11上に形成されているゲートバスライン12と、ゲートバスライン12を覆ってガラス基板11上に形成されているゲート絶縁膜13と、ゲート絶縁膜13上であって各画素20ごとに形成されているTFT14と、TFT14を覆ってゲート絶縁膜13上に形成されている第2の絶縁膜15と、第2の絶縁膜15上に形成されている画素電極16と、第2の絶縁膜15及び画素電極16上に形成される配向膜(付図示)とを備えている。
対向基板30は、ガラス基板31と、ガラス基板31の下面(TFT基板10との対向面)に形成されているブラックマトリクス32及びカラーフィルタ33と、カラーフィルタ33の下面に形成されているコモン電極34と、コモン電極34の下面に形成されている配向膜(付図示)とを備えている。
ゲート絶縁膜13、及び第2の絶縁膜15は、例えば、SiO2やSiN等の絶縁物からなる。
TFT基板10及び対向基板30に形成されている配向膜(付図示)は、ポリイミドなどからなり、画素電極16に電圧を印加していないときは液晶分子を垂直に配向させ、画素電極16に電圧が印加されたとき、液晶分子が傾斜するように配向させる垂直配向膜である。
液晶層40には、予めモノマーが混合されている。そして、画素20に駆動用の電圧が加えられたとき、光を照射するなどして、混合されているモノマーを重合化し、ポリマー
を形成する。この形成されたポリマーによって、配向膜の境界面付近の液晶分子のプレチルト角を保持することができる。これにより、画素20に駆動電圧を印加したとき、液晶分子が傾斜する方向を規制して、液晶分子の配向を行なうことができる。このような技術はPSA(polymer-sustained alignment)と呼ばれ、液晶分子の高速応答化を行なうこ
とが可能となる。
を形成する。この形成されたポリマーによって、配向膜の境界面付近の液晶分子のプレチルト角を保持することができる。これにより、画素20に駆動電圧を印加したとき、液晶分子が傾斜する方向を規制して、液晶分子の配向を行なうことができる。このような技術はPSA(polymer-sustained alignment)と呼ばれ、液晶分子の高速応答化を行なうこ
とが可能となる。
なお、本実施形態では、PSAは必須の技術ではなく、液晶層40に、PSAを行なうためのモノマーが混合されていなくてもよい。
カラーフィルタ33は、画素20毎に、例えば、赤色光を透過するフィルタ、緑色光を透過するフィルタ、青色光を透過するフィルタが配されているものである。
画素電極16及びコモン電極34は、例えばITOなどからなる透明電極である。
次に、画素電極16の構成について、図1を用いて説明する。
図1に示すように、画素電極16は、スリット21が形成されることで、画素20を平面視したときに、複数の方向に伸びる線状画素電極16a〜16jからなるスリット電極構造である。
線状画素電極(第4の画素電極)16aは、画素20の中央であって、水平方向に伸びるように画素20に配されている。この線状画素電極16aによって、画素20は、垂直方向(Y軸方向)に2つの領域(ドメイン)に2等分に区画されている。
線状画素電極(第4の画素電極)16bは、画素20の中央であって、垂直方向に伸びるように画素20に配されている。この線状画素電極16bによって、画素20は、水平方向(X軸方向)に2つの領域(ドメイン)に2等分に区画されている。
すなわち、線状画素電極16a・16bによって、画素20は4つの領域に区画されている。
ここで、本実施の形態では、この画素20の4つの領域のうち、右上の領域を第1の領域、左上の領域を第2の領域、左下の領域を第3の領域、右下の領域を第4の領域と称する。
線状画素電極(第1の画素電極、第2の画素電極)16cは、画素20の第1の領域に、互いに平行に形成されており、X軸に対して略45°の方向に伸びるように、複数形成されている。線状画素電極(第2の画素電極、第1の画素電極)16dは、画素20の第2の領域に、互いに平行に形成されており、X軸に対して略135°の方向に伸びるように、複数形成されている。
線状画素電極(第2の画素電極、第1の画素電極)16eは、画素20の第3の領域に、互いに平行に形成されており、X軸に対して略225°の方向に伸びるように、複数形成されている。線状画素電極(第2の画素電極、第1の画素電極)16eは、画素20の第4の領域に、互いに平行に配されており、X軸に対して略315°の方向に伸びるように複数形成されている。
このように、線状画素電極16c〜16fは、X軸に対する鋭角が略45°となるように、画素電極16に形成されている。
さらに、画素電極16には、線状画素電極16c〜16fのそれぞれを、X軸方向に接続する線状画素電極(第3の画素電極)16g〜16jが形成されている。
線状画素電極16gは、画素20の第1の領域に、互いに平行に配されており、複数の線状画素電極16cを接続して、X軸に対して平行な方向に伸びるように複数形成されされている。線状画素電極16hは、画素20の第2の領域に、互いに平行に形成されており、複数の線状画素電極16dを接続して、X軸に対して平行な方向に伸びるように複数形成されている。
線状画素電極16iは、画素20の第3の領域に、互いに平行に配されており、複数の線状画素電極16eを接続して、X軸に対して平行な方向に伸びるように複数形成されている。スリット16jは、画素20の第4の領域に、互いに平行に形成されており、複数の線状画素電極16fを接続して、X軸に対して平行な方向に伸びるように複数形成されている。
このように、液晶表示装置1の画素20内に形成された4つのドメインである第1〜第4の領域には、それぞれ、画素電極16として、線状画素電極16c・16g、線状画素電極16d・16h、線状画素電極16e・16i、及び線状画素電極16f・16jが形成されている。
次に、このように画素電極16が、線状画素電極16a〜16jからなる液晶表示装置1における液晶分子の配向の様子について、図3(a)(b)を用いて説明する。
図3(a)は、液晶分子の配向の様子を説明する図であり、(b)は(a)の斜視図である。
図3(a)に示すように、画素20の線状画素電極16a〜16jに電圧を加えると、第1〜第4の領域のそれぞれに形成された線状画素電極16c・16g、線状画素電極16d・16h、線状画素電極16e・16i、線状画素電極16f・16jのそれぞれが伸びる方向により、各第1〜第4の領域の液晶分子41の配向方向が規定される。このように、各第1〜第4の領域によって、液晶分子41の配向方向を、4方向に異ならせることができる。このようなマルチドメイン構造とすることで、画素20を透過してくる光の透過方向を、4方向に異ならせることができ、視野角を広げることができる。
また、線状画素電極16c・16d・16e・16fは、互いに異なる方向に伸びるように形成されており、X軸に対する鋭角の角度が、例えば略45°となるように、Xに対して傾斜して形成されている。これにより、各第1〜第4の領域間で、液晶分子41の配向方向を異ならせる向きの違いを大きくすることができるので、視野角を大きく向上させることができる。
さらに、画素20には、線状画素電極16c・16d・16e・16fのそれぞれを、X軸方向に接続する線状画素電極16g・16h・16i・16jが形成されている。これにより、画素20を平面視したとき、第1〜第4の領域の液晶分子41は、その長軸のX軸となす鋭角の角度が、45°より小さくなるように配向する。
つまり、画素20では、画素20を平面視したとき、液晶分子41は、X軸に平行な線状画素電極16g、16h、16i、16jを配していない場合と比べて、長軸を、X軸と平行となる方向に近づけて配向する。
ここで、液晶分子41のうち、垂直配向をしたときに正面となる、TFT基板10から
遠い側の端部を頭41aと称する。また、液晶分子41の長軸の側面を腹41bと称する。
遠い側の端部を頭41aと称する。また、液晶分子41の長軸の側面を腹41bと称する。
図3(b)に示すように、画素20を、線状画素電極16aから平行に右斜め方向から見た場合、線状画素電極16bより右側(手前側)に位置する第1の領域、及び第4の領域の液晶分子41は、主に腹41bを見せることになる。すなわち、第1の領域、及び第4の領域の液晶分子41は、頭41aより、腹41bを見せる割合が大きい。
一方、線状画素電極16bより左側(奥側)に位置する第2の領域第4の領域の液晶分子41は、主に頭41aを見せることになる。すなわち、第2の領域、及び第3の領域の液晶分子41は、頭41aと、腹41bとをほぼ同等程度見せる。これは、図16(b)で示した画素101の左側の上下領域での液晶分子110が見せる腹110bと頭110aと割合と比べて、画素20の第2及び第4領域の液晶分子41の方が、頭41aを見せる割合が大きい。
すなわち、画素20では、液晶分子41は、第2及び第3の領域の液晶分子41(図3(b)の領域lに示す液晶分子41のように、主に頭41aを見せる液晶分子41と、第1及び第4の領域の液晶分子41(図3(b)の領域rに示す液晶分子41)のように、主に腹41bを見せる液晶分子41とに大別することができる。
このように、線状画素電極16g〜16jを設けることで、画素20を斜め方向から見たときに奥側となる第2及び第3領域の液晶分子41の腹41bを見せる割合を減らすことができるので、水平方向の斜め方向から見たときの透過率を、安定して変化させることができるようになる。このため、液晶表示装置1の構成によると、斜めから見たときの画像の品質の劣化を抑制することができる。
また、このような2種類(第1及び第4の領域と、第2及び第3の領域と)の液晶分子41の配向方向は、互いの光学特性を補償し合うため、視野角の改善を行なうことができる。
画素20を、線状画素電極16aから平行に左斜め方向から見た場合も同様である。
このように、画素20に設けられた線状画素電極16a〜16jの構成によると、左右方向から液晶表示装置1を見たときの視野角特性を改善することができる。
ここで、画素20を平面視したときの液晶分子41の配向方向を、X軸となす鋭角が45°より小さくなるようにするために、画素電極16の形状を、例えば、図4に示す画素電極66のようにすることが考えられる。
図4は、本実施の形態の画素電極16とは異なる構成の画素電極を表す平面図である。
画素電極66は、画素電極16から水平方向の線状画素電極16g・16h・16i・16jを省略し、さらに、線状画素電極16c・16d・16e・16fの、X軸となす鋭角αが25°となるように配されている構造である。各線状画素電極16c・16d・16e・16f間には、スリット61が形成されている。他の構成は、画素電極16と同様である。
このような画素電極66を、画素電極16に替えて画素20に設けることで、各第1〜第4の領域の液晶分子41は、X軸となす鋭角αが25°となるように形成された線状画素電極16c・16d・16e・16fのそれぞれによって、画素20を平面視したとき
の液晶分子41の配向方向は、X軸となす鋭角が25°となり、X軸となす鋭角を、45°より小さくすることができる。
の液晶分子41の配向方向は、X軸となす鋭角が25°となり、X軸となす鋭角を、45°より小さくすることができる。
しかし、画素電極66のように、水平方向の線状画素電極16g・16h・16i・16jを設けず、X軸となす鋭角αが25°となるように形成された線状画素電極16c・16d・16e・16fだけで、画素20を平面視したときの液晶分子41の配向方向を、X軸となす鋭角が45°より小さくする構成では、画素電極16のスリット21と比べて、画素電極66に形成するスリット61の面積が大きくなる。
画素内で、画素電極66が設けられている領域と比べて、スリット61が設けられている領域は、透過率が低下するので、画素電極66に設けるスリット61の面積が大きいと、画素の透過率の低下が大きくなる。
一方、画素電極16では、線状画素電極16c間、線状画素電極16d間、線状画素電極16e間、線状画素電極16f間をそれぞれ接続する線状画素電極16g・16h・16i・16jが設けられているので、スリット21の面積は、スリット61と比べて小さい。このため、画素電極16の面積は、画素電極66の面積より大きくすることができる。
このように、画素20に画素電極16を設けることで、画素電極66を設けた場合と比べて、画素20の透過率低下の抑制効果を得ることができる。
また、図1に示した液晶表示装置1では、さらに、互いに隣接して形成される線状画素電極16g〜16j間の距離は、互いに隣接して形成される線状画素電極16c〜16f間の距離より大きいことが好ましい。
これにより、液晶分子41は、線状画素電極16g〜16jにより規定される配向方向より、線状画素電極16c〜16fにより規定される配向方向による影響を強く受けることになる。すなわち、第1〜第4の領域の各液晶分子41には、X軸に平行な方向の配向規制力(液晶分子41を配向させるために、液晶分子41に及ぼされる力)により、X軸に対して傾斜した方向の配向規制力の方が大きくはたらく。このため、確実に、マルチドメイン構造を保ちつつ、水平方向の視野角特性を向上させることができる。
具体的には、線状画素電極16c〜16fのピッチ(線状画素電極16c〜16fの幅+線状画素電極16c〜16f間の幅)に対する線状画素電極16c〜16fの幅の割合(密度)が50%である場合、線状画素電極16g〜16jのピッチ(線状画素電極16g〜16jの幅+線状画素電極16g〜16j間の幅)に対する線状画素電極16g〜16jの幅の割合(密度)が、50%未満であることが好ましい。
これにより、画素20の第1〜第4領域の各ドメインの液晶分子41を確実に配向させることができるので、確実に、マルチドメイン構造を保ちつつ、水平方向の視野角特性を向上させることができる。
また、図1に示すように、画素20の中心では、線状画素電極16a・16bが交わっていることに加え、線状画素電極16c・16d・16e・16fも交わっている。これにより、画素20の中心近傍では、各線状画素電極16a・16b・16c・16d・16e・16fのそれぞれにより、液晶分子41に対して、配向規制力が加わっている。
ここで、線状画素電極16g〜16jのピッチに対する線状画素電極16g〜16jの幅の密度が高くなると、画素20の中心近傍の液晶分子41に対して、線状画素電極16
g〜16jによる水平方向の配向規制力が強く加わることになる。このように、線状画素電極16g〜16jによる水平方向の配向規制力が、画素20の中心近傍の液晶分子41に対して強く加わると、画素20の中心近傍の液晶分子41に対して、さまざまな配向方向の力が加わりすぎて、画素20の中心近傍の液晶分子41の配向方向が制御できなくなる場合がある。
g〜16jによる水平方向の配向規制力が強く加わることになる。このように、線状画素電極16g〜16jによる水平方向の配向規制力が、画素20の中心近傍の液晶分子41に対して強く加わると、画素20の中心近傍の液晶分子41に対して、さまざまな配向方向の力が加わりすぎて、画素20の中心近傍の液晶分子41の配向方向が制御できなくなる場合がある。
そこで、線状画素電極16g〜16jのピッチに対する線状画素電極16g〜16jの幅の密度を50%未満とすることで、各線状画素電極16a〜16jの交点近傍である画素20の中心近傍の液晶分子41の配向が制御されずに、透過率が低下するなどの課題が生じることを防止することができる。
また、線状画素電極16g〜16jのピッチ(線状画素電極16g〜16jの幅+線状画素電極16g〜16j間の幅)に対する線状画素電極16g〜16jの幅の割合(密度)は、18%以上であることが好ましい。これにより、液晶分子41を、線状画素電極16c〜16fのそれぞれにより規定される配向方向より、確実に、X軸方向に近づく方向へ配向させることができる。
すなわち、第1〜第4の領域の各液晶分子41に、線状画素電極16c〜16fによって加えられる配向規制力に加えて、X軸に平行な方向の配向規制力の影響を及ぼすことができる。
このため、線状画素電極16c〜16fのみによって得られる配向方向より、X軸に対して平行な方向へと配向させることができる。これにより、確実に、マルチドメイン構造の液晶表示装置の視野角特性を向上させることができる。
また、画素20の中心を通って、X軸方向に伸びる線状画素電極16aと、線状画素電極16aと隣接して配されている線状画素電極16g〜16jとの距離は、線状画素電極16g間(線状画素電極16h間、線状画素電極16i間、線状画素電極16j間)の距離より大きいことが好ましい。
これにより、画素20の中心近傍の液晶分子41に、線状画素電極16aと隣接して配されている線状画素電極16g〜16jによる水平方向の配向規制力が強く加わることを防止することができるので、画素20の中心近傍の液晶分子41に対して、さまざまな配向方向の力が加わりすぎて、画素20の中心近傍の液晶分子41の配向方向が制御できなくなることを防止することができる。
このため、各線状画素電極16a〜16jの交点近傍である画素20の中心近傍の液晶分子41の配向が制御されずに、透過率が低下するなどの課題が生じることを防止することができる。
〔実施例〕
次に、実施例について説明する。
次に、実施例について説明する。
図5は、画素20に電圧を加えたときの、透過率の様子を表す図である。
画素20に、7Vの画素20駆動用の電圧を印加した場合、図5に示すように、画素20の中央部分のX軸方向に暗線51aが形成され、画素20の中央部分のY軸方向に暗線51bが形成されることで、画素20に4つの領域(ドメイン)が形成された。図5では、白い領域は透過率が高い領域であり、黒い領域が透過率が低い領域である。
画素20の暗線51aの領域は、画素20を平面視したときの液晶分子41の配向方向が、0°方向(または90°方向)となっている領域である。また、画素20の暗線51bの領域は、画素20を平面視したときの液晶分子41の配向方向が、90°方向(または0°方向)となっている領域である。このため、暗線51a・51bの領域は、画素20を平面視したときの液晶分子41の配向方向が、偏光板45または偏光板46の偏光軸と同じ方向となり、光が透過しない領域となっている。
そして、画素20に形成された4つの領域では、図5に示すように、画素20を平面視したときの液晶分子41の長軸と、X軸とがなす鋭角θは、45°より小さくなるように、それぞれの液晶分子41が配向していることが分かった。
次に、正面方向から液晶表示装置1を見たときの透過率の変化と、斜め方向から液晶表示装置1を見たときの透過率の変化との関係について計算を行なった。
図6は、画素20の透過率の観測方向を説明する図である。図7は、画素20を、図6に示す方向から見た場合の視角特性を表す図である。なお、図6に示す正面方向及び観測方向を表す矢印は、図1の画素20のB-B’の断面の方向から見た場合の方向を表して
いる。
いる。
図6に示すように、図1の画素20を平面視したときの方向を正面方向とした場合、その正面方向から60°傾斜した方向(極角60°)から画素20を観測した方向を、視角特性の観測方向とする。
図7では、横軸は正面方向の規格化透過率を表し、縦軸は極角60°の規格化透過率を表している。図7は、正面方向から見たときの光学特性で規格化しているので、視角特性が良好である場合は、図7中の「正面」で表しているように、直線に近い特性を表すことになる。
図7の横方向線状画素電極無しは、画素電極に、X軸に平行な線状画素電極16g、16h、16i、16jが形成されていない液晶表示装置を表している。
図7の横方向線状画素電極有りは、実施の形態で説明した画素電極16の構造を有する液晶表示装置1を表している。
図7に示すように、横方向線状画素電極有りの曲線は、横方向線状画素電極無しの曲線よりも膨らみが小さく、「正面」で表す直線に近い特性となっていることが分かった。このように、画素20のように、X軸に平行な線状画素電極16g、16h、16i、16jを設けることで、液晶表示装置1を斜め方向から見たときの透過率の変化の特性を、正面から見たときの透過率の変化の特性に近づけることができた。すなわち、視野角特性を改善することができた。
次に、画素20におけるX方向の線状画素電極16g、16h、16i、16jを設ける密度と、視野角との関係についての計算を行なった。その結果について図8〜図10を用いて説明する。図8は、計算に用いた画素の電極パターンの様子を表す図である。
画素20での線状画素電極16g、16h、16i、16jの密度が異なる密度低、密度中、密度高の3つのサンプルについて、それぞれの視野角について計算を行なった。
図8に示すように、シミュレーションに用いた画素電極16のパターンは、図1の画素電極16と同じで、線状画素電極16g〜16j間の距離が異なる。
各サンプルの条件は以下の通りである。なお、線状画素電極16g、16h、16i、16jの幅をS1、線状画素電極16g、16h、16i、16j間の距離をL1とする。線状画素電極16g、16h、16i、16jが配されているピッチを線状画素電極ピッチS1+L1とする。
密度低:線状画素電極幅S1=3μm、線状画素電極間幅L1=14μm、線状画素電極
ピッチS1+L1=17μm
密度中:線状画素電極幅S1=3μm、線状画素電極間幅L1=5.5μm、線状画素電
極ピッチS1+L1=8.5μm
密度高:線状画素電極幅S1=3μm、線状画素電極間幅L1=3μm、線状画素電極ピ
ッチS1+L1=6μm
ここで、線状画素電極16g〜16jの線状画素電極ピッチに対する線状画素電極16g〜16j間幅の密度(線状画素電極の密度と称する)=〔S1/(S1+L1)×10
0〕とした場合、密度低のサンプルでは線状画素電極の密度は18%、密度中のサンプルでは線状画素電極の密度は35%、密度高のサンプルでは線状画素電極の密度は50%となる。
密度低:線状画素電極幅S1=3μm、線状画素電極間幅L1=14μm、線状画素電極
ピッチS1+L1=17μm
密度中:線状画素電極幅S1=3μm、線状画素電極間幅L1=5.5μm、線状画素電
極ピッチS1+L1=8.5μm
密度高:線状画素電極幅S1=3μm、線状画素電極間幅L1=3μm、線状画素電極ピ
ッチS1+L1=6μm
ここで、線状画素電極16g〜16jの線状画素電極ピッチに対する線状画素電極16g〜16j間幅の密度(線状画素電極の密度と称する)=〔S1/(S1+L1)×10
0〕とした場合、密度低のサンプルでは線状画素電極の密度は18%、密度中のサンプルでは線状画素電極の密度は35%、密度高のサンプルでは線状画素電極の密度は50%となる。
また、各サンプルのその他の共通条件は以下の通りである。
画素サイズ:50μm×100μm
X軸に対して斜め方向に配されている線状画素電極16c、16d、16e、16fの幅S2:3μm
線状画素電極16c、16d、16e、16f間幅L2:3μm
線状画素電極16a、16bの幅:3μm
図9(a)〜(c)に、密度低、密度中、密度高のそれぞれの画素に、電圧を加えたときの、透過率の様子を表す。
画素サイズ:50μm×100μm
X軸に対して斜め方向に配されている線状画素電極16c、16d、16e、16fの幅S2:3μm
線状画素電極16c、16d、16e、16f間幅L2:3μm
線状画素電極16a、16bの幅:3μm
図9(a)〜(c)に、密度低、密度中、密度高のそれぞれの画素に、電圧を加えたときの、透過率の様子を表す。
図9(a)は密度低の画素に電圧を加えたときの透過率の様子を表し、(b)は密度中の画素に電圧を加えたときの透過率の様子を表し、(c)は密度高の画素に電圧を加えたときの透過率の様子を表している。
図9(c)に示すように、横方向の線状画素電極の密度が50%の場合、画素中央部分は黒く、透過光が得られないことが分かった。これは、FB形状を構成する斜め方向の線状画素電極16c、16d、16e、16fの密度と、横方向のスリット16g、16h、16i、16jの密度とが同等となると、液晶分子の配向方向を制御できなくなってしまうためと考えられる。
すわわち、横方向の線状画素電極16g、16h、16i、16jの密度を高くすると、線状画素電極16g、16h、16i、16jによる、画素中心部分の液晶分子への水平方向の配向規制力も強くなる。このように、画素中心部分の液晶分子に、線状画素電極16g〜16jによる水平方向の配向規制力が強く加わると、各線状画素電極16a・16b・16c・16d・16e・16fのそれぞれにより、配向規制力が加わっている液晶分子41に対して、さらに、水平方向の配向規制力が強く加わることになり、液晶分子の配向方向を制御できなくなってしまっているためと考えられる。
これに対して、図9(a)(b)に示すように、横方向の線状画素電極16g、16h、16i、16jの密度が50%未満のときは、液晶分子がきれいに配向していることが分かった。
さらに、図9(a)(b)に示す密度低、密度中のサンプルの視野角特性の比較を行なった。
図10は、密度低、密度中のサンプルの画素20を、図6に示す方向から見た場合の視野角特性を表す図である。
図10に示すrefは、画素電極に、X軸に平行な線状画素電極16g、16h、16i、16jが配されていない液晶表示装置を表している。
密度低、密度中共に、refよりも「正面」の直線に近く、視野角特性が改善されていることが分かった。すなわち、横方向の線状画素電極16g、16h、16i、16jを設けることで、視野角特性が改善されることが分かった。
しかし、図10中で、密度低、密度中の曲線は、ほぼ重なっており、視野角の改善効果はほぼ同程度であることが分かった。すなわち、横方向の線状画素電極16g、16h、16i、16jの密度を増やしても、視野角の改善効果はほとんど変わっていない。このため、線状画素電極16g、16h、16i、16jの密度は18%以上であり、50%未満であれば、同等の視野角の改善効果を得ることができることが分かった。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
本発明は、複数のドメインが形成された画素内の各ドメインに、水平方向の線状画素電極を設けることで、各ドメインの液晶分子の配向方向を、水平方向に近づけ、視野角特性を向上させることができるので、MVAモードの液晶表示装置に好適に適用できる。
1 液晶表示装置
10 TFT基板(基板)
16 画素電極
16a、16b 線状画素電極(第4の画素電極)
16c 線状画素電極(第1の画素電極、第2の画素電極)
16d、16e、16f 線状画素電極(第2の画素電極、第1の画素電極)
16g、16h、16i、16j 線状画素電極(第3の画素電極)
20 画素
21 スリット
30 対向基板(基板)
40 液晶層
41 液晶分子
10 TFT基板(基板)
16 画素電極
16a、16b 線状画素電極(第4の画素電極)
16c 線状画素電極(第1の画素電極、第2の画素電極)
16d、16e、16f 線状画素電極(第2の画素電極、第1の画素電極)
16g、16h、16i、16j 線状画素電極(第3の画素電極)
20 画素
21 スリット
30 対向基板(基板)
40 液晶層
41 液晶分子
Claims (7)
- 液晶層を介して互いに対向配置される一対の基板を備え、上記基板の一方には、画素毎に、液晶の配向を制御する画素電極が配されている液晶表示装置であって、
上記画素電極は、互いに平行であり、上記画素における水平方向の水平軸に対して、傾斜して伸びて配されている複数の第1の画素電極と、
互いに平行であり、上記第1の画素電極とは異なる角度で、上記水平軸に対して、傾斜して伸びて配されている第2の画素電極と、
上記複数の第1の画素電極間及び上記第2の画素電極間のそれぞれを、上記画素における水平方向に接続する第3の画素電極と、を備えていることを特徴とする液晶表示装置。 - 上記第1の画素電極及び上記第2の画素電極は、上記水平軸に対する鋭角の角度が、略45°となるように、上記水平軸に対して傾斜して配されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 上記画素電極は、上記画素の水平方向及び垂直方向に伸びる第4の画素電極を備えていることで、4つの領域に区画されており、
上記第1の画素電極及び上記第2の画素電極は、上記4つの領域のうち、異なる領域に配されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶表示装置。 - 互いに隣接する上記第3の画素電極間の距離は、互いに隣接する上記第1の画素電極間の距離、及び互いに隣接する上記第2の画素電極間の距離より大きいことを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の液晶表示装置。
- 上記第3の画素電極が配されているピッチに対する上記第3の画素電極の幅の密度は、50%未満であることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の液晶表示装置。
- 上記第3の画素電極が配されているピッチに対する上記第3の画素電極の幅の密度は、18%以上であることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の液晶表示装置。
- 上記画素の水平方向に伸びる第4の画素電極と、当該画素の水平方向に伸びる第4の画素電極に隣接して配されている上記第3の画素電極との距離は、互いに隣接して配されている上記第3の画素電極間の距離より大きいことを特徴とする請求項3〜6の何れか1項に記載の液晶表示装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104714342A (zh) * | 2015-03-04 | 2015-06-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
WO2021208213A1 (zh) * | 2020-04-14 | 2021-10-21 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 像素电极及具有该像素电极的液晶显示面板 |
-
2010
- 2010-01-29 JP JP2010019367A patent/JP2011158653A/ja active Pending
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