JP2010205528A - Manufacturing method of organic electroluminescent device - Google Patents
Manufacturing method of organic electroluminescent device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010205528A JP2010205528A JP2009049008A JP2009049008A JP2010205528A JP 2010205528 A JP2010205528 A JP 2010205528A JP 2009049008 A JP2009049008 A JP 2009049008A JP 2009049008 A JP2009049008 A JP 2009049008A JP 2010205528 A JP2010205528 A JP 2010205528A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- emitting layer
- organic
- partition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 116
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 111
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 159
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 109
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 109
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 49
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 31
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 22
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 23
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 17
- 238000013316 zoning Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 530
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 92
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 40
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 19
- -1 tetraphenylbutadiene derivative compounds Chemical class 0.000 description 16
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 7
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 5
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 4
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 4
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000292 Polyquinoline Polymers 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 3
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 2
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-dione;diazide Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N prehnitene Chemical compound CC1=CC=C(C)C(C)=C1C UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 2
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 2
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AHLATJUETSFVIM-UHFFFAOYSA-M rubidium fluoride Chemical compound [F-].[Rb+] AHLATJUETSFVIM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole;zinc Chemical compound [Zn].C1=CC=C2SC=NC2=C1 SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylbut-2-enedinitrile Chemical group C=1C=CC=CC=1C(C#N)=C(C#N)C1=CC=CC=C1 VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical group CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 7-[(z)-3-methyl-4-(4-methyl-5-oxo-2h-furan-2-yl)but-2-enoxy]chromen-2-one Chemical compound C=1C=C2C=CC(=O)OC2=CC=1OC/C=C(/C)CC1OC(=O)C(C)=C1 CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJWRRBADQOOFSF-UHFFFAOYSA-N C1=CC=C2OC([Zn])=NC2=C1 Chemical compound C1=CC=C2OC([Zn])=NC2=C1 AJWRRBADQOOFSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 Chemical class C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 229920002319 Poly(methyl acrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical class C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Ca] Chemical compound [AlH3].[Ca] ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N caesium oxide Chemical compound [O-2].[Cs+].[Cs+] KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001942 caesium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 1
- HFXKQSZZZPGLKQ-UHFFFAOYSA-N cyclopentamine Chemical class CNC(C)CC1CCCC1 HFXKQSZZZPGLKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N decacyclene Chemical compound C12=C([C]34)C=CC=C4C=CC=C3C2=C2C(=C34)C=C[CH]C4=CC=CC3=C2C2=C1C1=CC=CC3=CC=CC2=C31 CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910021482 group 13 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N indium lithium Chemical compound [Li].[In] LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000002687 intercalation Effects 0.000 description 1
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N phenoxazin-1-one Chemical compound C1=CC=C2N=C3C(=O)C=CC=C3OC2=C1 FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N phenoxazone Natural products C1=CC=C2OC3=CC(=O)C=CC3=NC2=C1 UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910001952 rubidium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- CWBWCLMMHLCMAM-UHFFFAOYSA-M rubidium(1+);hydroxide Chemical compound [OH-].[Rb+].[Rb+] CWBWCLMMHLCMAM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical class C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置(以下、「エレクトロルミネッセンス」を「EL」ということがある。)の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an organic electroluminescence device (hereinafter, “electroluminescence” may be referred to as “EL”).
光源として複数の有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、「エレクトロルミネッセンス」を「EL」と記載する場合がある。)を備える表示装置の研究開発が進められている。 Research and development of a display device including a plurality of organic electroluminescence elements (hereinafter, “electroluminescence” may be referred to as “EL”) as a light source is in progress.
有機EL素子は電圧を印加することによって発光する発光素子であり、一対の電極と、該電極間に設けられる発光層とを含んで構成される。有機EL素子に電圧を印加すると、一方の電極から正孔が注入されるとともに、他方の電極から電子が注入され、これら正孔と電子とが発光層で結合することによって発光する。 An organic EL element is a light emitting element that emits light when a voltage is applied, and includes a pair of electrodes and a light emitting layer provided between the electrodes. When a voltage is applied to the organic EL element, holes are injected from one electrode and electrons are injected from the other electrode, and light is emitted by combining these holes and electrons in the light emitting layer.
有機EL素子は通常、有機EL素子を構成する各層を所定の順序で積層することによって支持基板上に作製される。各層は、求められる特性および工程の簡易さなどを考慮して、適宜最適な方法によって形成される。たとえば工程の簡易さの観点から、発光層を塗布法で形成することが検討されている。 An organic EL element is usually produced on a support substrate by laminating layers constituting the organic EL element in a predetermined order. Each layer is appropriately formed by an optimum method in consideration of required characteristics and process simplicity. For example, from the viewpoint of simplicity of the process, it has been studied to form a light emitting layer by a coating method.
塗布法で発光層を形成する場合、発光層を形成するために用いられるインキを各有機EL素子ごとに収容するための隔壁が、通常は支持基板上に設けられている。このような隔壁として、例えば格子状またはストライプ状の隔壁が支持基板上に設けられる。隔壁に囲まれる領域に前記インキを所定の塗布法によって選択的に供給し、さらに固化することによって発光層を形成することができる。 When forming a light emitting layer by the apply | coating method, the partition for accommodating the ink used in order to form a light emitting layer for every organic EL element is usually provided on the support substrate. As such a partition, for example, a lattice-shaped or stripe-shaped partition is provided on the support substrate. A light emitting layer can be formed by selectively supplying the ink to a region surrounded by the partition walls by a predetermined coating method and further solidifying the ink.
隔壁は、いわば各有機EL素子を区画するために設けられるため、有機EL素子の配置に応じて所定のパターン(例えば格子状またはストライプ状)に形成する必要がある。そのため隔壁の形成にはフォトリソグラフィが一般的に用いられてきた。しかしながらフォトリソグラフィは工程数が多く、工程が複雑なために、より簡易な方法で隔壁をパターン形成する方法が求められていた。 Since the partition is provided to partition each organic EL element, it is necessary to form the partition in a predetermined pattern (for example, a lattice shape or a stripe shape) according to the arrangement of the organic EL elements. Therefore, photolithography has been generally used for forming the partition walls. However, since photolithography has a large number of steps and is complicated, a method for patterning barrier ribs by a simpler method has been demanded.
そこでインクジェットプリント法を用いて簡易に隔壁(バンク)を形成する方法が開示されている(例えば、特許文献1参照)。インクジェットプリント法は、インキを液滴として断続的に滴下するノズルを、所定のコースで移動することによって、所期の部位にインキを選択的に供給可能な塗布法の1つである。このインクジェットプリント法を用いて、隔壁となる材料を含むインキを所定のパターンで供給し、さらにこれを固化することにより、所定のパターンで簡易に隔壁を形成することができる。 In view of this, a method of easily forming partition walls (banks) using an inkjet printing method has been disclosed (for example, see Patent Document 1). The ink jet printing method is one of coating methods that can selectively supply ink to a desired site by moving a nozzle that drops ink intermittently as droplets along a predetermined course. By using this ink jet printing method, the ink containing the material for forming the partition wall is supplied in a predetermined pattern, and further solidified, whereby the partition wall can be easily formed in the predetermined pattern.
上述したインクジェットプリント法では表面がなだらかな隔壁を形成することが難しい。前述したように塗布法で発光層を形成する場合には、発光層を形成するためのインキを、隔壁で囲まれる領域に供給し、これを固化することにより層を形成するため、凹凸のある隔壁側面に接触した状態で発光層が形成されることになる。形成される発光層の性状には、隔壁側面の性状が大きく影響するため、凹凸のある隔壁側面で囲まれた領域に、平坦で均一な膜厚の発光層を形成することは難しく、所期の発光層を形成することが難しいという問題がある。 In the ink jet printing method described above, it is difficult to form a partition having a gentle surface. As described above, when the light emitting layer is formed by the coating method, the ink for forming the light emitting layer is supplied to the region surrounded by the partition wall, and the layer is formed by solidifying the ink. A light emitting layer will be formed in the state which contacted the partition side surface. The properties of the light emitting layer to be formed are greatly affected by the properties of the side wall of the partition wall, so it is difficult to form a light emitting layer with a flat and uniform film thickness in the region surrounded by the side surface of the uneven partition wall. It is difficult to form a light emitting layer.
従って本発明の目的は、有機EL素子を簡便な工程で作製することが可能な有機EL装置の製造方法を提供することである。 Therefore, the objective of this invention is providing the manufacturing method of the organic EL apparatus which can produce an organic EL element with a simple process.
上記の課題を解決するため、本発明では、下記の構成を採用した。
[1] 支持基板と、
該支持基板上に設けられる複数の有機エレクトロルミネッセンス素子と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を区画する複数本の隔壁と、
を備え、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子が、第1電極と、第2電極と、第1および第2電極間に配置される有機化合物を含む発光層とを有する、
有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記第1電極が形成された支持基板を用意する準備工程と、
前記隔壁となる材料を含むインキを当該隔壁が設けられる部位に沿って液柱状に吐出しつつ供給し、さらに固化することにより複数本の隔壁を形成する隔壁形成工程と、
隔壁間に前記発光層を形成する発光層形成工程と、
前記第2電極を形成する第2電極形成工程と、
を含む、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
[2] 前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子に共通する共通層を第1電極と発光層との間に備え、
前記準備工程後かつ前記隔壁形成工程前に、前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子に跨がって共通層を一体的に形成する共通層形成工程をさらに含む、上記[1]に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
[3] 前記共通層形成工程では、前記共通層をスピンコート法により形成する、上記[2]に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
[4] 前記共通層形成工程では、前記共通層を真空蒸着法または化学蒸着法により形成する、上記[2]に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
[5] 前記第1電極が陽極であり、
前記第2電極が陰極であり、
前記発光層が前記共通層に接して配置され、
前記共通層形成工程では、前記陽極に接する位置に配置される正孔注入層と、発光層に接する位置に配置される電子ブロック層とを含む共通層を形成する、上記[2]から[4]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
[6] 前記共通層形成工程では、膜厚が0.5nm以上、20nm以下の前記正孔注入層を形成する、上記[5]に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
[7] 前記共通層形成工程では、前記正孔注入層をシランカップリング材料により形成する、上記「5」又は[6]に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
[8] 前記共通層形成工程では、膜厚が40nm以上、200nm以下の電子ブロック層を形成する、上記[5]から[7]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
[9] 前記発光層形成工程では、発光層となる材料を含むインキを用いる塗布法により前記発光層を形成し、
前記隔壁形成工程では、発光層となる材料を含むインキに対する当該隔壁表面の接触角が40度以上の隔壁を形成する、上記[1]から[8]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
[10] 前記隔壁形成工程では、高さが0.5nm以上、20nm以下隔壁を形成する、上記[1]から[9]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
[11] 前記発光層形成工程では、発光層となる材料を含むインキを、当該発光層が設けられる部位に沿って液柱状に吐出しつつ供給し、さらに固化することにより前記発光層を形成する、上記[1]から[10]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
In order to solve the above problems, the present invention employs the following configuration.
[1] a support substrate;
A plurality of organic electroluminescence elements provided on the support substrate;
A plurality of partition walls for partitioning the organic electroluminescence element;
With
The organic electroluminescence element has a first electrode, a second electrode, and a light emitting layer containing an organic compound disposed between the first and second electrodes.
A method for manufacturing an organic electroluminescence device, comprising:
Preparing a supporting substrate on which the first electrode is formed;
A partition forming step of forming a plurality of partition walls by supplying ink containing a material to be the partition walls while discharging in a liquid column shape along a site where the partition walls are provided, and further solidifying;
A light emitting layer forming step of forming the light emitting layer between the partition walls;
A second electrode forming step of forming the second electrode;
A method for producing an organic electroluminescence device, comprising:
[2] The organic electroluminescence element includes a common layer common to the plurality of organic electroluminescence elements between the first electrode and the light emitting layer,
The organic electroluminescence according to [1], further including a common layer forming step of integrally forming a common layer across the plurality of organic electroluminescence elements after the preparation step and before the partition formation step. Device manufacturing method.
[3] The method for manufacturing an organic electroluminescence device according to [2], wherein in the common layer formation step, the common layer is formed by a spin coating method.
[4] The method for manufacturing an organic electroluminescence device according to [2], wherein in the common layer forming step, the common layer is formed by a vacuum vapor deposition method or a chemical vapor deposition method.
[5] The first electrode is an anode,
The second electrode is a cathode;
The light emitting layer is disposed in contact with the common layer;
In the common layer forming step, a common layer including a hole injection layer disposed at a position in contact with the anode and an electron blocking layer disposed at a position in contact with the light emitting layer is formed. ] The manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus as described in any one of.
[6] The method for manufacturing an organic electroluminescent device according to [5], wherein in the common layer forming step, the hole injection layer having a film thickness of 0.5 nm or more and 20 nm or less is formed.
[7] The method for manufacturing an organic electroluminescence device according to [5] or [6], wherein in the common layer forming step, the hole injection layer is formed of a silane coupling material.
[8] The method for manufacturing an organic electroluminescent device according to any one of [5] to [7], wherein in the common layer forming step, an electron blocking layer having a film thickness of 40 nm or more and 200 nm or less is formed.
[9] In the light emitting layer forming step, the light emitting layer is formed by a coating method using an ink containing a material to be the light emitting layer,
In the partition formation step, the organic electroluminescence according to any one of [1] to [8], wherein the partition surface has a contact angle of 40 degrees or more with respect to the ink including the material used as the light emitting layer. Device manufacturing method.
[10] The method for manufacturing an organic electroluminescent device according to any one of [1] to [9], wherein in the partition formation step, a partition having a height of 0.5 nm or more and 20 nm or less is formed.
[11] In the light emitting layer forming step, ink containing a material to be the light emitting layer is supplied while being discharged in a liquid column shape along a portion where the light emitting layer is provided, and further solidified to form the light emitting layer. The method for producing an organic electroluminescent device according to any one of [1] to [10] above.
本発明によれば、簡便な工程で、特性の高い有機EL素子を作製することができる。 According to the present invention, an organic EL device having high characteristics can be produced by a simple process.
以下本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお図面における各部材の縮尺は実際とは異なる場合がある。また本発明は以下の記述によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。有機EL装置においては電極のリード線等の部材も存在するが、これらは本発明の説明において直接的に必要ではないためその記載を省略している。説明の便宜上、以下に示す例においては支持基板を下に配置した図と共に説明がなされるが、本発明の有機EL素子およびこれを搭載した有機EL装置は、必ずしもこの配置で、製造または使用等がなされるわけではない。なお以下の説明において支持基板の厚み方向の一方を「上」または「上方」といい、支持基板の厚み方向の他方を「下」または「下方」という場合がある。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Note that the scale of each member in the drawing may differ from the actual scale. The present invention is not limited to the following description, and can be appropriately changed without departing from the gist of the present invention. In the organic EL device, there are members such as electrode lead wires, but these are not directly necessary in the description of the present invention, and the description thereof is omitted. For convenience of explanation, in the example shown below, the explanation will be made with the figure in which the support substrate is arranged below. However, the organic EL element of the present invention and the organic EL device equipped with the organic EL element are not necessarily arranged in this arrangement. Is not done. In the following description, one of the support substrate in the thickness direction may be referred to as “upper” or “upper”, and the other of the support substrate in the thickness direction may be referred to as “lower” or “lower”.
1.本発明の有機EL装置の製造方法
[第1の実施形態]
本発明の有機EL装置の製造方法(以下、本発明の製造方法という場合がある)は、複数の有機EL素子を備える有機EL装置の製造方法である。有機EL素子は表示装置としての有機EL装置において、それぞれ画素を構成する。
1. Method for Manufacturing Organic EL Device of the Present Invention [First Embodiment]
The manufacturing method of the organic EL device of the present invention (hereinafter sometimes referred to as the manufacturing method of the present invention) is a method of manufacturing an organic EL device including a plurality of organic EL elements. An organic EL element constitutes a pixel in an organic EL device as a display device.
本発明の製造方法は製造される特定の有機EL素子の実施形態によって限定されるものではないが、本発明の製造方法の理解を容易にするため、以下の実施形態の説明においては、有機EL素子として図1に示す例を適宜参照する。 The manufacturing method of the present invention is not limited by the specific embodiment of the organic EL element to be manufactured. However, in order to facilitate understanding of the manufacturing method of the present invention, in the following description of the embodiment, organic EL As an element, the example shown in FIG.
図1は、第1の実施形態の有機EL装置を示す断面図である。本実施形態の有機EL装置は、光透過性を有する平板状の支持基板11と、該支持基板11上に設けられる複数の有機EL素子18と、有機EL素子18を区画する複数本の隔壁15とを備える。有機EL素子18は、第1電極12と、第2電極17と、第1および第2電極12,17間に配置される有機化合物を含む発光層16とを有する。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the organic EL device of the first embodiment. The organic EL device according to this embodiment includes a
本実施形態では第1電極12として支持基板11上に光透過性を有する複数本の陽極12が配置されている。複数本の陽極12は、所定の間隔をあけて平行に配列されている。複数本の陽極12が形成された支持基板11上には、各有機EL素子18を互いに絶縁し、それぞれが画素として独立に駆動させるための画素領域規定層13が配置されている。画素領域規定層13は、陽極12が形成された支持基板11を覆って形成され、支持基板11の厚み方向の一方から見て(以下、「平面視で」という場合がある。)画素に相当する領域に開口が穿設されている。以下、画素領域規定層13に穿設された開口を画素開口21という場合がある。この画素開口21は、平面視で陽極12上に沿って離散的に形成される。画素領域規定層13は絶縁性を示す部材によって構成される。このような画素領域規定層13を設けることにより、複数本の陽極12が互いに電気的に絶縁されるとともに、陽極12の延伸する方向において、隣り合う画素開口21間が電気的に絶縁され、各有機EL素子18が電気的に絶縁される。
In the present embodiment, a plurality of
本実施形態の有機EL素子18は、陽極12と発光層16との間に、複数の有機EL素子に共通する共通層14をさらに備える。なお他の実施の形態では共通層14を設けなくてもよい。この共通層14は画素領域規定層13上に設けられる。画素領域規定層13には画素開口21が形成されているため、共通層14はこの画素開口21に充填され、陽極12に接して配置されている。本実施形態では共通層14は、陽極に接する位置に配置される正孔注入層14aと、発光層に接する位置に配置される電子ブロック層14bとで構成されている。
The
複数本の隔壁15は、陽極12の延伸する方向と同じ方向に延伸するように共通層14上に設けられ、平面視で、陽極12間に設けられる。換言すると、平面視で、隣り合う陽極12上に形成された画素開口21の間に各隔壁15は設けられる。
The plurality of
発光層16は、隔壁15間において共通層14上に設けられている。
The
さらに隔壁15および発光層16を覆って、第2電極17として陰極17が形成されている。
Further, a
以上のように支持基板11上に形成された陽極12、共通層14、発光層16および陰極17からなる積層体により有機EL素子18が形成される。なお陽極12、共通層14および陰極17は複数の有機EL素子18に跨って形成されているが、画素領域規定層13を設けることにより、各有機EL素子18は電気的に絶縁され、これにより各有機EL素子18は電気的に独立して駆動することができる。
As described above, the
なお本明細書では「光透過性を有する支持基板」、「光透過性を有する電極」とは、入射した光の少なくとも一部が透過する支持基板、電極をそれぞれ意味する。 In this specification, “light-transmitting support substrate” and “light-transmitting electrode” mean a support substrate and an electrode through which at least part of incident light is transmitted.
本実施形態では、第1電極12が陽極であり、第2電極17が陰極であるが、第1電極が陰極であり、第2電極が陽極である有機EL素子であっても本発明を好適に適用することができる。
In the present embodiment, the
次に図1から図9を参照しつつ、本発明の製造方法により有機EL素子を製造する工程について説明する。本実施形態の有機EL装置10の製造方法は、陽極12(第1電極)が形成された支持基板11を用意する準備工程と、隔壁15となる材料を含むインキを当該隔壁が設けられる部位に沿って液柱状に吐出しつつ供給し、さらに固化することにより複数本の隔壁15を形成する隔壁形成工程と、隔壁15間に発光層16を形成する発光層形成工程と、陰極17(第2電極)を形成する第2電極形成工程とを含む。
Next, with reference to FIG. 1 to FIG. 9, a process for manufacturing an organic EL element by the manufacturing method of the present invention will be described. In the method of manufacturing the
<1.準備工程>
準備工程とは、陽極12が形成された支持基板11を用意する工程である。準備工程では、例えばTFT(Thin Film Transistor)基板のような有機EL素子18を駆動する回路と、該回路に電気的に接続された陽極12が予め形成された基板を入手してもよく、また支持基板11上に陽極12を形成することによって陽極12が形成された支持基板11を用意してもよい。
<1. Preparation process>
The preparation step is a step of preparing the
陽極12の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。
Examples of the method for forming the
本実施形態ではさらに画素領域規定層13を形成する。図2は、陽極12と画素領域規定層13を形成した支持基板11の斜視図である。画素領域規定層13は前述したように画素開口21が形成される。この画素開口21は、平面視で例えば略矩形状、略楕円形状、または小判形状に形成される。
In the present embodiment, the pixel
画素領域規定層13の形成方法としては、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法等が挙げられる。また画素領域規定層13に画素開口21を形成する方法としては、例えば上記方法により薄膜を形成した後に、フォトリソグラフィにより所定の部位に開口を穿設する方法が挙げられる。
Examples of the method for forming the pixel
<2.共通層形成工程>
本実施形態では、複数の有機EL素子に共通する共通層14が第1電極と発光層との間に設けられる。この共通層14は、隔壁を形成する前に形成され、共通層形成工程は、準備工程後かつ前記隔壁形成工程前に行われる。
<2. Common layer formation process>
In the present embodiment, the
共通層形成工程では、複数の有機EL素子18に跨がって共通層を一体的に形成する。共通層は、有機EL素子18の種類に拘らずに共通に設けられる層である。例えば赤色発光、緑色発光、青色発光する3種類の有機EL素子を設ける場合、通常は素子の種類に応じて発光層を作り分けるが、本実施の形態のように有機EL素子18の種類に拘らずに共通に設けられる層を一体的に共通して形成することにより、工数を削減することができる。
In the common layer forming step, the common layer is integrally formed across the plurality of
本実施形態では共通層14が2層の積層体によって構成される。共通層14は、陽極12に隣接する位置に設けられる正孔注入層14aと、発光層16に隣接する位置に設けられる電子ブロック層14bとによって構成される。
In the present embodiment, the
図3は、支持基板11上に正孔注入層14aを積層したときの支持基板11の斜視図であり、図4は、正孔注入層14aの上に電子ブロック層14bを積層した時の支持基板11の斜視図である。図3、4中、符号21は画素開口に対応する部分を示す。
FIG. 3 is a perspective view of the
図3、4に示すように、共通層14として正孔注入層14aを積層した後、電子ブロック層14bを積層する。なお画素領域規定層13に開口21が穿設されることにより陽極12の露出面12aが規定されるが、画素領域規定層13を設けない場合には陽極12の上面全面が露出面となる。
As shown in FIGS. 3 and 4, after the
本実施形態では共通層14として、正孔注入層14aと電子ブロック層14bの2つの層を設けるようにしているが、これに限定されるものではなく、1層の共通層14を構成してもよく、また3層以上の共通層14を構成してもよい。例えば共通層14を正孔注入層14aの一層だけで構成してもよい。
In the present embodiment, two layers of the
共通層14である正孔注入層14a、電子ブロック層14bは各々一括して成膜される。共通層14を成膜する方法としては、平坦な共通層14を短時間で簡単に成膜することができる方法であればよく、真空蒸着法、化学蒸着法、工程が簡易な塗布法を挙げることができ、これらの中でも塗布法が好ましい。
The
塗布法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法などを挙げることができ、スピンコート法が好適である。スピンコート法を用いることにより、平坦な共通層14を短時間で簡単に成膜することができる。
As the coating method, spin coating method, casting method, micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, slit coating method, capillary coating method, wire bar coating method, dip coating method, spray coating method, A screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, an ink jet printing method, and the like can be given, and a spin coating method is preferable. By using the spin coating method, the flat
各有機EL素子に共通に用いられる層(本実施の形態では共通層)であっても、通常は、本実施の形態とは異なり、各有機EL素子ごとに設けられている。前述したように隔壁間に発光層を形成する場合、隔壁表面の性状が発光層の形状に影響する。これと同様に、共通層を隔壁間に形成すると隔壁表面の性状が共通層にまで影響する。そのため、共通層を隔壁間に形成すると、隔壁表面の影響が、共通層および発光層にまで及び、結果として素子全体における隔壁表面の影響が大きくなるが、本実施形態では各有機EL素子に共通する共通層を、隔壁を形成する前に形成するため、隔壁表面の影響が共通層に及ぶことを排して、平坦な共通層を形成することができ、この共通層上に形成される発光層を平坦に形成することができる。これによって特性の高い有機EL素子を実現することができる。 Even in a layer (common layer in the present embodiment) that is commonly used for each organic EL element, it is usually provided for each organic EL element, unlike the present embodiment. As described above, when the light emitting layer is formed between the barrier ribs, the property of the barrier rib surface affects the shape of the light emitting layer. Similarly, when the common layer is formed between the barrier ribs, the properties of the barrier rib surface affect the common layer. Therefore, when the common layer is formed between the barrier ribs, the barrier wall surface affects the common layer and the light emitting layer. As a result, the barrier wall surface influence on the entire element is increased. Since the common layer is formed before the barrier rib is formed, the flat common layer can be formed without the influence of the barrier wall surface on the common layer, and light emission formed on the common layer The layer can be formed flat. Thereby, an organic EL element having high characteristics can be realized.
<3.隔壁形成工程>
隔壁形成工程では、前記共通層形成工程により形成された共通層14の表面22に、前記隔壁15となる材料を含むインキ23を当該隔壁15が設けられる部位に沿って液柱状に吐出しつつ供給し、さらに固化することにより複数本の隔壁を形成する。ここで液柱とはインキが柱状に連続的に供給されている状態を意味する。なおインクジェットプリント法などの液滴塗布手法では液滴状のインキが断続的に供給されるが、液滴状のインキが断続的に供給されている状態と、インキが柱状に連続的に供給されている状態とは、本明細書では異なる状態を意味する。この隔壁15を形成することにより、発光層16を設ける領域を区画することができる。
<3. Partition formation process>
In the partition forming step, the
隔壁15を形成する塗布法としてはノズルプリンティング法を用いることができる。ノズルプリンティング法を用いることにより、共通層14上の所定の部位に、隔壁となる材料を含むインキ23を短時間で簡単に塗布することができる。
As a coating method for forming the
また隔壁となる材料を含むインキ23を液柱状に吐出する装置としては、例えばノズルプリンティング装置などが挙げられる。ノズルプリンティング装置は、微小な開口を有するノズルからインクを連続的に吐出する装置である。ノズルプリンティング装置は、線幅を安定させて、連続的に微細な線状にインキを塗布することができる。この結果、インクジェットプリント法を用いて塗布する場合より隔壁15を短時間で形成することができる。
Moreover, as an apparatus which discharges the
図5ないし図7に隔壁形成工程の様子を示す。図5は、本実施形態の隔壁形成工程におけるノズルとパネルの移動の様子を示す図であり、図6は、隔壁形成工程におけるノズルの軌道を示す図である。図7は、隔壁となる材料を含むインキを塗布する様子を模式的に示した斜視図である。また図6ないし図7中、符号21は画素開口に対応する部分を示す。
5 to 7 show the state of the partition wall forming process. FIG. 5 is a diagram showing how the nozzles and the panel move in the partition forming step of the present embodiment, and FIG. 6 is a diagram showing the trajectory of the nozzles in the partition forming step. FIG. 7 is a perspective view schematically showing a state in which ink containing a material to be a partition wall is applied. 6 to 7,
図5ないし図7に示すように、支持基板11上に4つのマトリクス部(表示エリア部)24が設けられたパネル25がDd方向へと搬送される。ノズルプリンティング装置(本体不図示)のノズル26から隔壁となる材料を含むインキ23が吐出される。ノズル26は、パネル25の搬送方向Ddおよび支持基板の厚み方向に対して垂直な方向Nmに往復移動する。
As shown in FIGS. 5 to 7, a
インキ23の塗布は、Nm方向の一方から他方にノズル26が移動する工程と、隔壁15が配置されるピッチ分だけ搬送方向Ddにパネル25が移動する工程と、Nm方向の他方から一方にノズル26が移動する工程と、隔壁15のピッチが配置される分だけ搬送方向Ddにパネル25が移動する工程との4つの工程を繰り返すことにより行われ、ノズル26は軌道Ipを描くようにパネル25上を移動することになる(図6参照)。パネル25がノズル26の下方を通過する際に、隔壁となる材料を含むインキ23がノズル26から吐出され、図6に示すような軌跡を描きつつ、共通層14上の画素領域規定層13の上方にあたるところに隔壁となる材料を含むインキ23が塗布されていく。
Application of the
隔壁となる材料を含むインキ23はノズル26から吐出し、共通層14の上層に塗布された後、隔壁となる材料を含むインキ23から溶媒が蒸発してインクが乾燥し硬化する。隔壁となる材料を含むインキ23の乾燥を行う際には、隔壁となる材料を含むインキ23から溶媒を留去させ、隔壁15を形成する成分を固定させる。またノズル26から塗布される隔壁となる材料を含むインキ23は液状であり、表面張力を有し、また、乾燥する過程において収縮する。共通層14上に塗布された隔壁となる材料を含むインキ23は、乾燥し、隔壁15が形成される。これにより複数本のストライプ状に配列される隔壁15を共通層14上に形成することができる。作業速度効率の観点からは、隔壁となる材料を含むインキ23の乾燥は短時間で完了するのが好ましい。なお乾燥後、隔壁となる材料を含むインキ23を焼成する工程を設けてもよい。
The
このように隔壁となる材料を含むインキ23を、ノズルプリンティング法を用いて共通層14上の画素領域規定層13の上方にあたるところに液柱状に吐出しつつ供給し、さらに固化することにより、共通層14上に並列する複数本の隔壁を容易に短時間で形成することができる。
By supplying the
また前記隔壁形成工程の後に、さらに第2の隔壁形成工程を設け、前記第2の隔壁形成工程により、先に設けられた複数本の隔壁に略直交する方向に、複数本の隔壁を設け、格子状の隔壁15を形成するようにしてもよい。
Further, after the partition wall forming step, a second partition wall forming step is further provided, and a plurality of partition walls are provided in a direction substantially orthogonal to the plurality of partition walls previously provided by the second partition wall forming step, A lattice-
また隔壁15間には、後述するように発光層を形成するためのインキが供給されるため、隔壁15間に供給されるインキを隔壁15間で確実に保持し、収容するためにも、隔壁15の上部15aの表面が、発光層となる材料を含むインキ31に対して撥液性を示すことが好ましく、隔壁15の表面全体が撥液性を示すことがさらに好ましい。例えば隔壁を構成する成分に撥液性を示す成分を混合させておいてもよく、あるいは隔壁15の表面に撥液性を示す被膜を形成してもよい。具体的にはCF4ガスを含むプラズマ雰囲気中で隔壁15の表面を処理することにより、隔壁15の表面に撥液性を付与することができる。このように撥液性を示す隔壁15を用いることにより、隔壁15間に供給される発光層形成用のインキが隔壁によって弾かれるために、隔壁を越えてインキが隣の画素に流入することを防ぐことができる。
In addition, since the ink for forming the light emitting layer is supplied between the
隔壁となる材料を含むインキ23としては、隔壁となる材料と、この材料を溶解する溶媒とを含む溶液、または隔壁となる材料と、この材料を溶解する分散媒とを含む懸濁液が用いられる。なお以下において溶媒として例示する液体は、分散媒としても適宜好適に用いることができる。
As the
隔壁となる材料としては、例えばナフトキノンジアジド等の感光性材料を添加した感光性ノボラック樹脂や感光性ポリイミドなどのフォトレジスト材料を挙げることができる。 Examples of the material for the partition include a photoresist material such as a photosensitive novolak resin or a photosensitive polyimide to which a photosensitive material such as naphthoquinone diazide is added.
隔壁となる材料を含むインキ23の溶媒としては、例えば、水、アルコール溶媒、グリコール溶媒、エーテル溶媒、エステル溶媒、含塩素溶媒および芳香族炭化水素溶媒からなる群より選ばれる1種またはこれらの2種以上の混合物が挙げられる。アルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノールなどが挙げられる。グリコール溶媒としては、エチレングリコール、プロピレングリコール等が挙げられる。エーテル溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、メトキシベンゼン等が挙げられる。エステル溶媒としては、例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル等が挙げられる。含塩素溶媒としては、クロロホルム、クロロベンゼン、塩化メチレン等が挙げられる。芳香族炭化水素溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等が挙げられる。
Examples of the solvent for the
なお本実施形態では隔壁15となる材料を含むインキ23の塗布法として、連続的な液柱を高精度に塗布できるという観点からノズルプリンティング法を例に挙げて説明したが、塗布法としては液柱状のインキを供給可能な方法であればよく、例えばノズルプリンティング法の他に、ディスペンサーなどの塗布法を挙げることができる。
In the present embodiment, the nozzle printing method has been described as an example from the viewpoint that a continuous liquid column can be applied with high accuracy as a method for applying the
従来の技術では、インクジェットプリント法によって、液滴状のインキを断続的に滴下することによって隔壁を形成していたため、隔壁形成工程に要する時間が長くなっていたが、液柱状のインキを供給することにより、隔壁形成工程に要する時間を短縮することができ、より簡便に有機EL素子を作製することができる。またインクジェットプリント法ではでは隔壁をなだらかに形成することが困難であったが、これに対して上述したようにインキ23を液柱状に吐出しつつ供給し、さらに固化することにより、なだらかな隔壁15を形成することができる。
In the conventional technique, the partition wall is formed by intermittently dropping droplet-like ink by the ink jet printing method, so that the time required for the partition formation process is long, but liquid columnar ink is supplied. As a result, the time required for the partition formation step can be shortened, and the organic EL element can be more easily produced. In addition, in the ink jet printing method, it has been difficult to form the partition walls smoothly. On the other hand, as described above, the
<4.発光層形成工程>
発光層形成工程では、隔壁15により区画された領域に発光層16を形成する。具体的には共通層14上において隔壁15間に発光層16を形成する。
<4. Light emitting layer forming step>
In the light emitting layer forming step, the
発光層16は隔壁15を形成する場合と同様に塗布法によって形成し得る。発光層は、発光層となる材料を含むインキ31を隔壁15間に供給し、さらに固化することによって形成する。発光層16を形成する塗布法としては、液滴状または液柱状のインキを隔壁15間に塗布することができる方法であればよく、例えばノズルプリンティング法、インクジェットプリント法、フレキソ印刷法などを挙げることができ、ノズルプリンティング法が好ましい。ノズルプリンティング法を用いることにより、発光層となる材料を含むインキ31を隔壁15間に連続して吐出することができるため、隔壁15間に発光層16を短時間で容易に塗布することができる。
The
図8、9に、発光層形成工程の様子を示す。図8は、発光層形成工程におけるノズルの軌道を示す図である。図9は、発光層となる材料を含むインキを塗布する様子を模式的に示した斜視図である。また図8、9中、符号21は画素開口に対応する部分を示す。
8 and 9 show the state of the light emitting layer forming step. FIG. 8 is a diagram showing the trajectory of the nozzle in the light emitting layer forming step. FIG. 9 is a perspective view schematically showing a state in which an ink containing a material that becomes a light emitting layer is applied. 8 and 9,
インキ31の塗布は、Nm方向の一方から他方にノズル26が移動する工程と、隔壁15が配置されるピッチ分だけ搬送方向Ddにパネル25が移動する工程と、Nm方向の他方から一方にノズル26が移動する工程と、隔壁15のピッチが配置される分だけ搬送方向Ddにパネル25が移動する工程との4つの工程を繰り返すことにより行われ、ノズル26は軌道Iqを描くようにパネル25上を移動することになる(図8参照)。
Application of the
発光層となる材料を含むインキ31を吐出する装置としては、例えばノズルプリンティング装置などが挙げられる。ノズルプリンティング装置を用いることにより、線幅を安定させて、連続的に微細な線状にインキを塗布することができる。
Examples of a device that ejects the
発光層となる材料を含むインキ31はノズル32から吐出された後、溶媒(または分散媒)が徐々に乾燥し、固化することにより発光層16が形成される。なお前述したように隔壁15がインキ31に対して撥液性を示す場合には、供給されたインキ31が隔壁15を超えて隣の画素に流出することを防ぐことができる。
After the
発光層16がその上に形成される共通層14は上記のように各有機EL素子に跨って一体的に形成されるため、各有機EL素子に渡って、均一な膜厚で平坦に形成される。このような平坦性が高い共通層14上に発光層16を形成することにより、膜平坦性が高く、均一な膜厚の発光層16を形成することができる。特にスピンコート法で共通層14を形成することにより、平坦性のより高い共通層を形成することができ、より平坦で均一な膜厚の発光層を形成することができる。
Since the
このように平坦で均一な膜厚の共通層14上に発光層を形成することにより、設計通りの膜厚で平坦な発光層16を形成することができるため、各素子で均一な発光を実現することができる。
By forming the light emitting layer on the
またインクジェットプリント法では、画素開口21内においてインキ31を離散的に滴下するが、画素開口21内に着弾したインクは、ある程度画素開口21内において広がるものの、インキ31の表面張力などの影響で、画素開口21内の全域にまで十分にはインキ31が均一に広がらない場合がある。この場合、乾燥後にその部分に層が形成されない、あるいは層が設計された厚さに対して不十分になるおそれがあるなど発光層16に欠陥が生じることがある。
In the ink jet printing method, the
しかしながら本実施形態では、インキ31を液柱状に吐出して隔壁15間に供給しているため、画素開口21内の端部にまで発光層となる材料を含むインキ31を供給することができ、発光層の形成不良を抑制することができる。
However, in the present embodiment, since the
また単に吐出するインク量を増やしたのでは、隔壁15間に供給されたインキが隔壁15を越えて隣接する画素に流出し、混色等の原因となる。他方、本実施形態のように、発光層となる材料を含むインキ31を隔壁15の長手方向に沿って連続的に塗布しているため、吐出するインク量を抑制したとしても、乾燥する過程で層厚が不足しがちな部分へ、発光層となる材料を含むインキ31を補足し得る。
Further, if the amount of ink ejected is simply increased, the ink supplied between the
このように発光層となる材料を含むインキ31を液柱状に連続して塗布することにより、簡便なプロセスで、膜平坦性が高い有機EL素子を作製することができる。この結果、特性の高い有機EL素子を低コストで作製することができる。
Thus, the organic EL element with high film flatness is producible with a simple process by apply | coating the
インクには、発光層となる材料と、この材料を溶解する溶媒とを含む溶液、または発光層となる材料と、この材料を溶解する分散媒とを含む懸濁液が用いられる。なお以下において溶媒として例示する液体は、分散媒としても適宜好適に用いることができる。溶媒または分散媒としては、隔壁となる材料を含むインキの溶媒または分散媒として例示した液体を、その一例として挙げることができる。 For the ink, a solution containing a material that becomes the light emitting layer and a solvent that dissolves the material, or a suspension that contains a material that becomes the light emitting layer and a dispersion medium that dissolves the material is used. In addition, the liquid illustrated as a solvent below can be used suitably suitably also as a dispersion medium. Examples of the solvent or dispersion medium include liquids exemplified as the solvent or dispersion medium of the ink containing the material that forms the partition walls.
発光層16となる材料としては蛍光および/または燐光を発光する有機物が用いられる。有機物としては低分子化合物および/または高分子化合物が用いられ、溶解性の観点からは高分子化合物が好適に用いられる。発光層は、ポリスチレン換算の数平均分子量が、103以上、108以下である高分子化合物を含むことが好ましい。また発光層には該有機物の他に、ドーパントなどの任意成分を含むように構成してもよい。例えば、ドーパントは、発光効率の向上や発光波長を変化させるなどの目的で付加される。発光層16を主に構成する発光材料としては、例えば以下のものが挙げられる。
As the material for the
(色素系の発光材料)
色素系の発光材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体およびピラゾリンダイマーなどを高分子化したものを挙げることができる。
(Dye-based luminescent materials)
Examples of dye-based light emitting materials include cyclopentamine derivatives, tetraphenylbutadiene derivative compounds, triphenylamine derivatives, oxadiazole derivatives, pyrazoloquinoline derivatives, distyrylbenzene derivatives, distyrylarylene derivatives, pyrrole derivatives, thiophenes. Examples include a ring compound, a pyridine ring compound, a perinone derivative, a perylene derivative, an oligothiophene derivative, a trifumanylamine derivative, an oxadiazole dimer, a quinacridone derivative, a coumarin derivative, and a pyrazoline dimer.
(金属錯体系の発光材料)
金属錯体系の発光材料としては、中心金属に、Al、Zn、Beなど、またはTb、Eu、Dyなどの希土類金属を有し、配位子に、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを有する金属錯体を高分子化したものを挙げることができ、例えば、イリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体などを高分子化したものを挙げることができる。
(Metal complex-based luminescent materials)
The metal complex-based light emitting material includes Al, Zn, Be or the like as a central metal, or a rare earth metal such as Tb, Eu, or Dy, and oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, or phenylbenzo as ligands. Examples of the polymer complexes of metal complexes having an imidazole or quinoline structure, such as iridium complexes, platinum complexes, etc., metal complexes that emit light from triplet excited states, aluminum quinolinol complexes, benzoquinolinol beryllium complexes, etc. Benzoxazolyl zinc complex, benzothiazole zinc complex, azomethylzinc complex, porphyrin zinc complex, europium complex and the like.
(高分子系の発光材料)
高分子系の発光材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体およびポリビニルカルバゾール誘導体などを挙げることができる。
(Polymer-based luminescent materials)
Examples of the polymer light-emitting material include polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polysilane derivatives, polyacetylene derivatives, polyfluorene derivatives, and polyvinylcarbazole derivatives.
(ドーパント材料)
発光層16を主に構成する発光材料としては、前述の発光材料の他に、例えば発光効率の向上や発光波長を変化させるなどの目的でドーパント材料をさらに含んでいてもよい。このようなドーパント材料としては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。なおこのような発光層の厚さは、通常約2nm以上、200nm以下である。
(Dopant material)
The light emitting material mainly constituting the
また本実施形態では、発光層16は塗布法として、上述の隔壁15を形成する場合と同様に、短時間で簡単に発光層16を形成することができるという観点からノズルプリンティング法を用いたが、その他、発光層を成膜する塗布法としてはパターン塗布可能な手法であればよく、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法などの塗布法を挙げることができる。
In the present embodiment, the
<5.陰極形成工程>
陰極形成工程では、発光層16および隔壁15を覆うように陰極17を設ける。陰極17を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が挙げられる。
<5. Cathode formation process>
In the cathode formation step, the
以上説明した本実施形態の有機EL素子の製造方法によれば、簡便なプロセスで低コストであり、かつ膜平坦性が高く、均一発光が可能な発光性能に優れた有機EL素子を製造することができる。 According to the manufacturing method of the organic EL element of the present embodiment described above, an organic EL element having a simple process and low cost, high film flatness, and excellent light emission performance capable of uniform light emission is manufactured. Can do.
2.有機EL素子および他の部材の構造 2. Structure of organic EL element and other members
<A>支持基板
支持基板11としては、有機EL素子を形成する工程において変化しないものが好ましく、リジッド基板でも、フレキシブル基板でもよく、例えば、ガラス板、プラスチック板、高分子フィルムおよびシリコン板、並びにこれらを積層した積層板などが好適に用いられる。発光層16から放射される光を支持基板11側から取出すいわゆるボトムエミッション型の有機EL素子では、支持基板11は、可視光領域の光の透過率が高いものが好適に用いられる。なお発光層16から放射される光を基板とは反対側から取出すトップエミッション型の有機EL素子では、支持基板は不透明のものでもよい。
<A> Support Substrate The
<B>陽極
本実施形態における陽極は、第1電極として設けられ、発光層16からの光を透過させる光透過性を有する透明電極である。陽極12には、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物や金属の薄膜を用いることができ、透過率が高いものが好適に利用でき、発光層16の構成材料に応じて適宜選択して用いることができる。
<B> Anode The anode in the present embodiment is a transparent electrode that is provided as the first electrode and has a light transmission property that transmits light from the
陽極12の材料としては、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO(Indium Tin Oxide:インジウムスズ酸化物)、IZO(Indium Zinc Oxide:インジウム亜鉛酸化物)、金、白金、銀、銅、アルミニウム、またはこれらの金属を2種類以上含む合金等の薄膜が用いられる。これらの中でも、ITO、IZO、酸化スズが好ましい。
Examples of the material of the
また陽極12の構成材料として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体等の有機物の透明導電膜を用いてもよい。
Further, as a constituent material of the
陽極12の膜厚は、求められる特性と工程の簡易さなどを考慮して適宜選択することができ、例えば5nm以上、10μm以下であり、好ましくは10nm以上、1μm以下であり、より好ましくは20nm以上、500nm以下である。
The film thickness of the
<C>画素領域規定層
画素領域規定層は、各有機EL素子を電気的に絶縁するために設けられる。支持基板11上の陽極12間には図示しない回路、配線等が設けられているため、画素領域規定層13は、例えば絶縁層などで構成し、図示しない回路、配線等を保護するようにしている。本実施形態では、画素領域規定層13は支持基板11上に設けるようにしているが、本発明はこれに限定されるものではなく、支持基板11上に設けなくてもよい。
<C> Pixel region defining layer The pixel region defining layer is provided to electrically insulate each organic EL element. Since a circuit, wiring, etc. (not shown) are provided between the
画素領域規定層を構成する材料としては絶縁性をもつ材料であればよく、例えばナフトキノンジアジド等の感光性材料を添加した感光性ノボラック樹脂や感光性ポリイミドなどのフォトレジスト材料、二酸化珪素などの無機酸化膜、窒化珪素などの無機窒化膜などを用いることができる。 The material constituting the pixel region defining layer may be any material having an insulating property, for example, a photosensitive novolac resin to which a photosensitive material such as naphthoquinone diazide is added, a photoresist material such as photosensitive polyimide, or an inorganic material such as silicon dioxide. An inorganic nitride film such as an oxide film or silicon nitride can be used.
<D>共通層
図1に示す有機EL素子18では、陽極12と発光層16との間に、共通層14が設けられた形態を示しており、正孔注入層14a、電子ブロック層14bとからなり、支持基板11側から順に正孔注入層14a、電子ブロック層14bの順に積層される。
<D> Common Layer The
正孔注入層14aの膜厚は0.5nm以上、20nm以下であるのが好ましい。正孔注入層14aの膜厚が0.5nmより小さいと、正孔注入層14aにピンホールが発生する場合があるためである。また正孔注入層14aの膜厚が厚くなると、支持基板11の厚み方向に垂直な横方向の正孔注入層14aの抵抗が低くなる。正孔注入層14aは画素間に共通に設けられているので、横方向の抵抗が低くなると、隣接する画素に意図しない電流が流れることがあるため、正孔注入層14aの膜厚を20nm以下として、膜厚を薄くすることで電流が正孔注入層14aの横方向に移動することを防ぐことができる。また正孔注入層14aの抵抗が高いものを用いるようにしてもよい。
The thickness of the
また電子ブロック層14bの膜厚は、40nm以上、200nm以下であるのが好ましい。電子ブロック層14bの膜厚が40nmより小さいと、電極12表面の凹凸を電子ブロック層14bで吸収できず、局所的な電界集中により絶縁破壊を起こしてしまう可能性があるためである。また電子ブロック層14bの膜厚が200nmより大きいと、電極12と電極17の間の抵抗が高くなり、電流が流れず十分なEL発光が得られない可能性がある。また電子ブロック層14bは抵抗が低いものを用いるようにしてもよく、さらに電子ブロック層14bは、抵抗が低いものを厚く形成することが好ましい。
The thickness of the
また、陽極12と発光層16との間に設けられる層の構成としては、図1に示す構成例には限られるわけではない。第1電極として陽極12を設けた場合には、共通層14として正孔注入層14a、電子ブロック層14bなどを設けられればよい。また第1電極として陰極を設ける場合には、共通層14電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等を設けてもよい。
Further, the configuration of the layer provided between the
なお本実施形態では共通層を設けるが、他の実施形態では共通層を設けなくてもよく、本実施形態において共通層として説明した層を、隔壁間に設けてもよい。 Note that although a common layer is provided in this embodiment, a common layer may not be provided in other embodiments, and a layer described as a common layer in this embodiment may be provided between partition walls.
<E>隔壁
隔壁は、図1では共通層の一部に接して設けられる。
<E> Partition Wall The partition wall is provided in contact with a part of the common layer in FIG.
隔壁15の高さは、0.5nm以上、20nm以下であるのが好適である。隔壁15の高さが0.5nmより小さいと、均一な高さの隔壁を形成することが困難となり、部分的に隔壁の形成不良や隔壁が形成されない領域が生じてしまう可能性があるためである。また隔壁15の高さが20nmより大きいと、隔壁側面部へのインキ31の付着量が多くなり、発光層の膜厚のばらつきが大きくなり、均一なEL発光が得られない可能性があるためである。
The height of the
また隔壁15表面は、発光層となる材料を含むインキ31に対して40度以上の接触角を示すことが好ましい。接触角が40度より小さいと、隔壁15間に供給されたインキ31が隔壁内に保持されず、溢れが生じ、発光むらや混色の原因となる可能性があるためである。
Moreover, it is preferable that the surface of the
なお共通層を設けない形態では、隔壁は共通層に設けられるのではなく、例えば画素領域規定層上に設けられる。 In the form in which the common layer is not provided, the partition wall is not provided in the common layer, but is provided, for example, on the pixel region defining layer.
<F>発光層
図1に示す有機EL素子18では、発光層16は、共通層14と陰極17との間に設けられ、隔壁15により区画されている。発光層16は、共通層14と陰極17との間に、必要に応じて2以上設けられる。
<F> Light-Emitting Layer In the
発光層を構成する材料、成膜方法は、上記「有機EL素子の製造方法」の欄で説明した通りである。 The material constituting the light emitting layer and the film forming method are as described above in the section “Method for producing organic EL element”.
<G>陰極
本実施形態における陰極は、第1電極に対向して配置される第2電極として設けられる。陰極17の材料としては、仕事関数が小さく、発光層への電子注入が容易な材料が好ましい。また陰極の材料としては電気伝導度が高く、可視光反射率の高い材料が好ましい。かかる陰極材料としては、金属、金属酸化物、合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物、酸化亜鉛(ZnO)等の無機半導体などを挙げることができる。
<G> Cathode The cathode in the present embodiment is provided as a second electrode disposed to face the first electrode. The material of the
金属としては、アルカリ金属やアルカリ土類金属、遷移金属や周期表の13族金属等を用いることができる。これら金属の具体的例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等を挙げることができる。
As the metal, an alkali metal, an alkaline earth metal, a transition metal, a
また合金としては、上記金属の少なくとも一種を含む合金を挙げることができ、具体的には、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等を挙げることができる。 Examples of the alloy include alloys containing at least one of the above metals. Specifically, magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, magnesium-aluminum alloy, indium-silver alloy, lithium-aluminum alloy, lithium -A magnesium alloy, a lithium-indium alloy, a calcium-aluminum alloy, etc. can be mentioned.
陰極17は、例えば陰極側から光を取出す場合などのように、必要に応じて光透過性を有する電極とされる。このような光透過性を有する陰極の材料としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、IZO(Indium Zinc Oxide:インジウム亜鉛酸化物)などの導電性酸化物、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの導電性有機物を挙げることができる。
The
なお陰極17を2層以上の積層構造としてもよい。また電子注入層が陰極として用いられる場合もある。
The
陰極17の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば10nm以上、10μm以下であり、好ましくは20nm以上、1μm以下であり、さらに好ましくは50nm以上、500nm以下である。
The film thickness of the
<H>封止部材
有機EL素子を形成した後、この有機EL素子を保護するための封止部材を設けてもよい。
<I>任意の構成層
図1に示す有機EL素子18では、陽極12と陰極17との間に、共通層14、発光層16が設けられ、共通層14として正孔注入層14a、電子ブロック層14bが設けられた形態を示している。陽極12と陰極17との間に設けられる層の構成としては、図1に示す構成例には限られるわけではなく、陽極12と陰極17との間には正孔注入層14a、電子ブロック層14bの他に、例えば正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等を設けてもよい。
<H> Sealing member After forming an organic EL element, you may provide the sealing member for protecting this organic EL element.
<I> Arbitrary Component Layer In the
陽極12と発光層16との間に設け得る層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層等が挙げられる。陽極12と発光層16との間に、正孔注入層と正孔輸送層との両方が設けられる場合、陽極12に近い側に位置する層を正孔注入層といい、発光層16に近い側に位置する層を正孔輸送層という。
Examples of the layer that can be provided between the
陰極17と発光層16との間に設け得る層としては、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等が挙げられる。陰極17と発光層16との間に、電子注入層と電子輸送層との両方が設けられる場合、陰極17に近い側に位置する層を電子注入層といい、発光層16に近い側に位置する層を電子輸送層という。
Examples of the layer that can be provided between the
なお正孔注入層および電子注入層を総称して電荷注入層ということがある。正孔輸送層および電子輸送層を総称して電荷輸送層ということがある。また電子ブロック層および正孔ブロック層を総称して電荷ブロック層ということがある。 The hole injection layer and the electron injection layer are sometimes collectively referred to as a charge injection layer. The hole transport layer and the electron transport layer may be collectively referred to as a charge transport layer. In addition, the electron block layer and the hole block layer may be collectively referred to as a charge block layer.
以下、陽極12と陰極17との間に設けられる層について説明する。
<I−1>正孔注入層
正孔注入層は、陽極12からの正孔注入効率を改善する機能を有する層である。正孔注入層は、陽極12と正孔輸送層との間、または陽極12と発光層16との間に設けることができる。正孔注入層を構成する材料としては、公知の材料を適宜用いることができ、特に制限はない。例えば、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、酸化バナジウム、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン誘導体およびシランカップリング材料等が挙げられ、シランカップリング材料が好ましい。
Hereinafter, the layer provided between the
<I-1> Hole Injection Layer The hole injection layer is a layer having a function of improving the hole injection efficiency from the
正孔注入層の成膜方法としては、上述の塗布法、蒸着法など挙げることができる。 Examples of the method for forming the hole injection layer include the above-described coating method and vapor deposition method.
<I−2>正孔輸送層
正孔輸送層は、陽極12、正孔注入層または陽極12により近い正孔輸送層からの正孔注入を改善する機能を有する層であり、正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する層である。
<I-2> Hole transport layer The hole transport layer is a layer having a function of improving hole injection from the
正孔輸送層を構成する材料としては、特に制限はないが、例えば、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)4,4’−ジアミノビフェニル(TPD)、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(NPB)等の芳香族アミン誘導体、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリアリールアミンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)もしくはその誘導体、またはポリ(2,5−チエニレンビニレン)もしくはその誘導体などが例示される。 The material constituting the hole transport layer is not particularly limited. For example, N, N′-diphenyl-N, N′-di (3-methylphenyl) 4,4′-diaminobiphenyl (TPD), 4 , 4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB) and other aromatic amine derivatives, polyvinylcarbazole or derivatives thereof, polysilane or derivatives thereof, aromatic amines in the side chain or main chain Polysiloxane derivative having pyrazole, pyrazoline derivative, arylamine derivative, stilbene derivative, triphenyldiamine derivative, polyaniline or derivative thereof, polythiophene or derivative thereof, polyarylamine or derivative thereof, polypyrrole or derivative thereof, poly (p-phenylene vinylene) Or its derivatives, or Poly (2,5-thienylene vinylene) or derivatives thereof such as are exemplified.
これらの中でも、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、シランカップリング材料であるポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリアリールアミンもしくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)もしくはその誘導体、またはポリ(2,5−チエニレンビニレン)もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。 Among these, as the hole transport material used for the hole transport layer, polyvinyl carbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof as a silane coupling material, a polysiloxane derivative having an aromatic amine compound group in a side chain or a main chain , Polyaniline or derivatives thereof, polythiophene or derivatives thereof, polyarylamine or derivatives thereof, poly (p-phenylene vinylene) or derivatives thereof, or poly (2,5-thienylene vinylene) or derivatives thereof The material is preferable, and polyvinylcarbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, and a polysiloxane derivative having an aromatic amine in a side chain or a main chain are more preferable. In the case of a low-molecular hole transport material, it is preferably used by being dispersed in a polymer binder.
正孔輸送層の成膜方法としては、特に制限はないが、低分子の正孔輸送材料では、高分子バインダーと正孔輸送材料とを含む混合液からの成膜を挙げることができ、高分子の正孔輸送材料では、正孔輸送材料を含む溶液からの成膜を挙げることができる。 The method for forming the hole transport layer is not particularly limited, but in the case of a low molecular hole transport material, film formation from a mixed solution containing a polymer binder and a hole transport material can be exemplified. Examples of molecular hole transport materials include film formation from a solution containing a hole transport material.
溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はなく、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒などを挙げることができる。 The solvent used for film formation from a solution is not particularly limited as long as it can dissolve a hole transport material. Chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride, dichloroethane, ether solvents such as tetrahydrofuran, toluene, xylene And aromatic hydrocarbon solvents such as acetone, ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, and ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, and ethyl cellosolve acetate.
溶液からの成膜方法としては、前述した正孔注入層の成膜法と同様の塗布法を挙げることができる。 Examples of the film forming method from a solution include the same coating method as the above-described film forming method of the hole injection layer.
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収の弱いものが好適に用いられ、例えばポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンなどを挙げることができる。 As the polymer binder to be mixed, those that do not extremely inhibit charge transport are preferable, and those that weakly absorb visible light are preferably used. For example, polycarbonate, polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, poly Examples thereof include vinyl chloride and polysiloxane.
<I−3>電子ブロック層
電子ブロック層は、電子の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお正孔注入層および/または正孔輸送層が電子の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が電子ブロック層を兼ねることがある。
<I-3> Electron Block Layer The electron block layer is a layer having a function of blocking electron transport. When the hole injection layer and / or the hole transport layer has a function of blocking electron transport, these layers may also serve as an electron blocking layer.
電子ブロック層が電子の輸送を堰き止める機能を有することは、例えば、電子電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少で堰き止める効果を確認することが可能である。 The fact that the electron blocking layer has a function of blocking electron transport makes it possible, for example, to produce an element that allows only electron current to flow and confirm the blocking effect by reducing the current value.
電子ブロック層としては、例えば上記正孔注入層または正孔輸送層の材料として例示した各種材料を用い得る。 As an electron block layer, the various materials illustrated as a material of the said positive hole injection layer or a positive hole transport layer, for example can be used.
<I−4>電子注入層
電子注入層は、陰極17からの電子注入効率を改善する機能を有する層である。電子注入層は、電子輸送層と陰極17との間、または発光層16と陰極17との間に設けられる。電子注入層としては、発光層の種類に応じて、アルカリ金属やアルカリ土類金属、あるいは前記金属を一種類以上含む合金、あるいは前記金属の酸化物、ハロゲン化物および炭酸化物、あるいは前記物質の混合物などが挙げられる。
<I-4> Electron Injection Layer The electron injection layer is a layer having a function of improving the efficiency of electron injection from the
アルカリ金属またはその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウム等が挙げられる。 Examples of alkali metals or oxides, halides and carbonates thereof include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, lithium oxide, lithium fluoride, sodium oxide, sodium fluoride, potassium oxide, potassium fluoride, rubidium oxide. , Rubidium fluoride, cesium oxide, cesium fluoride, lithium carbonate and the like.
前記アルカリ土類金属またはその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどが挙げられる。 Examples of the alkaline earth metals or oxides, halides and carbonates thereof include magnesium, calcium, barium, strontium, magnesium oxide, magnesium fluoride, calcium oxide, calcium fluoride, calcium fluoride, barium oxide, fluorine. Barium fluoride, strontium oxide, strontium fluoride, magnesium carbonate and the like.
さらに金属、金属酸化物、金属塩をドーピングした有機金属化合物および有機金属錯体化合物、またはこれらの混合物も、電子注入層の材料として用いることができる。 Furthermore, a metal, a metal oxide, an organometallic compound doped with a metal salt, an organometallic complex compound, or a mixture thereof can also be used as a material for the electron injection layer.
この電子注入層は、2層以上を積層した積層構造を有していても良い。具体的には、Li/Caなどが挙げられる。この電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、印刷法などにより形成される。 This electron injection layer may have a stacked structure in which two or more layers are stacked. Specifically, Li / Ca etc. are mentioned. This electron injection layer is formed by vapor deposition, sputtering, printing, or the like.
この電子注入層の膜厚としては、1nm以上、1μm以下程度が好ましい。 The thickness of the electron injection layer is preferably about 1 nm or more and 1 μm or less.
<I−5>電子輸送層
電子輸送層は、陰極17、電子注入層または陰極17により近い電子輸送層からの電子注入を改善する機能を有する層であり、電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する層である。
<I-5> Electron Transport Layer The electron transport layer is a layer having a function of improving electron injection from the
電子輸送層を形成する材料としては、公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または8−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。 As the material for forming the electron transport layer, known materials can be used, such as oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane or derivatives thereof, benzoquinone or derivatives thereof, naphthoquinone or derivatives thereof, anthraquinones or derivatives thereof, tetracyanoanthraquinodi. Examples include methane or its derivatives, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene or its derivatives, diphenoquinone derivatives, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or its derivatives, polyquinoline or its derivatives, polyquinoxaline or its derivatives, polyfluorene or its derivatives, etc. The
これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または8−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス(8−キノリノール)アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。 Of these, oxadiazole derivatives, benzoquinone or derivatives thereof, anthraquinones or derivatives thereof, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, polyquinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline or derivatives thereof, polyfluorene or derivatives thereof are preferred, 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, tris (8-quinolinol) aluminum, and polyquinoline are more preferable.
電子輸送層の成膜法としては、特に制限はないが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液若しくは溶融状態からの成膜による方法などが例示される。また高分子電子輸送材料では、溶液または溶融状態からの成膜による方法などが例示される。 Although there is no restriction | limiting in particular as the film-forming method of an electron carrying layer, In the low molecular electron transport material, the vacuum evaporation method from powder or the method by the film-forming from a solution or a molten state etc. are illustrated. Examples of the polymer electron transport material include a method of film formation from a solution or a molten state.
また溶液または溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。 Further, when forming a film from a solution or a molten state, a polymer binder may be used in combination.
溶液から電子輸送層を成膜する方法としては、前述の溶液から正孔注入層を成膜する方法と同様の成膜法が挙げられる。 Examples of the method for forming the electron transport layer from the solution include the same film formation method as the method for forming the hole injection layer from the above-described solution.
この電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択され、少なくともピンホールが発しないような厚さが必要であり、厚すぎると素子の駆動電圧が高くなるので好ましくない。従って、電子輸送層の膜厚としては、例えば1nm以上、1μm以下であり、好ましくは2nm以上、500nm以下であり、さらに好ましくは5nm以上、200nm以下である。 The film thickness of the electron transport layer varies depending on the material used, and is selected so that the driving voltage and the light emission efficiency are appropriate values. At least a thickness that does not cause pinholes is required. Too much is not preferable because the driving voltage of the element increases. Therefore, the thickness of the electron transport layer is, for example, 1 nm or more and 1 μm or less, preferably 2 nm or more and 500 nm or less, and more preferably 5 nm or more and 200 nm or less.
<I−6>正孔ブロック層
正孔ブロック層は、正孔の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお電子注入層および/または電子輸送層が正孔の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が正孔ブロック層を兼ねることがある。
<I-6> Hole blocking layer The hole blocking layer is a layer having a function of blocking hole transport. In the case where the electron injection layer and / or the electron transport layer have a function of blocking hole transport, these layers may also serve as the hole blocking layer.
正孔ブロック層が正孔の輸送を堰き止める機能を有することは、例えばホール電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少で堰き止める効果を確認することが可能である。 The fact that the hole blocking layer has a function of blocking hole transport makes it possible, for example, to produce an element that allows only a hole current to flow, and confirm the blocking effect by reducing the current value.
<J>有機EL素子の層構成の組合せ
上記のように、有機EL素子は、その実施形態として、様々な層構成を採用し得る。電荷注入層、電荷輸送層、電荷ブロック層を選択肢に加えた場合の有機EL素子のとり得る層構成を具体的な例を以下に示す。
Aa)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
Ab)陽極/正孔注入層/電子ブロック層/発光層/陰極
Ba)陽極/発光層/電子注入層/陰極
Bb)陽極/発光層/正孔ブロック層/電子注入層/陰極
Ca)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
Cb)陽極/正孔注入層/電子ブロック層/発光層/電子注入層/陰極
Cc)陽極/正孔注入層/発光層/正孔ブロック層/電子注入層/陰極
Cd)陽極/正孔注入層/電子ブロック層/発光層/正孔ブロック層/電子注入層/陰極
Da)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
Db)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/電子ブロック層/発光層/陰極
Ea)陽極/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
Eb)陽極/発光層/正孔ブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極
Fa)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
Fb)陽極/正孔注入層/電子ブロック層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
Fc)陽極/正孔注入層/発光層/正孔ブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極
Fd)陽極/正孔注入層/電子ブロック層/発光層/正孔ブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極
Ga)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
Gb)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/電子ブロック層/発光層/電子注入層/陰極
Gc)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔ブロック層/電子注入層/陰極
Gd)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/電子ブロック層/発光層/正孔ブロック層/電子注入層/陰極
Ha)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
Hb)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/電子ブロック層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
Hc)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔ブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極
Hd)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/電子ブロック層/発光層/正孔ブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(ここで、記号「/」は、記号「/」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。)
<J> Combination of Layer Configurations of Organic EL Element As described above, the organic EL element can employ various layer configurations as its embodiment. A specific example of the layer structure that the organic EL element can take when a charge injection layer, a charge transport layer, and a charge block layer are added as options is shown below.
Aa) Anode / hole injection layer / light emitting layer / cathode Ab) Anode / hole injection layer / electron blocking layer / light emitting layer / cathode Ba) Anode / light emitting layer / electron injection layer / cathode Bb) Anode / light emitting layer / positive Hole blocking layer / electron injection layer / cathode Ca) anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode Cb) anode / hole injection layer / electron blocking layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode Cc) anode / Hole injection layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron injection layer / cathode Cd) anode / hole injection layer / electron blocking layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron injection layer / cathode Da) anode / positive Hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / cathode Db) anode / hole injection layer / hole transport layer / electron blocking layer / light emitting layer / cathode Ea) anode / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / Cathode Eb) Anode / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode Fa) anode Hole injection layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode Fb) anode / hole injection layer / electron blocking layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode Fc) anode / hole injection layer / Light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode Fd) anode / hole injection layer / electron blocking layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode Ga) Anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode Gb) anode / hole injection layer / hole transport layer / electron blocking layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode Gc) anode / Hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron injection layer / cathode Gd) anode / hole injection layer / hole transport layer / electron blocking layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron Injection layer / cathode Ha) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / Pole Hb) Anode / hole injection layer / hole transport layer / electron blocking layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode Hc) Anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole Block layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode Hd) anode / hole injection layer / hole transport layer / electron block layer / light emitting layer / hole block layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode (here The symbol “/” indicates that the layers sandwiching the symbol “/” are stacked adjacent to each other.
図1に示す実施形態では、1層の発光層16を設けているが、その変形例として、2層以上の発光層を重ねて設ける形態も採用し得る。ここで、上記(Aa)〜(Hd)の層構成のうちのいずれか1つにおいて、陽極と陰極とに挟持された部分の積層体を「構造単位A」とすると、例えば下記(I)に示す層構成なども採用し得る。なお2つある(構造単位A)の層構成は互いに同じでも、異なっていてもよい。
I)陽極/(構造単位A)/電荷発生層/(構造単位A)/陰極
In the embodiment shown in FIG. 1, the single
I) Anode / (structural unit A) / charge generation layer / (structural unit A) / cathode
また3層以上の発光層を有する有機EL素子としては、「(構造単位A)/電荷注入層」を「構造単位B」とすると、例えば下記(J)に示す層構成などを挙げることができる。
J)陽極/(構造単位B)n/(構造単位A)/陰極
Further, as an organic EL device having three or more light emitting layers, when “(structural unit A) / charge injection layer” is “structural unit B”, for example, the layer configuration shown in (J) below can be exemplified. .
J) Anode / (Structural unit B) n / (Structural unit A) / Cathode
なお記号「n」は、2以上の整数を表し、(構造単位B)nは、構造単位Bがn層積層された積層体を表す。また複数ある(構造単位B)の層構成は同じでも、異なっていてもよい。 The symbol “n” represents an integer of 2 or more, and (structural unit B) n represents a stacked body in which n layers of the structural unit B are stacked. A plurality of (structural units B) may have the same or different layer structure.
電荷発生層とは、電界を印加することにより、正孔と電子を発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、ITO、酸化モリブデンなどから成る薄膜を挙げることができる。 The charge generation layer is a layer that generates holes and electrons by applying an electric field. Examples of the charge generation layer include a thin film made of vanadium oxide, ITO, molybdenum oxide, or the like.
有機EL素子においては、通常基板側に陽極が配置されるが、基板側に陰極を配置するようにしてもよい。 In an organic EL element, an anode is usually disposed on the substrate side, but a cathode may be disposed on the substrate side.
図1に示す実施形態では、支持基板11上に陽極12を設ける形態を示している。これらの場合、上記Aa)からJ)の各形態では、左側(陽極側)に示された層から順に支持基板11上に配置されることになる。
In the embodiment shown in FIG. 1, an embodiment in which the
他方、本発明の有機EL素子としては、支持基板上に陰極を配置する形態も採用し得る。この場合、上記Aa)からJ)の各形態では、右側(陰極側)に示された層から順に支持基板上に配置されることになる。この場合、陰極と発光層との間に設けられる層を共通層として複数の有機EL素子に跨って形成してもよい。 On the other hand, as the organic EL element of the present invention, a form in which a cathode is disposed on a support substrate can be employed. In this case, in each of the above forms Aa) to J), the layers are arranged on the support substrate in order from the layer shown on the right side (cathode side). In this case, a layer provided between the cathode and the light emitting layer may be formed across the plurality of organic EL elements as a common layer.
[第2の実施形態]
次に、本発明の製造方法により製造された有機EL素子の第2の実施形態を図10を参照して説明する。図10は、発光層となる材料を含むインクを塗布する様子を模式的に示した斜視図である。図10中、第1の実施形態と同様である部材については、図1乃至図9と同一符号を付して重複した説明は省略する。以下、第1の実施形態と異なる点を主として説明する。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the organic EL element manufactured by the manufacturing method of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a perspective view schematically showing a state in which an ink containing a material that becomes a light emitting layer is applied. In FIG. 10, members that are the same as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals as in FIGS. 1 to 9, and redundant descriptions are omitted. Hereinafter, differences from the first embodiment will be mainly described.
本実施形態では、前記隔壁形成工程により形成された隔壁によって区画された領域に、各列毎にそれぞれ発光色が異なる発光層を形成する。すなわち前記隔壁形成工程により形成された隔壁15によって区画された第1の領域に第1の発光層を形成し、第1の領域に並行に隣接する第2の領域に、第1の発光層とは発光色の異なる第2の発光層を形成し、第2の領域に並行に隣接する第3の領域に、第1および第2の発光層のいずれとも異なる発光色の第3の発光層を形成するものである。
In the present embodiment, light emitting layers having different emission colors are formed for each column in regions partitioned by the partition formed by the partition forming step. That is, a first light emitting layer is formed in a first region partitioned by the
図10に示すように、発光層となる材料を含むインキ31の供給には、3つのノズルを有する3連ノズル33が備えられた装置(付図示)が用いられる。3連ノズル33は、赤色発光材料を含むインキを吐出する赤色ノズルNR、緑色発光材料を含むインキを吐出する緑色ノズルNG、青色発光材料を含むインキを吐出する青色ノズルNBを有している。3連ノズル33の3つのノズルNR、NG、NBから各々インキ31a〜31cを隔壁15の長手方向に沿って吐出しながら、移動方向Nmの他方に移動する。このように隔壁15によって区画された各領域に発光層となる材料を含むインキ31a〜31cを塗布することにより、赤色発光層16a、緑色発光層16b、青色発光層16cが同時に形成される。
As shown in FIG. 10, a device (illustrated) provided with a
次に隣接する他の隔壁15によって区画された領域に発光層となる材料を含むインキ31a〜31cが塗布される。このような稼働を繰り返し、順次支持基板11上の隔壁によって区画された複数の領域に発光層となる材料を含むインキ31a〜31cが塗布される。
Next,
このように、前記隔壁形成工程により形成された隔壁15によって区画された複数の領域のうちの第1の領域に、赤色(R)、緑色(G)または青色(B)を発光する第1の有機EL素子を形成し、第1の列の一方に隣接する列に、第1の有機EL素子の発光色とは異なる1色を発光する第2の有機EL素子を形成し、第1の列の他方に隣接する列に、第1および第2の有機EL素子の発光色とは異なる1色を発光する有機EL素子が形成される。
Thus, the first region that emits red (R), green (G), or blue (B) to the first region among the plurality of regions partitioned by the
以上説明した方法により、異なる発光色の発光層を備える有機EL素子を形成することができ、第1の実施形態と同様に、簡便な工程で特性の高い有機EL素子を製造することができる。 By the method described above, an organic EL element having a light emitting layer of a different emission color can be formed, and an organic EL element having high characteristics can be manufactured by a simple process as in the first embodiment.
[第3の実施形態]
第1の実施形態によって作製される有機EL装置に備えられる有機EL素子は、発光層から放射される光を、陽極および支持基板を通して外部に出射するボトムエミッション型の素子構造を有しているが、第3の実施形態によって作製される有機EL装置に備えられる有機EL素子は、光透過性を有する陰極を用いて、支持基板とは反対側から光を出射するトップエミッション型の素子構造の有機EL素子としたものである。このような第3の実施形態によって作製される有機EL装置に備えられる有機EL素子においても、本発明は適用可能である。
[Third Embodiment]
The organic EL element provided in the organic EL device manufactured according to the first embodiment has a bottom emission type element structure that emits light emitted from the light emitting layer to the outside through the anode and the support substrate. The organic EL device included in the organic EL device manufactured according to the third embodiment is an organic EL device having a top emission type structure that emits light from the opposite side of the support substrate using a light-transmitting cathode. This is an EL element. The present invention can also be applied to an organic EL element provided in the organic EL device manufactured according to the third embodiment.
このような透明陰極には、例えば金属薄膜を透明陰極として用いることができる。透明陰極に用いられる金属薄膜は、光が透過可能な程度に薄膜に形成されるので、シート抵抗が高くなる。したがって透明陰極は、金属薄膜上にITO薄膜などの透明電極を積層させた積層体によって構成されることが好ましい。また陽極と支持基板との間に、例えば銀などの反射率の高い反射膜を設けることが好ましく、このような反射膜を設けることによって、支持基板側に向かう光を透明陰極側に反射することができ、光の取出し効率を向上させることができる。 For such a transparent cathode, for example, a metal thin film can be used as the transparent cathode. Since the metal thin film used for the transparent cathode is formed into a thin film that can transmit light, the sheet resistance is increased. Therefore, the transparent cathode is preferably constituted by a laminate in which a transparent electrode such as an ITO thin film is laminated on a metal thin film. In addition, it is preferable to provide a reflective film having a high reflectance such as silver between the anode and the support substrate, and by providing such a reflective film, light directed toward the support substrate is reflected to the transparent cathode side. And the light extraction efficiency can be improved.
また前述の各実施形態では第1電極がストライプ状に形成されるとしたが、各有機EL素子ごとに第1電極を設けてもよく、第1電極が離散的に島状に設けられてもよい。また前述の各実施形態の有機EL装置は、例えばアクティブマトリクス駆動方式、或いはパッシブマトリクス駆動方式の回路を構成することにより、表示装置として機能させることができる。 In each of the above-described embodiments, the first electrode is formed in a stripe shape. However, the first electrode may be provided for each organic EL element, or the first electrode may be provided in an island shape discretely. Good. In addition, the organic EL device of each of the above-described embodiments can function as a display device by configuring, for example, an active matrix driving system or passive matrix driving circuit.
<有機EL装置>
本発明の製造方法により製造し得る有機EL装置は、上記のようにして有機EL素子で構成された画素が複数実装された装置である。電気的配線、駆動手段等の設置については、通常の有機EL装置の製造における様々な態様を採用し得る。
<Organic EL device>
The organic EL device that can be manufactured by the manufacturing method of the present invention is a device in which a plurality of pixels configured with organic EL elements are mounted as described above. Regarding the installation of electrical wiring, driving means, etc., various modes in the manufacture of a normal organic EL device can be adopted.
本発明の製造方法により製造し得る有機EL装置は、曲面状や平面状の照明装置、例えば面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置として好適に用いることができる。 The organic EL device that can be produced by the production method of the present invention can be suitably used as a curved or flat illumination device, for example, a planar light source, a segment display device, or a dot matrix display device.
10 有機EL装置
11 支持基板
12 陽極(第1電極)
12a 露出面
13 画素領域規定層
14 共通層
14a 正孔注入層
14b 電子ブロック層
15 隔壁
16 発光層
17 陰極(第2電極)
18 有機EL素子
21 画素開口
22 共通層の表面
23 隔壁となる材料を含むインキ
24 マトリクス部(表示エリア部)
25 パネル
31、31a〜31c 発光層となる材料を含むインク
32、NR、NG、NB ノズル
33 3連ノズル
Dd パネルの搬送方向
Ip、Iq ノズルの軌道
10
12a Exposed
18
Claims (11)
該支持基板上に設けられる複数の有機エレクトロルミネッセンス素子と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を区画する複数本の隔壁と、
を備え、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子が、第1電極と、第2電極と、第1および第2電極間に配置される有機化合物を含む発光層とを有する、
有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記第1電極が形成された支持基板を用意する準備工程と、
前記隔壁となる材料を含むインキを当該隔壁が設けられる部位に沿って液柱状に吐出しつつ供給し、さらに固化することにより複数本の隔壁を形成する隔壁形成工程と、
隔壁間に前記発光層を形成する発光層形成工程と、
前記第2電極を形成する第2電極形成工程と、
を含む、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 A support substrate;
A plurality of organic electroluminescence elements provided on the support substrate;
A plurality of partition walls for partitioning the organic electroluminescence element;
With
The organic electroluminescence element has a first electrode, a second electrode, and a light emitting layer containing an organic compound disposed between the first and second electrodes.
A method for manufacturing an organic electroluminescence device, comprising:
Preparing a supporting substrate on which the first electrode is formed;
A partition forming step of forming a plurality of partition walls by supplying ink containing a material to be the partition walls while discharging in a liquid column shape along a site where the partition walls are provided, and further solidifying;
A light emitting layer forming step of forming the light emitting layer between the partition walls;
A second electrode forming step of forming the second electrode;
A method for producing an organic electroluminescence device, comprising:
前記準備工程後かつ前記隔壁形成工程前に、前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子に跨がって共通層を一体的に形成する共通層形成工程をさらに含む、請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 The organic electroluminescence element includes a common layer common to the plurality of organic electroluminescence elements between the first electrode and the light emitting layer,
The organic electroluminescent device according to claim 1, further comprising a common layer forming step of integrally forming a common layer across the plurality of organic electroluminescent elements after the preparation step and before the partition formation step. Production method.
前記第2電極が陰極であり、
前記発光層が前記共通層に接して配置され、
前記共通層形成工程では、前記陽極に接する位置に配置される正孔注入層と、発光層に接する位置に配置される電子ブロック層とを含む共通層を形成する、請求項2から4のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 The first electrode is an anode;
The second electrode is a cathode;
The light emitting layer is disposed in contact with the common layer;
5. The method according to claim 2, wherein, in the common layer forming step, a common layer including a hole injection layer disposed at a position in contact with the anode and an electron blocking layer disposed at a position in contact with the light emitting layer is formed. A method for producing an organic electroluminescence device according to claim 1.
前記隔壁形成工程では、発光層となる材料を含むインキに対する当該隔壁表面の接触角が40度以上の隔壁を形成する、請求項1から8のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 In the light emitting layer forming step, the light emitting layer is formed by a coating method using an ink containing a material to be the light emitting layer,
The organic electroluminescence device according to any one of claims 1 to 8, wherein in the partition formation step, a partition having a contact angle of 40 degrees or more with respect to the partition surface with respect to ink including a material to be a light emitting layer is formed. Method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009049008A JP2010205528A (en) | 2009-03-03 | 2009-03-03 | Manufacturing method of organic electroluminescent device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009049008A JP2010205528A (en) | 2009-03-03 | 2009-03-03 | Manufacturing method of organic electroluminescent device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010205528A true JP2010205528A (en) | 2010-09-16 |
Family
ID=42966820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009049008A Pending JP2010205528A (en) | 2009-03-03 | 2009-03-03 | Manufacturing method of organic electroluminescent device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010205528A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017538282A (en) * | 2014-09-30 | 2017-12-21 | ノヴァレッド ゲーエムベーハー | Active OLED display, method of operating active OLED display, and compound |
JP6470476B1 (en) * | 2017-11-28 | 2019-02-13 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | Organic EL light emitting device and method for manufacturing the same |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05343184A (en) * | 1992-06-09 | 1993-12-24 | Fuji Xerox Co Ltd | Organic electroluminescent element |
JPH08239657A (en) * | 1995-03-07 | 1996-09-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Organic electroluminescence element |
JP2004079478A (en) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Pattern shaping device, pattern forming device and pattern forming method |
JP2004184800A (en) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Device and method for pattern formation |
WO2008149499A1 (en) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Panasonic Corporation | Organic el display panel and method for manufacturing the same |
-
2009
- 2009-03-03 JP JP2009049008A patent/JP2010205528A/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05343184A (en) * | 1992-06-09 | 1993-12-24 | Fuji Xerox Co Ltd | Organic electroluminescent element |
JPH08239657A (en) * | 1995-03-07 | 1996-09-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Organic electroluminescence element |
JP2004079478A (en) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Pattern shaping device, pattern forming device and pattern forming method |
JP2004184800A (en) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Device and method for pattern formation |
WO2008149499A1 (en) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Panasonic Corporation | Organic el display panel and method for manufacturing the same |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017538282A (en) * | 2014-09-30 | 2017-12-21 | ノヴァレッド ゲーエムベーハー | Active OLED display, method of operating active OLED display, and compound |
JP6470476B1 (en) * | 2017-11-28 | 2019-02-13 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | Organic EL light emitting device and method for manufacturing the same |
US11005082B2 (en) | 2017-11-28 | 2021-05-11 | Sakai Display Products Corporation | Organic EL light-emitting element and manufacturing method thereof |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4775493B2 (en) | Light emitting device | |
WO2011049224A1 (en) | Substrate for organic electroluminescence device and method of manufacturing organic electroluminescence device employing same | |
JP2011029119A (en) | Light-emitting device | |
WO2010035643A1 (en) | Substrate for pattern coating and organic el element | |
JP4849175B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
US20110121282A1 (en) | Manufacturing method of organic electroluminescence element, light-emitting device, and display device | |
WO2011049225A1 (en) | Substrate for organic electroluminescence device and method of manufacturing organic electroluminescence device employing same | |
JP4788828B2 (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
WO2011007849A1 (en) | Liquid column coating ink, organic el element production method, and organic el device provided with said organic el element | |
WO2011105329A1 (en) | Manufacturing method for light-emitting devices | |
WO2011122445A1 (en) | Light emitting device | |
JP5317873B2 (en) | SUBSTRATE FOR ORGANIC EL ELEMENT, PROCESS FOR PRODUCING ORGANIC EL LAYER, AND APPARATUS PROVIDED WITH ORGANIC EL ELEMENT MOUNTED ON SUBSTRATE FOR ORGANIC EL ELEMENT | |
JP2011204524A (en) | Method for manufacturing light-emitting device | |
JP5672789B2 (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
JP2009238708A (en) | Manufacturing method for organic electroluminescent apparatus | |
JP2010205528A (en) | Manufacturing method of organic electroluminescent device | |
JP5796422B2 (en) | Light emitting device | |
JP2010160946A (en) | Method for manufacturing organic electroluminescence device | |
JP6102064B2 (en) | Display device | |
JP2010160945A (en) | Method for manufacturing organic electroluminescence device | |
WO2011065288A1 (en) | Manufacturing method of light emitting device | |
JP2012216309A (en) | Organic electroluminescent display panel and manufacturing method therefor | |
JP2013157171A (en) | Manufacturing method of light-emitting device | |
JP2013157170A (en) | Light-emitting device | |
WO2013035570A1 (en) | Method of manufacturing display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120206 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120820 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121002 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130212 |