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JP2010067430A - Thin film forming apparatus - Google Patents

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JP2010067430A
JP2010067430A JP2008231863A JP2008231863A JP2010067430A JP 2010067430 A JP2010067430 A JP 2010067430A JP 2008231863 A JP2008231863 A JP 2008231863A JP 2008231863 A JP2008231863 A JP 2008231863A JP 2010067430 A JP2010067430 A JP 2010067430A
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JP
Japan
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substrate
support member
thin film
inert gas
film forming
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2008231863A
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Japanese (ja)
Inventor
Shunichi Seki
関  俊一
Takuya Sonoyama
卓也 園山
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a structure capable of forming a high-quality thin film even on a large substrate without needing excessive facility investments or costs. <P>SOLUTION: The thin film forming apparatus for forming a thin film 9a by applying a liquid 200 onto a substrate 9 includes: a support member 10 which supports the substrate 9; an applicator to which the support member 10 is detachably provided, the applicator applying the liquid 200 onto the substrate 9 supported on the support member 10; a lid member 20 detachably provided on the support member 10, which can form a storage chamber 50 for air-tightly storing the substrate 9 with the support member 10; and a dryer which dries the liquid 200 applied on the substrate 9 in a state where the substrate 9 is stored in the storage chamber 50. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、薄膜形成装置に関するものである。   The present invention relates to a thin film forming apparatus.

従来、有機EL素子やカラーフィルタの製造方法として、インクジェット法やオフセット印刷法等の液体プロセスを用いた方法が知られている。これらの方法では、液状体を塗布する塗布工程と、塗布された液状体を乾燥する乾燥工程とが行われ、塗布工程と乾燥工程とを交互に繰り返すことにより、複数の薄膜を形成することができる。   Conventionally, methods using a liquid process such as an ink jet method or an offset printing method are known as methods for producing organic EL elements and color filters. In these methods, a coating process for applying a liquid material and a drying process for drying the applied liquid material are performed, and a plurality of thin films can be formed by alternately repeating the coating process and the drying process. it can.

形成途中の薄膜は酸素や水分等によって劣化される場合があるため、窒素などの不活性ガスによって雰囲気を制御することが必要である。例えば、有機EL素子は酸素や水分によって劣化するため、特許文献1〜7では、封止までの工程を水分濃度、酸素濃度を低減させた環境下(不活性環境下)で行う方法が種々提案されている。
特開2003−77655号公報 特開2004−79317号公報 特開2004−164873号公報 特開2001−185355号公報 特開2003−142260号公報 特開2005−11578号公報 特開2004−95423号公報
Since the thin film being formed may be deteriorated by oxygen, moisture, or the like, it is necessary to control the atmosphere with an inert gas such as nitrogen. For example, since organic EL elements are deteriorated by oxygen and moisture, Patent Documents 1 to 7 propose various methods for performing the process up to sealing in an environment where the moisture concentration and oxygen concentration are reduced (in an inert environment). Has been.
JP 2003-77655 A JP 2004-79317 A JP 2004-164873 A JP 2001-185355 A JP 2003-142260 A JP 2005-11578 A JP 2004-95423 A

しかしながら、特許文献1から特許文献7では、基板上に有機層を成膜する工程を窒素などの不活性ガス雰囲気中で行っているので、基板サイズが大きくなれば基板を収容する容積が大きくなる。そのため、不活性ガス雰囲気を維持するために莫大な量の窒素が必要となり、処理室を不活性ガスに置換するための設備も大掛かりなものとなる。   However, in Patent Document 1 to Patent Document 7, since the step of forming an organic layer on the substrate is performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen, the volume for accommodating the substrate increases as the substrate size increases. . Therefore, an enormous amount of nitrogen is required to maintain the inert gas atmosphere, and facilities for replacing the processing chamber with the inert gas become large.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、大型基板でも過大な設備投資や費用をかけず、高品質な薄膜を形成することが可能な薄膜形成装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a thin film forming apparatus capable of forming a high-quality thin film without excessive equipment investment and cost even with a large substrate. And

上記の課題を解決するため、本発明の薄膜形成装置は、基板上に液状体を塗布して薄膜を形成する薄膜形成装置であって、前記基板を支持する支持部材と、前記支持部材が着脱可能に設けられ、前記支持部材上に支持された前記基板上に前記液状体を塗布する塗布装置と、前記支持部材上に着脱可能に設けられ、前記支持部材との間で前記基板を気密に収容する収容室を形成可能な蓋部材と、前記基板を前記収容室に収容した状態で、前記基板上に塗布された前記液状体を乾燥処理する乾燥装置と、を備えていることを特徴とする。
この構成によれば、支持部材と蓋部材とで形成される基板一枚分程度の大きさの収容室の中を不活性ガス雰囲気にするだけで良く、不活性ガスに置換する容積が大幅に低減される。したがって、収容室内の不活性ガス雰囲気を維持しやすく、所定の濃度に抑えることが容易となる。その結果、大型基板でも過大な設備投資や費用をかけず、高品質な薄膜を形成することができる。
In order to solve the above problems, a thin film forming apparatus of the present invention is a thin film forming apparatus that forms a thin film by applying a liquid material on a substrate, and the support member that supports the substrate and the support member are attached and detached. And a coating device that coats the liquid material on the substrate supported on the support member, and is detachably provided on the support member, and the substrate is hermetically sealed with the support member. A lid member capable of forming a storage chamber to be stored; and a drying device for drying the liquid material coated on the substrate in a state where the substrate is stored in the storage chamber. To do.
According to this configuration, it is only necessary to create an inert gas atmosphere inside the storage chamber that is about the size of one substrate formed by the support member and the lid member, and the volume to be replaced with the inert gas is greatly increased. Reduced. Therefore, it is easy to maintain an inert gas atmosphere in the accommodation chamber, and it is easy to suppress the concentration to a predetermined concentration. As a result, a high-quality thin film can be formed without excessive capital investment and costs even with a large substrate.

本発明においては、前記支持部材は、前記基板を前記支持部材上に固定する固定手段を備え、前記固定手段によって、前記塗布装置から前記支持部材が取り外された後も、前記基板を前記支持部材上に固定し続けることができるように構成されていることが望ましい。固定手段としては、例えば、真空チャックを用いることができる。真空チャックの排気ラインのバルブを支持部材に設けることで、支持部材を塗布装置から取り外した場合でも、基板を真空チャックで支持部材上に固定し続けることができる。
この構成によれば、塗布装置から支持部材が取り外された後も基板が支持部材上に固定し続けられるので、改めて支持部材上に基板の位置合わせを行う必要がなくなる。その結果、基板の位置合わせを行う工程が省かれるので、簡単に効率良く薄膜を成形することができる。
In the present invention, the support member includes fixing means for fixing the substrate onto the support member, and the support member is attached to the support member even after the support member is removed from the coating apparatus by the fixing means. It is desirable to be configured so that it can remain fixed on top. As the fixing means, for example, a vacuum chuck can be used. By providing the vacuum chuck exhaust line valve on the support member, the substrate can be fixed on the support member with the vacuum chuck even when the support member is removed from the coating apparatus.
According to this configuration, since the substrate is continuously fixed on the support member even after the support member is removed from the coating apparatus, it is not necessary to align the substrate on the support member again. As a result, since the step of aligning the substrates is omitted, the thin film can be easily and efficiently formed.

本発明においては、前記乾燥装置は、前記支持部材と前記蓋部材との一方又は双方を加熱する加熱装置を備え、前記支持部材又は前記蓋部材を介して前記加熱装置で前記基板を加熱することにより、前記液状体を乾燥処理することが望ましい。
この構成によれば、支持部材又は蓋部材からの熱伝導を利用して基板の加熱が行われる。そのため、ヒータ等の一般的な加熱装置を用いることができ、新たな設備の追加や、既存の加熱装置からの設計変更などが不要となる。
In the present invention, the drying device includes a heating device that heats one or both of the support member and the lid member, and the substrate is heated by the heating device via the support member or the lid member. Thus, it is desirable to dry the liquid.
According to this configuration, the substrate is heated using heat conduction from the support member or the lid member. Therefore, a general heating device such as a heater can be used, and it is not necessary to add new equipment or change a design from an existing heating device.

本発明においては、前記乾燥装置は、前記収容室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給装置を備え、前記不活性ガス供給装置により前記収容室を不活性ガス雰囲気にした状態で前記加熱装置を用いて前記基板を加熱することにより、前記液状体を乾燥処理することが望ましい。
この構成によれば、有機EL素子等の酸素や水分に弱いデバイスを製造する場合にも、好適に利用可能な薄膜形成装置となる。
In the present invention, the drying device includes an inert gas supply device that supplies an inert gas to the storage chamber, and the heating device is in a state where the storage chamber is in an inert gas atmosphere by the inert gas supply device. It is desirable that the liquid material be dried by heating the substrate using the.
According to this configuration, the thin film forming apparatus can be suitably used even when a device that is sensitive to oxygen and moisture, such as an organic EL element, is manufactured.

本発明においては、前記不活性ガス供給装置は、前記収容室に、前記液状体に含まれる溶媒の蒸気を含んだ不活性ガスを供給することが望ましい。
この構成によれば、収容室に蒸気を含んだ不活性ガスが供給されるので、収容室内の乾燥速度が急激に速くなったりせずにゆっくりと安定して行われる。したがって、収容室内の乾燥速度が制御され、基板上に塗布された液状体の乾燥が均一になるので、ムラなく均一な薄膜を形成することができる。
In the present invention, it is desirable that the inert gas supply device supplies an inert gas containing a vapor of a solvent contained in the liquid material to the storage chamber.
According to this configuration, since the inert gas containing the vapor is supplied to the storage chamber, the drying speed in the storage chamber is slowly and stably increased without rapidly increasing. Therefore, the drying speed in the storage chamber is controlled, and the liquid applied on the substrate is uniformly dried, so that a uniform thin film can be formed without unevenness.

本発明においては、前記乾燥装置は、前記収容室の内部を排気する排気手段を備え、前記排気手段で前記収容室を真空排気することにより、前記液状体を乾燥処理することが望ましい。
この構成によれば、基板に熱的なストレスを与えることなく乾燥処理を行うことができる。また、特許文献1〜7に記載された従来の薄膜形成装置では、真空排気する空間が大きいため、真空排気に要する時間が長くなり、生産効率が悪かったが、本発明の薄膜形成装置では、真空排気する空間の大きさは基板一枚分程度の小さなものなので、真空排気に要する時間は格段に短くなり、真空排気に要する設備も小型のもので良い。
In the present invention, it is preferable that the drying apparatus includes an exhaust unit that exhausts the inside of the storage chamber, and the storage unit is vacuum-evacuated by the exhaust unit to dry the liquid material.
According to this configuration, the drying process can be performed without applying thermal stress to the substrate. In addition, in the conventional thin film forming apparatus described in Patent Documents 1 to 7, since the space to be evacuated is large, the time required for evacuation is long and the production efficiency is poor. However, in the thin film forming apparatus of the present invention, Since the size of the space to be evacuated is as small as one substrate, the time required for evacuation is remarkably shortened, and the equipment required for evacuation can be small.

本発明においては、前記乾燥装置は、前記収容室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給装置を備え、前記不活性ガス供給装置により前記基板に対して不活性ガスを吹き付けることで、前記液状体を乾燥処理することが望ましい。
この構成によれば、不活性ガスの流動に伴って溶媒の除去が行われる。そのため、基板に熱的なストレスを与えることなく乾燥処理を行うことができる。また、収容室の内部を不活性ガスに置換しつつ乾燥処理を行うことができるので、効率的な処理が可能である。
In the present invention, the drying device includes an inert gas supply device that supplies an inert gas to the storage chamber, and the liquid is obtained by spraying the inert gas onto the substrate by the inert gas supply device. It is desirable to dry the body.
According to this configuration, the solvent is removed as the inert gas flows. Therefore, the drying process can be performed without applying thermal stress to the substrate. In addition, since the drying process can be performed while replacing the inside of the storage chamber with an inert gas, an efficient process is possible.

本発明においては、前記蓋部材の前記基板と対向する面には、前記不活性ガス供給装置から供給された不活性ガスを前記基板に向けて噴出す複数の噴出し口が設けられていることが望ましい。
この構成によれば、一箇所のみから不活性ガスを噴出す場合に比べて、不活性ガスの供給量を収容室全体で均一化することができる。そのため、乾燥ムラの少ない薄膜を形成することができる。
In the present invention, the surface of the lid member facing the substrate is provided with a plurality of ejection ports for ejecting the inert gas supplied from the inert gas supply device toward the substrate. Is desirable.
According to this structure, compared with the case where an inert gas is ejected from only one place, the supply amount of an inert gas can be made uniform in the whole storage chamber. Therefore, a thin film with little drying unevenness can be formed.

本発明においては、前記複数の噴出し口は、前記不活性ガス供給装置の吸気ラインと接続される接続部を中心として、回転対称性を有する位置に設けられていることが望ましい。
この構成によれば、薄膜の乾燥状態を基板全体で均一化することができ、乾燥ムラのない高品質な薄膜を形成することができる。
In the present invention, it is desirable that the plurality of ejection ports be provided at positions having rotational symmetry about a connection portion connected to the intake line of the inert gas supply device.
According to this configuration, the dry state of the thin film can be made uniform over the entire substrate, and a high-quality thin film free from drying unevenness can be formed.

本発明においては、前記接続部に近い位置に設けられた前記噴出し口の大きさは、前記接続部から遠い位置に設けられた前記噴出し口の大きさよりも小さいことが望ましい。
一般に、接続部に近い噴出し口からは、接続部から遠い噴出し口よりも、勢い良く不活性ガスが噴出される。そのため、接続部に近い位置と接続部から遠い位置の噴出し口の大きさを異ならせることで、収容室全体で不活性ガスの噴出し量を均一化することができる。したがって、本発明によれば、液状体の乾燥速度を基板全体で均一化でき、乾燥ムラのない高品質な薄膜を形成することができる。
In the present invention, it is desirable that the size of the ejection port provided at a position close to the connection portion is smaller than the size of the ejection port provided at a position far from the connection portion.
In general, the inert gas is ejected from the ejection port close to the connection portion more vigorously than the ejection port far from the connection portion. Therefore, the amount of the inert gas ejected can be made uniform in the entire accommodation chamber by making the sizes of the ejection ports near the connecting portion and far from the connecting portion different. Therefore, according to the present invention, the drying speed of the liquid can be made uniform over the entire substrate, and a high-quality thin film free from drying unevenness can be formed.

本発明においては、前記塗布装置と前記乾燥装置との間で、前記支持部材上に支持された前記基板を移動させる移動装置と、前記移動装置の移動経路上に設けられ、前記支持部材に対して前記蓋部材を昇降可能に保持すると共に、前記蓋部材を降下させることにより前記支持部材上に前記収容室を形成した状態で前記蓋部材を固定し、前記収容室に前記基板を気密に収容する蓋部材取付け装置と、を備えていることが望ましい。
この構成によれば、蓋部材の取り付け工程を自動で行うことができるので、効率の良い薄膜形成が可能となる。
In the present invention, a movement device that moves the substrate supported on the support member between the coating device and the drying device, and a movement path of the movement device, the movement device is provided with respect to the support member. The lid member is held so that it can be raised and lowered, and the lid member is lowered to fix the lid member in a state where the accommodation chamber is formed on the support member, and the substrate is accommodated in the accommodation chamber in an airtight manner. And a lid member attaching device.
According to this configuration, the attaching process of the lid member can be automatically performed, so that an efficient thin film can be formed.

本発明においては、前記支持部材と前記塗布装置と前記乾燥装置とが設置されるベースを備え、前記移動装置は、前記ベース上において前記塗布装置と前記乾燥装置との間に設けられたガイドレールと、前記ガイドレールに沿って移動可能に設けられ前記支持部材が設置されるスライダーと、を備えていることが望ましい。
この構成によれば、塗布工程、蓋部材の取り付け工程、乾燥工程の全ての工程を自動で行うことができる。そのため、より効率の良い薄膜形成が可能となる。
In the present invention, the apparatus includes a base on which the support member, the coating device, and the drying device are installed, and the moving device is a guide rail provided between the coating device and the drying device on the base. And a slider provided so as to be movable along the guide rail and on which the support member is installed.
According to this structure, all the processes of an application | coating process, the attachment process of a cover member, and a drying process can be performed automatically. Therefore, more efficient thin film formation becomes possible.

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。かかる実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. This embodiment shows one aspect of the present invention, and does not limit the present invention, and can be arbitrarily changed within the scope of the technical idea of the present invention. Moreover, in the following drawings, in order to make each structure easy to understand, an actual structure and a scale, a number, and the like in each structure are different.

図1は本発明の薄膜形成装置の一実施形態である薄膜形成装置100の概略構成斜視図である。薄膜形成装置100は、基板9を支持する支持部材10と、基板9上に液状体200(図6参照)を塗布する塗布装置110と、を備えている。塗布装置110は、所定のパターンで液状体200を供給可能な液滴吐出装置(インクジェット装置)である。   FIG. 1 is a schematic configuration perspective view of a thin film forming apparatus 100 which is an embodiment of the thin film forming apparatus of the present invention. The thin film forming apparatus 100 includes a support member 10 that supports the substrate 9 and a coating apparatus 110 that applies a liquid 200 (see FIG. 6) on the substrate 9. The coating device 110 is a droplet discharge device (inkjet device) that can supply the liquid 200 in a predetermined pattern.

なお、以下の説明では、塗布装置110をインクジェット装置として説明するが、特にインクジェット装置には限定されず、基板9上に液状体200を配置可能なものであればよく、例えばスクリーン印刷法により基板9上に液状体200を配置してもよい。   In the following description, the coating apparatus 110 is described as an ink jet apparatus. However, the application apparatus 110 is not particularly limited to the ink jet apparatus, and any apparatus that can dispose the liquid 200 on the substrate 9 may be used. The liquid 200 may be disposed on the substrate 9.

支持部材10は、ベース101に固定された保持装置120の上に着脱可能に設置されている。保持装置120は、保持土台121と吸着保持部122とで構成されている。保持土台121上の吸着保持部122が作動することにより、支持部材10を吸着して保持するようになっている。   The support member 10 is detachably installed on a holding device 120 fixed to the base 101. The holding device 120 includes a holding base 121 and a suction holding unit 122. When the suction holding part 122 on the holding base 121 is operated, the support member 10 is sucked and held.

塗布装置110は、ベース101上に設けられ、支持部材10に支持されている基板9に対して所定の材料を含む液状体200を定量的に吐出可能な吐出ヘッド111と、吐出ヘッド111を移動可能に支持する吐出ヘッド移動装置117と、ベース101と支持部材10との間に介在して支持部材10を移動可能に支持する支持部材移動装置118とを備えている。吐出ヘッド111の液状体200の吐出動作は、制御装置(図示略)により制御される。   The coating apparatus 110 is provided on the base 101 and can move the ejection head 111 and the ejection head 111 that can quantitatively eject the liquid 200 containing a predetermined material onto the substrate 9 supported by the support member 10. The apparatus includes a discharge head moving device 117 that supports the support member 10 and a support member moving device 118 that is interposed between the base 101 and the support member 10 and supports the support member 10 so as to be movable. The discharge operation of the liquid 200 of the discharge head 111 is controlled by a control device (not shown).

ここで、図1には吐出ヘッド111が一つだけ図示されているが、塗布装置110には複数の吐出ヘッド111が設けられており、これら複数の吐出ヘッド111のそれぞれから異種又は同種の液状体200が吐出されるようになっている。   Here, only one ejection head 111 is illustrated in FIG. 1, but the coating apparatus 110 is provided with a plurality of ejection heads 111, and each of the plurality of ejection heads 111 is dissimilar or of the same type of liquid. The body 200 is discharged.

吐出ヘッド移動装置117は、2本の支柱116を用いてベース101に対して立設され、ベース101の後部101aに取付けられている。また、吐出ヘッド移動装置117は、例えばリニアモータによって構成され、2本の支柱116に固定された支持部115と、この支持部115に支持されている吐出ヘッドガイドレール114と、吐出ヘッドガイドレール114に沿ってX軸方向に移動可能に支持されている吐出ヘッドスライダー113と、を備えている。吐出ヘッドスライダー113は、吐出ヘッドガイドレール114に沿ってX軸方向に位置決め可能であり、吐出ヘッド111は接続部112を介して吐出ヘッドスライダー113に取り付けられている。   The ejection head moving device 117 is erected with respect to the base 101 using two support columns 116 and attached to the rear portion 101 a of the base 101. Further, the discharge head moving device 117 is configured by, for example, a linear motor, a support portion 115 fixed to two support columns 116, a discharge head guide rail 114 supported by the support portion 115, and a discharge head guide rail. 114, and a discharge head slider 113 supported so as to be movable in the X-axis direction along the X-axis direction. The ejection head slider 113 can be positioned in the X-axis direction along the ejection head guide rail 114, and the ejection head 111 is attached to the ejection head slider 113 via the connection portion 112.

吐出ヘッド111には、揺動位置決め装置としてのモータ(回転運動を出力する電動機)111a,111b,111c,111dが設けられている。モータ111aを作動すると、吐出ヘッド111はZ軸に沿って上下動し、その位置決めをなすようになっている。また、モータ111bを作動すると、吐出ヘッド111はY軸回りのβ方向に沿って揺動し、その位置決めをなすようになっており、さらにモータ111cを作動すると、X軸回りのγ方向に揺動し、その位置決めをなすようになっている。また、モータ111dを作動すると、吐出ヘッド111はZ軸回りのα方向に揺動し、その位置決めをなすようになっている。すなわち、吐出ヘッド移動装置117は、吐出ヘッド111をX軸方向及びZ軸方向に移動可能に支持するとともに、この吐出ヘッド111をα方向(Z軸回り)、β方向(Y軸回り)、γ方向(X軸回り)に移動可能に支持するものとなっている。   The discharge head 111 is provided with motors (electric motors that output rotational motion) 111a, 111b, 111c, and 111d as swing positioning devices. When the motor 111a is actuated, the ejection head 111 moves up and down along the Z-axis and is positioned. Further, when the motor 111b is operated, the ejection head 111 is swung along the β direction around the Y axis to be positioned, and when the motor 111c is further operated, it is swung in the γ direction around the X axis. It moves to make its positioning. When the motor 111d is operated, the ejection head 111 swings in the α direction around the Z axis and is positioned. That is, the discharge head moving device 117 supports the discharge head 111 so as to be movable in the X-axis direction and the Z-axis direction, and supports the discharge head 111 in the α direction (around the Z axis), the β direction (around the Y axis), and γ. It is supported so as to be movable in the direction (around the X axis).

支持部材移動装置118は、例えばリニアモータによって構成されたもので、支持部材ガイドレール119を備え、この支持部材ガイドレール119に沿って保持装置120を移動可能にするものである。この保持装置120は、支持部材ガイドレール119に沿ってY軸方向に移動可能となっている。   The support member moving device 118 is configured by, for example, a linear motor, and includes a support member guide rail 119, and enables the holding device 120 to move along the support member guide rail 119. The holding device 120 is movable in the Y-axis direction along the support member guide rail 119.

また、保持装置120の保持土台121上の吸着保持部122は、Z軸回り(Θ)用のモータ(図示略)を備えている。このモータは、例えばモータの回転力をギアボックス等の間接的機構を介さずに直接、駆動対象に伝達するダイレクトドライブ方式のものであり、モータのロータ(回転側)は支持部材10に固定されている。これにより、モータに通電することでロータと支持部材10とは、Θ方向に沿って回転して支持部材10をインデックス(回転割り出し)することができるようになっている。すなわち、支持部材移動装置118は、支持部材10をY軸方向及びΘ方向に移動可能とするよう、構成されているのである。 In addition, the suction holding unit 122 on the holding base 121 of the holding device 120 includes a motor (not shown) for rotating around the Z axis (Θ Z ). This motor is of a direct drive type in which, for example, the rotational force of the motor is directly transmitted to a drive target without using an indirect mechanism such as a gear box, and the rotor (rotation side) of the motor is fixed to the support member 10. ing. Accordingly, the rotor and the support member 10 by energizing the motor, which is a support member 10 rotates along the theta Z direction to be able to index (rotation index). That is, the support member moving device 118, so as to be movable support member 10 in the Y-axis direction and theta Z direction is what is configured.

このような構成のもとに吐出ヘッド111は、吐出ヘッドスライダー113に保持された状態のもとで、Z軸方向に直線移動して位置決め可能であり、かつ、α、β、γに沿って揺動して位置決め可能となっている。よって、吐出ヘッド111の液状体吐出面は、支持部材10上の基板9に対して正確に位置あるいは姿勢をコントロールすることができるようになっている。なお、吐出ヘッド111の液状体吐出面には液状体200を吐出する複数のノズルが設けられている。   Under such a configuration, the ejection head 111 can be positioned by linear movement in the Z-axis direction while being held by the ejection head slider 113, and along α, β, and γ. It can swing and be positioned. Therefore, the position or posture of the liquid discharge surface of the discharge head 111 can be accurately controlled with respect to the substrate 9 on the support member 10. Note that a plurality of nozzles that discharge the liquid 200 are provided on the liquid discharge surface of the discharge head 111.

図2は、基板9(図1参照)の上に塗布された液状体200を乾燥処理する加熱装置170を蓋部材20の上面に設置した状態を示した概略構成斜視図である。基板9を支持する支持部材10に蓋部材20が固定されることで、基板9は気密に収容される。この状態で、蓋部材20の上面に例えばヒータ等の加熱装置170が取り付けられ、この加熱装置170で蓋部材20を介して基板9を加熱することにより液状体200を乾燥処理するようになっている。   FIG. 2 is a schematic configuration perspective view showing a state in which a heating device 170 for drying the liquid 200 applied on the substrate 9 (see FIG. 1) is installed on the upper surface of the lid member 20. By fixing the lid member 20 to the support member 10 that supports the substrate 9, the substrate 9 is accommodated in an airtight manner. In this state, a heating device 170 such as a heater is attached to the upper surface of the lid member 20, and the liquid material 200 is dried by heating the substrate 9 through the lid member 20 with the heating device 170. Yes.

図3は、基板9の収容状態を示した概略構成断面図である。支持部材10は、基板9を支持部材10上に固定する手段として真空チャック(固定手段)11を備えている。基板9は支持部材10上に真空チャック11に重なるように配置されている。この真空チャック11によって、塗布装置110から支持部材10が取り外された後も、基板9を支持部材10上に固定し続けることができる。支持部材10は、例えばAl(アルミニウム)等の金属材料により形成されている。   FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the accommodation state of the substrate 9. The support member 10 includes a vacuum chuck (fixing means) 11 as means for fixing the substrate 9 on the support member 10. The substrate 9 is disposed on the support member 10 so as to overlap the vacuum chuck 11. The vacuum chuck 11 can continue to fix the substrate 9 on the support member 10 even after the support member 10 is removed from the coating apparatus 110. The support member 10 is made of a metal material such as Al (aluminum).

真空チャック11は、基板9を真空吸着により支持部材10に固定するためのものである。また、真空チャック11は、支持部材10内部に形成された真空ライン12に接続され、真空ポンプ等の装置(排気手段)(図示略)により真空排気され、真空ラインのバルブ13を閉じることで真空状態が作られる。より具体的には、真空ライン12は、図示左右方向に長手を有する本線部12aと、本線部12aの真空チャック11側に図示上下方向に並設された複数の支線部12bとを備えている。本線部12aの左右の支持部材10から露出した端部は、真空ポンプ等の装置に接続され、本線部12aから支線部12bを介して真空チャック11を真空状態にし、基板9を支持部材10の上面に密着して固定させるようになっている。   The vacuum chuck 11 is for fixing the substrate 9 to the support member 10 by vacuum suction. The vacuum chuck 11 is connected to a vacuum line 12 formed inside the support member 10 and is evacuated by an apparatus (evacuation means) (not shown) such as a vacuum pump, and the vacuum line 11 is closed to close the vacuum line. A state is created. More specifically, the vacuum line 12 includes a main line portion 12a having a length in the horizontal direction in the drawing, and a plurality of branch line portions 12b arranged in parallel in the vertical direction in the drawing on the vacuum chuck 11 side of the main line portion 12a. . The ends exposed from the left and right support members 10 of the main line portion 12a are connected to a device such as a vacuum pump, the vacuum chuck 11 is evacuated from the main line portion 12a via the branch line portion 12b, and the substrate 9 of the support member 10 is placed. It is designed to be fixed in close contact with the upper surface.

支持部材10上には、基板9を支持部材10との間で気密に収容する収容室50を形成する凸状の蓋部材20が設けられている。蓋部材20は、例えばAl等の金属材料により形成されている。蓋部材20の支持部材10に固定された基板9の周囲を囲む側壁部23には、複数の開口部21が形成されている。   On the support member 10, there is provided a convex lid member 20 that forms an accommodation chamber 50 that hermetically accommodates the substrate 9 with the support member 10. The lid member 20 is made of a metal material such as Al, for example. A plurality of openings 21 are formed in the side wall 23 surrounding the periphery of the substrate 9 fixed to the support member 10 of the lid member 20.

開口部21は、収容室50内を真空排気してN(窒素)等の不活性ガスを封入することで不活性ガス雰囲気にするものである。また、開口部21は、蓋部材20内部に形成された真空/Nライン22に接続されている。真空/Nライン22の開口部21が接続された側と反対側の蓋部材20から露出した端部は、真空ポンプ等の装置やN封入装置(不活性ガス供給装置)(図示略)に接続されている。これにより、収容室50内に不活性ガスが供給され、真空/Nラインのバルブ24を閉じることで不活性ガス雰囲気が作られるようになっている。 The opening 21 evacuates the inside of the housing chamber 50 and fills with an inert gas such as N 2 (nitrogen) to make an inert gas atmosphere. The opening 21 is connected to a vacuum / N 2 line 22 formed in the lid member 20. The end of the vacuum / N 2 line 22 exposed from the lid member 20 opposite to the side to which the opening 21 is connected is a device such as a vacuum pump or an N 2 sealing device (inert gas supply device) (not shown). It is connected to the. Thus, an inert gas is supplied into the storage chamber 50, and an inert gas atmosphere is created by closing the valve 24 of the vacuum / N 2 line.

支持部材10と蓋部材20の周囲には、固定部材8が設けられている。固定部材8は、支持部材10と蓋部材20とを取り付けて、隙間が空かないように固定するためのものである。固定部材8は、例えばクリップ等の止め具やボルト、ナット等の止め具を用いることができる。また、これらを用いずに、マグネット等を用いた磁力による固定を行っても良い。なお、固定部材8の取り付けは、作業者が行っても機械が行ってもどちらでも良い。   A fixing member 8 is provided around the support member 10 and the lid member 20. The fixing member 8 is for attaching the support member 10 and the lid member 20 and fixing them so that there is no gap. As the fixing member 8, for example, a stopper such as a clip or a stopper such as a bolt or a nut can be used. Moreover, you may fix by the magnetic force using a magnet etc., without using these. The fixing member 8 may be attached either by an operator or by a machine.

図4は、図3に示したA−A線に沿った断面構成を示している。支持部材10は図示左右に長手を有する矩形状に形成されている。支持部材10には、複数の真空ライン12が真空チャック11を構成する複数の円形状の吸着孔11aを貫通するように形成されている。   FIG. 4 shows a cross-sectional configuration along the line AA shown in FIG. The support member 10 is formed in a rectangular shape having a length on the left and right in the figure. A plurality of vacuum lines 12 are formed in the support member 10 so as to pass through a plurality of circular suction holes 11 a constituting the vacuum chuck 11.

真空ライン12は、第1真空ライン12aと、第2真空ライン12bとで構成されている。第1真空ライン12aは支持部材10の外周部の複数の吸着孔11aを貫通するように形成され、第2真空ライン12bは支持部材10の中央部の複数の吸着孔11aを貫通するように形成されている。すなわち、真空ライン12は、吸着孔11aが支持部材10の外周部に配置されたものと中央部に配置されたものとで分割されることにより、基板9が大きい場合や小さい場合であっても両方に適用できるように形成されている。また、真空ライン12の支持部材10から露出した端部は真空ポンプ等の装置(図示略)に接続されている。   The vacuum line 12 includes a first vacuum line 12a and a second vacuum line 12b. The first vacuum line 12a is formed so as to penetrate the plurality of suction holes 11a on the outer peripheral portion of the support member 10, and the second vacuum line 12b is formed so as to penetrate the plurality of suction holes 11a in the central portion of the support member 10. Has been. That is, even if the substrate 9 is large or small, the vacuum line 12 is divided into the suction holes 11a that are arranged at the outer peripheral portion of the support member 10 and those that are arranged at the central portion. It is formed so that it can be applied to both. Moreover, the edge part exposed from the supporting member 10 of the vacuum line 12 is connected to apparatuses (not shown), such as a vacuum pump.

真空チャック11は、支持部材10上に複数箇所形成された吸着孔11aにより構成されている。なお、本実施形態では真空チャック11を構成する吸着孔11aの設置数は計25箇所設置しているが、基板9を支持部材10に真空吸着可能であれば上述の設置数に限らない。また、真空ライン12の配置についても同様に、基板9を支持部材10に真空吸着可能であれば上述の配置に限らない。   The vacuum chuck 11 is constituted by suction holes 11 a formed at a plurality of locations on the support member 10. In the present embodiment, a total of 25 suction holes 11 a constituting the vacuum chuck 11 are installed. However, the number of the suction holes 11 a is not limited to the above-described number as long as the substrate 9 can be vacuum-sucked to the support member 10. Similarly, the arrangement of the vacuum line 12 is not limited to the above-described arrangement as long as the substrate 9 can be vacuum-sucked to the support member 10.

図5は、図3に示したB−B線に沿った断面構成を示している。蓋部材20は図示左右に長手を有する矩形状に形成されている。蓋部材20上には、複数の真空/Nライン22が蓋部材20内側の側壁部23から蓋部材20外側へ貫通するように形成されている。側壁部23には、真空/Nライン22に接続するように開口部21が形成されている。真空/Nライン22の蓋部材20から露出した端部は真空ポンプ等の装置(図示略)やN封入装置(図示略)に接続されている。なお、本実施形態では開口部21の設置数は、蓋部材20の4辺に各1箇所ずつの計4箇所設置しているが、収容室50内に不活性ガス雰囲気を作ることができれば上述の設置数に限らない。 FIG. 5 shows a cross-sectional configuration along the line BB shown in FIG. The lid member 20 is formed in a rectangular shape having a length on the left and right sides in the figure. A plurality of vacuum / N 2 lines 22 are formed on the lid member 20 so as to penetrate from the side wall portion 23 inside the lid member 20 to the outside of the lid member 20. An opening 21 is formed in the side wall 23 so as to be connected to the vacuum / N 2 line 22. The end of the vacuum / N 2 line 22 exposed from the lid member 20 is connected to a device such as a vacuum pump (not shown) or an N 2 sealing device (not shown). In the present embodiment, the number of openings 21 is four in total, one on each of the four sides of the lid member 20. However, if an inert gas atmosphere can be created in the storage chamber 50, the number of openings 21 is as described above. The number of installations is not limited.

(薄膜の形成方法)
次に、本発明の薄膜形成装置100を用いた薄膜9aの成形方法を一例として有機EL素子を挙げて説明する。有機EL素子の成形工程は基板9を支持部材10に載置する工程と、基板9の上に有機EL素子の形成材料を含む液状体200を塗布する工程と、基板9を気密に収容するように支持部材10と蓋部材20を固定する工程と、収容室50内の基板9上に塗布された液状体200を乾燥する工程と、からなる。
(Thin film formation method)
Next, a method for forming the thin film 9a using the thin film forming apparatus 100 of the present invention will be described by taking an organic EL element as an example. The organic EL element forming step includes a step of placing the substrate 9 on the support member 10, a step of applying the liquid material 200 containing the organic EL element forming material on the substrate 9, and the substrate 9 being hermetically accommodated. The fixing member 10 and the lid member 20 are fixed to each other, and the liquid material 200 applied to the substrate 9 in the storage chamber 50 is dried.

先ず、図6(a)に示すように、支持部材10上に基板9を載置する。ここで、基板9上には従来公知の技術によりすでに陽極や隔壁層が形成されている。次に、真空ライン12の端部に接続された真空ポンプ等の装置(図示略)を起動し、基板9を支持部材10に真空吸着により固定する。このとき、真空ラインのバルブ13を閉じる。   First, as shown in FIG. 6A, the substrate 9 is placed on the support member 10. Here, an anode and a partition layer are already formed on the substrate 9 by a conventionally known technique. Next, a device such as a vacuum pump (not shown) connected to the end of the vacuum line 12 is activated to fix the substrate 9 to the support member 10 by vacuum suction. At this time, the valve 13 of the vacuum line is closed.

次に、図6(b)に示すように、基板9を載置した支持部材10を塗布装置110(図1参照)に設置する。次に、インクジェット方式で正孔注入層(有機EL素子)の形成材料を含む液状体200を吐出ヘッド111から基板9上の所定の位置に吐出する。なお、インクジェット方式による液状体200の塗布は大気中で行っても良い。なお、本実施形態ではインクジェット方式を用いているが、スリットコート法などのベタ塗りでも良い。   Next, as shown in FIG. 6B, the support member 10 on which the substrate 9 is placed is placed in the coating apparatus 110 (see FIG. 1). Next, the liquid 200 containing the material for forming the hole injection layer (organic EL element) is ejected from the ejection head 111 to a predetermined position on the substrate 9 by an inkjet method. The application of the liquid 200 by the ink jet method may be performed in the air. In this embodiment, the ink jet method is used, but solid coating such as slit coating may be used.

次に、図6(c)に示すように、支持部材10に蓋部材20を取り付け、固定部材8で固定することで、基板9を気密に収容する収容室50を形成する。なお、固定部材8を固定する工程は、作業者が行っても機械が行ってもどちらでも良い。   Next, as illustrated in FIG. 6C, the cover member 20 is attached to the support member 10 and fixed by the fixing member 8, thereby forming the storage chamber 50 that stores the substrate 9 in an airtight manner. The step of fixing the fixing member 8 may be performed by an operator or a machine.

次に、真空/Nライン22を真空ポンプ等の装置やN封入装置に接続し、収容室50内を真空排気してN等の不活性ガスを開口部21から収容室50内へ封入することで不活性ガス雰囲気にする。 Next, the vacuum / N 2 line 22 is connected to a device such as a vacuum pump or an N 2 sealing device, and the inside of the storage chamber 50 is evacuated to pass an inert gas such as N 2 from the opening 21 into the storage chamber 50. Fill with inert gas atmosphere.

次に、図6(d)に示すように、収容室50の上方(蓋部材20の上面)にホットプレートや電気炉等の加熱装置170を接触させ、蓋部材20からの熱伝導を利用して基板9上に塗布された液状体200を乾燥し正孔注入層(薄膜)9aを成膜する。なお、本実施形態の加熱装置170はホットプレートを用いているが、ハロゲンランプのような光を当てて熱するものでも良い。また、蓋部材20または支持部材10のいずれか一方、または双方に赤外線を透過させる透明な窓部を設け、基板9を直接熱するようにしても良い。   Next, as shown in FIG. 6 (d), a heating device 170 such as a hot plate or an electric furnace is brought into contact with the upper part of the accommodation chamber 50 (the upper surface of the lid member 20), and heat conduction from the lid member 20 is utilized. The liquid 200 applied on the substrate 9 is dried to form a hole injection layer (thin film) 9a. In addition, although the heating apparatus 170 of this embodiment uses a hot plate, it may be heated by applying light such as a halogen lamp. In addition, a transparent window part that transmits infrared rays may be provided on either one or both of the lid member 20 and the support member 10, and the substrate 9 may be directly heated.

なお、本実施形態では加熱装置170を収容室50の上方(蓋部材20の上面)に配置しているが、収容室50の下方(支持部材20の下面)に配置しても良い。また、収容室50の上方と併せて加熱装置170を収容室50の下方に配置することにより、収容室50の双方(蓋部材20の上面及び支持部材20の下面)から加熱することができる。   In the present embodiment, the heating device 170 is disposed above the accommodation chamber 50 (upper surface of the lid member 20), but may be disposed below the accommodation chamber 50 (lower surface of the support member 20). In addition, by arranging the heating device 170 below the storage chamber 50 together with the upper side of the storage chamber 50, it is possible to heat from both the storage chambers 50 (the upper surface of the lid member 20 and the lower surface of the support member 20).

なお、加熱装置170の加熱による収容室50内の乾燥速度を制御し、基板9上に塗布された液状体200の乾燥をより均一にするために、真空/Nライン22から液状体200をバブリングし、液状体200に含まれる溶媒の蒸気を含んだNガス(不活性ガス)を真空/Nライン22を経由して開口部21から収容室50内に流入しながら乾燥を行っても良い。 In addition, in order to control the drying speed in the storage chamber 50 by the heating of the heating device 170 and to make the drying of the liquid 200 applied on the substrate 9 more uniform, the liquid 200 is removed from the vacuum / N 2 line 22. Bubbling is performed, and drying is performed while N 2 gas (inert gas) containing the vapor of the solvent contained in the liquid 200 flows into the storage chamber 50 from the opening 21 via the vacuum / N 2 line 22. Also good.

なお、加熱装置170を用いずに、真空/Nライン22を真空系統に接続した減圧乾燥を行っても良い。また、不活性雰囲気でのベイク(加熱)が必要な場合は、真空/Nライン22の一方をNラインに接続し、真空/Nライン22を経由して開口部21から収容室50内にNを流しながら所望の温度でベイクを行う。 Incidentally, without using the heating device 170 may be dried under reduced pressure of connecting the vacuum / N 2 line 22 to a vacuum system. Also, if the baking (heating) is required in an inert atmosphere, one of the vacuum / N 2 line 22 connected to the N 2 line, accommodating chamber through the opening 21 via vacuum / N 2 line 22 50 Bake at the desired temperature with N 2 flowing in.

次の工程までは、真空/Nラインのバルブ24を閉じて、Nを収容室50内に封入したまま冷却し保管する。なお、不活性ガスの制御が必要でなく水分量の制御だけが必要な場合はドライエアーで収容室50内を封入し保管しても良い。 Until the next process, the valve 24 of the vacuum / N 2 line is closed, and the N 2 is cooled and stored while being enclosed in the accommodation chamber 50. In addition, when it is not necessary to control the inert gas but only to control the water content, the inside of the storage chamber 50 may be sealed and stored with dry air.

次に、正孔注入層9aの上に、正孔輸送層(図示略)、有機発光層(図示略)をこの順に、上述した正孔注入層9aの形成工程と同様の工程を繰り返して行うことで形成する。次に、基板9を収容室50から取り出し、真空ベイク(加熱)炉付きの蒸着装置に搬送する。次に、真空ベイクを行い、続けて有機発光層上に陰極(図示略)を形成する。このようにして、陽極と陰極の間に有機発光層が挟まれた有機EL素子が形成される。なお、陰極に続けて、例えばSiN(窒化シリコン)やSiON(酸窒化シリコン)等の無機物層をCVDを用いて形成することにより封止を行っても良い。また、乾燥剤を含んだ缶ガラス等による缶封止を行っても良い。   Next, on the hole injection layer 9a, a hole transport layer (not shown) and an organic light emitting layer (not shown) are performed in this order by repeating the same process as the hole injection layer 9a described above. By forming. Next, the substrate 9 is taken out from the storage chamber 50 and transferred to a vapor deposition apparatus equipped with a vacuum baking (heating) furnace. Next, vacuum baking is performed, and subsequently a cathode (not shown) is formed on the organic light emitting layer. In this way, an organic EL element in which the organic light emitting layer is sandwiched between the anode and the cathode is formed. Note that sealing may be performed by forming an inorganic layer such as SiN (silicon nitride) or SiON (silicon oxynitride) by using CVD after the cathode. Further, can sealing with a can glass containing a desiccant may be performed.

本実施形態の薄膜形成装置100によれば、支持部材10と蓋部材20とで形成される基板一枚分程度の大きさの収容室50の中を不活性ガス雰囲気にするだけで良く、不活性ガスに置換する容積が大幅に低減される。したがって、収容室50内の不活性ガス雰囲気を維持しやすく、所定の濃度に抑えることが容易となる。その結果、大型基板でも過大な設備投資や費用をかけず、高品質な薄膜9aを形成することができる。   According to the thin film forming apparatus 100 of this embodiment, the inside of the storage chamber 50 that is about the size of one substrate formed by the support member 10 and the lid member 20 only needs to be an inert gas atmosphere. The volume displaced by the active gas is greatly reduced. Therefore, it is easy to maintain the inert gas atmosphere in the storage chamber 50, and it becomes easy to suppress to a predetermined concentration. As a result, it is possible to form a high-quality thin film 9a without excessive capital investment and cost even with a large substrate.

また、この構成によれば、塗布装置110から支持部材10が取り外された後も基板9が支持部材10上に固定し続けられるので、改めて支持部材10上に基板9の位置合わせを行う必要がなくなる。その結果、基板9の位置合わせを行う工程が省かれるので、簡単に効率良く薄膜9aを成形することができる。   Further, according to this configuration, since the substrate 9 continues to be fixed on the support member 10 even after the support member 10 is removed from the coating apparatus 110, it is necessary to align the substrate 9 on the support member 10 again. Disappear. As a result, since the step of aligning the substrate 9 is omitted, the thin film 9a can be easily and efficiently formed.

また、この構成によれば、支持部材10と蓋部材20との一方又は双方を加熱する加熱装置170を備えるので、支持部材10又は蓋部材20からの熱伝導を利用して基板9の加熱が行われる。そのため、ヒータ等の一般的な加熱装置170を用いることができ、新たな設備の追加や、既存の加熱装置からの設計変更などが不要となる。   In addition, according to this configuration, since the heating device 170 that heats one or both of the support member 10 and the lid member 20 is provided, the heating of the substrate 9 can be performed using heat conduction from the support member 10 or the lid member 20. Done. Therefore, a general heating device 170 such as a heater can be used, and it is not necessary to add a new facility or change a design from an existing heating device.

また、この構成によれば、収容室50を不活性ガス雰囲気にした状態で加熱されるので、有機EL素子等の酸素や水分に弱いデバイスを製造する場合にも、好適に利用可能な薄膜形成装置100となる。   In addition, according to this configuration, since the containing chamber 50 is heated in an inert gas atmosphere, the thin film formation that can be suitably used for manufacturing a device that is sensitive to oxygen and moisture such as an organic EL element. The apparatus 100 is obtained.

また、この構成によれば、収容室50に液状体200に含まれる溶媒の蒸気を含んだ不活性ガスが供給されるので、収容室50内の乾燥速度が急激に速くなったりせずにゆっくりと安定して行われる。したがって、収容室50内の乾燥速度が制御され、基板9上に塗布された液状体200の乾燥が均一になるので、ムラなく均一な薄膜9aを形成することができる。   Further, according to this configuration, since the inert gas containing the vapor of the solvent contained in the liquid material 200 is supplied to the storage chamber 50, the drying speed in the storage chamber 50 does not increase rapidly but slowly. And is done stably. Therefore, the drying speed in the storage chamber 50 is controlled, and the drying of the liquid 200 applied on the substrate 9 becomes uniform, so that a uniform thin film 9a can be formed without unevenness.

また、この構成によれば、基板9に熱的なストレスを与えることなく乾燥処理を行うことができる。また、特許文献1〜7に記載された従来の薄膜形成装置では、真空排気する空間が大きいため、真空排気に要する時間が長くなり、生産効率が悪かったが、本発明の薄膜形成装置100では、真空排気する空間の大きさは基板一枚分程度の小さなものなので、真空排気に要する時間は格段に短くなり、真空排気に要する設備も小型のもので良い。   Further, according to this configuration, the drying process can be performed without applying thermal stress to the substrate 9. Moreover, in the conventional thin film forming apparatuses described in Patent Documents 1 to 7, since the space for evacuation is large, the time required for evacuation becomes long and the production efficiency is poor. However, in the thin film forming apparatus 100 of the present invention, Since the space to be evacuated is as small as one substrate, the time required for evacuation is remarkably shortened, and the equipment required for evacuation can be small.

(蓋部材の変形例)
図7は、本発明の蓋部材の他の例の蓋部材30で収容された基板9の収容状態を示した概略構成断面図である。蓋部材30は、基板9の液状体200が塗布される面と対向する側に、収容室50内に不活性ガスを噴出すことで不活性ガス雰囲気にする複数の噴出し口31を備えている。噴出し口31は、Nライン32に接続され、接続部33を介してN封入装置等の不活性ガス供給装置の吸気ライン(図示略)に接続され、収容室50内に不活性ガス雰囲気が作られるようになっている。なお、図7に示される蓋部材30を除いた構成は、上記一実施形態に係る構成と同一となっている。
(Modification of lid member)
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing the accommodation state of the substrate 9 accommodated in the lid member 30 of another example of the lid member of the present invention. The lid member 30 is provided with a plurality of ejection ports 31 on the side of the substrate 9 facing the surface on which the liquid 200 is applied to create an inert gas atmosphere by ejecting an inert gas into the storage chamber 50. Yes. The ejection port 31 is connected to an N 2 line 32, connected to an intake line (not shown) of an inert gas supply device such as an N 2 sealing device via a connection portion 33, and is filled with an inert gas in the accommodation chamber 50. An atmosphere has been created. In addition, the structure except the cover member 30 shown by FIG. 7 is the same as the structure which concerns on the said one Embodiment.

このように、蓋部材30の基板9と対向する面に噴出し口31を備えることにより、不活性ガス供給装置により供給された不活性ガスを収容室50内の基板9に対して吹き付けることで、基板9上に塗布された液状体200を乾燥処理するようになっている。   Thus, by providing the ejection port 31 on the surface of the lid member 30 facing the substrate 9, the inert gas supplied by the inert gas supply device is blown against the substrate 9 in the storage chamber 50. The liquid 200 applied on the substrate 9 is dried.

図8は、図7に示したC−C線に沿った断面構成を示している。蓋部材30は図示左右方向に長手を有する矩形状に形成されている。蓋部材30上には、蓋部材30と重なるように複数のNライン32(破線部)が格子状に形成されている。蓋部材30上の中央で2本のNライン32が交差する位置には、接続部33(破線部)が円形状に形成されている。接続部33は、N封入装置等の不活性ガス供給装置の吸気ライン(図示略)と接続されている。 FIG. 8 shows a cross-sectional configuration along the line CC shown in FIG. The lid member 30 is formed in a rectangular shape having a length in the horizontal direction in the figure. On the lid member 30, a plurality of N 2 lines 32 (broken line portions) are formed in a lattice shape so as to overlap the lid member 30. A connection portion 33 (broken line portion) is formed in a circular shape at a position where the two N 2 lines 32 intersect at the center on the lid member 30. The connecting portion 33 is connected to an intake line (not shown) of an inert gas supply device such as an N 2 sealing device.

蓋部材30上の接続部33が形成されていない複数のNライン32が交差する位置には、複数の円形状の噴出し口31が形成されている。噴出し口31は、接続部33を中心として、回転対称性を有する位置に設けられている。より具体的には、接続部33を中心として180度回転した場合に、噴出し口31の位置が回転前のもとの位置に重なる2回対称に設けられている。 A plurality of circular ejection ports 31 are formed at positions where a plurality of N 2 lines 32 where no connection portion 33 is formed on the lid member 30 intersect. The ejection port 31 is provided at a position having rotational symmetry about the connection portion 33. More specifically, when rotated 180 degrees around the connection portion 33, the position of the ejection port 31 is provided symmetrically twice so as to overlap the original position before the rotation.

また、噴出し口31は、図7に示す支持部材10上に載置された基板9上の全面に亘って噴出される不活性ガスの流量が均一になるように設けられている。より具体的には、接続部33に近い位置に設けられた噴出し口31の径の大きさは、接続部33から遠い位置に設けられた噴出し口31の径の大きさよりも小さくなっている。また、接続部33から遠い位置に設けられるにつれて配置される数が多くなるように形成されている。   Further, the ejection port 31 is provided so that the flow rate of the inert gas ejected over the entire surface of the substrate 9 placed on the support member 10 shown in FIG. 7 is uniform. More specifically, the diameter of the ejection port 31 provided at a position close to the connection portion 33 is smaller than the diameter of the ejection port 31 provided at a position far from the connection portion 33. Yes. Moreover, it forms so that the number arrange | positioned may increase as it is provided in the position far from the connection part 33. FIG.

本変形例によれば、不活性ガスを吹き付けながら液状体200を乾燥処理するので、不活性ガスの流動に伴って溶媒の除去が行われる。そのため、基板9に熱的なストレスを与えることなく乾燥処理を行うことができる。また、収容室50の内部を不活性ガスに置換しつつ乾燥処理を行うことができるので、効率的な処理が可能である。   According to this modification, since the liquid 200 is dried while spraying an inert gas, the solvent is removed along with the flow of the inert gas. Therefore, the drying process can be performed without applying thermal stress to the substrate 9. In addition, since the drying process can be performed while replacing the interior of the storage chamber 50 with an inert gas, an efficient process is possible.

また、本変形例によれば、不活性ガスを基板9に向けて噴出す複数の噴出し口31が設けられるので、一箇所のみから不活性ガスを噴出す場合に比べて、不活性ガスの供給量を収容室全体で均一化することができる。そのため、乾燥ムラの少ない薄膜9aを形成することができる。   Moreover, according to this modification, since the several ejection port 31 which ejects an inert gas toward the board | substrate 9 is provided, compared with the case where an inert gas is ejected from only one place, the inert gas of The supply amount can be made uniform throughout the accommodation chamber. Therefore, the thin film 9a with little drying unevenness can be formed.

また、本変形例によれば、複数の噴出し口31は、吸気ラインの接続部33を中心として回転対称性を有する位置に設けられるので、薄膜の乾燥状態を基板全体で均一化することができ、乾燥ムラのない高品質な薄膜9aを形成することができる。   In addition, according to the present modification, the plurality of ejection openings 31 are provided at positions having rotational symmetry about the connection portion 33 of the intake line, so that the dry state of the thin film can be made uniform over the entire substrate. It is possible to form a high-quality thin film 9a having no drying unevenness.

また、本変形例によれば、液状体200の乾燥速度を基板全体で均一化でき、乾燥ムラのない高品質な薄膜9aを形成することができる。一般に、接続部33に近い噴出し口31からは、接続部33から遠い噴出し口31よりも、勢い良く不活性ガスが噴出される。そのため、接続部33に近い位置と接続部33から遠い位置の噴出し口31の大きさを異ならせることで、収容室50全体で不活性ガスの噴出し量を均一化することができる。   Moreover, according to this modification, the drying speed of the liquid 200 can be made uniform over the entire substrate, and a high-quality thin film 9a without drying unevenness can be formed. In general, the inert gas is ejected from the ejection port 31 close to the connection portion 33 more vigorously than the ejection port 31 far from the connection portion 33. Therefore, the amount of the inert gas ejected can be made uniform in the entire storage chamber 50 by making the sizes of the ejection ports 31 near the connecting portion 33 and far from the connecting portion 33 different.

(薄膜形成装置の変形例) (Modification of thin film forming apparatus)

図9は、本発明の薄膜形成装置の他の方式の薄膜形成装置100Aを示した概略構成斜視図である。薄膜形成装置100Aは、基板9上に塗布された液状体200を乾燥処理する乾燥装置180と、塗布装置110と乾燥装置180との間で支持部材10に支持された基板9を移動させるガイドレール方式の移動装置140と、蓋部材20を支持部材10に固定する蓋部材取付け装置130と、を備えている。移動装置140は、ベース101上において塗布装置110と乾燥装置180との間に設けられた2本のガイドレール143と、ガイドレール143に沿って移動可能に設けられ支持部材10が設置されるスライダー141と、を備えている。なお、図9に示される乾燥装置180、移動装置140及び蓋部材取付け装置130を除いた構成は、上記一実施形態に係る構成と同一となっている。   FIG. 9 is a schematic configuration perspective view showing another type of thin film forming apparatus 100A according to the present invention. The thin film forming apparatus 100A includes a drying device 180 for drying the liquid 200 applied on the substrate 9, and a guide rail for moving the substrate 9 supported by the support member 10 between the coating device 110 and the drying device 180. And a lid member attaching device 130 that fixes the lid member 20 to the support member 10. The moving device 140 includes two guide rails 143 provided between the coating device 110 and the drying device 180 on the base 101, and a slider on which the support member 10 is installed so as to be movable along the guide rails 143. 141. In addition, the structure except the drying apparatus 180 shown in FIG. 9, the moving apparatus 140, and the cover member attachment apparatus 130 is the same as the structure which concerns on the said one Embodiment.

乾燥装置180は、ベース101上に設けられ、支持部材10と蓋部材20が固定され気密に収容されている基板9を所定の温度に加熱し、基板9上に塗布された液状体200を乾燥処理するものである。乾燥装置180には、基板9を加熱するための加熱ヒータ(加熱装置)181が、支持部材10に固定されている基板9を収容する蓋部材20に対して対向する位置に設けられている。   The drying device 180 is provided on the base 101, heats the substrate 9 to which the support member 10 and the lid member 20 are fixed and airtightly stored, to a predetermined temperature, and dries the liquid 200 applied on the substrate 9. It is something to process. In the drying apparatus 180, a heater (heating apparatus) 181 for heating the substrate 9 is provided at a position facing the lid member 20 that houses the substrate 9 fixed to the support member 10.

乾燥装置180は、逆U字状の支持体182を有し、ベース101の前部101bに取り付けられている。加熱ヒータ181は、支持体182に昇降装置183を介して支持されている。昇降装置183は、例えばエアシリンダによって構成されており、加熱ヒータ181をZ軸方向に上下動可能に支持している。加熱ヒータ181は、基板9を収容する蓋部材20の上面に接するように下方に向けて移動される。   The drying device 180 has an inverted U-shaped support body 182 and is attached to the front portion 101 b of the base 101. The heater 181 is supported on the support body 182 via an elevating device 183. The elevating device 183 is constituted by an air cylinder, for example, and supports the heater 181 so as to be movable up and down in the Z-axis direction. The heater 181 is moved downward so as to contact the upper surface of the lid member 20 that accommodates the substrate 9.

なお、乾燥装置180は、収容室50(図3参照)に不活性ガスを供給する不活性ガス装置(図示略)を備えている。この不活性ガス装置は、収容室50を不活性ガス雰囲気にする機能と、液状体200に含まれる溶媒の蒸気を含んだ不活性ガスを供給する機能と、を備えている。また、乾燥装置180は、収容室50の内部を排気する排気手段(図示略)を備えている。この排気手段は、収容室50を真空排気することにより液状体200を乾燥処理する機能を備えている。   The drying device 180 includes an inert gas device (not shown) that supplies an inert gas to the storage chamber 50 (see FIG. 3). This inert gas device has a function of bringing the storage chamber 50 into an inert gas atmosphere and a function of supplying an inert gas containing a solvent vapor contained in the liquid 200. In addition, the drying device 180 includes exhaust means (not shown) that exhausts the inside of the storage chamber 50. The exhaust means has a function of drying the liquid 200 by evacuating the storage chamber 50.

移動装置140は、ベース101上に設けられ、支持部材10に支持された基板9をY軸方向に移動させる。この移動装置140により、塗布装置110で基板9上に液状体200を塗布する工程の後に、蓋部材取付け装置130で基板9を気密に収容する工程に移され、そして基板9を収容した状態で基板9上の液状体200を乾燥装置180で乾燥処理する工程に移される。   The moving device 140 is provided on the base 101 and moves the substrate 9 supported by the support member 10 in the Y-axis direction. After the step of applying the liquid 200 on the substrate 9 by the applying device 110 by the moving device 140, the moving device 140 is transferred to the step of hermetically storing the substrate 9 by the lid member attaching device 130. The liquid 200 on the substrate 9 is transferred to a drying process with the drying device 180.

移動装置140は、例えばリニアモータによって構成されている。このリニアモータ形式の移動装置140のスライダー141は、ガイドレール143に沿ってY軸方向に移動して位置決め可能である。   The moving device 140 is constituted by, for example, a linear motor. The slider 141 of the linear motor type moving device 140 can be positioned by moving in the Y-axis direction along the guide rail 143.

また、スライダー141は、Z軸回り(Θ)用の円柱状のモータ142を備えている。このモータ142は、例えばモータの回転力をギアボックス等の間接的機構を介さずに直接、駆動対象に伝達するダイレクトドライブ方式のものであり、モータ142のロータ(回転側)は支持部材10に固定されている。 The slider 141 includes a columnar motor 142 around the Z-axis (Θ Z ). The motor 142 is of a direct drive type in which, for example, the rotational force of the motor is directly transmitted to a drive target without using an indirect mechanism such as a gear box. The rotor (rotation side) of the motor 142 is connected to the support member 10. It is fixed.

これにより、モータ142に通電することでロータと支持部材10とは、Z軸回りに沿って回転することができる。すなわち、移動装置140は、支持部材10をY軸方向及びZ軸回りに移動可能である。   Thereby, by energizing the motor 142, the rotor and the support member 10 can rotate around the Z axis. That is, the moving device 140 can move the support member 10 in the Y-axis direction and the Z-axis direction.

移動装置140のガイドレール143は、乾燥装置180の加熱ヒータ181の下方まで延びており、支持部材10保持するスライダー141は加熱ヒータ181の下方まで移動可能に設けられている。したがって、スライダー141により基板9を加熱ヒータ181の下方まで移動することにより、加熱ヒータ181は、昇降装置183によって所定の位置に降下され、基板9を収容する蓋部材20(図示略)の上面に真上から接触するようになっている。   The guide rail 143 of the moving device 140 extends below the heater 181 of the drying device 180, and the slider 141 held by the support member 10 is provided so as to be movable below the heater 181. Therefore, by moving the substrate 9 below the heater 181 by the slider 141, the heater 181 is lowered to a predetermined position by the elevating device 183 and is placed on the upper surface of the lid member 20 (not shown) that accommodates the substrate 9. It comes in contact from directly above.

蓋部材取付け装置130は、支持部材10に対して蓋部材20を昇降可能に保持すると共に、蓋部材20を降下させることによって支持部材10に基板9を気密に収容する収容室を形成した状態で蓋部材20を固定する。蓋部材取付け装置130は、ベース101上に設けられ、移動装置140の移動経路上に設けられている。   The lid member attaching device 130 holds the lid member 20 so as to be movable up and down with respect to the support member 10, and lowers the lid member 20 to form an accommodation chamber for accommodating the substrate 9 in the support member 10 in an airtight manner. The lid member 20 is fixed. The lid member attaching device 130 is provided on the base 101 and is provided on the moving path of the moving device 140.

蓋部材取付け装置130は、L字型の支持体133を有し、ベース101の中央部(前部101bと後部101aの間)に取付けられている。蓋部材取付け装置130は、逆U字状のフォーク131と、フォーク接続部132と、を備えている。フォーク131は、フォーク接続部132により支持体133に接続されると共に、上下方向(Z軸方向)に移動可能となっている。また、フォーク接続部132は、支持体133に接続されると共に、X軸方向及びY軸方向に移動可能となっている。これにより、フォーク131は、支持部材10に対して蓋部材20を昇降可能に保持すると共に、蓋部材20を降下させることによって支持部材10に基板9を気密に収容する収容室50を形成した状態で蓋部材20を固定することができる。   The lid member attaching device 130 has an L-shaped support body 133 and is attached to the central portion of the base 101 (between the front portion 101b and the rear portion 101a). The lid member attaching device 130 includes an inverted U-shaped fork 131 and a fork connecting portion 132. The fork 131 is connected to the support body 133 by the fork connecting portion 132 and is movable in the vertical direction (Z-axis direction). Further, the fork connecting portion 132 is connected to the support body 133 and is movable in the X-axis direction and the Y-axis direction. As a result, the fork 131 holds the lid member 20 so as to be movable up and down with respect to the support member 10, and forms a storage chamber 50 that hermetically accommodates the substrate 9 in the support member 10 by lowering the lid member 20. Thus, the lid member 20 can be fixed.

そして、吐出ヘッド111の液状体200の吐出動作や、加熱ヒータ181の昇降動作、吐出ヘッド移動装置117及び移動装置140の移動操作、蓋部材取付け装置130の昇降動作を含む薄膜形成装置100Aの動作は、制御装置(図示略)により制御される。   Then, the operation of the thin film forming apparatus 100 </ b> A including the discharge operation of the liquid 200 of the discharge head 111, the lifting / lowering operation of the heater 181, the moving operation of the discharge head moving device 117 and the moving device 140, and the lifting / lowering operation of the lid member attaching device 130. Is controlled by a control device (not shown).

本変形例によれば、塗布装置110と乾燥装置180との間で、移動装置140と蓋部材取付け装置130とを備えるので、蓋部材20の取り付け工程を自動で行うことができる。そのため、効率の良い薄膜形成が可能となる。   According to this modification, since the moving device 140 and the lid member attaching device 130 are provided between the coating device 110 and the drying device 180, the attaching process of the lid member 20 can be performed automatically. Therefore, an efficient thin film can be formed.

また、本変形例によれば、基板9を支持する支持部材10が塗布装置110と乾燥装置180の間をガイドレール143に沿って移動されるので、塗布工程、蓋部材20の取り付け工程、乾燥工程の全ての工程を自動で行うことができる。そのため、より効率の良い薄膜形成が可能となる。   Moreover, according to this modification, since the supporting member 10 that supports the substrate 9 is moved between the coating device 110 and the drying device 180 along the guide rail 143, the coating step, the lid member 20 mounting step, and the drying are performed. All processes can be performed automatically. Therefore, more efficient thin film formation becomes possible.

なお、本実施形態の薄膜形成装置としては、ガイドレール方式を例に挙げたが、他の方式を用いることもできる。例えば、他の方式としてはマルチ収容室方式(クラスターツール方式)が挙げられる。このクラスターツール方式によれば、塗布装置110と、乾燥装置180と、基板9の洗浄装置とが、収容室50を搬送するロボットアーム(搬送装置)を中心にして円周状に連なるように配置される。したがって、基板9上に薄膜9aを成形するための各種装置が連なっているので、効率良く薄膜9aを成形することができる。また、各種装置の配置の順序は所定の位置に設定することができるので配置の自由度が高く、製造ラインの設計の幅を広げることができる。   In addition, although the guide rail system was mentioned as an example as a thin film formation apparatus of this embodiment, another system can also be used. For example, as another method, a multi-accommodating room method (cluster tool method) can be cited. According to this cluster tool method, the coating device 110, the drying device 180, and the cleaning device for the substrate 9 are arranged so as to be continuous in a circle around the robot arm (transport device) that transports the storage chamber 50. Is done. Therefore, since various apparatuses for forming the thin film 9a on the substrate 9 are connected, the thin film 9a can be efficiently formed. In addition, since the arrangement order of various devices can be set at a predetermined position, the degree of freedom in arrangement is high, and the range of design of the production line can be widened.

本発明の薄膜形成装置の概略構成斜視図である。It is a schematic structure perspective view of the thin film forming apparatus of this invention. 基板の加熱状態を示した概略構成斜視図である。It is the schematic structure perspective view which showed the heating state of the board | substrate. 基板の収容状態を示した概略構成断面図である。It is a schematic structure sectional view showing the accommodation state of a substrate. 支持部材の概略構成断面図である。It is a schematic structure sectional view of a support member. 蓋部材の概略構成断面図である。It is a schematic structure sectional view of a lid member. 薄膜形成装置を用いて有機EL素子の成形工程を示した概略断面図である。It is the schematic sectional drawing which showed the formation process of the organic EL element using the thin film forming apparatus. 蓋部材の変形例の概略構成断面図である。It is schematic structure sectional drawing of the modification of a cover member. 蓋部材の変形例の概略構成断面図である。It is schematic structure sectional drawing of the modification of a cover member. 薄膜形成装置の第1変形例の概略構成斜視図である。It is a schematic structure perspective view of the 1st modification of a thin film forming apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

9…基板、9a…薄膜、10…支持部材、11…真空チャック(固定手段)、13…真空ラインのバルブ、20…蓋部材、24…真空/Nラインのバルブ、31…噴出し口、33…接続部、50…収容室、200…液状体、100,100A…薄膜形成装置、101…ベース、110…塗布装置、130…蓋部材取付け装置、140…移動装置、141…スライダー、143…ガイドレール、170…加熱装置、180…乾燥装置、181…加熱ヒータ(加熱装置) 9 ... substrate, 9a ... film, 10 ... support member, 11 ... vacuum chuck (fixing means), 13 ... vacuum line valve 20 ... cover member, 24 ... vacuum / N 2 line of the valve, 31 ... blowing port, 33 ... Connection part, 50 ... Accommodating chamber, 200 ... Liquid material, 100, 100A ... Thin film forming device, 101 ... Base, 110 ... Coating device, 130 ... Cover member attaching device, 140 ... Moving device, 141 ... Slider, 143 ... Guide rail, 170 ... heating device, 180 ... drying device, 181 ... heater (heating device)

Claims (12)

基板上に液状体を塗布して薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
前記基板を支持する支持部材と、
前記支持部材が着脱可能に設けられ、前記支持部材上に支持された前記基板上に前記液状体を塗布する塗布装置と、
前記支持部材上に着脱可能に設けられ、前記支持部材との間で前記基板を気密に収容する収容室を形成可能な蓋部材と、
前記基板を前記収容室に収容した状態で、前記基板上に塗布された前記液状体を乾燥処理する乾燥装置と、を備えていることを特徴とする薄膜形成装置。
A thin film forming apparatus for forming a thin film by applying a liquid material on a substrate,
A support member for supporting the substrate;
An applicator for applying the liquid material on the substrate, the support member being detachably provided and supported on the support member;
A lid member detachably provided on the support member and capable of forming a storage chamber for hermetically storing the substrate with the support member;
A thin film forming apparatus comprising: a drying device that performs a drying process on the liquid material coated on the substrate in a state where the substrate is accommodated in the accommodation chamber.
前記支持部材は、前記基板を前記支持部材上に固定する固定手段を備え、前記固定手段によって、前記塗布装置から前記支持部材が取り外された後も、前記基板を前記支持部材上に固定し続けることができるように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜形成装置。   The support member includes a fixing unit that fixes the substrate onto the support member, and the fixing unit continues to fix the substrate onto the support member even after the support member is removed from the coating apparatus. The thin film forming apparatus according to claim 1, wherein the thin film forming apparatus is configured to be capable of performing the above. 前記乾燥装置は、前記支持部材と前記蓋部材との一方又は双方を加熱する加熱装置を備え、前記支持部材又は前記蓋部材を介して前記加熱装置で前記基板を加熱することにより、前記液状体を乾燥処理することを特徴とする請求項1又は2に記載の薄膜形成装置。   The drying apparatus includes a heating device that heats one or both of the support member and the lid member, and the liquid material is heated by heating the substrate with the heating device via the support member or the lid member. The thin film forming apparatus according to claim 1, wherein the film is dried. 前記乾燥装置は、前記収容室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給装置を備え、前記不活性ガス供給装置により前記収容室を不活性ガス雰囲気にした状態で前記加熱装置を用いて前記基板を加熱することにより、前記液状体を乾燥処理することを特徴とする請求項3に記載の薄膜形成装置。   The drying apparatus includes an inert gas supply device that supplies an inert gas to the storage chamber, and the substrate is formed using the heating device in a state where the storage chamber is set to an inert gas atmosphere by the inert gas supply device. The thin film forming apparatus according to claim 3, wherein the liquid is dried by heating the liquid. 前記不活性ガス供給装置は、前記収容室に、前記液状体に含まれる溶媒の蒸気を含んだ不活性ガスを供給することを特徴とする請求項4に記載の薄膜形成装置。   The thin film forming apparatus according to claim 4, wherein the inert gas supply device supplies an inert gas containing a vapor of a solvent contained in the liquid material to the storage chamber. 前記乾燥装置は、前記収容室の内部を排気する排気手段を備え、前記排気手段で前記収容室を真空排気することにより、前記液状体を乾燥処理することを特徴とする請求項1又は2に記載の薄膜形成装置。   The said drying apparatus is equipped with the exhaust means which exhausts the inside of the said storage chamber, The said liquid material is dried by evacuating the said storage chamber by the said exhaust means, The said 1 or 2 is characterized by the above-mentioned. The thin film forming apparatus described. 前記乾燥装置は、前記収容室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給装置を備え、前記不活性ガス供給装置により前記基板に対して不活性ガスを吹き付けることで、前記液状体を乾燥処理することを特徴とする請求項1又は2に記載の薄膜形成装置。   The drying apparatus includes an inert gas supply device that supplies an inert gas to the storage chamber, and the liquid material is dried by spraying an inert gas onto the substrate by the inert gas supply device. The thin film forming apparatus according to claim 1 or 2. 前記蓋部材の前記基板と対向する面には、前記不活性ガス供給装置から供給された不活性ガスを前記基板に向けて噴出す複数の噴出し口が設けられていることを特徴とする請求項7に記載の薄膜形成装置。   The surface of the lid member facing the substrate is provided with a plurality of ejection ports for ejecting the inert gas supplied from the inert gas supply device toward the substrate. Item 8. The thin film forming apparatus according to Item 7. 前記複数の噴出し口は、前記不活性ガス供給装置の吸気ラインと接続される接続部を中心として、回転対称性を有する位置に設けられていることを特徴とする請求項8に記載の薄膜形成装置。   9. The thin film according to claim 8, wherein the plurality of ejection ports are provided at positions having rotational symmetry about a connection portion connected to an intake line of the inert gas supply device. Forming equipment. 前記接続部に近い位置に設けられた前記噴出し口の大きさは、前記接続部から遠い位置に設けられた前記噴出し口の大きさよりも小さいことを特徴とする請求項8又は9に記載の薄膜形成装置。   The size of the ejection port provided at a position near the connection portion is smaller than the size of the ejection port provided at a position far from the connection portion. Thin film forming equipment. 前記塗布装置と前記乾燥装置との間で、前記支持部材上に支持された前記基板を移動させる移動装置と、
前記移動装置の移動経路上に設けられ、前記支持部材に対して前記蓋部材を昇降可能に保持すると共に、前記蓋部材を降下させることにより前記支持部材上に前記収容室を形成した状態で前記蓋部材を固定し、前記収容室に前記基板を気密に収容する蓋部材取付け装置と、を備えていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜形成装置。
A moving device for moving the substrate supported on the support member between the coating device and the drying device;
The moving device is provided on a moving path, holds the lid member with respect to the support member so as to be movable up and down, and lowers the lid member to form the storage chamber on the support member. The thin film forming apparatus according to claim 1, further comprising: a lid member attaching device that fixes the lid member and hermetically accommodates the substrate in the accommodation chamber.
前記支持部材と前記塗布装置と前記乾燥装置とが設置されるベースを備え、
前記移動装置は、前記ベース上において前記塗布装置と前記乾燥装置との間に設けられたガイドレールと、前記ガイドレールに沿って移動可能に設けられ前記支持部材が設置されるスライダーと、を備えていることを特徴とする請求項11に記載の薄膜形成装置。
A base on which the support member, the coating device, and the drying device are installed;
The moving device includes a guide rail provided between the coating device and the drying device on the base, and a slider provided movably along the guide rail and provided with the support member. The thin film forming apparatus according to claim 11, wherein:
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