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JP2009164564A - 電子装置およびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】セラミック基板の一面に第１の電子部品、他面に第２の電子部品を搭載するとともに、このセラミック基板の他面に放熱などの機能を有する金属板を取り付け、これらをハーフモールドしてなる電子装置において、モールド工程にて、セラミック基板の一面側から印加されるモールド樹脂による基板への応力を低減する。
【解決手段】セラミック基板１０の一面側に第１の電子部品２０を搭載し、セラミック基板１０の他面に第２の電子部品３０を搭載し、第２の電子部品３０をモールド樹脂８０で封止し、金属板５０は、セラミック基板１０の他面のうち第２の電子部品３０が位置する部位以外の部位に接着剤４０を介して接着した。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板に電子部品を搭載したものをハーフモールドしてなる電子装置およびその製造方法に関し、特に基板の両面に電子部品を搭載し、基板に放熱などの機能を有する金属板を取り付けるようにした電子装置に関する。
一般に、この種の電子装置としては、たとえば、セラミック基板の一面側に第１の電子部品を搭載し、セラミック基板の一面とは反対の他面にヒートシンクなどの金属板を接着し、金属板の接着面とは反対側の面が露出するようにモールド樹脂によってセラミック基板および第１の電子部品を封止してなるものが、提案されている（たとえば、特許文献１、特許文献２、特許文献３等参照）。
特開２００３−７９３３号公報 特開２００６−１４７９１８号公報 特開２００６−２２２４０６号公報
上記したように、従来では、セラミック基板の一面に電子部品を搭載しているが、本発明者は、セラミック基板における金属板に対向する他面側にも電子部品を搭載することを考えた。これにより、基板における部品搭載密度が向上する。そして、このような考えに基づいて試作検討を行った。
図３０は、本発明者の試作品としての電子装置を示す概略断面図である。図３０においては、セラミック基板１０の一面と金属板５０とが、接着剤Ｊ１を介して対向して配置され、互いに接着されている。
また、セラミック基板１０の一面には、第１の電子部品２０が搭載されており、他面には第２の電子部品３０が搭載されている。そして、セラミック基板１０、第１の電子部品２０および金属板５０は、エポキシ樹脂などのモールド樹脂８０で封止されるとともに、金属板５０の接着面すなわちセラミック基板１０とは反対側の面は、モールド樹脂８０から露出している。
ここで、金属板５０の接着面のうち第２の電子部品３０に対向する部位に、凹部５０ａを設けている。そして、この凹部５０ａに、第２の電子部品３０が挿入され凹部５０ａ内では、第２の電子部品３０は接着剤Ｊ１により封止されている。
このセラミック基板１０と金属板５０とを接着する接着剤Ｊ１は、モールド樹脂８０よりもヤング率が小さく軟らかい可撓性を有するもの、たとえばシリコーン樹脂よりなるものである。ここで、この凹部５０ａを設けないと、第２の電子部品３０の分だけ実質的に接着剤Ｊ１が厚くなり、この接着剤Ｊ１を介した熱抵抗の増加、ひいては放熱性の低下が生じる可能性がある。
このような電子装置を製造する場合、一般的な方法と同様に、各電子部品２０、３０をセラミック基板１０に搭載し、これに金属板５０を接着したものを、金型に入れて樹脂注入を行い封止する。このパッケージは、セラミック基板１０を含む大型モールド構造であることから、モールド樹脂の未充填部分が無いように樹脂注入を行うためには、比較的大きな圧力により、樹脂を注入する（たとえば７〜２０ＭＰａ）必要がある。
このモールド工程時には、貼り合わせられた基板１０と金属板５０のうち金属板５０は、上記モールド樹脂８０からの露出面が、金型に押し付けられており、セラミック基板１０には、その一面側から樹脂による圧力すなわち成型圧が加わる。
このとき、上記試作品においては、金属板５０の凹部５０ａに軟らかい接着剤Ｊ１が充填されているため、上記成型圧によって、セラミック基板１０のうち凹部５０ａに対向する部分が当該凹部５０ａに向かって凸となるように、セラミック基板１０が反りやすい。このような基板の反りは、ひいては基板１０の割れにつながるおそれがある。
なお、上記した問題は、基板がセラミック基板の場合だけでなく、プリント基板などの樹脂基板や金属基板においても、同様に発生するものと考えられる。また、基板に金属板を接着せずに、当該基板をハーフモールドする場合にも、基板の一面側から加わる上記成型圧による基板の割れを考慮する必要性は十分にあると考えられる。つまり、上記問題は、基板の両面に電子部品を搭載したものをハーフモールドしてなる電子装置においては、共通の問題とみなされる。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、基板の一面に第１の電子部品、他面に第２の電子部品を搭載するとともに、これらをハーフモールドしてなる電子装置において、モールド工程にて、基板の一面側から印加されるモールド樹脂による基板への応力を低減することを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、基板（１０）と、基板（１０）の一面側に搭載された第１の電子部品（２０）と、基板（１０）の一面とは反対の他面に搭載された第２の電子部品（３０）と、第１の電子部品（２０）とともに基板（１０）の一面を封止するモールド樹脂（８０）とを備え、基板（１０）の他面では、モールド樹脂（８０）により第２の電子部品（３０）が封止されており、基板（１０）の他面のうち第２の電子部品（３０）が位置する部位以外の部位は、モールド樹脂（８０）から露出していることを特徴とする電子装置が提供される。
それによれば、モールド樹脂（８０）で第１及び第２の電子部品（２０、３０）を封止するときに、基板（１０）の他面のうち第２の電子部品（３０）が位置する部位にもモールド樹脂（８０）が注入されるので、モールド樹脂よりも軟らかい接着剤が基板の他面に配置された状態で封止する従来の場合に比べて、基板（１０）の一面側から印加されるモールド樹脂（８０）による基板（１０）への応力が低減される。結果、モールド工程における基板（１０）の割れを防止できる。
ここで、請求項２に記載の発明のように、基板（１０）の他面のうち第２の電子部品（３０）が位置する部位以外の部位に、金属板（５０）を接着剤（４０）を介して接着し、金属板（５０）の接着面とは反対側の面を、モールド樹脂（８０）から露出させるようにすれば、金属板（５０）を介した放熱性が向上する。
また、この請求項２の場合、さらに請求項３に記載の発明のように、基板（１０）の他面側において、モールド樹脂（８０）の外表面が、モールド樹脂（８０）から露出する金属板（５０）の面よりも外方に突出しているものにできる。
さらに、この請求項３においては、請求項４に記載の発明のように、モールド樹脂（８０）のうち、モールド樹脂（８０）から露出する金属板（５０）の面に隣り合う部分が、当該金属板（５０）の面の周辺部を被覆しているものしてもよい。そうすれば、金属板（５０）とモールド樹脂（８０）との界面に加わる応力を低減することができ、金属板（５０）とモールド樹脂（８０）との剥離抑制に好ましい。
さらに、この請求項４においては、請求項５に記載の発明のように、モールド樹脂（８０）から露出する金属板（５０）の面の周辺部のうちモールド樹脂（８０）に被覆されている部位に、モールド樹脂（８０）との剥離を抑制するための凹凸（５２）が形成されているものにすれば、当該部位においてモールド樹脂（８０）の剥離が抑制される。
また、請求項６に記載の発明では、請求項３〜請求項５に記載の電子装置において、基板（１０）の他面において、モールド樹脂（８０）は、当該電子装置の中央部と周辺部とに設けられており、周辺部に位置するモールド樹脂（８０）の部分の方が、中央部に位置するモールド樹脂（８０）の部分よりも電子装置の厚さが大きいことを特徴とする。
それによれば、装置中央部における電子装置の厚さを装置周辺部における電子装置の厚さよりも大きいものとしているので、基板（１０）の反り防止が期待される。
また、請求項７に記載の発明のように、請求項２において、基板（１０）の他面側において、モールド樹脂（８０）の外表面と、モールド樹脂（８０）から露出する金属板（５０）の面とが同一平面にあるようにしてもよい。それによれば、金属板（５０）を外部の放熱部材に接触させやすくできる。
また、請求項８に記載の発明のように、基板（１０）は平面四角形の板であり、基板（１０）の他面に設けられているモールド樹脂（８０）の平面形状は、当該他面の互いに対向する１組の辺の一方から他方へ延びる筋状であるものにできる。
それによれば、基板（１０）の他面側にモールド樹脂（８０）を注入するときに、当該他面の互いに対向する１組の辺の一方から他方へモールド樹脂（８０）を流せるので、注入性の向上が期待できる。
また、請求項９に記載の発明では、セラミック基板（１０）の一面側に第１の電子部品（２０）を搭載し、セラミック基板（１０）の他面に第２の電子部品（３０）を搭載し、第２の電子部品（３０）をモールド樹脂（８０）で封止し、金属板（５０）は、セラミック基板（１０）の他面のうち第２の電子部品（３０）が位置する部位以外の部位に接着剤（４０）を介して接着したことを特徴としている。
それによれば、モールド樹脂（８０）で第１及び第２の電子部品（２０、３０）を封止するときに、セラミック基板（１０）の他面のうち第２の電子部品（３０）が位置する部位にもモールド樹脂（８０）が注入されるので、モールド樹脂よりも軟らかい接着剤がセラミック基板の他面に配置された状態で封止する従来の場合に比べて、セラミック基板（１０）の一面側から印加されるモールド樹脂（８０）による基板（１０）への応力が低減される。結果、モールド工程におけるセラミック基板（１０）の割れを防止できる。
ここで、請求項１０に記載の発明のように、金属板（５０）は、セラミック基板（１０）の他面のうち第２の電子部品（３０）が位置する部位には設けられていないものでもよいし、請求項１１に記載の発明のように、金属板（５０）は、セラミック基板（１０）の他面側にて、第２の電子部品（３０）を封止するモールド樹脂（８０）を介して第２の電子部品（３０）を覆っているものであってもよい。
また、請求項１２に記載の発明のように、セラミック基板（１０）の他面のうち第２の電子部品（３０）が位置する部位は、当該他面における当該部位以外よりも凹んだ凹部（１０ａ）となっており、この凹部（１０ａ）の底部に第２の電子部品（３０）が搭載されているものとしてもよい。
それによれば、セラミック基板（１０）の他面における第２の電子部品（３０）の突出を小さくできるので、セラミック基板（１０）の厚さ方向に沿った電子装置の体格を極力低減できる。
また、請求項１３に記載の発明では、モールド樹脂（８０）による封止を行う前に、セラミック基板（１０）の他面に、第２の電子部品（３０）を搭載するとともに、セラミック基板（１０）の他面のうち第２の電子部品（３０）以外の部位に接着剤（４０）を介して金属板（５０）を接着しておき、モールド樹脂（８０）による封止工程では、第１の電子部品（２０）とともに第２の電子部品（３０）を同時に、モールド樹脂（８０）にて封止することを特徴とする電子装置の製造方法を提供する。
それによれば、モールド樹脂（８０）で第１及び第２の電子部品（２０、３０）を封止するときに、セラミック基板（１０）の一面と他面の両方にモールド樹脂（８０）が注入されるので、モールド樹脂よりも軟らかい接着剤がセラミック基板の他面に配置された状態で封止する従来の場合に比べて、セラミック基板（１０）の一面側から印加されるモールド樹脂（８０）による基板（１０）への応力が低減される。結果、モールド工程におけるセラミック基板（１０）の割れを防止できる。
また、請求項１４に記載の発明では、モールド樹脂（８０）による封止を行う前に、セラミック基板（１０）の他面に、第２の電子部品（３０）を搭載して、モールド樹脂（８０）の封止時の成形温度におけるヤング率が１００ＭＰａ以上である樹脂（８１）により第２の電子部品（３０）を封止するとともに、セラミック基板（１０）の他面のうち第２の電子部品（３０）以外の部位に接着剤（４０）を介して前記金属板（５０）を接着しておき、その後、モールド樹脂（８０）によるセラミック基板（１０）および第１の電子部品（２０）の封止を行うことを特徴とする電子装置の製造方法を提供する。
それによれば、モールド樹脂（８０）で第１の電子部品（２０）を封止するときに、セラミック基板（１０）の他面のうち第２の電子部品（３０）が位置する部位には、モールド樹脂（８０）の封止時の成形温度におけるヤング率が１００ＭＰａ以上である樹脂（８１）が配置されているので、モールド樹脂よりも軟らかい接着剤がセラミック基板の他面に配置された状態で封止する従来の場合に比べて、セラミック基板（１０）の一面側から印加されるモールド樹脂（８０）による基板（１０）への応力が低減される。結果、モールド工程におけるセラミック基板（１０）の割れを防止できる。
また、請求項１５に記載の発明では、モールド樹脂（８０）による封止を行う前に、セラミック基板（１０）の他面に、第２の電子部品（３０）を搭載するとともに、セラミック基板（１０）の他面のうち第２の電子部品（３０）以外の部位に接着剤（４０）を介して金属板（５０）を接着しておき、その後、モールド樹脂（８０）によって、セラミック基板（１０）および第１の電子部品（２０）とともに、第２の電子部品（３０）および金属板（５０）の全体を封止し、次に、モールド樹脂（８０）のうち金属板（５０）の接着面とは反対側の面を封止している部分を、除去することを特徴とする電子装置の製造方法を提供する。
それによれば、セラミック基板（１０）の全体をモールド樹脂（８０）で封止するので、セラミック基板（１０）の一面側から印加されるモールド樹脂（８０）による基板（１０）への応力が低減される。結果、モールド工程におけるセラミック基板（１０）の割れを防止できる。
ここで、上記請求項１３〜請求項１５に記載の製造方法においても、請求項１６に記載の発明のように、セラミック基板（１０）の他面のうち第２の電子部品（３０）が位置する部位を、当該他面における当該部位以外よりも凹んだ凹部（１０ａ）とし、この凹部（１０ａ）の底部に第２の電子部品（３０）を搭載するようにしてもよい。
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子装置１００を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の下方から見たときの概略平面図である。
本実施形態の電子装置１００は、大きくはセラミック基板１０と、セラミック基板１０の一面に搭載された第１の電子部品２０と、セラミック基板１０の他面に搭載された第２の電子部品３０と、セラミック基板１０の他面に接着剤４０を介して接着された金属板５０と、セラミック基板１０とワイヤ６０を介して接続されたリードフレーム７０と、これら各部１０〜７０を封止するモールド樹脂８０とを備えて構成されている。
図１に示されるように、本電子装置１００は、四角形板状をなすモールドパッケージであるが、そのパッケージ寸法は、搭載される電子部品や回路の規模、電子部品の種類にもよるが、たとえば５０×５０×６．６ｍｍ程度である。
セラミック基板１０は、アルミナなどのセラミックよりなる単層もしくは多層の基板であり、図示しない配線を有する配線基板として構成されている。ここでは、セラミック基板１０は平面四角形の板状をなす。そして、セラミック基板１０の一面とは基板１０の一方の板面であり、他面とは他方の板面であることはもちろんである。
このセラミック基板１０は、好ましくは、線膨張係数α１が５〜８ｐｐｍ／℃のアルミナ積層基板であり、そのサイズは４０ｍｍ×４０ｍｍ以下であり、厚みは０．８ｍｍ以上が好ましい。
第１の電子部品２０は、セラミック基板１０の一面（図１（ａ）中の上面）に搭載されており、ＡｌやＡｕなどのボンディングワイヤ、あるいは、はんだ、導電性接着剤などのダイマウント材を介して、セラミック基板１０に電気的に接続されている。この第１の電子部品２０としては、コイル、パワー素子、制御素子、コンデンサ、および振動子等が挙げられる。
一方、第２の電子部品３０は、セラミック基板１０の上記一面とは反対側の他面（図１（ａ）中の下面）に搭載されており、たとえば、制御素子、抵抗体等である。図１では、第２の電子部品３０は、制御素子としてのフリップチップであり、バンプ３１を介してセラミック基板１０に電気的に接続されている。また、ここでは、第２の電子部品３０とセラミック基板１０との間には、エポキシ樹脂などよりなるアンダーフィル３２が充填されている。
また、金属板５０は、セラミック基板１０の他面のうち第２の電子部品３０が位置する部位以外の部位に接着剤４０を介して接着されている。本実施形態では、金属板５０は、上記リードフレーム７０と同じ板材、すなわちリードフレーム素材を加工してなるもので、当該リードフレーム素材のアイランドとして構成されるものである。それゆえ、ここでは、金属板５０の板厚はリードフレーム７０と実質同等である。
この金属板５０およびリードフレーム７０を構成するリードフレーム素材は、放熱性を考慮してＣｕが主に用いられるが、セラミック基板１０との線膨張係数の差が大きいため、線膨張係数を合わせる観点から、Ｆｅ系の材料も用いてよい。
好ましくは、当該リードフレーム素材としては、セラミック基板１０との線膨張係数の整合性、基板端の応力を考慮すると、線膨張係数αが１１以下、且つヤング率Ｅが２００ＧＰａ未満程度の材料が好ましい。さらには、α＜９ＧＰａ以下、Ｅ＜１５０ＧＰａ以下の材料が好ましい。
また、このリードフレーム素材には、溶接性を考慮し、電解ニッケルメッキ、Ｓｎメッキ、Ａｕメッキ等、ＰＰＦ（Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ）などのメッキが施されていてもよい。さらに、モールド樹脂８０の剥離を防止するべく、素材表面を粗化処理したものであってもよい。
また、金属板５０は、セラミック基板１０の一面に位置する第１の電子部品２０のうちパワー素子などの発熱素子に対応する位置に設けられている。なお、このような発熱素子は、Ａｇペーストを介してセラミック基板１０の一面に接続されるが、その熱を確実に伝達するため、当該Ａｇペーストの熱伝導率は４Ｗ／ｍ・Ｋ以上が好ましい。
また、本実施形態では、セラミック基板１０の他面のうち金属板５０が位置する部位には、抵抗体９０が設けられ、この抵抗体９０を覆うように接着剤４０を介して金属板５０が設けられている。
この金属板５０を接着する接着剤４０としては、特に限定されないが、たとえばシリコーン樹脂を主成分とする接着剤が挙げられ、セラミック基板１０上の熱を伝達するため、４ｗ／ｍ・Ｋ以上のものが好ましい。また、接着剤４０は上記抵抗体９０を封止しているが、望ましくは、この抵抗体９０を保護するため、ヤング率Ｅ１が８ＧＰａ未満であることが好ましい。
また、上記ワイヤ６０は、ＡｕやＡｌよりなるボンディングワイヤであり、通常のワイヤボンディングにより形成されるものである。また、モールド樹脂８０は、この種の電子装置の分野で一般的に用いられるエポキシ樹脂などよりなるモールド材料であり、トランスファーモールド法により形成されるものである。
このモールド樹脂８０としては、各部材とセラミック基板１０との熱膨張係数αを合わせるため、当該αが８〜１４程度の樹脂が用いられることが多い。また、セラミック基板１０の他面におけるモールド樹脂８０の充填性を考慮し、長いゲルタイムを有し、低粘度な樹脂であることが必要である。また高温での使用を考えると、モールド樹脂８０のガラス転移点Ｔｇは高いほうが良い。
モールド樹脂８０の好ましい条件の一例を述べる。Ｃｕよりなる金属板５０およびリードフレーム７０を用いる場合には、モールド樹脂８０は、線膨張係数α１＜１７、ヤング率Ｅ１＜２０ＧＰａ、最低溶融粘度＜３０Ｐａ・ｓ（１７５℃）、ゲルタイム＞２０秒、スパイラルフロー＞８０ｃｍの物性が好ましい。また、モールド樹脂８０は、Ｔｇ＜１５０℃が好ましく、Ｔｇ＜１７５℃がより好ましい。さらには、１０＜α１＜１４、Ｅ１＜１７ＧＰａ、最低溶融粘度：２０（Ｐａ・ｓ）以下、が好ましい。さらには、モールド樹脂８０は、ゲルタイム＜２５秒、スパイラルフロー：１００ｃｍが好ましい。
ここで、リードフレーム７０の一部は、アウターリードとしてモールド樹脂８０から突出しており、このアウターリードにより、本電子装置１００と外部との電気的な接続がなされるようになっている。
また、本電子装置１００においては、セラミック基板１０の他面にて、第２の電子部品３０はモールド樹脂８０により封止されているが、金属板５０の接着面とは反対側の面はモールド樹脂８０から露出している。ここでは、図１（ａ）に示されるように、第２の電子部品３０を封止するモールド樹脂８０は、金属板５０のモールド樹脂８０からの露出面よりも外方（図１（ａ）中の下方）に突出している。
また、ここでは、図１（ｂ）に示されるように、金属板５０は、セラミック基板１０の他面のうち第２の電子部品３０が位置する部位には設けられておらず、第２の電子部品３０を避けた位置、すなわち、セラミック基板１０の他面のうち第２の電子装置３０の外側の部位に設けられている。
図１（ｂ）に示される例では、金属板５０は、４個に分割されたものよりなり、各金属板５０は第２の電子部品３０の周りに配置されている。それにより、第２の電子部品３０を封止するモールド樹脂８０は、第２の電子部品３０上において金属板５０から露出している。
次に、本実施形態の電子装置１００の製造方法について、図２を参照して述べる。図２は、本製造方法を示す工程図であり、各工程におけるワークを断面的に示す図である。
まず、図２（ａ）に示されるように、セラミック基板１０の一面、他面に、それぞれ第１の電子部品２０、第２の電子部品３０を搭載し、必要に応じてワイヤボンディングなどを行う。また、ワイヤボンディングによってセラミック基板１０とリードフレーム７０との間をワイヤ６０で接続する。
次に、図２（ｂ）に示されるように、セラミック基板１０の他面のうち第２の電子部品３０以外の部位に、接着剤４０を介して金属板５０を接着する。次に、図２（ｃ）に示されるように、このものをモールド樹脂６０で封止する。
このモールド工程は、図２（ｂ）に示されるワークを、図示しない金型に設置し、その金型にモールド樹脂８０を注入することにより行う。ここで、金属板５０の接着面とは反対側の面は、当該金型に密着させ、モールド樹脂８０で封止されないようにする。
このモールド工程では、セラミック基板１０および第１の電子部品２０とともに第２の電子部品３０を同時に、モールド樹脂８０にて封止する。具体的には、上記金型に注入されたモールド樹脂８０は、セラミック基板１０の一面側および他面側を流れるため、両電子部品２０および３０が同時にモールドされる（図２（ｃ）参照）。こうして、封止が完了し、上記図１に示される本実施形態の電子装置１００ができあがる。
ところで、本実施形態によれば、セラミック基板１０の一面に第１の電子部品２０、他面に第２の電子部品３０が搭載されており、これら第１の電子部品２０および第２の電子部品３０は、ともにモールド樹脂８０で封止されている。
そして、モールド工程では、モールド樹脂８０により第１及び第２の電子部品２０、３０を同時に封止するようにしているため、セラミック基板１０の一面と他面の両方にモールド樹脂８０が注入される。
そのため、モールド樹脂よりも軟らかい接着剤がセラミック基板の他面に配置された状態で封止する従来の場合に比べて、セラミック基板１０の一面側から印加されるモールド樹脂８０による基板１０への応力が低減される。その結果、モールド工程におけるセラミック基板１０の割れを防止できる。
また、本実施形態では、金属板５０は、セラミック基板１０の他面のうち第２の電子部品３０が位置する部位以外の部位に接着剤４０を介して接着されており、それとともに当該金属板５０の接着面とは反対側の面がモールド樹脂８０から露出しているので、金属板５０による放熱機能などは適切に確保される。
図３は、本実施形態の電子装置１００を筐体２００に搭載した例を示す概略断面図である。筐体２００としては、金属製の容器や板状のものなどが挙げられるが、電子装置１００は、金属板５０のモールド樹脂８０からの露出面にて、はんだや導電性接着剤などの熱伝導性に優れた接合部材２０１を介して、筐体２００に接合される。
また、この接合部材２０１の部分での接触性を向上させるために、電子装置１００と筐体２００とを、溶接したり、バネ性の部材で押しつけたり、ネジ止めしたりするなどしてもよい。
また、図４は、本実施形態の電子装置１００を筐体２００に搭載したもう１つの例を示す概略断面図である。接合部材２０１として熱伝導性に優れたゲルなどを用いた場合には、この接合部材２０１を封止するＯリングなどの封止部材２０２を設けてもよい。この場合、電子装置１００と筐体２００との間に、接合部材２０１を設け且つその周囲に封止部材２０２を設けた状態で、筐体２００上に電子装置１００を搭載すればよい。
また、図５は、本実施形態の電子装置１００の別の例を示す概略断面図である。上記図１に示される例では、金属板５０とリードフレーム７０とが同一の板材を素材として形成されたものであり、その厚さも同等であったが、この図５に示される例のように、金属板５０は、たとえばヒートシンクなどのリードフレーム７０とは別の板材を素材とするものであってリードフレーム７０より厚いものでもよい。
また、図６（ａ）は、本実施形態の電子装置１００のさらなる別の例を示す概略断面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）の電子装置１００における金属板５０の接着面を示す概略平面図である。
上記図１に示される例では、金属板５０は、セラミック基板１０の他面のうち第２の電子部品３０を回避した部位に設けられていたが、この図６に示される例では、金属板５０は、セラミック基板１０の他面側にて、モールド樹脂８０を介して第２の電子部品３０を覆っている。
この場合、第２の電子部品３０の高さを確保するべく、金属板５０のうち第２の電子部品３０を覆う面には、溝５１が設けられている。また、この溝５１は、モールド工程において、第２の電子部品３０をモールド樹脂８０で封止するべく金属板５０の一端から他端まで貫通している。それにより、モールド工程では、上記金型に注入されたモールド樹脂８０が、溝５１内を流れ、第２の電子部品３０を封止するようになっている。
（第２実施形態）
図７は、本発明の第２実施形態に係る電子装置の製造方法を示す工程図であり、各工程におけるワークを断面的に示す図である。本製造方法は、最終的に図７（ｃ）に示される電子装置を製造するものであるが、上記第１実施形態の製造方法との相違点を中心に述べることとする。
まず、図７（ａ）に示されるように、セラミック基板１０の一面、他面に、それぞれ第１の電子部品２０、第２の電子部品３０を搭載し、セラミック基板１０とリードフレーム７０との間をワイヤ６０で接続する。
次に、本実施形態では、図７（ｂ）に示されるように、セラミック基板１０の他面にて、第２の電子部品用封止樹脂８１により、第２の電子部品３０を封止する。この第２の電子部品用封止樹脂８１は、モールド樹脂８０の封止時の成形温度におけるヤング率が１００ＭＰａ以上である。これは、金属板とセラミック基板とを接着する従来のシリコーン樹脂などよりなる接着剤よりも、硬いものである。
このような第２の電子部品用封止樹脂８１は、モールド樹脂８０と同じ樹脂でも異なる樹脂でもよいが、好ましくはモールド樹脂８０と同等かそれ以上の硬さのものがよく、たとえばエポキシ樹脂などが挙げられる。
ここで、モールド樹脂８０の封止時の成形温度とは、モールド工程にて上記金型に注入される溶融したモールド樹脂８０の温度である。たとえば、一般的なエポキシ樹脂よりなるモールド樹脂８０においては、その成形温度は、１７５℃である。
また、本実施形態では、図７（ｂ）に示されるように、第２の電子部品用封止樹脂８１による封止を行うとともに、セラミック基板１０の他面のうち第２の電子部品３０以外の部位に接着剤４０を介して金属板５０を接着する。次に、このものをモールド樹脂６０で封止する。
このモールド工程は、図７（ｂ）に示されるワークを、図示しない金型に設置し、その金型にモールド樹脂８０を注入することにより行う。ここでも、金属板５０の接着面とは反対側の面、および、第２の電子部品用封止樹脂８１は、当該金型に密着させ、モールド樹脂８０で封止されないようにする。
そして、モールド工程では、図７（ｃ）に示されるように、セラミック基板１０および第１の電子部品２０をモールド樹脂８０にて封止する。こうして、封止が完了し、図７（ｃ）に示される本実施形態の電子装置ができあがる。
ところで、本実施形態によれば、モールド樹脂８０による封止を行う前に、セラミック基板１０の他面に、第２の電子部品３０を搭載して、第２の電子部品用封止樹脂８１により第２の電子部品３０を封止するようにしている。
そのため、モールド樹脂８０で第１の電子部品２０を封止するときには、セラミック基板１０の他面のうち第２の電子部品３０が位置する部位に、上記した従来の接着剤よりも硬い第２の電子部品用封止樹脂８１が存在し、この樹脂８１によってセラミック基板１０が支持されている。このことから、セラミック基板１０の一面側から印加されるモールド樹脂８０による基板１０への応力が低減され、その結果、モールド工程におけるセラミック基板１０の割れを防止できる。
また、本実施形態においても、金属板５０は、セラミック基板１０の他面のうち第２の電子部品３０が位置する部位以外の部位に接着剤４０を介して接着されており、それとともに当該金属板５０の接着面とは反対側の面がモールド樹脂８０から露出しているので、金属板５０による放熱機能などは適切に確保される。
（第３実施形態）
図８は、本発明の第３実施形態に係る電子装置の製造方法を示す工程図であり、各工程におけるワークを断面的に示す図である。本製造方法は、最終的に図８（ｂ）に示される電子装置を製造するものであるが、上記第１実施形態の製造方法との相違点を中心に述べることとする。
まず、セラミック基板１０の一面、他面に、それぞれ第１の電子部品２０、第２の電子部品３０を搭載し、セラミック基板１０とリードフレーム７０との間をワイヤ６０で接続する。また、セラミック基板１０の他面のうち第２の電子部品３０以外の部位に接着剤４０を介して金属板５０を接着する。
次に、本実施形態では、このものを、図８（ａ）に示されるようにモールド樹脂８０により封止する。このモールド工程では、トランスファーモールド法などにより、セラミック基板１０および第１の電子部品２０とともに、第２の電子部品３０および金属板５０の全体を、モールド樹脂８０によって封止する。
その後、図８（ｂ）に示されるように、モールド樹脂８０のうち金属板５０の接着面とは反対側の面を封止する部分を、切削や研削、あるいはサンドブラストなどにより除去する。それにより、金属板５０の接着面とは反対側の面がモールド樹脂８０から露出し、図８（ｂ）に示される本実施形態の電子装置ができあがる。
ところで、本実施形態によれば、モールド工程にて、セラミック基板１０の全体をモールド樹脂８０で封止するので、セラミック基板１０の一面および他面の両方にモールド樹脂８０が注入され、セラミック基板１０の一面側から印加されるモールド樹脂８０による基板１０への応力が低減される。その結果、モールド工程におけるセラミック基板１０の割れを防止できる。
（第４実施形態）
図９は、本発明の第４実施形態に係る電子装置１１０を示す概略断面図であり、図１０は、図９に示される電子装置１１０における第２の電子部品３０の近傍部を拡大して示す図である。本実施形態の電子装置１１０は、上記第１実施形態に示される電子装置の一部を変形したものであり、ここでは、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。
図９に示されるように、本実施形態の電子装置１１０では、セラミック基板１０の他面のうち第２の電子部品３０が位置する部位は、当該他面における当該部位以外よりも凹んだ凹部１０ａとなっている。そして、この凹部１０ａの底部に第２の電子部品３０が搭載されている。
また、本電子装置１１０においても、第２の電子部品３０は、モールド樹脂８０にて封止されているが、この第２の電子部品３０を封止する樹脂としては、モールド樹脂８０に代えて上記した第２の電子部品用封止樹脂８１であってもよい。
本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様の作用効果を奏するとともに、セラミック基板１０の他面における第２の電子部品３０の突出を小さくできるので、セラミック基板１０の厚さ方向に沿った電子装置１１０の体格を極力低減できる。
上記第１実施形態の電子装置（上記図１参照）では、第２の電子部品３０を封止するモールド樹脂８０は、金属板５０のモールド樹脂８０からの露出面よりも外方に突出している。それに対して、本実施形態では、この突出度合を低減するだけでなく、金属板５０の露出面よりも、第２の電子部品３０を引っ込ませることにより、第２の電子部品３０を封止するモールド樹脂８０と金属板５０の露出面とを実質的に同一平面に位置させた構成としている。
また、本実施形態では、図９、図１０に示されるように、セラミック基板１０は、複数のセラミック層１１〜１４が積層されてなる多層セラミック基板である。ここでは、４層のセラミック層１１〜１４であるが、本実施形態では、セラミック基板１０の他面を構成する１層のセラミック層１１に穴を開けることにより、凹部１０ａを構成している。
また、図１０には、各部の寸法ｔ１〜ｔ６が示されているが、これら各寸法の一例を示しておく。本例のセラミック基板１０の厚さｔ１は、厚さ０．２ｍｍのセラミック層１１〜１４を４層積層したものであって０．８ｍｍである。しかるに凹部１０ａの深さｔ２は０．２ｍｍである。接着剤４０の厚さｔ３は０．１５ｍｍ、金属板５０の厚さｔ４は０．２５ｍｍである。また、第２の電子部品３０の厚さｔ５は０．４ｍｍ、バンプ３１の高さｔ６は０．０８ｍｍである。
次に、上記図９に示される本実施形態の電子装置１１０の製造方法について、図１１、図１２を参照して述べる。図１１、図１２は、本電子装置１１０における凹部１０ａを有するセラミック基板１０の製造工程の一例を、順次示す工程図である。
図１１（ａ）に示されるように、アルミナなどよりなるグリーンシートとしてのセラミック層１１〜１４を用意し、各セラミック層１１〜１４に対して、パンチングなどの穴あけ加工によって、ビアホール用の孔１０ｂ、および、上記した凹部１０ａとなる孔を形成する。
次に、図１１（ｂ）に示されるように、ビアホール用の孔１０ｂに、たとえばモリブデンとアルミナを混合してなる導電ペースト１０ｃを充填し、乾燥する。次に、図１１（ｃ）に示されるように、各セラミック層１１〜１４の表面において必要な部分に、タングステンなどよりなる導電ペースト１０ｄを印刷し、乾燥する。
その後、図１２（ａ）に示されるように、凹部１０ａを有するセラミック層１１以外のセラミック層１２〜１４を積層し、金型Ｋ１で挟み込んで一体化する。続いて、図１２（ｂ）、（ｃ）に示されるように、凹部１０ａを有するセラミック層１１も積層し、一体化する。
このとき、金型Ｋ２の下型は、平らでもよいし、図１２（ｂ）に示されるように、より均一に圧力をかけるために凹部１０ａに合わせた形状のものであってもよい。その後、これらセラミック層１１〜１４の積層体を、たとえば１６００℃の還元雰囲気で焼成する。なお、この焼成により、積層体は、１８％程度全体的に収縮する。
その後は、図示しないが、セラミック基板１０における表層導体部に、ＣｕやＡｕの無電解メッキを施したり、セラミック基板１０の他面に上記抵抗体９０を、印刷・焼成により形成し、当該抵抗体９０を保護ガラスや保護樹脂で被覆するなどの工程を行うことによって、凹部１０ａを有するセラミック基板１０ができあがる。
そして、このセラミック基板１０の他面の凹部１０ａに、はんだよりなるバンプ３１を介して第２の電子部品３０を搭載し、第２の電子部品３０とセラミック基板１０との間にアンダーフィル３２を充填する。
次に、金属板５０をシリコーンゴムなどよりなる接着剤４０を介して、セラミック基板１０の他面に接着し、また、セラミック基板１０の一面に第１の電子部品２０を搭載する。そして、上記図９に示されるように、セラミック基板１０とリードフレーム７０との間でワイヤボンディングを行い、当該間をワイヤ６０によって接続する。
その後は、上記第１実施形態と同様に、モールド工程を行い、セラミック基板１０および第１の電子部品２０とともに第２の電子部品３０を同時に、モールド樹脂８０にて封止する。こうして、封止が完了し、上記図９に示される本実施形態の電子装置１１０ができあがる。
なお、本実施形態のモールド工程は、上記第３実施形態と同様の手順で行ってもよい。この場合、凹部１０ａを有するセラミック基板１０を用いること以外は、同様の方法で行えばよい。
また、上述したが、本電子装置１１０において第２の電子部品３０を封止する樹脂は、上記した第２の電子部品用封止樹脂８１であってもよいので、本実施形態の電子装置１１０は、上記第２実施形態に示した製造方法によって製造することも可能である。つまり、本実施形態は、上記した各実施形態と組み合わせて適用が可能である。
また、本実施形態において、上記図９に示される例では、多層セラミック基板１０を用いて凹部１０ａを形成したが、可能ならば、セラミック基板１０は単層のものであってもよい。
（第５実施形態）
図１３は、本発明の第５実施形態に係る電子装置の種々の例を示す概略断面図であり、（ａ）は本実施形態の第１の例、（ｂ）は第２の例、（ｃ）は第３の例である。
上記第４実施形態では、上記図１０に示したように、セラミック基板１０の他面の凹部１０ａを、セラミック基板１０の他面を構成する１層のセラミック層１１に穴を開けることにより構成している。それに対して、図１３（ａ）に示されるように、２層のセラミック層１１、１２に穴を開けて凹部１０ａを構成してもよいし、図１３（ｂ）に示されるように、３層のセラミック層１１〜１３に穴を開けて凹部１０ａを構成してもよい。
また、図１３（ｃ）に示されるように、凹部１０ａに第２の電子部品３０を搭載した構成においても、上記図６と同様に、金属板５０がモールド樹脂８０を介して第２の電子部品３０を覆うようにしてもよい。
ここにおいて、第２の電子部品３０を封止する樹脂としては、モールド樹脂８０に代えて上記した第２の電子部品用封止樹脂８１でもよいし、あるいは、アンダーフィル３２であってもよい。そして、このようにした場合には、第２の電子部品３０をこれら第２の電子部品用封止樹脂８１やアンダーフィル３２で封止した後、金属板５０を接着するようにしてもよい。
（第６実施形態）
図１４は、本発明の第６実施形態に係る電子装置の種々の例を示す概略断面図であり、（ａ）は本実施形態の第１の例、（ｂ）は第２の例、（ｃ）は第３の例である。
上記第４および第５実施形態では、セラミック基板１０の他面の凹部１０ａに搭載される第２の電子部品３０を、フリップチップとしたが、第２の電子部品３０としては、本実施形態のように金などのワイヤ３３により実装される半導体素子であってもよい。
また、凹部１０ａの側面としては、垂直なものでなくてもよく、図１４（ｂ）のようなテーパ状のもの、あるいは、図１４（ｃ）のような段差を有するものであってもよい。このような凹部１０ａの形状の変更は、上記したパンチングなどによる穴あけ加工により容易に行える。
（第７実施形態）
図１５、図１６、図１７は、それぞれ、本発明の第７実施形態に係る電子装置の第１の例を示す概略断面図、第２の例を示す概略断面図、第３の例を示す概略断面図である。上記各実施形態では、セラミック基板１０の他面に搭載される第２の電子部品３０は１個であったが、複数個であってもかまわない。
図１５〜図１７では、凹部１０ａに第２の電子部品３０を搭載する例を示しており、これら図１５〜図１７では、第２の電子部品３０を封止するモールド樹脂８０あるいは第２の電子部品用封止樹脂８１は、省略してある。また、ここでは、第２の電子部品３０としては、フリップチップとコンデンサを示している。
図１５に示されるように、１個の凹部１０ａに複数個の第２の電子部品３０が搭載されていてもよい。また、図１６に示されるように、複数個の第２の電子部品３０の１個について１個の凹部１０ａを設けてもよい。さらには、図１７に示されるように、複数個の凹部１０ａはそれぞれ深さが異なっていてもよい。
（第８実施形態）
図１８は、本発明の第８実施形態に係る電子装置を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の下方から見たときの概略平面図である。本実施形態では、上記第１実施形態の電子装置１００（上記図１参照）との相違点を中心に述べる。
本実施形態の電子装置は、大きくはセラミック基板１０と、セラミック基板１０の一面に搭載された第１の電子部品２０と、セラミック基板１０の他面に搭載された第２の電子部品３０と、セラミック基板１０とワイヤ６０を介して接続されたリードフレーム７０と、これら各部１０〜７０を封止するモールド樹脂８０とを備えて構成されている。
つまり、本実施形態の電子装置は、上記第１実施形態の金属板を省略した構成のものであり、セラミック基板１０の他面のうち第２の電子部品３０が位置する部位以外の部位は、モールド樹脂８０から露出している。ここで、セラミック基板１０の他面がモールド樹脂８０から露出する部分では、モールド樹脂８０は設けられておらず、開口部８０ａとされている。
次に、本実施形態の電子装置の製造方法について、述べる。本製造方法は、上記第１実施形態と同様に、まず、セラミック基板１０の一面、他面に、それぞれ第１の電子部品２０、第２の電子部品３０を搭載し、ワイヤボンディングによってセラミック基板１０とリードフレーム７０との間をワイヤ６０で接続する。
次に、このものを図示しない金型に設置し、モールド樹脂８０で封止する。ここで、セラミック基板１０の他面のうち第２の電子部品３０が位置する部位以外の部位を、当該金型に密着させ、モールド樹脂８０で封止されないようにする。
このモールド工程では、上記第１実施形態と同様に、セラミック基板１０および第１の電子部品２０とともに第２の電子部品３０を同時に、モールド樹脂８０にて封止する。それにより、本実施形態においても、上記金型に注入されたモールド樹脂８０は、セラミック基板１０の一面側および他面側を流れるため、両電子部品２０および３０が同時にモールドされる。こうして、モールド樹脂８０による封止が完了し、本実施形態の電子装置ができあがる。
ところで、本実施形態によっても、セラミック基板１０の一面に第１の電子部品２０、他面に第２の電子部品３０が搭載されており、これら第１の電子部品２０および第２の電子部品３０は、ともにモールド樹脂８０で封止されている。そして、モールド工程では、セラミック基板１０の一面と他面の両方にモールド樹脂８０が注入される。
そのため、本実施形態によっても、モールド工程において、セラミック基板１０の一面側から印加されるモールド樹脂８０による基板１０への応力が低減される。その結果、モールド工程におけるセラミック基板１０の割れを防止できる。
なお、本実施形態の電子装置および上記第１実施形態の電子装置においては、基板１０は、セラミック基板に限定されるものではなく、たとえば基板本体が樹脂よりなるプリント基板や金属基板などであってもよい。
図１９は、本実施形態の電子装置の他の例を示す概略断面図である。本例では、基板１０をプリント基板により構成している。そして、基板１０の他面のうち第２の電子部品３０が位置する部位以外の部位は、モールド樹脂８０の開口部８０ａから露出しているが、当該部位にサーマルビア１５を設けている。
このサーマルビア１５は、基板１０の一面と他面とを貫通する穴を設け、この穴にＣｕなどの金属をペーストの印刷やめっきなどにより充填したものであり、基板１５の放熱を行うためのものである。本例では、サーマルビア１５がモールド樹脂８０から露出するため、サーマルビア１５を介した基板１０の放熱性能が向上する。
図２０は、本実施形態の電子装置のもう一つの他の例を示す概略断面図であり、（ａ）は第２の電子部品３０をワイヤボンディング接続した例を示し、（ｂ）はテープ接続した例を示す。本実施形態における第２の電子部品３０としては、金やアルミなどのワイヤ３３を用いて接続を行ってもよいし、フレキシブルプリント基板やリボン状の配線などのテープ部材３４を用いて接続を行ってもよい。
なお、本実施形態の電子装置は、上記第1実施形態の電子装置において金属板を設けないものであり、本実施形態の電子装置の製造にあたっては、上記第２実施形態または上記第３実施形態と同様の手順で製造してもよい。また、本実施形態では、上記第４実施形態などに示した凹部１０ａを有するセラミック基板１０を用いてもよいし、これら以外の上記実施形態と適宜組み合わせて適用してもよい。
また、本実施形態において、モールド樹脂８０から露出する基板１０の他面のうち第２の電子部品３０が位置する部位以外の部位に、金属板５０を、接着剤４０を介して接着し、金属板５０の接着面とは反対側の面を、モールド樹脂８０から露出させれば、上記第１実施形態の電子装置と同じ構成のものとなる。
（第９実施形態）
図２１は、本発明の第９実施形態にかかる電子装置の概略断面図であり、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ本実施形態の第１の例、第２の例、第３の例を示す。これらの例は、上記第１実施形態〜第７実施形態に示した各電子装置に対して、さらに金属板５０のモールド樹脂８０からの露出面に、各種の部品３５〜３９を追加して取り付けたものである。
図２１（ａ）では、金属板５０のモールド樹脂８０からの露出面に、圧力センサや角速度センサ、温度センサなどのセンサ素子３５や受動素子３６を搭載したものである。その搭載方法としては接着などが挙げられる。そして、ここでは、これら部品３５、３６を、接着などにより取り付けられたガラス板などの保護板３７で封止している。この例では、電子装置はセンサアッシーなどとして適用して好ましい。
図２１（ｂ）では、金属板５０のモールド樹脂８０からの露出面に、アルミや銅などよりなる放熱フィン３８を取り付け、放熱性の向上を図っている。この放熱フィン３８は、金属板５０に対して図示しない放熱グリスなどを介して接触している。
図２１（ｃ）では、電子装置における基板１０の一面側と他面側の両方にてモールド樹脂８０の外表面に、放熱ブロック３９を取り付けている。この放熱ブロック３９はアルミや銅などよりなり、接着や締結などにより固定される。そして、この場合、両放熱ブロック３９の対向する平坦な内面の間に電子装置が挟まれて支持されることで、電子装置の反りが防止される。
また、金属板５０側の放熱ブロック３９は、金属板５０とは熱的に接続され、放熱性の向上が図られている。ここでは、当該熱的接続は、金属板５０と放熱ブロック３９との間に介在固定されたバネ部材３９ａにより行われているが、バネ部材３９ａに代えて、放熱性を有するシリコーンゲルなどのゲル等を介在させてもよい。
なお、本実施形態の電子装置についても、上記各実施形態の製造方法や構成を適宜組み合わせてもよいことはもちろんである。
（第１０実施形態）
本発明の第１０実施形態では、基板１０の他面における第２の電子部品３０の配置形態の種々の例を示す。
図２２は、本第１０実施形態に係る電子装置の第１の例を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の下方から見たときの概略平面図である。また、図２３は、本第１０実施形態に係る電子装置の第２の例を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の下方から見たときの概略平面図である。
図２２に示される本実施形態の第１の例では、基板１０の他面の中央部に第２の電子部品３０が配置されており、基板１０の他面の周辺部に金属板５０が接着され、この金属板５０がモールド樹脂８０から露出している。
また、図２３に示される本実施形態の第２の例では、基板１０の他面の周辺部に第２の電子部品３０が配置されており、基板１０の他面の中央部に金属板５０が接着され、この金属板５０がモールド樹脂８０から露出している。
さらに、本実施形態の両例では、図２２、図２３に示されるように、基板１０の他面側において、モールド樹脂８０の外表面と、モールド樹脂８０から露出する金属板５０の面とが同一平面にある。この場合、モールド樹脂８０の外表面が、当該金属板５０の面よりも突出している場合（たとえば上記図１等参照）に比べて、外部の放熱部材と当該金属板５０の面との接触が容易となるという利点がある。
（第１１実施形態）
本発明の第１１実施形態では、基板１０の他面においてモールド樹脂８０から露出する金属板５０の面に対する、種々の放熱形態を示す。当該金属板５０の面を放熱する場合には、放熱部材としての固体との熱交換で放熱する固体放熱や、気体との熱交換で放熱する気体放熱や、液体との熱交換で放熱する液体放熱の各形態が可能である。
図２４は、本第１１実施形態に係る電子装置の第１の例を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の下方から見たときの概略平面図である。また、図２５は、本第１１実施形態に係る電子装置の第２の例を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の下方から見たときの概略平面図である。
図２４に示される本実施形態の第１の例では、基板１０の他面においてモールド樹脂８０から露出する金属板５０の露出面に、放熱ブロック３９を直接接触させ、金属板５０と放熱ブロック３９とを熱的に接続している。ここでは、金属板５０の露出面は、モールド樹脂８０よりも引っ込んでいるので、放熱ブロック３９に突起を設け、放熱ブロック３９と金属板５０とを接触させている。
また、図２５に示される本実施形態の第２の例では、基板１０の他面においてモールド樹脂８０から露出する金属板５０の露出面に、水やオイルなどの液体の冷媒が流通する液体流路８２を設ける。この液体流路８２は、金属板５０の露出面より突出するモールド樹脂８０の壁面により形成される。
なお、本実施形態は、上記各実施形態の製造方法や構成を適宜組み合わせてもよいことはもちろんである。たとえば、本実施形態においては、金属板５０を省略して、基板１０の他面を直接モールド樹脂８０から露出させ、この露出面に対して、上記図２４や図２５に示される放熱形態を適用してもよい。
（第１２実施形態）
図２６は、本発明の第１２実施形態に係る電子装置を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の下方から見たときの概略平面図である。
本実施形態では、上記第１実施形態などと同様に、基板１０の他面のうち第２の電子部品３０が位置する部位以外の部位に、金属板５０を接着剤４０を介して接着し、金属板５０の接着面とは反対側の面を、モールド樹脂８０から露出させている。さらに、この構成において、基板１０の他面側において、モールド樹脂８０の外表面が、モールド樹脂８０から露出する金属板５０の面よりも外方に突出している。
このような構成において、本実施形態では、図２６に示されるように、モールド樹脂８０のうち、モールド樹脂８０から露出する金属板５０の面に隣り合う部分が、金属板５０の面の周辺部を被覆している。
たとえば、上記図１等の場合、基板１０の他面において、モールド樹脂８０から露出する金属板５０の面に隣り合うモールド樹脂８０の部分が、金属板５０の面の周辺部を被覆せずに、金属板５０の端面でモールド樹脂８０が途切れている。
つまり、この場合、基板１０の他面からみたとき、モールド樹脂８０の開口形状を示す線と金属板５０の外形線とが一致している。それに比べて、本実施形態では、基板１０の他面からみたとき、モールド樹脂８０の開口形状を示す線が金属板５０の外形線よりも内側に位置している。
そして、本実施形態によれば、モールド樹脂８０が金属板５０の面の周辺部を被覆しているから、金属板５０とモールド樹脂８０との界面に加わる応力を低減することができる。その結果、金属板５０とモールド樹脂８０との剥離を抑制する効果をより高めることが可能となる。
なお、本実施形態も、上記各実施形態の製造方法や構成を適宜組み合わせてもよいことはもちろんである。そして、本実施形態においても、金属板５０を省略して、基板１０の他面を直接モールド樹脂８０から露出させてもよい。
（第１３実施形態）
図２７は、本発明の第１３実施形態に係る電子装置を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の下方から見たときの概略平面図である。本実施形態は、上記第１２実施形態をさらに改良したものである。
図２７に示されるように、基板１０の他面においてモールド樹脂８０のうち、モールド樹脂８０から露出する金属板５０の面に隣り合う部分が、金属板５０の面の周辺部を被覆している。さらに、本実施形態では、当該金属板５０の面の周辺部のうちモールド樹脂８０に被覆されている部位に、モールド樹脂８０との剥離を抑制するための凹凸としての溝５２が形成されている。この溝５２は、たとえばプレス加工やエッチング加工などにより形成される。
本実施形態によれば、金属板５０の面の周辺部のうちモールド樹脂８０に被覆されている部位において、モールド樹脂８０が溝５２により形成される凹凸に食い込む効果、すなわち、溝５２によるアンカー効果が発揮され、モールド樹脂８０の剥離が抑制される。
なお、ここでは溝５２の例を述べたが、この溝５２に代えて、金属板５０の面から突出する突起などであってもよい。要するに、金属板５０の面の周辺部のうちモールド樹脂８０に被覆されている部位が、当該アンカー効果を発揮するための凹凸形状となっていればよい。
（第１４実施形態）
図２８は、本発明の第１４実施形態に係る電子装置を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の下方から見たときの概略平面図である。本実施形態は、基板１０の他面側において、モールド樹脂８０の外表面が、モールド樹脂８０から露出する金属板５０の面よりも外方に突出しているものに適用される。
図２８に示されるように、本実施形態の電子装置においては、基板１０の他面において、モールド樹脂８０は、電子装置の中央部と電子装置の周辺部とに設けられている。ここでは、電子装置の中央部に位置するモールド樹脂８０は、第２の電子部品３０を封止しているが、周辺部に位置するモールド樹脂８０は、モールド樹脂８０のみが設けられたものである。
そして、電子装置においては、当該装置の周辺部に位置するモールド樹脂８０の部分の方が、装置の中央部に位置するモールド樹脂８０の部分よりも厚いものとなっている。図２８では、電子装置の周辺部に位置する厚いモールド樹脂８０は、電子装置の周辺部に相当する矩形枠状をなしており、当該中央部に位置する薄いモールド樹脂８０は、当該中央部にて平面が細長四角形状のものとなっている。
ここで、電子装置の厚さとは、基板１０の一面側のモールド樹脂８０の外表面と他面側のモールド樹脂８０の外表面との距離である。つまり、本実施形態では、電子装置の厚さが部分的に異なっているものであり、上記周辺部における電子装置の厚さが上記中央部における電子装置の厚さよりも、図２８（ａ）中に示される寸法ｄの分だけ、厚いものとなっている。
そして、本実施形態では、上述のように、基板１０の他面に設けられるモールド樹脂８０の厚さを部分的に変えており、このようなモールド樹脂８０の厚さの相違は、モールド工程の金型を調整することで容易に実現できる。本実施形態によれば、電子装置の周辺部に位置する部分を中央部に位置する部分よりも厚いものとしているので、基板１０の反り防止が期待される。
（第１５実施形態）
本発明の第１５実施形態では、基板１０の他面に設けられているモールド樹脂８０の平面形状の種々の形態を示す。
図２９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ、本実施形態におけるモールド樹脂８０の平面形状の第１の例、第２の例、第３の例を示す概略平面図である。本実施形態は、このようなモールド樹脂８０の平面形状とするものであり、上記の各実施形態に適用が可能である。
本実施形態では、図２９に示されるように、基板１０は平面四角形の板である。なお、図２９において、モールド樹脂８０の存在しない部位すなわち開口部８０ａでは、基板１０の他面が露出しているが、この露出部に、上記図１等と同様に、金属板が接着されていてもよい。
図２９（ａ）に示される第１の例では、基板１０の他面の図中の上下方向にて対向する１組の辺の間にて延びる筋状のモールド樹脂８０が、基板１０の他面の中央部と左右両側に形成されている。
図２９（ｂ）に示される第２の例では、基板１０の他面の図中の上下方向にて対向する１組の辺の間にて延びる筋状のモールド樹脂８０と、基板１０の他面の図中の左右方向にて対向する１組の辺の間にて延びる筋状のモールド樹脂８０とが、十字形状に形成されている。
これら図２９（ａ）、（ｂ）に示されるように、基板１０の他面に設けられているモールド樹脂８０の平面形状を、当該他面の互いに対向する１組の辺の一方から他方へ延びる筋状とすれば、基板１０の他面側にモールド樹脂８０を注入するときに、当該他面の互いに対向する１組の辺の一方から他方へモールド樹脂８０を流すことで、モールド樹脂８０が流れやすくなり、モールド樹脂８０の注入性が向上する。
また、それ以外にも、図２９（ｃ）に示される第３の例のようなモールド樹脂８０の平面形状であってもよい。また、当該モールド樹脂８０の平面形状は、上記各図に示したもの以外であってもよいことはもちろんである。
本発明の第１実施形態に係る電子装置を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の下方から見たときの概略平面図である。 第１実施形態の電子装置の製造方法を示す工程図である。 第１実施形態の電子装置を筐体に搭載した例を示す概略断面図である。 第１実施形態の電子装置を筐体に搭載したもう１つの例を示す概略断面図である。 第１実施形態の電子装置の別の例を示す概略断面図である。 （ａ）は第１実施形態の電子装置のさらなる別の例を示す概略断面図であり、（ｂ）は（ａ）における金属板の接着面を示す概略平面図である。 本発明の第２実施形態に係る電子装置の製造方法を示す工程図である。 本発明の第３実施形態に係る電子装置の製造方法を示す工程図である。 本発明の第４実施形態に係る電子装置を示す概略断面図である。 図９に示される電子装置における第２の電子部品の近傍部の拡大図である。 第４実施形態の電子装置における凹部を有するセラミック基板の製造工程の一例を示す工程図である。 図１１に続くセラミック基板の製造工程を示す工程図である。 本発明の第５実施形態に係る電子装置の種々の例を示す概略断面図である。 本発明の第６実施形態に係る電子装置の種々の例を示す概略断面図である。 本発明の第７実施形態に係る電子装置の第１の例を示す概略断面図である。 第７実施形態に係る電子装置の第２の例を示す概略断面図である。 第７実施形態に係る電子装置の第３の例を示す概略断面図である。 本発明の第８実施形態に係る電子装置を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の下方から見たときの概略平面図である。 第８実施形態の電子装置の他の例を示す概略断面図である。 第８実施形態の電子装置のもう一つの他の例を示す概略断面図であり、（ａ）はワイヤボンディング接続の例を示し、（ｂ）はテープ接続の例を示す。 本発明の第９実施形態にかかる電子装置の概略断面図である。 本発明の第１０実施形態に係る電子装置の第１の例を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の下方から見たときの概略平面図である。 第１０実施形態に係る電子装置の第２の例を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の下方から見たときの概略平面図である。 本発明の第１１実施形態に係る電子装置の第１の例を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の下方から見たときの概略平面図である。 第１１実施形態に係る電子装置の第２の例を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の下方から見たときの概略平面図である。 本発明の第１２実施形態に係る電子装置を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の下方から見たときの概略平面図である。 本発明の第１３実施形態に係る電子装置を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の下方から見たときの概略平面図である。 本発明の第１４実施形態に係る電子装置を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の下方から見たときの概略平面図である。 本発明の第１５実施形態にかかる基板の他面におけるモールド樹脂の平面形状の種々の形態を示す概略平面図である。 本発明者の試作品としての電子装置を示す概略断面図である。
符号の説明
１０ セラミック基板
１０ａ セラミック基板の凹部
２０ 第１の電子部品
３０ 第２の電子部品
４０ 接着剤
５０ 金属板
５２ 凹凸としての溝
８０ モールド樹脂
８１ 第２の電子部品用封止樹脂

Claims (16)

  1. 基板（１０）と、
    前記基板（１０）の一面側に搭載された第１の電子部品（２０）と、
    前記基板（１０）の前記一面とは反対の他面に搭載された第２の電子部品（３０）と、
    前記第１の電子部品（２０）とともに前記基板（１０）の前記一面を封止するモールド樹脂（８０）とを備え、
    前記基板（１０）の前記他面では、前記モールド樹脂（８０）により前記第２の電子部品（３０）が封止されており、
    前記基板（１０）の前記他面のうち前記第２の電子部品（３０）が位置する部位以外の部位は、前記モールド樹脂（８０）から露出していることを特徴とする電子装置。
  2. 前記基板（１０）の前記他面のうち前記第２の電子部品（３０）が位置する部位以外の部位には、金属板（５０）が接着剤（４０）を介して接着されており、
    前記金属板（５０）の接着面とは反対側の面は、前記モールド樹脂（８０）から露出していることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
  3. 前記基板（１０）の前記他面側において、前記モールド樹脂（８０）の外表面は、前記モールド樹脂（８０）から露出する前記金属板（５０）の面よりも外方に突出していることを特徴とする請求項２に記載の電子装置。
  4. 前記基板（１０）の前記他面側において前記モールド樹脂（８０）のうち、前記モールド樹脂（８０）から露出する前記金属板（５０）の面に隣り合う部分は、当該金属板（５０）の面の周辺部を被覆していることを特徴とする請求項３に記載の電子装置。
  5. 前記モールド樹脂（８０）から露出する前記金属板（５０）の面の周辺部のうち前記モールド樹脂（８０）に被覆されている部位には、前記モールド樹脂（８０）との剥離を抑制するための凹凸（５２）が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の電子装置。
  6. 前記基板（１０）の前記他面において、前記モールド樹脂（８０）は、当該電子装置の中央部と周辺部とに設けられており、
    前記周辺部に位置する前記モールド樹脂（８０）の部分の方が、前記中央部に位置する前記モールド樹脂（８０）の部分よりも、当該電子装置の厚さが大きいことを特徴とする請求項３ないし５のいずれか１つに記載の電子装置。
  7. 前記基板（１０）の前記他面側において、前記モールド樹脂（８０）の外表面と、前記モールド樹脂（８０）から露出する前記金属板（５０）の面とが同一平面にあることを特徴とする請求項２に記載の電子装置。
  8. 前記基板（１０）は平面四角形の板であり、
    前記基板（１０）の前記他面に設けられている前記モールド樹脂（８０）の平面形状は、当該他面の互いに対向する１組の辺の一方から他方へ延びる筋状であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載の電子装置。
  9. セラミック基板（１０）の一面側に第１の電子部品（２０）を搭載し、
    前記セラミック基板（１０）の前記一面とは反対の他面に金属板（５０）を接着し、
    前記金属板（５０）の接着面とは反対側の面が露出するようにモールド樹脂（８０）によって前記セラミック基板（１０）および前記第１の電子部品（２０）を封止してなる電子装置において、
    前記セラミック基板（１０）の前記他面には、第２の電子部品（３０）が搭載されており、
    前記第２の電子部品（３０）は、前記モールド樹脂（８０）で封止されており、
    前記金属板（５０）は、前記セラミック基板（１０）の前記他面のうち前記第２の電子部品（３０）が位置する部位以外の部位に接着剤（４０）を介して接着されていることを特徴とする電子装置。
  10. 前記金属板（５０）は、前記セラミック基板（１０）の前記他面のうち前記第２の電子部品（３０）が位置する部位には設けられていないことを特徴とする請求項９に記載の電子装置。
  11. 前記金属板（５０）は、前記セラミック基板（１０）の前記他面側にて、前記第２の電子部品（３０）を封止する前記モールド樹脂（８０）を介して前記第２の電子部品（３０）を覆っていることを特徴とする請求項９に記載の電子装置。
  12. 前記セラミック基板（１０）の前記他面のうち前記第２の電子部品（３０）が位置する部位は、前記他面における当該部位以外よりも凹んだ凹部（１０ａ）となっており、この凹部（１０ａ）の底部に前記第２の電子部品（３０）が搭載されていることを特徴とする請求項９ないし１１のいずれか１つに記載の電子装置。
  13. セラミック基板（１０）の一面側に第１の電子部品（２０）を搭載し、
    前記セラミック基板（１０）の前記一面とは反対の他面に金属板（５０）を接着した後、
    前記金属板（５０）の接着面とは反対側の面が露出するようにモールド樹脂（８０）によって前記セラミック基板（１０）および前記第１の電子部品（２０）を封止してなる電子装置の製造方法において、
    前記モールド樹脂（８０）による封止を行う前に、前記セラミック基板（１０）の前記他面に、第２の電子部品（３０）を搭載するとともに、前記セラミック基板（１０）の前記他面のうち前記第２の電子部品（３０）以外の部位に接着剤（４０）を介して前記金属板（５０）を接着しておき、
    前記モールド樹脂（８０）による封止工程では、前記第１の電子部品（２０）とともに前記第２の電子部品（３０）を同時に、前記モールド樹脂（８０）にて封止することを特徴とする電子装置の製造方法。
  14. セラミック基板（１０）の一面側に第１の電子部品（２０）を搭載し、
    前記セラミック基板（１０）の前記一面とは反対の他面に金属板（５０）を接着した後、
    前記金属板（５０）の接着面とは反対側の面が露出するようにモールド樹脂（８０）によって前記セラミック基板（１０）および前記第１の電子部品（２０）を封止してなる電子装置の製造方法において、
    前記モールド樹脂（８０）による封止を行う前に、前記セラミック基板（１０）の前記他面に、第２の電子部品（３０）を搭載して、前記モールド樹脂（８０）の封止時の成形温度におけるヤング率が１００ＭＰａ以上である樹脂（８１）により前記第２の電子部品（３０）を封止するとともに、前記セラミック基板（１０）の前記他面のうち前記第２の電子部品（３０）以外の部位に接着剤（４０）を介して前記金属板（５０）を接着しておき、
    その後、前記モールド樹脂（８０）による前記セラミック基板（１０）および前記第１の電子部品（２０）の封止を行うことを特徴とする電子装置の製造方法。
  15. セラミック基板（１０）の一面側に第１の電子部品（２０）を搭載し、
    前記セラミック基板（１０）の前記一面とは反対の他面に金属板（５０）を接着した後、
    前記金属板（５０）の接着面とは反対側の面が露出するようにモールド樹脂（８０）によって前記セラミック基板（１０）および前記第１の電子部品（２０）を封止してなる電子装置の製造方法において、
    前記モールド樹脂（８０）による封止を行う前に、前記セラミック基板（１０）の前記他面に、第２の電子部品（３０）を搭載するとともに、前記セラミック基板（１０）の前記他面のうち前記第２の電子部品（３０）以外の部位に接着剤（４０）を介して前記金属板（５０）を接着しておき、
    その後、前記モールド樹脂（８０）によって、前記セラミック基板（１０）および前記第１の電子部品（２０）とともに、前記第２の電子部品（３０）および前記金属板（５０）の全体を封止し、
    次に、前記モールド樹脂（８０）のうち前記金属板（５０）の接着面とは反対側の面を封止している部分を、除去することを特徴とする電子装置の製造方法。
  16. 前記セラミック基板（１０）の前記他面のうち前記第２の電子部品（３０）が位置する部位を、前記他面における当該部位以外よりも凹んだ凹部（１０ａ）とし、この凹部（１０ａ）の底部に前記第２の電子部品（３０）を搭載することを特徴とする請求項１３ないし１５のいずれか１つに記載の電子装置の製造方法。
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