JP2009161438A - ビスフェノール化合物 - Google Patents
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Abstract
【課題】高分子材料の原料として有用なビスフェノール化合物、および該ビスフェノール化合物を効果的に製造する方法を提供する。
【解決手段】特定の化学構造式で表されるビスフェノール化合物。アセナフテン−1−オンと特定の化学構造式で表されるフェノール類とを酸性触媒下で反応させることを特徴とする特定の化学構造式で表されるビスフェノール化合物の製造方法。
【選択図】 なし
【解決手段】特定の化学構造式で表されるビスフェノール化合物。アセナフテン−1−オンと特定の化学構造式で表されるフェノール類とを酸性触媒下で反応させることを特徴とする特定の化学構造式で表されるビスフェノール化合物の製造方法。
【選択図】 なし
Description
本発明はビスフェノール化合物およびその製造方法に関するものである。更に詳しく言えば、本発明は例えばポリカーボネート、ポリエステル、ポリエステルカーボネート、エポキシ樹脂等の高分子材料の原料として有用なビスフェノール化合物、および該ビスフェノール化合物を効果的に製造する方法に関するものである。
従来、フェノール類とアルデヒドまたはケトン類との反応により得られるビスフェノール類は、各種の高分子材料、例えばポリカーボネート、ポリエステル、ポリエステルカーボネート、エポキシ樹脂等の原料として重要な化合物であることが知られており、なかでもフェノールとアセトンから得られる2,2−ビス(4,4−ヒドロキシフェニル)プロパン(ビスフェノールA)はこれら高分子材料の原料として大量に用いられている(非特許文献1参照。)。その他フェノールとホルムアルデヒドより得られるビス(ヒドロキシフェニル)メタン(ビスフェノールF、特許文献1参照。)、フェノールと硫酸より得られるビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホン(ビスフェノールS、特許文献2参照。)、フェノールとシクロヘキサノンより得られる1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン(ビスフェノールZ、特許文献3参照。)等が知られている。
一方、近年高分子材料の用途拡大に伴い、厳しい条件下での使用が多くなり、より優れた物性を有する機能性高分子材料が望まれており、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエステルカーボネート、エポキシ樹脂等の分野においても、物性のより優れたものを得るために、新しい原料の開発が積極的に試みられている。
今井淑夫、岩田薫著、高分子構造材料の化学、朝倉書店刊、1998年10月20日、p.109〜111 特開2001−316451号公報
特開2001−026697号公報
特開2003−076041号公報
今井淑夫、岩田薫著、高分子構造材料の化学、朝倉書店刊、1998年10月20日、p.109〜111
本発明の目的は、かかる状況に鑑み、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエステルカーボネート、エポキシ樹脂等の高分子材料の原料として有用なビスフェノール化合物、および該ビスフェノール化合物を効果的に製造する方法を提供することにある。
即ち本発明は、以下に示す式(1)で表されるビスフェノール化合物に関するものである。
(式(1)中、Rは炭素数1ないし6のアルキル基、炭素数6ないし12のアリール基、水酸基、ニトロ基、アミノ基およびハロゲンから選ばれる1種を示し、nはRがベンゼン環上に置換している数を示し0〜4の整数である。複数のRは同一でも異なっていてもよい。)
さらに、アセナフテン−1−オンと式(2)で表されるフェノール類とを酸性触媒下で反応させることを特徴とする式(1)で表されるビスフェノール化合物の製造方法に関するものである。
(式(2)中、Rは炭素数1ないし6のアルキル基、炭素数6ないし12のアリール基、水酸基、ニトロ基、アミノ基およびハロゲンから選ばれる1種を示し、nはRがベンゼン環上に置換している数を示し0〜4の整数である。複数のRは同一でも異なっていてもよい。)
(式(1)中、Rは炭素数1ないし6のアルキル基、炭素数6ないし12のアリール基、水酸基、ニトロ基、アミノ基およびハロゲンから選ばれる1種を示し、nはRがベンゼン環上に置換している数を示し0〜4の整数である。複数のRは同一でも異なっていてもよい。)
さらに、アセナフテン−1−オンと式(2)で表されるフェノール類とを酸性触媒下で反応させることを特徴とする式(1)で表されるビスフェノール化合物の製造方法に関するものである。
(式(2)中、Rは炭素数1ないし6のアルキル基、炭素数6ないし12のアリール基、水酸基、ニトロ基、アミノ基およびハロゲンから選ばれる1種を示し、nはRがベンゼン環上に置換している数を示し0〜4の整数である。複数のRは同一でも異なっていてもよい。)
本発明のビスフェノール化合物は、アセナフテン−1−オンとフェノール類とを、酸性触媒の存在下に縮合させることにより得られる新規化合物であって、例えばポリカーボネート、ポリエステル、ポリエステルカーボネート、エポキシ樹脂等の高分子材料の原料として有用である。
本発明は、以下に示す式(1)で表されるビスフェノール化合物に関するものである。
式(1)中、Rは炭素数1ないし6のアルキル基、炭素数6ないし12のアリール基、水酸基、ニトロ基、アミノ基およびハロゲンから選ばれる1種を示し、nはRがベンゼン環上に置換している数を示し0〜4の整数である。
炭素数1ないし6のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基等が挙げられる。中でもメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基が好ましく、メチル基及びエチル基がさらに好ましい。
炭素数6ないし12のアリール基としては、フェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、2,3−ジメチルフェニル基、2,4−ジメチルフェニル基、2,5−ジメチルフェニル基、2,6−ジメチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、2,3,4−トリメチルフェニル基、2,3,5−トリメチルフェニル基、2,3,6−トリメチルフェニル基、2,4,6−トリメチルフェニル基、2,3,4,5−テトラメチルフェニル基、2,3,4,6−テトラメチルフェニル基、2,3,5,6−テトラメチルフェニル基、2,3,4,5,6−ペンタメチルフェニル基、2−フェニルフェニル基、3−フェニルフェニル基、4−フェニルフェニル基が挙げられる。中でもフェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、2,3−ジメチルフェニル基、2,4−ジメチルフェニル基、2,5−ジメチルフェニル基、2,6−ジメチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、2,3,4−トリメチルフェニル基、2,3,5−トリメチルフェニル基、2,3,6−トリメチルフェニル基、2,4,6−トリメチルフェニル基が好ましく、フェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、2,3−ジメチルフェニル基、2,4−ジメチルフェニル基、2,5−ジメチルフェニル基、2,6−ジメチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、2,3,5−トリメチルフェニル基、2,4,6−トリメチルフェニル基がさらに好ましい。
ハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。中でもフッ素、ヨウ素がさらに好ましい。
Rとしては、炭素数1ないし6のアルキル基、炭素数6ないし12のアリール基、水酸基、ニトロ基、アミノ基およびハロゲンから選ばれる1種が好ましく、炭素数1ないし6のアルキル基がさらに好ましい。複数のRは同一でも異なっていてもよい。
式(1)中、Rは炭素数1ないし6のアルキル基、炭素数6ないし12のアリール基、水酸基、ニトロ基、アミノ基およびハロゲンから選ばれる1種を示し、nはRがベンゼン環上に置換している数を示し0〜4の整数である。
炭素数1ないし6のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基等が挙げられる。中でもメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基が好ましく、メチル基及びエチル基がさらに好ましい。
炭素数6ないし12のアリール基としては、フェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、2,3−ジメチルフェニル基、2,4−ジメチルフェニル基、2,5−ジメチルフェニル基、2,6−ジメチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、2,3,4−トリメチルフェニル基、2,3,5−トリメチルフェニル基、2,3,6−トリメチルフェニル基、2,4,6−トリメチルフェニル基、2,3,4,5−テトラメチルフェニル基、2,3,4,6−テトラメチルフェニル基、2,3,5,6−テトラメチルフェニル基、2,3,4,5,6−ペンタメチルフェニル基、2−フェニルフェニル基、3−フェニルフェニル基、4−フェニルフェニル基が挙げられる。中でもフェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、2,3−ジメチルフェニル基、2,4−ジメチルフェニル基、2,5−ジメチルフェニル基、2,6−ジメチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、2,3,4−トリメチルフェニル基、2,3,5−トリメチルフェニル基、2,3,6−トリメチルフェニル基、2,4,6−トリメチルフェニル基が好ましく、フェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、2,3−ジメチルフェニル基、2,4−ジメチルフェニル基、2,5−ジメチルフェニル基、2,6−ジメチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、2,3,5−トリメチルフェニル基、2,4,6−トリメチルフェニル基がさらに好ましい。
ハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。中でもフッ素、ヨウ素がさらに好ましい。
Rとしては、炭素数1ないし6のアルキル基、炭素数6ないし12のアリール基、水酸基、ニトロ基、アミノ基およびハロゲンから選ばれる1種が好ましく、炭素数1ないし6のアルキル基がさらに好ましい。複数のRは同一でも異なっていてもよい。
本発明の式(1)で表されるビスフェノール化合物は、アセナフテン−1−オンと式(2)で示されるフェノール類との反応によって得られるのが好ましい。
アセナフテン−1−オンはアセナフテンを酸化することにより得られる。アセナフテンの酸化は例えばコバルト化合物、マンガン化合物および臭素化合物を触媒として液相空気酸化することにより可能である(特公昭63−48856号公報参照。)。また過マンガン酸塩、クロム酸誘導体、2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノ−p−ベンゾキノン(DQQ)等の試薬による酸化によってもアセナフテン−1−オンの合成は可能である。
アセナフテン−1−オンはアセナフテンを酸化することにより得られる。アセナフテンの酸化は例えばコバルト化合物、マンガン化合物および臭素化合物を触媒として液相空気酸化することにより可能である(特公昭63−48856号公報参照。)。また過マンガン酸塩、クロム酸誘導体、2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノ−p−ベンゾキノン(DQQ)等の試薬による酸化によってもアセナフテン−1−オンの合成は可能である。
フェノール類を示す式(2)中、Rは炭素数1ないし6のアルキル基、炭素数6ないし12のアリール基、水酸基、ニトロ基、アミノ基およびハロゲンから選ばれる1種を示し、nはRがベンゼン環上に置換している数を示し0〜4の整数である。
炭素数1ないし6のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基等が挙げられる。中でもメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基が好ましく、メチル基及びエチル基がさらに好ましい。
炭素数6ないし12のアリール基としては、フェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、2,3−ジメチルフェニル基、2,4−ジメチルフェニル基、2,5−ジメチルフェニル基、2,6−ジメチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、2,3,4−トリメチルフェニル基、2,3,5−トリメチルフェニル基、2,3,6−トリメチルフェニル基、2,4,6−トリメチルフェニル基、2,3,4,5−テトラメチルフェニル基、2,3,4,6−テトラメチルフェニル基、2,3,5,6−テトラメチルフェニル基、2,3,4,5,6−ペンタメチルフェニル基、2−フェニルフェニル基、3−フェニルフェニル基、4−フェニルフェニル基が挙げられる。中でもフェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、2,3−ジメチルフェニル基、2,4−ジメチルフェニル基、2,5−ジメチルフェニル基、2,6−ジメチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、2,3,4−トリメチルフェニル基、2,3,5−トリメチルフェニル基、2,3,6−トリメチルフェニル基2,4,6−トリメチルフェニル基が好ましく、フェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、2,3−ジメチルフェニル基、2,4−ジメチルフェニル基、2,5−ジメチルフェニル基、2,6−ジメチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、2,3,5−トリメチルフェニル基、2,4,6−トリメチルフェニル基がさらに好ましい。
ハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。中でもフッ素、ヨウ素がさらに好ましい。
Rとしては、炭素数1ないし6のアルキル基、炭素数6ないし12のアリール基、水酸基、ニトロ基、アミノ基およびハロゲンから選ばれる1種が好ましく、炭素数1ないし6のアルキル基がさらに好ましい。複数のRは同一でも異なっていてもよい。
炭素数1ないし6のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基等が挙げられる。中でもメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基が好ましく、メチル基及びエチル基がさらに好ましい。
炭素数6ないし12のアリール基としては、フェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、2,3−ジメチルフェニル基、2,4−ジメチルフェニル基、2,5−ジメチルフェニル基、2,6−ジメチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、2,3,4−トリメチルフェニル基、2,3,5−トリメチルフェニル基、2,3,6−トリメチルフェニル基、2,4,6−トリメチルフェニル基、2,3,4,5−テトラメチルフェニル基、2,3,4,6−テトラメチルフェニル基、2,3,5,6−テトラメチルフェニル基、2,3,4,5,6−ペンタメチルフェニル基、2−フェニルフェニル基、3−フェニルフェニル基、4−フェニルフェニル基が挙げられる。中でもフェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、2,3−ジメチルフェニル基、2,4−ジメチルフェニル基、2,5−ジメチルフェニル基、2,6−ジメチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、2,3,4−トリメチルフェニル基、2,3,5−トリメチルフェニル基、2,3,6−トリメチルフェニル基2,4,6−トリメチルフェニル基が好ましく、フェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、2,3−ジメチルフェニル基、2,4−ジメチルフェニル基、2,5−ジメチルフェニル基、2,6−ジメチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、2,3,5−トリメチルフェニル基、2,4,6−トリメチルフェニル基がさらに好ましい。
ハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。中でもフッ素、ヨウ素がさらに好ましい。
Rとしては、炭素数1ないし6のアルキル基、炭素数6ないし12のアリール基、水酸基、ニトロ基、アミノ基およびハロゲンから選ばれる1種が好ましく、炭素数1ないし6のアルキル基がさらに好ましい。複数のRは同一でも異なっていてもよい。
式(2)で示されるフェノール類としては、例えばフェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、2,6−キシレノール、3,5−キシレノール、2−フェニルフェノール、3−フェニルフェノール、カテコール、2−アミノフェノール、3−アミノフェノール、2−フルオロフェノール、3−フルオロフェノール、2,6−ジフルオロフェノール、3,5−ジフルオロフェノール、2−クロロフェノール、3−クロロフェノール、2,6−ジクロロフェノール、3,5−ジクロロフェノール、2−ブロモフェノール、3−ブロモフェノール、2,6−ジブロモフェノール、3,5−ジブロモフェノール、2−ヨードフェノール、3−ヨードフェノール、2,6−ジヨードフェノール、3,5−ジヨードフェノール等があげられる。中でもフェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、2,6−キシレノール、3,5−キシレノール、2−フェニルフェノール、3−フェニルフェノールが好ましく、フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、2,6−キシレノール、3,5−キシレノールがさらに好ましい。
アセナフテン−1−オンと式(2)で示されるフェノール類との反応は、無溶媒で行っても良いし、溶媒を用いて行っても良い。使用する溶媒としては反応に不活性なもの、例えばベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素が好ましい。溶媒を使用する場合にはアセナフテン−1−オン1重量部に対し0.5〜20重量部の使用が好ましい。
触媒としては酸性触媒、例えば、塩酸、硫酸、トルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸、シュウ酸、五塩化リン、ポリリン酸等が用いられる。中でも塩酸、硫酸、トルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸が好ましく、塩酸、硫酸、トルエンスルホン酸がさらに好ましい。これらの触媒の使用量については、使用する触媒の種類によって異なるので一概に限定出来ないが、アセナフテン−1−オンに対し、0.1〜30重量%の範囲で選ばれる。例えば硫酸を用いる場合、アセナフテン−1−オンに対し、0.5〜20重量%の範囲で選ばれる。さらに好ましくは1〜10重量%の範囲である。
この反応においては、前記酸性触媒とともに助触媒としてメルカプト基を含有する化合物を用いることが好ましい。メルカプト基を含有する化合物としては、例えばメチルメルカプタン、エチルメルカプタン、プロピルメルカプタン、ブチルメルカプタン、オクチルメルカプタン、ドデシルメルカプタン等のアルキルメルカプタン類、チオフェノールやチオクレゾール等の芳香族メルカプタン類、メルカプト酢酸やメルカプトプロピオン酸等のメルカプト有機酸類等が挙げられる。中でもメルカプト酢酸やメルカプトプロピオン酸等のメルカプト有機酸類がさらに好ましい。これらの助触媒は、通常アセナフテン−1−オンに対して0.1〜10重量%の範囲で用いられる。さらに好ましくは5〜10重量%の範囲である。
アセナフテン−1−オンとフェノール類との使用比率については、フェノール類を理論量より過剰に用いることが好ましく、通常アセナフテン−1−オン1モルに対しフェノール類2〜100モルの割合で用いられる。さらに好ましくは10〜80モルの割合で用いられる。
反応温度は一般的には20〜100℃の範囲で選ばれる。反応圧力については特に制限は無く、加圧、常圧、減圧のいずれでも良いが、通常常圧下で反応が行われる。反応時間は原料の種類、触媒および助触媒の種類や量、反応温度等によって左右されるが通常5〜100時間程度である。反応の終点は反応生成液をガスクロマトグラフィーにより分析し、アセナフテン−1−オンが消失した時点とするのが好ましい。
目的とするビスフェノール化合物の分離・精製は、例えば、以下の手順で行う。まず反応生成液を室温まで冷却した後、反応生成液1重量部に対しトルエン1重量部および2%水酸化ナトリウム水溶液0.3〜0.5重量部を分液ロートに入れて振とう静置し、水層を除去する。次に油層をロータリーエバポレーターで濃縮し、更に1〜2mmHgに減圧してフェノール類を留去する。得られた固形物1重量部にトルエン10重量部を加え、トルエンが還流するまで加熱して溶解させた後、室温まで放冷する。析出した結晶を濾過により回収し、トルエン、水の順で洗浄したのち、乾燥させて目的物を取得する。
以下に実施例をあげて本発明の方法を更に詳しく説明する。なお、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。分析条件は下記に示す通りである。
<ガスクロマトグラフィー分析条件>
島津GC14A、キャピラリーカラム(信和化工HP−1 30m×内径0.32mm)、注入口温度300℃、検出器温度300℃、昇温条件100〜300℃(10℃/分)、20分保持。
<ガスクロマトグラフィー分析条件>
島津GC14A、キャピラリーカラム(信和化工HP−1 30m×内径0.32mm)、注入口温度300℃、検出器温度300℃、昇温条件100〜300℃(10℃/分)、20分保持。
<参考例1>
10Lの三つ口フラスコにアセナフテン308g、酢酸3250mL、臭化コバルト(II)六水和物30.6g、 酢酸コバルト(II)四水和物6.1g、 酢酸マンガン(II)四水和物1.5gを仕込み、攪拌・混合して全てを溶解させた後、20℃、常圧で空気を400L/hで液中に吹込んだ。4.3時間後に反応を停止し、反応生成液をガスクロマトグラフィーにより分析した。その結果、アセナフテン転化率99.2%、アセナフテン−1−オン収率28.1%という成績が得られた。
10Lの三つ口フラスコにアセナフテン308g、酢酸3250mL、臭化コバルト(II)六水和物30.6g、 酢酸コバルト(II)四水和物6.1g、 酢酸マンガン(II)四水和物1.5gを仕込み、攪拌・混合して全てを溶解させた後、20℃、常圧で空気を400L/hで液中に吹込んだ。4.3時間後に反応を停止し、反応生成液をガスクロマトグラフィーにより分析した。その結果、アセナフテン転化率99.2%、アセナフテン−1−オン収率28.1%という成績が得られた。
<参考例2>
参考例1で得られた反応生成液1kgに対してトルエン1L、水2Lを加え5分間攪拌・抽出した後、15〜20分静置して分液し、上層のトルエン層を回収した。上記抽出液と同量の4%水酸化ナトリウム水溶液を分液ロートに入れて振とう静置し、下層の黒色液を除去した。残った液と同量の水を加えて洗浄し、下層を抜液した。更に水を加え塩酸2mLを添加して振とうし、下層を抜液し、再び水洗した。油層を更にアルカリ洗浄した後、濃縮し溶媒を除去した。上記濃縮液を圧力1〜2mmHgで蒸留し、留出温度120℃でアセナフテン−1−オン16gが留出した。
参考例1で得られた反応生成液1kgに対してトルエン1L、水2Lを加え5分間攪拌・抽出した後、15〜20分静置して分液し、上層のトルエン層を回収した。上記抽出液と同量の4%水酸化ナトリウム水溶液を分液ロートに入れて振とう静置し、下層の黒色液を除去した。残った液と同量の水を加えて洗浄し、下層を抜液した。更に水を加え塩酸2mLを添加して振とうし、下層を抜液し、再び水洗した。油層を更にアルカリ洗浄した後、濃縮し溶媒を除去した。上記濃縮液を圧力1〜2mmHgで蒸留し、留出温度120℃でアセナフテン−1−オン16gが留出した。
<実施例1>
500mL三つ口フラスコに参考例2で得られたアセナフテン−1−オン10gとフェノール195g、98%硫酸0.8g、メルカプト酢酸0.6gを仕込み、窒素雰囲気下、50℃で30時間攪拌した。室温まで冷却した後、生成液とトルエン200mLおよび2%水酸化ナトリウム水溶液60mLを分液ロートに入れて振とう静置し、水層を除去した。油層をロータリーエバポレーターで濃縮し、更に1〜2mmHgに減圧して90℃でフェノールを留去した。得られた固形物20gにトルエン200gを加え、トルエンが還流するまで加熱して溶解させた後、室温まで放冷した。析出した結晶を濾過により回収し、トルエン、水の順で洗浄したのち、乾燥させた。得られた結晶をGC−MSで分析した結果、目的物のアセナフテンビスフェノールの分子量338を示した。またアセトン-d6溶媒中での1H−NMRのケミカルシフト値(δppm,TMS基準)は4.09(s,2H)、6.72(q,4H)、7.05(q,4H)、7.18(d,1H)、7.36(d,1H)、7.51(q,2H)、7.68(q,2H)、8.22(s,2H)であった。得られた結晶19.2gをGC分析したところアセナフテンビスフェノール純度96.9%であった。
500mL三つ口フラスコに参考例2で得られたアセナフテン−1−オン10gとフェノール195g、98%硫酸0.8g、メルカプト酢酸0.6gを仕込み、窒素雰囲気下、50℃で30時間攪拌した。室温まで冷却した後、生成液とトルエン200mLおよび2%水酸化ナトリウム水溶液60mLを分液ロートに入れて振とう静置し、水層を除去した。油層をロータリーエバポレーターで濃縮し、更に1〜2mmHgに減圧して90℃でフェノールを留去した。得られた固形物20gにトルエン200gを加え、トルエンが還流するまで加熱して溶解させた後、室温まで放冷した。析出した結晶を濾過により回収し、トルエン、水の順で洗浄したのち、乾燥させた。得られた結晶をGC−MSで分析した結果、目的物のアセナフテンビスフェノールの分子量338を示した。またアセトン-d6溶媒中での1H−NMRのケミカルシフト値(δppm,TMS基準)は4.09(s,2H)、6.72(q,4H)、7.05(q,4H)、7.18(d,1H)、7.36(d,1H)、7.51(q,2H)、7.68(q,2H)、8.22(s,2H)であった。得られた結晶19.2gをGC分析したところアセナフテンビスフェノール純度96.9%であった。
Claims (2)
- アセナフテン−1−オンと式(2)で表されるフェノール類とを酸性触媒下で反応させることを特徴とする式(1)で表されるビスフェノール化合物の製造方法。
(式(2)中、Rは炭素数1ないし6のアルキル基、炭素数6ないし12のアリール基、水酸基、ニトロ基、アミノ基およびハロゲンから選ばれる1種を示し、nはRがベンゼン環上に置換している数を示し0〜4の整数である。複数のRは同一でも異なっていてもよい。)
(式(1)中、Rは炭素数1ないし6のアルキル基、炭素数6ないし12のアリール基、水酸基、ニトロ基、アミノ基およびハロゲンから選ばれる1種を示し、nはRがベンゼン環上に置換している数を示し0〜4の整数である。複数のRは同一でも異なっていてもよい。)
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