JP2008070230A

JP2008070230A - 物理量検出装置

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Publication number: JP2008070230A
Application number: JP2006249147A
Authority: JP
Inventors: Takashi Matsumura; 隆史松村; Koji Okada; 康志岡田
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2006-09-14
Filing date: 2006-09-14
Publication date: 2008-03-27

Abstract

【課題】構成部材の熱膨張係数の差から生じる機械的応力による温度に依存した検出誤差を可及的に低減できる物理量検出装置を提供する。
【解決手段】検出すべき物理量に応じて変位する質量体１０を持つ検出素子１と、該検出素子１が接着される回路素子４と、前記検出素子１及び回路素子４が収容ないし搭載される外装ケース７と、を備え、前記回路素子４は、弾性を有する板ばね状の梁状部材６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄを介して前記外装ケース７に支持されてなる。
【選択図】図１

Description

本発明は、物理量検出装置に係り、特に、自動車の横滑り制御、追突検知、横転検知、進行方向検知等に用いられる加速度センサや角速度センサに代表される物理量検出装置に関する。

自動車が追突したことを検出する目的で加速度センサが、また、横滑りや横転を検出する目的、あるいは、ナビゲーションシステムに利用される車両の進行方向を検出する目的等で角速度センサが利用されている。このような加速度センサや角速度センサ等の物理量検出装置の一形態として、下記特許文献１に所載のように、上側シリコン層、中間シリコン酸化膜層、及び下側シリコン層からなる３層構造の検出素子と、該検出素子の下側シリコン層が接着される、前記検出素子の制御や信号検出のためのシリコン集積回路素子と、を備え、前記検出素子には、エッチング加工により空所が形成されるとともに、この空所内において検出すべき物理量に応じて変位するように質量体が形成されてなる物理量検出装置がある。

かかる装置に用いられている検出素子は、加速度や角速度が加わると、その加速度や角速度に応じて、前記空所内の質量体が変位（移動）するので、この変位量を当該物理量検出装置内、あるいは、外部に配置した電子回路で検出することで、車両の加速度や角速度を求めるようになっている。なお、検出の感度を上げるため、前記空所内を真空にしているものがある。

前記検出素子は回路素子と共に一つのパッケージ（外装ケース）に実装されて物理量検出装置となる。例えば、下記特許文献２には、プリント基板（制御回路基板）への取り付けばらつきを少なくし、かつプリント基板とセラミックパッケージの熱膨張係数差から生じる機械的応力を低減したセラミックパッケージタイプの加速度センサが提案されている。さらに、下記特許文献３には、回路基板上に検出素子を搭載し、かつ検出素子上に検出素子からの信号を処理する信号処理回路を搭載したものが提案されている。

特開平１０−２９１１号公報特開平１０−６２４４６号公報特開平５−２２３８４２号公報

自動車における物理量検出装置は、寒冷地から砂漠地帯まで使用され、また、エンジンからの放射熱を受けるため、−４０℃〜＋１３０℃の広い温度範囲で正常に動作することが必要である。この温度変化は、物理量検出装置を構成する各部材（外装ケース、検出素子、回路素子等）の熱膨張係数の差に応じた機械的応力を生じさせる。この機械的応力により、温度に依存した検出誤差が発生する。

本発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、温度に依存した検出誤差を可及的に低減できる物理量検出装置を提供することにある。

前記目的を達成すべく、本発明に係る物理量検出装置の第１態様は、検出すべき物理量に応じて変位する質量体を持つ検出素子と、該検出素子が接着される回路素子と、前記検出素子及び回路素子が収容ないし搭載される外装部材と、を備え、前記回路素子は、弾性を有する梁状部材を介して前記外装部材に支持されていることを特徴としている。

本発明に係る物理量検出装置の第２態様は、検出すべき物理量に応じて変位する質量体を持つ検出素子と、該検出素子が接着される、当該検出素子と略同じ熱膨張係数を有する回路素子と、前記検出素子及び回路素子が収容ないし搭載される外装ケースと、を備え、前記回路素子は、前記外装ケースに一端側が連結固定された弾性を有する複数の梁状部材により支持されていることを特徴としている。
本発明に係る物理量検出装置の第３態様は、検出すべき物理量に応じて変位する質量体を持つ検出素子と、該検出素子が接着される、当該検出素子と略同じ熱膨張係数を有する回路素子と、該回路素子が接着される台座と、前記検出素子、回路素子、及び台座が収容ないし搭載される外装ケースと、を備え、前記台座に弾性を有する複数の梁状部材が設けられるとともに、該梁状部材の自由端側が前記外装ケースに連結固定されていることを特徴としている。

この場合、前記台座は、好ましくは、前記回路素子の熱膨張係数と略同じ熱膨張係数を有するものとされる。

本発明に係る物理量検出装置の第４態様は、検出すべき物理量に応じて変位するように質量体が形成ないし配在された上側シリコン層、中間ガラス層、及び下側シリコン層からなる３層構造の検出素子と、該検出素子の下側シリコン層が接着される、前記検出素子の制御や信号検出のためのシリコン集積回路素子と、前記検出素子及びシリコン集積回路素子が収容ないし搭載される外装ケースと、を備え、前記シリコン集積回路素子は、前記外装ケースに一端側が連結固定された弾性を有する複数の梁状部材により支持されていることを特徴としている。

本発明に係る物理量検出装置の第５態様は、検出すべき物理量に応じて変位するように質量体が形成ないし配在された上側シリコン層、中間ガラス層、及び、下側シリコン層からなる３層構造の検出素子と、該検出素子の下側シリコン層が接着される、前記検出素子の制御や信号検出のためのシリコン集積回路素子と、該シリコン集積回路素子が接着される台座と、前記検出素子、シリコン集積回路素子、及び台座が収容ないし搭載される外装ケースと、を備え、前記台座に弾性を有する複数の梁状部材が設けられるとともに、該梁状部材の自由端側が前記外装ケースに連結固定されていることを特徴としている。

この場合、前記台座は、好ましくは、前記シリコン集積回路素子の熱膨張係数と略同じ熱膨張係数を有するものとされる。

本発明の好ましい態様では、前記梁状部材は、板ばね状に形成される。また、前記梁状部材は、好ましくは、アロイ等の金属材料で作製される。さらに、前記梁状部材は、好ましくは、電気的な接続端子を兼ねるようにされる。

本発明の物理量検出装置の検出対象となる物理量としては、加速度と角速度が挙げられ、好ましくは、それら加速度と角速度を同時に検出するようにしたものも含まれる。

本発明に係る物理量検出装置では、検出素子と外装ケースとの間に弾性（所定のばね特性）を有する梁状部材が介装されるので、外装ケースと検出素子との熱膨張係数差から生じる機械的応力を梁状部材で吸収緩和することが可能となる。そのため、外装ケースから検出素子へ機械的応力が伝わり難くなるので、検出素子が歪まず、温度が変動しても検出素子の特性が変わり難くなり、その結果、温度に依存した検出誤差を低減することが可能となる。

また、梁状部材が設けられた台座と検出素子との間に回路素子が介装されることにより、台座と検出素子の熱膨張係数差から生じる機械的応力を回路素子で緩和することができるので、検出素子が歪まず、温度が変動しても検出素子の特性が変わり難くなり、温度に依存した検出誤差を一層低減することが可能となる。

さらに、検出素子とこれが接着される回路素子の熱膨張係数を略同じにすること、あるいは、回路素子とこれが接着される台座の熱膨張係数を略同じにすることで、それらの間に温度変動による機械的応力が生じ難くなる。そのため、検出素子の特性が変わり難くなり、温度に依存した検出誤差を一層低減することが可能となる。

以下、本発明の物理量検出装置の実施形態を図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明に係る物理量検出装置の一実施形態を示す概略構成図、図２は、図１のＡ−Ａ矢視線に従う断面図である。

図示実施形態の物理量検出装置１００は、例えば車両の横滑り制御等を行う車両制御モジュール内のプリント基板（制御回路基板）９に実装されるもので、検出対象の物理量は、前記横滑り制御等に用いられる加速度と角速度である。

本実施形態の物理量検出装置１００は、検出すべき物理量である車両の加速度及び角速度に応じて変位する質量体１０（後述する図３、図４を参照）を持つ検出素子１と、この検出素子１が接着剤７２により接着された、当該検出素子１の駆動や信号検出、信号処理のための集積回路素子４と、この集積回路素子４が接着剤７３により接着された台座６と、これら検出素子１、集積回路素子４、及び台座６が収容される角筒状の外装ケース７と、を備えている。なお、外装ケース７の両側開口部には必要に応じてカバー等が蓋着される。

前記検出素子１、集積回路素子４、及び台座６は、それぞれ矩形板状とされ、この順番で平面視面積が少しずつ大きくされている。

前記台座６の四隅には、それぞれ左右方向（図のＹ方向）に伸びる、弾性（所定のばね特性）を有する板ばね形状の梁状部材６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄが一体に設けられており、これら梁状部材６１ａ、６１ｃ及び６１ｂ、６１ｄの自由端側は、それぞれ外装ケース７内に設けられた隔壁７ｂ及び７ｃに連結固定されるとともに、前記隔壁７ｂ、７ｃを通り越して、外装ケース７の左右壁部や下壁部（プリント基板９側）に達するように、真っ直ぐにあるいはＬ字状に曲成されて延設されている。

すなわち、本実施形態では、検出素子１が集積回路素子４を介して接着されている台座部材６が、板ばね状の弾性梁状部材６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄを介して外装ケース７に、該外装ケース７からは浮いた状態で支持されており、台座部材６（＋集積回路素子４＋検出素子１）は、外装ケース７に対して、図のＺ方向（台座６の表面に直交する方向）に変位可能となっている。なお、台座部材６は、図のＸ方向及びＹ方向にも多少は変位可能である。

また、前記台座６及び梁状部材６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄは、例えば、４２アロイ等の金属材料で作製されており、電気的な接続端子を兼ねている。

一方、外装ケース７は、ワイヤボンディング端子６２ａ〜６２ｆも有し、検出素子１のワイヤボンディングパッド１９、集積回路素子４のワイヤボンディングパッド４９、梁状部材６１ｃ〜６１ｄ、ワイヤボンディング端子６２ａ〜６２ｆは、金ワイヤ又はアルミワイヤにより電気的に接続されている。

なお、本実施形態では、物理量検出装置１００のＸ方向の長さ（プリント基板９からの高さ）を小さくするため、ワイヤボンディングパッド１９、４９を左右の二辺に所定数ずつ並設している。また、ワイヤボンディングを行うため、検出素子１と集積回路素子４のＸ方向幅の差を小さくし、Ｙ方向長さの差を大きくしている。したがって、Ｘ方向の長さを特段小さくする必要がなければ、ワイヤボンディングパッド１９、４９を三ないし四辺に分散して設けてもよい。さらに、梁状部材６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄのうちの、自由端側がＬ字状に曲成された梁状部材６１ｃ、６１ｄ及びワイヤボンディング端子６２ａ〜６２ｆは、それぞれ半田付け端子６３ａ〜６３ｈに電気的に導通せしめられている。物理量検出装置１００は、これらの半田付け端子６３ａ〜６３ｈを介してプリント基板９に半田付けされる。なお、プリント基板９は物理量検出装置から得た加速度や角速度の信号を利用して、プリント基板９上のマイコン等（図示せず）により車両制御信号を生成するものである。

これらの電気的な接続により、物理量検出装置１００の動作に必要な電力をプリント基板９から物理量検出装置１００に供給し、また、物理量検出装置１００で検出した加速度及び角速度をプリント基板９上のマイコンに伝達する。なお、前記台座６及び梁状部材６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄや各ワイヤボンディング端子６２ａ〜６２ｆは、４２アロイ等の金属材料を素材とし、また、外装ケース７は、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）やエポキシ等の樹脂材料を素材として、射出成形法や注型成形法により、一体成形される。また、検出素子１は、主としてシリコンをエッチング加工して形成した素子であり、集積回路素子４は、シリコン上に主としてＣＭＯＳ回路プロセスで形成した素子である。したがって、本実施形態では、検出素子１とこれが接着される集積回路素子４の熱膨張係数は略同じとされている。

このような構成とされた本実施形態の物理量検出装置１００では、検出素子１と外装ケース７との間に弾性（所定のばね特性）を有する梁状部材６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄが介装されるので、外装ケース７と検出素子１との熱膨張係数差から生じる機械的応力を前記梁状部材６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄで吸収緩和することが可能となる。そのため、外装ケース７から検出素子１へ機械的応力が伝わり難くなるので、検出素子１が歪まず、温度が変動しても検出素子１の特性が変わり難くなり、その結果、温度に依存した検出誤差を低減することが可能となる。

また、梁状部材６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄが設けられた台座６と検出素子１との間に集積回路素子４が介装されているので、台座６と検出素子１の熱膨張係数差から生じる機械的応力を集積回路素子４で緩和することができるので、検出素子１が歪まず、温度が変動しても検出素子１の特性が変わり難くなり、温度に依存した検出誤差を一層低減することが可能となる。

さらに、検出素子１とこれが接着される集積回路素子４の熱膨張係数が略同じとされているので、それらの間に温度変動による機械的応力が生じ難くなる。そのため、検出素子１の特性が変わり難くなり、温度に依存した検出誤差を一層低減することが可能となる。

なお、上記に加えて、集積回路素子４とこれが接着される台座６の熱膨張係数も略同じにすれば、それらの間に温度変動による機械的応力が生じ難くなるので、温度に依存した検出誤差を一層低減することが可能となる。また、検出素子１を集積回路素子４に接着するための接着剤７２、及び、集積回路素子４を台座６に接着するための接着剤７３として、弾性を有するものを用いると、熱膨張係数差から生じる機械的応力を一層緩和できる。

次に、本発明に係る物理量検出装置１００の理解をより深めるべく、前記検出素子１の具体的な構成を、図３（断面図）、図４（図３のＢ−Ｂ矢視断面図）を参照しながら説明する。ここでは、加速度と角速度を同時に検出可能とした検出素子を例にとっている。

図示例の検出素子１は、例えば、活性層（表面単結晶層）、犠牲層（埋込み酸化膜層）、シリコン基板からなる積層構造を持つＳＯＩ（Silicon-On-Insurator）ウェハの活性層をＤＥＥＰ−ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法等の深堀加工技術を用いて、所望の形状に加工し、犠牲層１６をフッ酸でエッチングすることによりシリコン基板１７と活性層を分離して質量体１０や電極２１ｃ、２１ｄ、固定枠１５を形成し、さらに、真空中でガラス１８と固定枠１５、電極２１ｃ、２１ｄを陽極接合して、中空構造（空所１Ｓ）を形成する方法で作製される。なお、前記ガラス１８は質量体１０が自由に移動するための空間となるざぐり１８ａと電極２１ｃ、２１ｄを電気接続するための孔１８ｂを有する。さらに、陽極接合した後に、電極２１ｃ、２１ｄ部を含むように電気接続を兼ねたワイヤボンディングパッド１９を蒸着する。

図４（図３のＢ−Ｂ矢視断面図）は、ＤＥＥＰ−ＲＩＥ法によって加工された活性層の形状を示し、この図からわかるように、検出素子１は、Ｘ方向及びＹ方向に移動可能な質量体１０、屈曲ばね部１１ａ〜１１ｄ、このばね部１１ａ〜１１ｄの支点と兼用している電極１２ａ〜１２ｄ、質量体１０に付随した櫛歯２１ａ、２２ａ、３１ａ、３２ａ、３３ａ、３４ａ、固定櫛歯２１ｂ、２２ｂ、３１ｂ、３２ｂ、３３ｂ、３４ｂ、固定櫛歯の電極３１ｃ、３２ｃ、３３ｃ、３４ｃ、及び固定枠１５を備えている。

前記櫛歯２１ａと櫛歯２１ｂ、櫛歯２２ａと櫛歯２２ｂで、コンデンサ（それぞれの符号を２１、２２とする）を形成する。なお、これらの櫛歯におけるＹ方向の間隔は一定である。したがって、質量体１０が＋Ｘ方向に移動（変位）すると、コンデンサ２１の容量は増加し、コンデンサ２２の容量は減少する。一方、＋Ｙ方向へ移動（変位）した場合、移動距離がＹ方向のギャップに対し充分小さければ容量の変化は無視できる。

かかる構成のコンデンサ２１、２２は、質量体１０の駆動用コンデンサとして用いる。ここで、図５に示される如くに、オフセット電圧４７を持つ逆位相の交流電圧４８ａ、８ｂを電極２１ｂ、２２ｂに印加すると、Ｘ方向へ交流の駆動力が生じ、質量体１０が振動する。なお、この駆動周波数は２ｋＨｚから１０ｋＨｚ程度とする。また、この駆動信号は集積回路素子４で生成する。一方、櫛歯３１ａと櫛歯３１ｂ、櫛歯３２ａと櫛歯３２ｂ、櫛歯３３ａと櫛歯３３ｂ、櫛歯３４ａと櫛歯３４ｂもコンデンサ（それぞれの符号を３１、３２、３３、３４とする）を形成する。これらの櫛歯におけるＹ方向の間隔は、図４に示される如くに、片側が広く、片側が狭い構成となっている。つまり、質量体１０が＋Ｘ方向に移動（変位）すると、コンデンサ３２、３４の容量は増加、コンデンサ３１、３３の容量は減少する。一方、＋Ｙ方向へ移動（変位）した場合、コンデンサ３１、３２の容量は増加、コンデンサ３３、３４の容量は減少する。なお、質量体１０は駆動用のコンデンサ２１、２２に印加された駆動信号により、駆動周波数による交流的な容量変化を持つ。

このように構成された物理量検出装置１００において、加速度及び角速度の検出は次のようにして行われる。まず、＋Ｘ方向に加速された場合、質量体は＋Ｘ方向に移動する。つまり、コンデンサ３２、３４の容量の平均値は増加、コンデンサ３１、３３の容量の平均値は減少する。また、＋Ｙ方向に加速された場合、質量体は＋Ｙ方向に移動する。つまり、コンデンサ３１、３２の容量の平均値は増加、コンデンサ３３、３４の容量の平均値は減少する。さらに、Ｚ軸周りに、ある角度分回転した場合、質量体１０がＸ方向に振動しているために、コリオリの力によってＹ方向に振動を始める。つまり、コンデンサ３１〜３４は駆動周波数で交流的に変動し、かつ、コンデンサ３１、３２の容量、コンデンサ３３、３４の容量の変動は逆位相となる。

そこで、図６に示すように、４つのＣＶ変換回路４１〜４４で、コンデンサ３１〜３４の容量を電圧に変換し、コンデンサ３１、３２の容量を変換した電圧を加算、コンデンサ３３、３４の容量を変換した電圧を減算する加減算器４５ａを介し、さらに、カットオフ周波数が加速度の周波数帯域（例えば数１０Ｈｚ以下）と駆動周波数の間である低域通過型回路４６ａを通過させるとＹ方向加速度に比例した電圧が得られる。

一方、カットオフ周波数が加速度の周波数帯域と駆動周波数の間である高域通過型回路４６ｃを通過させると角速度に比例した電圧振幅が得られる。また、コンデンサ３２、３４の容量を変換した電圧を加算、コンデンサ３１、３３の容量を変換した電圧を減算する加減算器４５ｂを介し、さらに、カットオフ周波数が加速度の周波数帯域と駆動周波数の間である低域通過型回路４６ｂを通過させるとＸ方向加速度に比例した電圧が得られる。

一方、カットオフ周波数が加速度の周波数帯域と駆動周波数の間である高域通過型回路４６ｄを通過させた振幅信号は、質量体１０の駆動振幅モニタとして用いることができる。なお、この信号処理は集積回路素子４で行なわれる。

以上のように、物理量検出装置１００では、検出素子１内の質量体１０の微小変位に基づいて加速度及び角速度を検出するようにしており、したがって、検出素子１に熱膨張係数の差に起因する歪が生じると検出誤差が増大するが、前記のように、本実施形態の物理量検出装置１００では、検出素子１と外装ケース７との間に弾性（所定のばね特性）を有する梁状部材６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄを介装する等の対策が講じられているので、検出素子１に歪が生じ難くなり、そのため、温度に依存した検出誤差を低減することが可能となる。

なお、物理量検出装置１００のプリント基板９への実装例として、図７に示される如くに、プリント基板９を地平面に対して垂直方向に立てて配置するとともに、物理量検出装置１００において半田付け端子６３を上下２列に分散配置してこれらをプリント基板９に半田付けして、加速度検出方向が地平面と平行なＸ方向、Ｙ方向となるように、検出素子１をプリント基板９に対して垂直に実装するようにしてもよい（物理量検出装置１００Ａ）。なお、この場合も、外装ケース７には、必要に応じてカバー７１ａ、７１ｂを設けてもよい。

また、物理量検出装置１００の他の構成例として、図８に示される如くに、検出素子１と集積回路素子４との間にベース基板８１を接着剤８２にて接着した構成としてもよい（物理量検出装置１００Ｂ）。かかる構成とすれば、ベース基板８１に集積回路素子４から一定のオフセット電圧を与えることにより、検出素子１の動作をより安定させることができる。また、図９に示される如くに、検出素子１上に別の集積回路素子９１を接着剤９２で接着した構成としてもよい（物理量検出装置１００Ｃ）。

本発明に係る物理量検出装置の一実施形態を示す概略構成図。図１のＡ−Ａ矢視断面図。図１に示される検出素子の断面図。図４のＢ−Ｂ矢視断面図。図４に示される検出素子内の質量体駆動用回路の一例を示す図。図４に示される検出素子が用いられた物理量検出装置における検出回路の一例を示す図。図１に示される物理量検出装置の一変形例を示す外観図。図１に示される物理量検出装置の他の変形例を示す断面図。図１に示される物理量検出装置の別の変形例を示す断面図。

符号の説明

１００…物理量検出装置
１ …検出素子
４ …集積回路素子
６ …台座
６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄ…梁状部材
６３ａ〜６３ｈ…半田付け端子
７ …外装ケース
７２ …接着剤
７３ …接着剤
９ …プリント基板

Claims

検出すべき物理量に応じて変位する質量体を持つ検出素子と、該検出素子が接着される回路素子と、前記検出素子及び前記回路素子が収容ないし搭載される外装部材と、を備え、前記回路素子は、弾性を有する梁状部材を介して前記外装部材に支持されていることを特徴とする物理量検出装置。
検出すべき物理量に応じて変位する質量体を持つ検出素子と、該検出素子が接着される、当該検出素子と略同じ熱膨張係数を有する回路素子と、前記検出素子及び回路素子が収容ないし搭載される外装ケースと、を備え、前記回路素子は、前記外装ケースに一端側が連結固定された弾性を有する複数の梁状部材により支持されていることを特徴とする物理量検出装置。
検出すべき物理量に応じて変位する質量体を持つ検出素子と、該検出素子が接着される、当該検出素子と略同じ熱膨張係数を有する回路素子と、該回路素子が接着される台座と、前記検出素子、前記回路素子、及び前記台座が収容ないし搭載される外装ケースと、を備え、前記台座に弾性を有する複数の梁状部材が設けられるとともに、該梁状部材の自由端側が前記外装ケースに連結固定されていることを特徴とする物理量検出装置。
前記台座は、前記回路素子の熱膨張係数と略同じ熱膨張係数を有していることを特徴とする請求項３に記載の物理量検出装置。
検出すべき物理量に応じて変位するように質量体が形成ないし配在された上側シリコン層、中間ガラス層、及び下側シリコン層からなる３層構造の検出素子と、該検出素子の下側シリコン層が接着される、前記検出素子の制御や信号検出のためのシリコン集積回路素子と、前記検出素子及びシリコン集積回路素子が収容ないし搭載される外装ケースと、を備え、前記シリコン集積回路素子は、前記外装ケースに一端側が連結固定された弾性を有する複数の梁状部材により支持されていることを特徴とする物理量検出装置。
検出すべき物理量に応じて変位するように質量体が形成ないし配在された上側シリコン層、中間ガラス層、及び、下側シリコン層からなる３層構造の検出素子と、該検出素子の下側シリコン層が接着される、前記検出素子の制御や信号検出のためのシリコン集積回路素子と、該シリコン集積回路素子が接着される台座と、前記検出素子、シリコン集積回路素子、及び台座が収容ないし搭載される外装ケースと、を備え、前記台座に弾性を有する複数の梁状部材が設けられるとともに、該梁状部材の自由端側が前記外装ケースに連結固定されていることを特徴とする物理量検出装置。
前記台座は、前記シリコン集積回路素子の熱膨張係数と略同じ熱膨張係数を有していることを特徴とする請求項６に記載の物理量検出装置。
前記梁状部材は、板ばね状に形成されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の物理量検出装置。
前記梁状部材は、アロイ等の金属材料で作製されていることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の物理量検出装置。
前記梁状部材は、電気的な接続端子を兼ねていることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の物理量検出装置。
検出対象の物理量が加速度であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の物理量検出装置。
検出対象の物理量が角速度であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の物理量検出装置。
検出対象の物理量が加速度と角速度であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の物理量検出装置。