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JP2007227654A - Wiring board - Google Patents

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JP2007227654A
JP2007227654A JP2006047123A JP2006047123A JP2007227654A JP 2007227654 A JP2007227654 A JP 2007227654A JP 2006047123 A JP2006047123 A JP 2006047123A JP 2006047123 A JP2006047123 A JP 2006047123A JP 2007227654 A JP2007227654 A JP 2007227654A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solder
resist layer
exposed hole
solder resist
wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006047123A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinya Miyamoto
慎也 宮本
Hidekazu Hanaki
秀和 花木
Seiji Mori
聖二 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to JP2006047123A priority Critical patent/JP2007227654A/en
Publication of JP2007227654A publication Critical patent/JP2007227654A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring board which is possible to make good a solder bump formed in a resin insulation layer (solder resist layer), serving for high density wiring and high pin-count. <P>SOLUTION: The wiring board 1 is equipped with a wiring lamination L1 having a main surface CP and a solder resist layer SR1. The thickness of the solder resist layer SR1 is made to be more than 25μm, an exposure opening 9 is provided to expose a conductor pad 10 formed in the main surface CP of the wiring lamination portion L1 in the solder resist layer SR1, a solder bump 11 connected to the conductor pad 10 is formed in the exposure opening 9, the inside wall 9c of the exposure opening 9 is a tapered plane whose diameter becomes large as it goes toward the opening side in the direction of the board thickness, and the difference in diameter of the tapered plane is more than 5μm between the upper surface 9a of the exposure opening 9 and the bottom surface 9b of the exposure opening 9. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、配線基板に関する。   The present invention relates to a wiring board.

配線基板は、その一主面にLSIやICチップ等の電子部品を搭載する際に用いる多数の導体(電極)を備えており、他方の主面にはマザーボード等と接続するための多数の導体(電極)及びそれに設置された接続端子を備えたものとされている。このようなタイプの配線基板においては、搭載するLSIやICチップあるいはチップコンデンサなどの電子部品の高密度集積化を図るために、高密度配線化及び多端子化が求められている。
特開平11−26892号公報
The wiring board has a large number of conductors (electrodes) used for mounting electronic components such as LSIs and IC chips on one main surface thereof, and a large number of conductors for connection to a mother board or the like on the other main surface. (Electrode) and a connection terminal installed on the electrode. In such a type of wiring board, in order to achieve high-density integration of electronic components such as LSI, IC chip or chip capacitor to be mounted, high-density wiring and multi-terminals are required.
JP 11-26892 A

従来から、例えばICチップを配線基板に実装する場合には、ICチップ及び配線基板の接続面に、複数の半田バンプを格子状又は千鳥状に形成し、これにICチップを重ね合わせて所定の接続温度に加熱することにより半田バンプを介して両者を接続する、いわゆるフリップチップと呼ばれる接続方式が知られている。   Conventionally, for example, when an IC chip is mounted on a wiring board, a plurality of solder bumps are formed in a grid shape or a staggered pattern on the connection surface of the IC chip and the wiring board, and the IC chip is overlaid on the predetermined surface. A so-called flip chip connection method is known in which both are connected via solder bumps by heating to a connection temperature.

そして、上述のような配線基板に半田バンプを形成する方法としては、半田ペーストをスクリーンマスク(あるいはメタルマスク)を介して基板上の所定位置に設けられた開口(露出孔)に印刷し、さらにこれを加熱(リフロー)して半田ペーストを溶融させることにより基板上に半田バンプを形成する半田ペースト印刷法が知られている。   As a method of forming solder bumps on the wiring board as described above, solder paste is printed in an opening (exposed hole) provided at a predetermined position on the board through a screen mask (or metal mask), A solder paste printing method is known in which solder bumps are formed on a substrate by heating (reflowing) this to melt the solder paste.

しかしながら、半田ペースト印刷法によりこれら開口に半田バンプを形成する方法においては、塗布される半田ペーストの体積にばらつきが生じ易く、例えばその開口(露出孔)に対し体積が過剰となった場合には、リフロー時に溶融した半田の表面張力により半田が開口の上側に浮き上がり、底側にある導体(電極)と溶着されず半田バンプ欠損不良が発生する恐れがあり、逆に開口(露出孔)に対し体積が不足した場合には、ICチップ等を基板に実装する際に半田バンプの高さが不足して部品実装時の端子間接続不良等を招く恐れがあるため電気的接続信頼性が得られないという問題がある。   However, in the method of forming solder bumps in these openings by the solder paste printing method, the volume of the applied solder paste is likely to vary. For example, when the volume is excessive with respect to the opening (exposed hole) Due to the surface tension of the solder melted during reflow, the solder floats to the upper side of the opening and may not be welded to the conductor (electrode) on the bottom side, resulting in defective solder bump defects. If the volume is insufficient, the reliability of electrical connection can be obtained because the solder bump height is insufficient when mounting an IC chip or the like on the board, leading to poor connection between terminals during component mounting. There is no problem.

そこで、半田バンプを良好に形成するためにこれら開口を大きくすることが考えられるが、大きすぎると配線基板の高密度配線化の妨げとなるジレンマがあり、また開口が設けられる基板の主表面をなす樹脂絶縁層(ソルダーレジスト層)の厚みを薄くすることが考えられるが、薄すぎると導体の保護、導体間の絶縁性の維持等の信頼性が得られないというジレンマがある。   Therefore, it is conceivable to enlarge these openings in order to satisfactorily form solder bumps, but if it is too large, there is a dilemma that hinders high-density wiring of the wiring board, and the main surface of the board on which the openings are provided Although it is conceivable to reduce the thickness of the resin insulating layer (solder resist layer), there is a dilemma that if it is too thin, reliability such as protection of conductors and maintenance of insulation between conductors cannot be obtained.

本発明の課題は、樹脂絶縁層(ソルダーレジスト層)に形成された半田バンプを良好なものとすることが可能で高密度配線化及び多端子化となる配線基板を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a wiring board capable of improving the solder bumps formed on a resin insulating layer (solder resist layer) and achieving high-density wiring and multiple terminals.

課題を解決するための手段及び効果Means and effects for solving the problems

上記課題を解決するために、本発明の配線基板は、
主表面を有する配線積層部とソルダーレジスト層とを備える配線基板であって、
前記ソルダーレジスト層の厚さが25μmより上とされ、
該ソルダ−レジスト層には、前記配線積層部の主表面に形成された導体パッドを露出させる露出孔が設けられ、該露出孔に該導体パッドと接続された半田バンプが形成されており、
当該露出孔の内周壁が板厚方向開口側に向かうほど径が大きくなるテーパ面であって、前記露出孔上面及び前記露出孔底面の直径差は5μm以上のテーパ面とされてなることを特徴とする。
In order to solve the above problems, the wiring board of the present invention is:
A wiring board comprising a wiring laminate having a main surface and a solder resist layer,
The solder resist layer has a thickness of more than 25 μm;
The solder-resist layer is provided with an exposed hole for exposing a conductor pad formed on the main surface of the wiring laminated portion, and a solder bump connected to the conductor pad is formed in the exposed hole,
The exposed hole is a tapered surface having a diameter that increases toward the opening in the thickness direction, and a difference in diameter between the upper surface of the exposed hole and the bottom surface of the exposed hole is a tapered surface of 5 μm or more. And

上記本発明によれば、ソルダーレジスト層が25μmより厚く形成され、露出孔の内周壁が板厚方向開口側に向かうほど径が大きくなるテーパ面(換言すれば、内周壁が板厚方向底部側に向かうほど径が小さくなるテーパ面)で形成されているので、具体的には、露出孔上面と底面との直径差が5μm以上となるテーパ面で形成されているので、ソルダーレジスト層を厚く形成した場合にも、高密度配線化を実現するとともに、露出孔の開口が大きく設けられているので、その形成された半田バンプを良好なものとすることができる。また、ソルダーレジスト層が厚く形成されているので、半田の付着防止、導体の保護、導体間の絶縁性の維持等で信頼性を得ることができる。一方、露出孔上面と底面との直径差が5μmより下となると、ソルダーレジスト層を厚く形成した場合に、露出孔の開口を十分に大きく設けることができなくなり、良好な半田バンプを形成することができなくなる。   According to the present invention, the solder resist layer is formed to be thicker than 25 μm, and the taper surface whose diameter increases as the inner peripheral wall of the exposure hole moves toward the opening side in the plate thickness direction (in other words, the inner peripheral wall is on the bottom side in the plate thickness direction). Since the diameter difference between the upper surface and the bottom surface of the exposed hole is 5 μm or more, specifically, the solder resist layer is thickened. Even when formed, high-density wiring can be realized, and since the opening of the exposed hole is provided large, the formed solder bump can be made favorable. In addition, since the solder resist layer is formed thick, reliability can be obtained by preventing adhesion of solder, protecting conductors, maintaining insulation between conductors, and the like. On the other hand, when the difference in diameter between the top and bottom surfaces of the exposed hole is less than 5 μm, when the solder resist layer is formed thick, the opening of the exposed hole cannot be provided sufficiently large, and a good solder bump is formed. Can not be.

また、本発明の配線基板は、
主表面を有する配線積層部とソルダーレジスト層とを備える配線基板であって、
該ソルダ−レジスト層には、前記配線積層部の主表面に形成された導体パッドを露出させる露出孔が設けられ、該露出孔に該導体パッドと接続された半田バンプが形成されており、
当該露出孔の内周壁が板厚方向開口側に向かうほど径が大きくなるテーパ面とされ、
前記ソルダーレジスト層の厚みをL、前記露出孔上面及び底面の直径差をdとしたとき、L/dが10以下の範囲であることを特徴とする。
The wiring board of the present invention is
A wiring board comprising a wiring laminate having a main surface and a solder resist layer,
The solder-resist layer is provided with an exposed hole for exposing a conductor pad formed on the main surface of the wiring laminated portion, and a solder bump connected to the conductor pad is formed in the exposed hole,
The inner peripheral wall of the exposed hole is a tapered surface whose diameter increases toward the opening in the thickness direction,
When the thickness of the solder resist layer is L and the difference in diameter between the top and bottom surfaces of the exposed hole is d, L / d is in the range of 10 or less.

上記本発明によれば、露出孔の内周壁が板厚方向開口側に向かうほど径が大きくなるテーパ面で形成され、ソルダーレジスト層の厚みをL、露出孔上面及び底面の直径差(以下、単に径差というときもある)をdとしたときにL/dを10以下とすることで、テーパ面による半田ペーストの接触領域が十分に確保することができるので、例えばリフロー時に溶融した半田の表面張力が発生した場合にも半田が開口の上側に浮き上がるのを抑制することができ、また、リフロー時に溶融した半田の進入が容易となり露出孔底部まで到達しやすくなるため導体パッドに溶着しやすくなる。L/dを10より大きくした場合には、より露出孔の傾斜が急勾配(略垂直に近づく)となるので、ソルダーレジスト層の厚みに対して半田ペーストを印刷するのに十分な開口を確保することができなくなり、信頼性ある導体パッドとの接続を行うことができない恐れがある。なお、この開口に半田ペーストの印刷工程を繰り返し行うことで、半田バンプを形成することもできるが、その場合には、作業効率が悪くなり、製造コストが高くなってしまう場合がある。他方、L/dは1以上であることが望ましい。1よりも小さくなると、露出孔開口が広がりすぎてしまい、配線領域が縮小するため高密度配線化の妨げとなってきてしまう。   According to the present invention, the inner peripheral wall of the exposed hole is formed with a tapered surface whose diameter increases toward the opening in the plate thickness direction, the thickness of the solder resist layer is L, the difference in diameter between the upper surface and the bottom surface of the exposed hole (hereinafter, By setting L / d to 10 or less when d is simply the diameter difference, a contact area of the solder paste by the taper surface can be sufficiently secured. Even when surface tension occurs, the solder can be prevented from floating above the opening, and the melted solder can easily enter during reflow and reach the bottom of the exposed hole, making it easy to weld to the conductor pad. Become. When L / d is greater than 10, the exposed hole slope becomes steeper (approx. Almost perpendicular), so that sufficient opening is provided to print the solder paste against the thickness of the solder resist layer. There is a risk that the connection with the reliable conductor pad cannot be performed. It should be noted that solder bumps can be formed by repeatedly performing the solder paste printing process in this opening. However, in this case, the work efficiency may deteriorate and the manufacturing cost may increase. On the other hand, L / d is desirably 1 or more. If it is smaller than 1, the opening of the exposed hole is excessively widened, and the wiring area is reduced, which hinders high density wiring.

また本発明の配線基板は、
主表面を有する配線積層部とソルダーレジスト層とを備える配線基板であって、
該ソルダ−レジスト層には、前記配線積層部の主表面に形成された導体パッドを露出させる露出孔が設けられ、該露出孔に該導体パッドと接続された半田バンプが形成されており、
当該露出孔の内周壁が板厚方向開口側に向かうほど径が大きくなるテーパ面とされ、
前記ソルダーレジスト層の厚みをL、前記露出孔の底面直径をr、前記露出孔上面及び底面の直径差をdとしたとき、7d+0.7r≧32+2Lの範囲であることを特徴とする。
The wiring board of the present invention is
A wiring board comprising a wiring laminate having a main surface and a solder resist layer,
The solder-resist layer is provided with an exposed hole for exposing a conductor pad formed on the main surface of the wiring laminated portion, and a solder bump connected to the conductor pad is formed in the exposed hole,
The inner peripheral wall of the exposed hole is a tapered surface whose diameter increases toward the opening in the thickness direction,
When the thickness of the solder resist layer is L, the bottom diameter of the exposed hole is r, and the diameter difference between the top and bottom surfaces of the exposed hole is d, the range is 7d + 0.7r ≧ 32 + 2L.

上記本発明によれば、露出孔の内周壁が板厚方向開口側に向かうほど径が大きくなるテーパ面で形成され、ソルダーレジスト層の厚みをL、露出孔の底面直径(以下、単に底面径というときもある)をr、露出孔上面及び底面の径差をdとしたとき、7d+0.7r≧32+2Lとすることで、例えばソルダーレジスト層の厚みを所定の厚さで形成した場合に、露出孔の底面径を大きく形成していくと露出孔の上面と底面との径差を小さくすることが可能となり、反対に、径差を大きく形成していくと底面径を小さく形成することが可能となるため、高密度配線化を実現するとともに十分な大きさの開口を備える露出孔を形成することができるので、その露出孔に形成された半田バンプが良好なものとなる。また、ソルダーレジスト層の厚みに対応して、露出孔の大きさ(底面径)、形状(テーパ面)が設けられ、ソルダーレジスト層が厚くなると、底面径もしくは径差が大きく形成され、反対に、薄くなると、底面径もしくは径差が小さく形成することができるので、ソルダーレジスト層の厚さに対して十分な開口を備える露出孔を形成することができるので、その露出孔に形成された半田バンプが良好なものとなる。   According to the present invention, the inner peripheral wall of the exposed hole is formed with a tapered surface whose diameter increases toward the opening in the thickness direction, the thickness of the solder resist layer is L, the bottom diameter of the exposed hole (hereinafter simply referred to as the bottom diameter). Where r is the diameter difference between the upper surface and the bottom surface of the exposed hole, and d is 7d + 0.7r ≧ 32 + 2L. For example, when the solder resist layer is formed with a predetermined thickness, it is exposed. Increasing the bottom diameter of the hole can reduce the difference in diameter between the top and bottom surfaces of the exposed hole, and conversely, increasing the diameter difference can reduce the bottom diameter. Therefore, since it is possible to form a high-density wiring and to form an exposed hole having a sufficiently large opening, the solder bump formed in the exposed hole becomes good. Also, corresponding to the thickness of the solder resist layer, the size (bottom diameter) of the exposed hole is provided and the shape (tapered surface). When the thickness is reduced, the bottom surface diameter or the difference in diameter can be formed small, so that an exposed hole having a sufficient opening with respect to the thickness of the solder resist layer can be formed. Therefore, the solder formed in the exposed hole Bumps are good.

露出孔は、上記条件でソルダーレジスト層に形成されるため、得られる半田バンプの体積と形状の安定化を図ることができ、また、良好な半田バンプを形成することができるので配線基板の半田工程歩留りを向上させることができ、ひいては作業性に優れたものとなる。さらに、露出孔外への半田の流出が起こり難くなるので、例えば隣の露出孔に設けられた半田と短絡する半田ブリッジの発生が抑制され電気的接続信頼性を得ることができる。   Since the exposed hole is formed in the solder resist layer under the above conditions, the volume and shape of the obtained solder bump can be stabilized, and a good solder bump can be formed. The process yield can be improved, and the workability is excellent. Furthermore, since the solder does not easily flow out of the exposed hole, for example, the occurrence of a solder bridge that is short-circuited with the solder provided in the adjacent exposed hole is suppressed, and electrical connection reliability can be obtained.

以下、本発明の実施の形態を、図面を用いて説明する。
図1は本発明の一実施形態に係る配線基板1の断面構造を模式的に示すものである。このように配線基板1は、耐熱性樹脂板(たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板)や、繊維強化樹脂板(たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂)等で構成された板状コア2の両表面MP1,MP2に、所定の配線パターンをなすコア導体層M1,M11がそれぞれ形成される。これらコア導体層M1,M11は板状コア2の表面の大部分を被覆する面導体パターンとして形成され、電源層または接地層として用いられるものである。他方、板状コア2には、ドリル等により穿設されたスルーホール12が形成され、その内壁面にはコア導体層M1,M11を互いに導通させる内壁面メッキ層(スルーホール導体)30が形成されている。また、スルーホール12には、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材31がスルーホール導体30の内側に充填形成されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 schematically shows a cross-sectional structure of a wiring board 1 according to an embodiment of the present invention. As described above, the wiring board 1 includes both surfaces MP1 and MP2 of the plate-like core 2 made of a heat-resistant resin plate (for example, a bismaleimide-triazine resin plate) or a fiber reinforced resin plate (for example, a glass fiber reinforced epoxy resin). In addition, core conductor layers M1 and M11 having a predetermined wiring pattern are formed. These core conductor layers M1 and M11 are formed as a plane conductor pattern that covers most of the surface of the plate-like core 2, and are used as a power supply layer or a ground layer. On the other hand, the plate-like core 2 is formed with a through-hole 12 drilled by a drill or the like, and an inner wall surface plating layer (through-hole conductor) 30 for connecting the core conductor layers M1 and M11 to each other is formed on the inner wall surface. Has been. The through hole 12 is filled with a resin filling material 31 such as an epoxy resin inside the through hole conductor 30.

コア導体層M1,M11の上層には、コア導体層M1,M11も含め配線積層部L1,L2が形成されている。具体的には、感光性または熱硬化性樹脂組成物6にて構成された第1樹脂絶縁層(ビルドアップ樹脂絶縁層)V1,V11がそれぞれ形成されている。さらに、その表面にはそれぞれ所定パターンをなす金属配線7を有する第1導体層M2,M12がCuメッキにより形成されている。なお、コア導体層M1,M11と第1導体層M2,M12とは、それぞれビア34により層間接続がなされている。同様に、第1導体層M2,M12の上層には、感光性または熱硬化性樹脂組成物6を用いた第2樹脂絶縁層(ビルドアップ樹脂絶縁層)V2,V12がそれぞれ形成されている。その表面には、金属端子パッド(導体パッド)10,17を有する第2導体層M3,M13が形成されている。これら第1導体層M2,M12と第2導体層M3,M13とは、それぞれビア34により層間接続がなされている。このビア34は、ビアホール34hとその内周面に設けられたビア導体34sと、底面側にてビア導体34sと導通するように設けられたビアパッド34pと、ビアパッド34pと反対側にてビア導体34hの開口周縁から外向きに張り出すビアランド34lとを有している。ビアホール34hは、各樹脂絶縁層を感光性樹脂を用いる場合には、所定パターンでマスクされて紫外線で露光、現像等することにより形成される。また、熱硬化性樹脂を用いる場合には、レーザまたはプラズマ等によって穿孔し形成される。   In the upper layer of the core conductor layers M1 and M11, wiring laminated portions L1 and L2 are formed including the core conductor layers M1 and M11. Specifically, first resin insulation layers (build-up resin insulation layers) V1 and V11 made of a photosensitive or thermosetting resin composition 6 are formed. Further, first conductor layers M2 and M12 having metal wirings 7 each having a predetermined pattern are formed on the surface by Cu plating. The core conductor layers M1 and M11 and the first conductor layers M2 and M12 are interconnected by vias 34, respectively. Similarly, second resin insulation layers (build-up resin insulation layers) V2 and V12 using the photosensitive or thermosetting resin composition 6 are formed on the first conductor layers M2 and M12, respectively. On the surface, second conductor layers M3 and M13 having metal terminal pads (conductor pads) 10 and 17 are formed. The first conductor layers M2, M12 and the second conductor layers M3, M13 are connected to each other through vias 34. The via 34 includes a via hole 34h, a via conductor 34s provided on the inner peripheral surface thereof, a via pad 34p provided so as to be electrically connected to the via conductor 34s on the bottom surface side, and a via conductor 34h on the opposite side of the via pad 34p. Via land 34l projecting outward from the peripheral edge of the opening. When the photosensitive resin is used for each resin insulating layer, the via hole 34h is formed by being masked with a predetermined pattern, exposed to ultraviolet light, developed, and the like. Further, when a thermosetting resin is used, it is formed by drilling with a laser or plasma.

また、第2導体層M3,M13及び第2樹脂絶縁層V2,V12の上層には、感光性または熱硬化性樹脂組成物8,18を用いたソルダーレジスト層SR1,SR11がそれぞれ形成されており、金属端子パッド10,17に対応する位置にそのパッドを露出するための露出孔9,19が設けられている。また、少なくとも露出孔9においては、後述する内周壁が板厚方向開口側に向かうほど径が大きくなるテーパ面とされている。なお、露出孔9,19は、ビアホール34hと同様にソルダーレジスト層SR1,SR11に感光性樹脂を用いる場合には、所定パターンでマスクされて紫外線で露光、現像等することにより形成される。また、熱硬化性樹脂を用いる場合には、レーザまたはプラズマ等によって穿孔し形成される。   Also, solder resist layers SR1 and SR11 using photosensitive or thermosetting resin compositions 8 and 18 are formed on the second conductor layers M3 and M13 and the second resin insulation layers V2 and V12, respectively. Exposed holes 9 and 19 are provided at positions corresponding to the metal terminal pads 10 and 17 to expose the pads. Further, at least in the exposure hole 9, the inner peripheral wall described later has a tapered surface whose diameter increases toward the opening in the plate thickness direction. In the case where a photosensitive resin is used for the solder resist layers SR1 and SR11 as in the case of the via hole 34h, the exposure holes 9 and 19 are formed by being masked with a predetermined pattern and exposed to ultraviolet light, developed, or the like. Further, when a thermosetting resin is used, it is formed by drilling with a laser or plasma.

このように、板状コア2の表面MP1においては、コア導体層M1、第1樹脂絶縁層V1、第1導体層M2、第2樹脂絶縁層V2および第2導体層M3が積層されて第1の配線積層部L1が形成されている。また、板状コア2の表面MP2においては、コア導体層M11、第1樹脂絶縁層V11、第1導体層M12、第2樹脂絶縁層V12および第2導体層M13が積層されて第2の配線積層部L2が形成されている。配線積層部L1,L2は、いずれも樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層されたものであり、板状コア2から遠い側の主表面CPには、複数の金属端子パッド10,17およびソルダーレジスト層SR1,SR11がそれぞれ形成されている。   Thus, on the surface MP1 of the plate-like core 2, the core conductor layer M1, the first resin insulation layer V1, the first conductor layer M2, the second resin insulation layer V2, and the second conductor layer M3 are laminated to form the first. The wiring laminated portion L1 is formed. On the surface MP2 of the plate-like core 2, the core conductor layer M11, the first resin insulation layer V11, the first conductor layer M12, the second resin insulation layer V12, and the second conductor layer M13 are laminated to form the second wiring. A stacked portion L2 is formed. Each of the wiring laminated portions L1 and L2 is formed by alternately laminating resin insulating layers and conductor layers, and a plurality of metal terminal pads 10 and 17 and a main surface CP far from the plate-like core 2 are provided on the main surface CP. Solder resist layers SR1 and SR11 are respectively formed.

第1配線積層部L1側の金属端子パッド10は、ICチップなどをフリップチップ接続するためのパッド(FCパッド)である半田ランドを構成する。また、第2配線積層部L2側の金属端子パッド17は、配線基板自体をマザーボード等にピングリッドアレイ(PGA)あるいはボールグリッドアレイ(BGA)により接続するための裏面ランド(PGAパッド、BGAパッド)として利用されるものである。図2に示すように、金属端子パッド(半田ランド)10は配線基板1の主表面CPの略中央部分に格子状または千鳥状に配列し、各々その上に形成された半田バンプ11(図1参照)とともにチップ搭載部40を形成している。半田バンプ11は、たとえばSn−Pb半田もしくはSn−Ag、Sn−Cu、Sn−Ag−Cu、Sn−Sbなど実質的にPbを含有しない半田(Pbフリー半田)にて構成することができる。また、図3に示すように、第2導体層M13内の金属端子パッド(裏面ランド)17も、格子状に配列形成されている。なお、配線基板1において信号伝送経路は、板状コア2の一主表面側(第1配線積層部L1側)に形成された金属端子パッド10から、他方の主表面側(第2配線積層部L2側)に形成された金属端子パッド17に至る形で形成される。   The metal terminal pad 10 on the first wiring laminated portion L1 side constitutes a solder land that is a pad (FC pad) for flip-chip connection of an IC chip or the like. Further, the metal terminal pad 17 on the second wiring laminated portion L2 side is a back surface land (PGA pad, BGA pad) for connecting the wiring board itself to a mother board or the like by a pin grid array (PGA) or a ball grid array (BGA). It is used as. As shown in FIG. 2, the metal terminal pads (solder lands) 10 are arranged in a lattice shape or a staggered pattern at a substantially central portion of the main surface CP of the wiring board 1, and solder bumps 11 (FIG. 1) formed thereon, respectively. The chip mounting part 40 is formed together with the reference. The solder bump 11 can be composed of, for example, Sn—Pb solder or solder that does not substantially contain Pb (Pb-free solder) such as Sn—Ag, Sn—Cu, Sn—Ag—Cu, or Sn—Sb. As shown in FIG. 3, the metal terminal pads (back surface lands) 17 in the second conductor layer M13 are also arranged in a grid pattern. In the wiring board 1, the signal transmission path extends from the metal terminal pad 10 formed on one main surface side (first wiring laminated portion L 1 side) of the plate-like core 2 to the other main surface side (second wiring laminated portion). L2 side) is formed so as to reach the metal terminal pad 17 formed on the L2 side.

図4は、露出孔9を示す拡大模式図である。図4に示すように、第1配線積層部L1側に形成された露出孔9は、金属端子パッド10に対応する位置にソルダーレジスト層SR1を構成する樹脂組成物8を板厚方向に貫通して形成されてなり、開口する上面9aと、金属端子パッド10の表面が位置する底面9bと、上面9aと底面9bとで貫通して形成される内周壁9cとを有している。内周壁9cは各横断面略円形形状で底面9bから上面9a側に向かうほど径が大きくなるテーパ面とされている。また、底面9bにおいては、金属端子パッド10の外周縁よりも内側に位置しており、底面9b全面において金属端子パッド10の少なくとも一部が露出されている。これにより、ソルダーレジスト層SR1の露出孔9の内周壁9cを含む部分が金属端子パッド外縁被覆部となっている。この露出孔9に上述する半田バンプ11が充填形成され金属端子パッド10と接続される。   FIG. 4 is an enlarged schematic view showing the exposure hole 9. As shown in FIG. 4, the exposed hole 9 formed on the first wiring laminated portion L1 side penetrates the resin composition 8 constituting the solder resist layer SR1 in the plate thickness direction at a position corresponding to the metal terminal pad 10. An upper surface 9a that is open, a bottom surface 9b on which the surface of the metal terminal pad 10 is located, and an inner peripheral wall 9c that is formed through the upper surface 9a and the bottom surface 9b. The inner peripheral wall 9c has a substantially circular shape in each cross section and has a tapered surface whose diameter increases from the bottom surface 9b toward the top surface 9a. Further, the bottom surface 9b is located inside the outer peripheral edge of the metal terminal pad 10, and at least a part of the metal terminal pad 10 is exposed on the entire bottom surface 9b. Thereby, the part including the inner peripheral wall 9c of the exposed hole 9 of the solder resist layer SR1 is a metal terminal pad outer edge covering portion. The exposed holes 9 are filled with the solder bumps 11 described above and connected to the metal terminal pads 10.

ソルダーレジスト層SR1の金属端子パッド10の表面上に位置する部分の厚みL(本実施例においては、この厚みLをソルダーレジスト層の厚みという)は、20μm以上30μm以下とすることができる。また、露出孔9の底面9bの直径rは、80μm以上120μm以下とすることができる。また、露出孔9の上面9aと底面9bとの直径差dは5以上10μm以下とすることができる。このような条件でソルダーレジスト層SR1に露出孔9が形成されるため、例えば内周壁(テーパ面)9cによる半田バンプ11(図1参照)の形成が容易となり、得られる半田バンプ11の体積と形状の安定化を図ることができるため良好なものとすることができる。   The thickness L of the portion of the solder resist layer SR1 located on the surface of the metal terminal pad 10 (in this embodiment, this thickness L is referred to as the thickness of the solder resist layer) can be 20 μm or more and 30 μm or less. The diameter r of the bottom surface 9b of the exposure hole 9 can be set to 80 μm or more and 120 μm or less. Further, the diameter difference d between the upper surface 9a and the bottom surface 9b of the exposure hole 9 can be 5 or more and 10 μm or less. Since the exposed holes 9 are formed in the solder resist layer SR1 under such conditions, for example, the solder bumps 11 (see FIG. 1) can be easily formed by the inner peripheral wall (tapered surface) 9c, and the volume of the obtained solder bumps 11 can be reduced. Since the shape can be stabilized, it can be improved.

次に、図5を参照しながら本発明の配線基板1の製造工程について説明する。まず、周知のビルドアップ法等により、板状コア2の両表面に導体層と樹脂絶縁層とを交互に積層して、配線積層部L1,L2をそれぞれ形成する。次に、配線積層部L1,L2のうち最も外側(最上層)に位置する樹脂絶縁層6の主面(第1配線積層部L1及び第2配線積層部L2の各主表面CP)上に、金属端子パッド10,17を形成する(工程1参照)。具体的には、第1配線積層部L1および第2配線積層部L2の各主表面CPに、無電解Cuメッキを施し、その上にフォトレジスト等からなるマスク材をフォトリソグラフィー工程により、金属端子パッド10,17を有する導体層の形成予定領域が露出するように覆い、電解Cuメッキを施した後、マスク材を除去するとともに、無電解Cuメッキをエッチング除去する。このようにしてパターンメッキ工程を行い、金属端子パッド10,17を有する導体層(Cuメッキ層)を形成する。   Next, the manufacturing process of the wiring board 1 of the present invention will be described with reference to FIG. First, conductor layers and resin insulating layers are alternately laminated on both surfaces of the plate-like core 2 by a known build-up method or the like to form the wiring laminated portions L1 and L2. Next, on the main surface (each main surface CP of the first wiring stacked portion L1 and the second wiring stacked portion L2) of the resin insulating layer 6 located on the outermost (uppermost layer) of the wiring stacked portions L1 and L2, Metal terminal pads 10 and 17 are formed (see step 1). Specifically, each main surface CP of the first wiring laminated portion L1 and the second wiring laminated portion L2 is subjected to electroless Cu plating, and a mask material made of photoresist or the like is formed on the metal terminal by a photolithography process. The conductive layer including the pads 10 and 17 is covered so as to be exposed and subjected to electrolytic Cu plating, and then the mask material is removed and the electroless Cu plating is removed by etching. In this way, the pattern plating process is performed to form a conductor layer (Cu plating layer) having the metal terminal pads 10 and 17.

次に、図5の工程2〜4に示すように、配線積層部L1を構成する樹脂絶縁層6の主表面CP及び金属端子パッド10を有する導体層をソルダーレジスト層8にて覆う。続いて、ソルダーレジスト層8の表面を金属端子パッド10に対応してパターン化されたマスク材70で覆い、そのマスク材70を通して紫外線により露光、現像によって露出孔9を形成する。このとき、金属端子パッド10を個別に露出させるための露出孔9が形成されるとともに、露出孔9の底面周縁が金属端子パッド10の表面外周縁よりも内側に張り出して位置するように形成する。なお、ソルダーレジスト層としてネガ型を用いた場合には、通常(露出孔を垂直に形成する場合)の露光及び現像時間よりも長く露光及び現像することにより、また、ポジ型を用いた場合には、逆に露光及び現像を短くすることで露出孔9の内周壁9cがテーパ状をなすように形成する。   Next, as shown in Steps 2 to 4 in FIG. 5, the conductor layer having the main surface CP of the resin insulating layer 6 and the metal terminal pads 10 constituting the wiring laminated portion L <b> 1 is covered with the solder resist layer 8. Subsequently, the surface of the solder resist layer 8 is covered with a mask material 70 patterned corresponding to the metal terminal pad 10, and exposed holes 9 are formed by exposure and development with ultraviolet rays through the mask material 70. At this time, the exposure holes 9 for individually exposing the metal terminal pads 10 are formed, and the peripheral edge of the bottom surface of the exposure holes 9 is formed so as to protrude from the outer peripheral edge of the surface of the metal terminal pad 10. . In addition, when a negative type is used as the solder resist layer, the exposure and development time is longer than the normal exposure and development time (when the exposed holes are formed vertically), and the positive type is used. In contrast, the inner peripheral wall 9c of the exposure hole 9 is formed in a tapered shape by shortening the exposure and development.

次に、工程5に示すように、ソルダーレジスト層8の表面を露出孔9に対応したマスク材で覆い、露出孔9内に半田ペーストを印刷法により充填形成する。その後、マスク材を除去し、リフロー工程を行うことにより、金属端子パッド10の上に半田バンプ11を良好に形成することができる。   Next, as shown in step 5, the surface of the solder resist layer 8 is covered with a mask material corresponding to the exposed holes 9, and a solder paste is filled in the exposed holes 9 by a printing method. Then, the solder bump 11 can be satisfactorily formed on the metal terminal pad 10 by removing the mask material and performing a reflow process.

図6及び図7は、露出孔9形成における別の例を示す図である。図6に示すように、ソルダーレジスト層8の表面からマスク材70を所定距離t隔てた位置に設置して紫外線により露光、現像によって露出孔9を形成すると、マスク材70を通過した紫外線が一部拡散するので、マスク材を密着させて露出孔9を形成する場合よりもソルダーレジスト層8の表面が広く照射されるため、得られる露出孔9の内周壁9cを金属端子パッド10に向かうほど縮径するテーパ状のものとすることができる。また、所定距離tを適宜調整することで、ソルダーレジスト層8の表面を照射する大きさを調整することができるため、ひいてはテーパ面の形状を調整することができる。   6 and 7 are diagrams showing another example in forming the exposure hole 9. As shown in FIG. 6, when the mask material 70 is placed at a predetermined distance t from the surface of the solder resist layer 8 and the exposure holes 9 are formed by exposure and development using ultraviolet rays, the ultraviolet rays that have passed through the mask material 70 are reduced. Since the partial diffusion is performed, the surface of the solder resist layer 8 is irradiated more widely than in the case where the exposed hole 9 is formed in close contact with the mask material. Therefore, the inner peripheral wall 9c of the obtained exposed hole 9 is directed toward the metal terminal pad 10. The taper can be reduced in diameter. Moreover, since the magnitude | size which irradiates the surface of the soldering resist layer 8 can be adjusted by adjusting the predetermined distance t suitably, by extension, the shape of a taper surface can be adjusted.

また、図7に示すように、露出孔9は、レーザービーム照射により、ソルダーレジスト層8を表面側からいわば焼き飛ばす形で形成することもできる。ここで、レーザービームの焦点を適宜設定することにより、例えば該焦点を露出孔形成位置より遠ざけることにより得られる露出孔9の内周壁9cを金属端子パッド10に向かうほど縮径するテーパ状のものとすることができる。また、レーザービームの強度を通常より弱く設定すると、レーザービームからのソルダーレジスト層8への入熱量は、表面側ほど大きくなるように深さ方向に分布を生ずる。その結果、焼き飛ばされる樹脂組成物(ソルダーレジスト層8)の体積は表面側ほど大きくなるので、得られる露出孔9の内周壁9cを金属端子パッド10に向かうほど縮径するテーパ状のものとすることができる。   Moreover, as shown in FIG. 7, the exposure hole 9 can also be formed in the form of burning the solder resist layer 8 from the surface side by laser beam irradiation. Here, by appropriately setting the focal point of the laser beam, for example, the inner peripheral wall 9c of the exposed hole 9 obtained by moving the focal point away from the exposed hole forming position is tapered toward the metal terminal pad 10. It can be. If the intensity of the laser beam is set lower than usual, the amount of heat input from the laser beam to the solder resist layer 8 is distributed in the depth direction so as to increase toward the surface side. As a result, since the volume of the resin composition (solder resist layer 8) to be burned out increases toward the surface side, the inner peripheral wall 9c of the exposed hole 9 obtained has a tapered shape that decreases in diameter toward the metal terminal pad 10. can do.

なお、露出孔9の形成方法としては、上記製造方法に限定するものではなく、種々の変更が可能である。例えば、デスミア処理によりスミアの除去とともに、樹脂の表面(内周壁)も溶解し除去することができるため、デスミアの処理方法や処理時間などを適宜調整することにより内周壁の一部を溶解しテーパ状のものとすることができる。   In addition, as a formation method of the exposure hole 9, it is not limited to the said manufacturing method, A various change is possible. For example, since the smear is removed by desmearing and the surface (inner wall) of the resin can be dissolved and removed, a part of the inner wall is melted and tapered by appropriately adjusting the desmear treatment method and time. It can be made into a shape.

以下、本発明の効果を確認するために次の実験を行った。使用した試験品は以下の通りである。
まず、上述したように板状コアの両表面上に導体層と樹脂絶縁層とを交互に積層して配線積層部をそれぞれ形成し、続いてICチップ等を搭載する側の配線積層部の主表面(樹脂絶縁層及び金属端子パッドを有する導体層)を厚さ26.3μmのソルダーレジスト層で覆う。次に、ソルダーレジスト層の金属端子パッドに対応する位置に2条件で各1000サンプルずつ露出孔を形成した後、金属端子パッドと接続するように半田ペーストを露出孔に印刷充填してその得られた半田バンプの歩留りを測定した。その結果を表1に示す。なお、各条件における上面径及び底面径の大きさは1000サンプルにおける平均値である。また、良好な半田バンプかを半田歩留りが90%以上であるか否かで判断した。
Hereinafter, the following experiment was performed in order to confirm the effect of the present invention. The test products used are as follows.
First, as described above, conductor layers and resin insulating layers are alternately laminated on both surfaces of the plate-shaped core to form the respective wiring laminated portions, and then the main wiring laminated portion on the side on which the IC chip or the like is mounted is formed. The surface (a conductor layer having a resin insulating layer and a metal terminal pad) is covered with a 26.3 μm thick solder resist layer. Next, after 1000 holes of each 1000 samples were formed in positions corresponding to the metal terminal pads of the solder resist layer under two conditions, the solder paste was printed and filled in the exposed holes so as to be connected to the metal terminal pads. The yield of solder bumps was measured. The results are shown in Table 1. In addition, the magnitude | size of the upper surface diameter and bottom face diameter in each condition is an average value in 1000 samples. Further, whether the solder bump was good or not was judged by whether or not the solder yield was 90% or more.

Figure 2007227654
Figure 2007227654

実施例の結果として、ソルダーレジスト層が25μmより上としたとき、露出孔の内周壁をテーパ面とすると半田歩留りは良好であった。具体的には、表1の結果からも分かるように、実施例のようにL/d(図4参照)が3.1(10以下)のとき(具体的には、ソルダーレジスト層の厚みが26.3μm(25μmより上)、直径差が8.4μm(5μm以上)のとき)半田歩留りは95.6%と良好であったのに比べて、比較例のようにL/d(図4参照)が12.5(10より上)のとき(具体的には、ソルダーレジスト層の厚みが26.3μm(25μmより上)、直径差が2.1μm(5μm未満)のとき)は、十分なテーパ面とならず略垂直となり、明らかに半田歩留りが20.5%と低くなる傾向があった。つまり、半田バンプが金属端子パッドに溶着されず、上側に浮き上がり半田バンプ欠損不良となった。   As a result of the example, when the solder resist layer was above 25 μm, the solder yield was good when the inner peripheral wall of the exposed hole was a tapered surface. Specifically, as can be seen from the results in Table 1, when L / d (see FIG. 4) is 3.1 (10 or less) as in the example (specifically, the thickness of the solder resist layer is 26.3 μm (above 25 μm) and diameter difference of 8.4 μm (5 μm or more) Compared with the solder yield of 95.6%, L / d (FIG. 4) When reference is 12.5 (above 10) (specifically, when the thickness of the solder resist layer is 26.3 μm (above 25 μm) and the diameter difference is 2.1 μm (less than 5 μm)) However, the solder yield tends to be as low as 20.5%. That is, the solder bumps were not welded to the metal terminal pads, but floated upward, resulting in defective solder bumps.

図8は、各条件による半田歩留りの評価が示されている。図8(a)(b)に示すように、露出孔における底面径を大きくしていくと、径差を小さくしても良好な半田歩留りを得ることができた。また、径差を大きくしていくと、底面径を小さくしても良好な半田歩留りを得ることができた。さらに、ソルダーレジスト層の厚みを薄くしていくと、露出孔(底面径及び径差)を小さくしても良好な半田歩留りを得ることができた(換言すれば、ソルダーレジスト層の厚みを厚く形成した場合にも、露出孔(底面径及び径差)を大きくすることで良好な半田歩留りを得ることができた)。   FIG. 8 shows the evaluation of the solder yield under each condition. As shown in FIGS. 8 (a) and 8 (b), when the bottom surface diameter of the exposed hole was increased, a good solder yield could be obtained even if the diameter difference was reduced. Moreover, when the diameter difference was increased, a good solder yield could be obtained even if the bottom surface diameter was reduced. Furthermore, when the thickness of the solder resist layer was reduced, a good solder yield could be obtained even if the exposed holes (bottom diameter and diameter difference) were reduced (in other words, the thickness of the solder resist layer was increased). Even when formed, a good solder yield could be obtained by increasing the exposed hole (bottom diameter and diameter difference).

なお、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲の趣旨を逸脱しない限りにおいて、目的、用途に応じて当業者の知識に基づく種々の変更が可能である。   It should be noted that the present invention is not limited to these, and various modifications based on the knowledge of those skilled in the art can be made according to the purpose and application without departing from the gist of the claims.

本発明に係る配線基板の断面構造の一例を示す図。The figure which shows an example of the cross-section of the wiring board which concerns on this invention. 本発明に係る配線基板の表面図Surface view of a wiring board according to the present invention 図2における裏面図Back view in FIG. 露出孔を示す説明図Explanatory drawing showing exposure holes 本発明に係る配線基板の製造工程の一部を示す説明図Explanatory drawing which shows a part of manufacturing process of the wiring board based on this invention 製造工程の別の例を示す説明図1Explanatory drawing 1 showing another example of the manufacturing process 製造工程の別の例を示す説明図2Explanatory drawing 2 showing another example of the manufacturing process ソルダーレジスト層と露出孔と半田歩留りとの関係を示す図Diagram showing the relationship between solder resist layer, exposed holes and solder yield

符号の説明Explanation of symbols

1 配線基板(樹脂製配線基板)
2 板状コア
8(SR1) ソルダーレジスト層
9 露出孔
9c 内周壁
10 導体パッド(金属端子パッド)
11 半田バンプ
1 Wiring board (resin wiring board)
2 Plate Core 8 (SR1) Solder Resist Layer 9 Exposed Hole 9c Inner Wall 10 Conductor Pad (Metal Terminal Pad)
11 Solder bump

Claims (4)

主表面を有する配線積層部とソルダーレジスト層とを備える配線基板であって、
前記ソルダーレジスト層の厚さが25μmより上とされ、
該ソルダ−レジスト層には、前記配線積層部の主表面に形成された導体パッドを露出させる露出孔が設けられ、該露出孔に該導体パッドと接続された半田バンプが形成されており、
当該露出孔の内周壁が板厚方向開口側に向かうほど径が大きくなるテーパ面であって、前記露出孔上面及び前記露出孔底面の直径差は5μm以上のテーパ面とされてなることを特徴とする配線基板。
A wiring board comprising a wiring laminate having a main surface and a solder resist layer,
The solder resist layer has a thickness of more than 25 μm;
The solder-resist layer is provided with an exposed hole for exposing a conductor pad formed on the main surface of the wiring laminated portion, and a solder bump connected to the conductor pad is formed in the exposed hole,
The exposed hole is a tapered surface having a diameter that increases toward the opening in the thickness direction, and a difference in diameter between the upper surface of the exposed hole and the bottom surface of the exposed hole is a tapered surface of 5 μm or more. Wiring board.
前記ソルダーレジスト層の厚みをL、前記露出孔上面及び底面の直径差をdとしたとき、L/dが10以下の範囲である請求項1に記載の配線基板。   The wiring board according to claim 1, wherein L / d is in a range of 10 or less, where L is a thickness of the solder resist layer and d is a difference in diameter between the top and bottom surfaces of the exposed hole. 主表面を有する配線積層部とソルダーレジスト層と備える配線基板であって、
該ソルダ−レジスト層には、前記配線積層部の主表面に形成された導体パッドを露出させる露出孔が設けられ、該露出孔に該導体パッドと接続された半田バンプが形成されており、
当該露出孔の内周壁が板厚方向開口側に向かうほど径が大きくなるテーパ面とされ、
前記ソルダーレジスト層の厚みをL、前記露出孔上面及び底面の直径差をdとしたとき、L/dが10以下の範囲であることを特徴とする配線基板。
A wiring board provided with a wiring laminated portion having a main surface and a solder resist layer,
The solder-resist layer is provided with an exposed hole for exposing a conductor pad formed on the main surface of the wiring laminated portion, and a solder bump connected to the conductor pad is formed in the exposed hole,
The inner peripheral wall of the exposed hole is a tapered surface whose diameter increases toward the opening in the thickness direction,
A wiring board, wherein L / d is in the range of 10 or less, where L is the thickness of the solder resist layer and d is the difference in diameter between the top and bottom surfaces of the exposed hole.
前記ソルダーレジスト層の厚みをL、前記露出孔の底面直径をr、前記露出孔上面及び底面の直径差をdとしたとき、7d+0.7r≧32+2Lの範囲である請求項1ないし3に記載の配線基板。   4. The range of 7d + 0.7r ≧ 32 + 2L, where L is the thickness of the solder resist layer, r is the bottom diameter of the exposed hole, and d is the diameter difference between the top and bottom surfaces of the exposed hole. Wiring board.
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