JP2007219518A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】駆動電圧線と発光ダイオードとの短絡を防止する。
【解決手段】基板と、基板上に絶縁されるように形成されている複数の第１及び第２信号線と、第１信号線と同一層に形成されている複数の駆動電圧線と、第２信号線と同一層に形成されている駆動電圧線連結部と、駆動電圧線及び駆動電圧線連結部を電気的に接続する連結橋、第１信号線、第２信号線及び駆動電圧線のうちの少なくとも１つに接続されている複数の薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタのうちの少なくとも１つに接続されている第１電極と、第１電極に対向する第２電極と、第１電極と第２電極との間に形成されている発光部材と、連結橋及び第２電極の間に形成されている補助部材とを含む表示装置及びその製造方法を提供する。
【選択図】図３

Description

本発明は、表示装置及びその製造方法に関する。

最近、モニターまたはテレビなどの軽量化及び薄形化が要求されており、このような要求に応じて陰極線管（ｃａｔｈｏｄｅ ｒａｙ ｔｕｂｅ、ＣＲＴ）が液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）に代替されている。
しかし、液晶表示装置は受発光素子であって、別途のバックライト（ｂａｃｋ ｌｉｇｈｔ）が必要であるだけでなく、応答速度及び視野角などで限界がある。

このような限界を克服できる表示装置として、有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ、ＯＬＥＤｄｉｓｐｌａｙ）が注目されている。
有機発光表示装置は、２つの電極と、その間に位置する発光層を含む発光ダイオードを含み、発光ダイオードは、１つの電極から注入された電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と、他の電極から注入された正孔（ｈｏｌｅ）とが発光層で結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成し、励起子がエネルギーを放出しながら発光する。

有機発光表示装置は、駆動方式によって、単純マトリックス方式の有機発光表示装置（ｐａｓｓｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ ＯＬＥＤ ｄｉｓｐｌａｙ）と、能動マトリックス方式の有機発光表示装置（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ ＯＬＥＤ ｄｉｓｐｌａｙ）に分けることができる。
能動マトリックス方式の有機発光表示装置は、互いに交差している信号線に接続されているスイッチング薄膜トランジスタ（ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、このスイッチング薄膜トランジスタと駆動電圧線に接続されている駆動薄膜トランジスタ（ｄｒｉｖｉｎｇ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、及び駆動薄膜トランジスタと接続されている発光領域を含む。

この中で、駆動電圧線は信号線のうちのいずれか１つと平行に形成されており、他の層に形成されている駆動電圧線連結部及び駆動電圧線パッド部によって駆動電圧の印加を受ける。
駆動電圧線と駆動電圧線連結部は、コンタクトホールを通じて接続された導電体によって接続されている。しかし、このような導電体は上部で発光ダイオードの電極と短絡（ｓｈｏｒｔ）を起こすおそれがある。

本発明が目的とする技術的課題は、このような短絡を防止することである。

本発明の一実施形態による表示装置は、基板と、前記基板上に絶縁されるように形成されている複数の第１及び第２信号線と、前記第１信号線と同一層に形成されている複数の駆動電圧線と、前記第２信号線と同一層に形成されている駆動電圧線連結部と、前記駆動電圧線及び前記駆動電圧線連結部を電気的に接続する連結橋と、前記第１信号線及び前記第２信号線に接続されている第１薄膜トランジスタと、前記第１薄膜トランジスタ及び前記駆動電圧線に接続されている第２薄膜トランジスタと、前記第２薄膜トランジスタに接続されている第１電極と、前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成されている発光部材と、前記連結橋及び前記第２電極の間に形成されている補助部材とを含む。

前記補助部材は、絶縁物質を含むように構成できる。
前記補助部材と前記発光部材は、同一物質を含むように構成できる。
前記補助部材と前記発光部材は、一体に形成することができる。
前記連結橋と前記補助部材との間に感光性絶縁膜をさらに含むように構成できる。
前記連結橋は、前記第１電極と同一層に形成することができる。

前記補助部材の厚さは、５００〜３０００Åとすることができる。
本発明の一実施形態による表示装置は、基板と、前記基板上に絶縁されるように形成されている複数の第１及び第２信号線と、前記第１信号線と同一層に形成されている複数の駆動電圧線と、前記第２信号線と同一層に形成されている駆動電圧線連結部と、前記駆動電圧線及び前記駆動電圧線連結部を電気的に接続する連結橋と、前記第１及び第２信号線に接続されている第１薄膜トランジスタと、前記第１薄膜トランジスタ及び前記駆動電圧線に接続されている第２薄膜トランジスタと、前記第２薄膜トランジスタに接続されている第１電極と、前記第１電極及び前記連結橋上に形成されている発光部材と、前記第１電極に対向する第２電極とを含む。

前記発光部材は、前記第１電極と前記第２電極との間に形成されている第１発光部材と、前記第１発光部材を除いた第２発光部材とを含み、前記第２発光部材の下部に形成されている感光性絶縁膜をさらに含むように構成できる。
本発明の一実施形態による表示装置は、複数の画素を含む表示領域及び前記表示領域を除いた周辺領域を含み、前記画素は第１電極及び前記第１電極に対向する第２電極を含み、前記第１電極と前記第２電極との間及び前記周辺領域に形成されている発光部材を含む。

前記表示領域から延在している駆動電圧線と、前記周辺領域に形成されている駆動電圧線連結部と、前記駆動電圧線及び前記駆動電圧線連結部を接続する連結橋とをさらに含み、前記発光部材は前記連結橋を覆うように構成できる。
本発明の一実施形態による表示装置の製造方法は、基板上に第１制御電極を含む第１信号線、前記第１信号線と分離されている第２制御電極、及び駆動電圧線連結部を形成する段階と、前記第１信号線、前記第２制御電極、及び前記駆動電圧線連結部上にゲート絶縁膜及び半導体層を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜及び前記半導体層上に第１入力電極を含むデータ線、前記第１入力電極に対向する第１出力電極、第２入力電極を含む駆動電圧線、及び前記第２入力電極に対向する第２出力電極を形成する段階と、前記データ線、前記第１出力電極、前記駆動電圧線、及び前記第２出力電極上に保護膜を形成する段階と、前記第２出力電極に接続されている第１電極、前記第１出力電極と前記第２制御電極とを接続する第１連結橋、及び前記駆動電圧線連結部と前記駆動電圧線とを接続する第２連結橋を形成する段階と、前記第１電極及び前記第２連結橋上に発光部材を形成する段階と、前記発光部材上に第２電極を形成する段階とを含む。

前記発光部材を形成する段階は、インクジェットプリンティングまたは蒸着によって行うことができる。
前記発光部材を形成する段階の前に、感光性絶縁膜を形成する段階と、前記感光性絶縁膜に前記第１電極を露出する開口部を形成する段階とをさらに含むように構成できる。
本発明の一実施形態による表示装置の製造方法は、基板上に第１制御電極を含む第１信号線と、前記第１信号線と分離されている第２制御電極、及び駆動電圧線連結部を形成する段階と、前記第１信号線、前記第２制御電極、及び前記駆動電圧線連結部上にゲート絶縁膜及び半導体層を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜及び前記半導体層上に第１入力電極を含むデータ線、前記第１入力電極と対向する第１出力電極、第２入力電極を含む駆動電圧線、及び前記第２入力電極と対向する第２出力電極を形成する段階と、前記データ線、前記第１出力電極、前記駆動電圧線、及び前記第２出力電極上に保護膜を形成する段階と、前記第２出力電極に接続されている第１電極、前記第１出力電極と前記第２制御電極とを接続する第１連結橋、及び前記駆動電圧線連結部と前記駆動電圧線とを接続する第２連結橋を形成する段階と、前記第１電極上に発光部材を形成する段階と、前記第２連結橋上に絶縁膜を形成する段階と、前記発光部材上に第２電極を形成する段階とを含む。

前記絶縁膜を形成する段階は、シャドウマスク（ｓｈａｄｏｗ ｍａｓｋ）を用いることができる。

本発明によれば、駆動電圧線と発光ダイオードとの短絡を防止することができる。

以下、添付した図面を参照しながら、本発明の実施形態について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な相異する形態で実現でき、ここに説明する実施形態に限定されるものではない。
図面において、種々の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示している。明細書全体にわたって類似する部分については同一の図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする時、これは他の部分の“すぐ上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上”にあるとする時には、中間に他の部分がないことを意味する。

まず、図１〜図３を参照して、本発明の一実施形態による表示装置について説明する。
図１は本発明の一実施形態による表示装置の概略図であり、図２は図１の有機発光表示装置におけるＡ部分を拡大して示した拡大図であり、図３は図２の有機発光表示装置のIII-III線に沿った断面図である。
図１に示すように、本発明の一実施形態による表示装置は、複数のゲート線１２１、複数のデータ線１７１及び複数の駆動電圧線１７２、そしてゲート線１２１及びデータ線１７１によって定義される複数の画素を含む。

ゲート線１２１は、主に横方向に形成されており、ゲート信号を伝達するものである。
ゲート線１２１の一側端部には、ゲート駆動回路（図示せず）に接続するためのゲートパッド部１２９が形成されており、ゲート線１２１とゲートパッド部１２９とが接続される部分には、各ゲート線１２１の間隔が次第に狭くなるゲートファンアウト部が形成されている。

データ線１７１は、ゲート線１２１と絶縁状態で交差するように主に縦方向に形成されており、データ信号を伝達するものである。
データ線１７１の一側端部には、データ駆動回路（図示せず）に接続するためのデータパッド部１７９が形成されており、データ線１７１とデータパッド部１７９とが接続される部分には、各データ線１７１の間隔が次第に狭くなるデータファンアウト部が形成されている。

駆動電圧線１７２はゲート線１２１と絶縁状態で交差するように主に縦方向に形成されており、駆動電圧を伝達するものである。
図２及び図３を図１と共に参照すれば、駆動電圧線１７２の一側端部は駆動電圧線連結部１２６に接続されており、駆動電圧線連結部１２６は駆動電圧を供給する駆動電圧パッド部１２８に接続されている。

駆動電圧線連結部１２６は、基板１１０上でゲート線１２１と同一層に形成されており、駆動電圧線１７２はゲート絶縁膜１４０上でデータ線１７１と同一層に形成されている。
駆動電圧線連結部１２６上には保護膜１８０が形成されている。
保護膜１８０には駆動電圧線１７２を露出するコンタクトホール１８７が形成されており、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には駆動電圧線連結部１２６を露出するコンタクトホール１４５が形成されている。

連結橋８６は、コンタクトホール１８７、１４５を通じて駆動電圧線１７２と駆動電圧線連結部１２６とを接続する。
連結橋８６上には感光性物質で作られた隔壁３６１が形成されており、その上には発光部材３７０が形成されている。発光部材３７０は表示領域Ｄから延長されて連結橋８６を覆っている。発光部材３７０上には共通電極２７０が形成されている。

表示領域Ｄでない周辺領域に形成されている発光部材３７０は絶縁膜の役割を果たし、これによって別途の工程を追加せずに連結橋８６と共通電極２７０との間の短絡を防止することができる。
以下、本発明の他の一実施形態による表示装置について、図４及び図５を参照して詳細に説明する。

図４は本発明の一実施形態による有機発光表示装置の配置図であり、図５は図４の有機発光表示装置のV-V線に沿った断面図である。
透明なガラスまたはプラスチックなどで作られた絶縁基板１１０上に、第１制御電極（ｃｏｎｔｒｏｌ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１２４ａを含む複数のゲート線１２１、第２制御電極１２４ｂ、及び駆動電圧線連結部１２６が形成されている。

ゲート線１２１は、ゲート信号を伝達するものであって、主に横方向に形成されている。各ゲート線１２１は、他の層または外部駆動回路との接続のために面積の広い端部１２９を含み、第１制御電極１２４ａはゲート線１２１から図の上方に延長されている。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）を基板１１０上に集積する場合、ゲート線１２１を延長してゲート駆動回路と直接接続することも可能である。

第２制御電極１２４ｂは、ゲート線１２１と分離されており、後述する駆動薄膜トランジスタ（ｄｒｉｖｉｎｇ ＴＦＴ）Ｑｄが形成される位置から図の下方向に延長され、右側に少し方向を変えた後、上に長く延長された維持電極（ｓｔｏｒａｇｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１２７を含む。
駆動電圧線連結部１２６は、ゲート線１２１と平行に形成されており、表示領域とパッド領域との間に位置する。

ゲート線１２１、第２制御電極１２４ｂ及び駆動電圧線連結部１２６は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金など銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などで形成することができる。しかし、これらは物理的性質が異なる２つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造とすることもできる。

ゲート線１２１、第２制御電極１２４ｂ及び駆動電圧線連結部１２６の側面は基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０゜〜約８０゜であることが好ましい。
ゲート線１２１、第２制御電極１２４ｂ及び駆動電圧線連結部１２６上には、窒化ケイ素（ＳｉＮ_ｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ_ｘ）などで構成されたゲート絶縁膜１４０が形成されている。

ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ）または多結晶シリコン（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ）などで構成された複数の第１半導体１５４ａと複数の第２半導体１５４ｂとが形成されている。 第１半導体１５４ａ）は第１制御電極１２４ａ上に位置し、第２半導体１５４ｂは第２制御電極１２４ｂ上に位置する。

第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂ上には、各々複数対の第１オーミックコンタクト部材（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）１６３ａ、１６５ａと、複数対の第２オーミックコンタクト部材１６３ｂ、１６５ｂとが形成されている。オーミックコンタクト部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂは島状に形成されており、リン（Ｐ）などのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質、またはシリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）で形成することができる。

オーミックコンタクト部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１、複数の駆動電圧線１７２、及び複数の第１及び第２出力電極（ｏｕｔｐｕｔ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７５ａ、１７５ｂが形成されている。
データ線１７１は、データ信号を伝達するものであって、ゲート線１２１と絶縁状態で交差するように主に縦方向に形成されている。各データ線１７１は、第１制御電極１２４ａに向かって延長された複数の第１入力電極（ｉｎｐｕｔ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７３ａと、他の層または外部駆動回路との接続のために面積の広い端部１７９とを含む。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）を基板１１０上に集積する場合、データ線１７１を延長してデータ駆動回路に直接接続することができる。

駆動電圧線１７２は駆動電圧を伝達するものであって、ゲート線１２１と絶縁状態で交差するように主に縦方向に形成されている。各駆動電圧線１７２は、第２制御電極１２４ｂに向かって延長された複数の第２入力電極１７３ｂを含む。駆動電圧線１７２は維持電極１２７と重畳する。
第１及び第２出力電極１７５ａ、１７５ｂは互いに分離されており、データ線１７１及び駆動電圧線１７２とも分離されている。第１入力電極１７３ａと第１出力電極１７５ａとは第１制御電極１２４ａを中心に互いに対向し、第２入力電極１７３ｂと第２出力電極１７５ｂとは第２制御電極１２４ｂを中心に互いに対向する。

データ線１７１、複数の駆動電圧線１７２、及び複数の第１及び第２出力電極１７５ａ、１７５ｂも、ゲート線１２１と同様に低抵抗導電体で形成することができる。
データ線１７１、複数の駆動電圧線１７２、及び複数の第１及び第２出力電極１７５ａ、１７５ｂも、その側面が基板１１０面に対して３０゜〜８０゜程度の傾斜角で傾斜していることが好ましい。

データ線１７１、複数の駆動電圧線１７２、複数の第１及び第２出力電極１７５ａ、１７５ｂ、露出された半導体１５４ａ、１５４ｂ部分、及びゲート絶縁膜１４０上には、保護膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）１８０が形成されている。
保護膜１８０は無機絶縁物または有機絶縁物などで構成されており、表面が平坦である。無機絶縁物の例としては、窒化ケイ素（ＳｉＮ_ｘ）と酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）があり、有機絶縁物の例としては、ポリアクリル（ｐｏｌｙａｃｒｙｌ）系化合物がある。保護膜１８０は無機膜と有機膜の二重膜構造とすることができる。

保護膜１８０には、データ線１７１の端部１７９、第１及び第２出力電極１７５ａ、１７５ｂ、及び駆動電圧線１７２を各々露出する複数のコンタクトホール（ｃｏｎｔａｃｔｈｏｌｅ）１８２、１８５ａ、１８５ｂ、１８７が形成されており、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０には、ゲート線１２１の端部１２９、第２制御電極１２４ｂ、及び駆動電圧線連結部１２６を各々露出する複数のコンタクトホール１８１、１８４、１４５が形成されている。

保護膜１８０上には、複数の画素電極１９１、複数の第１及び第２連結部材８５、８６、及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。
画素電極１９１は、第２出力電極１７５ｂに電気的に接続されている。
第１連結部材８５は、各々コンタクトホール１８５ａ、１８４を通じて第１出力電極１７５ａと第２制御電極１２４ｂとを接続する。

第２連結部材８６は、各々コンタクトホール１８７、１４５を通じて駆動電圧線１７２と駆動電圧線連結部１２６とを接続する。
接触補助部材８１、８２は、各々コンタクトホール１８１、１８２を通じてゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９に接続される。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１及びデータ線１７１の端部１２９、１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。

画素電極１９１、第１及び第２連結部材８５、８６、及び接触補助部材８１、８２はＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明導電体で形成することができ、全面発光（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）の場合には、アルミニウムまたはアルミニウム合金、高い仕事関数（ｗｏｒｋ ｆｕｎｃｔｉｏｎ）を有する金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、またはこれらの合金などの不透明導電体で形成することができる。

画素電極１９１、第１及び第２連結部材８５、８６、及び接触補助部材８１、８２上には隔壁（ｐａｒｔｉｔｉｏｎ）３６１が形成されている。隔壁３６１は、画素電極１９１の周縁周辺を堤（ｂａｎｋ）のように取り囲んで開口部（ｏｐｅｎｉｎｇ）３６５を定義する。隔壁３６１は、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）などの耐熱性及び耐溶媒性を有する有機絶縁物、または酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）などの無機絶縁物で形成することができ、２層以上で構成することができる。隔壁３６１は、また、黒色顔料を含む感光材で作ることができるが、この場合、隔壁３６１は遮光部材の役割を果たし、その形成工程が簡単である。

隔壁３６１が定義する画素電極１９１上の開口部３６５には、有機発光部材（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ）３７０が形成されている。
有機発光部材３７０は光を出す発光層（ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）（図示せず）の他に、発光層の発光効率を向上するための付帯層（ａｕｘｉｌｉａｒｙ ｌａｙｅｒ）（図示せず）を含む多層構造で構成することができる。

発光層は、赤色、緑色、青色の三原色など基本色（ｐｒｉｍａｒｙ ｃｏｌｏｒ）のうちのいずれか１つの光を固有に出す高分子物質または低分子物質またはこれらの混合物で形成することができる。高分子物質としては、例えば、ポリフルオレン（ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ）誘導体、（ポリ）パラフェニレンビニレン（（ｐｏｌｙ）ｐａｒａｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）誘導体、ポリフェニレン（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）誘導体、ポリフルオレン（ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ）誘導体、ポリビニルカルバゾール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ）、ポリチオフェン（ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）誘導体などを含む構成とすることができる。また、低分子物質としては、９、１０−ジフェニルアントラセン９、１０−ｄｉｐｈｅｎｙｌａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）のようなアントラセン（ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、テトラフェニルブタジエン（ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｂｕｔａｄｉｅｎｅ）のようなブタジエン（ｂｕｔａｄｉｅｎｅ）、テトラセン（ｔｅｔｒａｃｅｎｅ）、ジスチリルアリレン（ｄｉｓｔｙｒｙｌａｒｙｌｅｎｅ）誘導体、ベンザゾール（ｂｅｎｚａｚｏｌｅ）誘導体、及びカルバゾール（ｃａｒｂａｚｏｌｅ）誘導体などを含む構成とすることができる。または上述した高分子物質または低分子物質をホスト（ｈｏｓｔ）材料とし、これに、例えば、キサンテン（ｘａｎｔｈｅｎｅ）、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）、クマリン（ｃｕｍａｒｉｎｅ）、ローダミン（ｒｈｏｄａｍｉｎｅ）、ルブレン（ｒｕｂｒｅｎｅ）、ジシアノメチレンピラン（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅｐｙｒａｎ）化合物、チオピラン（ｔｈｉｏｐｙｒａｎ）化合物、（チア）ピリリウム（（ｔｈｉａ）ｐｙｒｉｌｉｕｍ）化合物、ペリフランテン（ｐｅｒｉｆｌａｎｔｈｅｎｅ）誘導体、インデノペリレン（ｉｎｄｅｎｏｐｅｒｙｌｅｎｅ）誘導体、カーボスチリル（ｃａｒｂｏｓｔｙｒｙｌ）化合物、ナイルレッド（Ｎｉｌｅ ｒｅｄ）、キナクリドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）などのドーパント（ｄｏｐａｎｔ）をドーピングして発光効率を高めることもできる。有機発光表示装置は、発光層で出す基本色の色光の空間的な合計によって所望の映像を表示する。

付帯層には、電子と正孔との均衡をとるための電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）（図示せず）及び正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｌａｙｅｒ）（図示せず）と、電子と正孔の注入を強化するための電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）（図示せず）及び正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）（図示せず）などがあり、この中から選択された１つまたは２つ以上の層を含むように構成できる。正孔輸送層及び正孔注入層は、画素電極１９１と発光層の中間程度の仕事関数を有する材料で形成され、電子輸送層と電子注入層は、共通電極２７０と発光層の中間程度の仕事関数を有する材料で形成される。例えば、正孔輸送層または正孔注入層としては、ジアミン類、ＭＴＤＡＴＡ（[４、４’、４”-ｔｒｉｓ（３-ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ]ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＰＤ（Ｎ、Ｎ’-ｄｉｐｈｅｎｙｌ-Ｎ、Ｎ’-ｄｉ（３-ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）-１、１’-ｂｉｐｈｅｎｙｌ-４、４’-ｄｉａｍｉｎｅ）、１、１-ビス（４-ジ-ｐ-トリルアミノフェニル）シクロヘキサン（１、１-ｂｉｓ（４-ｄｉ-ｐ-ｔｏｌｙｌａｍｉｎｏｐｈｅｎｙｌ）ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅ）、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’-テトラ（２-ナフチル）-４、４-ジアミノ-ｐ-テルフェニル（Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’-ｔｅｔｒａ（２-ｎａｐｈｔｈｙｌ）-４、４-ｄｉａｍｉｎｏ-ｐ-ｔｅｒｐｈｅｎｙｌ）、４、４’、４-トリス[（３-メチルフェニル）フェニルアミノ]トリフェニルアミン（４、４’、４-ｔｒｉｓ[（３-ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ]ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ポリピロール（ｐｏｌｙｐｙｒｒｏｌｅ）、ポリアニリン（ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ）、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の混合物（ｐｏｌｙ-（３、４-ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ：ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ、ＰＥＤＯＴ:ＰＳＳ）などを用いることができる。

有機発光部材３７０は、各画素別に赤色、緑色及び青色などの色を発光する発光層を各々配列し、画素別に所望の色を実現することもでき、１つの画素に赤色、緑色及び青色の発光層を垂直または水平形成して白色（ｗｈｉｔｅ）発光層を形成し、白色発光層の下部または上部に赤色、緑色及び青色の色を実現するカラーフィルタを形成して所望の色を実現することもできる。この時、カラーフィルタは、下部発光構造（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）の場合には発光層の下部に位置することができ、上部発光構造（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）の場合には発光層の上部に位置することができる。

また、赤色、緑色及び青色画素を含む３色構造の他に、赤色、緑色、青色及び白色画素を含む４色構造を帯状（ｓｔｒｉｐｅ）または碁盤形態に配置することで、輝度を改善することができる。
また、隔壁３６１上の第２連結部材８６の上部には補助部材３７５が形成されている。
補助部材３７５は、上述した有機発光部材３７０と同一物質で形成することができ、発光層及び付帯層のうちのいずれか１つの層のみを含む構成とすることもできる。

補助部材３７５は、５００〜３０００Åの厚さに形成することができる。
本実施形態においては、有機発光部材３７０と補助部材３７５とを分離して説明したが、有機発光部材３７０を第２連結部材８６上まで延長して有機発光部材３７０と補助部材３７５とを一体に形成することもできる。
有機発光部材３７０上には共通電極（ｃｏｍｍｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）２７０が形成されている。共通電極２７０は、基板の全面に形成されており、画素電極１９１と対をなして有機発光部材３７０に電流を流す。

補助部材３７５は、第２連結部材８６と共通電極２７０との間に形成され、第２連結部材８６と共通電極２７０との短絡を防止する。
このような有機発光表示装置において、ゲート線１２１に接続されている第１制御電極１２４ａ、データ線１７１に接続されている第１入力電極１７３ａ及び第１出力電極１７５ａは、第１下部半導体１５４ａと共にスイッチング薄膜トランジスタ（ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ＴＦＴ）Ｑｓをなし、スイッチング薄膜トランジスタＱｓのチャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は、第１入力電極１７３ａと第１出力電極１７５ａとの間の第１半導体１５４ａに形成される。第１出力電極１７５ａに接続されている第２制御電極１２４ｂ、駆動電圧線１７２に接続されている第２入力電極１７３ｂ、及び画素電極１９１に接続されている第２出力電極１７５ｂは、第２半導体１５４ｂと共に駆動薄膜トランジスタ（ｄｒｉｖｉｎｇ ＴＦＴ）Ｑｄをなし、駆動薄膜トランジスタＱｄのチャネルは、第２入力電極１７３ｂと第２出力電極１７５ｂとの間の第２半導体１５４ｂに形成される。

本実施形態においては、１つのスイッチング薄膜トランジスタと１つの駆動薄膜トランジスタのみを図示したが、これらの他に少なくとも１つの薄膜トランジスタ及びこれを駆動するための複数の配線をさらに含むことによって、長時間を駆動しても有機発光ダイオードＬＤ及び駆動トランジスタＱｄが劣化することを防止し、またはこれを補償して、有機発光表示装置の寿命が短縮することを防止できる。

画素電極１９１、有機発光部材３７０及び共通電極２７０は有機発光ダイオードＬＤをなし、画素電極１９１がアノード（ａｎｏｄｅ）であり、共通電極２７０がカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）である場合、逆に画素電極１９１がカソードであり、共通電極２７０がアノードである場合が考えられる。また、互いに重畳する維持電極１２７と駆動電圧線１７２とはストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）Ｃｓｔを構成する。

次に、図４及び図５に示す有機発光表示装置を製造する方法について、図６〜図１５を参照して詳細に説明する。
図６、図８、図１０、図１２及び図１４は、図４及び図５の有機発光表示装置を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階での配置図であり、図７は図６の有機発光表示装置のVII-VII線に沿った断面図であり、図９は図８の有機発光表示装置のIX-IX線に沿った断面図であり、図１１は図１０の有機発光表示装置のXI-XI線に沿った断面図であり、図１３は図１２の有機発光表示装置のXIII-XIII線に沿った断面図であり、図１５は図１４の有機発光表示装置のXV-XV線に沿った断面図である。

図６及び図７に示すように、基板１１０上に、第１制御電極１２４ａ及び端部１２９を含むゲート線１２１、維持電極１２７を含む第２制御電極１２４ｂ、及び駆動電圧線連結部１２６を形成する。
次に、図８及び図９に示すように、ゲート絶縁膜１４０、真性非晶質シリコン層及び不純物非晶質シリコン層を連続して積層した後、フォトエッチングして第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂと第１及び第２オーミックコンタクト層１６４ａ、１６４ｂとを形成する。

次に、図１０及び図１１に示すように、第１入力電極１７３ａ及び端部１７９を含むデータ線１７１、第１出力電極１７５ａ、第２入力電極１７３ｂを含む駆動電圧線１７２、及び第２出力電極１７５ｂを形成する。
次に、データ線１７１、第１出力電極１７５ｂ、駆動電圧線１７２、及び第２出力電極１７５ｂをマスクとして第１及び第２オーミックコンタクト層１６４ａ、１６４ｂをエッチングして、第１及び第２オーミックコンタクト部材１６３ａ、１６５ａ、１６３ｂ、１６５ｂ）を形成する。

次に、図１２及び図１３に示すように、基板の全面に保護膜１８０を積層し、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０をフォトエッチングして複数のコンタクトホール１８１、１８２、１８４、１８５ａ、１８５ｂ、１８７を形成する。
次に、図１４及び図１５に示すように、画素電極１９１、第１及び第２連結部材８５、８６、及び接触補助部材８１、８２を形成する。

次に、図４及び図５に示すように、感光性有機物質で作られた隔壁３６１を形成し、隔壁３６１上に有機発光物質を形成してパターニングし、有機発光部材３７０及び補助部材３７５を形成する。発光部材３７０と補助部材３７５とは一体に形成することもでき、各々分離されたパターンで形成することもできる。発光部材３７０と補助部材３７５は、蒸着またはインクジェットなどの溶液工程によって形成することができる。

または、隔壁３６１を形成し、隔壁３６１の開口部３６５に有機発光部材３７０を形成した後、別途の絶縁物質を蒸着またはインクジェット印刷して、第２連結部材８６を覆う補助部材３７５を形成することもできる。
この時、補助部材３７５は、シャドウマスクを用いて形成することができる。発光部材３７０と補助部材３７５とを一体に形成する場合には、オープンシャドウマスク（ｏｐｅｎ ｓｈａｄｏｗ ｍａｓｋ）を用いることができ、発光部材３７０と補助部材３７５とを分離されたパターンで形成する場合、または別途の段階で形成する場合には、微細シャドウマスク（ｆｉｎｅ ｓｈａｄｏｗ ｍａｓｋ）を用いて形成することができる。

最後に、有機発光部材３７０、補助部材３７５及び隔壁３６１上に、共通電極２７０を形成する。
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるわけではなく、添付した請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の種々の変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。

本発明の一実施形態による表示装置の概略図である。 図１の有機発光表示装置におけるＡ部分を拡大して示した拡大図である。 図２の有機発光表示装置のIII-III線に沿った断面図である。 本発明の一実施形態による有機発光表示装置の配置図である。 図４の有機発光表示装置のV-V線に沿った断面図である。 図４及び図５の有機発光表示装置を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階での配置図である。 図６の有機発光表示装置のVII-VII線に沿った断面図である。 図４及び図５の有機発光表示装置を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階での配置図である。 図８の有機発光表示装置のIX-IX線に沿った断面図である。 図４及び図５の有機発光表示装置を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階での配置図である。 図１０の有機発光表示装置のXI-XI線に沿った断面図である。 図４及び図５の有機発光表示装置を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階での配置図である。 図１２の有機発光表示装置のXIII-XIII線に沿った断面図である。 図４及び図５の有機発光表示装置を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階での配置図である。 図１４の有機発光表示装置のXV-XV線に沿った断面図である。

符号の説明

１１０ 絶縁基板
１２１ ゲート線
１２４ａ 第１制御電極
１２４ｂ 第２制御電極
１２６ 駆動電圧線連結部
１２７ 維持電極
１２９ ゲート線の端部
１４０ ゲート絶縁膜
１５４ａ 第１半導体
１５４ｂ 第２半導体
１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ オーミックコンタクト部材
１７１ データ線
１７２ 駆動電圧線
１７３ａ 第１入力電極
１７３ｂ 第２入力電極
１７５ａ 第１出力電極
１７５ｂ 第２出力電極
１７９ データ線の端部
８１、８２ 接触補助部材
１８１、１８２、１８４、１８５ａ、１８５ｂ、１８７、１４５ コンタクトホール
１９１ 画素電極
２７０ 共通電極
３６１ 隔壁
３７０ 有機発光部材
３７５ 補助部材
Ｑｓ スイッチングトランジスタ
Ｑｄ 駆動トランジスタ
ＬＤ 有機発光ダイオード
Ｖｓｓ 共通電圧
Ｃｓｔ ストレージキャパシタ

Claims (16)

1. 基板と、
   前記基板上に絶縁されるように形成されている複数の第１及び第２信号線と、
   前記第１信号線と同一層に形成されている複数の駆動電圧線と、
   前記第２信号線と同一層に形成されている駆動電圧線連結部と、
   前記駆動電圧線及び前記駆動電圧線連結部を電気的に接続する連結橋と、
   前記第１信号線及び前記第２信号線に接続されている第１薄膜トランジスタと、
   前記第１薄膜トランジスタと前記駆動電圧線に接続されている第２薄膜トランジスタと、
   前記第２薄膜トランジスタに接続されている第１電極と、
   前記第１電極に対向する第２電極と、
   前記第１電極と前記第２電極との間に形成されている発光部材と、
   前記連結橋及と前記第２電極との間に形成されている補助部材と、
   を含むことを特徴とする表示装置。
2. 前記補助部材は、絶縁物質を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記補助部材と前記発光部材とは、同一物質を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
4. 前記補助部材と前記発光部材とは、一体に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
5. 前記連結橋と前記補助部材との間に感光性絶縁膜をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
6. 前記連結橋は、前記第１電極と同一層に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
7. 前記補助部材の厚さは、５００〜３０００Åであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
8. 基板と、
   前記基板上に絶縁されるように形成されている複数の第１及び第２信号線と、
   前記第１信号線と同一層に形成されている複数の駆動電圧線と、
   前記第２信号線と同一層に形成されている駆動電圧線連結部と、
   前記駆動電圧線及び前記駆動電圧線連結部を電気的に接続する連結橋と、
   前記第１及び第２信号線に接続されている第１薄膜トランジスタと、
   前記第１薄膜トランジスタ及び前記駆動電圧線に接続されている第２薄膜トランジスタと、
   前記第２薄膜トランジスタに接続されている第１電極と、
   前記第１電極及び前記連結橋上に形成されている発光部材と、
   前記第１電極に対向する第２電極と、
   を含むことを特徴とする表示装置。
9. 前記発光部材は、
   前記第１電極と前記第２電極との間に形成されている第１発光部材と、
   前記第１発光部材を除いた第２発光部材と、
   を含み、前記第２発光部材の下部には感光性絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
10. 複数の画素を含む表示領域及び前記表示領域を除いた周辺領域を含み、
    前記画素は、第１電極及び前記第１電極と対向する第２電極を含み、
    前記第１電極と前記第２電極との間及び前記周辺領域に形成されている発光部材を含むことを特徴とする表示装置。
11. 前記表示領域から延在している駆動電圧線と、
    前記周辺領域に形成されている駆動電圧線連結部と、
    前記駆動電圧線及び前記駆動電圧線連結部を接続する連結橋と、
    をさらに含み、前記発光部材は前記連結橋を覆っていることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
12. 基板上に第１制御電極を含む第１信号線、前記第１信号線と分離されている第２制御電極、及び駆動電圧線連結部を形成する段階と、
    前記第１信号線、前記第２制御電極、及び前記駆動電圧線連結部上にゲート絶縁膜及び半導体層を形成する段階と、
    前記ゲート絶縁膜及び前記半導体層上に、第１入力電極を含むデータ線、前記第１入力電極と対向する第１出力電極、第２入力電極を含む駆動電圧線、及び前記第２入力電極と対向する第２出力電極を形成する段階と、
    前記データ線、前記第１出力電極、前記駆動電圧線、及び前記第２出力電極上に保護膜を形成する段階と、
    前記第２出力電極に接続されている第１電極、前記第１出力電極と前記第２制御電極とを接続する第１連結橋、及び前記駆動電圧線連結部と前記駆動電圧線とを接続する第２連結橋を形成する段階と、
    前記第１電極及び前記第２連結橋上に発光部材を形成する段階と、
    前記発光部材上に第２電極を形成する段階と
    を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
13. 前記発光部材を形成する段階は、インクジェットプリンティングまたは蒸着によって行われることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
14. 前記発光部材を形成する段階前に、
    感光性絶縁膜を形成する段階と、
    前記感光性絶縁膜に前記第１電極を露出する開口部を形成する段階と、
    をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
15. 基板上に第１制御電極を含む第１信号線、前記第１信号線と分離されている第２制御電極、及び駆動電圧線連結部を形成する段階と、
    前記第１信号線、前記第２制御電極、及び前記駆動電圧線連結部上にゲート絶縁膜及び半導体層を形成する段階と、
    前記ゲート絶縁膜及び前記半導体層上に、第１入力電極を含むデータ線、前記第１入力電極に対向する第１出力電極、第２入力電極を含む駆動電圧線、及び前記第２入力電極に対向する第２出力電極を形成する段階と、
    前記データ線、前記第１出力電極、前記駆動電圧線、及び前記第２出力電極上に保護膜を形成する段階と、
    前記第２出力電極に接続されている第１電極、前記第１出力電極と前記第２制御電極とを接続する第１連結橋、及び前記駆動電圧線連結部と前記駆動電圧線とを接続する第２連結橋を形成する段階と、
    前記第１電極上に発光部材を形成する段階と、
    前記第２連結橋上に絶縁膜を形成する段階と、
    前記発光部材及び前記絶縁膜上に第２電極を形成する段階と、
    を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
16. 前記絶縁膜を形成する段階は、シャドウマスク（ｓｈａｄｏｗ ｍａｓｋ）を用いることを特徴とする請求項１５に記載の表示装置の製造方法。

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