JP2005268472A - 強誘電体記憶装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 33
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 144
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 144
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 144
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 135
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 97
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 15
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 144
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 144
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 86
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 27
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 25
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10B53/30—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors characterised by the memory core region
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
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Abstract
【解決手段】強誘電体記憶装置は、半導体基板11と、トランジスタ15と、半導体基板及びトランジスタ上に形成された絶縁膜16と、下部電極18と強誘電体膜19と上部電極20とを有する強誘電体キャパシタ22と、連続して形成された第1乃至第3の部分23a,23b,23cを有し、第1の部分は絶縁膜上に設けられ、第2の部分は下部電極、強誘電体膜及び上部電極の側面をそれぞれ覆い、第3の部分は上部電極の上面上に設けられている水素バリア膜23と、第2の部分上に形成された介在層24と、連続して形成された第4乃至第6の部分25a,25b,25cを有し、第4の部分は第1の部分の少なくとも一部と接触する第1の接触部分を備え、第5の部分は介在層上に設けられ、第6の部分は第3の部分上に設けられている第2の水素バリア膜25とを具備する。
【選択図】 図2
Description
第1及び第2の実施形態に係る強誘電体記憶装置は、COP型のメモリセルの例である。
第1の実施形態は、COP型のメモリセルであって、強誘電体キャパシタにおける上部電極、強誘電体膜、及び下部電極を1マスクで加工する例である。
図1は、本発明の第1の実施形態の基本例1に係る強誘電体記憶装置の概略的な平面図を示す。図2は、図1のII−II線に沿った強誘電体記憶装置の断面図を示す。以下に、第1の実施形態の基本例1に係る構造について説明する。
第1の実施形態の変形例1は、上記基本例1における強誘電体キャパシタ近傍のコンタクト29を複数のコンタクトで形成したものである。
第1の実施形態の変形例2は、上記基本例1における第1の接触部分を変形させたものである。
第1の実施形態の変形例3は、上記基本例1における第2の接触部分が存在しないものである。
第1の実施形態の変形例4は、上記基本例1におけるビット線の位置を変更したものである。
第2の実施形態は、COP型のメモリセルであって、強誘電体キャパシタにおける上部電極、強誘電体膜、及び下部電極を2マスクで加工する例である。
図21は、本発明の第2の実施形態の基本例2に係る強誘電体記憶装置の断面図を示す。以下に、第2の実施形態の基本例2に係る構造について説明する。
第2の実施形態の変形例1は、上記基本例2における強誘電体キャパシタ近傍のコンタクト29を複数のコンタクトで形成したものである。
第2の実施形態の変形例2は、上記基本例2における第1の接触部分を変形させたものである。
第2の実施形態の変形例3は、上記基本例2における第2の接触部分が存在しないものである。
第2の実施形態の変形例4は、上記基本例2におけるビット線の位置を変更したものである。
[3]第3の実施形態
第3の実施形態は、オフセット型のメモリセルであって、強誘電体キャパシタにおける上部電極、強誘電体膜、及び下部電極を2マスクで加工する例である。
図31は、本発明の第3の実施形態の基本例3に係る強誘電体記憶装置の概略的な平面図を示す。図32は、図31のXXXII-XXXII線に沿った強誘電体記憶装置の断面図を示す。以下に、第3の実施形態の基本例3に係る構造について説明する。
第3の実施形態の変形例1は、上記基本例3における強誘電体キャパシタ近傍のコンタクト29を複数のコンタクトで形成したものである。
第3の実施形態の変形例2は、上記基本例3における第1の接触部分を変形させたものである。
第3の実施形態の変形例3は、上記基本例3における第2の接触部分が存在しないものである。
第3の実施形態の変形例4は、上記基本例3におけるビット線の位置を変更したものである。
第4及び第5の実施形態に係る強誘電体記憶装置は、TC並列ユニット直列接続型のメモリセルの例である。ここで、TC並列ユニット直列接続型のメモリセルとは、メモリセルトランジスタ(T)のソース/ドレイン間にキャパシタ(C)の両端をそれぞれ接続し、これをユニットセルとし、このユニットセルを複数直列に接続したメモリセルのことをいう。
第4の実施形態は、TC並列ユニット直列接続型のメモリセルであって、強誘電体キャパシタにおける上部電極、強誘電体膜、及び下部電極を1マスクで加工する例である。
図38は、本発明の第4の実施形態の基本例4に係る強誘電体記憶装置の概略的な平面図を示す。図39は、図38のXXXIX-XXXIX線に沿った強誘電体記憶装置の断面図を示す。以下に、第4の実施形態の基本例4に係る構造について説明する。
第4の実施形態の変形例1は、上記基本例4における強誘電体キャパシタ近傍のコンタクト29を複数のコンタクトで形成したものである。
第4の実施形態の変形例2は、上記基本例4における第1の接触部分を変形させたものである。
第4の実施形態の変形例3は、上記基本例4における第2の接触部分が存在しないものである。
第5の実施形態は、TC並列ユニット直列接続型のメモリセルであって、強誘電体キャパシタにおける上部電極、強誘電体膜、及び下部電極を2マスクで加工する例である。
図44は、本発明の第5の実施形態の基本例5に係る強誘電体記憶装置の断面図を示す。以下に、第5の実施形態の基本例5に係る構造について説明する。
第5の実施形態の変形例1は、上記基本例5における強誘電体キャパシタ近傍のコンタクト29を複数のコンタクトで形成したものである。
第5の実施形態の変形例2は、上記基本例5における第1の接触部分を変形させたものである。
第5の実施形態の変形例3は、上記基本例5における第2の接触部分が存在しないものである。
Claims (5)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、第1のゲート電極と第1及び第2の拡散層とを有する第1のトランジスタと、
前記半導体基板及び前記第1のトランジスタ上に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に選択的に形成され、第1の下部電極と第1の強誘電体膜と第1の上部電極とを有する第1の強誘電体キャパシタと、
連続して形成された第1乃至第3の部分を有し、前記第1の部分は前記第1の絶縁膜上に設けられ、前記第2の部分は前記第1の下部電極の側面、前記第1の強誘電体膜の側面及び前記第1の上部電極の側面をそれぞれ覆い、前記第3の部分は前記第1の上部電極の上面上に設けられている第1の水素バリア膜と、
前記第2の部分上に形成された第1の介在層と、
連続して形成された第4乃至第6の部分を有し、前記第4の部分は前記第1の部分の少なくとも一部と接触する第1の接触部分を備え、前記第5の部分は前記第1の介在層上に設けられ、前記第6の部分は前記第3の部分上に設けられている第2の水素バリア膜と
を具備することを特徴とする強誘電体記憶装置。 - 前記第1の接触部分は、前記第1の強誘電体キャパシタの周囲を囲むことを特徴とする請求項1に記載の強誘電体記憶装置。
- 前記第1の接触部分は、前記第1の下部電極の下端部付近のみに存在し、
前記第1の接触部分以外の前記第1及び第4の部分の間には、第2の介在層が存在することを特徴とする請求項1に記載の強誘電体記憶装置。 - 前記第1の接触部分における前記第2の水素バリア膜は、前記第1の水素バリア膜を突き抜けていることを特徴とする請求項1に記載の強誘電体記憶装置。
- 半導体基板に第1のゲート電極と第1及び第2の拡散層とを有する第1のトランジスタを形成する工程と、
前記半導体基板及び前記第1のトランジスタ上に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に第1の下部電極と第1の強誘電体膜と第1の上部電極とを有する第1の強誘電体キャパシタを形成する工程と、
前記第1の強誘電体キャパシタ及び前記第1の絶縁膜上に第1の水素バリア膜を形成する工程と、
前記第1の強誘電体キャパシタの側面における前記第1の水素バリア膜上に第1の介在層を形成する工程と、
前記第1の介在層及び前記第1の水素バリア膜上に第2の水素バリア膜を形成し、前記第1の絶縁膜上における前記第1及び第2の水素バリア膜の少なくとも一部を接触させて第1の接触部分を形成する工程と
を具備することを特徴とする強誘電体記憶装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004077679A JP3793207B2 (ja) | 2004-03-18 | 2004-03-18 | 強誘電体記憶装置及びその製造方法 |
US10/930,803 US6967368B2 (en) | 2004-03-18 | 2004-09-01 | Ferro-electric memory device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004077679A JP3793207B2 (ja) | 2004-03-18 | 2004-03-18 | 強誘電体記憶装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005268472A true JP2005268472A (ja) | 2005-09-29 |
JP3793207B2 JP3793207B2 (ja) | 2006-07-05 |
Family
ID=34985325
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004077679A Expired - Fee Related JP3793207B2 (ja) | 2004-03-18 | 2004-03-18 | 強誘電体記憶装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6967368B2 (ja) |
JP (1) | JP3793207B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008034539A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
JP2008135618A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Seiko Epson Corp | 強誘電体メモリ装置の製造方法 |
JP2008135617A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Seiko Epson Corp | 強誘電体メモリ装置の製造方法 |
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US7812384B2 (en) | 2007-04-27 | 2010-10-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device including a transistor and a ferroelectric capacitor |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7265403B2 (en) * | 2004-03-30 | 2007-09-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP4647243B2 (ja) * | 2004-05-24 | 2011-03-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US7592273B2 (en) * | 2007-04-19 | 2009-09-22 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device with hydrogen barrier and method therefor |
JP2009099644A (ja) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Toshiba Corp | 半導体装置、及びその製造方法 |
EP2114085A1 (en) * | 2008-04-28 | 2009-11-04 | Nederlandse Centrale Organisatie Voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO | Composite microphone, microphone assembly and method of manufacturing those |
US8901705B2 (en) * | 2008-10-28 | 2014-12-02 | Nxp, B.V. | 3D integration of a MIM capacitor and a resistor |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP3098474B2 (ja) * | 1997-10-31 | 2000-10-16 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6249014B1 (en) | 1998-10-01 | 2001-06-19 | Ramtron International Corporation | Hydrogen barrier encapsulation techniques for the control of hydrogen induced degradation of ferroelectric capacitors in conjunction with multilevel metal processing for non-volatile integrated circuit memory devices |
KR100420117B1 (ko) * | 2001-03-12 | 2004-03-02 | 삼성전자주식회사 | 수소 확산방지막을 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP2002353414A (ja) | 2001-05-22 | 2002-12-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 誘電体キャパシタおよびその製造方法 |
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EP1298730A3 (en) * | 2001-09-27 | 2007-12-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ferroelectric memory and method for fabricating the same |
-
2004
- 2004-03-18 JP JP2004077679A patent/JP3793207B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-01 US US10/930,803 patent/US6967368B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
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US8362533B2 (en) | 2007-04-27 | 2013-01-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device including a transistor and a ferroelectric capacitor |
JP2008294194A (ja) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Seiko Epson Corp | 強誘電体キャパシタの製造方法及び強誘電体キャパシタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6967368B2 (en) | 2005-11-22 |
US20050205919A1 (en) | 2005-09-22 |
JP3793207B2 (ja) | 2006-07-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060315 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100414 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100414 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110414 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130414 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140414 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |