JP2005038661A - Organic electroluminescent element, display device, lighting device and light source - Google Patents
Organic electroluminescent element, display device, lighting device and light source Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005038661A JP2005038661A JP2003198348A JP2003198348A JP2005038661A JP 2005038661 A JP2005038661 A JP 2005038661A JP 2003198348 A JP2003198348 A JP 2003198348A JP 2003198348 A JP2003198348 A JP 2003198348A JP 2005038661 A JP2005038661 A JP 2005038661A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light
- substrate
- organic
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 159
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 262
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 41
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 32
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 30
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 25
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 15
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 15
- 239000012792 core layer Substances 0.000 claims description 13
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 claims description 10
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 claims description 10
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 99
- 239000010408 film Substances 0.000 description 91
- 238000000034 method Methods 0.000 description 65
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 53
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 53
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 43
- -1 alkoxide compound Chemical class 0.000 description 41
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 37
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 32
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 32
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 27
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 25
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 24
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 23
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 21
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 19
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 17
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 15
- 230000006870 function Effects 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 11
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 11
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 11
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 10
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 10
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 10
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 10
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 9
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 description 9
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 8
- 150000001925 cycloalkenes Chemical group 0.000 description 8
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 8
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 8
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 7
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 7
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 6
- 230000002087 whitening effect Effects 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 4
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 3
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 3
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 3
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 3
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 229920000775 emeraldine polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003230 hygroscopic agent Substances 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical class N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N sulfanyl Chemical class [SH] PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OJOWICOBYCXEKR-APPZFPTMSA-N (1S,4R)-5-ethylidenebicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical compound CC=C1C[C@@H]2C[C@@H]1C=C2 OJOWICOBYCXEKR-APPZFPTMSA-N 0.000 description 1
- LTQBNYCMVZQRSD-UHFFFAOYSA-N (4-ethenylphenyl)-trimethoxysilane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=C(C=C)C=C1 LTQBNYCMVZQRSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical class C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 2,3-bis[(E)-2-phenylethenyl]pyrazine Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=NC=CN=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKCPKDPYUFEZCP-UHFFFAOYSA-N 2,6-di-tert-butylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC(C(C)(C)C)=C1O DKCPKDPYUFEZCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDNSOJDSRJOUHB-UHFFFAOYSA-N 2-methyloxirane;phenol Chemical compound CC1CO1.OC1=CC=CC=C1.OC1=CC=CC=C1 QDNSOJDSRJOUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPXGNWHNJGFMFC-UHFFFAOYSA-N 2-n-benzyl-1-n-(3-trimethoxysilylpropyl)but-3-ene-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCC(C=C)NCC1=CC=CC=C1 WPXGNWHNJGFMFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propane-1-thiol Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCS IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCl OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEZMLECYELSZDC-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl-diethoxy-methylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCCl KEZMLECYELSZDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KNTKCYKJRSMRMZ-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCCl KNTKCYKJRSMRMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFERIGCCDYCZLN-UHFFFAOYSA-N 3a,4,7,7a-tetrahydro-1h-indene Chemical compound C1C=CCC2CC=CC21 UFERIGCCDYCZLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJSMHFNBMMAKRI-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyanilino)phenyl]aniline Chemical group COC1=CC=C(C=C1)NC1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)N ZJSMHFNBMMAKRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHDTYXOIJHCGKH-UHFFFAOYSA-N 4-[[4-(dimethylamino)-2-methylphenyl]-phenylmethyl]-n,n,3-trimethylaniline Chemical compound CC1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C(=CC(=CC=1)N(C)C)C)C1=CC=CC=C1 AHDTYXOIJHCGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DUSWRTUHJVJVRY-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]propan-2-yl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C(C)(C)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 DUSWRTUHJVJVRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical group C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XIQGFRHAIQHZBD-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]-phenylmethyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 XIQGFRHAIQHZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSSMYOQKNHMTIP-UHFFFAOYSA-N 5-[dimethoxy(methyl)silyl]pentane-1,3-diamine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCC(N)CCN OSSMYOQKNHMTIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YSWATWCBYRBYBO-UHFFFAOYSA-N 5-butylbicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical compound C1C2C(CCCC)CC1C=C2 YSWATWCBYRBYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHJIJNGGGLNBNJ-UHFFFAOYSA-N 5-ethylbicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical compound C1C2C(CC)CC1C=C2 QHJIJNGGGLNBNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLLQHXBUQMCLGK-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-5-phenylbicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical compound C1C(C=C2)CC2C1(C)C1=CC=CC=C1 SLLQHXBUQMCLGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHLRJDNGHBXOSV-UHFFFAOYSA-N 5-trimethoxysilylpentane-1,3-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(N)CCN KHLRJDNGHBXOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 9-methylidenefluorene Chemical class C1=CC=C2C(=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- FIPYBLVVNUUIGQ-UHFFFAOYSA-N CC1(C2C=CC(C1)C2)C.CC2C1C=CC(C2)C1 Chemical compound CC1(C2C=CC(C1)C2)C.CC2C1C=CC(C2)C1 FIPYBLVVNUUIGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000033999 Device damage Diseases 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015621 MoO Inorganic materials 0.000 description 1
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl amine Natural products NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(ethenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C=C NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004448 alkyl carbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001118 alkylidene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 150000008425 anthrones Chemical class 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004637 bakelite Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- BMAXQTDMWYDIJX-UHFFFAOYSA-N bicyclo[2.2.1]hept-2-ene-5-carbonitrile Chemical compound C1C2C(C#N)CC1C=C2 BMAXQTDMWYDIJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005282 brightening Methods 0.000 description 1
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 150000001907 coumarones Chemical class 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- XOVJAYNMQDTIJD-UHFFFAOYSA-N cyclopentobarbital Chemical class C1CC=CC1C1(CC=C)C(=O)NC(=O)NC1=O XOVJAYNMQDTIJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- UCJHMXXKIKBHQP-UHFFFAOYSA-N dichloro-(3-chloropropyl)-methylsilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)CCCCl UCJHMXXKIKBHQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOCC1CO1 WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical class [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 1
- 238000009998 heat setting Methods 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N hexane-1,1-diol Chemical compound CCCCCC(O)O ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- UKVIEHSSVKSQBA-UHFFFAOYSA-N methane;palladium Chemical compound C.[Pd] UKVIEHSSVKSQBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEBDJCUTXUYLDC-UHFFFAOYSA-N methyl 5-methylbicyclo[2.2.1]hept-2-ene-5-carboxylate Chemical compound C1C2C(C(=O)OC)(C)CC1C=C2 AEBDJCUTXUYLDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMAZRAQKPTXZNL-UHFFFAOYSA-N methyl bicyclo[2.2.1]hept-2-ene-5-carboxylate Chemical compound C1C2C(C(=O)OC)CC1C=C2 RMAZRAQKPTXZNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical class [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N n'-[3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCNCCN MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AODWRBPUCXIRKB-UHFFFAOYSA-N naphthalene perylene Chemical group C1=CC=CC2=CC=CC=C21.C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 AODWRBPUCXIRKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical group C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- GPRIERYVMZVKTC-UHFFFAOYSA-N p-quaterphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 GPRIERYVMZVKTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical class C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLJHXMRDIWMMGO-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol;zinc Chemical compound [Zn].C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 DLJHXMRDIWMMGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000000807 solvent casting Methods 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229920006302 stretch film Polymers 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- LARWSROPFKACET-UHFFFAOYSA-N tetracyclo[9.2.1.02,10.03,8]tetradeca-5,12-diene Chemical compound C12CC3CC=CCC3C1C1C=CC2C1 LARWSROPFKACET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWWNQEOPUOCKGR-UHFFFAOYSA-N tetraethyltin Chemical compound CC[Sn](CC)(CC)CC RWWNQEOPUOCKGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N thiopyran Chemical compound S1C=CC=C=C1 IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C=C GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRGPKMWIYVTFIQ-UHFFFAOYSA-N triethoxy(3-isocyanatopropyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN=C=O FRGPKMWIYVTFIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- KPGXUAIFQMJJFB-UHFFFAOYSA-H tungsten hexachloride Chemical compound Cl[W](Cl)(Cl)(Cl)(Cl)Cl KPGXUAIFQMJJFB-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005050 vinyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 125000002256 xylenyl group Chemical class C1(C(C=CC=C1)C)(C)* 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は可撓性の支持体上に形成された耐久性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子ともいう)および該素子を用いた表示装置、照明装置、および光源に関する。
【0002】
【従来の技術】
白色の照明光源として、白熱灯、蛍光灯が民生用として一般に広く用いられている。白熱灯は光のスペクトルが太陽光に近く、自然の光に近いが壁面全体を均一に明るくしたりするには不向きであり、発光スペクトルを変化させることが困難な光源である。また電気エネルギーを光エネルギーに変換する効率も低く、この効率的な利用から蛍光灯が現在のところ多用されているが、蛍光灯にも欠点がいくつかある。
【0003】
蛍光灯は、水銀蒸気のグロー放電を利用しているため、点灯時間が遅れるとともに、点灯直後は放電が不安定で光量が安定しない。また、低温環境下での光量低下が問題である。さらに、蛍光灯は、ガラス管に水銀蒸気を封入しているため、小型化が困難なうえ、水銀による環境汚染も問題である。
【0004】
一方、近年、自発光素子として有機EL素子が注目されている。有機EL素子は、薄膜の有機化合物からなる発光層を電極で挟持した構成で、電極間に電流を供給すると発光する素子である。したがって、薄膜である有機EL素子を光源として利用すると小型化、軽量化が容易であるうえ、蛍光灯にくらべて発光の応答速度が速く、点灯直後の光量も比較的安定した照明装置となる。
【0005】
ここで、有機EL素子を液晶表示装置の光源や、各種ディスプレイ用の照明装置として利用する場合の発光色は白色が好ましい。しかしながら、有機EL素子は、単一の発光材料で白色発光を示すものがない。このため白色以外の複数の発光色の組み合わせにより白色化しており、例えば、発光層と発光層の光を色変換する蛍光層との組み合わせや、複数の発光層を組み合わせることにより白色発光を得ている。
【0006】
例えば、蛍光材料により白色化する方法が用いられ、特開昭63−19796号公報には、透明電極の反対側に蛍光層を積層させて白色化させる技術が開示されている。また、特開平8−100173号公報には、青色の有機EL素子の発光を吸収して可視光の蛍光を発光する蛍光体層を有機EL素子の積層方向に設けて、白色化する技術が記載されている。さらに、特開2001−250690号公報には、青色の発光層に蛍光材料を混ぜて白色化する技術が記載されている。
【0007】
また、発光材料により白色化する技術としては、特開平7−90260号公報に、発光材料と複数のドーパント材料により白色化する技術が記載されている。
【0008】
また、特開平7−142169号公報には、複数の発光層を積層して白色化する技術も記載されている。
【0009】
蛍光材料を使用する方法は一度発光した短波長の光を長波長に変換するため、光エネルギー授受の際のエネルギーロスが生じたり、蛍光体材料そのものが高価であるので、蛍光材料を使う限り、発光効率を含めた経済性を改善しにくい。
【0010】
有機EL素子による白色発光は、さらに加えて、蛍光灯による白色光にくらべ、低電圧で駆動できる、直流電源が使える、有害成分である水銀を使用しない、輝度の設定可能な範囲が広い、薄膜の発光素子化が可能で省資源に対応できるなど幾つもの長所があり、注目されているが、いまだ発光効率と寿命の点で、蛍光灯を上回るものが得られていない。
【0011】
特に、発光効率では近年、りん光性ドーパントを使用した有機EL素子により、電気エネルギーの光への変換効率が大きく改善されることがわかってきた。しかしながら、現状における、屈折率の高い電極素材、発光層素材、素子基材を使用する限り、発光を完全に取り出すことが難しく、最終的な発光効率を大きく改善することができない。たとえば、特開2003−77680号公報においては、基板と電極の間に下地層を介在させ、おのおのの屈折率を規定する技術が開示されているが、未だ不十分である。
【0012】
また有機EL素子は薄膜内で電子と正孔を結合させるという原理に由来するため、その物理的構造上、酸素や水分子などの消光成分、励起分子を熱失活させる成分の存在や素子内への拡散を極限まで低減させることが有機EL素子を長寿命とするために必要である。この技術に関しても従来は、十分乾燥させた高純度の不活性ガス(例えば窒素)雰囲気で、しかも乾燥剤を一緒に封入させたガラスセルあるいはガラスと金属缶の組み合わせによるセル構造より達成している。例えば、特開平10−312882号公報には、ガラス基板と発光素子全体を光取り出し窓付の容器に封入する技術が開示されている。これらの方法は、薄膜化、軽量化、省資源化、低コスト化にはあきらかに不適である。
【0013】
また、発光の取り出し効率を上げる方法として、例えば特開2003−31374号公報には、ガラス基板上のITO(透明電極)をITOとシリカ(SiO2)の積層にして、かつ基板の発光層とは反対側の面に反射防止層を形成する等の技術が開示されており、発光の取り出し効率の改善が試みられているが、詳細な開示はなく、大きな効果は望めない。また、特開2000−260559号公報においては、光ファイバーの束の断面にガラスや樹脂層を形成した上に発光素子を形成し、取り出し効率を改善しようとしているが、多大な工数がかかり生産性が悪く、また良好な平面性が得られない。
【0014】
特開平6−283270号公報においては、ガラス基板上のITO作製面側にTiO2膜、SiO2膜を積層し共振構造を形成して散乱光を抑制する技術が開示されている。
【0015】
また特開2002−184567号公報には、基板にフォトリソグラフィ法でマイクロレンズを形成して画素からの発光を効率よく外部へ取り出す方法が記載されている。
【0016】
しかしながら、これらいずれの方法についても、光の取り出し効率を向上させるものではあるが、薄膜化が難しく、生産性が悪いことから、光の取り出し効率を向上させ、かつ生産性の高い方法は未だ見いだされていない。また、光の取り出し効率を上げると共に、前記耐湿性等を改善し、長寿命化を達成するといった難しい課題を同時に達成しているものはない。例えば吸湿性の物質を含有する水分吸収層を有するガラス基板も検討されている(特開2003−100448号公報)が有機EL素子の電極形成やパターニングの際に、吸湿性物質が逆に電流のリークや発光時のダークスポットの原因となり有効でない。
【0017】
また、もう一つの問題として、近年の携帯電話等、携帯情報端末機器に設けられる表示装置や電子光学デバイスには、通常ガラス等の基板が用いられており、ガラスは透湿性の点で優れているが、重い、フレキシブル性(可撓性)がないために落下により割れやすい等欠点があるため、これらの普及に伴い、可撓性のある(例えば、プラスチック基板を用いた)折り曲げに強い素子が要望されており、前記蛍光灯に代わる照明等の発光光源においてもフレキシブルで可撓性を有する支持体上に有機EL素子を発光光源として形成し照明用途に用いようとする要望も大きい。
【0018】
しかしながらプラスチックは一般的にガラスよりも透湿性が高く、特に150μm以下のプラスチック基板で有機EL素子を十分長期にわたって発光させるためには、プラスチックそのものの耐水性や高い防湿性が要求されるだけでなく、強力な乾燥剤をいかに均一にプラスチック中に添加させるかが重要な課題であり、これはいまだ達成されていない。
【0019】
従って、前記の如く光の取り出し効率が高く、透湿性が低く、かつ更にはフレキシブルで可撓性を有するといった複数の要望を全て満たす基板については、これまでのところ知られていないのが現状である。
【0020】
すなわち、有機EL素子を用いて、蛍光灯を経済性(低コスト、省資源)、取り扱い性、環境安全性等の面で凌駕し、さらにシート状で可撓性のある担体上に白色発光の光源を構成することは、従来技術では到底なしえないものであった。
【0021】
【特許文献1】
特開2003−77680号公報
【0022】
【特許文献2】
特開2003−31374号公報
【0023】
【特許文献3】
特開2000−260559号公報
【0024】
【特許文献4】
特開平6−283270号公報
【0025】
【特許文献5】
特開2002−184567号公報
【0026】
【特許文献6】
特開2003−100448号公報
【0027】
【発明が解決しようとする課題】
有機エレクトロルミネッセンス素子における光取り出し効率を飛躍的に向上させ、長寿命化をはかり、可撓性フィルム化白色発光体の湾曲変形時の輝度変化と素子の破損、亀裂を低減させた有機EL素子およびこれを用いた発光体、光源を提供することを目的とする。安価で省資源を達成できる有機EL素子およびこれを用いた発光体、光源を提供することを目的とする。
【0028】
【課題を解決するための手段】
本発明の上記目的は、以下の手段によって達成される。
【0029】
1.透光性の基板上に下部電極、発光層、上部電極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該透光性の基板のヘイズ値が0.5%以上、50%以下であり、厚さが30μm以上、700μm以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【0030】
2.前記透光性の基板が積層構成を有し、すくなくともコア層(1つの層)に、屈折率が1.30以上のフィラーを1質量%以上、40質量%以下含有することを特徴とする前記1に記載の有機EL素子。
【0031】
3.前記透光性の基板の中に、吸湿性物質を、平均粒径0.08μm以上、5μm以下で分散して含有させたことを特徴とする前記1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【0032】
4.前記透光性の基板が積層構成を有し、前記透光性の基板の下部電極側の表面粗さRaが50nm以下であり、下部電極と反対側の表面粗さRaが20nm以上であって、かつ基板を構成する層のうち少なくとも一層がシクロオレフィン系ポリマーであることを特徴とする前記1〜3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【0033】
5.前記透光性の基板が積層構成を有し、前記透光性の基板の下部電極側の表面粗さRaが50nm以下であり、下部電極と反対側の表面粗さRaが20nm以上であって、かつ基板を構成する層のうち少なくとも一層がポリエーテルスルホン系ポリマーであることを特徴とする前記1〜3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【0034】
6.発光層がりん光性ドーパントを少なくとも1種以上含むことを特徴とする前記1〜5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【0035】
7.下部電極と発光層の間に電導性ポリマー層を1nm以上150nm以下の厚みで形成したことを特徴とする前記1〜6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【0036】
8.500cd/m2の輝度で発光させた状態で、カール値を0から60まで変化させたときの輝度の変化率が20%以下であることを特徴とする前記1〜7のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【0037】
9.前記1〜8のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有する表示装置。
【0038】
10.前記1〜8のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有する照明装置。
【0039】
11.前記1〜8のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有する光源。
【0040】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明は、透光性の基板上に下部電極、発光層、上部電極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【0041】
有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子ともいう)においては、従来から、発光の量子効率を向上させるアプローチが数多く検討されてきている。有機EL素子において、従来の蛍光体からの発光(励起一重項からの発光)における発光性励起種の生成確率が25%であるのにたいし、近年、りん光発光ドーパントを用いて、励起三重項からのりん光発光を用いる有機EL素子が提案され、励起三重項を使用すると内部量子効率の上限は100%となるため、発光効率がこれまでに比べ原理的に最大4倍となることから注目されている。これにより冷陰極管とほぼ同等の性能が得られ照明用にも応用可能である。これらの電界発光素子において、発光スペクトルの極大波長の異なる2種以上のりん光発光ドーパントを用いることで、例えば青−赤、青緑−赤、青−緑−赤などの組み合わせで、見かけ上、白色の発光が得られ、前記照明用としての白色光も得られる。
【0042】
しかしながら、通常、透光性の基板からの光の取り出し効率は約20%程度であるため、透光性の基板からの取り出し効率の向上は更に効率をアップさせることから重要である。
【0043】
本発明は、これらの透光性の基板内部での反射による有機EL発光の取り出しロス減少させ光の取り出し効率を向上させるものである。
【0044】
本発明においては、透光性の基板として、該透光性の基板のヘイズ値を0.5%以上50%以下となるように選択する。好ましくは、3.0%以上である。ヘイズ値が0.5%より小さいと本発明の有機EL用基板フィルムとして用いた場合、発光素子からの光が、基板と外部の界面において、臨界角を下回ると基板面から外側に出て来ず、基板フィルム面内方向に伝わるので光取り出し効率が低下し、同一の電圧・電流負荷時にも基板を光取り出し側の面(下部電極の形成されない面)から見たときに暗く見えることになる。
【0045】
また、基板を薄膜化し、また、ガラスを使用した積層基板の場合においても、できる限りガラスを薄くし、フレキシブルで可撓性とし、軽量性を付与するため、樹脂フィルムを使用し、厚みとしては30μm以上、700μm以下である。
【0046】
基板のヘイズ値は、フィルム試料1枚をASTM−D1003−52に従って、東京電色工業(株)社製T−2600DAを使用して測定することで得ることができる。
【0047】
有機EL素子の透光性の基板を、前記ヘイズ値を有する基板とすることで、前記電界発光素子からの光が基板中で基板と外部との界面から全反射をうけて外側に出てこないという問題に対し、基板中を透過する電界発光のうち、基板と外部との界面、また、基板と光を取り出す(観察側)となる下部電極(透明導電膜)との界面等によって、また、積層基板であれば、各積層膜の界面等も入るが、これらの薄膜界面で全反射して、殆ど取り出せない成分が、適度な散乱をうけることで、前記透光性の基板から取り出せる様になるものと考えられる。
【0048】
有機EL素子の封止方法の一例を断面図で図1に示す。
即ち、透光性の基板1上に、下部電極2として、陽極となる透明導電膜が形成され、更にパターニングされた前記下部電極2上に、例えば、陽極バッファー層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等の各層からなる有機EL層3が、蒸着或いは塗布等により形成され(詳細はここでは省略する)、更に、該有機EL層上に陰極である上部電極4が形成されたのち、該上部電極上からこれを覆って封止用基板5が、減圧下或いは乾燥窒素等不活性ガス下において、有機EL素子各層の周囲を封止するシール材6によって接着され、有機EL素子が封止される。図において、各電極からのリード線の取り出し等は省略してあり、また、図示しないが、シール材と共にスペーサ等を用いて、透光性の基板と封止用基板間の間隔を調整してもよい。また、前記封止用基板5は必ずしも基板である必要はなく、セラミックスやポリマー等の封止膜であってもよい。また、電極および有機EL層の構成は上記のものに限られるわけではなく、逆送構成(いわゆるトップエミッション型)であってもよい。また、必要に応じて、内部に乾燥剤、吸湿剤等を入れてもよい。
【0049】
以上の構成において、有機EL層での、透明電極側から取り出され、例えば、透明電極が透光性の基板上に形成された下部電極である場合、電界発光は、該透光性の基板を通して取り出される。
【0050】
本発明は、透光性の基板での前記光取り出し効率を、透光性の基板のヘイズ値を前記の範囲に調整することで、向上させるものであり、本発明においては、透光性の基板のヘイズ値を前記範囲に調整するために、特定粒径の吸湿性物質の粒子をフィラーとして、特定含有率で、樹脂フィルム中に存在させることにより、光散乱機能をもたせ、基板中を面内で拡散し活用されない(取り出されない)光の割合を抑えて、取り出し面側へ進行する光の割合を増やすようにすると同時に、基板の透湿性の向上を同時に行うものである。
【0051】
透光性の基板を軽量化し、可撓性のあるものとするため、ガラスを樹脂フィルム化することから、透湿性が悪化するので、封止された有機EL素子の寿命が劣化する分を、本発明においては、基板フィルム中に吸湿材含有樹脂層を形成し補うものである。
【0052】
上部電極に接して、透光性の基板と共に有機EL素子を封止する封止用基板材料については、ガラス、また、透湿性に優れた樹脂フィルム等を用いればよく、必要とされる、透湿性や、フレキシブル性(可撓性)に応じて、ガラス材料や、樹脂フィルムを選択すればよい。樹脂フィルムのなかでは透湿性の低い、例えばシクロオレフィン系樹脂基板等を用いるのが好ましい。
【0053】
しかしながら下部電極を形成する透光性の基板(発光を観測する側)のみでなく、上部電極に接して、透光性の基板と共に有機EL素子を封止する基板材料についても、可撓性の樹脂フィルムとして、おのおの吸湿性のフィラーを含有する層を導入したものを用いることで、(白色)有機EL素子の薄膜、軽量、長寿命化、経済性、省資源性を確保することが好ましい。
【0054】
本発明において、吸湿性のフィラーとして、樹脂層中に添加できる吸湿性物質としては、ZnO、SnO2、TiO2、Al2O3、In2O3、SiO2、GeO2、MgO、BaO、MoO3、ZiO2、V2O5、CaO、SrOなどの酸化物があり、これらを乾燥させた状態で、吸湿性、光を散乱させ、表面粗さを制御できるような粒径と粒径分布を持たせて適切な量を添加することができる。しかし、入れすぎると樹脂層を形成した場合の機械強度が劣化し脆くなり、少ないと上記機能の発現ができないので、1質量%から40質量%以下の割合が好ましい。また、光取り出しの際の拡散性を付与するには、吸湿材そのものの屈折率が1.30以上であることが好ましい。
【0055】
また樹脂を溶剤に溶解させ、そこに上記酸化物の前駆体である金属アルコキシド化合物(例えば、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトライソプロポキシチタンなど)の溶液(必要に応じ、酸、アルカリ、水などを含んでいてもよい)を混合し、キャスト法によって樹脂層を形成してもよい。このいわゆるゾルゲル法を使うことにより、金属アルコキシドの樹脂への添加量や樹脂の種類、製膜条件により容易にヘイズを制御することができる。
【0056】
前記吸湿性物質は、平均粒径0.08μm以上、5μm以下に分散し使用する。より好ましい粒径は、0.1μm以上、2μm以下である。
【0057】
上記無機微粒子の平均粒径は、電子顕微鏡で、100個以上の任意の粒子を観察し粒径を求めて、その単純平均値(個数平均)として求められる。ここで、個々の粒径は、その投影面積に等しい円を仮定した時の直径で表したものである。
【0058】
通常は、樹脂層形成の際にキャスティング用組成物中に分散物として練り込んだり、また、組成物中に分散物を添加してフィルム製膜することで、該吸湿性フィラーを含有する樹脂層(フィルム)を得ることができる。
【0059】
また、これらの透光性の基板となる樹脂フィルムは、前記吸湿性フィラーを有する樹脂フィルムをコア層とする積層構造を有していてもよく、特に、薄膜のガラスと樹脂フィルム、また異なった複数の樹脂フィルムからなる積層フィルムであってよい。
【0060】
吸湿性フィラーを含有する樹脂フィルムそのままであると、樹脂フィルム表面に突出した吸湿性フィラーが、吸湿後、例えば、強力な吸湿剤である酸化バリウム等の場合、加水分解され生成した強アルカリが、電極等を浸食するので好ましくない。前記のような、吸湿性フィラーを含有する樹脂フィルム(層)をコア層として、これをフィラーが表面に露出しない様に、他の樹脂層、例えばポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレートまたガラス等の層を、ラミネート、また後述する共押し出し法や共流延法等により積層した積層フィルムとするのが好ましい。
【0061】
コア層となる吸湿性フィラーを含有する層の厚みは20〜500μm、これを吸湿性フィラーを含有しない20〜500μmの範囲の樹脂層と積層された構造が好ましい。必ずしも3層構成である必要はなく、また、更に別の目的で他の層を設けてもよいし、また、フィラー層を異なった樹脂或いは、異なった吸湿性物質を有するものを組み合わせて、積層構造としてもよい。
【0062】
例えば、以下のような構成がある。
PET/PET(BaO)/PET
PEN/PET(BaO)/PEN
Glass/PES(BaO)/Glass
等が代表的な構成である。以上において、PET;ポリエチレンテレフタレート、PEN;ポリエチレン2,6−ナフタレート、PES;ポリエーテルスルホンである。有機EL素子の電極を蒸着やスパッタなどで形成する場合にはよりTgの高い耐熱性の樹脂を前記電極を形成する側の最表面となるようにするとよい。
【0063】
前記の目的から、ガラス基板上に他の層を積層し、積層基板とする場合には、樹脂コーティング、ラミネート等の手段を用いることから、後述するように、表面を粗さを調整したり接着性付与のための表面改質を行うことが必要である。
【0064】
本発明において、積層フィルムの少なくとも吸湿性フィラーを含有するコア層については、屈折率が1.30以上の吸湿性フィラーを、前記の通り少なくとも1質量%以上、40質量%含有することが好ましい。
【0065】
樹脂フィルム或いは樹脂層の製膜、例えば、ポリエステルフィルムについては、通常、原料のポリエステルをペレット状に成型し、熱風乾燥または真空乾燥した後、溶融押出し、Tダイよりシート状に押出して、静電印加法などにより冷却ドラムに密着させ、冷却固化させ、未延伸シートを得る。
【0066】
これらポリエステルフィルムを積層する場合も、従来公知の方法でよい。例えば、複数の押出機およびフィードブロック式ダイあるいはマルチマニフォールド式ダイによる共押出法や、積層体を構成する単層フィルムまたは積層フィルム上に積層体を構成するその他の樹脂を押出機から溶融押出し、冷却ドラム上で冷却固化させる押出ラミネート法や、積層体を構成する単層フィルムまたは積層フィルムを必要に応じてアンカー剤や接着剤を介して積層するドライラミネート法などが挙げられる。中でも、製造工程が少なくてすみ、各層間の接着性が良好な共押出法が好ましい。
【0067】
マルチマニフォールド式ダイを用いて、前記共押出法によりコア層を吸湿性フィラーを少なくとも1質量%以上、40質量%含有する樹脂層として、その両側に前記フィラーを含有しない層を積層することで、本発明に係わる積層基板(フィルム)を得ることができる。
【0068】
得られた未延伸シートをは複数のロール群および/または赤外線ヒーターなどの加熱装置を介してポリエステルのガラス転移温度(Tg)からTg+100℃の範囲内に加熱し、一段または多段縦延伸する。延伸倍率は、通常2.5倍〜6倍の範囲で、続く横延伸が可能な範囲とする必要がある。シートが多層構成の場合の延伸温度の設定は各構成層のポリエステルのTgのなかで最も高いTgを基準にすることが好ましい。
【0069】
この様にして得られた縦方向に一軸延伸されたポリエステルフィルムを、Tg〜Tm−20℃の温度範囲内で、更に横延伸し、次いで熱固定する。横延伸倍率は通常3〜6倍であり、また、縦、横延伸倍率の比は、得られた二軸延伸フィルムの物性を測定し、好ましい特性を有するように適宜調整する。
【0070】
また、冷却は、最終熱固定温度から室温までを毎秒1℃以上100℃以下の冷却速度で徐冷することが寸法安定性の点で好ましい。冷却速度は、得られた二軸延伸フィルムの物性を測定し、好ましい特性を有するように適宜調整することにより決定すればよい。
【0071】
尚、例えば、ポリエステルなど結晶化する樹脂のチップを製造する際、重合後の溶融ポリマーを融点から、徐冷すると結晶化して白濁して脆くなることから、ストランド(索)形成後は、通常冷水中に投入して、チップカッターへ連続して導入することが、一般には行なわれているが、本発明において、混練機を用いて吸湿材を混練した樹脂では、水は使えないので、乾燥窒素気流下で、ノルマルヘプタン、ノルマルオクタンなどの非水性で反応性の低い、乾燥させやすい冷却溶媒を用いることが好ましい。
【0072】
また、溶剤キャステイング法により形成される場合にも、ドープ中に前記吸湿性フィラーを、同様にして分散状態で添加した後、製膜すればよい。また、共流延法により積層構造を有するフィルムを前記同様に得ることができる。
【0073】
本発明においては、基板を薄膜化するため、ガラスを使用する場合でもできる限り薄くし、樹脂フィルムを使用することで可撓性のある、軽量な基板とするため、基板の厚みは30μm以上、700μm以下である。
【0074】
可撓性の基板とするには、樹脂フィルムを用いることが好ましいが、樹脂の中でもシクロオレフィン系ポリマーは吸水率(透湿性)、透明性に優れているが、高価であり、屈折率が1.52と高く延伸製膜時の膜厚の均一性に劣る欠点がある。低価格で延伸性膜で均一なフィルムの得られるポリエステル(ポリエチレンテレフタレートなど)で共押し出しすることにより生産性よく、低コストで有機EL用の基板、封止フィルムを製造できる。
【0075】
前記積層構成とした透光性の基板において、基板を構成する層のうち少なくとも一層(コア層)を上記シクロオレフィン系ポリマーとし、吸湿性フィラーを含有させることで、更に、透湿性に優れた基板を得ることができる。その際に、光の散乱を更に向上させるため、該シクロオレフィン系ポリマーをコア層とする前記透光性の基板の下部電極側の表面粗さRaは50nm以下とし、下部電極と反対側の表面粗さRaが20nm以上とするように調整する。これにより、前記透湿性および、下部電極であるITO等の透明導電膜との密着性が改善されるのみでなく、界面での全反射が少なく光の取り出し効率の更に高い透光性の基板が得られ、これを用いた有機EL素子の全体の発光効率が非常に向上する。
【0076】
上記作製した基板表面の表面粗さRaとは、中心線平均粗さであり、JIS表面粗さのJIS−B−0601により定義される。すなわち、中心線平均粗さ(Ra)とは、粗さ曲線からその中心線の方向に測定長さL(本発明では2.5mmであることが好ましい)の部分を抜き取り、カットオフ値0.8mmとして、この抜き取り部分の中心線をX軸、縦倍率の方向をY軸、粗さ曲線をY=f(X)で表したとき、下式によって求められる値をマイクロメートル(μm)で表したものをいう。
【0077】
【数1】
【0078】
用いることのできる測定装置としては、例えば、WYKO社製 RSTPLUS非接触三次元微小表面形状測定システム等を挙げることができる。30cm×30cmとした試料について、3cm間隔で碁盤目状に100分割し、各正方形領域の中心について測定を行ない、100回の測定からその平均値と標準偏差を求めた。
【0079】
本発明において用いられるシクロオレフィン系ポリマーとしては、
ジシクロペンタジエンなどの多環モノマーの開環重合体の水素化物、ジシクロペンタジエンのような多環モノマーとエチレンとの共重合体の水素化物、また、ノルボルネン系重合体から選ばれるものである。
【0080】
ジシクロペンタジエンなどの開環重合体の水素化物としては、例えば特公昭58−43412号、特開昭63−218727などでよく知られている。またジシクロペンタジエンなどの多環モノマーとエチレンとの共重合体は、特開昭63−314220号、特開昭61−120816号などで知られている。もちろんジシクロペンタジエン類は、そのメチルやエチル置換体などのアルキル置換体や、エンド異性体、エキソ異性体またはこれらの混合物なども含むものである。
【0081】
また、ノルボルネン系重合体はUSP2883372号、特公昭46−14910号、特開平1−149738号、特開平3−14882号公報や特開平3−122137号公報などなどに示されたものなどが知られている。
【0082】
熱可塑性ノルボルネン系重合体は、具体的には、ノルボルネン系単量体の開環重合体、その水素添加物、ノルボルネン系単量体の付加型重合体、ノルボルネン系単量体とオレフィンの付加型重合体などが挙げられる。
【0083】
ノルボルネン系単量体は、上記公報や特開平2−227424号、特開平2−276842号の各公報などで公知の単量体であって、例えば、ノルボルネン、そのアルキル、アルキリデン、芳香族置換誘導体およびこれら置換または非置換のオレフィンのハロゲン、水酸基、エステル基、アルコキシ基、シアノ基、アミド基、イミド基、シリル基等の極性基置換体、例えば、2−ノルボルネン、5−メチル−2−ノルボルネン、5,5−ジメチル−2−ノルボルネン、5−エチル−2−ノルボルネン、5−ブチル−2−ノルボルネン、5−エチリデン−2−ノルボルネン、5−メトキシカルボニル−2−ノルボルネン、5−シアノ−2−ノルボルネン、5−メチル−5−メトキシカルボニル−2−ノルボルネン、5−フェニル−2−ノルボルネン、5−フェニル−5−メチル−2−ノルボルネン等;ノルボルネンに一つ以上のシクロペンタジエンが付加した単量体、その上記と同様の誘導体や置換体、例えば、1,4:5,8−ジメタノ−1,2,3,4,4a,5,8,8a−2,3−シクロペンタジエノナフタレン、6−メチル−1,4:5,8−ジメタノ−1,4,4a,5,6,7,8,8a−オクタヒドロナフタレン、1,4:5,10:6,9−トリメタノ−1,2,3,4,4a,5,5a,6,9,9a,10,10a−ドデカヒドロ−2,3−シクロペンタジエノアントラセン等;シクロペンタジエンの多量体である多環構造の単量体、その上記と同様の誘導体や置換体、例えば、ジシクロペンタジエン、2,3−ジヒドロジシクロペンタジエン等;シクロペンタジエンとテトラヒドロインデン等との付加物、その上記と同様の誘導体や置換体、例えば、1,4−メタノ−1,4,4a,4b,5,8,8a,9a−オクタヒドロフルオレン、5,8−メタノ−1,2,3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロ−2,3−シクロペンタジエノナフタレン等;等が挙げられる。
【0084】
これらのシクロオレフィン系ポリマーとしては、ゼオノア(R)、ゼオネックス(R)(日本ゼオン社製)、アートン(R)(JSR社製)等をあげることができる。
【0085】
本発明で使用する熱可塑性飽和シクロオレフィン系ポリマーの数平均分子量は、トルエン溶媒によるGPC(ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ)法で測定して、10,000〜200,000、好ましくは20,000〜150,000、より好ましくは25,000〜120,000である。特に耐水性、耐湿性がよいものが必要な場合は、極性基を有さない熱可塑性飽和シクロオレフィン系ポリマーが好ましい。
【0086】
また、ポリエーテルスルホン系ポリマーをシクロオレフィン系ポリマーに代えて用いても、同様に界面での全反射が少なく光の取り出し効率の更に高い透光性の基板が得られる。ポリエーテルスルホン系ポリマーはシクロオレフィン系ポリマーに比べやや透湿性の面では、おちるが、耐熱性が高く、本発明の上記構成を取ることにより前記透光性の基板として、界面での全反射が少なく光の取り出し効率の高い優れた基板を構成する。
【0087】
ポリエーテルスルホン系ポリマーとしては、ポリエーテルスルホン系フィルムが住友ベークライト(株)製から上市されており、例えば、「スミライト(R)FS−1300」、スミライト(R) FST−5300等があり、これらを用いることができる。
【0088】
このように、コア層となる吸湿性フィラーを含有する層を、他の樹脂層或いはガラス等の基板と積層した積層基板とする場合、樹脂コーティング、ラミネート等の手段を用いることから、表面を粗さを前記の様に調整したり接着性付与のための表面改質を行うことが好ましい。
【0089】
表面粗さの調整は、前記表面層を構成する層に、共押し出しや、共流延の際に、0.001〜0.8μmの平均粒径を有する、シリカ等の不活性な粒子を0.05から2.0質量%含有させることが好ましい。
【0090】
表面改質としては、例えば、シランカップリング剤等による処理を用いることができる。前記透湿性フィルムの下部電極側の表面にシランカップリング剤による処理を行って、透明導電膜との密着性(接着性)を向上させることができる。
【0091】
用いられる好ましいシランカップリング剤としては、下記一般式で表される化合物が好ましい。
【0092】
【化1】
【0093】
式中、Rは脂肪族或いは芳香族の炭化水素基を表し、不飽和基(例えばビニル基)を介在していてもよいし、R′OR″−、R′COOR″−、R′NHR″−(R′はアルキル基、アリール基、R″はアルキレン基、アリーレン基)その他の置換基で置換されていてもよい。
【0094】
また、X1、X2、X3は脂肪族或いは芳香族の炭化水素、アシル基、アミド基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、エポキシ基、メルカプト基或いはハロゲン原子を表し、X1、X2、X3は同じであっても互いに異なってもよい。ただし、少なくとも1つは炭化水素基以外の基である。なお、X1、X2、X3は加水分解を受ける基であることが好ましい。
【0095】
これらシランカップリング剤の具体例としてはメチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジクロロシラン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−(β−アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(β−アミノエチル)−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ−(2−アミノエチル)アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、N−β−(N−(ビニルベンジルアミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン・塩酸塩及びアミノシラン配合物などが挙げられる。なかでもビニル系、メルカプト系、グリシド系、メタクリロキシ系が好ましく、特にメルカプト系が好ましい。
【0096】
特に、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、p−スチリルトリメトキシシランなどのアミノ基、フェニル基、ビニル基を有するシランカップリング剤が好ましい。
【0097】
シランカップリング剤の処理にあたっては、公知の方法を使用することができる。例えばシランカップリング剤溶液の噴霧や、これを塗布する方法、また、表層となる前記樹脂層組成物中に、シランカップリング剤を含有させる方法等である。また、シランカップリング剤との反応を確実なものにするため60〜130℃で10分〜200分程度の乾燥を行うことが望ましい。
【0098】
また、本発明に係わる透光性の基板、または基板フィルムには、その他、発光の色調を調整するために、染料等を適宜添加して着色してもよい。
【0099】
《有機EL素子の構成層》
有機EL素子の基本的な構成層について説明する。
【0100】
本発明において、有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
(i)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(ii)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
《陽極》
有機EL素子における陽極(本発明においては透光性の基板上に形成される下部電極として記載)としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはAu等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXO(In2O3−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また、陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常10〜1000nm、好ましくは10〜200nmの範囲で選ばれる。
【0101】
《陰極》
一方、陰極(本発明においては上部電極として記載)としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えばマグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜1000nm、好ましくは50nm〜200nmの範囲で選ばれる。なお、発光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
【0102】
次に、本発明の有機EL素子の構成層として用いられる、注入層、正孔輸送層、電子輸送層等について説明する。
【0103】
《注入層》:電子注入層、正孔注入層
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記のごとく陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び、陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
【0104】
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日 エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されており、正孔注入層(陽極バッファー層)と電子注入層(陰極バッファー層)とがある。
【0105】
陽極バッファー層(正孔注入層)は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。特にポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層が好ましく、これらの陽極バッファー層は厚みとして0.1nm〜150nm形成することが好ましい。
【0106】
陰極バッファー層(電子注入層)は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。
【0107】
上記バッファー層(注入層)はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるが、その膜厚は0.1nm〜100nmの範囲が好ましい。
【0108】
阻止層は、上記のごとく、有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば特開平11−204258号、同11−204359号、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日 エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層がある。
【0109】
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層であり、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
【0110】
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層であり、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
【0111】
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。
【0112】
正孔輸送層、電子輸送層は単層もしくは複数層設けることができる。
本発明の有機EL素子においては、発光層のホスト、発光層に隣接する正孔輸送層、発光層に隣接する電子輸送層すべての材料の蛍光極大波長が415nm以下であることが好ましい。
【0113】
《発光層》
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子および正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であっても良い。
【0114】
発光層に使用される材料(以下、発光材料という)は、蛍光または燐光を発する有機化合物または錯体であることが好ましく、有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。このような発光材料は、主に有機化合物であり、所望の色調により、例えば、Macromol.Synth.,125巻,17〜25頁に記載の化合物等を用いることができるが、本発明においては前記燐光性化合物が好ましい。
【0115】
本発明において発光材料として用いられる前記化合物は、発光性能の他に、正孔輸送機能や電子輸送機能を併せ持っていても良く、正孔輸送材料や電子輸送材料の殆どが、発光材料としても使用できる。
【0116】
その他の発光材料として、p−ポリフェニレンビニレンやポリフルオレンのような高分子材料でも良く、さらに前記発光材料を高分子鎖に導入した、または前記発光材料を高分子の主鎖とした高分子材料を使用しても良い。
【0117】
この発光層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法などの公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。発光層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は5nm〜5μmの範囲で選ばれる。この発光層は、これらの発光材料一種又は二種以上からなる一層構造であってもよいし、あるいは、同一組成又は異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。本発明の有機EL素子の好ましい態様は、発光層が二種以上の材料からなり、その内の一種がリン光性ドーパントであるときである。
【0118】
また、この発光層は、特開昭57−51781号公報に記載されているように、樹脂などの結着材と共に上記発光材料を溶剤に溶かして溶液としたのち、これをスピンコート法などにより薄膜化して形成することができる。このようにして形成された発光層の膜厚については、特に制限はなく、状況に応じて適宜選択することができるが、通常は5nm〜5μmの範囲である。
【0119】
発光層を構成する材料が2種以上であるとき、主成分をホスト化合物、その他の成分をドーパントといい、本発明においては、前記リン光性ドーパントが用いられることが好ましい。
【0120】
その場合、主成分であるホスト化合物に対するドーパントの混合比は好ましくは質量で0.1質量%〜15質量%未満である。
【0121】
(ホスト化合物)
本発明の白色発光有機エレクトロルミネッセンス素子において、ホスト化合物としては、有機化合物または錯体であることが好ましく、本発明においては、好ましくは蛍光極大波長が415nm以下である。ホスト化合物の極大波長を415nm以下にすることにより可視光、前記ドーパントの発光において、特にBGR発光が可能となる。
【0122】
つまり蛍光極大波長を415nm以下にすることにより、通常のπ共役蛍光もしくは燐光材料において、π−π吸収を420nm以下に有するエネルギー移動型のドーパント発光が可能である。また415nm以下の蛍光を有することから非常にワイドエネルギーギャップ(イオン化ポテンシャル−電子親和力、HOMO−LUMO)であるので、キャリアトラップ型にも有利に働く。
【0123】
このようなホスト化合物としては、有機EL素子に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いてもよい。また前記の正孔輸送材料や電子輸送材料の殆どが発光層ホスト化合物としても使用できる。
【0124】
ポリビニルカルバゾールやポリフルオレンのような高分子材料でもよく、さらに前記ホスト化合物を高分子鎖に導入した、または前記ホスト化合物を高分子の主鎖とした高分子材料を使用してもよい。
【0125】
ホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Tg(ガラス転移温度)である化合物が好ましい。
【0126】
(ドーパント)
次にドーパントについて述べる。
【0127】
原理としては2種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをドーパントに移動させることでドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはドーパントがキャリアトラップとなり、ドーパント化合物上でキャリアの再結合が起こりドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、ドーパント化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。
【0128】
本発明の白色発光有機エレクトロルミネッセンス素子において、ドーパントとしては、Ir等の錯体化合物、特に好ましいものは、以下に表される化合物である。
【0129】
【化2】
【0130】
【化3】
【0131】
【化4】
【0132】
実質白色の発光を生じる有機エレクトロルミネッセンス素子については、現在のところ単一の発光材料で白色発光を示すものがないため、複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色により白色発光を得る。複数の発光色の組み合わせとしては、青色、緑色、赤色の3原色の3つの発光極大波長を有する発光材料を含有させたものでも良いし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した2つの発光極大波長を有する発光材料を含有したものでも良い。勿論4以上の発光極大波長を有する発光材料を組み合わせてもかまわない。
【0133】
例えば、発光材料としてリン光性ドーパントを用いる場合には、発光波長の異なる前記の関係を有する複数のドーパントを用いて混色により白色発光を得る。また蛍光性発光材料の場合にも同様である。
【0134】
また、複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数の、燐光または蛍光で発光する材料を、複数組み合わせたもの、これら蛍光または燐光で発光する発光材料と、発光材料からの光を励起光として発光する色素材料と組み合わせたものいずれでも良い。
【0135】
発光層の材料としては特に制限はなく、前記、公知の発光材料の中から任意のものを選択して組み合わせて白色化すれば良いが、特に、燐光を利用して発光する素子を形成する場合に用いられる発光ホストとしては、カルバゾール誘導体、ビフェニル誘導体、スチリル誘導体、ベンゾフラン誘導体、チオフェン誘導体、アリールシラン誘導体等の部分構造を単位として含む材料が挙げられる。なかでもカルバゾール誘導体とビフェニル誘導体は高い発光効率を示す好ましい発光材料である。
【0136】
正孔輸送層を設ける場合は、材料に特に制限はないが、アノード電極からの正孔を、発光する層に伝達する機能を有していれば良く、前記の、従来光導電材料において、正孔の電荷注入材料として慣用されているものや、EL素子の正孔輸送層に用いられている公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
【0137】
電子輸送層を設ける場合においても、特に制限はなく、カソード電極からの電子を、発光する層に伝達する機能を有していればよく、前記の公知の材料の中から任意のものを選択して用いることができる。
【0138】
《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層もしくは複数層設けることができる。
【0139】
正孔輸送材料としては、特に制限はなく、従来、光導伝材料において、正孔の電荷注入輸送材料として慣用されているものやEL素子の正孔注入層、正孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることもできる。
【0140】
正孔輸送材料は、正孔の注入もしくは輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。他に、例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
【0141】
正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
【0142】
芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、さらには、米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げられる。
【0143】
さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
【0144】
また、p型−Si,p型−SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
【0145】
また、本発明においては正孔輸送層の正孔輸送材料は415nm以下に蛍光極大波長を有することが好ましい。すなわち、正孔輸送材料は、正孔輸送能を有しつつかつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Tgである化合物が好ましい。
【0146】
この正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5〜5000nm程度である。この正孔輸送層は、上記材料の一種または二種以上からなる一層構造であってもよい。
【0147】
《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層もしくは複数層設けることができる。
【0148】
従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる)としては、下記の材料が知られている。
【0149】
さらに、電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
【0150】
この電子輸送層に用いられる材料(以下、電子輸送材料という)の例としては、本発明に係わる前記化合物のほか、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体などが挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。
【0151】
さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
【0152】
また、8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えばトリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)など、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、Ga又はPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基などで置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、n型−Si、n型−SiCなどの無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
【0153】
電子輸送層に用いられる好ましい化合物は、415nm以下に蛍光極大波長を有することが好ましい。すなわち、電子輸送層に用いられる化合物は、電子輸送能を有しつつかつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Tgである化合物が好ましい。
【0154】
本発明の有機EL素子に係る基板フィルムとしては、前記のものが好ましく、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムが好ましい。用いられる樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート(PC)、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)等が挙げられ、これらの材料を用いた前記の積層フィルムが好ましい。
【0155】
また、透光性の基板の着色のほか、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用してもよい。
【0156】
以下に、有機EL素子を作製する好適な例を説明する。
《有機EL素子の作製方法》
本発明の有機EL素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極からなる有機EL素子の作製法について説明する。
【0157】
まず本発明に係わる透光性の基板上に、所望の電極物質、例えば陽極用物質(例えばITO)からなる薄膜を、1μm以下、好ましくは10nm〜200nmの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陽極を作製する。次に、この上に素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層の有機化合物薄膜を形成させる。
【0158】
この有機化合物薄膜の薄膜化の方法としては、前記の如くスピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、印刷法等があるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法またはスピンコート法が特に好ましい。さらに層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。製膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度50〜450℃、真空度10−6Pa〜10−2Pa、蒸着速度0.01nm〜50nm/秒、基板温度−50℃〜300℃、膜厚0.1nm〜5μmの範囲で適宜選ぶことが望ましい。
【0159】
これらの層の形成後、その上に例えばアルミニウム等の陰極用物質からなる薄膜を、1μm以下好ましくは50nm〜200nmの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより、所望の有機EL素子が得られる。この有機EL素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施してもかまわない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。
【0160】
本発明においては、このようにして透光性の基板上に形成された、前記有機EL素子を構成する各層の上(上部電極の上)に、別の基板或いはフィルムを封止用の基板として重ねて素子の周囲をスペーサ等をもちいて(或いは、用いずともよいが)封止する。
【0161】
封止用基板としては、ガラス、樹脂、セラミック、金属、金属化合物、またはこれらの複合体等で形成してもよく、JIS Z−0208に準拠した試験において、その厚さが1μm以上で水蒸気透過率が1g/m2・24hr(1.013×10−1MPa、25℃)以下であることが望ましい。また、本発明に係わる透光性の基板を用いることも好ましく、両方の基板を透湿性の低い、可撓性の高い基板とすることで、衝撃に強い有機EL素子が形成出来、また、発光面が曲面である面光源にも適用可能である。
【0162】
また、上部電極側(陰極、例えばAl、Mg電極側)の封止用基板材料(ガラス、フィルム等)においても、電界発光が吸収されたり、背面側に光が拡散するのを抑制するため、封止用基板或いはフィルムの陰極(Al、Mgなど)側に向き合う表面には白色酸化チタンを充填した顔料層を形成することが好ましい。
【0163】
封止は、封止用基板の、例えば、対向陰極(上部電極)側と向き合う面)の周辺部に塗布法や転写法等によって設けられたほぼ枠状のシール材6を介して、対向する前記有機EL素子各層が形成された透光性の基板とが互いに貼り合わされることで行われる。シール材6は、熱硬化型エポキシ系樹脂、紫外線硬化型エポキシ系樹脂、または反応開始剤をマイクロカプセル化して加圧することにより反応が開始する常温硬化型エポキシ系樹脂等を用いることができる。この場合、シール材6の所定の箇所には空気逃げ用開口部等を設け(図省略)封止を完全にする。空気逃げ用開口部は、真空装置内において減圧雰囲気(真空度1.33×10−2MPa以下が好ましい)或いは窒素ガスまたは不活性ガス雰囲気中において、上記硬化型エポキシ系樹脂のいずれか、或いは紫外線硬化型樹脂等で封止される。
【0164】
エポキシ系樹脂の例としては、ビスフェノールA形、ビスフェノールF形、ビスフェノールAD形、ビスフェノールS形、キシレノール形、フェノールノボラック形、クレゾールノボラック形、多官能形、テトラフェニロールメタン形、ポリエチレングリコール形、ポリプロピレングリコール形、ヘキサンジオール形、トリメチロールプロパン形、プロピレンオキサイドビスフェノールA形、水添ビスフェノールA形、またはこれらの混合物を主剤としたものである。シール材6を転写法により形成する場合には、フィルム化されたものが好ましい。
【0165】
又、本発明において、素子内に水分を吸収する、或いは水分と反応する材料(例えば酸化バリウム等)を上記基板に層形成して封入することもできる。
【0166】
以上のように構成された有機EL素子を図1に示しているが、透明な基板1と対向する基板5とを枠状のシール材6を介して互いに貼り合わせているので、封止用基板5およびシール材6によって透光性の基板1上に設けられた陽極2、有機EL層3、陰極電極4等を封止することができ、内部が低湿度の状態で素子を封止出来ると同時に、基板を通しての水分の浸透が抑えられ、有機EL表示装置の耐湿性がより一層向上し、寿命をより一層向上させるすることができる。
【0167】
陽極2に正電圧を、陰極4に負電圧を、電圧2〜40V程度印加すると、有機EL層3中で注入されたホールと電子とが、発光層3内で再結合して発光が起こるものである。
【0168】
表示素子として単色光を発光させるほか、白色発光素子を最も簡便に構成するには、発光層における、ホスト化合物と共に用いる発光材料に、発光特性が互いに補色の関係にある、例えば青と黄または青緑と橙等補色の関係にある発光色を有する2種のドーパントを組み合わせる、また、青、緑、赤にそれぞれ3色に発光するドーパント(リン光性化合物)を、その発光効率を考慮しながら、適宜、混合してドープすることによって得ることが出来る。勿論、充分な白色光を得るために4種以上の発光材料を組み合わせてもよい。
【0169】
白色有機エレクトロルミネッセンス素子においては、基本的にはドーパントを混合するだけで、発光層もしくは正孔輸送層或いは電子輸送層等の形成時のみマスクを設け、マスクにより塗り分けるなど単純に配置するだけでよく、他層は共通であるのでマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で例えば電極膜を形成でき、生産性も向上するものである。また、複数色の発光素子をアレー状に並列配置した表示素子とすることも可能である。
【0170】
これらの透光性の基板上に形成された有機EL素子は、可撓性を有しており、ある程度カール変形させた状態においても発光の変化率が小さく充分な発光を維持する。可撓性のない基板上では、基板そのものが、亀裂、また破損を起こすことで発光が維持できない。
【0171】
カール値は曲率半径(m)の逆数により求める。+の数字が大きいほど+カール(素子面を上にして、上の方に反り上がっている状態)が強い。
【0172】
カール=1/曲率半径(m)
本発明においては、カール値を0(即ち平面状態)〜60まで変化させた時においても発光の変化率が20%以下である有機EL素子が得られる。
【0173】
本発明の有機EL装置は、白色発光光源として、家庭用照明用、車内照明、また露光光源のような一種のランプとして、その他、液晶表示装置、時計等のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体等の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等各種発光光源、更には表示装置を必要とする一般の家庭用電気器具等広い範囲の用途に用いることができるが、表示デバイス、ディスプレー、またとして表示装置にも有用に用いられる。
【0174】
【実施例】
以下に本発明の実施例を説明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。
【0175】
実施例1
(吸湿性フィラーを練りこんだ樹脂チップの作製)
市販のポリエチレンテレフタレートのチップを真空乾燥機を用い、150℃で十分乾燥させた後、含有率が5質量%となるように酸化バリウム粉末(平均粒径、0.5μm)を、乾燥窒素気流下、2軸押出し混練機を用いて280℃で混練し、吸湿性フィラー含有のポリエステルチップ(ポリエステルAと呼称)を作製した。
【0176】
尚、酸化バリウムの平均粒径は、電子顕微鏡で、100個以上の任意の粒子を観察し粒径を求めて、その単純平均値(個数平均)として求められる。ここで、個々の粒径は、その投影面積に等しい円を仮定した時の直径で表したものである。尚、後述するシリカゲル微粒子、酸化チタン等についても同じ方法により平均粒径を求めた。
【0177】
(積層基板の作製)
ポリエステルAと市販のポリエチレン2,6−ナフタレートのチップを各々150℃で8時間真空乾燥した後、乾燥窒素気流中で保温しながら、押出し機上に設置したホッパーから樹脂を3台の押出し機へ各々供給し290℃で溶融押出しを行ない、40メッシュのフィルターを通過させてから、Tダイ内で厚み比が1:1:0.5となるように層状に接合して、60℃の冷却ドラム上に静電印加しながら密着させて急冷冷却固化し、積層未延伸シートを得た。このとき芯(コア)層がポリエステルAであり、表層がポリエチレン2,6−ナフタレートとなるようにした。この未延伸シートをロール式縦延伸機へ導き、90℃で予熱し、低速と高速のロール間でIRヒーターで加熱しながら、縦方向に3.2倍に延伸した。得られた一軸延伸フィルムをテンター式横延伸機をに供給し、130℃で横延伸倍率3.0倍となるように延伸した。得られた二軸配向フィルムを210℃で10秒間熱固定した。次いで横方向に5%弛緩処理しながら室温まで30秒かけて徐冷して厚さ50μmの二軸延伸ポリエステル積層基板(b1)を得た。さらに両端部をトリミングして、各100mずつ、直径220mmのコアに巻き取った。
【0178】
コアに巻いたまま、第一段目の熱処理(アニール)を105℃、20時間の条件で実施し、第二段目の熱処理(アニール)を90℃、30時間行った。
【0179】
(有機EL素子の作製)
有機EL素子OLED1−1を以下のようにして作製した。
【0180】
100mm×100mm×50μmの上記b1基板のポリエチレンナフタレート層の薄い方の層側の上に、陽極としてITO(インジウムチンオキシド)を100nmの厚みで成膜して基板にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥したのちITO透明電極側にPEDOT−PSS(ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルフォン酸ドープ体;バイエル製baytron)層を乾燥厚み25nmとなるようにスピンコート塗布により形成した。さらにこの透明支持基板を真空蒸着装置に取付け、透明支持基板の寸法と位置が狂わないように四辺を固定した。次いで、真空槽を4×10−4Paまで減圧し、正孔輸送層(α−NPD 25nm)、発光層(発光ホスト化合物CBPを蒸着レート5Å/s、リン光性ドーパントとして、Ir−6を蒸着レート0.05Å/s、リン光性ドーパントIr−12を蒸着レート0.2Å/sで共蒸着して30nmの膜厚で成膜した。)、電子輸送層(BCP 10nm)、正孔注入層(Alq340nm)をこの順に記載の厚みと組成に従って、PEDOT−PSS層の上に蒸着積層した。さらに陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nm及び陰極としてアルミニウム150nmを蒸着して陰極を形成した。
【0181】
最後に厚み300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化させて、封止して有機EL素子OLED1−1を作製した。
【0182】
実施例2
(吸湿フィラーを分散した樹脂塗料の作製)
酸化バリウム(平均粒径3.5μm)15質量部、ポリエーテルスルホン(住友ベークライト製 スミライト FS−1300)45質量部、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン100質量部をサンドミルで十分混練し、フィルターでろ過して、吸湿材を分散させた樹脂塗料を作製した。
【0183】
(積層基板の作製)
フッ酸でエッチング処理し、水洗後、脱水処理した厚さ300μmのガラス基板の、処理した側の面上に前述の樹脂塗料をカーテンコーターで塗布して100℃、常圧で2時間乾燥後、130℃、1.0×10−3Paの減圧下で3時間乾燥させた。乾燥後の樹脂層の厚みは20μmであった。この上にUV硬化接着層を形成した100μmのカバーガラスを貼り合わせて圧着した後、カバーガラス側からUV光を照射して、全体厚みが580μmの積層基板(b3)を作製した。
【0184】
(有機EL素子の作製)
有機EL素子OLED3−1を以下のようにして作製した。陽極として、積層基板b3の片面上(100μmのカバーガラス層の上)にITO(インジウムチンオキシド)を100nm成膜して基板にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥したのちITO透明電極側にPEDOT−PSS(ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルフォン酸ドープ体;バイエル製baytron)層を乾燥厚み25nmとなるようにスピンコート塗布により形成した。さらにこの透明支持基板を真空蒸着装置に取付け、透明支持基板の寸法と位置が狂わないように四辺を固定した。次いで、真空槽を4×10−4Paまで減圧し、正孔輸送層(α−NPD 25nm)、発光層(発光ホスト化合物CBPを蒸着レート5Å/s、リン光性ドーパント化合物として、Ir−6を蒸着レート0.05Å/s、リン光性ドーパントIr−12を蒸着レート0.2Å/sで共蒸着して30nmの膜厚で成膜した。)、電子輸送層(BCP 10nm)、正孔注入層(Alq3 40nm)をこの順に表1に記載の厚みと組成に従って、PEDOT−PSS層の上に蒸着積層した。さらに陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nm及び陰極としてアルミニウム150nmを蒸着して陰極を形成した。
【0185】
【化5】
【0186】
(シクロオレフィン系ポリマーフィルムの製造)
窒素置換した1lのオートクレーブに脱水精製したトルエン400mlとジシクロペンタジエン100mlを仕込み、これに分子量調節剤としてl−ヘキセン0.37ミリモル、六塩化タングステン0.37ミリモル、テトラエチルスズ0.74ミリモルを加え、室温で5時間重合した。反応終了後モノエタノールアミン5mlを加え、安定剤として2,6−ジ−t−ブチルフェノール(BHT)1gを加えたのち、大量のメタノール中に反応液を投入してポリマーを沈殿させ、真空乾燥することによりトルエン可溶性のポリマーを得た。収率は62%であった。この重合体のガラス転移点は129℃であり、25℃のトルエン中で測定した極限粘度は0.95dl/gであった。この可溶ポリマーのシクロヘキサン溶液(濃度5質量%)400gとパラジウムカーボン2gとを1lのオートクレーブに入れ、水素置換後、攪拌をしながら140℃で8時間、水素圧を70気圧にして反応させた。反応物中の触媒を濾過し多量のアセトン−イソプロピルアルコール(1:1)混合溶媒中に沈殿させ濾過・乾燥した。得られた重合体(A)をプロトンNMR解析し、オレフィン二重結合プロトンに起因する吸収の値から水添率を計算したところ、98%であった。該重合体(A)のガラス転移点は134℃、吸水率は0.02%、分子量は約5万であった。
重合体(A)を120℃で真空下4時間乾燥させ、低分子揮発物の含有量を50ppm以下にしたのち、90mm径の押出機に供給して295℃で溶融させる。
【0187】
上記90mm押出機から吐出される非晶ポリオレフィン溶融を、公知のアダブターを用いて、単層の口金で吐出した。該溶融シートに静電荷を印加させながら、60℃に保たれたクロムメッキロール上に密着させ、冷却固化させた。シートを155℃に加熱されたジャケットロールを用い、長手方向に2.5倍延伸し、つづいて130℃および200℃の2段階で熱固定した。かくして75μmの厚みを有する非晶質シクロオレフィン系ポリマーフィルム(構造式1)が得られた。これを所定の幅に裁断して封止用基板(フィルム)として用いた。
【0188】
また、口金での吐出量を調整して、膜厚を50μmとした非晶質シクロオレフィン系ポリマーフィルムを作製した。
【0189】
【化6】
【0190】
上記有機EL素子を、上記シクロオレフィン系ポリマーフィルムを用いて実施例1と同様に封止し、有機EL素子OLED3−1を作製した。
【0191】
実施例3
(吸湿性フィラー練込みドープの調製)
ステンレスベルト上の、前記作製した50μmの厚みを有するシクロオレフィン系ポリマーフィルムの表面に、酸化バリウム(平均粒径1.2μm)とシリカゲル微粒子(平均粒径0.7μm)を各5質量%分散したポリカーボネート樹脂のメチレンクロライドを溶媒とするドープをキャストすることで、35μmの厚みの吸湿性フィラー含有ポリカーボネート層を積層した。さらにこの上にポリカーボネートにγ−アミノプロピルトリメトキシシランを10%添加したメチレンクロライドを溶媒とする樹脂溶液を乾燥厚み2μmとなるように塗布して、乾燥し積層基板b6を作製した。
【0192】
実施例1と同様にITO/PEDOT−PSS/有機層(正孔輸送、発光、電子輸送、電子注入)/陰極バッファー/陰極を蒸着により形成した。
【0193】
前記75μmの厚みを有するシクロオレフィン系ポリマーフィルムを封止用基板として用いて実施例1と同様に封止し、有機EL素子OLED4−1を作製した。
【0194】
実施例4
(吸湿性フィラー含有のシクロオレフィンポリマーチップ作製)
前記重合体(A)を真空乾燥機を用い、150℃で十分乾燥させた後、酸化バリウム粉末(平均粒径、0.5μm)を含有率が5質量%となるように、乾燥窒素気流下2軸押出し混練機を用いて280℃で混練し、吸湿性フィラー含有のポリシクロオレフィンポリマーチップ(ポリシクロオレフィンAと呼称)を作製した。
【0195】
(光反射性フィラー含有のポリエステルチップ作製)
ポリ1,4−シクロヘキシレンジメチレンテレフタレート(構造式2)チップを真空乾燥機を用い、130℃で十分乾燥させた後、酸化チタン(TiO2)粉末(平均粒径、0.2μm)を含有率が12質量%となるように、乾燥窒素気流下2軸押出し混練機を用いて290℃で混練し、光反射性フィラー含有のポリ1,4−シクロヘキシレンジメチレンテレフタレートチップ(ポリエステルBと呼称)を作製した。
【0196】
【化7】
【0197】
(積層基板の作製)
ポリシクロオレフィンAとポリエチレンテレフタレートのチップを各々150℃で8時間真空乾燥した後、乾燥窒素気流中で保温しながら、押出し機上に設置したホッパーから樹脂を3台の押出し機へ各々供給し290℃で溶融押出しを行ない、40メッシュのフィルターを通過させてから、Tダイ内で厚み比が1:1:1となるように層状に接合して、60℃の冷却ドラム上に静電印加しながら密着させて急冷冷却固化し、積層未延伸シートを得た。このとき芯(コア)層がポリシクロオレフィンAであり、表層がポリエチレンテレフタレートとなるようにした。この未延伸シートをロール式縦延伸機へ導き、90℃で予熱し、低速と高速のロール間でIRヒーターで加熱しながら、縦方向に2.8倍に延伸した。得られた一軸延伸フィルムをテンター式横延伸機に供給し、130℃で横延伸倍率2.8倍となるように延伸した。得られた二軸配向フィルムを210℃で10秒間熱固定した。次いで横方向に5%弛緩処理しながら室温まで30秒かけて徐冷して厚さ45μmの二軸延伸積層ポリエステル/ポリシクロオレフィン支持体からなる積層基板(b4)を得た。さらに両端部をトリミングして、各100mずつ、直径220mmのコアに巻き取った。
【0198】
コアに巻いたまま、熱処理(アニール)を75℃、70時間、行なった。
(陰極側封止用基板作製)
ポリシクロオレフィンAとポリエステルBとポリエチレンテレフタレートのチップを各々150℃で8時間真空乾燥した後、乾燥窒素気流中で保温しながら、押出し機上に設置したホッパーから樹脂を3台の押出し機へ各々供給し290℃で溶融押出しを行ない、40メッシュのフィルターを通過させてから、Tダイ内で厚み比が1:1:1となるように層状に接合して、60℃の冷却ドラム上に静電印加しながら密着させて急冷冷却固化し、積層未延伸シートを得た。このとき芯(コア)層がポリシクロオレフィンAであり、表層がポリエステルB、ポリエチレンテレフタレートとなるようにした。この未延伸シートをロール式縦延伸機へ導き、90℃で予熱し、低速と高速のロール間でIRヒーターで加熱しながら、縦方向に2.8倍に延伸した。得られた一軸延伸フィルムをテンター式横延伸機をに供給し、130℃で横延伸倍率2.8倍となるように延伸した。得られた二軸配向フィルムを210℃で10秒間熱固定した。次いで横方向に5%弛緩処理しながら室温まで30秒かけて徐冷して厚さ60μmの二軸延伸積層ポリエステル/ポリシクロオレフィン支持体を得た(封止用基板b5)。さらに両端部をトリミングして、各100mずつ、直径220mmのコアに巻き取った。
【0199】
コアに巻いたまま、熱処理(アニール)を75℃、70時間、行なった。
(有機EL素子の作製)
有機EL素子OLED5−1を以下のようにして作製した。
【0200】
100mm×100mmの積層基板b4の片側に、陽極としてITO(インジウムチンオキシド)を100nm成膜して基板にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥したのちITO透明電極側にPEDOT−PSS(ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルフォン酸ドープ体;バイエル製baytron)層を乾燥厚み25nmとなるようにスピンコート塗布により形成した。さらにこの透明支持基板を真空蒸着装置に取付け、透明支持基板の寸法と位置が狂わないように四辺を固定した。次いで、真空槽を4×10−4Paまで減圧し、正孔輸送層(α−NPD 25nm)、発光層(発光ホスト化合物CBPを蒸着レート5Å/s、リン光性ドーパントとして、Ir−6を蒸着レート0.05Å/s、リン光性ドーパントIr−12を蒸着レート0.2Å/sで共蒸着して30nmの膜厚で成膜した。)、電子輸送層(BCP 10nm)、正孔注入層(Alq3 40nm)をこの順に記載の厚みと組成に従って、PEDOT−PSS層の上に蒸着積層した。さらに陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nm及び陰極としてアルミニウム150nmを蒸着して陰極を形成した。最後に、アニール処理済の二軸延伸積層ポリエステル/ポリシクロオレフィン支持体(封止用基板b5)を酸化チタンを含有するポリエステル層がアルミニウム陰極と向かい合うように貼り合わせて実施例1と同様にして封止し、有機EL素子OLED5−1を作製した。
【0201】
比較例1
実施例1において、ポリエステルAのかわりに市販のポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン2,6−ナフタレートの代わりにやはり市販のポリエチレンテレフタレートを用いた他は、まったく同様にして積層基板(b2)を作製した以外は、全く同様にして有機EL素子OLED2−1の作製を行なった。
【0202】
また、下部電極を設ける基板については、それぞれ下部電極側の表面粗さRa、また、下部電極と反対側の光取り出し側の表面粗さRaを前記JIS−B−0601に準じて、測定装置としては、WYKO社製 RSTPLUS非接触三次元微小表面形状測定システムを用いて測定した。
【0203】
得られた有機EL素子OLED1−1〜OLED5−1の各々について、下記のような評価を行った。
【0204】
《発光輝度、発光効率》
有機EL素子OLED1−1〜OLED5−1について、温度23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で10V直流電圧を印加した時の発光効率(lm/W)を測定した。
【0205】
尚、有機EL素子OLED1−1〜OLED5−1の発光色は白色であった。有機EL素子OLED1−1は初期駆動電圧4Vで電流が流れ始めた。
【0206】
発光輝度、発光効率の評価は、有機EL素子OLED1−1の測定値を100とした時の相対値(相対発光効率)で行った。また、発光輝度は、CS−1000(ミノルタ製)を用いて測定した。
【0207】
《耐久性》
有機EL素子OLED1−1〜OLED5−1の各々を2.5mA/cm2の一定電流で駆動したときに初期輝度が元の半分に低下するのに要した時間である半減寿命時間(半減時間ともいう)を指標として表した。また、半減寿命時間は有機EL素子OLED1−1の半減時間を100とした時の相対値で表した。
【0208】
《応力負荷時の発光変化》:輝度変化率
各試料素子を500cd/m2となるように電圧を調整したのち、各素子の陰極側をカール値0、5、10、15と5きざみに60までの値となるような各直径を有する円柱上の絶縁性剛体に順に押しあて、輝度変化率と発光状態を観察した。カール値60まで変形できれば、十分可撓性があるといえる。また輝度変化が20%以下であれば、実用上支障がない。また、カール値は曲率半径の逆数(1/m)で表した。
【0209】
各素子の構成を表1にまた各素子の評価結果を表2に示した。
【0210】
【表1】
【0211】
【表2】
【0212】
【発明の効果】
有機EL素子における光取り出し効率が飛躍的に向上し、長寿命で、可撓性であり、湾曲変形時の輝度変化と素子の破損、亀裂が低減した、安価で省資源を達成できる有機EL素子およびこれを用いた発光体、光源が提供できた。
【図面の簡単な説明】
【図1】有機EL素子の封止方法の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
1 透光性の基板
2 陽極
3 有機EL層
4 陰極
5 封止用基板
6 シール材[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a highly durable organic electroluminescence element (also referred to as an organic EL element) formed on a flexible support, a display device using the element, a lighting device, and a light source.
[0002]
[Prior art]
In general, incandescent lamps and fluorescent lamps are widely used for consumer use as white illumination light sources. Incandescent lamps have a light spectrum close to that of sunlight and are close to natural light, but are unsuitable for uniformly brightening the entire wall surface and are difficult to change the emission spectrum. In addition, the efficiency of converting electric energy into light energy is low, and fluorescent lamps are currently widely used because of their efficient use, but fluorescent lamps also have some drawbacks.
[0003]
Since the fluorescent lamp uses the glow discharge of mercury vapor, the lighting time is delayed and the discharge is unstable immediately after the lighting and the light quantity is not stable. In addition, a decrease in the amount of light in a low temperature environment is a problem. Furthermore, since the fluorescent lamp has mercury vapor sealed in a glass tube, it is difficult to reduce the size and environmental pollution due to mercury is also a problem.
[0004]
On the other hand, in recent years, organic EL elements have attracted attention as self-luminous elements. An organic EL device is a device in which a light emitting layer made of a thin organic compound is sandwiched between electrodes and emits light when a current is supplied between the electrodes. Therefore, when an organic EL element that is a thin film is used as a light source, it is easy to reduce the size and weight, and the illuminating device has a faster response speed of light emission than a fluorescent lamp, and the light quantity immediately after lighting is relatively stable.
[0005]
Here, when the organic EL element is used as a light source of a liquid crystal display device or an illumination device for various displays, the emission color is preferably white. However, there is no organic EL element that emits white light with a single light emitting material. For this reason, it is whitened by a combination of a plurality of emission colors other than white. For example, white light emission is obtained by combining a light emitting layer and a fluorescent layer that converts the light of the light emitting layer or a plurality of light emitting layers. Yes.
[0006]
For example, a method of whitening with a fluorescent material is used, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-19796 discloses a technology for whitening by laminating a fluorescent layer on the opposite side of a transparent electrode. Japanese Patent Laid-Open No. 8-100193 discloses a technique for whitening by providing a phosphor layer that absorbs light emitted from a blue organic EL element and emits visible light fluorescence in the stacking direction of the organic EL element. Has been. Furthermore, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-250690 describes a technique for whitening by mixing a fluorescent material in a blue light-emitting layer.
[0007]
As a technique for whitening with a light emitting material, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-90260 describes a technique for whitening with a light emitting material and a plurality of dopant materials.
[0008]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-142169 also describes a technique for stacking a plurality of light emitting layers to whiten.
[0009]
The method using a fluorescent material converts short-wavelength light once emitted into a long wavelength, resulting in energy loss during the exchange of light energy, and the phosphor material itself is expensive, so as long as the fluorescent material is used, It is difficult to improve economy including luminous efficiency.
[0010]
In addition to the white light emitted by organic EL elements, it can be driven at a low voltage, can use a DC power supply, does not use mercury, which is a harmful component, and has a wide brightness setting range, compared to white light from fluorescent lamps. It has many advantages, such as being able to make a light-emitting element and responding to resource savings, and has attracted attention. However, in terms of luminous efficiency and lifetime, nothing superior to fluorescent lamps has been obtained.
[0011]
In particular, in recent years, it has been found that the conversion efficiency of electric energy into light is greatly improved by the organic EL element using a phosphorescent dopant. However, as long as an electrode material, a light emitting layer material, and an element base material having a high refractive index are used, it is difficult to completely extract light emission, and the final light emission efficiency cannot be greatly improved. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-77680 discloses a technique for providing a base layer between a substrate and an electrode to define each refractive index, but it is still insufficient.
[0012]
In addition, organic EL elements are derived from the principle of bonding electrons and holes in a thin film. Therefore, due to their physical structure, the presence of quenching components such as oxygen and water molecules, components that thermally deactivate excited molecules, In order to extend the lifetime of the organic EL element, it is necessary to reduce the diffusion to the maximum. Conventionally, this technique has also been achieved by a glass cell or a combination of a glass and a metal can in which a highly pure inert gas (for example, nitrogen) atmosphere is sufficiently dried and a desiccant is enclosed together. . For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-312882 discloses a technique in which a glass substrate and the entire light emitting element are enclosed in a container with a light extraction window. These methods are clearly unsuitable for thinning, weight reduction, resource saving, and cost reduction.
[0013]
As a method for increasing the light emission extraction efficiency, for example, JP 2003-31374 A discloses that ITO (transparent electrode) on a glass substrate is made of ITO and silica (
[0014]
In JP-A-6-283270, TiO is formed on the ITO production surface side on a glass substrate. 2 Film, SiO 2 A technique for suppressing scattered light by laminating films to form a resonant structure is disclosed.
[0015]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-184567 describes a method for efficiently extracting light emitted from a pixel by forming a microlens on a substrate by a photolithography method.
[0016]
However, although any of these methods improves the light extraction efficiency, it is difficult to make a thin film and the productivity is low, so that a method for improving the light extraction efficiency and high productivity has not yet been found. Not. In addition, there is no one that simultaneously achieves the difficult problem of increasing the light extraction efficiency, improving the moisture resistance, and achieving a long life. For example, a glass substrate having a moisture absorption layer containing a hygroscopic substance has been studied (Japanese Patent Laid-Open No. 2003-1000044). However, the hygroscopic substance has a reverse current when forming an electrode or patterning an organic EL element. It is not effective because it causes leaks and dark spots during light emission.
[0017]
As another problem, substrates such as glass are usually used in display devices and electro-optical devices provided in portable information terminal equipment such as mobile phones in recent years, and glass is excellent in terms of moisture permeability. However, since it is heavy and does not have flexibility (flexibility), it has a defect such as being easily broken by dropping. With the widespread use of these, a flexible element (for example, using a plastic substrate) that is resistant to bending. There is also a great demand for using an organic EL element as a light-emitting light source on a flexible and flexible support for a light-emitting light source such as illumination instead of the fluorescent lamp.
[0018]
However, plastic generally has higher moisture permeability than glass. In particular, in order for an organic EL element to emit light for a sufficiently long time on a plastic substrate of 150 μm or less, not only the water resistance and high moisture resistance of the plastic itself are required. The important issue is how to add a strong desiccant uniformly into the plastic, which has not yet been achieved.
[0019]
Therefore, as described above, there are currently no known substrates that satisfy all of a plurality of demands such as high light extraction efficiency, low moisture permeability, and flexibility and flexibility. is there.
[0020]
In other words, using organic EL elements, fluorescent lamps surpass in terms of economy (low cost, resource saving), handleability, environmental safety, etc., and further emit white light on a sheet-like flexible carrier. Constructing the light source has never been possible with the prior art.
[0021]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Laid-Open No. 2003-77680
[0022]
[Patent Document 2]
JP 2003-31374 A
[0023]
[Patent Document 3]
JP 2000-260559 A
[0024]
[Patent Document 4]
JP-A-6-283270
[0025]
[Patent Document 5]
JP 2002-184567 A
[0026]
[Patent Document 6]
Japanese Patent Laid-Open No. 2003-100448
[0027]
[Problems to be solved by the invention]
Organic EL devices that dramatically improve the light extraction efficiency in organic electroluminescent devices, extend their lifetime, and reduce luminance changes, device damage, and cracks during bending deformation of flexible film-formed white light emitters, and It aims at providing the light-emitting body and light source using this. An object of the present invention is to provide an organic EL element that can achieve resource saving at low cost, and a light emitter and light source using the organic EL element.
[0028]
[Means for Solving the Problems]
The above object of the present invention is achieved by the following means.
[0029]
1. In an organic electroluminescence device having a lower electrode, a light emitting layer, and an upper electrode on a translucent substrate, the haze value of the translucent substrate is 0.5% or more and 50% or less, and the thickness is 30 μm or more. 700 μm or less, an organic electroluminescence element.
[0030]
2. The translucent substrate has a laminated structure, and at least the core layer (one layer) contains a filler having a refractive index of 1.30 or more in an amount of 1% by mass to 40% by mass. 1. The organic EL device according to 1.
[0031]
3. 3. The organic electroluminescence device as described in 1 or 2 above, wherein a hygroscopic substance is dispersed and contained in the translucent substrate with an average particle size of 0.08 μm to 5 μm.
[0032]
4). The translucent substrate has a laminated structure, the surface roughness Ra on the lower electrode side of the translucent substrate is 50 nm or less, and the surface roughness Ra on the side opposite to the lower electrode is 20 nm or more. And at least one layer is a cycloolefin type polymer among the layers which comprise a board | substrate, The organic electroluminescent element of any one of said 1-3 characterized by the above-mentioned.
[0033]
5. The translucent substrate has a laminated structure, the surface roughness Ra on the lower electrode side of the translucent substrate is 50 nm or less, and the surface roughness Ra on the side opposite to the lower electrode is 20 nm or more. 4. At least one layer which comprises a board | substrate is a polyether sulfone type polymer, The organic electroluminescent element of any one of said 1-3 characterized by the above-mentioned.
[0034]
6). 6. The organic electroluminescence device according to any one of 1 to 5, wherein the light emitting layer contains at least one phosphorescent dopant.
[0035]
7. 7. The organic electroluminescence device according to any one of 1 to 6, wherein a conductive polymer layer is formed between the lower electrode and the light emitting layer with a thickness of 1 nm to 150 nm.
[0036]
8.500 cd / m 2 The organic electro luminescence device according to any one of the above 1 to 7, wherein a rate of change in luminance is 20% or less when the curl value is changed from 0 to 60 in a state where light is emitted at a luminance of 10%. Luminescence element.
[0037]
9. The display apparatus which has an organic electroluminescent element as described in any one of said 1-8.
[0038]
10. The illuminating device which has an organic electroluminescent element as described in any one of said 1-8.
[0039]
11. The light source which has an organic electroluminescent element as described in any one of said 1-8.
[0040]
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The present invention relates to an organic electroluminescence device having a lower electrode, a light emitting layer, and an upper electrode on a light-transmitting substrate.
[0041]
For organic electroluminescence elements (also referred to as organic EL elements), many approaches have been studied for improving the quantum efficiency of light emission. In the organic EL element, the generation probability of the luminescent excited species in the light emission from the conventional phosphor (light emission from the excited singlet) is 25%, but in recent years, using the phosphorescent dopant, An organic EL device using phosphorescence emission from a term has been proposed, and if the excited triplet is used, the upper limit of the internal quantum efficiency is 100%, so that the emission efficiency is theoretically up to four times that of the conventional method. Attention has been paid. As a result, almost the same performance as a cold cathode tube can be obtained, and it can be applied to illumination. In these electroluminescent devices, by using two or more phosphorescent dopants having different maximum wavelengths of the emission spectrum, for example, in combination of blue-red, blue-green-red, blue-green-red, and the like, White light emission is obtained, and white light for illumination is also obtained.
[0042]
However, since the light extraction efficiency from the light-transmitting substrate is usually about 20%, improvement of the light extraction efficiency from the light-transmitting substrate is important because it further increases the efficiency.
[0043]
The present invention is to improve the light extraction efficiency by reducing the organic EL light emission extraction loss due to reflection inside these translucent substrates.
[0044]
In the present invention, the translucent substrate is selected such that the haze value of the translucent substrate is 0.5% or more and 50% or less. Preferably, it is 3.0% or more. When the haze value is smaller than 0.5%, when used as the substrate film for organic EL of the present invention, light from the light emitting element comes out from the substrate surface when the critical angle is less than the critical angle at the interface between the substrate and the outside. Therefore, the light extraction efficiency is reduced because the light is transmitted in the in-plane direction of the substrate film, and the substrate appears dark when viewed from the surface on the light extraction side (surface where the lower electrode is not formed) even under the same voltage / current load. .
[0045]
In addition, in the case of a laminated substrate using glass, the glass is made as thin as possible to make it flexible, flexible, and lightweight. 30 μm or more and 700 μm or less.
[0046]
The haze value of the substrate can be obtained by measuring one film sample according to ASTM-D1003-52 using T-2600DA manufactured by Tokyo Denshoku Industries Co., Ltd.
[0047]
By making the light-transmitting substrate of the organic EL element a substrate having the haze value, the light from the electroluminescent element is not totally reflected from the interface between the substrate and the outside in the substrate. For the problem of electroluminescence transmitted through the substrate, the interface between the substrate and the outside, the interface between the substrate and the lower electrode (transparent conductive film) that takes out light (observation side), etc. In the case of a laminated substrate, the interface of each laminated film also enters, but the components that are totally reflected at these thin film interfaces and are hardly extracted can be extracted from the translucent substrate by being moderately scattered. It is considered to be.
[0048]
One example of the organic EL element sealing method is shown in a sectional view in FIG.
That is, a transparent conductive film serving as an anode is formed as a
[0049]
In the above configuration, when the organic EL layer is taken out from the transparent electrode side, for example, the transparent electrode is a lower electrode formed on a light-transmitting substrate, electroluminescence is transmitted through the light-transmitting substrate. It is taken out.
[0050]
In the present invention, the light extraction efficiency of the light-transmitting substrate is improved by adjusting the haze value of the light-transmitting substrate to the above-described range. In order to adjust the haze value of the substrate to the above range, particles of a hygroscopic substance having a specific particle diameter are used as fillers and present in the resin film at a specific content, thereby providing a light scattering function, so The ratio of light diffused and not utilized (not extracted) is suppressed to increase the ratio of light traveling to the extraction surface side, and at the same time, the moisture permeability of the substrate is improved.
[0051]
In order to reduce the weight of the light-transmitting substrate and to make it flexible, since the moisture permeability deteriorates because the glass is made into a resin film, the life of the sealed organic EL element is deteriorated. In the present invention, a hygroscopic material-containing resin layer is formed and supplemented in the substrate film.
[0052]
With respect to the sealing substrate material that seals the organic EL element together with the translucent substrate in contact with the upper electrode, glass or a resin film having excellent moisture permeability may be used. A glass material or a resin film may be selected in accordance with wetness or flexibility (flexibility). Among the resin films, it is preferable to use, for example, a cycloolefin resin substrate having low moisture permeability.
[0053]
However, not only the translucent substrate (the side on which light emission is observed) that forms the lower electrode, but also the substrate material that seals the organic EL element together with the translucent substrate in contact with the upper electrode is flexible. It is preferable to secure the thin film, light weight, long life, economy, and resource saving of the (white) organic EL element by using a resin film in which a layer containing a hygroscopic filler is introduced.
[0054]
In the present invention, as the hygroscopic filler, hygroscopic substances that can be added to the resin layer include ZnO and SnO. 2 TiO 2 , Al 2 O 3 , In 2 O 3 , SiO 2 , GeO 2 , MgO, BaO, MoO 3 , ZiO 2 , V 2 O 5 There are oxides such as CaO, SrO, etc., and when they are dried, they are hygroscopic, scatter light, and have a particle size and particle size distribution that can control the surface roughness and add appropriate amounts can do. However, if too much is added, the mechanical strength when the resin layer is formed deteriorates and becomes brittle, and if it is too small, the above functions cannot be expressed, so a ratio of 1% by mass to 40% by mass is preferable. Moreover, in order to give the diffusibility at the time of light extraction, it is preferable that the refractive index of the hygroscopic material itself is 1.30 or more.
[0055]
In addition, a resin is dissolved in a solvent, and a solution of a metal alkoxide compound (for example, tetraethoxysilane, tetramethoxysilane, tetraisopropoxytitanium, etc.) that is a precursor of the above oxide (acid, alkali, water, if necessary) Etc. may be mixed, and the resin layer may be formed by a casting method. By using this so-called sol-gel method, the haze can be easily controlled by the amount of metal alkoxide added to the resin, the type of resin, and the film forming conditions.
[0056]
The hygroscopic substance is used by dispersing in an average particle size of 0.08 μm to 5 μm. A more preferable particle size is 0.1 μm or more and 2 μm or less.
[0057]
The average particle diameter of the inorganic fine particles is obtained as a simple average value (number average) by observing 100 or more arbitrary particles with an electron microscope and determining the particle diameter. Here, each particle size is expressed by a diameter assuming a circle equal to the projected area.
[0058]
Usually, the resin layer containing the hygroscopic filler is kneaded as a dispersion in the casting composition when forming the resin layer, or added to the composition to form a film. (Film) can be obtained.
[0059]
Moreover, the resin film used as these translucent board | substrates may have the laminated structure which uses the resin film which has the said hygroscopic filler as a core layer, and is different especially in thin glass and a resin film. It may be a laminated film composed of a plurality of resin films.
[0060]
If the resin film containing the hygroscopic filler is as it is, the hygroscopic filler protruding on the surface of the resin film is hygroscopic, for example, in the case of barium oxide which is a strong hygroscopic agent, the strong alkali generated by hydrolysis is Since it erodes an electrode etc., it is not preferable. The resin film (layer) containing the hygroscopic filler as described above is used as a core layer, and other resin layers such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, or glass are formed so that the filler is not exposed on the surface. It is preferable that the laminated film is a laminated film laminated by a coextrusion method or a co-casting method described later.
[0061]
The thickness of the layer containing the hygroscopic filler serving as the core layer is preferably 20 to 500 μm, and this is preferably laminated with a resin layer in the range of 20 to 500 μm not containing the hygroscopic filler. It is not always necessary to have a three-layer structure, and another layer may be provided for another purpose, or a filler layer may be laminated by combining different resins or ones having different hygroscopic substances. It is good also as a structure.
[0062]
For example, there are the following configurations.
PET / PET (BaO) / PET
PEN / PET (BaO) / PEN
Glass / PES (BaO) / Glass
Etc. is a typical configuration. In the above, PET: polyethylene terephthalate, PEN:
[0063]
For the purpose described above, when other layers are laminated on a glass substrate to form a laminated substrate, since the means such as resin coating and lamination are used, the surface is adjusted for roughness or bonded as described later. It is necessary to perform surface modification for imparting properties.
[0064]
In the present invention, the core layer containing at least the hygroscopic filler of the laminated film preferably contains at least 1% by mass and 40% by mass of the hygroscopic filler having a refractive index of 1.30 or more as described above.
[0065]
For the formation of a resin film or a resin layer, for example, a polyester film, the raw material polyester is usually formed into pellets, dried with hot air or vacuum, melt-extruded, extruded into a sheet from a T-die, and electrostatic The sheet is brought into close contact with a cooling drum by an application method or the like, and cooled and solidified to obtain an unstretched sheet.
[0066]
When laminating these polyester films, a conventionally known method may be used. For example, a plurality of extruders and a co-extrusion method using a feed block die or a multi-manifold die, or a single layer film constituting a laminate or another resin constituting a laminate on the laminated film is melt extruded from the extruder. Examples thereof include an extrusion laminating method for cooling and solidifying on a cooling drum, and a dry laminating method in which a single layer film or a laminated film constituting a laminate is laminated via an anchor agent or an adhesive as necessary. Among them, a coextrusion method that requires few manufacturing steps and good adhesion between the layers is preferable.
[0067]
Using a multi-manifold die, by laminating layers that do not contain the filler on both sides of the core layer as a resin layer containing at least 1% by mass of a hygroscopic filler by the coextrusion method, A laminated substrate (film) according to the present invention can be obtained.
[0068]
The obtained unstretched sheet is heated in a range of Tg + 100 ° C. from the glass transition temperature (Tg) of the polyester through a plurality of roll groups and / or a heating device such as an infrared heater, and stretched in one or more stages. The draw ratio is usually in the range of 2.5 to 6 times, and it is necessary to make it a range in which subsequent transverse drawing is possible. When the sheet has a multilayer structure, the stretching temperature is preferably set based on the highest Tg among the Tg of the polyester of each constituent layer.
[0069]
The polyester film uniaxially stretched in the longitudinal direction thus obtained is further transversely stretched within a temperature range of Tg to Tm-20 ° C. and then heat-set. The transverse draw ratio is usually 3 to 6 times, and the ratio between the longitudinal and transverse draw ratios is appropriately adjusted so as to measure the physical properties of the obtained biaxially stretched film and to have preferable characteristics.
[0070]
In terms of dimensional stability, the cooling is preferably performed by gradually cooling from the final heat setting temperature to room temperature at a cooling rate of 1 ° C. to 100 ° C. per second. What is necessary is just to determine a cooling rate by measuring the physical property of the obtained biaxially stretched film, and adjusting suitably so that it may have a preferable characteristic.
[0071]
For example, when manufacturing a chip of a resin such as polyester that is crystallized, the molten polymer after polymerization is gradually cooled from the melting point to crystallize and become cloudy and brittle. Although it is generally performed to be introduced into the chip cutter and then introduced into the chip cutter, in the present invention, water cannot be used in the resin kneaded with a moisture absorbent using a kneader. It is preferable to use a nonaqueous, low-reactivity, and easy-to-dry cooling solvent such as normal heptane and normal octane under an air flow.
[0072]
In addition, when formed by a solvent casting method, the hygroscopic filler may be added to the dope in a dispersed state and then formed into a film. Moreover, the film which has a laminated structure can be similarly obtained by the co-casting method.
[0073]
In the present invention, in order to reduce the thickness of the substrate, even when glass is used, it is made as thin as possible, and a flexible and lightweight substrate is obtained by using a resin film. Therefore, the thickness of the substrate is 30 μm or more, 700 μm or less.
[0074]
In order to make a flexible substrate, it is preferable to use a resin film. Among the resins, cycloolefin polymers are excellent in water absorption (moisture permeability) and transparency, but are expensive and have a refractive index of 1. There is a drawback that it is inferior in uniformity of the film thickness at the time of stretch film formation. By co-extrusion with a polyester (polyethylene terephthalate or the like) that can obtain a uniform film with a stretchable film at a low cost, a substrate for organic EL and a sealing film can be manufactured with low productivity and low cost.
[0075]
In the light-transmitting substrate having the laminated structure, at least one layer (core layer) of the layers constituting the substrate is the cycloolefin-based polymer, and a hygroscopic filler is contained, so that the substrate is further excellent in moisture permeability. Can be obtained. At that time, in order to further improve light scattering, the surface roughness Ra of the translucent substrate having the cycloolefin polymer as a core layer on the lower electrode side is set to 50 nm or less, and the surface opposite to the lower electrode is used. The roughness Ra is adjusted to 20 nm or more. Thereby, not only the moisture permeability and the adhesion with the transparent conductive film such as ITO which is the lower electrode are improved, but also a light transmissive substrate with less total reflection at the interface and higher light extraction efficiency. As a result, the overall light emission efficiency of the organic EL device using this is greatly improved.
[0076]
The surface roughness Ra of the surface of the produced substrate is a center line average roughness, and is defined by JIS-B-0601 of JIS surface roughness. That is, the centerline average roughness (Ra) is a portion of the measured length L (preferably 2.5 mm in the present invention) in the direction of the centerline from the roughness curve, and the cut-off value of 0. When the center line of this extracted part is represented by X axis, the direction of the vertical magnification is represented by Y axis, and the roughness curve is represented by Y = f (X), the value obtained by the following equation is represented by micrometers (μm). What you did.
[0077]
[Expression 1]
[0078]
Examples of the measuring apparatus that can be used include a RSTPLUS non-contact three-dimensional micro surface shape measuring system manufactured by WYKO. A sample having a size of 30 cm × 30 cm was divided into 100 in a grid pattern at intervals of 3 cm, the center of each square region was measured, and the average value and standard deviation were obtained from 100 measurements.
[0079]
As the cycloolefin polymer used in the present invention,
A hydride of a ring-opening polymer of a polycyclic monomer such as dicyclopentadiene, a hydride of a copolymer of a polycyclic monomer such as dicyclopentadiene and ethylene, or a norbornene-based polymer.
[0080]
As hydrides of ring-opening polymers such as dicyclopentadiene, for example, Japanese Patent Publication No. 58-43412 and Japanese Patent Laid-Open No. 63-218727 are well known. Copolymers of polycyclic monomers such as dicyclopentadiene and ethylene are known from JP-A-63-314220 and JP-A-612020816. Of course, the dicyclopentadiene includes alkyl substituents such as methyl and ethyl substituents, endo isomers, exo isomers, and mixtures thereof.
[0081]
Further, norbornene-based polymers include those shown in US Pat. No. 2,883,372, JP-B-46-14910, JP-A-1-14997, JP-A-3-14882, JP-A-3-122137 and the like. ing.
[0082]
The thermoplastic norbornene polymer specifically includes a ring-opening polymer of a norbornene monomer, a hydrogenated product thereof, an addition polymer of a norbornene monomer, and an addition type of a norbornene monomer and an olefin. A polymer etc. are mentioned.
[0083]
The norbornene-based monomer is a known monomer in the above-mentioned publications, JP-A-2-227424, JP-A-2-276842, etc., and examples thereof include norbornene, its alkyl, alkylidene, and aromatic substituted derivatives. And polar group substitution products such as halogen, hydroxyl group, ester group, alkoxy group, cyano group, amide group, imide group and silyl group of these substituted or unsubstituted olefins, for example, 2-norbornene, 5-methyl-2-norbornene 5,5-dimethyl-2-norbornene, 5-ethyl-2-norbornene, 5-butyl-2-norbornene, 5-ethylidene-2-norbornene, 5-methoxycarbonyl-2-norbornene, 5-cyano-2- Norbornene, 5-methyl-5-methoxycarbonyl-2-norbornene, 5-phenyl-2-norborn , 5-phenyl-5-methyl-2-norbornene and the like; monomers obtained by adding one or more cyclopentadiene to norbornene, derivatives and substitutes thereof similar to the above, for example, 1,4: 5,8- Dimethano-1,2,3,4,4a, 5,8,8a-2,3-cyclopentadienonaphthalene, 6-methyl-1,4: 5,8-dimethano-1,4,4a, 5 6,7,8,8a-octahydronaphthalene, 1,4: 5,10: 6,9-trimethano-1,2,3,4,4a, 5,5a, 6,9,9a, 10,10a- Dodecahydro-2,3-cyclopentadienoanthracene and the like; a monomer having a polycyclic structure which is a multimer of cyclopentadiene, and derivatives and substitutes thereof similar to the above, for example, dicyclopentadiene, 2,3-dihydrodiene Cyclopentadiene, etc .; cyclopen Adducts of dienes with tetrahydroindene and the like, derivatives and substitutes similar to those mentioned above, for example, 1,4-methano-1,4,4a, 4b, 5,8,8a, 9a-octahydrofluorene, 5, 8-methano-1,2,3,4,4a, 5,8,8a-octahydro-2,3-cyclopentadienonaphthalene and the like.
[0084]
Examples of these cycloolefin-based polymers include ZEONOR (R), ZEONEX (R) (manufactured by ZEON Corporation), ARTON (R) (manufactured by JSR Corporation), and the like.
[0085]
The number average molecular weight of the thermoplastic saturated cycloolefin polymer used in the present invention is measured by GPC (gel permeation chromatography) method using a toluene solvent, and is 10,000 to 200,000, preferably 20,000 to 150,000, more preferably 25,000 to 120,000. In particular, a thermoplastic saturated cycloolefin-based polymer having no polar group is preferable when water resistance and moisture resistance are required.
[0086]
Further, even when a polyethersulfone-based polymer is used instead of a cycloolefin-based polymer, a light-transmitting substrate having a low total reflection at the interface and a higher light extraction efficiency can be obtained. The polyethersulfone-based polymer is slightly moisture-permeable compared to the cycloolefin-based polymer, but has high heat resistance. By taking the above configuration of the present invention, the translucent substrate has total reflection at the interface. An excellent substrate with little light extraction efficiency is formed.
[0087]
As the polyethersulfone-based polymer, polyethersulfone-based films are marketed by Sumitomo Bakelite Co., Ltd., for example, "Sumilite (R) FS-1300", Sumilite (R) FST-5300, etc. Can be used.
[0088]
Thus, when the layer containing the hygroscopic filler serving as the core layer is a laminated substrate laminated with another resin layer or a substrate such as glass, the surface is roughened by using means such as resin coating and lamination. It is preferable to adjust the thickness as described above or to modify the surface for imparting adhesion.
[0089]
The adjustment of the surface roughness is carried out by adding inactive particles such as silica having an average particle diameter of 0.001 to 0.8 μm to the layer constituting the surface layer at the time of co-extrusion or co-casting. 0.05 to 2.0% by mass is preferable.
[0090]
As the surface modification, for example, treatment with a silane coupling agent or the like can be used. The surface of the moisture permeable film on the lower electrode side can be treated with a silane coupling agent to improve the adhesion (adhesiveness) with the transparent conductive film.
[0091]
As a preferable silane coupling agent to be used, a compound represented by the following general formula is preferable.
[0092]
[Chemical 1]
[0093]
In the formula, R represents an aliphatic or aromatic hydrocarbon group, which may contain an unsaturated group (for example, a vinyl group), R'OR "-, R'COOR"-, R'NHR ". -(R 'is an alkyl group, an aryl group, R "is an alkylene group, an arylene group) and may be substituted with other substituents.
[0094]
X 1 , X 2 , X 3 Represents an aliphatic or aromatic hydrocarbon, acyl group, amide group, alkoxy group, alkylcarbonyl group, epoxy group, mercapto group or halogen atom; 1 , X 2 , X 3 May be the same or different. However, at least one is a group other than a hydrocarbon group. X 1 , X 2 , X 3 Is preferably a group that undergoes hydrolysis.
[0095]
Specific examples of these silane coupling agents include methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrichlorosilane, vinyltriethoxysilane, γ-chloropropyltrimethoxysilane, γ-chloropropylmethyldichlorosilane, γ-chloropropylmethyldimethoxysilane, γ-chloropropylmethyldiethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N- (β-aminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, N- (β-aminoethyl) -Γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldimethoxy Silane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, γ- (2-aminoethyl) aminopropyltrimethoxysilane, γ-isocyanatopropyltriethoxysilane, γ- (2-aminoethyl) Aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-anilinopropyltrimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, N-β- (N- (vinylbenzylaminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, hydrochloride, aminosilane compound, etc. Of these, vinyl type, mercapto type, glycid type, and methacryloxy type are preferable, and mercapto type is particularly preferable.
[0096]
In particular, a silane coupling agent having an amino group, a phenyl group, or a vinyl group such as γ-aminopropyltriethoxysilane or p-styryltrimethoxysilane is preferable.
[0097]
A known method can be used for the treatment of the silane coupling agent. For example, spraying of a silane coupling agent solution, a method of applying the solution, a method of containing a silane coupling agent in the resin layer composition as a surface layer, and the like. Moreover, in order to ensure reaction with a silane coupling agent, it is desirable to perform drying at 60-130 degreeC for about 10 minutes-200 minutes.
[0098]
In addition, the light-transmitting substrate or substrate film according to the present invention may be colored by appropriately adding a dye or the like in order to adjust the color tone of light emission.
[0099]
<< Constituent layers of organic EL elements >>
A basic constituent layer of the organic EL element will be described.
[0100]
In this invention, although the preferable specific example of the layer structure of an organic EL element is shown below, this invention is not limited to these.
(I) Anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode
(Ii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode
(Iii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode
(Iv) Anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode
(V) Anode / anode buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode
"anode"
As an anode in an organic EL element (described as a lower electrode formed on a light-transmitting substrate in the present invention), a metal, an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof having a large work function (4 eV or more) are used. What is used as a substance is preferably used. Specific examples of such electrode materials include metals such as Au, CuI, indium tin oxide (ITO), SnO. 2 And conductive transparent materials such as ZnO. IDIXO (In 2 O 3 -ZnO) or other amorphous material capable of producing a transparent conductive film may be used. For the anode, a thin film may be formed by depositing these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering, and a pattern having a desired shape may be formed by a photolithography method, or when the pattern accuracy is not required (100 μm or more) Degree), a pattern may be formed through a mask having a desired shape when the electrode material is deposited or sputtered. When light emission is extracted from the anode, it is desirable that the transmittance is greater than 10%, and the sheet resistance as the anode is preferably several hundred Ω / □ or less. Further, although the film thickness depends on the material, it is usually selected in the range of 10 to 1000 nm, preferably 10 to 200 nm.
[0101]
"cathode"
On the other hand, as a cathode (described as an upper electrode in the present invention), a metal having a small work function (4 eV or less) (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof are used as electrode materials. Is used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like. Among these, a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function value than this, such as a magnesium / silver mixture, magnesium, from the viewpoint of electron injectability and durability against oxidation, etc. / Aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, lithium / aluminum mixtures, aluminum and the like are preferred. The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. The sheet resistance as the cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 1000 nm, preferably 50 nm to 200 nm. In order to transmit light, if either one of the anode or the cathode of the organic EL element is transparent or translucent, the light emission luminance is improved, which is convenient.
[0102]
Next, an injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, etc. used as a constituent layer of the organic EL element of the present invention will be described.
[0103]
<< Injection layer >>: Electron injection layer, hole injection layer
The injection layer is provided as necessary, and there are an electron injection layer and a hole injection layer, and as described above, exists between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer, and between the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer. You may let them.
[0104]
An injection layer is a layer provided between an electrode and an organic layer in order to reduce driving voltage and improve light emission luminance. “Organic EL element and its forefront of industrialization (November 30, 1998, issued by NTS Corporation) 2),
[0105]
The details of the anode buffer layer (hole injection layer) are also described in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069 and the like. As a specific example, copper phthalocyanine is used. Examples thereof include a phthalocyanine buffer layer represented by an oxide, an oxide buffer layer represented by vanadium oxide, an amorphous carbon buffer layer, and a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyaniline (emeraldine) or polythiophene. In particular, a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyaniline (emeraldine) or polythiophene is preferable, and the anode buffer layer is preferably formed to a thickness of 0.1 nm to 150 nm.
[0106]
The details of the cathode buffer layer (electron injection layer) are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like. Specifically, strontium, aluminum, etc. Metal buffer layer represented by lithium, alkali metal compound buffer layer represented by lithium fluoride, alkaline earth metal compound buffer layer represented by magnesium fluoride, oxide buffer layer represented by aluminum oxide, etc. .
[0107]
The buffer layer (injection layer) is preferably a very thin film, and although it depends on the material, the film thickness is preferably in the range of 0.1 nm to 100 nm.
[0108]
As described above, the blocking layer is provided as necessary in addition to the basic constituent layer of the organic compound thin film. For example, JP-A-11-204258, JP-A-11-204359, and “Organic EL devices and their forefront of industrialization” (issued on November 30, 1998 by NTS, Inc.), page 237, etc. There is a hole blocking layer.
[0109]
The hole blocking layer is an electron transport layer in a broad sense, and is made of a material that has a function of transporting electrons and has a very small ability to transport holes. By blocking holes while transporting electrons, And the recombination probability of holes can be improved.
[0110]
On the other hand, the electron blocking layer is a hole transport layer in a broad sense, made of a material that has a function of transporting holes and has a very small ability to transport electrons, and blocks electrons while transporting holes. Thus, the probability of recombination of electrons and holes can be improved.
[0111]
The hole transport layer is made of a material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer.
[0112]
The hole transport layer and the electron transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
In the organic EL device of the present invention, it is preferable that the fluorescence maximum wavelength of all the materials of the host of the light emitting layer, the hole transport layer adjacent to the light emitting layer, and the electron transport layer adjacent to the light emitting layer is 415 nm or less.
[0113]
<Light emitting layer>
The light emitting layer according to the present invention is a layer that emits light by recombination of electrons and holes injected from the electrode, the electron transport layer, or the hole transport layer, and the light emitting portion is in the layer of the light emitting layer. May also be the interface between the light emitting layer and the adjacent layer.
[0114]
The material used for the light emitting layer (hereinafter referred to as the light emitting material) is preferably an organic compound or complex that emits fluorescence or phosphorescence, and is appropriately selected from known materials used for the light emitting layer of the organic EL device. Can be used. Such a light-emitting material is mainly an organic compound, and has a desired color tone, for example, Macromol. Synth. 125, pages 17 to 25, and the like. In the present invention, the phosphorescent compound is preferable.
[0115]
The compound used as the light emitting material in the present invention may have a hole transport function and an electron transport function in addition to the light emitting performance, and most of the hole transport materials and electron transport materials are also used as the light emitting material. it can.
[0116]
As other light-emitting materials, polymer materials such as p-polyphenylene vinylene and polyfluorene may be used. Further, a polymer material in which the light-emitting material is introduced into a polymer chain or the light-emitting material is a polymer main chain. May be used.
[0117]
This light emitting layer can be formed by forming the above compound by a known thinning method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, or an LB method. Although the film thickness as a light emitting layer does not have a restriction | limiting in particular, Usually, it selects in the range of 5 nm-5 micrometers. This light emitting layer may have a single layer structure composed of one or two or more of these light emitting materials, or may have a laminated structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions. A preferred embodiment of the organic EL device of the present invention is when the light emitting layer is composed of two or more materials, and one of them is a phosphorescent dopant.
[0118]
Further, as described in JP-A-57-51781, this light emitting layer is prepared by dissolving the above light emitting material in a solvent together with a binder such as a resin, and then using a spin coating method or the like. It can be formed as a thin film. There is no restriction | limiting in particular about the film thickness of the light emitting layer formed in this way, Although it can select suitably according to a condition, Usually, it is the range of 5 nm-5 micrometers.
[0119]
When there are two or more materials constituting the light emitting layer, the main component is called a host compound and the other components are called dopants. In the present invention, the phosphorescent dopant is preferably used.
[0120]
In that case, the mixing ratio of the dopant to the host compound as the main component is preferably 0.1% by mass to less than 15% by mass.
[0121]
(Host compound)
In the white light emitting organic electroluminescence device of the present invention, the host compound is preferably an organic compound or a complex. In the present invention, the fluorescence maximum wavelength is preferably 415 nm or less. By setting the maximum wavelength of the host compound to 415 nm or less, BGR light emission can be realized particularly in the light emission of visible light and the dopant.
[0122]
That is, by setting the fluorescence maximum wavelength to 415 nm or less, energy transfer type dopant emission having a π-π absorption at 420 nm or less is possible in a normal π-conjugated fluorescence or phosphorescent material. In addition, since it has a fluorescence of 415 nm or less, it has a very wide energy gap (ionization potential-electron affinity, HOMO-LUMO), and therefore works advantageously for a carrier trap type.
[0123]
As such a host compound, you may select and use arbitrary things from the well-known thing used for an organic EL element. Most of the above hole transport materials and electron transport materials can also be used as the light emitting layer host compound.
[0124]
A polymer material such as polyvinyl carbazole or polyfluorene may be used, and a polymer material in which the host compound is introduced into a polymer chain or the host compound as a polymer main chain may be used.
[0125]
As the host compound, a compound that has a hole transporting ability and an electron transporting ability, prevents the emission of light from being increased in wavelength, and has a high Tg (glass transition temperature) is preferable.
[0126]
(Dopant)
Next, the dopant will be described.
[0127]
There are two types of principles. One is the recombination of carriers on the host to which the carriers are transported to generate an excited state of the host compound, and this energy is transferred to the dopant to obtain light emission from the dopant. The other is the carrier trap type in which the dopant becomes a carrier trap and carrier recombination occurs on the dopant compound, and light emission from the dopant is obtained. In either case, the dopant compound is excited. The condition is that the energy of the state is lower than the energy of the excited state of the host compound.
[0128]
In the white light-emitting organic electroluminescence device of the present invention, the dopant is a complex compound such as Ir, and particularly preferred are the compounds represented below.
[0129]
[Chemical 2]
[0130]
[Chemical 3]
[0131]
[Formula 4]
[0132]
As for organic electroluminescence devices that emit substantially white light, there is currently no single light-emitting material that emits white light. Therefore, multiple light-emitting materials emit light at the same time to emit white light by mixing colors. obtain. As a combination of a plurality of light emission colors, a light emission material having three light emission maximum wavelengths of three primary colors of blue, green, and red may be included, or a complementary color relationship such as blue and yellow, blue green and orange may be used. It may be one containing a light emitting material having two light emission maximum wavelengths utilized. Of course, a light emitting material having a light emission maximum wavelength of 4 or more may be combined.
[0133]
For example, in the case where a phosphorescent dopant is used as the light emitting material, white light emission is obtained by color mixing using a plurality of dopants having the above-described relationship with different emission wavelengths. The same applies to fluorescent light-emitting materials.
[0134]
In addition, a combination of light-emitting materials for obtaining a plurality of emission colors is a combination of a plurality of materials that emit phosphorescence or fluorescence, a light-emitting material that emits fluorescence or phosphorescence, and light from the light-emitting material. Any combination with a dye material that emits light as excitation light may be used.
[0135]
The material of the light emitting layer is not particularly limited, and any of the above known light emitting materials may be selected and combined to be whitened. In particular, when an element that emits light using phosphorescence is formed. Examples of the light-emitting host used in the above include materials containing a partial structure such as a carbazole derivative, a biphenyl derivative, a styryl derivative, a benzofuran derivative, a thiophene derivative, and an arylsilane derivative as a unit. Of these, a carbazole derivative and a biphenyl derivative are preferable light emitting materials exhibiting high light emission efficiency.
[0136]
In the case of providing the hole transport layer, the material is not particularly limited, but may have a function of transmitting holes from the anode electrode to the light emitting layer. Any material commonly used as a hole charge injection material or a known material used for a hole transport layer of an EL element can be selected and used.
[0137]
Even when the electron transport layer is provided, there is no particular limitation as long as it has a function of transmitting electrons from the cathode electrode to the light emitting layer, and any one of the known materials can be selected. Can be used.
[0138]
《Hole transport layer》
The hole transport layer is made of a material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer. The hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
[0139]
The hole transport material is not particularly limited, and is conventionally used as a hole charge injection / transport material in an optical transmission material or a well-known material used for a hole injection layer or a hole transport layer of an EL element. Any one can be selected and used.
[0140]
The hole transport material has one of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic. Other examples include triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazones. Derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers, and the like can be given.
[0141]
As the hole transport material, those described above can be used, and it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound.
[0142]
Representative examples of aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminophenyl; N, N′-diphenyl-N, N′— Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N'-diphenyl-N, N ' − (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p-tolylamino) -4 '-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4′-N, N-diphenylaminostilbenzene; N-phenylcarbazole, and two more described in US Pat. No. 5,061,569 Having a condensed aromatic ring of, for example, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD), JP-A-4-308 4,4 ', 4 "-tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine in which three triphenylamine units described in Japanese Patent No. 88 are linked in a starburst type ( MTDATA) and the like.
[0143]
Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.
[0144]
In addition, inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material.
[0145]
In the present invention, the hole transport material of the hole transport layer preferably has a fluorescence maximum wavelength at 415 nm or less. That is, the hole transport material is preferably a compound that has a hole transport ability, prevents the emission of light from becoming longer, and has a high Tg.
[0146]
The hole transport layer can be formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an ink jet method, or an LB method. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of a positive hole transport layer, Usually, it is about 5-5000 nm. The hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
[0147]
《Electron transport layer》
The electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer. The electron transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
[0148]
Conventionally, in the case of a single-layer electron transport layer and a plurality of layers, the following materials are used as the electron transport material (also serving as a hole blocking material) used for the electron transport layer adjacent to the cathode side with respect to the light emitting layer. Are known.
[0149]
Further, the electron transport layer only needs to have a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer, and any material can be selected from conventionally known compounds. .
[0150]
Examples of materials used for the electron transport layer (hereinafter referred to as electron transport materials) include the above-described compounds according to the present invention, as well as complex compounds such as nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, naphthalene perylene, and the like. Examples thereof include cyclic tetracarboxylic acid anhydrides, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, and oxadiazole derivatives. Furthermore, in the above oxadiazole derivative, a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group can also be used as an electron transport material.
[0151]
Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.
[0152]
In addition, metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) aluminum, Tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), etc., and the central metals of these metal complexes are In, Mg, Cu Metal complexes replaced with Ca, Sn, Ga, or Pb can also be used as electron transport materials. In addition, metal-free or metal phthalocyanine, or those having terminal ends substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transport material. In addition, the distyrylpyrazine derivative exemplified as the material of the light emitting layer can also be used as an electron transport material, and similarly to the hole injection layer and the hole transport layer, inorganic such as n-type-Si and n-type-SiC. A semiconductor can also be used as an electron transport material.
[0153]
It is preferable that the preferable compound used for an electron carrying layer has a fluorescence maximum wavelength in 415 nm or less. That is, the compound used for the electron transport layer is preferably a compound that has an electron transport ability, prevents emission of longer wavelengths, and has a high Tg.
[0154]
As a board | substrate film concerning the organic EL element of this invention, the said thing is preferable and the resin film which can give a flexibility to an organic EL element is preferable. Examples of the resin used include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), polyetherimide, polyetheretherketone, polyphenylene sulfide, polyarylate, polyimide, polycarbonate (PC), and cellulose. Examples include triacetate (TAC), cellulose acetate propionate (CAP), and the like, and the laminated film using these materials is preferable.
[0155]
In addition to coloring of the light-transmitting substrate, a hue improving filter such as a color filter may be used in combination.
[0156]
Below, the suitable example which produces an organic EL element is demonstrated.
<< Method for producing organic EL element >>
As an example of the method for producing the organic EL device of the present invention, a method for producing an organic EL device comprising an anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode will be described.
[0157]
First, on a translucent substrate according to the present invention, a thin film made of a desired electrode material, for example, an anode material (for example, ITO) is deposited or sputtered to a thickness of 1 μm or less, preferably 10 nm to 200 nm. Thus, the anode is formed. Next, an organic compound thin film of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a hole blocking layer, which are element materials, is formed thereon.
[0158]
As described above, there are spin coating methods, casting methods, ink jet methods, vapor deposition methods, printing methods, and the like as methods for thinning the organic compound thin films, but it is easy to obtain a uniform film and pinholes are not easily generated. In view of the above, the vacuum deposition method or the spin coating method is particularly preferable. Further, different film forming methods may be applied for each layer. When a vapor deposition method is employed for film formation, the vapor deposition conditions vary depending on the type of compound used, but generally a boat heating temperature of 50 to 450 ° C. and a degree of vacuum of 10 -6 Pa-10 -2 It is desirable to select appropriately within the ranges of Pa, vapor deposition rate of 0.01 nm to 50 nm / second, substrate temperature of −50 ° C. to 300 ° C., and film thickness of 0.1 nm to 5 μm.
[0159]
After the formation of these layers, a thin film made of a cathode material such as aluminum is formed thereon by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a thickness of 1 μm or less, preferably in the range of 50 nm to 200 nm, By providing the cathode, a desired organic EL element can be obtained. The organic EL element is preferably produced from the hole injection layer to the cathode consistently by a single evacuation, but may be taken out halfway and subjected to different film forming methods. At that time, it is necessary to consider that the work is performed in a dry inert gas atmosphere.
[0160]
In the present invention, another substrate or film is used as a sealing substrate on each layer (on the upper electrode) constituting the organic EL element thus formed on the light-transmitting substrate. The elements are stacked and sealed using a spacer or the like (or not used).
[0161]
The sealing substrate may be formed of glass, resin, ceramic, metal, metal compound, or a composite thereof. In a test according to JIS Z-0208, the thickness is 1 μm or more and water vapor is transmitted. Rate is 1 g / m 2 ・ 24 hr (1.013 × 10 -1 (MPa, 25 ° C.) or less. In addition, it is also preferable to use a light-transmitting substrate according to the present invention. By using both substrates as a substrate having low moisture permeability and high flexibility, an organic EL element resistant to impact can be formed, and light emission The present invention can also be applied to a surface light source whose surface is a curved surface.
[0162]
Moreover, in order to suppress the electroluminescence absorption or the diffusion of light to the back side also in the sealing substrate material (glass, film, etc.) on the upper electrode side (cathode, eg, Al, Mg electrode side) A pigment layer filled with white titanium oxide is preferably formed on the surface facing the cathode (Al, Mg, etc.) side of the sealing substrate or film.
[0163]
The sealing is performed through a substantially frame-shaped sealing material 6 provided by a coating method, a transfer method, or the like on the peripheral portion of the sealing substrate, for example, the surface facing the counter cathode (upper electrode) side. This is performed by pasting together a light-transmitting substrate on which each layer of the organic EL element is formed. As the sealing material 6, a thermosetting epoxy resin, an ultraviolet curable epoxy resin, a room temperature curable epoxy resin whose reaction starts by microencapsulating and pressurizing a reaction initiator, or the like can be used. In this case, an air escape opening or the like is provided at a predetermined location of the sealing material 6 (not shown) to complete the sealing. The air escape opening has a reduced-pressure atmosphere (vacuum degree 1.33 × 10 6 in the vacuum apparatus). -2 Or less) or in an atmosphere of nitrogen gas or inert gas, it is sealed with any of the above curable epoxy resins or ultraviolet curable resins.
[0164]
Examples of epoxy resins include bisphenol A, bisphenol F, bisphenol AD, bisphenol S, xylenol, phenol novolac, cresol novolac, polyfunctional, tetraphenylolmethane, polyethylene glycol, polypropylene A glycol type, hexanediol type, trimethylolpropane type, propylene oxide bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, or a mixture thereof is mainly used. When the sealing material 6 is formed by a transfer method, a film is preferable.
[0165]
In the present invention, a material that absorbs moisture or reacts with moisture (for example, barium oxide) can be formed in a layer on the substrate and sealed.
[0166]
Although the organic EL element configured as described above is shown in FIG. 1, since the transparent substrate 1 and the
[0167]
When positive voltage is applied to the
[0168]
In addition to emitting monochromatic light as a display element, the most simple configuration of a white light-emitting element is that the light-emitting material used together with the host compound in the light-emitting layer has a complementary color relationship with each other, such as blue and yellow or blue Combining two types of dopants that have complementary colors such as green and orange, and dopants (phosphorescent compounds) that emit light in three colors, blue, green, and red, while considering their luminous efficiency It can be obtained by mixing and doping as appropriate. Of course, in order to obtain sufficient white light, four or more kinds of light emitting materials may be combined.
[0169]
In a white organic electroluminescence device, basically only by mixing a dopant, a mask is provided only at the time of formation of a light emitting layer, a hole transport layer, an electron transport layer, etc. Well, since other layers are common, patterning such as a mask is unnecessary, and for example, an electrode film can be formed on one side by vapor deposition, casting, spin coating, ink jet, printing, etc., and productivity is also improved. It is. It is also possible to provide a display element in which light emitting elements of a plurality of colors are arranged in parallel in an array.
[0170]
The organic EL elements formed on these light-transmitting substrates are flexible and maintain a sufficient light emission even with a small change rate of light emission even in a state where they are curled to some extent. On a non-flexible substrate, light emission cannot be maintained by causing the substrate itself to crack or break.
[0171]
The curl value is obtained by the reciprocal of the radius of curvature (m). The larger the + number, the stronger the + curl (the element surface is up and warps upward).
[0172]
Curl = 1 radius of curvature (m)
In the present invention, an organic EL device having a light emission change rate of 20% or less even when the curl value is changed from 0 (that is, in a planar state) to 60 can be obtained.
[0173]
The organic EL device of the present invention is used as a white light source, as a kind of lamp for home lighting, interior lighting, and exposure light source, as well as a backlight for liquid crystal display devices, clocks, signboard advertisements, traffic lights, light, etc. Used in a wide range of applications, such as light sources for storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, light sources for optical sensors, and general household appliances that require display devices Although it can be used, it is also useful for display devices, displays, and also display devices.
[0174]
【Example】
Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples.
[0175]
Example 1
(Preparation of resin chip with hygroscopic filler)
A commercially available polyethylene terephthalate chip was sufficiently dried at 150 ° C. using a vacuum dryer, and then barium oxide powder (average particle size, 0.5 μm) was placed under a dry nitrogen stream so that the content was 5% by mass. A polyester chip (referred to as polyester A) containing a hygroscopic filler was prepared by kneading at 280 ° C. using a biaxial extrusion kneader.
[0176]
The average particle diameter of barium oxide is obtained as a simple average value (number average) by observing 100 or more arbitrary particles with an electron microscope and determining the particle diameter. Here, each particle size is expressed by a diameter assuming a circle equal to the projected area. In addition, the average particle diameter was calculated | required by the same method also about the silica gel fine particle, titanium oxide, etc. which are mentioned later.
[0177]
(Production of laminated substrate)
Polyester A and commercially
[0178]
The first stage heat treatment (annealing) was performed at 105 ° C. for 20 hours while being wound on the core, and the second stage heat treatment (annealing) was performed at 90 ° C. for 30 hours.
[0179]
(Production of organic EL element)
Organic EL element OLED1-1 was produced as follows.
[0180]
On the thin layer side of the polyethylene naphthalate layer of the above-mentioned b1 substrate of 100 mm × 100 mm × 50 μm, ITO (indium tin oxide) was formed as an anode with a thickness of 100 nm and patterned on the substrate. The transparent support substrate provided with the ITO transparent electrode was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol and dried with dry nitrogen gas, and then the PEDOT-PSS (polyethylenedioxythiophene-polystyrene sulfonic acid dope; Bayer Baytron) layer on the ITO transparent electrode side Was formed by spin coating to a dry thickness of 25 nm. Furthermore, this transparent support substrate was attached to a vacuum deposition apparatus, and the four sides were fixed so that the dimensions and positions of the transparent support substrate were not changed. The vacuum chamber is then 4 × 10 -4 The pressure is reduced to Pa, the hole transport layer (α-NPD 25 nm), the light emitting layer (light emitting host compound CBP is used as a deposition rate of 5 Å / s, phosphorescent dopant is used, Ir-6 is used as the deposition rate of 0.05 Å / s, phosphorescence) The dopant Ir-12 was co-deposited at a deposition rate of 0.2 Å / s to form a film with a film thickness of 30 nm.), An electron transport layer (BCP 10 nm), a hole injection layer (Alq 3 40 nm) was deposited on the PEDOT-PSS layer according to the thickness and composition described in this order. Further, lithium cathode 0.5 nm was deposited as a cathode buffer layer and aluminum 150 nm was deposited as a cathode to form a cathode.
[0181]
Finally, using a glass substrate having a thickness of 300 μm as a sealing substrate, an epoxy photo-curing adhesive (Lux Track LC0629B manufactured by Toagosei Co., Ltd.) is applied as a sealing material around the glass substrate, and this is overlaid on the cathode. The organic EL element OLED1-1 was made to adhere to the transparent support substrate, irradiated with UV light from the glass substrate side, cured and sealed.
[0182]
Example 2
(Preparation of resin paint in which hygroscopic filler is dispersed)
15 parts by mass of barium oxide (average particle size 3.5 μm), 45 parts by mass of polyethersulfone (Sumilite FS-1300, manufactured by Sumitomo Bakelite) and 100 parts by mass of 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone were sufficiently kneaded in a sand mill. The resin paint in which the hygroscopic material was dispersed was prepared by filtering with a filter.
[0183]
(Production of laminated substrate)
Etching treatment with hydrofluoric acid, washing with water, dewatering treatment of 300 μm thick glass substrate, the above-mentioned resin paint was applied on the treated side surface with a curtain coater and dried at 100 ° C. and normal pressure for 2 hours. 130 ° C, 1.0 x 10 -3 It was dried for 3 hours under reduced pressure of Pa. The thickness of the resin layer after drying was 20 μm. A 100 μm cover glass having a UV cured adhesive layer formed thereon was bonded and pressure-bonded, and then irradiated with UV light from the cover glass side to produce a multilayer substrate (b3) having an overall thickness of 580 μm.
[0184]
(Production of organic EL element)
Organic EL element OLED3-1 was produced as follows. As an anode, after depositing 100 nm of ITO (indium tin oxide) on one side of the laminated substrate b3 (on a cover glass layer of 100 μm) and patterning the substrate, a transparent support substrate provided with this ITO transparent electrode was formed. After ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol and drying with dry nitrogen gas, a PEDOT-PSS (polyethylenedioxythiophene-polystyrene sulfonic acid dope; Bayer Baytron) layer is spin-coated on the ITO transparent electrode side to a dry thickness of 25 nm. It was formed by coating. Furthermore, this transparent support substrate was attached to a vacuum deposition apparatus, and the four sides were fixed so that the dimensions and positions of the transparent support substrate were not changed. The vacuum chamber is then 4 × 10 -4 The pressure is reduced to Pa, the hole transport layer (α-NPD 25 nm), the light emitting layer (the light emitting host compound CBP is used as a deposition rate of 5 Å / s, the phosphorescent dopant compound is used, Ir-6 is used as the deposition rate of 0.05 Å / s, phosphorus The optical dopant Ir-12 was co-deposited at a deposition rate of 0.2 Å / s to form a film with a film thickness of 30 nm.), An electron transport layer (BCP 10 nm), a hole injection layer (Alq 3 40 nm) was deposited on the PEDOT-PSS layer according to the thickness and composition shown in Table 1 in this order. Further, lithium cathode 0.5 nm was deposited as a cathode buffer layer and aluminum 150 nm was deposited as a cathode to form a cathode.
[0185]
[Chemical formula 5]
[0186]
(Manufacture of cycloolefin polymer film)
A 1-liter autoclave purged with nitrogen was charged with 400 ml of dehydrated and purified toluene and 100 ml of dicyclopentadiene. To this, 0.37 mmol of l-hexene, 0.37 mmol of tungsten hexachloride, and 0.74 mmol of tetraethyltin were added as molecular weight regulators. And polymerized at room temperature for 5 hours. After completion of the reaction, 5 ml of monoethanolamine is added, and 1 g of 2,6-di-t-butylphenol (BHT) is added as a stabilizer, and then the reaction solution is poured into a large amount of methanol to precipitate the polymer, followed by vacuum drying. As a result, a toluene-soluble polymer was obtained. The yield was 62%. The glass transition point of this polymer was 129 ° C., and the intrinsic viscosity measured in toluene at 25 ° C. was 0.95 dl / g. 400 g of this soluble polymer cyclohexane solution (
The polymer (A) is dried at 120 ° C. under vacuum for 4 hours, and after the content of low molecular volatiles is reduced to 50 ppm or less, it is supplied to a 90 mm diameter extruder and melted at 295 ° C.
[0187]
The amorphous polyolefin melt discharged from the 90 mm extruder was discharged with a single-layer die using a known adapter. While applying an electrostatic charge to the molten sheet, it was brought into close contact with a chromium plating roll maintained at 60 ° C. and cooled and solidified. The sheet was stretched 2.5 times in the longitudinal direction using a jacket roll heated to 155 ° C., and then heat-set in two stages of 130 ° C. and 200 ° C. Thus, an amorphous cycloolefin polymer film (Structural Formula 1) having a thickness of 75 μm was obtained. This was cut into a predetermined width and used as a sealing substrate (film).
[0188]
Moreover, the amorphous cycloolefin type polymer film which adjusted the discharge amount with a nozzle | cap | die and made the film thickness into 50 micrometers was produced.
[0189]
[Chemical 6]
[0190]
The organic EL element was sealed using the cycloolefin polymer film in the same manner as in Example 1 to produce an organic EL element OLED3-1.
[0191]
Example 3
(Preparation of hygroscopic filler kneaded dope)
Barium oxide (average particle size: 1.2 μm) and silica gel fine particles (average particle size: 0.7 μm) were dispersed in an amount of 5% by mass on the surface of the cycloolefin polymer film having a thickness of 50 μm prepared on a stainless steel belt. A polycarbonate layer containing a hygroscopic filler having a thickness of 35 μm was laminated by casting a dope using methylene chloride of a polycarbonate resin as a solvent. Further thereon, a resin solution using methylene chloride in which 10% of γ-aminopropyltrimethoxysilane was added to polycarbonate as a solvent was applied so as to have a dry thickness of 2 μm, and dried to produce a multilayer substrate b6.
[0192]
In the same manner as in Example 1, ITO / PEDOT-PSS / organic layer (hole transport, light emission, electron transport, electron injection) / cathode buffer / cathode was formed by vapor deposition.
[0193]
Using the cycloolefin polymer film having a thickness of 75 μm as a sealing substrate, sealing was performed in the same manner as in Example 1 to fabricate an organic EL element OLED4-1.
[0194]
Example 4
(Production of hygroscopic filler-containing cycloolefin polymer chip)
The polymer (A) is sufficiently dried at 150 ° C. using a vacuum dryer, and then the barium oxide powder (average particle size, 0.5 μm) is contained in a dry nitrogen stream so that the content is 5% by mass. Using a biaxial extrusion kneader, kneading was performed at 280 ° C. to prepare a hygroscopic filler-containing polycycloolefin polymer chip (referred to as polycycloolefin A).
[0195]
(Production of light-reflective filler-containing polyester chip)
A poly 1,4-cyclohexylene dimethylene terephthalate (structural formula 2) chip was sufficiently dried at 130 ° C. using a vacuum dryer, and then titanium oxide (
[0196]
[Chemical 7]
[0197]
(Production of laminated substrate)
The polycycloolefin A and polyethylene terephthalate chips were each vacuum dried at 150 ° C. for 8 hours, and then the resin was supplied to each of the three extruders from the hopper installed on the extruder while keeping the temperature in a dry nitrogen stream. Perform melt extrusion at ℃, pass through a 40-mesh filter, bond in layers so that the thickness ratio is 1: 1: 1 in a T-die, and apply static electricity on a cooling drum at 60 ℃ Then, it was brought into close contact and rapidly cooled and solidified to obtain a laminated unstretched sheet. At this time, the core layer was made of polycycloolefin A and the surface layer was made of polyethylene terephthalate. This unstretched sheet was guided to a roll-type longitudinal stretching machine, preheated at 90 ° C., and stretched 2.8 times in the longitudinal direction while being heated with an IR heater between low-speed and high-speed rolls. The obtained uniaxially stretched film was supplied to a tenter-type transverse stretching machine and stretched at 130 ° C. so that the transverse stretching ratio was 2.8 times. The obtained biaxially oriented film was heat-fixed at 210 ° C. for 10 seconds. Next, the laminate was slowly cooled to room temperature over 30 seconds while being subjected to a 5% relaxation treatment in the transverse direction to obtain a laminate substrate (b4) composed of a biaxially stretched laminated polyester / polycycloolefin support having a thickness of 45 μm. Further, both end portions were trimmed, and each 100 m was wound around a core having a diameter of 220 mm.
[0198]
While being wound around the core, heat treatment (annealing) was performed at 75 ° C. for 70 hours.
(Preparation of cathode side sealing substrate)
The chips of polycycloolefin A, polyester B and polyethylene terephthalate were each vacuum dried at 150 ° C for 8 hours, and then the resin was transferred from the hopper installed on the extruder to the three extruders while keeping the temperature in a dry nitrogen stream. After being fed and melt-extruded at 290 ° C., passed through a 40 mesh filter, it was joined in layers so that the thickness ratio was 1: 1: 1 in a T-die, and statically placed on a 60 ° C. cooling drum. It was made to adhere, applying electricity, rapidly cooling and solidifying, and the lamination unstretched sheet was obtained. At this time, the core layer was made of polycycloolefin A, and the surface layer was made of polyester B and polyethylene terephthalate. This unstretched sheet was guided to a roll-type longitudinal stretching machine, preheated at 90 ° C., and stretched 2.8 times in the longitudinal direction while being heated with an IR heater between low-speed and high-speed rolls. The obtained uniaxially stretched film was supplied to a tenter-type transverse stretching machine and stretched at 130 ° C. so that the transverse stretching ratio was 2.8 times. The obtained biaxially oriented film was heat-fixed at 210 ° C. for 10 seconds. Subsequently, the film was slowly cooled to room temperature over 30 seconds while being subjected to a 5% relaxation treatment in the transverse direction to obtain a biaxially stretched laminated polyester / polycycloolefin support having a thickness of 60 μm (sealing substrate b5). Further, both end portions were trimmed, and each 100 m was wound around a core having a diameter of 220 mm.
[0199]
While being wound around the core, heat treatment (annealing) was performed at 75 ° C. for 70 hours.
(Production of organic EL element)
Organic EL element OLED5-1 was produced as follows.
[0200]
After 100 nm of ITO (indium tin oxide) is deposited on one side of a 100 mm × 100 mm laminated substrate b4 and patterned on the substrate, the transparent support substrate provided with the ITO transparent electrode is ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol. After drying with dry nitrogen gas, a PEDOT-PSS (polyethylenedioxythiophene-polystyrene sulfonic acid dope; Baytron Baytron) layer was formed on the ITO transparent electrode side by spin coating so as to have a dry thickness of 25 nm. Furthermore, this transparent support substrate was attached to a vacuum deposition apparatus, and the four sides were fixed so that the dimensions and positions of the transparent support substrate were not changed. The vacuum chamber is then 4 × 10 -4 The pressure is reduced to Pa, the hole transport layer (α-NPD 25 nm), the light emitting layer (light emitting host compound CBP is used as a deposition rate of 5 Å / s, phosphorescent dopant is used, Ir-6 is used as the deposition rate of 0.05 Å / s, phosphorescence) The dopant Ir-12 was co-deposited at a deposition rate of 0.2 Å / s to form a film with a film thickness of 30 nm.), An electron transport layer (BCP 10 nm), a hole injection layer (Alq 3 40 nm) was deposited on the PEDOT-PSS layer according to the thickness and composition described in this order. Further, lithium cathode 0.5 nm was deposited as a cathode buffer layer and aluminum 150 nm was deposited as a cathode to form a cathode. Finally, the annealed biaxially stretched laminated polyester / polycycloolefin support (sealing substrate b5) is bonded so that the polyester layer containing titanium oxide faces the aluminum cathode, and the same as in Example 1. The organic EL element OLED5-1 was produced by sealing.
[0201]
Comparative Example 1
In Example 1, a laminated substrate (b2) was prepared in exactly the same manner except that a commercially available polyethylene terephthalate was used instead of the polyester A, and a commercially available polyethylene terephthalate was used instead of the
[0202]
Further, for the substrate on which the lower electrode is provided, the surface roughness Ra on the lower electrode side and the surface roughness Ra on the light extraction side opposite to the lower electrode are measured according to JIS-B-0601. Was measured using a RSTPLUS non-contact three-dimensional micro surface shape measurement system manufactured by WYKO.
[0203]
The following evaluation was performed about each of obtained organic EL element OLED1-1-OLED5-1.
[0204]
<Emission brightness, luminous efficiency>
With respect to the organic EL elements OLED1-1 to OLED5-1, luminous efficiency (lm / W) was measured when a 10 V DC voltage was applied at a temperature of 23 ° C. in a dry nitrogen gas atmosphere.
[0205]
The emission color of the organic EL elements OLED1-1 to OLED5-1 was white. The organic EL element OLED1-1 began to flow at an initial drive voltage of 4V.
[0206]
The evaluation of the light emission luminance and the light emission efficiency was carried out by relative values (relative light emission efficiency) when the measured value of the organic EL element OLED1-1 was 100. Moreover, the light emission luminance was measured using CS-1000 (manufactured by Minolta).
[0207]
"durability"
Each of the organic EL elements OLED1-1 to OLED5-1 is 2.5 mA / cm. 2 The half-life time (also referred to as half-life), which is the time required for the initial luminance to drop to half of the original brightness when driven at a constant current, was expressed as an index. The half-life time was expressed as a relative value when the half-life time of the organic EL element OLED1-1 was 100.
[0208]
<< Luminescence change under stress load >>: Brightness change rate
Each sample element is 500 cd / m 2 After the voltage is adjusted, the cathode side of each element is pushed in turn against an insulating rigid body on a cylinder having each diameter such that the curl values are 0, 5, 10, 15, and 5 in increments of 60. The luminance change rate and the light emission state were observed. If it can be deformed to a curl value of 60, it can be said to be sufficiently flexible. If the luminance change is 20% or less, there is no practical problem. The curl value was expressed as the reciprocal of the radius of curvature (1 / m).
[0209]
The configuration of each element is shown in Table 1, and the evaluation results of each element are shown in Table 2.
[0210]
[Table 1]
[0211]
[Table 2]
[0212]
【The invention's effect】
Light extraction efficiency in organic EL elements is dramatically improved, long life is flexible, luminance change at the time of bending deformation, damage to elements and cracks are reduced, and organic EL elements that can achieve resource saving at low cost In addition, a light emitter and a light source using the same can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a sealing method of an organic EL element.
[Explanation of symbols]
1 Translucent substrate
2 Anode
3 Organic EL layer
4 Cathode
5 Sealing substrate
6 Sealing material
Claims (11)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003198348A JP2005038661A (en) | 2003-07-17 | 2003-07-17 | Organic electroluminescent element, display device, lighting device and light source |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003198348A JP2005038661A (en) | 2003-07-17 | 2003-07-17 | Organic electroluminescent element, display device, lighting device and light source |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005038661A true JP2005038661A (en) | 2005-02-10 |
Family
ID=34208153
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003198348A Pending JP2005038661A (en) | 2003-07-17 | 2003-07-17 | Organic electroluminescent element, display device, lighting device and light source |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005038661A (en) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007033129A3 (en) * | 2005-09-14 | 2007-06-14 | Du Pont | Light-emitting diode assembly housing comprising poly(cyclohexanedimethanol terephthalate) compositions |
JP2007173052A (en) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Works Ltd | Lighting system |
JP2010146953A (en) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Organic el light-emitting device |
JP2010176928A (en) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Organic el light-emitting device |
JP2011082089A (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-21 | Konica Minolta Holdings Inc | Organic electroluminescent element, lighting system using the same |
JP2011165554A (en) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Toppan Forms Co Ltd | Method for manufacturing electronic display panel, and electronic display panel manufactured by the same |
JP2012109255A (en) * | 2005-03-10 | 2012-06-07 | Konica Minolta Holdings Inc | Resin film substrate for organic electroluminescence and organic electroluminescence device |
US8480254B2 (en) | 2011-04-14 | 2013-07-09 | Ticona, Llc | Molded reflective structures for light-emitting diodes |
US8556459B2 (en) | 2007-10-01 | 2013-10-15 | Rohm Co., Ltd. | Lighting device having surface light source panels |
US9062198B2 (en) | 2011-04-14 | 2015-06-23 | Ticona Llc | Reflectors for light-emitting diode assemblies containing a white pigment |
US9187621B2 (en) | 2011-12-30 | 2015-11-17 | Ticona Llc | Reflector for light-emitting devices |
US9284448B2 (en) | 2011-04-14 | 2016-03-15 | Ticona Llc | Molded reflectors for light-emitting diode assemblies |
US9453119B2 (en) | 2011-04-14 | 2016-09-27 | Ticona Llc | Polymer composition for producing articles with light reflective properties |
JP2016533005A (en) * | 2013-09-30 | 2016-10-20 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | Substrates for organic electronic devices |
US9567460B2 (en) | 2012-12-18 | 2017-02-14 | Ticona Llc | Molded reflectors for light-emitting diode assemblies |
WO2018016442A1 (en) * | 2016-07-20 | 2018-01-25 | 日本ゼオン株式会社 | Conductive film and method for producing same |
JP2020014002A (en) * | 2005-06-30 | 2020-01-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting device |
CN111174685A (en) * | 2018-11-09 | 2020-05-19 | 北京纳米能源与系统研究所 | Flexible strain sensor and manufacturing method thereof |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001126861A (en) * | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Organic electroluminescence device |
JP2001237064A (en) * | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Seiko Instruments Inc | Organic el element |
JP2003168556A (en) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Shin Sti Technology Kk | Organic el element structure |
JP2003173877A (en) * | 2001-09-28 | 2003-06-20 | Matsushita Electric Works Ltd | Surface light-emitting body |
-
2003
- 2003-07-17 JP JP2003198348A patent/JP2005038661A/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001126861A (en) * | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Organic electroluminescence device |
JP2001237064A (en) * | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Seiko Instruments Inc | Organic el element |
JP2003173877A (en) * | 2001-09-28 | 2003-06-20 | Matsushita Electric Works Ltd | Surface light-emitting body |
JP2003168556A (en) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Shin Sti Technology Kk | Organic el element structure |
Cited By (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012109255A (en) * | 2005-03-10 | 2012-06-07 | Konica Minolta Holdings Inc | Resin film substrate for organic electroluminescence and organic electroluminescence device |
US11444106B2 (en) | 2005-06-30 | 2022-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic appliance |
JP2020014002A (en) * | 2005-06-30 | 2020-01-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting device |
US10903244B2 (en) | 2005-06-30 | 2021-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic appliance |
JP2021092785A (en) * | 2005-06-30 | 2021-06-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
JP2009507990A (en) * | 2005-09-14 | 2009-02-26 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | Light emitting diode assembly housing comprising a poly (cyclohexanedimethanol terephthalate) composition |
WO2007033129A3 (en) * | 2005-09-14 | 2007-06-14 | Du Pont | Light-emitting diode assembly housing comprising poly(cyclohexanedimethanol terephthalate) compositions |
US8007885B2 (en) | 2005-09-14 | 2011-08-30 | Georgios Topoulos | Light-emitting diode assembly housing comprising poly(cyclohexanedimethanol terephthalate) compositions |
EP2472603A1 (en) * | 2005-09-14 | 2012-07-04 | Ticona LLC | Poly(cyclohexanedimethanol terephthalate) compositions |
JP2012136710A (en) * | 2005-09-14 | 2012-07-19 | Ticona Llc | Light-emitting diode assembly housing comprising poly(cyclohexanedimethanol terephthalate) composition |
JP2007173052A (en) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Works Ltd | Lighting system |
US8556459B2 (en) | 2007-10-01 | 2013-10-15 | Rohm Co., Ltd. | Lighting device having surface light source panels |
JP2010146953A (en) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Organic el light-emitting device |
JP2010176928A (en) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Organic el light-emitting device |
JP2011082089A (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-21 | Konica Minolta Holdings Inc | Organic electroluminescent element, lighting system using the same |
JP2011165554A (en) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Toppan Forms Co Ltd | Method for manufacturing electronic display panel, and electronic display panel manufactured by the same |
US9346933B2 (en) | 2011-04-14 | 2016-05-24 | Ticona Llc | Reflectors for light-emitting diode assemblies containing a white pigment |
US9284448B2 (en) | 2011-04-14 | 2016-03-15 | Ticona Llc | Molded reflectors for light-emitting diode assemblies |
US9562666B2 (en) | 2011-04-14 | 2017-02-07 | Ticona Llc | Molded reflectors for light-emitting diode assemblies |
US8480254B2 (en) | 2011-04-14 | 2013-07-09 | Ticona, Llc | Molded reflective structures for light-emitting diodes |
US9062198B2 (en) | 2011-04-14 | 2015-06-23 | Ticona Llc | Reflectors for light-emitting diode assemblies containing a white pigment |
US9453119B2 (en) | 2011-04-14 | 2016-09-27 | Ticona Llc | Polymer composition for producing articles with light reflective properties |
US9187621B2 (en) | 2011-12-30 | 2015-11-17 | Ticona Llc | Reflector for light-emitting devices |
US9567460B2 (en) | 2012-12-18 | 2017-02-14 | Ticona Llc | Molded reflectors for light-emitting diode assemblies |
JP2016533005A (en) * | 2013-09-30 | 2016-10-20 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | Substrates for organic electronic devices |
US10090473B2 (en) | 2013-09-30 | 2018-10-02 | Lg Display Co., Ltd. | Substrate for organic electronic device |
JPWO2018016442A1 (en) * | 2016-07-20 | 2019-05-09 | 日本ゼオン株式会社 | Conductive film and method of manufacturing the same |
US20190248974A1 (en) * | 2016-07-20 | 2019-08-15 | Zeon Corporation | Conductive film and method for producing same |
US10759917B2 (en) | 2016-07-20 | 2020-09-01 | Zeon Corporation | Conductive film and method for producing same |
KR20190031206A (en) * | 2016-07-20 | 2019-03-25 | 니폰 제온 가부시키가이샤 | Conductive film and method of manufacturing the same |
CN109414919A (en) * | 2016-07-20 | 2019-03-01 | 日本瑞翁株式会社 | Conductive film and its manufacturing method |
TWI743149B (en) * | 2016-07-20 | 2021-10-21 | 日本瑞翁股份有限公司 | Conductive film and manufacturing method thereof |
WO2018016442A1 (en) * | 2016-07-20 | 2018-01-25 | 日本ゼオン株式会社 | Conductive film and method for producing same |
KR102589808B1 (en) * | 2016-07-20 | 2023-10-13 | 니폰 제온 가부시키가이샤 | Conductive film and its manufacturing method |
CN111174685A (en) * | 2018-11-09 | 2020-05-19 | 北京纳米能源与系统研究所 | Flexible strain sensor and manufacturing method thereof |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2005038661A (en) | Organic electroluminescent element, display device, lighting device and light source | |
US6781148B2 (en) | Light emitting device | |
JP5109606B2 (en) | Organic electroluminescence device manufacturing method and protective film | |
JP4040850B2 (en) | Light emitting element | |
JP5835216B2 (en) | Light extraction sheet, organic electroluminescence element and lighting device | |
US8552637B2 (en) | Organic electroluminescence element having a conductive resin layer and method for manufacturing the same | |
JP5093049B2 (en) | ORGANIC ELECTRONIC ELECTRONIC DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME | |
JP2009123690A (en) | Organic electronics element winding to past drying agent film after forming coated layer or after forming coupled electrode layer and its manufacturing method | |
JP5581816B2 (en) | Gas barrier film and organic element device using the same | |
WO2007049470A1 (en) | Organic electroluminescent element, liquid crystal display device, and lighting equipment | |
TWI704382B (en) | Display device and manufacturing method of display device | |
WO2008032526A1 (en) | Process for production of flexible sealing film and organic electroluminescent devices made by using the film | |
JP5170067B2 (en) | Organic EL panel and method for manufacturing organic EL panel | |
US8809091B2 (en) | Method of manufacturing organic electroluminescence element | |
WO2016031877A1 (en) | Organic electroluminescent element | |
JP5609524B2 (en) | Gas barrier film and organic element device using the same | |
JP2017091695A (en) | Organic electroluminescent element, lighting system, surface light source, and display device | |
JP6984649B2 (en) | Composition for manufacturing electronic devices, manufacturing method of composition for manufacturing electronic devices, manufacturing method of organic thin film and organic thin film | |
JPWO2009025186A1 (en) | Organic electroluminescent panel manufacturing method, organic electroluminescent panel | |
JP2007073332A (en) | Organic electroluminescent panel and method of manufacturing the same | |
JP2016141044A (en) | Flexible substrate and production method of the same | |
JP2008021575A (en) | Organic electroluminescent element and manufacturing method of same | |
WO2009099009A1 (en) | Organic el display and manufacturing method of the same | |
JP2001126861A (en) | Organic electroluminescence device | |
CN115148927A (en) | Packaging structure |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060622 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090512 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090703 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091027 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091218 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100608 |