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JP2005055808A - 反射型液晶表示装置の製法 - Google Patents

反射型液晶表示装置の製法 Download PDF

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Abstract

【課題】ペーパーホワイト性に優れ、かつ観察者に対して表示パネルが明るくコントラスト比の高い高品位表示特性を有する反射型ＴＦＴ−ＬＣＤまたは部分反射型ＴＦＴ−ＬＣＤの反射板を簡単なプロセスで作製することができる反射型液晶表示装置の製法を提供する。
【解決手段】基板の上にゲート電極ならびにゲート配線を形成する第１工程と、絶縁膜を形成し、画素領域に複数の凸パターンを形成する第２工程と、ゲート絶縁膜、半導体能動膜およびオーミック膜を順次形成する第３工程と、ソース電極およびソース配線ドレイン電極を形成する第４工程と、層間絶縁膜を形成し、画素部に凸状の複数のパターンとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第５工程と、画素部に反射画素電極を形成する第６工程とを含んでいる。
【選択図】図３

Description

本発明は外部より入射した光を反射させて表示を行なう反射型液晶表示装置の製法に関し、とくにコントラスト特性とペーパーホワイト性に優れる反射型液晶表示装置の製法に関する。
液晶表示装置（Liquid Crystal Display；以下、ＬＣＤという）は、ＣＲＴに代わるフラットパネルディスプレイのひとつとして活発に開発が行なわれており、とくに消費電力が小さいことや薄型であるという特徴を活かしてノートブック型コンピュータ、カーナビゲーション、携帯端末などの他、ＴＶとして実用化されている。一般に液晶を用いた電気光学素子は、お互いに対向する電極をそれぞれ備えた基板間に液晶層が挟持され、さらに両基板の外側には偏光板が設置されているとともに、透過型のものでは背面にバックライトを設置する構造にされている。両基板の対向する電極の表面は、配向処理がされており、液晶分子の向きを平均的に表すダイレクタが所望の向きの初期状態に制御されている。
液晶には複屈折性があり、バックライトを光源として偏光板を通して入射された光は楕円偏光となって反対側の偏光板に入射される。この状態で対向する両電極間に電圧を印加すると、前記ダイレクタの配列状態が変化して液晶層の複屈折率が変化し、反対側の偏光板に入射される楕円偏光状態が変化する。したがって、電気光学素子を通過する光強度およびスペクトルが変化するという電気光学効果が得られる。この電気光学効果は、用いる液晶相の種類（ネマチック相、スメクチック相、コレステリック相など）、初期配向状態、偏光板の偏光軸の向き、液晶層の厚さまたは光が通過する経路上に置かれたカラーフィルタや各種光学フィルムによって異なる。一般的には、ネマチック液晶相を用いてＴＮ（Twisted Nematic）、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）と呼ばれる構造のものが用いられる。
これら液晶を用いたディスプレイ（表示）用電気光学素子の駆動方式には、大きく分けて単純マトリックス型と、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下、ＴＦＴという）をスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス型があるが、これらのうち、表示品位に優れるアクティブマトリクス型の液晶表示装置（以下、ＴＦＴ−ＬＣＤという）がノート型パソコンなどに広く用いられている。
ＴＦＴ−ＬＣＤには、前述のように光源として内蔵されたバックライトの光を透過させて表示を行なう透過型の他に、バックライトを用いずに外部から入射した光を反射させて表示を行なう反射型、さらには両者の機能を兼ね備えた半透過型または部分反射型とがある。反射型は、透過型のようなバックライト光源が不要であるため、消費電力が低く、薄型であり軽量化を実現することができるので、携帯式の端末用ＬＣＤとして注目されている。
従来は、反射型ＴＦＴ−ＬＣＤも対向する基板の両側に偏光板を設置したＴＮ方式またはＳＴＮ方式のものが用いられているが、これらの方式では偏光板による光の利用効率の低下により、表示が暗くなってしまったり、高品位のカラー表示が難しくなるという問題がある。
このような問題を解決するために、たとえば非特許文献１、２に記載されているような偏光板を用いない偏光板レスモード方式のものが提案されている。これらの方式では、明るく鮮明な表示を得るために、図２９に示されるように、蛍光灯や太陽などの光源２５からの直接入射光２６のみならず、周囲の壁などからの間接的な入射光２７も含めた自然光全ての光線を有効に利用し、観察者２８の目に反射させるような反射光２９を生ずる反射板２１を形成することが非常に重要なポイントとなる。さらに同時に良好な散乱反射特性の指標である“紙に近い白”（以下、ペーパーホワイトという）と高コントラスト比の特性を示す反射板を作ることが高表示品質を実現するのに重要なポイントとなる。
従来、このような反射板の製造は、有機樹脂膜に凹凸形状を形成し、その上にＡｌやＡｇのような反射率の高い金属を成膜形成することによって行なわれ、前記凹凸の高さや平面レイアウトを工夫することで反射特性を制御する方法が主に用いられている。たとえば特許文献１には、有機絶縁膜の上にレジストパターンを形成したのち、エッチング法を用いて、直径５〜３０μｍの円形状の凸部を１μｍ以上の間隔で形成することにより、凹凸形状を形成する方法が示されている。
また、特許文献２には、感光性樹脂膜を用いたフォトリソグラフィにより、大小２種類の円形パターンの突起を作製し、さらに露光時間と現像時間を制御することにより前記突起の高さを変化させたのち、感光性樹脂膜を全面に塗布して凹凸形状を形成するようにした反射板の製法が開示されている。また、特許文献２には、凹凸形状と表示のペーパーホワイト特性との関係について、反射板の平坦な部分を減らすことによってペーパーホワイト性が向上することが示されている。
また、特許文献３には、まず感光性樹脂膜にフォトリソグラフィで凸部パターンを形成したのち、その上に有機樹脂膜を全面に塗布して凹凸形状を形成する方法が示されている。また、特許文献３には、この方法によれば、１回目のフォトリソグラフィで形成した凹凸部の形状を滑らか（平坦部がまるめられる）にすることができるので、鏡面の正反射成分が少なくなり、良好な反射特性が得られることが示されている。
さらに特許文献４には、同じく感光性有機樹脂膜にフォトリソグラフィ法で凸部パターンを形成したのち、その上に有機樹脂からなる層間膜を形成する方法が示されている。また、特許文献４には、表示面を見る観察者により多くの光が集まるように最初の凸部パターンの形状を最適化し、より明るい表示を実現する方法が示されている。
以上のように、感光性樹脂膜を用いたフォトリソグラフィ法や、有機絶縁膜＋感光性樹脂膜パターンを用いたエッチング法によれば、滑らかな凹凸形状を形成することができるので、ペーパーホワイト性に優れ、かつ散乱反射特性に優れる反射板を比較的簡単なプロセスで作製することができる。
特開平５−３２３３７１号公報（図３および図４） 特開平９−２５８２１９号公報（図４、図５および表１） 特開平６−７５２３８号公報（図１５および図１６） 特開２００２−２０７２１４号公報（図１〜図１３） D.L.White and G.N.Taylor；Ｊ．Ａｐｐｌ.Ｐｈｙｓ.，Ｖｏｌ．４５，Ｎｏ．１１，Ｎｏｖｅｍｂｅｒ １９７４ ｐ．４７１８ T.Sonehara et al.;ＳＩＤ ９７ ＤＩＧＥＳＴ １９９７ ｐ．１０２３
しかしながら、前記文献に記載された従来の反射板形成プロセスでは、感光性樹脂膜の露光のバラツキや現像のバラツキ、またはエッチングのバラツキによって、仕上がりの凹凸形状にバラツキが発生するために、均一な反射特性を実現することが難しく、表示ムラなどの不良を発生させてしまうという問題がある。
また、まず感光性樹脂膜にフォトリソグラフィで凸部パターンを形成したのち、その上にさらに有機樹脂膜を全面に塗布して凹凸形状を形成するプロセスによれば、感光性樹脂膜を完全に現像して凸部パターンを形成するので、現像バラツキによる凸部形状のバラツキは抑えられるが、その上にさらに有機樹脂膜を塗布するので、工程が複雑になることと、凹凸の高さを大きくすることが難しくなるため、優れた散乱反射特性を実現するのが難しくなるという問題がある。そこで、凹凸の高さを大きくするために、有機樹脂膜の粘度を小さくしようとすると、今度は逆に平坦部の面積が増えてしまい、正反射成分（鏡面反射）が増えることによりペーパーホワイト特性が劣化してしまうという問題がある。
本発明は、かかる問題を解決するためになされたものであり、ペーパーホワイト性に優れ、かつ観察者に対して表示パネルが明るくコントラスト比の高い高品位表示特性を有する反射型ＴＦＴ−ＬＣＤまたは部分反射型ＴＦＴ−ＬＣＤの反射板を簡単なプロセスで作製することができる反射型液晶表示装置の製法を提供することを目的とする。
本発明の反射型液晶表示装置の製法は、一対の基板と、該一対の基板間に介在される液晶層とを含んで構成され、前記一対の基板のうち、一方の基板上に表面に凹凸を有する絶縁層と該絶縁層の一部を覆い表面に凹凸を有して光を反射する画素電極とが形成されている反射型液晶表示装置の製法であって、前記基板の上に導電膜からなるゲート電極ならびにゲート配線を形成する第１工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなる絶縁膜を形成し、画素領域に複数の凸パターンを形成する第２工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなるゲート絶縁膜、Ｓｉなどからなる半導体能動膜およびオーミック膜を順次形成する第３工程と、導電膜からなるソース電極とソース配線およびドレイン電極を形成する第４工程と、有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜を形成し、画素部に凸状の複数のパターンとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第５工程と、画素部に反射膜からなる反射画素電極を形成する第６工程とを含むことを特徴とする。
また、本発明の反射型液晶表示装置の製法は、一対の基板と、該一対の基板間に介在される液晶層とを含んで構成され、前記一対の基板のうち、一方の基板上に表面に凹凸を有する絶縁層と該絶縁層の一部を覆い表面に凹凸を有して光を反射する画素電極とが形成されている反射型液晶表示装置の製法であって、前記基板の上に導電膜からなるゲート電極ならびにゲート配線を形成する第１工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなる絶縁膜を形成し、画素領域に複数の凸パターンを形成する第２工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなるゲート絶縁膜、Ｓｉなどからなる半導体能動膜およびオーミック膜を順次形成する第３工程と、導電膜からなるソース電極とソース配線およびドレイン電極を形成する第４工程と、有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜を形成し、画素部に凸状の複数のパターンとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第５工程と、画素部に形成した凹凸形状を滑らかにするようにさらに有機樹脂からなる第２の層間絶縁膜を形成するとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第６工程と、画素部に反射膜からなる反射画素電極を形成する第７工程とを含むことを特徴とする。
また、本発明の反射型液晶表示装置の製法は、一対の基板と、該一対の基板間に介在される液晶層とを含んで構成され、前記一対の基板のうち、一方の基板上に表面に凹凸を有する絶縁層と該絶縁層の一部を覆い表面に凹凸を有して光を反射する画素電極とが形成されている反射型液晶表示装置の製法であって、前記基板の上に導電膜からなるゲート電極ならびにゲート配線を形成する第１工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなる絶縁膜を形成し、画素領域に複数の凸パターンを形成する第２工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなるゲート絶縁膜、Ｓｉなどからなる半導体能動膜およびオーミック膜を順次形成する第３工程と、導電膜からなるソース電極とソース配線およびドレイン電極を形成する第４工程と、有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜を形成し、画素部に凹状の複数のパターンとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第５工程と、画素部に反射膜からなる反射画素電極を形成する第６工程とを含むことを特徴とする。
また、本発明の反射型液晶表示装置の製法は、一対の基板と、該一対の基板間に介在される液晶層とを含んで構成され、前記一対の基板のうち、一方の基板上に少なくとも表面に凹凸を有する絶縁層と該絶縁層の少なくとも一部を覆い表面に凹凸を有して光を反射する画素電極とが形成されている反射型液晶表示装置の製法であって、前記基板の上に導電膜からなるゲート電極ならびにゲート配線を形成する第１工程と、つぎにＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなる絶縁膜を形成し、画素領域に複数の凸パターンを形成する第２工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなるゲート絶縁膜、Ｓｉなどからなる半導体能動膜およびオーミック膜を順次形成する第３工程と、導電膜からなるソース電極とソース配線およびドレイン電極を形成する第４工程と、有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜を形成し、画素部に凹状の複数のパターンとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第５工程と、画素部に形成した凹凸形状を滑らかにするようにさらに有機樹脂からなる第２の層間絶縁膜を形成するとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第６工程と、画素部に反射膜からなる反射画素電極を形成する第７工程とを含むことを特徴とする。
また、本発明の反射型液晶表示装置の製法は、一対の基板と、該一対の基板間に介在される液晶層とを含んで構成され、前記一対の基板のうち、一方の基板上に表面に凹凸を有する絶縁層と該絶縁層の一部を覆い表面に凹凸を有して光を反射する画素電極とが形成されている反射型液晶表示装置の製法であって、前記基板の上に導電膜からなるゲート電極ならびにゲート配線を形成する第１工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなる絶縁膜を形成する第２工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなるゲート絶縁膜、Ｓｉなどからなる半導体能動膜およびオーミック膜を順次形成する第３工程と、導電膜からなるソース電極とソース配線およびドレイン電極を形成する第４工程と、有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜を形成し、画素領域に凸状の複数のパターンを形成する第５工程と、さらに別のマスクパターンを用いて前記有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜の凸状パターン部に複数の凹状のくぼみを形成するとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第６工程と、画素部に反射膜からなる反射画素電極を形成する第７工程とを含むことを特徴とする。
また、本発明の反射型液晶表示装置の製法は、一対の基板と、該一対の基板間に介在される液晶層とを含んで構成され、前記一対の基板のうち、一方の基板上に表面に凹凸を有する絶縁層と該絶縁層の一部を覆い表面に凹凸を有して光を反射する画素電極とが形成されている反射型液晶表示装置の製法であって、前記基板の上に導電膜からなるゲート電極ならびにゲート配線を形成する第１工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなる絶縁膜を形成する第２工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなるゲート絶縁膜、Ｓｉなどからなる半導体能動膜およびオーミック膜を順次形成する第３工程と、導電膜からなるソース電極とソース配線およびドレイン電極を形成する第４工程と、有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜を形成し、画素領域に凸状の複数のパターンを形成する第５工程と、さらに別のマスクパターンを用いて前記有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜の凸状パターン部に複数の凹状のくぼみを形成するとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第６工程と、画素部に形成した凹凸形状を滑らかにするようにさらに有機樹脂からなる第２の層間絶縁膜を形成するとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第７工程と、画素部に反射膜からなる反射画素電極を形成する第８工程とを含むことを特徴とする。
また、本発明の反射型液晶表示装置の製法は、一対の基板と、該一対の基板間に介在される液晶層とを含んで構成され、前記一対の基板のうち、一方の基板上に表面に凹凸を有する絶縁層と該絶縁層の一部を覆い表面に凹凸を有して光を反射する画素電極とが形成されている反射型液晶表示装置の製法であって、前記基板の上に導電膜からなるゲート電極ならびにゲート配線を形成する第１工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなる絶縁膜を形成し、画素領域に複数の凸パターンを形成する第２工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなるゲート絶縁膜、Ｓｉなどからなる半導体能動膜およびオーミック膜を順次形成する第３工程と、導電膜からなるソース電極とソース配線およびドレイン電極を形成する第４工程と、有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜を形成し、画素部に凸状の複数のパターンを形成する第５工程と、さらに別のマスクパターンを用いて前記有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜の凸状パターン部に複数の凹状のくぼみを形成するとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第６工程と、画素部に反射膜からなる反射画素電極を形成する第７工程とを含むことを特徴とする。
さらに、本発明の反射型液晶表示装置の製法は、一対の基板と、該一対の基板間に介在される液晶層とを含んで構成され、前記一対の基板のうち、一方の基板上に表面に凹凸を有する絶縁層と該絶縁層の一部を覆い表面に凹凸を有して光を反射する画素電極とが形成されている反射型液晶表示装置の製法であって、前記基板の上に導電膜からなるゲート電極ならびにゲート配線を形成する第１工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなる絶縁膜を形成し、画素領域に複数の凸パターンを形成する第２工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなるゲート絶縁膜、Ｓｉなどからなる半導体能動膜およびオーミック膜を順次形成する第３工程と、導電膜からなるソース電極とソース配線およびドレイン電極を形成する第４工程と、有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜を形成し、画素部に凸状の複数のパターンを形成する第５工程と、さらに別のマスクパターンを用いて前記有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜の凸状パターン部に複数の凹状のくぼみを形成するとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第６工程と、画素部に形成した凹凸形状を滑らかにするようにさらに有機樹脂からなる第２の層間絶縁膜を形成するとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第７工程と、画素部に反射膜からなる反射画素電極を形成する第８工程とを含むことを特徴とする。
本発明によれば、反射画素電極は各画素に対応する表面が、ＳｉＮまたはＳｉＯ2からなる第１の絶縁膜に形成される凸形状パターンと、有機樹脂からなる層間絶縁膜に形成される凹状または凸状パターンから凹凸を形成する構成としたので、あらゆる角度からの入射角に対して観測者の方向へ散乱する光の強度を増加させることができる。このため、観察者に対して表示パネルが明るくコントラスト比の高い高品位表示特性を有する反射型ＴＦＴ−ＬＣＤまたは部分反射型ＴＦＴ−ＬＣＤの反射板を簡単なプロセスで作製することができる。さらに反射画素電極の表面に平坦な領域を少なくすることができるため、ペーパーホワイト性に優れた反射型ＴＦＴ−ＬＣＤまたは部分反射型ＴＦＴ−ＬＣＤの反射板を簡単なプロセスで作製することができる。
以下、添付図面に基づいて、本発明の反射型液晶表示装置の製法を説明する。
実施の形態１
本発明の実施の形態１にかかわる反射型液晶表示装置において、表面に凹凸を有する反射膜からなる画素電極を有するＴＦＴ基板の製法を図１〜３に基づいて説明する。図１〜３は実施の形態１にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の製法を示す断面図であり、図４は実施の形態１にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の平面図である。図１ではゲート端子部、ゲート配線とソース配線の交差部（ゲート／ソース配線交差部）、ＴＦＴ部、反射膜からなる画素電極が形成される画素部の断面を示している。まず図１に示されるように、ガラス基板などの絶縁性基板１の上にスパッタリングなどの方法で第１の金属薄膜を成膜したのち、第１のフォトリソグラフィを用いてパターニングして、ゲート電極２、ゲート配線３、電気容量を形成するための補助容量電極（配線）４およびゲート端子部５のパターンを形成する。第１の金属薄膜としては、たとえばクロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）などまたはこれらの物質に微量の不純物を添加した合金などを用いることができる。また、これらの金属または合金を積層した積層膜を用いることができる。膜厚は１００〜５００ｎｍとするのが好ましい。好適な実施例として、ここでは２００ｎｍの厚さのＣｒ膜を成膜したのち、公知の硝酸セリウムアンモニウムと過塩素酸を含む薬液を用いてウエットエッチングを行ない、図１（ａ）に示されるパターンを形成した。
ついで図１（ｂ）に示されるように、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相法）を用いて第１の絶縁膜６を５０〜４００ｎｍ程度の膜厚で成膜する。第１の絶縁膜６としては、ＳｉＮ、ＳｉＯ2またはこれらの積層膜を用いることができる。好適な実施例として、ここではＳｉＮを３００ｎｍ成膜した。そして、第２のフォトリソグラフィを用いて画素領域に第１の凸状のパターン７を形成する。第１の凸状パターン７の平面形状としては、図５（ａ）、図５（ｂ）に示されるような円形もしくは円形に近い多角形または図６（ａ）、図６（ｂ）に示されるような楕円もしくは楕円に近い多角形とすることができる。また、大きさについても１種類に限定されるものではなく、複数の種類にしてもよい。これらの形状は、所望の散乱反射特性が得られるように適宜設定することができる。好適な実施例として、ここでは直径が３〜１０μｍ程度の円形状の第１の凸状パターン７をランダムに形成し、図１（ｂ）に示されるパターン構成とした。第１の凸状パターン７を形成するときのエッチングは、公知のガス組成、たとえばＳＦ6とＯ2の混合ガスまたはＣＦ4とＯ2の混合ガスを用いたドライエッチング法を用いた。
ついで図２（ａ）に示されるように、プラズマＣＶＤを用いて第２の絶縁膜８、半導体能動膜９およびオーミックコンタクト膜１０を連続して成膜する。第２の絶縁膜８としては、厚さが５０〜４００ｎｍのＳｉＮまたはＳｉＯ2、半導体能動膜９としては、厚さが１００〜２５０ｎｍのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）またはポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）膜、そしてオーミックコンタクト膜１０としては、厚さが２０〜７０ｎｍ程度のシリコンにリン（Ｐ）を微量にドーピングしたｎ＋ａ−Ｓｉ膜などを用いることができる。好適な実施例として、ここでは第２の絶縁膜８として厚さが１００ｎｍのＳｉＮ膜、半導体能動膜９として厚さが１５０ｎｍのａ−Ｓｉ膜、そして厚さが３０ｎｍのｎ＋ａ−Ｓｉ膜を連続して成膜したのち、第３のフォトリソグラフィを用いて図２（ａ）に示されるようにＴＦＴ部とゲート／ソース配線交差部のパターンを形成した。ｎ＋ａ−Ｓｉ膜とａ−Ｓｉ膜のエッチングは、前述と同様に公知のドライエッチング法を用いた。
ついで、スパッタリングなどの方法で第２の金属薄膜を成膜する。第２の金属薄膜としては、たとえばＣｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗなどまたはこれらの物質に微量の不純物を添加した合金などを用いることができる。また、ＡｌやＣｕなどの低抵抗物質を用いる場合は、下層のオーミックコンタクト膜１０であるｎ＋ａ−Ｓｉ膜との良好な電気的コンタクト特性を得るために、前述のＣｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗなどの物質を下層とした積層膜とするのが好ましい。第２の金属薄膜の膜厚は１００〜５００ｎｍとするのが好ましい。好適な実施例として、ここでは厚さが２００ｎｍのＣｒ膜を成膜し、第４のフォトリソグラフィを用いてパターニングしてソース配線１１、ＴＦＴ部のソース電極１２およびドレイン電極１３を形成した。なお、Ｃｒ膜は公知の硝酸セリウムアンモニウムと過塩素酸を含む薬液を用いてウエットエッチングを行なった。以上によって、図２（ｂ）に示されるパターンが形成される。
ついで有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜１５を３．０〜４．０μｍ程度の膜厚で形成する。有機樹脂物質や膜厚は、形成後の表面がほぼ平坦になるような条件に設定するのが好ましい。有機樹脂からなる層間絶縁膜の形成は、たとえばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）からなるベースフィルム上に層状に形成された有機樹脂を基板に転写したのち、ベースフィルムを除去して形成する方法またはノズルから有機樹脂を基板に吐出し、スピンコート法を用いて塗布する方法などを用いることができる。また、層間絶縁膜を形成する有機樹脂としては、感光性または非感光性のものを用いることができるが、感光性のものを用いると新たにフォトレジストパターンを用いてパターニングをする必要がなく工程を簡略化することができるので好ましい。このような有機樹脂としては、たとえば公知のＪＳＲ製ＰＣ３３５またはＰＣ４０５などを用いることができる。好適な実施例として、ここではＪＳＲ製ＰＣ３３５をスピンコート法を用いて３．２〜３．９μｍの膜厚になるように塗布および成膜し、第５のフォトリソグラフィを用いてゲート端子部のコンタクトホール１６、ソース端子部のコンタクトホール（図示せず）、画素／ドレイン電極間のコンタクトホール１７および画素領域に複数の第２の凸状パターン１８を形成した。以上により、図３（ａ）に示されるパターンが形成される。ここで、複数の第２の凸状パターン１８は第１の凸状パターン７と同様に形成すればよく、直径が５〜５０μｍ程度であるのが好ましく、その大きさについても１種類に限定されるものではなく、複数の種類をランダムに配置するのが好ましい。また、図４に示されるように、画素部の第１の層間絶縁膜１５の第２の凸状パターン１８以外の有機樹脂膜が除去された領域１９には、第１の絶縁膜６の第１の凸状パターン７が複数存在するような平面配置とするのが好ましい。これにより、有機樹脂膜が除去された領域１９でも第１の絶縁膜６の第１の凸状パターン７の存在によって平坦となる領域を少なくすることができるので、鏡面正反射成分が少なく、ペーパーホワイト性の優れた反射画素電極とすることができる。
なお、本実施例では、第１の層間絶縁膜１５を一層の有機樹脂膜としたが、たとえばプラズマＣＶＤを用いてＳｉＮからなる第３の絶縁膜を１０〜１５０ｎｍ程度の膜厚で形成したのち、有機樹脂を３．０〜４．０μｍ程度の膜厚で形成した二層構成としてもよい。この場合は、ＴＦＴのチャネル部１４に対して第１の層間絶縁膜１５からの汚染を防止することができ、ＴＦＴ特性の安定性を向上させることができる。
つぎに、スパッタリングなどの方法で第３の金属薄膜を成膜する。第３の金属薄膜は画素部の反射板を兼ねる反射画素電極２１となるので、なるべく反射率の高い物質を用いるのが好ましい。たとえば波長が５５０ｎｍの可視光で９０％以上の反射率特性を有するＡｌ、Ａｇまたはこれらの物質に微量の不純物を添加した合金を用いることができる。膜厚は５０〜４００ｎｍ程度とするのが好ましいが、画素部の凹凸部での段差部における断線不良の防止、ならびに物質本来の優れた反射特性を充分に発揮するために、１００ｎｍ以上とするのがより好ましい。また、密着力や下層金属薄膜との電気的コンタクト特性を向上させるために、下層にＣｒ、Ｍｏ、Ｔａ、ＴｉまたはＷなどの金属薄膜を設けた積層構成としてもよい。好適な実施例として、ここでは厚さが３００ｎｍのＡｌ膜を成膜したのち、第６のフォトリソグラフィを用いてゲート端子パッド２０、ソース端子パッド（図示せず）および反射画素電極２１のパターンを形成した。以上により、図３（ｂ）に示されるパターンが形成され、本発明の実施の形態１にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の作製が完成する。
完成させたＴＦＴアレイ基板の画素反射電極２１に対して、図７に示されるように、光源２５から出射された、垂線から３０°傾斜した入射光２６が与えられた場合の散乱反射特性を（具体的には、垂線から３０°傾斜した鏡面反射光３０を中心に分散する散乱反射光３１の垂線からの傾斜角を散乱反射角θとして）測定した結果を示す、散乱反射角θと反射率Ｒとの関係を示すグラフを図８に示した。図８において、本実施例１の特性曲線はＩで示され、比較例１の特性曲線はIIで示されており、曲線Ｉ、IIは、鏡面反射角θ0（＝３０°）に近づくにつれて反射率Ｒが大きくなる。なお、比較例１は、第１の凸状パターン７を形成しない従来のＴＦＴアレイ基板の画素反射電極の散乱反射特性を示すものである。本実施例１の場合は、散乱反射角度θ＝１０°〜５０°の領域において、比較例１に比べると反射率は高く上回っており、すぐれた散乱反射特性を示すことを確認した。
以上のように、本実施の形態１では、ＳｉＮ膜からなる第１の絶縁膜６の画素領域に複数の第１の凸状パターン７を形成し、さらに、第１の層間絶縁膜１５の画素部に第２の凸状パターン１８を形成し、かつ第１の層間絶縁膜１５が除去される画素部上の領域１９には、第１の絶縁膜６による第１の凸状パターン７が露出するようにしたので、厚さの異なる第１、第２の凸状パターン７と１８が平面上でランダムに配置される。このように多様な厚さ（高さ）の凸状パターンが平面上でランダムに配置されることにより、同一の高さを有する平坦部を少なくすることができ、広い散乱反射角（たとえば０〜５０°程度）で優れた散乱反射特性（ペーパーホワイト性）を有する反射画素電極２１を工程数の少ない製造方法で作製することができる。ここで第２の絶縁膜８は、第１の絶縁膜６による第１の凸状パターン７の一律な厚さ（高さ）を滑らかに変化させ、同一の高さで点在する第１の凸状パターン７が、新たな平面（平坦部）を形成することを防いでいる。新たな平坦部は、望ましくない鏡面反射特性を示す。
なお、凸状パターン７が滑らかに高さが変化するような形状（たとえば円錐状）の場合、凸状パターン７の斜面と水平面とのなす角度をγとすれば、図７に示される反射画素電極２１の表面に向けて垂線からα（たとえば３０°）傾斜した入射光２６が凸状パターンの斜面によって反射したとき、鏡面反射光は垂線からα＋２γ傾斜するので散乱反射特性が２γ向上する。この特性を利用して、散乱角度に対する反射光強度を制御したい場合は、強めたい（あるいは弱めたい）散乱角の１／２の傾きをもつ凸部を増やす（あるいは減らす）などして制御すればよい。
また、ＴＦＴ部、ゲート／ソース配線交差部の絶縁膜が第１の絶縁膜６と第２の絶縁膜８の二層構成となるので、異物や欠陥などによる下層のゲート電極２、ゲート配線３と上層のソース配線１１、ソース電極１２、ドレイン電極１３との層間短絡不良を大幅に減少させることができ、歩留りを向上させるこもできる。また、本発明は、部分反射型液晶表示装置にも適用することができる。
実施の形態２
本発明の実施の形態２にかかわる反射型液晶表示装置において、表面に凹凸を有する反射画素電極を有するＴＦＴ基板の製法を図９〜１０に基づいて説明する。図９〜１０は実施の形態２にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の製法を示す断面図であり、実施の形態１と同一部分は同一符号で示されている。本実施の形態２において、前記実施の形態１における図１〜図２までの製法は同じであるので説明を省略する。
本実施の形態２における好適な実施例は、有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜１５として、ＪＳＲ製ＰＣ３３５をスピンコート法を用いて３．２〜３．９μｍの膜厚になるように塗布および成膜したのち、図９〜１０に示されるように、第５のフォトリソグラフィを用いてゲート端子部のコンタクトホール１６、ソース端子部のコンタクトホール（図示せず）、画素／ドレイン電極間のコンタクトホール１７および画素部の複数の第２の凸状パターン１８を形成したのち、第２の層間絶縁膜２２を形成する。第２の層間絶縁膜２２としては、第１の層間絶縁膜１５と同じ有機樹脂を用いることができる。第２の層間絶縁膜２２は、その表面を平坦ではなく、第１の層間絶縁膜１５の画素領域に複数形成した第２の凸状パターン１８と第１の絶縁膜６の画素領域に複数形成した第１の凸状パターン７の凸状形状を残すように塗布および形成する必要がある。このために、第２の層間絶縁膜２２に用いる有機樹脂膜は、第１の層間絶縁膜１５に用いる有機樹脂膜に比べて、膜厚を薄く、また粘度（粘性率）が小さい樹脂を用いるのが好ましい。たとえば第１の層間絶縁膜１５としては、粘性率が１５〜３５ｍＰａ・ｓｅｃ程度の有機樹脂膜を用い、第２の層間絶縁膜２２としては、粘性率が５〜１５ｍＰａ・ｓｅｃ程度の有機樹脂膜を用いることができる。好適な実施例として、ここでは第１の層間絶縁膜１５として、粘性率が３０ｍＰａ・ｓｅｃ程度のＪＳＲ製ＰＣ３３５を３．２〜３．９μｍ程度の膜厚で塗布し、パターンを形成する。第２の層間絶縁膜２２として、粘性率が１０ｍＰａ・ｓｅｃ程度のＪＳＲ製ＰＣ３３５を１．０μｍ程度の膜厚でスピン塗布した。そして、第６のフォトリソグラフィを用いてゲート端子部のコンタクトホール１６、ソース端子部（図示せず）のコンタクトホールおよび画素／ドレイン電極間のコンタクトホール１７を形成した。以上のように第２の層間絶縁膜２２により、図９（ｂ）に示されるように画素部の凹凸形状が滑らかになるようなパターンが形成される。
最後に、前述の実施の形態１と同様の方法で第３の金属薄膜を成膜し、第７のフォトリソグラフィを用いてゲート端子パッド２０、ソース端子パッド（図示せず）、反射画素電極２１のパターンを形成した。以上により、図１０に示されるパターンが形成され、本発明の実施の形態２にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の作製が完成する。
以上のように、本実施の形態２では、第１の絶縁膜６で画素領域に形成された第１の凸状パターン７と第１の層間絶縁膜１５で画素領域に形成された第２の凸状パターン１８による凹凸形状の上にさらに第２の層間絶縁膜２２を薄く塗布して形成したので、凹凸形状が滑らかになり、反射特性に急激な変化（鏡面反射）のない滑らかな散乱反射特性を得ることができるため、さらに高品位の表示特性を得ることができる。
実施の形態３
本発明の実施の形態３にかかわる反射型液晶表示装置において、表面に凹凸を有する反射画素電極を有するＴＦＴ基板の製法を図１１に基づいて説明する。図１１は実施の形態３にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の製法を示す断面図であり、実施の形態１と同一部分は同一符号で示されている。本実施の形態３において、前記実施の形態１における図１〜図２までの製法は同じであるので説明を省略する。
前述と同様の工程を用いて図２（ｂ）に示すパターンを形成したのち、図１１（ａ）に示されるように、有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜１５を３．０〜４．０μｍ程度の膜厚で形成する。有機樹脂物質や膜厚は、形成後の表面がほぼ平坦になるような条件に設定するのが好ましい。有機樹脂からなる層間絶縁膜の形成は、たとえばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）からなるベースフィルム上に層状に形成された有機樹脂を基板に転写したのち、ベースフィルムを除去して形成する方法またはノズルから有機樹脂膜を基板に吐出し、スピンコート法を用いて塗布する方法などを用いることができる。また、層間絶縁膜は、感光性または非感光性のものを用いることができるが、感光性のものを用いると新たにフォトレジストパターンを用いてパターニングをする必要がなく工程を簡略化することができるので好ましい。このような感光性層間絶縁膜としては、たとえば公知のＪＳＲ製ＰＣ３３５またはＰＣ４０５などを用いることができる。好適な実施例として、ここではＪＳＲ製ＰＣ３３５をスピンコート法を用いて３．２〜３．９μｍの膜厚になるように塗布および成膜し、第５のフォトリソグラフィを用いてゲート端子部のコンタクトホール１６、ソース端子部のコンタクトホール（図示せず）、画素／ドレイン電極間のコンタクトホール１７および画素部の複数の凹状パターン２３を形成した。該凹状パターン２３は、下層の第２の絶縁膜８まで達するホール形状とする。以上により、図１１（ａ）に示されるパターンが形成される。ここで、複数の凹状パターン２３は直径が５〜５０μｍ程度とするのが好ましく、その大きさについても１種類に限定されるものではなく、複数の種類をランダムに配置するのが好ましい。また、図１２に示されるように、画素部の複数の凹状パターン２３の領域には第１の絶縁膜６の第１の凸状パターン７が複数存在するような平面配置とするのが好ましい。これにより、第１の層間絶縁膜１５が除去された領域２３でも第１の絶縁膜の凸状パターン７の存在によって平坦となる領域を少なくすることができるので、鏡面正反射成分が少なく、ペーパーホワイト性に優れる反射板とすることができる。
本実施の形態では、前述のように画素領域に形成する有機樹脂膜のパターンを完全にエッチングされるホール形状の凹状パターンとしたので、フォトリソグラフィにおける露光量分布の不均一があっても、凸状パターンに比べると凹凸形状分布を少なくすることができるため、反射特性表示ムラを抑えることができる。
なお、本実施の形態では、第１の層間絶縁膜１５を一層の有機樹脂膜としたが、たとえばプラズマＣＶＤを用いてＳｉＮからなる第３の絶縁膜を１０〜１５０ｎｍ程度の膜厚で形成したのち、有機樹脂膜を３．０〜４．０μｍ程度の膜厚で形成した二層構成としてもよい。この場合は、ＴＦＴのチャネル部１４に対して第１の層間絶縁膜１５からの汚染を防止することができ、ＴＦＴ特性の安定性を向上させることができる。
つぎに、スパッタリングなどの方法で第３の金属薄膜を成膜する。第３の金属薄膜は画素部の反射板を兼ねる反射画素電極２１となるので、なるべく反射率の高い物質を用いることが好ましい。たとえば波長が５５０ｎｍの可視光で９０％以上の反射率特性を有するＡｌ、Ａｇまたはこれらの物質に微量の不純物を添加した合金を用いることができる。膜厚は５０〜４００ｎｍ程度とするのが好ましいが、画素部の凹凸部での段差部における断線不良の防止ならびに物質本来の優れた反射特性を充分に発揮するために、１００ｎｍ以上とするのがより好ましい。また、密着力や下層金属薄膜との電気的コンタクト特性を向上させるために、下層にＣｒ、Ｍｏ、Ｔａ、ＴｉまたはＷなどの金属薄膜を設けた積層構成としてもよい。好適な実施例として、ここでは厚さが３００ｎｍのＡｌ膜を成膜し、第６のフォトリソグラフィを用いてゲート端子パッド２０、ソース端子パッド（図示せず）および反射画素電極２１のパターンを形成した。以上により、図１１（ｂ）に示されるパターンが形成され、本発明の実施の形態３にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の作製が完成する。
以上のように、本実施の形態では、ＳｉＮ膜からなる第１の絶縁膜の画素領域に凸状の複数のパターン７を形成し、さらに、第１の層間絶縁膜１５の画素部に凹状パターン２３を形成し、かつ第１の層間絶縁膜１５が除去された画素部上の領域（凹状パターン２３）には、第１の絶縁膜６による第１の凸状パターン７が露出するようにしたので、厚さの異なる第１の凸状パターン７と第１の層間絶縁膜１５の凸部（凹状パターン２３の形成後に残された平坦部）が平面上でランダムに配置される。このように多様な厚さ（高さ）の凸状パターンが平面上でランダムに配置されることにより、同一の高さを有する平坦部を少なくすることができ、優れた散乱反射特性（ペーパーホワイト性）を有する反射画素電極２１を工程数の少ない製造方法で作製することができる。ここで第２の絶縁膜８は、第１の絶縁膜６による第１の凸状パターン７の一律な厚さ（高さ）を滑らかに変化させ、同一の高さで点在する第１の凸状パターン７が、新たな平面（平坦部）を形成することを防いでいる。新たな平坦部は、望ましくない鏡面反射特性を示す。また、ＴＦＴ部、ゲート／ソース配線交差部の絶縁膜が第１の絶縁膜６と第２の絶縁膜８の二層構成となるので、異物や欠陥などによる下層のゲート電極２、ゲート配線３と上層のソース配線１１、ソース電極１２、ドレイン電極１３との層間短絡不良を大幅に減少させることができ、歩留りを向上させることができる。
実施の形態４
本発明の実施の形態４にかかわる反射型液晶表示装置において、表面に凹凸を有する反射画素電極を有するＴＦＴ基板の製法を図１３〜１４に基づいて説明する。図１３〜１４は実施の形態４にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の製法を示す断面図であり、実施の形態３と同一部分は同一符号で示されている。また、本実施の形態４において、前記実施の形態１における図１〜図２までの製法は同じであるので説明を省略する。
本実施の形態４において好適な実施例は、有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜１５としてＪＳＲ製ＰＣ３３５をスピンコート法を用いて３．２〜３．９μｍの膜厚になるように塗布および成膜し、第５のフォトリソグラフィを用いてゲート端子部のコンタクトホール１６、ソース端子部のコンタクトホール（図示せず）、画素／ドレイン電極間のコンタクトホール１７および画素部の複数の凹状パターン２３を形成する（図１３（ａ））。そののち、第２の層間絶縁膜２２を形成する。第２の層間絶縁膜２２としては、第１の層間絶縁膜１５と同じ有機樹脂を用いることができる。第２の層間絶縁膜２２は、その表面を平坦ではなく、第１の層間絶縁膜１５の画素領域に複数形成した凹状パターン２３と第１の絶縁膜６の画素領域に複数形成した第１の凸状パターン７の凸状形状を残すように塗布形成する必要がある。このために、第２の層間絶縁膜２２に用いる有機樹脂膜は第１の層間絶縁膜１５に用いる有機樹脂膜に比べて、膜厚を薄く、また粘度（粘性率）が小さい樹脂を用いることが好ましい。たとえば第１の層間絶縁膜１５としては、粘性率が１５〜３５ｍＰａ・ｓｅｃ程度の有機樹脂膜を、第２の層間絶縁膜２２としては、粘性率が５〜１５ｍＰａ・ｓｅｃ程度の有機樹脂膜を用いることができる。好適な実施例として、ここでは第１の層間絶縁膜１５として、粘性率が３０ｍＰａ・ｓｅｃ程度のＪＳＲ製ＰＣ３３５を３．２〜３．９μｍ程度の膜厚で塗布・パターン形成し、第２の層間絶縁膜２２として、粘性率が１０ｍＰａ・ｓｅｃ程度のＪＳＲ製ＰＣ３３５を１．０μｍ程度の膜厚でスピン塗布した。そして、第６のフォトリソグラフィを用いてゲート端子部のコンタクトホール１６、ソース端子部（図示せず）のコンタクトホールおよび画素／ドレイン電極間のコンタクトホール１７を形成した。以上のように第２の層間絶縁膜２２により、図１３（ｂ）に示されるように画素部の凹凸形状が滑らかになるようなパターンが形成される。
最後に、前述の実施の形態３と同様の方法で第３の金属薄膜を成膜し、第７のフォトリソグラフィを用いてゲート端子パッド２０、ソース端子パッド（図示せず）および反射画素電極２１のパターンを形成した。以上により、図１４に示されるパターンが形成され、本発明の実施の形態４にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の作製が完成する。
以上のように、本実施の形態４では、第１の絶縁膜６で画素領域に形成された第１の凸状パターン７と第１の層間絶縁膜１５で画素領域に形成された凹状パターン２３による凹凸形状の上にさらに第２の層間絶縁膜２２を薄く塗布して形成したので、凹凸形状が滑らかになり、反射特性に急激な変化（鏡面反射）のない滑らかな散乱反射特性を得ることができるため、さらに高品位の表示特性を得ることができる。
実施の形態５
本発明の実施の形態５にかかわる反射型液晶表示装置において、表面に凹凸を有する反射画素電極を有するＴＦＴ基板の製法を図１５〜１６に基づいて説明する。図１５〜１６は実施の形態５にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の製法を示す断面図であり、実施の形態３と同一部分は同一符号で示されている。本実施の形態５において、前記実施の形態１における図１〜図２までの製法は同じであるので説明を省略する。
前述の実施の形態３と同様の工程を用いて、図１５（ａ）に示されるパターンを形成したのち、第６のフォトリソグラフィによって有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜１５の凹状パターン以外の平坦な領域に複数の凹状のくぼみ２４を形成する。この凹状くぼみ２４の平面形状は、図５（ａ）、図５（ｂ）に示されるような円形もしくは円形に近い多角形または図６（ａ）、図６（ｂ）に示されるような楕円もしくは楕円に近い多角形とすることができる。また、大きさについても１種類に限定されるものではなく、複数の種類にしてもよい。これらの形状は所望の散乱反射特性が得られるように適宜設定することができる。好適な実施例として、ここでは直径が３〜３０μｍ程度の円形状の凹状くぼみ２４をランダムに形成し、図１７に示される平面パターン構成とした。凹状くぼみ２４の形成方法として、本実施例では、フォトレジストを塗布しフォトリソグラフィ法を用いてレジストパターンを形成して、公知のＯ2ガスまたはＯ2ガスにＣＦ4やＳＦ6ガスを混合したガスを用いたドライエッチング法を用いた。第１の層間絶縁膜１５をその厚さより浅い０．１〜１．０μｍ程度の深さでエッチングしたのち、前記フォトレジストを除去することによって、図１５（ｂ）に示されるパターンを形成した。
最後に、前述の実施の形態３と同様の方法で第３の金属薄膜を成膜し、第７のフォトリソグラフィを用いてゲート端子パッド２０、ソース端子パッド（図示せず）および反射画素電極２１のパターンを形成した。以上により、図１６に示されるパターンが形成され、本発明の実施の形態５にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の作製が完成する。
以上のように、本実施の形態５では、第１の絶縁膜６で画素領域に形成された複数の第１の凸状パターン７と、第１の層間絶縁膜１５の画素領域に複数のホール状の凹状パターン２３に加えさらに平坦部に複数の凹状くぼみ２４を形成したので、平坦部の少ない優れた散乱反射特性を示す反射画素電極２１を簡単な工程で作製することができる。また、ＴＦＴ部、ゲート／ソース配線交差部の絶縁膜が第１の絶縁膜６と第２の絶縁膜８の二層構成となるので、異物や欠陥などによる下層のゲート電極２、ゲート配線３と上層のソース配線１１、ソース電極１２、ドレイン電極１３との層間短絡不良を大幅に減少させることができ、歩留りを向上させることもできる。
なお、本実施の形態５では、第１の層間絶縁膜１５の平坦部に形成する凹状くぼみ２４をフォトレジストを用いた第６のフォトリソグラフィと公知のドライエッチング法で形成するようにしたが、たとえば第１の層間絶縁膜１５として感光性有機樹脂膜であるＪＳＲ製ＰＣ３３５をスピンコート法を用いて３．２〜３．９μｍの膜厚になるように塗布および成膜し、第５のフォトリソグラフィにハーフトーン露光プロセスを用いてゲート端子部のコンタクトホール１６、ソース端子部のコンタクトホール（図示せず）、画素／ドレイン電極間のコンタクトホール１７および下層の第２の絶縁膜１８まで達する画素部の複数の凹状パターン２３を形成すると同時に凹状くぼみ２４を形成するようにしてもよい。この場合、第５のフォトリソグラフィに用いるフォトマスクとしては、凹状くぼみ２４の部分のパターンをスリット状パターンまたはＵＶ吸収層を設けて露光光を減光させるパターンとしたものを用いることができる。これにより、凹状くぼみ２４部は露光量が減光された中間露光となるため、第５のフォトリソグラフィを１回だけ行なうことにより、ゲート端子部のコンタクトホール１６、ソース端子部のコンタクトホール（図示せず）、画素／ドレイン電極間のコンタクトホール１７、画素部の複数の凹状パターン２３および凹状くぼみ２４を一括形成することができるので、前述の第６のフォトリソグラフィ工程を省略することができる。
実施の形態６
本発明の実施の形態６にかかわる反射型液晶表示装置において、表面に凹凸を有する反射画素電極を有するＴＦＴ基板の製法を図１８に基づいて説明する。図１８は実施の形態６にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の製法を示す断面図であり、実施の形態１、５と同一部分は同一符号で示されている。本実施の形態６において、前記実施の形態５における図１５までの製法は同じであるので説明を省略する。
本実施の形態６における好適な実施例は、有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜１５として、ＪＳＲ製ＰＣ３３５をスピンコート法を用いて３．２〜３．９μｍの膜厚になるように塗布および成膜し、第５のフォトリソグラフィを用いてゲート端子部のコンタクトホール１６、ソース端子部のコンタクトホール（図示せず）、画素／ドレイン電極間のコンタクトホール１７、画素部の複数の凹状パターン２３および複数の凹状くぼみ２４を形成する。ついで図１５（ｂ）に示されるパターンを形成したのち、図１８に示されるように、第２の層間絶縁膜２２を形成する。第２の層間絶縁膜２２としては、第１の層間絶縁膜１５と同じ有機樹脂を用いることができる。第２の層間絶縁膜２２は、その表面を平坦ではなく、第１の層間絶縁膜１５の画素領域に複数形成した凹状パターン２３、凹状くぼみ２４と第１の絶縁膜６の画素領域に複数形成した凸状パターン７の凸状形状を残すように塗布形成する必要がある。このために、第２の層間絶縁膜２２に用いる有機樹脂膜は第１の層間絶縁膜１５に用いる有機樹脂膜に比べて、膜厚を薄く、また、粘度（粘性率）が小さい樹脂を用いることが好ましい。たとえば第１の層間絶縁膜１５としては、粘性率が１５〜３５ｍＰａ・ｓｅｃ程度の有機樹脂膜を、第２の層間絶縁膜２２としては、粘性率が５〜１５ｍＰａ・ｓｅｃ程度の有機樹脂膜を用いることができる。好適な実施例として、ここでは第１の層間絶縁膜１５として、粘性率が３０ｍＰａ・ｓｅｃ程度のＪＳＲ製ＰＣ３３５を３．２〜３．９μｍ程度の膜厚で塗布・パターン形成し、第２の層間絶縁膜２２として、粘性率１０ｍＰａ・ｓｅｃ程度のＪＳＲ製ＰＣ３３５を１．０μｍ程度の膜厚でスピン塗布した。そして、第７のフォトリソグラフィを用いてゲート端子部のコンタクトホール１６、ソース端子部（図示せず）のコンタクトホールおよび画素／ドレイン電極間のコンタクトホール１７を形成した。そののち、前述の実施の形態５と同様の方法で第３の金属薄膜を成膜し、第８のフォトリソグラフィを用いてゲート端子パッド２０、ソース端子パッド（図示せず）および反射画素電極２１のパターンを形成した。以上により、図１８に示されるパターンが形成され、本発明の実施の形態６にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の作製が完成する。
以上のように、本実施の形態６では、第１の絶縁膜６で画素領域に形成された第１の凸状パターン７と第１の層間絶縁膜１５の画素領域にホール状の凹状パターン２３と凹状くぼみ２４を形成し、さらにこれらの凹凸形状の上にさらに第２の層間絶縁膜２２を薄く塗布して形成したので、凹凸形状が滑らかになり、反射特性に急激な変化（鏡面反射）のない滑らかな散乱反射特性を得ることができるため、さらに高品位の表示特性を得ることができる。
実施の形態７
前述の本実施の形態５、６では、有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜１５に複数形成する凹状くぼみ２４の平面形状を円形、楕円形またはこれらに近い多角形となるような構成としたが、これに限らずストライプ状または複数の山と谷をもつ波形状となるように形成してもよい。また、形状や大きさについても１種類に限定されるものではなく、複数の種類にしてもよい。好適な実施例として、ここでは図１９〜２１に示されるような平面形状の凹状くぼみ２４を形成した。Ｘ軸方向はＬＣＤの使用状態での水平方向を表す。この場合はＬＣＤの上下方向に異方性をもつ散乱反射特性を実現することができる。反射型ＬＣＤにおいては、入射光の方向が上方からの成分が多いため、反射光が下方に向かう傾向があり、この傾向を是正するためには異方性の反射特性が望ましい。このストライプ状の方向や波形状は図１９〜２１に限定されるものではなく、要求される散乱反射特性に応じて適宜設定することができる。
実施の形態８
これまで述べてきた本発明の実施の形態１〜７においては、第２のフォトリソグラフィを用いて第１の絶縁膜６の画素領域に形成する第１の凸状パターン７の平面形状を図５（ａ）、図５（ｂ）に示されるような円形もしくは円形に近い多角形または図６（ａ）、図６（ｂ）に示されるような楕円もしくは楕円に近い多角形としたが、これに限らずストライプ状または複数の山と谷をもつ波形状となるように形成してもよい。また、形状や大きさについても１種類に限定されるものではなく、複数の種類にしてもよい。好適な実施例として、ここでは図２２〜２４に示されるような平面形状の第１の凸状パターン７を形成した。第１の凸状パターン７を形成するときのエッチングは、公知のガス組成、たとえばＳＦ6とＯ2の混合ガスまたはＣＦ4とＯ2の混合ガスを用いたドライエッチング法を用いた。
完成させたＴＦＴアレイ基板の画素反射電極２１に対して、図２５に示されるように、光源２５から出射された、垂線から３０°傾斜した入射光２０が与えられた場合、その反射光２９の散乱反射光強度の分布３２は２次元的に広がる。
図２２〜２４において、Ｘ軸方向はＬＣＤの使用状態での水平方向を表す。たとえば図２２のパターンの実施例では、第１の凸状パターン７のＸ軸方向のエッジ部とＹ軸方向のエッジ部により図２６に示すように水平方向（９０°−２７０°方向）と上下方向（０°−１８０°方向）に異方性をもつ広い反射散乱特性が得られた。たとえば、図２６において、入射光２６の下方にあらわれる散乱反射光強度分布３２は、５つの領域、すなわちＡ1（０．８５７〜２．０１８）、Ａ2（２．０１８〜３．７５９）、Ａ3（３．７５９〜６．０８１）、Ａ4（６．０８１〜７．２４２）、Ａ5（７．２４２〜９．５６４）（いずれも相対値）で示される。一方、たとえば図２４で角度を４５°としたジグザグパターンの実施例では、その第１の凸状パターン７の形状により、図２７に示すようにＬＣＤパネルの対角方向（４５°−２２５°、および１３５°−３１５°方向）に異方性をもつ広い反射散乱特性が得られた。たとえば、図２７において、入射光２６の下方にあらわれる散乱反射光強度分布３２は、６つの領域、すなわちＢ1（１．００〜２．００）、Ｂ2（２．００〜３．００）、Ｂ3（３．００〜４．００）、Ｂ4（４．００〜６．００）、Ｂ5（６．００〜８．００）、Ｂ6（８．００〜１０．００）（いずれも相対値）で示される。
反射型ＬＣＤにおいては、入射光の方向が上方からの成分が多いため反射光が下方に向かう傾向があることならびに一般的にモニタに対する目の動きが上下方向に多いことを考慮して必要に応じて上下方向に広い異方性の反射特性をもたせることが望ましい。また、比較的大型のＬＣＤパネルの場合はパネル四隅における周辺減光が目立つ傾向があるために、この傾向を是正するために必要に応じて斜め方向にも異方性の反射特性をもたせることが望ましい。
一方、比較例２として、凸状パターン７がない場合には狭い反射散乱特性しか得られない。たとえば、図２８において、入射光２６の下方にあらわれる散乱反射光強度分布３２は、４つの領域、すなわちＣ1（３．５９〜８．９９）、Ｃ2（８．９９〜１９．７７）、Ｃ3（１９．７７〜２３．３６）、Ｃ4（２３．３６〜２８．２７）（いずれも相対値）で示される。
このストライプ状の方向や波形状は図２２〜２４に限定されるものではなく、要求される散乱反射特性に応じて適宜設定することができる。この場合、ストライプ状または波形状の凸パターンはＳｉＮまたはＳｉＯ2膜にドライエッチング法を用いて形成するので、精度の良いパターニングが可能となり所望の異方的散乱反射特性を精密に制御することができる。
本発明の実施の形態１にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の製法を示す断面図である。 本発明の実施の形態１にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の製法を示す断面図である。 本発明の実施の形態１にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の製法を示す断面図である。 本発明の実施の形態１にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の平面図である。 第１の絶縁膜に形成される凸状パターンの平面形状の実施の形態を表す平面図である。 第１の絶縁膜に形成される凸状パターンの平面形状の他の実施の形態を表す平面図である。 垂線から３０°傾斜した入射光に対する散乱反射光を示す図である。 垂線から３０°傾斜した入射光に対する散乱反射角と反射率との関係を示すグラフである。 本発明の実施の形態２にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の製法を示す断面図である。 本発明の実施の形態２にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の製法を示す断面図である。 本発明の実施の形態３にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の製法を示す断面図である。 本発明の実施の形態３にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の平面図である。 本発明の実施の形態４にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の製法を示す断面図である。 本発明の実施の形態４にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の製法を示す断面図である。 本発明の実施の形態５にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の製法を示す断面図である。 本発明の実施の形態５にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の製法を示す断面図である。 本発明の実施の形態５にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の平面図である。 本発明の実施の形態６にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の製法を示す断面図である。 本発明の実施の形態７にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の平面図である。 本発明の実施の形態７にかかわる反射型液晶表示装置の他のＴＦＴアレイ基板の平面図である。 本発明の実施の形態７にかかわる反射型液晶表示装置のさらに他のＴＦＴアレイ基板の平面図である。 本発明の実施の形態８にかかわる反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の平面図である。 本発明の実施の形態８にかかわる反射型液晶表示装置の他のＴＦＴアレイ基板の平面図である。 本発明の実施の形態８にかかわる反射型液晶表示装置のさらに他のＴＦＴアレイ基板の平面図である。 垂線から３０°傾斜した入射光に対する散乱反射光の分布を２次元的に示した図である。 図２２のパターンの実施例における異方性をもつ反射散乱特性を示す光強度分布図である。 図２４のパターンの実施例における異方性をもつ反射散乱特性を示す光強度分布図である。 比較例２として凸状パターンがない場合の反射散乱特性を示す光強度分布図である。 反射板に形成された凹凸形状による入射光と反射光を示す説明図である。
符号の説明
１ 絶縁性基板
２ ゲート電極
３ ゲート配線
４ 補助容量配線（電極）
５ ゲート端子部
６ 第１の絶縁膜
７ 第１の絶縁膜の第１の凸状パターン
８ 第２の絶縁膜
９ 半導体能動膜
１０ オーミックコンタクト膜
１１ ソース配線
１２ ソース電極
１３ ドレイン電極
１４ ＴＦＴのチャネル部
１５ 第１の層間絶縁膜
１６ ゲート端子部のコンタクトホール
１７ 画素／ドレイン電極間のコンタクトホール
１８ 第１の層間絶縁膜の第２の凸状パターン
１９ 第１の層間絶縁膜が除去された領域
２０ ゲート端子用パッド
２１ 反射画素電極
２２ 第２の層間絶縁膜
２３ 第１の層間絶縁膜に形成された凹状のパターン
２４ 第１の層間絶縁膜の平坦領域に形成された凹状くぼみ
２５ 光源
２６ 直接入射光
２７ 間接入射光
２８ 観察者
２９ 反射光

Claims (17)

  1. 一対の基板と、該一対の基板間に介在される液晶層とを含んで構成され、前記一対の基板のうち、一方の基板上に表面に凹凸を有する絶縁層と該絶縁層の一部を覆い表面に凹凸を有して光を反射する画素電極とが形成されている反射型液晶表示装置の製法であって、前記基板の上に導電膜からなるゲート電極ならびにゲート配線を形成する第１工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなる絶縁膜を形成し、画素領域に複数の凸パターンを形成する第２工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなるゲート絶縁膜、Ｓｉなどからなる半導体能動膜およびオーミック膜を順次形成する第３工程と、導電膜からなるソース電極とソース配線およびドレイン電極を形成する第４工程と、有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜を形成し、画素部に凸状の複数のパターンとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第５工程と、画素部に反射膜からなる反射画素電極を形成する第６工程とを含む反射型液晶表示装置の製法。
  2. 一対の基板と、該一対の基板間に介在される液晶層とを含んで構成され、前記一対の基板のうち、一方の基板上に表面に凹凸を有する絶縁層と該絶縁層の一部を覆い表面に凹凸を有して光を反射する画素電極とが形成されている反射型液晶表示装置の製法であって、前記基板の上に導電膜からなるゲート電極ならびにゲート配線を形成する第１工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなる絶縁膜を形成し、画素領域に複数の凸パターンを形成する第２工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなるゲート絶縁膜、Ｓｉなどからなる半導体能動膜およびオーミック膜を順次形成する第３工程と、導電膜からなるソース電極とソース配線およびドレイン電極を形成する第４工程と、有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜を形成し、画素部に凸状の複数のパターンとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第５工程と、画素部に形成した凹凸形状を滑らかにするようにさらに有機樹脂からなる第２の層間絶縁膜を形成するとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第６工程と、画素部に反射膜からなる反射画素電極を形成する第７工程とを含む反射型液晶表示装置の製法。
  3. 前記第５工程において有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜の画素部に複数の凸状のパターンを形成するために、該凸状のパターン以外の前記層間絶縁膜が除去された部分には、前記第２工程における、ＳｉＮまたはＳｉＯ2からなる絶縁膜の画素部に設けた複数の凸パターンが存在する複数の領域がある請求項１または２記載の反射型液晶表示装置の製法。
  4. 一対の基板と、該一対の基板間に介在される液晶層とを含んで構成され、前記一対の基板のうち、一方の基板上に表面に凹凸を有する絶縁層と該絶縁層の一部を覆い表面に凹凸を有して光を反射する画素電極とが形成されている反射型液晶表示装置の製法であって、前記基板の上に導電膜からなるゲート電極ならびにゲート配線を形成する第１工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなる絶縁膜を形成し、画素領域に複数の凸パターンを形成する第２工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなるゲート絶縁膜、Ｓｉなどからなる半導体能動膜およびオーミック膜を順次形成する第３工程と、導電膜からなるソース電極とソース配線およびドレイン電極を形成する第４工程と、有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜を形成し、画素部に凹状の複数のパターンとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第５工程と、画素部に反射膜からなる反射画素電極を形成する第６工程とを含む反射型液晶表示装置の製法。
  5. 一対の基板と、該一対の基板間に介在される液晶層とを含んで構成され、前記一対の基板のうち、一方の基板上に表面に凹凸を有する絶縁層と該絶縁層の一部を覆い表面に凹凸を有して光を反射する画素電極とが形成されている反射型液晶表示装置の製法であって、前記基板の上に導電膜からなるゲート電極ならびにゲート配線を形成する第１工程と、つぎにＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなる絶縁膜を形成し、画素領域に複数の凸パターンを形成する第２工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなるゲート絶縁膜、Ｓｉなどからなる半導体能動膜およびオーミック膜を順次形成する第３工程と、導電膜からなるソース電極とソース配線およびドレイン電極を形成する第４工程と、有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜を形成し、画素部に凹状の複数のパターンとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第５工程と、画素部に形成した凹凸形状を滑らかにするようにさらに有機樹脂からなる第２の層間絶縁膜を形成するとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第６工程と、画素部に反射膜からなる反射画素電極を形成する第７工程とを含む反射型液晶表示装置の製法。
  6. 前記第５工程において有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜の画素部に複数の凹状のパターンを形成するために該層間絶縁膜が除去された部分には、前記第２工程における、ＳｉＮまたはＳｉＯ2からなる絶縁膜の画素領域に設けた複数の凸パターンが存在する複数の領域がある請求項４または５記載の反射型液晶表示装置の製法。
  7. 前記ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなる絶縁膜の画素領域に形成する複数の凸パターンが円形、円形に近い多角形、楕円形または楕円形に近い多角形である請求項１、２、３、４、５または６記載の反射型液晶表示装置の製法。
  8. 前記ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなる絶縁膜の画素領域に形成する複数の凸パターンがストライプ形状である請求項１、２、３、４、５または６記載の反射型液晶表示装置の製法。
  9. 一対の基板と、該一対の基板間に介在される液晶層とを含んで構成され、前記一対の基板のうち、一方の基板上に表面に凹凸を有する絶縁層と該絶縁層の一部を覆い表面に凹凸を有して光を反射する画素電極とが形成されている反射型液晶表示装置の製法であって、前記基板の上に導電膜からなるゲート電極ならびにゲート配線を形成する第１工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなる絶縁膜を形成する第２工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなるゲート絶縁膜、Ｓｉなどからなる半導体能動膜およびオーミック膜を順次形成する第３工程と、導電膜からなるソース電極とソース配線およびドレイン電極を形成する第４工程と、有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜を形成し、画素領域に凸状の複数のパターンを形成する第５工程と、さらに別のマスクパターンを用いて前記有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜の凸状パターン部に複数の凹状のくぼみを形成するとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第６工程と、画素部に反射膜からなる反射画素電極を形成する第７工程とを含む反射型液晶表示装置の製法。
  10. 一対の基板と、該一対の基板間に介在される液晶層とを含んで構成され、前記一対の基板のうち、一方の基板上に表面に凹凸を有する絶縁層と該絶縁層の一部を覆い表面に凹凸を有して光を反射する画素電極とが形成されている反射型液晶表示装置の製法であって、前記基板の上に導電膜からなるゲート電極ならびにゲート配線を形成する第１工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなる絶縁膜を形成する第２工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなるゲート絶縁膜、Ｓｉなどからなる半導体能動膜およびオーミック膜を順次形成する第３工程と、導電膜からなるソース電極とソース配線およびドレイン電極を形成する第４工程と、有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜を形成し、画素領域に凸状の複数のパターンを形成する第５工程と、さらに別のマスクパターンを用いて前記有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜の凸状パターン部に複数の凹状のくぼみを形成するとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第６工程と、画素部に形成した凹凸形状を滑らかにするようにさらに有機樹脂からなる第２の層間絶縁膜を形成するとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第７工程と、画素部に反射膜からなる反射画素電極を形成する第８工程とを含む反射型液晶表示装置の製法。
  11. 前記有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜の凸状パターン部に形成する複数の凹状のくぼみがストライプ形状である請求項９または１０記載の反射型液晶表示装置の製法。
  12. 一対の基板と、該一対の基板間に介在される液晶層とを含んで構成され、前記一対の基板のうち、一方の基板上に表面に凹凸を有する絶縁層と該絶縁層の一部を覆い表面に凹凸を有して光を反射する画素電極とが形成されている反射型液晶表示装置の製法であって、前記基板の上に導電膜からなるゲート電極ならびにゲート配線を形成する第１工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなる絶縁膜を形成し、画素領域に複数の凸パターンを形成する第２工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなるゲート絶縁膜、Ｓｉなどからなる半導体能動膜およびオーミック膜を順次形成する第３工程と、導電膜からなるソース電極とソース配線およびドレイン電極を形成する第４工程と、有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜を形成し、画素部に凸状の複数のパターンを形成する第５工程と、さらに別のマスクパターンを用いて前記有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜の凸状パターン部に複数の凹状のくぼみを形成するとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第６工程と、画素部に反射膜からなる反射画素電極を形成する第７工程とを含む反射型液晶表示装置の製法。
  13. 一対の基板と、該一対の基板間に介在される液晶層とを含んで構成され、前記一対の基板のうち、一方の基板上に表面に凹凸を有する絶縁層と該絶縁層の一部を覆い表面に凹凸を有して光を反射する画素電極とが形成されている反射型液晶表示装置の製法であって、前記基板の上に導電膜からなるゲート電極ならびにゲート配線を形成する第１工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなる絶縁膜を形成し、画素領域に複数の凸パターンを形成する第２工程と、ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなるゲート絶縁膜、Ｓｉなどからなる半導体能動膜およびオーミック膜を順次形成する第３工程と、導電膜からなるソース電極とソース配線およびドレイン電極を形成する第４工程と、有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜を形成し、画素部に凸状の複数のパターンを形成する第５工程と、さらに別のマスクパターンを用いて前記有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜の凸状パターン部に複数の凹状のくぼみを形成するとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第６工程と、画素部に形成した凹凸形状を滑らかにするようにさらに有機樹脂からなる第２の層間絶縁膜を形成するとともに、下部電極との電気的接続をするための複数のコンタクトホールを形成する第７工程と、画素部に反射膜からなる反射画素電極を形成する第８工程とを含む反射型液晶表示装置の製法。
  14. 前記第５工程において、有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜の画素部に複数の凹状のパターンを形成するために、該層間絶縁膜が除去された部分には、第２工程における、ＳｉＮまたはＳｉＯ2からなる絶縁膜の画素領域に設けた複数の凸パターンが存在する複数の領域がある請求項１２または１３記載の反射型液晶表示装置の製法。
  15. 前記ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなる絶縁膜の画素領域に形成する複数の凸パターンが円形もしくは円形に近い多角形、または楕円形もしくは楕円形に近い多角形である請求項１２、１３または１４記載の反射型液晶表示装置の製法。
  16. 前記ＳｉＮまたはＳｉＯ2などからなる絶縁膜の画素領域に形成する複数の凸パターンがストライプ形状である請求項１２、１３または１４記載の反射型液晶表示装置の製法。
  17. 有機樹脂からなる第１の層間絶縁膜の凸状パターン部に形成する複数の凹状のくぼみがストライプ形状である請求項１２、１３、１４、１５または１６記載の反射型液晶表示装置の製法。
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