Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP2003535477A - Ｌｅｄベースの白色に発光する照明ユニット - Google Patents

Ｌｅｄベースの白色に発光する照明ユニット

Info

Publication number
JP2003535477A
JP2003535477A JP2002500458A JP2002500458A JP2003535477A JP 2003535477 A JP2003535477 A JP 2003535477A JP 2002500458 A JP2002500458 A JP 2002500458A JP 2002500458 A JP2002500458 A JP 2002500458A JP 2003535477 A JP2003535477 A JP 2003535477A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led
phosphor
white light
emitting
lighting unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002500458A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003535477A5 (ja
JP5097999B2 (ja
Inventor
エレンス アンドリース
イェルマン フランク
オスターターク ミヒャエル
Original Assignee
パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング
オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング, オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング filed Critical パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング
Publication of JP2003535477A publication Critical patent/JP2003535477A/ja
Publication of JP2003535477A5 publication Critical patent/JP2003535477A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5097999B2 publication Critical patent/JP5097999B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77342—Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774—Aluminates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 白色に発光する蛍光変換ＬＥＤにおいて、ＣａとＭｇの他にユウロピウムのドーパントを含有しているクロロシリケート蛍光体と、希土類、特にＹおよび/またはＴｂのガーネット蛍光体とを用いる。これにより、高い色再現、および種々様々な温度挙度の下での光工学的特性の高い恒常性を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 技術分野 本発明は、ＬＥＤベースの白色に発光する照明ユニットであって、ＬＥＤが、
一次ＵＶ放射線または青色光を発するものに関する。さらに、少なくとも１つの
黄色に発光する蛍光体と１つの緑色に発光する蛍光体とが、一次放射線の部分的
な変換のために用いられる。黄色の蛍光体としては、特にＹおよび/またはＴｂ
を含有したＣｅ活性化されたガーネットが用いられる。緑色の蛍光体としては、
Ｅｕ活性化されたカルシウム−マグネシウム−クロロシリケート（Ｃａ８Ｍｇ（
ＳｉＯ４）４Ｃｌ２）が用いられる。
【０００２】 背景技術 J. Electrochem. Soc. 1992, p.622より、クロロシリケート蛍光体ならびにこ
の蛍光体のＵＶおよび青色光励起に対する使用がすでに公知であり、この蛍光体
には、Ｅｕがドープされている（Luminescence Properties and Energy Transfe
r of Eu２＋ Doped Ca８Mg（SiO４）４Cl２ Phosphors）。この蛍光体は、緑色
に発光する。ここでは、この蛍光体のための具体的な利用分野は、記載されてい
ない。
【０００３】 白色光を発する蛍光変換ＬＥＤは、現在、約４６０ｎｍで発光する青色Ｇａ（
Ｉｎ）Ｎ-ＬＥＤと、黄色に発光するＹＡＧ：Ｃｅ３＋蛍光体との組み合わせに
よって得られる。（米国特許第５９９８９２５号明細書および欧州特許第８６２
７９４号明細書）。しかし、この白色光ＬＥＤは、一般的な照明を目的とした場
合には、色成分（特に赤色成分）が欠けていることにより色再現が悪いため、限
られた使用しかできない。別の手段は、３色ＲＧＢ（赤、緑、青）の混合であり
、これらの色を合わせて白色を得る（たとえば、国際公開第９８/３９８０５号
パンフレット参照）。
【０００４】 発明の開示 本発明の課題は、請求項１の上位概念部に基づくＬＥＤベースの照明ユニット
であって、白色に発光してかつ特に高い色再現を有するものを提供することであ
る。
【０００５】 この課題は、請求項１の特徴部に記載の手段によって解決される。また、特に
有利な実施態様は、引用形式請求項に記載されている。
【０００６】 白色ＬＥＤのための従来の解決手段は、特にＲＧＢ混色、つまり３色、赤色、
緑色、青色を混合することに基づいており、この場合、青色成分は、蛍光体によ
ってまたはＬＥＤの一次発光によって実現できる。第２の簡単な解決手段は、冒
頭で述べたように、青色と黄色との混合（ＢＧ混色）に基づいている。
【０００７】 本発明では、ＢＧＧ混合、つまり青色、黄色および緑色の組み合わせに基づく
全く新しいコンセプトが初めて利用される。この場合重要であるのは、黄色の蛍
光体がワイドバンドであって、十分な発光の成分を赤色のスペクトル領域にも有
している、特にこの発光体の全発光の少なくとも２０％の成分を６２０ｎｍ以上
のスペクトル領域の可視領域に有しているということである。
【０００８】 黄色に発光する適当な蛍光体としては、特に希土類（ＳＥ）、有利にはＹ、Ｔ
ｂ、Ｇｄ、Ｌｕおよび/またはＬａから選択されたＳＥを有するＣｅ活性化され
たガーネットが用いられる。ＹとＴｂとの組み合わせは有利である。この場合、
Ｔｂによる長波長のシフトが、十分な赤色成分に関して特にポジティブに作用す
る。
【０００９】 緑色に発光する蛍光体（有利には、ピーク発光波長が５００〜５２５ｎｍの領
域にある）としては、特に有利には、本発明に基づくユウロピウム（Ｅｕ）でド
ープされたＣａ−Ｍｇ−クロロシリケート基本構造が適している。場合によって
は、少量の別のドーパント、特にマンガン（Ｍｎ）を、微調整のためにわずかな
成分で加えることもできる。さらに別の手段は、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ２＋また
はＳｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ２＋のタイプ緑色の蛍光体を用いることである。
【００１０】 緑色の蛍光体の色度座標は、黄色の蛍光体の色度座標および青色のＬＥＤ（も
しくは青色の蛍光体）の色度座標と色度図内で共に広い三角形に広がっており、
これにより、特別な要求に適合するさらなる手段が得られる。これに対して、種
々異なるガーネットの色度座標の変化幅は、著しく小さい。したがって、色温度
も、広い領域にわたって、標準的には４０００〜１００００Ｋの分散が可能とな
る。
【００１１】 本発明は、特に有利には、白色に発光する照明ユニットを開発することに関連
している。つまりこの場合、ＬＥＤフィールド（アレイ）または個々のＬＥＤを
ベースとした照明ユニットである、もしくは直接的には蛍光変換ＬＥＤであって
、この蛍光変換ＬＥＤにおいて、蛍光体が直接的にまたは間接的にチップと接触
している、つまりチップ上に直接的に塗布されているかまたはチップの周りを囲
んでいる樹脂内に埋設されている形式のものである。
【００１２】 白色光の発生は、３００〜４７０ｎｍの発光波長（ピーク）を有する、ＵＶま
たは青色光（ここでは、まとめて「短波長」とする）に発光するＬＥＤと、本発
明による蛍光体混合物との組み合わせによって実現することができ、この蛍光体
混合物は、ＬＥＤの放射線を全てまたは部分的に吸収してかつそれ自体スペクト
ル領域内で発光し、ＬＥＤの光と加法混色すると、良好な色再現を有する白色光
が得られる。場合によっては、青色に発光する付加的な蛍光体成分（たとえばＢ
ＡＭ）を加えなくてはならない。特に効率のよい励起は、ＵＶ−ＬＥＤ用いた場
合には約３３０〜３５０ｎｍの発光波長（ピーク）で、青色ＬＥＤを用いた場合
には約４５０〜４７０ｎｍの発光波長（ピーク）で得られる。
【００１３】 これにより、ガーネット蛍光体をベースとした公知の白色ＬＥＤのよりよい色
再現が、たとえば、クロロシリケート蛍光体の２０〜５０質量％を混合すること
によって得られる。黄色に発光する蛍光体は、式ＳＥ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２ ：Ｃｅに基づく、希土類（ＳＥ）Ｙ，Ｇｄ、Ｌｕ、Ｌａおよび/またはＴｂのガ
ーネットであって、この場合特にＳＥ＝Ｙおよび/またはＴｂ、特に式ＹＡＧ：
ＣｅまたはＴｂＡＧ：Ｃｅに対応している。
【００１４】 蛍光体Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｅｕ２＋は、学術的な文献により公
知であるが、そこには何ら具体的な利用法は記載されていない。この蛍光体は、
本発明によれば、特に有利には、ＵＶ一次光源（３００〜３９０ｎｍ）によって
励起される３色混合をベースとした白色ＬＥＤでの使用によく適している。しか
し、青色の一次光源（４３０〜４７０ｎｍ）を備えた白色ＬＥＤでの特別な仕様
にも適している。ユウロピウムの成分ｘは、有利には、ｘ＝０．００５〜１．６
であり、特にｘ＝０．０１〜１．０である。この場合、実験式は、Ｃａ８ - ｘＥ
ｕｘＭｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２となる。
【００１５】 Ｅｕ以外の別のドーパントとしてのＭｎを、少量（Ｅｕのモル成分の約２０％
まで）加えることによって、緑色のスペクトル領域からいくらかより長波長へ、
つまり黄色のスペクトル領域へシフトすることが可能となる。これにより、発光
を人間の目により良好に適合させることができ、ひいては視覚的な効率も向上す
るという利点が得られる。この場合、Ｍｎの成分ｙは、多くてもｙ＝０．１であ
る。特に有利には、ユウロピウムの成分は、マンガンの添加なしでｘ＝０．０５
〜０．８である。
【００１６】 ユウロピウム濃度は、光源、特にＬＥＤで用いる場合、発光光の色度座標に影
響を及ぼす。両濃度Ｅｕ：Ｍｎの比率によって、この蛍光体の色度座標を付加的
に微量調整でき、これにより、場合によるＬＥＤ中の他の（黄色もしくは青色）
蛍光体への適合を簡単にするもしくは最適化する。
【００１７】 本発明による蛍光体は、たとえば、ＬＥＤアレイ（ＵＶまたは青色一次発光す
る）が透過性のディスク上に設けられた蛍光体を照らすような装置、または個々
のＬＥＤがレンズ上に塗布された蛍光体を照らすような装置においても使用する
ことができる。
【００１８】 特に有利には、本発明による蛍光体は、高い色再現を有する白色ＬＥＤを実現
するために使用される。このために、蛍光体は、別個にまたは混合物として塗布
されかつ場合によってはできるだけ透明な結合剤と組み合わせる（欧州特許第８
６２７９４号明細書）。この蛍光体は、ＵＶ/青色光を発するＬＥＤの光を完全
にまたは部分的に吸収し、別のスペクトル領域（特に黄色と緑色）で再び、全発
光が所望の色度座標に位置するようにワイドバンドに（つまり顕著な赤色成分を
有するように）発光する。ここに記載の組み合わせでの蛍光体ほど、このような
要求を十分に満足させる発光体は、今のところはほとんどない。これらの蛍光体
は、高い量子効率（約７０％）を示し、それと同時に肉眼の感度に基づき明るく
感じられるスペクトルの発光を示す。色度座標を、広い領域で調節することがで
きる。
【００１９】 光源としては、白色光を発するＬＥＤ（発光ダイオード）が適しており、この
白色光は、緑色もしくは黄色に発光する蛍光体を青色スペクトル領域（４３０〜
４７０ｎｍ）での一次放射線と直接的に混合することによって、または一次ＵＶ
発光する放射線を複数の蛍光体によって白色に変換すること（３つの蛍光体を用
いた完全なＢＧＧ混合）によって得られる。この場合、一般的に、青色、黄色お
よび緑色の概念は、各領域での発光最大値が、青色：４３０〜４７０ｎｍ、緑色
：４９０〜５２５ｎｍ、黄色５４５〜５９０ｎｍであるものと理解されたい。
【００２０】 一次光源としては、ＵＶまたは青色に発光するチップの放射線が用いられる。
特に良好な結果はＵＶ−ＬＥＤによって得られ、その発光最大値は３３０〜３７
０ｎｍである。ガーネットおよびクロロシリケートの励起スペクトルを特に考慮
すると、最適値は３５５〜３６５ｎｍで得られる。またこの場合、青色の蛍光体
としては、たとえばＢＡＭが用いられる。青色のチップでは、４３０〜４７０ｎ
ｍのピーク波長を示す特に良好な結果が得られる。ガーネットおよびクロロシリ
ケートの励起スペクトルを特に考慮すると、最適値は４４５〜４６０ｎｍで得ら
れる。
【００２１】 特に良好な色再現を有する別の実施態様によれば、２つの蛍光体を、すなわち
高いＴｂ含有の蛍光体、有利には純粋なＴｂＡＧ：Ｃｅをクロロシリケート：Ｅ
ｕと共に用いる。特に良好な温度安定性を有する実施態様によれば、２つの蛍光
体を、すなわち高いＹ含有の蛍光体、有利には純粋なＹＡＧ：Ｃｅをクロロシリ
ケート：Ｅｕと共に用いる。
【００２２】 一次放射線としてＵＶまたは青色放射線（以下、まとめて短波長の放射線とす
る）を発するＬＥＤとしては、特にＧａ（Ｉｎ）Ｎ−ＬＥＤが適している。しか
し、３００〜４７０ｎｍの領域で発光する短波長に発光する別のあらゆるＬＥＤ
も適している。特に、主な発光領域としては、効率がもっとも良いので、ＵＶで
は３２０〜３６０ｎｍ、青色の領域では４３０から４７０ｎｍが望ましい。
【００２３】 図面の説明 次に、本発明を複数の実施例を用いて詳細に説明する。
【００２４】 以下に、Ｅｕ-およびＭｎ-ドープされたクロロシリケートＣａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４ ）４Ｃｌ２：（Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋）の合成を詳しく例示する。その後、いく
つかの測定例に基づき、この蛍光体の適正について述べる。
【００２５】 蛍光体粉末は、高温固体反応によって製造される。このためには、たとえば、
高純度の出発材料ＣａＣＯ３、ＭｇＯ、ＳｉＯ２およびＣａＣｌ２が、モル比７
：１：４：１．５で混合される。少量のＥｕ２Ｏ３もしくはＭｎＣＯ３が、ドー
ピングのために加えられ、この際、対応するモル量のＣａＣＯ３に置き換わる。 これは、実験式 Ｃａ８ - ｘ - ｙＥｕｘＭｎｙＭｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２（ＣａＣｌ２０．５を含む
）に相当する。
【００２６】 各成分をよく混合した後、その粉末を、１０００〜１２００℃で１〜４時間、
還元性の雰囲気（Ｈ２/Ｎ２）中で加熱し、反応させて前述の化合物にする。過
剰なＣａＣｌ２および水に不溶の他の異物相を除去するために、粉末をもう一度
、完全に脱イオンした水で洗浄してよい。約４００ｎｍの短波長の波長領域での
励起で高い量子効率（標準的には約７０％）を有する蛍光体粉末が得られる。
【００２７】 図１に、ユウロピウムドープされた粉末の標準的な励起スペクトルおよび発光
スペクトルを示す。Ｅｕ２Ｏ３の添加は０．０３ｍｏｌである、つまりｘ＝０．
０６である。３００〜４７０ｎｍ、特に３６０〜４００ｎｍの極めて広い波長領
域にわたる効率的な励起性が明らかとなっている。より長い波長での励起性の低
下は、Ｅｕ２＋吸収帯によって制限されている。しかし、４６０ｎｍでは、それ
でも、４００ｎｍまたはそれより短い（約３４０ｎｍまでの）波長に匹敵する量
子効率が測定される。
【００２８】 発光スペクトルは、約５０７ｎｍで最大値を有するＥｕ２＋発光帯を示してい
る。この発光は、肉眼では緑色に作用する。所望するのであれば、わずかなマン
ガンを同時ドーピングすることによって、蛍光体の発光特性を目の感度によりよ
く適合させることができる。
【００２９】 図２に、ＥｕドープされたクロロシリケートＣａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２ ：Ｅｕ２＋（ＣＳ：Ｅｕと略す）の別の実施例を示す。Ｅｕ２Ｏ３の添加は、０
．２ｍｏｌである、つまりｘ＝０．４である。ピーク波長は５０９ｎｍであり、
平均波長は５２２ｎｍである。色度座標は、ｘ＝０．１８５およびｙ＝０．６１
５である。４００ｎｍでの放射による発光は、図２ａに任意の単位で示す。さら
に、反射率（パーセントで表示）を、図２ｂに示す。
【００３０】 白色ＬＥＤで、ＧａＩｎＮチップと共に使用するためには、たとえば、米国特
許第５９９８９２５号明細書に記載のものと同様の構成が使用される。白色光の
ためのこのような光源の構成を、図３に明示する。光源は、第１の電気的接続部
および第２の電気的接続部２，３を備えた、４５０ｎｍのピーク発光波長を有す
るＩｎＧａＮタイプの半導体構成素子（チップ１）である。電気的接続部２，３
は、光透過性のベースケーシング８内に、切欠き９の領域で埋設されている。一
方の接続部３は、結合ワイヤ１４を介してチップ１に接続されている。切欠きは
壁部１７を有しており、この壁部１７は、チップ１の青色の一次放射線のための
リフレクタとして用いられる。切欠き９は注入物質５で充填されており、この注
入物質５は、主成分としてエポキシ注型樹脂（８０〜９０質量％）および蛍光体
顔料６（１５質量％より少ない）を含有している。それ以外のわずかな成分は、
特にメチルエーテルおよびアエロゾルである。
【００３１】 この場合、第２の実施例のクロロシリケート蛍光体（ＣＳ：Ｅｕ）が、ＴｂＡ
Ｇ：Ｃｅと共に、蛍光体顔料のために用いられる。ＴｂＡＧに対する混合比（Ｃ
Ｓ：Ｅｕ）は、４：６（質量割合）である。この実施例は、Ｒａ＝８５という特
に高い色再現を特徴としている。この実施例の発光スペクトルを、図４に示す。
【００３２】 通常の解決手段（ＢＧ）と本発明による解決手段（ＢＧＧ）との間の直接的な
比較によると、次のような結果が得られる：ＢＧ解決手段としては、青色に発光
するＩｎＧａＮチップ（４５０ｎｍでピークを示す）が、通常のＹＡＧ：Ｃｅと
共に選択される。本発明によるＢＧＧ解決手段としては、同様のＬＥＤが、Ｔｂ
ＡＧ：ＣｅおよびＣＳ：Ｅｕと共に選択される。この場合、それぞれ６０００Ｋ
の色温度が、ｘ＝０．３３２およびｙ＝０．３６６の色度座標で得られる。しか
し、簡単なＢＧ解決手段ではＲａ＝７２の色再現しか得られないのに対し、ＢＧ
Ｇ解決手段では、Ｒａ＝８０の色再現が得られる。赤色再現も著しく、つまりＲ
９＝−２２からＲ９＝１０に向上している。ＢＧＧ解決手段の発光スペクトルを
、図５に示す。
【００３３】 白色ＬＥＤのさらに別の有利な実施例では、ＩｎＧａＮチップ（４５０ｎｍで
青色発光）に加えて、上記のクロロシリケート蛍光体（ＣＳ：Ｅｕ）のＹＡＧ：
Ｃｅとの組み合わせが用いられる。この実施例は、両蛍光体の温度消光挙動が極
めて等しいことを特徴としており、このことは、図６において明らかである。両
蛍光体の温度消光挙動は、信頼性の高い使用領域（約１００℃まで）にわたって
実際的には同様であり、温度にはほんのわずかにしか依存しない。たとえば、こ
こで測定された混合ガーネット（Ｙ０．３３Ｇｄ０．６３Ｃｅ０．０４）Ａｌ５ Ｏ１２のような他のガーネットでは、温度恒常性が著しく劣っている（図６にこ
の混合ガーネットを（Ｙ，Ｇｄ）ＡＧ：Ｃｅで表す）。これにより、種々様々な
温度条件の下での、色度座標および別の光工学的なデータの特別な恒常性が、こ
の実施例において保証され、この実施例は、ＳＥとしてＹ（またはＴｂも）を多
量に含有している（ＳＥ格子サイトの少なくとも６０モル％）。この実施例の発
光スペクトルを、図７に示す。これは、８０００Ｋの色温度および色度座標ｘ＝
０．２９４およびｙ＝０．３０９に対応している。また、色再現は、Ｒａ＝７７
である。両蛍光体の混合比は、４．６：１である。
【００３４】 図８に、照明ユニットとしての平板型照明２０の図を示す。こ平板型照明２０
は、共通の支持体２１を有しており、この支持体２１上には、直方体状の外側の
ケーシング２２が載着されている。このケーシング２２の上側には、共通のカバ
ー部材２３が設けられている。直方体状のケーシングは、切欠きを有しており、
この切欠き内には、個別の半導体構成素子２４が収納されている。これらの半導
体構成素子２４は、ＵＶ発光する発光ダイオードであって、これは、３６０ｎｍ
のピーク発光を有している。白色光への変換は、変換層２５を介して行われ、こ
の変換層２５は、ＵＶ放射線のすべてが到達可能な面上に設けられている。この
面には、ケーシングの側壁、カバー部材および底部分の内部に位置する表面が挙
げられる。変換層２５は、３種の蛍光体からなっており、これらの蛍光体は、本
発明による蛍光体の使用では、黄色、緑色および青色のスペクトル領域で発光す
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 ユウロピウムでドープされたクロロシリケートの励起スペクトルおよび発光ス
ペクトルである。
【図２】 ユウロピウムでドープされた別のクロロシリケートの反射スペクトル（図２ｂ
）および発光スペクトル（図２ａ）である。
【図３】 白色光のための光源（ＬＥＤ）として用いられる半導体構成素子を示す図であ
る。
【図４】 本発明による、蛍光体ＴｂＡＧおよびＣＳ：Ｅｕを有する図３のＬＥＤの発光
スペクトルである。
【図５】 本発明による、蛍光体ＴｂＡＧおよびＣＳ：Ｅｕを有する別のＬＥＤの発光ス
ペクトルである。
【図６】 本発明による蛍光体ＹＡＧおよびＣＳ：Ｅｕを有するＬＥＤの温度特性を示す
図である。
【図７】 本発明による蛍光体ＹＡＧおよびＣＳ：Ｅｕを有するＬＥＤの発光スペクトル
である。
【図８】 本発明による蛍光体を備えた照明ユニットである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテ ル ハフツング Ｏｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｋｏｎｄ ｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ ドイツ連邦共和国 レーゲンスブルク ヴ ェルナーヴェルクシュトラーセ ２ (72)発明者 アンドリース エレンス オランダ国 デン ハーグ マリオッテス トラート 77 (72)発明者 フランク イェルマン ドイツ連邦共和国 ミュンヒェン ロート ケプヒェンシュトラーセ 98 (72)発明者 ミヒャエル オスターターク ドイツ連邦共和国 ミュンヒェン シンシ ナチシュトラーセ 50 Ｆターム(参考） 5F041 AA11 CA34 CA40 DA19 DA44 DA46 DC07 EE25 FF11

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光源として少なくとも１つのＬＥＤを備えた白色に発光する
    照明ユニットであって、前記ＬＥＤが、３００〜４７０ｎｍの領域で一次放射線
    を発し、この場合、この一次放射線が、ＬＥＤの一次放射線にさらされている蛍
    光体によって部分的にまたは完全に長波長の放射線に変換される形式のものにお
    いて、 前記の変換が、少なくとも、緑色に発光しかつＥｕ活性化されたカルシウム−
    マグネシウム−クロロシリケートの類に由来する１種の蛍光体と、黄色に発光し
    かつＣｅ活性化された希土類−ガーネットの類に由来する少なくとも１種の蛍光
    体とを用いることによって行われることを特徴とする、ＬＥＤベースの白色に発
    光する照明ユニット。
  2. 【請求項２】 緑色に発光する蛍光体が、実験式Ｃａ８ - ｘ - ｙＥｕｘＭｎｙ Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２で示され、ｘ＝０．００５〜１．６およびｙ＝０〜０
    ．１である（それぞれ基準値を含む）、請求光１記載の白色に発光する照明ユニ
    ット。
  3. 【請求項３】 黄色に発光する蛍光体が、式ＳＥ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２ ：Ｃｅに基づく希土類（ＳＥ）Ｙ、Ｇｄ、Ｌｕ，Ｌａおよび/またはＴｂのガー
    ネットであって、、特にＳＥ＝Ｙおよび/またはＴｂであり、特に式ＹＡＧ：Ｃ
    ｅまたはＴｂＡＧ：Ｃｅに対応している、請求光１記載の白色に発光する照明ユ
    ニット。
  4. 【請求項４】 発せられた一次放射線が、波長領域３３０〜３７０ｎｍにあ
    り、この発せられた一次放射線に、青色（４３０〜４７０ｎｍ）、緑色（４９０
    〜５２５ｎｍ）および黄色（５４５〜５９０ｎｍ）で発光最大値を有する３つの
    蛍光体がさらされる、請求光１記載の白色に発光する照明ユニット。
  5. 【請求項５】 発せられた一次放射線が、４３０〜４７０ｎｍの青色の波長
    領域にあり、この発せられた青色の一次放射線に、請求項１から４までのいずれ
    か１項に記載の黄色（５４５〜５９０ｎｍ）および緑色（４９０〜５２５ｎｍ）
    で発光最大値を有する２種の蛍光体がさらされる、請求項１記載の白色に発光す
    る照明ユニット。
  6. 【請求項６】 一次放射線源として、特にＧａ（Ｉｎ）Ｎをベースとした短
    波長に発光する発光ダイオードが用いられる、請求項１記載の白色に発光する蛍
    光変換ＬＥＤ。
  7. 【請求項７】 ユウロピウムの成分が、付加的にＭｎを用いずに、ｘ＝０．
    １〜１．０である、請求項１記載の白色に発光する照明ユニット。
  8. 【請求項８】 照明ユニットが、蛍光変換ＬＥＤであって、この蛍光変換Ｌ
    ＥＤにおいて、蛍光体が直接的または間接的にチップと接触している、請求項１
    記載の白色に発光する照明ユニット。
  9. 【請求項９】 照明ユニットが、ＬＥＤのフィールド（アレイ）である、請
    求項１記載の照明ユニット。
  10. 【請求項１０】 蛍光体の少なくとも１種が、ＬＥＤフィールドの前に取付
    けられる光学装置に取付けられている、請求項９記載の白色に発光する照明装置
    。
JP2002500458A 2000-05-29 2001-05-11 クロロシリケート蛍光体 Expired - Lifetime JP5097999B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10026435A DE10026435A1 (de) 2000-05-29 2000-05-29 Kalzium-Magnesium-Chlorosilikat-Leuchtstoff und seine Anwendung bei Lumineszenz-Konversions-LED
DE10026435.2 2000-05-29
PCT/DE2001/001821 WO2001093341A1 (de) 2000-05-29 2001-05-11 Weiss emittierende beleuchtungseinheit auf led-basis

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2003535477A true JP2003535477A (ja) 2003-11-25
JP2003535477A5 JP2003535477A5 (ja) 2008-05-08
JP5097999B2 JP5097999B2 (ja) 2012-12-12

Family

ID=7643861

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002500458A Expired - Lifetime JP5097999B2 (ja) 2000-05-29 2001-05-11 クロロシリケート蛍光体

Country Status (9)

Country Link
US (3) US20030146690A1 (ja)
EP (1) EP1285467A1 (ja)
JP (1) JP5097999B2 (ja)
KR (1) KR20030007742A (ja)
CN (1) CN1432198A (ja)
CA (1) CA2410668A1 (ja)
DE (1) DE10026435A1 (ja)
TW (1) TW554030B (ja)
WO (1) WO2001093341A1 (ja)

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005235847A (ja) * 2004-02-17 2005-09-02 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
WO2006101174A1 (ja) * 2005-03-24 2006-09-28 Kyocera Corporation 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
JP2008508734A (ja) * 2004-08-05 2008-03-21 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング 低い色温度を有する光源
JP2008517091A (ja) * 2004-10-18 2008-05-22 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 蛍光体及びその蛍光体を利用した発光素子｛Ｐｈｏｓｐｈｏｒａｎｄｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｉｎｇｄｅｖｉｃｅｕｓｉｎｇｔｈｅｓａｍｅ｝
JP2008521233A (ja) * 2004-11-18 2008-06-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 変換構造を有する発光装置
JP2009026765A (ja) * 2007-07-19 2009-02-05 Samsung Electro Mech Co Ltd バックライトユニット
JP2009105070A (ja) * 2007-07-19 2009-05-14 Samsung Electro Mech Co Ltd バックライトユニット
WO2009093427A1 (ja) * 2008-01-21 2009-07-30 Nichia Corporation 発光装置
JP2010524255A (ja) * 2007-04-13 2010-07-15 インテマティックス・コーポレーション 色温度調整可能な白色光源
JP2010254851A (ja) * 2009-04-27 2010-11-11 Nichia Corp 蛍光体及びその製造方法
US8030839B2 (en) 2007-11-30 2011-10-04 Nichia Corporation Phosphor activated with europium, light emitting device using the same and method of manufacturing the phosphor
US9166112B2 (en) 2008-10-17 2015-10-20 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emitting module, method of manufacturing the light emitting module, and lamp unit
US9735323B2 (en) 2015-06-30 2017-08-15 Nichia Corporation Light emitting device having a triple phosphor fluorescent member
JP2017168795A (ja) * 2016-03-04 2017-09-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP3249703A1 (en) 2016-05-26 2017-11-29 Nichia Corporation Light emitting device
KR20170134241A (ko) 2016-05-26 2017-12-06 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치
US10008643B2 (en) 2015-12-22 2018-06-26 Nichia Corporation Light emitting device having different types of phosphor material
WO2018155665A1 (ja) * 2017-02-27 2018-08-30 シチズン電子株式会社 半導体発光装置及び照明装置
US10256374B2 (en) 2016-03-04 2019-04-09 Nichia Corporation Light emitting device
US10414976B2 (en) 2016-03-28 2019-09-17 Nichia Corporation Method for producing fluorescent material, fluorescent material, and light emitting device using the same
US10505081B2 (en) 2017-07-04 2019-12-10 Nichia Corporation Light emitting device
US10818827B2 (en) 2017-09-28 2020-10-27 Nichia Corporation Light-emitting device
WO2021192743A1 (ja) 2020-03-27 2021-09-30 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを備えた灯具

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6596195B2 (en) * 2001-06-01 2003-07-22 General Electric Company Broad-spectrum terbium-containing garnet phosphors and white-light sources incorporating the same
DE20115914U1 (de) 2001-09-27 2003-02-13 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH, 81543 München Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
ATE369854T1 (de) * 2001-10-19 2007-09-15 Ortho Mcneil Pharm Inc 2-phenyl benzimidazole und imidazo-[4,5]-pyridine als cds1/chk2-inhibitoren und adjuvantien in der chemotherapie oder strahlungstherapie zur behandlung von krebs
US7800121B2 (en) * 2002-08-30 2010-09-21 Lumination Llc Light emitting diode component
US7224000B2 (en) 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
US7224910B2 (en) * 2002-10-25 2007-05-29 Gennum Corporation Direct attach optical receiver module and method of testing
US6765237B1 (en) * 2003-01-15 2004-07-20 Gelcore, Llc White light emitting device based on UV LED and phosphor blend
DE102004003135A1 (de) 2003-02-20 2004-09-02 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beschichteter Leuchtstoff und lichtemittierende Vorrichtung mit derartigem Leuchtstoff
CN1768122A (zh) * 2003-03-28 2006-05-03 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 在颗粒或材料表面上制备涂层的方法及所得的产品
DE10319091A1 (de) * 2003-04-28 2004-09-09 Siemens Ag Leuchtstoff zum Umwandeln einer Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung
US7484860B2 (en) * 2003-07-02 2009-02-03 S.C. Johnson & Son, Inc. Combination white light and colored LED light device with active ingredient emission
US6933535B2 (en) * 2003-10-31 2005-08-23 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting devices with enhanced luminous efficiency
KR100540848B1 (ko) * 2004-01-02 2006-01-11 주식회사 메디아나전자 이중 몰드로 구성된 백색 발광다이오드 소자 및 그 제조방법
EP1571715A1 (en) * 2004-03-04 2005-09-07 Nan Ya Plastics Corporation Method for producing white light emission by means of secondary light exitation and its product
US7391060B2 (en) * 2004-04-27 2008-06-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Phosphor composition and method for producing the same, and light-emitting device using the same
US7837348B2 (en) 2004-05-05 2010-11-23 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting system using multiple colored light emitting sources and diffuser element
EP2803898B1 (en) * 2004-05-05 2020-08-19 Rensselaer Polytechnic Institute A light-emitting apparatus
KR101209488B1 (ko) 2004-07-06 2012-12-07 라이트스케이프 머티어리얼스, 인코포레이티드 효율적인, 녹색 발광 인광체 및 적색 발광 인광체와의 조합
KR100565075B1 (ko) 2004-07-27 2006-03-30 삼성전자주식회사 조명유니트 및 이를 채용한 화상투사장치
US7276183B2 (en) * 2005-03-25 2007-10-02 Sarnoff Corporation Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices
EP1726631A1 (en) * 2005-05-23 2006-11-29 SuperNova Optoelectronics Corporation White light emitting device
BRPI0613822A2 (pt) * 2005-06-23 2011-02-15 Rensselaer Polytech Inst método e fonte de luz de largura de faixa ampla para a produção de luz visìvel e que tem um valor de cromaticidade próximo de um locus de corpo negro e um ìndice de renderização de cor de mais de aproximadamente 80 e fonte de luz de largura de faixa ampla
US20070125984A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Sarnoff Corporation Phosphors protected against moisture and LED lighting devices
US8906262B2 (en) * 2005-12-02 2014-12-09 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
CN101385145B (zh) * 2006-01-05 2011-06-08 伊鲁米特克斯公司 用于引导来自led的光的分立光学装置
JP2007231250A (ja) * 2006-02-02 2007-09-13 Nichia Chem Ind Ltd 蛍光体及びそれを用いた発光装置
US20070217184A1 (en) * 2006-03-16 2007-09-20 James Berry LED light assembly
US8282986B2 (en) * 2006-05-18 2012-10-09 Osram Sylvania, Inc. Method of applying phosphor coatings
DE102006029203B9 (de) 2006-06-26 2023-06-22 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Lichtemittierende Vorrichtung
US7703942B2 (en) * 2006-08-31 2010-04-27 Rensselaer Polytechnic Institute High-efficient light engines using light emitting diodes
US7842960B2 (en) * 2006-09-06 2010-11-30 Lumination Llc Light emitting packages and methods of making same
DE102007020782A1 (de) * 2006-09-27 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
US20090275266A1 (en) * 2006-10-02 2009-11-05 Illumitex, Inc. Optical device polishing
JP2010506402A (ja) 2006-10-02 2010-02-25 イルミテックス， インコーポレイテッド Ｌｅｄのシステムおよび方法
JP2010506006A (ja) 2006-10-03 2010-02-25 ライトスケイプ マテリアルズ，インク． 金属ケイ酸塩ハロゲン化物燐光体及びそれを使用するｌｅｄ照明デバイス
US7889421B2 (en) * 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
US7968900B2 (en) * 2007-01-19 2011-06-28 Cree, Inc. High performance LED package
DE102007028120A1 (de) 2007-06-19 2008-12-24 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines Chlorosilikat-Leuchtstoffs und damit hergestellter Leuchtstoff
CN104183688B (zh) * 2007-07-26 2017-05-24 晶元光电股份有限公司 波长转换系统
DE102008029191A1 (de) * 2008-01-31 2009-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinrichtung zur Hinterleuchtung eines Displays sowie ein Display mit einer solchen Beleuchtungseinrichtung
EP2240968A1 (en) * 2008-02-08 2010-10-20 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
WO2010004835A1 (ja) * 2008-07-08 2010-01-14 株式会社日立製作所 光計測装置
US8525207B2 (en) * 2008-09-16 2013-09-03 Osram Sylvania Inc. LED package using phosphor containing elements and light source containing same
KR101539246B1 (ko) * 2008-11-10 2015-07-24 삼성전자 주식회사 광추출 효율이 향상된 발광 장치의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 발광 장치
TW201034256A (en) * 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
KR20100070731A (ko) * 2008-12-18 2010-06-28 삼성전자주식회사 할로실리케이트 형광체, 이를 포함하는 백색 발광 소자
US8592829B2 (en) * 2009-08-17 2013-11-26 Osram Sylvania Inc. Phosphor blend for an LED light source and LED light source incorporating same
US8796715B2 (en) 2009-08-17 2014-08-05 Osram Sylvania Inc. Phosphor blend for an LED light source and LED light source incorporating same
US8449128B2 (en) * 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
DE102010028949A1 (de) 2010-05-12 2011-11-17 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Scheinwerfermodul
DE102010031237A1 (de) 2010-07-12 2012-01-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US8304797B2 (en) 2010-07-29 2012-11-06 Osram Sylvania Inc. Light emitting diode light source having a ceramic substrate
US8829777B2 (en) * 2010-09-27 2014-09-09 Osram Sylvania Inc. Ceramic wavelength converter and LED light source containing same
CN102071014A (zh) * 2010-11-29 2011-05-25 湖南信多利新材料有限公司 一种近紫外光激发单一基质白光荧光粉及其制备方法
US10522518B2 (en) 2010-12-23 2019-12-31 Bench Walk Lighting, LLC Light source with tunable CRI
US8579451B2 (en) 2011-09-15 2013-11-12 Osram Sylvania Inc. LED lamp
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
TWI518948B (zh) * 2012-06-08 2016-01-21 Unity Opto Technology Co Ltd To enhance the luminous angle of the small size of the LED package to improve the structure
US10069046B2 (en) * 2013-11-13 2018-09-04 Lg Innotek Co., Ltd. Bluish green phosphor and light emitting device package including the same
JP7164800B2 (ja) 2017-09-28 2022-11-02 日亜化学工業株式会社 発光装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US6051925A (en) * 1997-03-03 2000-04-18 U.S. Philips Corporation Diode-addressed color display with molecular phosphor
JP2000509912A (ja) * 1997-03-03 2000-08-02 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 白色光発光ダイオード
US6255670B1 (en) * 1998-02-06 2001-07-03 General Electric Company Phosphors for light generation from light emitting semiconductors
US6294800B1 (en) * 1998-02-06 2001-09-25 General Electric Company Phosphors for white light generation from UV emitting diodes
WO2000057490A1 (de) * 1999-03-19 2000-09-28 Eurolight Illumination Technologies Gmbh Leuchte
EP1206802B1 (de) * 2000-05-29 2008-03-19 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Weiss emittierende beleuchtungseinheit auf led-basis
DE10147040A1 (de) * 2001-09-25 2003-04-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle

Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005235847A (ja) * 2004-02-17 2005-09-02 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP4534513B2 (ja) * 2004-02-17 2010-09-01 豊田合成株式会社 発光装置
JP2008508734A (ja) * 2004-08-05 2008-03-21 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング 低い色温度を有する光源
JP2008517091A (ja) * 2004-10-18 2008-05-22 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 蛍光体及びその蛍光体を利用した発光素子｛Ｐｈｏｓｐｈｏｒａｎｄｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｉｎｇｄｅｖｉｃｅｕｓｉｎｇｔｈｅｓａｍｅ｝
JP2008521233A (ja) * 2004-11-18 2008-06-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 変換構造を有する発光装置
WO2006101174A1 (ja) * 2005-03-24 2006-09-28 Kyocera Corporation 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
DE112006000694B4 (de) * 2005-03-24 2013-10-17 Kyocera Corp. Gehäuse für Lichtemissionsvorrichtung, lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
JP2010524255A (ja) * 2007-04-13 2010-07-15 インテマティックス・コーポレーション 色温度調整可能な白色光源
JP2009105070A (ja) * 2007-07-19 2009-05-14 Samsung Electro Mech Co Ltd バックライトユニット
US9519184B2 (en) 2007-07-19 2016-12-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Backlight unit
US8220944B2 (en) 2007-07-19 2012-07-17 Samsung Led Co., Ltd. Backlight unit
JP2009026765A (ja) * 2007-07-19 2009-02-05 Samsung Electro Mech Co Ltd バックライトユニット
US8764212B2 (en) 2007-07-19 2014-07-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Backlight unit
US8030839B2 (en) 2007-11-30 2011-10-04 Nichia Corporation Phosphor activated with europium, light emitting device using the same and method of manufacturing the phosphor
WO2009093427A1 (ja) * 2008-01-21 2009-07-30 Nichia Corporation 発光装置
JPWO2009093427A1 (ja) * 2008-01-21 2011-05-26 日亜化学工業株式会社 発光装置
US8040041B2 (en) 2008-01-21 2011-10-18 Nichia Corporation Light emitting apparatus
JP5644112B2 (ja) * 2008-01-21 2014-12-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9166112B2 (en) 2008-10-17 2015-10-20 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emitting module, method of manufacturing the light emitting module, and lamp unit
JP2010254851A (ja) * 2009-04-27 2010-11-11 Nichia Corp 蛍光体及びその製造方法
US9735323B2 (en) 2015-06-30 2017-08-15 Nichia Corporation Light emitting device having a triple phosphor fluorescent member
US10008643B2 (en) 2015-12-22 2018-06-26 Nichia Corporation Light emitting device having different types of phosphor material
US11063188B2 (en) 2016-03-04 2021-07-13 Nichia Corporation Light emitting device
US10256374B2 (en) 2016-03-04 2019-04-09 Nichia Corporation Light emitting device
JP2017168795A (ja) * 2016-03-04 2017-09-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10414976B2 (en) 2016-03-28 2019-09-17 Nichia Corporation Method for producing fluorescent material, fluorescent material, and light emitting device using the same
US10559725B2 (en) 2016-05-26 2020-02-11 Nichia Corporation Light emitting device
US10141484B2 (en) 2016-05-26 2018-11-27 Nichia Corporation Light emitting device
KR20170134241A (ko) 2016-05-26 2017-12-06 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치
US11011684B2 (en) 2016-05-26 2021-05-18 Nichia Corporation Light emitting device
EP3249703A1 (en) 2016-05-26 2017-11-29 Nichia Corporation Light emitting device
EP3893286A1 (en) 2016-05-26 2021-10-13 Nichia Corporation Light emitting device
WO2018155665A1 (ja) * 2017-02-27 2018-08-30 シチズン電子株式会社 半導体発光装置及び照明装置
JPWO2018155665A1 (ja) * 2017-02-27 2019-12-19 シチズン電子株式会社 半導体発光装置及び照明装置
JP7237815B2 (ja) 2017-02-27 2023-03-13 シチズン電子株式会社 半導体発光装置及び照明装置
US10505081B2 (en) 2017-07-04 2019-12-10 Nichia Corporation Light emitting device
US10818827B2 (en) 2017-09-28 2020-10-27 Nichia Corporation Light-emitting device
US11605761B2 (en) 2017-09-28 2023-03-14 Nichia Corporation Light-emitting device
WO2021192743A1 (ja) 2020-03-27 2021-09-30 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを備えた灯具

Also Published As

Publication number Publication date
US20050104503A1 (en) 2005-05-19
US20060103291A1 (en) 2006-05-18
CN1432198A (zh) 2003-07-23
US20030146690A1 (en) 2003-08-07
WO2001093341A1 (de) 2001-12-06
TW554030B (en) 2003-09-21
JP5097999B2 (ja) 2012-12-12
DE10026435A1 (de) 2002-04-18
US7002291B2 (en) 2006-02-21
CA2410668A1 (en) 2002-11-27
US7183706B2 (en) 2007-02-27
KR20030007742A (ko) 2003-01-23
EP1285467A1 (de) 2003-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5097999B2 (ja) クロロシリケート蛍光体
JP4695819B2 (ja) Ｌｅｄをベースとする白色発光照明ユニット
US6670748B2 (en) Illumination unit having at least one LED as light source
US6759804B2 (en) Illumination device with at least one LED as light source
JP4288047B2 (ja) 光源として少なくとも１つのｌｅｄを備えた照明ユニット
US6850002B2 (en) Light emitting device for generating specific colored light, including white light
US6674233B2 (en) Illumination unit having at least one LED as light source
US7262439B2 (en) Charge compensated nitride phosphors for use in lighting applications
TWI420710B (zh) White light and its use of white light-emitting diode lighting device
JP5511820B2 (ja) アルファ−サイアロン発光体
TW200927886A (en) Red line emitting complex fluoride phosphors activated with Mn4+
JP2008538455A (ja) Ｌｅｄベースの照明用の赤色蛍光体
JP2003110150A (ja) 半導体発光素子とこれを用いた発光装置
CN101213878A (zh) 包括黄绿发光材料的照明系统
JP2008069272A (ja) 赤色蛍光体およびそれを用いた白色発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080321

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080321

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20101228

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110301

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110323

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110622

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110629

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110713

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120106

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120420

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20120501

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120801

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20120829

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120830

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151005

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5097999

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term