JP2003186017A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 画面を上方位又は下方位から見ても適切な表
示を行うことを課題とする。 【解決手段】 一対の基板と、一対の基板の間に挟ま
れ、基板間の電圧無印加時に液晶分子が基板に対して垂
直配向し、基板間の電圧の印加によって基板に略平行と
なるように液晶分子が複数の方位に倒れる液晶層とを有
する液晶表示装置が提供される。液晶層は、電圧印加
時、画面右方位を０度としたときに反時計周りに角度を
定義して、０〜１８０度方位に液晶分子が傾く領域の割
合と、１８０〜３６０度方位に液晶分子が傾く領域の割
合とが異なる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶表示装置は薄型・軽量、低電
圧駆動、低消費電力といった特徴を活かして、様々な用
途に広く用いられるようになってきた。表示特性に関し
てもＣＲＴに匹敵するほどの特性が実現され、従来ＣＲ
Ｔが主流であったモニターやテレビなどの用途にも用い
られるようになった。

【０００３】液晶表示装置が大型化、階調表示化、高コ
ントラスト化が図られ、パーソナルコンピュータのモニ
ターあるいはテレビ画像表示装置として使用されるまで
になっている。このようなアプリケーションにおいて
は、液晶表示装置があらゆる方向から見えることが必要
とされている。

【０００４】この広視野角を実現する技術として、富士
通株式会社からＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖ
ｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型液晶表示装置
が提案されている。

【０００５】図２（Ａ）、（Ｂ）に、ＭＶＡ型液晶表示
装置の基本概念構成を示す。図２（Ａ）は基板２０１及
び２０２に電圧を印加しないときの液晶表示装置を示
し、図２（Ｂ）に基板２０１及び２０２に電圧を印加し
たときの液晶表示装置を示す。基板２０１に土手２０３
が設けられ、基板２０２に土手２０４が設けられる。図
２（Ａ）では液晶分子２１２が垂直配向し、土手２０
３，２０４近辺の液晶分子２１１が傾きを持って配向す
る。図２（Ｂ）では、液晶分子２２１が電界の向きに応
じて配向する。すなわち、電圧が印加されていない時に
は垂直に配向しており、電圧が印加されると、４つの領
域に分かれて、それぞれ４方向に傾く。各領域の視角特
性が混ざる結果、広い視野角が得られる。

【０００６】このＭＶＡ型液晶表示装置の視角特性を更
に向上させる技術（例えば、特開平１０−１５３７８
２）、表示輝度を向上させる技術（特許出願番号２００
１−１０６２８３）を富士通株式会社が特許出願してい
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】液晶表示装置は、より
広い視野角を実現することが望まれている。また、高輝
度の液晶表示装置が望まれている。さらに、高視野角及
び高輝度の両方を備えた液晶表示装置が望まれている。
本発明の目的は、広視野角及び／又は高輝度を実現する
液晶表示装置を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の一観点によれ
ば、一対の基板と、一対の基板の間に挟まれ、基板間の
電圧無印加時に液晶分子が基板に対して垂直配向し、基
板間の電圧の印加によって基板に略平行となるように液
晶分子が複数の方位に倒れる液晶層とを有する液晶表示
装置が提供される。液晶層は、電圧印加時、画面右方位
を０度としたときに反時計周りに角度を定義して、０〜
１８０度方位に液晶分子が傾く領域の割合と、１８０〜
３６０度方位に液晶分子が傾く領域の割合とが異なる。
０〜１８０度方位に液晶分子が傾く領域の割合と、１８
０〜３６０度方位に液晶分子が傾く領域の割合とを異な
らせて適正な割合にすることにより、画面を上方位又は
下方位から見ても適切な表示が可能になる。

【０００９】本発明の他の観点によれば、第１及び第２
の基板と、第１及び第２の基板の間に挟まれ、第１及び
第２の基板間の電圧無印加状態にて液晶分子が第１及び
第２の基板に対して垂直配向する液晶層と、第１の基板
に設けられ、ゲート、ソース及びドレインを含む薄膜ト
ランジスタと、薄膜トランジスタのゲートに接続される
ゲートラインと、薄膜トランジスタのソースに接続され
るデータラインと、薄膜トランジスタのドレインに接続
され、櫛歯状あるいはスリット状の画素電極であって、
該櫛歯の方向がゲートライン近傍では該ゲートラインに
向かって伸びており、データライン近傍では該データラ
インに向かって伸びている画素電極とを有する液晶表示
装置が提供される。ゲートライン及びデータラインに応
じた画素電極の形状にすることにより、画素電極による
液晶分子の配向方向を、ゲートライン及びデータライン
による液晶分子の配向方向に一致させることができる。

【００１０】本発明のさらに他の観点によれば、互いに
吸収軸が直交する一対の偏光層と、一対の偏光層に挟ま
れる１／２波長の位相差を有する１／２波長板と、一対
の偏光層に挟まれ、液晶分子が垂直配向し得る液晶層と
を有する液晶表示装置が提供される。１／２波長板は、
１／２波長の位相差を有するフィルムが積層されていて
そのフィルム面に垂直な方向の位相差（（ｎｘ＋ｎｙ）
／２−ｎｚ）×ｄ（フィルム面に垂直な方位の屈折率を
ｎｚ、フィルムの光軸に平行な方向の屈折率をｎｘ、フ
ィルムの光軸に垂直なフィルム面内方向の屈折率をｎ
ｙ、フィルムの膜厚をｄとする）が０あるいは±２０ｎ
ｍ以下であり、フィルムの光軸は近接する偏光層の吸収
軸に平行あるいは垂直であり、又は、１／２波長の位相
差を有するフィルムが二枚積層されていて、そのフィル
ム面に垂直な方位の屈折率をｎｚ、フィルムの光軸に平
行な方向の屈折率をｎｘ、フィルムの光軸に垂直なフィ
ルム面内方向の屈折率をｎｙとして、二枚のフィルムの
（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）の値がそれぞれ０．５
以下と０．５以上とであり、二枚のフィルムの光軸は平
行であり、近接する偏光層の吸収軸に平行あるいは垂直
である。一対の偏光層の間に１／２波長板を設けること
により、広視野角及び高輝度の液晶表示装置を実現する
ことができる。

【００１１】本発明のさらに他の観点によれば、第１及
び第２の偏光板と、第１及び第２の偏光板に挟まれ、液
晶分子が垂直配向しうる液晶層と、第１及び第２の偏光
板に挟まれる面内に位相差のある位相差フィルムであっ
て、近接する偏光板の吸収軸にその光軸が垂直になるよ
うに設けられ、その屈折率はｎｘ＞ｎｚ＞＝ｎｙ（ｎｘ
は光軸方向の屈折率、ｎｙはｎｘに垂直な面内方向の屈
折率、ｎｚは面に鉛直な方向の屈折率）の関係にある位
相差フィルムとを有する液晶表示装置が提供される。第
１及び第２の偏光板の間に所定の位相差フィルムを設け
ることにより、広視野角及び高輝度の液晶表示装置を実
現することができる。

【００１２】本発明のさらに他の観点によれば、コレス
テリック液晶層と、１／４波長板と、光を供給するバッ
クライトと、液晶分子が配向可能な液晶パネルとを有す
る液晶表示装置が提供される。コレステリック液晶層及
び１／４波長板は、バックライト及び液晶パネルの間に
挟まれ、液晶パネルの液晶分子の配向方向と１／４波長
板の光軸とが直交している。液晶パネルの液晶分子の配
向方向と１／４波長板の光軸とを直交させることによ
り、表示画面を斜めから見ても色付きを防止できる。

【００１３】本発明のさらに他の観点によれば、一対の
基板の間に液晶が封入された液晶パネルと、吸収軸が互
いに直交するように液晶パネルの両側に配置された一対
の偏光素子と、液晶パネルを構成する一対の基板の少な
くとも一方の表面に、突起、窪み、または電極に設けた
スリットのいずれか、またはそれらの組み合わせの周期
的パターンを含み、液晶パネル内の液晶分子の配向を規
制するドメイン規制手段とを有する液晶表示装置が提供
される。周期的に配置されたドメイン規制手段による液
晶分子の配向方向が、偏光素子の吸収軸に対して４５度
をなす方向とそれ以外の方向とを含み、電圧無印加時に
は、液晶分子が基板に対してほぼ垂直に配向しており、
電圧印加時には、ドメイン規制手段により液晶分子が斜
めになる方向が各画素内において複数の方向になるよう
に規制される。ドメイン規制手段により液晶分子の配向
方向が偏光素子の吸収軸に対して４５度をなす方向とそ
れ以外の方向とを含み、高輝度の表示を行うことができ
る。

【００１４】本発明のさらに他の観点によれば、基板表
面に垂直配向処理を施した２枚の基板と、基板間に挟持
されるネガ型液晶と、各画素内において複数の液晶ドメ
インの方向になるように規制するドメイン規制手段であ
って、画素あるいはその周辺領域に部分的に備え、部分
的に設けたドメイン規制手段の中心を挟んで液晶の配向
方向を９０〜１８０度の範囲で異ならせる第１のドメイ
ン規制手段と、液晶の配向方向を０〜９０度の範囲で異
ならせる第２のドメイン規制手段とを含むドメイン規制
手段とを有する液晶表示装置が提供される。第１及び第
２のドメイン規制手段の両方を設けることにより、画素
内全域の液晶の配向の制御性が向上する。

【００１５】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）図３は、ＭＶ
Ａ型液晶表示装置（ＬＣＤ）の白黒のコントラストの視
覚特性を示す。図３の円周上の角度表示は０°が右、９
０°が上、１８０°が左、２７０°が下を示す。横軸及
び縦軸は、表示面からの傾き角度を示し、中心が０°で
ある。白黒の視野角は上下左右視角において傾き角８０
度においてもコントラスト１０（ＣＲ＝１０）以上が実
現されている。

【００１６】しかしながら、中間調を表示した時に、正
面から見ると正常な表示であるが、下視角から見ると全
体が白っ茶けてコントラストが低下する現象が観察され
る。我々は、この白っ茶ける現象は、ＭＶＡあるいは垂
直配向型のパネルあるいは配向分割したパネル特有の現
象であることを発見した。

【００１７】図４（Ａ）〜（Ｃ）を用いて説明する。図
４（Ａ）は、表示面を正面から観察した図である。液晶
表示装置４００が４つのドメイン４０１〜４０４に分割
される場合を説明する。電圧が印加されていないあるい
は液晶が略垂直に配向していて光漏れのない状態では、
黒の光漏れは斜め視角においても非常に小さい。ドメイ
ン４０１，４０２，４０３，４０４では、それぞれ液晶
分子Ａ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２が異なる方向に傾く。低電
圧領域では液晶分子Ａ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２は殆ど垂直
であり、複屈折が小さい。

【００１８】図４（Ｂ）は、表示面を手前（下視角）か
ら観察した図である。斜め視角では、液晶分子は実質寝
てくる。偏光板との角度が多少あるので、複屈折が発現
し、光漏れする。

【００１９】図４（Ｃ）は、横軸が印加電圧を示し、縦
軸が透過光量を示す。特性線４１１は、図４（Ａ）に示
すように正面から観察したときの特性を示す。特性線４
１２Ａは、図４（Ｂ）に示すように手前から観察したと
きの液晶分子Ｂ１，Ｂ２の特性を示す。特性線４１２Ｂ
は、図４（Ｂ）に示すように手前から観察したときの液
晶分子Ａ１，Ａ２の特性を示す。

【００２０】電圧がしきい値電圧を僅かに超えて暗い階
調を表示するような場合には、図４（Ｃ）に示すように
透過光量が増すが、これは図４（Ｂ）に示すように、倒
れた液晶分子の軸の投射軸が偏光板の軸の投射軸とずれ
るためである。これは、画素の上半分に位置する液晶分
子においても、画素の下半分に位置する液晶分子におい
ても同様である。ここで、この光漏れを補正するために
ある光学物質を挿入する場合を考える。この場合、暗い
中間調を補償することが出来るが、翻って、黒表示を行
う時に、余分な光学的効果が発現することになってしま
う。このため、斜め視角での黒浮きが生じ、コントラス
トの良好な視角範囲が狭められることになってしまう。

【００２１】基本的には、上（右上、左上を含む）方向
に傾く領域と下（右下、左下を含む）方向に傾く領域と
の比を崩すことにより、上記の問題点を解決する。

【００２２】図５（Ａ）は、液晶分子Ａ１，Ａ２と液晶
分子Ｂ１，Ｂ２の領域の比が同じ場合の透過光量−印加
電圧（Ｔ−Ｖ）特性を示す。この場合、特性線の形が崩
れて、表示面が白っ茶けてしまう。

【００２３】図５（Ｂ）は、液晶分子Ａ１，Ａ２の領域
と液晶分子Ｂ１，Ｂ２の領域との比を適正値に調整した
場合のＴ−Ｖ特性を示す。印加電圧と透過光量がほぼ比
例し、適切な表示を行うことができる。

【００２４】図６（Ａ）、（Ｂ）に微細スリットにより
配向規制を行った場合における構成を示す。図６（Ａ）
では全ての液晶分子が画面下方位に傾くように構成し
た。１画素領域１０３は、２つの配向領域１０１及び１
０２に分割される。ゲートライン１１４及びデータライ
ン１１３に対応して、画素領域１０３が設けられる。画
素領域１０３は、ＩＴＯ（インジウム酸化第一錫:indiu
m tin oxide）透明電極１１１で構成される。透明電極
１１１には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のドレインに
接続するためのコンタクト領域１１２が設けられる。配
向領域１０１及び１０２の比は１：１である。図６
（Ｂ）では、上方位に傾く領域１２１と下方位に傾く領
域１２２の比を１：１に設定した。領域１２１及び１２
２の配向は、透明電極１２３のスリットの向きにより制
御可能である。

【００２５】図１（Ａ）では、透明電極１３３の形状を
変え、上方位に傾く領域１３１と下方位に傾く領域１３
２の比を１：３に設定した。このように、液晶分子の傾
く方位について、通常は１：１に設定するところを、意
図的にバランスを崩し、１：Ｘ（Ｘ＜＞１）とした。

【００２６】このようにバランスを崩した場合には、図
４（Ｃ）に示すところの上視角、下視角でのＴ−Ｖ特性
を重ね合わせる比が変わることになる。この時、図４
（Ｃ）に示す２本のＴ−Ｖ特性線４１２Ａ，４１２Ｂの
比率に応じた和になる。ここで、図４（Ｃ）の特性線４
１２Ａで示す領域を増やした場合には、黒っぽい映像が
全体に白くなるが、黒白のコントラストは取れているの
で、このコントラストのおかげで良好な表示となる。一
方、特性線４１２Ｂで示す領域を増やした場合には、黒
っぽい映像は全体に黒く潰れ、一部反転する可能性があ
る。しかしながら、黒っぽい映像は白くはならず黒いま
まではある。この特性線４１２Ａの効果と特性線４１２
Ｂの効果とを完全に１：１で混ぜてしまった場合には、
双方の良好な特性が互いに打ち消されてしまい、良好な
視角特性を実現することは難しかった。しかしながら、
比率を調整する、特に、特性線４１２Ａの領域の割合を
全体の７±２割とすることで、良好な表示が得られるこ
とが分かった。

【００２７】図６（Ａ）、（Ｂ）をより詳細に説明す
る。図６（Ａ）は全ての配向を下向きにした例を示して
いる。ＴＦＴ基板に形成されている透明電極をパターニ
ングした。ここで、櫛歯状に透明電極１１１を設けた。
ここで、画素を二つの領域１０１，１０２に分割し、上
半分においては櫛歯の歯を右下に伸びるように設定し
た。一方、下半分においては櫛歯の歯を左下に伸びるよ
うに設定した。ここで、櫛歯の各電極の幅を３μｍに設
定し、櫛歯の間隙を３μｍに設定した。図６（Ｂ）は開
口率を最大限に設定し、上下比率を同一にした場合を示
す。

【００２８】図１（Ａ）は開口率を最大限に設定しつ
つ、上下比率を変えた例を示す。図６（Ｂ）と基本的な
構成は変えずに上下比率を変えた。このＩＴＯ電極パタ
ーンから櫛歯状のＩＴＯ電極を上側領域１３１では右上
方位に、下側領域１３２では左下方位に向けて設定し
た。ここで、上側の領域１３１の比率を全体の３割に設
定した。

【００２９】図１（Ｂ）は画素の左右中央に一本上下に
ＩＴＯ電極のパターンを設け、上下比率を変えた例を示
す。画素領域１０３は、４つの領域１４１〜１４４に分
割される。このＩＴＯ電極パターンから櫛歯状のＩＴＯ
電極を上側領域１４１，１４２では上方位に、下側領域
１４３，１４４では下方位に向けて設定した。櫛歯状の
ＩＴＯ電極の伸ばし方としては、画素の上側では腕を上
に伸ばしたように設定した。一方、画素の下側では両腕
を左右に広げつつ下げたように設定した。ここで、上側
の領域１４１，１４２の比率を全体の３割に設定した。

【００３０】図８（Ａ）は、液晶表示装置の主要構成を
示す。ＴＦＴ８０１は、ゲートがゲートライン１１４に
接続され、ソースがデータライン１１３に接続され、ド
レインが透明電極１１１に接続される。液晶層８０２
は、一端がＴＦＴ基板上の透明電極１１１に接続され、
他端が対向基板の共通電極（グランド電極）に接続され
る。補助容量８０３は、一端がコンタクト領域７０１を
介して透明電極１１１に接続され、他端がグランド電位
に接続される。

【００３１】図８（Ｂ）は、補助容量８０３及びその周
辺の断面図である。補助容量８０３は、金属層８１１及
び８１２の間に絶縁層を設けることにより形成される。
金属層８１１は、ＴＦＴ８０１（図８（Ａ））のソース
電極とは接続されていないがそれと同じ層に形成され
る。金属層８１２は、以下、補助容量（Ｃｓ）レイヤと
もいう。Ｃｓレイヤ８１２は、グランド電位に接続され
る。金属層８１１は、コンタクトホール８１３を介して
コンタクト領域７０１に接続される。

【００３２】図７、図９を参照して、すのこ状の電極の
より正確なレイアウトを説明する。図７は図６（Ａ）に
対応し、図９は図１（Ｂ）に対応する。

【００３３】図７においては、画素の中央部には左右に
補助容量（Ｃｓ）形成用の電極８１２（図８（Ｂ））が
形成されており、ＩＴＯ電極１１１と金属層８１１（図
８（Ｂ））との接触を行うためのコンタクト領域７０１
が形成されている。図７の下部に示す拡大図のように、
すのこ状の電極７０２の端を、コンタクト領域７０１か
ら離す構成とした。

【００３４】図１０は、ＴＦＴの断面図である。ゲート
電極１００１の上には、絶縁膜１０１１を介して、ソー
ス電極１００２及びドレイン電極１００３が形成され
る。さらに、その上には、絶縁膜１０１２を介してＩＴ
Ｏ電極１００５が形成される。ＩＴＯ電極１００５及び
ドレイン電極１００３は、コンタクトホール１００４を
介して接続される。

【００３５】図９の下部は、ＴＦＴのドレイン電極とＩ
ＴＯ電極のコンタクト領域９０１の拡大図を示してい
る。すのこ状の電極９０３の端は開いていることが重要
であり、極力ドレイン電極との間にスリット状の部位を
形成するように設計した。すのこ状の電極９０２は、コ
ンタクト領域９０１に接続される。

【００３６】図１１は、通常の液晶表示装置の断面図で
ある。対向基板１１０１及びＴＦＴ基板１１０３の間に
は、液晶層１１０２が設けられる。対向基板１１０１
は、ガラス基板１１１１、カラーフィルタ１１１２、及
びＩＴＯ電極１１１３が順に積層される。ＴＦＴ基板１
１０３は、ガラス基板１１２４、絶縁層１１２３、絶縁
層１１２２、及びＩＴＯ電極１１２１が順に積層され
る。ゲート電極１１３１の上には、絶縁層１１２３を介
して、ソース電極１１３３及びドレイン電極１１３２が
形成される。ＩＴＯ電極１１２１は、ドレイン電極１１
３２に接続される。

【００３７】図１２（Ａ）、（Ｂ）は、カラーフィルタ
１２２３をＴＦＴ基板１２０３に設けた液晶表示装置を
示す。図１２（Ａ）は、液晶表示装置の平面図である。
図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図で
ある。対向基板１２０１及びＴＦＴ基板１２０３の間に
は、液晶層１２０２が設けられる。対向基板１２０１
は、ガラス基板１２１１及びＩＴＯ電極１２１２が積層
される。ＴＦＴ基板１２０３は、ガラス基板１２２６、
絶縁層１２２５、絶縁層１２２４、カラーフィルタ１２
２３、アクリル樹脂層１２２２、及びＩＴＯ電極１２２
１が順に積層される。ゲート電極１２３１の上には、絶
縁層１２２５を介して、ソース電極１２３３及びドレイ
ン電極１２３２が形成される。ＩＴＯ電極１２２１は、
ドレイン電極１２３２に接続される。

【００３８】カラーフィルタ１２２３がＴＦＴ基板１２
０３上にあるときには、電極のパターンを自由にレイア
ウトすることが出来る。図１１の構成では、データライ
ンからの横電界の影響によって輝度の低下が生じてしま
い、また、所望の角度とは異なる方位に液晶分子が傾く
ため、視角特性が悪いという問題が生じていた。これに
対して、図１２（Ｂ）に示すように、カラーフィルタ１
２２３がＴＦＴ基板１２０３にある場合には、データラ
インはカラーフィルタ１２２３の下部に隠れている。こ
こで、スリット電極として、隣の画素との間に生じる斜
め電界が配向不良の原因となる。そこで、逆に、隣の画
素も配向を改善することに用いる構成とした。図１３
（Ａ）に示すように、隣の画素の電極と、自画素との間
の間隙１３２１を、画素中のスリットの間隙１３２２と
同一とし、且つ、表示動作として、左右隣の画素と駆動
の位相を合わせた。具体的には、フレーム反転あるいは
ライン反転駆動を行った。この時には例えば全面グレー
の表示を行う時、自画素内の電界の分布と、画素間の電
界の分布とは全く同一である。そして、配向不良は全く
生じない。この場合には全面において配向は上下方向に
均一な配向となり、良好な視角特性と均一で明るい表示
を実現することが出来た。

【００３９】図１３（Ａ）は、６画素の領域に対応する
ＩＴＯ電極１３１１〜１３１６を示す。各ＩＴＯ電極１
３１１〜１３１６の左上には、ＴＦＴのドレイン電極に
接続するためのコンタクト領域１３０１が設けられる。
間隔１３２１は、各ＩＴＯ電極１３１１〜１３１６間の
間隔である。間隔１３２２は、各ＩＴＯ電極１３１１〜
１３１６内のすのこ状電極間の間隔である。間隔１３２
１及び１３２２は、同じである。

【００４０】図１３（Ｃ）は、ＴＦＴとの接続を得るた
めのコンタクトホール１３３１として、画素中央のすの
この連結部分に設けて開口率と配向の安定性を図った。

【００４１】図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）、（Ｃ）の
Ｉ−Ｉ線断面図である。ＴＦＴ基板１３４２において、
各ＩＴＯ電極１３１４〜１３１６の間の下には、データ
ライン１３４１が設けられる。

【００４２】本実施形態によれば、図１２（Ｂ）に示す
ように、一対の基板１２０１，１２０３が設けられる。
液晶層１２０２は、一対の基板１２０１，１２０３の間
に挟まれ、基板１２０１，１２０３間の電圧無印加時に
液晶分子が基板１２０１，１２０３に対して垂直配向
し、基板１２０１，１２０３間の電圧の印加によって基
板１２０１，１２０３に略平行となるように液晶分子が
複数の方位に倒れる（図１（Ａ）、（Ｂ）参照）。液晶
層１２０３は、図１（Ａ）に示すように、電圧印加時、
画面右方位を０度としたときに反時計周りに角度を定義
して、０〜１８０度方位に液晶分子が傾く領域１３１の
割合と、１８０〜３６０度方位に液晶分子が傾く領域１
３２の割合とが異なる。

【００４３】また、液晶層１２０３は、電圧印加時、画
面右方位を０度としたときに反時計周りに角度を定義し
て、図１（Ｂ）に示すように、４５度、１３５度方位に
液晶分子が傾く領域１４１，１４２の割合と、２２５
度、３１５度方位に液晶分子が傾く領域１４３，１４４
の割合とが異なる。液晶層１２０３は、４５度、１３５
度方位に液晶分子が傾く領域１４１，１４２の割合が全
体の４割以下が好ましい。

【００４４】図１（Ｂ）に示すように、画素電極は、幅
が１０μｍ以下、間隙が１０μｍ以下のすのこ状の画素
電極であり、ＴＦＴ基板１２０３（図１２（Ｂ））に設
けられる。液晶層１２０２は、画素電極により液晶分子
の配向方位が規制されて４方向に液晶分子が傾く。画素
電極は、すのこの伸びる方向が４５、１３５、２２５、
３１５度の形状を有し、液晶層１２０２は、液晶分子の
傾く４方向がそれぞれ４５，１３５，２２５，３１５度
である。

【００４５】薄膜トランジスタは、ゲート、ソース、ド
レインを含む。図９に示すように、画素電極は、薄膜ト
ランジスタのドレインに接続するためのコンタクト領域
９０１を有し、複数のすのこのうちの少なくとも一部９
０３とコンタクト領域９０１との間にスリットが設けら
れる。ゲートラインは、薄膜トランジスタのゲートに接
続される。画素電極は、複数のすのこのうちの最もゲー
トラインに近いすのこ９０２がコンタクト領域９０１に
接続される。

【００４６】図１３（Ａ）に示すように、画素電極は、
自己のすのこ状画素電極の間隙１３２２と隣接する画素
電極との間における間隙１３２１とが同一である。図１
２（Ａ）に示すように、薄膜トランジスタは、ＴＦＴ基
板１２０３において画素電極１２２１に接続される。カ
ラーフィルタ層１２２３は、ＴＦＴ基板１２０３に形成
される。

【００４７】以上説明したように、本実施形態により視
角特性の良好なディスプレイを実現することが出来た。

【００４８】（第２の実施形態）図１４及び図１５を参
照して、ＭＶＡ型液晶表示装置の問題点を説明する。図
１４はＭＶＡ型液晶表示装置を示している。ＴＦＴ基板
側のＩＴＯ画素電極１４０４にはスリット１４０５が設
けられており、対向基板のＩＴＯ電極上にはレジストを
用いて土手１４０１が形成されている。さらに、ＴＦＴ
基板上には、ゲートライン１４０２、データライン１４
０３及び補助容量形成用電極１４０６が形成される。画
素電極は、４つの領域１４１１〜１４１４に分割され
る。各領域１４１１〜１４１４の液晶分子は、それぞれ
図４（Ａ）の液晶分子Ａ１、Ｂ２、Ａ２、Ｂ１の向きに
配向される。ここで、ＴＮ型ディスプレイの構造と比較
すると対向基板のＩＴＯ電極上にレジストのパターンを
形成する必要があり、工程が増え、コストアップとなっ
ていた。

【００４９】図１５は、対向基板のＩＴＯ電極にスリッ
ト１５０４を設けた場合を示す。ＴＦＴ基板には、ゲー
トライン１５０１、データライン１５０２、補助容量形
成用電極１５０５、ＩＴＯ画素電極１５０３が形成され
る。黒矢印１５２１は、スリット電極１５０４による配
向規制の方向を示す。白矢印１５２２は、ゲートライン
１５０１及びデータライン１５０２による配向規制の方
向を示す。領域１５１１では、配向を規制する方向が２
方向以上あるために応答が遅くなる。

【００５０】さらに、この場合には、ＴＮ型ディスプレ
イと比較して、対向基板のＩＴＯ電極にスリット１５０
４を設ける必要性から、工程が増え、コストアップとな
る。また、対向基板にカラーフィルタが設けられている
場合、スリット１５０４の部位においてはカラーフィル
タ層がむき出しになっており、カラーフィルタ層からの
不純物の落出により信頼性が低下する問題が生じる。更
に、データライン１５０２あるいはゲートライン１５０
１による配向規制方位と、スリット電極１５０４による
配向規制方位とが４５度異なるため、配向が安定するた
めの時間がかかり、応答が遅いという問題が生じる。

【００５１】図１６は、本発明の実施形態による画素電
極のパターンを示す。ＴＦＴ基板には、ゲートライン１
６０１、データライン１６０２、微細スリット画素電極
１６２１，１６２２が形成される。

【００５２】黒矢印１６１２は、微細スリット画素電極
１６２１，１６２２による配向規制の方向を示す。白矢
印１６１１は、ゲートライン１６０１及びデータライン
１６０２による配向規制の方向を示す。

【００５３】データライン１６０２の近傍では横方向
（データラインに垂直）に微細スリット画素電極１６２
２を設ける。ゲートライン１６０１の近傍では縦方向
（ゲートラインに垂直）に微細スリット画素電極１６２
１を設ける。そして、これらの電極のつなぎ部分として
は画素中央に上下にＩＴＯ電極１６１３を伸ばし、デー
タライン１６０２とゲートライン１６０１との交差部に
向けてＩＴＯ電極１６２３を伸ばした。ＩＴＯ電極１６
２３が互いに交差する角度は４５度である。ＩＴＯ電極
１６１３は、背骨状に形成され、その上の液晶分子はゲ
ートライン１６０１の近傍の液晶分子の配向の影響で配
向方向が決まる。ここで、微細な電極１６２１，１６２
２の電極幅としては約３μｍ、電極１６２１，１６２２
の間のスリットの幅としても約３μｍとした。

【００５４】微細な電極１６２１，１６２２にあって
は、ＴＦＴ基板上の電極と対向基板上の電極との間に電
圧が印加された時に、液晶分子の倒れる方向は微細な電
極の伸びる方向と平行な方向になる。この作用を図１７
（Ａ）、（Ｂ）を用いて説明する。

【００５５】図１７（Ａ）は、画素電極パターンが粗い
場合を示す。対向基板１７０１及びＴＦＴ基板１７０３
の間に、液晶層１７０２が設けられる。対向基板１７０
１上には、全面にＩＴＯ透明電極が形成される。ＴＦＴ
基板１７０３上の電極パターン間隔は広い。領域１７１
１では、電極の間隔が広いので、電界の傾きにより、液
晶分子は倒れる。逆向きに倒れる領域との距離が離れて
いるため相互干渉はなく、図の左右方向に倒れる。

【００５６】図１７（Ｂ）は、ＴＦＴ基板１７０３上の
電極パターンが微細な場合を示す。領域１７２１では、
電極の間隙が狭いので、電界の傾きにより倒れようとす
る液晶分子がぶつかって倒れることが出来ない。ストレ
スから逃れるために電極と平行な方向（図では紙面に垂
直な方向）に液晶分子１７２２が倒れる。

【００５７】この原理を本実施形態は利用したものであ
って、図１６に示すように、データライン１６０２に垂
直に伸びる微細電極１６２２が存在する部分において
は、微細電極１６２２およびデータライン１６０２から
の横電界の影響で液晶分子は横方向に倒れる。ここで、
微細電極１６２２の配向規制方向とデータライン１６０
２からの横電界による配向規制方向とが一致するため素
直に液晶分子は倒れる。一方、ゲートライン１６０１と
垂直な方向に伸びる微細電極１６２１が存在する部分に
おいては、微細電極１６２１およびゲートライン１６０
１からの横電界の影響で液晶分子は縦方向に倒れる。こ
こで、微細電極１６２１の配向規制方向とゲートライン
１６０１からの横電界による配向規制方向とが一致する
ため素直に液晶分子は倒れる。

【００５８】このように液晶分子にかかる配向規制が素
直であるため、対向基板側には土手やスリットなどの特
殊な構造を設ける必要はない。

【００５９】図１６をより詳細に説明する。ゲートライ
ン１６０１とデータライン１６０２とで囲まれた画素領
域にＩＴＯ透明電極が設けられており、ＴＦＴにより表
示電圧が印加されている。ＩＴＯ電極は櫛歯状にパター
ニングされており、その櫛の方向はデータライン１６０
２近傍ではデータライン１６０２に垂直に、ゲートライ
ン１６０１近傍ではゲートライン１６０１に垂直に設定
されている。櫛の歯は画素の中央上下に伸びる電極１６
１３に繋がっており、この背骨の如き電極１６１３はデ
ータライン１６０２とゲートライン１６０１との交差部
に向かって伸び、Ｙ字の形を取る。このＹ字の手を広げ
ている角度としては、３０度から１２０度の間に設定し
た時に良好な配向を得ることが出来た。ここで、スリッ
ト電極のＩＴＯ電極の幅としては、３μｍから５μｍ、
スリットのＩＴＯ間隙部分の幅としては、２μｍから５
μｍに設定した。

【００６０】図１８にはこの手を広げる角度が約６０度
の場合を図示した。縦方向（ゲートライン１８０１に垂
直）に伸びる櫛歯状の電極１８２１の長さが長くなって
いる。この場合には、ゲートライン１８０１からの横電
界をより有効活用することが可能となっている。

【００６１】図１９（Ａ）〜（Ｃ）にＩＴＯ電極のパタ
ーンの拡大図を示す。図１９（Ａ）は最も単純な構成で
あって、櫛歯状のＩＴＯ電極の幅は一定である。領域１
９０２では図の左右方向に液晶分子が傾き、領域１９０
３では図の上下方向に液晶分子が傾き、領域１９０１で
は図の斜め４５度方向に液晶分子が傾く。

【００６２】図１９（Ｂ）においては、櫛歯状の電極の
方向を角度θ傾かせている。手を広げた背骨から上方向
に伸びる櫛歯状電極の伸びる方向を、上方位から腕を広
げた腕の方向に傾かせた。すなわち、櫛歯状電極１９２
２は、ゲートライン近傍の電極であり、背骨状電極１９
２１の長手方向に対して角度θ傾いている。また、櫛歯
状電極１９２３は、データライン近傍の電極であり、背
骨状電極１９２１の垂直方向に対して角度θ傾いてい
る。傾ける角度θとしては、１度から４５度まで変化さ
せた。

【００６３】領域１９１１では図の斜め４５度方向に液
晶分子が傾く。図１９（Ａ）の領域１９０２及び１９０
３の液晶分子の傾きは９０度異なる。図１９（Ｂ）の領
域１９１２及び１９１３の液晶分子の傾きの差は９０度
より小さくなるので、領域１９１１〜１９１３の間で液
晶分子の傾きがなだらかに変化する。

【００６４】図１９（Ｃ）は電極の形状を先細りにした
場合の構成を示す。ここで、先細りの電極１９３１，１
９３２の角度θとしては、１度から２０度程度に設定し
た。電極の形状を先細りする効果を説明する。図２０
（Ａ）は、微細電極２００１及び２００２が平行な場合
を示す。微細電極２００１近傍の液晶分子２００３と微
細電極２００２近傍の液晶分子２００４は傾きが１８０
度異なる。図２０（Ｂ）は、微細電極２０１１及び２０
１２の形状が先細りする場合を示す。微細電極２０１１
近傍の液晶分子２０１３と微細電極２０１２近傍の液晶
分子２０１４は傾きの違いが１８０度より小さい。液晶
分子２０１３〜２０１５は傾きがなだらかに変化する。

【００６５】図２１（Ａ）、（Ｂ）は補助容量形成用の
Ｃｓラインを活用する場合の構成を示す。図２１（Ａ）
は液晶表示装置の平面図である。Ｃｓライン２１０４か
らはゲートライン２１０２あるいはデータライン２１０
３と同様に横方向の電界が形成されている。この横電界
を積極的に配向に活用するものである。

【００６６】金属層２１０５は、図８（Ｂ）の金属層８
１１に相当し、ＩＴＯ画素電極２１０１に接続される。
ここで、図１６、図１８、図１９（Ａ）〜（Ｃ）に示し
た場合と同様に、櫛歯状の電極の櫛の先端を横電界の原
因となる電極（図１６、図１８、図１９（Ａ）〜（Ｃ）
ではデータラインあるいはゲートライン）に向かわせる
ことが重要である。

【００６７】図２１（Ａ）においては、櫛歯状の電極と
して、画素の上半分２１０１ａ、下半分２１０１ｂそれ
ぞれに櫛歯状の電極を上下左右に伸ばした。

【００６８】図２１（Ｂ）は、図２１（Ａ）の線２１０
６の断面図である。対向基板２１１１には、全面にＩＴ
Ｏ画素電極２１２１が形成される。ＴＦＴ基板２１１２
には、Ｃｓライン２１３４の上に絶縁膜２１３２を介し
て金属層２１３３が形成される。金属層２１３３とＩＴ
Ｏ画素電極２１３１は接続されている。Ｃｓライン２１
３４は図２１（Ａ）のＣｓライン２１０４に相当し、金
属層２１３３は図２１（Ａ）の金属層２１０５に相当す
る。上記のように、Ｃｓライン２１３４から生じる斜め
電界１３４１を積極的に配向に活用することができる。

【００６９】なお、図２２に示すように、領域２１０１
ａ及び２１０１ｂにおいてそれぞれＩＴＯ画素電極２１
０１に背骨領域を設けてもよい。

【００７０】図２３（Ａ）は、画素電極２３０１を右
上、左上、左下、右下に伸ばした例を示す。ＴＦＴ基板
には、画素電極２３０１の他、ゲートライン２３０２、
データライン２３０３及びＣｓライン２３０４が形成さ
れる。画素電極２３０１は、Ｃｓライン２３０４に平行
な電極２３０５を含む。

【００７１】図２３（Ｂ）は、Ｃｓライン２３０４を積
極的に活用する構成を示す。画素電極２３１１におい
て、異なる配向の領域２３１１ａ，２３１１ｂが、各画
素の上半分下半分に十字に形成されている。領域２３１
１ａ及び２３１１ｂは、画素電極２３１２で接続されて
いる。

【００７２】図２１（Ａ）において、Ｃｓライン２１０
４を跨いでＴＦＴからの電圧を伝達するための透明電極
が設けられている。ここで、ＩＴＯ透明電極２１０１は
Ｃｓライン２１０４の上ではＣｓライン２１０４上に伸
ばして設定した。これにより、補助容量を実現した。

【００７３】図２４は、上記の液晶パネルを一対のλ
（波長）／４板で挟む構成を示す。液晶パネル２４０３
をλ／４板２４０２及び２４０４で挟み、さらにその両
側を偏光板２４０１及び２４０５で挟む。偏光板２４０
１の吸収軸２４１１は、図の水平方向に対して４５度ず
れている。λ／４板２４０２の光軸２４１２は、図の水
平方向に対して９０度ずれている。λ／４板２４０４の
光軸２４１４は、図の水平方向と同じ方向である。偏光
板２４０５の吸収軸２４１５は、図の水平方向に対して
１３５度ずれている。偏光板２４０１，２４０５は、そ
れぞれ吸収軸２４１１，２４１５の光成分を吸収する。
λ／４板２４０２，２４０４は、直線偏光と円偏光との
間の変換を行って出力する。液晶パネル２４０３を一対
のλ／４板２４０２，２４０４で挟むことにより輝度が
向上する。

【００７４】図２５（Ａ）は、図２３（Ｂ）と同じ構成
であり、上半分の画素領域２３１１ａの透過光量分布を
図２５（Ｂ）、（Ｃ）に示す。図２５（Ｂ）は、λ／４
板がない場合の分布であり、画素に十字の黒い領域が生
じてしまう。これは液晶分子が偏光板の光軸に垂直ある
いは平行な方向に傾いてしまうためである。図２５
（Ｃ）は、図２４に示すように、λ／４板２４０２，２
４０４を適用した場合の分布であり、黒い領域は画素の
中央部のみとなり、明るい表示が実現される。

【００７５】本実施形態によれば、図１６に示すよう
に、画素電極は、櫛歯状あるいはスリット状の画素電極
であって、該櫛歯の方向がゲートライン１６０１近傍で
は該ゲートラインに向かって伸びており、データライン
１６０２近傍では該データラインに向かって伸びてい
る。

【００７６】図２１（Ａ）に示すように、ＣＳライン
（補助容量形成用電極ライン）２１０４は、画素の中央
の左右方向に延びる。画素電極は、補助容量形成用電極
ライン２１０４を境にして上下に分かれて形成され、補
助容量形成用電極ライン２１０４近傍では該補助容量形
成用電極ラインに重なるように該補助容量形成用電極ラ
インと同じ方向に向かって伸びる。

【００７７】また、図１６に示すように、画素電極は、
画素の中央に背骨状に上下方向に電極１６１３が形成さ
れていて、ゲートライン１６０１に向かう櫛歯状の電極
１６２１とデータライン１６０２に向かう櫛歯状の電極
１６２２とに繋がる電極部１６２３が該背骨状の電極１
６１３から四方に伸びてＹ字の腕状になる。

【００７８】図２１（Ａ）に示すように、画素電極は、
櫛歯の方向が補助容量形成用電極ライン２１０４近傍で
は該補助容量形成用電極ラインに向かって伸びる。その
画素電極は、補助容量形成用電極ライン２１０４に向か
う櫛歯状電極とデータライン２１０３に向かう櫛歯状電
極とを繋げるＹ字の腕状の電極と、ゲートライン２１０
２に向かう櫛歯状電極とデータライン２１０３に向かう
櫛歯状電極とを繋げるＹ字の腕状の電極とを有する。

【００７９】上記のＹ字の腕状の電極の腕がなす角度
は、３０度以上１５０度以下が好ましい。また、図１９
（Ｂ）に示すように、画素電極は、ゲートラインに向か
って伸びている櫛歯状の電極１９２２の伸びる方向とし
て、データライン近傍では該データラインに向かって傾
いて伸び、データラインに向かって伸びている櫛歯状の
電極１９２３の伸びる方向として、ゲートライン近傍で
は該ゲートラインに向かって傾いて伸びている。また、
図１９（Ｃ）に示すように、画素電極は、櫛歯の形状と
して、歯の先端部分がより狭くあるいは細くなってい
る。

【００８０】図２１（Ａ）に示すように、画素電極は、
補助容量形成用電極ライン２１０４を跨いで薄膜トラン
ジスタのドレインからの電圧を伝達するために設けられ
ている電極が、補助容量形成用電極ライン２１０４近傍
で該補助容量形成用電極ラインに重なるように同じ方向
に伸びている。また、図２４に示すように、一対の直交
する１／４波長板２４０２，２４０４は、液晶パネル
（液晶層を挟んだ一対の基板）２４０３を挟んでいる。

【００８１】以上説明したように、本実施形態を用いる
ことにより、明るい表示を実現できるとともに、視野角
の広い液晶ディスプレイを実現することが出来た。

【００８２】（第３の実施形態）ＭＶＡ型液晶表示装置
の視角特性をより改善するために、図２６に示すような
フィルム構成が提案されている。液晶層２６０５は、一
対の面内位相差を有する位相差フィルム２６０４，２６
０６で挟まれる。さらに、その両側が一対の負の位相差
フィルム２６０３，２６０７で挟まれる。さらに、その
両側が一対の偏光子２６０２，２６０８で挟まれる。さ
らに、その両側が一対の保護層２６０１，２６０９で挟
まれる。偏光子２６０２の吸収軸２６１２と偏光子２６
０８の吸収軸２６１８は、９０度ずれている。位相差フ
ィルム２６０４の光軸２６１４と位相差フィルム２６０
６の光軸２６１６は、９０度ずれている。偏光子２６０
２の吸収軸２６１２と位相差フィルム２６０４の光軸２
６１４は、９０度ずれている。視角特性としては、コン
トラスト１０以上の範囲は傾き角度にして全方位にて±
８０度以上が実現されている。しかしながら、輝度を向
上させることは出来ない。

【００８３】一方、輝度を向上させるための技術とし
て、図２７に示すような円偏光板を用いた技術が提案さ
れている。液晶パネル２７０６は、２枚の基板の間に液
晶層を挟んだものであり、一対のトリアセチルセルロー
ス（ＴＡＣ）２７０５，２７０７で挟まれる。さらに、
その両側が一対のλ／４フィルム２７０４，２７０８で
挟まれる。さらに、その両側が一対のＴＡＣ２７０３，
２７０９で挟まれる。さらに、その両側が一対のポリビ
ニールアルコール（ＰＶＡ）偏光層２７０２，２７１０
で挟まれる。さらに、その両側が一対のＴＡＣ２７０
１，２７１１で挟まれる。

【００８４】偏光層２７０２の吸収軸２７２２は、図の
水平方向に対して９０度ずれている。λ／４フィルム２
７０４の光軸２７２４は、図の水平方向に対して４５度
ずれている。λ／４フィルム２７０８の光軸２７２８
は、図の水平方向に対して１３５度ずれている。偏光層
２７１０の吸収軸２７３０は、図の水平方向と同じ方向
である。

【００８５】この構成によれば、輝度は２割から５割向
上するものの、図２６に示した構成で実現される視角特
性を得ることは出来ない。上下左右のコントラスト１０
以上の範囲は±８０度あるものの、斜め４５度方位では
±５０度に留まっている。

【００８６】本発明の実施形態は図２６及び図２７の二
つの特性を併せ持つ構成を有するものである。図２８
（Ａ）は、本実施形態の中の最も単純な原理構成を示す
ものである。λ（波長）／２板２８０２は、一対の偏光
層２８０１，２８０３で挟まれている。偏光層２８０１
の吸収軸２８１１は、図の水平方向と同じ方向である。
λ／２板２８０２の光軸２８１２も、図の水平方向と同
じ方向である。偏光層２８０３の吸収軸２８１３は、図
の水平方向に対して９０度ずれている。λ／２板２８０
２は、入射した直線偏光を９０度回転させた直線偏光の
光に変換して出射する。

【００８７】偏光層２８０１，２８０３は、ＰＶＡ偏光
層を指し、一般に偏光板にはＰＶＡ偏光層の両側にトリ
アセチルセルロース（ＴＡＣ）のフィルムが設けられて
いるが、このＴＡＣフィルムのない状態を指している。
一対の偏光層２８０１，２８０３の間に二分の一波長板
２８０２が設けられており、この二分の一波長板２８０
２のフィルムに対して垂直な方向の位相差（（ｎｘ＋ｎ
ｙ）／２−ｎｚ）×ｄはゼロである。ここで、ｎｘ、ｎ
ｙ、ｎｚは、各方向の屈折率であり、ｄは厚さである。
この二分の一波長位相差板２８０２の光軸２８１２は、
近接する偏光層２８０１，２８０３の吸収軸２８１１，
２８１３に平行あるいは垂直である。この場合の漏れ光
の様子を図２８（Ｂ）に示しているが、全方位に渡って
漏れ光がほとんどないことが分かる。

【００８８】液晶パネル全体の構成が実質的にこの構成
と同一となるようにした。即ち、この構成に対して光学
フィルム、液晶層が積層される訳だが、それらは互いに
打ち消されて実質的になにもないのと同じとなり、結
果、図２８（Ａ）と実質的に同一になるように構成し
た。

【００８９】図２９（Ａ）は一対の四分の一波長フィル
ム２９０１，２９０２を、その光軸２９１１，２９１２
が直交するように積層した場合を示す。四分の一波長フ
ィルム２９０１，２９０２は、二分の一波長板２８０２
と偏光層２８０３の間に挿入される。ここで、四分の一
波長板２９０１，２９０２の光軸２９１１，２９１２の
方位は偏光層２８０１，２８０３の吸収軸２８１１，２
８１３と４５度の角度をなすように設定した。四分の一
波長板２９０１，２９０２の負の位相差もゼロに設定し
た。四分の一波長板２９０１，２９０２は、直線偏光と
円偏光との間の変換を行う。この場合の漏れ光の様子を
図２９（Ｂ）に示しているが、全方位に渡って漏れ光が
非常に小さいことが分かる。

【００９０】図３０（Ａ）には、更に、垂直配向し得る
液晶層３００１と、フィルム面に垂直な方向にのみ負の
位相差 （（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）×ｄ＜０ を有するフィルム３００２とを積層した。垂直配向した
液晶層３００１は液晶層３００１に垂直な方向にのみ正
の位相差液晶の屈折率異方性 Δｎ×セル厚ｄ＞０ を有している。ここで、上記フィルム３００２の負の位
相差と液晶層３００１の正の位相差とを同一に設定して
完全に光学的に打ち消しあうようにした。Δｎはｎ//−
ｎ⊥であり、ｎ//は液晶分子の長手方向の屈折率であ
り、ｎ⊥は液晶分子の長手方向に対して垂直方向の屈折
率である。

【００９１】液晶層３００１及びフィルム３００２の積
層は、一対のλ／４板２９０１，２９０２の間に挿入さ
れる。フィルム３００２のΔｎ×ｄは、液晶層３００１
のものと同じである。フィルム３００２のΔｎはｎｘ−
ｎｚである。

【００９２】図２８（Ａ）の構成を採用した場合、どの
方位からみてもクロスニコルの偏光層２８０１，２８０
３からの光の漏れは非常に小さいものになっている訳だ
がその作用について述べる。クロスニコルの偏光層２８
０１，２８０３を斜めから観察する場合を考える。偏光
層２８０１，２８０３の吸収軸２８１１，２８１３は正
面から見た場合には直交している。斜めから見た場合、
図２８（Ａ）のａ方向からでは、偏光層２８０１，２８
０３の吸収軸２８１１，２８１３は依然として直交して
おり光は漏れない。これに対して図２８（Ａ）のｂ方向
から見た場合には、偏光層２８０１，２８０３の吸収軸
２８１１，２８１３は直交していない。これは、例えば
２本の鉛筆を直交させておき、これをｂのような方向か
ら観察すればよく分かる。このようなｂ方向にあっても
入射した光の偏光状態を変化させて光を漏れないように
するのが図２８（Ａ）の二分の一波長板２８０２の作用
である。ａ方向から観察する場合を考えつつ正面から観
察した場合の偏光層２８０１，２８０３の吸収軸２８１
１，２８１３の角度は、入射側が左上方向、出射側が右
上方向、二分の一位相差板２８０２の光軸２８１２は右
上方向である。ここでｂ方向で傾き角がついてくると、
入射側は左上からより左方向に吸収軸がずれ、出射側の
吸収軸は右上からより右方向に吸収軸がずれる。ところ
が、負の位相差が０の二分の一波長板２８０２の光軸は
左上方位から動かない。このため、入射した光の偏光方
向と二分の一位相差板２８０２とはｂ方位にてある角度
をなす。そして、二分の一の波長の位相差を有するた
め、入射光の偏光方向は回転されるが、直線偏光となっ
て位相差板２８０２を出射する。そして、その出射する
光の偏光方向は出射側の偏光層の吸収軸方向と一致して
いて、完全に吸収される。このため、図２８（Ｂ）に示
すようにどの方位から観察しても漏れ光は殆ど無い。

【００９３】次に、図２９（Ａ）で採用した直交するλ
／４板２９０１，２９０２についてその作用を述べる。
先に二分の一波長位相差板２８０２について説明した時
に述べたように、フィルム面に垂直な方向の位相差が０
のため、光軸の方向は、観察する傾き角をつけた場合に
も不変である。よって、正面において光軸が互いに直交
するλ／４板２９０１，２９０２の光軸２９１１，２９
１２は、どの方位、傾き角から観察した場合においても
直交する。このため、λ／４板２９０１，２９０２とし
ての効果は相殺されて何もないのと同じになる。

【００９４】次に、図３０（Ａ）の液晶層３００１と積
層された負の位相差を有するフィルム３００２の作用に
ついて述べる。ここで、垂直配向した液晶層３００１の
持つ正の位相差とフィルム３００２の負の位相差とは同
一である。このような関係にある二つの層の光学的な効
果は完全に相殺され、ないのと同じになる。このため、
液晶ディスプレイとしての黒表示はどこから見ても黒
い。図３０（Ａ）においては、画素内が大きく４種類に
分かれていて電圧の印加とともに右上、左上、左下、右
下方位に液晶が傾くような液晶パネルについて示してい
る。図３０（Ｂ）に示すように、全ての方位において、
コントラストは１０以上が実現されていることが分か
る。

【００９５】λ／４板２９０１，２９０２は光軸２９１
１，２９１２が互いに直交し、偏光層２８０１，２８０
３の吸収軸２８１１，２８１３とは４５度の方向に設定
されているが、この構成は所謂円偏光板に相当する。偏
光層を通過した直線偏光を円偏光にする働きをする。こ
こまでの説明では、各フィルム、垂直配向した液晶層は
互いに相殺されて光学的な効果はなかったが、電圧が液
晶層３００１に印加されたときには状況は一変する。す
なわち、光学的な効果を液晶層３００１がもつことで白
表示が実現される。そして４分の一波長の位相差板２９
０１，２９０２は、正面視角においては、上記の説明に
て述べたように、白表示の輝度が向上する。

【００９６】まず二分の一波長位相差板２８０２、４分
の一波長位相差板２９０１，２９０２はポリカーボネイ
トフィルムあるいはノルボルネン系フィルムを延伸する
ことにより実現した。延伸の仕方としては、面内に伸ば
すとともに垂直方向にも応力がかかるように引いた。

【００９７】ここで、二分の一波長位相差板２８０２と
しては、４分の一波長位相差板を二枚重ねることによっ
ても実現した。このようなフィルムとしては、日東電工
株式会社からＮＺフィルムの名称で、住友化学工業株式
会社からＳＺフィルムの名称で市販されている。

【００９８】負の位相差を有するフィルム３００２とし
ては、ポリカーボネートあるいはノルボルネン系フィル
ムを二方向に延伸するか、あるいは、光学的効果のない
フィルム上に樹脂をコートすることにより実現した。こ
のようなフィルムも日東電工株式会社から市販されてお
り、また、住友化学工業株式会社からはＶＡＣフィルム
の名称で市販されている。

【００９９】液晶パネル３００１としては、富士通株式
会社より市販されているＭＶＡ型液晶パネルを用いた。
その配向方向としては、一つの画素は大きく４種類の領
域に分割されていて、それぞれ液晶分子は電圧の印加に
より右上、左上、左下、右下方位に傾く。

【０１００】偏光板２８０１，２８０３については、通
常偏光板の保持材としてトリアセチルセルロース（ＴＡ
Ｃ）フィルムが用いられているが、偏光層２８０１，２
８０３と液晶層３００１との間にこのＴＡＣフィルムが
存在するとその光学的な効果が悪影響を及ぼしてしま
う。このため、フィルムの積層に際しては、この保持材
は片側のみに用い、液晶層側には設定しないこととし
た。実際このような、ＴＡＣフィルムを偏光層の片側の
みに設けた偏光板は、例えば住友化学工業株式会社から
ウルトラスィン偏光板（Ｕｌｔｒａ−Ｔｈｉｎ−Ｐｏｌ
ａｒｉｚｅｒ）として市販されている。この偏光板に光
学フィルムを積層することにより図３０（Ａ）に示すフ
ィルム構成を実現した。

【０１０１】以上のフィルム、液晶層を図３０（Ａ）に
示すように積層した場合の視角特性の計算例が図３０
（Ｂ）である。図３０（Ａ）の構成にあっては、その視
角特性は図３０（Ｂ）のようになるが、コントラストが
特に高い方位は図３０（Ｂ）より明らかなように右上、
左上、左下、右下方位となっている。上下左右の視角方
位の視角の広いことが特に求められており、これに対応
したのが図３１（Ａ）の構成である。ここでは、偏光層
の吸収軸の方向、フィルムの光軸の方向を図３０（Ａ）
から４５度回転させた。この時の視角特性の計算結果が
図３１（Ｂ）である。コントラストは全方位にて１０以
上あり、更に、視角特性が上下対称、左右対称で、上下
左右の視角範囲が特に広くなっている。これにより、明
るく且つ視野角特性としても申し分のない表示を実現す
ることが出来る。

【０１０２】試作した液晶パネルの視角特性の実測値を
図３２に示す。フィルムの特性が完全ではないため、計
算とは異なった特性になってはいるが、広い視野角を得
ることが出来た。また、同時に、正面の白の表示輝度
は、フィルムを適用しない場合に比べて２割向上させる
ことが出来た。

【０１０３】ここまでの説明では、図２８（Ａ）のλ／
２板２８０２を前提に説明したが、一対の特殊なλ／２
板を積層したものを用いるとより良好な視角特性が得ら
れる。この配置については東北大学よりＳＩＤ００にて
報告されている。

【０１０４】二分の一波長の位相差を有するフィルムが
二枚積層されていて、そのフィルム面に垂直な方位の屈
折率をｎｚ、フィルムの光軸に平行な方向の屈折率をｎ
ｘ、フィルムの光軸に垂直なフィルム面内方向の屈折率
をｎｙとして、Ｎｚ係数＝（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎ
ｙ）が０．２５のフィルムと０．７５のフィルムとを、
光軸を平行にして積層し、近接する偏光層の吸収軸に対
してフィルムの遅相軸を平行あるいは垂直に設定する。
この配置を図２８（Ａ）の代わりに適用し、以下、図２
９（Ａ）、図３０（Ａ）、図３１（Ａ）のようにフィル
ムや液晶層を配置した。

【０１０５】さらには、二枚のフィルムの（ｎｘ−ｎ
ｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）の値がそれぞれ０．５以下と０．
５以上とであり、望ましくは０．２５と０．７５、ある
いは、０．１５と０．８５の如く和が約１であれば同様
の良好な漏れ光特性が得られる。

【０１０６】以上述べてきたフィルムの負の位相差であ
るが、λ／２板、λ／４板にて負の位相差を完全に０と
するのは製造として困難である。この負の位相差の範囲
として、各々±２０ｎｍ以下、望ましくは±１０ｎｍ以
下であれば良好な視野角特性が得られることが分かっ
た。

【０１０７】本実施形態によれば、図３１（Ａ）に示す
ように、１／２波長板２８０２は、１／２波長の位相差
を有するフィルムが積層されていてそのフィルム面に垂
直な方向の位相差（（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）×ｄ
（フィルム面に垂直な方位の屈折率をｎｚ、フィルムの
光軸に平行な方向の屈折率をｎｘ、フィルムの光軸に垂
直なフィルム面内方向の屈折率をｎｙ、フィルムの膜厚
をｄとする）が０あるいは±２０ｎｍ以下であり、フィ
ルムの光軸は近接する偏光層２８０１の吸収軸に平行あ
るいは垂直である。

【０１０８】また、１／２波長板２８０２は、１／２波
長の位相差を有するフィルムが二枚積層されていて、そ
のフィルム面に垂直な方位の屈折率をｎｚ、フィルムの
光軸に平行な方向の屈折率をｎｘ、フィルムの光軸に垂
直なフィルム面内方向の屈折率をｎｙとして、二枚のフ
ィルムの（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）の値がそれぞ
れ０．５以下と０．５以上とであり、二枚のフィルムの
光軸は平行であり、近接する偏光層２８０１の吸収軸に
平行あるいは垂直であってもよい。

【０１０９】フィルム３００２は、液晶層３００１のΔ
ｎ×ｄ（Δｎはｎ//−ｎ⊥であり、ｎ//は液晶分子の長
手方向の屈折率であり、ｎ⊥は液晶分子の長手方向に対
して垂直方向の屈折率であり、ｄは厚さである）と同一
の大きさの負の位相差を有し、液晶層３００１に近接し
て設けられている。

【０１１０】一対の１／４波長板２９０１，２９０２
は、負の位相差が０あるいは±１０ｎｍ以下であり、液
晶層３００１とフィルム３００２とを挟むように設けら
れる。一対の１／４波長板２９０１，２９０２の光軸は
互いに直交しており、且つ、一対の偏光層２８０１，２
８０３の吸収軸と４５度の角度をなす。光入射側の偏光
層の吸収軸の方位が、画面右側を０度として、０度、４
５度、９０度、１３５度のいずれかに設定されている。

【０１１１】図３１（Ａ）に示すように、図３０（Ａ）
の光入射側の偏光層、光出射側の偏光層、１／４波長
板、１／２波長板の光軸の関係を保ちつつ、コントラス
トが最大となる方位が上下左右方位となるように、偏光
層の吸収軸の方位を調整する。

【０１１２】液晶層３００１は、電圧無印加状態で液晶
分子が垂直配向し、電圧印加状態にて液晶分子が画素の
中で大きく２種類以上の方向に傾く配向をなす。好まし
くは、液晶層３００１は、電圧印加状態にて液晶分子が
画素の中で大きく４種類、右上、左上、左下、右下方位
に傾き、電極に設けたスリット及び／又は電極上に設け
た突起物（土手）を用いて液晶の配向を制御する。

【０１１３】以上説明したように、本実施形態を用いる
ことにより、明るく且つ視野角の広い液晶ディスプレイ
を実現することが出来た。

【０１１４】（第４の実施形態）ＭＶＡ型液晶表示装置
の視角特性をより改善するために、図３３に示すような
フィルム構成が提案されている。液晶層３３０４は、一
対の面内位相差を有する位相差フィルム３３０３，３３
０５で挟まれる。さらに、その両側が一対の負の位相差
フィルム３３０２，３３０６で挟まれる。さらに、その
両側が一対の偏光板３３０１，３３０７で挟まれる。偏
光板３３０１の吸収軸３３１１と偏光板３３０７の吸収
軸３３１７は、９０度ずれている。位相差フィルム３３
０３の光軸３３１３と位相差フィルム３３０５の光軸３
３１５は、９０度ずれている。偏光板３３０１の吸収軸
３３１１と位相差フィルム３３０３の光軸３３１３は、
９０度ずれている。

【０１１５】視角特性としては、コントラスト１０以上
の範囲は傾き角度にして全方位にて±８０度以上が実現
されている。しかしながら、フィルムが二枚使用されて
おり、また、フィルムの屈折率として ｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚ の関係にある特殊なフィルムが使われることがあった。

【０１１６】図３４に示すように、本発明の実施形態
は、このような特殊なフィルムを用いることなく良好な
視野角特性を有するディスプレイを実現するものであ
る。本実施形態では、偏光板３４０１，３４０４に追加
するフィルムとして、一枚のみのフィルム３４０２と
し、フィルム３４０２の屈折率も ｎｘ＞ｎｚ＞＝ｎｙ の関係にあるフィルムを用いる。

【０１１７】偏光板３４０１，３４０４としては、偏光
板全体の厚みを１００ミクロン以上とした。一方、フィ
ルムの面内位相差（ｎｘ−ｎｙ）×ｄは４０ｎｍ以上１
４０ｎｍ以下（好ましくは４０ｎｍ以上１３０ｎｍ以
下）に設定した。

【０１１８】液晶層３４０３が垂直配向した時の位相差
を ＲＬＣ＝（ｎ//−ｎ⊥）×ｄ とする。

【０１１９】偏光板３４０１，３４０４の保護フィルム
の層の負の位相差、面内位相差を有するフィルム３４０
２の負の位相差、その他負の位相差を有する層の負の位
相差の和を Ｒｎｅｇａｔｏｔａｌ とする時、 ２０ｎｍ ＜ ＲＬＣ−Ｒｎｅｇａｔｏｔａｌ ＜ １
５０ｎｍ に設定した。これにより、全視角方位にて、コントラス
ト１０以上を確保できる傾き角として±７０度以上を実
現することが出来た。

【０１２０】面内位相差を有するフィルム３４０２の面
内位相差は、偏光の偏光方向を回転させる働きを行う。
層に垂直な方向に負の位相差を有するフィルムは液晶層
３４０３の正の位相差を打ち消す働きをする。そして、
完全に打ち消したわけではない差としての正の位相差 ＲＬＣ−Ｒｎｅｇａｔｏｔａｌ は、偏光を直線偏光から楕円偏光とし、その楕円率を調
整する働きを有する。また、楕円偏光の偏光の回転方向
を変化させる作用を行う。

【０１２１】フィルム３４０２の屈折率として ｎｘ＞ｎｚ＞＝ｎｙ の関係にあるフィルムとしては、ノルボルネン系の樹脂
フィルムを一方向に延伸して実現した。

【０１２２】偏光板３４０１，３４０４の厚みの厚い偏
光板は従来より用いられており、トリアセチルセルロー
ス製の保護フィルムを有し、その厚さが１００μｍ以上
のものを用いた。

【０１２３】位相差フィルム３４０２及び液晶層３４０
４は一対の偏光板３４０１，３４０４で挟まれる。偏光
板３４０１の吸収軸３４１１と近接する位相差フィルム
３４０２の光軸３４１２とを直交させた。偏光板３４０
１の吸収軸３４１１と偏光板３４０４の吸収軸３４１４
は直交している。

【０１２４】図３５では、面内位相差が４０から１３０
ｎｍ（望ましくは６０から１１０ｎｍ）のフィルム３５
０３を偏光板３５１０の保護フィルムとして用いる構成
をとった。偏光板３５１０は、保護フィルム３５０１、
偏光層３５０２、位相差フィルム兼保護フィルム３５０
３の積層により構成される。液晶層３５０４は、偏光板
３５１０及び３５０５で挟まれる。偏光層３５０２、位
相差フィルム兼保護フィルム３５０３、液晶層３５０
４、偏光板３５０５は、それぞれ図３４の偏光板３４０
１、位相差フィルム３４０２、液晶層３４０３、偏光板
３４０４に相当する。

【０１２５】位相差フィルム３５０３が偏光板３５１０
の保護フィルムを兼ねるため、全体の使用されるフィル
ムの数が少なくなり、コストを下げることが出来る。こ
のフィルムの負の位相差も上記に記した位相差の関係を
満たすように調整した。

【０１２６】負の位相差を有するフィルムとしては、例
えばノルボルネン系の樹脂を二方向以上に延伸して実現
した。

【０１２７】図３６は一般化した構成であり、図３５の
下側の偏光板３５０５を変えた。偏光板３５０５の代わ
りに偏光板３６１０を用いる。偏光板３６１０は、フィ
ルム３６０１、偏光層３６０２、保護フィルム３６０３
を積層することにより構成される。偏光層３６０２の吸
収軸３６１２は、図３５の偏光板３５０５の吸収軸３５
１５と同じ向きである。

【０１２８】フィルム３６０１については、面内位相差
を有することも可能である。その場合、光軸は近接する
偏光層３６０２の吸収軸３６１２に垂直に設定した。ま
た、フィルム３６０１の面内位相差をほぼゼロにするこ
とも可能である。また、面内位相差がなく負の位相差の
みを有するフィルムを使用することも可能である。

【０１２９】本実施形態によれば、図３４において、液
晶層３４０３は、液晶分子が垂直配向しうる。位相差フ
ィルム３４０２は、面内に位相差のある位相差フィルム
であって、近接する偏光層３４１１の吸収軸にその光軸
が垂直になるように設けられ、その屈折率はｎｘ＞ｎｚ
＞＝ｎｙ（ｎｘは光軸方向の屈折率、ｎｙはｎｘに垂直
な面内方向の屈折率、ｎｚは面に鉛直な方向の屈折率）
の関係にある。第１の偏光板３４０１は、厚みが１００
ミクロン以上の保護フィルムを設けている。位相差フィ
ルム３４０２は、面内位相差（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ（ｄは
厚さ）が４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下であり、好ましく
は４０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下である。

【０１３０】液晶層３４０３は、液晶分子が垂直配向し
た時の位相差ＲＬＣ＝（ｎ//−ｎ⊥）×ｄ（ｎ//は液晶
分子の長手方向の屈折率であり、ｎ⊥は液晶分子の長手
方向に対して垂直方向の屈折率であり、ｄは厚さであ
る）を有し、偏光板３４０１の保護フィルムの負の位相
差、位相差フィルム３４０２の負の位相差、及びその他
負の位相差を有する層を付与した場合にはその負の位相
差の和をＲｎｅｇａｔｏｔａｌとする時、２０ｎｍ ＜
ＲＬＣ−Ｒｎｅｇａｔｏｔａｌ ＜ １５０ｎｍの関
係を有する。偏光板３４１１は、トリアセチルセルロー
ス、ノルボルネン系樹脂、又はポリカーボネートの保護
フィルムを含む。

【０１３１】図３５において、偏光板３５１０は、面内
位相差を有する保護フィルム３５０３を含む。保護フィ
ルム３５０３の光軸が偏光層３５０２の吸収軸に対して
垂直になるように設けられる。保護フィルム３５０３の
面内位相差（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ（ｎｘは光軸方向の屈折
率、ｎｙはｎｘに垂直な面内方向の屈折率、ｄは厚さ）
が４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下（好ましくは４０ｎｍ以
上１３０ｎｍ以下）、保護フィルムが２枚のときは２枚
の面内位相差の和が４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下（好ま
しくは４０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下）に設定してなる。

【０１３２】液晶層３５０４は、液晶分子が垂直配向し
た時の位相差ＲＬＣ＝（ｎ//−ｎ⊥）×ｄを有し、保護
フィルム３５０３の負の位相差及びその他負の位相差を
有する層を付与した場合にはその負の位相差の和をＲｎ
ｅｇａｔｏｔａｌとする時、２０ｎｍ ＜ ＲＬＣ−Ｒ
ｎｅｇａｔｏｔａｌ ＜ １５０ｎｍの関係を有する。

【０１３３】以上説明したように、本実施形態を用いる
ことにより、明るく且つ視野角の広い液晶ディスプレイ
を実現することが出来た。

【０１３４】（第５の実施形態）広視野角を実現するた
め、ＭＶＡ型液晶表示装置は、電圧が印加されていない
時には垂直に配向しており、電圧が印加されると、４つ
の領域に分かれて、それぞれ４方向に傾く。各領域の視
角特性が混ざる結果、広い視野角が得られる。このよう
な場合、配向領域の境が黒くなるため、白の表示輝度が
高くないという問題が生じていた。そこで、二分割に限
定して、明るい表示を実現する手法が検討されている。

【０１３５】図３７に、２分割の液晶表示装置の配向の
仕方の例を示す。ＴＦＴ基板には、ゲートライン３７０
１、データライン３７０２、Ｃｓライン３７０３及びＩ
ＴＯ画素電極３７０４が形成される。太い矢印３７１１
及び３７１２で示すように、画素中央を走るＣｓ用のラ
イン３７０３と、ゲートライン３７０１とで配向を分割
する形になっている。配向の境界は、ゲートライン３７
０１及びＣｓライン３７０３により隠れる。このような
２分割ディスプレイでは、４分割型に比べて視野角が狭
いという問題がある。特に、斜め視角での色付きが問題
となる。

【０１３６】図３８（Ａ）に、その方位などを示す。矢
印３７１１及び３７１２に示すように、液晶分子が図の
上下方向に倒れるように分割して配向させた場合を例に
とる。アナライザ（偏光板）の吸収軸３８１１及びポラ
ライザ（偏光板）の吸収軸３８１２は直交して、図３８
（Ａ）の向きに設けられる。このディスプレイにおい
て、電圧無印加では液晶分子は垂直配向しており、表示
は黒表示となっている。一方、電圧が印加されると、液
晶分子は図の上下方向に傾き、液晶の複屈折により光が
透過してきて白表示となる。

【０１３７】ここで、観察者３８０１がこのディスプレ
イを上下方向から観察した場合を説明する。図３８
（Ｂ）は、図３８（Ａ）を左右方向から見た断面図であ
る。液晶分子３８２１の長さ３８２２は、観察者３８０
１から見ると短く見える。このため、液晶の実質的な複
屈折が小さくなり、白表示は多少暗くなるか、あるいは
青味がかる程度である。

【０１３８】一方、図３８（Ａ）において、観察者３８
０２がこのディスプレイを左右方向から観察した場合を
説明する。図３８（Ｃ）は、図３８（Ａ）を上下方向か
ら見た断面図である。観察者３８０２が見る液晶層の光
路３８２２は、液晶層を正面から観察したときの光路３
８３３よりも長くなる。この場合、液晶自体の複屈折は
変わらないが、光路が長くなるため液晶層としての複屈
折が大きくなる。このため、表示は白から黄色味がかる
ものになってしまうという問題が生じていた。

【０１３９】本発明の実施形態は、これらの青味がか
る、あるいは、黄色味がかる現象を軽減することを目的
とするものである。バックライトの輝度を上げるために
「コレステリック層およびλ／４層を組み合わせて用い
る技術」が提案されているが、その斜め視角での色付き
を活用して、液晶ディスプレイとしての斜め視角での色
付きの軽減を図るのが本実施形態の骨子である。

【０１４０】図３９に示すように、液晶配向方向３７１
１及び３７１２は互いに逆向きである。コレステリック
型反射層を積層した偏光板の吸収軸３９０１とアナライ
ザの吸収軸３９０２は直交している。λ／４位相差層の
光軸３９０３は、上記の吸収軸３９０１及び３９０２に
対して４５度傾いている。コレステリック層に近接する
λ／４層の光軸３９０３は、液晶分子の配向方向３７１
１，３７１２に垂直となるように設置した。

【０１４１】図４１（Ａ）に示すように、液晶表示装置
は、バックライト４１０１、コレステリック層４１０
２、λ／４板４１０３、液晶層（偏光板を含む）４１０
４が順に積層される。コレステリック層４１０２とそれ
に近接するλ／４板４１０３について述べる。コレステ
リック層４１０２はバックライト４１０１から入射した
光の内、左回り円偏光４１２２を左回り円偏光４１２３
として反射し、右回り円偏光４１２１を右回り円偏光４
１３１のまま通過させる。そして、コレステリック層４
１０２で反射した左回り円偏光４１２３はバックライト
４１０１の反射板により右回り円偏光４１２４として反
射し、再度コレステリック層４１０２に入射して通過す
る。即ち、コレステリック層４１０２はバックライト４
１０１と協力して、入射した自然光を右回り円偏光の光
４１３１に変換する。λ／４板４１０３は入射した円偏
光を直線偏光に変換する働きを有している。λ／４板に
ついて、図４０（Ａ）、（Ｂ）を参照しながら説明す
る。

【０１４２】図４０（Ａ）は、λ／４板４００１の光軸
４００２が図の奥行き方向に向いている場合を示す。λ
／４板４００１は、円偏光の光４０１２，４０２２を入
射してそれぞれ直線偏光の光４０１３，４０２３を出射
する。正面からの観察者４０１１は光４０１３を受け、
斜めからの観察者４０２１は光４０２３を受ける。

【０１４３】λ／４板４００１が一軸の光学フィルムで
ある場合、このλ／４板４００１の光軸４００２に垂直
な方位の斜めの観察者４０２１に出射する光４０２３は
一般的に黄色味がかる。この方位においては、垂直に入
射する円偏光の光４０１２の光路長（図中Ａ−Ｂ）に対
して、斜めに入射する円偏光の光４０２２の光路長（図
中Ｃ−Ｄ）が長くなり、複屈折が大きくなる。このた
め、正面で色付きのない白となるように調整されている
系においては、斜め視角にて複屈折が過剰となり黄色く
色付くことになる。この現象は、図３８（Ｂ）の現象に
対応する。

【０１４４】図４０（Ｂ）は、λ／４板４０３１の光軸
４０３２が図の水平方向に向いている場合を示す。λ／
４板４０３１は、円偏光の光４０４２，４０５２を入射
してそれぞれ直線偏光の光４０４３，４０５３を出射す
る。正面からの観察者４０４１は光４０４３を受け、斜
めからの観察者４０５１は光４０５３を受ける。

【０１４５】λ／４板４０３１の光軸４０３２に平行な
方位の斜めに出射する光４０５３は一般的に青味がか
る。この方位においては、斜め視角での屈折率の異方性
自体が小さくなり、光路長は長くなるものの、複屈折の
効果は小さくなる。このため、斜め視角での複屈折が足
りなくなり、青く色付くことになる。この現象は、図３
８（Ｃ）の現象に対応する。

【０１４６】図４１（Ａ）の液晶層４１０４について考
えると、以上のλ／４板の光軸の方向を液晶分子の配向
している方向として読み替え、位相差としてλ／２を有
すると読み替え、入射する光をポラライザを通過した直
線偏光と読み替えると、色付きについて全く同様のこと
が言える。すなわち、図３８（Ｂ）、（Ｃ）の現象が生
じる。

【０１４７】図４１（Ａ）、（Ｂ）は、液晶層（偏光板
を含む）４１０４、λ／４板４１０３、コレステリック
層４１０２、バックライト４１０１の全体構成を示し、
それぞれλ／４板４１０３の光軸４１１１，４１５１と
液晶層の液晶分子の光軸４１１２，４１５２を互いに垂
直に設定した。図４１（Ａ）は図３９の上方位あるいは
下方位から観察した場合を、図４１（Ｂ）は、右方位あ
るいは左方位から観察した場合を示している。

【０１４８】図４１（Ａ）についてまず解説する。正面
観察者４１３３は、光４１３１がλ／４板４１０３及び
液晶層４１０４を介して出射した光４１３２を受ける。
斜め観察者４１４３は、光４１４１がλ／４板４１０３
及び液晶層４１０４を介して出射した光４１４２を受け
る。コレステリック層４１０２に近接するλ／４板４１
０３を通過する光４１４２は光路長が長くなる効果によ
り黄色味がかる。この現象は、図４０（Ａ）の現象に相
当する。次に、この光４１４２は液晶層４１０４を通過
するが、液晶の実質的な複屈折が小さくなるため、青味
がかる。この現象は、図３８（Ｂ）の現象に相当する。
以上により、λ／４板４１０３の影響（黄色味がかり）
と液晶層４１０４の影響（青味がかり）とが相殺されて
色付きの殆ど無い表示が実現される。

【０１４９】図４１（Ｂ）は、図４１（Ａ）と９０度異
なる方位から観察した場合を示している。正面観察者４
１６３は、光４１６１がλ／４板４１０３及び液晶層４
１０４を介して出射した光４１６２を受ける。斜め観察
者４１７３は、光４１７１がλ／４板４１０３及び液晶
層４１０４を介して出射した光４１７２を受ける。コレ
ステリック層４１０２に近接するλ／４板４１０３を通
過する光４１７２はλ／４板４１０３の実質的な複屈折
が小さくなるため青味がかる。この現象は、図４０
（Ｂ）の現象に相当する。次に、この光４１７２は液晶
層４１０４を通過するが、光路長が長くなる効果により
黄色味がかる。この現象は、図３８（Ｂ）の現象に相当
する。以上により、λ／４板４１０３の影響（黄色味が
かり）と液晶層４１０４の影響（青味がかり）とが相殺
されて色付きの殆ど無い表示が実現される。

【０１５０】このように、液晶層４１０４の色付きとλ
／４板４１０３の色付きが相殺されることにより良好な
表示が実現されるものである。

【０１５１】図３７が典型的な２分割配向を行う時の配
向状態である。ゲートライン３７０１、データライン３
７０２で囲まれる画素エリアを設定した。各画素にはＴ
ＦＴが設けられている。液晶分子は電圧無印加状態にあ
っては垂直配向している。電圧印加に伴う液晶分子の倒
れる方位としては、紫外線の配向膜表面への照射あるい
は配向膜表面のラビングによるプレチルトで制御した。
液晶分子の倒れる方位としては、ゲートライン３７０１
に垂直な方向とし、ゲートライン３７０１から見て、腕
を広げるように液晶分子が倒れるように設定した。

【０１５２】図３９に、このＴＦＴ−ＬＣＤに対する配
向方向３７１１，３７１２、偏光板の吸収軸３９０１，
３９０２、λ／４位相差板の光軸３９０３の向きを示
す。図４１（Ａ）、（Ｂ）において、λ／４位相差板４
１０３としてはポリカーボネートを延伸したフィルムを
用いた。５５０ｎｍにおいての複屈折の値としては、１
３７．５ｎｍ±１０ｎｍの範囲に設定した。コレステリ
ック液晶層４１０２としては、基板フィルムとしてＴＡ
Ｃフィルムを用いた。コレステリック液晶のピッチとし
て、可視光を反射する範囲を包含し、更に、赤外域をも
包含するように設定した。これにより、コレステリック
液晶層４１０２からの反射波長は斜め傾き角においても
大きな変化の無い特性を実現することが出来た。このコ
レステリック層４１０２のねじれ方向としては、右ねじ
れのものを用いた。このコレステリック液晶層４１０２
の形成の仕方としては、数回に渡って塗布し、個々の層
について室温にて乾燥させ、硬化させた。

【０１５３】図３９は平面図を示しているが、図４１
（Ａ）、（Ｂ）を用いて断面構成を説明する。バックラ
イト４１０１としてはサイドエッジ型を用いた。このバ
ックライト４１０１から見て、コレステリック液晶層４
１０２、λ／４板４１０３、ポラライザ４１０４、液晶
パネル４１０４、アナライザ４１０４の順に積層した。
液晶層のΔｎ×ｄとしては、２００ｎｍから４００ｎｍ
の範囲に設定した。

【０１５４】λ／４板４１０３と液晶基板４１０４との
間に光散乱層を設けることが有効であった。その構成を
図４２に示す。コレステリック層４２０１の上に、λ／
４板４２０２及び散乱層４２０３を積層する。この散乱
層４２０３としては、λ／４板４２０２と偏光板とを接
着する接着剤に散乱物質を混ぜることにより実現した。
そしてその散乱性としては、ヘイズ値として４０以上の
ものを適用した。

【０１５５】図４３に実際に本実施形態を適用した時の
視角特性についての測定結果を示す。正面から傾き角７
０度において、全方位１５度刻みに白表示の色付きを測
定した。領域４３０１は赤色、領域４３０２は黄色、領
域４３０３は緑色、領域４３０４は青色を示し、これら
の真中の領域が白色を示す。

【０１５６】菱形で示すグラフは、コレステリック層４
１０２及びλ／４板４１０３を使用していない、上下２
分割配向のパネル（図中、ノーマルと表記）の場合であ
り、黄色く色付く現象が見られる。正方形で示すグラフ
は、図４１（Ａ）、（Ｂ）に示す散乱層無しの場合（図
中、散乱層無しと表記）である。三角で示すグラフは、
図４２に示す散乱層を付与した構成（図中散乱層付きと
表記）を適用した液晶パネルであり、どの視角方位にあ
っても色付きを軽減することが出来た。

【０１５７】以上は電圧無印加にて垂直配向の場合につ
いて示したが、ここで、水平配向のディスプレイに適用
する実施形態を説明する。図４４（Ａ）、（Ｂ）にＩＰ
Ｓ（インプレインスイッチングモード）型液晶ディスプ
レイに適用した場合の例を示す。

【０１５８】図４４（Ａ）は、ＩＰＳ型液晶ディスプレ
イの断面図である。対向基板４４０１及びＴＦＴ基板４
４０３の間に、液晶層４４０２が設けられる。ＴＦＴ基
板４４０３に、コモン電極４４１２とドレイン電極４４
１１とが絶縁膜４４１３を介して形成されている。対向
基板４４０１には、電極が設けられない。ドレイン電極
４４１１に電圧を印加すると、ドレイン電極４４１１と
コモン電極（グランド電位）の間に電界が生じる。

【０１５９】図４４（Ｂ）は、図４４（Ａ）の液晶ディ
スプレイのＴＦＴ基板４４０３の平面図である。ＴＦＴ
基板には、ゲートライン４４２１、データライン４４２
２、ドレイン電極４４２３、コモン電極４４２４が形成
される。電圧無印加では液晶分子４４３２はドレイン電
極４４２３の伸びている方向に対して右回りに１５度の
方位に配向している。この電圧無印加での液晶分子４４
３２の配向方向に対して光入射側の偏光板の吸収軸（ポ
ラライザの吸収軸）４４４２を垂直に設定した。電圧の
印加に伴って液晶分子４４３１の配向はドレイン電極４
４２３に垂直な方位へと傾く。図４４（Ｂ）では、白表
示時に右回りに６０度の方位に配向している。ここで、
この白での液晶分子４４３１の配向方位とほぼ垂直で、
且つ、ポラライザの吸収軸４４４２と４５度の角度をな
す方位にλ／４板の光軸４４４３を設定した。アナライ
ザの吸収軸は４４４１は、ポラライザの吸収軸４４４２
と垂直である。

【０１６０】ここで、ＩＰＳ型のようなディスプレイに
おいては、白表示での液晶分子の配向方向は完全には特
定できない。この場合、液晶分子が回転して、配向して
いると考えられる方位に対してなるべくλ／４板の方位
を直交するように、且つ、λ／４とポラライザの吸収軸
とが４５度の角度をなすように設定した。

【０１６１】本実施形態によれば、図４１（Ａ）、
（Ｂ）において、バックライト４１０１は光を供給す
る。コレステリック液晶層４１０２及び１／４波長板４
１０３は、バックライト４１０１及び液晶パネル４１０
４の間に挟まれる。液晶パネル４１０４の液晶分子の配
向方向と１／４波長板４１０３の光軸とが直交してい
る。

【０１６２】図３９に示すように、液晶パネルは液晶分
子の配向が電圧無印加状態にて垂直配向であり、電圧の
印加により互いに１８０度異なる２方位３７１１，３７
１２に分かれて傾く。また、電圧の印加により一方位に
傾くようにしてもよい。

【０１６３】図４２において、１／４波長板４２０２と
液晶パネル４１０４（図４１（Ａ）、（Ｂ））との間に
散乱層４２０３が形成される。散乱層４２０３はヘイズ
値が４０以上である。

【０１６４】図４４（Ａ）、（Ｂ）において、液晶パネ
ルは液晶分子４４３１の配向が電圧の印加状態にて水平
配向であり、その配向方位と１／４波長板の光軸４４４
３とが垂直である。なお、液晶パネルは液晶分子の配向
が電圧の無印加状態にて水平配向であり、その配向方位
と１／４波長板の光軸とが垂直であってもよい。液晶パ
ネルは、表示モードがインプレインスイッチングモード
である。

【０１６５】以上説明したように、本実施形態を用いる
ことにより、明るい表示を実現できるとともに、視野角
の広い液晶ディスプレイを実現することが出来た。

【０１６６】（第６の実施形態）図４５（Ａ）、（Ｂ）
はＭＶＡ方式の液晶パネルの電極構造例を示す。図４５
（Ａ）は４ドメイン、図４３（Ｂ）は２ドメインの場合
を示す。ＭＶＡ方式の液晶パネルは、一対の基板の少な
くとも一方の表面に、突起、窪み、または電極４５１
０、４５４０に設けたスリットのいずれか、またはそれ
らの組み合わせよりなるドメイン規制手段を備えてい
る。負の誘電率異方性を有するネマティック液晶を用
い、電圧無印加時には、液晶分子が基板に対してほぼ垂
直に配向している。電圧印加時には、ドメイン規制手段
により、液晶分子が斜めになる方向が各画素内において
複数の方向になるように規制される。液晶パネルの両側
には、吸収軸４５０１，４５０２（吸収軸４５３１，４
５３２）が互いに直交するように一対の偏光素子が配置
される。

【０１６７】ピッチが６μｍ（ライン／スペース：３μ
ｍ／３μｍ）程度の微細なスリット電極４５１０，４５
４０の場合、電圧印加時に液晶分子がスリットと平行な
方向に傾斜する性質がある。

【０１６８】したがって、図４５（Ａ）に示されるよう
に、液晶分子４５２１〜４５２４が４つの方位に傾斜す
るようにスリット電極４５１０を形成した場合には、４
ドメイン４５１１〜４５１４の配向が実現される。ま
た、図４５（Ｂ）に示されるように、液晶分子４５５
１，４５５２が２つの方位に傾斜するようにスリット電
極４５４０を形成した場合には、２ドメイン４５４１，
４５４２の配向が実現される。

【０１６９】次に、液晶分子の傾斜方位と偏光素子の吸
収軸方向との関係について、図４６（Ａ）〜（Ｄ）によ
り説明する。図４６（Ａ）に示すように、電圧がオフの
ときには、液晶分子４６０２は基板面に対して垂直に配
向している。図４６（Ａ）に、このときの液晶分子４６
０２と一対の偏光素子の吸収軸４６０１，４６０３との
関係を示す。一方の偏光素子を通過した光は、液晶分子
４６０２の複屈折の影響を受けることなく液晶中を通過
し、もう一方の偏光素子により遮断され、黒表示が得ら
れる。

【０１７０】図４６（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、電圧
がオンのときには、負の誘電率異方性を有する液晶分子
は基板面に対して傾き、十分大きな電圧を印加したとき
には液晶分子４６１２，４６２２は基板面に対してほぼ
平行になる。最適な白表示を実現するためには、液晶分
子が傾斜する方位は吸収軸の方向に対して制約を受け
る。

【０１７１】図４６（Ｂ）は、電圧がオンのときに、液
晶分子４６１２が吸収軸４６１３と平行あるいは直交す
る方位に傾斜した場合を示す。この場合、電圧がオフの
ときと同様に、一方の偏光素子を通過した光は、液晶分
子４６１２の複屈折の影響を受けることなく液晶中を通
過し、もう一方の偏光素子により遮断される。したがっ
て、白表示を得ることができない。

【０１７２】最適な白表示を得るためには、図４６
（Ｃ）に示されるように、液晶分子４６２２の傾斜方位
が吸収軸４６２１，４６２３に対して４５度をなすよう
にしなければならない。この場合、一方の偏光素子を通
過した直線偏光の光は、液晶分子４６２２の複屈折の影
響を受け楕円偏光となり、もう一方の偏光素子を通過す
る光が生じて、白表示が得られる。

【０１７３】したがって、図４６（Ｄ）に示すように、
ＭＶＡ方式の液晶パネルでは、電圧印加時に液晶分子４
６４１〜４６４４が傾斜すべき４方位は、吸収軸４６３
１，４６３２に対して４５度をなす方位に限られる。

【０１７４】一画素内で電圧印加時に液晶分子が傾斜す
る方位が互いに異なる領域を混在させたＭＶＡ方式の液
晶パネルにおいて、液晶分子の傾斜する方位が図４６
（Ｄ）に示される４方位のみであることが望ましい。し
かし、実際には図４６（Ｄ）に示される４方位以外の方
位に傾斜する液晶分子が存在する。

【０１７５】図４７に示される４ドメイン４７１１〜４
７１４の電極４７１０を有するＭＶＡ方式の液晶パネル
を例にとり説明する。一対の偏光素子の吸収軸４７０
１，４７０２に対して４５度をなすように形成された微
細なスリット電極４７１０により、液晶分子４７２１〜
４７２４はそれぞれ異なる４つの方位に傾斜する。しか
し、各領域が隣接する境界の領域においては、液晶分子
４７２５〜４７２８は吸収軸４７０１，４７０２に対し
て平行あるいは直交する方位に傾斜せざるを得ない。

【０１７６】液晶分子４７２５〜４７２８が吸収軸４７
０１，４７０２に対して平行あるいは直交する方位に傾
斜した領域においては、光は透過しない。したがって、
図４７に示される電極構造の場合、白表示において十字
状に黒い領域が生じ、透過率を低下させる大きな要因と
なる。

【０１７７】本発明の実施形態では、ＭＶＡ方式の液晶
パネルにおいて、微細なピッチで周期的に配置されたド
メイン規制手段の方向が、偏光素子の吸収軸に対して４
５度をなす方向とそれ以外の方向とを含むようにする。

【０１７８】これまで説明したように、ＭＶＡ方式の液
晶パネルでは、液晶分子が偏光素子の吸収軸に対して４
５度以外の方位に傾斜した場合、その領域は光を透過さ
せないため、透過率を低下させる要因となった。この問
題点を解決するための手段について、以下に説明する。

【０１７９】第一の手段は、液晶材料中にカイラル剤を
添加することである。カイラル剤を添加することによ
り、電圧印加時に液晶分子は一方の基板から他方の基板
へとねじれながら傾斜する。これは、一般にＴＮモード
と呼ばれている水平配向の液晶パネルと同様の原理を利
用するものである。したがって、液晶分子のねじれ角は
９０度近辺であることが望ましい。

【０１８０】すなわち、液晶パネルのセルギャップを
ｄ、カイラル剤のヘリカルピッチをpとしたとき、ｄ／
ｐ＝１／４であることが望ましく、少なくとも１／８≦
ｄ／ｐ≦３／８が満たされなければならない。

【０１８１】第二の手段は、図４８に示されるように、
液晶パネル４８０３の両側に一対の１／４波長板４８０
２，４８０４を配置し、さらにその両側に一対の偏光素
子４８０１，４８０５を配置する。１／４波長板４８０
２，４８０４の遅相軸４８１２，４８１４とそれらに隣
接する偏光素子４８０１，４８０５の吸収軸４８１１，
４８１５とがそれぞれ４５度をなす。１／４波長板４８
０２，４８０４の遅相軸４８１２，４８１４が互いに直
交し、偏光素子４８０１，４８０５の吸収軸４８１１，
４８１５が互いに直交するように配置する。

【０１８２】偏光素子を通過した光は直線偏光となり、
さらに１／４波長板を通過することにより円偏光とな
る。このとき、透過光強度は液晶分子の傾斜方位に依存
せず、液晶セルのリタデーションのみにより決まる。

【０１８３】図４９（Ａ）〜（Ｃ）に、周期的に配置さ
れたドメイン規制手段（ＩＴＯ画素電極）のパターンの
例を示す。図４９（Ａ）に示されるように、ドメイン規
制手段である画素電極４９０１をほぼ放射線状に配置す
ることにより、液晶分子の傾斜方位をほぼ０度から３６
０度にわたり連続的に変化させることができる。

【０１８４】同様に、図４９（Ｂ）に示されるように、
液晶分子の傾斜方位が８通りになるような画素電極４９
０２のパターン、図４９（Ｃ）に示されるように、同心
円状の画素電極４９０３のパターンなど、さまざまなバ
リエイションが可能である。図４９（Ａ）〜（Ｃ）の画
素電極４９０１〜４９０３は、それぞれ連結された１つ
の画素電極である。

【０１８５】以上説明したように、微細なピッチで周期
的に配置されたドメイン規制手段の方向が、偏光素子の
吸収軸に対して４５度をなす方向とそれ以外の方向とを
含むようにし、カイラル剤添加や１／４波長板と組み合
わせることにより、広視野角および高輝度を同時に実現
することができる。

【０１８６】本実施形態をより具体的に説明する。液晶
パネルを構成する一対の基板のうち、一方の基板上に
は、表示領域全面にベタ電極が形成されている。もう一
方の基板上には、画素電極が形成されている。画素電極
は、図４９（Ａ）に示されるように、放射線状パターン
の微細なスリット電極４９０１からなる。さらに基板上
には、カラーフィルタ、ゲートバスライン、データバス
ライン、ＴＦＴ素子などが形成されている。

【０１８７】両基板上に垂直配向膜を形成する。両基板
をスペーサを介して貼り合わせ、ｄ／ｐ＝１／４となる
ようにカイラル剤を添加した負の誘電率異方性を有する
ネマティック液晶を封入して、液晶パネルを作製する。
液晶パネルの両側に、吸収軸が互いに直交するように偏
光素子を配置する。

【０１８８】他の構成例を説明する。液晶パネルを構成
する一対の基板のうち、一方の基板上には、表示領域全
面にベタ電極が形成されている。もう一方の基板上に
は、画素電極が形成されている。画素電極は、図４９
（Ａ）に示されるように、放射線状パターンの微細なス
リット電極４９０１からなる。さらに基板上には、カラ
ーフィルタ、ゲートバスライン、データバスライン、Ｔ
ＦＴ素子などが形成されている。

【０１８９】両基板上に垂直配向膜を形成する。両基板
をスペーサを介して貼り合わせ、負の誘電率異方性を有
するネマティック液晶を封入して、液晶パネルを作製す
る。

【０１９０】液晶パネルの両側に、吸収軸が互いに直交
するように偏光素子を配置する。液晶パネルと両側の偏
光素子との間に１／４波長板を一層ずつ配置し、１／４
波長板の遅相軸と隣接する偏光素子の吸収軸とが４５度
をなし、１／４波長板の遅相軸が互いに直交するように
配置する。

【０１９１】本実施形態によれば、図４８に示すよう
に、液晶パネル４８０３は一対の基板の間に液晶が封入
されている。一対の偏光素子４８０１，４８０５は、吸
収軸が互いに直交するように液晶パネル４８０３の両側
に配置される。液晶パネル４８０３を構成する一対の基
板の少なくとも一方の表面にはドメイン規制手段が設け
られる。ドメイン規制手段は、土手等の突起、窪み、ま
たは電極に設けたスリット（図４７）のいずれか、また
はそれらの組み合わせの周期的パターンを含み、液晶パ
ネル内の液晶分子の配向を規制する。

【０１９２】図４７に示すように、ドメイン規制手段に
よる液晶分子４７２１〜４７２８の配向方向が、偏光素
子の吸収軸４７０１，４７０２に対して４５度をなす４
つの方向とそれ以外の方向とを含む。液晶パネルは、電
圧無印加時には、液晶分子が基板に対してほぼ垂直に配
向しており、電圧印加時には、ドメイン規制手段により
液晶分子が斜めになる方向が各画素内において複数の方
向になるように規制される。

【０１９３】図４９（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、液晶
パネルはドメイン規制手段による液晶分子の配向方向が
連続的に変化する領域を含み、０度から３６０度にわた
り連続的に変化する領域を含んでもよい。図４９（Ａ）
では、ドメイン規制手段が放射線状に配置された領域を
含み、そのドメイン規制手段の幅が放射線状パターンの
中心から外側へゆくにしたがって広くなる。図４９
（Ｃ）では、ドメイン規制手段が同心円状に配置された
領域を含む。

【０１９４】液晶パネルは、液晶材料中にカイラル剤が
添加されている。液晶パネルのセルギャップをｄ、カイ
ラル剤のヘリカルピッチをpとしたとき、１／８≦ｄ／
ｐ≦３／８が満たされる。

【０１９５】図４８に示すように、一対の１／４波長板
４８０２，４８０４は、一対の偏光素子４８０１，４８
０５の間において液晶パネル４８０３を挟むように設け
られる。一対の１／４波長板４８０２，４８０４の遅相
軸とそれらに隣接する一対の偏光素子４８０１，４８０
５の吸収軸とがそれぞれ４５度をなし、一対の１／４波
長板４８０２，４８０４の遅相軸が互いに直交する。

【０１９６】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、広視野角および高輝度の液晶表示装置を実現するこ
とが可能となる。

【０１９７】（第７の実施形態）ＭＶＡ型の配向制御技
術には、以下のものが挙げられる。 （１）土手、或いはスリットによる配向制御 図５０（Ａ）及び（Ｂ）は土手による配向制御を示す。
対向基板５００１及びＴＦＴ基板５００３の間に液晶層
５００２が設けられる。対向基板５００１には、透明電
極５０１２及び土手５０１１が設けられる。ＴＦＴ基板
５００３には、透明電極５０１６及び土手５０１５が設
けられる。図５０（Ａ）に示すように、電圧無印加の場
合、土手５０１１，５０１５の近傍の液晶分子５０１３
は土手５０１１，５０１５の形状に応じて傾く。土手５
０１１，５０１５から離れた液晶分子５０１４は垂直配
向する。図５０（Ｂ）に示すように、電圧印加の場合、
電界５０２１は土手５０１１，５０１５の形状に応じて
形成される。液晶分子５０２２には電界５０２１に対し
て垂直方向に配向させようとする力が作用する。このよ
うに、土手５０１１，５０１５により液晶分子の配向を
制御することができる。

【０１９８】図５０（Ｃ）及び（Ｄ）は電極スリットに
よる配向制御を示す。対向基板５０３１及びＴＦＴ基板
５０３３の間に液晶層５０３２が設けられる。対向基板
５０３１には、透明電極５０４１が設けられる。ＴＦＴ
基板５０３３には、スリットを有する透明電極５０４２
が設けられる。図５０（Ｃ）に示すように、電圧無印加
の場合、液晶分子５０４３は基板に対して垂直配向す
る。図５０（Ｄ）に示すように、電圧印加の場合、透明
電極５０４２のスリットによる斜め電界５０５１が生じ
る。液晶分子５０５２には電界５０５１に対して垂直方
向に配向させようとする力が作用する。このように、ス
リット状電極５０４２により液晶分子の配向を制御する
ことができる。なお、土手及びその近傍の液晶の動作
は、図５０（Ｂ）と同様であるため、図示を省略してあ
る。

【０１９９】（２）補助土手、補助スリットによる配向
制御 図５１（Ａ）は補助土手による配向制御を示す。画素電
極５１０１はＴＦＴ基板に設けられ、土手５１０２は対
向基板に設けられる。さらに、補助土手５１０３が画素
電極５１０１のエッジ部に対応して対向基板に設けられ
る。液晶分子５１０４は、土手５１０２及び補助土手５
１０３の間においても液晶の配向方向を揃えることがで
きる。補助土手５１０３がないと、図５１（Ｃ）に示す
ように、土手５１０２により制御された液晶５１２２の
配向と画素電極５１０１のエッジ部の電界で制御された
液晶５１２１の配向とが競合してしまう。

【０２００】図５１（Ｂ）は補助スリットによる配向制
御を示す。画素電極５１１３にはスリット５１１１が設
けられる。さらに、補助スリット５１１２が画素電極５
１１３のエッジ部の近傍に設けられる。画素電極５１１
３のエッジ部による配向とスリット５１１１による配向
との競合を防止し、液晶分子の配向方向を揃えることが
できる。

【０２０１】（３）微細パターン（土手、スリット）に
よる配向制御 図５２（Ａ）は微細スリットによる配向制御を示す。画
素電極５２０１は微細スリットを持つ。電界５２０２
は、微細スリットの形状に応じて形成される。液晶分子
５２０３は、電界５２０２に応じて配向する。図５２
（Ｂ）に示すように、画素電極５２１１及び５２１３の
間にスリット５２１２を設け、さらに土手５２１４を設
ける。液晶分子５２２１は、画素電極５２１３のスリッ
ト５２１２近傍に発生する電界により、電圧印加時の配
向方向が制御される。液晶分子５２２３は土手５２１４
により配向制御される。画素電極５２１３に図５２
（Ａ）の微細スリットを形成すれば、液晶分子５２２１
及び５２２３の間の液晶分子５２２２をも配向制御する
ことができる。

【０２０２】（４）田の字パターンによる配向制御 図５３は田の字パターン（十字パターン）による配向制
御を示す。画素電極５３０３はＴＦＴ基板に設けられ
る。十字パターンの土手５３０１及び５３０２は対向基
板に設けられる。土手５３０１及び５３０２により４つ
の領域が形成され、各領域の液晶分子５３１１〜５３１
４を異なる方向に配向させることができる。

【０２０３】上記の（１）〜（４）の配向制御にはそれ
ぞれ特徴が有り、用途により使い分けることが望まし
い。しかし、例えば、（１）による制御では、土手及び
スリットを多数配置する必要が有り、また、図１４では
画素電極１４０４の左上及び左下コーナー部のように画
素エッジのすぐ内側にスリットが来るレイアウトとなる
場合が有る。画素エッジは、スリットと等価のため左上
及び左下コーナーではスリットの制御が隣接して相互に
影響することになる。画素コーナーに不安定ドメインが
発生し、これにより輝度が低下していた。

【０２０４】（１）〜（４）の内の１種類の制御のみで
画素内全域の配向を完壁に制御することは難しい。特に
この問題は、 ａ）高輝度化（透過率アップ） ｂ）高精細化 ｃ）高速応答化 を行う場合などには、重大な問題となってくる。

【０２０５】（１）〜（４）の制御手段を夫々単独で使
うよりも、画素の要所要所に適した制御手段を複合的に
組み合わせた方が効果が大きい。図５４は、第１の構成
例を示す。データライン５４０１及びゲートライン５４
０２に対応して画素電極が設けられる。先ず、第一に画
素コーナー部に微細スリット５４１６をレイアウトし、
コーナー部でのレイアウトを容易にしている。図５４で
は画素内に２本の直線の土手５４１１，５４１７をレイ
アウトし、そこから画素コーナーに向かって微細スリッ
ト５４１６を伸ばすだけでよい。レイアウトが簡単なだ
けでなく、不安定ドメインも形成されず、透過率がアッ
プする。その他、スリット５４１２、微細スリット５４
１５、補助スリット５４１４、補助土手５４１３によ
り、配向制御する。なお、土手及び補助土手は対向基板
に設けられ、データライン、ゲートライン、画素電極、
電極スリットはＴＦＴ基板に設けられる。

【０２０６】この構成によれば、（１）の単独の技術に
比べ、透過率は１〜２割改善される。画素内には液晶の
配向方位を９０度以下の範囲で変化させた方が良い箇所
と９０〜１８０度の範囲で変化させた方が良い箇所が存
在する。例えば（１）の土手による制御は、１８０度配
向方位を変えるのに適した制御手段であるが、それを９
０度変形が要求される箇所に適用しても理想的な制御は
難しい。

【０２０７】（１）は１８０度 （２）、（４）は９０度 （３）は付ける角度により、どちらにも対応できる。

【０２０８】図５４をより詳細に説明する。画素右上右
下コーナーに微細スリット５４１６を延長し、コーナー
形状に合わせた。メインスリット５４１２に直交する向
きに（３）微細スリット５４１５を設け制御性を高めて
いる。また、画素エッジ部の微細スリット５４１５を部
分的に深くして（２）補助微細スリット５４１４とし、
異常ドメインの発生を抑えた。もちろん（１）ＭＶＡの
基本となる土手５４１１，５４１７も設けて有り、適材
適所に（１）〜（３）の技術をレイアウトしている。
（１）ＭＶＡの基本となる土手とスリットのみによる制
御に比べ透過率が約１．１５倍に改善した。

【０２０９】図５５に第２の構成例を示す。ＴＦＴ基板
には、データライン５５０１、ゲートライン５５０２、
画素電極５５１２、補助微細電極スリット５５１３が設
けられる。対向基板には、土手５５１１が設けられる。
第２の構成例では第１の構成例よりも更に積極的に
（３）の技術を利用し、微細スリット５５１３を、画素
コーナーと画素中央の配向方位が９０°変形する箇所の
形状に合わせて設けた。この場合ドメイン数が４つのみ
となり配向分割部での透過率ロスも最小限に抑えること
ができる。透過率は第１の構成例よりも更に１．０９倍
改善した。

【０２１０】図５６に第３の構成例を示す。ＴＦＴ基板
には、データライン５５０１、ゲートライン５５０２、
画素電極５６１２、補助微細電極スリット５６１３が設
けられる。対向基板には、土手５６１１が設けられる。
第３の構成例も第２の構成例と同じくドメイン数が４つ
の構成である。基本的には第２の構成例と類似している
が、土手５６１１をＴ字型（（２）と（４）の制御）に
配置している点と画素中央にメインスリット５６１４を
斜めに設けた点が異なる。第３の構成例では（１）〜
（４）の制御方法全てを含む。透過率は第１の構成例に
比べ１．１２倍改善した。

【０２１１】図５７に第４の構成例を示す。ＴＦＴ基板
には、データライン５５０１、ゲートライン５５０２、
画素電極５７１２、補助微細電極スリット５７１３が設
けられる。対向基板には、土手５７１１が設けられる。
第３の構成例と似ているが土手５７１１の付き方が異な
る。透過率は第１の構成例に比べ約１割の改善であっ
た。

【０２１２】図５８〜６０に第５の構成例を示す。図５
８では、ＴＦＴ基板には、データライン５５０１、ゲー
トライン５５０２、画素電極５８１１、コンタクト領域
５８１２が設けられる。図５９では、ＴＦＴ基板には、
データライン５５０１、ゲートライン５５０２、画素電
極５９１１、コンタクト領域５９１２が設けられ、対向
基板には土手５９１３が設けられる。図６０では、ＴＦ
Ｔ基板には、データライン５５０１、ゲートライン５５
０２、画素電極６０１１、コンタクト領域６０１２が設
けられ、対向基板には土手６０１３が設けられる。第５
の構成例では、微細電極が画素の中央の十字パターンで
連結する形で繋がっている。どれも（２）〜（４）の制
御を複合的に組み合せたレイアウトとなっている。透過
率は第１の構成例に比べ概ね２割改善した。

【０２１３】図６１及び図６２に第６の構成例を示す。
図６１では、ＴＦＴ基板には、データライン５５０１、
ゲートライン５５０２、画素電極６１１１が設けられ、
対向基板には土手６１１２が設けられる。図６２では、
ＴＦＴ基板には、データライン５５０１、ゲートライン
５５０２、画素電極６２１１が設けられ、対向基板には
土手６２１２が設けられる。第６の構成例は、第５の構
成例と類似しているが微細電極の接続方法が異なり、画
素中央の直線パターンで連結する。透過率は第５の構成
例と同様で第１の構成例に比べ約２割改善した。第２〜
第６の構成例は全てドメイン数が４つの構成で有り、特
に高精細に適用した場合により有利になる。

【０２１４】図６３〜６６に第７の構成例を示す。図６
３では、ＴＦＴ基板には、データライン５５０１、ゲー
トライン５５０２、画素電極６３１１が設けられ、対向
基板には土手６３１２が設けられる。図６４では、ＴＦ
Ｔ基板には、データライン５５０１、ゲートライン５５
０２、画素電極６４１１が設けられ、対向基板には土手
６４１２が設けられる。図６５では、ＴＦＴ基板には、
データライン５５０１、ゲートライン５５０２、画素電
極６５１１が設けられる。図６６では、ＴＦＴ基板に
は、データライン５５０１、ゲートライン５５０２、画
素電極６６１１が設けられ、対向基板には土手６６１２
が設けられる。第７の構成例は、全て分割ドメイン数は
６個となる。これらは比較的画素が大きい場合に向いて
いる（第２〜第６の構成例が大きい画素に対応できない
という意味では無い）。大きい画素で分割数を少なくす
ると、１つの分割領域の面積が大きくなり、１つの制御
要素でカバーしなければならない領域が広くなるからで
ある。第７の構成例でも透過率は、第１の構成例に比べ
概ね１割改善した。

【０２１５】図６７及び図６８に第８の構成例を示す。
図６７では、ＴＦＴ基板には、データライン５５０１、
ゲートライン５５０２、画素電極６７１１、微細スリッ
ト６７１２が設けられ、対向基板には土手６７１３が設
けられる。図６８では、ＴＦＴ基板には、データライン
５５０１、ゲートライン５５０２、画素電極６８１１、
土手６８１３が設けられ、対向基板には土手６８１２が
設けられる。第８の構成例は、第１の構成例の改良版で
ある６ドメインの構成である。第１の構成例よりも画素
内にある土手面積が少ない分透過率は高くなる。第１の
構成例に比べ約０．５割改善した。

【０２１６】第９の構成例は他の構成例とは多少異なる
発想を取り入れている。第９の構成例では、図６７は１
つの画素のみを記した図であるが、この隣の画素はパタ
ーンを左右反転させてレイアウトする（必ずしも隣接画
素が逆である必要は無く近接した画素で反転していれば
良い）。２画素１セットで４方向ドメインが得られる。
透過率は第１の構成例に対し１割程度の改善であった。

【０２１７】図６９に第１０の構成例を示す。土手６９
０１は対向基板（上基板）に設けられ、土手６９０２は
ＴＦＴ基板（下基板）に設けられる。配向方向が９０°
変化する領域で土手のパターンを上下基板で入れ替え
る。こうすることで液晶方位の変化が無理無く行え、安
定した配向が得られる。本パターンを第１の構成例の画
素中央に適用した結果、透過率が約０．５割改善した。

【０２１８】以上の構成例は、ほんの一例に過ぎず、基
本的に（１）〜（４）の制御を適材適所に組合せれば上
記のような透過率改善効果が期待できる（もちろん誤っ
た組み合わせを行えば効果が落ちる）。また、当然では
あるが、液晶中に混入したモノマーを重合させてポリマ
ー化させる方法により更に配向を安定化し、応答速度を
速めることも可能である。更に、λ／４板と組み合わせ
て透過率を更に高めることが可能である。

【０２１９】本実施形態によれば、図５０（Ａ）に示す
ように、２枚の基板５００１，５００３は、基板表面に
垂直配向処理が施されており、電圧無印加で液晶層５０
０２が垂直配向する。図５０（Ｂ）に示すように、液晶
層５００２は、基板間に挟持され、電圧印加による電界
５０２１に対して液晶分子が垂直方向に向くネガ型液晶
層である。ドメイン規制手段は、電圧を印加した時に液
晶の配向が斜めになる方向が、各画素内において複数の
液晶ドメインの方向になるように規制し、第１及び第２
のドメイン規制手段を含む。第１の規制手段は、画素あ
るいはその周辺領域に部分的に備え、部分的に設けたド
メイン規制手段の中心を挟んで液晶の配向方向を９０〜
１８０度の範囲で異ならせる。第２のドメイン規制手段
は、液晶の配向方向を０〜９０度の範囲で異ならせる。
第１及び第２のドメイン規制手段は、画素内に形成され
るドメイン数が４〜１２個となるように液晶ドメインを
規制することが好ましい。

【０２２０】第１のドメイン規制手段は、液晶ドメイン
の向きと４５〜９０度異なる向きに伸びた誘電体突起
（土手）５２１４（図５２（Ｂ））、液晶ドメインの向
きと４５〜９０度異なる向きに伸びた電極スリット５２
１３，５２１２（図５２（Ｂ））、液晶ドメインの向き
に細長く、液晶ドメインの向きと４５〜９０度異なる向
きに周期的に繰り返した電極スリット５２０１（図５２
（Ａ））、液晶ドメインの向きに細長く、及び液晶ドメ
インの向きと４５〜９０度異なる向きに周期的に繰り返
した誘電体突起のいずれか又はこれらのうちの複数の組
み合わせで構成される。

【０２２１】第２のドメイン規制手段は、液晶ドメイン
の向きと０〜４５度異なる向きに伸びた誘電体突起（土
手）５３０１，５３０２（図５３）、又は液晶ドメイン
の向きと４５度異なる向きに伸びた電極スリットであ
る。

【０２２２】なお、上記実施形態は、何れも本発明を実
施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、
これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈され
てはならないものである。すなわち、本発明はその技術
思想、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様
々な形で実施することができる。

【０２２３】本発明の実施形態は、例えば以下のように
種々の適用が可能である。 （付記１）一対の基板と、前記一対の基板の間に挟ま
れ、前記基板間の電圧無印加時に液晶分子が前記基板に
対して垂直配向し、前記基板間の電圧の印加によって前
記基板に略平行となるように液晶分子が複数の方位に倒
れる液晶層とを有する液晶表示装置であって、前記液晶
層は、前記電圧印加時、画面右方位を０度としたときに
反時計周りに角度を定義して、０〜１８０度方位に液晶
分子が傾く領域の割合と、１８０〜３６０度方位に液晶
分子が傾く領域の割合とが異なる液晶表示装置。 （付記２）前記液晶層は、前記電圧印加時、画面右方位
を０度としたときに反時計周りに角度を定義して、４５
度、１３５度方位に液晶分子が傾く領域の割合と、２２
５度、３１５度方位に液晶分子が傾く領域の割合とが異
なる付記１記載の液晶表示装置。 （付記３）前記液晶層は、前記４５度、１３５度方位に
液晶分子が傾く領域の割合が全体の４割以下である付記
２記載の液晶表示装置。 （付記４）さらに、前記一対の基板のうちの少なくとも
いずれか一方の基板に設けられ、幅が１０μｍ以下、間
隙が１０μｍ以下のすのこ状の画素電極を有し、前記液
晶層は、前記画素電極により液晶分子の配向方位が規制
されて４方向に液晶分子が傾く付記２記載の液晶表示装
置。 （付記５）さらに、ゲート、ソース、ドレインを含む薄
膜トランジスタを有し、前記画素電極は、前記薄膜トラ
ンジスタのドレインに接続するためのコンタクト領域を
有し、前記複数のすのこのうちの少なくとも一部と前記
コンタクト領域との間にスリットが設けられる付記１記
載の液晶表示装置。 （付記６）第１及び第２の基板と、前記第１の基板に設
けられ、幅が１０μｍ以下、間隙が１０μｍ以下のすの
こ状の画素電極と、前記第１及び第２の基板の間に挟ま
れ、前記画素電極により配向方位が規制され、画面の上
下２方向に液晶分子が傾く方向が分割される液晶層とを
有する液晶表示装置であって、前記画素電極は、自己の
すのこ状画素電極の間隙と隣接する画素電極との間にお
ける間隙とが同一である液晶表示装置。 （付記７）さらに、前記第１の基板において前記画素電
極に接続される薄膜トランジスタと、前記第１の基板に
形成されるカラーフィルタ層とを有する付記６記載の液
晶表示装置。 （付記８）第１及び第２の基板と、前記第１及び第２の
基板の間に挟まれ、前記第１及び第２の基板間の電圧無
印加状態にて液晶分子が前記第１及び第２の基板に対し
て垂直配向する液晶層と、前記第１の基板に設けられ、
ゲート、ソース及びドレインを含む薄膜トランジスタ
と、前記薄膜トランジスタのゲートに接続されるゲート
ラインと、前記薄膜トランジスタのソースに接続される
データラインと、前記薄膜トランジスタのドレインに接
続され、櫛歯状あるいはスリット状の画素電極であっ
て、該櫛歯の方向が前記ゲートライン近傍では該ゲート
ラインに向かって伸びており、前記データライン近傍で
は該データラインに向かって伸びている画素電極とを有
する液晶表示装置。 （付記９）さらに、画素の中央の左右方向に延びる補助
容量形成用電極ラインを有し、前記画素電極は、前記補
助容量形成用電極ラインを境にして上下に分かれて形成
され、前記補助容量形成用電極ライン近傍では該補助容
量形成用電極ラインに重なる付記８記載の液晶表示装
置。 （付記１０）前記画素電極は、画素の中央に背骨状に上
下方向に電極が形成されていて、前記ゲートラインに向
かう櫛歯状の電極と前記データラインに向かう櫛歯状の
電極とに繋がる電極部が該背骨状の電極から四方に伸び
てＹ字の腕状になる付記８記載の液晶表示装置。 （付記１１）前記画素電極は、櫛歯の方向が前記補助容
量形成用電極ライン近傍では該補助容量形成用電極ライ
ンに向かって伸びる付記９記載の液晶表示装置。 （付記１２）前記画素電極は、前記ゲートラインに向か
って伸びている櫛歯状の電極の伸びる方向として、前記
データライン近傍では該データラインに向かって傾いて
伸びている付記８記載の液晶表示装置。 （付記１３）前記画素電極は、前記データラインに向か
って伸びている櫛歯状の電極の伸びる方向として、前記
ゲートライン近傍では該ゲートラインに向かって傾いて
伸びている付記８記載の液晶表示装置。 （付記１４）前記画素電極は、櫛歯の形状として、歯の
先端部分がより狭くあるいは細くなっている付記８記載
の液晶表示装置。 （付記１５）前記画素電極は、前記補助容量形成用電極
ラインを跨いで前記薄膜トランジスタのドレインからの
電圧を伝達するために設けられている電極が、前記補助
容量形成用電極ライン近傍で該補助容量形成用電極ライ
ンに重なるように同じ方向に伸びている付記８記載の液
晶表示装置。 （付記１６）さらに、前記液晶層を挟んだ前記第１及び
第２の基板を挟む一対の直交する１／４波長板を有する
付記８記載の液晶表示装置。 （付記１７）互いに吸収軸が直交する一対の偏光層と、
前記一対の偏光層に挟まれる１／２波長の位相差を有す
る１／２波長板と、前記一対の偏光層に挟まれ、液晶分
子が垂直配向し得る液晶層とを有する液晶表示装置であ
って、前記１／２波長板は、１／２波長の位相差を有す
るフィルムが積層されていてそのフィルム面に垂直な方
向の位相差（（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）×ｄ（フィル
ム面に垂直な方位の屈折率をｎｚ、フィルムの光軸に平
行な方向の屈折率をｎｘ、フィルムの光軸に垂直なフィ
ルム面内方向の屈折率をｎｙ、フィルムの膜厚をｄとす
る）が０あるいは±２０ｎｍ以下であり、フィルムの光
軸は近接する前記偏光層の吸収軸に平行あるいは垂直で
あり、又は、１／２波長の位相差を有するフィルムが二
枚積層されていて、そのフィルム面に垂直な方位の屈折
率をｎｚ、フィルムの光軸に平行な方向の屈折率をｎ
ｘ、フィルムの光軸に垂直なフィルム面内方向の屈折率
をｎｙとして、二枚のフィルムの（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎ
ｘ−ｎｙ）の値がそれぞれ０．５以下と０．５以上とで
あり、二枚のフィルムの光軸は平行であり、近接する前
記偏光層の吸収軸に平行あるいは垂直である液晶表示装
置。 （付記１８）前記１／２波長板は、位相差（（ｎｘ＋ｎ
ｙ）／２−ｎｚ）×ｄが±１０ｎｍ以下であり、又は前
記二枚のフィルムの（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）の
値の和が略１である付記１７記載の液晶表示装置。 （付記１９）さらに、前記垂直配向している液晶層のΔ
ｎ×ｄ（Δｎはｎ//−ｎ⊥であり、ｎ//は液晶分子の長
手方向の屈折率であり、ｎ⊥は液晶分子の長手方向に対
して垂直方向の屈折率であり、ｄは厚さである）と同一
の大きさの負の位相差を有するフィルムが前記液晶層に
近接して設けられている付記１７記載の液晶表示装置。 （付記２０）さらに、前記液晶層と前記フィルムとを挟
むように、負の位相差が０あるいは±１０ｎｍ以下の一
対の１／４波長板を有し、前記一対の１／４波長板の光
軸は互いに直交しており、且つ、前記一対の偏光層の吸
収軸と４５度の角度をなす付記１９記載の液晶表示装
置。 （付記２１）前記光入射側の偏光層の吸収軸の方位が、
画面右側を０度として、０度、４５度、９０度、１３５
度のいずれかに設定されている付記２０記載の液晶表示
装置。 （付記２２）前記光入射側の偏光層、前記光出射側の偏
光層、前記１／４波長板、前記１／２波長板の光軸の関
係は前記の関係を保ちつつ、コントラストが最大となる
方位が上下左右方位となるように、前記偏光層の吸収軸
の方位を調整してなる付記２０記載の液晶表示装置。 （付記２３）第１及び第２の偏光板と、前記第１及び第
２の偏光板に挟まれ、液晶分子が垂直配向しうる液晶層
と、前記第１及び第２の偏光板に挟まれる面内に位相差
のある位相差フィルムであって、近接する偏光板の吸収
軸にその光軸が垂直になるように設けられ、その屈折率
はｎｘ＞ｎｚ＞＝ｎｙ（ｎｘは光軸方向の屈折率、ｎｙ
はｎｘに垂直な面内方向の屈折率、ｎｚは面に鉛直な方
向の屈折率）の関係にある位相差フィルムとを有する液
晶表示装置。 （付記２４）前記第１の偏光板は、厚みが１００ミクロ
ン以上の保護フィルムを表面に設けている付記２３記載
の液晶表示装置。 （付記２５）前記位相差フィルムは、面内位相差（ｎｘ
−ｎｙ）×ｄ（ｄは厚さ）が４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以
下（好ましくは４０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下）である付
記２３記載の液晶表示装置。 （付記２６）前記液晶層は、液晶分子が垂直配向した時
の位相差ＲＬＣ＝（ｎ//−ｎ⊥）×ｄ（ｎ//は液晶分子
の長手方向の屈折率であり、ｎ⊥は液晶分子の長手方向
に対して垂直方向の屈折率であり、ｄは厚さである）を
有し、前記第１の偏光板の保護フィルムの負の位相差、
前記位相差フィルムの負の位相差、及びその他負の位相
差を有する層を付与した場合にはその負の位相差の和を
Ｒｎｅｇａｔｏｔａｌとする時、 ２０ｎｍ ＜ ＲＬＣ−Ｒｎｅｇａｔｏｔａｌ ＜ １
５０ｎｍ の関係を有する付記２３記載の液晶表示装置。 （付記２７）第１及び第２の偏光板と、前記第１及び第
２の偏光板に挟まれ、液晶分子が垂直配向しうる液晶層
とを有する液晶表示装置であって、前記第１の偏光板
は、面内位相差を有する保護フィルム及び偏光層を含
み、前記保護フィルムの光軸が前記偏光層の吸収軸に対
して垂直又は平行になるように設けられる液晶表示装
置。 （付記２８）前記保護フィルムの面内位相差（ｎｘ−ｎ
ｙ）×ｄ（ｎｘは光軸方向の屈折率、ｎｙはｎｘに垂直
な面内方向の屈折率、ｄは厚さ）が４０ｎｍ以上１４０
ｎｍ以下（好ましくは４０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下）、
前記保護フィルムが２枚のときは２枚の面内位相差の和
が４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下（好ましくは４０ｎｍ以
上１３０ｎｍ以下）に設定してなる付記２７記載の液晶
表示装置。 （付記２９）前記液晶層は、液晶分子が垂直配向した時
の位相差ＲＬＣ＝（ｎ//−ｎ⊥）×ｄ（ｎ//は液晶分子
の長手方向の屈折率であり、ｎ⊥は液晶分子の長手方向
に対して垂直方向の屈折率であり、ｄは厚さである）を
有し、前記保護フィルムの負の位相差及びその他負の位
相差を有する層を付与した場合にはその負の位相差の和
をＲｎｅｇａｔｏｔａｌとする時、 ２０ｎｍ ＜ ＲＬＣ−Ｒｎｅｇａｔｏｔａｌ ＜ １
５０ｎｍ の関係を有する付記２７記載の液晶表示装置。 （付記３０）コレステリック液晶層と、１／４波長板
と、光を供給するバックライトと、液晶分子が配向可能
な液晶パネルとを有する液晶表示装置であって、前記コ
レステリック液晶層及び前記１／４波長板は、前記バッ
クライト及び前記液晶パネルの間に挟まれ、前記液晶パ
ネルの液晶分子の配向方向と前記１／４波長板の光軸と
が直交している液晶表示装置。 （付記３１）前記液晶パネルは、液晶分子の配向が電圧
無印加状態にて垂直配向であり、電圧の印加により一方
位に傾く付記３０記載の液晶表示装置。 （付記３２）前記液晶パネルは、液晶分子の配向が電圧
無印加状態にて垂直配向であり、電圧の印加により互い
に１８０度異なる２方位に分かれて傾く付記３０記載の
液晶表示装置。 （付記３３）前記１／４波長板と前記液晶パネルとの間
に散乱層が形成されている付記３０記載の液晶表示装
置。 （付記３４）前記液晶パネルは、液晶分子の配向が電圧
の無印加状態にて水平配向であり、その配向方位と前記
１／４波長板の光軸とが垂直である付記３０記載の液晶
表示装置。 （付記３５）前記液晶パネルは、液晶分子の配向が電圧
の印加状態にて水平配向であり、その配向方位と前記１
／４波長板の光軸とが垂直である付記３０記載の液晶表
示装置。 （付記３６）一対の基板の間に液晶が封入された液晶パ
ネルと、吸収軸が互いに直交するように前記液晶パネル
の両側に配置された一対の偏光素子と、前記液晶パネル
を構成する一対の基板の少なくとも一方の表面に、突
起、窪み、または電極に設けたスリットのいずれか、ま
たはそれらの組み合わせの周期的パターンを含み、前記
液晶パネル内の液晶分子の配向を規制するドメイン規制
手段とを有する液晶表示装置であって、前記周期的に配
置されたドメイン規制手段による液晶分子の配向方向
が、前記偏光素子の吸収軸に対して４５度をなす方向と
それ以外の方向とを含み、電圧無印加時には、液晶分子
が基板に対してほぼ垂直に配向しており、電圧印加時に
は、ドメイン規制手段により液晶分子が斜めになる方向
が各画素内において複数の方向になるように規制される
液晶表示装置。 （付記３７）前記周期的に配置されたドメイン規制手段
による液晶分子の配向方向が、前記偏光素子の吸収軸に
対して４５度をなす４つの方向とそれ以外の方向とを含
む付記３６記載の液晶表示装置。 （付記３８）前記液晶パネルは、前記周期的に配置され
たドメイン規制手段による液晶分子の配向方向が連続的
に変化する領域を含む付記３６記載の液晶表示装置。 （付記３９）前記周期的に配置されたドメイン規制手段
が、放射線状に配置された領域を含む付記３６記載の液
晶表示装置。 （付記４０）前記周期的に配置されたドメイン規制手段
が、同心円状に配置された領域を含む付記３６記載の液
晶表示装置。 （付記４１）前記液晶パネルは、液晶材料中にカイラル
剤が添加されている付記３６記載の液晶表示装置。 （付記４２）さらに、前記一対の偏光素子の間において
前記液晶パネルを挟むように設けられる一対の１／４波
長板を有する付記３６記載の液晶表示装置。 （付記４３）基板表面に垂直配向処理を施した２枚の基
板と、前記基板間に挟持されるネガ型液晶と、各画素内
において複数の液晶ドメインの方向になるように規制す
るドメイン規制手段であって、画素あるいはその周辺領
域に部分的に備え、前記部分的に設けたドメイン規制手
段の中心を挟んで前記液晶の配向方向を９０〜１８０度
の範囲で異ならせる第１のドメイン規制手段と、前記液
晶の配向方向を０〜９０度の範囲で異ならせる第２のド
メイン規制手段とを含むドメイン規制手段とを有する液
晶表示装置。 （付記４４）前記第１のドメイン規制手段は、前記液晶
ドメインの向きと直交する向きに伸びた誘電体突起であ
る付記４３記載の液晶表示装置。 （付記４５）前記第１のドメイン規制手段は、前記液晶
ドメインの向きと直交する向きに伸びた電極スリットで
ある付記４３記載の液晶表示装置。 （付記４６）前記第１のドメイン規制手段は、前記液晶
ドメインの向きに細長く、前記液晶ドメインの向きに直
交する向きに周期的に繰り返した誘電体突起である付記
４３記載の液晶表示装置。 （付記４７）前記第１のドメイン規制手段は、前記液晶
ドメインの向きに細長く、前記液晶ドメインの向きに直
交する向きに周期的に繰り返した電極スリットである付
記４３記載の液晶表示装置。 （付記４８）前記第１のドメイン規制手段は、前記液晶
ドメインの向きと４５〜９０度異なる向きに伸びた誘電
体突起、前記液晶ドメインの向きと４５〜９０度異なる
向きに伸びた電極スリット、前記液晶ドメインの向きに
細長く、前記液晶ドメインの向きと４５〜９０度異なる
向きに周期的に繰り返した誘電体突起、及び前記液晶ド
メインの向きに細長く、前記液晶ドメインの向きと４５
〜９０度異なる向きに周期的に繰り返した電極スリット
のうちの複数の組み合わせで構成される付記４３記載の
液晶表示装置。 （付記４９）前記第２のドメイン規制手段は、前記液晶
ドメインの向きと０〜４５度異なる向きに伸びた誘電体
突起である付記４３記載の液晶表示装置。 （付記５０）前記第２のドメイン規制手段は、前記液晶
ドメインの向きと０〜４５度異なる向きに伸びた電極ス
リットである付記４３記載の液晶表示装置。

【０２２４】

【発明の効果】以上説明したように、０〜１８０度方位
に液晶分子が傾く領域の割合と、１８０〜３６０度方位
に液晶分子が傾く領域の割合とを異ならせて適正な割合
にすることにより、画面を上方位又は下方位から見ても
適切な表示が可能になる。また、ゲートライン及びデー
タラインに応じた画素電極の形状にすることにより、画
素電極による液晶分子の配向方向を、ゲートライン及び
データラインによる液晶分子の配向方向に一致させるこ
とができる。また、一対の偏光層の間に１／２波長板を
設けることにより、広視野角及び高輝度の液晶表示装置
を実現することができる。また、第１及び第２の偏光板
の間に所定の位相差フィルムを設けることにより、広視
野角及び高輝度の液晶表示装置を実現することができ
る。また、液晶パネルの液晶分子の配向方向と１／４波
長板の光軸とを直交させることにより、表示画面を斜め
から見ても色付きを防止できる。また、ドメイン規制手
段により液晶分子の配向方向が偏光素子の吸収軸に対し
て４５度をなす方向とそれ以外の方向とを含み、高輝度
の表示を行うことができる。また、第１及び第２のドメ
イン規制手段の両方を設けることにより、画素内全域の
液晶の配向の制御性が向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（Ａ）、（Ｂ）は本発明の第１の実施形態
による画素電極のパターンを示す図である。

【図２】ＭＶＡ型液晶表示装置の基本構成を示す斜視図
である。

【図３】ＭＶＡ型液晶表示装置の白黒コントラストの視
角特性を示す図である。

【図４】図４（Ａ）〜（Ｃ）は、表示面の白っ茶け現象
が生じる理由及び原理を説明するための図である。

【図５】図５（Ａ）、（Ｂ）は、透過光量−印加電圧の
特性を示す図である。

【図６】図６（Ａ）、（Ｂ）は、画素電極のパターンを
示す図である。

【図７】画素電極と補助容量を接続するためのコンタク
ト領域を示す図である。

【図８】図８（Ａ）、（Ｂ）は、液晶表示装置の基本的
構成を示す図である。

【図９】画素電極とＴＦＴを接続するためのコンタクト
領域を示す図である。

【図１０】ＴＦＴの断面図である。

【図１１】液晶表示装置の断面図である。

【図１２】図１２（Ａ）は液晶表示装置の平面図、図１
２（Ｂ）は液晶表示装置の断面図である。

【図１３】図１３（Ａ）、（Ｃ）は画素電極のパターン
を示す図、図１３（Ｂ）はＴＦＴ基板の断面図である。

【図１４】４分割配向のＭＶＡ型液晶表示装置を示す図
である。

【図１５】対向基板にＹ字状のスリットを設けて液晶分
子を配向させる技術を示す図である。

【図１６】本発明の第２の実施形態による液晶表示装置
を示す図である。

【図１７】図１７（Ａ）、（Ｂ）は、微細なスリットを
設けた時の液晶分子の倒れる原理構成を示す図である。

【図１８】画素電極のＹ字の開き角を変えた例を説明す
るための図である。

【図１９】図１９（Ａ）〜（Ｃ）は、微細なスリットの
形の変形例を説明するための図である。

【図２０】図２０（Ａ）、（Ｂ）は、画素電極が先細り
の形状を持つ場合を効果を説明するための図である。

【図２１】図２１（Ａ）、（Ｂ）は、Ｃｓラインからの
斜め電界を活用する液晶表示装置の平面図及び断面図で
ある。

【図２２】他の液晶表示装置の平面図である。

【図２３】図２３（Ａ）は電極を斜めに形成する構成を
示す図、図２３（Ｂ）はＣｓラインからの斜め電界を活
用する構成を示す図である。

【図２４】λ／４板を適用する場合の液晶表示装置を示
す図である。

【図２５】図２５（Ａ）は液晶表示装置の平面図、図２
５（Ｂ）はλ／４板を適用しない場合の透過光量分布を
示す図、図２５（Ｃ）はλ／４板を適用した場合の透過
光量分布を示す図である。

【図２６】広視野角実現のためのフィルム構成を示す図
である。

【図２７】高輝度を実現するためのフィルム構成を示す
図である。

【図２８】図２８（Ａ）、（Ｂ）は本発明の第３の実施
形態によるフィルム構成及び特性を示す図である。

【図２９】図２９（Ａ）、（Ｂ）は本実施形態によるフ
ィルム構成及び特性を示す図である。

【図３０】図３０（Ａ）、（Ｂ）は本実施形態によるフ
ィルム構成及び特性を示す図である。

【図３１】図３１（Ａ）、（Ｂ）は本実施形態によるフ
ィルム構成及び特性を示す図である。

【図３２】視角特性を示す図である。

【図３３】フィルム構成を示す図である。

【図３４】本発明の第４の実施形態によるフィルム構成
を示す図である。

【図３５】他のフィルム構成を示す図である。

【図３６】他のフィルム構成を示す図である。

【図３７】２分割配向の液晶表示装置を示す図である。

【図３８】図３８（Ａ）〜（Ｃ）は二分割配向の問題点
を示す図である。

【図３９】本発明の第５の実施形態による液晶表示装置
を示す平面図である。

【図４０】図４０（Ａ）、（Ｂ）はλ／４板を説明する
ための図である。

【図４１】図４１（Ａ）、（Ｂ）は本実施形態の液晶表
示装置の断面図である。

【図４２】フィルムに散乱層を付与した構成を示す図で
ある。

【図４３】正面で白表示となっているディスプレイを斜
め方位から観察した時の色付きの測定結果を示す図であ
る。

【図４４】図４４（Ａ）、（Ｂ）はＩＰＳ型液晶表示装
置を示す図である。

【図４５】図４５（Ａ）、（Ｂ）はＭＶＡ型液晶表示装
置の電極構成を示す図である。

【図４６】図４６（Ａ）〜（Ｄ）は液晶分子の配向を示
す図である。

【図４７】４ドメインの電極構成を示す図である。

【図４８】フィルム構成を示す図である。

【図４９】図４９（Ａ）〜（Ｃ）は画素電極の構成を示
す図である。

【図５０】図５０（Ａ）〜（Ｄ）は土手及びスリットに
よる配向制御を示す図である。

【図５１】図５１（Ａ）〜（Ｃ）は補助土手及び補助ス
リットによる配向制御を示す図である。

【図５２】図５２（Ａ）、（Ｂ）は微細スリットによる
配向制御を示す図である。

【図５３】十字パターンの土手による配向制御を示す図
である。

【図５４】液晶表示装置のレイアウトを示す図である。

【図５５】液晶表示装置のレイアウトを示す図である。

【図５６】液晶表示装置のレイアウトを示す図である。

【図５７】液晶表示装置のレイアウトを示す図である。

【図５８】液晶表示装置のレイアウトを示す図である。

【図５９】液晶表示装置のレイアウトを示す図である。

【図６０】液晶表示装置のレイアウトを示す図である。

【図６１】液晶表示装置のレイアウトを示す図である。

【図６２】液晶表示装置のレイアウトを示す図である。

【図６３】液晶表示装置のレイアウトを示す図である。

【図６４】液晶表示装置のレイアウトを示す図である。

【図６５】液晶表示装置のレイアウトを示す図である。

【図６６】液晶表示装置のレイアウトを示す図である。

【図６７】液晶表示装置のレイアウトを示す図である。

【図６８】液晶表示装置のレイアウトを示す図である。

【図６９】土手のレイアウトを示す図である。

【符号の説明】

１０１，１０２ 配向領域 １０３ 画素領域 １１１ 画素電極 １１２ コンタクト領域 １１３ データライン １１４ ゲートライン １２１，１２２ 配向領域 １２３ 画素電極 １３１，１３２ 配向領域 １３３ 画素領域 １４１〜１４４ 配向領域 ２０１ ＴＦＴ基板 ２０２ 対向基板 ２０３，２０４ 土手

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/1343 Ｇ０２Ｆ 1/1343 1/1368 1/1368 (72)発明者 笹林 貴 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 武田 有広 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 田坂 泰俊 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 千田 秀雄 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 小池 善郎 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2H049 BA02 BA03 BA06 BA25 BA27 BB03 BB22 BB27 BB33 BB42 BB43 BB44 BB62 BB63 BC03 BC22 2H090 HA16 JA02 JA05 JA06 KA06 KA15 LA01 LA06 LA07 LA09 MA01 MA03 MA06 MA12 MA13 MA15 MB00 MB11 2H091 FA07X FA11X GA02 GA06 HA05 HA08 JA10 KA01 KA02 KA10 LA11 LA16 LA19 LA20 2H092 GA11 GA12 GA13 GA14 JA24 JB01 JB02 JB04 JB05 JB06 JB61 JB69 NA01 NA03 PA07 PA08 PA10 PA11 2H093 ND01 ND13 ND43 NF06

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の基板と、 前記一対の基板の間に挟まれ、前記基板間の電圧無印加
   時に液晶分子が前記基板に対して垂直配向し、前記基板
   間の電圧の印加によって前記基板に略平行となるように
   液晶分子が複数の方位に倒れる液晶層とを有する液晶表
   示装置であって、 前記液晶層は、前記電圧印加時、画面右方位を０度とし
   たときに反時計周りに角度を定義して、０〜１８０度方
   位に液晶分子が傾く領域の割合と、１８０〜３６０度方
   位に液晶分子が傾く領域の割合とが異なる液晶表示装
   置。
2. 【請求項２】 第１及び第２の基板と、 前記第１の基板に設けられ、幅が１０μｍ以下、間隙が
   １０μｍ以下のすのこ状の画素電極と、 前記第１及び第２の基板の間に挟まれ、前記画素電極に
   より配向方位が規制され、画面の上下２方向に液晶分子
   が傾く方向が分割される液晶層とを有する液晶表示装置
   であって、 前記画素電極は、自己のすのこ状画素電極の間隙と隣接
   する画素電極との間における間隙とが同一である液晶表
   示装置。
3. 【請求項３】 さらに、前記第１の基板において前記画
   素電極に接続される薄膜トランジスタと、 前記第１の基板に形成されるカラーフィルタ層とを有す
   る請求項２記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 第１及び第２の基板と、 前記第１及び第２の基板の間に挟まれ、前記第１及び第
   ２の基板間の電圧無印加状態にて液晶分子が前記第１及
   び第２の基板に対して垂直配向する液晶層と、 前記第１の基板に設けられ、ゲート、ソース及びドレイ
   ンを含む薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタのゲートに接続されるゲートライ
   ンと、 前記薄膜トランジスタのソースに接続されるデータライ
   ンと、 前記薄膜トランジスタのドレインに接続され、櫛歯状あ
   るいはスリット状の画素電極であって、該櫛歯の方向が
   前記ゲートライン近傍では該ゲートラインに向かって伸
   びており、前記データライン近傍では該データラインに
   向かって伸びている画素電極とを有する液晶表示装置。
5. 【請求項５】 さらに、画素の中央の左右方向に延びる
   補助容量形成用電極ラインを有し、 前記画素電極は、前記補助容量形成用電極ラインを境に
   して上下に分かれて形成され、前記補助容量形成用電極
   ライン近傍では該補助容量形成用電極ラインに重なる請
   求項４記載の液晶表示装置。
6. 【請求項６】 さらに、前記液晶層を挟んだ前記第１及
   び第２の基板を挟む一対の直交する１／４波長板を有す
   る請求項４記載の液晶表示装置。
7. 【請求項７】 互いに吸収軸が直交する一対の偏光層
   と、 前記一対の偏光層に挟まれる１／２波長の位相差を有す
   る１／２波長板と、 前記一対の偏光層に挟まれ、液晶分子が垂直配向し得る
   液晶層とを有する液晶表示装置であって、 前記１／２波長板は、 １／２波長の位相差を有するフィルムが積層されていて
   そのフィルム面に垂直な方向の位相差（（ｎｘ＋ｎｙ）
   ／２−ｎｚ）×ｄ（フィルム面に垂直な方位の屈折率を
   ｎｚ、フィルムの光軸に平行な方向の屈折率をｎｘ、フ
   ィルムの光軸に垂直なフィルム面内方向の屈折率をｎ
   ｙ、フィルムの膜厚をｄとする）が０あるいは±２０ｎ
   ｍ以下であり、フィルムの光軸は近接する前記偏光層の
   吸収軸に平行あるいは垂直であり、 又は、１／２波長の位相差を有するフィルムが二枚積層
   されていて、そのフィルム面に垂直な方位の屈折率をｎ
   ｚ、フィルムの光軸に平行な方向の屈折率をｎｘ、フィ
   ルムの光軸に垂直なフィルム面内方向の屈折率をｎｙと
   して、二枚のフィルムの（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎ
   ｙ）の値がそれぞれ０．５以下と０．５以上とであり、
   二枚のフィルムの光軸は平行であり、近接する前記偏光
   層の吸収軸に平行あるいは垂直である液晶表示装置。
8. 【請求項８】 さらに、前記垂直配向している液晶層の
   Δｎ×ｄ（Δｎはｎ//−ｎ⊥であり、ｎ//は液晶分子の
   長手方向の屈折率であり、ｎ⊥は液晶分子の長手方向に
   対して垂直方向の屈折率であり、ｄは厚さである）と同
   一の大きさの負の位相差を有するフィルムが前記液晶層
   に近接して設けられている請求項７記載の液晶表示装
   置。
9. 【請求項９】 さらに、前記液晶層と前記フィルムとを
   挟むように、負の位相差が０あるいは±１０ｎｍ以下の
   一対の１／４波長板を有し、 前記一対の１／４波長板の光軸は互いに直交しており、
   且つ、前記一対の偏光層の吸収軸と４５度の角度をなす
   請求項８記載の液晶表示装置。
10. 【請求項１０】 第１及び第２の偏光板と、 前記第１及び第２の偏光板に挟まれ、液晶分子が垂直配
    向しうる液晶層と、 前記第１及び第２の偏光板に挟まれる面内に位相差のあ
    る位相差フィルムであって、近接する偏光板の吸収軸に
    その光軸が垂直になるように設けられ、その屈折率はｎ
    ｘ＞ｎｚ＞＝ｎｙ（ｎｘは光軸方向の屈折率、ｎｙはｎ
    ｘに垂直な面内方向の屈折率、ｎｚは面に鉛直な方向の
    屈折率）の関係にある位相差フィルムとを有する液晶表
    示装置。
11. 【請求項１１】 前記第１の偏光板は、厚みが１００ミ
    クロン以上の保護フィルムを表面に設けている請求項１
    ０記載の液晶表示装置。
12. 【請求項１２】 第１及び第２の偏光板と、 前記第１及び第２の偏光板に挟まれ、液晶分子が垂直配
    向しうる液晶層とを有する液晶表示装置であって、 前記第１の偏光板は、面内位相差を有する保護フィルム
    及び偏光層を含み、前記保護フィルムの光軸が前記偏光
    層の吸収軸に対して垂直又は平行になるように設けられ
    る液晶表示装置。
13. 【請求項１３】 コレステリック液晶層と、 １／４波長板と、 光を供給するバックライトと、 液晶分子が配向可能な液晶パネルとを有する液晶表示装
    置であって、 前記コレステリック液晶層及び前記１／４波長板は、前
    記バックライト及び前記液晶パネルの間に挟まれ、前記
    液晶パネルの液晶分子の配向方向と前記１／４波長板の
    光軸とが直交している液晶表示装置。
14. 【請求項１４】 前記１／４波長板と前記液晶パネルと
    の間に散乱層が形成されている請求項１３記載の液晶表
    示装置。
15. 【請求項１５】 一対の基板の間に液晶が封入された液
    晶パネルと、 吸収軸が互いに直交するように前記液晶パネルの両側に
    配置された一対の偏光素子と、 前記液晶パネルを構成する一対の基板の少なくとも一方
    の表面に、突起、窪み、または電極に設けたスリットの
    いずれか、またはそれらの組み合わせの周期的パターン
    を含み、前記液晶パネル内の液晶分子の配向を規制する
    ドメイン規制手段とを有する液晶表示装置であって、 前記周期的に配置されたドメイン規制手段による液晶分
    子の配向方向が、前記偏光素子の吸収軸に対して４５度
    をなす方向とそれ以外の方向とを含み、電圧無印加時に
    は、液晶分子が基板に対してほぼ垂直に配向しており、
    電圧印加時には、ドメイン規制手段により液晶分子が斜
    めになる方向が各画素内において複数の方向になるよう
    に規制される液晶表示装置。
16. 【請求項１６】 前記液晶パネルは、液晶材料中にカイ
    ラル剤が添加されている請求項１５記載の液晶表示装
    置。
17. 【請求項１７】 さらに、前記一対の偏光素子の間にお
    いて前記液晶パネルを挟むように設けられる一対の１／
    ４波長板を有する請求項１５記載の液晶表示装置。
18. 【請求項１８】 基板表面に垂直配向処理を施した２枚
    の基板と、 前記基板間に挟持されるネガ型液晶と、 各画素内において複数の液晶ドメインの方向になるよう
    に規制するドメイン規制手段であって、画素あるいはそ
    の周辺領域に部分的に備え、前記部分的に設けたドメイ
    ン規制手段の中心を挟んで前記液晶の配向方向を９０〜
    １８０度の範囲で異ならせる第１のドメイン規制手段
    と、前記液晶の配向方向を０〜９０度の範囲で異ならせ
    る第２のドメイン規制手段とを含むドメイン規制手段と
    を有する液晶表示装置。
19. 【請求項１９】 前記第１のドメイン規制手段は、前記
    液晶ドメインの向きと４５〜９０度異なる向きに伸びた
    誘電体突起、前記液晶ドメインの向きと４５〜９０度異
    なる向きに伸びた電極スリット、前記液晶ドメインの向
    きに細長く、前記液晶ドメインの向きと４５〜９０度異
    なる向きに周期的に繰り返した誘電体突起、及び前記液
    晶ドメインの向きに細長く、前記液晶ドメインの向きと
    ４５〜９０度異なる向きに周期的に繰り返した電極スリ
    ットのうちのいずれか又はこれらの複数の組み合わせで
    構成される請求項１８記載の液晶表示装置。
20. 【請求項２０】 前記第２のドメイン規制手段は、前記
    液晶ドメインの向きと０〜４５度異なる向きに伸びた誘
    電体突起、又は前記液晶ドメインの向きと０〜４５度異
    なる向きに伸びた電極スリットである請求項１８記載の
    液晶表示装置。