JP2003181826A - 分断装置および分断方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 所望の位置で基板を分断することができる分
断装置および分断方法を提供する。 【解決手段】 分断装置１０１は、一方向に伸びる亀裂
を基板１０の表面に形成する亀裂形成部１と、亀裂形成
部１が形成した亀裂に対してほぼ直交するように配置さ
れて基板１０を加熱する加熱部３とを備える。加熱部３
は、亀裂の伸びる方向に対して直交するように延びる。
基板１０は脆性材料である。基板１０は、２枚の脆性材
料を貼り合わせたパネルであってもよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、分断装置および
分断方法に関し、特に、電子工業などで使用されるガラ
ス基板、セラミックス基板、半導体ウェハなどの脆い非
金属材料を、熱応力を利用して分断する装置および方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プ
ラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、太陽電池などガ
ラス基板を使用する電子工業の部分では、製造コストを
低減するために、大型かつ平坦なガラス基板に複数の素
子のパターンを形成した後、ガラス基板を分断して個々
のパネルを形成する方法が用いられる。この場合、微小
なガラスのかけら（カレット）またはゴミなどが発生し
ないような分断技術の開発が望まれている。また、基板
の強度を低下させる原因となるマイクロクラックが分断
面に発生しないような分断技術の開発が望まれている。

【０００３】このような分断方法として、レーザによる
熱応力を利用した技術が、たとえば特開平９−１３７０
号公報または特開平１１−１０４８６８号公報に開示さ
れている。これらの公報に開示された方法について、以
下に説明する。

【０００４】図１５は、従来の分断方法を示す斜視図で
ある。図１５を参照して、脆性材料からなる被加工材と
しての基板１０の端面に、硬質工具などで亀裂２（切
欠）を形成する。次に、亀裂２の先端近傍をレーザなど
の点熱源で局所的に加熱する。これにより基板１０に熱
応力歪みを発生させて亀裂先端２ｔから亀裂２を進展さ
せる。以後、レーザ熱源を分断予定線に沿って移動させ
ることにより、矢印１２０で示すレーザを用いて矢印８
で示す方向に亀裂を進展させて基板１０を分断する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述のような従来の分
断方法では、以下のような問題点があった。

【０００６】まず、亀裂の進展ラインは移動するレーザ
熱源に従って延びていくが、亀裂の先端が基板１０の終
端面に近づくに従って亀裂を閉じようとする閉口モーメ
ントが作用する。これにより、亀裂進展速度が低下し、
亀裂が終端まで到達せずに切り残しが発生するという問
題があった。

【０００７】また、基板１０の端部の幅の狭い部分を切
り落とす場合には、レーザ熱源を分断予定線上に沿って
移動させていくと、亀裂の進展ラインが分断予定線に対
し幅の狭い側に曲がるという問題があった。

【０００８】さらに、液晶ディスプレイなどのように２
枚の基板１０を接着剤で上下に貼り合わせたパネルを分
断する際に、たとえば上側の基板１０を加熱して亀裂を
進展させようとしても、上側の基板１０は、接着剤を介
して下側の基板１０に拘束される。その結果、亀裂の先
端を閉じようとするモーメントが作用し、亀裂が進展し
ないという問題があった。

【０００９】また、亀裂を進展させる際にレーザ熱源を
分断予定ラインに沿って移動させるための駆動装置が必
要となる。さらに、レーザ熱源の移動速度およびレーザ
出力を最適化するためには、亀裂の進展速度、進展方向
をモニタする監視カメラ、ＡＥ（アコースティックエミ
ッション）センサ、画像処理装置、フィードバック機構
などが必要となる。さらに、レーザ装置を冷却する機構
等の多数の周辺器具が必要となり、装置が大型化すると
いう問題があった。

【００１０】そこで、この発明は上述のような問題点を
解決するためになされたものである。

【００１１】この発明の１つの目的は、被加工材を所望
の位置で確実に分断することができる分断装置および分
断方法を提供することである。

【００１２】また、この発明の別の目的は、簡単な構成
で被加工材を分断することができる分断装置および分断
方法を提供することである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】この発明に従った分断装
置は、一方向に延びる亀裂を被加工材の表面に形成する
亀裂形成部と、亀裂形成部が形成した亀裂に対してほぼ
直交するように配置されて被加工材を加熱する加熱部と
を備える。

【００１４】このように構成された分断装置では、亀裂
に対してほぼ直交するように配置された加熱部が被加工
材を加熱することにより、被加工材に熱応力が生じる。
この熱応力を利用して亀裂に沿って被加工材を分断する
ことができる。そのため、所望の部分（亀裂の部分）で
確実に被加工材を分断することができる。

【００１５】さらに、加熱部を駆動させる必要がないた
め従来に比べて簡単な装置構成で分断装置を構成するこ
とができる。

【００１６】また好ましくは、加熱部は、亀裂の延びる
方向に対して直交するように延びる部分を有する。

【００１７】また好ましくは、被加工材は脆性材料であ
る。また好ましくは、分断装置は、被加工材を支持する
支持部と、支持部を所定の温度に保つ保温部とをさらに
備える。

【００１８】また好ましくは、被加工材は、２枚の脆性
材料を接着剤で貼り合わせたパネルである。

【００１９】この発明に従った分断方法は、被加工材の
表面に一方向に延びる亀裂を形成する工程と、亀裂の延
びる方向とほぼ直交して帯状に延びる被加工材の部分を
加熱することにより、亀裂に沿って被加工材を分断する
工程とを備える。

【００２０】このような分断方法では、亀裂の延びる方
向とほぼ直交して帯状に延びる被加工材の部分が加熱さ
れるため、被加工材に熱応力が生じる。この熱応力を利
用して亀裂に沿って被加工材を分断することができるた
め、被加工材を所望の位置（亀裂の位置）で確実に分断
することができる。

【００２１】また好ましくは、被加工材を分断する工程
は、亀裂を被加工材の厚み方向に進展させて被加工材を
分断する工程を含む。この場合、被加工材の厚み方向に
亀裂を進展させるために、亀裂の終端部での切り残しが
発生しない。また、分断のラインが屈曲せずに直線的に
分断できる。しかも同時に複数枚の基板に分断できる。
さらに、加熱部を移動させる時間や機構を省略でき、製
造時間を短縮することができる。

【００２２】また好ましくは、被加工材は脆性材料であ
る。また好ましくは、被加工材を分断する工程は、亀裂
が形成された面と反対側の面の被加工材の面を所定の温
度に保った状態で被加工材を分断する工程を含む。

【００２３】また好ましくは、被加工材は、２枚の脆性
材料を接着剤で貼り合わせたパネルである。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて、図面を参照して説明する。

【００２５】（実施の形態１）図１は、この発明の実施
の形態１に従った分断装置の平面図である。図２は、図
１中の矢印ＩＩで示す方向から見た分断装置の正面図で
ある。図１および図２を参照して、この発明の実施の形
態１に従った分断装置１０１は、一方向に延びる亀裂を
被加工材としての基板１０の表面に形成する亀裂形成部
１と、亀裂形成部１が形成した亀裂に対してほぼ直交す
るように配置されて被加工材としての基板１０を加熱す
る加熱部３とを備える。加熱部３は、亀裂の延びる方向
に対して直交するように延びる。

【００２６】被加工材としての基板１０は脆性材料によ
り構成される。さらに、分断装置１０１は、基板１０を
保持する支持部１１を備える。

【００２７】支持部１１の上方に亀裂形成部１が位置決
めされており、亀裂形成部１は矢印１ａで示す方向に移
動することが可能である。これにより、亀裂形成部１は
基板１０の端から端までに亀裂を形成することが可能で
ある。亀裂形成部１は、超硬ホィール、ダイヤモンドカ
ッタなどの硬質工具で構成される。また、亀裂形成部１
は、ダイヤペンシル（ガラスにマーキングを施すための
ペンシルタイプのマーカ）によって構成されてもよい。

【００２８】亀裂形成部１の上方には加熱部３が設けら
れる。加熱部３は、たとえばハロゲンランプなどのヒー
タにより構成される。さらに、レーザやニクロム線によ
り加熱部３を構成してもよい。

【００２９】図３〜図９は、この発明に従った分断方法
を説明するための図である。まず、図２および３を参照
して、ガラスからなる基板１０を支持部１１上に載置す
る。基板１０の寸法は、長さが８８０ｍｍであり、幅が
６８０ｍｍであり、厚みが０．７ｍｍである。基板１０
は、真空吸着などにより支持部１１に固定される。この
基板１０に、たとえばダイヤモンドカッタにより構成さ
れる亀裂形成部１を用いて亀裂２を形成する。その際、
微小なガラスのかけら（カレット）またはマイクロクラ
ックが発生しないように、亀裂２の深さは１０〜２０μ
ｍとする。この亀裂は、基板１０の厚み（０．７ｍｍ）
と比べて浅い。

【００３０】図４を参照して、基板１０の上方に、ヒー
タにより構成される加熱部３を位置決めする。加熱部３
は亀裂２が延びる方向とほぼ直交するように配置され
る。加熱部３は、たとえばハロゲンランプにより構成さ
れる。加熱部３の長さは８８０ｍｍであり、消費電力は
２０００Ｗである。加熱部３と基板１０の表面との距離
を、ハロゲンランプの焦点距離（たとえば５０ｍｍ）と
する。これにより、加熱部３は亀裂２に対してほぼ直交
するように延びる基板１０の帯状部分４を加熱する。な
お、この発明での分断方法を「垂直加熱法」と呼ぶ。上
述のように加熱部３をセットした後に、加熱部３の電源
を入れて、亀裂２を中心とした帯状部分４をある一定時
間（たとえば３秒）加熱する。これにより、帯状部分４
の温度は室温（たとえば２０℃）から急激に高温（たと
えば１００℃）に達する。

【００３１】図５は、図４中の亀裂と帯状領域との関係
を説明するために示す基板の平面図である。図６は、圧
縮領域と引張領域とを説明するために示す基板の平面図
である。図５および６を参照して、この垂直加熱によ
り、帯状部分４は熱膨張して帯状部分４に圧縮領域５が
作用する。帯状部分４は、圧縮応力が加わる圧縮領域５
となる。圧縮領域５からある程度の距離（たとえば１０
ｍｍ）離れた位置に、この圧縮応力と釣り合うための引
張応力が作用する引張領域６が発生する。この引張領域
は、圧縮領域５の作用領域を挟むように平行に２箇所に
発生する。

【００３２】図７および８を参照して、圧縮領域５で
は、圧縮応力が加わり、引張領域６では引張応力が加わ
る。曲線３１は、基板１０上での応力分布を示す。上述
のように、亀裂２の延びる方向に対して垂直な帯状部分
４を加熱することにより、引張領域６と亀裂２とが交わ
る２箇所が応力集中位置７となる。応力集中位置７で
は、亀裂２の先端（底）に引張応力が作用するため、亀
裂２の先端に正の値の応力拡大係数Ｋ（＞０）が発生す
る。応力拡大係数Ｋがある限界値（破壊靭性Ｋｃ）に到
達すると、２箇所の応力集中位置７から矢印８で示す方
向に亀裂が進展する。その際に、亀裂は、板厚方向に進
展すると同時に亀裂２に沿って矢印８で示すように進展
する。そのため図９で示すように基板１０の中央部から
両端に向かって分断されて、基板１０は２つに分断され
る。なお、図９では、亀裂２を大きく記載しているが、
実際には、正しい亀裂２の深さは１μｍ、幅は０．１μ
ｍ程度であり、分断後に亀裂２を目視することは困難で
ある。

【００３３】このように構成されたこの発明に従った分
断装置および分断方法では、亀裂形成部と加熱部を用い
るだけで基板１０を正確な位置で分断することができ
る。さらに、装置構成も簡単になるという効果がある。

【００３４】（実施の形態２）図１０は、この発明の実
施の形態２に従った分断方法を説明するために示す基板
の平面図である。図１０を参照して、実施の形態２で
は、基板１０に３本の亀裂２が形成される。亀裂２の本
数は３本である必要はなく複数本の亀裂２を形成しても
よい。この基板１０を実施の形態１と同様に加熱する
と、加熱された領域が圧縮領域５となり、圧縮領域５か
ら離れた位置に、圧縮応力と釣り合いをとるための２箇
所の引張領域６が発生する。この２箇所の引張領域６と
３本の亀裂２の交点（この場合は６箇所の交点）が応力
集中位置７となる。この部分で正の値の応力拡大係数Ｋ
（＞０）が発生する。応力拡大係数Ｋがある限界値（破
壊靭性Ｋｃ）に到達すると、６箇所の応力集中位置７か
ら同時に亀裂が進展する。これにより、１枚の基板１０
が同時に４枚の基板１０に分断されることになる。

【００３５】本発明者による実験では、幅が２３０ｍ
ｍ、長さが１８０ｍｍ、厚みが０．７ｍｍの基板１０
に、幅方向に３本の亀裂２を形成し、消費電力が２００
０Ｗのハロゲンランプでこれを加熱することにより、亀
裂２に沿って基板１０を切断できるという良好な結果を
得た。

【００３６】このように構成された、この発明の実施の
形態２に従った分断装置および分断方法では、実施の形
態１に従った分断方法と同様の効果がある。さらに、一
度に複数の亀裂に沿って基板を分断することができ、短
時間で多くの分断を行なうことができる。

【００３７】（実施の形態３）図１１は、この発明の実
施の形態３に従った分断装置の平面図である。図１２
は、図１１中の矢印ＸＩＩで示す方向から見た分断装置
の正面図である。図１１および図１２を参照して、この
発明の実施の形態３に従った分断装置１０２は、実施の
形態１に従った分断装置の構成要素の他に、支持部１１
を所定の温度に保つ保温部１４をさらに有する。保温部
１４は支持部１１の温度を所定の温度に保つことができ
ればよい。そのため、保温部１４は、図１１および図１
２で示すように下から支持部を温めるものでもよい。ま
た、保温部１４が支持部１１内に内蔵されて支持部１１
の温度を所定の温度に保ってもよい。さらに、保温部１
４を用いる場合には、基板１０は１枚の基板でもよく、
２枚の基板を接着剤で貼り合わせたものとしてもよい。

【００３８】図１３は、熱変形に対する拘束を説明する
ために示す分断装置の正面図である。図１４は、この発
明の実施の形態３に従った分断方法を説明するために示
す分断装置の正面図である。図１３を参照して、この実
施の形態では、上下の基板９および１０が接着剤１１１
で貼り合わされたパネルを分断する。長さが８８０ｍ
ｍ、幅が６８０ｍｍ、厚みが０．７ｍｍの上下に位置す
る２枚の基板９および１０の周辺部が接着剤１１１（熱
硬化性樹脂）で貼り合わされている。これによりパネル
が構成されている。上下の基板９および１０の間隔は
４．５μｍである。パネルを支持部１１上に載置する。
パネルは支持部１１に真空吸着などで固定される。基板
９の上面および基板１０の裏面の分断を予定する位置
に、超硬ホィール、ダイヤモンドカッタなどの硬質工具
により構成される亀裂形成部１を用いて予め亀裂２を基
板９および１０の長さ方向に形成する。その際、微小な
ガラスのかけら（カレット）またはマイクロクラックが
発生しないように、亀裂２の深さは１０μｍ〜２０μｍ
とする。この亀裂の深さは、板厚（０．７ｍｍ）と比較
して浅い。パネルの上方には、亀裂２の延びる方向と垂
直方向に延びるようにハロゲンランプなどにより構成さ
れるヒータとしての加熱部３を位置決めする。加熱部３
の長さは８８０ｍｍであり、消費電力は２０００Ｗであ
る。加熱部３と、上側の基板９との距離をランプの焦点
距離（たとえば５０ｍｍ）とする。

【００３９】加熱部３を構成するヒータに電力を投入
し、亀裂２の中心を通る領域を垂直方向にある一定時間
（たとえば３秒）加熱する。これにより、加熱された領
域に圧縮領域が作用する。それを挟む２本の領域に引張
応力が作用する。しかしながら、貼り合わせパネルの場
合には、上側の基板９が下側の基板１０と接着されてい
るので、上側の基板９が矢印１１３で示されるように熱
変形に対して拘束される。これにより、圧縮応力が引張
応力よりも優勢となり、亀裂２の先端（底）の応力拡大
係数が破壊靭性Ｋｃに到達しない。これにより亀裂が進
展しない可能性がある。

【００４０】そこで、本発明では、図１４で示すように
支持部１１内に、ヒータにより構成される保温部１４を
埋め込む。保温部１４は、たとえばニクロム線により構
成される。なお、保温部１４はスチーム配管などにより
構成されてもよい。この保温部１４を用いて、下側の基
板１０の温度を室温よりも少しだけ高い温度としてお
く。たとえば、基板１０の温度を室温より５℃高くす
る。これにより、下側の基板１０は僅かに熱膨張して上
側の基板９に追従する。上側の基板９には、矢印１１３
で示す拘束力は働かない。そのため、１枚の基板１０を
分断するときと同様に、亀裂２の先端の応力拡大係数Ｋ
が破壊靭性Ｋｃより大きくなる。これにより亀裂が進展
して、まず上側の基板９を分断することができる。その
後、基板１０が加熱部３に近くなるように配置する。す
なわち、パネルを反転させる。このとき基板９が支持部
１１に接触する。保温部１４を用いて基板９を僅かに加
熱する。加熱部３を用いて基板１０を加熱する。これに
より、亀裂２が板厚方向に進展して基板１０が分断す
る。これによりパネルの分断を行なうことができる。

【００４１】なお、上側の基板９は加熱部３の加熱によ
り室温より大幅に高い温度、たとえば室温より８０℃高
い温度となる。しかしながら、その影響は局所的なもの
である。たとえば、加熱幅は５ｍｍなので、この部分が
加熱されているだけであり、全体としての熱変形量は小
さい。下側の基板１０が全体的に加熱される。たとえ
ば、加熱の幅は６８０ｍｍである。これにより、小さな
温度差（たとえば５℃）で上側の基板９と同程度の熱変
形をさせることが可能である。

【００４２】上下の基板９および１０を貼り合わせてい
る接着剤１１１は、熱伝導率の低い樹脂であり、その幅
は１ｍｍしかない。さらに、上下の基板９および１０に
挟まれた空間には熱伝導率の低い空気が充満している。
そのため、本実施の形態のように短時間（たとえば３
秒）で加熱を行なう場合に、上下の基板９および１０で
の熱の移動は無視できる。上述のように支持部１１を予
備加熱することにより、矢印１１３で示す熱変形拘束を
コントロールすることは可能である。

【００４３】また、上下の基板９および１０の厚みは
０．７ｍｍと薄く熱容量が小さい。そのため、貼り合わ
せパネルや加熱部３の位置合わせの間に同時に下側の基
板１０も予備加熱される。その結果、生産性が低下する
ことはない。

【００４４】なお、上述の方法では、上側の基板９を分
断した後にパネルを反転させて同様の処理を繰返し、下
側の基板１０も分断した。しかしながら、上側の基板９
だけを分断し、下側の基板１０を分断しないことも可能
である。この場合、下側の基板１０に液晶駆動用のドラ
イバＩＣ（integrated circuit）を実装する、いわゆる
端子分断の場合に対応することができる。

【００４５】以上、この発明の実施の形態について説明
したが、ここで示した実施の形態はさまざまに変形する
ことが可能である。まず、加熱部は、亀裂２に対して垂
直に設けられているものを示したが、直角からずれて加
熱部が配置されていてもよい。また、加熱部の形状は一
方向に延びるものに限られるものではなく、やや蛇行し
ていてもよい。すなわち、加熱部は加熱により上述のよ
うな作用効果を達成するような形状であればよい。

【００４６】また、実施の形態３で示した保温部１４を
有する分断装置１０２では２枚の基板を貼り合わせたパ
ネルを分断する方法について説明したが、実施の形態３
の分断装置１０２を用いて、１枚の基板を分断してもよ
い。

【００４７】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。

【００４８】

【発明の効果】この発明の「垂直加熱法」によれば、ガ
ラス、セラミックス、半導体などの脆性材料の分断予定
位置に、予め亀裂を形成し、ハロゲンランプなどのヒー
タ１個で亀裂の中心近傍を垂直方向に加熱する。亀裂の
先端に引張応力を集中させ亀裂を進展させて基板を分断
する。これにより加熱位置の精密な位置合わせや冷却機
構が不要となり、装置構成が簡単でメンテナンス性も向
上する。

【００４９】また、複数本の亀裂に同時に引張応力を集
中させて亀裂を進展させることで１枚の基板を複数枚の
基板に分断する同時分断が可能である。これにより、ヒ
ータを移動させる時間や手間が節約でき、製造リードタ
イムが短縮できる。

【００５０】また、２枚の脆性材料を貼り合わせたパネ
ルの分断においては、支持部を予備加熱して２枚の脆性
材料間に働く熱変形拘束をコントロールする。これによ
り、１枚の脆性材料の場合と同様にパネルを分断するこ
とが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１に従った分断装置の
平面図である。

【図２】 図１中の矢印ＩＩで示す方向から見た分断装
置の正面図である。

【図３】 この発明の実施の形態１に従った分断方法の
第１工程を示す斜視図である。

【図４】 この発明の実施の形態１に従った分断方法の
第２工程を示す斜視図である。

【図５】 図４中の亀裂と帯状領域との関係を説明する
ために示す基板の平面図である。

【図６】 圧縮領域と引張領域を説明するために示す基
板の平面図である。

【図７】 図６中のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った断面図で
ある。

【図８】 亀裂の進展を説明するために示す基板の平面
図である。

【図９】 分断された基板を示す平面図である。

【図１０】 この発明の実施の形態２に従った分断方法
を説明するために示す基板の平面図である。

【図１１】 この発明の実施の形態３に従った分断装置
の平面図である。

【図１２】 図１１中の矢印ＸＩＩで示す方向から見た
分断装置の正面図である。

【図１３】 熱変形に対する拘束を説明するために示す
分断装置の正面図である。

【図１４】 この発明の実施の形態３に従った分断方法
を説明するために示す分断装置の正面図である。

【図１５】 従来の分断方法を示す斜視図である。

【符号の説明】

１ 亀裂形成部、２ 亀裂、３ 加熱部、４ 帯状部
分、１０ 基板、１１支持部、１４ 保温部、１０１，
１０２ 分断装置。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一方向に延びる亀裂を被加工材の表面に
   形成する亀裂形成部と、 前記亀裂形成部が形成した亀裂に対してほぼ直交するよ
   うに配置されて被加工材を加熱する加熱部とを備えた、
   分断装置。
2. 【請求項２】 前記加熱部は、前記亀裂の延びる方向に
   対して直交するように延びる部分を有する、請求項１に
   記載の分断装置。
3. 【請求項３】 被加工材は脆性材料である、請求項１ま
   たは２に記載の分断装置。
4. 【請求項４】 被加工材を支持する支持部と、前記支持
   部を所定の温度に保つ保温部とをさらに備えた、請求項
   １から３のいずれか１項に記載の分断装置。
5. 【請求項５】 前記被加工材は２枚の脆性材料を接着剤
   で貼り合わせたパネルである、請求項４に記載の分断装
   置。
6. 【請求項６】 被加工材の表面に一方向に延びる亀裂を
   形成する工程と、 亀裂の延びる方向とほぼ直交して帯状に延びる被加工材
   の部分を加熱することにより、亀裂に沿って被加工材を
   分断する工程とを備えた、分断方法。
7. 【請求項７】 被加工材を分断する工程は、亀裂を被加
   工材の厚み方向に進展させて被加工材を分断する工程を
   含む、請求項６に記載の分断方法。
8. 【請求項８】 被加工材は脆性材料である、請求項６ま
   たは７に記載の分断方法。
9. 【請求項９】 被加工材を分断する工程は、亀裂が形成
   された面と反対側の被加工材の面を所定の温度に保った
   状態で被加工材を分断する工程を含む、請求項６から８
   のいずれか１項に記載の分断方法。
10. 【請求項１０】 被加工材は２枚の脆性材料を接着剤で
    貼り合わせたパネルである、請求項９に記載の分断方
    法。