Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP2002346453A - Thin film forming device - Google Patents

Thin film forming device

Info

Publication number
JP2002346453A
JP2002346453A JP2001158187A JP2001158187A JP2002346453A JP 2002346453 A JP2002346453 A JP 2002346453A JP 2001158187 A JP2001158187 A JP 2001158187A JP 2001158187 A JP2001158187 A JP 2001158187A JP 2002346453 A JP2002346453 A JP 2002346453A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
substrate
mist
coating liquid
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001158187A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tsutomu Kamiyama
勉 上山
Yoshiyuki Nakagawa
良幸 中川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2001158187A priority Critical patent/JP2002346453A/en
Publication of JP2002346453A publication Critical patent/JP2002346453A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Spray Control Apparatus (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film forming device capable of forming a uniform thin film by supplying coating liquid mist onto a substrate surface with excellent in-plane uniformity, and forming a thin film of high quality by effectively collecting surplus coating mist which is scattered from the substrate surface of the coating liquid mist. SOLUTION: The range of ejection of a resist mist 52 is narrowed to a coating area 44, the resist mist 52 is uniformly supplied to the substrate surface, and the in-plane uniformity of the thin film is enhanced. Furthermore, an ejection nozzle 40 is arranged in the upper position of the substrate surface of the ejection nozzle 40 and supplies the resist mist 52 to the coating area 44 so as to make an acute angle with respect to a perpendicular 48 of the coating area 44, and on the contrary, a suction nozzle 42 is arranged in the upper position of the substrate surface and on the opposite side of the ejection nozzle 40 sandwiching the perpendicular 48, and surplus resist mist 54 which is scattered from the coating area 44 is effectively sucked by the suction nozzle 42.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板、液
晶表示装置用ガラス基板、プラズマ表示装置用ガラス基
板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等
(以下、「基板」と称する)の表面にフォトレジスト液
などの塗布液の薄膜を形成する薄膜形成装置、特に微粒
子状の塗布液ミストを基板表面に供給して該基板表面上
に塗布液の薄膜を形成する装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a plasma display, a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk, and the like (hereinafter referred to as "substrate"). The present invention relates to a thin film forming apparatus for forming a thin film of a coating liquid such as a photoresist liquid, and more particularly to an apparatus for supplying a fine mist of a coating liquid to a substrate surface to form a thin film of the coating liquid on the substrate surface.

【0002】[0002]

【従来の技術】基板表面に塗布液の薄膜を形成する装置
としては、例えば基板にシャワーノズルから塗布液を供
給する装置、あるいは、基板の略中央部にノズルから塗
布液を滴下した後に該基板を高速回転させることによっ
て塗布液を基板表面全面に均一に拡散させる装置等が知
られている。しかしながら、これらの薄膜形成装置で
は、基板表面に塗布されることなく無駄に消費される塗
布液の量が多く、塗布液の消費量が増大するという問題
があった。そこで、塗布液を基板表面に供給するのでは
なく、微粒子状の塗布液ミストを発生させ、この塗布液
ミストを基板表面に供給することにより基板表面に塗布
液の薄膜を形成する技術が従来より提案されている。
2. Description of the Related Art As an apparatus for forming a thin film of a coating liquid on a substrate surface, for example, an apparatus for supplying a coating liquid to a substrate from a shower nozzle, or a method in which the coating liquid is dropped from a nozzle to a substantially central portion of the substrate, and There is known an apparatus or the like in which a coating liquid is uniformly diffused over the entire surface of a substrate by rotating the substrate at a high speed. However, these thin film forming apparatuses have a problem that a large amount of the coating liquid is wasted without being coated on the substrate surface, and the consumption of the coating liquid increases. Therefore, instead of supplying the coating liquid to the substrate surface, a fine-particle coating liquid mist is generated, and the coating liquid mist is supplied to the substrate surface to form a thin film of the coating liquid on the substrate surface. Proposed.

【0003】この種の薄膜形成装置としては、例えば特
開平5−184989号公報に記載されたものがある。
この薄膜形成装置では、塗布室(処理室)内で基板支持
台上に基板が載置されるとともに、その基板の上方位置
に円錐状のミスト供給部が配置されている。このミスト
供給部の下端側は基板表面全体を臨むように開口し、ま
たミスト供給部の上端に連通されたミスト搬送配管を介
して窒素ガスとともに塗布液ミストがミスト供給部に搬
送され、さらに前記開口を介して基板表面に供給され
る。こうして、基板表面上に塗布液ミストが供給される
と、該基板表面上に堆積して塗布液の薄膜が形成され
る。このように、この従来装置では、基板表面への塗布
液ミストの堆積によって塗布液の薄膜を形成しているた
め、塗布液そのものを基板表面に供給して薄膜を形成す
る場合に比べて無駄に消費される塗布液を削減すること
ができ、塗布液消費量の低減を図っている。
As this type of thin film forming apparatus, there is one described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-18489.
In this thin film forming apparatus, a substrate is placed on a substrate support in a coating chamber (processing chamber), and a conical mist supply unit is disposed above the substrate. The lower end side of the mist supply unit is opened so as to face the entire surface of the substrate, and the coating liquid mist is transported to the mist supply unit together with the nitrogen gas through a mist transportation pipe communicated with the upper end of the mist supply unit. It is supplied to the substrate surface through the opening. Thus, when the coating liquid mist is supplied on the substrate surface, it is deposited on the substrate surface to form a thin film of the coating liquid. As described above, in this conventional apparatus, the thin film of the coating liquid is formed by depositing the coating liquid mist on the substrate surface, so that the coating liquid itself is wasted compared to the case where the coating liquid itself is supplied to the substrate surface to form the thin film. The consumption of the coating liquid can be reduced, and the amount of the coating liquid consumed is reduced.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来装置では、円錐状ミスト供給部の開口から基板表
面全体に塗布液ミストを同時に供給しているため、塗布
液ミストを基板表面全体にわたって均一に供給すること
が難しい。例えば、ミスト供給部とミスト搬送配管との
接続箇所(ミスト供給部の上端部)から最も近い基板表
面の中央部と、その接続箇所から最も離れた基板周縁部
とでは、塗布液ミストの流速、供給量や密度などが大き
く相違している。そのため、基板表面において薄膜を均
一に形成することが困難であった。特に、近年、基板サ
イズの大型化に伴って上記従来装置によって塗布液ミス
トを基板表面全体にわたって均一に供給することはより
困難なものとなってきている。
However, in the above-described conventional apparatus, since the coating liquid mist is simultaneously supplied to the entire surface of the substrate from the opening of the conical mist supply unit, the coating liquid mist is uniformly distributed over the entire surface of the substrate. Difficult to supply. For example, at the center of the substrate surface closest to the connection point (upper end of the mist supply unit) between the mist supply unit and the mist transport pipe, and at the peripheral edge of the substrate farthest from the connection point, the flow rate of the coating liquid mist, The supply amount and density are greatly different. Therefore, it was difficult to form a thin film uniformly on the substrate surface. In particular, in recent years, it has become more difficult to supply the coating liquid mist uniformly over the entire surface of the substrate by the above-described conventional apparatus with the increase in the size of the substrate.

【0005】また、塗布液ミストを用いて薄膜を形成し
ているといっても、ミスト供給部から基板表面に向けて
供給した塗布液ミストの全てが基板表面に堆積するとい
うわけではなく、その一部は基板表面から飛散し、余剰
塗布液ミストとして塗布室内で残存することがある。こ
のように塗布室内に残存した余剰塗布液ミストが基板表
面に再付着すると、薄膜の膜厚が不均一となったり、基
板を汚染してしまうなどの不都合を発生させることがあ
る。そのため、この種の薄膜形成装置では、余剰塗布液
ミストの回収効率を高めて上記不都合の発生を防止して
高品質な薄膜を形成することが切望されている。
Further, even when a thin film is formed using a coating liquid mist, not all of the coating liquid mist supplied from the mist supply section toward the substrate surface is deposited on the substrate surface. Some of them may be scattered from the substrate surface and remain in the coating chamber as excess mist of the coating liquid. If the excess coating liquid mist remaining in the coating chamber adheres to the substrate surface in this way, there may be problems such as uneven thickness of the thin film and contamination of the substrate. Therefore, in this type of thin film forming apparatus, it is desired to form a high quality thin film by increasing the collection efficiency of the excess coating liquid mist to prevent the above-mentioned problems from occurring.

【0006】この発明は上記課題に鑑みなされたもので
あり、塗布液ミストを優れた面内均一性で基板表面に供
給して均一な薄膜を形成するとともに、塗布液ミストの
うち基板表面から飛散した余剰塗布液ミストを効率よく
回収して高品質な薄膜を形成することができる薄膜形成
装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and provides a coating liquid mist with excellent in-plane uniformity to a substrate surface to form a uniform thin film, and scatters the coating liquid mist from the substrate surface. It is an object of the present invention to provide a thin film forming apparatus capable of efficiently collecting excess coating liquid mist and forming a high quality thin film.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この発明は、塗布液ミス
トを基板の表面に供給して該基板表面上に塗布液の薄膜
を形成する薄膜形成装置であって、上記目的を達成する
ため、前記基板表面の上方位置に配置され、前記基板表
面のうち塗布液を塗布すべき塗布領域の垂線に対して鋭
角をなすように塗布液ミストを前記塗布領域に噴出する
噴出ノズルと、前記基板表面の上方位置で、かつ前記垂
線を挟んで前記噴出ノズルの反対側に配置され、前記塗
布領域から飛散する余剰塗布液ミストを吸引する吸引ノ
ズルとを備えている(請求項1)。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a thin film forming apparatus for supplying a coating liquid mist to a surface of a substrate to form a thin film of the coating liquid on the surface of the substrate. An ejection nozzle that is disposed at a position above the substrate surface and that ejects a coating liquid mist to the coating area so as to form an acute angle with respect to a perpendicular to a coating area to be coated with the coating liquid on the substrate surface; And a suction nozzle disposed on the opposite side of the ejection nozzle with the perpendicular line interposed therebetween and for sucking excess coating liquid mist scattered from the coating area (claim 1).

【0008】このように構成された発明では、噴出ノズ
ルから噴出された塗布液ミストが基板表面の一部、つま
り塗布領域に限定的に供給されて塗布液の薄膜が形成さ
れる。このように塗布液ミストの噴出範囲を絞ることで
塗布液ミストが塗布領域に均一に供給されて薄膜の面内
均一性が高められる。また、噴出ノズルから塗布領域に
噴出される塗布液ミストは塗布領域の垂線に対して鋭角
をなしているため、その塗布領域から飛散する余剰塗布
液ミストの大部分は垂線を挟んで噴出方向と反対側に飛
散する。そして、その飛散方向には吸引ノズルが配置さ
れているため、余剰塗布液ミストが吸引ノズルによって
吸引回収され、基板表面への余剰塗布液ミストの再付着
が確実に防止される。
[0008] In the invention configured as described above, the coating liquid mist jetted from the jet nozzle is supplied to a part of the substrate surface, that is, the coating area, to form a thin film of the coating liquid. Thus, by narrowing the ejection range of the coating liquid mist, the coating liquid mist is uniformly supplied to the coating area, and the in-plane uniformity of the thin film is improved. In addition, since the coating liquid mist ejected from the ejection nozzle to the application area forms an acute angle with respect to the perpendicular of the application area, most of the excess coating liquid mist scattered from the application area is in the ejection direction across the perpendicular. Splashes on the other side. Since the suction nozzle is arranged in the scattering direction, the excess coating liquid mist is suctioned and collected by the suction nozzle, and the re-adhesion of the excess coating liquid mist to the substrate surface is reliably prevented.

【0009】ここで、駆動手段によって噴出ノズルおよ
び吸引ノズルを基板に対して相対移動させると、その相
対移動に伴って塗布領域が基板の表面内で移動する。そ
こで、このようにして塗布領域を基板表面に対して相対
移動させながら、噴出ノズルから塗布液ミストを噴出さ
せる(請求項2)と、基板表面を広い範囲にわたって塗
布液の薄膜を形成することができる。また、その薄膜形
成と並行して吸引ノズルで余剰塗布液ミストを吸引する
ことにより、その薄膜形成時に飛散する余剰塗布液ミス
トを吸引回収して再付着を防止することができる。
Here, when the ejection nozzle and the suction nozzle are relatively moved with respect to the substrate by the driving means, the application area moves within the surface of the substrate with the relative movement. Thus, when the coating liquid mist is jetted from the jet nozzle while moving the coating area relative to the substrate surface in this way (claim 2), a thin film of the coating liquid can be formed over a wide area on the substrate surface. it can. Further, by sucking the excess coating liquid mist with the suction nozzle in parallel with the formation of the thin film, the excess coating liquid mist scattered at the time of forming the thin film can be collected by suction to prevent re-adhesion.

【0010】また、基板の表面温度を制御する温度調整
手段をさらに設け、塗布領域の表面温度を塗布液ミスト
の温度よりも低い温度に調整するようにしてもよい(請
求項3)。というのも、塗布領域の表面温度が塗布液ミ
ストよりも低温になると、塗布領域への塗布液ミストの
堆積が促進される。しかも、温度調整によって堆積速度
を制御することも可能である。
Further, a temperature adjusting means for controlling the surface temperature of the substrate may be further provided to adjust the surface temperature of the application region to a temperature lower than the temperature of the application liquid mist. That is, when the surface temperature of the application area is lower than the application liquid mist, the deposition of the application liquid mist on the application area is promoted. In addition, the deposition rate can be controlled by adjusting the temperature.

【0011】さらに、基板表面の一部が塗布液の薄膜を
形成する有効領域となっており、残りが塗布液の薄膜を
形成しない非有効領域となっていることがあるが、この
場合、非有効領域の表面温度を有効領域の表面温度より
も高く設定するのが望ましい(請求項4)。基板の表面
温度が比較的低い箇所では塗布液の堆積が促進される一
方、表面温度が比較的高い箇所では塗布液の堆積が抑制
される。このため、上記のように非有効領域の表面温度
を有効領域の表面温度よりも高く設定した場合、有効領
域での塗布液の堆積に比べて非有効領域での塗布液の堆
積が抑制される。
Further, a part of the substrate surface may be an effective area for forming a thin film of the coating liquid, and the remaining may be an ineffective area where no thin film of the coating liquid is formed. It is desirable to set the surface temperature of the effective area higher than the surface temperature of the effective area. Where the surface temperature of the substrate is relatively low, the deposition of the coating liquid is promoted, while where the surface temperature is relatively high, the deposition of the coating liquid is suppressed. Therefore, when the surface temperature of the non-effective area is set higher than the surface temperature of the effective area as described above, the deposition of the coating liquid in the non-effective area is suppressed as compared with the deposition of the coating liquid in the effective area. .

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】図1は、この発明にかかる薄膜形
成装置の一の実施形態を示す図である。この薄膜形成装
置は、処理室2内で塗布液の薄膜を基板4の表面上に形
成する装置であり、この実施形態では塗布液としてフォ
トレジスト液が用いられている。
FIG. 1 is a view showing one embodiment of a thin film forming apparatus according to the present invention. This thin film forming apparatus is an apparatus for forming a thin film of a coating liquid on the surface of a substrate 4 in a processing chamber 2. In this embodiment, a photoresist liquid is used as a coating liquid.

【0013】この薄膜形成装置は、フォトレジスト液の
ミスト(以下「レジストミスト」という)を発生させる
レジストミスト発生部6を備えており、このレジストミ
スト発生部6で発生させたレジストミストを配管8を介
して処理室2に圧送している。より詳しく説明すると、
レジストミスト発生部6には、レジストミストを生成す
るミスト生成ノズル10が設けられており、レジスト加
圧部12から圧送されてくるフォトレジスト液を噴霧し
てレジストミストを発生させるとともに、不活性ガス加
圧部14から圧送されてくる窒素ガスなどの不活性ガス
でレジストミストを処理室2側に送り込んでいる。な
お、レジストミストを発生させる構成については、これ
に限定されるものではなく任意であり、例えばフォトレ
ジスト液に超音波振動を加えてレジストミストを発生さ
せるようにしてもよい。
The thin film forming apparatus includes a resist mist generating section 6 for generating a mist of a photoresist liquid (hereinafter referred to as “resist mist”). The resist mist generated by the resist mist generating section 6 is supplied to a pipe 8. To the processing chamber 2 via a pressure. To elaborate,
The resist mist generating section 6 is provided with a mist generating nozzle 10 for generating a resist mist. The resist mist is generated by spraying a photoresist liquid pressure-fed from a resist pressing section 12 to generate a resist mist. The resist mist is sent to the processing chamber 2 side by an inert gas such as nitrogen gas sent from the pressurizing unit 14 under pressure. The configuration for generating the resist mist is not limited to this, and is arbitrary. For example, the resist mist may be generated by applying ultrasonic vibration to a photoresist liquid.

【0014】レジストミスト発生部6で発生したレジス
トミストは配管8で処理室2に搬送されるが、その搬送
中にレジストミストが凝集して液滴状となるのを防止す
るため、配管8を取り囲むように加熱ヒータ16が設け
られている。
The resist mist generated in the resist mist generating section 6 is conveyed to the processing chamber 2 by a pipe 8. In order to prevent the resist mist from aggregating into droplets during the conveyance, the pipe 8 is connected. A heater 16 is provided so as to surround it.

【0015】処理室2では、基板保持台18が設けられ
ており、この基板保持台18の上面で基板4を略水平状
態に載置保持可能となっている。また、この基板保持台
18には、複数のペルチェ素子20からなる温度調整ユ
ニット22が組み込まれており、各ペルチェ素子20を
個別に制御することによって基板保持台18に載置され
ている基板4の表面温度を部分的に制御可能となってい
る。例えば、基板4の表面周縁部の温度が表面中央部よ
りも高温となるように制御したり、基板4の表面中央部
がレジストミストよりも低温となるように制御すること
が可能となっている。
In the processing chamber 2, a substrate holding table 18 is provided, and the substrate 4 can be placed and held on the upper surface of the substrate holding table 18 in a substantially horizontal state. Further, a temperature adjustment unit 22 including a plurality of Peltier elements 20 is incorporated in the substrate holder 18, and the substrate 4 mounted on the substrate holder 18 is controlled by individually controlling the Peltier elements 20. Can be partially controlled. For example, it is possible to control the temperature of the peripheral portion of the surface of the substrate 4 to be higher than that of the central portion of the surface, or to control the temperature of the central portion of the surface of the substrate 4 to be lower than that of the resist mist. .

【0016】また、基板保持台18の上方位置にノズル
ヘッド24が水平面(X−Y平面)内に移動自在に設け
られている。このノズルヘッド24はXYステージ26
と機械的に連結されており、XYステージ26によって
ノズルヘッド24を基板保持台18に保持される基板4
に対して相対移動させることができるように構成されて
いる。そして、ノズルヘッド24は配管8によってレジ
ストミスト発生部6と連結されており、基板4に対して
相対移動しながら、配管8を介して処理室2に送りこま
れたレジストミストを基板表面に向けて噴出して基板表
面にフォトレジスト液の薄膜を順次形成する。このよう
に、この実施形態では、XYステージ26が本発明の
「駆動手段」として機能している。
A nozzle head 24 is provided at a position above the substrate holding table 18 so as to be movable in a horizontal plane (XY plane). This nozzle head 24 is an XY stage 26
The substrate 4, which is mechanically connected to the nozzle holder 24 and is held by the substrate holder 18 by the XY stage 26.
It is configured to be able to relatively move with respect to. The nozzle head 24 is connected to the resist mist generation unit 6 by the pipe 8, and moves the resist mist sent to the processing chamber 2 through the pipe 8 toward the substrate surface while relatively moving with respect to the substrate 4. By jetting, a thin film of a photoresist liquid is sequentially formed on the substrate surface. Thus, in this embodiment, the XY stage 26 functions as the “driving unit” of the present invention.

【0017】また、このノズルヘッド24は吸引ポンプ
28と接続されており、基板表面から飛散した余剰レジ
ストミストを吸引して処理室2からレジストミスト発生
部6の気液分離部30に回収可能となっている。なお、
ノズルヘッド24の詳しい構成および動作については、
後で詳述する。
The nozzle head 24 is connected to a suction pump 28 so that the excess resist mist scattered from the substrate surface can be sucked and collected from the processing chamber 2 to the gas-liquid separation unit 30 of the resist mist generation unit 6. Has become. In addition,
For the detailed configuration and operation of the nozzle head 24,
Details will be described later.

【0018】さらに処理室2では基板保持台18の周囲
を取り囲むようにカップ32が設けられている。このカ
ップ32は配管34によって回収ポンプ36と連結され
ており、上記ノズルヘッド24で回収することができな
かった余剰レジストミストをカップ32で補集するとと
もに、その余剰レジストミストを回収ポンプ36によっ
て気液分離部30に回収する。
Further, in the processing chamber 2, a cup 32 is provided so as to surround the periphery of the substrate holding table 18. The cup 32 is connected to a collection pump 36 by a pipe 34. The cup 32 collects excess resist mist that could not be collected by the nozzle head 24, and the excess resist mist is collected by the collection pump 36. The liquid is collected in the liquid separation unit 30.

【0019】こうして余剰レジストミストを回収した気
液分離部30は余剰レジストミストをフォトレジスト液
に戻し、レジスト加圧部12に送り込んでフォトレジス
ト液の再利用に供している。このように、この実施形態
では、フォトレジスト液を循環利用してフォトレジスト
液を効率良く薄膜形成に使用することができ、フォトレ
ジスト液の消費量を低減させることができる。
The gas-liquid separating section 30, which has collected the excess resist mist, returns the excess resist mist to the photoresist liquid and sends it to the resist pressurizing section 12 for reuse of the photoresist liquid. As described above, in this embodiment, the photoresist solution can be efficiently used for forming a thin film by circulating the photoresist solution, and the consumption of the photoresist solution can be reduced.

【0020】なお、この薄膜形成装置では、装置全体を
制御する制御部38が設けられており、この制御部38
からの制御指令に応じてレジスト加圧部12、不活性ガ
ス加圧部14、加熱ヒータ16、ペルチェ素子20、X
Yステージ26、吸引ポンプ28および回収ポンプ36
が駆動制御される。
In this thin film forming apparatus, a control unit 38 for controlling the entire apparatus is provided.
Resist pressurizing unit 12, inert gas pressurizing unit 14, heater 16, Peltier device 20, X
Y stage 26, suction pump 28 and recovery pump 36
Is drive-controlled.

【0021】次に、ノズルヘッド24の構成および動作
について図2を参照しつつ詳述する。図2はノズルヘッ
ドを示す図であり、同図(a)はノズルヘッドの拡大断
面図であり、同図(b)は基板表面側からノズルヘッド
を見た平面図である。なお、同図中の符号Zは水平面
(X-Y平面)に対して直交する鉛直方向を示してい
る。
Next, the configuration and operation of the nozzle head 24 will be described in detail with reference to FIG. 2A and 2B are views showing the nozzle head, FIG. 2A is an enlarged sectional view of the nozzle head, and FIG. 2B is a plan view of the nozzle head viewed from the substrate surface side. Note that reference numeral Z in the figure indicates a vertical direction orthogonal to a horizontal plane (XY plane).

【0022】ノズルヘッド24には、同図に示すよう
に、2つの貫通孔40,42が設けられている。そし
て、その一方の貫通孔40は配管8と連通されており、
レジストミスト発生部6から圧送されてきたレジストミ
ストを基板4の表面のうちフォトレジスト液の薄膜を形
成すべき塗布領域44に向けて噴出し、その塗布領域4
4にフォトレジスト液の薄膜46を形成する。このよう
にノズルヘッド24に設けられた貫通孔40が本発明の
「噴出ノズル」として機能している。また、この実施形
態では、噴出ノズル40は塗布領域44の垂線48に対
して鋭角をなすようにノズルヘッド24内部に延設され
ており、その噴出口50から噴出されるレジストミスト
52も垂線48に対して鋭角をなしている。
The nozzle head 24 is provided with two through holes 40 and 42 as shown in FIG. And one of the through holes 40 is communicated with the pipe 8,
The resist mist pressure-fed from the resist mist generating section 6 is jetted toward the coating area 44 on the surface of the substrate 4 where the thin film of the photoresist liquid is to be formed.
4, a thin film 46 of a photoresist solution is formed. Thus, the through-hole 40 provided in the nozzle head 24 functions as the “ejection nozzle” of the present invention. In this embodiment, the ejection nozzle 40 extends inside the nozzle head 24 so as to form an acute angle with respect to a perpendicular 48 of the coating region 44, and the resist mist 52 ejected from the ejection port 50 also has a perpendicular 48. At an acute angle to

【0023】また、他方の貫通孔42は垂線48を挟ん
で噴出ノズル40の反対側に配置されており、その上端
部に吸引ポンプ28が連通されている。このため、制御
部38からの制御指令に応じて吸引ポンプ28を作動さ
せると、塗布領域44から飛散する余剰レジストミスト
54は吸引口56から貫通孔42内に吸引され、さらに
気液分離部30に回収される。このように、ノズルヘッ
ド24に設けられた貫通孔42が本発明の「吸引ノズ
ル」として機能している。
The other through-hole 42 is disposed on the opposite side of the ejection nozzle 40 with respect to the perpendicular 48, and the upper end thereof is connected to the suction pump 28. For this reason, when the suction pump 28 is operated in response to a control command from the control unit 38, the excess resist mist 54 scattered from the application area 44 is sucked from the suction port 56 into the through-hole 42, and the gas-liquid separation unit 30 Will be collected. Thus, the through-hole 42 provided in the nozzle head 24 functions as the “suction nozzle” of the present invention.

【0024】次に、上記のように構成された薄膜形成装
置の動作について説明する。この薄膜形成装置では、薄
膜形成すべき基板4が図示を省略する搬送ロボットによ
って基板保持台18に搬送された後、基板保持台18に
よって保持されると、制御部38が各ペルチェ素子20
を個別に制御して基板4の表面温度を調整する。例え
ば、図3に示すように基板表面のうち中央部分(ハッチ
ング領域)が薄膜を形成すべき有効領域58となってお
り、その有効領域58を取り囲む周縁部分が薄膜を形成
しない非有効領域60となっている場合には、その有効
領域58に対応するペルチェ素子20によって基板4を
冷却して有効領域58の表面温度を温度T2まで冷却す
る。こうすることで、基板表面では、非有効領域60の
表面温度T1が有効領域58の表面温度T2よりも高くな
る。なお、同図中の下方グラフは上方構成図のA−A線
に沿った基板4の表面温度の分布を示すものである。
Next, the operation of the thin film forming apparatus configured as described above will be described. In this thin film forming apparatus, when the substrate 4 on which a thin film is to be formed is transferred to the substrate holding table 18 by a transfer robot (not shown) and then held by the substrate holding table 18, the control unit 38 controls each Peltier device 20.
Are individually controlled to adjust the surface temperature of the substrate 4. For example, as shown in FIG. 3, a central portion (hatched region) of the substrate surface is an effective region 58 where a thin film is to be formed, and a peripheral portion surrounding the effective region 58 is a non-effective region 60 where no thin film is formed. If so, the Peltier element 20 corresponding to the effective area 58 cools the substrate 4 to cool the surface temperature of the effective area 58 to the temperature T2. By doing so, on the substrate surface, the surface temperature T1 of the non-effective area 60 becomes higher than the surface temperature T2 of the effective area 58. The lower graph in the figure shows the distribution of the surface temperature of the substrate 4 along the line AA in the upper configuration diagram.

【0025】ここで、噴出ノズル40から噴出されるレ
ジストミスト52の温度をTrとすれば、次の不等式、 T1>Tr>T2 を満足するように基板4の表面温度分布をとるように制
御するのが好適である。なんとなれば、有効領域58の
表面温度をレジストミスト52よりも低い温度に設定す
ることにより、基板表面へのレジスト堆積を促進するこ
とができるからである。また、非有効領域60について
は、レジストミスト52よりも高い温度に設定されてい
るため、後述するように余剰レジストミストが非有効領
域60に飛散してきたとしても、そのレジストミストの
非有効領域60への堆積を抑制することができるからで
ある。
Here, assuming that the temperature of the resist mist 52 ejected from the ejection nozzle 40 is Tr, the surface temperature distribution of the substrate 4 is controlled so as to satisfy the following inequality: T1>Tr> T2. Is preferred. This is because, by setting the surface temperature of the effective region 58 to a temperature lower than that of the resist mist 52, the deposition of the resist on the substrate surface can be promoted. Further, since the temperature of the non-effective area 60 is set to be higher than that of the resist mist 52, even if excess resist mist scatters to the non-effective area 60 as described later, the non-effective area 60 This is because it is possible to suppress the deposition on the substrate.

【0026】基板表面が上記した温度分布(図3)にな
ると、制御部38はXYステージ26を駆動してノズル
ヘッド24を有効領域58における最初の塗布領域44
に対応する位置に移動させた後、レジスト加圧部12、
不活性ガス加圧部14、吸引ポンプ28および回収ポン
プ36などを制御し、その塗布領域44に向けてレジス
トミスト52を供給してフォトレジスト液の薄膜46を
形成するとともに、レジストミスト52のうち塗布領域
44から飛散した余剰レジストミスト54を吸引ノズル
42および吸引ポンプ28を介して気液分離部30に回
収する。
When the substrate surface has the above-mentioned temperature distribution (FIG. 3), the controller 38 drives the XY stage 26 to move the nozzle head 24 to the first coating area 44 in the effective area 58.
After being moved to a position corresponding to
By controlling the inert gas pressurizing unit 14, the suction pump 28, the recovery pump 36, and the like, the resist mist 52 is supplied toward the application region 44 to form the thin film 46 of the photoresist liquid. Excess resist mist 54 scattered from the application area 44 is collected in the gas-liquid separation unit 30 via the suction nozzle 42 and the suction pump 28.

【0027】このようにして薄膜形成を開始すると、制
御部38はレジスト加圧部12、不活性ガス加圧部1
4、吸引ポンプ28および回収ポンプ36などを作動さ
せたまま、XYステージ26を駆動してノズルヘッド2
4を予め決められた移動経路に沿ってX−Y平面内で2
次元的に移動させることによって塗布領域44をその移
動経路に対応して移動させる。これにより、薄膜形成領
域を基板表面の有効領域58全体に広げることができ
る。
When the formation of the thin film is started in this manner, the control section 38 controls the resist press section 12 and the inert gas press section 1.
4. While the suction pump 28 and the recovery pump 36 are operated, the XY stage 26 is driven to drive the nozzle head 2
4 in the XY plane along a predetermined movement path.
The application area 44 is moved corresponding to the movement path by moving the application area 44 in a three-dimensional manner. As a result, the thin film formation region can be extended to the entire effective region 58 on the substrate surface.

【0028】そして、有効領域58のすべてにフォトレ
ジスト液の薄膜が形成されると、装置各部を予め決めら
れた待機状態に戻した後、搬送ロボットによって基板保
持台18から処理済みの基板4が装置外に搬出される。
その後については、次の基板4が搬入されるのを待って
上記一連の動作を繰り返す。
When the thin film of the photoresist liquid is formed on all of the effective areas 58, each part of the apparatus is returned to a predetermined standby state, and the processed substrate 4 is transferred from the substrate holding table 18 by the transfer robot. It is carried out of the device.
Thereafter, the above-described series of operations is repeated until the next substrate 4 is carried in.

【0029】以上のように、この実施形態にかかる薄膜
形成装置によれば、レジストミスト52の噴出範囲を塗
布領域44に絞っているので、レジストミスト52を基
板表面に均一に供給することができ、薄膜46の面内均
一性を高めることができる。
As described above, according to the thin film forming apparatus of this embodiment, since the ejection range of the resist mist 52 is narrowed to the coating region 44, the resist mist 52 can be uniformly supplied to the substrate surface. In addition, the in-plane uniformity of the thin film 46 can be improved.

【0030】また、噴出ノズル40が基板表面の上方位
置に配置されて、塗布領域44の垂線48に対して鋭角
をなすようにレジストミスト52を塗布領域44に供給
するのに対し、吸引ノズル42が基板表面の上方位置
で、かつ垂線48を挟んで噴出ノズル40の反対側に配
置されているので、レジストミスト52のうち塗布領域
44で反射されて飛散した余剰レジストミスト54を効
率良く吸引回収することができる。すなわち、図2に示
すように、垂線48に対して傾斜してレジストミスト5
2を塗布領域44に供給すると、その塗布領域44から
飛散する余剰レジストミスト54の大部分は垂線48を
挟んで噴出方向と反対側に飛散するが、その飛散方向に
吸引ノズル42の吸引口56が開口しているため、その
余剰レジストミスト54が吸引ノズル42によって吸引
回収される。その結果、基板表面への余剰レジストミス
ト54の再付着を確実に防止することができ、高品質な
薄膜46を形成することができる。
An ejection nozzle 40 is arranged above the substrate surface to supply the resist mist 52 to the coating area 44 at an acute angle with respect to a perpendicular 48 of the coating area 44, while the suction nozzle 42 Are located above the substrate surface and on the opposite side of the ejection nozzle 40 with the perpendicular 48 interposed therebetween, so that the excess resist mist 54 reflected and scattered by the coating area 44 of the resist mist 52 can be efficiently suctioned and collected. can do. That is, as shown in FIG.
2 is supplied to the coating area 44, most of the excess resist mist 54 scattered from the coating area 44 scatters on the side opposite to the ejection direction across the perpendicular 48, but the suction port 56 of the suction nozzle 42 in the scattering direction. Is opened, the excess resist mist 54 is sucked and collected by the suction nozzle 42. As a result, re-adhesion of the excess resist mist 54 to the substrate surface can be reliably prevented, and a high-quality thin film 46 can be formed.

【0031】さらに、この実施形態では、基板の表面温
度を制御する温度調整ユニット22が設けられており、
上記したように基板表面における温度分布を制御して有
効領域58へのレジスト堆積を促進して薄膜形成を効率
的に行うとともに、非有効領域60へのレジスト堆積を
抑制することができ、薄膜形成を良好に行うことができ
る。また、基板表面の温度を制御することによってレジ
スト堆積速度を制御することも可能である。
Further, in this embodiment, a temperature adjusting unit 22 for controlling the surface temperature of the substrate is provided.
As described above, the temperature distribution on the substrate surface is controlled to promote the deposition of the resist on the effective area 58 to efficiently form the thin film, and the deposition of the resist on the non-effective area 60 can be suppressed. Can be performed favorably. Further, the resist deposition rate can be controlled by controlling the temperature of the substrate surface.

【0032】なお、本発明は上記した実施形態に限定さ
れるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて
上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能であ
る。例えば、上記実施形態では、噴出ノズル40と吸引
ノズル42とは垂線48を挟んで対称となっているが、
もちろん非対称に構成してもよく、例えば図4に示すよ
うに余剰レジストミスト54をより効率良く吸引回収す
るために吸引口62を広げてもよい。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications other than those described above can be made without departing from the gist of the present invention. For example, in the above embodiment, the ejection nozzle 40 and the suction nozzle 42 are symmetrical about the perpendicular 48,
Needless to say, the suction port 62 may be asymmetrically configured. For example, as illustrated in FIG. 4, the suction port 62 may be expanded in order to more efficiently suction and collect the excess resist mist 54.

【0033】また、上記実施形態では塗布領域44の形
状は図2に示すように円形となっており、ノズルヘッド
24をXY平面内で二次元的に移動させることにより基
板4の有効領域58にフォトレジスト液の薄膜を形成し
ているが、以下の実施形態のごとく構成してもよい。
Further, in the above embodiment, the shape of the coating area 44 is circular as shown in FIG. 2, and the nozzle head 24 is moved two-dimensionally in the XY plane to form the coating area 44 on the effective area 58 of the substrate 4. Although a thin film of a photoresist liquid is formed, it may be configured as in the following embodiments.

【0034】図5は、この発明にかかる薄膜形成装置の
別の実施形態を示す部分平面図である。また、図6は図
5の薄膜形成装置におけるノズルヘッドを示す図であ
り、同図(a)はノズルヘッドの拡大断面図であり、同
図(b)は基板表面側からノズルヘッドを見た部分平面
図である。この実施形態が先の実施形態と大きく相違す
る点はノズルヘッドの構成および動作であり、その他の
構成および動作は同一である。したがって、ここでは相
違点を中心に説明し、同一構成については同一符号を付
して説明を省略する。
FIG. 5 is a partial plan view showing another embodiment of the thin film forming apparatus according to the present invention. 6 is a view showing a nozzle head in the thin film forming apparatus of FIG. 5, FIG. 6 (a) is an enlarged sectional view of the nozzle head, and FIG. 6 (b) is a view of the nozzle head from the substrate surface side. It is a partial plan view. This embodiment is significantly different from the previous embodiment in the configuration and operation of the nozzle head, and the other configurations and operations are the same. Therefore, the following description will focus on the differences, and the same components will be denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

【0035】この実施形態では、図5に示すように、ノ
ズルヘッド64は基板4のX方向両端部を横切るように
X方向に伸びており、Y方向に移動自在となっている。
このノズルヘッド64にも、先の実施形態と同様に噴出
ノズル40および吸引ノズル42が塗布領域44の垂線
48を挟んで対称配置されているが、この実施形態では
同図6に示すように噴出ノズル40の噴出口66と吸引
ノズル42の吸引口68とはX方向に伸びたスリット状
開口となっており、その噴出口66の形状に対応して塗
布領域44もX方向に伸びたスリット状領域となってい
る。したがって、この実施形態では、噴出ノズル40か
らレジストミスト52を噴出させると、X方向に伸びた
スリット状薄膜46が形成される。
In this embodiment, as shown in FIG. 5, the nozzle head 64 extends in the X direction so as to cross both ends of the substrate 4 in the X direction, and is movable in the Y direction.
In the nozzle head 64 as well, the ejection nozzle 40 and the suction nozzle 42 are symmetrically arranged with the perpendicular 48 of the application area 44 interposed therebetween as in the previous embodiment, but in this embodiment, as shown in FIG. The ejection port 66 of the nozzle 40 and the suction port 68 of the suction nozzle 42 are slit-shaped openings extending in the X direction, and the coating region 44 is also elongated in the X direction corresponding to the shape of the ejection port 66. Area. Therefore, in this embodiment, when the resist mist 52 is ejected from the ejection nozzle 40, the slit-like thin film 46 extending in the X direction is formed.

【0036】そこで、この実施形態では、レジスト加圧
部12、不活性ガス加圧部14、吸引ポンプ28および
回収ポンプ36などを作動させたまま、XYステージ2
6を駆動してノズルヘッド24をY方向に駆動していく
ことで、そのY方向移動に伴って塗布領域44をY方向
に移動させて有効領域58の全体にフォトレジスト液の
薄膜46を形成している。なお、図5および図6では、
ノズルヘッド64をY方向に移動させている途中状態を
示している。
Therefore, in this embodiment, the XY stage 2 is operated while the resist pressurizing section 12, the inert gas pressurizing section 14, the suction pump 28 and the recovery pump 36 are operated.
6 to drive the nozzle head 24 in the Y direction, the coating area 44 is moved in the Y direction with the movement in the Y direction, and the thin film 46 of the photoresist liquid is formed on the entire effective area 58. are doing. In FIGS. 5 and 6,
This shows a state in which the nozzle head 64 is being moved in the Y direction.

【0037】このように構成された実施形態において
は、先の実施形態と同様の作用効果を得ることができる
とともに、ノズルヘッド64を単にY方向に移動させる
ことによって薄膜形成を行うことができ、先の実施形態
に比べてスループット向上の点で有利である。
In the embodiment configured as described above, the same operation and effect as those of the previous embodiment can be obtained, and a thin film can be formed by simply moving the nozzle head 64 in the Y direction. This is advantageous in improving the throughput as compared with the previous embodiment.

【0038】また、上記実施形態では、複数のペルチェ
素子20によって本発明の「温度調整手段」として機能
する温度調整ユニット22を構成しているが、ペルチェ
素子20以外に加熱素子をさらに設けてもよく、この場
合、基板表面の温度をより広範囲に制御することができ
る。
In the above embodiment, the temperature control unit 22 functioning as the "temperature control means" of the present invention is constituted by the plurality of Peltier elements 20, but a heating element may be further provided in addition to the Peltier element 20. Often, in this case, the temperature of the substrate surface can be controlled over a wider range.

【0039】また、上記実施形態では、ブロック状のノ
ズルヘッド24に貫通孔40,42を延設することによ
って噴出ノズルおよび吸引ノズルをそれぞれ形成してい
るが、各ノズル40、42をそれぞれ別個に形成し、こ
れらのノズルを一体的に移動させるように構成してもよ
い。
In the above embodiment, the ejection nozzle and the suction nozzle are formed by extending the through holes 40 and 42 in the block-shaped nozzle head 24. However, the nozzles 40 and 42 are separately formed. It may be configured so that these nozzles are integrally moved.

【0040】さらに、上記実施形態では、ノズルヘッド
24,64を基板4に対して移動させているが、ノズル
ヘッドを固定して基板を移動させたり、ノズルヘッドお
よび基板を移動させることによって噴出ノズルおよび吸
引ノズルを一体的に基板に対して相対移動させるように
構成してもよいことはいうまでもない。
Further, in the above embodiment, the nozzle heads 24 and 64 are moved with respect to the substrate 4. However, the nozzle nozzles are fixed by moving the substrate, or by moving the nozzle head and the substrate. Needless to say, the suction nozzle may be integrally moved relative to the substrate.

【0041】[0041]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、噴出
ノズルから噴出された塗布液ミストを塗布領域に限定的
に供給して塗布液の薄膜を形成するように構成している
ので、塗布液ミストを基板表面に均一に供給することが
でき、薄膜の面内均一性を高めることができる。しか
も、噴出ノズルを基板表面の上方位置に配置して、塗布
領域の垂線に対して鋭角をなすように塗布液ミストを塗
布領域に供給するのに対し、吸引ノズルを基板表面の上
方位置で、かつ垂線を挟んで噴出ノズルの反対側に配置
しているので、塗布領域から飛散する余剰塗布液ミスト
を効率良く吸引回収することができ、余剰塗布液ミスト
の基板への再付着を効果的に防止することができる。そ
の結果、高品質な薄膜を形成することができる。
As described above, according to the present invention, the coating liquid mist ejected from the ejection nozzle is supplied to the coating area in a limited manner to form a thin film of the coating liquid. The coating liquid mist can be uniformly supplied to the substrate surface, and the in-plane uniformity of the thin film can be improved. Moreover, while the ejection nozzle is arranged at a position above the substrate surface and the application liquid mist is supplied to the application region so as to form an acute angle with respect to the perpendicular of the application region, the suction nozzle is arranged at a position above the substrate surface. And since it is located on the opposite side of the ejection nozzle across the perpendicular, the excess coating liquid mist scattered from the coating area can be efficiently suctioned and collected, and the excess coating liquid mist can be effectively re-attached to the substrate. Can be prevented. As a result, a high-quality thin film can be formed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明にかかる薄膜形成装置の一の実施形態
を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing one embodiment of a thin film forming apparatus according to the present invention.

【図2】図1の薄膜形成装置におけるノズルヘッドを示
す図である。
FIG. 2 is a view showing a nozzle head in the thin film forming apparatus of FIG.

【図3】図1の薄膜形成装置における基板表面の温度分
布を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a temperature distribution on a substrate surface in the thin film forming apparatus of FIG.

【図4】この発明にかかる薄膜形成装置の他の実施形態
を示す図である。
FIG. 4 is a view showing another embodiment of the thin film forming apparatus according to the present invention.

【図5】この発明にかかる薄膜形成装置の別の実施形態
を示す部分平面図である。
FIG. 5 is a partial plan view showing another embodiment of the thin film forming apparatus according to the present invention.

【図6】図5の薄膜形成装置におけるノズルヘッドを示
す図である。
6 is a diagram showing a nozzle head in the thin film forming apparatus of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

4…基板 20…ペルチェ素子(温度調整手段) 22…温度調整ユニット(温度調整手段) 26…XYステージ(駆動手段) 40…噴出ノズル 42…吸引ノズル 44…塗布領域 46…薄膜 48…(塗布領域の)垂線 52…レジストミスト 54…余剰レジストミスト 58…(基板の)有効領域 60…(基板の)非有効領域 DESCRIPTION OF SYMBOLS 4 ... Substrate 20 ... Peltier element (temperature adjustment means) 22 ... Temperature adjustment unit (temperature adjustment means) 26 ... XY stage (drive means) 40 ... Jet nozzle 42 ... Suction nozzle 44 ... Coating area 46 ... Thin film 48 ... (Coating area) ) Perpendicular line 52: Resist mist 54: Excess resist mist 58: Effective area (of substrate) 60: Non-effective area (of substrate)

フロントページの続き (72)発明者 中川 良幸 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁 目天神北町1番地の1 大日本スクリーン 製造株式会社内 Fターム(参考) 2H025 AB08 AB16 AB17 EA04 4F035 AA03 CA01 CA05 CD05 CD11 CD16 CD18 CD19 4F041 AA02 AA06 BA05 BA12 BA22 BA38 BA59 4F042 AA02 AA07 AA08 AA10 BA08 BA19 CB10 CB26 CC03 CC07 CC09 5F046 JA02 JA03 JA20 JA24 JA27Continuation of the front page (72) Inventor Yoshiyuki Nakagawa 4-chome, Horikawa-dori-Terauchi, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 1F, Tenjin Kita-cho 1 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. F-term (reference) 2H025 AB08 AB16 AB17 EA04 4F035 AA03 CA01 CA05 CD05 CD11 CD16 CD18 CD19 4F041 AA02 AA06 BA05 BA12 BA22 BA38 BA59 4F042 AA02 AA07 AA08 AA10 BA08 BA19 CB10 CB26 CC03 CC07 CC09 5F046 JA02 JA03 JA20 JA24 JA27

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 塗布液ミストを基板の表面に供給して該
基板表面上に塗布液の薄膜を形成する薄膜形成装置にお
いて、 前記基板表面の上方位置に配置され、前記基板表面のう
ち塗布液を塗布すべき塗布領域の垂線に対して鋭角をな
すように塗布液ミストを前記塗布領域に噴出する噴出ノ
ズルと、 前記基板表面の上方位置で、かつ前記垂線を挟んで前記
噴出ノズルの反対側に配置され、前記塗布領域から飛散
する余剰塗布液ミストを吸引する吸引ノズルとを備えた
ことを特徴とする薄膜形成装置。
1. A thin film forming apparatus for supplying a coating liquid mist to a surface of a substrate to form a thin film of the coating liquid on the surface of the substrate. A jet nozzle for jetting a coating liquid mist to the coating area so as to form an acute angle with respect to a vertical line of the coating area to be coated, and a position above the substrate surface and opposite to the jet nozzle with the vertical line interposed therebetween. And a suction nozzle for suctioning excess coating liquid mist scattered from the coating area.
【請求項2】 前記噴出ノズルと前記吸引ノズルとを一
体的に前記基板に対して相対移動させる駆動手段をさら
に備え、 前記駆動手段によって前記噴出ノズルおよび前記吸引ノ
ズルを前記基板に対して相対移動させることで前記塗布
領域を前記基板の表面内で移動させながら、前記噴出ノ
ズルから塗布液ミストを噴出させるとともに、前記吸引
ノズルで余剰塗布液ミストを吸引する請求項1記載の薄
膜形成装置。
2. A driving unit for integrally moving the ejection nozzle and the suction nozzle relative to the substrate, wherein the driving unit moves the ejection nozzle and the suction nozzle relative to the substrate. 2. The thin film forming apparatus according to claim 1, wherein the application area is moved within the surface of the substrate while the application area is moved from the ejection nozzle, and the excess application liquid mist is sucked by the suction nozzle. 3.
【請求項3】 前記基板の表面温度を制御する温度調整
手段をさらに備え、前記温度調整手段は前記塗布領域の
表面温度を前記塗布液ミストの温度よりも低い温度に調
整する請求項1または2記載の薄膜形成装置。
3. The apparatus according to claim 1, further comprising a temperature adjusting unit configured to control a surface temperature of the substrate, wherein the temperature adjusting unit adjusts a surface temperature of the application region to a temperature lower than a temperature of the application liquid mist. The thin film forming apparatus as described in the above.
【請求項4】 前記基板表面の一部が塗布液の薄膜を形
成する有効領域であり、残りが塗布液の薄膜を形成しな
い非有効領域となっている請求項1ないし3のいずれか
に記載の薄膜形成装置であって、 前記非有効領域の表面温度を前記有効領域の表面温度よ
りも高く設定する薄膜形成装置。
4. The substrate according to claim 1, wherein a part of the substrate surface is an effective area where a thin film of the coating liquid is formed, and the remaining part is an ineffective area where a thin film of the coating liquid is not formed. The thin film forming apparatus according to claim 1, wherein a surface temperature of the non-effective area is set higher than a surface temperature of the effective area.
JP2001158187A 2001-05-28 2001-05-28 Thin film forming device Withdrawn JP2002346453A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001158187A JP2002346453A (en) 2001-05-28 2001-05-28 Thin film forming device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001158187A JP2002346453A (en) 2001-05-28 2001-05-28 Thin film forming device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002346453A true JP2002346453A (en) 2002-12-03

Family

ID=19001946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001158187A Withdrawn JP2002346453A (en) 2001-05-28 2001-05-28 Thin film forming device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002346453A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100588015B1 (en) 2004-06-28 2006-06-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Apparatus of removing particles for used in liquid crystal display device
US7365024B2 (en) 2003-12-19 2008-04-29 Sharp Kabushiki Kaisha Chemical solution coating method and chemical solution coating apparatus
US7416758B2 (en) 2004-12-31 2008-08-26 Lg Display Co., Ltd. Slit coater
US7449069B2 (en) 2004-12-28 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. Slit coater having apparatus for supplying a coating solution
US7647884B2 (en) 2004-12-31 2010-01-19 Lg. Display Co., Ltd. Slit coater with a standby unit for a nozzle and a coating method using the same
US7914843B2 (en) 2004-12-31 2011-03-29 Lg Display Co., Ltd. Slit coater having pre-applying unit and coating method using the same

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7365024B2 (en) 2003-12-19 2008-04-29 Sharp Kabushiki Kaisha Chemical solution coating method and chemical solution coating apparatus
KR100588015B1 (en) 2004-06-28 2006-06-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Apparatus of removing particles for used in liquid crystal display device
US7449069B2 (en) 2004-12-28 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. Slit coater having apparatus for supplying a coating solution
US7416758B2 (en) 2004-12-31 2008-08-26 Lg Display Co., Ltd. Slit coater
US7647884B2 (en) 2004-12-31 2010-01-19 Lg. Display Co., Ltd. Slit coater with a standby unit for a nozzle and a coating method using the same
US7914843B2 (en) 2004-12-31 2011-03-29 Lg Display Co., Ltd. Slit coater having pre-applying unit and coating method using the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4759300B2 (en) Method and apparatus for processing a wafer surface using a thin high velocity fluid layer
US6605153B2 (en) Coating film forming apparatus
JP2000315671A (en) Substrate processor and substrate processing method
JP2003151948A (en) Apparatus and method of treating surface
TWI302333B (en) Apparatus for applying paste and method of applying paste
JP2000077326A (en) Film forming method and apparatus therefor
JP4889331B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2002346453A (en) Thin film forming device
WO2019082483A1 (en) Ultrasonic cleaning device and ultrasonic cleaning system
JP6389988B2 (en) Foreign matter removal device
KR100680439B1 (en) Film forming apparatus
JP2002110512A (en) Film formation method and device thereof
JP3676263B2 (en) Coating film forming apparatus and coating film forming method
US7591900B2 (en) Nozzle for supplying treatment liquid and substrate treating apparatus
JPH08173875A (en) Coater and coating method
KR20170113726A (en) Spray Dispensing Apparatus for Viscos Liquid
JP2006289239A (en) Apparatus and method of applying solution
KR20030003235A (en) Substrate processing apparatus
JP4256583B2 (en) Coating film forming device
JP3381216B2 (en) Cleaning device for coating nozzle
TW201420198A (en) Coating apparatus and liquid-receiving cleaning apparatus
JP2004089771A (en) Coating apparatus and coating method
JP3792144B2 (en) Liquid processing equipment
JPH1174195A (en) Liquid treatment device
JP2002355596A (en) Large scale coating apparatus with cleaning apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20080805