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JP2002014057A - 欠陥検査装置 - Google Patents

欠陥検査装置

Info

Publication number
JP2002014057A
JP2002014057A JP2000203067A JP2000203067A JP2002014057A JP 2002014057 A JP2002014057 A JP 2002014057A JP 2000203067 A JP2000203067 A JP 2000203067A JP 2000203067 A JP2000203067 A JP 2000203067A JP 2002014057 A JP2002014057 A JP 2002014057A
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JP
Japan
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image
size
defect
shot
defect inspection
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2000203067A
Other languages
English (en)
Inventor
Eiji Yonezawa
栄二 米澤
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Nidek Co Ltd
Original Assignee
Nidek Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nidek Co Ltd filed Critical Nidek Co Ltd
Priority to JP2000203067A priority Critical patent/JP2002014057A/ja
Priority to EP01115941A priority patent/EP1174707A1/en
Priority to US09/895,204 priority patent/US6928185B2/en
Publication of JP2002014057A publication Critical patent/JP2002014057A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N21/95607Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method

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  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Image Analysis (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Image Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マスタ画像を使用することなく、高速な検査
を可能とする。 【解決手段】 撮像画像に対して繰返しパターン寸法又
は露光ショット寸法に基づいて定められたサイズの画像
の平均輝度値を求め、該平均輝度値と予め定められた検
査条件とに基づいて欠陥を検査する。第1欠陥検査は、
撮像画像をサイズ変換し、該画像を所定サイズで平均化
処理して欠陥を検査する。第2欠陥検査は、ショット毎
の画像を加算平均した平均ショット画像を作成し、該平
均ショット画像の四隅を所定サイズで切り出し、対角位
置の平均輝度差によって欠陥を検査する。第3欠陥検査
は、平均ショット画像を所定サイズで平均化処理した上
で、輝度の標準偏差を計算して欠陥を検査する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
繰返しパターンを持つ被検物の欠陥を検査する欠陥検査
装置に関する。
【0002】
【従来技術】チップパターンが形成された半導体ウエハ
表面の欠陥を検査する場合、検査対象のウエハを撮像し
た画像と良品ウエハのマスタ画像とを比較することによ
り欠陥の有無を検査する方法が用いられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、マスタ画像と
の比較により欠陥を検査する装置では、全ての検査装置
毎に個別にマスタ画像を登録する必要があり、そのため
の作業量が多くなる。また、撮像画像を得る光学系を調
整した場合、マスタ画像も再登録する必要があり、実用
的な運用の面で手間である。
【0004】本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み、
マスタ画像を使用することなく、高速な検査を可能とす
る欠陥検査装置を提供することを技術課題とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は以下のような構成を備えることを特徴とす
る。
【0006】(1) 繰返しパターンが形成された被検
物表面の欠陥を検査する欠陥検査装置において、検査対
象面を撮像する撮像手段を持つ撮像光学系と、前記撮像
手段により得られた撮像画像に対して繰返しパターン寸
法又は露光ショット寸法に基づいて定められたサイズの
画像の平均輝度値を求め、該平均輝度値と予め定められ
た検査条件とに基づいて欠陥を検査する欠陥検査手段
と、を備えることを特徴とする。
【0007】(2) (1)の欠陥検査手段は、撮像画
像における繰返しパターン寸法の整数倍が画素の略整数
倍の寸法Aとなるように前記撮像画像をサイズ変換する
手段と、サイズ変換後の画像に対して前記寸法Aで平均
化処理した平均化画像を作成する手段とを備え、該平均
化画像の輝度と予め定められた基準輝度とに基づいて欠
陥を検出することを特徴とする。
【0008】(3) (1)の欠陥検査手段は、前記撮
像画像から露光ショット毎の画像を切り出し、該切り出
した画像を加算平均した平均ショット画像を作成する手
段と、該平均ショット画像の四隅をショット寸法より小
さいサイズで切り出し、各切り出し画像の平均輝度を求
める手段と、四隅における対角位置の平均輝度の差を求
める手段と、該平均輝度差と予め定められた基準輝度差
とに基づいて欠陥を検出することを特徴とする。
【0009】(4) (3)の欠陥検査装置において、
前記平均ショット画像の四隅を切り出すサイズは、繰り
返しパターンの整数倍又はショット寸法の略1/3〜1
/2としたことを特徴とする。
【0010】(5) (1)の欠陥検査手段は、前記撮
像画像から露光ショット毎の画像を切り出し、該切り出
した画像を加算平均した平均ショット画像を作成する手
段と、該平均ショット画像に対してショット寸法より小
さいサイズで平均化処理した平均化画像を作成する手段
と、該平均化画像の輝度値のばらつき度合いを求める手
段を備え、求めた輝度値のばらつき度合いと予め定めら
れた輝度値のばらつきの基準値とに基づいて欠陥を検出
することを特徴とする。
【0011】(6) (5)の欠陥検査装置において、
前記平均ショット画像に対して平均化処理するサイズ
は、繰り返しパターンの整数倍又はショット寸法の略1
/3〜1/2としたことを特徴とする。
【0012】(7) (1)の欠陥検査装置は、さらに
被検物の検査対象面全体を略平行光で照明する照明光学
系と、該照明光学系の照明光量をモニタする光量モニタ
手段と、該モニタの情報に基づいて前記撮像手段により
撮像される画像の光量を適正化する手段と、を備えるこ
とを特徴とする。
【0013】(8) (1)の欠陥検査装置は、被検物
の検査対象面全体を略平行光で照明する照明光学系を備
え、前記撮像光学系には検査対象面より大きな径の凸レ
ンズが配置され、前記撮像手段は前記凸レンズによって
検査対象面を略同一な方向から撮像する位置に配置され
ていることを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図1は本発明に係る欠陥検査装置
の概略構成を示す図である。
【0015】1はXYスージ33に載置された検査対象
の被検物であるウエハWを照明するための明視野照明光
学系で、照明ユニット2及びウエハWより一回り大きな
コリメータレンズ9を備える。照明ユニット2は、光源
であるハロゲンランプ3、複数の波長選択フィルタ4及
び白色照明用の開口を持つ回転板5、回転板5を回転す
るモータ6、拡散板7を有する。波長選択フィルタ4
は、ハロゲンランプ3から発せられる白色光を選択的に
異なる中心波長を持つ狭帯域光にするためのものであ
り、狭帯域光の中心波長を定められた間隔で変化させる
ように複数個用意されている。
【0016】回転板5はモータ6により回転駆動されて
所望の波長選択フィルタ4、開口が選択的に光路に配置
される。波長選択フィルタ4又は開口を通過した光は拡
散板7によって拡散され、輝度が十分に均一な拡散照明
光とされる。拡散板7を発した光は、コリメータレンズ
9によって略平行とされた後、XYステージ33に載置
されたウエハWを照明する。コリメータレンズ9は検査
対象物であるウエハWの検査面より一回り大きな径を持
つ。
【0017】20は暗視野照明光学系を示し、ハロゲン
ランプ等の光源21、レンズ22を備える。光源21は
レンズ22の前側焦点付近に配置され、光源21を発し
た光束はレンズ22によって略平行光束にされて、ウエ
ハWの全面を斜め方向から照明する。
【0018】10はウエハWを撮像する撮像光学系で、
明視野照射光学系1と共用されるコリメータレンズ9、
CCDカメラ11を備える。CCDカメラ11の結像光
学系はコリメータレンズ9の焦点位置付近に配置されて
おり、ウエハWの全面を略同じ方向から撮像することが
できる。撮像光学系10の光軸L3は、コリメータレン
ズ9の光軸L1を挟んで明視野照明光学系1の光軸L2
と対称になるように配置されている。また、CCDカメ
ラ11は照明ユニット2との干渉を避けつつウエハWを
ほぼ垂直な方向から撮像する位置に置かれている。本実
施形態では、コリメータレンズ9の光軸と明視野照射光
学系1の光軸及び撮像光学系10の成す角度を、それぞ
れ3度として構成している。ウエハWの検査面(表面)
に対するCCDカメラ11の撮像光軸L3の傾きはさほ
ど大きくないので、画像の歪みやフォーカスぼけの影響
は少ない。
【0019】明視野照明光学系1により照明されたウエ
ハWからの正反射光は、コリメータレンズ9により収束
され、ウエハWのほぼ全面の像が一括してCCDカメラ
11の撮像素子に結像する。また、暗視野照明光学系2
0により照明されたウエハWからの散乱反射光は、同じ
くコリメータレンズ9により収束され、CCDカメラ1
1の撮像素子に結像する。
【0020】コリメータレンズ9の近傍位置で、かつ明
視野照明光学系1及び撮像光学系10の光路から外れた
位置にはミラー15が配置されている。ミラー15は照
明ユニット2から発せられた照明光をCCDカメラ11
の撮像面に向けて反射し、CCDカメラ11は明視野照
明の光量をモニタする検出器として兼用される。
【0021】一方、暗視野照明光学系20の光源21の
近傍には光量センサ25が設けられており、光量センサ
25は光源21の光量をモニタする。暗視野照明の光量
モニタの構成としては、ウエハWが置かれるXYステー
ジ33の載置面に散乱板を配置することで、明視野照明
の場合と同じように、CCDカメラ11を暗視野照明用
の光量検出器として利用することができる。
【0022】以上の光学系においては、波長選択フィル
タ4等を持つ回転板5を撮像光学系10側(CCDカメ
ラ11の前)に配置しても良い。また、波長選択フィル
タ4を使用する代わりにモノクロメータで波長を可変す
る構成とすることもできる。
【0023】CCDカメラ11からの画像信号は画像処
理部30に入力される。画像処理部30は、CCDカメ
ラ11で得られた撮影画像を記憶する画像メモリ30a
と、欠陥検査部30bとを有する。画像処理部30には
検査結果等の情報を表示するディスプレイ32、制御部
35が接続されている。制御部35には照明ユニット
2、光源21、光量センサ25が接続されている。
【0024】なお、CCDカメラ11はウエハWの全て
の位置を同じ方向から撮像でき、ウエハWの全面を同じ
光学条件で撮像することができる位置に配置されている
が、コリメータレンズ9及びカメラ11が持つレンズの
特性によって画像にはシェーディングが発生する。この
対応として、画像処理部30では予め輝度分布を測定し
て補正係数画像を作成し、作成した画像に乗算処理して
補正する。これは明視野照明画像及び暗視野照明画像に
ついて行う。明視野照明で照明波長を選択的に変えて撮
像する場合は(波長特性を持つ欠陥の場合には、照明波
長を変えることで欠陥をより検出しやすくできる)、波
長毎に輝度の補正をする。
【0025】また、照明光量が変化すると画像の信頼性
に影響するので次のようにする。制御部35はCCDカ
メラ11によってモニタされる明視野照明光量の信号を
画像処理部30介して得る。そして、照明光量が一定と
なるように、ハロゲンランプ3の光量を調整する。ま
た、制御部35は光量センサ25からの信号を得て、暗
視野照明の光量が一定となるように、図示なきランプド
ライバを介して光源21の光量を調整する。
【0026】以上により、CCDカメラ11で撮像され
る画像の光量を適性化できる。なお、一定光量の撮像画
像を得る上では、照明光量を調整する他、CCDカメラ
11のシャッタ速度の調整で行うこともできる。
【0027】次に、本装置による欠陥検査の方法を説明
する。欠陥の種類は品種や工程に応じて様々のものがあ
るので、欠陥検査部30bは様々な欠陥に対応するため
に、次の3つの欠陥検査(図5、図6、図7のフローチ
ャート図参照)によって欠陥を検出する。なお、各検査
は明視野画像及び暗視野画像のそれぞれについて行う。
【0028】<第1の欠陥検査>第1の欠陥検査では、
チップが形成されたウエハW上における比較的大きな欠
陥(キズやゴミ等も含む)、部分的なレジスト不良、レ
ジスト未塗布の全面不良、等の欠陥を検出可能とする。
【0029】ウエハWには品種や工程に応じて様々なパ
ターンが形成されているので、マスタ画像なしで検査す
るためには、このパターンの影響を軽減する必要があ
る。第1の検査では所定のサイズで以下に説明する平均
化処理を行うが、チップパターンの寸法は画像の画素の
整数倍でないので、このままでは十分にパターンの影響
を排除できない。
【0030】そこで、欠陥検査部30bは画像メモリ3
0bに記憶された原画像に対して、まず、チップ寸法又
はその整数倍の寸法が画素の略整数倍になるようにサイ
ズ変換を行ってから平均化処理を行う。例えば、ウエハ
Wのチップ設計図から計算して1チップの寸法が5画素
となるようサイズ変換する。これにより、チップパター
ンと画素の位置関係が揃うので、平均化処理に際しての
パターンの影響が軽減される。なお、ウエハに形成され
るチップを前述の光学系で撮像すると、通常の1チップ
の大きさは10画素以上であるので、1チップの画素サ
イズをそれより小さい5画素とすることで処理速度も速
くなり、有利である(ただし、あまり小さくし過ぎると
欠陥検出の感度も低下するので、5画素程度が好まし
い)。
【0031】次に、サイズ変換後の画像について所定の
サイズ(平均化サイズという)で平均化処理を行う。こ
こで、平均化サイズはなるべく大きい方が信頼性の高い
データが得られるが、局所的な欠陥も検出するためには
逆に平均化サイズは小さい方が有利である。そこで、本
装置では露光のショットサイズの1/3〜1/2程度と
なるように、チップサイズを整数倍したものを使用す
る。例えば、1ショットが5×5チップの場合、2×2
チップの領域を平均化サイズとする。ただし、1ショッ
ト1チップの場合にはチップサイズを使用する。
【0032】なお、先のステップでチップ寸法の整数倍
が画素の略整数倍A(A画素)となるようにサイズ変換
した場合は、この平均化サイズはA画素となるように定
める。
【0033】平均化処理について説明する。例えば、1
チップが5×5画素の領域で構成され、平均化サイズも
この5×5画素で行うものとする(説明を簡単にするた
めに1ショット1チップの場合を例としている)。図2
(a)に示すように、サイズ変換後の画像から5×5画
素の1−1領域画像を切り出し、各画素の輝度値の平均
値を求める。この平均値を図2(d)に示す1−1座標
画素の値とする。
【0034】次に、図2(b)に示す如く、平均化の領
域を1画素分移動した1−2領域についての平均値を求
めて、これを図2(d)に示す1−2座標画素の値とす
る。この処理を右方向へ順次行い、右端まで終了した
ら、図2(c)に示すように、1−1領域に対して下方
向へ1画素分移動させた2−1領域について同様な処理
を行う。このときの平均値を、図2(d)の2−1座標
画素の値とする。
【0035】以上のような処理を全てのチップ領域につ
いてラスタ方向(左から右へ、上から下へ)に順に走査
して行い、平均化サイズで切り出した画像の平均値で構
成される平均化画像を作成する。
【0036】ここで、平均化サイズに含まれるチップパ
ターンの領域は、1画素分移動させてもトータルで同じ
ものになる。したがって、第1の欠陥検査では、作成し
た平均化画像の各画素について、検査条件である基準平
均輝度の範囲と比較することで良否が判断できる。すな
わち、ウエハW上に比較的大きな欠陥がある場合には、
平均化サイズでの平均輝度が変化するので、良品レベル
の輝度範囲との比較により二値化して欠陥が検出でき
る。良品レベルの輝度範囲は、予め多数の良品サンプル
について同じような処理で平均化画像を得て求めること
ができる。
【0037】また、レジスト未塗布のような全面不良が
ある場合には、平均化画像の各値がすべて検査条件の範
囲外となるので、この不良も検出できる。 <第2の欠陥検査>ステッパのデフォーカスやフォーカ
ス傾斜はレジストの膜厚むら(ここでは良品レベルの膜
厚むらを対象としている)よりも微妙な明暗として現わ
れる場合があるため、個々のショットを個別に検査して
も信頼性の高い検査は難しい。第2の欠陥検査では1枚
のウェーハ上の全てのショットを平均化した画像を利用
することで、膜厚むら(下地のむらも含む)による影響
を軽減し、ステッパのフォーカス傾斜不良を高感度で検
出可能とする。
【0038】まず、欠陥検査部30bは画像メモリ30
bに記憶された原画像から、ウエハW上の全てのショッ
ト画像を切り出し、各ショット毎の画像を加算平均した
平均ショット画像(ショットサイズと同じ大きさの画
像)を作成する。通常、レジストの膜厚むらは同心円上
に広がるので全てのショットを平均化するとそのむらに
よる明暗は減衰する。一方、全てのショットに共通する
フォーカス異常による明暗は平均化しても減衰せずに残
る。
【0039】なお、この平均ショット画像の作成におい
ては、第1の欠陥検査のときと同様に、各ショットが画
素の略整数倍となるようにサイズ変換した後に、この平
均ショット画像の作成処理を行っても良い。サイズ変換
せずに平均ショット画像を作成すると、光学系の歪みや
チップパターン寸法と画素の不一致によって平均ショッ
ト画像は適度にボケるので、このまま処理を行っても実
用上差し支えない。
【0040】次に、平均ショット画像の四隅をショット
寸法より小さいサイズで切り出す。本装置ではチップ寸
法の整数倍又はショットサイズの1/3〜1/2で画像
を切り出す。その後、この切り出した各画像の平均輝度
を計算する。ここでも平均輝度を計算するサイズは、先
の第1の欠陥検査と同様の理由でショットサイズの1/
3〜1/2程度とすることが好ましい。例えば、1ショ
ットが5×5チップの場合は、図3に示すように2×2
チップの四隅の画像50,51,52,53を切り出
し、各画像の平均輝度を計算する。ただし、1ショット
1チップの場合は、チップ単位では計算できないので、
便宜上ショットサイズの1/3〜1/2程度で切り出し
た四隅の画像について平均輝度を計算する。
【0041】ステッパのフォーカスが傾斜している場
合、最も大きく影響を受けるのはショットの四隅である
ため、フォーカス傾斜の検出には上記で得た対角位置の
平均輝度の差を利用する。図3の例では、画像50と画
像53、画像51と画像52の各平均輝度の差を計算す
る。そして、この差が検査条件として予め設定されてい
る基準の平均輝度差の範囲にあるか否かによりウェーハ
の良否の判定ができる。検査条件の範囲外の場合には全
面不良とする。
【0042】<第3の欠陥検査>第3の欠陥検査では、
第2の欠陥検査と同様には全てのショットを平均化した
画像を利用することで、ステッパのデフォーカスについ
ての欠陥を高感度で検出可能とする。
【0043】第2の検査の場合と同様に、ウエハW上の
全てのショット画像を切り出し、各ショット毎の画像を
加算平均した平均ショット画像を作成する。次に、この
平均ショット画像に対して所定の平均化サイズで平均化
処理を行い、その平均化画像を得る。ここでの平均化サ
イズについても、ショット寸法より小さいサイズで切り
出すが、これはショットサイズの1/3〜1/2程度と
なるように、チップサイズを整数倍したものを使用する
ことが好ましい。1ショット1チップでは平均化画像が
1画素になって計算できないので、便宜上1/3〜1/
2ショットのサイズで同じように平均化処理する。
【0044】僅かなデフォーカスの場合には、一般的に
平均輝度が変化するので第1の欠陥検査で検出が可能で
ある。しかし、大きくデフォーカスした場合には平均輝
度が良品と同じになってしまうこともあり、第1の欠陥
検査だけでは不十分である。この場合は、デフォーカス
によってステッパの露光光学系の収差による明暗が顕著
になったり極端に小さくなったりすることが利用できる
ので、第3の欠陥検査では、上記のように平均ショット
画像からさらに平均化処理して作成した平均化画像の輝
度のばらつき度合いを計算する。本装置では輝度のばら
つき度合いの計算として標準偏差を用いる。
【0045】図4(a)は、良品サンプルにおける平均
化画像の輝度の分布をヒストグラムで図示した例であ
る。これに対して、大きくデフォーカスしてショットに
顕著な収差による明暗が発生した場合、図4(c)のよ
うになり、収差による明暗がほとんどなくなってしまっ
た場合には図4(b)のようになる。そして、平均化画
像の輝度の標準偏差は、図4(a)の幅Dに比べて大き
く異なるように現われる。したがって、平均化画像の輝
度の標準偏差を計算し、その値が検査条件の基準値の範
囲にあるか否かによって良否の判定ができる。検査条件
の範囲より外れた場合には全面不良と判断される。
【0046】以上の第1〜第3の欠陥検査は、明視野照
明の撮像画像及び暗視野照明の撮像画像について行われ
る。明視野照明では主に白色照明が利用されるが、ウエ
ハWの品種の中には波長を変化させた方が欠陥を検出し
やすいものがあるので、この場合には波長選択フィルタ
4によって適する波長を選択して照明する。
【0047】以上のように、各検査における検査条件は
単純な数値データであるため、欠陥検出部30bが記憶
するデータはマスタ画像に比べて遥かに少なく済む。こ
れは多数の品種のウエハを検査する場合に特に有利であ
る。検査装置が複数ある場合でも同一品種のウエハにつ
いては同じ数値データの検査基準が使用でき、マスタ画
像を必要としないので、各装置の管理が容易である。ま
た、ウエハ全面を一括撮像した画像で検査が行え、画像
処理も簡単であるため、検査が高速に行える。
【0048】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
マスタ画像を使用することなく欠陥を高速で検出でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る欠陥検査装置の概略構成を示す図
である。
【図2】第1の欠陥検査の平均化処理を説明する図であ
る。
【図3】第2の欠陥検査で平均ショット画像に対して四
隅の画像を切り出す例を示す図である。
【図4】第3の欠陥検査における平均化画像の輝度の分
布をヒストグラムで図示した例である。
【図5】第1の欠陥検査のフローを示した図である。
【図6】第2の欠陥検査のフローを示した図である。
【図7】第3の欠陥検査のフローを示した図である。
【符号の説明】
1 明視野照明光学系 2 照明ユニット 9 コリメータレンズ 10 撮像光学系 11 CCDカメラ 20 暗視野照明光学系 30 画像処理部 30a 画像メモリ 30b 欠陥検査部 35 制御部

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 繰返しパターンが形成された被検物表面
    の欠陥を検査する欠陥検査装置において、検査対象面を
    撮像する撮像手段を持つ撮像光学系と、前記撮像手段に
    より得られた撮像画像に対して繰返しパターン寸法又は
    露光ショット寸法に基づいて定められたサイズの画像の
    平均輝度値を求め、該平均輝度値と予め定められた検査
    条件とに基づいて欠陥を検査する欠陥検査手段と、を備
    えることを特徴とする欠陥検査装置。
  2. 【請求項2】 請求項1の欠陥検査手段は、撮像画像に
    おける繰返しパターン寸法の整数倍が画素の略整数倍の
    寸法Aとなるように前記撮像画像をサイズ変換する手段
    と、サイズ変換後の画像に対して前記寸法Aで平均化処
    理した平均化画像を作成する手段とを備え、該平均化画
    像の輝度と予め定められた基準輝度とに基づいて欠陥を
    検出することを特徴とする欠陥検査装置。
  3. 【請求項3】 請求項1の欠陥検査手段は、前記撮像画
    像から露光ショット毎の画像を切り出し、該切り出した
    画像を加算平均した平均ショット画像を作成する手段
    と、該平均ショット画像の四隅をショット寸法より小さ
    いサイズで切り出し、各切り出し画像の平均輝度を求め
    る手段と、四隅における対角位置の平均輝度の差を求め
    る手段と、該平均輝度差と予め定められた基準輝度差と
    に基づいて欠陥を検出することを特徴とする欠陥検査装
    置。
  4. 【請求項4】 請求項3の欠陥検査装置において、前記
    平均ショット画像の四隅を切り出すサイズは、繰り返し
    パターンの整数倍又はショット寸法の略1/3〜1/2
    としたことを特徴とする欠陥検査装置。
  5. 【請求項5】 請求項1の欠陥検査手段は、前記撮像画
    像から露光ショット毎の画像を切り出し、該切り出した
    画像を加算平均した平均ショット画像を作成する手段
    と、該平均ショット画像に対してショット寸法より小さ
    いサイズで平均化処理した平均化画像を作成する手段
    と、該平均化画像の輝度値のばらつき度合いを求める手
    段を備え、求めた輝度値のばらつき度合いと予め定めら
    れた輝度値のばらつきの基準値とに基づいて欠陥を検出
    することを特徴とする欠陥検査装置。
  6. 【請求項6】 請求項5の欠陥検査装置において、前記
    平均ショット画像に対して平均化処理するサイズは、繰
    り返しパターンの整数倍又はショット寸法の略1/3〜
    1/2としたことを特徴とする欠陥検査装置。
  7. 【請求項7】 請求項1の欠陥検査装置は、さらに被検
    物の検査対象面全体を略平行光で照明する照明光学系
    と、該照明光学系の照明光量をモニタする光量モニタ手
    段と、該モニタの情報に基づいて前記撮像手段により撮
    像される画像の光量を適正化する手段と、を備えること
    を特徴とする欠陥検査装置。
  8. 【請求項8】 請求項1の欠陥検査装置は、被検物の検
    査対象面全体を略平行光で照明する照明光学系を備え、
    前記撮像光学系には検査対象面より大きな径の凸レンズ
    が配置され、前記撮像手段は前記凸レンズによって検査
    対象面を略同一な方向から撮像する位置に配置されてい
    ることを特徴とする欠陥検査装置。
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