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JP2001316648A - 水透過性接着テープ - Google Patents

水透過性接着テープ

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JP2001316648A
JP2001316648A JP2001079829A JP2001079829A JP2001316648A JP 2001316648 A JP2001316648 A JP 2001316648A JP 2001079829 A JP2001079829 A JP 2001079829A JP 2001079829 A JP2001079829 A JP 2001079829A JP 2001316648 A JP2001316648 A JP 2001316648A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウェーハおよび/ または半導体関連材
料を加工するための接着テープ、特に前記ウェーハまた
は材料をダイシングするための接着テープであって、チ
ップまたはＩＣ部品のチッピングまたは他の欠陥などと
いった加工上の問題を何ら生じることなく極めて薄い半
導体ウェーハまたは材料の加工が可能な接着テープを提
供すること。 【解決手段】 少なくとも１つの支持フィルムおよび接
着剤を有する半導体ウェーハおよび／または半導体関連
材料加工用の水透過性接着テープであって、前記少なく
とも１つの支持フィルムが穿孔を有し、かつ３〜９０％
の空隙率を持つことを特徴とする水透過性接着テープ。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハおよ
び／または半導体関連材料加工用の水透過性接着テープ
に関する。より具体的には本発明は、半導体ウェーハを
ＩＣ素子チップに切断分離する時にその半導体ウェーハ
を固定するために使用できる水透過性接着テープに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体ウェーハおよび半導体
関連材料は、ダイシングブレードとして知られる回転ダ
イヤモンドブレードを使ってウェーハまたは関連材料を
切断することによりチップおよびＩＣ部品に分離されて
いる。本発明にいう半導体関連材料には、ＢＧＡパッケ
ージ、プリント回路、セラミック板、液晶装置用のガラ
ス部品が包含される。上述の方法では、半導体ウェーハ
および半導体関連材料が、ブレード中のダイアモンド粒
子を使ってＩＣ素子チップに切断される。このダイシン
グ工程中に半導体ウェーハまたは半導体関連材料を固定
しておくために、半導体ウェーハまたは半導体関連材料
は、通常、ダイシングテープとも呼ばれる接着テープに
接着される。半導体ウェーハまたは半導体関連材料がＩ
Ｃ素子チップに切断された後、それらＩＣ素子チップは
接着テープからピックアップすることができる。このよ
うな工程に使用される接着テープは一般に合成樹脂（例
えばＰＶＣ）からなる層を持ち、その層が接着層によっ
てウェーハに接着される。
【０００３】最近、この方法によって切断されたＩＣチ
ップおよびＩＣ部品のクラッキング、チッピングまたは
欠陥が、それらチップおよび部品の品質の低下と、この
切断方法の生産性の低下をもたらす大きな問題になって
いる。この問題は、電子装置の小型化と、よりいっそう
薄いウェーハに対する需要の増加を受けて顕著となっ
た。しかし、半導体材料の厚さが減少するにつれて、そ
の材料がダイシング時にクラッキングを生じる傾向は増
加する。また分離が困難な、すなわち、より脆くより硬
い半導体関連材料も現れており、それらはいっそうチッ
ピングを起こしやすい。このクラッキングまたはチッピ
ングという問題の主な原因は、回転ダイヤモンドブレー
ドという切断手段である。
【０００４】この問題を克服するために他の切断技術に
注目が集まっている。特にレーザー技術は、レーザービ
ームを使ったダイシングの方がはるかに正確であり、し
かもその正確さは切断対象である材料の厚さによって大
きく左右されないことからも有利であると思われる。具
体的には、上記の目的に役立ちうるレーザー技術がＷＯ
９５／３２８３４に記載されており、液体ジェットによ
って案内されるレーザービームを使用した切断、穿孔、
溶接、刻印および材料剥離による材料の加工が開示され
ている。具体的には、水流によって案内されるレーザー
ビームが様々な材料の加工に使用される。しかし、この
レーザー技術を用いた分離工程では、チップおよびＩＣ
部品が、それらに接着させた接着テープからの剥離が起
こりうることが問題である。例えば水流などによって接
着面に高圧がかけられるため、これらのチップおよびＩ
Ｃ部品を接着テープ上に完全に固定しておくことができ
ない。したがって、チップおよびＩＣ部品がダイシング
工程中にウェーハまたは材料から飛散し、またはダイシ
ングに由来する溶融粒子の混入によって破損されること
が起こりうるため、半導体ウェーハおよび半導体関連材
料加工用の従来の接着テープは、レーザーダイシング技
術には適していないものであった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、半導
体ウェーハおよび／または半導体関連材料を加工するた
めの接着テープ、特に前記ウェーハまたは材料をダイシ
ングするための接着テープであって、チップまたはＩＣ
部品のチッピングまたは他の欠陥などといった加工上の
問題を何ら生じることなく極めて薄い半導体ウェーハま
たは材料の加工が可能な接着テープを提供することを目
的とするものであり、同時にその接着テープでのウェー
ハまたは材料の良好な接着を保証し、ダイシング工程中
にその接着テープからチップまたは部品が剥離すること
を防ぐ接着テープを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的は、以下の水透
過性接着テープ、によって達成された。 １．少なくとも１つの支持フィルムおよび接着剤を有す
る半導体ウェーハおよび／または半導体関連材料加工用
の水透過性接着テープであって、前記少なくとも１つの
支持フィルムが穿孔を有し、かつ３〜９０％の空隙率を
持つことを特徴とする水透過性接着テープ。 ２．上記支持フィルムが合成樹脂または不織布からなる
ことを特徴とする上記１記載の水透過性接着テープ。 ３．上記穿孔のサイズが０．００１〜３．０ｍｍ2 であ
ることを特徴とする上記１または２記載の水透過性接着
テープ。 ４．上記接着剤がゴム系またはアクリル系接着剤からな
ることを特徴とする上記１〜３のいずれかに記載の水透
過性接着テープ。 ５．上記接着剤が感圧性、感光性および／または感熱性
であることを特徴とする上記１〜４のいずれかに記載の
水透過性接着テープ。 ６．１０％を超える伸び率を有することを特徴とする上
記１〜５のいずれかに記載の水透過性接着テープ。 ７．０．１Ｎ／２０ｍｍを超える引張り強さを有するこ
とを特徴とする上記１〜６のいずれかに記載の水透過性
接着テープ。 ８．０．１５〜１０Ｎ／２０ｍｍの接着強さを有するこ
とを特徴とする上記１〜７のいずれかに記載の水透過性
接着テープ。
【０００７】上記の水透過性接着テープは、上述した問
題を効果的に回避することができ、半導体ウェーハおよ
び／または半導体関連材料の加工、特に前記ウェーハま
たは材料のダイシングに一般に適していることがわかっ
た。したがって、このような水透過性接着テープは、レ
ーザー技術による、特にレーザーマイクロジェット法に
よる半導体ウェーハおよび／または半導体関連材料の加
工に使用できる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の水透過性接着テープは少
なくとも1 つの支持フィルムを含んでなる。支持フィル
ムに適した材料の例には、合成樹脂、例えばポリエチレ
ンおよびポリプロピレンなどのポリオレフィン、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリウレタン、ＥＶＡ、ポリテ
トラフルオロエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリアミド、アセタール樹脂、ポリスチレンお
よびポリカーボネートなどのフィルムが包含され、また
ＰＰ、ＰＶＣ、ＰＥ、ＰＵ、ＰＳ、ＰＯまたはＰＥＴな
どのポリマー繊維、レーヨンまたは酢酸セルロースなど
の合成繊維、綿、絹または羊毛などの天然繊維およびガ
ラス繊維または炭素繊維などの無機繊維からなる不織布
も含まれる。また、ＰＰ、ＰＶＣ、ＰＥ、ＰＵ、ＰＳ、
ＰＯまたはＰＥＴなどのポリマー繊維、レーヨンまたは
酢酸セルロースなどの合成繊維、綿、絹または羊毛など
の天然繊維およびガラス繊維または炭素繊維などの無機
繊維からなる織布も含まれる。
【０００９】上記支持フィルムは当該支持フィルムの厚
さ方向の貫通孔である穿孔を有する。これらの穿孔は支
持フィルム上に規則正しくまたは不規則に設けることが
できる。支持フィルムの材料が繊維からなる場合、穿孔
は繊維−繊維間隙の結果として、自然に得られ、その支
持フィルムを多孔性にする。これに対し、支持フィルム
がポリマー樹脂からなる場合は、穿孔を人工的に導入す
ることができる。繊維からなる上述の多孔性不織材は、
自然にできた細孔または穴に加えて、さらに人工的な穿
孔を含んでもよい。本発明の水透過性接着テープの水透
過性を増加させるには、そのような配置が有利である。
【００１０】支持フィルムは従来の貫通孔作成法によっ
て穿孔することができる。そのような方法の例には、当
技術分野で一般に知られている機械的、化学的および／
または熱的方法が含まれる。支持フィルムを機械的に穿
孔する方法としては、プレス機または回転ロールによる
打抜き、レーザー処理および水ジェット処理を挙げるこ
とができる。さらに支持フィルムの製造時に支持フィル
ム中に無機粒子を処方することもできる。そのフィルム
を膨張させると前記粒子の一部が壊れ、そのフィルムに
穴をあけることになる。化学的な穿孔法としては、次の
方法を挙げることができる。支持フィルム材料には発泡
剤を処方することができ、そのようにすると支持フィル
ムの製造時に発泡が起こって所望の穴が生成する。もう
一つの化学的方法では、支持ポリマーと、ある溶媒に容
易に溶解する化合物とを使って支持フィルムを製造す
る。フィルムをシート状に加工した後、前記の溶媒にそ
の支持フィルムを浸漬し、続いて乾燥および膨張を行な
うと、やはり穿孔が生じる。
【００１１】本発明の水透過性接着テープは、良好な水
透過性を保証し、ダイシング工程中にその水透過性接着
テープが剥離するのを防止するために、十分な穿孔を持
つ。穿孔の形状は、それが水透過性を保証するものであ
る限り限定されない。例えば穴形状は、繊維含有支持材
の繊維−繊維間隙の場合のように、不規則であってよ
い。また穿孔の形は円形、正方形、三角形、ひし形、星
状であってもよい。顕微鏡で測定される穿孔のサイズ
（穴サイズ）は通常＜３．０ｍｍ2 であり、好ましくは
０．００１〜３．０ｍｍ2 、より好ましくは０．１〜
２．０ｍｍ2 、最も好ましくは０．２〜１．１ｍｍ2 で
ある。穴が円形である場合、穴サイズは直径で表すこと
ができ、その直径は好ましくは０．１７〜０．８０ｍ
ｍ、より好ましくは０．２５〜０．５９ｍｍである。穿
孔が正方形、三角形またはひし形である場合、穴サイズ
はその正方形、三角形またはひし形の一辺の長さとして
与えることができ、その長さは０．３０〜１．４０ｍｍ
であることが好ましく、０．４５〜１．００ｍｍである
ことがより好ましい。穴密度は１００，０００穴／ｍ2
を超えることが好ましく、３００，０００〜７００，０
００穴／ｍ2 であることがより好ましい。穴密度は長さ
方向と横方向のピッチ間隔から計算される。
【００１２】本発明の水透過性接着テープは３〜９０％
の空隙率を持つ。空隙率が３％未満であると、水透過性
が不十分であり、接着テープからのチップの剥離および
／またはテープとチップの間に異物混入が起こりうる。
これに対し、空隙率が９０％を超えると、テープの機械
的強度の不足、テープの平滑度低下および支持フィルム
と接着剤の間の固着不足が起こりうる。空隙率は支持フ
ィルム中の空隙または穿孔の割合を表す。支持フィルム
が人工的穿孔を含有する場合、空隙率は３〜６０％であ
ることが好ましく、より好ましくは１０〜５５％、最も
好ましくは２０〜５０％である。この場合、空隙率は穴
サイズおよび穴密度から決定される。すなわち、空隙率
＝（穴サイズ）×（穴密度）×１００％、である。
【００１３】繊維からなる多孔性不織材を支持材として
使用する場合、空隙率は１０〜８０％であることが好ま
しく、より好ましくは２０〜７０％である。この場合、
空隙率はその不織材の単位面積あたりの重量、素材密度
および不織材の厚さから、 空隙率＝（不織材の単位面積あたりの重量）／（素材密
度）／（不織材の厚さ）×１００％、 の形で決定される。不織材の厚さは厚み測定器で測定さ
れる。
【００１４】必要であれば、接着フィルムへの接着性を
高めるために、コロナ放電処理、火炎処理、プラズマ処
理、スパッタエッチング処理または下塗り（例えばプラ
イマー）フッ素処理などの表面処理を、支持フィルムの
接着フィルムを形成させる表面に施してもよい。
【００１５】支持フィルムの厚さは一般に１０〜４００
μｍであり、３０〜２５０μｍが好ましい。厚さが１０
μｍ未満であると、テープは容易に破損し、または半導
体ウェーハおよび／または半導体関連材料の加工中に切
断されるおそれがある。厚さが４００μｍを超えると、
本発明水透過性接着テープの製造費がかなり高くなる。
【００１６】上記の支持フィルムの１つを単独で使用す
るか、2 つ以上の上記支持フィルムを多層構造として使
用することができる。そのような多層フィルムは従来の
方法で製造できる。
【００１７】本発明の水透過性接着テープはさらに接着
剤も含有し、その接着剤は通例、支持フィルムの片面に
塗布される。接着剤は一般的な接着組成物、好ましくは
ゴム系またはアクリル系接着剤を使って製造できる。
【００１８】ゴム系またはアクリル系接着剤はベースポ
リマーとして、天然ゴムおよび種々の合成ゴムなどのゴ
ム、またはアクリロニトリルや炭素数３０未満（好まし
くは炭素数１〜１８）の直鎖もしくは分枝鎖アルキル基
（例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ
−ブチル、ｔ−ブチル、イソブチル、アミル、イソアミ
ル、ヘキシル、シクロヘキシル、２−エチルヘキシル、
オクチル、イソオクチル、ノニル、イソノニル、デシ
ル、イソデシル、ラウリル、トリデシル、テトラデシル
またはステアリル基など）を有するアクリル酸アルキル
またはポリメタクリル酸アルキルから製造されるポリア
クリル酸アルキルまたはポリメタクリル酸アルキルなど
のアクリル系ポリマーを含みうる。上記の群の混合物を
使用できる。他の接着剤、例えばポリブテン系またはポ
リブタジエン系接着剤も可能である。上記の接着剤は一
般に５０〜１００重量％の量で存在する。
【００１９】必要であれば、多官能性モノマーを架橋剤
として接着剤に添加することができる。架橋剤の例に
は、ヘキサンジオールジ（メタ）アクレート、（ポリ）
エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）
プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリ
（メタ）アクリレートおよびウレタンアクリレートが包
含される。架橋剤は単独で使用することも、2 つ以上の
化合物の混合物として使用することもできる。架橋剤の
量は、総合的接着性を制御するために、全モノマー重量
に対して３０重量％未満であることが好ましい。
【００２０】接着剤は感圧性でも、感光性でも、感熱性
（熱感受性）でもよく、またそれらの組み合わせでもよ
い。感光接着剤の場合は、光照射、特にＵＶ光照射によ
って硬化させることができる。光を照射すると、接着剤
内での三次元網目構造の形成により、接着強さを低下さ
せることができる。感熱接着剤の場合は、接着剤を加熱
すると、接着強さが低下する。
【００２１】感光接着剤を使用する場合は、光照射によ
って容易に反応しうるモノマーまたはオリゴマー、いわ
ゆる光重合性化合物を接着剤に組み込むことができる。
そのようなモノマーまたはオリゴマーの例には、ウレタ
ン、メタクリレート、トリメチルプロパントリメタクリ
レート、テトラメチロールメタンテトラメタクリレート
および４−ブチレングリコールジメタクリレートが含ま
れる。光重合性化合物の量は一般にベースポリマー１０
０重量部につき５〜５００重量部の範囲にあり、７０〜
１５０重量部の範囲にあることが好ましい。さらにこの
場合は、光重合開始剤も含まれる。開始剤の例には、４
−（４−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキ
シ−２−プロピル) ケトン、メトキシアセトフェノンお
よび１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなど
のアセトフェノン化合物、ベンゾインエチルエーテルお
よびベンゾインイソプロピルエーテルなどのベンゾイン
エーテル化合物、ケタール化合物、芳香族塩化スルホニ
ル化合物、光活性オキシム化合物およびベンゾフェノン
化合物が包含される。ここでも、これらの化合物は単独
で、またはその混合物として使用できる。感光接着剤に
関するさらなる詳細は例えばＥＰ−Ａ−１５７５０８に
記載されている。
【００２２】接着剤が感熱接着剤である場合、接着剤は
いわゆる熱発泡成分を含有しうる。発泡はテープを加熱
した結果として起こる。接着テープと半導体ウェーハま
たは半導体関連材料の間の結合面は、発泡に起因するペ
ブリングと呼ばれる過程により、減少する。したがって
接着強さが低下する。発泡剤の例には、分解型の発泡剤
とマイクロカプセル型の発泡剤が包含される。感熱接着
剤に関するさらなる情報は、例えばＥＰ−Ａ−０５２３
５０５に記載されている。
【００２３】必要であれば、例えば、テルペン樹脂
（例：α−ピネンポリマー、β−ピネンポリマー、ジテ
ルペンポリマー、α−ピネン−フェノールコポリマ
ー）、炭化水素樹脂（例：脂肪族樹脂、芳香族樹脂、脂
肪族−芳香族コポリマー）、ロジン、クマロン−インデ
ン樹脂、（アルキル）フェノール樹脂、キシレン樹脂ま
たはアルキド樹脂などの任意の適当な粘着付与剤を配合
することなどによって、接着剤の接着性を制御すること
ができる。
【００２４】また接着剤の接着性は、必要であれば、ポ
リイソブチレンに相当する配合成分としての低分子量ポ
リイソブチレンおよびＡ−Ｂ−Ａ型ブロックポリマーに
相当する配合成分としてのパラフィン系油などといった
任意の適当な軟化剤を配合することによって、さらに制
御できる。
【００２５】さらに接着剤には、必要であれば充填材、
顔料、老化防止剤または安定化剤などの任意の適当な添
加剤が混合されていてもよい。
【００２６】また接着剤は、水透過性をさらに高めるた
めに、穿孔を含んでもよい。それらの穿孔は支持フィル
ムについて上述した方法のいずれによっても設けること
ができる。それらの穿孔は支持フィルムの穿孔と同時に
設けても、別個の工程で設けてもよい。ただし接着剤が
穿孔を有することは必須ではない。なぜなら、接着剤は
レーザービームまたは水ジェットによる加工中に完全に
切断されうるので、接着剤の水透過性は重要ではないか
らである。
【００２７】接着剤の厚さは一般に３００μｍ未満、好
ましくは３〜２００μｍ、より好ましくは３〜１００μ
ｍ、さらに好ましくは５〜１００μｍであり、５〜７０
μｍが最も好ましい。厚さが３μｍ未満であると、十分
な接着強さが得られない。これに対し、厚さが３００μ
ｍを超えると、半導体ウェーハまたは半導体関連材料を
テープから取り外した後に、そのウェーハまたは材料の
裏面に望ましくない接着剤残渣が形成される可能性があ
る。また、水を通過させるための接着層の切断を水ビー
ムによってできなくなるおそれがある。
【００２８】接着剤の１００％モジュラス（２０℃）は
一般に１０ｋｇ／ｃｍ2 以下であり、好ましくは０．５
〜８ｋｇ／ｃｍ2 である。トルエン（２０℃）に２４時
間浸漬することによって決定される接着剤中のゲル含量
は、通常５５重量％未満であり、好ましくは０．５重量
％から５５重量％未満まで、より好ましくは３５重量％
から５５重量％未満までであって、ゲル膨潤度は一般に
少なくとも２０倍であり、好ましくは２５〜８０倍であ
る。
【００２９】本発明の水透過性接着テープは当技術分野
で知られている任意の従来のテープ製造法によって製造
できる。一般的には、まず、穿孔を有し３〜９０％の空
隙率を持つ支持フィルムを用意する。なお、穿孔は、支
持フィルムに接着剤をコーティングする工程の後に設け
ることもできる。接着剤は支持フィルム材に直接コーテ
ィングできる。もう一つの選択肢として、接着剤コーテ
ィングは、接着剤がまず剥離剤が塗布されたプロセス材
料にコーティングするトランスファーコーティング法に
よって行なうこともできる。接着剤を溶解した溶剤を乾
燥によって除去した後、その接着剤を支持フィルムに積
層する。このコーティング工程は任意の既存のコーティ
ング法によって行なうことができる。例えばリバースロ
ールコーティング、グラビアコーティング、カーテンス
プレーコーティング、ダイコーティング、押出および他
の工業的に応用されるコーティング法などを使用でき
る。さらに、支持フィルム上に接着剤をコーティングす
るために接着剤圧延を使用することもできる。
【００３０】伸びは半導体ウェーハおよび／または半導
体関連材料の加工において常に必要なわけではないが、
本発明の水透過性接着テープは伸長可能であることが好
ましい。伸び値は元のテープ長の１０％より大きいこと
が好ましくは、２０％より大きいことがより好ましい。
テープの伸びはダイシング工程後に接着テープからチッ
プのピッキング工程に役立ちうる。
【００３１】本発明の水透過性接着テープの引張り強さ
は一般に０．１Ｎ／２０ｍｍより高く、０．３Ｎ／２０
ｍｍより高いことが好ましい。引張り強さが低すぎる
と、本発明の水透過性接着テープは、半導体ウェーハお
よび／または半導体関連材料を加工する際に、容易に破
損および／または切断されるだろう。
【００３２】引張り強さと伸びは、長さ５．０ｃｍ、幅
２０ｍｍの試料を使用して引張り試験機で測定される。
試験を行なう速度は室温および相対湿度５０％で３００
ｍｍ／分である。伸び率は次のように計算される。 伸び＝（破断時の長さ−元の長さ）／（元の長さ）×１
００％。 この点での力の測定値がそのテープの引張り強さとして
表される。このように引張り強さと伸びはＡＳＴＭ Ｄ
１０００に準拠する。
【００３３】本発明の水透過性接着テープは、室温およ
び相対湿度５０％、１８０°剥離接着強さおよび剥離速
度３００ｍｍ／分（ＡＳＴＭ Ｄ１０００に準拠）の条
件下に、Ｓｉ−ウェーハ上で一般に２０Ｎ／２０ｍｍ未
満、好ましくは０．１５〜１０Ｎ／２０ｍｍの接着強さ
を持つ。接着剤が感光性である場合（すなわち光照射に
よって硬化させることができる場合）または接着剤が感
熱性である場合（すなわち熱によって剥離できる場
合）、接着強さは光または熱処理前で一般に２０Ｎ／２
０ｍｍ未満、好ましくは０．１５〜１０Ｎ／ｍｍであ
り、前記処理後は通例、２Ｎ／２０ｍｍ未満である。
【００３４】
【実施例】下記の実施例に関して本発明をさらに詳しく
説明する。各例中の部は全て重量部である。
【００３５】実施例１ アクリルコポリマー１００部、可塑剤３０部および架橋
剤１０部からなるアクリル接着剤を、５０μｍ厚のプロ
セスライナーの片面に、１５μｍの厚さでコーティング
した後、１００℃で３分間乾燥した。乾燥後直ちに、穴
を持つポリプロピレン繊維でできた２００μｍ厚の不織
シートであって、空隙率３０％のサイズ０．１〜０．３
ｍｍの穿孔でさらに穿孔されているシートを、上記のコ
ーティングの上に積層して、半導体ウェーハ加工用の薄
い接着テープを得た。このテープは、縦方向（長さ方
向）に２２Ｎ／２０ｍｍの引張り強さと５５％の伸びを
示し、横方向（横断方向）に１６Ｎ／２０ｍｍの引張り
強さと７０％の伸びを示した。
【００３６】実施例２ アクリルコポリマー１００部、可塑剤３０部および架橋
剤１０部からなるアクリル接着剤を、５０μｍ厚のプロ
セスライナーの片面に、１５μｍの厚さでコーティング
した後、１００℃で３分間乾燥した。乾燥後直ちに、穴
を持つポリプロピレン繊維でできた２００μｍ厚の不織
シートであって、空隙率５０％のサイズ０．１〜０．３
ｍｍの穿孔でさらに穿孔されているシートを、上記のコ
ーティングの上に積層して、半導体ウェーハ加工用の薄
い接着テープを得た。このテープは、縦方向に１８Ｎ／
２０ｍｍの引張り強さと１１０％の伸びを示し、横方向
に１５Ｎ／２０ｍｍの引張り強さと１２５％の伸びを示
した。
【００３７】実施例３ アクリルコポリマー１００部、可塑剤３０部および架橋
剤１０部からなるアクリル接着剤を、ＥＶＡ（ビニル含
量９％）とポリエチレンのブレンドフィルム（ブレンド
比（重量％）はＥＶＡ：ポリエチレン＝３０／７０）の
片面に、１５μｍの厚さでコーティングした後、１００
℃で３分間乾燥した。コーティング後直ちに、製造した
接着テープに、縦横両方向に１ｍｍの規則的パターンの
ピッチ間隔で、面積０．０４ｍｍ2 の正方形の穴をあけ
ることにより、半導体ウェーハ加工用の接着テープを得
た（図１参照）。このテープは、縦方向に２０Ｎ／２０
ｍｍの引張り強さと６０％の伸びを示し、横方向に１７
Ｎ／２０ｍｍの引張り強さと７０％の伸びを示した。
【００３８】実施例４ アクリルコポリマー１００部、可塑剤３０部および架橋
剤１０部からなるアクリル接着剤を、ＥＶＡ（ビニル含
量９％）とポリエチレンのブレンドフィルム（ブレンド
比（重量％）はＥＶＡ：ポリエチレン＝３０／７０）の
片面に、１５μｍの厚さでコーティングした後、１００
℃で３分間乾燥した。コーティング後直ちに、製造した
接着テープに、各穴の間が１ｍｍの千鳥配置のピッチ間
隔で、面積０．２ｍｍ2 の円形の穴をあけることによ
り、半導体ウェーハ加工用の接着テープを得た（図２参
照）。このテープは、縦方向に１５Ｎ／２０ｍｍの引張
り強さと５０％の伸びを示し、横方向に１２Ｎ／２０ｍ
ｍの引張り強さと６０％の伸びを示した。
【００３９】実施例５ アクリルコポリマー、光重合性化合物としてのウレタン
オリゴマーおよび光重合開始剤を、ＥＶＡ（ビニル含量
９％）とポリエチレンのブレンドフィルム（ブレンド比
（重量％）はＥＶＡ：ポリエチレン＝３０／７０）の片
面に、１０μｍの厚さでコーティングした後、１００℃
で３分間乾燥した（ＥＰ−Ａ−０１５７５０８参照）。
コーティング後直ちに、製造した接着テープに、各穴の
間が１ｍｍの千鳥配置のピッチ間隔で、面積０．１３ｍ
ｍ2 の円形の穴をあけることにより、半導体ウェーハ加
工用の接着テープを得た（図３参照）。このテープは、
縦方向に１５Ｎ／２０ｍｍの引張り強さと５５％の伸び
を示し、横方向に１４Ｎ／２０ｍｍの引張り強さと７０
％の伸びを示した。
【００４０】比較例１ 比較例として、回転ダイヤモンドブレード法を使ったシ
リコンウェーハの加工に一般に使用されているアクリル
接着剤（厚さ１０μｍ）と７０μｍの厚さを持つ標準的
ＰＶＣフィルムを製造した。
【００４１】結果を次の表１に要約する。
【表１】 表１中の＊は硬化処理を示す。
【００４２】直径１２．７ｃｍ（５インチ）の半導体ウ
ェーハを実施例１〜５および比較例の薄い接着テープの
それぞれに接着させ、次にそれを、直径５０μｍの水マ
イクロジェットと組み合わせたレーザービームを使って
素子チップに切断した。
【００４３】切断後、各例をフィルム損傷、チップの切
断面状態、チップ損傷、テープとウェーハの間の解離お
よび異物混入の観点から調べた。
【００４４】（ダイシング条件） ダイシング装置：Ｓｙｎｏｖａ製 ダイシング速度：５０ｍｍ／ｓ レーザー直径：５０μｍ レーザー波長：１０６４ｎｍ 水ジェット圧：４０ＭＰａ（４００バール） チップサイズ：３ｍｍ×３ｍｍ ウェーハサイズ：１３．７ｃｍ（５インチ）
【００４５】テープを直接照射した場合、本発明による
実施例１〜５では、支持フィルム自体はレーザービーム
によって損傷されなかった。さらに、実施例１〜５の薄
い接着シートは４０ＭＰａ（４００バール）の圧力でも
水ジェットによって劣化しなかった。不織支持フィルム
（実施例１および２）の繊維は水ジェットの障害物には
ならない。なぜなら繊維直径（２０μｍ）は水ジェット
よりはるかに小さいからである。また、溶融したシリコ
ンの熱は本発明の接着テープを切断しなかった。さら
に、全ての水は支持フィルムの穿孔を通して排水され、
半導体ウェーハは接着テープから全くはがれなかった。
また、半導体ウェーハの裏側には切断後もシリコン粒子
が混入していなかった。結果として、上面からも裏面か
らもウェーハのきれいな切り口が観察され、チッピング
および切り口に付着したシリコン粒子は観察されなかっ
た。下降中にチップの飛散は観察されず、極めてまっす
ぐな切り口を得ることができた。引き続いて、接着テー
プに接着されている加工された半導体ウェーハをその伸
長性について評価した。伸びは均一に起こり、加工され
たチップを接着テープから適正に取り外すことができ
た。
【００４６】しかし比較例１の接着テープを、水マイク
ロジェットと組み合わせたレーザービームを用いるダイ
シング工程で使用したところ、低圧の水ジェットでさえ
切り口のどちらかの面で接着テープが切り口の周りから
０．５〜１ｍｍはがれることが観察された。この解離は
水ジェットが低圧でさえウェーハを押し下げるという事
実によって起こった。結果として、素子チップの裏面に
は溶融したシリコン粒子が混入した。さらに、ダイシン
グ工程中にウェーハとテープを支えるために接着テープ
の下に平坦な支持体を接着したが、それでも解離が観察
されて、異物の混入が起こり、結局はチップ面のさらな
る損傷（チッピング）が起こった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例３における接着テープの支持フ
ィルム中の穿孔の規則的パターンのピッチを示す略図。
【図２】本発明の実施例４における接着テープの支持フ
ィルム中の穿孔の千鳥配置のピッチを示す略図。
【図３】本発明の実施例５における接着テープの支持フ
ィルム中の穿孔の千鳥配置のピッチを示す略図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウォルター エバース ベルギー ゲンク 3600 エイケラールス トラート 22 ゾーン 12エイ アイピィ ゲンク ズィード ニットウ ヨーロッ パ エヌ． ブイ. (72)発明者 アン イサリス ベルギー ゲンク 3600 エイケラールス トラート 22 ゾーン 12エイ アイピィ ゲンク ズィード ニットウ ヨーロッ パ エヌ． ブイ. (72)発明者 満岡由明 ベルギー ゲンク 3600 エイケラールス トラート 22 ゾーン 12エイ アイピィ ゲンク ズィード ニットウ ヨーロッ パ エヌ． ブイ. (72)発明者 赤田祐三 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電 工株式会社内 (72)発明者 ティス エドウィン ベルギー ゲンク 3600 エイケラールス トラート 22 ゾーン 12エイ アイピィ ゲンク ズィード ニットウ ヨーロッ パ エヌ． ブイ.

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも１つの支持フィルムおよび接
    着剤を有する半導体ウェーハおよび／または半導体関連
    材料加工用の水透過性接着テープであって、前記少なく
    とも１つの支持フィルムが穿孔を有し、かつ３〜９０％
    の空隙率を持つことを特徴とする水透過性接着テープ。
  2. 【請求項２】 上記支持フィルムが合成樹脂または不織
    布からなることを特徴とする請求項１記載の水透過性接
    着テープ。
  3. 【請求項３】 上記穿孔のサイズが０．００１〜３．０
    ｍｍ2 であることを特徴とする請求項１または２記載の
    水透過性接着テープ。
  4. 【請求項４】 上記接着剤がゴム系またはアクリル系接
    着剤からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか
    に記載の水透過性接着テープ。
  5. 【請求項５】 上記接着剤が感圧性、感光性および／ま
    たは感熱性であることを特徴とする請求項１〜４のいず
    れかに記載の水透過性接着テープ。
  6. 【請求項６】 １０％を超える伸び率を有することを特
    徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の水透過性接着
    テープ。
  7. 【請求項７】 ０．１Ｎ／２０ｍｍを超える引張り強さ
    を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記
    載の水透過性接着テープ。
  8. 【請求項８】 ０．１５〜１０Ｎ／２０ｍｍの接着強さ
    を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記
    載の水透過性接着テープ。
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