JP2001201749A - マルチドメイン液晶表示素子 - Google Patents
マルチドメイン液晶表示素子Info
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- F04D—NON-POSITIVE-DISPLACEMENT PUMPS
- F04D25/00—Pumping installations or systems
- F04D25/02—Units comprising pumps and their driving means
- F04D25/08—Units comprising pumps and their driving means the working fluid being air, e.g. for ventilation
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画像表示のうちテクスチャーを安定化させ、
通過率の改善及びマルチドメイン効果を実現できるマル
チドメイン液晶表示素子を提供する。 【解決手段】 画素領域が形成された第１基板３１及び
第２基板３３と、これら基板３１，３３の間に形成され
た液晶層と、画素領域の一方に形成された第１誘電体構
造物５３と、画素領域の他方に形成された第２誘電体構
造物５３と、これらの誘電体構造物５３の間に形成され
た第３誘電体構造物５３とからなるマルチドメイン液晶
表示素子を提供する。
通過率の改善及びマルチドメイン効果を実現できるマル
チドメイン液晶表示素子を提供する。 【解決手段】 画素領域が形成された第１基板３１及び
第２基板３３と、これら基板３１，３３の間に形成され
た液晶層と、画素領域の一方に形成された第１誘電体構
造物５３と、画素領域の他方に形成された第２誘電体構
造物５３と、これらの誘電体構造物５３の間に形成され
た第３誘電体構造物５３とからなるマルチドメイン液晶
表示素子を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子に係
り、特に、分割された画素領域の周囲及び内部に誘電体
構造物を形成し、前記分割した画素領域のそれぞれの中
心に別の誘電体構造物を形成したマルチドメイン液晶表
示素子に関する。
り、特に、分割された画素領域の周囲及び内部に誘電体
構造物を形成し、前記分割した画素領域のそれぞれの中
心に別の誘電体構造物を形成したマルチドメイン液晶表
示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、液晶を配向せず、画素電極と電気
的に絶縁された補助電極によって液晶を駆動する液晶表
示素子が提案されている。図１は、従来の液晶表示素子
の単位画素を示す断面図である。
的に絶縁された補助電極によって液晶を駆動する液晶表
示素子が提案されている。図１は、従来の液晶表示素子
の単位画素を示す断面図である。
【０００３】従来の液晶表示素子は、第１基板及び第２
基板とを具備している。前記第１基板上には、縦横に形
成され、第１基板を複数の画素領域に分ける複数のデー
タ配線及びゲート配線と、第１基板上の画素領域のそれ
ぞれに形成され、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体
層、オーム接触層（Ohmic contact layer）及びソース
／ドレイン電極から構成された薄膜トランジスタ（Thin
Film Transistor ; ＴＦＴ）と、前記第１基板の全体
に亘って形成された保護膜３７と、その保護膜３７上で
ドレイン電極と連結されるように形成された画素電極１
３と、前記ゲート絶縁膜上に画素電極１３の一部と重な
るように形成された補助電極２１とが設けられている。
基板とを具備している。前記第１基板上には、縦横に形
成され、第１基板を複数の画素領域に分ける複数のデー
タ配線及びゲート配線と、第１基板上の画素領域のそれ
ぞれに形成され、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体
層、オーム接触層（Ohmic contact layer）及びソース
／ドレイン電極から構成された薄膜トランジスタ（Thin
Film Transistor ; ＴＦＴ）と、前記第１基板の全体
に亘って形成された保護膜３７と、その保護膜３７上で
ドレイン電極と連結されるように形成された画素電極１
３と、前記ゲート絶縁膜上に画素電極１３の一部と重な
るように形成された補助電極２１とが設けられている。
【０００４】また、前記第２基板上には、前記ゲート配
線、データ配線及び薄膜トランジスタから漏れる光を遮
断するように形成された遮光層２５と、該遮光層２５上
に形成されたカラーフィルタ層２３と、該カラーフィル
タ層２３上に形成された共通電極１７とが設けられ、前
記第１基板と第２基板との間には液晶層が形成されてい
る。
線、データ配線及び薄膜トランジスタから漏れる光を遮
断するように形成された遮光層２５と、該遮光層２５上
に形成されたカラーフィルタ層２３と、該カラーフィル
タ層２３上に形成された共通電極１７とが設けられ、前
記第１基板と第２基板との間には液晶層が形成されてい
る。
【０００５】画素電極１３の周りに形成された補助電極
２１および共通電極１７のオープン領域２７は、前記液
晶層に印加される電場を歪曲させ、単位画素内で液晶分
子を多様に駆動させる。これは、前記液晶表示素子に電
圧を印加するときに、歪曲した電場による誘電エネルギ
ーが、液晶分子を所望の方向に位置させることを意味す
る。しかし、前記液晶表示素子は、マルチドメイン効果
を得るために共通電極１７にオープン領域２７を具備す
る必要があり、このために液晶表示素子の製造工程中に
共通電極１７のパターニング工程が追加される。
２１および共通電極１７のオープン領域２７は、前記液
晶層に印加される電場を歪曲させ、単位画素内で液晶分
子を多様に駆動させる。これは、前記液晶表示素子に電
圧を印加するときに、歪曲した電場による誘電エネルギ
ーが、液晶分子を所望の方向に位置させることを意味す
る。しかし、前記液晶表示素子は、マルチドメイン効果
を得るために共通電極１７にオープン領域２７を具備す
る必要があり、このために液晶表示素子の製造工程中に
共通電極１７のパターニング工程が追加される。
【０００６】更に、前記オープン領域が存在しないかそ
の幅が小さい場合には、ドメインを分割するのに必要な
電場の歪曲程度が弱いので、液晶の分子（director）が
安定した状態に至る時間が相対的に長くなるという問題
点がある。そして、前記オープン領域２７によるドメイ
ン分割のために、ドメインごとにテクスチャー(textur
e)が不安定となり、画質の低下という問題を引き起こ
す。また、画素電極１３と補助電極２１との間に強い電
界が与えられることにより、輝度が増加し、且つ、応答
速度が増加するような不具合も発生していた。
の幅が小さい場合には、ドメインを分割するのに必要な
電場の歪曲程度が弱いので、液晶の分子（director）が
安定した状態に至る時間が相対的に長くなるという問題
点がある。そして、前記オープン領域２７によるドメイ
ン分割のために、ドメインごとにテクスチャー(textur
e)が不安定となり、画質の低下という問題を引き起こ
す。また、画素電極１３と補助電極２１との間に強い電
界が与えられることにより、輝度が増加し、且つ、応答
速度が増加するような不具合も発生していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題点に鑑みて成されたもので、分割された画素領
域の周囲及び内部に誘電体の構造物を形成し、前記分割
した画素領域のそれぞれの中心に島状に、セルギャップ
を保持するための別の誘電体構造物を形成することによ
り、画像表示のうちテクスチャーの安定化、透過率の改
善及びマルチドメインの効果が実現できるマルチドメイ
ン液晶表示素子を提供することを目的としている。
術の問題点に鑑みて成されたもので、分割された画素領
域の周囲及び内部に誘電体の構造物を形成し、前記分割
した画素領域のそれぞれの中心に島状に、セルギャップ
を保持するための別の誘電体構造物を形成することによ
り、画像表示のうちテクスチャーの安定化、透過率の改
善及びマルチドメインの効果が実現できるマルチドメイ
ン液晶表示素子を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の一実施形態によるマルチドメイン液晶表示
素子は、画素領域が形成された第１基板及び第２基板
と、前記第１基板と第２基板との間に形成された液晶層
と、前記画素領域の一方に形成された第１誘電体構造物
と、前記画素領域の他方に形成された第２誘電体構造物
と、前記第１誘電体構造物と第２誘電体構造物との間に
形成された第３誘電体構造物とからなることを特徴とす
る。
に、本発明の一実施形態によるマルチドメイン液晶表示
素子は、画素領域が形成された第１基板及び第２基板
と、前記第１基板と第２基板との間に形成された液晶層
と、前記画素領域の一方に形成された第１誘電体構造物
と、前記画素領域の他方に形成された第２誘電体構造物
と、前記第１誘電体構造物と第２誘電体構造物との間に
形成された第３誘電体構造物とからなることを特徴とす
る。
【０００９】本発明の他の態様によるマルチドメイン液
晶表示素子は、複数の領域に分割された画素領域が形成
された第１基板及び第２基板と、前記第１基板と第２基
板との間に形成された液晶層と、前記分割された各画素
領域の一方に形成された第１誘電体構造物と、前記分割
された各画素領域の他方に形成された第２誘電体構造物
と、前記第１誘電体構造物と第２誘電体構造物との間に
形成された第３誘電体構造物とからなることを特徴とす
る。
晶表示素子は、複数の領域に分割された画素領域が形成
された第１基板及び第２基板と、前記第１基板と第２基
板との間に形成された液晶層と、前記分割された各画素
領域の一方に形成された第１誘電体構造物と、前記分割
された各画素領域の他方に形成された第２誘電体構造物
と、前記第１誘電体構造物と第２誘電体構造物との間に
形成された第３誘電体構造物とからなることを特徴とす
る。
【００１０】上記マルチドメイン液晶表示素子におい
て、前記第３誘電体構造物が前記液晶表示素子のセルギ
ャップを保持することとしてもよい。
て、前記第３誘電体構造物が前記液晶表示素子のセルギ
ャップを保持することとしてもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施形態に係るマルチドメイン液晶表示素子を詳細に説明
する。
施形態に係るマルチドメイン液晶表示素子を詳細に説明
する。
【００１２】図２の（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１実
施形態によるマルチドメイン液晶表示素子の平面図であ
り、図３の（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２実施形態に
よるマルチドメイン液晶表示素子の平面図であり、図４
の（ａ）〜（ｃ）及び図５の（ａ）〜（ｃ）は、図２
（ａ）のＩ−Ｉ′線による本発明のマルチドメイン液晶
表示素子の断面図である。
施形態によるマルチドメイン液晶表示素子の平面図であ
り、図３の（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２実施形態に
よるマルチドメイン液晶表示素子の平面図であり、図４
の（ａ）〜（ｃ）及び図５の（ａ）〜（ｃ）は、図２
（ａ）のＩ−Ｉ′線による本発明のマルチドメイン液晶
表示素子の断面図である。
【００１３】これらの図面に示すように、本実施形態に
係るマルチドメイン液晶表示素子は、第１基板３１及び
第２基板３３とを具備している。前記第１基板３１上に
は、縦横に形成され、第１基板を複数の画素領域に分け
る複数のデータ配線及びゲート配線１と、第１基板上の
画素領域のそれぞれに形成され、ゲート電極、ゲート絶
縁膜３５、半導体層、オーム接触層及びソース／ドレイ
ン電極から構成された薄膜トランジスタと、前記第１基
板の全体に亘って形成された保護膜３７と、その保護膜
３７上でドレイン電極と連結された画素電極１３とが設
けられている。
係るマルチドメイン液晶表示素子は、第１基板３１及び
第２基板３３とを具備している。前記第１基板３１上に
は、縦横に形成され、第１基板を複数の画素領域に分け
る複数のデータ配線及びゲート配線１と、第１基板上の
画素領域のそれぞれに形成され、ゲート電極、ゲート絶
縁膜３５、半導体層、オーム接触層及びソース／ドレイ
ン電極から構成された薄膜トランジスタと、前記第１基
板の全体に亘って形成された保護膜３７と、その保護膜
３７上でドレイン電極と連結された画素電極１３とが設
けられている。
【００１４】また、前記第２基板３３上には、ゲート配
線１、データ配線及び薄膜トランジスタから漏れる光を
遮断する遮光層２５と、その遮光層２５上に形成された
カラーフィルタ層２３と、そのカラーフィルタ層２３上
に形成された共通電極１７とが設けられ、第１基板３１
と第２基板３３との間には液晶層が形成されている。
線１、データ配線及び薄膜トランジスタから漏れる光を
遮断する遮光層２５と、その遮光層２５上に形成された
カラーフィルタ層２３と、そのカラーフィルタ層２３上
に形成された共通電極１７とが設けられ、第１基板３１
と第２基板３３との間には液晶層が形成されている。
【００１５】前記第１基板３１または第２基板３３上に
は、画素領域を囲むように全体構造物５３が形成され、
前記画素領域の内部にも形成されることにより、画素領
域が複数のドメインに分割されている。また、画素領域
の中心または前記各ドメインの中心部に島状の誘電体構
造物を別に形成することより、画面の構成を安定化さ
せ、均一な画像を表示できるようにした基準点（中心
点：single point）とする。前記画素領域の周囲に形成
された誘電体構造物５３は、既存の補助電極による透過
度の低下を防止し、且つ、その工程をも単純化させるこ
とができる。即ち、前記誘電体構造物５３は、液晶層に
印加される電界を多様に歪曲することによって液晶表示
素子の表示安定化を図り、マルチドメイン効果をもたら
すだけでなく、セルギャップを保持するために高く形成
する場合には、液晶表示素子のスペーサーの役割を果た
す（図４（ｂ），（ｃ）、図５（ｂ），（ｃ））
は、画素領域を囲むように全体構造物５３が形成され、
前記画素領域の内部にも形成されることにより、画素領
域が複数のドメインに分割されている。また、画素領域
の中心または前記各ドメインの中心部に島状の誘電体構
造物を別に形成することより、画面の構成を安定化さ
せ、均一な画像を表示できるようにした基準点（中心
点：single point）とする。前記画素領域の周囲に形成
された誘電体構造物５３は、既存の補助電極による透過
度の低下を防止し、且つ、その工程をも単純化させるこ
とができる。即ち、前記誘電体構造物５３は、液晶層に
印加される電界を多様に歪曲することによって液晶表示
素子の表示安定化を図り、マルチドメイン効果をもたら
すだけでなく、セルギャップを保持するために高く形成
する場合には、液晶表示素子のスペーサーの役割を果た
す（図４（ｂ），（ｃ）、図５（ｂ），（ｃ））
【００１６】前記構造のマルチドメイン液晶表示素子を
製造するためには、まず、第１基板３１の画素領域のそ
れぞれに、ゲート電極、ゲート絶縁膜３５、半導体層、
オームコンタクト層及びソース／ドレイン電極からなる
薄膜トランジスタを形成する。このとき、第１基板３１
を複数の画素領域に分ける複数のゲート配線１及びデー
タ配線が形成される。
製造するためには、まず、第１基板３１の画素領域のそ
れぞれに、ゲート電極、ゲート絶縁膜３５、半導体層、
オームコンタクト層及びソース／ドレイン電極からなる
薄膜トランジスタを形成する。このとき、第１基板３１
を複数の画素領域に分ける複数のゲート配線１及びデー
タ配線が形成される。
【００１７】前記ゲート電極及びゲート配線１は、Ａ
ｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、ＴａまたはＡｌ合金などのような金属
をスパッタリング方法で堆積した後に、パターニングす
ることにより形成する。その上にゲート絶縁膜３５をＳ
ｉＮｘまたはＳｉＯｘをＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanceme
nt Chemical Vapor Deposition）方法で堆積した後に、
パターニングすることにより形成する。続いて、半導体
層及びオームコンタクト層は、それぞれａ−Ｓｉ及びｎ
＋ａ−ＳｉをＰＥＣＶＤ方法で堆積した後に、パターニ
ングすることにより形成する。
ｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、ＴａまたはＡｌ合金などのような金属
をスパッタリング方法で堆積した後に、パターニングす
ることにより形成する。その上にゲート絶縁膜３５をＳ
ｉＮｘまたはＳｉＯｘをＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanceme
nt Chemical Vapor Deposition）方法で堆積した後に、
パターニングすることにより形成する。続いて、半導体
層及びオームコンタクト層は、それぞれａ−Ｓｉ及びｎ
＋ａ−ＳｉをＰＥＣＶＤ方法で堆積した後に、パターニ
ングすることにより形成する。
【００１８】また、他の方法としては、ＳｉＮｘまたは
ＳｉＯｘ、ａ−Ｓｉ及びｎ＋ａ−Ｓｉを連続的に堆積し
てゲート絶縁膜３５を形成し、ａ−Ｓｉ及びｎ＋ａ−Ｓ
ｉをパターニングして半導体層及びオームコンタクト層
を形成することもある。前記ゲート絶縁膜３５は、開口
率の向上のためにＢＣＢ（Benzo Cyclo Butene）、アク
リル樹脂、またはポリイミド化合物などから形成するこ
ともできる。
ＳｉＯｘ、ａ−Ｓｉ及びｎ＋ａ−Ｓｉを連続的に堆積し
てゲート絶縁膜３５を形成し、ａ−Ｓｉ及びｎ＋ａ−Ｓ
ｉをパターニングして半導体層及びオームコンタクト層
を形成することもある。前記ゲート絶縁膜３５は、開口
率の向上のためにＢＣＢ（Benzo Cyclo Butene）、アク
リル樹脂、またはポリイミド化合物などから形成するこ
ともできる。
【００１９】そして、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、ＴａまたはＡ
ｌ合金などのような金属をスパッタリング方法で堆積し
た後に、パターニングしてデータ配線及びソース／ドレ
イン電極を形成する。このとき、前記ゲート配線１とオ
ーバーラップするようにストレージ電極を同時に形成す
る。該ストレージ電極は、前記ゲート配線１とともにス
トレージキャパシタの役割を果たす。
ｌ合金などのような金属をスパッタリング方法で堆積し
た後に、パターニングしてデータ配線及びソース／ドレ
イン電極を形成する。このとき、前記ゲート配線１とオ
ーバーラップするようにストレージ電極を同時に形成す
る。該ストレージ電極は、前記ゲート配線１とともにス
トレージキャパシタの役割を果たす。
【００２０】次いで、第１基板３１の全体に亘ってＢＣ
Ｂ、アクリル樹脂、ポリイミド化合物またはＳｉＮｘま
たはＳｉＯｘなどの物質で保護膜３７を形成し、ＩＴＯ
（indium tin oxide）などのような金属をスパッタリン
グ方法で堆積した後に、パターニングすることによって
画素電極１３を形成する。このとき、前記画素電極１３
は、コンタクトホールを介して前記ドレイン電極及びス
トレージ電極と連結される。
Ｂ、アクリル樹脂、ポリイミド化合物またはＳｉＮｘま
たはＳｉＯｘなどの物質で保護膜３７を形成し、ＩＴＯ
（indium tin oxide）などのような金属をスパッタリン
グ方法で堆積した後に、パターニングすることによって
画素電極１３を形成する。このとき、前記画素電極１３
は、コンタクトホールを介して前記ドレイン電極及びス
トレージ電極と連結される。
【００２１】第２基板３３上には、遮光層２５が形成さ
れ、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）素子が画素ごとに繰
り返されるようにカラーフィルタ層２３を形成する。そ
の上に、共通電極１７を画素電極１３と同様にＩＴＯな
どのような透明電極として形成し、共通電極１７上に感
光性物質を堆積した後に、フォトリソグラフィによって
パターニングすることにより、誘電体構造物５３を形成
する。
れ、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）素子が画素ごとに繰
り返されるようにカラーフィルタ層２３を形成する。そ
の上に、共通電極１７を画素電極１３と同様にＩＴＯな
どのような透明電極として形成し、共通電極１７上に感
光性物質を堆積した後に、フォトリソグラフィによって
パターニングすることにより、誘電体構造物５３を形成
する。
【００２２】次いで、前記第１基板３１と第２基板３３
との間に液晶を注入することにより、マルチドメイン液
晶表示素子が完成する。前記液晶層を構成する液晶は、
陽または陰の誘電率の異方性を有する液晶を使い、カイ
ラルドーパントを含むことも可能である。
との間に液晶を注入することにより、マルチドメイン液
晶表示素子が完成する。前記液晶層を構成する液晶は、
陽または陰の誘電率の異方性を有する液晶を使い、カイ
ラルドーパントを含むことも可能である。
【００２３】前記誘電体構造物５３は、画素領域の周囲
及び内部に形成されることにより、前記画素領域を複数
のドメインに分割するとともに、各ドメインの中心部に
島状の誘電体構造物を更に形成する。また、前記第１基
板３１または第２基板３３から対応する基板へ延びるよ
うに形成した場合には、液晶表示素子のセルギャップを
保持するスペーサーの役割を果たす。そして、誘電体構
造物５３は、透過／半透過マスクまたは回折マスクを用
いて１回露光することにより、同時に形成することがで
きる。
及び内部に形成されることにより、前記画素領域を複数
のドメインに分割するとともに、各ドメインの中心部に
島状の誘電体構造物を更に形成する。また、前記第１基
板３１または第２基板３３から対応する基板へ延びるよ
うに形成した場合には、液晶表示素子のセルギャップを
保持するスペーサーの役割を果たす。そして、誘電体構
造物５３は、透過／半透過マスクまたは回折マスクを用
いて１回露光することにより、同時に形成することがで
きる。
【００２４】また、その構成物質は、前記液晶層の誘電
率と同一またはそれよりも小さい誘電率（３以下）を有
するのが好ましく、アクリルまたはＢＣＢのような物質
が挙げられ、またはブラック樹脂から形成することもで
きる。前記ブラック樹脂によって形成するときは、樹脂
ＢＭ（resin black matrix）で形成するので、別の遮光
層２５が必要とされず、前記ドメインごとに光の漏れを
防止するために形成していたドメイン境界部の遮光層も
不要である。
率と同一またはそれよりも小さい誘電率（３以下）を有
するのが好ましく、アクリルまたはＢＣＢのような物質
が挙げられ、またはブラック樹脂から形成することもで
きる。前記ブラック樹脂によって形成するときは、樹脂
ＢＭ（resin black matrix）で形成するので、別の遮光
層２５が必要とされず、前記ドメインごとに光の漏れを
防止するために形成していたドメイン境界部の遮光層も
不要である。
【００２５】更に、前記第１基板３１または第２基板３
３の少なくとも一方の基板上に、高分子によって位相差
フィルム２９を形成する。前記位相差フィルム２９は、
陰性単軸性フィルム（negative uniaxial film）であっ
て、一つの光軸を有し、基板を見る角度による方向の位
相差を補償する役割を果たす。したがって、階調反転の
ない領域を広げ、傾斜方向からコントラスト比を高め、
一つの画素をマルチドメインに形成することにより、効
果的に左右方向の視野角を補償することができる。
３の少なくとも一方の基板上に、高分子によって位相差
フィルム２９を形成する。前記位相差フィルム２９は、
陰性単軸性フィルム（negative uniaxial film）であっ
て、一つの光軸を有し、基板を見る角度による方向の位
相差を補償する役割を果たす。したがって、階調反転の
ない領域を広げ、傾斜方向からコントラスト比を高め、
一つの画素をマルチドメインに形成することにより、効
果的に左右方向の視野角を補償することができる。
【００２６】本発明のマルチドメイン液晶表示素子にお
いては、前記陰性単軸性フィルムの他に、位相差フィル
ムとして陰性双軸性 (negative biaxial film)を形成し
ても良く、双軸性物質から構成される陰性双軸性フィル
ムは、前記単軸性フィルムに比べて広い視野角特性を得
ることができる。そして、前記位相差フィルムを付着し
た後、両基板には偏光子（図示せず）を取り付ける。こ
のとき、前記偏光子は、前記位相差フィルムと一体に形
成して取り付けることができる。
いては、前記陰性単軸性フィルムの他に、位相差フィル
ムとして陰性双軸性 (negative biaxial film)を形成し
ても良く、双軸性物質から構成される陰性双軸性フィル
ムは、前記単軸性フィルムに比べて広い視野角特性を得
ることができる。そして、前記位相差フィルムを付着し
た後、両基板には偏光子（図示せず）を取り付ける。こ
のとき、前記偏光子は、前記位相差フィルムと一体に形
成して取り付けることができる。
【００２７】図２の（ａ）〜（ｄ）に示すマルチドメイ
ン液晶表示素子は、画素領域の周囲に誘電体構造物５３
を形成し、前記画素領域の内部にも形成して画素領域を
上下に２ドメイン、３ドメイン、４ドメインに分割した
構成を示している。前記画素領域及び各ドメインの中心
部には島状の誘電体構造物が独立的に形成されていて画
面表示の基準点として作用する。
ン液晶表示素子は、画素領域の周囲に誘電体構造物５３
を形成し、前記画素領域の内部にも形成して画素領域を
上下に２ドメイン、３ドメイン、４ドメインに分割した
構成を示している。前記画素領域及び各ドメインの中心
部には島状の誘電体構造物が独立的に形成されていて画
面表示の基準点として作用する。
【００２８】図３の（ａ）〜（ｄ）に示すマルチドメイ
ン液晶表示素子は、画素領域の周囲に誘電体構造物５３
を形成し、前記画素領域の内部にも形成して画素領域を
上下に２ドメイン、４ドメイン、６ドメイン、８ドメイ
ンに分割した構成を示している。前記画素領域及び各ド
メインの中心部には島状の誘電体構造物が独立的に形成
されていて画面表示の基準点として作用する。
ン液晶表示素子は、画素領域の周囲に誘電体構造物５３
を形成し、前記画素領域の内部にも形成して画素領域を
上下に２ドメイン、４ドメイン、６ドメイン、８ドメイ
ンに分割した構成を示している。前記画素領域及び各ド
メインの中心部には島状の誘電体構造物が独立的に形成
されていて画面表示の基準点として作用する。
【００２９】図４（ａ）は、前記誘電体構造物５３の全
てが、第２基板３３上に低い突起状に形成されている構
造であり、図４（ｂ）は、前記誘電体構造物５３が、第
２基板３３に形成され、その誘電体構造物５３のうち島
状のものが、液晶表示素子のセルギャップを保持できる
ように第２基板３３から第１基板３１に向かって延びて
いる構造であり、図４（ｃ）は、誘電体構造物５３が、
第２基板３３に形成され、その誘電体構造物５３のうち
島状のものが第１基板３１から第２基板３３に向かって
延びている構造となっている。
てが、第２基板３３上に低い突起状に形成されている構
造であり、図４（ｂ）は、前記誘電体構造物５３が、第
２基板３３に形成され、その誘電体構造物５３のうち島
状のものが、液晶表示素子のセルギャップを保持できる
ように第２基板３３から第１基板３１に向かって延びて
いる構造であり、図４（ｃ）は、誘電体構造物５３が、
第２基板３３に形成され、その誘電体構造物５３のうち
島状のものが第１基板３１から第２基板３３に向かって
延びている構造となっている。
【００３０】図５（ａ）は、前記誘電体構造物５３が、
全て第１基板３１上に低い突起状に形成されている構造
であり、図５（ｂ）は、前記誘電体構造物５３が第１基
板３１に形成され、その誘電体構造物５３のうち島状の
ものが液晶表示素子のセルギャップを保持できるように
第２基板３３から第１基板３１に向かって延びている構
造であり、図４（ｃ）は、誘電体構造物５３が、第１基
板３１に形成され、その誘電体構造物５３のうち島状の
ものが第１基板３１から第２基板３３に向かって延びて
いる構造となっている。
全て第１基板３１上に低い突起状に形成されている構造
であり、図５（ｂ）は、前記誘電体構造物５３が第１基
板３１に形成され、その誘電体構造物５３のうち島状の
ものが液晶表示素子のセルギャップを保持できるように
第２基板３３から第１基板３１に向かって延びている構
造であり、図４（ｃ）は、誘電体構造物５３が、第１基
板３１に形成され、その誘電体構造物５３のうち島状の
ものが第１基板３１から第２基板３３に向かって延びて
いる構造となっている。
【００３１】図６の（ａ），（ｂ）は、本発明のマルチ
ドメイン液晶表示素子および従来の液晶表示素子の駆動
時、中間階調におけるテクスチャーを示す図面である。
図６（ａ）は、本発明のマルチドメイン液晶表示素子の
駆動時画面上に現れるテクスチャーを示す図面であっ
て、画素領域内の誘電体構造物５３が、印加される電界
を制御して、各ドメインごとに均一なテクスチャーを形
成していることが確認できる。なお、図６（ｂ）は、従
来の液晶表示素子の駆動時画面上に現れるテクスチャー
を示す図面であって、各ドメインごとに異なる不均一な
テクスチャーの形成による不良な画像表示が見られる。
ドメイン液晶表示素子および従来の液晶表示素子の駆動
時、中間階調におけるテクスチャーを示す図面である。
図６（ａ）は、本発明のマルチドメイン液晶表示素子の
駆動時画面上に現れるテクスチャーを示す図面であっ
て、画素領域内の誘電体構造物５３が、印加される電界
を制御して、各ドメインごとに均一なテクスチャーを形
成していることが確認できる。なお、図６（ｂ）は、従
来の液晶表示素子の駆動時画面上に現れるテクスチャー
を示す図面であって、各ドメインごとに異なる不均一な
テクスチャーの形成による不良な画像表示が見られる。
【００３２】更に、本発明のマルチドメイン液晶表示素
子は、前記第１基板３１及び／又は第２基板３３の全体
に亘って配向膜（図示せず）を形成する。前記配向膜を
光反応性のある物質、つまり、ＰＶＣＮ（polyvinylcin
namate）、ＰＳＣＮ (polysiloxanecinnamate)、また
はＣｅｌＣＮ(cellulosecinnamate)系化合物などの物質
から構成して光配向膜を形成することができる。なお、
配向膜の材料には、その他の光配向処理に適した物質で
あれば、いずれのものでも適用可能である。前記光配向
膜においては、光を少なくとも１回照射して、液晶分子
が形成するプレチルト角（pretilt angle）、及び、配
向方向またはプレチルト方向を同時に決定し、それによ
り、液晶の配向安定性が確保される。このような光配向
のための光としては紫外線領域の光が好適であり、非偏
光、線偏光及び部分偏光のうちいずれを使っても構わな
い。
子は、前記第１基板３１及び／又は第２基板３３の全体
に亘って配向膜（図示せず）を形成する。前記配向膜を
光反応性のある物質、つまり、ＰＶＣＮ（polyvinylcin
namate）、ＰＳＣＮ (polysiloxanecinnamate)、また
はＣｅｌＣＮ(cellulosecinnamate)系化合物などの物質
から構成して光配向膜を形成することができる。なお、
配向膜の材料には、その他の光配向処理に適した物質で
あれば、いずれのものでも適用可能である。前記光配向
膜においては、光を少なくとも１回照射して、液晶分子
が形成するプレチルト角（pretilt angle）、及び、配
向方向またはプレチルト方向を同時に決定し、それによ
り、液晶の配向安定性が確保される。このような光配向
のための光としては紫外線領域の光が好適であり、非偏
光、線偏光及び部分偏光のうちいずれを使っても構わな
い。
【００３３】そして、前記ラビング法または光配向法
は、第１基板３１または第２基板３３のいずれか一方の
基板にのみ適用しても、両基板ともに処理しても良く、
両基板に互いに異なる配向処理を行ったり、配向膜のみ
を形成し、且つ、配向処理は行わないことも可能であ
る。
は、第１基板３１または第２基板３３のいずれか一方の
基板にのみ適用しても、両基板ともに処理しても良く、
両基板に互いに異なる配向処理を行ったり、配向膜のみ
を形成し、且つ、配向処理は行わないことも可能であ
る。
【００３４】また、配向処理を行うことによって少なく
とも二つの領域に分割されたマルチドメイン液晶表示素
子を形成して、液晶層の液晶分子が各領域上で互いに異
なる態様で配向するようにすることもできる。即ち、各
画素を＋形または×形のように四つの領域に分割する
か、横、縦、または両対角線状に分割し、各領域及び各
基板においても配向処理または配向方向を異ならせて形
成することによって、マルチドメイン効果を実現するこ
とができる。分割領域の少なくとも一領域を非配向領域
にすることができ、全領域を非配向領域にすることも可
能である。
とも二つの領域に分割されたマルチドメイン液晶表示素
子を形成して、液晶層の液晶分子が各領域上で互いに異
なる態様で配向するようにすることもできる。即ち、各
画素を＋形または×形のように四つの領域に分割する
か、横、縦、または両対角線状に分割し、各領域及び各
基板においても配向処理または配向方向を異ならせて形
成することによって、マルチドメイン効果を実現するこ
とができる。分割領域の少なくとも一領域を非配向領域
にすることができ、全領域を非配向領域にすることも可
能である。
【００３５】
【発明の効果】本発明のマルチドメイン液晶表示素子
は、分割された画素領域の周囲及び内部に誘電体構造物
を形成し、前記分割した画素領域のそれぞれの中心に島
状またはセルギャップを保持するための別の誘電体構造
物を形成して電界歪曲を誘導することにより、ドメイン
内で配向方向の調節が容易となり、且つ、画像表示のう
ちテクスチャーの安定化が図れると共に、広視野角及び
マルチドメイン効果を極大化することができる。また、
従来の液晶表示素子の補助電極を形成しないため透過率
を向上することができるという長所がある。
は、分割された画素領域の周囲及び内部に誘電体構造物
を形成し、前記分割した画素領域のそれぞれの中心に島
状またはセルギャップを保持するための別の誘電体構造
物を形成して電界歪曲を誘導することにより、ドメイン
内で配向方向の調節が容易となり、且つ、画像表示のう
ちテクスチャーの安定化が図れると共に、広視野角及び
マルチドメイン効果を極大化することができる。また、
従来の液晶表示素子の補助電極を形成しないため透過率
を向上することができるという長所がある。
【図１】 従来の液晶表示素子の断面図である。
【図２】 本発明の第１実施形態によるマルチドメイン
液晶表示素子の平面図である。
液晶表示素子の平面図である。
【図３】 本発明の第２実施形態によるマルチドメイン
液晶表示素子の平面図である。
液晶表示素子の平面図である。
【図４】 図２（ａ）のＩ−Ｉ′線による本発明のマル
チドメイン液晶表示素子の断面図である。
チドメイン液晶表示素子の断面図である。
【図５】 別の実施形態における図２（ａ）のＩ−Ｉ′
線による本発明のマルチドメイン液晶表示素子の断面図
である。
線による本発明のマルチドメイン液晶表示素子の断面図
である。
【図６】 本発明のマルチドメイン液晶表示素子と従来
の液晶表示素子の駆動時におけるテクスチャーをそれぞ
れ示す図面である。
の液晶表示素子の駆動時におけるテクスチャーをそれぞ
れ示す図面である。
１：ゲート配線 １３：画素電極 １７：共通電極 ２３：カラーフィルタ層 ２５：遮光層 ２７：オープン領域 ２９：位相差フィルム ３１：第１基板 ３３：第２基板 ３５：ゲート絶縁膜 ３７：保護膜 ５３：誘電体構造物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 李 潤復 大韓民国 京畿道 安養市 東安區 復興 洞 銀河水請求 エイピーティー．， 107−1702
Claims (13)
- 【請求項１】 画素領域が形成された第１基板及び第２
基板と、 前記第１基板と第２基板との間に形成された液晶層と、 前記画素領域の一方に形成された第１誘電体構造物と、 前記画素領域の他方に形成された第２誘電体構造物と、 前記第１誘電体構造物と第２誘電体構造物との間に形成
された第３誘電体構造物とからなるマルチドメイン液晶
表示素子。 - 【請求項２】 前記第３誘電体構造物が、前記液晶表示
素子のセルギャップを保持することを特徴とする請求項
１記載のマルチドメイン液晶表示素子。 - 【請求項３】 前記第３誘電体構造物が、前記第１基板
から第２基板へ延伸して形成されたことを特徴とする請
求項２記載のマルチドメイン液晶表示素子。 - 【請求項４】 前記第３誘電体構造物が、前記第２基板
から第１基板へ延伸して形成されたことを特徴とする請
求項２記載のマルチドメイン液晶表示素子。 - 【請求項５】 前記第３誘電体構造物の高さが、前記第
１誘電体構造物の高さと同一であることを特徴とする請
求項１記載のマルチドメイン液晶表示素子。 - 【請求項６】 前記第３誘電体構造物の高さが、前記第
２誘電体構造物の高さと同一であることを特徴とする請
求項１記載のマルチドメイン液晶表示素子。 - 【請求項７】 前記第３誘電体構造物の幅が、前記第１
または第２誘電体構造物の幅より大きいことを特徴とす
る請求項１記載のマルチドメイン液晶表示素子。 - 【請求項８】 前記誘電体構造物が、前記画素領域の少
なくとも３つの側部を囲むように形成されたことを特徴
とする請求項１記載のマルチドメイン液晶表示素子。 - 【請求項９】 複数の領域に分割された画素領域が形成
された第１基板及び第２基板と、 前記第１基板と第２基板との間に形成された液晶層と、 前記分割された各画素領域の一方に形成された第１誘電
体構造物と、 前記分割された各画素領域の他方に形成された第２誘電
体構造物と、 前記第１誘電体構造物と第２誘電体構造物との間に形成
された第３誘電体構造物とからなるマルチドメイン液晶
表示素子。 - 【請求項１０】 前記第３誘電体構造物が、前記液晶表
示素子のセルギャップを保持することを特徴とする請求
項９記載のマルチドメイン液晶表示素子。 - 【請求項１１】 前記第３誘電体構造物が、前記分割さ
れた各画素領域の中心部に位置することを特徴とする請
求項９記載のマルチドメイン液晶表示素子。 - 【請求項１２】 前記誘電体構造物が、前記分割された
各画素領域の周囲を囲むように形成されたことを特徴と
する請求項９記載のマルチドメイン液晶表示素子。 - 【請求項１３】 前記分割された各画素領域が、互いに
相違した駆動特性を示すことを特徴とする請求項９記載
のマルチドメイン液晶表示素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2000-1793 | 2000-01-14 | ||
| KR1020000001793A KR100606958B1 (ko) | 2000-01-14 | 2000-01-14 | 멀티도메인 액정표시소자 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001201749A true JP2001201749A (ja) | 2001-07-27 |
Family
ID=19638717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000350687A Pending JP2001201749A (ja) | 2000-01-14 | 2000-11-17 | マルチドメイン液晶表示素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001201749A (ja) |
| KR (1) | KR100606958B1 (ja) |
| DE (1) | DE10101252B4 (ja) |
| FR (1) | FR2803940B1 (ja) |
| GB (1) | GB2358276B (ja) |
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| JP2005128505A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-05-19 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JP2006184310A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-13 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JP2007052269A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2007147793A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2007286640A (ja) * | 2001-08-31 | 2007-11-01 | Sharp Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US7532282B2 (en) | 2004-06-18 | 2009-05-12 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | LCD device having a semi-transmission area with bump layer in a reflective portion thereof and a transmission portion having a transparent electrode with spacer disposed thereon |
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| KR100828456B1 (ko) * | 2001-12-19 | 2008-05-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법 |
| JP4052123B2 (ja) * | 2003-01-17 | 2008-02-27 | ソニー株式会社 | 液晶パネル |
| JP4325498B2 (ja) * | 2004-07-07 | 2009-09-02 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置および電子機器 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2986310B2 (ja) * | 1993-07-27 | 1999-12-06 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2972514B2 (ja) * | 1993-12-28 | 1999-11-08 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| US5673092A (en) * | 1994-10-14 | 1997-09-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device and method for fabricating the same |
| DE69839892D1 (de) * | 1997-06-12 | 2008-09-25 | Sharp Kk | Anzeigevorrichtung mit vertikal ausgerichtetem Flüssigkristall |
| KR100309918B1 (ko) * | 1998-05-16 | 2001-12-17 | 윤종용 | 광시야각액정표시장치및그제조방법 |
| KR100283511B1 (ko) * | 1998-05-20 | 2001-03-02 | 윤종용 | 광시야각 액정 표시장치 |
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| KR100357216B1 (ko) * | 1999-03-09 | 2002-10-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티도메인 액정표시소자 |
-
2000
- 2000-01-14 KR KR1020000001793A patent/KR100606958B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-11-17 JP JP2000350687A patent/JP2001201749A/ja active Pending
- 2000-11-17 FR FR0014855A patent/FR2803940B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-23 GB GB0028559A patent/GB2358276B/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-01-12 DE DE10101252A patent/DE10101252B4/de not_active Expired - Lifetime
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Legal Events
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