JP2000301440A - 平面研削装置およびこれを用いた半導体ウェーハの研削方法 - Google Patents
平面研削装置およびこれを用いた半導体ウェーハの研削方法Info
- Publication number
- JP2000301440A JP2000301440A JP11500199A JP11500199A JP2000301440A JP 2000301440 A JP2000301440 A JP 2000301440A JP 11500199 A JP11500199 A JP 11500199A JP 11500199 A JP11500199 A JP 11500199A JP 2000301440 A JP2000301440 A JP 2000301440A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- grinding
- spindle
- pseudo load
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高平坦度の半導体ウェーハの安定した加工が可
能な平面研削装置を提供する。 【解決手段】砥石ホイール部13を介して砥石12が取
付けられたスピンドル11を回転駆動する回転モータ1
0に疑似負荷を与える疑似負荷装置14を設ける。
能な平面研削装置を提供する。 【解決手段】砥石ホイール部13を介して砥石12が取
付けられたスピンドル11を回転駆動する回転モータ1
0に疑似負荷を与える疑似負荷装置14を設ける。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は平面研削装置および
これを用いた半導体ウェーハの研削方法に係わり、特に
高平坦度の半導体ウェーハの安定した加工が可能な平面
研削装置およびこれを用いた半導体ウェーハの研削方法
に関する。
これを用いた半導体ウェーハの研削方法に係わり、特に
高平坦度の半導体ウェーハの安定した加工が可能な平面
研削装置およびこれを用いた半導体ウェーハの研削方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウェーハを製造するには多結晶シ
リコンから例えばチョクラルスキー法により単結晶の半
導体インゴットを作り、このインゴットをマルチワイヤ
ソーなどにより所定の厚さにスライシングし、半導体ウ
ェーハを製造する。
リコンから例えばチョクラルスキー法により単結晶の半
導体インゴットを作り、このインゴットをマルチワイヤ
ソーなどにより所定の厚さにスライシングし、半導体ウ
ェーハを製造する。
【0003】この半導体ウェーハの表面に存在する凹凸
のソーマークを除去して平滑にし、加工歪みの深さの均
一化、ウェーハ内およびウェーハ間の厚さの均一化のた
めに半導体ウェーハの研削を行う。この半導体ウェーハ
の研削には平面研削装置が用いられる。
のソーマークを除去して平滑にし、加工歪みの深さの均
一化、ウェーハ内およびウェーハ間の厚さの均一化のた
めに半導体ウェーハの研削を行う。この半導体ウェーハ
の研削には平面研削装置が用いられる。
【0004】図2に示すように従来一般に用いられてい
る研削装置40による半導体ウェーハの研削は、ウェー
ハチャッキングテーブル41上に半導体ウェーハを真空
吸着して回転させ、その表面にウェーハチャッキングテ
ーブル41とは反対方向に回転するリング状の砥石42
を押し当てることにより行う。この砥石42は回転モー
タ43に連結されたスピンドル44に取り付けられて回
転するとともに、スピンドル44を保持するスピンドル
ヘッド45が装置本体46のコラム47に取り付けられ
たボールねじにより垂直方向に移動して、ウェーハチャ
ッキングテーブル41上の半導体ウェーハに対し切り込
みを行う。
る研削装置40による半導体ウェーハの研削は、ウェー
ハチャッキングテーブル41上に半導体ウェーハを真空
吸着して回転させ、その表面にウェーハチャッキングテ
ーブル41とは反対方向に回転するリング状の砥石42
を押し当てることにより行う。この砥石42は回転モー
タ43に連結されたスピンドル44に取り付けられて回
転するとともに、スピンドル44を保持するスピンドル
ヘッド45が装置本体46のコラム47に取り付けられ
たボールねじにより垂直方向に移動して、ウェーハチャ
ッキングテーブル41上の半導体ウェーハに対し切り込
みを行う。
【0005】また、従来の研削装置40はこの研削装置
40の立上げ時、あるいは半導体ウェーハの研削の完了
後、次に研削する半導体ウェーハをウェーハチャッキン
グテーブル41に真空吸着させて固定する間、研削装置
40の熱環境を一定に保つために回転モータ43のアイ
ドリング運転をしている。
40の立上げ時、あるいは半導体ウェーハの研削の完了
後、次に研削する半導体ウェーハをウェーハチャッキン
グテーブル41に真空吸着させて固定する間、研削装置
40の熱環境を一定に保つために回転モータ43のアイ
ドリング運転をしている。
【0006】このアイドリング運転はこのウェーハチャ
ッキングテーブル41、砥石42、スピンドル44を回
転させて回転モータ43を発熱させ、研削中の加工液の
代わりに給水手段48から冷却水をウェーハチャッキン
グテーブル41に散布することにより、半導体ウェーハ
の加工中に近い状態の熱環境を作り出していた。アイド
リング運転により発生する熱がコラム47、ベッド49
に伝達し研削装置40を所望の状態に保ち安定状態にし
ていた。
ッキングテーブル41、砥石42、スピンドル44を回
転させて回転モータ43を発熱させ、研削中の加工液の
代わりに給水手段48から冷却水をウェーハチャッキン
グテーブル41に散布することにより、半導体ウェーハ
の加工中に近い状態の熱環境を作り出していた。アイド
リング運転により発生する熱がコラム47、ベッド49
に伝達し研削装置40を所望の状態に保ち安定状態にし
ていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の研削装
置40のアイドリング運転は疑似負荷が設けられておら
ず、回転モータ43の発熱量が負荷が課された加工時と
は異なる。このためアイドリング運転中に半導体ウェー
ハを正しく固定しても、加工時により多くの回転モータ
43からの発熱によりコラム47、ベッド49が変形し
て、加工された半導体ウェーハの平坦度を一定に保つこ
とができないという問題があった。
置40のアイドリング運転は疑似負荷が設けられておら
ず、回転モータ43の発熱量が負荷が課された加工時と
は異なる。このためアイドリング運転中に半導体ウェー
ハを正しく固定しても、加工時により多くの回転モータ
43からの発熱によりコラム47、ベッド49が変形し
て、加工された半導体ウェーハの平坦度を一定に保つこ
とができないという問題があった。
【0008】本発明は上述した事情を考慮してなされた
もので、高平坦度の半導体ウェーハの安定した加工が可
能な平面研削装置およびこれを用いた半導体ウェーハの
研削方法を提供することを目的とする。
もので、高平坦度の半導体ウェーハの安定した加工が可
能な平面研削装置およびこれを用いた半導体ウェーハの
研削方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた本願請求項1の発明は、ベッドに立設された
コラムと、前記ベッドに設けられて半導体ウェーハを吸
着して回転するウェーハチャッキングテーブルと、前記
ウェーハチャッキングテーブルに対向するスピンドルに
固定された砥石ホイール部と、この砥石ホイール部に取
付けられた砥石と、前記スピンドルを回転可能に保持す
るスピンドルヘッドと、前記スピンドルヘッドに設けら
れて前記スピンドルを回転駆動させる回転モータと、前
記コラムに設けられて前記スピンドルヘッドを昇降駆動
する昇降駆動モータと、前記回転モータに疑似負荷を与
える疑似負荷装置を有することを特徴とする平面研削装
置であることを要旨としている。
になされた本願請求項1の発明は、ベッドに立設された
コラムと、前記ベッドに設けられて半導体ウェーハを吸
着して回転するウェーハチャッキングテーブルと、前記
ウェーハチャッキングテーブルに対向するスピンドルに
固定された砥石ホイール部と、この砥石ホイール部に取
付けられた砥石と、前記スピンドルを回転可能に保持す
るスピンドルヘッドと、前記スピンドルヘッドに設けら
れて前記スピンドルを回転駆動させる回転モータと、前
記コラムに設けられて前記スピンドルヘッドを昇降駆動
する昇降駆動モータと、前記回転モータに疑似負荷を与
える疑似負荷装置を有することを特徴とする平面研削装
置であることを要旨としている。
【0010】本願請求項2の発明では上記疑似負荷装置
は砥石ホイール部に適宜当接する疑似負荷体であること
を特徴とする請求項1に記載の平面研削装置であること
を要旨としている。
は砥石ホイール部に適宜当接する疑似負荷体であること
を特徴とする請求項1に記載の平面研削装置であること
を要旨としている。
【0011】本願請求項3の発明では上記疑似負荷体は
ウレタンパッドであることを特徴とする請求項1に記載
の平面研削装置であることを要旨としている。
ウレタンパッドであることを特徴とする請求項1に記載
の平面研削装置であることを要旨としている。
【0012】本願請求項4の発明では上記疑似負荷体は
水冷されることを特徴とする請求項2または3に記載の
平面研削装置であることを要旨としている。
水冷されることを特徴とする請求項2または3に記載の
平面研削装置であることを要旨としている。
【0013】本願請求項5の発明では砥石ホイール部を
介して砥石が取付けられたスピンドルを回転駆動する回
転駆動部に疑似負荷をかけられるようにした平面研削装
置を用意し、アイドリング運転中に回転モータに疑似負
荷をかけ半導体ウェーハの加工中に近い状態の熱環境を
平面研削装置に作り出す半導体ウェーハの研削方法であ
ることを要旨としている。
介して砥石が取付けられたスピンドルを回転駆動する回
転駆動部に疑似負荷をかけられるようにした平面研削装
置を用意し、アイドリング運転中に回転モータに疑似負
荷をかけ半導体ウェーハの加工中に近い状態の熱環境を
平面研削装置に作り出す半導体ウェーハの研削方法であ
ることを要旨としている。
【0014】本願請求項6の発明では上記疑似負荷装置
は砥石ホイール部に適宜当接する疑似負荷体であること
を特徴とする請求項5に記載の半導体ウェーハの研削方
法であることを要旨としている。
は砥石ホイール部に適宜当接する疑似負荷体であること
を特徴とする請求項5に記載の半導体ウェーハの研削方
法であることを要旨としている。
【0015】本願請求項7の発明では上記疑似負荷体は
ウレタンパッドであることを特徴とする請求項5または
6に記載の半導体ウェーハの研削方法であることを要旨
としている。
ウレタンパッドであることを特徴とする請求項5または
6に記載の半導体ウェーハの研削方法であることを要旨
としている。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明に係わる平面研削装置およ
びこれを用いた半導体ウェーハの研削方法の実施の形態
を図面を参照して説明する。
びこれを用いた半導体ウェーハの研削方法の実施の形態
を図面を参照して説明する。
【0017】図1に示すように平面研削装置1はベッド
2を有し、このベッド2の上部前方にはテーブル回転モ
ータ3により回転駆動されるウェーハチャッキングテー
ブル4が配置されている。
2を有し、このベッド2の上部前方にはテーブル回転モ
ータ3により回転駆動されるウェーハチャッキングテー
ブル4が配置されている。
【0018】ベッド2の上部後方には、コラム5が立設
され、このコラム5内には垂直駆動モータ6により回転
駆動されアーム部7が螺合するボールねじ8が垂直方向
に設けられている。アーム部7にはスピンドルヘッド9
が固定され、スピンドルヘッド9の内部には、回転モー
タ10により回転駆動されるスピンドル11が回転可能
に配置され、その下端部には砥石12が着脱可能に固定
される砥石ホイール部13が設けられている。
され、このコラム5内には垂直駆動モータ6により回転
駆動されアーム部7が螺合するボールねじ8が垂直方向
に設けられている。アーム部7にはスピンドルヘッド9
が固定され、スピンドルヘッド9の内部には、回転モー
タ10により回転駆動されるスピンドル11が回転可能
に配置され、その下端部には砥石12が着脱可能に固定
される砥石ホイール部13が設けられている。
【0019】この砥石ホイール部13に対応して上記回
転モータ10に疑似負荷を与える疑似負荷装置14が設
けられ、この疑似負荷装置14は疑似負荷体例えばウレ
タンパッドで形成されている。
転モータ10に疑似負荷を与える疑似負荷装置14が設
けられ、この疑似負荷装置14は疑似負荷体例えばウレ
タンパッドで形成されている。
【0020】また、平面研削装置1には例えば2個の給
水手段15、16が設けられている。一方の給水手段1
5はウェーハチャッキングテーブル4に対応して設けら
れてウェーハチャッキングテーブル4に加工液または冷
却水を散布するようになっており、他方の給水手段16
は砥石ホイール部13を囲繞するように設けられたウレ
タンパッド14に冷却水を散水するようになっている。
水手段15、16が設けられている。一方の給水手段1
5はウェーハチャッキングテーブル4に対応して設けら
れてウェーハチャッキングテーブル4に加工液または冷
却水を散布するようになっており、他方の給水手段16
は砥石ホイール部13を囲繞するように設けられたウレ
タンパッド14に冷却水を散水するようになっている。
【0021】上記給水手段15、16は給水パイプ15
a、16aとこの給水パイプ15a、16aに取付けら
れた給水ノズル15b、16bで構成されている。
a、16aとこの給水パイプ15a、16aに取付けら
れた給水ノズル15b、16bで構成されている。
【0022】さらに回転モータ10には測定制御装置1
7が設けられ、この測定制御装置17はウレタンパッド
14が砥石ホイール部13に負荷をかける度合を制御す
るように設けられた負荷制御装置18に電気的に接続さ
れている。次に、上記本発明に係わる平面研削装置1は
以上のような構造になっているから、この平面研削装置
1を用いた半導体ウェーハの研削方法を説明する。
7が設けられ、この測定制御装置17はウレタンパッド
14が砥石ホイール部13に負荷をかける度合を制御す
るように設けられた負荷制御装置18に電気的に接続さ
れている。次に、上記本発明に係わる平面研削装置1は
以上のような構造になっているから、この平面研削装置
1を用いた半導体ウェーハの研削方法を説明する。
【0023】図1において、半導体ウェーハを研削する
場合は、研削しようとする半導体ウェーハをウェーハチ
ャッキングテーブル4の上面に真空吸着するとともに、
垂直駆動モータ6によりアーム部7を介してスピンドル
ヘッド9を所定の位置まで早送りして砥石12を半導体
ウェーハ表面に近接させた後、所定の送り速度すなわち
切り込み量でスピンドルヘッド9を降下させる。
場合は、研削しようとする半導体ウェーハをウェーハチ
ャッキングテーブル4の上面に真空吸着するとともに、
垂直駆動モータ6によりアーム部7を介してスピンドル
ヘッド9を所定の位置まで早送りして砥石12を半導体
ウェーハ表面に近接させた後、所定の送り速度すなわち
切り込み量でスピンドルヘッド9を降下させる。
【0024】そして、ウェーハチャッキングテーブル4
を比較的低速で回転させるとともに、回転モータ10に
よりスピンドル11を比較的高速で、ウェーハチャッキ
ングテーブル4とは反対側に回転させ、砥石12により
ウェーハチャッキングテーブル4上の半導体ウェーハを
研削する。半導体ウェーハを研削している間、砥石12
には給水手段15から研削水が供給される。半導体ウェ
ーハに対する研削が基準の厚さ行われた時点で研削を終
了し、垂直駆動モータ6が逆回転してスピンドルヘッド
9を所定位置まで上昇させる。
を比較的低速で回転させるとともに、回転モータ10に
よりスピンドル11を比較的高速で、ウェーハチャッキ
ングテーブル4とは反対側に回転させ、砥石12により
ウェーハチャッキングテーブル4上の半導体ウェーハを
研削する。半導体ウェーハを研削している間、砥石12
には給水手段15から研削水が供給される。半導体ウェ
ーハに対する研削が基準の厚さ行われた時点で研削を終
了し、垂直駆動モータ6が逆回転してスピンドルヘッド
9を所定位置まで上昇させる。
【0025】研削された半導体ウェーハはウェーハチャ
ッキングテーブル4から取り去られ次に研削される半導
体ウェーハがウェーハチャッキングテーブル4に固定さ
れる。
ッキングテーブル4から取り去られ次に研削される半導
体ウェーハがウェーハチャッキングテーブル4に固定さ
れる。
【0026】例えばこのように平面研削装置1により加
工を行っていない間も回転モータ10を停止させること
なく、アイドリング運転させる。このアイドリング運転
中負荷制御装置18を働かせてウレタンパッド14を砥
石ホイール部13に当接させて回転モータ10に負荷を
かけ、ウレタンパッド14には給水手段15により散水
されウレタンパッド14の温度上昇が抑制される。
工を行っていない間も回転モータ10を停止させること
なく、アイドリング運転させる。このアイドリング運転
中負荷制御装置18を働かせてウレタンパッド14を砥
石ホイール部13に当接させて回転モータ10に負荷を
かけ、ウレタンパッド14には給水手段15により散水
されウレタンパッド14の温度上昇が抑制される。
【0027】一方、ウェーハチャッキングテーブル4に
も給水手段16から冷却水が散水され、半導体ウェーハ
の加工時と同様の熱環境状態が再現される。なお、この
給水手段15からウェーハチャッキングテーブル4への
散水および半導体ウェーハの加工時の加工液の散布の切
換は切換弁(図示せず)によって行われる。
も給水手段16から冷却水が散水され、半導体ウェーハ
の加工時と同様の熱環境状態が再現される。なお、この
給水手段15からウェーハチャッキングテーブル4への
散水および半導体ウェーハの加工時の加工液の散布の切
換は切換弁(図示せず)によって行われる。
【0028】上記回転モータ10のアイドリング運転中
の回転モータ10への負荷の度合は、測定制御装置17
により回転モータ10の消費電力量(電流値)を測定し
て、このアイドリング運転中の電流値と半導体ウェーハ
加工時の回転モータ10の電流値を同じになるように調
整する。ウレタンパッド14による回転モータ10への
負荷の度合によりアイドリング運転中に加工時の負荷の
状態を再現できる。
の回転モータ10への負荷の度合は、測定制御装置17
により回転モータ10の消費電力量(電流値)を測定し
て、このアイドリング運転中の電流値と半導体ウェーハ
加工時の回転モータ10の電流値を同じになるように調
整する。ウレタンパッド14による回転モータ10への
負荷の度合によりアイドリング運転中に加工時の負荷の
状態を再現できる。
【0029】従って、平面研削装置1にも半導体ウェー
ハの加工中に近い状態の熱環境が作り出されベッド2、
コラム5も加工中に近い状態に維持される。
ハの加工中に近い状態の熱環境が作り出されベッド2、
コラム5も加工中に近い状態に維持される。
【0030】平面研削装置1を用いての半導体ウェーハ
の研削作業開始時、平面研削装置1を始動させてアイド
リング運転を行い平面研削装置1の熱的環境を加工時に
近づけ、また半導体ウェーハの加工時、次に加工する半
導体ウェーハをウェーハチャッキングテーブル4に固定
する作業時、アイドリング運転を行い上述した研削方法
と同様の方法で加工するが、平面研削装置1はアイドリ
ング運転中も加工中に近い状態の熱環境が作り出されて
いるので、加工中にベッド2、コラム5が熱変形するこ
とがなく、従って、加工される半導体ウェーハの平坦度
を一定に保つことができる。
の研削作業開始時、平面研削装置1を始動させてアイド
リング運転を行い平面研削装置1の熱的環境を加工時に
近づけ、また半導体ウェーハの加工時、次に加工する半
導体ウェーハをウェーハチャッキングテーブル4に固定
する作業時、アイドリング運転を行い上述した研削方法
と同様の方法で加工するが、平面研削装置1はアイドリ
ング運転中も加工中に近い状態の熱環境が作り出されて
いるので、加工中にベッド2、コラム5が熱変形するこ
とがなく、従って、加工される半導体ウェーハの平坦度
を一定に保つことができる。
【0031】
【実施例】研削試験を実施した。
【0032】(1)試料:シリコン単結晶から切出され
た半導体ウェーハを100枚用意する。
た半導体ウェーハを100枚用意する。
【0033】(2)試験方法:本発明に係わる平面研削
装置および従来の平面研削装置を用いる。本発明に係わ
る平面研削装置は加工時の回転モータ電流10A、アイ
ドリング運転時回転モータに疑似負荷をかけて回転モー
タ電流10A、従来の平面研削装置は加工時の回転モー
タ電流10A、アイドリング運転時の回転モータ電流7
Aで60分アイドリング運転した後、各々50枚づつの
半導体ウェーハの研削を行う。
装置および従来の平面研削装置を用いる。本発明に係わ
る平面研削装置は加工時の回転モータ電流10A、アイ
ドリング運転時回転モータに疑似負荷をかけて回転モー
タ電流10A、従来の平面研削装置は加工時の回転モー
タ電流10A、アイドリング運転時の回転モータ電流7
Aで60分アイドリング運転した後、各々50枚づつの
半導体ウェーハの研削を行う。
【0034】(3)測定方法:研削した半導体ウェーハ
を平坦度測定装置を用いて測定する。
を平坦度測定装置を用いて測定する。
【0035】(4)測定結果:測定結果を表1に示す。
【0036】
【表1】
【0037】従来例では加工当初の1.0μmのTTV
から次第に悪化し最終的には2.0μmとなった。
から次第に悪化し最終的には2.0μmとなった。
【0038】これに対し実施例は加工当初から加工終了
まで平坦度に変化なく、全数ほぼ1.0μmを維持でき
た。
まで平坦度に変化なく、全数ほぼ1.0μmを維持でき
た。
【0039】
【発明の効果】本発明に係わる研削装置およびこれを用
いたシリコン単結晶の製造方法により、疑似負荷装置で
回転モータへ疑似負荷をかけて平面研削装置のアイドリ
ング運転中に半導体ウェーハの加工中に近い状態の熱環
境を作り出し、加工される半導体ウェーハの平坦度を一
定に保つことができるという効果を有する。
いたシリコン単結晶の製造方法により、疑似負荷装置で
回転モータへ疑似負荷をかけて平面研削装置のアイドリ
ング運転中に半導体ウェーハの加工中に近い状態の熱環
境を作り出し、加工される半導体ウェーハの平坦度を一
定に保つことができるという効果を有する。
【図1】本発明の一実施の形態を示す平面研削装置の概
略側面図。
略側面図。
【図2】従来の平面研削装置の概略側面図。
1 平面研削装置 2 ベッド 3 テーブル回転モータ 4 ウェーハチャッキングテーブル 5 コラム 6 昇降駆動モータ 7 アーム部 8 ボールねじ 9 スピンドルヘッド 10 回転モータ 11 スピンドル 12 砥石 13 砥石ホイール部 14 疑似負荷装置(ウレタンパッド) 15 給水手段 15a 給水パイプ 15b 給水ノズル 16 給水手段 16a 給水パイプ 16b 給水ノズル 17 測定制御装置 18 負荷制御装置
Claims (7)
- 【請求項1】 ベッドに立設されたコラムと、前記ベッ
ドに設けられて半導体ウェーハを吸着して回転するウェ
ーハチャッキングテーブルと、前記ウェーハチャッキン
グテーブルに対向するスピンドルに固定された砥石ホイ
ール部と、この砥石ホイール部に取付けられた砥石と、
前記スピンドルを回転可能に保持するスピンドルヘッド
と、前記スピンドルヘッドに設けられて前記スピンドル
を回転駆動させる回転モータと、前記コラムに設けられ
て前記スピンドルヘッドを昇降駆動する昇降駆動モータ
と、前記回転モータに疑似負荷を与える疑似負荷装置を
有することを特徴とする平面研削装置。 - 【請求項2】 上記疑似負荷装置は砥石ホイール部に適
宜当接する疑似負荷体であることを特徴とする請求項1
に記載の平面研削装置。 - 【請求項3】 上記疑似負荷体はウレタンパッドである
ことを特徴とする請求項1に記載の平面研削装置。 - 【請求項4】 上記疑似負荷体は水冷されることを特徴
とする請求項2または3に記載の平面研削装置。 - 【請求項5】 砥石ホイール部を介して砥石が取付けら
れたスピンドルを回転駆動する回転モータに疑似負荷を
かけられるようにした平面研削装置を用意し、アイドリ
ング運転中に回転モータに疑似負荷をかけ半導体ウェー
ハの加工中に近い状態の熱環境を平面研削装置に作り出
す半導体ウェーハの研削方法。 - 【請求項6】 上記疑似負荷装置は砥石ホイール部に適
宜当接する疑似負荷体であることを特徴とする請求項5
に記載の半導体ウェーハの研削方法。 - 【請求項7】 上記疑似負荷体はウレタンパッドである
ことを特徴とする請求項5または6に記載の半導体ウェ
ーハの研削方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11500199A JP2000301440A (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | 平面研削装置およびこれを用いた半導体ウェーハの研削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11500199A JP2000301440A (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | 平面研削装置およびこれを用いた半導体ウェーハの研削方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000301440A true JP2000301440A (ja) | 2000-10-31 |
Family
ID=14651848
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11500199A Pending JP2000301440A (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | 平面研削装置およびこれを用いた半導体ウェーハの研削方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000301440A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100363152C (zh) * | 2004-03-23 | 2008-01-23 | 力晶半导体股份有限公司 | 化学机械研磨制作工艺的假制作工艺与研磨垫调节方法 |
JP2017019067A (ja) * | 2015-07-14 | 2017-01-26 | 株式会社ディスコ | 研削装置のアイドリング方法 |
JP2017047513A (ja) * | 2015-09-03 | 2017-03-09 | 信越半導体株式会社 | 研磨方法及び研磨装置 |
JP2018027588A (ja) * | 2016-08-17 | 2018-02-22 | 株式会社ディスコ | 研削装置のアイドリング方法 |
KR20190011209A (ko) * | 2017-07-24 | 2019-02-01 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
CN110405556A (zh) * | 2019-08-05 | 2019-11-05 | 安徽钟南人防工程防护设备有限公司 | 一种用于人防门生产的门面修磨装置及其工作方法 |
JP2019195856A (ja) * | 2018-05-08 | 2019-11-14 | 株式会社Fuji | 加工負荷再現治具および工作機械の加工負荷測定方法 |
CN111796362A (zh) * | 2018-08-08 | 2020-10-20 | 杭州富通通信技术股份有限公司 | 用于预制尾纤的研磨设备 |
-
1999
- 1999-04-22 JP JP11500199A patent/JP2000301440A/ja active Pending
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100363152C (zh) * | 2004-03-23 | 2008-01-23 | 力晶半导体股份有限公司 | 化学机械研磨制作工艺的假制作工艺与研磨垫调节方法 |
JP2017019067A (ja) * | 2015-07-14 | 2017-01-26 | 株式会社ディスコ | 研削装置のアイドリング方法 |
US10537972B2 (en) | 2015-09-03 | 2020-01-21 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polishing method and polishing apparatus |
WO2017038032A1 (ja) * | 2015-09-03 | 2017-03-09 | 信越半導体株式会社 | 研磨方法及び研磨装置 |
JP2017047513A (ja) * | 2015-09-03 | 2017-03-09 | 信越半導体株式会社 | 研磨方法及び研磨装置 |
JP2018027588A (ja) * | 2016-08-17 | 2018-02-22 | 株式会社ディスコ | 研削装置のアイドリング方法 |
KR20190011209A (ko) * | 2017-07-24 | 2019-02-01 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
JP2019022920A (ja) * | 2017-07-24 | 2019-02-14 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
KR102506342B1 (ko) | 2017-07-24 | 2023-03-03 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
JP2019195856A (ja) * | 2018-05-08 | 2019-11-14 | 株式会社Fuji | 加工負荷再現治具および工作機械の加工負荷測定方法 |
JP7100491B2 (ja) | 2018-05-08 | 2022-07-13 | 株式会社Fuji | 加工負荷再現治具および工作機械の加工負荷測定方法 |
CN111796362A (zh) * | 2018-08-08 | 2020-10-20 | 杭州富通通信技术股份有限公司 | 用于预制尾纤的研磨设备 |
CN110405556A (zh) * | 2019-08-05 | 2019-11-05 | 安徽钟南人防工程防护设备有限公司 | 一种用于人防门生产的门面修磨装置及其工作方法 |
CN110405556B (zh) * | 2019-08-05 | 2021-04-16 | 安徽钟南人防工程防护设备有限公司 | 一种用于人防门生产的门面修磨装置及其工作方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2000301440A (ja) | 平面研削装置およびこれを用いた半導体ウェーハの研削方法 | |
JPH1044017A (ja) | 平面研削装置 | |
JP6192778B2 (ja) | シリコンウエーハの加工装置 | |
JP2017019067A (ja) | 研削装置のアイドリング方法 | |
JP2008062353A (ja) | 研削加工方法および研削加工装置 | |
JP4966069B2 (ja) | 加工装置 | |
WO1989009113A1 (en) | Numerically controlled chamfering apparatus for glass plates | |
JP2010182839A (ja) | 積層ウエーハのエッジ面取り方法 | |
JP5350127B2 (ja) | 被加工物の研削方法 | |
JP5399829B2 (ja) | 研磨パッドのドレッシング方法 | |
JP4885548B2 (ja) | ウェーハの研磨方法 | |
JP2007054922A (ja) | 板状被研削物の研削装置及び研削方法 | |
JP2014008538A (ja) | 研磨装置 | |
JP2018027588A (ja) | 研削装置のアイドリング方法 | |
JPH08107093A (ja) | 半導体基板の加工方法 | |
JP4336085B2 (ja) | 研磨装置 | |
JPH1058320A (ja) | 研削装置および研磨装置 | |
JP2002187059A (ja) | 研磨布のドレッシング方法、半導体ウェーハの研磨方法及び研磨装置 | |
JP2613081B2 (ja) | ウエハ外周部の鏡面研磨方法 | |
JP2024097548A (ja) | 加工装置 | |
TW202402460A (zh) | 被加工物的研削方法 | |
JP7525268B2 (ja) | 平面研削装置 | |
US20230249311A1 (en) | Surface irregularity reducing method and surface irregularity reducing apparatus | |
JPH02119225A (ja) | 鏡面仕上装置 | |
JP2002254288A (ja) | 仕上加工装置および仕上加工方法 |