JP2000183488A - Hybrid module - Google Patents
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- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、回路パターンが形
成された回路基板に、積層コンデンサや積層インダクタ
等のチップ部品や、半導体部品等の回路部品を実装して
電子回路を形成するハイブリッドモジュールに関するも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a hybrid module for forming an electronic circuit by mounting a chip component such as a multilayer capacitor or a multilayer inductor or a circuit component such as a semiconductor component on a circuit board on which a circuit pattern is formed. Things.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、この種のハイブリッドモジュール
としては、図１５に示すようなものが知られている。図
１５は、従来のハイブリッドモジュールを示す側面断面
図である。このハイブリッドモジュール２００は、回路
基板２０１上にチップ状電子部品２０２及び発熱性を有
する半導体素子等の回路部品２０３を実装したものであ
る。2. Description of the Related Art Conventionally, as this kind of hybrid module, one shown in FIG. 15 is known. FIG. 15 is a side sectional view showing a conventional hybrid module. The hybrid module 200 has a circuit board 201 on which a chip-shaped electronic component 202 and a circuit component 203 such as a semiconductor element having heat generation are mounted.
【０００３】この回路基板２０１は、熱伝導率が良好な
窒化アルミニウム系のセラミック基板や、ガラスエポキ
シ系のプリント基板などである。チップ状電子部品２０
２は、回路基板２０１上に形成された回路パターン２０
６に半田付けされている。回路部品２０３は、半田バン
プ２０３ａを介して回路パターン２０６上に接合されて
いる。ここで、チップ状電子部品２０２は、例えば積層
コンデンサ等の受動部品である。また、回路部品２０３
は、例えばＦＥＴ等の能動部品である。[0003] The circuit board 201 is an aluminum nitride-based ceramic substrate or a glass epoxy-based printed circuit board having good thermal conductivity. Chip-shaped electronic component 20
2 is the circuit pattern 20 formed on the circuit board 201
6 is soldered. The circuit component 203 is joined on the circuit pattern 206 via the solder bump 203a. Here, the chip-shaped electronic component 202 is a passive component such as a multilayer capacitor. Also, the circuit component 203
Is an active component such as an FET.
【０００４】回路基板２０１の側面には、親回路基板Ｓ
と接続するための端子電極２０１ａが形成されている。
この端子電極２０１ａは、親回路基板Ｓに形成された回
路パターンＳｐに半田付けされている。また、回路基板
２０１の親回路基板Ｓと対向する主面２０１ｂは、親回
路基板Ｓに形成された導体膜Ｓｆを介して接合されてい
る。この導体膜Ｓｆは、ハイブリッドモジュール２００
の熱を親回路基板Ｓに効率的に伝導するためのものであ
り、熱伝導性の良好な部材からなる。On the side of the circuit board 201, a parent circuit board S
A terminal electrode 201a for connecting to the terminal is formed.
This terminal electrode 201a is soldered to a circuit pattern Sp formed on the parent circuit board S. The main surface 201b of the circuit board 201 facing the main circuit board S is joined via a conductor film Sf formed on the main circuit board S. This conductive film Sf is used for the hybrid module 200
Is efficiently conducted to the parent circuit board S, and is made of a member having good thermal conductivity.
【０００５】このような構成により、このハイブリッド
モジュール２００では、回路基板２０１に実装された回
路部品２０３から発生する熱が、回路基板２０１及び導
体膜Ｓｆを介して親回路基板Ｓ或いはグランドなどの広
いエリアを有する導体膜へと伝導され、放熱される。With such a configuration, in the hybrid module 200, heat generated from the circuit components 203 mounted on the circuit board 201 is transmitted through the circuit board 201 and the conductor film Sf to a wide area such as the parent circuit board S or ground. The heat is conducted to the conductor film having the area and is radiated.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このハ
イブリッドモジュール２００では、回路部品２０３に発
生する熱は回路部品２０３の半田バンプ２０３ａを介し
て回路基板２０１に伝導され、さらに、回路基板２０１
及び導体膜Ｓｆを介して親回路基板に伝導されるため、
熱伝導が低いという問題があった。また、熱伝導率を高
めるために用いられる窒化アルミニウム系セラミック
は、一般的なアルミナ系の基板材料に比べて高価であ
り、経済性に欠けるという問題があった。また、プリン
ト基板を用いる場合には、より熱伝導率を高める工夫が
必要であった。さらに、全ての部品を回路基板２０１の
片面上に実装するので、高密度化が困難であるという問
題もあった。However, in this hybrid module 200, the heat generated in the circuit component 203 is conducted to the circuit board 201 via the solder bumps 203a of the circuit component 203,
And through the conductor film Sf to the parent circuit board,
There was a problem that heat conduction was low. Further, there is a problem that aluminum nitride-based ceramics used for increasing the thermal conductivity are more expensive than general alumina-based substrate materials and lack economical efficiency. In addition, when a printed circuit board is used, a device for further increasing the thermal conductivity is required. Furthermore, since all the components are mounted on one surface of the circuit board 201, there is a problem that it is difficult to increase the density.
【０００７】このような問題を解決するために、図１６
に示すようなハイブリッドモジュールが提案されてい
る。図１６は従来の他のハイブリッドモジュールを示す
側面断面図である。In order to solve such a problem, FIG.
The hybrid module shown in FIG. FIG. 16 is a side sectional view showing another conventional hybrid module.
【０００８】このハイブリッドモジュール２１０では、
回路基板２０１の裏面側に凹部２１１を形成するととも
に、この凹部２１１に回路部品２０３を実装したもので
ある。具体的には、この凹部２１１は、底面に回路パタ
ーン２０６が露出するよう回路基板２０１の裏面に形成
される。回路部品２０３は、半田バンプ２０３ａを介し
て凹部２１１の回路パターン２０６に実装されている。
回路部品２０３の表面側には放熱板２１２が接着されて
いる。凹部２１１には回路部品２０３を封止する封止用
樹脂２１３が充填されている。In this hybrid module 210,
A recess 211 is formed on the back surface of the circuit board 201, and a circuit component 203 is mounted in the recess 211. Specifically, the recess 211 is formed on the back surface of the circuit board 201 so that the circuit pattern 206 is exposed on the bottom surface. The circuit component 203 is mounted on the circuit pattern 206 of the recess 211 via the solder bump 203a.
A heat radiating plate 212 is adhered to the front side of the circuit component 203. The recess 211 is filled with a sealing resin 213 for sealing the circuit component 203.
【０００９】このような構成により、回路部品２０３に
発生する熱は、放熱板２１２に伝導され、この放熱板２
１２を介して親回路基板に放熱されるので、放熱効率を
向上させることができる。また、回路基板２０１の両面
に部品を配置できるので高密度化が実現できる。With such a configuration, heat generated in the circuit component 203 is conducted to the heat radiating plate 212, and the heat radiating plate 2
Since the heat is radiated to the parent circuit board via the radiator 12, the heat radiation efficiency can be improved. Further, since components can be arranged on both sides of the circuit board 201, high density can be realized.
【００１０】しかしながら、このハイブリッドモジュー
ル２１０では、回路部品２０３の一面側は回路基板２０
１に実装されるとともに、他面側は放熱板２１２に接着
している。このため、ハイブリッドモジュール２１０の
実装時の熱や回路部品２０３から発生する熱により各部
材の歪み差が生じると、この歪み差による応力を逃がし
たり吸収したりできず各界面（接着面）において剥離が
生じるおそれがある。これによりハイブリッドモジュー
ル２１０の信頼性、特に機械的な衝撃に対する信頼性が
低下するという問題があった。また、このハイブリッド
モジュール２１０では、端子電極２０１ａを介して親回
路基板に接地するので、高周波域での接地性が十分でな
い場合があった。すなわち、親回路基板との接続経路が
長くなるのでインダクタンスが無視できなくなるもので
ある。However, in this hybrid module 210, one side of the circuit component 203 is mounted on the circuit board 20.
1, and the other surface is bonded to the heat sink 212. For this reason, when a difference in distortion of each member occurs due to heat generated during mounting of the hybrid module 210 or heat generated from the circuit component 203, stress due to the difference in distortion cannot be released or absorbed, and peeling occurs at each interface (adhesion surface). May occur. As a result, there is a problem that the reliability of the hybrid module 210, particularly the reliability against mechanical shock, is reduced. Moreover, in this hybrid module 210, since the ground is provided to the parent circuit board via the terminal electrode 201a, the grounding property in a high frequency range may not be sufficient. That is, since the connection path with the parent circuit board becomes longer, the inductance cannot be ignored.
【００１１】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、放熱性が良好である
とともに高周波回路に適したハイブリッドモジュールを
提供することにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a hybrid module which has good heat dissipation and is suitable for a high-frequency circuit.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明では、凹部が形成された回路基板
と、該回路基板の凹部内に実装された発熱性を有する回
路部品とを備え、回路基板の前記凹部が形成された側を
親回路基板に対向させて実装されるハイブリッドモジュ
ールにおいて、前記凹部の底面には金属壁が形成され、
前記凹部には前記回路部品を封止する樹脂が充填されて
いることを特徴とするものを提案する。In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, there is provided a circuit board having a recess formed therein, and a circuit component having heat generation mounted in the recess of the circuit board. In a hybrid module that is mounted with the side of the circuit board on which the concave portion is formed facing the parent circuit board, a metal wall is formed on the bottom surface of the concave portion,
It is proposed that the recess is filled with a resin for sealing the circuit component.
【００１３】本発明によれば、凹部に金属壁が形成され
ているので、凹部に実装された回路部品に発生する熱が
樹脂を介して金属壁に伝導する。したがって、熱伝導性
の良好な金属壁により、回路部品の放熱効率が向上す
る。また、金属壁のシールド効果により、高周波回路に
適したものとなる。According to the present invention, since the metal wall is formed in the recess, heat generated in the circuit component mounted in the recess is conducted to the metal wall via the resin. Therefore, the heat dissipation efficiency of the circuit component is improved by the metal wall having good thermal conductivity. In addition, the shield effect of the metal wall makes it suitable for a high-frequency circuit.
【００１４】また、請求項２の発明では、請求項１記載
のハイブリッドモジュールにおいて、前記凹部の底面に
は前記金属壁と接合するグランドパターンが形成されて
いることを特徴とするものを提案する。According to a second aspect of the present invention, there is provided the hybrid module according to the first aspect, wherein a ground pattern for bonding to the metal wall is formed on a bottom surface of the concave portion.
【００１５】本発明によれば、凹部底面に金属壁と接合
するグランドパターンが形成されているので、回路部品
に発生する熱がこのグランドパターンを介して金属壁に
伝導する。したがって、放熱性がさらに向上する。ま
た、凹部内におけるシールド効果が向上するので、さら
に高周波回路に適したものとなる。According to the present invention, since the ground pattern to be joined to the metal wall is formed on the bottom surface of the concave portion, heat generated in the circuit component is conducted to the metal wall via the ground pattern. Therefore, heat dissipation is further improved. In addition, since the shielding effect in the concave portion is improved, it becomes more suitable for a high frequency circuit.
【００１６】さらに、請求項３の発明では、請求項２記
載のハイブリッドモジュールにおいて、前記回路部品
は、前記グランドパターンと接合していることを特徴と
するものを提案する。Further, the invention according to claim 3 proposes the hybrid module according to claim 2, wherein the circuit component is joined to the ground pattern.
【００１７】本発明によれば、回路部品に発生する熱が
効率的にグランドパターンに伝導するので放熱効率が向
上したものとなる。According to the present invention, the heat generated in the circuit components is efficiently conducted to the ground pattern, so that the heat radiation efficiency is improved.
【００１８】さらに、請求項４の発明では、請求項１〜
３何れか１項記載のハイブリッドモジュールにおいて、
前記凹部の壁面には金属膜が形成されていることを特徴
とするものを提案する。Further, in the invention of claim 4, according to claims 1 to
3. The hybrid module according to claim 1,
It is proposed that a metal film is formed on a wall surface of the concave portion.
【００１９】本発明によれば、この金属膜を介して回路
部品に発生する熱を放熱することができるので、さらに
放熱効率が向上したものとなる。また、この金属膜によ
り凹部内におけるシールド効果が向上するので、さらに
高周波回路に適したものとなる。According to the present invention, since the heat generated in the circuit components can be radiated through the metal film, the radiation efficiency is further improved. Further, since the shielding effect in the concave portion is improved by the metal film, the metal film is more suitable for a high frequency circuit.
【００２０】さらに、請求項５の発明では、請求項４記
載のハイブリッドモジュールにおいて、前記金属壁の少
なくとも一端が前記金属膜と接合していることを特徴と
するものを提案する。Furthermore, the invention of claim 5 proposes the hybrid module of claim 4, wherein at least one end of the metal wall is joined to the metal film.
【００２１】本発明によれば、前記金属壁及び金属膜に
よるシールド効果が向上するので、さらに高周波回路に
適したものとなる。According to the present invention, since the shielding effect of the metal wall and the metal film is improved, it is more suitable for a high frequency circuit.
【００２２】さらに、請求項６の発明では、請求項１〜
５何れか１項記載のハイブリッドモジュールにおいて、
前記回路部品は、前記凹部の底面において前記金属壁に
囲まれていることを特徴とするものを提案する。Further, according to the invention of claim 6, in claim 1 to claim 1
5. In the hybrid module according to any one of the above items 5,
It is proposed that the circuit component is surrounded by the metal wall at a bottom surface of the concave portion.
【００２３】本発明によれば、回路部品が金属壁に囲ま
れているので、回路部品のシールド性が向上する。これ
により、さらに高周波回路に適したものとなる。According to the present invention, since the circuit component is surrounded by the metal wall, the shielding property of the circuit component is improved. This makes it more suitable for high frequency circuits.
【００２４】さらに、請求項７の発明では、請求項１〜
６何れか１項記載のハイブリッドモジュールにおいて、
前記回路部品を複数備え、凹部に実装された回路部品の
間には前記金属壁が形成されていることを特徴とするも
のを提案する。Further, in the invention of claim 7, according to claims 1 to
6. The hybrid module according to claim 1,
It is proposed that a plurality of the circuit components are provided, and the metal wall is formed between the circuit components mounted in the concave portions.
【００２５】本発明によれば、各回路部品間のシールド
効果により相互干渉を軽減することができるので、ハイ
ブリッドモジュールの回路特性を向上させることができ
る。According to the present invention, the mutual interference can be reduced by the shielding effect between the circuit components, so that the circuit characteristics of the hybrid module can be improved.
【００２６】さらに、請求項８の発明では、請求項１〜
７何れか１項記載のハイブリッドモジュールにおいて、
前記金属壁は、親回路基板と対向する面が前記回路基板
の親回路基板と対向する面と同一面上に配置されるよう
形成されていることを特徴とするものを提案する。Further, in the invention of claim 8, according to claims 1 to
7. The hybrid module according to claim 1,
It is proposed that the metal wall is formed so that a surface facing the parent circuit board is arranged on the same surface as a surface of the circuit board facing the parent circuit board.
【００２７】本発明によれば、このハイブリッドモジュ
ールを親回路基板に実装した際に金属壁が親回路基板に
当接するので、回路部品に発生する熱を金属壁を介して
親回路基板に放熱することができる。また、金属壁を親
回路基板のグランドパターンに接続すれば、金属壁によ
るシールド効果が向上するので、さらに高周波回路に適
したものとなる。According to the present invention, when the hybrid module is mounted on the parent circuit board, the metal wall comes into contact with the parent circuit board, so that heat generated in the circuit components is radiated to the parent circuit board via the metal wall. be able to. In addition, if the metal wall is connected to the ground pattern of the parent circuit board, the shielding effect of the metal wall is improved, so that the metal wall is more suitable for a high frequency circuit.
【００２８】[0028]
【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）本発明の第
１の実施の形態にかかるハイブリッドモジュールについ
て図１〜図６を参照して説明する。図１は第１の実施形
態にかかるハイブリッドモジュールを主面側から見た外
観斜視図、図２は樹脂を取り除いた第１の実施形態にか
かるハイブリッドモジュールの主面側の平面図、図３は
回路部品の実装構造を説明する図２についての拡大図、
図４は図２のＡ−Ａ’線についての断面図、図５は図２
のＢ−Ｂ’線についての断面図、図６は第１の実施の形
態にかかるハイブリッドモジュールの親回路基板への実
装を説明する断面図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (First Embodiment) A hybrid module according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is an external perspective view of the hybrid module according to the first embodiment as viewed from the main surface side, FIG. 2 is a plan view of the hybrid module according to the first embodiment with the resin removed, and FIG. FIG. 2 is an enlarged view of FIG. 2 illustrating a mounting structure of circuit components;
FIG. 4 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG. 2, and FIG.
6 is a cross-sectional view illustrating mounting of the hybrid module according to the first embodiment on a parent circuit board.
【００２９】このハイブリッドモジュール１０は、親回
路基板（図示省略）に実装されて使用されるものであ
る。このハイブリッドモジュール１０は、回路パターン
が形成された回路基板１１と、回路基板１１に実装され
た複数のチップ状電子部品１２と、回路基板１１に実装
された発熱性を有する半導体素子等の回路部品１３とを
主たる構成要素とする。The hybrid module 10 is mounted on a parent circuit board (not shown) for use. The hybrid module 10 includes a circuit board 11 on which a circuit pattern is formed, a plurality of chip-shaped electronic components 12 mounted on the circuit board 11, and a circuit component such as a semiconductor element having heat generation mounted on the circuit board 11. 13 is a main component.
【００３０】回路基板１１は、複数の絶縁体層１４と電
極層１５により形成された矩形の多層プリント基板であ
る。多層プリント基板としては、例えば、絶縁体層１４
がエポキシ系の材料からなり、電極層１５がＣｕからな
るものである。The circuit board 11 is a rectangular multilayer printed board formed by a plurality of insulator layers 14 and electrode layers 15. As the multilayer printed board, for example, the insulator layer 14
Is made of an epoxy material, and the electrode layer 15 is made of Cu.
【００３１】回路基板１１の底面、すなわち、親回路基
板への実装時に親回路基板と対向する主面１６には、回
路部品１３を実装するための凹部１７が形成されてい
る。この凹部１７は、少なくとも回路部品１３が収容で
きる大きさとなっている。A concave portion 17 for mounting the circuit component 13 is formed on the bottom surface of the circuit board 11, that is, the main surface 16 facing the parent circuit board when mounted on the parent circuit board. The recess 17 is large enough to accommodate at least the circuit component 13.
【００３２】前記回路基板１１の電極層１５は、回路部
品１３に発生する熱を放熱するとともにグランドパター
ンとして機能するグランド電極１５ａと、回路部品１３
やチップ状電子部品１２と導通接続して電気回路を形成
するための回路電極１５ｂとからなる。ここで、グラン
ド電極１５ａは、熱伝導率を考慮して回路電極１５ｂよ
りも層厚を大きく設定してある。The electrode layer 15 of the circuit board 11 radiates heat generated in the circuit component 13 and functions as a ground pattern.
And a circuit electrode 15b for electrically connecting to the chip-shaped electronic component 12 to form an electric circuit. Here, the layer thickness of the ground electrode 15a is set larger than that of the circuit electrode 15b in consideration of the thermal conductivity.
【００３３】グランド電極１５ａは、回路基板１１の内
部に埋設されており、回路基板１１の一側面から該側面
に対向する側面に亘って横長矩形に形成されている。ま
た、グランド電極１５ａは、前記凹部１７の底面に露出
している。さらに、グランド電極１５ａには、凹部１７
の底面において開口する接続口１８が形成されている。
この接続口１８の内側には、回路部品１３と接続するた
めの接続端子１９が形成されている。The ground electrode 15a is buried inside the circuit board 11, and is formed in a horizontally-long rectangular shape from one side of the circuit board 11 to a side opposite to the side. The ground electrode 15a is exposed on the bottom surface of the concave portion 17. Further, the ground electrode 15a has a recess 17
A connection port 18 is formed at the bottom of the connection port.
Inside the connection port 18, a connection terminal 19 for connecting to the circuit component 13 is formed.
【００３４】回路電極１５ｂは、回路基板１１の上面及
び内部において所定パターンに形成されており、必要に
応じて電極間をビアホール２０により接続されている。
また、回路電極１５ｂは、ビアホール２０を介して前記
接続端子１９と接続されている。The circuit electrodes 15b are formed in a predetermined pattern on the upper surface and inside of the circuit board 11, and the electrodes are connected by via holes 20 as necessary.
The circuit electrode 15b is connected to the connection terminal 19 via a via hole 20.
【００３５】回路基板１１の凹部１７の全壁面には、金
属膜２１が形成されている。この金属膜２１は、凹部１
７の底面から回路基板１１の主面１６に亘って形成され
ている。また、この金属膜２１は、凹部１７の底面にお
いて前記グランド電極１５ａに導通接続している。この
金属膜２１の材質としては、熱伝導率及び導電率が良好
な金属が望ましい。具体的には、例えば、Ｃｕ，Ｎｉ，
Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ等である。本実施の形態では、Ｃｕを
主成分とするものを用いた。この金属膜２１の形成は、
導電性ペーストを壁面に塗布して形成される。このよう
な金属膜２１により、グランド電極１５ａに伝導する熱
が金属膜２１にも伝導する。また、凹部１７の内面のほ
とんどがグランド電極１５ａ及び金属膜２１に覆われる
ので、該凹部１７内が電気的にシールドされる。A metal film 21 is formed on the entire wall surface of the concave portion 17 of the circuit board 11. This metal film 21 is
7 is formed from the bottom surface to the main surface 16 of the circuit board 11. The metal film 21 is conductively connected to the ground electrode 15a on the bottom surface of the concave portion 17. As a material of the metal film 21, a metal having good thermal conductivity and good conductivity is desirable. Specifically, for example, Cu, Ni,
Al, Ag, Au and the like. In the present embodiment, a material containing Cu as a main component is used. The formation of the metal film 21
It is formed by applying a conductive paste to a wall surface. With such a metal film 21, heat conducted to the ground electrode 15a is also conducted to the metal film 21. Further, since most of the inner surface of the concave portion 17 is covered with the ground electrode 15a and the metal film 21, the inside of the concave portion 17 is electrically shielded.
【００３６】回路基板１１の凹部１７底面には、金属壁
２２が形成されている。この金属壁２２は、前記グラン
ド電極１５ａと導通接続している。また、この金属壁２
２は凹部１７のほぼ中央付近に形成されている。さら
に、この金属壁２２は、その上面、すなわち、親回路基
板に対向する面が、回路基板１１の主面１６と同一面上
となるような高さに形成されている。この金属壁２２の
材質としては、熱伝導率及び導電率が良好な金属が望ま
しい。例えば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ等であ
る。本実施の形態では、Ｃｕを主成分とするものを用い
た。この金属壁２２の形成は、例えば、金属片を導電性
樹脂により接着して形成したり、メッキ処理により形成
する。このような金属壁２２により、グランド電極１５
ａに伝導する熱が金属壁２２にも伝導する。また、金属
壁２２により凹部１７内のシールド効果を向上させるこ
とができる。A metal wall 22 is formed on the bottom surface of the recess 17 of the circuit board 11. The metal wall 22 is electrically connected to the ground electrode 15a. Also, this metal wall 2
2 is formed near the center of the recess 17. Further, the metal wall 22 is formed at a height such that the upper surface thereof, that is, the surface facing the parent circuit board is flush with the main surface 16 of the circuit board 11. As a material of the metal wall 22, a metal having good thermal conductivity and conductivity is desirable. For example, Cu, Ni, Al, Ag, Au, etc. In the present embodiment, a material containing Cu as a main component is used. The metal wall 22 is formed, for example, by bonding a metal piece with a conductive resin or by plating. Such a metal wall 22 allows the ground electrode 15
The heat conducted to a is also conducted to the metal wall 22. Further, the shielding effect in the concave portion 17 can be improved by the metal wall 22.
【００３７】回路部品１３は、回路基板１１の凹部１７
に露出するグランド電極１５ａに接着されている。回路
部品１３は、上面側に複数の端子電極２３を備えてお
り、背面側をグランド電極１５ａに接着されている。回
路部品１３とグランド電極１５ａとの接着は、例えば導
電性樹脂接着法や高温半田接着法などが用いられる。こ
の回路部品１３は、例えばＧａＡｓＭＥＳ型ＦＥＴ、Ｇ
ａＡｓＰＨＥＭＴ型ＦＥＴ、ＩｎＰ系ＦＥＴ等の発熱性
を有するチップである。回路部品１３の端子電極２３
は、グランド電極１５ａの接続口１８の内側に形成され
ている接続電極１９及びグランド電極１５ａと、Ａｕ線
やＡｌ線等の導電部材２４を用いて電気的に接続してい
る。この接続は、ワイヤボンディング法が用いられる。The circuit component 13 is provided in the recess 17 of the circuit board 11.
Is bonded to the ground electrode 15a that is exposed to the outside. The circuit component 13 has a plurality of terminal electrodes 23 on the upper surface side, and the back surface is bonded to the ground electrode 15a. The circuit component 13 and the ground electrode 15a are bonded by, for example, a conductive resin bonding method or a high-temperature solder bonding method. The circuit component 13 is, for example, a GaAs MES type FET, G
This is a heat-generating chip such as an AsPHEMT type FET or an InP type FET. Terminal electrode 23 of circuit component 13
Is electrically connected to the connection electrode 19 and the ground electrode 15a formed inside the connection port 18 of the ground electrode 15a using a conductive member 24 such as an Au wire or an Al wire. For this connection, a wire bonding method is used.
【００３８】また、回路基板１１の凹部１７には、回路
部品１３を封止するための絶縁性樹脂２５が充填されて
いる。この絶縁性樹脂２５としては、例えばエポキシ系
やアクリル系のものが用いられる。The concave portion 17 of the circuit board 11 is filled with an insulating resin 25 for sealing the circuit component 13. As the insulating resin 25, for example, an epoxy resin or an acrylic resin is used.
【００３９】回路基板１１の側面には、前記グランド電
極１５ａ又は回路電極１５ｂと接続する外部電極２６が
形成されている。この外部電極２６のうち前記グランド
電極１５ａと接続するものは、放熱効率及び接地性を考
慮して回路基板１１の側面に幅広に形成されている。ま
た、回路基板１１の上面側の回路電極１５ｂには、チッ
プ状電子部品１２が半田付けされている。さらに、回路
基板１１の上面側には、金属製のケース２７が被装され
ている。On the side surface of the circuit board 11, an external electrode 26 connected to the ground electrode 15a or the circuit electrode 15b is formed. The external electrode 26 connected to the ground electrode 15a is formed wide on the side surface of the circuit board 11 in consideration of heat radiation efficiency and grounding properties. The chip-shaped electronic component 12 is soldered to the circuit electrode 15b on the upper surface side of the circuit board 11. Further, a metal case 27 is provided on the upper surface side of the circuit board 11.
【００４０】このようなハイブリッドモジュール１０
は、図６に示すように、凹部１７が形成された主面１６
を親回路基板３０に対向させて実装される。親回路基板
３０には、回路パターン３１が形成されている。ハイブ
リッドモジュール１０は、外部電極２６、金属膜２１及
び金属壁２２を回路パターン３１に半田付けして実装さ
れる。ここで、グランド電極１５ａと接続する外部電極
２６、金属膜２１及び金属壁２２は、回路パターン３１
のグランドに接続される。Such a hybrid module 10
As shown in FIG. 6, the main surface 16 in which the concave portion 17 is formed
Are mounted facing the parent circuit board 30. The circuit pattern 31 is formed on the parent circuit board 30. The hybrid module 10 is mounted by soldering the external electrodes 26, the metal film 21, and the metal wall 22 to the circuit pattern 31. Here, the external electrode 26 connected to the ground electrode 15a, the metal film 21, and the metal wall 22 are formed by the circuit pattern 31.
Connected to ground.
【００４１】このようなハイブリッドモジュール１０に
よれば、回路基板１１は多層構造のプリント基板により
形成され、また、回路部品１３は回路基板１１の主面１
６に形成した凹部１７に実装されるので、実装密度が向
上する。According to such a hybrid module 10, the circuit board 11 is formed of a multilayer printed board, and the circuit component 13 is formed on the main surface 1 of the circuit board 11.
6, the mounting density is improved.
【００４２】また、回路部品１３は回路基板１１の凹部
１７に露出する電極層１５のグランド電極１５ａに接着
されているので、回路部品１３に発生した熱はグランド
電極１５ａに伝導する。さらに、該グランド電極１５ａ
は凹部１７に形成された金属壁２２及び金属膜２１と接
続しているので、回路部品１３からの熱は該金属壁２２
及び金属膜２１を介して親回路基板３０に放熱される。
また、回路部品１３から絶縁性樹脂２５に伝導した熱
が、金属膜２１及び金属壁２２を介して親回路基板３０
に放熱される。さらに、グランド電極１５ａに伝導した
熱は、外部電極２６を介しても親回路基板３０に放熱さ
れる。したがって、回路部品１３の放熱効率が優れたハ
イブリッドモジュールとなる。特に、金属壁２２が回路
部品１３の近傍に形成されているので、放熱効率が良好
である。Since the circuit component 13 is bonded to the ground electrode 15a of the electrode layer 15 exposed in the recess 17 of the circuit board 11, the heat generated in the circuit component 13 is conducted to the ground electrode 15a. Further, the ground electrode 15a
Is connected to the metal wall 22 and the metal film 21 formed in the concave portion 17, so that heat from the circuit component 13 is
Then, the heat is radiated to the parent circuit board 30 via the metal film 21.
Further, the heat conducted from the circuit component 13 to the insulating resin 25 is transferred to the parent circuit board 30 through the metal film 21 and the metal wall 22.
The heat is dissipated. Further, the heat conducted to the ground electrode 15 a is also radiated to the parent circuit board 30 via the external electrode 26. Therefore, a hybrid module having excellent heat radiation efficiency of the circuit component 13 is obtained. In particular, since the metal wall 22 is formed near the circuit component 13, the heat radiation efficiency is good.
【００４３】さらに、凹部１７の底面にはグランド電極
１５ｂが形成されており、壁面には金属膜２１が形成さ
れ、さらに底面には金属壁２２が形成されているので、
回路部品１３が外部から受ける電気的影響が軽減され
る。すなわち、シールド効果に優れたものとなる。特
に、金属膜２１及び金属壁２２を親回路基板３０のグラ
ンドに接続するとシールド効果がさらに向上する。ま
た、外部電極２６を介して接地するのと比較して、経路
が短距離となるので電気的特性が改善される。具体的に
はグランドまでのインダクタンス値を軽減できる。した
がって、このハイブリッドモジュール１０は、高周波回
路に適したものとなる。Further, a ground electrode 15b is formed on the bottom surface of the concave portion 17, a metal film 21 is formed on the wall surface, and a metal wall 22 is formed on the bottom surface.
The external electrical influence on the circuit component 13 is reduced. That is, the shield effect is excellent. In particular, when the metal film 21 and the metal wall 22 are connected to the ground of the parent circuit board 30, the shielding effect is further improved. In addition, compared with the case where the ground is connected via the external electrode 26, the path is shorter, so that the electrical characteristics are improved. Specifically, the inductance value up to the ground can be reduced. Therefore, the hybrid module 10 is suitable for a high-frequency circuit.
【００４４】なお、本実施の形態では、金属壁２２は凹
部１７の底面に立設するように形成し、金属壁２２と金
属膜２１とは直接接合していないが、金属壁と金属膜２
１と導電接続するように形成していもよい。このような
ハイブリッドモジュールについて図７〜図９を参照して
説明する。図７〜図９は樹脂を取り除いた第１の実施形
態にかかる他のハイブリッドモジュールの主面側の平面
図である。In this embodiment, the metal wall 22 is formed so as to stand on the bottom of the concave portion 17 and the metal wall 22 and the metal film 21 are not directly joined.
1 may be formed so as to be conductively connected. Such a hybrid module will be described with reference to FIGS. 7 to 9 are plan views of the main surface side of another hybrid module according to the first embodiment from which the resin has been removed.
【００４５】例えば、図７に示すハイブリッドモジュー
ル４０では、凹部１７の底面に、凹部１７の壁面に形成
された金属膜２１と導通接続するように金属壁４１が形
成されている。この金属壁４１は、一端部が金属膜２１
と接続している。また、この金属壁４１の材質や形成方
法については、前記金属壁２２と同様である。また、回
路基板１１や回路部品１３等の他の構成については、前
述したハイブリッドモジュール１０と同様である。For example, in the hybrid module 40 shown in FIG. 7, a metal wall 41 is formed on the bottom surface of the recess 17 so as to be electrically connected to the metal film 21 formed on the wall surface of the recess 17. One end of the metal wall 41 is formed of the metal film 21.
Is connected to The material and the forming method of the metal wall 41 are the same as those of the metal wall 22. Other configurations such as the circuit board 11 and the circuit components 13 are the same as those of the hybrid module 10 described above.
【００４６】また、例えば、図８に示すハイブリッドモ
ジュール５０では、凹部１７の底面に、凹部１７の壁面
に形成された金属膜２１と導通接続するように金属壁５
１が形成されている。この金属壁５１は、両端部が金属
膜２１と接続している。また、この金属壁５１の材質や
形成方法については、前記金属壁２２と同様である。ま
た、回路基板１１や回路部品１３等の他の構成について
は、前述したハイブリッドモジュール１０と同様であ
る。For example, in the hybrid module 50 shown in FIG. 8, the metal wall 5 is formed on the bottom surface of the recess 17 so as to be electrically connected to the metal film 21 formed on the wall surface of the recess 17.
1 is formed. Both ends of the metal wall 51 are connected to the metal film 21. The material and forming method of the metal wall 51 are the same as those of the metal wall 22. Other configurations such as the circuit board 11 and the circuit components 13 are the same as those of the hybrid module 10 described above.
【００４７】さらに、例えば、図９に示すハイブリッド
モジュール６０では、凹部１７の底面に、凹部１７の壁
面に形成された金属膜２１と導通接続するように金属壁
６１が形成されている。この金属壁６１は、十文字状に
形成されており、各端部が金属膜２１と接続している。
また、この金属壁６１の材質や形成方法については、前
記金属壁２２と同様である。また、回路基板１１や回路
部品１３等の他の構成については、前述したハイブリッ
ドモジュール１０と同様である。Further, for example, in the hybrid module 60 shown in FIG. 9, a metal wall 61 is formed on the bottom surface of the recess 17 so as to be electrically connected to the metal film 21 formed on the wall surface of the recess 17. The metal wall 61 is formed in a cross shape, and each end is connected to the metal film 21.
The material and forming method of the metal wall 61 are the same as those of the metal wall 22. Other configurations such as the circuit board 11 and the circuit components 13 are the same as those of the hybrid module 10 described above.
【００４８】このようなハイブリッドモジュール４０，
５０，６０では、金属壁４１，５１，６１と金属膜２１
が接続しているので、凹部１７内のシールド効果がさら
に向上したものとなる。また、金属壁４１，５１，６１
と金属膜２１の間で熱伝導が行われるので、回路部品１
３の放熱効率も向上したものとなる。つまり、放熱性が
良好であるとともに高周波回路に適したハイブリッドモ
ジュールとなる。Such a hybrid module 40,
In 50 and 60, the metal walls 41, 51 and 61 and the metal film 21
Are connected, the shielding effect in the concave portion 17 is further improved. Also, the metal walls 41, 51, 61
Since heat conduction is performed between the circuit component 1 and the metal film 21,
The heat radiation efficiency of No. 3 is also improved. That is, the hybrid module has good heat dissipation and is suitable for a high-frequency circuit.
【００４９】また、本実施の形態では、金属壁２２を凹
部１７の底面に一つ形成したが、複数形成してもよい。
このようなハイブリッドモジュールについて図１０を参
照して説明する。図１０は樹脂を取り除いた第１の実施
形態にかかる他のハイブリッドモジュールの主面側の平
面図である。Further, in the present embodiment, one metal wall 22 is formed on the bottom surface of the concave portion 17, but a plurality of metal walls may be formed.
Such a hybrid module will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a plan view of a main surface side of another hybrid module according to the first embodiment from which the resin is removed.
【００５０】図１０に示すハイブリッドモジュール７０
は、凹部１７の底面に２つの金属壁７１が形成されてい
る。回路部品１３は、金属壁７１の間に実装されてい
る。この金属壁７１の材質や形成方法については、前記
金属壁２２と同様である。また、回路基板１１や回路部
品１３等の他の構成については、前述したハイブリッド
モジュール１０と同様である。The hybrid module 70 shown in FIG.
In the figure, two metal walls 71 are formed on the bottom surface of the recess 17. The circuit component 13 is mounted between the metal walls 71. The material and forming method of the metal wall 71 are the same as those of the metal wall 22. Other configurations such as the circuit board 11 and the circuit components 13 are the same as those of the hybrid module 10 described above.
【００５１】このようなハイブリッドモジュール７０で
は、金属壁７１が複数設けられているので、回路部品１
３の放熱性がさらに向上したものとなる。また、凹部１
７内のシールド効果がさらに向上したものとなる。つま
り、放熱性が良好であるとともに高周波回路に適したハ
イブリッドモジュールとなる。In such a hybrid module 70, since a plurality of metal walls 71 are provided, the circuit component 1
The heat radiation of No. 3 is further improved. Also, recess 1
7, the shielding effect is further improved. That is, the hybrid module has good heat dissipation and is suitable for a high-frequency circuit.
【００５２】さらに、本実施の形態では、金属壁２２を
回路部品１３の側方に形成したが、凹部１７の底面にお
いて回路部品１３を囲むように形成してもよい。このよ
うなハイブリッドモジュールについて図１１を参照して
説明する。図１１は樹脂を取り除いた第１の実施形態に
かかる他のハイブリッドモジュールの主面側の平面図で
ある。Further, in the present embodiment, the metal wall 22 is formed on the side of the circuit component 13, but may be formed so as to surround the circuit component 13 on the bottom surface of the concave portion 17. Such a hybrid module will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a plan view of the main surface side of another hybrid module according to the first embodiment from which the resin has been removed.
【００５３】図１１に示すハイブリッドモジュール８０
は、金属壁８１が回路部品１３を囲むように形成されて
いる。すなわち、４片の金属壁８１ａ〜８１ｄが回路部
品１３の四方を囲むように形成されている。回路部品１
３は金属壁８１によって囲まれた閉じた平面内に実装さ
れている。この金属壁８１の材質や形成方法について
は、前記金属壁２２と同様である。また、回路基板１１
や回路部品１３等の他の構成については、前述したハイ
ブリッドモジュール１０と同様である。The hybrid module 80 shown in FIG.
Is formed so that a metal wall 81 surrounds the circuit component 13. That is, four pieces of metal walls 81a to 81d are formed so as to surround four sides of the circuit component 13. Circuit component 1
3 is mounted in a closed plane surrounded by a metal wall 81. The material and the forming method of the metal wall 81 are the same as those of the metal wall 22. Also, the circuit board 11
Other configurations such as the components and the circuit components 13 are the same as those of the hybrid module 10 described above.
【００５４】このようなハイブリッドモジュール８０で
は、回路部品１３の周囲に金属壁８１が形成されている
ので、放熱性がさらに向上したものとなる。また、凹部
１７内のシールド効果がさらに向上したものとなる。つ
まり、放熱性が良好であるとともに高周波回路に適した
ハイブリッドモジュールとなる。In such a hybrid module 80, since the metal wall 81 is formed around the circuit component 13, the heat dissipation is further improved. Further, the shielding effect in the concave portion 17 is further improved. That is, the hybrid module has good heat dissipation and is suitable for a high-frequency circuit.
【００５５】（第２の実施の形態）次に本発明の第２の
実施形態にかかるハイブリッドモジュールについて図１
２を参照して説明する。図１２は樹脂を取り除いた第２
の実施形態にかかるハイブリッドモジュールの主面側の
平面図である。なお、図において第１の実施の形態と都
道いつの部材については同一の符号を付した。(Second Embodiment) Next, a hybrid module according to a second embodiment of the present invention is shown in FIG.
This will be described with reference to FIG. FIG. 12 shows the second resin removed.
FIG. 3 is a plan view of a main surface side of the hybrid module according to the embodiment. In the drawings, the same reference numerals are used for members in the first embodiment and those in the city.
【００５６】このハイブリッドモジュール９０が、第１
の実施の形態にかかるハイブリッドモジュール１０と相
違する点は、回路部品を複数設けた点にある。すなわ
ち、図１２に示すように、回路基板１１の凹部１７に
は、２つの回路部品９１及び９２が実装されている。回
路部品９１及び９２は、両部品間に金属壁２２が配置さ
れるように実装されている。各回路部品９１，９２とし
ては、第１の実施の形態と同様の半導体素子が用いられ
る。また、各回路部品９１，９２の実装方法についても
第１の実施の形態と同様である。さらに、回路基板１１
や回路部品１３等の他の構成についても、前述したハイ
ブリッドモジュール１０と同様である。The hybrid module 90 has the first
The difference from the hybrid module 10 according to the embodiment is that a plurality of circuit components are provided. That is, as shown in FIG. 12, two circuit components 91 and 92 are mounted in the concave portion 17 of the circuit board 11. The circuit components 91 and 92 are mounted such that the metal wall 22 is arranged between the two components. As each of the circuit components 91 and 92, the same semiconductor element as in the first embodiment is used. The method of mounting the circuit components 91 and 92 is the same as in the first embodiment. Further, the circuit board 11
Other configurations such as the components and the circuit components 13 are the same as those of the hybrid module 10 described above.
【００５７】このようなハイブリッドモジュール９０で
は、各回路部品９１，９２間に金属壁２２が配置されて
いるので、両部品間の電気的な相互干渉を防止すること
ができる。したがって、各回路部品９１，９２の動作モ
ードや動作周波数が異なる場合に適している。例えば、
高周波増幅回路等に有効である。つまり、放熱性が良好
であるとともに高周波回路に適したハイブリッドモジュ
ールとなる。In such a hybrid module 90, since the metal wall 22 is disposed between the circuit components 91 and 92, it is possible to prevent electrical interference between the two components. Therefore, it is suitable when the operation modes and the operation frequencies of the circuit components 91 and 92 are different. For example,
It is effective for high frequency amplifier circuits and the like. That is, the hybrid module has good heat dissipation and is suitable for a high-frequency circuit.
【００５８】なお、本実施の形態では、金属壁２２は凹
部１７の底面に立設するように形成し、金属壁２２と金
属膜２１とは直接接合していないが、図７〜図９を参照
して前述したように、金属壁と金属膜２１と導電接続す
るように形成していもよい。この場合には、各回路部品
９１，９２の間に金属壁を形成すれば、さらに、両部品
間の電気的な相互干渉を防止することができる。また、
回路部品は２個以上実装するようにしてもよい。In this embodiment, the metal wall 22 is formed upright on the bottom surface of the recess 17 and the metal wall 22 and the metal film 21 are not directly joined. As described above with reference to the drawings, the metal wall and the metal film 21 may be formed so as to be conductively connected. In this case, if a metal wall is formed between the circuit components 91 and 92, electrical mutual interference between the two components can be further prevented. Also,
Two or more circuit components may be mounted.
【００５９】（第３の実施の形態）次に本発明の第３の
実施形態にかかるハイブリッドモジュールについて図１
３を参照して説明する。図１３は樹脂を取り除いた第３
の実施形態にかかるハイブリッドモジュールの主面側の
平面図である。なお、図において第１の実施の形態と都
道いつの部材については同一の符号を付した。(Third Embodiment) Next, a hybrid module according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
3 will be described. FIG. 13 shows a third example in which the resin is removed.
FIG. 3 is a plan view of a main surface side of the hybrid module according to the embodiment. In the drawings, the same reference numerals are used for members in the first embodiment and those in the city.
【００６０】このハイブリッドモジュール１００が、第
１の実施の形態にかかるハイブリッドモジュール１０と
相違する点は、凹部１７の壁面には金属膜を形成してい
ない点にある。回路基板１１や回路部品１３等の他の構
成についても、前述したハイブリッドモジュール１０と
同様である。The hybrid module 100 differs from the hybrid module 10 according to the first embodiment in that no metal film is formed on the wall surface of the recess 17. Other configurations such as the circuit board 11 and the circuit components 13 are the same as those of the hybrid module 10 described above.
【００６１】このようなハイブリッドモジュール１００
によれば、第１の実施の形態と比較すると、金属膜によ
る放熱性の向上及びシールド効果の向上は図れない。し
かしながら、金属壁２２により回路部品１３の放熱性が
向上したものとなる。また、金属２２による凹部１７内
のシールド効果が向上したものとなる。つまり、放熱性
が良好であるとともに高周波回路に適したハイブリッド
モジュールとなる。Such a hybrid module 100
According to this, compared to the first embodiment, the heat dissipation and the shielding effect cannot be improved by the metal film. However, the heat dissipation of the circuit component 13 is improved by the metal wall 22. In addition, the shielding effect in the recess 17 by the metal 22 is improved. That is, the hybrid module has good heat dissipation and is suitable for a high-frequency circuit.
【００６２】（第４の実施の形態）次に本発明の第４の
実施形態にかかるハイブリッドモジュールについて図１
４を参照して説明する。図１４は第４の実施形態にかか
るハイブリッドモジュールの断面図である。なお、図に
おいて第１の実施の形態と同一の部材については同一の
符号を付した。(Fourth Embodiment) Next, a hybrid module according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to FIG. FIG. 14 is a cross-sectional view of the hybrid module according to the fourth embodiment. In the drawings, the same members as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals.
【００６３】このハイブリッドモジュール１１０が、第
１の実施の形態にかかるハイブリッドモジュール１０と
相違する点は、凹部１７に形成した金属壁１１１にあ
る。すなわち、金属壁１１１は、回路基板１１の主面１
６にまで達しない高さに形成されている。したがって、
ハイブリッドモジュール１１０を親回路基板に実装する
際には、金属壁１１１が直接親回路基板に当接すること
がない。回路基板１１や回路部品１３等の他の構成につ
いても、前述したハイブリッドモジュール１０と同様で
ある。This hybrid module 110 is different from the hybrid module 10 according to the first embodiment in the metal wall 111 formed in the recess 17. That is, the metal wall 111 is formed on the main surface 1 of the circuit board 11.
It is formed at a height that does not reach 6. Therefore,
When mounting the hybrid module 110 on the parent circuit board, the metal wall 111 does not directly contact the parent circuit board. Other configurations such as the circuit board 11 and the circuit components 13 are the same as those of the hybrid module 10 described above.
【００６４】このようなハイブリッドモジュール１１０
によれば、第１の実施の形態と比較すると、金属壁１１
１による放熱性及びシールド効果は低下したものとな
る。しかしながら、金属壁１１１を形成していない場合
と比較すると、金属壁１１１が絶縁性樹脂２５よりも熱
伝導率が高いことから、回路部品１３の放熱効率が向上
したものとなる。また、金属壁１１１を形成していない
場合と比較すると、金属壁１１１により凹部１７内のシ
ールド効果も発揮される。つまり、放熱性が良好である
とともに高周波回路に適したハイブリッドモジュールと
なる。Such a hybrid module 110
According to the first embodiment, as compared with the first embodiment, the metal wall 11
1, the heat dissipation and the shielding effect are reduced. However, compared with the case where the metal wall 111 is not formed, the metal wall 111 has a higher thermal conductivity than the insulating resin 25, so that the heat radiation efficiency of the circuit component 13 is improved. Further, compared to the case where the metal wall 111 is not formed, the shielding effect in the concave portion 17 is exhibited by the metal wall 111. That is, the hybrid module has good heat dissipation and is suitable for a high-frequency circuit.
【００６５】[0065]
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１の発明に
よれば、回路基板の凹部に金属壁が形成されているの
で、凹部に実装された回路部品に発生する熱が、凹部に
充填された樹脂を介して金属壁に伝導する。したがっ
て、熱伝導性の良好な金属壁により、回路部品の放熱効
率が向上する。また、金属壁のシールド効果により、高
周波回路に適したものとなる。As described above in detail, according to the first aspect of the present invention, since the metal wall is formed in the concave portion of the circuit board, the heat generated in the circuit component mounted in the concave portion is applied to the concave portion. Conduction to the metal wall through the filled resin. Therefore, the heat dissipation efficiency of the circuit component is improved by the metal wall having good thermal conductivity. In addition, the shield effect of the metal wall makes it suitable for a high-frequency circuit.
【００６６】また、請求項２の発明によれば、回路基板
の凹部底面に金属壁と接合するグランドパターンが形成
されているので、回路部品に発生する熱がこのグランド
パターンを介して前記金属壁に伝導する。したがって、
放熱性がさらに向上する。また、凹部内におけるシール
ド効果が向上するので、さらに高周波回路に適したもの
となる。According to the second aspect of the present invention, since the ground pattern to be joined to the metal wall is formed on the bottom surface of the concave portion of the circuit board, the heat generated in the circuit components is transferred to the metal wall via the ground pattern. To conduct. Therefore,
Heat dissipation is further improved. In addition, since the shielding effect in the concave portion is improved, it becomes more suitable for a high frequency circuit.
【００６７】さらに、請求項３の発明によれば、前記回
路部品が凹部底面のグランドパターンと接合している、
回路部品に発生する熱が効率的にグランドパターンに伝
導する。したがって、さらに放熱効率が向上したものと
なる。Further, according to the invention of claim 3, the circuit component is joined to the ground pattern on the bottom surface of the concave portion.
The heat generated in the circuit components is efficiently conducted to the ground pattern. Therefore, the heat radiation efficiency is further improved.
【００６８】さらに、請求項４の発明によれば、回路基
板の凹部壁面に金属膜が形成されているので、この金属
膜を介して回路部品に発生する熱を放熱することができ
る。したがって、さらに放熱効率が向上したものとな
る。また、この金属膜により凹部内におけるシールド効
果が向上するので、さらに高周波回路に適したものとな
る。Further, according to the fourth aspect of the present invention, since the metal film is formed on the wall surface of the concave portion of the circuit board, heat generated in the circuit component can be radiated through the metal film. Therefore, the heat radiation efficiency is further improved. Further, since the shielding effect in the concave portion is improved by the metal film, the metal film is more suitable for a high frequency circuit.
【００６９】さらに、請求項５の発明によれば、前記金
属壁の少なくとも一端が前記金属膜と接合しているの
で、金属壁及び金属膜によるシールド効果が向上する。
したがって、さらに高周波回路に適したものとなる。Further, according to the invention of claim 5, since at least one end of the metal wall is joined to the metal film, the shielding effect by the metal wall and the metal film is improved.
Therefore, it becomes more suitable for a high frequency circuit.
【００７０】さらに、請求項６の発明によれば、回路部
品が金属壁に囲まれているので、回路部品のシールド性
が向上する。これにより、さらに高周波回路に適したも
のとなる。Further, according to the invention of claim 6, since the circuit component is surrounded by the metal wall, the shielding property of the circuit component is improved. This makes it more suitable for high frequency circuits.
【００７１】さらに、請求項７の発明によれば、複数の
回路部品の間に前記金属壁が形成されているので、各回
路部品間のシールド効果により相互干渉を軽減すること
ができる。したがって、ハイブリッドモジュールにおけ
る回路の特性を向上させることができる。Furthermore, according to the invention of claim 7, since the metal wall is formed between a plurality of circuit components, mutual interference can be reduced by a shielding effect between the circuit components. Therefore, the characteristics of the circuit in the hybrid module can be improved.
【００７２】さらに、請求項８の発明によれば、このハ
イブリッドモジュールを親回路基板に実装した際に金属
壁が親回路基板に当接するので、回路部品に発生する熱
を金属壁を介して親回路基板に放熱することができる。
また、金属壁を親回路基板のグランドパターンに接続す
れば、金属壁によるシールド効果が向上するので、さら
に高周波回路に適したものとなる。Further, according to the invention of claim 8, when the hybrid module is mounted on the parent circuit board, the metal wall comes into contact with the parent circuit board, so that the heat generated in the circuit components can be transmitted through the metal wall. Heat can be dissipated to the circuit board.
In addition, if the metal wall is connected to the ground pattern of the parent circuit board, the shielding effect of the metal wall is improved, so that the metal wall is more suitable for a high frequency circuit.
【図１】第１の実施形態にかかるハイブリッドモジュー
ルを主面側から見た外観斜視図FIG. 1 is an external perspective view of a hybrid module according to a first embodiment viewed from a main surface side.
【図２】樹脂を取り除いた第１の実施形態にかかるハイ
ブリッドモジュールの主面側の平面図FIG. 2 is a plan view of a main surface side of the hybrid module according to the first embodiment from which resin is removed.
【図３】回路部品の実装構造を説明する図２についての
拡大図FIG. 3 is an enlarged view of FIG. 2 illustrating a mounting structure of a circuit component;
【図４】図２のＡ−Ａ’線についての断面図FIG. 4 is a sectional view taken along line A-A ′ of FIG. 2;
【図５】図２のＢ−Ｂ’線についての断面図FIG. 5 is a sectional view taken along line B-B ′ of FIG. 2;
【図６】第１の実施の形態にかかるハイブリッドモジュ
ールの親回路基板への実装を説明する断面図FIG. 6 is a sectional view illustrating mounting of the hybrid module according to the first embodiment on a parent circuit board;
【図７】樹脂を取り除いた第１の実施形態にかかる他の
ハイブリッドモジュールの主面側の平面図FIG. 7 is a plan view of a main surface side of another hybrid module according to the first embodiment from which resin is removed.
【図８】樹脂を取り除いた第１の実施形態にかかる他の
ハイブリッドモジュールの主面側の平面図FIG. 8 is a plan view of a main surface side of another hybrid module according to the first embodiment from which resin is removed.
【図９】樹脂を取り除いた第１の実施形態にかかる他の
ハイブリッドモジュールの主面側の平面図FIG. 9 is a plan view of a main surface side of another hybrid module according to the first embodiment from which resin is removed.
【図１０】樹脂を取り除いた第１の実施形態にかかる他
のハイブリッドモジュールの主面側の平面図FIG. 10 is a plan view of a main surface side of another hybrid module according to the first embodiment from which resin is removed.
【図１１】樹脂を取り除いた第１の実施形態にかかる他
のハイブリッドモジュールの主面側の平面図FIG. 11 is a plan view of a main surface side of another hybrid module according to the first embodiment from which resin is removed.
【図１２】樹脂を取り除いた第２の実施形態にかかるハ
イブリッドモジュールの主面側の平面図FIG. 12 is a plan view of a main surface side of a hybrid module according to a second embodiment from which resin is removed.
【図１３】樹脂を取り除いた第３の実施形態にかかる他
のハイブリッドモジュールの主面側の平面図FIG. 13 is a plan view of a main surface side of another hybrid module according to the third embodiment from which the resin is removed.
【図１４】第４の実施形態にかかるハイブリッドモジュ
ールの断面図FIG. 14 is a sectional view of a hybrid module according to a fourth embodiment;
【図１５】従来のハイブリッドモジュールを示す側面断
面図FIG. 15 is a side sectional view showing a conventional hybrid module.
【図１６】従来の他のハイブリッドモジュールを示す側
面断面図FIG. 16 is a side sectional view showing another conventional hybrid module.
１０，４０，５０，６０，７０，８０，９０，１００，
１１０…ハイブリッドモジュール、１１…回路基板、１
２…チップ状電子部品、１３，９１，９２…回路部品、
１４…絶縁体層、１５…電極層、１５ａ…グランド電
極、１５ｂ…回路電極、１６…主面、１７…凹部、２１
…金属膜、２２，４１，５１，６１，７１，８１，１１
１…金属壁、２５…絶縁性樹脂、３０…親回路基板10, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 100,
110: hybrid module, 11: circuit board, 1
2 ... chip-shaped electronic components, 13, 91, 92 ... circuit components,
Reference numeral 14: insulator layer, 15: electrode layer, 15a: ground electrode, 15b: circuit electrode, 16: main surface, 17: concave portion, 21
... Metal film, 22, 41, 51, 61, 71, 81, 11
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Metal wall, 25 ... Insulating resin, 30 ... Parent circuit board
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E336 AA04 AA08 AA11 AA14 AA16 BB03 BB15 BC26 BC31 BC32 BC34 BC36 CC32 CC36 CC43 CC53 CC58 EE01 EE08 GG03 GG11 5E338 AA03 AA15 BB03 BB05 BB19 BB25 BB63 BB65 CC04 CC06 CC08 CD02 CD32 EE02 EE11 EE23 EE24 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) EE23 EE24
Claims (8)
板の凹部内に実装された発熱性を有する回路部品とを備
え、回路基板の前記凹部が形成された側を親回路基板に
対向させて実装されるハイブリッドモジュールにおい
て、 前記凹部の底面には金属壁が形成され、 前記凹部には前記回路部品を封止する樹脂が充填されて
いることを特徴とするハイブリッドモジュール。1. A circuit board having a recess formed therein, and a heat-generating circuit component mounted in the recess of the circuit board, wherein a side of the circuit board having the recess formed is opposed to a parent circuit board. In a hybrid module to be mounted, a metal wall is formed on a bottom surface of the concave portion, and the concave portion is filled with a resin for sealing the circuit component.
るグランドパターンが形成されていることを特徴とする
請求項１記載のハイブリッドモジュール。2. The hybrid module according to claim 1, wherein a ground pattern is formed on a bottom surface of the concave portion so as to be joined to the metal wall.
と接合していることを特徴とする請求項２記載のハイブ
リッドモジュール。3. The hybrid module according to claim 2, wherein said circuit component is joined to said ground pattern.
いることを特徴とする請求項１〜３何れか１項記載のハ
イブリッドモジュール。4. The hybrid module according to claim 1, wherein a metal film is formed on a wall surface of said concave portion.
膜と接合していることを特徴とする請求項４記載のハイ
ブリッドモジュール。5. The hybrid module according to claim 4, wherein at least one end of said metal wall is joined to said metal film.
て前記金属壁に囲まれていることを特徴とする請求項１
〜５何れか１項記載のハイブリッドモジュール。6. The circuit component according to claim 1, wherein the circuit component is surrounded by the metal wall at a bottom surface of the concave portion.
The hybrid module according to any one of claims 5 to 5.
れていることを特徴とする請求項１〜６何れか１項記載
のハイブリッドモジュール。7. The hybrid module according to claim 1, further comprising a plurality of said circuit components, wherein said metal wall is formed between circuit components mounted in said concave portions.
が前記回路基板の親回路基板と対向する面と同一面上に
配置されるよう形成されていることを特徴とする請求項
１〜７何れか１項記載のハイブリッドモジュール。8. The metal wall according to claim 1, wherein a surface of the circuit board facing the parent circuit board is disposed on the same plane as a surface of the circuit board facing the parent circuit board. A hybrid module according to any one of claims 1 to 7.
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1998
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