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EP1123560A2 - Method for producing a wafer support in a high-temperature cvd reactor - Google Patents

Method for producing a wafer support in a high-temperature cvd reactor

Info

Publication number
EP1123560A2
EP1123560A2 EP00940151A EP00940151A EP1123560A2 EP 1123560 A2 EP1123560 A2 EP 1123560A2 EP 00940151 A EP00940151 A EP 00940151A EP 00940151 A EP00940151 A EP 00940151A EP 1123560 A2 EP1123560 A2 EP 1123560A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
wafer carrier
protective layer
coating
wafer
carrier according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP00940151A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Dietmar Schmitz
Johannes Kaeppeler
Gert Strauch
Holger JÜRGENSEN
Michael Heuken
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Aixtron SE
Original Assignee
Aixtron SE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Aixtron SE filed Critical Aixtron SE
Publication of EP1123560A2 publication Critical patent/EP1123560A2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer

Definitions

  • the invention relates to a method for producing special wafer carriers, which are used advantageously in particular in a system or corresponding method for high-temperature coating of wafers with the aid of aggressive gases.
  • CVD processes such as MOVPE processes.
  • the components of the layer to be deposited are made available in gaseous form in a reactor. During the respective process steps, these gases come into contact not only with that of the substrate to be coated, but also with their surroundings within the reactor, the entire coating process being influenced. In particular, the process gases interact with the wafer carrier. Since the wafer carrier generally has a higher temperature than the base or the substrate, there is also an intensive interaction with the wafer carrier, which leads to an influence on the process. These process influences are difficult to minimize in CVD or MOVPE processes that use conventional wafer carriers.
  • the deposition is influenced in an unreproducible manner, the desired layer properties being negatively influenced.
  • the efficiency of the layers produced can deteriorate and / or the service life of the circuit to be produced can be reduced.
  • the required minimum requirements for the materials to be produced such as compound semiconductors Deposited materials with poorer properties must be considered as rejects, which results in higher manufacturing costs.
  • gases such as ammonia or halogen-containing gases such as HCl.
  • Known CVD processes and in particular MOVPE processes are to be optimized in such a way that these processes become more controllable and reproducible and the products have the desired properties with regard to their quality and the requirements placed on them.
  • the object of the invention to achieve a reproducible deposition of the desired layer sequences on wafers in CVD processes such as MOVPE processes.
  • the desired material properties should be available with very good uniformity.
  • the object is achieved by a special wafer carrier which is produced by a method according to the invention and which can be used in particular in CVD or MOVPE systems and methods.
  • the wafer carrier according to the invention should in particular not chemically interact with the process gases of the CVD process.
  • the wafer carrier according to the invention should be designed physically and chemically in such a way that it can withstand the stress, in particular by high-temperature CVD processes or -MOVPE processes is resistant to aggressive gases.
  • the method according to the invention provides the wafer carrier according to the invention.
  • the wafer carrier according to the invention is characterized in particular by a special surface design and an advantageous coating serving as a protective layer.
  • the protective layer of the wafer carrier according to the invention that is produced either results from a conversion of the wafer carrier surface or from deposition of supplied components, for example by means of a CVD process or MOVPE process.
  • BN or PBN can be used as the supplied component.
  • the special mechanical pretreatment and the resulting design of the surface optimize the wafer carrier for use in a CVD process in such a way that the electrical and optical properties of the layers on the wafers are very homogeneous.
  • That the desired properties of the protective layer on the wafer carrier can be determined by parameters such as temperature, pressure, time pretreatment and type of mechanical pretreatment in the method according to the invention.
  • the wafer carrier according to the invention is characterized by a special coating and a special mechanical processing.
  • Embodiments of the wafer carriers according to the invention can also have only a special coating or only special shapes. Both inventive solution features are used to obtain the most homogeneous wafers possible under reproducible conditions in a CVD process. Further claims indicate advantageous embodiments of the manufacturing method, which are associated with the particular advantages of the wafer carrier according to the invention.
  • the wafer carrier according to the invention is used in a system according to one of the use claims for fulfilling the object according to the invention.
  • the inventive use of the wafer carrier takes place in a system according to one of the further claims for use in a method according to one of the further claims.
  • These CVD processes are characterized by the use of aggressive gases at high temperatures.
  • C or graphite is advantageously suitable as the starting material for the wafer carrier, since it can be used to produce a clean, heat-resistant wafer carrier which is highly conductive in the high-frequency range.
  • the entire wafer carrier can advantageously be optimized in accordance with the task.
  • the aim of the wafer carrier is to achieve high homogeneity of the wafers produced in a CVD process.
  • Mechanical pretreatments include the formation of trenches, bores and depressions in the wafer carrier.
  • the wafer carrier manufactured according to the invention has optimal properties due to the new and inventive manufacturing process, which are advantageous for a high-temperature CVD process using aggressive gases:
  • the wafer carrier according to the invention can be distinguished by a temperature homogeneity of ⁇ T ⁇ 1 ° C. over a distance of approximately 120 mm from the wafer carrier.
  • This is the result of a special shaping according to the invention, such as in particular the formation of trenches on the wafer carrier. That
  • the wafer carrier according to the invention is also mechanically pretreated accordingly, so that in particular a homogeneous wafer can be produced in a CVD process.
  • a homogeneous electrical conductivity of the C-block of the wafer carrier used and the absorption behavior of the resulting coating according to the invention in relation to thermal radiation are also important parameters.
  • a process control according to the invention enables a nucleation layer or adhesion layer to be built up in a deposit, which results in a closed coating without cracks and with a uniform thickness.
  • the wafer carrier also has correspondingly rounded edges.
  • the adhesive properties of e.g. PBN on graphite can be significantly improved.
  • Another possible additional pretreatment which can be carried out in particular before the wafer carrier is heated, is to impregnate the graphite of the wafer carrier by means of chemical vapor infiltration.
  • the density of the graphite is increased by means of a solvent. This increases the conductivity of the wafer carrier and improves the high-frequency coupling when used in a high-temperature CVD process, i.e. the heat effect improves.
  • the process can be carried out slowly, so that the manufacturing process for the wafer according to the invention is advantageously easy to handle.
  • the process is carried out in periods which result from this until a coherent layer has been formed which has sufficient mechanical strength.
  • the periods are in particular in the minute range
  • the process temperatures for producing the wafer carrier according to the invention are preferably in a range from 1000 ° C. to 2200 ° C.
  • the temperature range is therefore sufficient and therefore advantageously above the temperature range in which a CVD process using the inventive wafer carrier takes place.
  • the process temperature must not be too high so that the gases do not decompose.
  • the thermal expansion of the wafer carrier is also limited.
  • the properties of the wafer carrier according to the invention can advantageously be optimized within a pressure range of 10 mbar to 1 bar.
  • the rate at which molecules diffuse into the wafer carrier depends on the process pressure. At high pressure, slow diffusion occurs, while small diffusion occurs quickly.
  • the choice of the coating components enables preferred layers and thus corresponding characteristics of the wafer carrier protective layer to be achieved.
  • the coating is said to be resistant to the aggressive gases used in the CVD process. The undesired deposition on the wafer carrier is reduced.
  • the shape of the wafer carrier can advantageously be adapted to the type of coating. Different materials have different coefficients of thermal expansion. As a result, the expansions are different and mechanical stresses arise. By adapting the shape of the wafer carrier to the coating in particular, mechanical stresses and associated inhomogeneities can be compensated for.
  • the wafer carrier according to the invention is resistant to destruction by reactive and corrosive gases and high temperatures, so that the desired properties of the wafers are not impaired.
  • Unwanted gases and substances do not penetrate into the wafer carrier, in particular when the wafer carrier is used in a CVD process, and therefore cannot be stored.
  • the coating of the wafer carrier according to the invention exhibits in particular low emissivity.
  • the wafer carrier is also characterized in that the entire surface, i. H. all functional trenches, bores, edges etc. are resistant to the aggressive atmosphere and the high temperatures.
  • the coefficient of thermal expansion of the entire wafer carrier (starting material and layer) is almost the same, so that no mechanical stresses occur during temperature changes or during temperature distributions within the wafer carrier.
  • the coating according to the invention is also characterized in that there is no diffusion of the reactive gas.
  • This coating is also chemically inert.
  • the coating is applied microscopically smooth to the wafer carrier.
  • the coating is therefore insensitive to changes in temperature.
  • the manufacturing method according to the invention advantageously results in a coherent coating also on corners and edges as well as on functional trenches and bores and on rounded edges.
  • the quality of the wafers to be produced is advantageously significantly improved.
  • Fig. 1 is an illustration of the wafer carrier according to the invention.
  • the reference numeral 1 designates the base body of the wafer carrier.
  • the reference number 2 denotes functional trenches and depressions for the gas foil rotation.
  • 3 denotes further functional structures such as areas in which the satellites are larger than the wafers.
  • Numeral 4 denotes satellites for the wafers.
  • the reference number 5 designates functional bores. 6 correspondingly rounded edges.

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Abstract

The invention relates to a method for producing a wafer support with a coating, applied after the cleaning of said wafer support which has been specially pre-fabricated by mechanical means. Said coating is produced by heating the cleaned wafer support to high temperatures, applying coating components for converting the surface of the wafer support into a protective layer, or for facilitating the deposition of the supplied components, in order for them to form a protective layer. The invention is characterised in that the inventive wafer support, comprising said special coating, can be used in a system and a method for high-temperature CVD processing, using aggressive gases in such a way, that in addition to the desired sequence of layers being reducibly deposited with a very high degree of uniformity in the material characteristics, there is no chemical interaction with the wafer support.

Description

Titel:Title:
VERFARHEN ZUR HERSTELLUNG EINES WAFERTRÄGERS, DER INSBESONDERE IN EINEM HOCHTEM- PERATUR-CVD-REAKTOR BZW. BEI EINEM HOCHTEMPERATUR-CVD- VERFAHREN UNTER EINSATZ AGGRESSIVER GASE VERWENDUNG FINDETMETHOD FOR PRODUCING A WEAR SUPPORT, IN PARTICULAR IN A HIGH-TEMPERATURE CVD REACTOR OR. IN A HIGH TEMPERATURE CVD PROCESS USING AGGRESSIVE GASES
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung spezieller Waferträger, die insbesondere in einem System bzw. entsprechenden Verfahren zur Hochtemperaturbeschichtung von Wafern mit Hilfe aggressiver Gase vorteilhaft Verwendung finden.The invention relates to a method for producing special wafer carriers, which are used advantageously in particular in a system or corresponding method for high-temperature coating of wafers with the aid of aggressive gases.
Stand der TechnikState of the art
Zur Zeit besteht die Möglichkeit Materialien insbesondere Verbindungshalbleiter auf einer Unterlage mit Hilfe von CVD-Verfahren wie beispielsweise MOVPE-Verfahren zu deponieren. Dabei werden die Bestandteile der zu deponierenden Schicht gasförmig in einem Reaktor zur Verfügung gestellt. Bei den jeweiligen Prozeßschritten treten diese Gase nicht nur dem der zu beschichtenden Unterlage in Kontakt, sondern auch mit deren Umgebung innerhalb des Reaktors in Wechselwirkung, wobei der gesamte Beschichtungsprozeß beeinflußt wird. Insbesondere treten die Prozeßgase mit dem Waferträger in Wechselwirkung. Da der Waferträger in der Regel eine höhere Temperatur als die Unterlage bzw. das Substrat besitzt, findet ebenso eine intensive Wechselwirkung mit dem Waferträger statt, die zu einer Prozeßbeeinflussung führt. Diese Prozeßbeeinflussungen sind bei CVD- bzw. MOVPE-Verfahren, die herkömmliche Waferträger verwenden, schwer zu minimieren.There is currently the possibility of depositing materials, in particular compound semiconductors, on a base using CVD processes such as MOVPE processes. The components of the layer to be deposited are made available in gaseous form in a reactor. During the respective process steps, these gases come into contact not only with that of the substrate to be coated, but also with their surroundings within the reactor, the entire coating process being influenced. In particular, the process gases interact with the wafer carrier. Since the wafer carrier generally has a higher temperature than the base or the substrate, there is also an intensive interaction with the wafer carrier, which leads to an influence on the process. These process influences are difficult to minimize in CVD or MOVPE processes that use conventional wafer carriers.
Insbesondere erfolgt eine unreproduzierbare Beeinflussung der Abscheidung, wobei die gewünschten Schichteigenschaften negativ beeinflußt werden. Beispielsweise kann sich der Wirkungsgrad der erzeugten Schichten verschlechtern und/oder die Lebensdauer der herzustellenden Schaltung verringern. Mit den gewünschten Mindestanforderungen an die zu erzeugenden Materialien wie beispielsweise Verbindungshalbleiter müssen abgeschiedene Materialien mit schlechteren Eigenschaften als Ausschuß betrachtet werden, woraus höhere Herstellungskosten resultieren.In particular, the deposition is influenced in an unreproducible manner, the desired layer properties being negatively influenced. For example, the efficiency of the layers produced can deteriorate and / or the service life of the circuit to be produced can be reduced. With the required minimum requirements for the materials to be produced, such as compound semiconductors Deposited materials with poorer properties must be considered as rejects, which results in higher manufacturing costs.
Darstellung der ErfindungPresentation of the invention
Es ist Aufgabe der Erfindung ein Verfahren und ein System, sowie das Herstellungsverfahren für den Waferträger dieses Systems bereitzustellen, mit denen die Hochtemperaturbeschichtunq von Wafern mit Hilfe aggressiver Gase wie beispielsweise Ammoniak oder Halogenide aufweisende Gase wie HCI durchgeführt werden kann. Dabei sollen bekannte CVD- Verfahren und insbesondere MOVPE-Verfahren derart optimiert werden, daß diese Verfahren besser steuerbar und reproduzierbar werden und die Erzeugnisse hinsichtlich ihrer Qualität und der an sie gestellten Anforderungen die gewünschten Eigenschaften aufweisen.It is an object of the invention to provide a method and a system, as well as the manufacturing method for the wafer carrier of this system, with which the high-temperature coating of wafers can be carried out with the aid of aggressive gases such as ammonia or halogen-containing gases such as HCl. Known CVD processes and in particular MOVPE processes are to be optimized in such a way that these processes become more controllable and reproducible and the products have the desired properties with regard to their quality and the requirements placed on them.
Das heißt, es ist Aufgabe der Erfindung bei CVD-Verfahren wie beispielsweise MOVPE-Verfahren eine reproduzierbare Abscheidung der gewünschten Schichtfolgen auf Wafern zu erreichen. Dabei sollen die gewünschten Materialeigenschaften bei sehr guter Gleichmäßigkeit vorliegen.That is, it is the object of the invention to achieve a reproducible deposition of the desired layer sequences on wafers in CVD processes such as MOVPE processes. The desired material properties should be available with very good uniformity.
Die Aufgabe wird durch einen speziellen Waferträger gelöst, welcher nach einem erfindungsgemäßen Verfahren nach Anspruch 1 hergestellt wird und insbesondere in CVD- bzw- MOVPE- Systemen und Verfahren Verwendung finden kann.The object is achieved by a special wafer carrier which is produced by a method according to the invention and which can be used in particular in CVD or MOVPE systems and methods.
Um die Nachteile der herkömmlichen Waferträger zu überwinden, soll der erfindungsgemäße Waferträger insbesondere nicht in chemischer Wechselwirkung mit den Prozeßgasen der CVD-Verfahren treten.In order to overcome the disadvantages of the conventional wafer carriers, the wafer carrier according to the invention should in particular not chemically interact with the process gases of the CVD process.
D.h. der erfindungsgemäße Waferträger soll physikalisch und chemisch derart ausgebildet sein, daß er gegenüber der Beanspruchung insbesondere durch Hochtemperatur-CVD-Prozesse oder -MOVPE-Prozesse mit aggressiven Gasen widerstandsfähig ist.That is, the wafer carrier according to the invention should be designed physically and chemically in such a way that it can withstand the stress, in particular by high-temperature CVD processes or -MOVPE processes is resistant to aggressive gases.
Das erfindungsgemäße Verfahren stellt den erfindungsgemäßen Waferträger bereit.The method according to the invention provides the wafer carrier according to the invention.
Der erfindungsgemäße Waferträger zeichnet sich insbesondere durch eine spezielle Oberflächengestaltung und eine vorteilhafte als Schutzschicht dienende Beschichtung aus.The wafer carrier according to the invention is characterized in particular by a special surface design and an advantageous coating serving as a protective layer.
Dabei geht die erzeugte Schutzschicht des erfindungsgemäßen Waferträgers entweder aus einer Umwandlung der Waferträgeroberfläche oder durch Deposition zugeführter Komponenten beispielsweise durch einen CVD-Prozeß oder MOVPE-Prozeß hervor. Insbesondere kann BN bzw. PBN als zugeführte Komponente benutzt werden.The protective layer of the wafer carrier according to the invention that is produced either results from a conversion of the wafer carrier surface or from deposition of supplied components, for example by means of a CVD process or MOVPE process. In particular, BN or PBN can be used as the supplied component.
Durch das spezielle mechanische Vorbehandeln und die damit erfolgende Ausgestaltung der Oberfläche wird der erzeugte Waferträger zur Verwendung in einem CVD-Verfahren derart optimiert, daß die elektrischen und optischen Eigenschaften der Schichten auf den Wafern ein große Homogenität aufweisen.The special mechanical pretreatment and the resulting design of the surface optimize the wafer carrier for use in a CVD process in such a way that the electrical and optical properties of the layers on the wafers are very homogeneous.
D.h. durch Parameter wie Temperatur, Druck, Zeit Vorbehandlung und Art der mechanischen Vorbehandlung bei dem erfindungsgemäßen Verfahren können die gewünschten Eigenschaften der Schutzschicht auf dem Waferträger bestimmt werden.That the desired properties of the protective layer on the wafer carrier can be determined by parameters such as temperature, pressure, time pretreatment and type of mechanical pretreatment in the method according to the invention.
Den erfindungsgemäßen Waferträger kennzeichnet eine spezielle Be- schichtunq und eine besondere mechanische Bearbeitung. Dabei können Ausführungsarten der erfindungsgemäßen Waferträger auch nur eine spezielle Beschichtung oder nur besondere Formgestaltungen aufweisen. Beide erfinderischen Lösungsmerkmale dienen dazu möglichst homogene Wafer unter reproduzierbaren Bedingungen in einem CVD-Verfahren zu erhalten. Weitere Ansprüche geben vorteilhafte Ausführungsarten des Herstellungsverfahrens an, wobei damit jeweils die besonderen Vorteile des erfindungsgemäßen Waferträgers verbunden sind.The wafer carrier according to the invention is characterized by a special coating and a special mechanical processing. Embodiments of the wafer carriers according to the invention can also have only a special coating or only special shapes. Both inventive solution features are used to obtain the most homogeneous wafers possible under reproducible conditions in a CVD process. Further claims indicate advantageous embodiments of the manufacturing method, which are associated with the particular advantages of the wafer carrier according to the invention.
Ein weiterer Anspruch beansprucht lediglich den Waferträger als Ergebnis eines Herstellungsverfahrens nach einem der Verfahrensansprüche.Another claim only claims the wafer carrier as a result of a manufacturing method according to one of the method claims.
Zudem findet der erfindungsgemäße Waferträger Verwendung in einem System nach einem der Verwendungsansprüche zur Erfüllung der erfindungsgemäßen Aufgabe.In addition, the wafer carrier according to the invention is used in a system according to one of the use claims for fulfilling the object according to the invention.
Ebenso erfolgt eine erfindungsgemäße Verwendung des Waferträgers in einem System nach einem der weiteren Ansprüche zur Verwendung in einem Verfahren nach einem der weiteren Ansprüche. Kennzeichnend für diese CVD-Verfahren ist der Einsatz aggressiver Gase bei hohen Temperaturen.Likewise, the inventive use of the wafer carrier takes place in a system according to one of the further claims for use in a method according to one of the further claims. These CVD processes are characterized by the use of aggressive gases at high temperatures.
Vorteilhafte Ausgestaltungen des Hochtemperatur-CVD-Verfahrens unter Verwendung des erfindungsgemäßen Waferträgers bei einem Einsatz aggressiver Gase sind in den abschließenden Ansprüchen angegeben.Advantageous refinements of the high-temperature CVD method using the wafer carrier according to the invention when using aggressive gases are specified in the final claims.
Als Ausgangsmaterial des Waferträgers eignet sich in vorteilhafter Weise C bzw. Graphit, da damit ein sauberer, im Hochfrequenzbereich gut stromleitender, wärmebeständiger Waferträger hergestellt werden kann.C or graphite is advantageously suitable as the starting material for the wafer carrier, since it can be used to produce a clean, heat-resistant wafer carrier which is highly conductive in the high-frequency range.
Durch die auf mechanische Vorbehandlung basierende Anpassung der Formgebung des Waferträgers an die Art der Beschichtung kann der gesamte Waferträger entsprechend der Aufgabenstellung vorteilhaft optimiert werden. Ziel des Waferträgers ist es, bei einem CVD-Verfahren eine hohe Homogenität der erzeugten Wafer zu erreichen. Mechanische Vorbehandlungen sind insbesondere das Ausbilden von Gräben, Bohrungen und Ver- tiefungen bei dem Waferträger.By adapting the shape of the wafer carrier to the type of coating based on mechanical pretreatment, the entire wafer carrier can advantageously be optimized in accordance with the task. The aim of the wafer carrier is to achieve high homogeneity of the wafers produced in a CVD process. Mechanical pretreatments include the formation of trenches, bores and depressions in the wafer carrier.
Der erfindungsgemäß hergestellte Waferträger weist aufgrund des neuen und erfinderischen Herstellungsverfahrens optimale Eigenschaften auf, welche für ein Hochtemperatur-CVD-Verfahren unter Verwendung aggressiver Gase von Vorteil sind:The wafer carrier manufactured according to the invention has optimal properties due to the new and inventive manufacturing process, which are advantageous for a high-temperature CVD process using aggressive gases:
So kann sich der erfindungsgemäße Waferträger durch eine Temperaturhomogenität von ΔT<1 °C über eine Strecke des Waferträgers von ca. 120mm auszeichnen. Dies ist das Ergebnis einer speziellen erfindungsgemäßen Formgebung wie insbesondere der Anbringung von Gräben auf dem Waferträger. D.h. der erfindungsgemäße Waferträger wird entsprechend auch mechanisch vorbehandelt, damit bei einem CVD-Verfahren insbesondere möglichst homogene Wafer erzeugt werden können.For example, the wafer carrier according to the invention can be distinguished by a temperature homogeneity of ΔT <1 ° C. over a distance of approximately 120 mm from the wafer carrier. This is the result of a special shaping according to the invention, such as in particular the formation of trenches on the wafer carrier. That The wafer carrier according to the invention is also mechanically pretreated accordingly, so that in particular a homogeneous wafer can be produced in a CVD process.
Ebenfalls sind eine homogene elektrische Leitfähigkeit des verwendeten C- Blocks des Waferträgers sowie das Absorptionsverhalten der sich ergebenden erfindungsgemäßen Beschichtung gegenüber Wärmestrahlung wichtige Parameter.A homogeneous electrical conductivity of the C-block of the wafer carrier used and the absorption behavior of the resulting coating according to the invention in relation to thermal radiation are also important parameters.
Eine erfindungsgemäße Prozeßführung ermöglicht bei einer Depositon den Aufbau einer Nukleationsschicht bzw. Haftungsschicht, wodurch sich eine geschlossene Beschichtung ohne Risse bei gleichmäßiger Dicke ergibt.A process control according to the invention enables a nucleation layer or adhesion layer to be built up in a deposit, which results in a closed coating without cracks and with a uniform thickness.
Für eine geschlossene Beschichtung ist es insbesondere vorteilhaft, wenn der Waferträger durch die mechanische Vorbehandlungen zudem entsprechend abgerundete Kanten aufweist.For a closed coating, it is particularly advantageous if, due to the mechanical pretreatments, the wafer carrier also has correspondingly rounded edges.
Es können erfindungsgemäß weitere Arten mechanischer Vorbehandlungen ausgeführt werden.According to the invention, further types of mechanical pretreatments can be carried out.
Dazu gehört zum Beispiel Oberflächenglätten zur Verbesserung der Eigenschaften der sich umwandelnden Waferträgeroberfläche insbesondere hinsichtlich der Angriffsfläche für die Beschichtungskomponenten.This includes, for example, surface smoothing in particular to improve the properties of the changing wafer carrier surface with regard to the attack surface for the coating components.
Es können ebenfalls durch homogenes Aufrauhen (z.B. durch Sandstrahlen) die Hafteigenschaften von z.B. PBN auf Graphit erheblich verbessert werden.The adhesive properties of e.g. PBN on graphite can be significantly improved.
Weiterhin ist die Ausführung von zusätzlichen Vorbehandlungen möglich, die nicht mechanisch sein müssen.It is also possible to carry out additional pretreatments that do not have to be mechanical.
Dazu gehört insbesondere das Entfetten des Waferträgers vor dem Erhitzen und Umwandeln bzw. Beschichten. Damit werden störende Schichten vom Waferträger entfernt.This includes, in particular, degreasing the wafer carrier before heating and converting or coating. This removes disruptive layers from the wafer carrier.
Eine andere mögliche zusätzliche Vorbehandlung, die insbesondere vor dem Erhitzen des Waferträgers ausgeführt werden kann, ist es das Graphit des Waferträgers mittels Chemical Vapor Infiltration zu imprägnieren. Dabei wird mittels einem Lösungsmittel die Dichte des Graphits erhöht. Dadurch erhöht sich die Leitfähigkeit des Waferträgers und bei diesem verbessert sich die Hochfrequenz-Ankopplung bei seiner Anwendung in einem Hochtemperatur-CVD-Verfahren, d.h. die Wärmewirkung verbessert sich.Another possible additional pretreatment, which can be carried out in particular before the wafer carrier is heated, is to impregnate the graphite of the wafer carrier by means of chemical vapor infiltration. The density of the graphite is increased by means of a solvent. This increases the conductivity of the wafer carrier and improves the high-frequency coupling when used in a high-temperature CVD process, i.e. the heat effect improves.
Die Prozeßführung kann langsam erfolgen, so daß das Herstellungsverfahren für den erfindungsgemäßen Wafer vorteilhaft leicht zu handhaben ist.The process can be carried out slowly, so that the manufacturing process for the wafer according to the invention is advantageously easy to handle.
Dabei erfolgt die Prozeßführung in Zeiträumen, die sich daraus ergeben, bis sich eine zusammenhängende Schicht gebildet hat, die eine ausreichende mechanische Festigkeit aufweist. Die Zeiträume liegen insbesondere im MinutenbereichThe process is carried out in periods which result from this until a coherent layer has been formed which has sufficient mechanical strength. The periods are in particular in the minute range
Die Prozeßtemperaturen zur Herstellung des erfindungsgemäßen Wafer- träges liegen bevorzugt in einem Bereich von 1000°C bis 2200°C. Der Temperaturbereich liegt also ausreichend und damit vorteilhaft über dem Temperaturbereich in dem ein CVD-Verfahren unter Verwendung des er- findungsgemäßen Waferträgers erfolgt. Die Verfahrenstemperatur darf nicht zu groß sein damit sich die Gase nicht zerlegen. Ebenso ist die thermische Ausdehnung des Waferträgers begrenzt.The process temperatures for producing the wafer carrier according to the invention are preferably in a range from 1000 ° C. to 2200 ° C. The temperature range is therefore sufficient and therefore advantageously above the temperature range in which a CVD process using the inventive wafer carrier takes place. The process temperature must not be too high so that the gases do not decompose. The thermal expansion of the wafer carrier is also limited.
Innerhalb eines Druckbereichs von 10 mbar bis 1 bar lassen sich vorteilhaft die Eigenschaften des erfindungsgemäßen Waferträgers optimieren. Die Geschwindigkeit mit der Moleküle in den Waferträger diffundieren hängt von dem Prozeßdruck ab. Bei hohem Druck erfolgt eine langsame Diffusion bei kleinem eine schnelle.The properties of the wafer carrier according to the invention can advantageously be optimized within a pressure range of 10 mbar to 1 bar. The rate at which molecules diffuse into the wafer carrier depends on the process pressure. At high pressure, slow diffusion occurs, while small diffusion occurs quickly.
Durch die Wahl der Beschichtungskomponenten können bevorzugte Schichten und damit entsprechende Kennzeichen der Waferträgerschutz- schicht erzielt werden. Die Beschichtung soll gegen die im CVD-Verfahren verwendeten aggressiven Gase resistent sein. Die unerwünschte Deposition auf dem Waferträger wird reduziert.The choice of the coating components enables preferred layers and thus corresponding characteristics of the wafer carrier protective layer to be achieved. The coating is said to be resistant to the aggressive gases used in the CVD process. The undesired deposition on the wafer carrier is reduced.
Die Formgebung des Waferträgers kann vorteilhaft der Art der Beschichtung angepaßt werden. Unterschiedliche Materialien weisen unterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten auf. Somit sind die Ausdehnungen unterschiedlich und mechanische Spannungen entstehen. Durch Anpassung insbesondere durch die Formgebung des Waferträgers an die Beschichtung können mechanische Spannungen und damit verbundene Inhomogenitäten kompensiert werden.The shape of the wafer carrier can advantageously be adapted to the type of coating. Different materials have different coefficients of thermal expansion. As a result, the expansions are different and mechanical stresses arise. By adapting the shape of the wafer carrier to the coating in particular, mechanical stresses and associated inhomogeneities can be compensated for.
Der erfindungsgemäße Waferträger hat eine Widerstandsfestigkeit gegen Zerstörung durch reaktive und ätzende Gase und hohe Temperaturen, so daß die gewünschten Eigenschaften der Wafer nicht beeinträchtigt werden.The wafer carrier according to the invention is resistant to destruction by reactive and corrosive gases and high temperatures, so that the desired properties of the wafers are not impaired.
Ungewünschte Gase und Stoffe dringen insbesondere bei Verwendung des Waferträgers bei einem CVD-Verfahren nicht in den Waferträger ein und können damit nicht gespeichert werden.Unwanted gases and substances do not penetrate into the wafer carrier, in particular when the wafer carrier is used in a CVD process, and therefore cannot be stored.
Weiterhin wird eine schnelle Veränderung der Temperaturverteilung er- möglicht, wenn die Temperatur des Waferträgers verändert werden soll. Dies wird dadurch verwirklicht, daß die Beschichtung des erfindungsgemäßen Waferträgers insbesondere eine geringe Emissivität aufweißt.Furthermore, a rapid change in the temperature distribution is possible if the temperature of the wafer carrier is to be changed. This is achieved in that the coating of the wafer carrier according to the invention exhibits in particular low emissivity.
Der Waferträger ist zudem dadurch gekennzeichnet, daß die gesamte Oberfläche, d. h. auch alle funktionalen Gräben, Bohrungen, Kanten usw. gegen die aggressive Atmosphäre und gegen die hohen Temperaturen widerstandsfähig ist.The wafer carrier is also characterized in that the entire surface, i. H. all functional trenches, bores, edges etc. are resistant to the aggressive atmosphere and the high temperatures.
Der thermische Ausdehnungskoeffizient des gesamten Waferträgers (Ausgangsmaterial und Schicht) ist nahezu gleich, so daß bei Temperaturänderungen bzw. bei Temperaturverteilungen innerhalb des Waferträgers keine mechanischen Spannungen auftreten.The coefficient of thermal expansion of the entire wafer carrier (starting material and layer) is almost the same, so that no mechanical stresses occur during temperature changes or during temperature distributions within the wafer carrier.
Ebenfalls zeichnet sich die erfindungsgemäße Beschichtung dadurch aus, daß keine Eindiffusion des reaktiven Gases erfolgt.The coating according to the invention is also characterized in that there is no diffusion of the reactive gas.
Weiterhin ist diese Beschichtung chemisch innert.This coating is also chemically inert.
Es erfolgt erfindungsgemäß eine mikroskopisch glatte Auftragung der Beschichtung auf den Waferträger.According to the invention, the coating is applied microscopically smooth to the wafer carrier.
Durch das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren der Beschichtung des Waferträgers entstehen keine Risse oder mikroskopische Rißbildungen.No cracks or microscopic cracks occur as a result of the manufacturing method for coating the wafer carrier according to the invention.
Somit ist die Beschichtung unempfindlich gegen Temperaturveränderungen.The coating is therefore insensitive to changes in temperature.
Durch das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren ergibt sich vorteilhaft eine zusammenhängende Beschichtung auch an Ecken und Kanten sowie an funktionalen Gräben und Bohrungen sowie an abgerundeten Kanten.The manufacturing method according to the invention advantageously results in a coherent coating also on corners and edges as well as on functional trenches and bores and on rounded edges.
Wir der erfindungsgemäße Wafer in einem CVD- Verfahren oder System verwendet, werden die oben angeführten Nachteile des Standes der Technik überwunden.We the wafer according to the invention in a CVD process or system used, the above-mentioned disadvantages of the prior art are overcome.
Vorteilhaft wird bei einer Verwendung des erfindungsgemäßen Waferträgers in CVD-Verfahren die Qualität der herzustellenden Wafer wesentlich verbessert.When the wafer carrier according to the invention is used in CVD processes, the quality of the wafers to be produced is advantageously significantly improved.
Weitere Unteransprüche bezeichnen vorteilhafte Ausgestaltungen hinsichtlich von Verwendungen des erfindungsgemäßen Waferträgers insbesondere in CVD-Verfahren.Further subclaims designate advantageous refinements with regard to uses of the wafer carrier according to the invention, in particular in CVD processes.
Die Erfindung wird nachstehend ohne Beschränkung des allgemeinen Erfindungsgedankens anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung exemplarisch beschrieben, auf die im übrigen hinsichtlich der Offenbarung aller im Text nicht näher erläuterten erfindungsgemäßen Einzelheiten ausdrücklich verwiesen wird. Es zeigen:The invention is described below by way of example without limitation of the general inventive concept on the basis of exemplary embodiments with reference to the drawing, to which reference is expressly made with regard to the disclosure of all details according to the invention not explained in more detail in the text. Show it:
Fig. 1 eine Darstellung des erfindungsgemäßen Waferträgers.Fig. 1 is an illustration of the wafer carrier according to the invention.
Dabei bezeichnet das Bezugszeichen 1 den Grundkörper des Waferträgers. Das Bezugszeichen 2 bezeichnet funktionale Gräben und Vertiefungen für die gas foil rotation. 3 bezeichnet weitere funktionale Strukturen wie beispielsweise Flächen, bei denen die Satelliten größer als die Wafer sind . Das Bezugszeichen 4 bezeichnet Satelliten für die Wafer. Das Bezugszeichen 5 bezeichnet funktionale Bohrungen. 6 entsprechend abgerundete Kanten. The reference numeral 1 designates the base body of the wafer carrier. The reference number 2 denotes functional trenches and depressions for the gas foil rotation. 3 denotes further functional structures such as areas in which the satellites are larger than the wafers. Numeral 4 denotes satellites for the wafers. The reference number 5 designates functional bores. 6 correspondingly rounded edges.

Claims

PATENTANSPRÜCHE PATENT CLAIMS
1. Verfahren zur Herstellung eines Waferträgers mit einer Schutzschicht, gekennzeichnet durch die Schritte:1. Method for producing a wafer carrier with a protective layer, characterized by the steps:
-spezielles mechanisches Vorbehandeln insbesondere zur Verbesserung des aus C-Graphit oder Ähnlichem bestehenden Waferträgers insbesondere hinsichtlich der Homogenität von mit diesem in einem CVD-Prozeß zu erzeugender Wafer, - Reinigen beispielsweise mit Ethanol,-special mechanical pretreatment, in particular to improve the wafer carrier consisting of C-graphite or the like, in particular with regard to the homogeneity of wafers to be produced with it in a CVD process, - cleaning, for example, with ethanol,
-Erhitzen des gereinigten Waferträgers auf Temperaturen insbesondere von 1000°C bis 2200°C, wobei der Druckbereich des Verfahrens insbesondere bei 10 mbar bis 1 bar liegt, -Einbringen von Beschichtungskomponeπten entweder zum -Umwandeln der Waferträgeroberfläche zu der Schutzschicht durch eine Reaktion der Beschichtungskomponenten mit dem Waferträgerma- terial oder zurHeating the cleaned wafer carrier to temperatures in particular from 1000 ° C. to 2200 ° C., the pressure range of the method being in particular from 10 mbar to 1 bar, introduction of coating components either for converting the wafer carrier surface to the protective layer by a reaction of the coating components with the wafer carrier material or
-Deposition zugeführter Beschichtungskomponenten zu der Schutzschicht, wobei durch unterschiedliche Gas- und Prozeßführung bei der Deposition zunächst eine Nukleationsschicht und danach die eigentliche Schutzschicht ausgebildet wird.-Deposition of supplied coating components to the protective layer, a different nucleation layer and then the actual protective layer being formed by different gas and process control during the deposition.
2. Verfahren zur Herstellung eines Waferträgers, gekennzeichnet durch den Schritt:2. Method for producing a wafer carrier, characterized by the step:
-spezielles mechanisches Vorbehandeln insbesondere zur Verbesserung des aus C-Graphit oder Ähnlichem bestehenden Waferträgers insbesondere hinsichtlich der Homogenität von mit diesem in einem CVD-Prozeß zu erzeugender Wafer.-special mechanical pretreatment, in particular to improve the wafer carrier consisting of C-graphite or the like in particular with regard to the homogeneity of wafers to be produced with this in a CVD process.
3. Verfahren zur Herstellung eines aus C-Graphit oder Ähnlichem bestehenden Waferträgers mit einer Schutzschicht, gekennzeichnet durch die Schritte:3. Method for producing a wafer carrier made of C-graphite or the like with a protective layer, characterized by the steps:
-Erhitzen des gereinigten Waferträgers auf Temperaturen insbesondere von 1000°C bis 2200°C, wobei der Druckbereich des Verfahrens insbesondere bei 10 mbar bis 1bar liegt, -Einbringen von Beschichtungskomponenten entweder zum -Umwandeln der Waferträgeroberfläche zu der Schutzschicht durch eine Reaktion der Beschichtungskomponenten mit dem Waferträgerma- terial oder zur-Heating of the cleaned wafer carrier to temperatures in particular from 1000 ° C. to 2200 ° C., the pressure range of the method being in particular from 10 mbar to 1 bar,-introduction of coating components either for converting the wafer carrier surface to the protective layer by a reaction of the coating components with the Wafer carrier material or for
-Deposition zugeführter Beschichtungskomponenten zu der Schutzschicht, wobei durch unterschiedliche Gas- und Prozeßführung bei der Deposition zunächst eine Nukleationsschicht und danach die eigentliche Schutzschicht ausgebildet wird.-Deposition of supplied coating components to the protective layer, a different nucleation layer and then the actual protective layer being formed by different gas and process control during the deposition.
4- Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß an dem Waferträger durch das spezielle mechanische Vorbehandeln funktionale Gräben, Bohrungen und Vertiefungen ausgebildet werden, welche nach Beendigung des Verfahrens vollständig beschichtet sind.4- The method according to claim 1 or 2, characterized in that functional trenches, bores and depressions are formed on the wafer carrier by the special mechanical pretreatment, which are completely coated after completion of the method.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 , 2 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß an dem Waferträger durch das mechanische Vorbehandeln zudem entsprechend abgerundete Kanten ausgebildet werden. 5. The method according to any one of claims 1, 2 or 4, characterized in that correspondingly rounded edges are also formed on the wafer carrier by the mechanical pretreatment.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß weitere Arten des mechanischen Vor- behandelns z.B. Oberflächenglätten oder gezieltes Aufrauhen zum Verbessern der Hafteigenschaften ausgeführt werden.6. The method according to any one of claims 1 to 5, characterized in that further types of mechanical pretreatment e.g. Surface smoothing or targeted roughening to improve the adhesive properties.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß es mit zusätzlichen Vorbehandlungen wie beispielsweise Entfetten oder Imprägnieren insbesondere durch Chemical Vapor Infiltration ausgeführt wird.7. The method according to any one of claims 1 to 6, characterized in that it is carried out with additional pretreatments such as degreasing or impregnation, in particular by chemical vapor infiltration.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 , 3 bis 7, gekennzeichnet durch eine langsame Prozeßführung.8. The method according to any one of claims 1, 3 to 7, characterized by slow process control.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 , 3 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die langsame Prozeßführung in Zeiträumen erfolgt bis sich eine zusammenhängende Schicht ergibt, die eine ausreichende mechanische Festigkeit hat, wobei die Zeiträume insbesondere im Minutenbereich liegen.9. The method according to any one of claims 1, 3 to 8, characterized in that the slow process control takes place in periods until there is a coherent layer which has sufficient mechanical strength, the periods being in particular in the minute range.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 , 3 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschichtungskomponenten insbesondere durch Ta, Si, Zr oder Nb sowie B und N gebildet werden.10. The method according to any one of claims 1, 3 to 9, characterized in that the coating components are formed in particular by Ta, Si, Zr or Nb and B and N.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 , 3 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht insbesondere aus TaC, NbC, ZrC, SiC, SiSiC oder entsprechend thermisch umgewandelten C bzw. glassy carbon, oder BN bzw. pyroloytisches BN gebildet wird. 11. The method according to any one of claims 1, 3 to 10, characterized in that the protective layer is formed in particular from TaC, NbC, ZrC, SiC, SiSiC or corresponding thermally converted C or glassy carbon, or BN or pyrolysis BN.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 , 3 bis 11 , dadurch gekennzeichnet, daß die Formgebung des Waferträgers der Art der Beschichtung angepaßt wird.12. The method according to any one of claims 1, 3 to 11, characterized in that the shape of the wafer carrier is adapted to the type of coating.
13. Waferträger nach einem der Ansprüche 1 bis 12.13. Wafer carrier according to one of claims 1 to 12.
14. Verwendung eines Waferträgers nach Anspruch 13 in einem Planetary Reaktor® oder in einer Satellitenanordnung .14. Use of a wafer carrier according to claim 13 in a Planetary Reaktor® or in a satellite arrangement.
15. Verwendung eines Waferträgers nach Anspruch 13 in einem horizontalen Reaktor der AIX 200.15. Use of a wafer carrier according to claim 13 in a horizontal reactor of the AIX 200.
16. Verwendung eines Waferträgers nach Anspruch 13 in einem Hochtem- peratur-CVD-Reaktor.16. Use of a wafer carrier according to claim 13 in a high-temperature CVD reactor.
17. Verwendung eines Waferträgers nach einem der Ansprüche 14 bis 16 in einem Verfahren mit Gas Foil Rotation® unter Verwendung aggressiver Gase.17. Use of a wafer carrier according to one of claims 14 to 16 in a process with Gas Foil Rotation® using aggressive gases.
18. Verwendung eines Waferträgers nach einem der Ansprüche 14 bis 17, in einem Verfahren zum Herstellen von allen binären, ternären, quater- nären oder anders komplexen Ill-V-Halbleitem wie beispielsweise GaAs, InP, GaN, SiC, GaAsN und ähnlichen Materialien unter Verwendung aggressiver Gase.18. Use of a wafer carrier according to one of claims 14 to 17, in a method for producing all binary, ternary, quaternary or other complex Ill-V semiconductors such as, for example, GaAs, InP, GaN, SiC, GaAsN and similar materials Use of aggressive gases.
19. Verwendung eines Waferträgers nach einem der Ansprüche 14 bis 18 bei einem Hochtemperatur-CVD-Verfahren unter Verwendung aggressiver Gase. 19. Use of a wafer carrier according to one of claims 14 to 18 in a high-temperature CVD process using aggressive gases.
20. Verwendung eines Waferträgers nach einem der Ansprüche 17 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß der Waferträger Hilfseinrichtungen für die Prozeßkontrolle aufweist.20. Use of a wafer carrier according to one of claims 17 to 19, characterized in that the wafer carrier has auxiliary devices for process control.
21. Verwendung eines Waferträgers nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Hilfseinrichtungen für die Prozeßkontrolle Bewegungssensoren für die Waferdrehung aufweisen.21. Use of a wafer carrier according to claim 20, characterized in that the auxiliary devices for the process control have motion sensors for the wafer rotation.
22. Verwendung eines Waferträgers nach Anspruch 20 oder 21 , dadurch gekennzeichnet, daß die Hilfseinrichtungen für die Prozeßkontrolle zudem Temperaturmeßeiπrichtungen aufweisen.22. Use of a wafer carrier according to claim 20 or 21, characterized in that the auxiliary devices for the process control also have temperature measuring devices.
23. Verwendung eines Waferträgers nach einem der Ansprüche 17 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Erhitzung des Waferträgers durch eine Widerstandsheizung, eine Hochfrequenzheizung oder durch Wärmestrahlung erfolgt.23. Use of a wafer carrier according to one of claims 17 to 22, characterized in that the heating of the wafer carrier is carried out by a resistance heater, a high-frequency heater or by heat radiation.
24. Verwendung eines Waferträgers nach einem der Ansprüche 17 bis 23, dadurch gekennzeichnet, daß parasitäre Prozeßablagerungen auf dem Waferträger durch Behandlung bei hohen Temperaturen entfernt werden.24. Use of a wafer carrier according to one of claims 17 to 23, characterized in that parasitic process deposits on the wafer carrier are removed by treatment at high temperatures.
25. Verwendung eines Waferträgers nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß die hohen Temperaturen größer als normale Abscheidetemperaturen von ca. 600°C sind.25. Use of a wafer carrier according to claim 24, characterized in that the high temperatures are higher than normal deposition temperatures of approximately 600 ° C.
26. Verfahren nach Anspruch 17 bis 25, dadurch gekennzeichnet, daß zudem parasitäre Prozeßablagerungen auf dem Waferträger durch Ätzprozesse entfernt werden. 26. The method according to claim 17 to 25, characterized in that parasitic process deposits on the wafer carrier are also removed by etching processes.
27. Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß als aggressive Gase insbesondere HCI oder Ammoniak verwendet wird.27. The method according to claim 26, characterized in that in particular HCl or ammonia is used as aggressive gases.
28. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 27, dadurch gekennzeichnet, daß es ein MOVPE-Verfahren ist. 28. The method according to any one of claims 17 to 27, characterized in that it is a MOVPE method.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101272977B1 (en) * 2010-11-16 2013-06-10 엘지이노텍 주식회사 Susceptor annd method for manufacturing the same
DE102013114203A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wafer carrier, reactor and method for temperature measurement
DE102014103505A1 (en) 2014-03-14 2015-09-17 Aixtron Se Coated component of a CVD reactor and method for its production
CN105112888B (en) * 2015-08-27 2017-12-08 常州天合光能有限公司 A kind of saturation process of graphite boat
DE102016110408A1 (en) 2016-06-06 2017-12-07 Aixtron Se Coated carbon body in a CVD reactor
CN111604222B (en) * 2020-06-05 2021-05-18 扬州信尚电子科技有限公司 Device is paintd to chip surface silicone grease

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61124574A (en) * 1984-11-20 1986-06-12 Hitachi Chem Co Ltd Chemical vapor deposition method
JPH08227933A (en) * 1995-02-20 1996-09-03 Shin Etsu Chem Co Ltd Wafer heater with electrostatic attracting function
TW303505B (en) * 1996-05-08 1997-04-21 Applied Materials Inc Substrate support chuck having a contaminant containment layer and method of fabricating same
EP0908932B1 (en) * 1997-09-03 2003-11-19 Nippon Pillar Packing Co., Ltd. Semiconductor wafer holder with cvd silicon carbide film coating
TW432453B (en) * 1998-11-12 2001-05-01 Applied Materials Inc Apparatus for protecting a substrate support surface and method of fabricating same

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO0067311A2 *

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