Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

DE69118085T2 - Differentialdruck-Haltungssystem für CVD-Anlage - Google Patents

Differentialdruck-Haltungssystem für CVD-Anlage

Info

Publication number
DE69118085T2
DE69118085T2 DE69118085T DE69118085T DE69118085T2 DE 69118085 T2 DE69118085 T2 DE 69118085T2 DE 69118085 T DE69118085 T DE 69118085T DE 69118085 T DE69118085 T DE 69118085T DE 69118085 T2 DE69118085 T2 DE 69118085T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
disk
cvd
coating
slot
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69118085T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69118085D1 (de
Inventor
Steven C Selbrede
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Genus Inc
Original Assignee
Genus Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Genus Inc filed Critical Genus Inc
Application granted granted Critical
Publication of DE69118085D1 publication Critical patent/DE69118085D1/de
Publication of DE69118085T2 publication Critical patent/DE69118085T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45519Inert gas curtains
    • C23C16/45521Inert gas curtains the gas, other than thermal contact gas, being introduced the rear of the substrate to flow around its periphery
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

  • Diese Erfindung betrifft chemische Aufdampfverfahren, die insbesondere auf Scheiben bei der Herstellung von integrierten Schaltungen verwendet werden.
  • Bei der Herstellung von integrierten Schaltungen werden dünne Filme aus verschiedenen Materialien auf Scheiben eines halbleitenden Materials ausgeformt. Speziell ausgewählte Bereiche der aufgebrachten Filme werden entfernt, um Strukturen und einen Schaltkreis zu formen. Das chemische Aufdampfen (CVD) ist ein gut bekanntes Verfahren zum Aufbringen solcher dünnen Filme. Polysilikon, beispielsweise, schlägt sich aus Silangas, SiH&sub4;, nieder. Ähnlich schlägt sich Wolframsilizid aus einer Mischung von Gasen nieder, die Silan und ein Wolfram enthaltendes Gas, wie Wolframhexafluorid, enthalten. Reines Wolfram wird auch auf Siliziumscheiben bei der Herstellung von integrierten Schaltungen abgelagert.
  • In einem typischen CVD-Verfahren werden Scheiben auf Träger in einer Kammer plaziert, die Kammer wird abgedichtet und evakuiert, die Scheiben werden erwärmt, typischerweise durch Aufheizen des Scheibenträgers, und eine Gasmischung wird in die Kammer eingeführt. Typischerweise findet das Gasströmen kontinuierlich während des Herstellens statt. Die Temperatur einer zu beschichtenden Scheibe ist eine der Variablen, die die chemische Reaktion antreibt, um Wolfram dazu zu bringen, abgelagert zu werden. Es ist wichtig, die Temperatur, die relative Konzentration der verschiedenen Gase in der Mischung und solche Charakteristiken, wie die Gleichmäßigkeit des Gasflusses über die beschichtet werdende Oberfläche, unter anderem variable zu steuern. Eine gleichmäßige Dicke einer abgelagerten Schicht ist wichtig.
  • Eine der wichtigen Variablen zum Liefern einer Beschichtung von uniformer Dicke mit einem CVD-Verfahren ist die Gleichmäßigkeit der Temperatur über die Oberfläche der zu beschichtenden Scheibe. Die Aufbringungsrate in einem CVD-Verfahren hängt, unter anderen Variablen, von der Temperatur der Scheibe ab, so daß eine nicht gleichmäßige Temperatur zu einer CVD- Beschichtung von ungleichmäßiger Dicke führen wird.
  • Es ist typisch für eine CVD-Vorrichtung, eine Scheibe auf einer flachen Fläche, wie einer Fläche eines Mittelturms, zu stützen. Der Turm wird erwärmt, um die Scheibe aufzuwärmen. Es ist auch bekannt, eine Scheibe auf einer CVD-Einspannvorrichtung getrennt von, aber angebracht an einem Mittelturm zu tragen, und die Einspannvorrichtung zu heizen, um die Scheibe zu heizen. Diese Anordnung läßt eine niedrigere thermische Masse für die Einspannvorrichtung und demgemäß eine schnellere Temperaturantwortszeitdauer zu. Es ist auch bekannt, eine Scheibe mechanisch gegen eine Einspannvorrichtungsfläche an verschiedenen Punkten um den Umfang einer Scheibe oder über einen durchgehenden Ring zu drücken.
  • In all diesen Fällen, in denen eine Scheibe auf einer flachen Fläche getragen und die Fläche erwärmt wird, um die Scheibe aufzuwärmen, selbst wenn eine Scheibe mechanisch in eine Fläche gedrückt wird, ist die Scheibe nicht überall in tatsächlichem Kontakt mit der Aufwärmfläche. Wirklich guter Kontakt ist nicht im Bereich des Möglichen von Maschinentoleranzen. Der Kontakt besteht an einer Anzahl von Punkten oder kleinen Bereichen, und der Rest der Scheibenfläche ist nahe benachbart zu der Einspannvorrichtungsfläche, aber nicht in Berührung mit derselben. Wärmeübertragung von einer Einspannvorrichtung auf eine Scheibe ist demgemäß weniger effizient als erwünscht.
  • Da es keinen guten Kontakt zwischen einer Scheibe und einer Einspannvorrichtungsfläche gibt, besteht normalerweise ein erheblicher Unterschied zwischen der Temperatur einer Einspannvorrichtung und einer Scheibe auf der Einspannvorrichtung. Es ist nicht ungewöhnlich für den Temperaturunterschied, mehr als 100 Grad Celsius zu betragen. Außerdem ist die Wärmeübertragung an den Punkten, an denen die Scheibe tatsächlich die Einspannvorrichtung berührt, sehr viel effizienter, als dort, wo keine Berührung stattfindet, so daß es typischerweise kleine Bereiche auf der Scheibe an den Kontaktpunkten gibt, die wärmer als die Bereiche entfernt von den Kontaktpunkten sind. Diese kleinen Bereiche werden "heiße Flecken" genannt. Heiße Flecken können zu einer nicht gleichmäßigen Ablagerung führen.
  • In den meisten Fällen wird ein Schaltkreis nur auf einer Seite einer Scheibe ausgebildet. Die nicht für eine Schaltung verwendete Seite wird die Rückseite der Scheibe genannt. Es ist wichtig, daß die Rückseite einer Scheibe glatt und sauber gehalten wird, und daß, im allgemeinen, wenig oder kein Material auf der Rückseite abgelagert wird.
  • Eine andere wichtige Charakteristik beim Herstellen von integrierten Schaltungen ist das Aufschichten von verschiedenen Materialien. Dabei ist es wichtig, daß die aufgebrachten Lagen gut an dem Grundscheibenmaterial oder der nächst darunterliegenden Schicht anhaften, so daß das beschichtete Material nicht abplatzt oder abschält. Die Abmessungen der Strukturen und der Schaltung bei integrierten Schaltungstechnologien sind sehr klein, so daß irgendein ungewolltes Abblättern oder Abschälen leicht die Strukturen oder den Schaltkreis zerstören kann. Auch können Splitter von einer nicht anhaftenden Schicht empfindliches Zubehör zerstören und fordern ein häufigeres Reinigen der Beschichtungsvorrichtung, als ansonsten nötig wäre. Das zusätzliche Reinigen erniedrigt die Produktionszeit. Reinigungsprozeduren, wie Ionenbombardment, werden auch verwendet, um Scheibenoberflächen zu präparieren, um Schichten anzunehmen, die durch chemisches Bedampfen abgelagert werden.
  • Es ist normalerweise wünschenswert, Vorbehandlungsschritte durchzuführen und Haftschichten (wenn verwendet) abzulagern, während eine Scheibe in der gleichen Kammer und auf der gleichen Vorrichtung aufgebracht ist, die verwendet werden wird, um das CVD durchzuführen. Da die Scheiben typischerweise in der CVD-Kammer mit der Rückseite gegen ein Trageglied aufgebracht sind, ist nur die Frontseite vorliegend für Bearbeitungsschritte, die dem Erhöhen des Anhaftens dienen. Wenn nur die Frontseite gereinigt oder auf andere Weise behandelt wird, erhöht das Beschichten der Rückseite die Möglichkeit des Abschälens oder Abblätterns an Kanten.
  • Die Tatsache des nicht innigen Kontakts zwischen einer Scheibe und der Einspannvorrichtung und die Schwierigkeit des Herstellens einer Abdichtung, die undurchlässig für Gas ist, zwischen einer Scheibe und einer Einspannvorrichtung, führt zu Kanten- und Rückseitenbeschichtungsproblemen. Auch da das Reinigen und andere Vorbehandlungen normalerweise nur effektiv auf der Frontfläche durchgeführt werden, ist es wahrscheinlicher, daß die Ablagerung auf der Kante und der Rückseite einer Scheibe abblättert und abschält.
  • Intrusion von Beschichtungsgasen zu der Kante und der Rückseite einer Scheibe stellt noch eine andere Schwierigkeit dar. Diese Intrusion führt zu einer Ablagerung auf der Einspannvorrichtungsfläche. Diese Ablagerung ist auf der Einspannvorrichtungsfläche akkumulativ, während sie eine sehr kleine Menge auf der Kante oder Rückseite einer Scheiben darstellen mag. Eine neue Scheibe wird auf die Einspannvorrichtung aufgesetzt für jeden Beschichtungszyklus, aber die gleiche Einspannvorrichtungsfläche wird nach und nach beschichtet.
  • In den Fällen, in denen eine Scheibe direkt auf der Einspannvorrichtung aufliegt, selbst wenn nur längs des Umfangs der Scheibe, kann eine Akkumulation des über die Zeit beschichteten Materials zu Problemen führen, wie Abblättern und nicht passender Sitz der Scheibe auf der Einspannvorrichtung. Ein anderes schwerwiegendes Problem ist, daß eine auf der Einspannvorrichtung abgelagerte Beschichtung normalerweise aus einem anderen Material sein wird als die Einspannvorrichtung und ein unterschiedliches Emissionsvermögen als das Einspannvorrichtungsmaterial haben wird. Dies kann ein ungleichmäßiges Erwärmen der Scheibe hervorrufen und zu einer ungleichmäßigen Ablagerungsdicke führen.
  • Bei CVD-Verfahren ist es vor recht kurzer Zeit machbar geworden, bei viel höheren Drücken zu arbeiten, als in der Vergangenheit üblich war. Ein höherer Gesamtdruck für Verfahrensgase kann zu einer besseren Lochfüllungseffizienz und besseren Abdeckungsbearbeitung führen, als es bei einem niedrigeren Druck möglich ist. Ein höherer Beschichtungsdruck kann auch eine höhere Ablagerungsgeschwindigkeit, somit höheren Durchsatz an Scheiben für ein CVD-System, fördern. Bei Verfahren, die in der Vergangenheit den typischen Gesamtdruck von weniger als 130 Pa (1 Torr) hatten, sind Verfahren bei 2,5 kPa (200 Torr) und höher machbar geworden. Bei höheren Drücken ist es viel schwieriger, ein Kanten- und Rückseitenbeschichten zu verhindern, als bei einem Verfahren mit einem niedrigeren Gesamtdruck.
  • Was gebraucht wird, ist ein Lösungsweg für ein CVD-Bearbeiten, der die Temperaturgleichmäßgikeit erhöht, während das Kanten- und Rückseitenbeschichten reduziert wird. Idealerweise wird solch eine Vorrichtung und solch ein Verfahren eine niedrige thermische Masse haben, die eine schnelle Reaktion auf eine Temperaturänderung liefert. Die Vorrichtung sollte auch dazu fähig sein, eine aufgebrachte Scheibe ohne Aufwärmen anderer dem Beschichtungsgas ausgesetzter Flächen aufzuwärmen, so daß eine Minimalmenge an übermäßigem Beschichten herbeigeführt wird. Die benötigte Vorrichtung sollte ferner dazu fähig sein, diese Vorteile bei Gesamtdrücken zu erreichen, die viel höher als gegenwärtig für CVD-Verfahren verwendete Drücke sind.
  • In EP-A-0 456 372, die unter Art. 54 (3) EPÜ fällt, sind Vorrichtungen und Verfahren zum Verhindern der Kanten- und Ruckseitenbeschichtung von Scheiben beim CVD-Bearbeiten beschrieben. Ein Scheibendichtring mit einer kontaktlosen Dichtung zu der CVD-Einspannvorrichtung wird über die Scheibe gedrückt, kontaktiert die Scheibe um den Außenumfang und drückt die Scheibe gegen die Einspannvorrichtung. Der Dichtring bildet einen Ringraum um die Scheibe herum und eine kontaktlose Dichtung für eine Fläche der Einspannvorrichtung. Ein inertes Gas wird durch die Einspannvorrichtung direkt in das Ringvolumen eingefügt und fließt von dem Ring durch die kontaktlose Dichtung, wodurch Gas davon abgehalten wird, in den Bereich der Kante und Rückseite der Scheibe zu gelangen.
  • In Übereinstimmung mit einem ersten Aspekt der Erfindung wird eine Vorrichtung zum Verhindern einer Beschichtung auf dem Vorderseitenumkreis, der Kante und der Rückseite einer Scheibe während des Bearbeitens in einer CVD-Kammer geliefert, umfassend:
  • ein Haltemittel zum Halten der Scheibe während des Bearbeitens;
  • ein Enleerraummittel zum Bilden eines Schlitzes mit der Vorderseite der Scheibe um den Umfang derselben, das einen Entleerraum um die Scheibe herum bildet, isoliert von der CVD- Kammer, außer für den Schlitz, und eine Öffnung aufweist, die den Rest der Vorderseite der Scheibe der CVD-Kammer aussetzt; und
  • ein Ausblasgaseinlaßmittel zum Zuführen eines Ausblasgases in den Entleerraum, um durch den Schlitz von dem Entleeraum zu der CVD-Kammer zu fließen und der Diffusion des Beschichtungsgases von der CVD-Kammer zu dem Vorderseitenumkreis, der Kante und der Rückseite der Scheibe entgegenzuwirken.
  • In Übereinstimmung mit einem zweiten Aspekt der Erfindung wird ein System zum Durchführen eines CVD-Verfahrens geliefert, umfassend eine wie oben beschriebene Vorrichtung und eine CVD- Kammer zum Enthalten von Beschichtungsgasen, in der das Verfahren durchgeführt wird;
  • ein Beschichtungsgaszuführmittel zum Zuführen von Beschichtungsgasen zu der Kammer und
  • ein Aufheizmittel zum Aufheizen einer Scheibe während des CVD- Verfahrens.
  • In Übereinstimmung mit einem weiteren Aspekt der gegenwärtigen Erfindung wird ein Verfahren zum Verhindern einer Vorderseitenumkreis-, Kanten- und Rückseitenbeschichtung auf einer Scheibe während eines CVD-Bearbeitens in einer CVD-Kammer geliefert, umfassend die folgenden Schritte:
  • Plazieren einer Scheibe auf einer Scheibenhalterung in der CVD-Kammer vor dem Beginnen des CVD-Bearbeitens;
  • Umgeben der Scheibe mit einem Entleerraummittel, das einen Schlitz mit der Vorderseite der Scheibe um den Umkreis derselben bildet, einen Entleerraum um die Scheibe bildet, isoliert von der CVD-Kammer, mit Ausnahme des Schlitzes, wobei das Entleerraummittel eine Öffnung aufweist, die den Rest der Vorderseite der Scheibe der CVD-Kammer aussetzt; und
  • Zuführen eines Ausblasgases in den Entleerraum, um durch den Schlitz von dem Entleerraum zu der CVD-Kammer zu fließen und der Diffusion des Beschichtungsgases von der CVD-Kammer zu dem Vorderseitenumkreis, der Kante und der Rückseite der Scheibe entgegenzuwirken.
  • Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel enthält die Vorrichtung zum Verhindern der Vorderseitenumkreis-,Kanten- und Rückseitenbeschichtung auf einer Scheibe eine Kammer zum Durchführen einer CVD-Bearbeitung, einer Halterung mit einem Entleerraum und flexible Scheibenträger, die von der Halterung getragen werden. Ein bewegbarer Klemmring, der Kontaktpolster aufweist, kontaktiert eine Scheibe auf den flexiblen Scheibenträgern, wodurch ein Schlitz mit der Vorderseite der Scheibe um den Umfang derselben gebildet wird. Der Klemmring zwingt die Scheibe gegen die flexiblen Scheibenträger, wodurch die Träger deformiert werden, kontaktiert den Lagerblock und bildet, mit dem Entleerraum und der Scheibe, eine Umhüllung, getrennt von der Beschichtungskammer.
  • Ein Erhitzer innerhalb des Entleerraums heizt die Scheibe auf, Beschichtungsgas wird in die Verarbeitungskammer eingeführt, und Ausblasgas wird in den Entleerraum eingeführt, um durch den Schlitz herauszufließen, wodurch Beschichtungsgas davon abgehalten wird, zu der Kante oder der Rückseite der Scheibe während des Bearbeitens zu gelangen.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform sind die Scheibenträger Blattfedern, und bei einer alternativen Ausführungsform kontaktieren Keramikknöpfe, die an den Federn angebracht sind, tatsächlich die Scheiben.
  • Der Erhitzer in dem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist ein pyrolytischer Kohlenelektrodenerhitzer und wird während des Betriebs getrimmt, um die Scheibe gleichmäßig aufzuwärmen. Temperaturgleichmäßigkeit wird durch getrenntes Anordnen des Erhitzers von der Scheibe um einen Abstand von zumindest 10- mal der Länge der mittleren freien Weglänge des Ausblasgases bei dem Druck und der Temperatur des Ausblasgases während des Bearbeitens erhöht. Ferner sorgt der minimale Kontakt des Klemmrings mit der Scheibe und das Tragen der Scheibe auf flexiblen Trägern für die Scheibenvorderseite dafür, daß sie die einzig dem Beschichtungsgas bei der Beschichtungstemperatur ausgesetzte Fläche ist. Dadurch, daß ein Erhitzer mit einer relativ kleinen Masse innerhalb des Entleerraums verwendet und das Aufwärmen der Scheibe primär mit kleiner Masse durchgeführt wird, kann das Aufwärmen schnell erreicht werden, und Abkühlen kann genauso schnell erreicht werden.
  • Die Erfindung ermöglicht, daß die Schlitzhöhe und der Gasfluß für verschiedene Verfahren und verschiedene Beschichtungsdrücke optimiert sind. Ein weiterer Vorteil ist, daß der Erhitzer in der separaten Umhüllung enthalten ist, so daß der Erhitzer nicht beschichtet wird, und somit die Emissionsfähigkeit des Erhitzers nicht variabel ist. Da die Scheibe die einzig heiße Fläche hat, die dem Beschichtungsgas ausgesetzt ist, ist der Verbrauch von teurem Beschichtungsgas ebenso minimiert, und teure Reinigungsprozeduren und Wartungszeiten werden minimiert; Produktionszeit wird maximiert.
  • Ausführungsbeispiele werden geliefert, die eine Vielzahl von Trägern und mehrere Klemmringe innerhalb einer einzigen Kammer aufweisen, so daß mehrere Scheiben beschichtet werden können während eines einzigen Verarbeitungszyklus, und mit einer Vakuumschleuse und einer automatischen Ausrüstung, um das Hantieren der Scheiben durch das System zu automatisieren.
  • Die gegenwärtige Erfindung wird nun beispielhaft mit Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben, wobei:
  • Fig. 1 ein Schnitt durch eine eine einzige Station aufweisende Vorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist;
  • Fig. 2 eine vergrößerte Schnittansicht der Elemente in Kontakt mit einer Scheibe bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist;
  • Fig. 3 eine Schnittansicht eines Klemmrings in Kontakt mit einer Scheibe ist, um zu illustrieren, wie ein Schlitz gebildet wird;
  • Fig. 4 eine schematische Ansicht eines alternativen bevorzugten Ausführungsbeispiels mit einem Drehturm und einer Vakuumschleuse ist; und
  • Fig. 5 eine vergrößerte Schnittansicht ähnlich der von Fig. 2 ist, die Kontaktknöpfe zeigt, die an den flexiblen Scheibenträgern angebracht sind.
  • Bezug nehmend auf die Zeichnungen, Fig. 1 ist eine Vorderschnittansicht einer eine einzige Station aufweisenden CVD- Beschichtungsvorrichtung 11 gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Der Hauptkörper der CVD-Kammer ist ein speziell maschinell bearbeiteter Aluminiumblock 13 mit einer Eingangsöffnung zum Laden von Scheiben, mehrere Öffnungen für analytische Meßinstrumente und Durchgänge für Vakuumpumpen der Verfahrensgase.
  • Das maschinelle Bearbeiten des Körpers 13 liefert einen mittleren Turm 17 mit einer Aufbringungsschulter und einem Paßelement für einen Tragering 19, der durch mit Gewinde versehene Bolzen 21 in einer Kreisforrn an Ort und Stelle gehalten wird. Der Tragering 19 trägt flexible Scheibenträger, wie die Träger 23 und 25, die kreisförmig angeordnet sind, um eine Scheibe 27 während des Bearbeitens zu tragen. Bei der bevorzugten Ausführungsform sind die Scheibenträger Blattfederelemente mit einem kleinen Kontaktbereich zum Berühren der Scheibe.
  • Ein entfernbarer Klemmring 29 kann angehoben werden, um einer Scheibe zu ermöglichen, auf den Trägern plaziert zu werden. Der Klemmring wird dann auf eine geladene Scheibe zubewegt, wobei er die Scheibe mit Kontaktpolstern berührt und einen Schlitz mit steuerbarer Breite überall sonst um den Umfang der Scheibe liefert. Drei Kontaktpunkte durch drei Polster ist ideal, da drei Punkte eine Ebene definieren und eine minimale Anzahl an Kontaktpunkten bevorzugt ist, aber mehr als drei Punkte können auch verwendet werden. Der Tragering kann gekühlt werden unter Verwendung eines Kühlmittels, das in einem Kanal in dem Ring geführt wird, mit einer geeigneten Temperatur.
  • Eine Heizplatte 31, die im wesentlichen konzentrisch zu dem Tragering 19 und der Scheibe 27 getragen wird, inkorporiert einen pyrolytischen Graphiterhitzer 33, der über eine abgedichtete elektrische Zuleitung 35 mit Strom versorgt wird. Ein Abstand zum Anbringen von Zuleitungen und Verbindungen wird durch eine Kavität 37 in dem Körper 13 bereitgestellt. Die Kavität 37 ist an radialen Durchgängen für Verbindungen zu dem Ausgang offen.
  • Ein inertes Gas, Argon bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel, wird durch eine Einlaßarmatur 41 in eine Kavität 43 hinter der Heizplatte 31 zugeführt, wo es um die Heizplatte zu der Kavität 45 hinter der Scheibe fließt. Der Zweck dieses Gasflusses ist, Beschichtungsgase davon abzuhalten, hinter die Scheibe zu diffundieren, wo sie zu einer Beschichtung des Materials auf der Rückseite und der Kante der Scheibe führen könnten. Das Gas wird Ausblasgas genannt, da es die Beschichtungsgase von der Rückseite der Scheibe wegbläst.
  • Mit dem Klemmring 29 gegen die Scheibe 27, wodurch die flexiblen Scheibenträger 23 heruntergedrückt werden, kontaktiert der Klemmring 29 den Körper 13 längs eines geschlossenen Kreises auf der Fläche 47. Dann ist kein Weg für Ausblasgas vorhanden, von hinter der Scheibe in die Bearbeitungskammer zu entweichen, außer durch die enge Durchführung zwischen dem Klemmring und der Scheibe um den Scheibenumf ang herum.
  • Bei der bevorzugten Ausführungsform werden verschiedene Arten von Instrumenten innerhalb der Kavität 37 angebracht, um Messungen zum Experimentieren und zur Steuerung aufzunehmen.
  • Ein Deckelgußteil 61 ist auf das offene Ende des Körpers 13 aufgebracht und durch eine O-Ringdichtung 63 bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel abgedichtet. Die Anbringungsbefestigungsteile sind herkömmliche Befestigungsteile, die nicht gezeigt sind. Gaszuführungen 65 und 67 sind zum Zuführen von Beschichtungsgasen in das Bearbeitungskammervolumen während des Verfahrens vorhanden, und eine Ablenkplatte 69 hilft dabei, die Beschichtungsgase gleichmäßig zu verteilen, während sie in das Beschichtungskammervolumen fließen.
  • Eine Öffnung 71 in der Beschichtungskammer dient dem Eingang einer Robotortransfervorrichtung, die nicht gezeigt ist und eine zu beschichtende Scheibe von außerhalb der Beschichtungskammer in die Kammer trägt und die Scheibe auf den flexiblen Scheibenträgern plaziert, während der Klemmring zurückgezogen ist. Dieselbe Robotorvorrichtung entfernt eine beschichtete Scheibe von den Trägern und trägt sie durch die Öffnung aus der Beschichtungskammer heraus, wenn das Bearbeiten abgeschlossen ist. Bei einer alternativen bevorzugten Ausführungsform ist an der Öffnung 71 eine separate Vakuumschleusenkammer angebracht an die Beschichtungskammer mit einem Ventil, um die Öffnung während des Verfahrens zu schließen, und einer separaten Ventil- und Pumpvorrichtung, die nicht gezeigt ist, so daß die Schleusenkammer auf Vakuum- und Atmosphärendruck getrennt von der Beschichtungskammer zirkuliert werden kann. Dies ermöglicht den Scheiben, in die Vakuumschleuse hinein und aus derselben herausgeladen zu werden, und der Vakuumschleuse, mit Vakuumdruck zirkuliert zu werden, während eine Scheibe bearbeitet wird in der Beschichtungskammer. Solche Be-/Entladungsschleusenkammern sind gut bekannt im Stand der Technik.
  • Die Durchführung 73 ist eine Pumpendurchführung in der bevorzugten Ausführungsform. Eine Rohrverzweigungsschweißkonstruktion 75 hat eine passende Durchführung 77, und einen O-Ring 79 mit eine Dichtung, wo die Durchführungen sich treffen. Typischerweise wird mehr als eine Pumpdurchführung verwendet. Die Pumpdurchführungen führen zu einer Zentraldurchführung 81 in der Rohrverzweigung. Ein Vakuumventil 83 führt zu einer Turbomolekularvakuumpumpe 85. Es gibt andere Vakuumventile und Grobpumpen, nicht gezeigt, wie es für Systeme mit einer einzigen Station in dem Stand der Technik bekannt ist.
  • Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist der Klemmring 29 drehbar wie ein Scharnier nahe einer Seite des Beschichtungskammervolumens, nicht in Fig. 1 zu sehen, und mittels einer ferrofluidischen gedichteten mechanischen Bewegungsvorrichtung bewegbar. Dies ist nur einer von vielen Wegen, wie der Klemmring bewegt werden kann, und viele andere Wege sind im Stand der Technik bekannt.
  • Im Betrieb, angenommen keine Scheibe ist in der Bearbeitungskammer und in der Bearbeitungskammer herrscht Vakuum, findet ein typischer Beschichtungsbetrieb wie folgt statt: der Klemmring 29 wird von dem Lagerblock 17 entfernt, wodurch Raum für einen Robotorhantierer geliefert wird, um eine Scheibe zu plazieren. Als nächstes wird die Scheibe auf die flexiblen Scheibenträger plaziert und der Klemmring wird so lange bewegt, bis er den Lagerblock kontaktiert. Der Kontakt des Klemmrings mit der Scheibe liefert einen Schlitz von steuerbarer Breite auf der Vorderseite um den Umfang der Scheibe, wie oben beschrieben.
  • Danach wird aus Ausblasgas in die Kavität unter der Scheibe eingefügt und entweicht durch den Schlitz mit gesteuerte Höhe. Die Aufwärmleistung wird während dieser Sequenz gesteuert, um die gewünschte Scheibentemperatur zu erhalten. Wenn die Scheibentemperatur korrekt ist, was abhängig von Verfahrensspezifikationen variiert, werden Beschichtungsgase in die Kammer eingeführt und Material auf der Vorderseite der Scheibe abgesetzt. Die beschriebene Sequenz ist typisch und kann in einem gewissen Ausmaß variieren. Beispielsweise kann die Wärmleistung aus verschiedenen Gründen verändert werden, oder das Ausblasgas kann während des Beladens kontinuierlich vorhanden sein. Es gibt viele andere Veränderungen, die gemacht werden können, um das Beschichten einer Scheibe in der beschriebenen bevorzugten Ausführungsform, und in anderen Ausführungsformen der Erfindung, zu erreichen.
  • Fig. 2 ist eine Teilquerschnittsansicht entlang einer radialen Linie durch eine Seite des Lagerblocks, der Aufwärmplatte, des Stützrings und einer Scheibe, in einer Skala, die größer als die von Fig. 1 ist, um besser die Beziehung zwischen einigen der Elemente illustrieren zu können. Die Scheibe 27 ist gezeigt, wie sie von einem flexiblen Scheibenträger 25 getragen wird. Der Klemmring 29 weist drei Kontaktpolster zum Kontaktieren der Scheibe 27 auf, und ein Polster 87 ist gezeigt. Der Klemmring hat auch einen Wasserkanal 89 zum Kühlen des Ringes während der Bearbeitung.
  • Der Anbringungsring 19 ruht in einer Schulter 95, die in dem Körper zu diesem zweck maschinell hergestellt worden ist, und wird durch herkömmliche Befestigungsmittel 21 an Ort und Stelle gehalten.
  • Die Heizplatte 31 mit dem pyrolytischen Graphitheizer 33 ist getrennt von der unteren Wand des Körpers 13 durch zylindrische Abstandshalter 99 in dem bevorzugten Ausführungsbeispiel gehalten.
  • Wenn Ausblasgas zu der Rückseite der Scheibe geführt wird und aus dem gesteuerten Schlitz herausfließt, wird Ausblasgas hinter der Scheibe mit einem höheren Druck gehalten, als der gesamte Druck der Beschichtungsgase. Diese Druckdifferenz ist erforderlich, um sicherzustellen, daß das Ausblasgas aus dem gesteuerten Schlitz in die Bearbeitungskammer ausfließt, wodurch Beschichtungsgase davon abgehalten werden, durch den Schlitz in die Kavität unter der Scheibe zu fließen. In der Praxis ist festgestellt worden, daß eine Schlitzhöhe von 0,127 mm (0,005 Inch) und ein Argonausblasgasfluß von 10 sccm einen exzellenten Schutz vor Kanten- und Rückseitenablagerung für silanreduzierte selektive Wolframablagerung liefert. Andere Verfahren, wie wasserstoffreduzierte Deckwolframablagerung, können eine kleinere Schlitzhöhe oder einen niedrigeren Ausblasgasfluß benötigen, um vor Diffusion von Beschichtungsgasen hinter die Scheibe zu schützen. Dies hängt von der Verfahrenschemie, dem Verfahrensdruck und anderen Charakteristiken ab.
  • Der Abstand D1 beträgt bei der bevorzugten Ausführungsform ungefähr 12,7 mm (0,5 Inch) und liefert eine Abstand zum Anbringen der Scheibenträger. Es ist festgestellt worden, daß irgendein Abstand, genauso groß oder größer als 10 mal die mittlere freie Weglänge des Ausblasgases bei dem Betriebsdruck des Ausblasgases adäquat für diesen Zweck der Wärmeübertragung ist.
  • Fig. 3 ist eine perspektivische Ansicht des Klemmrings 29, um besser die Geometrie zu illustrieren, die einen einstellbaren Schlitz zwischen dem Klemmring und der Scheibe liefert. Ein Bereich des Klemmrings 29 ist in Kontakt mit der Scheibe 27 über zwei der Kontaktpolster, 87 und 93 sind gezeigt, gezeigt. Der Klemmring weist einen Lippenbereich 103 mit einer Breite D2 auf, der eine Fläche parallel zu der Scheibe überall, außer an den Kontaktpolstern, bildet. Die Weite D2 des Lippenbereichs beträgt ungefähr 1 mm, und die Höhe D3 jedes Kontaktpolsters beträgt ungefähr 0,127 mm (0,005 Inch). Die Höhe der Kontaktpolster kann durch Verändern des Klemmrings eingestellt werden, so daß verschiedene Höhen für verschiedene Verfahren verwendet werden können. Wenn der Klemmring in Kontakt mit der Scheibe ist, existiert ein eingestellter Schlitz von 0,127 mm Höhe fast über den kompletten Umkreis der Scheibe. Ausblasgas, das zu der Rückseite der Scheibe geliefert wird, dringt durch diesen Schlitz hindurch.
  • Die gegenwärtige Erfindung ist brauchbar für bekannte CVD-Verfahren, wie Abdeckwolfram, Selektivwolfram und andere, und der Ausblasgasfluß kann eingestellt werden, um Verfahren mit irgendeinem Druck von unterhalb von 0,13 Pa (1 m Torr) bis Atmosphärendruck zu versorgen. Um Beschichtungsgase davon abzuhalten, durch den Schlitz zu der Kante und Rückseite einer Scheibe im Verfahren zu diffundieren, ist es wichtig, daß die Schlitzhöhe (D3 in Fig. 3) in Kombination mit dem Ausblasgasfluß einen Impuls (Masse mal Geschwindigkeit) an Ausblasgas in dem Schlitz liefert, der größer als der Impuls des Beschichtungsgases ist, das in entgegengesetzte Richtung diffundiert. Je größer der Differentialdruck ist, desto effektiver wird das Beschichtungsgas von der Scheibenrückseite ausgeschlossen. Jedoch, wenn der Druckunterschied zu groß ist, kann das Ausblasgas in die Beschichtungsgase einspritzen und die Gasflußdynamiken für die Ablagerung durcheinanderbringen, was zu einer ungleichmäßigen Beschichtung, insbesondere um die Kante der Scheibe nahe dem Schlitz, führen kann. Für verschiedene Verfahren mit verschiedenen Drücken wird ein geeigneter Fluß und ein geeignetes Druckdifferential experimentell gefunden durch stufenweises Erhöhen des Ausblasgasflusses, während die Schlitzhöhe gleichgehalten wird, bis ein Kanten- und Rückseitenbeschichten unterdrückt wird, während die Beschichtungsdynamiken nicht durcheinandergebracht werden. Wenn die Beschichtungsdynamiken durcheinandergebracht werden, bevor eine Kanten- und Rückseitenbeschichtung unterdrückt wird, kann die Schlitzhöhe verändert und die Experimente wiederholt werden. Auf diese Weise kann eine optimale Schlitzhöhe und ein optimaler Ausblasgasfluß für jede Verfahrensbedigung erreicht werden. Für Selektrivwolframablager in der aus einer einzigen Station bestehenden Beschichtungsvorrichtung des bevorzugten Ausführungsbeispiels wurde eine Schlitzhöhe von ungefähr 0,127 mm und ein Ausblasgasfluß von ungefähr 10 sccm als zufriedenstellend aufgefunden.
  • Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel, wie oben beschrieben, ist die Beschichtungsvorrichtung der Erfindung eine eine einzige Station aufweisende Vorrichtung, die eine Scheibe pro Arbeitszyklus beschichtet. Es ist jedoch nicht notwendig, daß die Vorrichtung eine aus einer einzigen Station bestehende Kammer ist. Die Anordnung der Erfindung kann auch mit Systemen verwendet werden, die mehr als eine Station aufweisen, so daß mehr als eine Scheibe pro Arbeitszyklus beschichtet werden kann.
  • Fig. 4 ist eine schematische Draufsicht auf ein Beschichtungssystem mit sechs Stationen, wobei jede Station ähnlich der für die eine einzige Station aufweisende Vorrichtung, die in dem bevorzugten Ausführungsbeispiel beschrieben worden ist, ist.
  • In Fig. 4 weist eine Kammer 105 einen Drehturm mit sechs Einzelstationsbeschichtungspositionen 107, 109, 111, 113, 115 und 117 auf. Jede hat einen Erhitzer, Trageblöcke, einen entfernbaren Klemmring usw., ähnlich wie für die eine einzige Station aufweisende Vorrichtung, die oben beschrieben ist. Mehrzweckverbindungen zu einem Zentralturm 119 mit geeigneten Drehdurchführungen sind im Stand der Technik zum Übertragen einer notwendigen Bewegung und Leistung über die Kammerabdeckung bekannt.
  • Die Kammer 105 ist mit einem Vakuumventil 121 zu einer Vakuumschleusenkammer 123 verbunden, so daß ein Robotormechanismus (nicht gezeigt) Scheiben in die Kammer 105 hinein und aus derselben heraus transferieren kann, wenn das Ventil 121 offen ist. Die Vakuumschleusenkammer weist eine andere mit einem Ventil versehene Öffnung (nicht gezeigt) auf, so daß Scheiben von außerhalb des Systems hineingelassen werden können, wenn die Vakuumschleuse belüftet ist. Die Vakuumschleuse weist einen Mechanismus auf, der es ermöglicht, daß sechs Scheiben von außen für jeden Beschichtungszyklus geladen werden können.
  • Im Betrieb, mit dem Ventil 121 offen und Vakuum in der Vakuumschleuse, wird eine Scheibe auf die Station 115 geladen, dann wird der Turm um 60º weitergedreht, um eine andere Station zu der Vakuumschleuse auszurichten. Während eine Station benachbart zu der Vakuumschleuse ist, wird der Klemmring für diese Station angehoben, um eine Scheibe hineinzulassen, und dann wird er heruntergelassen, nachdem sich die Greif- und Plazier- Vorrichtung zurückgezogen hat. Der Turm kann in beide Richtungen bewegt werden.
  • Das Beladungsverfahren wird solange wiederholt, bis die sechs Stationen beladen sind, dann wird das Ventil 121 geschlossen. Ausblasgas wird hineingelassen, Verfahrensgase werden hineingelassen, Wärme wird an die Scheiben angelegt, und so weiter, um das CVD-Bearbeiten zu erreichen. Während der Bearbeitungszeit können Scheiben aus der Vakuumschleuse entfernt und neue Scheiben geladen werden, wonach die Vakuumschleuse ausgepumpt wird. Wenn Bearbeiten durchgeführt worden ist, werden die Scheiben entladen, eine nach der anderen, in die Vakuumschleuse, und neue Scheiben werden eingeladen.
  • Die Schematik von Fig. 4 ist nur eine von vielen Variationen, die verwendet werden kann, um das Bearbeiten von mehr als einer Scheibe zu einem Zeitpunkt zu erreichen, während die Vorrichtung der Erfindung verwendet wird.
  • Bei einer alternativen bevorzugten Ausführungsform sind die flexiblen Scheibenträger nicht Blattfedern wie die für die erste bevorzugte Ausführungsform beschriebenen Federn, sondern haben einen Isolationsknopf, um die Metallfeder von der Scheibe zu isolieren. Fig. 5 zeigt einen solchen flexiblen Scheibenträger 125 in Beziehung zu einer Scheibe 27. Bei diesem Ausführungsbeispiel umfaßt der Scheibenträger eine Blattfeder 127, einen Stift 129 und einen Keramikknopf 131. Es gibt andere Materialien, die verwendet werden können für den Knopf, wie Quarz.
  • Es können viele Veränderungen der Vorrichtung der Erfindung durchgeführt werden. Einige sind bereits beschrieben worden, wie das Einstellen der Schlitzhöhe, um an die Verfahrensbedingungen angepaßt zu sein. Eine eine einzige Station aufweisende Vorrichtung ist für Scheiben mit einem Durchmesser zwischen 100 und 150 mm getestet worden. Die Vorrichtung ist dazu fähig, Scheiben mit einem Durchmesser von 200 mm oder selbst mehr aufzunehmen. Es gibt auch eine Anzahl von Materialauswahlmöglichkeiten für verschiedene Elemente der bevorzugten Ausführungsform. Beispielsweise sind einige Materialien geeignet für die flexiblen Träger mit der Forderung, daß sie dazu fähig sind, den Federbetrieb bei den Temperaturen, die die Materialien während des Bearbeitens erfahren, aufrechtzuerhalten. Als ein anderes Beispiel kann der Klemmring aus Quarz oder Aluminiumoxyd hergestellt sein, um besser kompatibel zu Selektivwolfram zu sein. Als ein anderes Beispiel können die Stützteile innerhalb des Entleerraums und anderswo in der Bearbeitungskammer aus Nickel oder Monel gemacht sein, wenn NF3- Plasmen in einem Verfahren verwendet werden sollen.

Claims (9)

1. Vorrichtung (11) zum Verhindern des Beschichtens auf dem Vorderseitenumkreis, der Kante und der Rückseite einer Scheibe (27) während des Bearbeitens in einer CVD-Kammer, umfassend:
ein Haltemittel (19, 23, 25) zum Halten der Scheibe (27) während des Bearbeitens;
ein Entleerraummittel (29) zum Bilden eines Schlitzes mit der Vorderseite der Scheibe um den Umkreis derselben, um einen Entleerraum (45) um die Scheibe herum, isoliert von der CVD- Kammer, mit Ausnahme des Schlitzes, die eine Öffnung aufweist, die den Rest der Vorderseite der Scheibe der CVD-Kammer aussetzt, zu bilden; und
ein Ausblasgaseinlaßmittel (41) zum Zuführen eines Ausblasgases in den Entleerraum (45), um durch den Schlitz von dem Entleerraum in die CVD-Kammer zu fließen und der Diffusion von Beschichtungsgas von der CVD-Kammer zu dem Vorderseitenumkreis, der Kante und der Rückseite der Scheibe entgegenzuwirken.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Haltemittel flexible Träger in (23, 25) zum Kontaktieren der Scheibe an Punkten auf der Rückseite der Scheibe umfaßt.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Entleerraummittel einen entfernbaren Klemmring (29) aufweist, der eine erste Fläche zum Anordnen räumlich getrennt von der Vorderseite der Scheibe um den Umkreis der Scheibe aufweist, wodurch ein Schlitz gebildet wird, und eine zweite Fläche zum kontinuierlichen Kontaktieren einer Fläche (47) der Innenseite der Kammer aufweist, wodurch der Entleerraum (45) gebildet wird.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der bewegbare Klemmring (29) Verlängerungen (87, 93) von der ersten Fläche in Richtung der Scheibe zum Kontaktieren der Scheibe und Drängen der Scheibe gegen die flexiblen Träger (23, 25) aufweist, wobei die Länge der Verlängerungen die Tiefe des Schlitzes definiert.
5. System zum Durchführen eines CVD-Prozesses umfassend eine Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4 und eine CVD-Kammer zum Enthalten von Beschichtungsgasen, in der der Prozeß durchgeführt wird;
Beschichtungsgaszufuhrmittel (65, 67, 69) zum Zuführen von Beschichtungsgasen zu der Kammer; und
Aufwärmmittel (31, 33) zum Erhitzen einer Scheibe (27) während des CVD-Prozesses.
6. System nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch eine Vielzahl von Tragemitteln und Entleerraummitteln (107, 109, 111, 113, 115, 117), die dem Bearbeiten einer Vielzahl von Scheiben in einem einzigen CVD-Beschichtungszyklus dienen.
7. System nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch Lade-Verschluß-Mittel (12, 123) zum Laden und Entfernen von Scheiben ohne Belüften der CVD-Kammer.
8. Verfahren zum Verhindern einer Vorderseitenumkreis-, Kanten- und Rückseitenbeschichtung auf einer Scheibe während einer CVD-Bearbeitung in einer CVD-Kammer, umfassend die folgenden Schritte:
Plazieren einer Scheibe (27) auf einem Scheibenträger (19, 23, 25) in der CVD-Kammer vor dem Starten der CVD-Bearbeitung; Umgeben der Scheibe mit einem Entleerraummittel (29), das einen Schlitz mit der Vorderseite der Scheibe um den Umkreis derselben bildet, wodurch ein Entleerraum (45) um die Scheibe herumisoliert von der CVD-Kammer, mit der Ausnahme des Schlitzes, ausgebildet wird, wobei das Entleerraummittel eine Öffnung aufweist, die den Rest der Vorderseite der Scheibe der CVD-Kammer aussetzt; und
Zuführen von Ausblasgas in den Entleerraum, um durch den Schlitz von dem Entleerraum in die CVD-Kammer zu fließen und Diffusion von Beschichtungsgas von der CVD-Kammer zu dem Vorderseitenumkreis, der Kante und der Rückseite der Scheibe entgegenzuwirken.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Impuls des Ausblasgases, das durch den Schlitz in die CVD-Kammer während des Bearbeitens fließt, größer als der Impuls des Beschichtungsgases ist, das von der CVD-Kammer in den Schlitz in Richtung des Entleerraums diffundiert.
DE69118085T 1990-10-12 1991-10-10 Differentialdruck-Haltungssystem für CVD-Anlage Expired - Fee Related DE69118085T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/596,512 US5094885A (en) 1990-10-12 1990-10-12 Differential pressure cvd chuck

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69118085D1 DE69118085D1 (de) 1996-04-25
DE69118085T2 true DE69118085T2 (de) 1996-10-02

Family

ID=24387594

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69118085T Expired - Fee Related DE69118085T2 (de) 1990-10-12 1991-10-10 Differentialdruck-Haltungssystem für CVD-Anlage

Country Status (4)

Country Link
US (2) US5094885A (de)
EP (1) EP0480735B1 (de)
JP (1) JPH06342760A (de)
DE (1) DE69118085T2 (de)

Families Citing this family (102)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5871811A (en) * 1986-12-19 1999-02-16 Applied Materials, Inc. Method for protecting against deposition on a selected region of a substrate
US5094885A (en) * 1990-10-12 1992-03-10 Genus, Inc. Differential pressure cvd chuck
US5447570A (en) * 1990-04-23 1995-09-05 Genus, Inc. Purge gas in wafer coating area selection
US5133284A (en) * 1990-07-16 1992-07-28 National Semiconductor Corp. Gas-based backside protection during substrate processing
US5843233A (en) * 1990-07-16 1998-12-01 Novellus Systems, Inc. Exclusion guard and gas-based substrate protection for chemical vapor deposition apparatus
US5578532A (en) * 1990-07-16 1996-11-26 Novellus Systems, Inc. Wafer surface protection in a gas deposition process
US5230741A (en) * 1990-07-16 1993-07-27 Novellus Systems, Inc. Gas-based backside protection during substrate processing
US5620525A (en) * 1990-07-16 1997-04-15 Novellus Systems, Inc. Apparatus for supporting a substrate and introducing gas flow doximate to an edge of the substrate
US5200232A (en) * 1990-12-11 1993-04-06 Lam Research Corporation Reaction chamber design and method to minimize particle generation in chemical vapor deposition reactors
JPH04370924A (ja) * 1991-06-20 1992-12-24 Fujitsu Ltd Cvd装置
DE9206635U1 (de) * 1992-05-15 1992-09-10 Balzers und Leybold Deutschland Holding AG, 63450 Hanau Vorrichtung zum Halten von Substraten
US5534072A (en) * 1992-06-24 1996-07-09 Anelva Corporation Integrated module multi-chamber CVD processing system and its method for processing subtrates
JP2603909B2 (ja) * 1992-06-24 1997-04-23 アネルバ株式会社 Cvd装置、マルチチャンバ方式cvd装置及びその基板処理方法
JP3154197B2 (ja) * 1992-06-29 2001-04-09 ソニー株式会社 成膜装置
US5459546A (en) * 1992-08-28 1995-10-17 Penn; Randy J. Method and apparatus for accurate alignment of semiconductor wafers in photo printers
US5589224A (en) * 1992-09-30 1996-12-31 Applied Materials, Inc. Apparatus for full wafer deposition
JP3566740B2 (ja) * 1992-09-30 2004-09-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 全ウエハデポジション用装置
US5421893A (en) * 1993-02-26 1995-06-06 Applied Materials, Inc. Susceptor drive and wafer displacement mechanism
US6123864A (en) 1993-06-02 2000-09-26 Applied Materials, Inc. Etch chamber
JPH0799162A (ja) * 1993-06-21 1995-04-11 Hitachi Ltd Cvdリアクタ装置
JP3165938B2 (ja) * 1993-06-24 2001-05-14 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置
US5421401A (en) * 1994-01-25 1995-06-06 Applied Materials, Inc. Compound clamp ring for semiconductor wafers
US5822171A (en) * 1994-02-22 1998-10-13 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with improved erosion resistance
US5888304A (en) * 1996-04-02 1999-03-30 Applied Materials, Inc. Heater with shadow ring and purge above wafer surface
US6033480A (en) * 1994-02-23 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Wafer edge deposition elimination
US5476549A (en) * 1995-01-24 1995-12-19 Cvd, Inc. Process for an improved laminate of ZnSe and ZnS
JP2701767B2 (ja) * 1995-01-27 1998-01-21 日本電気株式会社 気相成長装置
JPH08302474A (ja) * 1995-04-28 1996-11-19 Anelva Corp Cvd装置の加熱装置
US6086680A (en) * 1995-08-22 2000-07-11 Asm America, Inc. Low-mass susceptor
US5635244A (en) * 1995-08-28 1997-06-03 Lsi Logic Corporation Method of forming a layer of material on a wafer
US6113702A (en) * 1995-09-01 2000-09-05 Asm America, Inc. Wafer support system
US6053982A (en) * 1995-09-01 2000-04-25 Asm America, Inc. Wafer support system
US5796074A (en) * 1995-11-28 1998-08-18 Applied Materials, Inc. Wafer heater assembly
US6046439A (en) * 1996-06-17 2000-04-04 Mattson Technology, Inc. System and method for thermal processing of a semiconductor substrate
TW358964B (en) * 1996-11-21 1999-05-21 Applied Materials Inc Method and apparatus for improving sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma
WO1998029704A1 (en) * 1997-01-02 1998-07-09 Cvc Products, Inc. Thermally conductive chuck for vacuum processor
JPH10284360A (ja) 1997-04-02 1998-10-23 Hitachi Ltd 基板温度制御装置及び方法
US6153260A (en) * 1997-04-11 2000-11-28 Applied Materials, Inc. Method for heating exhaust gas in a substrate reactor
JPH10303288A (ja) * 1997-04-26 1998-11-13 Anelva Corp プラズマ処理装置用基板ホルダー
US6042700A (en) * 1997-09-15 2000-03-28 Applied Materials, Inc. Adjustment of deposition uniformity in an inductively coupled plasma source
US6023038A (en) * 1997-09-16 2000-02-08 Applied Materials, Inc. Resistive heating of powered coil to reduce transient heating/start up effects multiple loadlock system
US6138745A (en) 1997-09-26 2000-10-31 Cvc Products, Inc. Two-stage sealing system for thermally conductive chuck
WO1999023691A2 (en) 1997-11-03 1999-05-14 Asm America, Inc. Improved low mass wafer support system
US6073576A (en) * 1997-11-25 2000-06-13 Cvc Products, Inc. Substrate edge seal and clamp for low-pressure processing equipment
US6210483B1 (en) 1997-12-02 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Anti-notch thinning heater
US6511543B1 (en) * 1997-12-23 2003-01-28 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Holding device
WO1999049101A1 (en) * 1998-03-23 1999-09-30 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for cvd and thermal processing of semiconductor substrates
US6179924B1 (en) 1998-04-28 2001-01-30 Applied Materials, Inc. Heater for use in substrate processing apparatus to deposit tungsten
US6161311A (en) * 1998-07-10 2000-12-19 Asm America, Inc. System and method for reducing particles in epitaxial reactors
JP3298001B2 (ja) * 1998-07-27 2002-07-02 株式会社スーパーシリコン研究所 エピタキシャル成長炉
US6217034B1 (en) 1998-09-24 2001-04-17 Kla-Tencor Corporation Edge handling wafer chuck
JP4317608B2 (ja) * 1999-01-18 2009-08-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US6464795B1 (en) 1999-05-21 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Substrate support member for a processing chamber
US6436303B1 (en) 1999-07-21 2002-08-20 Applied Materials, Inc. Film removal employing a remote plasma source
US6466426B1 (en) * 1999-08-03 2002-10-15 Applied Materials Inc. Method and apparatus for thermal control of a semiconductor substrate
US6176931B1 (en) 1999-10-29 2001-01-23 International Business Machines Corporation Wafer clamp ring for use in an ionized physical vapor deposition apparatus
JP4422295B2 (ja) 2000-05-17 2010-02-24 キヤノンアネルバ株式会社 Cvd装置
US6726955B1 (en) * 2000-06-27 2004-04-27 Applied Materials, Inc. Method of controlling the crystal structure of polycrystalline silicon
US6652655B1 (en) 2000-07-07 2003-11-25 Applied Materials, Inc. Method to isolate multi zone heater from atmosphere
US6521292B1 (en) * 2000-08-04 2003-02-18 Applied Materials, Inc. Substrate support including purge ring having inner edge aligned to wafer edge
US6793766B2 (en) * 2001-01-04 2004-09-21 Applied Materials Inc. Apparatus having platforms positioned for precise centering of semiconductor wafers during processing
US6709721B2 (en) 2001-03-28 2004-03-23 Applied Materials Inc. Purge heater design and process development for the improvement of low k film properties
KR20040070244A (ko) * 2001-12-20 2004-08-06 아이사팩 홀딩 에스에이 플라즈마 증착에 의한 대상물 처리장치
US6730175B2 (en) 2002-01-22 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Ceramic substrate support
US6866746B2 (en) * 2002-01-26 2005-03-15 Applied Materials, Inc. Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support
US20030168174A1 (en) 2002-03-08 2003-09-11 Foree Michael Todd Gas cushion susceptor system
US6776849B2 (en) * 2002-03-15 2004-08-17 Asm America, Inc. Wafer holder with peripheral lift ring
DE10232731A1 (de) * 2002-07-19 2004-02-05 Aixtron Ag Be- und Entladevorrichtung für eine Beschichtungseinrichtung
US7704327B2 (en) * 2002-09-30 2010-04-27 Applied Materials, Inc. High temperature anneal with improved substrate support
US20050170314A1 (en) * 2002-11-27 2005-08-04 Richard Golden Dental pliers design with offsetting jaw and pad elements for assisting in removing upper and lower teeth and method for removing teeth utilizing the dental plier design
US20040244949A1 (en) * 2003-05-30 2004-12-09 Tokyo Electron Limited Temperature controlled shield ring
US7129731B2 (en) * 2003-09-02 2006-10-31 Thermal Corp. Heat pipe with chilled liquid condenser system for burn-in testing
US20050067146A1 (en) * 2003-09-02 2005-03-31 Thayer John Gilbert Two phase cooling system method for burn-in testing
US20050067147A1 (en) * 2003-09-02 2005-03-31 Thayer John Gilbert Loop thermosyphon for cooling semiconductors during burn-in testing
US7013956B2 (en) * 2003-09-02 2006-03-21 Thermal Corp. Heat pipe evaporator with porous valve
US7049606B2 (en) * 2003-10-30 2006-05-23 Applied Materials, Inc. Electron beam treatment apparatus
WO2005081283A2 (en) * 2004-02-13 2005-09-01 Asm America, Inc. Substrate support system for reduced autodoping and backside deposition
JP2006179770A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Watanabe Shoko:Kk 基板表面処理装置
US7576018B2 (en) * 2007-03-12 2009-08-18 Tokyo Electron Limited Method for flexing a substrate during processing
US8092606B2 (en) 2007-12-18 2012-01-10 Asm Genitech Korea Ltd. Deposition apparatus
US8662008B2 (en) * 2008-02-07 2014-03-04 Sunpower Corporation Edge coating apparatus for solar cell substrates
US8322300B2 (en) * 2008-02-07 2012-12-04 Sunpower Corporation Edge coating apparatus with movable roller applicator for solar cell substrates
US8409355B2 (en) * 2008-04-24 2013-04-02 Applied Materials, Inc. Low profile process kit
US20090280248A1 (en) * 2008-05-06 2009-11-12 Asm America, Inc. Porous substrate holder with thinned portions
US8801857B2 (en) 2008-10-31 2014-08-12 Asm America, Inc. Self-centering susceptor ring assembly
US9176186B2 (en) 2009-08-25 2015-11-03 Translarity, Inc. Maintaining a wafer/wafer translator pair in an attached state free of a gasket disposed
US8362797B2 (en) * 2009-08-25 2013-01-29 Advanced Inquiry Systems, Inc. Maintaining a wafer/wafer translator pair in an attached state free of a gasket disposed therebetween
JP5359698B2 (ja) * 2009-08-31 2013-12-04 豊田合成株式会社 化合物半導体の製造装置、化合物半導体の製造方法及び化合物半導体
CN102714146A (zh) 2009-12-31 2012-10-03 应用材料公司 用以修改晶圆边缘与斜面沉积的遮蔽环
JP5832173B2 (ja) * 2011-07-11 2015-12-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置および気相成長方法
US8826857B2 (en) * 2011-11-21 2014-09-09 Lam Research Corporation Plasma processing assemblies including hinge assemblies
DE102014014070A1 (de) * 2014-09-29 2016-03-31 Forschungszentrum Jülich GmbH Vorrichtung zum geregelten Wärmeübergang auf und von einem Bauteil
DE102016223782A1 (de) * 2016-11-30 2018-05-30 Leybold Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Vakuumpumpensystems
US11802340B2 (en) * 2016-12-12 2023-10-31 Applied Materials, Inc. UHV in-situ cryo-cool chamber
JP7045635B2 (ja) * 2017-08-30 2022-04-01 パナソニックIpマネジメント株式会社 プラズマ処理装置及び方法
USD914620S1 (en) 2019-01-17 2021-03-30 Asm Ip Holding B.V. Vented susceptor
US11961756B2 (en) 2019-01-17 2024-04-16 Asm Ip Holding B.V. Vented susceptor
USD920936S1 (en) 2019-01-17 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Higher temperature vented susceptor
US11404302B2 (en) 2019-05-22 2022-08-02 Asm Ip Holding B.V. Substrate susceptor using edge purging
US11764101B2 (en) 2019-10-24 2023-09-19 ASM IP Holding, B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing
CN112885738B (zh) * 2020-09-03 2024-02-23 天虹科技股份有限公司 晶片固定机构及使用该晶片固定机构的晶片预清洁机台
USD1031676S1 (en) 2020-12-04 2024-06-18 Asm Ip Holding B.V. Combined susceptor, support, and lift system

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE7710800L (sv) * 1976-10-05 1978-04-06 Western Electric Co Forfarande for astadkommande av ett epitaxiellt skikt pa ett substrat
US4261762A (en) * 1979-09-14 1981-04-14 Eaton Corporation Method for conducting heat to or from an article being treated under vacuum
WO1982001482A1 (en) * 1980-11-06 1982-05-13 Patent Versuch Censor Method and installation for the processing of the upper side of a flat part by means of a liquid
US4512391A (en) * 1982-01-29 1985-04-23 Varian Associates, Inc. Apparatus for thermal treatment of semiconductor wafers by gas conduction incorporating peripheral gas inlet
JPH0614520B2 (ja) * 1983-12-26 1994-02-23 株式会社日立製作所 低圧雰囲気内の処理装置
US4527620A (en) * 1984-05-02 1985-07-09 Varian Associates, Inc. Apparatus for controlling thermal transfer in a cyclic vacuum processing system
JPS6223102A (ja) * 1985-07-24 1987-01-31 Hitachi Ltd 分子線エピタキシ装置の基板ホルダ装置
JPH0444216Y2 (de) * 1985-10-07 1992-10-19
US4724621A (en) * 1986-04-17 1988-02-16 Varian Associates, Inc. Wafer processing chuck using slanted clamping pins
JPH0649938B2 (ja) * 1986-09-24 1994-06-29 日本真空技術株式会社 基板ホルダ
DE3633386A1 (de) * 1986-10-01 1988-04-14 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zum behandeln von substraten im vakuum
US5000113A (en) * 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
ATE208961T1 (de) * 1988-05-24 2001-11-15 Unaxis Balzers Ag Vakuumanlage
US4857142A (en) * 1988-09-22 1989-08-15 Fsi International, Inc. Method and apparatus for controlling simultaneous etching of front and back sides of wafers
JP2731855B2 (ja) * 1989-02-14 1998-03-25 アネルバ株式会社 減圧気相成長装置
US4990374A (en) * 1989-11-28 1991-02-05 Cvd Incorporated Selective area chemical vapor deposition
US5094885A (en) * 1990-10-12 1992-03-10 Genus, Inc. Differential pressure cvd chuck
EP0456372B1 (de) * 1990-04-23 1995-03-22 Genus, Inc. Peripherieabdichtung für Halbleiterplättchen durch Gasinjektion
US5230741A (en) * 1990-07-16 1993-07-27 Novellus Systems, Inc. Gas-based backside protection during substrate processing

Also Published As

Publication number Publication date
US5383971A (en) 1995-01-24
JPH06342760A (ja) 1994-12-13
EP0480735A1 (de) 1992-04-15
US5094885A (en) 1992-03-10
DE69118085D1 (de) 1996-04-25
EP0480735B1 (de) 1996-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69118085T2 (de) Differentialdruck-Haltungssystem für CVD-Anlage
DE69528217T2 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung von Substraten
DE69032189T2 (de) Peripherieabdichtung für Halbleiterplättchen und verfahren zu deren Verwendung
DE69411307T2 (de) CVD Kammer
DE3722944C2 (de) Vorrichtung zur chemischen Dampfabscheidung und ihre Verwendung
DE3047441C2 (de)
DE69530801T2 (de) Montageelement und methode zum klemmen eines flachen, dünnen und leitfähigen werkstückes
DE69031192T2 (de) CVD-Reaktor und Verfahren zu dessen Verwendung
DE69210942T2 (de) Halbleiterherstellung
DE69306783T2 (de) Reaktor zur herstellung von halbleiterplaettchen durch gasphasenabscheidung
DE69117824T2 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Substratschutz während Substratbearbeitung
DE69321954T2 (de) Methode zur behandlung von halbleiter-wafern und apparat mit kontolle des waerme- und des gasflusses
DE3317349C2 (de)
DE69323079T2 (de) Rotierende halterung als maschinenteil für die bearbeitung von halbleiterplättchen, einsetzbar bei der chemischen gasphasenabscheidung von wolfram
DE69426679T2 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Sicherstellung der Hitzeübertragung auf BZW von einem ganzen Substrat während der Bearbeitung eines Halbleiterbauteils
DE19980683C2 (de) Gestapelte Duschkopfeinheit zum Leiten von Gasen und HF-Leistung in eine Reaktionskammer
US5447570A (en) Purge gas in wafer coating area selection
KR100217351B1 (ko) 기판을 프로세싱하는 동안 가스를 기초로하여 기판의 이면을 보호하는 방법 및 장치
DE69713080T2 (de) Apparatur zur gleichmässigen verteilung von plasma
DE69108876T2 (de) Modul zum Spülen einer Prozesskammer für eine Anlage zur Behandlung von Halbleitern.
DE69926761T2 (de) Cvd-reaktorsystem und verfahren zur cvd-oberflächenbeschichtung
DE69130897T2 (de) Vakuum-Behandlungsverfahren und Vorrichtung
DE69524841T2 (de) Reaktoren zum Behandeln von Substraten
DE69404397T2 (de) Verbesserte Suszeptor Ausführung
DE69805327T2 (de) Schnelles wärmebehandlungssystem mit gasangetriebenem drehbarem substrat

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee