DE4446289A1 - Contact elements on micro-chip boards are connected together by heating a joining element between the contact element - Google Patents
Contact elements on micro-chip boards are connected together by heating a joining element between the contact elementInfo
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Abstract
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren sowie eine Vorrichtung zur thermischen Verbindung zweier auf jeweils einem Substrat angeordneter Kontaktelemente mittels eines Verbindungsmaterials, wobei zur Durchführung der Verbindung die Substrate derart angeordnet werden, daß sich die Kon taktelemente in einer Verbindungsebene überdecken und zur Erzielung der in der Verbindungsebene notwendigen Verbindungs temperatur ein Substrat von seiner den Anschlußflächen gegen überliegenden Rückseite her mit Energie beaufschlagt wird.The present invention relates to a method and a Device for the thermal connection of two on each a substrate arranged contact elements by means of a Connection material, whereby to carry out the connection the substrates are arranged so that the Kon Cover clock elements in a connection level and to Achievement of the necessary connection in the connection level temperature a substrate from its against the pads overlying back is energized.
Verfahren und Vorrichtungen der vorstehenden Art werden in der Mikroverbindungstechnik im Bereich der Flip-Chip-Technologie insbesondere in der Massenfertigung von Systemen mit hoch poligen Chips eingesetzt. Bei dieser Flip-Chip-Kontaktierung wird der Chip mit den als Anschlußflächen ausgebildeten Kon taktelementen nach unten auf ein ebenfalls mit Anschlußflächen versehenes Substrat aufgebracht. Die Verbindung zwischen den Anschlußflächen des Chips und den Anschlußflächen des Sub strats kann auf unterschiedliche Art und Weise, beispielsweise durch Schweißen, Löten oder Kleben, erfolgen. Insbesondere bei Verwendung von Mikroschweißverfahren zur Verbindung der An schlußflächen miteinander ergibt sich jedoch entweder durch die Beaufschlagung des Chips mit Druck und Wärme (Festkörper schweißverfahren) oder Wärme (Schmelzschweißverfahren) eine ungünstige Druck- und/oder Wärme-Beanspruchung für den Chip. Dies führt in manchen Fällen dazu, daß besondere Kühlkörper auf die oben liegende Rückseite der wärmedissipierenden Chips aufmontiert werden müssen.Methods and devices of the above type are in the Micro connection technology in the field of flip-chip technology especially in the mass production of systems with high pin chips used. With this flip-chip contact the chip with the cones formed as pads clock elements down on a also with pads provided substrate applied. The connection between the Pads of the chip and the pads of the sub strats can be in different ways, for example by welding, soldering or gluing. Especially at Use of micro welding processes to connect the An end faces with each other, however, result either from the application of pressure and heat to the chip (solid welding process) or heat (fusion welding process) unfavorable pressure and / or heat stress for the chip. In some cases, this leads to special heat sinks on the top of the heat dissipating chips must be mounted.
In anderen Fällen, wie beispielsweise der Kontaktierung von mit Leiterbahnen versehener Polyesterfolie auf Platinen er weist sich eine an sich wünschenswerte analoge Anwendung der Flip-Chip-Technologie aufgrund der geringen Zersetzungstempe ratur des Polyesterträgers als unmöglich.In other cases, such as contacting polyester foil with printed circuit boards on circuit boards shows a desirable analog application of the Flip chip technology due to the low decomposition temperature rature of the polyester carrier as impossible.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren beziehungsweise eine Vorrichtung zu schaffen, das bzw. die eine Mikroverbindung von Kontaktelementen ermög licht, die wie bei der Flip-Chip-Technologie von der Rückseite eines mit Kontaktelementen versehenen Substrats erfolgt, ohne daß damit jedoch die vorstehend geschilderten Nachteile ver bunden sind.The present invention is therefore based on the object to create a method or a device, that enables a micro-connection of contact elements light like the flip-chip technology from the back of a substrate provided with contact elements takes place without that, however, ver the disadvantages described above are bound.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 bzw. eine Vorrichtung mit den Merkmalen des An spruchs 3 gelöst.This task is accomplished by a process with the characteristics of Claim 1 or a device with the features of the Proverb 3 solved.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren erfolgt zur Erzielung der in der Verbindungsebene notwendigen Verbindungstemperatur die Beaufschlagung eines Substrats von seiner den Kontaktelementen gegenüberliegenden Rückseite her mit einer Strahlung. Dabei sind die Strahlung hinsichtlich ihrer Wellenlänge und das Ma terial des Substrats hinsichtlich seiner Transparenz so auf einander abgestimmt, daß die Strahlung im wesentlichen durch das Substrat hindurchgeleitet wird und eine Absorption der Strahlung im Bereich der Verbindungsebene, also im Bereich der Kontaktelemente, erfolgt.In the method according to the invention, the the necessary connection temperature in the connection level Applying a substrate to its contact elements opposite back forth with a radiation. Here are the radiation in terms of their wavelength and the measure material of the substrate in terms of its transparency coordinated with each other that the radiation essentially through the substrate is passed through and absorption of the Radiation in the area of the connection level, ie in the area of the Contact elements, is done.
Die Erfindung macht sich daher den Grundgedanken zunutze, bei der Übertragung von Strahlungsenergie durch das Substrat zu den Kontaktelementen hin die Transparenzeigenschaften des Sub strats zu nutzen, um die Absorption der Strahlungsenergie im Substrat zu minimieren und somit eine Umwandlung der Strah lungsenergie in zum Verbindungsvorgang benötigte Wärmeenergie im wesentlichen nur im Verbindungsbereich selbst zu erzielen. Im Gegensatz zur bekannten Flip-Chip-Technologie, bei der die Wärmeleitungseigenschaften des Substrats zur Verbindungsstelle genutzt werden und deren Anwendung daher mit einer entspre chenden thermischen Beanspruchung des Substrats verbunden ist, wird bei dem erfindungsgemäßen Verbindungsverfahren die ther mische Beanspruchung des Substrats auf ein Minimum reduziert und ist im wesentlichen davon abhängig, wie hoch nach entspre chender Abstimmung von Strahlungswellenlänge und Substrat material der Restabsorptionsgrad des Substratmaterials ist.The invention therefore makes use of the basic idea of the transmission of radiation energy through the substrate the transparency properties of the sub to use strats to absorb the radiation energy in the To minimize substrate and thus a transformation of the beam energy in the thermal energy required for the connection process to be achieved essentially only in the connection area itself. In contrast to the well-known flip-chip technology, in which the Thermal conductivity properties of the substrate to the junction are used and their application therefore with a corresponding appropriate thermal stress on the substrate, the ther Mixing stress on the substrate is reduced to a minimum and essentially depends on how high it corresponds to appropriate coordination of radiation wavelength and substrate material is the residual degree of absorption of the substrate material.
Eine Möglichkeit, sicherzustellen, daß im Bereich der Verbin dungsebene die zur Verbindung erforderliche Absorption der Strahlung erfolgt, besteht darin, ein Verbindungsmaterial vor zusehen, das einen auf die Wellenlänge der Strahlung abge stimmten Absorptionsgrad aufweist.One way to ensure that in the field of conn level of absorption required for connection Radiation occurs by pre-connecting material watch the one on the wavelength of the radiation has a certain degree of absorption.
Alternativ oder auch ergänzend zu der vorstehenden Maßnahme kann der gewünschte Absorptionseffekt auch dadurch erreicht werden, indem das Verbindungsmaterial mit einer Absorptions beschichtung versehen ist, die einen auf die Wellenlänge der Strahlung abgestimmten Absorptionsgrad aufweist.Alternatively or in addition to the above measure can also achieve the desired absorption effect be made by connecting the material with an absorption Coating is provided, the one on the wavelength of Radiation matched absorption.
Eine weitere Möglichkeit, den erforderlichen Absorptionseffekt bereitzustellen, besteht darin, zumindest auf der dem Verbin dungsbereich zugewandten Oberfläche des abgewandt der Strah lungsquelle angeordneten Substrats eine Reflexionsbeschich tung vorzusehen, die die Strahlung in die Verbindungsebene reflektiert. Hier wird schon aufgrund des wiederholten Durch gangs der Strahlung durch die Verbindungsebene für die erfor derliche Absorptionswirkung gesorgt.Another way to get the required absorption effect to provide is to at least on the verbin area facing away from the beam arranged source a reflection coating device to provide the radiation in the connection plane reflected. Here is already due to the repeated through gangs of radiation through the connection level for the expl absorption effect.
Besonders vorteilhaft erweist es sich, wenn als Strahlungs quelle eine Laserquelle verwendet wird, da die Auswahl eines geeigneten Lasers neben der genauen Einstellung der gewünsch ten Wellenlänge auch eine genaue Einstellung der in die Ver bindungsstelle eingebrachten Strahlungsenergie, beispiels weise durch Pulsbetrieb, ermöglicht.It proves to be particularly advantageous if as radiation source a laser source is used because the selection of a suitable laser in addition to the exact setting of the desired th wavelength also an exact setting of the ver Binding point introduced radiation energy, for example wise through pulse operation.
Grundsätzlich kommt neben dem Einsatz einer Laseranordnung als Strahlungsquelle der Einsatz jeder beliebigen Strahlungsquelle in Frage, solange sichergestellt ist, daß das Substratmaterial und das Material der Kontaktelemente beziehungsweise das zwi schen den Kontaktelementen angeordnete Verbindungsmaterial so aufeinander abgestimmt sind, daß im Substratmaterial im we sentlichen eine Transmission und in den Kontaktelementen be ziehungsweise dem Verbindungsmaterial im wesentlichen eine Ab sorption der Strahlungsenergie erfolgt.Basically, in addition to the use of a laser arrangement comes as Radiation source the use of any radiation source as long as it is ensured that the substrate material and the material of the contact elements or the zwi connecting material arranged between the contact elements are coordinated that in the substrate material in we noticeable a transmission and in the contact elements pull the connection material essentially an Ab Sorption of the radiation energy takes place.
Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist rückseitig vom Sub strat eine Strahlungsquelle zur Emission einer Strahlung mit definierter Wellenlänge angeordnet, derart, daß die Strahlung durch das Substrat zur Absorption in der Verbindungsebene zwi schen den Substraten übertragen wird.In the device according to the invention is on the back of the sub strat a radiation source to emit radiation with defined wavelength arranged such that the radiation through the substrate for absorption in the connection plane between is transferred to the substrates.
Bei einer Ausführung der Strahlungsquelle als Laserquelle in einer Laseranordnung kann diese eine Lichtleiteinrichtung mit mindestens einer Lichtleitfaser aufweisen, die zur Übertragung der Laserstrahlung auf die Rückseite des Substrats dient. Die Verwendung einer derartigen Lichtleiteinrichtung ermöglicht auf einfache Art und Weise eine genaue Positionierung des Strahlaustrittsquerschnitts über den miteinander zu verbinden den Kontaktelementen der Substrate. In dem Fall, daß die Lichtleiteinrichtung mehrere Lichtleitfasern aufweist, die hinsichtlich ihrer Anzahl, Anordnung und ihres Austrittsquer schnitts den zur Verbindung miteinander bestimmten Paarungen von Anschlußflächen entsprechen, ist es sogar möglich, die Be aufschlagung des Substrats mit Strahlungsenergie auf die mit den Kontaktelementen versehenen Bereiche des Substrats zu be schränken. Darüber hinaus wird für den Fall, daß unterschied lich ausgebildete Kontaktelemente auf ein und demselben Sub strat beziehungsweise unterschiedliche, darauf aufgebrachte Verbindungsmaterialien unterschiedliche Absorptionskoeffizien ten aufweisen, die Möglichkeit geschaffen, die den jeweiligen Kontaktelementen zugeführte Strahlungsenergie hinsichtlich ihrer Wellenlänge und Höhe an die spezifischen Bedingungen anzupassen. Dies kann beispielsweise dadurch erreicht werden, daß den jeweiligen Lichtleitfasern unterschiedliche Laser quellen zugeordnet werden.When the radiation source is designed as a laser source in a laser arrangement can have a light guide have at least one optical fiber for transmission the laser radiation on the back of the substrate is used. The Allows the use of such a light guide device an exact positioning of the Beam exit cross-section to connect with each other the contact elements of the substrates. In the event that the Light guide device has a plurality of optical fibers, the with regard to their number, arrangement and their exit cross cuts the pairings intended for connection with each other of pads correspond, it is even possible to load impact of the substrate with radiation energy on the with areas of the substrate provided with the contact elements restrict. In addition, in the event that there is a difference Lich trained contact elements on the same sub strat or different, applied to it Connection materials have different absorption coefficients ten have created the opportunity that each Radiation energy supplied to contact elements with regard to their wavelength and height to the specific conditions adapt. This can be achieved, for example, by that the respective optical fibers have different lasers sources are assigned.
Im Fall der Verwendung einer Laserquelle als Strahlungsquelle besteht eine weitere Möglichkeit der Ausbildung der Laseran ordnung darin, diese mit einer Fokussiereinrichtung zur Fokus sierung der Laserstrahlung in die Verbindungsebene oder eine Fokussierebene in einem vorgegebenen Abstand zur Verbindungs ebene zu versehen. Diese Ausbildung der Laseranordnung hat den Vorteil, daß durch den Abstand zur Verbindungsebene die in der Verbindungsebene gewünschte Energiedichte und damit die in der Verbindungsebene entstehende Verbindungstemperatur beeinflußt werden kann.In the case of using a laser source as the radiation source there is another possibility of training the Laseran order in this with a focusing device for focus sation of the laser radiation in the connection plane or a Focus plane at a predetermined distance from the connection level. This design of the laser arrangement has the Advantage that the distance to the connection level in the Connection level desired energy density and thus that in the The resulting connection temperature affects the connection level can be.
Natürlich ist eine derartige Fokussierung mit den damit ver bundenen Vorteilen nicht notwendigerweise mit der Verwendung einer Laseranordnung verbunden. Vielmehr läßt sich eine Fo kussierung bei jeder beliebigen Strahlungsart vorteilhaft einsetzen.Of course, such a focus with the ver tied benefits not necessarily with use connected to a laser arrangement. Rather, a Fo kissing advantageous for any type of radiation deploy.
Nachfolgend wird eine Variante des erfindungsgemäßen Verfah rens unter Darstellung zweier Ausführungsformen einer Vor richtung zur Durchführung des Verfahrens anhand der Zeich nungen näher erläutert. Es zeigen:A variant of the method according to the invention is described below rens showing two embodiments of a front Direction for performing the method based on the drawing nations explained in more detail. Show it:
Fig. 1 die Verbindung zwischen einem Chip und einer Platine; . Figure 1 shows the connection between a chip and a circuit board;
Fig. 2 die Verbindung zwischen einer mit Leiterbahnen versehenen Polyesterfolie und einer Platine. Fig. 2 shows the connection between a polyester film provided with conductor tracks and a circuit board.
Fig. 1 zeigt in einer schematischen Darstellung die Verbindung zwischen einem Chip 10 und einer Platine 11 mittels einer hier nicht näher dargestellten Laserquelle, deren Laserstrahlung 12 durch eine Lichtleitfaser 13 auf die Rückseite 14 des Chips 10 übertragen wird. Dabei liegt der Chip 10 mit seinen Anschluß flächen 15, die hier zur Ausbildung von Bumps 16 zuvor mit einer Kontaktmetallisierung aus Verbindungsmaterial 17 ver sehen worden sind, auf Leiterbahnen 18 der Platine 11 auf. Vor Durchführung der Verbindung weisen die Bumps noch ihre charak teristische Höckerform auf, die in Fig. 1 gestrichelt darge stellt ist. Fig. 1 shows a schematic representation of the connection between a chip 10 and a circuit board 11 by means of a not further shown here, the laser source, the laser radiation 12 is transmitted through an optical fiber 13 to the back 14 of the chip 10. The chip 10 lies with its connection surfaces 15 , which have been seen here previously to form bumps 16 with a contact metallization of connecting material 17 , on conductor tracks 18 of the circuit board 11 . Before carrying out the connection, the bumps still have their characteristic hump shape, which is shown in dashed lines in FIG. 1.
Obwohl in den Fig. 1 und 2 die Kontaktelemente als Anschluß flächen beziehungsweise Leiterbahnen ausgebildet sind, ist es ebensogut möglich, das hier anhand besonderer Ausführungs varianten dargestellte Verfahren auszuführen, wenn die An schlußflächen als Einzelleiter, wie zum Beispiel Drahtleiter, ausgebildet sind. Grundsätzlich ist das hier erläuterte Ver fahren unabhängig von der Konfiguration der Anschlußflächen anwendbar.Although in Figs. 1 and 2, the contact elements are designed as pads or conducting tracks are formed, it is equally possible to carry out the method illustrated variant herein with reference to particular execution, if the on-circuit surfaces as a single conductor, as for example, wire conductors, are formed. Basically, the procedure described here can be used regardless of the configuration of the connection pads.
Die Platine 11 liegt auf einer hier im einzelnen nicht näher dargestellten, durch Auflager 19, 20 symbolisierten Montage plattform auf, die beispielsweise unter der Lichtleitfaser 13 in Richtung des Pfeils 21 hinwegbewegt werden kann.The circuit board 11 lies on a mounting platform, not shown in detail here, symbolized by supports 19 , 20 , which can be moved, for example, under the optical fiber 13 in the direction of the arrow 21 .
Die Lichtleitfaser 13 weist einen Endquerschnitt 22 auf, der den Bereich sämtlicher Paarungen zwischen den Anschlußflächen 15 des Chips 10 und den Leiterbahnen 18 der Platine 11 über deckt.The optical fiber 13 has an end cross-section 22 which covers the area of all pairings between the connection surfaces 15 of the chip 10 and the conductor tracks 18 of the circuit board 11 .
Wenn der zuvor auf hier nicht näher dargestellte Art und Weise auf die Platine 11 aufgelegte Chip 10 sich in der in Fig. 1 dargestellten Relativpositionierung gegenüber dem Endquer schnitt 22 der Lichtleitfaser 13 befindet, erfolgt, wie in Fig. 1 dargestellt, eine Beaufschlagung des Chips 10 von der Rückseite her mit Laserstrahlung 12. Die Wellenlänge der Laserstrahlung ist so auf das Trägermaterial des Chips 10 abgestimmt, daß sich in grober Vereinfachung der in Fig. 1 mitdargestellte Temperaturverlauf im Bereich der Verbindungs elemente, also dem Chip 10 und der Platine 11, einstellt. Bei Verwendung einer Laserstrahlung mit einer Wellenlänge von 1064 nm weist Silicium als Trägermaterial für den Chip 10 eine Absorption von etwa 5% auf. Wird für das Verbindungsmaterial 17 der Bumps 16 im wesentlichen Zinn gewählt, so weist dieses eine Absorption von etwa 35% auf. Im Ergebnis führen diese drei Parameter zu einer, in Fig. 1 schematisch dargestellten Temperaturverteilung mit der Folge, daß eine relativ geringe Erwärmung und somit geringe thermische Beanspruchung des Chips 10 erfolgt und die zur thermischen Verbindung der Anschluß flächen 15 des Chips 10 mit den Leiterbahnen 18 der Platine 11 erforderliche Verbindungstemperatur im wesentlichen nur im Bereich einer Verbindungsebene 23 erzielt wird.If the chip 10 previously placed in a manner not shown here on the circuit board 11 is in the relative positioning shown in FIG. 1 with respect to the end cross-section 22 of the optical fiber 13 , as shown in FIG. 1, the chip is acted upon 10 from the rear with laser radiation 12 . The wavelength of the laser radiation is so matched to the carrier material of the chip 10 that, in gross simplification, the temperature profile shown in FIG. 1 in the area of the connecting elements, that is to say the chip 10 and the circuit board 11 , is set. When a laser radiation with a wavelength of 1064 nm is used, silicon as the carrier material for the chip 10 has an absorption of approximately 5%. If essentially tin is chosen for the connecting material 17 of the bumps 16 , this has an absorption of approximately 35%. As a result, these three parameters lead to a temperature distribution, shown schematically in FIG. 1, with the result that there is a relatively low heating and thus low thermal stress on the chip 10 and the surfaces 15 of the chip 10 for the thermal connection to the conductor tracks 18 The connection temperature required for the circuit board 11 is essentially only achieved in the region of a connection level 23 .
Wie in Fig. 1 weiter dargestellt, ist der Endquerschnitt 22 der Lichtleitfaser 13 mit Abstand a zur Rückseite 14 des Chips 10 angeordnet, so daß die Beaufschlagung des Chips 10 mit Strahlungsenergie berührungslos erfolgt. Hieraus ergibt sich gegenüber der herkömmlichen Flip-Chip-Technologie, bei der der Chip während des Verbindungsvorgangs positioniert auf der Pla tine gehalten wird, ein weiterer Vorteil. Durch die im schmelzflüssigen Zustand der Bumps 16 in der Bumpoberfläche auftretenden Oberflächenspannungen, die häufig zur einer hy perboloidförmigen Ausbildung der Bumps beim Umschmelzvorgang führen, läßt sich nämlich ein damit verbundener Selbstaus richteffekt (self-alignnent) zur genauen Ausrichtung des Chips 10 auf der Platine 11 bzw. der Anschlußflächen 15 gegenüber den Leiterbahnen 18 nutzen. Daher lassen sich auch die Anfor derungen, die an die Genauigkeit einer pick-and-Place-Einrich tung zur Positionierung des Chips 10 auf der Platine 11 vor Durchführung des eigentlichen Verbindungsvorgangs gestellt werden müssen, erheblich reduzieren.As further shown in FIG. 1, the end cross section 22 of the optical fiber 13 is arranged at a distance a from the rear side 14 of the chip 10 , so that the chip 10 is exposed to radiation energy without contact. This results in a further advantage over the conventional flip-chip technology, in which the chip is held in position on the board during the connection process. Because of the surface tensions that occur in the bump surface in the molten state of the bumps 16 , which often lead to a hy perboloid-shaped formation of the bumps during the remelting process, an associated self-aligning effect (self-aligning) for the precise alignment of the chip 10 on the circuit board 11 can be achieved or use the connection surfaces 15 opposite the conductor tracks 18 . Therefore, the requirements that must be made regarding the accuracy of a pick-and-place device for positioning the chip 10 on the circuit board 11 before the actual connection process is carried out can be considerably reduced.
Fig. 2 zeigt eine Variante der in Fig. 1 dargestellten Vor richtung, bei der die aus dem Endquerschnitt 22 der Lichtleit faser 13 austretende Laserstrahlung 12 zur Verbindung zwischen einer mit Leiterbahnen 24 versehenen flexiblen Polyesterfolie 25 und einer Anschlußflächen 26 aufweisenden Platine 27 dient. Übereinstimmend mit dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungs beispiel befindet sich hier die Platine 27 auf einer wieder durch die Auflager 19, 20 symbolisierten Montageplattform. Im Unterschied zu dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel ist hier jedoch der Endquerschnitt 22 der Lichtleitfaser 13 unterhalb einer Rückseite 28 der Platine 27 angeordnet. Die Platine 27 weist ein transparentes Trägermaterial, beispiels weise FR4, auf, so daß die aus dem Endquerschnitt 22 der Lichtleitfaser 13 emittierte Laserstrahlung 12 ohne wesentli che Absorption in die Verbindungsebene 23 zwischen der Platine 27 und der Polyesterfolie 25 gelangen kann, um dort analog zu dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel in hier auf den Anschlußflächen 26 der Platine 27 ausgebildeten Bumps 29 im wesentlichen absorbiert zu werden. Fig. 2 shows a variant of the device shown in Fig. 1 Before, in which the emerging from the end cross section 22 of the optical fiber 13 emerging laser radiation 12 is used for connection between a conductor track 24 provided with flexible polyester film 25 and a connection surface 26 having board 27 . In accordance with the embodiment shown in FIG. 1, here is the board 27 on a mounting platform symbolized again by the supports 19 , 20 . In contrast to the exemplary embodiment shown in FIG. 1, however, the end cross section 22 of the optical fiber 13 is arranged below a rear side 28 of the circuit board 27 . The circuit board 27 has a transparent carrier material, for example FR4, so that the laser radiation 12 emitted from the end cross section 22 of the optical fiber 13 can get into the connection plane 23 between the circuit board 27 and the polyester film 25 without substantial absorption, in order to be analog there to be absorbed to the embodiment shown in Fig. 1 in here on the pads 26 of the plate 27 bumps 29 formed substantially.
Bei der in Fig. 2 dargestellten Anordnung befindet sich die extrem temperaturempfindliche Polyesterfolie 25 bezogen auf die Richtung der Laserstrahlung 12 auf der Rückseite der Ver bindungsebene 23. Dies führt dazu, daß die thermische Bela stung der Polyesterfolie 25 extrem gering ist, so daß thermi sche Zersetzungserscheinungen der Polyesterfolie 25, die bis lang eine Schweißverbindung von mit Leiterbahnen 24 versehenen Polyesterfolien 25 als praktisch unmöglich erscheinen ließen, nun nicht mehr auftreten.In the arrangement shown in FIG. 2, the extremely temperature-sensitive polyester film 25 is based on the direction of the laser radiation 12 on the rear side of the connection plane 23 . This leads to the fact that the thermal loading of the polyester film 25 is extremely low, so that thermal decomposition phenomena of the polyester film 25 , which until long made a welded connection of conductor tracks 24 with polyester films 25 appear practically impossible, no longer occur.
Obwohl in beiden vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispie len stets eine Laserstrahlung zur Energiebeaufschlagung ver wendet wurde, und die Verbindung als Schweißverbindung be schrieben wurde, sind darüber hinaus grundsätzlich auch andere Energiestrahlungen oder Lichtstrahlungen, wie beispielsweise auch starkes Halogenlicht, einsetzbar, um auf die beschriebene Art und Weise Verbindungen zwischen zwei mit Anschlußflächen versehenen Substraten zu schaffen. Bei diesen Verbindungen kann es sich auch um Löt- oder Klebeverbindungen handeln.Although in both of the above-described embodiments always use laser radiation to apply energy was used, and the connection as a welded joint are basically also others Energy radiation or light radiation, such as also strong halogen light, can be used to the described Way connections between two with pads to provide provided substrates. With these connections can also be soldered or adhesive connections.
Darüber hinaus wird darauf hingewiesen, daß das hier beispiel haft dargestellte Verfahren sowohl als Single-Bonding-Verfah ren, bei dem eine aufeinanderfolgende Kontaktierung der ein zelnen Anschlußflächenpaarungen erfolgt, als auch als soge nanntes Gang-Bonding-Verfahren durchführbar ist, bei dem eine synchrone Kontaktierung der Anschlußflächenpaarungen erfolgt.In addition, it should be noted that this is an example method described in a single-bond procedure ren, in which a successive contacting the one individual pad pairings takes place, as well as so-called called gang bonding method is feasible, in which one synchronous contacting of the pad pairs takes place.
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