DE3877405D1 - Verfahren zur herstellung einer supraleitenden duennen schicht und anordnung zu seiner durchfuehrung. - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer supraleitenden duennen schicht und anordnung zu seiner durchfuehrung.

Info

Publication number: DE3877405D1
Authority: DE; Germany
Prior art keywords: supral; implementation; producing; arrangement; thick layer
Prior art date: 1987-04-20
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.): Expired - Fee Related

Application number

DE8888106211T

Other languages

English (en)

Other versions

DE3877405T2 (de

Inventor

Shuichi Nogawa

Eiji Kamijo

Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)

Nissin Electric Co Ltd

Original Assignee

Nissin Electric Co Ltd

Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)

1987-04-20

Filing date

1988-04-19

Publication date

1993-02-25

1987-04-20 Priority claimed from JP62096786A external-priority patent/JPS63261627A/ja

1987-04-20 Priority claimed from JP62096787A external-priority patent/JPS63261628A/ja

1987-04-20 Priority claimed from JP62096785A external-priority patent/JP2521950B2/ja

1988-04-19 Application filed by Nissin Electric Co Ltd filed Critical Nissin Electric Co Ltd

1993-02-25 Application granted granted Critical

1993-02-25 Publication of DE3877405D1 publication Critical patent/DE3877405D1/de

1993-05-06 Publication of DE3877405T2 publication Critical patent/DE3877405T2/de

2008-04-20 Anticipated expiration legal-status Critical

Status Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Classifications

- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0408—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by sputtering
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0548—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by deposition and subsequent treatment, e.g. oxidation of pre-deposited material

Landscapes

Engineering & Computer Science (AREA)
Manufacturing & Machinery (AREA)
Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Physical Vapour Deposition (AREA)
Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)

DE8888106211T 1987-04-20 1988-04-19 Verfahren zur herstellung einer supraleitenden duennen schicht und anordnung zu seiner durchfuehrung. Expired - Fee Related DE3877405T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number	Priority Date	Filing Date	Title
JP62096786A JPS63261627A (ja)	1987-04-20	1987-04-20	超電導薄膜の製造方法
JP62096787A JPS63261628A (ja)	1987-04-20	1987-04-20	超電導薄膜の製造方法
JP62096785A JP2521950B2 (ja)	1987-04-20	1987-04-20	超電導薄膜の製造方法

Publications (2)

Publication Number	Publication Date
DE3877405D1 true DE3877405D1 (de)	1993-02-25
DE3877405T2 DE3877405T2 (de)	1993-05-06

Family

ID=27308213

Family Applications (1)

Application Number	Title	Priority Date	Filing Date
DE8888106211T Expired - Fee Related DE3877405T2 (de)	1987-04-20	1988-04-19	Verfahren zur herstellung einer supraleitenden duennen schicht und anordnung zu seiner durchfuehrung.

Country Status (3)

Country	Link
US (1)	US4861750A (de)
EP (1)	EP0288001B1 (de)
DE (1)	DE3877405T2 (de)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number	Priority date	Publication date	Assignee	Title
US4888202A (en) *	1986-07-31	1989-12-19	Nippon Telegraph And Telephone Corporation	Method of manufacturing thin compound oxide film and apparatus for manufacturing thin oxide film
CA1332324C (en) *	1987-03-30	1994-10-11	Jun Shioya	Method for producing thin film of oxide superconductor
JPH075435B2 (ja) *	1987-03-31	1995-01-25	住友電気工業株式会社	超電導薄膜の製造方法及び装置
US4925829A (en) *	1987-05-26	1990-05-15	Sumitomo Electric Industries, Ltd.	Method for preparing thin film of compound oxide superconductor by ion beam techniques
DE3815185A1 (de) *	1987-08-05	1989-02-16	Siemens Ag	Verfahren zur herstellung einer hybridstruktur mit halbleitendem und supraleitendem material
DE68922734T2 (de) *	1988-03-16	1995-09-14	Toshiba Kawasaki Kk	VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES DüNNSCHICHTOXYDSUPRALEITERS.
JPH031584A (ja) *	1989-02-04	1991-01-08	Riken Corp	ジョセフソン接合素子の製造方法
JPH02310363A (ja) *	1989-05-24	1990-12-26	Mitsubishi Electric Corp	レーザ蒸着装置
JPH03111578A (ja) *	1989-06-29	1991-05-13	Toshiba Corp	薄膜形成方法及び薄膜形成装置
JP2767298B2 (ja) *	1989-09-05	1998-06-18	財団法人生産開発科学研究所	積層薄膜体及びその製造法
US5264413A (en) *	1990-03-07	1993-11-23	Ivan Bozovic	Bi-Sr-Ca-Cu-O compounds and methods
EP1220306A4 (de)	1999-10-04	2007-10-03	Matsushita Electric Ind Co Ltd	Halbleiter-herstellungsmethode
US6756320B2 (en) *	2002-01-18	2004-06-29	Freescale Semiconductor, Inc.	Method of forming article comprising an oxide layer on a GaAs-based semiconductor structure
US7442654B2 (en)	2002-01-18	2008-10-28	Freescale Semiconductor, Inc.	Method of forming an oxide layer on a compound semiconductor structure
US8261690B2 (en) *	2006-07-14	2012-09-11	Georgia Tech Research Corporation	In-situ flux measurement devices, methods, and systems
US7846807B2 (en) *	2008-06-19	2010-12-07	Hermes-Epitek Corp.	Method for forming memristor material and electrode structure with memristance
US9023422B1 (en) *	2011-08-31	2015-05-05	Maxim Integrated Products, Inc.	High rate deposition method of magnetic nanocomposites

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number	Priority date	Publication date	Assignee	Title
JPS6115967A (ja) *	1984-06-29	1986-01-24	Sumitomo Electric Ind Ltd	表面処理方法
JPS6124214A (ja) *	1984-07-12	1986-02-01	Taiyo Yuden Co Ltd	Ｃｏ−Ｏ系薄膜型垂直磁気記録媒体の製造方法
CA1332324C (en) *	1987-03-30	1994-10-11	Jun Shioya	Method for producing thin film of oxide superconductor
JPH075435B2 (ja) *	1987-03-31	1995-01-25	住友電気工業株式会社	超電導薄膜の製造方法及び装置

1988
- 1988-04-19 US US07/183,099 patent/US4861750A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-04-19 EP EP88106211A patent/EP0288001B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-04-19 DE DE8888106211T patent/DE3877405T2/de not_active Expired - Fee Related

Also Published As

Publication number	Publication date
US4861750A (en)	1989-08-29
DE3877405T2 (de)	1993-05-06
EP0288001A2 (de)	1988-10-26
EP0288001A3 (en)	1989-10-18
EP0288001B1 (de)	1993-01-13

Similar Documents

Publication	Publication Date	Title
DE3789753D1 (de)	1994-06-09	Verfahren und Anordnung zur Herstellung einer dünnen Schicht.
DE3788678D1 (de)	1994-02-17	Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Schicht auf einem Substrat.
DE3875515D1 (de)	1992-12-03	Substrat und verfahren zur herstellung eines substrates.
DE3877048D1 (de)	1993-02-11	Nahrungsmittel und verfahren zur herstellung eines nahrungsmittels.
DE3682357D1 (de)	1991-12-12	Probemittel, verfahren zu seiner herstellung und verfahren zur bestimmung einer komponente in einer probe.
AT397664B (de)	1994-06-27	Verfahren zur herstellung einer lagergleitschicht
DE3580514D1 (de)	1990-12-20	Waermeuebertragbare schicht und verfahren zur herstellung.
DE3877405D1 (de)	1993-02-25	Verfahren zur herstellung einer supraleitenden duennen schicht und anordnung zu seiner durchfuehrung.
DE68905556D1 (de)	1993-04-29	Verfahren zur herstellung einer transparenten schicht.
DE3751243D1 (de)	1995-05-24	Opto-elektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung.
CH634190B (de)		Auf einem zu dekorierenden substrat anbringbare dekorationsanordnung und verfahren zur herstellung derselben.
DE3865616D1 (de)	1991-11-21	Poroeser kohlenstoff-kohlenstoff-verbundwerkstoff und verfahren zu seiner herstellung.
DE3868128D1 (de)	1992-03-12	Verfahren zur herstellung eines supraleitenden gegenstandes.
DE3867578D1 (de)	1992-02-20	Poroeser kohlenstoff-kohlenstoff-verbundwerkstoff und verfahren zu seiner herstellung.
DE3777015D1 (de)	1992-04-09	Verfahren zur herstellung einer verschleissbestaendigen schicht.
DE3784616D1 (de)	1993-04-15	Anordnung und verfahren zur herstellung einer polykristallinen schicht.
DE3872430D1 (de)	1992-08-06	Verfahren zur herstellung einer schicht aus supraleitendem material.
DE3578720D1 (de)	1990-08-23	Verfahren zur herstellung eines keramikverbundgefueges.
DE3577778D1 (de)	1990-06-21	Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung und nach diesem verfahren hergestellte anordnung.
DE69002502D1 (de)	1993-09-09	Verfahren zur herstellung einer metalloxidschicht.
DE58904910D1 (de)	1993-08-19	Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer tiefdruckform.
DE3785595D1 (de)	1993-06-03	Verfahren zur herstellung einer verschleissfesten schicht.
AT388703B (de)	1989-08-25	Verbundschichtkoerper und verfahren zu seiner herstellung
DE68906503D1 (de)	1993-06-17	Verfahren zur herstellung einer bogenfoermigen reissverschlusskette und verfahren zur herstellung eines bogenfoermigen reissverschlusses.
DE3786364D1 (de)	1993-08-05	Verfahren zur herstellung einer niedergeschlagenen schicht.

Legal Events

Date	Code	Title	Description
1994-02-17	8364	No opposition during term of opposition
1996-04-11	8339	Ceased/non-payment of the annual fee