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DE3147986A1 - Vorrichtung zur erzeugung eines mikrowellenplasmas fuer die behandlung von substraten, insbesondere zur plasmapolymerisation von monomeren - Google Patents

Vorrichtung zur erzeugung eines mikrowellenplasmas fuer die behandlung von substraten, insbesondere zur plasmapolymerisation von monomeren

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DE3147986A1
DE3147986A1 DE19813147986 DE3147986A DE3147986A1 DE 3147986 A1 DE3147986 A1 DE 3147986A1 DE 19813147986 DE19813147986 DE 19813147986 DE 3147986 A DE3147986 A DE 3147986A DE 3147986 A1 DE3147986 A1 DE 3147986A1
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waveguide
substrates
rungs
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structures
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DE19813147986
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DE3147986C2 (de
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Jörg Dipl.-Phys. Dr. 8755 Albstadt Kieser
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Polyplasma Inc Montreal Quebec Ca
Original Assignee
Leybold Heraeus GmbH
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Description

3H7986
24. November 1981 81517
LEYBOLD-HERAEUS GmbH
Bonner Straße 504
5000 Köln - 51
Vorrichtung zur Erzeugung eines Mikrowellenplasmas für die Behandlung von Substraten, insbesondere zur Plasmapolymerisation von Monomeren
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur Erzeugung eines Mikrowellenplasmas für die Behandlung von Substraten, insbesondere zur Plasmapolymerisation von Monomeren zur Beschichtung der Substrate mit den gebildeten Polymerisaten, bestehend aus einer Reaktionskammer für den Transport der Substrate und für die AufrechterhaTtung einer Atmosphäre aus ioniserbaren Gasen und Monomeren, sowie aus einer quer zur Transportrichtung der Substrate verlaufenden langgestreckten ersten Wellenleiter-Struktur, die unter einem spitzen Winkel zur Substratoberfläche ausgerichtet und einseitig über einen ersten Hohlleiter mit einem Mikrowellensender verbunden ist.
* · ο · β ο
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Eine derartige Vorrichtung ist durch die ÜS-PS 3 814 983 bekannt. Die Wellenleiter-Strukturen bestehen dabei aus je zwei geraden Holmen, zwischen denen sich eine Reihe von Sprossen erstreckt. Die Sprossen sind abwechselnd mit einem von zwei Mittelleitern leitend verbunden, die zur Einleitung der Energie vom Mikrowellensender in die Wellenleiter-Struktur dienen. Durch die gleiche Druckschrift ist es bereits bekannts zwischen der Wellenleiter-Struktur und dem Mikrowellenplasma eine mikrowellendurchlässige Wand (Glasrohr) anzuordnen. Sofern sich in dem Glasrohr ein ionisierbares Gas und ein polymerisationsfähiges Monomeres befinden, lassen sich Polymerisate erzeugen.
Schließlich ist es durch die gleiche Druckschrift auch bereits bekannt, mit einer derartigen Vorrichtung flächige Substrate in Form von Bändern, Folien oder Platten zu beschichten, wobei auf den beiden entgegengesetzten Seiten des Substrats je eine Wellenleiter-Struktur angeordnet ist.
Bei der Behandlung bzw. Beschichtung großflächiger Substrate ist jedoch eine möglichst gleichförmige Behandlungsintensität bzw. Niederschlagsrate des Schichtmaterials über die gesamte Substratbreite unerläßlich. Dies setzt einen entsprechend homogenen Leistungseintrag in das Plasma über die Substratbreite voraus. ·
Bei dem Gegenstand der US-PS 3 814 983 wird zur Erreichung eines gleichmäßigen Leistungseintrags in da?s Plasma vorgeschlagen, die Wellenleiter-Struktur um einen experimentell zu ermittelnden Winkel geneigt zur ,Substratoberfläche ver-
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laufen zu lassen. Der Anstellwinkel läßt sich für vorgegebene Entladungsparameter bestimmen, so daß für diese Entladungsparameter ein konstanter Leistungseintrag über die gesamte Länge der Wellenleiter-Struktur ermöglicht wird. Sobald sich jedoch die Entladungsparameter ändern, wie beispielsweise, bei einer Änderung der Momomeren, des Drucks, der eingespeisten Leistung, ändern sich diejenigen Bezugsgrößen, die den Anstellwinkel aer Wellenleiter-Struktur bestimmen. Daraus ergibt sich im Hinblick auf einen unveränderten Anstellwinkel ein Leistungseintrag mit exponentiellem Verlauf, der erhebliche negative Folgen im Hinblick auf die Schichtdickengleichmäßigkeit in Richtung der Längsausdehnung der Wellenleiter-Struktur hat. Die Leistungseingängs in das Plasma können sich dadurch an beiden Enden aer Struktur durchaus im Verhältnis 1:10 voneinander unterscheiden. Derartige Abweichungen sind im Hinblick auf die Substratbeschichtung im großtechnischen Maßstab untragbar.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung der eingangs beschriebenen Gattung dahingehend zu verbessern» daß die Behandlungsintensität bzw. Niederschlagsrate Von Polymerisaten über die gesamte Substratbreite möglichst gleichförmig ist. Für den Fall, daß eine Vielzahl kleinerer Substrate in flächiger Anordnung dem Behandlungsvorgang ausgesetzt wird. gilt hinsichtlich der Verteilung der Behandlungsintensitä't bzw. der Niederschlagsrate für alle Substrate grundsätzlich die gleiche Forderung.
Die Lösung der gestellten Aufgabe erfolgt bei der eingangs beschriebenen Vorrichtung erfindungsgemäß dadurch, daß neben
ie w
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der ersten Wellenleiter-Struktur auf der gleichen Seite der Substrate mindestens eine zweite langgestreckte Wellenleiter-Struktur angeordnet ist, die gleichfalls quer zur Transportrichtung der Substrate verläuft, jedoch in entgegengesetzter Richtung unter einem spitzen Winkel zur Substratoberfläche ausgerichtet und über einen zweiten Hohlleiter mit einem Mikrowellensender verbunden ist.
Das Wesen der Erfindung besteht darin, daß zwei Wellenleiter-Strukturen in antiparalleler Anordnung auf der gleichen Seite des Substrats vorgesehen sind. Dadurch findet eine Oberlagerung des Energieeintrags beider Strukturen statt, die bei der Anordnung zweier Strukturen auf gegenüberliegenden Seifen des Substrats nicht möglich wäre.
Bei Anwendung der erfindungsgemäßen Lehre ändert sich diejenige Größe, welche die Stärke der Ankopplung der Energie an das Plasma definiert, nicht mehr exponentiell in Richtung der Querabmessungen des Substrats, sondern nur in einem Maße, das der überlagerung der beiden Leistungseinträge entspricht. Ändert sich der Leistungseintrag einer jeden Struktur in deren Längsrichtung bzw. in Querrichtung des Substrats gemäß einer e-Funktion, so läßt sich die Oberlagerung dieser beiden in entgegengesetzter Richtung verlaufenden Kurven durch eine Kettenlinie darstellen, die in etwa einem cosinus hyperbolicus entspricht.
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Beträgt beispielsweise bei Verwendung nur einer Struktur infolge Fehlanpassung das Verhältnis des Energieeintrags an der einen Längskante des Substrats zu demjenigen an der anderen LHngskante "n" (z.B. η = Pm,v : P1n._ = 2, 4, 6)
Πια X IHl Π
so ergibt sich bei Verwendung zweier erfindungsgemäßer antiparalleler Strukturen bei gleicher Fehlanpassung in der Mitte des Substrats (ungünstigste Stelle) eine prozentuale Abweichung "b", die in folgender Tabelle gezeigt ist:
η b (%)
2 5,2
4 20
6 45
Dies bedeutet, eine Anwendung der beschriebenen Bezugsgrößen, die für die einfache Struktur eine Inhomogenität der Leistungseintragung von 1 : 2 bewirkt, äußert sich im Fall der antiparallelen Strukturen in einer Inhomogenität von nur ca. 5%. Hierbei ist zu beachten, daß bereits ein η = 2 in aller Regel unvertretbar hoch ist.
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Da bei der Plasmapolymerisation die Abso-heidungsrate mit dem Leistungseintraa eng korreliert ist, läßt sich auf diese Weise nicht nur eine höhere Niederschlagsrate des Schichtmaterials erzeugen, sondern vor allem eine wesentlich größere Schichtgleichförmigkeit/über die Breite des Substrats gesehen.
Die Verhältnisse lassen sich hinsichtligh der Oberlagerung der beiden Energieeinträge noch weiter verbessern, wenn die Mittenebenen beider Wellenleiter-Strukturen, die senkrecht zu deren Sprossen verTaufen, unter einem solchen Winkel zueinander angestellt sind, daß sie sich in einer Geraden schneiden, die parallel zur SubstratoberfTäche und senkrecht zur Transportrichtung ausgerichtet ist. Hierbei werden keine getrennten plasmaerfüllten Räume mehr gebildet, sondern der gleiche plasmaerfüllte Raum ist dem Einfluß beider Wellenleiter-Strukturen gleichzeitig ausgesetzt.
Bei derartigen Wellenleiter-Strukturen gibt es aber noch ein weiteres Problem, das seine Ursache in dem endlichen Abstand der Sprossen hat. Dadurch entsteht eine Mikrostruktur der elektrischen Feldstärke, die die Periode des Sprossenabstandes besitzt. Auf der Länge, die einem Sprossenabstand entspricht, ändert sich der Energieeintrag um etwa den Faktor 2. Der Einfluß auf eine niedergeschlagene Schicht läßt sich etwa so darstellen, daß die Schichtdickenverteilung einer Wellenlinie entspricht, deren Maxima dem Sprossenabstand entsprechen.
Zur Lösung dieses Problemes wird gemäß der weiteren Erfindung vorgeschlagen, daß die beiden Wellenleiter-Strukturen quer
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zur Transportrichtung des Substrats um einen halben Sprossenabstand gegeneinander verschoben sind. Auf diese Weise erfolgt eine weitgehende Auslöschung der MikroStruktur durch Oberlagerung der unterschiedlichen Schichtdicken auf einem quer zu den Strukturen bewegten Substrat. Dies wäre auch dann der Fall, wenn die Strukturen in Transportrichtung des Substrats einen merklichen Abstand voneinander aufweisen. Wie bereits gesagt, können die Verhältnisse jedoch dadurch verbessert werdens daß die Strukturen in der Weise aufeinander zu geschwenkt werden, daß sie auf einem gemeinsamen, plasmaerfüllten Raum einwirken.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des Erfindungsgegenstandes ergeben sich aus den übrigen Ansprüchen. Ein Ausführungsbeispiel des Erfindungsgegenstandes wird nachfolgend anhand der Figuren 1 bis 4 näher erläutert.
Es zeigen:
Figur 1 eine perspektivische Darstellung einer vollständigen Vorrichtung mit zwei antiparallelen Wellenleiter-Strukturen,
Figur 2 einen Querschnitt durch den Gegenstand nach
Figur 1, in Transportrichtung der Substrate gesehen, jedoch mit der Variante, daß die beiden antiparallelen Strukturen auf einen gemeinsamen plcismaerfüllten Raum einwirken,
Figur 3 eine Kurvendarstellung der Energieeinträge einer
jeden Struktur einschließlich der überlagerten Kurve und
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Figur 4 eine Aufeinanderprojektion zweier Längsschnitte durch die Mikrowellenstrukturen mit um einen halben Sprossenabstand verschobenen Sprossen.
In Figur 1 ist eine Reaktionskammer 1 dargestellt, in der eine Vielzahl von Substraten 2 in flächiger Ausbreitung auf einem ebenen Substratträger 3 angeordnet sind. Die Substrate sind dabei mittels des Substratträgers 3· in Richtung des Pfeils 4 durch die Reaktionskammer 1 transportierbar.
Der Substratträger 3 kann dabei zwischen einem nicht gezeigten Vorratsmagazin und einem gleichfalls nicht gezeigten Aufnahmemagazin transportiert werden, die an beiden Enden der Reaktionskammer I angeordnet sind. Es können aber auch an beiden Enden der Reaktionskammer 1 Chargierschleusen vorgesehen werden.
An die Stelle der einzelnen Substrate 2 kann jedoch beispielsweise auch ein großflächiges Substrat in Form einer Folie treten, die von einer nicht gezeigten Vorratsrolle auf eine gleichfalls nicht gezeigte Aufnahmerolle umgewickelt wird. Die Folienrollen können dabei in besonderen Ronenkammern untergebracht werden; es ist aber auch möglich, die Rollen außerhalb der Reaktionskammer 1 anzuordnen und die Folie durch spaltförmige Dichtungen in Form von Druckstufenstrecken in die Reaktionskammer ein und aus dieser wieder herauszuführen.
Derartige Konstruktionsprinzipien von Reaktionskammern und Schleusen bzw. Druckstufenstrecken sind jedoch Stand der Technik, so daß sich ein weiteres Eingehen hierauf erübrigt.
Die aus Metall bestehende Reaktionskammer 1 ist dabei mit einem Fenster 5 aus einem mikrowellendurchlässigen Werkstoff wie Quarzglas oder Aluminiumoxidkeramik, Polytetrafluoräthylen
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versehen» Das Fenster ist in der Draufsicht rechteckig, wobei die Länge mindestens den Breitenabmessungen der Substrate 2 bzw. des Substratträgers 3 quer zur Transportrichtung (Pfeil 4) entspricht,
Oberhalb des Fensters 5 stid eine erste Wellenleiter-Struktur und eine zweite Wellenleiter-Struktur 7 angeordnet. Beide Wellenleiter-Strukturen bestehen gemäß Figur 2 aus zwei geraden Holmen 8 bzw. 9, die paarweise parallel zueinander verlaufen, und zwischen denen sich gleich, lange Sprossen 10 bzw. 11 erstrecken, die mit den Holmen in metallischer Verbindung stehen.
Die Sprossen 10 bzw. 11 sind abwechselnd mit einem von zwei Mittelleitern 12/13 bzw. 14/15 elektrisch leitend verbunden, wie dies nur in Figur 2 dargestellt ist. Diese Mittelleiter sind in Figur 1 der Übersichtlichkeit halber fortgelassen. Ausbildung und Anordnung solcher Wellenleiter-Strukturen sind in der US-PS 3 814 983, insbesondere in den Figuren 4 bis 8 ausführlich dargestellt.
Gemäß Figur 1 steht die erste Wellenleiter-Struktur 6 über einen Hohlleiter 16 mit einem Mikrowellensender 17 in Verbindung, wobei die Verbindung durch eine gestrichelte Linie nur symbolisch angedeutet ist. Wesentlicher Teil des Mikrowellensenders 17 ist ein Magnetron. Die Ankopplung der Wellenleiter-Struktur 6 an den Hohlleiter 16 ist gleichfalls Stand der Technik und beispielhaft in der US-PS 3 814 983, Figuren 4 und 5, dargestellt. Das jenseitige Ende der ersten Wellenleiter-Struktur 6 ist über einen weiteren Hohlleiter
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mit einer sogenannten Blindlast 19 verbunden, die einen Mikrowellen-Kurzschluß erzeugt..Die Wellenleiter-Struktur verläuft unter einem spitzen Winkel zum Fenster 5 und zum Substratträger 3, wobei der größte Abstand an demjenigen Ende vorhanden ist, an dem sich der Hohlleiter 16 befindet. Der Anstellwinkel kann durch Verschiebung des Hohlleiters 16 in Richtung des links daneben dargestellten Doppelpfeils verändert werden. Der Anstellwinkel wird dabei so gewählt, daß über die Länge der Wellenleiter-Struktur ein gleichmäßiger Energieeintrag in das Plasma erfolgt, konstante Entladungsparameter vorausgesetzt.
Das Plasma wird innerhalb der Reaktions kammer 1 gebildet, in der sich außer einem ionisationsfähigen Gas wie beispielsweise Argon, auch eine monomere Komponente befindet, die sich unter dem Einfluß des Plasmas polymerisieren läßt. Die Einstellung geeigneter Betriebsparameter ist gleichfalls Stand der Technik und beispielhaft in der US-PS 3 814 983 beschrieben.
Die zweite Wellenleiter-Struktur 7 ist - gleichfalls quer zur Transportrichtung der Substrate ausgerichtet - neben der ersten Wellenleiter-Struktur 6 angeordnet; sie verläuft jedoch in entgegengesetzter Richtung und hat den gleichen spitzen Winkel zur Substratoberfläche. Das am weitestens von der Substratoberfläche entfernte Ende der zweiten Wellenleiter-Struktur 7 ist gleichfalls über einen Hohlleiter 20 in völlig analoger Weise mit dem gleichen Mikrowellensender 17 verbunden. Das jenseitige Ende der Wellenleiterstruktur 7 ist, gleichfalls in analoger Weise, über einen
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weiteren Hohlleiter 21 mit einer weiteren Blindlast 22 verbunden. Sämtliche Hohlleiter 16, 18, 20 und 21 sind zum Zwecke einer exakten Ausrichtung der Wellenleiter-Strukturen 6 und 7 relativ zur Substratoberflache in Richtung der Doppelpfeile längsverschiebbar angeordnet. Eine Feineinstellung der Schichtdickenverteilung kann zusätz lich durch Abstimmung der Leistungsverteilung auf die beiden Strukturen erzielt werden.
Bei der Anordnung gemäß Figur 1 sind die Mittenebenen der beiden Wellenleiter-Strukturen 6 und 7, die senkrecht zu den Sprossen verlaufen, parallel zueinander und senkrecht zur Substratoberfläche ausgerichtet. Auf diese Weise werden unterhalb des Fensters 5 zwei langgestreckte plasmaerfüllte Räume ausgebildet, die von den Substraten nacheinander durchlaufen werden. Es versteht sich, daß die Wellenleiter-Strukturen 6 und 7 zusammen mit den ans Ende angeordneten Hohlleitern in ihrer Projektion auf das Fenster 5 in dessen lichtem Querschnitt liegen. Diejenigen Hohlleiter 16 bzw. 20, über die der Leistungseintrag in das Plasma erfolgt, liegen an entgegengesetzten Enden des Substratträgers 3, quer zur Transportrichtung gesehen (Pfeil 4).
Die beiden Wellenleiter-Strukturen 6 und 7 sind von einer gemeinsamen, mikrowellendichten Abschirmung 23 umgeben, von der nur ein Teil dargestellt ist.
Figur 2 zeigt eine Variante des Gegenstandes nach Figur 1. Die beiden Wellenleiter-Strukturen 6 und 7 sind zwar identisch ausgebildet, jedoch sind die beiden Mittenebenen M^ und M2, die senkrecht zu den Sprossen 10 bzw. 11 verlaufen, unter einem solchen Winkel 6 zueinander angestellt, daß sie sich in einer Geraden schneiden, die parallel zur Substratoberfläche und senkrecht zur Transportrichtung (Pfeil 4) ausgerichtet ist. Die Grenzen der beiden plasmaerfüllten Räume
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»··· β» W. u
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sind angenähert durch gestrichelte Linien dargestellt. Die beiden plasmaerfülTten Räume überschneiden sich in einem schraffierten Bereich, wobei jedoch keine vollständige Oberdeckung vorliegt. Dies liegt daran, daß die Schnittlinie der Mittenebenen M.. und M2 unmittelbar in der Oberfläche des Substrats 2 liegt. Die Oberschneidung bzw. überdeckung der plasmaerfunten Räume läßt sich jedoch noch weiter verbessern, wenn die beiden Wellenleiter-Strukturen 6 und 7 - bei gleichem Anstellwinkel der Mittenebenen - einander angenähert werden. Hierbei entfernt sich die Schnittlinie der beiden Mittenebenen von der Substratoberfläche, bis schließlich ein gemeinsamer, plasmaerfüllter Raum entsteht, der als Idealfall anzusehen ist. Analoge Verhältnisse lassen sich erreichen, wenn die Mittenebenen M1 und M2 unter Vergrößerung des Winkels δ aufeinander zugeschwenkt werden.
Anhand von Figur 3 sind die Energieeinträge E beider Wellenleiter-Strukturen 6 und 7 für den Fall dargestellt, daß die Anstellwinkel nicht genau den Entladungsparametern entsprechen. Auf der Absizze sind die Substratabmessungen quer zur Transportrichtung dargestellt. Die Punkte mit einem Leistungseintrag von 100 % sind besonders hervorgehoben; die Lage dieser Punkte entspricht den seitlichen Begrenzungskanten, des Substrats, in Transportrichtung gesehen. Die einer e-Funktion entsprechende Linie 24 repräsentiert dabei den- Energieeintrag der Wellenleiter-Struktur 6, während die Linie 25 den entgegengesetzten Energieeintrag der Wellenleiter-Struktur 7 repräsentiert. Es ist erkennbar, daß die Energieeinträge in Richtung auf die jeweils gegenüberliegende Kante des Substrats bis auf einen Bruchteil des maximal möglichen Energieeintrags von 100% abnimmt. Die überlagerung der beiden
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Kurven führt jedoch zur Kurve 26, die eine Art Kettenlinie darstellt. Es ist zu erkennen, daS die Abnahme des Leistungseintrags in der Mitte des Substrats wesentlich verringert wird, so dag eine wesentlich bessere Behandlungsintensität bzw. Niederschlagsrate erzielt wird. Hierbei ist zu berücksichtigen, daß die Verhältnisse in Figur 3 übertrieben dargestellt sind, um die Anschaulichkeit zu verbessern. Je besser die Anstellwinkel der Wellenleiter-Strukturen auf die Entladungsparameter abgestimmt sind, um so günstiger gestaltet sich der Kurvenverlauf. In jedem Falle aber liegen im Bereich der beiden Außenkanten des Substrats keinerlei Abweichungen vor, und die Abweichungen in Substratmitte betragen nur einen Bruchteil derjenigen Abweichungen, die sich ohne eine Überlagerung einstellen würden.
In Figur 4 sind die Sprossen 10 der Wellenleiter-Struktur 6 ausgezogen dargestellt, während die Sprossen 11 der Wellenleiter-Struktur 7 gestrichelt gezeigt sind. Es handelt sich jeweils um Schnitte entlang der Mittenebenen M^ bzw. M2, wobei die Schnitte jedoch aufeinander projiziert sind. Es ist erkennbar, daß die Sprossen der beiden Wellenleiter-Strukturen und 7 um einen halben Sprossenabstand gegeneinander verschoben sind, wobei der Sprossenabstand mit Zq bezeichnet ist. Der Intensitätsverlauf der Wellenleiter-Struktur 6 mit den Sprossen 10 besitzt aufgrund des endlichen Sprossenab-Standes eine MikroStruktur, die durch den ausgezogenen Kurvenzug 27 dargestellt ist. Der Energieverlauf der Wellenleiterstruktur 7 mit den Sprossen 11 ist analog durch den gestrichelten Kurvenzug 28 angedeutet. Die durch die Oberlagerung erzielte effektive Energieverteilung entspricht dabei der gemeinsamen Hüll kurve der beiden Kurvenzüge 27 und 28. Daraus ergibt sich., daß die MikroStruktur der Entladungsintensität durch den Versatz der Sprossen weitgehend ausgelöscht wird.

Claims (6)

  1. ο > ο
    3H798S
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    ANSPRÜCHE:
    AJ Vorrichtung zur Erzeugung eines Mikrowellenplasmas für die Behandlung von Substraten, insbesondere zur Plasmapolymerisation von Monomeren zur Beschichtung der Substrate mit den gebildeten Polymerisaten, bestehend aus einer Reaktionskammer für den Transport der Substrate und für die Aufrechterhaltung einer Atmosphäre aus ionisierbaren Gasen und Monomeren, sowie aus einer quer zur Transportrichtung der Substrate verlaufenden langgestreckten ersten Wellenleiter-Struktur, die unter einem spitzen Winkel zur Substratoberfläche ausgerichtet und einseitig über einen ersten Hohlleiter mit einem Mikrowellensender verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß neben der ersten Wellenleiter-Struktur (6) auf der gleichen Seite der Substrate mindestens eine zweite langgestreckte' Wellenleiter-Struktur (7) angeordnet ist, die gleichfalls quer zur Transportrichtung der Substrate (2) verläuft, jedoch in entgegengesetzter Richtung unter einem spitzen Winkel zur Substratoberfläche ausgerichtet und über einen zweiten Hohlleiter (20) mit einem Mikrowellensender (17) verbunden ist.
  2. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wellenleiter-Strukturen aus je zwei geraden Holmen (8, 9) bestehen, zwischen denen sich eine Reihe von Sprossen (10, 11) ■erstreckt, die abwechselnd mit einem von zwei Mittelleitern ^12/13; 14/15) leitend verbunden sind, und daß .diejenigen Mittenebenen beider Wellenleiter-Strukturen (6, 7),
    24. November 1981 81517
    die senkrecht zu den Sprossen verlaufen, parallel zueinander und senkrecht zur Substratoberfläelie ausgerichtet sind.
  3. 3. Vorrichtung nach Anspruch 1S dadurch ge ke η η ze i c hn e t , daß die Wellenleiter-Strukturen (6, 7} aus.3« zwei geraden Holmen (8, 9) bestehen, zwischen denen sich eine Reihe von Sprossen (10, 11) erstreckt, die -abwechselnd mit einem von zwei Mittel leitern (12/13 bzw. 14/15) leitend, verbunden sind, und daß diejenigen Mittenebenen (M. bzw. M2) beider Wellenleiter-Strukturen (6jS 7), die senkrecht zu den Sprossen (10, 11) verlaufen, unter einem solchen Winkel ( δ) zueinander angestellt sind, daß sie sich in einer Geraden schneiden, die parallel zur Substratoberfläche und senkrecht zur Transportricfvfcung ausgerichtet ist.
  4. 4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktionskammer (T) mit einem mikrowellehdurchlässigen Fenster (5) versehen ist, das parallel zur Substratoberfläche verläuft^und daß die beiden Wellenleiter-Strukturen (6, 7) außerhalb der Reakti ons kammer und ober,-halb bzw. vor dem Fenster (5) angeordnet;sind.
  5. 5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die mindestens zwei Wellenleiter-Strukturen (6, 7) von einer gemeinsamen Abschirmung (23) umgeben sind.
  6. 6. Vorrichtung nach den Ansprüchen 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Wellenleiter-Strukturen (6, 7) quer zur Transportrichtung des Substrats (2) um einen halben Sprossenabstand gegeneinander verschoben sind.
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