DE19529627C1 - Thermisch leitende, elektrisch isolierende Verbindung und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Thermisch leitende, elektrisch isolierende Verbindung und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
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Description
Bei der Herstellung von Leistungsbaugruppen mit mindestens
einem Leistungsbauelement, werden wärmeleitende und elek
trisch isolierende Verbunde zwischen den Leistungsbauelemen
ten und den Kühlkörpern gefordert, die einerseits die Abfuhr
der Verlustwärme ermöglichen und andererseits eine ausrei
chende elektrische Isolierung zum Kühlkörper gewährleisten.
Zur Herstellung derartiger Verbunde ist es bekannt, die
Leistungsbaugruppen oder die einzelnen Leistungsbauelemente
auf einen Kupferträger, beispielsweise durch Löten oder
Kleben, aufzubringen. Diese als Wärmespreizelemente dienenden
Kupferträger werden vorwiegend über elektrisch isolierende
Keramikzwischenstücke, vorzugsweise über Zwischenstücke aus
Aluminiumoxid, mit dem zugehörigen Kühlkörper verbunden. Die
Güte der Wärmeleitung hängt insbesondere auch davon ab, ob
dieser Verbund durch mechanisches Anpressen, Kleben oder
Löten hergestellt wird. Nachteilig ist bei derartigen Verbin
dungen von Leistungsbauelementen und Kühlkörpern, daß aus
Gründen der mechanischen Festigkeit bei der Herstellung und
Verarbeitung die Keramikzwischenstücke dicker sein müssen,
als es für die elektrische Isolation notwendig wäre. Daraus
resultiert eine Grenze in der erzielbaren Wärmeleitfähigkeit
des Verbundes.
Aus der EP-A-0 042 693 ist es bekannt, die vorstehend ge
schilderten Nachteile der Keramikzwischenstücke durch plas
magespritzte Keramikschichten zu vermeiden. Die Keramik
schichten werden dabei auf die Wärmespreizelemente aufge
bracht, worauf die Wärmespreizelemente über die Keramik
schichten mit den zugehörigen Kühlkörpern verklebt werden.
Schichtkonsistenz und Schichtdicke bestimmen Wärmeleitfähig
keit und elektrische Isolationswirkung und können in weiten
Grenzen an unterschiedliche Anforderungen angepaßt werden.
Die hygroskopischen Eigenschaften plasmagespritzter Keramik
schichten wirken sich jedoch insbesondere dann nachteilig
aus, wenn ein solcher Verbund aus konstruktiven Gründen gegen
Luftfeuchtigkeit nicht mit Isoliergel, z. B. auf der Basis von
Silikon, langzeitstabil abgedeckt werden kann.
Aus der DE 89 14 493 U1 ist eine Leistungsbaugruppe bekannt,
die eine thermisch leitende, elektrisch isolierende Verbin
dung zwischen Träger und Kühlkörper aufweist. Die Isolier
schicht wird dabei nicht als vorher gefertigtes Teil, sondern
als Beschichtung ausgeführt, die entweder auf den Kühlkörper
aufgetragen und mit dem Träger verklebt wird oder die auf den
Trager aufgetragen und mit dem Kühlkörper verklebt wird. Bei
einer Variante wird auf der Oberfläche des aus Aluminium be
stehenden Kühlkörpers eine Eloxalschicht als Isolierung ge
bildet. Diese durch anodische Oxidation des Aluminiums gebil
dete Eloxalschicht weist jedoch keine glatte Oberfläche aus
Aluminiumoxid, sondern eine ungleichmäßige Oberfläche nach
Art einer Kraterlandschaft auf. Ist die verbleibende Dicke
der Eloxalschicht zwischen den Kratertälern im Hinblick auf
die geforderte Spannungsfestigkeit zu gering, so wird die
Eloxalschicht zusätzlich mit einer Schicht aus Polytetrafluo
rethylen überzogen, die gerade so dick ist, daß sie die beim
Oxidieren entstandenen Krater auffüllt. Mit dieser Glättung
der Oberfläche der Eloxalschicht wird die isolierende Schicht
dicker gemacht und die Spannungsfestigkeit erhöht.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine thermisch lei
tende, elektrisch isolierende Verbindung und ein Verfahren zu
deren Herstellung auf der Basis thermisch gespritzter Kera
mikschichten so auszugestalten, daß der Verbund bei hoher
Wärmeleitfähigkeit und hoher elektrischer Isolationswirkung
gegen die Einflüsse von Luftfeuchtigkeit unempfindlich ist.
Diese Aufgabe wird durch eine thermisch leitende, elektrisch
isolierende Verbindung nach Anspruch 1 und durch ein Verfah
ren zur Herstellung einer derartigen Verbindung nach Anspruch
10 gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen thermisch
leitenden, elektrisch isolierenden Verbindung gehen aus den
Ansprüchen 2 bis 9 hervor.
Vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens
zur Herstellung einer thermisch leitenden, elektrisch isolie
renden Verbindung gehen aus den Ansprüchen 11 bis 16 hervor.
Die Erfindung beruht auf der Erkenntnis, daß eine Imprägnie
rung oder Versiegelung thermisch gespritzter Keramikschichten
ohne Beeinträchtigung der Wärmeleitfähigkeit und der elektri
schen Isolationswirkung die Poren der Schicht zumindest im
Oberflächenbereich schließt und damit unerwünschte Auswirkun
gen der Luftfeuchtigkeit mit Sicherheit verhindert. Die wei
tere Verbindung der Keramikschicht mit einer zweiten Werk
stückoberfläche oder mit einer zweiten Keramikschicht, wird
durch die Imprägnierung oder Versiegelung nicht behindert und
kann in bekannter Weise beispielsweise durch Ultraschall-Schweißen
oder durch Kleben vorgenommen werden.
Unter dem Begriff "Imprägnierung" ist im Sinne der vorliegen
den Erfindung das oberflächliche oder das vollständige Durch
tränken der porösen Keramikschicht mit einem elektrisch
isolierenden Material zu verstehen, das gegebenenfalls auch
auf der Oberfläche einen Schutzfilm bilden kann.
Unter dem Begriff "Versiegelung" ist im Sinne der vorliegen
den Erfindung eine Oberflächenbehandlung der porösen Keramik
schicht mit einem elektrisch isolierenden Material zu verste
hen, das zumindest im Oberflächenbereich in die Poren ein
dringt und auf der Oberfläche einen Schutzfilm bildet.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung
dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben.
Es zeigen
Fig. 1 eine Anordnung eines Leistungsbauelements auf einem
Kühlkörper und
Fig. 2 einen stark vergrößerten Schnitt durch den Verbin
dungsbereich der in Fig. 1 dargestellten Anordnung.
In Fig. 1 ist mit LB ein Leistungsbauelement, beispielsweise
ein Leistungshalbleiter, bezeichnet, der über eine Lotschicht
L mit einem Wärmespreizelement WS aus Kupfer verbunden ist.
Der elektrische Anschluß des Leistungsbauelements LB erfolgt
über in Fig. 1 angedeutete Bonddrähte auf eine nicht darge
stellte Schaltung.
Das scheibenförmige Wärmespreizelement WS ist über eine
wärmeleitende Kleberschicht K und über eine thermisch leiten
de, elektrisch isolierende Keramikschicht KS mit einem Kühl
körper KK verbunden, der aus einem gut wärmeleitenden Metall,
wie z. B. Kupfer oder Aluminium besteht. Der Kühlkörper KK kann
auch die Form eines von Kühlwasser durchströmten, rechteck
förmigen Rohres aufweisen.
Die Keramikschicht KS wird durch thermisches Spritzen, vor
zugsweise durch Plasmaspritzen, auf die Oberfläche des Kühl
körpers KK aufgebracht. Die Stärke der beispielsweise aus
Oxidkeramik, vorzugsweise aus Aluminiumoxid bestehenden
Keramikschicht KS, richtet sich dabei nach dem geforderten
elektrischen Isoliervermögen.
Eine durch thermisches Spritzen auf einen Kühlkörper KK
aufgebrachte Keramikschicht KS weist eine gewisse Porosität
auf, die ohne zusätzliche Maßnahmen zu einer unerwünschten
Hygroskopizität des Schichtsystems führen würde. Diese Poro
sität der Keramikschicht KS ist in dem in Fig. 2 dargestell
ten Schnitt durch die weiten Abstände zwischen den einzelnen
Keramik-Partikeln KP stark übertrieben dargestellt. Anderer
seits wird durch diese stark übertrieben dargestellte Porosi
tät die Wirkung einer Imprägnierung der Keramikschicht KS
verdeutlicht, bei welcher ein elektrisch isolierendes Materi
al M die Keramikschicht KS völlig durchdrängt und damit eine
Hygroskopizität des Schichtsystems mit Sicherheit verhindert.
Anstelle der in Fig. 2 dargestellten Imprägnierung kann die
Keramikschicht KS aber auch versiegelt werden, wobei hier das
elektrisch isolierende Material M zumindest im Oberflächenbe
reich in die Poren eindringt und auf der Oberfläche einen
Schutzfilm bildet. In beiden Fällen kann als elektrisch
isolierendes Material M eine beispielsweise im Temperaturbe
reich zwischen 600°C und 800°C schmelzende Keramikglasur, ein
härtbares Harz oder ein härtbarer Kleber verwendet werden.
Vorzugsweise wird zur Imprägnierung oder Versiegelung der
Keramikschicht KS ein Epoxid-Harz verwendet. Zur kondensat
freien Imprägnierung oder Versiegelung kann die Beschich
tungswärme genutzt werden, oder es wird ein Ausheizvorgang
zwischengeschaltet. Von besonderer Wichtigkeit ist dabei, daß
das Epoxid-Harz nach der Behandlung der Keramikschicht KS
porenfrei bleibt. Dies wird beispielsweise durch eine Nieder
druck- oder Vakuumimprägnierung gewährleistet.
In dem in den Fig. 1 und 2 dargestellten Ausführungsbei
spiel wird die imprägnierte Keramikschicht KS über eine
Kleberschicht K mit dem Wärmespreizelement WS verbunden.
Vorzugsweise wird als Material für die Kleberschicht K eben
falls ein Epoxid-Harz verwendet. Zur weiteren Verbesserung
der Wärmeleitfähigkeit kann der Kleberschicht K auch ein
thermisch leitendes Pulver, wie z. B. Nickel-Pulver, beige
mischt werden.
Abweichend von dem vorstehend geschilderten und in den
Fig. 1 und 2 dargestellten Ausführungsbeispiel, kann die
Keramikschicht KS auch auf das Wärmespreizelement WS aufge
bracht und anschließend imprägniert oder versiegelt werden.
Es ist aber auch möglich, sowohl auf den Kühlkörper KK, als
auch auf das Wärmespreizelement WS Keramikschichten KS aufzu
bringen und diese dann nach einer Imprägnierung oder Versie
gelung über eine Kleberschicht K miteinander zu verbinden.
Claims (16)
1. Thermisch leitende, elektrisch isolierende Verbindung
zwischen zwei Werkstücken, mit folgenden Merkmalen:
- a) auf mindestens eine Werkstückoberfläche ist eine Keramik schicht (KS) durch thermisches Spritzen aufgebracht;
- b) die Keramikschicht (KS) ist mit einem elektrisch isolie renden Material (M) imprägniert oder versiegelt;
- c) die imprägnierte oder versiegelte Keramikschicht (KS) ist mit der anderen Werkstückoberfläche oder mit der auf die andere Werkstückoberfläche aufgebrachten, imprägnierten oder versiegelten Keramikschicht (KS) verbunden.
2. Thermisch leitende, elektrisch isolierende Verbindung nach
Anspruch 1,
gekennzeichnet durch
eine aus Oxidkeramik bestehende Keramikschicht (KS).
3. Thermisch leitende, elektrisch isolierende Verbindung nach
Anspruch 2,
gekennzeichnet durch
eine aus Aluminiumoxid bestehende Keramikschicht (KS).
4. Thermisch leitende, elektrisch isolierende Verbindung nach
einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Keramikschicht (KS) mit einem Harz oder Kleber imprä
gniert oder versiegelt ist.
5. Thermisch leitende, elektrisch isolierende Verbindung nach
Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Keramikschicht (KS) mit Epoxid-Harz imprägniert oder
versiegelt ist.
6. Thermisch leitende, elektrisch isolierende Verbindung nach
einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Keramikschicht (KS) mit einer niedrigschmelzenden
Keramikglasur imprägniert oder versiegelt ist.
7. Thermisch leitende, elektrisch isolierende Verbindung nach
einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß zur Verbindung der imprägnierten oder versiegelten Kera
mikschicht (KS) mit der anderen Werkstückoberfläche oder mit
der auf die andere Werkstückoberfläche aufgebrachten, imprä
gnierten oder versiegelten Keramikschicht (KS) eine Kleber
schicht (K) dient.
8. Thermisch leitende, elektrisch isolierende Verbindung nach
Anspruch 7,
gekennzeichnet durch
eine Kleberschicht (K) aus Epoxid-Harz.
9. Thermisch leitende, elektrisch isolierende Verbindung nach
Anspruch 7 oder 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Kleberschicht (K) ein thermisch leitendes Pulver
beigemischt ist.
10. Verfahren zur Herstellung einer thermisch leitenden,
elektrisch isolierenden Verbindung zwischen zwei Werkstücken,
mit folgenden Schritten:
- a) auf mindestens eine Werkstückoberfläche wird eine Keramik schicht (KS) durch thermisches Spritzen aufgebracht;
- b) die Keramikschicht (KS) wird mit einem elektrisch isolie renden Material (M) imprägniert oder versiegelt;
- c) die imprägnierte oder versiegelte Keramikschicht (KS) wird mit der anderen Werkstückoberfläche oder mit der auf die andere Werkstückoberfläche aufgebrachten, imprägnierten oder versiegelten Keramikschicht (KS) verbunden.
11. Verfahren nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Keramikschicht (KS) durch Plasmaspritzen aufgebracht
wird.
12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11,
gekennzeichnet durch
eine Niederdruck- oder Vakuumimprägnierung der Keramikschicht
(KS) mit einem Harz oder Kleber.
13. Verfahren nach Anspruch 12,
gekennzeichnet durch
eine Niederdruck- oder Vakuumimprägnierung der Keramikschicht
(KS) mit Epoxid-Harz.
14. Verfahren nach einem der Ansprüchen 10 bis 13,
dadurch gekennzeichnet,
daß die imprägnierte oder versiegelte Keramikschicht (KS) mit
der anderen Werkstückoberfläche oder mit der auf die andere
Werkstückoberfläche aufgebrachten, imprägnierten oder versie
gelten Keramikschicht (KS) über eine Kleberschicht (K) ver
bunden wird.
15. Verfahren nach Anspruch 14,
gekennzeichnet durch
die Verwendung einer aus Epoxid-Harz bestehenden Kleber
schicht (K).
16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Kleberschicht (K) ein thermisch leitendes Pulver
beigemischt wird.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19529627A DE19529627C1 (de) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | Thermisch leitende, elektrisch isolierende Verbindung und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP8198060A JP2921668B2 (ja) | 1995-08-11 | 1996-07-26 | 熱伝導性かつ電気絶縁性の結合装置およびその製造方法 |
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10009678C1 (de) * | 2000-02-29 | 2001-07-19 | Siemens Ag | Wärmeleitende Klebstoffverbindung und Verfahren zum Herstellen einer wärmeleitenden Klebstoffverbindung |
DE10217214A1 (de) * | 2002-04-18 | 2003-11-27 | Hella Kg Hueck & Co | Kühlanordnung für eine Schaltungsanordnung |
DE19637285B4 (de) * | 1995-09-19 | 2004-08-26 | National Semiconductor Corp.(N.D.Ges.D.Staates Delaware), Santa Clara | Halbleiterbauelement und Verfahren zum Zusammenbau hiervon |
DE102004032368A1 (de) * | 2004-06-30 | 2006-01-26 | Robert Bosch Gmbh | Kühlungsaufbau für eine Schaltung |
DE102004058806A1 (de) * | 2004-12-07 | 2006-06-08 | Robert Bosch Gmbh | Schaltungsstruktur auf einem Kühlkörper und Verfahren zur Herstellung derartiger Schaltungsstrukturen |
DE102005032076B3 (de) * | 2005-07-08 | 2007-02-08 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen eines Schaltungsmoduls |
DE102006046518A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Airbus Deutschland Gmbh | Verfahren zum Beschichten eines Substrates |
US8134083B2 (en) | 2006-06-07 | 2012-03-13 | Ab Mikroelektronik Gesselschaft Mit Beschrankter Haftung | Circuit carrier |
DE102010062914A1 (de) * | 2010-12-13 | 2012-06-14 | Robert Bosch Gmbh | Halbleiter mit einem Verbindungselement zum Aführen von Wärme und Verfahren |
DE102011004171A1 (de) * | 2011-02-15 | 2012-08-16 | Brose Fahrzeugteile GmbH & Co. Kommanditgesellschaft, Würzburg | Temperierelement und Verfahren zur Befestigung eines Elektrobauteils an dem Temperierelement |
DE102013219369A1 (de) * | 2013-09-26 | 2015-03-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronische Anordnung und Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Anordnung |
US9764351B2 (en) | 2006-09-29 | 2017-09-19 | Airbus Operations Gmbh | Method of coating a substrate |
DE102012105840B4 (de) | 2011-06-30 | 2018-07-12 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Befestigen einer Metallfläche auf einen Träger und Verfahren zum Befestigen eines Chips auf einen Chipträger |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19914411A1 (de) * | 1999-03-30 | 2000-10-12 | Bosch Gmbh Robert | Piezoelektrischer Aktor |
KR20010062209A (ko) | 1999-12-10 | 2001-07-07 | 히가시 데쓰로 | 고내식성 막이 내부에 형성된 챔버를 구비하는 처리 장치 |
JP2003037382A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 熱伝導性接着シート |
US6741357B2 (en) * | 2001-08-14 | 2004-05-25 | Seagate Technology Llc | Quadrature phase shift interferometer with unwrapping of phase |
US7166200B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-01-23 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system |
US6798519B2 (en) | 2002-09-30 | 2004-09-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved optical window deposition shield in a plasma processing system |
US6837966B2 (en) | 2002-09-30 | 2005-01-04 | Tokyo Electron Limeted | Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system |
US7147749B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-12-12 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate with deposition shield in a plasma processing system |
US7137353B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-11-21 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved deposition shield in a plasma processing system |
US7166166B2 (en) * | 2002-09-30 | 2007-01-23 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system |
US7204912B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-04-17 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved bellows shield in a plasma processing system |
TW200423195A (en) | 2002-11-28 | 2004-11-01 | Tokyo Electron Ltd | Internal member of a plasma processing vessel |
WO2004095530A2 (en) * | 2003-03-31 | 2004-11-04 | Tokyo Electron Limited | Adjoining adjacent coatings on an element |
US7291566B2 (en) | 2003-03-31 | 2007-11-06 | Tokyo Electron Limited | Barrier layer for a processing element and a method of forming the same |
US20050199183A1 (en) * | 2004-03-09 | 2005-09-15 | Masatsugu Arai | Plasma processing apparatus |
US7552521B2 (en) | 2004-12-08 | 2009-06-30 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for improved baffle plate |
US7601242B2 (en) | 2005-01-11 | 2009-10-13 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing system and baffle assembly for use in plasma processing system |
TWM351450U (en) * | 2008-07-24 | 2009-02-21 | Yi-Min Lin | Integrated circuit having porous ceramic heat dissipation plate |
US8378212B2 (en) * | 2009-06-04 | 2013-02-19 | Raytheon Company | Sealed electrical feed-through assembly and methods of making same |
JP5251791B2 (ja) * | 2009-08-31 | 2013-07-31 | 株式会社デンソー | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
JP5486608B2 (ja) * | 2009-11-13 | 2014-05-07 | 株式会社日立製作所 | 絶縁性構造及びその製造方法 |
EP2572376A1 (de) * | 2010-05-21 | 2013-03-27 | Nokia Siemens Networks OY | Verfahren und vorrichtung zur wärmekopplung eines kühlkörpers an eine komponenten |
US20130149514A1 (en) * | 2010-07-30 | 2013-06-13 | Kyocera Corporation | Insulating sheet, method of manufacturing the same, and method of manufacturing structure using the insulating sheet |
CN103120015B (zh) | 2010-10-01 | 2019-03-08 | 诺基亚通信公司 | 无线电资源控制连接释放消息等待计时器 |
JP2012119671A (ja) | 2010-11-11 | 2012-06-21 | Kitagawa Ind Co Ltd | 電子回路及びヒートシンク |
JP5542765B2 (ja) * | 2011-09-26 | 2014-07-09 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | パワーモジュール |
CN104136651A (zh) * | 2011-12-09 | 2014-11-05 | 乔治费歇尔汽车产品(苏州)有限公司 | 用于对基质进行涂覆的方法 |
TWI566673B (zh) * | 2012-08-20 | 2017-01-11 | 鴻準精密工業股份有限公司 | 散熱器組合 |
US10845778B2 (en) | 2017-03-30 | 2020-11-24 | Lincoln Global, Inc. | Workpiece positioner and welding sequencer |
US10457001B2 (en) * | 2017-04-13 | 2019-10-29 | Infineon Technologies Ag | Method for forming a matrix composite layer and workpiece with a matrix composite layer |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0042693A2 (de) * | 1980-06-21 | 1981-12-30 | LUCAS INDUSTRIES public limited company | Baugruppe mit Leistungshalbleitern und Verfahren zur Herstellung derselben |
DE8914493U1 (de) * | 1989-12-08 | 1990-05-17 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Leistungsbaugruppe |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0196865B1 (de) * | 1985-03-27 | 1990-09-12 | Ibiden Co, Ltd. | Substrate für elektronische Schaltungen |
US5276423A (en) * | 1991-11-12 | 1994-01-04 | Texas Instruments Incorporated | Circuit units, substrates therefor and method of making |
US5686172A (en) * | 1994-11-30 | 1997-11-11 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Metal-foil-clad composite ceramic board and process for the production thereof |
-
1995
- 1995-08-11 DE DE19529627A patent/DE19529627C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-07-26 JP JP8198060A patent/JP2921668B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-07 US US08/692,237 patent/US5948521A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0042693A2 (de) * | 1980-06-21 | 1981-12-30 | LUCAS INDUSTRIES public limited company | Baugruppe mit Leistungshalbleitern und Verfahren zur Herstellung derselben |
DE8914493U1 (de) * | 1989-12-08 | 1990-05-17 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Leistungsbaugruppe |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19637285B4 (de) * | 1995-09-19 | 2004-08-26 | National Semiconductor Corp.(N.D.Ges.D.Staates Delaware), Santa Clara | Halbleiterbauelement und Verfahren zum Zusammenbau hiervon |
DE10009678C1 (de) * | 2000-02-29 | 2001-07-19 | Siemens Ag | Wärmeleitende Klebstoffverbindung und Verfahren zum Herstellen einer wärmeleitenden Klebstoffverbindung |
DE10217214A1 (de) * | 2002-04-18 | 2003-11-27 | Hella Kg Hueck & Co | Kühlanordnung für eine Schaltungsanordnung |
DE10217214B4 (de) * | 2002-04-18 | 2004-03-11 | Hella Kg Hueck & Co. | Kühlanordnung für eine Schaltungsanordnung |
DE102004032368A1 (de) * | 2004-06-30 | 2006-01-26 | Robert Bosch Gmbh | Kühlungsaufbau für eine Schaltung |
DE102004032368B4 (de) * | 2004-06-30 | 2015-04-09 | Robert Bosch Gmbh | Kühlungsaufbau für eine Schaltung |
DE102004058806B4 (de) * | 2004-12-07 | 2013-09-05 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Schaltungsstrukturen auf einem Kühlkörper und Schaltungsstruktur auf einem Kühlkörper |
DE102004058806A1 (de) * | 2004-12-07 | 2006-06-08 | Robert Bosch Gmbh | Schaltungsstruktur auf einem Kühlkörper und Verfahren zur Herstellung derartiger Schaltungsstrukturen |
DE102005032076B3 (de) * | 2005-07-08 | 2007-02-08 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen eines Schaltungsmoduls |
US8134083B2 (en) | 2006-06-07 | 2012-03-13 | Ab Mikroelektronik Gesselschaft Mit Beschrankter Haftung | Circuit carrier |
DE102006046518A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Airbus Deutschland Gmbh | Verfahren zum Beschichten eines Substrates |
DE102006046518B4 (de) * | 2006-09-29 | 2008-10-30 | Airbus Deutschland Gmbh | Verfahren zum Beschichten eines Substrates |
US9764351B2 (en) | 2006-09-29 | 2017-09-19 | Airbus Operations Gmbh | Method of coating a substrate |
DE102010062914A1 (de) * | 2010-12-13 | 2012-06-14 | Robert Bosch Gmbh | Halbleiter mit einem Verbindungselement zum Aführen von Wärme und Verfahren |
DE102011004171A1 (de) * | 2011-02-15 | 2012-08-16 | Brose Fahrzeugteile GmbH & Co. Kommanditgesellschaft, Würzburg | Temperierelement und Verfahren zur Befestigung eines Elektrobauteils an dem Temperierelement |
DE102012105840B4 (de) | 2011-06-30 | 2018-07-12 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Befestigen einer Metallfläche auf einen Träger und Verfahren zum Befestigen eines Chips auf einen Chipträger |
DE102013219369A1 (de) * | 2013-09-26 | 2015-03-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronische Anordnung und Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Anordnung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5948521A (en) | 1999-09-07 |
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JP2921668B2 (ja) | 1999-07-19 |
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