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DE1215748T1 - Zusammengestellte Hochfrequenz-Vorrichtung - Google Patents

Zusammengestellte Hochfrequenz-Vorrichtung

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DE1215748T1
DE1215748T1 DE1215748T DE02005653T DE1215748T1 DE 1215748 T1 DE1215748 T1 DE 1215748T1 DE 1215748 T DE1215748 T DE 1215748T DE 02005653 T DE02005653 T DE 02005653T DE 1215748 T1 DE1215748 T1 DE 1215748T1
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high frequency
multilayer unit
single multilayer
section
transmission line
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DE1215748T
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Koji Furutani
Mitsuhide Kato
Norio Nakajima
Koji Tanaka
Ken Tonegawa
Tatsuya Ueda
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Claims (7)

·::":.;":·/.&iacgr;'&idigr;? &Lgr; &Ogr;&Egr;/&Egr;&Rgr; 1 21574« TI Europäisches Aktenzeichen: 02 005 653.7 Patentansprüche 5
1. Eine zusammengesetzte Hochfrequenzvorrichtung (2), die eine Serienschaltung eines Hochfrequenzschalters (1) und eines Hochfrequenzfilters (Fl) aufweist, wobei der Hochfrequenzschalter (1) und das Hochfrequenzfilter (Fl) eine Mehrzahl von Elementen aufweisen, die zumindest teilweise in einer einzigen mehrschichtigen Einheit (10) gebildet sind, die eine Mehrzahl von Schichten (11 - 25) aufweist, wobei
der Hochfrequenzschalter (1) einen Kondensator (Cl, C2, C3, C4, C5, C6), eine Übertragungsleitung (Ll, L2, L3) und eine Diode (Dl, D2) aufweist, wobei die Übertragungsleitung (L2) zwischen einer Empfangsschaltungselektrode (RXl) und einer Antennenelektrode (ANTI) in der einzigen mehrschichtigen Einheit (10) gebildet ist, wobei die Diode (Dl) auf der einzigen mehrschichtigen Einheit (10) vorgesehen ist;
das Hochfrequenzfilter (Fl) einen Kondensator (C7, €8, C9) und eine Übertragungsleitung (L4, L5) aufweist;
zumindest zwei Masseelektroden (Gl) auf jeweiligen Schichten (23, 25) der einzigen mehrschichtigen Einheit (10) gebildet sind, wobei eine Masseelektrode auf der Schicht (25) gebildet ist, die benachbart zu der unteren Oberfläche (25u) der einzigen mehrschichtigen Einheit (10) ist;
die einzige mehrschichtige Einheit (10) in einen ersten Abschnitt und einen zweiten Abschnitt unterteilt ist, wobei der erste Abschnitt definiert ist, um ein Abschnitt zwischen zwei der jeweiligen Schichten (23,
&Igr; :"v2 ~
DE/EP 1 215 748Tl
25) zu sein, und wobei der zweite Abschnitt ein Abschnitt mit Ausnahme des ersten Abschnitts ist; und
der Kondensator des Hochfrequenzfilters (Fl) in dem ersten Abschnitt der einzigen mehrschichtigen Einheit (10) gebildet ist.
2. Die zusammengesetzte Hochfrequenzvorrichtung (2) gemäß Anspruch 1, bei der die Übertragungsleitung (L2) des Hochfrequenzschalters (1) in dem zweiten Abschnitt der einzigen mehrschichtigen Einheit (10) gebildet ist.
3. Die zusammengesetzte Hochfrequenzvorrichtung (2) gemäß Anspruch 1 oder 2, bei der der Hochfrequenzschalter
(1) eine Steuerungsschaltung zum Steuern der Diode (Dl) aufweist, wobei die Steuerungsschaltung eine Übertragungsleitung (Ll) aufweist, die in dem zweiten Abschnitt der einzigen mehrschichtigen Einheit (10) gebildet ist.
4. Die zusammengesetzte Hochfrequenzvorrichtung (2) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der die Übertragungsleitung (L4) des Hochfrequenzfilters (Fl) in dem zweiten Abschnitt der einzigen mehrschichtigen Einheit
(10) gebildet ist.
5. Die zusammengesetzte Hochfrequenzvorrichtung (2) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der der Hochfrequenzschalter (1) eine weitere Diode (D2) aufweist, die auf der einzigen mehrschichtigen Einheit (10) vorgesehen ist.
6. Die zusammengesetzte Hochfrequenzvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei der die erste Masseelektrode (Gl) auf der oberen Oberfläche der ersten Schicht (25) der einzigen mehrschichtigen Einheit (10) gebildet ist, und bei der die zweite Masseelektrode
auf der dritten Schicht (23) der einzigen mehrschichtigen Einheit (10) gebildet ist.
7. Die zusammengesetzte Hochfrequenzvorrichtung (2) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei der der Hochfrequenzschalter (1) und das Hochfrequenzfilter (Fl) ohne eine separate Impedanzanpassungsschaltung zwischen denselben angeordnet sind.
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