Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

DE112005000014T5 - Innenleiterverbindungsstruktur und Mehrschichtsubstrat - Google Patents

Innenleiterverbindungsstruktur und Mehrschichtsubstrat Download PDF

Info

Publication number
DE112005000014T5
DE112005000014T5 DE112005000014T DE112005000014T DE112005000014T5 DE 112005000014 T5 DE112005000014 T5 DE 112005000014T5 DE 112005000014 T DE112005000014 T DE 112005000014T DE 112005000014 T DE112005000014 T DE 112005000014T DE 112005000014 T5 DE112005000014 T5 DE 112005000014T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
conductor
continuous
conductors
via conductor
multilayer substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE112005000014T
Other languages
English (en)
Inventor
Issey Nagaokakyo Yamamoto
Naoki Nagaokakyo Kaise
Yutaka Nagaokakyo Morikita
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of DE112005000014T5 publication Critical patent/DE112005000014T5/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49822—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838—Geometry or layout
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
    • H05K1/112—Pads for surface mounting, e.g. lay-out directly combined with via connections
    • H05K1/113—Via provided in pad; Pad over filled via
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16235—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a via metallisation of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15172—Fan-out arrangement of the internal vias
    • H01L2924/15174—Fan-out arrangement of the internal vias in different layers of the multilayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
    • H05K1/0298—Multilayer circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09845—Stepped hole, via, edge, bump or conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09854—Hole or via having special cross-section, e.g. elliptical
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10674—Flip chip

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)

Abstract

Eine Innenleiterverbindungsstruktur, die gekennzeichnet ist durch Verbinden von zumindest zwei Durchgangsleitern, die in einem Isolatorsubstrat in einem vorbestimmten Abstand benachbart zueinander sind, und Leitungsleitern, die in dem Isolatorsubstrat angeordnet sind, wobei einer der Durchgangsleiter einen durchgehenden Durchgangsleiter umfasst, der so angeordnet ist, dass er sich in einer Richtung weg von dem Durchgangsleiter erstreckt, und der eine der Durchgangsleiter durch den durchgehenden Durchgangsleiter mit dem Leitungsleiter verbunden ist.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Innenleiterverbindungsstruktur und ein Mehrschichtsubstrat. Insbesondere bezieht sich dieselbe auf eine Innenleiterverbindungsstruktur, die in der Lage ist, eine Verdrahtungsdichte auf und zu einem Mehrschichtsubstrat zu erhöhen.
  • Stand der Technik
  • In den letzten Jahren haben sich Technologien für die Mikrobearbeitung integrierter Schaltungen drastisch verbessert und somit hat sich die Anzahl externer Anschlüsse der integrierten Schaltung erhöht, so dass ein Abstand zwischen externen Anschlüssen wesentlich reduziert wurde. In jüngster Zeit werden integrierte Schaltungen auf Keramiksubstraten hauptsächlich durch ein Flip-Chip-Bondsystem befestigt. Anschlussflächen für Flip-Chip-Bonden sind auf der Oberfläche des Keramiksubstrats angeordnet. Da der Abstand zwischen Bondanschlussflächen gemäß einer Reduktion des Abstands zwischen externen Anschlüssen der integrierten Schaltung reduziert werden muss, wurden bisher einige Verfahren vorgeschlagen.
  • Beispielsweise hat das Patentdokument 1 eine Keramikverdrahtungsplatine vorgeschlagen, die mit keiner Bondanschlussfläche versehen ist. Die Bondanschlussfläche ist durch ein Druckverfahren oder dergleichen gebildet. Wenn die Anzahl von Bondanschlussflächen erhöht wird, wird es schwierig, Anschlussflächen durch das Druckverfahren oder dergleichen zu bilden. Selbst wenn die Bondanschlussflächen gebildet werden können, ist die Stärke der Verbindung für den Durchgangsleiter schwach und die Zuverlässigkeit ist nicht sichergestellt. Folglich wird bei der Technologie, die in dem Patentdokument 1 beschrieben ist, ein Keramikmehrschichtsubstrat hergestellt durch Verwenden einer Leiterpaste mit einem Brennschwindungsfaktor, der kleiner ist als der der Keramikgrünlage und daher wird es einer Leiterschicht (Durchgangsleiter) in einem Durchgangsloch ermöglicht, als eine Bondanschlussfläche von dem Keramikmehrschichtsubstrat vorzustehen. Auf diese Weise wird das Drucken der Bondanschlussfläche vermieden, die Stärke der Verbindung zwischen der Bondanschlussfläche und dem Durchgangsleiter erhöht und außerdem wird eine Reduktion des Abstands zwischen den Bondanschlussflächen realisiert. In dem Patentdokument 1 wird jedoch die Verbindungsstruktur des Durchgangsleiters und des Leitungsleiters im Inneren des Keramikmehrschichtsubstrats nicht berücksichtigt.
  • Andererseits hat das Patentdokument 2 eine monolithische Keramikelektronikkomponente vorgeschlagen, bei der ein Leitungsleiter mit einem Verbindungsbereich versehen ist, und eine Verbindungsstruktur eines Durchgangsleiters und des Leitungsleiters verbessert ist. In dem Fall, wo der Durchgangsleiter und der Leitungsleiter verbunden sind, sind eine Keramikgrünlage, die mit dem Durchgangsleiter versehen ist, und eine Keramikgrünlage, die mit dem Leitungsleiter versehen ist, ausgerichtet, und ein Laminat der Keramikgrünlagen wird vorbereitet, gefolgt von Sintern. Ein Auftreten eines Arbeitsfehlers kann bei der Bildung des Durchgangsleiters und des Leitungsleiters auf den Keramikgrünlagen nicht vermieden werden, und es ist schwierig bei der Vorbereitung des Laminats ein Auftreten einer Abweichung zwischen Positionen des Durchgangsleiters und des Leitungsleiters zu vermeiden. Daher tritt zwischen dem Durchgangsleiter und dem Leitungsleiter in dem Laminat tendenziell eine schlechte Verbindung auf. Folglich ist bei dieser Technologie der Leitungsleiter mit einem Verbindungsbereich versehen, der einen Durchmesser aufweist, der größer ist als der Außendurchmesser des Durchgangsleiters und dadurch wird das Auftreten einer schlechten Verbindung vermieden, die sich aus dem oben beschriebenen Arbeitsverlust und einer Abweichung zwischen den Positionen ergibt.
  • Das Patentdokument 3 hat ein Verfahren zum Herstellen eines Mehrschichtkeramiksubstrats vorgeschlagen, bei dem die Verdrahtungsdichte erhöht werden kann. In diesem Fall, wie er in 9(a) und (b) gezeigt ist, ist ein Verbindungsbereich 3 auf dem unteren Ende eines Durchgangsleiters 2 gebildet, der in einem Mehrschichtkeramiksubstrat 1 angeordnet ist, und wenn Durchgangsleiter 2 benachbart zueinander sind, sind ihre jeweiligen Verbindungsbereiche 3 in zueinander unterschiedlichen Keramikschichten gebildet. Die Durchgangsleiter 3 sind durch die Verbindungsbereiche 3 mit Leitungsleitern 4 verbunden. Diese Technologie hat eine Gemeinsamkeit mit der Technologie in dem Patentdokument 2, da der Verbindungsbereich 3 angeordnet ist.
    Patentdokument 1: Japanisches Patent Nr. 2680443
    Patentdokument 2: Japanische ungeprüfte Patentanmeldungs-Veröffentlichung Nr. 2001-284811
    Patentdokument 3: Japanische ungeprüfte Patentanmeldungs-Veröffentlichung Nr. 11-074645
  • Offenbarung der Erfindung
  • Probleme, die durch die Erfindung gelöst werden
  • Da bei den bekannten Technologien, die in den Patentdokumenten 2 und 3 beschrieben sind, der Leitungsleiter oder der Durchgangsleiter den Verbindungsbereich aufweist kann durch den Verbindungsbereich ein Auftreten einer schlechten Verbindung verhindert werden, die sich aus einer Abweichung zwischen Positionen des Durchgangsleiters und des Leitungsleiters, ihren jeweiligen Arbeitsverlusten und dergleichen bei der Vorbereitung des Keramiksubstrats ergibt. Es gibt jedoch ein Problem, da, wie es beispielsweise in 9(a) gezeigt ist, ein Verbindungsbereich 3 von einem Durchgangsleiter 2 zu der Seite eines benachbarten Durchgangsleiters 2 vorsteht, und eine Reduktion des Abstands zwischen den Durchgangsleitern 2 und 2 durch den Betrag des Vorsprungs behindert wird. Das heißt, wenn der Abstand zwischen den Durchgangsleitern 2 und 2 reduziert ist, wie es in 10 gezeigt ist, neigen der Verbindungsbereich 3 und der benachbarte Durchgangsleiter 12 dazu, kurzgeschlossen zu werden, und während dem Brennen tritt tendenziell Ablösung auf, aufgrund des Unterschieds bei der Wärmeausdehnung zwischen der Keramikschicht und dem Verbindungsbereich 3. Daher ist zumindest ein Zwischenraum zum Verhindern von Kurzschluss und Ablösung zwischen den Durchgangsleitern 2 und 2 erforderlich, und eine Vorsprungsabmessung des Verbindungsbereichs 3 wird ferner diesem Zwischenraum hinzugefügt, so dass der Verbindungsbereich eine Reduktion des Abstands zwischen den Durchgangsleitern 2 und 2 behindert.
  • Die vorliegende Erfindung soll die oben beschriebenen Probleme überwinden. Folglich ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Innenleiterverbindungsstruktur zu liefern, die in der Lage ist, eine Dichte einer internen Verdrahtung zu erhöhen, gemäß beispielsweise einer Reduktion des Abstands zwischen externen Anschlüssen einer integrierten Schaltung und auch eines Mehrschichtsubstrats.
  • Einrichtungen zum Lösen der Probleme
  • Eine Innenleiterverbindungsstruktur gemäß Anspruch 1 der vorliegenden Erfindung ist gekennzeichnet durch Verbinden von zumindest zwei Durchgangsleitern, die bei einem vorbestimmten Abstand in einem Isolatorsubstrat benachbart zueinander sind, und Leitungsleitern, die in dem oben beschriebenen Isolatorsubstrat angeordnet sind, wobei einer der oben beschriebenen Durchgangsleiter einen durchgehenden Durchgangsleiter umfasst, der sich in einer Richtung weiter weg von dem oben beschriebenen anderen Durchgangsleiter erstreckt, und der oben beschriebene eine der Durchgangsleiter durch den oben beschriebenen durchgehenden Durchgangsleiter mit dem oben beschriebenen Leitungsleiter verbunden ist.
  • Die Innenleiterverbindungsstruktur gemäß Anspruch 2 der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass bei dem in Anspruch 1 beschriebenen Aspekt ein Verbindungsabschnitt des oben beschriebenen Leitungsleiters zu dem oben beschriebenen durchgehenden Durchgangsleiter oder ein Verbindungsabschnitt des oben beschriebenen durchgehenden Durchgangsleiters zu dem oben beschriebenen Leitungsleiter als ein Verbindungsbereich angeordnet ist, der eine größere Fläche hat als ein Verbindungsabschnitt des Gegenstücks.
  • Ein Mehrschichtsubstrat gemäß Anspruch 3 der vorliegenden Erfindung ist gekennzeichnet durch die Aufnahme eines Laminats, bei dem eine Mehrzahl von Isolatorschichten laminiert sind, wobei sich zumindest ein erster und ein zweiter Durchgangsleiter einzeln in dem oben beschriebenen Laminat erstrecken, von Positionen benachbart zueinander bei einem vorbestimmten Abstand auf einer der Hauptoberflächen des Laminats, und eines ersten Leitungsleiters, der mit dem ersten Durchgangsleiter verbunden ist, wobei der oben beschriebene erste Durchgangsleiter einen ersten durchgehenden Durchgangsleiter umfasst, der angeordnet ist, um sich in einer Richtung weg von dem oben beschriebenen zweiten Durchgangsleiter zu erstrecken, und der oben beschriebene erste Durchgangsleiter durch den oben beschriebenen ersten durchgehenden Durchgangsleiter mit dem oben beschriebenen ersten Leitungsleiter verbunden ist.
  • Das Mehrschichtsubstrat gemäß Anspruch 4 der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass bei dem in Anspruch 3 beschriebenen Aspekt ein dritter Durchgangsleiter ferner bei vorbestimmten Abständen von dem ersten und zweiten Durchgangsleiter aufgenommen ist, wobei sich der dritte Durchgangsleiter in dem oben beschriebenen Laminat von einer der Hauptoberflächen des oben beschriebenen Laminats erstreckt, wobei der oben beschriebene zweite Durchgangsleiter einen zweiten durchgehenden Durchgangsleiter umfasst, der so angeordnet ist, dass er sich in einer Richtung weg von sowohl dem oben beschriebenen ersten als auch dem dritten Durchgangsleiter erstreckt, und der oben beschriebene zweite Durchgangsleiter durch den oben beschriebenen zweiten durchgehenden Durchgangsleiter mit einem zweiten Leitungsleiter verbunden ist.
  • Das Mehrschichtsubstrat gemäß Anspruch 5 der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass bei dem in Anspruch 4 beschriebenen Aspekt der oben beschriebene erste durchgehende Durchgangsleiter und der zweite durchgehende Durchgangsleiter in ihren jeweiligen Isolatorschichten unterschiedlich angeordnet sind.
  • Das Mehrschichtsubstrat gemäß Anspruch 6 der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass bei dem in Anspruch 4 oder Anspruch 5 beschriebenen Aspekt der oben beschriebene erste durchgehende Durchgangsleiter und der zweite durchgehende Durchgangsleiter in ihren jeweiligen Isolatorschichten dünner als andere Isolatorschichten angeordnet sind.
  • Das Mehrschichtsubstrat gemäß Anspruch 7 der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass bei dem in einem der Ansprüche 4 bis Anspruch 6 beschriebenen Aspekt der oben beschriebene erste durchgehende Durchgangsleiter und der oben beschriebene zweite durchgehende Durchgangsleiter ihre jeweiligen Isolatorschichten durchdringen.
  • Das Mehrschichtsubstrat gemäß Anspruch 8 der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass bei dem in einem der Ansprüche 4 bis 6 beschriebenen Aspekt der oben beschriebene erste durchgehende Durchgangsleiter und der zweite durchgehende Durchgangsleiter ihre jeweiligen Isolatorschichten nicht durchdringen.
  • Das Mehrschichtsubstrat gemäß Anspruch 9 der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass bei dem in einem der Ansprüche 3 bis 8 beschriebenen Aspekt ein Verbindungsabschnitt des oben beschriebenen ersten Leitungsleiters zu dem oben beschriebenen ersten durchgehenden Durchgangsleiter oder ein Verbindungsabschnitt des oben beschriebenen ersten durchgehenden Durchgangsleiters zu dem oben beschriebenen ersten Leitungsleiter als ein Verbindungsbereich angeordnet ist, der größer ist als ein Verbindungsteil des Gegenstücks.
  • Das Mehrschichtsubstrat gemäß Anspruch 10 der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass bei dem in einem der Ansprüche 4 bis 9 beschriebenen Aspekt ein Verbindungsabschnitt des oben beschriebenen zweiten durchgehenden Durchgangsleiters zu dem oben beschriebenen zweiten Leitungsleiter oder ein Verbindungsabschnitt des oben beschriebenen zweiten Leitungsleiters zu dem oben beschriebenen zweiten durchgehenden Durchgangsleiter als ein Verbindungsbereich angeordnet ist, der größer ist als ein Verbindungsabschnitt des Gegenstücks.
  • Das Mehrschichtsubstrat gemäß Anspruch 11 der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass bei dem in einem der Ansprüche 3 bis 10 beschriebenen Aspekt eine Oberflächenelektrode, die mit jedem der oben beschriebenen Durchgangsleiter verbunden ist, auf der oben beschriebenen einen der Hauptoberflächen angeordnet ist.
  • Das Mehrschichtsubstrat gemäß Anspruch 12 der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass bei dem in einem der Ansprüche 3 bis 10 beschriebenen Aspekt eine elektronische Komponente auf der oben beschriebenen einen der Hauptoberflächen befestigt ist, und externe Anschlusselektroden dieser elektronischen Komponente mit dem oben beschriebenen ersten Durchgangsleiter und dem zweiten Durchgangsleiter verbunden sind, der an der oben beschriebenen Hauptoberfläche freigelegt ist, und nicht durch eine Oberflächenelektrode.
  • Das Mehrschichtsubstrat gemäß Anspruch 13 der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass bei dem in einem der Ansprüche 3 bis 10 beschriebenen Aspekt die oben beschriebene eine Hauptoberflächenseite konfiguriert ist, um mit einer Hauptplatine verbindbar zu sein.
  • Das Mehrschichtsubstrat gemäß Anspruch 14 der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass bei dem in einem der Ansprüche 3 bis 13 beschriebenen Aspekt die Isolatorschicht aus einem bei geringer Temperatur sinterbaren Keramikmaterial hergestellt ist.
  • Das Mehrschichtsubstrat gemäß Anspruch 15 der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass bei dem in einem der Ansprüche 3 bis 14 beschriebenen Aspekt jeder der oben beschriebenen Durchgangsleiter und der Leitungsleiter einzeln aus einem elektrisch leitfähigen Material hergestellt ist, das hauptsächlich Silber oder Kupfer enthält.
  • Vorteile
  • Gemäß den in Anspruch 1 oder Anspruch 15 der vorliegenden Erfindung beschriebenen Aspekte können eine Innenleiterverbindungsstruktur, die in der Lage ist, eine Dichte der inneren Verdrahtung beispielsweise gemäß einer Reduktion des Abstands zwischen externen Anschlüssen einer integrierten Schaltung zu reduzieren, und auch ein Mehrschichtsubstrat geschaffen werden.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine schematische Darstellung, die ein Ausführungsbeispiel einer Innenleiterverbindungsstruktur der vorliegenden Erfindung darstellt. 1(a) ist eine Schnittansicht eines Abschnitts entlang der Linie A-A, die in 1(b) gezeigt ist. 1(b) ist eine Draufsicht von 1(a).
  • Die 2(a) und (b) sind ein erklärendes Diagramm zum Erklären einer Reduktion des Abstands der Innenleiterverbindungsstruktur, die in 1 gezeigt ist, im Vergleich zu dem einer bekannten Verbindungsstruktur.
  • 3 ist ein Diagramm, das ein Ausführungsbeispiel eines Mehrschichtsubstrats der vorliegenden Erfindung zeigt. 3(a) ist eine Schnittansicht, die einen Schlüsselabschnitt desselben zeigt, 3(b) ist eine Draufsicht, die eine Verbindungsstruktur eines Durchgangsleiters und eines Leitungsleiters zeigt, von der Durchgangsleiterseite aus gesehen, und 3(c) ist eine Draufsicht, die die Verbindungsstruktur des Durchgangsleiters und des Leitungsleiters von der Leitungsleiterseite aus gesehen zeigt.
  • 4 ist eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht, die das in 2 gezeigte Mehrschichtsubstrat auf einer Keramikschichtbasis zeigt.
  • 5 ist ein Diagramm, das ein weiteres Ausführungsbeispiel des Mehrschichtsubstrats der vorliegenden Erfindung zeigt. 5(a) ist eine Schnittansicht, die einen Schlüsselabschnitt desselben zeigt, 5(b) ist eine Draufsicht, die eine Verbindungsstruktur eines Durchgangsleiters und eines Leitungsleiters von der Durchgangsleiterseite aus gesehen zeigt, und 5(c) ist eine Draufsicht, die die Verbindungsstruktur des Durchgangsleiters und des Leitungsleiters von der Leitungsleiterseite aus gesehen zeigt.
  • 6 ist eine Schnittansicht, die einen Schlüsselabschnitt eines weiteren Ausführungsbeispiels des Mehrschichtsubstrats der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 7 ist eine Schnittansicht, die einen Schlüsselabschnitt eines weiteren Ausführungsbeispiels des Mehrschichtsubstrats der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 8 ist eine Schnittansicht, die einen Schlüsselabschnitt eines weiteren Ausführungsbeispiels des Mehrschichtsubstrats der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 9 ist ein Diagramm, das ein bekanntes Mehrschichtsubstrat zeigt. 9(a) ist eine Schnittansicht, die einen Schlüsselabschnitt desselben zeigt, und 9(b) ist eine Draufsicht, die eine Verbindungsstruktur eines Durchgangsleiters und eines Leitungsleiters von der Durchgangsleiterseite aus gesehen zeigt.
  • 10 ist ein erklärendes Diagramm, das den Zustand zeigt, in dem der Durchgangsleiter und der Leitungsleiter in dem in 9 gezeigten Mehrschichtsubstrat kurzgeschlossen sind.
    • 10
    Innenleiterverbindungsstruktur
    12
    Keramikmehrschichtsubstrat (Isolatorsubstrat)
    12
    erster Durchgangsleiter
    13
    zweiter Durchgangsleiter
    15
    erster Leitungsleiter
    17
    erster durchgehender Durchgangsleiter
    15A
    Verbindungsbereich (Verbindungsabschnitt)
    30
    Keramikmehrschichtsubstrat (Mehrschichtsubstrat)
    31
    Laminat
    31A
    Keramikschicht (Isolatorschicht)
    31'A
    dünne Keramikschicht (dünne Isolatorschicht)
    32A
    erster Durchgangsleiter
    32B
    zweiter Durchgangsleiter
    32C
    dritter Durchgangsleiter
    33A
    erster Leitungsleiter
    34A
    erster durchgehender Durchgangsleiter
    35A
    Verbindungsbereich
    36A
    Verbindungsbereich
    40
    integrierte Schaltung
    50
    Hauptplatine
  • Bester Modus zum Ausführen der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend auf der Basis der in 1 bis 8 gezeigten Ausführungsbeispiele beschrieben.
  • Erstes Ausführungsbeispiel
  • Wie es schematisch beispielsweise in 1(a) und (b) gezeigt ist, ist eine Innenleiterverbindungsstruktur 10 des vorliegenden Ausführungsbeispiels als ein Innenleiter konfiguriert, der eine Mehrzahl von Durchgangsleitern (drei Einheiten in 1), einen ersten, zweiten und dritten Durchgangsleiter 12, 13 und 14 und einen ersten und einen dritten Leitungsleiter 15 und 16 umfasst, die mit dem ersten bzw. dritten Durchgangsleiter 12 und 14 verbunden sind. Die Durchgangsleiter sind in einer horizontalen Richtung an vorbestimmten Abständen voneinander angeordnet, mit einem vorbestimmten Muster in einem Isolatorsubstrat (Keramikmehrschichtsubstrat) 11, das aus einem Laminat besteht, bei dem eine Mehrzahl von Isolatorschichten (beispielsweise Keramikschichten) 11A laminiert sind, und sich von der Oberfläche in das Keramikmehrschichtsubstrat 11 erstrecken. Der Innenleiter verbindet beispielsweise eine integrierte Schaltung (in der Zeichnung nicht gezeigt), die auf der oberen Oberfläche des Keramikmehrschichtsubstrats 11 befestigt ist, elektrisch mit einer Hauptplatine (in der Zeichnung nicht gezeigt), die mit dem Keramikmehrschichtsubstrat 11 versehen ist.
  • Wie es in 1(a) und 1(b) gezeigt ist, umfassen beispielsweise der erste und der dritte Durchgangsleiter 12 und 14 einen ersten bzw. dritten durchgehenden Durchgangsleiter 17 und 18, die so angeordnet sind, dass sie sich in ihren jeweiligen Richtungen weg von dem benachbarten zweiten Durchgangsleiter 13 erstrecken, und außerdem sind der erste und der dritte Durchgangsleiter 12 und 14 durch den ersten bzw. dritten durchgehenden Durchgangsleiter 17 und 18 mit dem ersten bzw. dritten Leitungsleiter 15 und 16 verbunden. Der erste und der dritte Durchgangsleiter 12 und 14 müssen nicht von dem ersten und dritten Durchgangsleiter 12 und 14 zu dem benachbarten Durchgangsleiter 13 vorstehen, um den ersten und dritten Durchgangsleiter 12 und 14 durch den ersten bzw. dritten durchgehenden Durchgangsleiter 17 und 18 mit dem ersten bzw. dritten Leitungsleiter 15 und 16 zu verbinden. Daher kann der Abstand von dem benachbarten Durchgangsleiter 13 verringert werden, so dass der Abstand reduziert werden kann.
  • Wie es in 1(b) gezeigt ist, sind die Durchgangsleiter in der ersten Leitung und die Durchgangsleiter in der dritten Leitung vertikal symmetrisch. Die ersten Leiter in der ersten Leitung werden als vierter, fünfter und sechster Durchgangsleiter 19, 20 und 21 angenommen, und die Durchgangsleiter in der dritten Leitung werden ebenfalls als vierter, fünfter und sechster Durchgangsleiter 19, 20 und 21 angenommen. Die durchgehenden Durchgangsleiter, die sich von dem vierten, fünften und sechsten Durchgangsleiter 19, 20 und 21 erstrecken, werden als vierter, fünfter bzw. sechster durchgehender Durchgangsleiter 22, 23 und 24 angenommen. Die Leitungsleiter, die mit diesen durchgehenden Durchgangsleitern 22, 23 und 24 durch Verbindungsbereiche 25A, 26A bzw. 27A verbunden sind, werden als vierter, fünfter bzw. sechster Leitungsleiter 25, 26 und 27 angenommen. In 1(b) sind der erste und der dritte Durchgangsleiter 12 und 14 und der vierte, fünfte und sechste Durchgangsleiter 19, 20 und 21 angeordnet, um bezüglich des zweiten Durchgangsleiters 13 vertikal und bilateral symmetrisch zu werden. Der vierte, fünfte und sechste durchgehende Durchgangsleiter 22, 23 und 24 sind so angeordnet, dass sie sich in Richtungen weg von den benachbarten Durchgangsleitern erstrecken, und sind an den Enden der Erweiterungen mit dem vierten, fünften und sechsten Leitungsleiter 25, 26 und 27 verbunden. Eine Beziehung zwischen dem vierten, fünften und sechsten Durchgangsleiter 19, 20 und 21 ist ähnlich wie die Beziehung zwischen dem ersten, zweiten und dritten Durchgangsleiter 12, 13 und 14.
  • Wie es in 1(b) gezeigt ist, sind der erste und der dritte durchgehende Durchgangsleiter 17 und 18 und der vierte, fünfte und sechste durchgehende Durchgangsleiter 22, 23 und 24 so angeordnet, dass sie sich radial von dem ersten und dritten Durchgangsleiter 12 und 14 und dem vierten, fünften und sechsten Durchgangsleiter 19, 20 und 21 nach außen erstrecken, wobei der zweite Durchgangsleiter 13 mittig angeordnet ist. Die Erweiterungsrichtung des durchgehenden Durchgangsleiters wird bestimmt auf der Basis eines Musters von Durchgangsleitern und Leitungsleitern, die mit demselben verbunden sind. Es ist nur jedoch wesent lich, dass nur der durchgehende Durchgangsleiter so angeordnet ist, dass er sich in einer Richtung weg von einem benachbarten Durchgangsleiter erstreckt. In 1(a) sind der erste und der zweite durchgehende Durchgangsleiter 17 und 18 in der gleichen Keramikschicht 11A gebildet. Die Störung zwischen den Leitungsleitern kann jedoch verhindert werden, indem der erste und zweite durchgehende Durchgangsleiter 17 und 18 und der vierte, fünfte und sechste durchgehende Durchgangsleiter 22, 23 und 24 in zueinander unterschiedlichen Keramikschichten 11A gebildet werden, abhängig von dem Verdrahtungszustand der Leitungsleiter. Daher kann der durchgehende Durchgangsleiter als eine Durchgangsleitergruppe definiert werden, bei der eine Mehrzahl von Durchgangsleitern nacheinander angeordnet sind und fortlaufend in eine Isolatorschicht (beispielsweise Keramikschicht) integriert werden.
  • Das Ausmaß, zu dem der Abstand in der Innenleiterverbindungsstruktur 10 des vorliegenden Ausführungsbeispiels im Vergleich zu einer bekannten Verbindungsstruktur, die in 9 gezeigt ist, reduziert werden kann, wird beschrieben, indem der erste und der zweite Durchgangsleiter 12 und 13 mit Bezugnahme auf 2 als Beispiele genommen werden. Bei der bekannten Verbindungsstruktur, wie sie in 2(b) gezeigt ist, müssen ein Abstand (M1 + M2 + G1), d. h. die Gesamtmenge einer Vorsprungsabmessung M1 des Verbindungsbereichs 4 von dem Durchgangsleiter 2, die erforderlich ist, um den Durchgangsleiter 2 zuverlässig mit dem Leitungsleiter 3 zu verbinden, eine minimale Abmessung G1, die erforderlich ist, um das Auftreten eines Kurzschlusses und einer Ablösung zwischen dem Verbindungsbereich 4 und dem benachbarten Durchgangsleiter 2 zu verhindern, und ferner ein Rand M2, der erforderlich ist, um einen minimalen Zwischenraum sicherzustellen, selbst wenn eine Abweichung zwischen Positionen auftritt, zwischen benachbarten Leitern 2 und 2 sichergestellt sein. Allgemein muss dieser Abstand (M1 + M2 + G1) in der Größenordnung von 200 μm sein. Folglich ist es in der bekannten Verbindungsstruktur schwierig, den Abstand durch Verringern des Abstands zwischen den Durchgangsleitern 2 und 2 auf innerhalb 200 μm zu reduzieren.
  • Andererseits müssen bei der Verbindungsstruktur 10 des vorliegenden Ausführungsbeispiels ein Abstand (M2 + G2), d. h. die Gesamtsumme einer minimalen Abmessung G2, die erforderlich ist, um das Auftreten eines Kurzschlusses und einer Ablösung zwischen dem ersten Durchgangsleiter 12 und dem benachbarten zweiten Durchgangsleiter 13 zu vermeiden, und ein Rand M3, der erforderlich ist, um den Zwischenraum G2 sicherzustellen, selbst wenn eine Abweichung der Positionen zwischen dem ersten und zweiten Durchgangsleiter 12 und 13 auftritt, zwischen dem ersten und zweiten Durchgangsleiter 12 und 13 benachbart zueinander sichergestellt werden. Die Abmessung G2 bei der Verbindungsstruktur 10 des vorliegenden Ausführungsbeispiels und die Abmessung G1 bei der bekannten Verbindungsstruktur sind im Wesentlichen die gleiche Abmessung. Der Rand M3 ist bestimmt auf der Basis der Beziehung zwischen dem ersten Durchgangsleiter 12 und dem zweiten Durchgangsleiter 13. Da der erste Durchgangsleiter 12, der mit dem ersten Leitungsleiter 15 und dem zweiten Durchgangsleiter 13 zu verbinden ist, die nacheinander angeordnet sind, in dem gleichen Prozess verarbeitet wird, ist der Fehlerfaktor nur eine Genauigkeit bei der Durchgangslochverarbeitung und Faktoren, wie z. B. eine Verlängerung des Musters während dem Drucken der Leitung einschließlich des Verbindungsbereichs, und ein Anstieg des Arbeitsfehlers, der sich von dem Durchführen der zwei Prozesse der Durchgangslochverarbeitung und des Druckens der Leitung ergibt, sind eliminiert, im Gegensatz zu der bekannten Verbindungsstruktur, die in 2(b) gezeigt ist, so dass der Abweichungsbetrag der Positionen klein wird. Folglich hat das vorliegende Ausführungsbeispiel einen ersten Vorteil, da die Vorsprungsabmessung M1, die erforderlich ist, um die Zuverlässigkeit bei der Verbindung des Verbindungsbereichs, der größer ist als der Durchgangsdurchmesser, sicherzustellen, unnötig wird und ein zweiter Vorteil ist, dass der Rand M2 klein werden kann, während der Rand M2 notwendig ist, um das Auftreten eines Kurzschlusses und Reißen (Ablösens) bezüglich der benachbarten ersten und zweiten Durchgangsleiter 12 und 13 zu verhindern, wenn die Abweichung zwischen Positionen auftritt. Daher kann der Abstand zwischen dem ersten Durchgangsleiter 12 und dem zweiten Durchgangsleiter 13 bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel verringert werden, beispielsweise in der Größenordnung von 100 μm, d. h. eine Hälfte des bekannten Abstands, so dass der Abstand stärker als je zuvor reduziert werden kann.
  • Wie es in 1(a) und (b) gezeigt ist, ist der erste durchgehende Durchgangsleiter 17 gebildet, um durch eine Schicht der Keramikschicht 11A zu dringen und vier zylindrische Leiter, die jeweils den gleichen Durchmesser haben wie der erste Durchgangsleiter 12, sind nacheinander in einer horizontalen Richtung gebildet, während dieselben einander überlappen. Der erste durchgehende Durchgangsleiter 17 kann in einer im Wesentlichen linearen Form gebildet werden durch Füllen einer leitfähigen Paste in dünner Form durch Löcher, die aus Durchgangslöchern bestehen, die einander überlappen und in einer Keramikgrünlage angeordnet sind (in der Zeichnung nicht gezeigt), durch Verwenden von Laserlicht oder dergleichen, damit dieselben den gleichen Durchmesser haben wie diejenigen des ersten Durchgangsleiters 12, gefolgt von Sintern als ein Keramikmehrschichtsubstrat bei der Herstellung des Keramikmehrschichtsubstrats. Die longitudinale Seitenoberfläche dieses ersten durchgehenden Durchgangsleiters 17 ist als eine konkave und konvexe Oberfläche gebildet, die aus verbundenen bogenförmigen Oberflächen besteht. Wie es in 1(b) gezeigt ist, weist der erste Leitungsleiter 15 einen Verbindungsbereich 15A auf, der als ein Verbindungsabschnitt zu dem ersten durchgehenden Durchgangsleiter 17 dient. Dieser Verbindungsbereich 15A ist in einer runden Form gebildet, die einen Außendurchmesser aufweist, der größer ist als der Außendurchmesser eines Endabschnitts der Erweiterung des ersten durchgehenden Durchgangsleiters 17. Selbst wenn zwischen den Positionen des ersten Leitungsleiters 15 und des ersten Durchgangsleiters 12 eine Abweichung zu einem gewissen Ausmaß auftritt, können daher diese beiden Komponenten 12 und 15 zuverlässig durch den ersten Durchgangsleiter 17 verbunden werden. Obwohl der Verbindungsbereich 15A einen Außendurchmesser aufweist, der größer ist als der Außendurchmesser des ersten Durchgangsleiters 12, ist das Vorstehen von dem ersten Durchgangsleiter 12 zu dem zweiten Durchgangsleiter 13 unnötig, da der Verbindungsbereich 15A in einer Position weiter entfernt von dem zweiten Durchgangsleiter 13 angeordnet ist als der erste Durchgangsleiter 12, und eine Reduktion des Abstands zwischen dem ersten und dem zweiten Durchgangsleiter 12 und 13 wird nicht behindert.
  • Bei der Innenleiterverbindungsstruktur 10 des vorliegenden Ausführungsbeispiels ist der Verbindungsbereich 15A auf dem ersten Leitungsleiter 15 angeordnet. Der Verbindungsbereich kann jedoch auf der Seite des durchgehenden Durchgangsleiters 17 angeordnet sein. In diesem Fall kann beispielsweise die Verbindungsstruktur realisiert werden, indem der Außendurchmesser von nur einem runden Leiter, der am weitesten von dem zweiten Durchgangsleiter 13 entfernt ist, größer gemacht wird als der Außendurchmesser des ersten Durchgangsleiters 12.
  • Bei der Innenleiterverbindungsstruktur, die die Mehrzahl von Durchgangsleitern, den ersten, zweiten, und dritten Durchgangsleiter 12, 13 und 14, die in dem Keramikmehrschichtsubstrat 11 benachbart zueinander sind, mit dem ersten und dritten Leitungsleiter 15 und 16, die in dem Keramikmehrschichtsubstrat 11 angeordnet sind, verbindet, umfassen, wie es oben gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel beschrieben wurde, der erste und dritte Durchgangsleiter 12 und 14, die mit dem ersten und dritten Leitungsleiter 15 und 16 verbunden sind, den ersten und dritten durchgehenden Durchgangsleiter 17 und 18, die so angeordnet sind, dass sie sich in Richtungen weg von dem benachbarten zweiten Durchgangsleiter 13 erstrecken, und der erste und der dritte Durchgangsleiter 12 und 14 sind durch den ersten und dritten durchgehenden Durchgangsleiter 17 und 18 mit dem ersten und dritten Leitungsleiter 15 und 16 verbunden. Folglich haben der erste und der dritte Durchgangsleiter 12 und 14 keinen Vorsprung zu der Seite des zweiten Durchgangsleiters 13 hin, der Abstand zwischen dem ersten und dritten Durchgangsleiter 12 und 14 und dem zweiten Durchgangsleiter 13 kann reduziert werden und durch Erweiterung kann eine hochdichte Verdrahtung realisiert werden gemäß einer Reduktion des Abstands zwischen externen Anschlüssen einer integrierten Schaltung.
  • Da der erste Durchgangsleiter 12 und der erste Leitungsleiter 15 durch den Endabschnitt der Erweiterung des ersten durchgehenden Durchgangsleiters 17 verbunden sind, steht der Verbindungsbereich 15A nicht von dem ersten Durchgangsleiter 12 zu der Seite des zweiten Durchgangsleiters 13 vor, selbst wenn der Verbindungsbereich 15A auf dem ersten Leitungsleiter 15 angeordnet ist, und eine Abweichung zwischen Positionen des ersten durchgehenden Durchgangsleiters 17 und des ersten Leitungsleiters 15 kann durch den Verbindungsbereich 15A bei der Herstellung des Keramikmehrschichtsubstrats 11 aufgefangen werden, so dass der erste Durchgangsleiter 12 und der erste Leitungsleiter 15 zuverlässig verbunden werden können.
  • Zweites Ausführungsbeispiel
  • Ein Ausführungsbeispiel des Mehrschichtsubstrats der vorliegenden Erfindung wird nachfolgend mit Bezugnahme auf 3 bis 7 beschrieben. Da das Mehrschichtsubstrat des vorliegenden Ausführungsbeispiels mit der oben beschriebenen Innenleiterverbindungsstruktur versehen ist, werden hauptsächlich die Durchgangsleiter beschrieben, die benachbart zueinander sind.
  • Wie es in 3(a) bis 3(c) beschrieben ist, umfasst beispielsweise das Mehrschichtsubstrat (beispielsweise Keramikmehrschichtsubstrat) 30 des vorliegenden Ausführungsbeispiels ein Laminat 31, in dem eine Mehrzahl von Isolatorschichten (beispielsweise Keramikschichten) 31A laminiert sind, einen ersten, zweiten, dritten, vierten und fünften Durchgangsleiter 32A, 32B, 32C, 32D und 32E, die sich unabhängig in dem Laminat 31 von ihren jeweiligen Positionen bei einem vorbestimmten Abstand (beispielsweise 100 um) voneinander auf einer Hauptoberfläche (oberen Oberfläche) dieses Laminats 31 erstrecken, und einen ersten, zweiten, dritten, vierten und fünften Leitungsleiter 33A, 33B, 33C, 33D und 33E, die mit einem ersten, zweiten, dritten, vierten bzw. fünften Durchgangsleiter 32A, 32B, 32C, 32D und 32E verbunden sind. Eine integrierte Schaltung 40 ist auf der oberen Oberfläche des Laminats 31 befestigt. Beispielsweise sind der erste Durchgangsleiter 32A und der zweite Durchgangsleiter 32B benachbart zueinander, wie es in 3(a) gezeigt ist. Eine Mehrzahl von externen Anschlüssen (in der Zeichnung nicht gezeigt) der integrierten Schaltung 40 sind durch Lötkugeln 41 elektrisch verbunden mit dem ersten bis fünften Durchgangsleiter 32A bis 32E. Diese Durchgangsleiter 32A bis 32E sind mit den Leitungsleitern 33A bis 33E verbunden, mit der gleichen Verbindungsstruktur. Daher werden der erste Durchgangsleiter 32A und der erste Leitungsleiter 33A beschrieben, während die anderen Durchgangsleiter und Leitungsleiter nur durch Bezugszeichen angezeigt sind und die Erklärungen derselben nicht geliefert werden. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel sind die externen Anschlüsse der integrierten Schaltung 40 direkt mit dem ersten bis fünften Durchgangsleiter 32A bis 32E verbunden, die an der oberen Oberfläche des Laminats 31 freigelegt sind, ohne irgendeine Oberflächenelektrode (Verbindungsanschlussfläche). Folglich kann die Aufbringung auf die externen Anschlüsse mit reduziertem Abstand zufriedenstellend durchgeführt werden. Falls es eine Toleranz für Raum auf der Oberfläche des Laminats 31 gibt, können Oberflächenelektroden, die den externen An schlüssen entsprechen, auf der oberen Oberfläche des Laminats 31 angeordnet werden, und Durchgangsleiter können mit diesen Oberflächenelektroden verbunden werden. Die Ausrichtung der externen Anschlüsse der integrierten Schaltung 40 mit den Durchgangsleitern wird durch Anordnen der Oberflächenelektroden ermöglicht.
  • Wie es in 3(a) gezeigt ist, umfasst der erste Durchgangsleiter 32A den ersten durchgehenden Durchgangsleiter 33A, der so angeordnet ist, dass er sich in einer Richtung weg von dem benachbarten zweiten Durchgangsleiter 32B erstreckt (nach links in der Zeichnung), und außerdem ist der erste Durchgangsleiter 32A durch den ersten durchgehenden Durchgangsleiter 34A mit einem ersten Leitungsleiter 33A verbunden. Der erste durchgehende Durchgangsleiter 34A und der erste Leitungsleiter 33A sind konfiguriert wie in der Verbindungsstruktur 10, die in 1 gezeigt ist. Das heißt, bei dem ersten durchgehenden Durchgangsleiter 34A des ersten Durchgangsleiters 32A sind zylindrische Leiter linear angeordnet und integriert, während sie einander überlappen und die keramische Schicht 31A durchdringen. Im Gegensatz zu der Verbindungsstruktur 10 des ersten Ausführungsbeispiels ist der erste durchgehende Durchgangsleiter 34A auf solche Weise angeordnet, dass die Gesamtheit in einer Richtung weg von dem zweiten Durchgangsleiter 32B verschoben wird. Durch Verschieben des ersten durchgehenden Durchgangsleiters 34A wird der erste durchgehende Durchgangsleiter 34A daran gehindert, zu der Seite des zweiten Durchgangsleiters 32B vorzustehen, selbst wenn eine Abweichung zwischen Positionen des ersten durchgehenden Durchgangsleiters 34A und des ersten Durchgangsleiters 32A auftritt. Wie es in 3(b) und 3(c) gezeigt ist, ist ein Verbindungsbereich 15A, der einen Durchmesser aufweist, der größer ist als der Außendurchmesser des zylindrischen Leiters, einstückig auf dem Verbindungsabschnitt des ersten durchgehenden Durchgangsleiters 34A des ersten Leitungsleiters 33A gebildet. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel sind der erste Durchgangsleiter 32A und der erste Leitungs leiter 33A unabhängig mit der gleichen Oberflächenseite (obere Oberfläche) des ersten durchgehenden Durchgangsleiters 34A verbunden.
  • 4 ist eine auseinandergezogene Ansicht, die ein in 3 gezeigtes Mehrschichtsubstrat 30 zeigt, auf der Basis einer Keramikschicht 31A. In 4 sind nur denjenigen Bezugszeichen zugeordnet, die sich auf den ersten bis fünften Durchgangsleiter 32A bis 32E in der zweiten Leitung beziehen. Wie es in 4 gezeigt ist, sind eine Mehrzahl von Leitungen (drei Leitungen in 4) des ersten bis fünften Durchgangsleiters 32A bis 32E auf der Keramikschicht 31A angeordnet, die als die erste Schicht dient, die die obere Oberfläche des Laminats 31 bildet, und diese Durchgangsleiter 32A bis 32E sind in der Matrix als Ganzes angeordnet. Der erste bis fünfte Durchgangsleiter 32A bis 32E, durchgehende Durchgangsleiter 34A und 34E und Leitungsleiter 33A und 33E sind auf der Keramikschicht 31A angeordnet, die als die zweite Schicht dient. Nur der zweite, dritte und vierte Durchgangsleiter 32B, 32C und 32D sind auf der Keramikschicht 31A angeordnet, die als die dritte Schicht dient. Der zweite, dritte und vierte Durchgangsleiter 32B, 32C und 32D und ihre jeweiligen durchgehenden Durchgangsleiter 34B, 34C und 34D und Leitungsleiter 33B, 33C und 33D sind auf der Keramikschicht 31A angeordnet, die als die vierte Schicht dient. Die durchgehenden Durchgangsleiter in jeder Keramikschicht 31A sind so angeordnet, dass sie sich in Richtungen weg von den benachbarten Durchgangsleitern erstrecken. In 4 sind Abschnitte mit großen Außendurchmessern an den Verbindungsabschnitten der Durchgangsleiter und der Leitungsleiter Verbindungsbereiche der Leitungsleiter.
  • In dem Fall, wo der benachbarte erste und zweite Durchgangsleiter 32A und 32B durch den ersten bzw. zweiten durchgehenden Durchgangsleiter 34A und 34B mit dem ersten Leitungsleiter 33A bzw. dem zweiten Leitungsleiter (der zweite Leitungsleiter ist in der Zeichnung nicht gezeigt) verbunden sind, wie es in 3(a) gezeigt ist, können der erste und zweite durchgehende Durchgangsleiter 34A und 34B in zueinander unterschiedlichen Keramikschichten 31A und 31A angeordnet sein, die laminiert sind, und dadurch können Störungen zwischen den Leitungsleitern verhindert werden, so dass die Durchgangsleiter dicht angeordnet werden können.
  • Beispielsweise wird vorzugsweise ein bei niedrigen Temperaturen sinterbares Keramikmaterial als das Material zum Bilden der Keramikschicht 31A verwendet. Das bei einer niedrigen Temperatur sinterbare Keramikmaterial bezieht sich auf ein Material, das bei einer Brenntemperatur von beispielsweise 1.000°C oder weniger gesintert werden kann, und gemeinsam mit einem Metall mit niedrigem Schmelzpunkt gesintert werden kann, z. B. Ag oder Cu. Beispiele von Keramikmaterialien, die bei geringer Temperatur sinterbar sind, können Glasverbundmaterialien umfassen, die durch Mischen von Borosilikatglas in Keramikpulver gebildet werden, z. B. Aluminiumoxid und Forsterit, kristallisierte Glasmaterialien durch die Verwendung von ZnO-MgO-Al2O3-SiO2-kristallisiertem Glas und Nicht-Clasmaterialien durch die Verwendung von BaO-Al2O3-SiO2-Keramikpulvern, Al2O3-CaO-SiO2-MgO-B2O3-Keramikpulvern und dergleichen.
  • Elektrisch leitfähige Materialien mit kleinen Widerständen können als die Durchgangsleiter, die durchgehenden Durchgangsleiter und die Leitungsleiter verwendet werden. Vorzugsweise wird beispielsweise ein elektrisch leitfähiges Material, das hauptsächlich Ag oder Cu enthält, das gleichzeitig mit einem bei geringer Temperatur sinterbaren Keramikmaterial gesintert werden kann, als das elektrisch leitfähige Material verwendet. Die Leiter, die hauptsächlich Ag oder Cu enthalten, haben einen kleinen elektrischen Widerstand und daher den Vorteil bei der Verwendung des Keramikmehrschichtsubstrats 30 als Hochfrequenzkomponente.
  • Ein Verfahren zum Herstellen des Keramikmehrschichtsubstrats 30 des vorliegenden Ausführungsbeispiels wird nachfolgend beschrieben.
  • Ein bei niedriger Temperatur sinterbares Keramikmaterial wird in einem Bindemittel auf Vinylalkoholbasis aufgelöst, um ein Schlicker vorzubereiten. Der resultierende Schlicker wird durch ein Rakelmesserverfahren oder dergleichen auf einen Trägerfilm aufgebracht, so dass eine Keramikgrünlage für Niedrigtemperatursintern vorbereitet ist. Die Keramikgrünlage wird in eine vorbestimmte Größe geschnitten.
  • Laserlicht (beispielsweise CO2-Laserlicht) mit einer gesteuerten Ausgabe wird von der Trägerfilmseite angelegt, der Trägerfilm und die Keramikgrünlage werden durchdrungen, so dass Durchgangslöcher, die für Durchgangsleiter verwendet werden, in beiden gebildet werden. In dem Fall, wo Durchgangslöcher, die für durchgehende Durchgangsleiter verwendet werden, in der Keramikgrünlage gebildet werden, wird das Laserlicht durch die vorbestimmte Abmessung bewegt, um nacheinander beispielsweise vier Durchgangslöcher zu bilden, die miteinander kommunizieren. Zu diesem Zeitpunkt wird das Laserlicht auf solche Weise bewegt, dass Durchgangslöcher einander überlappen. Wenn die Stärke des Trägerfilms unzureichend ist, kann ein schwach haftender Film (beispielsweise ein PET-Film, der mit etwa 10 μm Acrylhaftmittel beschichtet ist) auf eine Keramikgrünlageoberfläche aufgebracht werden, um die Keramikgrünlage zu halten, und Laserlicht kann angelegt werden, um den Trägerfilm, die Keramikgrünlage und den schwach haftfähigen Film zu durchdringen, so dass die Durchgangslöcher gebildet werden können.
  • Nachfolgend wird eine leitfähige Paste von der Trägerfilmseite in Durchgangslöcher gefüllt, und überschüssige leitfähige Paste wird von dem Trägerfilm entfernt. Wenn die leitfähige Paste in die Durchgangslöcher gefüllt wird, kann die Keramikgrünlage mit einem Saugmechanismus auf eine Trageplatte platziert werden, ein Negativdruck kann in den Durchgangslöchern gebildet werden und dadurch kann die leitfähige Paste zuverlässig in die Durchgangslöcher gefüllt werden. Wenn der schwache haftfähige Film verwendet wird, wird der schwache haftfähige Film von der Keramikgrünlage abgelöst, nachdem die leitfähige Paste getrocknet ist.
  • Ein vorbestimmtes Muster der leitfähigen Paste wird durch Siebdruck auf die Keramikgrünlage auf dem Trägerfilm aufgebracht, so dass eine Verdrahtungsstruktur für die Leitungsleiter mit Verbindungsbereichen gebildet wird.
  • Nachdem die erforderliche Anzahl von Keramikgrünlagen gefüllt ist und mit der leitfähigen Paste für die Durchgangsleiter beschichtet ist, werden die durchgehenden Durchgangsleiter und die Leitungsleiter in der oben beschriebenen Prozedur hergestellt, diese Keramikgrünlagen werden laminiert und bei einem vorbestimmten Druck druckverbunden, so dass ein Grünlaminat hergestellt ist. Selbst wenn zwischen Positionen der Abschnitte eine Abweichung auftritt, die mit der leitfähigen Paste für die Durchgangsleiter und der Verdrahtungsstruktur für die Leitungsleiter gefüllt sind, die sich aus Arbeitsfehlern ergibt, können zu diesem Zeitpunkt Abweichungen bei der Laminierung und dergleichen durch die Verbindungsbereiche aufgefangen werden. Daher können die Abschnitte, die mit der leitfähigen Paste für die Durchgangsleiter gefüllt sind, einschließlich der durchgehenden Durchgangsleiter und den Verdrahtungsmustern für die Leitungsleiter zuverlässig verbunden werden.
  • Danach werden Trennlinien zum Teilen in einzelne Keramikmehrschichtsubstrate auf der Oberfläche des Grünlaminats gebildet. Das Grünlaminat wird bei einer vorbestimmten Temperatur von 1.000°C oder weniger gebrannt, um ein gesintertes Material zu erzeugen. Das gesinterte Material wird einer Plattierungsbehandlung unterzogen, das resultierende gesinterte Material wird geteilt, so dass eine Mehrzahl von Keramikmehrschichtsubstraten des vorliegenden Ausführungsbeispiels erzeugt werden kann.
  • Wie es oben beschrieben wurde, sind gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel das Laminat 31, in dem eine Mehrzahl von Keramikschichten 31a laminiert sind, der erste und der zweite Durchgangsleiter 32A und 32B, die sich unabhängig in dem Laminat 31 von ihren jeweiligen Positionen benachbart zueinander bei einem vorbestimmten Abstand auf der oberen Oberfläche dieses Laminats 31 erstrecken, und der erste Leitungsleiter 33A, der mit dem ersten Durchgangsleiter 32A verbunden ist, enthalten. Der erste Durchgangsleiter 32A umfasst den ersten durchgehenden Durchgangsleiter 34A, der so angeordnet ist, dass er sich in einer Richtung weiter von dem zweiten Durchgangsleiter 32B erstreckt, und außerdem ist der erste Durchgangsleiter 32A durch den ersten durchgehenden Durchgangsleiter 34A mit dem ersten Leitungsleiter 33A verbunden. Das heißt, die Verbindungsstruktur des ersten Durchgangsleiters 32A und des ersten Leitungsleiters 33A hat die gleiche Konfiguration wie die oben beschriebene Innenleiterverbindungsstruktur 10. Daher kann der Abstand zwischen dem ersten und zweiten Durchgangsleiter 32A und 32B in Übereinstimmung mit den externen Anschlüssen der integrierten Schaltung 40 reduziert werden. Die oben beschriebene Beziehung gilt zwischen anderen benachbarten Durchgangsleitern, beispielsweise dem zweiten Durchgangsleiter 32B und dem dritten Durchgangsleiter 32C und eine Reduktion des Abstands zwischen Durchgangsleitern in jeder Richtung kann realisiert werden. Folglich kann das Keramikmehrschichtsubstrat 30 des vorliegenden Ausführungsbeispiels in Übereinstimmung mit der integrierten Schaltung 40 eine hochdichte Verdrahtung realisieren.
  • Da gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel beispielsweise der erste und zweite durchgehende Durchgangsleiter 34A und 34B des benachbarten ersten und zweiten Durchgangsleiters 32A und 32B in unterschiedlichen Keramikschichten 31A und 31A angeordnet sind, stören der erste und der zweite durchgehende Durchgangsleiter 34A und 34B einander nicht, und können zuverlässig in Richtungen weg von dem zweiten bzw. dritten Durchgangsleiter 32B und 32C benachbart zu demselben gebildet werden.
  • Drittes Ausführungsbeispiel
  • Ein Keramikmehrschichtsubstrat des vorliegenden Ausführungsbeispiels ist in Übereinstimmung mit dem Keramikmehrschichtsubstrat 30 bei dem zweiten Ausführungsbeispiel gebildet, außer dass die Formen eines durchgehenden Durchgangsleiters und eines Leitungsleiters sich von denen des Keramikmehrschichtsubstrats 30 bei dem zweiten Ausführungsbeispiel unterscheiden. Daher sind die gleichen Komponenten oder Komponenten, die denjenigen des Keramiksubstrats 30 bei dem zweiten Ausführungsbeispiel entsprechen, durch die gleichen Bezugszeichen angezeigt wie bei dem zweiten Ausführungsbeispiel und nur Merkmalskomponenten des vorliegenden Ausführungsbeispiels werden beschrieben.
  • Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel, wie es in 5(a) bis 5(c) gezeigt ist, ist ein Verbindungsbereich 36A an dem Verbindungsabschnitt (Endabschnitt der Erweiterung) des ersten durchgehenden Durchgangsleiters 34A mit dem ersten Durchgangsleiter 33A angeordnet, statt dem Verbindungsbereich 35A des ersten Leitungsverbinders 33A bei dem zweiten Ausführungsbeispiel. Dieser Verbindungsbereich 36A ist aus einem zylindrischen Leiter gebildet, der einen Durchmesser aufweist, der größer ist als der Außendurchmesser des ersten Durchgangsleiters 32A und die Breite des ersten Leitungsleiters 33A. Die anderen zylindrischen Leiter des ersten durchgehenden Durchgangsleiters 34A sind gebildet, um den gleichen Außendurchmesser zu haben wie derjenige des ersten Durchgangsleiters 32A. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel können ebenfalls der Betrieb und Effekt ähnlich wie bei dem zweiten Ausführungsbeispiel erwartet werden. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist der erste Leitungsleiter 33A mit einer Oberfläche des ersten durchgehenden Leitungsleiters 34A verbunden, der Oberfläche gegenüber der Oberfläche, auf der der erste Durchgangsleiter 32A angeordnet ist.
  • Viertes Ausführungsbeispiel
  • Ein Keramikmehrschichtsubstrat des vorliegenden Ausführungsbeispiels ist in Übereinstimmung mit dem Keramikmehrschichtsubstrat 30 bei dem zweiten Ausführungsbeispiel gebildet, außer dass die Form eines durchgehenden Durchgangsleiters sich von der des Keramikmehrschichtsubstrats 30 bei dem zweiten Ausführungsbeispiel unterscheidet. Daher werden die gleichen Komponenten oder Komponenten, die denjenigen des Keramiksubstrats 30 bei dem ersten Ausführungsbeispiel entsprechen, durch die gleichen Bezugszeichen angezeigt und nur Merkmalskomponenten des vorliegenden Ausführungsbeispiels werden beschrieben.
  • Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel, wie es in 6 gezeigt ist, durchdringt ein erster durchgehender Durchgangsleiter 34A eine Keramikschicht 31A nicht und wird durch Füllen eines konkaven Abschnitts gebildet, der in der Keramikschicht 31A gebildet ist. Ein erster Leitungsleiter 33A ist mit der oberen Oberfläche des ersten durchgehenden Durchgangsleiters 34A verbunden. Der erste Leitungsleiter 33A weist einen Verbindungsbereich auf, wie bei dem zweiten Ausführungsbeispiel. Der Ausgang des Laserlichts ist reduziert im Vergleich zu dem des zweiten Ausführungsbeispiels, damit das Laserlicht die Keramikgrünlage nicht durchdringt. Das Laserlicht wird an die Keramikgrünlage angelegt und dadurch kann in der Keramikgrünlage ein konkaver Abschnitt gebildet werden. Dieser konkave Abschnitt wird mit einer leitfähigen Paste gefüllt, gefolgt von Brennen, so dass der erste durchgehende Durchgangsleiter 34A, der in 6 gezeigt ist, hergestellt werden kann. Da bei dem vorliegen den Ausführungsbeispiel die leitfähige Paste in den konkaven Abschnitt gefüllt ist, kann Lecken der leitfähigen Paste verhindert werden und ein äußerst zuverlässiger Durchgangsleiter kann hergestellt werden. Da der erste durchgehende Durchgangsleiter 34A die Keramikschicht 31A nicht durchdringt, werden der erste Durchgangsleiter 32A und der Leitungsleiter 33X nicht in Kontakt miteinander gebracht, selbst wenn Leitungsleiter 33X an den Positionen angeordnet sind, die den ersten durchgehenden Durchgangsleiter 34A überlappen, wie es in 6 gezeigt ist. Daher ist es im Gegensatz zu dem ersten bis dritten Ausführungsbeispiel nicht notwendig, während der Herstellung eine Keramikgrünlage ohne Aufdruck dazwischen anzuordnen, so dass die Dicke der laminierten Schicht 31 verringert werden kann, und Verdünnen des Keramikmehrschichtsubstrats 30 wird ermöglicht. Selbst in dem Fall, wo eine Keramikgrünlage dazwischen angeordnet ist, kann die Schichtdicke verringert werden und durch Erweiterung kann Verdünnen ermöglicht werden. Außerdem können ähnliche Operationen und Effekte wie diejenigen des zweiten und dritten Ausführungsbeispiels erwartet werden.
  • Wie es in 7 gezeigt ist, können die Keramikmehrschichtsubstrate 30 des zweiten bis vierten Ausführungsbeispiels beispielsweise auf einer Hauptplatine 50 befestigt sein. In diesem Fall ist der Durchgangsleiter 32, der an der Unteroberfläche des Laminats 31 freigelegt ist, mit einer Anschlusselektrode 51 der Hauptplatine 50 durch Lötmittel verbunden. Der freigelegte Durchgangsleiter 32 kann direkt mit der Anschlusselektrode 51 der Hauptplatine 50 verbunden sein, ohne eine Oberflächenelektrode (Verbindungsanschlussfläche), und es ist möglich, eine Reduktion des Abstands zwischen den Anschlusselektroden 51 zu erreichen.
  • Daher kann hochdichtes Befestigen des Keramikmehrschichtsubstrats 30 auf der Hauptplatine durchgeführt werden, während aktive Komponenten, z. B. integrierte Schaltungen, und passive Komponenten, z. B. Chiptyp-Keramikelektronikkomponenten auf der oberen Oberfläche des Keramikmehrschichtsubstrats 30 installiert sind.
  • Fünftes Ausführungsbeispiel
  • Ein Keramikmehrschichtsubstrat des vorliegenden Ausführungsbeispiels ist in Übereinstimmung mit dem Keramikmehrschichtsubstrat 30 bei dem zweiten Ausführungsbeispiel konfiguriert, außer dass die Isolatorschicht (beispielsweise Keramikschicht), die einen durchgehenden Durchgangsleiter umfasst, gebildet ist, um eine Dicke zu haben, die geringer ist als die Dicke der anderen Isolatorschichten. Daher sind die gleichen Komponenten oder Komponenten, die denjenigen des Keramiksubstrats 30 bei dem zweiten Ausführungsbeispiel entsprechen, durch die gleichen Bezugszeichen wie bei dem zweiten Ausführungsbeispiel angezeigt und nur Merkmalskomponenten des vorliegenden Ausführungsbeispiels werden beschrieben.
  • Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel, wie es in 8 gezeigt ist, ist eine Keramikschicht 31'A, die mit einem ersten durchgehenden Durchgangsleiter 34A versehen ist, gebildet, um eine Dicke zu haben, die geringer ist als die Dicke der anderen Keramikschichten 31A. Dieser erste durchgehende Durchgangsleiter 34A ist gebildet, um die Keramikschicht 31'A, wie bei dem ersten bis dritten Ausführungsbeispiel, zu durchdringen. Wenn ferner die Leitungsleiter 33X an Positionen angeordnet sind, die diesen ersten durchgehenden Durchgangsleiter 34A überlappen, wie es in 8 gezeigt ist, ist die Keramikschicht 31'A, die dünner ist als die anderen Keramikschichten 31A, zwischen den beiden Komponenten 34A und 33X angeordnet. Durch eine solche Konfiguration kann das Laminat 31 zu einer dünneren Schicht gemacht werden im Vergleich zu denjenigen des ersten bis dritten Ausführungsbeispiels, und das Verdünnen des Keramikmehrschichtsubstrats 30 kann ermöglicht werden. Außerdem wird die Steuerung der Laserlichtausgabe im Vergleich zu dem vierten Ausführungsbeispiel unnötig.
  • Das heißt, bei dem ersten bis dritten Ausführungsbeispiel durchdringt der erste durchgehende Durchgangsleiter 34A die Keramikschicht 31A. Daher muss in dem Fall, wo die Leitungsleiter 33X an Positionen angeordnet sind, die den ersten durchgehenden Durchgangsleiter 34A überlappen, eine Keramikgrünlage ohne Aufdruck dazwischen angeordnet werden, um einen Kontakt mit dem ersten durchgehenden Durchgangsleiter 34A zu vermeiden, so dass das Keramikmehrschichtsubstrat 30 durch die Dicke der Keramikschicht ohne Aufdruck dick wird. Da der erste durchgehende Durchgangsleiter 34A bei dem vierten Ausführungsbeispiel die Keramikschicht 31 nicht durchdringt und daher vom Nicht-Durchdringungs-Typ ist, muss die Laserlichtausgabe gesteuert werden, wenn der konkave Abschnitt für den ersten durchgehenden Durchgangsleiter 34A angeordnet wird. Andererseits können bei dem fünften Ausführungsbeispiel die Nachteile bei dem ersten bis fünften Ausführungsbeispiel eliminiert werden.
  • Bei jedem der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele ist der Fall erklärt, wo der durchgehende Durchgangsleiter mit dem Leitungsleiter verbunden ist. Der durchgehende Durchgangsleiter gemäß der vorliegenden Erfindung kann jedoch auch in dem Fall verwendet werden, wo Durchgangsleiter miteinander anstatt mit dem Leitungsleiter verbunden sind. Wenn die Durchgangsleiter in der Matrix angeordnet sind und die Durchgangsleiter, die miteinander zu verbinden sind, angeordnet sind, während dieselben von beiden Seiten von anderen Durchgangsleitern umgeben werden, können dieselben zuverlässig verbunden werden durch Verbinden der beiden Durchgangsleiter unter Verwendung des durchgehenden Durchgangsleiters. Die Durchgangslöcher für den durchgehenden Durchgangsleiter werden in der Bildungsstufe der Durchgangsleiter angeordnet und können daher genau gebildet werden, ohne dass eine Abweichung zwischen Positionen auftritt, die sich beispielsweise aus dem Drucken von Leitungsleitern ergibt. In dem Fall, wo die Durchgangsleiter miteinander mit dem Leitungsleiter verbunden sind, tritt tendenziell eine Abweichung beim Drucken der Leitungsleiter und eine Abweichung zwischen den Positionen der Durchgangsleiter und der Leitungsleiter bei der Laminierungsstufe der Keramikgrünlagen auf. Da ferner der Leitungsleiter den Verbindungsbereich umfasst, können die Durchgangsleiter und der Verbindungsbereich, die diese Durchgangsleiter umgeben, nahe oder in Kontakt miteinander gebracht werden, falls eine Abweichung zwischen Positionen des Leitungsleiters und des Durchgangsleiters auftritt. Selbst wenn die Verbindung hergestellt ist, kann ein Kurzschluss zwischen dem Verbindungsbereich und benachbarten Durchgangsleitern auftreten.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf jedes der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. In dem Fall, wo der durchgehende Durchgangsleiter von dem Typ ist, der die Keramikschicht durchdringt, kann beispielsweise ein Lecken von leitfähiger Paste zuverlässig verhindert werden durch Bilden jedes zylindrischen Leiters des durchgehenden Durchgangsleiters in der Form eines invertierten abgeschnittenen Kegels, anders ausgedrückt, durch Bilden des Durchgangslochs für jeden zylindrischen Leiter, der in der Keramikgrünlage angeordnet ist, in der Form eines invertierten abgeschnittenen Kegels.
  • Industrielle Anwendbarkeit
  • Die vorliegende Erfindung ist geeignet für die Verwendung als ein Mehrschichtsubstrat, das zum Befestigen verschiedener Chiptyp-Elektronikkomponenten dient.
  • Zusammenfassung
  • Bei bekannten Technologien, die in dem Patentdokument 2 und 3 beschrieben sind, weist ein Leitungsleiter oder ein Durchgangsleiter einen Verbindungsbereich auf. Wenn daher ein Keramiksubstrat hergestellt wird, kann das Auftreten einer schlechten Verbindung, die sich aus einer Abweichung zwischen Positionen des Durchgangsleiters und des Leitungsleiters, einzelnen Arbeitsfehlern und dergleichen ergibt, durch den Verbindungsbereich verhindert werden. Da ein Verbindungsbereich 3 von einem Durchgangsleiter 2 zu einer Seite eines benachbarten Durchgangsleiters 2 vorsteht, wie es beispielsweise in 8(a) gezeigt ist, wird eine Reduktion des Abstands zwischen den Durchgangsleitern 2 und 2 durch den Betrag des Vorsprungs verhindert.
  • Eine Innenleiterverbindungsstruktur 10 der vorliegenden Erfindung ist eine Verbindungsstruktur, die einen ersten und zweiten Durchgangsleiter 12 und 13 benachbart zueinander in einem Keramikmehrschichtsubstrat 11 mit einem ersten Leitungsleiter 15 verbindet, der in dem Keramikmehrschichtsubstrat 11 angeordnet ist, wobei der erste Durchgangsleiter 12 einen ersten durchgehenden Durchgangsleiter 17 umfasst, der so angeordnet ist, dass er sich in einer Richtung weg von dem zweiten Durchgangsleiter 13 erstreckt, und der erste Durchgangsleiter 12 durch den ersten durchgehenden Durchgangsleiter 17 mit dem ersten Leitungsleiter 15 verbunden ist.

Claims (15)

  1. Eine Innenleiterverbindungsstruktur, die gekennzeichnet ist durch Verbinden von zumindest zwei Durchgangsleitern, die in einem Isolatorsubstrat in einem vorbestimmten Abstand benachbart zueinander sind, und Leitungsleitern, die in dem Isolatorsubstrat angeordnet sind, wobei einer der Durchgangsleiter einen durchgehenden Durchgangsleiter umfasst, der so angeordnet ist, dass er sich in einer Richtung weg von dem Durchgangsleiter erstreckt, und der eine der Durchgangsleiter durch den durchgehenden Durchgangsleiter mit dem Leitungsleiter verbunden ist.
  2. Die Innenleiterverbindungsstruktur gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Verbindungsabschnitt des Leitungsleiters zu dem durchgehenden Durchgangsleiter oder ein Verbindungsabschnitt des durchgehenden Durchgangsleiters zu dem Leitungsleiter als ein Verbindungsbereich angeordnet ist, der eine Fläche aufweist, die größer ist als ein Verbindungsabschnitt des Gegenstücks.
  3. Ein Mehrschichtsubstrat, dadurch gekennzeichnet, dass dasselbe ein Laminat, in dem eine Mehrzahl von Isolatorschichten laminiert sind, wobei sich zumindest ein erster und ein zweiter Durchgangsleiter von zueinander benachbarten Positionen bei einem vorbestimmten Abstand auf einer der Hauptoberflächen des Laminats einzeln in dem Laminat erstrecken, und einen ersten Leitungsleiter umfasst, der mit dem ersten Durchgangsleiter verbunden ist, wobei der erste Durchgangsleiter einen ersten durchgehenden Durchgangsleiter umfasst, der so angeordnet ist, dass er sich in einer Richtung weg von dem zweiten Durchgangsleiter erstreckt, und der erste Durchgangsleiter durch den ersten durchgehenden Durchgangsleiter mit dem ersten Leitungsleiter verbunden ist.
  4. Das Mehrschichtsubstrat gemäß Anspruch 3, das dadurch gekennzeichnet ist, dass dasselbe ferner einen dritten Durchgangsleiter bei vorbestimmten Abständen von dem ersten und zweiten Durchgangsleiter umfasst, der dritte Durchgangsleiter sich in dem Laminat von einer Oberfläche des Laminats erstreckt, wobei der zweite Durchgangsleiter einen zweiten durchgehenden Durchgangsleiter umfasst, der so angeordnet ist, dass er sich in einer Richtung weg von sowohl dem ersten als auch dem dritten Durchgangsleiter erstreckt, und der zweite Durchgangsleiter durch den zweiten durchgehenden Durchgangsleiter mit einem zweiten Leitungsleiter verbunden ist.
  5. Das Mehrschichtsubstrat gemäß Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der erste durchgehende Durchgangsleiter und der zweite durchgehende Durchgangsleiter in ihren jeweiligen voneinander unterschiedlichen Isolatorschichten angeordnet sind.
  6. Das Mehrschichtsubstrat gemäß Anspruch 4 oder Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der erste durchgehende Durchgangsleiter und der zweite durchgehende Durchgangsleiter in ihren jeweiligen Isolatorschichten angeordnet sind, die dünner sind als andere Isolatorschichten.
  7. Das Mehrschichtsubstrat gemäß einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Durchgangsleiter und der zweite durchgehende Durchgangsleiter ihre jeweiligen Isolatorschichten durchdringen.
  8. Das Mehrschichtsubstrat gemäß einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass der erste durchgehende Durchgangsleiter und der zweite durchgehende Durchgangsleiter ihre jeweiligen Isolatorschichten nicht durchdringen.
  9. Das Mehrschichtsubstrat gemäß einem der Ansprüche 3 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass ein Verbindungsabschnitt des ersten Leitungsleiters zu dem ersten durchgehenden Durchgangsleiter oder ein Verbindungsabschnitt des ersten durchgehenden Durchgangsleiters zu dem ersten Leitungsleiter als ein Verbindungsbereich angeordnet ist, der größer ist als ein Verbindungsabschnitt des Gegenstücks.
  10. Das Mehrschichtsubstrat gemäß einem der Ansprüche 4 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass ein Verbindungsabschnitt des zweiten durchgehenden Durchgangsleiters zu dem zweiten Leitungsleiter oder ein Verbindungsabschnitt des zweiten Leitungsleiters zu dem zweiten durchgehenden Durchgangsleiter als ein Verbindungsbereich angeordnet ist, der größer ist als ein Verbindungsabschnitt des Gegenstücks.
  11. Das Mehrschichtsubstrat gemäß einem der Ansprüche 3 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass eine Oberflächenelektrode, die mit jedem der Durchgangsleiter verbunden ist, auf einer der Hauptoberflächen angeordnet ist.
  12. Das Mehrschichtsubstrat gemäß einem der Ansprüche 3 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass eine elektronische Komponente auf einer der Hauptoberflächen befestigt ist, und externe Anschlusselektroden dieser elektronischen Komponente mit dem ersten Durchgangsleiter und dem zweiten Durchgangsleiter, die an der Hauptoberfläche freigelegt sind, ohne eine Oberflächenelektrode verbunden sind.
  13. Das Mehrschichtsubstrat gemäß einem der Ansprüche 3 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die eine Hauptoberflächenseite konfiguriert ist, um mit einer Hauptplatine verbindbar zu sein.
  14. Das Mehrschichtsubstrat gemäß einem der Ansprüche 3 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolatorschicht ein bei niedriger Temperatur sinterbares Keramikmaterial umfasst.
  15. Das Mehrschichtsubstrat gemäß einem der Ansprüche 3 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass jeder der Durchgangsleiter und der Leitungsleiter einzeln ein elektrisch leitfähiges Material umfasst, das hauptsächlich Silber oder Kupfer enthält.
DE112005000014T 2004-04-06 2005-02-08 Innenleiterverbindungsstruktur und Mehrschichtsubstrat Withdrawn DE112005000014T5 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004-111976 2004-04-06
JP2004111976 2004-04-06
PCT/JP2005/001815 WO2005101935A1 (ja) 2004-04-06 2005-02-08 内部導体の接続構造及び多層基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112005000014T5 true DE112005000014T5 (de) 2006-05-18

Family

ID=35150385

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112005000014T Withdrawn DE112005000014T5 (de) 2004-04-06 2005-02-08 Innenleiterverbindungsstruktur und Mehrschichtsubstrat

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7652213B2 (de)
JP (1) JP3918101B2 (de)
KR (1) KR100659521B1 (de)
CN (1) CN100502621C (de)
DE (1) DE112005000014T5 (de)
TW (1) TWI265763B (de)
WO (1) WO2005101935A1 (de)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101213890B (zh) * 2005-07-12 2012-02-01 株式会社村田制作所 多层布线基板及其制造方法
EP2187438A1 (de) * 2007-12-28 2010-05-19 Ibiden Co., Ltd. Zwischenstück und verfahren zur herstellung des zwischenstücks
JP5404763B2 (ja) * 2008-03-31 2014-02-05 巨擘科技股▲ふん▼有限公司 多層基板の応力をバランスする方法及び多層基板
US9930775B2 (en) * 2009-06-02 2018-03-27 Hsio Technologies, Llc Copper pillar full metal via electrical circuit structure
JP4992960B2 (ja) * 2009-12-07 2012-08-08 株式会社村田製作所 高周波モジュール
US8488329B2 (en) * 2010-05-10 2013-07-16 International Business Machines Corporation Power and ground vias for power distribution systems
TW201304107A (zh) * 2011-05-12 2013-01-16 Fujikura Ltd 貫通配線基板、電子元件封裝體、及電子零件（二）
CN102355798B (zh) * 2011-10-25 2014-04-23 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 柱面模块电路板的制作方法以及烧结支架
US9440135B2 (en) * 2012-05-29 2016-09-13 Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrate Solutions Technologies Co. Ltd. Multilayer electronic structures with integral vias extending in in-plane direction
TWM521801U (zh) * 2015-05-29 2016-05-11 Chunghwa Prec Test Tech Co Ltd 具有高接合強度之多層結構的轉接介面板
CN107666770A (zh) * 2016-07-29 2018-02-06 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 具焊垫的电路板及其制作方法
WO2018168653A1 (ja) 2017-03-14 2018-09-20 株式会社村田製作所 高周波モジュール
IT201700051157A1 (it) * 2017-05-11 2018-11-11 Technoprobe Spa Metodo di fabbricazione di un multistrato di una scheda di misura per un’apparecchiatura di test di dispositivi elettronici
CN211831340U (zh) * 2017-10-26 2020-10-30 株式会社村田制作所 多层基板、内插器以及电子设备
WO2020041605A1 (en) 2018-08-22 2020-02-27 Liquid Wire Inc. Structures with deformable conductors
US11956898B2 (en) * 2020-09-23 2024-04-09 Apple Inc. Three-dimensional (3D) copper in printed circuit boards
CN115343812B (zh) * 2022-08-22 2023-10-17 德阳三环科技有限公司 输入输出构件和制备方法及封装基座和光器件

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2680443B2 (ja) 1989-09-27 1997-11-19 株式会社東芝 セラミック配線基板およびその製造方法
JP2996510B2 (ja) * 1990-11-30 2000-01-11 株式会社日立製作所 電子回路基板
US5456778A (en) * 1992-08-21 1995-10-10 Sumitomo Metal Ceramics Inc. Method of fabricating ceramic circuit substrate
JPH1174645A (ja) 1997-08-29 1999-03-16 Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk 多層セラミック基板の製造方法
JP2000353872A (ja) 1999-06-11 2000-12-19 Denso Corp 回路基板およびその製造方法
TW512653B (en) * 1999-11-26 2002-12-01 Ibiden Co Ltd Multilayer circuit board and semiconductor device
JP4592891B2 (ja) * 1999-11-26 2010-12-08 イビデン株式会社 多層回路基板および半導体装置
JP2001284811A (ja) 2000-03-29 2001-10-12 Murata Mfg Co Ltd 積層型セラミック電子部品およびその製造方法ならびに電子装置
JP3407737B2 (ja) * 2000-12-14 2003-05-19 株式会社デンソー 多層基板の製造方法およびその製造方法によって形成される多層基板
US6812576B1 (en) * 2002-05-14 2004-11-02 Applied Micro Circuits Corporation Fanned out interconnect via structure for electronic package substrates

Also Published As

Publication number Publication date
CN100502621C (zh) 2009-06-17
WO2005101935A1 (ja) 2005-10-27
US7652213B2 (en) 2010-01-26
JPWO2005101935A1 (ja) 2007-08-16
TW200534768A (en) 2005-10-16
TWI265763B (en) 2006-11-01
JP3918101B2 (ja) 2007-05-23
KR100659521B1 (ko) 2006-12-20
US20070107933A1 (en) 2007-05-17
CN1788531A (zh) 2006-06-14
KR20060028686A (ko) 2006-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69730629T2 (de) Leiterplatte und Elektronikkomponente
DE69432010T2 (de) Mit Lötkugeln Verbindensverfahren damit versehen
EP0035093B1 (de) Anordnung zum Packen mehrerer schnellschaltender Halbleiterchips
DE68928150T2 (de) Herstellungsverfahren von einer mehrschichtigen Leiterplatte
DE69218319T2 (de) Mehrschichtige Leiterplatte aus Polyimid und Verfahren zur Herstellung
DE3787366T2 (de) Keramische/organische mehrschichtenanschlussplatte.
DE112005000014T5 (de) Innenleiterverbindungsstruktur und Mehrschichtsubstrat
DE69117381T2 (de) Mehrschichtleiterplatte und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69938582T2 (de) Halbleiterbauelement, seine herstellung, leiterplatte und elektronischer apparat
DE69835659T2 (de) Mehrschichtiges keramisches Substrat mit einem passiven Bauelement, sowie Herstellungsverfahren
DE3020196C2 (de) Mehrebenen-Leiterplatte und Verfahren zu deren Herstellung
DE69200500T2 (de) Gestufte Mehrlagenverbindungsplatte und Herstellungsmethoden.
DE2736055A1 (de) Mehrschichtige keramische platte und verfahren zum herstellen einer mehrschichtigen keramischen platte
DE10317675B4 (de) Keramisches Multilayersubstrat und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2355471A1 (de) Aus mehreren ebenen bestehende packung fuer halbleiterschaltungen
DE60032067T2 (de) Mehrschichtige Leiterplatte und Verfahren zu deren Herstellung
EP2798920B1 (de) Verfahren zum herstellen einer aus wenigstens zwei leiterplattenbereichen bestehenden leiterplatte sowie leiterplatte
DE19608484B4 (de) Bei niedriger Temperatur gebranntes Keramik-Schaltungssubstrat
EP0016925A1 (de) Verfahren zum Aufbringen von Metall auf Metallmuster auf dielektrischen Substraten
EP0451541B1 (de) Herstellung von mehrschichtigen Leiterplatten mit erhöhter Leiterbahnendichte
DE69733379T2 (de) LSI-Gehäuse und Herstellungsverfahren dafür
DE10110151B4 (de) Verdrahtungssubstrat, Verfahren zum Herstellen desselben und elektronische Vorrichtung, die dasselbe verwendet
DE3445690C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Trägerplatte für eine gedruckte Schaltung
EP0006444B1 (de) Vielschichtiges, dielektrisches Substrat
DE69622922T2 (de) Leiterplatte für Elektronikkomponenten mit hochdichten Anschlüssen und ihre Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law

Ref document number: 112005000014

Country of ref document: DE

Date of ref document: 20060518

Kind code of ref document: P

R016 Response to examination communication
R120 Application withdrawn or ip right abandoned