DE10140133A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer klebenden Verbindung zwischen einer Halbleiterscheibe und einer Trägerplatte - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer klebenden Verbindung zwischen einer Halbleiterscheibe und einer TrägerplatteInfo
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Abstract
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen einer klebenden Verbindung zwischen einer Halbleiterscheibe und einer Trägerplatte, wobei die Halbleiterscheibe in einem Abstand über der Trägerplatte gehalten und durch eine elastische Wand einer aufblähbaren Druckkammer konvex verformt wird und unter Einschluß einer klebenden Substanz auf die Trägerplatte gelegt und kraftschlüssig mit der Trägerplatte verbunden wird. Die Halbleiterscheibe wird in einem Randbereich angesaugt und über der Trägerplatte gehalten, dann wird das Ansaugen beendet und die Halbleiterscheibe konvex verformt auf die Trägerplatte fallengelassen und die Halbleiterscheibe nur mit einer Zentrumsfläche von der elastischen Wand der Druckkammer gegen die Trägerplatte gedrückt. Gegenstand der Erfindung ist auch eine Vorrichtung, die zur Durchführung des Verfahrens geeignet ist.
Description
- Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen einer klebenden Verbindung zwischen einer Halbleiterscheibe und einer Trägerplatte. Gegenstand der Erfindung ist insbesondere ein Verfahren, bei dem eine Halbleiterscheibe zur Vorbereitung einer einseitigen Politur auf einer Trägerplatte fixiert wird. Gegenstand der Erfindung ist auch eine Vorrichtung, die zur Durchführung des Verfahrens geeignet ist.
- Die Politur stellt in der Regel den letzten Arbeitsschritt dar, mit dem Unebenheiten, die auf den Seitenflächen der Halbleiterscheibe verblieben sind, beseitigt werden. Diese Unebenheiten stammen von vorangehenden Arbeitschritten wie Läppen oder Schleifen, die der Formgebung der Halbleiterscheiben dienen. Das gewünschte Endprodukt ist eine Halbleiterscheibe mit möglichst ebenen und planparallelen Seiten, die zur Herstellung elektronischer Bauelemente geeignet ist. Die einzuhaltenden Ebenheitskriterien werden ständig anspruchsvoller. Eines dieser Kriterien ist die sogenannte Nanotopologie, bei der die Mikrowelligkeit (waviness) betrachtet wird, die sich in kurzwelligen Steigungen mit Höhenunterschieden im Bereich von bis zu 50 nm äußert. Da die Politur ein Arbeitsschritt ist, der die Nanotopologie besonders beeinflußt, wurden bereits Vorschläge veröffentlicht, diesen Arbeitsschritt zu optimieren. In der JP-11-245163 ist offenbart, die Halbleiterscheibe mit einer Zentrumsfläche zuerst und unter dem Einfluß eines Vakuums auf die Trägerplatte aufzulegen und gegen die Trägerplatte zu pressen. Damit soll die Halbleiterscheibe ohne die Bildung von Lufteinschlüssen auf die Trägerplatte geklebt werden. Mit der selben Aufgabe befasst sich auch die JP-2000-127034, wobei als Lösung vorgeschlagen wird, die Halbleiterscheibe auf die Trägerplatte aufzulegen und mit Hilfe eines aufblähbaren Kissens mit einer Zentrumsfläche zuerst und schließlich vollflächig gegen die Trägerplatte zu pressen.
- Die vorliegende Erfindung verfolgt das Ziel, eine weitere Verbesserung gegenüber dem Stand der Technik zu erreichen, die sich in einer geringen Mikrowelligkeit der polierten Halbleiterscheibe niederschlägt.
- Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen einer klebenden Verbindung zwischen einer Halbleiterscheibe und einer Trägerplatte, wobei die Halbleiterscheibe in einem Abstand über der Trägerplatte gehalten und durch eine elastische Wand einer aufblähbaren Druckkammer konvex verformt wird und unter Einschluß einer klebenden Substanz auf die Trägerplatte gelegt und kraftschlüssig mit der Trägerplatte verbunden wird, das dadurch gekennzeichnet ist, daß die Halbleiterscheibe in einem Randbereich angesaugt und über der Trägerplatte gehalten wird, das Ansaugen der Halbleiterscheibe beendet wird und die Halbleiterscheibe konvex verformt auf die Trägerplatte fallengelassen wird, und die Halbleiterscheibe nur mit einer Zentrumsfläche von der elastischen Wand der Druckkammer gegen die Trägerplatte gedrückt wird.
- Es wurde gefunden, daß dem Auflegen der Halbleiterscheibe auf die Trägerplatte eine besondere Bedeutung zukommt. Überraschenderweise sind ungünstigere Nanotopologiewerte zu erwarten, wenn die Halbleiterscheibe mit Hilfe eines Vakuums an die Trägerplatte gesaugt wird, und zwar auch dann, wenn die Halbleiterscheibe konvex verformt angesaugt wird, um die Luft zwischen der Trägerplatte und der Halbleiterscheibe radial nach außen zu verdrängen.
- Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, die Halbleiterscheibe in konvex verformten Zustand auf die Trägerplatte fallen zu lassen und sie zunächst nur mit einer Zentrumsfläche gegen die Trägerplatte zu drücken. In diesem Zustand wird die Halbleiterscheibe nur über die Zentrumsfläche auf der Trägerplatte kraftschlüssig gegen Verrutschen fixiert. Die restliche Fläche der zur Trägerplatte weisenden Seite der Halbleiterscheibe liegt nur auf der Trägerplatte und der Substanz auf, die die klebende Verbindung schaffen soll. Das vollflächige Fixieren der Halbleiterscheibe auf der Trägerplatte erfolgt erst anschließend.
- Die klebende Substanz wird vor dem Auflegen der Halbleiterscheibe entweder auf die Trägerplatte oder auf die zu fixierende Seite der Halbleiterscheibe aufgebracht, vorzugsweise indem die Substanz als Film aufgeschleudert wird oder indem kleine Inseln der Substanz mittels Siebdruck aufgetragen werden. Letzteres ist in der noch unveröffentlichten deutschen Patentanmeldung mit dem Aktenzeichen 100 54 159.3 beschrieben und besonders bevorzugt.
- Gegenstand der Erfindung ist auch eine Vorrichtung, die zur Durchführung des beanspruchten Verfahrens geeignet ist. Eine derartige Vorrichtung ist gekennzeichnet durch Mittel zum Ansaugen der Halbeiterscheibe in einem Randbereich, und höhenverstellbare Stützen zum Halten der Halbleiterscheibe in einem Abstand über der Trägerplatte, und eine aufblähbare Druckkammer mit einer elastischen Wand zum Überführen der Halbleiterscheibe in eine konvexe Form und zum Anpressen der Halbleiterscheibe mit einer Zentrumsfläche gegen die Trägerplatte.
- Die Erfindung wird nachfolgend an Figuren weiter erläutert. Die Fig. 1 und 2 zeigen das erfindungsgemäße Auflegen einer Halbleiterscheibe zu Beginn und am Ende des Verfahrens unter Verwendung einer ersten, bevorzugten Vorrichtung. Die Fig. 3 und 4 zeigen das erfindungsgemäße Auflegen einer Halbleiterscheibe zu Beginn und am Ende des Verfahrens unter Verwendung einer zweiten, gleichermaßen bevorzugten Vorrichtung. Die Fig. 5 und 6 zeigen Abbildungen, die von einer Untersuchung der Nanotopologie von Halbleiterscheiben stammen.
- Bei der Vorrichtung gemäß den Fig. 1 und 2 handelt es sich um einen als Ring ausgebildeten Scheibenhalter 1 (ring chuck), an dessen Unterseite eine Halbleiterscheibe 5 angesaugt werden kann. Zu diesem Zweck sind im Scheibenhalter Kanäle 3 vorgesehen, die evakuiert und belüftet werden können. Der Durchmesser des Scheibenhalters ist so dimensioniert, daß die Halbleiterscheibe 1 in einem Randbereich angesaugt werden kann. Der Scheibenhalter besteht zweckmäßigerweise aus Metall oder Kunststoff. In seiner Mitte ist eine aufblähbare Druckkammer 9 angeordnet, die gemäß der dargestellten Ausführungsform von einem Träger 2 und einer Wand 4 aus elastisch verformbaren Material, vorzugsweise Silikon, gebildet wird. Das Wandmaterial hat vorzugsweise eine Shore A Härte von 10 bis 50. Die Druckkammer kann über eine Leitung 6 im Träger aufgebläht und entspannt werden. Im aufgeblähtem Zustand herrscht in der Druckkammer vorzugsweise ein Druck von 1 bis 20 mbar. Zum Aufblähen der Druckkammer läßt man durch die Leitung ein Gas, beispielsweise Luft, oder eine Flüssigkeit, beispielsweise Wasser einströmen, wobei die Wand 4 gedehnt und nach außen gewölbt wird. Eine am Scheibenhalter 1 angesaugte Halbleiterscheibe 5 wird dabei konvex verformt. Der Abstand zwischen der angesaugten Halbleiterscheibe und einer Trägerplatte 7 kann durch mehrere höhenverstellbare Stützfüsse 8, die vorzugsweise aus einem abriebfesten Material bestehen, exakt eingestellt werden. Bevorzugt ist ein Abstand von 0,1 bis 10 mm, besonders bevorzugt ein Abstand von 0,3 bis 1,5 mm zwischen der angesaugten, noch nicht verformten Halbleiterscheibe und der Trägerplatte, wobei die Dicke der klebenden Substanz nicht berücksichtigt ist. Es sind vorzugsweise 3 höhenverstellbare Stützfüsse 8 vorgesehen, die eine Dreipunktauflage für den Scheibenhalter bilden. Die Stützfüsse werden derart justiert, daß die Halbleiterscheibe nach dem Ansaugen parallel zur Oberfläche der Trägerplatte gehalten wird. Anschließend läßt man ein Fluid durch die Leitung 6 in die Druckkammer strömen, das die Wand 4 und die angesaugte Halbleiterscheibe konvex verformt. Es ist bevorzugt aber nicht zwingend notwendig, daß ein freier Spalt zwischen der Halbleiterscheibe und der Trägerplatte besteht, bevor die Halbleiterscheibe auf die Trägerplatte fallengelassen wird. Beim Fallenlassen trifft die Halbleiterscheibe mit einer Zentrumsfläche zuerst und mit einer Randfläche zuletzt auf die Trägerplatte auf und wird, wie in Fig. 2 gezeigt, von der elastischen Wand der Druckkammer mit der Zentrumsfläche gegen die Trägerplatte gedrückt. Mit der restlichen Oberfläche der zur Trägerplatte gewandten Seite liegt die Halbleiterscheibe nur auf der Trägerplatte auf. In diesem Bereich besteht noch keine kraftschlüssige Verbindung zwischen der Halbleiterscheibe und der Trägerplatte. Die klebende Substanz, die zwischen der Halbleiterscheibe und der Trägerplatte eingeschlossen ist, stellt eine solche Verbindung nur dort her, wo die Halbleiterscheibe gegen die Trägerplatte gepresst wurde.
- Die mit einer Zentrumsfläche auf der Trägerplatte fixierte Halbleiterscheibe wird anschließend vollflächig gegen die Trägerplatte gepresst, um eine kraftschlüssige Verbindung über die gesamte Seitenfläche der Halbleiterscheibe zu schaffen. Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung kann dies nach einem zum Stand der Technik gehörenden Verfahren geschehen. Gemäß einer anderen, bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung wird die Halbleiterscheibe mit einem Kissen, das vollständig aus einem weichen, elastischen Kunststoff mit einer Shore A Härte von vorzugsweise 1 bis 50 besteht und eine konvexe Form besitzt, gegen die Trägerplatte gepreßt. Bevorzugtes Material ist ein Silikon mit den entsprechenden Eigenschaften. Gemäß einer weiteren, gleichermaßen bevorzugten Ausführungsform wird die Halbleiterscheibe mit Hilfe der in den Fig. 3 und 4 dargestellten Vorrichtung vollflächig gegen die Trägerplatte gepresst. Die dargestellte Vorrichtung weist im Vergleich zu der in den Fig. 1 und 2 gezeigten Vorrichtung zusätzlich Merkmale auf, mit deren Hilfe die Halbleiterscheibe unmittelbar nach dem Auflegen auf die Trägerplatte mit der selben Vorrichtung gegen die Trägerplatte gepresst werden kann. Die Saugkanäle 3 zum Ansaugen der Halbleiterscheibe 5 in einem Randbereich sind in Segmenten 10 untergebracht, die nach außen weggeschwenkt werden können. In der dargestellten Ausführungsform ist die aufblähbare Druckkammer 9 als elastisches Kissen ausgebildet, das an einem Träger 2 befestigt ist und durch Zuführen eines Fluids durch die Leitung 6 im Träger aufgebläht werden kann. Das Auflegen der Halbleiterscheibe auf die Trägerplatte wird wie bereits besprochen durchgeführt und endet damit, daß eine Wand 4 des Kissens die Halbleiterscheibe mit einer Zentrumsfläche gegen die Trägerplatte drückt. Im Anschluß daran wird die Halbleiterscheibe vollflächig gegen die Trägerplatte gepresst, indem das Kissen weiter aufgebläht wird bis es die Halbleiterscheibe vollständig, also auch im Randbereich bedeckt und mit Druck beaufschlagt. Im Verlauf dieses Vorgangs werden die Segmente zum Ansaugen der Halbleiterscheibe nach außen weggeschwenkt.
- Für den Erfolg der Erfindung ist es unerheblich, ob eine Halbleiterscheibe alleine oder gleichzeitig mit mehreren anderen Halbleiterscheiben auf eine Trägerplatte gelegt wird. Aus wirtschaftlichen Gründen ist es jedoch bevorzugt, mehrere Halbleiterscheiben gleichzeitig zu prozessieren. Zu diesem Zweck werden mehrere Exemplare der beanspruchten Vorrichtung zu einer Einheit zusammengefaßt.
- Die Fig. 5 und 6 zeigen Abbildungen, die von einer Untersuchung der Nanotopologle von Halbleiterscheiben stammen. Die Halbleiterscheibe gemäß Fig. 5 wurde ohne den Einfluß eines Vakuums konvex verformt auf eine Trägerplatte gelegt und nach dem Stand der Technik gegen die Trägerplatte gepresst und poliert. Im Unterschied dazu stand die Halbleiterscheibe beim Auflegen auf die Trägerplatte unter dem Einfluß eines Vakuums, das die konvex verformte Halbleiterscheibe gegen die Trägerplatte zog. Das erkennbar kontrastärmere Erscheinungsbild der Aufnahme gemäß Fig. 5 weist auf geringere Nanotopologiefehler hin, wobei eine Differenz in den Ebenheitswerten von 15,8% quantifiziert wurde. Die durch Anwendung der Erfindung zu erwartenden verbesserten Ebenheitswerte können damit erklärt werden, daß durch das erfindungsgemäße Auflegen der Halbleiterscheibe auf die Trägerplatte Lufteinschlüsse zwischen der Halbleiterscheibe und der Trägerplatte in bisher nicht möglichem Ausmaß vermeidbar sind.
Claims (6)
1. Verfahren zum Herstellen einer klebenden Verbindung zwischen
einer Halbleiterscheibe und einer Trägerplatte, wobei die
Halbleiterscheibe in einem Abstand über der Trägerplatte gehalten
und durch eine elastische Wand einer aufblähbaren Druckkammer
konvex verformt wird und unter Einschluß einer klebenden
Substanz auf die Trägerplatte gelegt und kraftschlüssig mit der
Trägerplatte verbunden wird, dadurch gekennzeichnet, daß die
Halbleiterscheibe in einem Randbereich angesaugt und über der
Trägerplatte gehalten wird, das Ansaugen der Halbleiterscheibe
beendet wird und die Halbleiterscheibe konvex verformt auf die
Trägerplatte fallengelassen wird, und die Halbleiterscheibe nur
mit einer Zentrumsfläche von der elastischen Wand der
Druckkammer gegen die Trägerplatte gedrückt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die-
Halbleiterscheibe schließlich vollflächig gegen die
Trägerplatte gepresst wird, indem die Druckkammer weiter aufgebläht
wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Halbleiterscheibe mit einem Kissen, das eine konvexe Form
besitzt und vollständig aus einem weichen, elastischen
Kunststoff gefertigt ist, schließlich vollflächig gegen die
Trägerplatte gepresst wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die klebende Substanz in Form von voneinander
beabstandeten Inseln zwischen Halbleiterscheibe und der
Trägerplatte eingeschlossen wird.
5. Vorrichtung zum Auflegen einer Halbleiterscheibe auf eine
Trägerplatte, gekennzeichnet durch Mittel zum Ansaugen der
Halbeiterscheibe in einem Randbereich, und höhenverstellbare
Stützen zum Halten der Halbleiterscheibe in einem Abstand über
der Trägerplatte, und eine aufblähbare Druckkammer mit einer
elastischen Wand zum Überführen der Halbleiterscheibe in eine
konvexe Form und zum Anpressen der Halbleiterscheibe mit einer
Zentrumsfläche gegen die Trägerplatte.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die
Mittel zum Ansaugen der Halbleiterscheibe im Randbereich derart
ausgebildet sind, daß sie vom Randbereich der Halbleiterscheibe
weg nach außen geschwenkt werden können.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10140133A DE10140133A1 (de) | 2001-08-16 | 2001-08-16 | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer klebenden Verbindung zwischen einer Halbleiterscheibe und einer Trägerplatte |
| KR1020020039399A KR20030015833A (ko) | 2001-08-16 | 2002-07-08 | 반도체 웨이퍼와 캐리어판간에 접착성 결합 접합면을생성하는 방법 및 장치 |
| CNB021276773A CN1190826C (zh) | 2001-08-16 | 2002-08-07 | 制造半导体晶片与载具盘之间附着粘合接点的方法及装置 |
| US10/213,522 US20030034110A1 (en) | 2001-08-16 | 2002-08-07 | Method and device for producing an adhesive-bonded connection between a semiconductor wafer and a carrier plate |
| JP2002236044A JP2003151929A (ja) | 2001-08-16 | 2002-08-13 | 半導体プレートと支持プレートとの間の接着結合を形成するための方法および装置 |
| TW91118469A TW574731B (en) | 2001-08-16 | 2002-08-15 | Method and device for producing an adhesive-bonded join between a semiconductor wafer and a carrier plate |
Applications Claiming Priority (1)
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT516595A1 (de) * | 2009-03-05 | 2016-06-15 | Erich Thallner | Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen und/oder Ablösen eines Wafers auf einen/von einem Träger |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10054159A1 (de) * | 2000-11-02 | 2002-05-16 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Montage von Halbleiterscheiben |
| JP4143488B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2008-09-03 | Ｎｅｃエンジニアリング株式会社 | テープ貼付装置 |
| JP5313973B2 (ja) * | 2003-08-08 | 2013-10-09 | 有限会社都波岐精工 | テープ接着装置およびテープ接着方法 |
| JP4999277B2 (ja) * | 2005-02-10 | 2012-08-15 | 株式会社リコー | 光学素子の固定接合方法、固定接合装置、光走査装置及び画像形成装置 |
| KR100594642B1 (ko) * | 2005-07-25 | 2006-06-30 | 한국기계연구원 | 웨이퍼 접합 장치, 시스템, 그리고, 방법 |
| CN100399540C (zh) * | 2005-08-30 | 2008-07-02 | 中美矽晶制品股份有限公司 | 复合晶片结构的制造方法 |
| JP5343847B2 (ja) * | 2007-06-12 | 2013-11-13 | 株式会社ニコン | ウェハ貼り合せ装置、ウェハ貼り合せ方法 |
| DE102008018536B4 (de) * | 2008-04-12 | 2020-08-13 | Erich Thallner | Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen und/oder Ablösen eines Wafers auf einen/von einem Träger |
| EP2189283A1 (de) * | 2008-11-21 | 2010-05-26 | komax Holding AG | Vorrichtung zum Laminieren eines Solarmoduls |
| SG2014009377A (en) * | 2012-03-16 | 2014-06-27 | Ev Group E Thallner Gmbh | Pressure transmission apparatus for bonding of chips to a substrate |
| TWI581904B (zh) * | 2014-11-18 | 2017-05-11 | 漢民科技股份有限公司 | 工件處理裝置與方法 |
| CN111243996B (zh) * | 2020-03-23 | 2023-03-14 | 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） | 晶圆清洗设备中的定位装置 |
| TWI762351B (zh) * | 2021-06-08 | 2022-04-21 | 環球晶圓股份有限公司 | 碳化矽晶圓及其研磨方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59176735A (ja) * | 1983-03-26 | 1984-10-06 | Fujitsu Ltd | 密着露光方法 |
| US5273553A (en) * | 1989-08-28 | 1993-12-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for bonding semiconductor substrates |
| JPH06218668A (ja) * | 1993-01-21 | 1994-08-09 | Sumitomo Sitix Corp | 半導体ウェーハの貼着方法および貼着装置 |
| JPH11245163A (ja) * | 1998-03-03 | 1999-09-14 | Fujikoshi Mach Corp | ウェーハの接着方法及び接着装置 |
| JP2000127034A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-05-09 | Enya System:Kk | マウント板へのウエ−ハ接着方法及び装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2546635B1 (fr) * | 1983-05-25 | 1986-07-04 | Saint Gobain Vitrage | Procede et dispositif pour recouvrir une ebauche d'un verre de lunettes par une feuille de protection |
| EP0160056B1 (de) * | 1983-11-02 | 1988-03-09 | Josef BÖCK | Verfahren und vorrichtung zum verpressen von flexiblen folien |
| US4752180A (en) * | 1985-02-14 | 1988-06-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for handling semiconductor wafers |
| US5187123A (en) * | 1988-04-30 | 1993-02-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for bonding a semiconductor device to a lead frame die pad using plural adhesive spots |
| JPH0744135B2 (ja) * | 1989-08-28 | 1995-05-15 | 株式会社東芝 | 半導体基板の接着方法及び接着装置 |
| KR100289348B1 (ko) * | 1992-05-25 | 2001-12-28 | 이데이 노부유끼 | 절연기판실리콘반도체장치와그제조방법 |
| JP3321882B2 (ja) * | 1993-02-28 | 2002-09-09 | ソニー株式会社 | 基板はり合わせ方法 |
| US5681757A (en) * | 1996-04-29 | 1997-10-28 | Microfab Technologies, Inc. | Process for dispensing semiconductor die-bond adhesive using a printhead having a microjet array and the product produced by the process |
| JPH10275852A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体基板の接着方法および接着装置 |
| JP3342686B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2002-11-11 | 信越半導体株式会社 | ウェーハ研磨方法及びウェーハ研磨装置 |
-
2001
- 2001-08-16 DE DE10140133A patent/DE10140133A1/de not_active Ceased
-
2002
- 2002-07-08 KR KR1020020039399A patent/KR20030015833A/ko active IP Right Grant
- 2002-08-07 US US10/213,522 patent/US20030034110A1/en not_active Abandoned
- 2002-08-07 CN CNB021276773A patent/CN1190826C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-13 JP JP2002236044A patent/JP2003151929A/ja active Pending
- 2002-08-15 TW TW91118469A patent/TW574731B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59176735A (ja) * | 1983-03-26 | 1984-10-06 | Fujitsu Ltd | 密着露光方法 |
| US5273553A (en) * | 1989-08-28 | 1993-12-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for bonding semiconductor substrates |
| JPH06218668A (ja) * | 1993-01-21 | 1994-08-09 | Sumitomo Sitix Corp | 半導体ウェーハの貼着方法および貼着装置 |
| JPH11245163A (ja) * | 1998-03-03 | 1999-09-14 | Fujikoshi Mach Corp | ウェーハの接着方法及び接着装置 |
| JP2000127034A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-05-09 | Enya System:Kk | マウント板へのウエ−ハ接着方法及び装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT516595A1 (de) * | 2009-03-05 | 2016-06-15 | Erich Thallner | Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen und/oder Ablösen eines Wafers auf einen/von einem Träger |
| AT516595B1 (de) * | 2009-03-05 | 2020-10-15 | Thallner Erich | Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen und/oder Ablösen eines Wafers auf einen/von einem Träger |
Also Published As
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