CN221227515U - 一种绝缘栅双极晶体管的驱动电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种绝缘栅双极晶体管的驱动电路，光电隔离驱动电路，推挽输出电路，输入端连接光电隔离驱动电路的输出端；米勒钳位电路，输入端连接所述推挽输出电路的输出端，所述米勒钳位电路的输出端连接所述绝缘栅双极晶体管的栅极；过流保护电路，输入端连接所述推挽输出电路的输出端，输出端连接所述光电隔离驱动电路的输入端；集电极栅极钳位电路，第一端连接所述绝缘栅双极晶体管的栅极，第二端连接所述绝缘栅双极晶体管的集电极。提供一种具有过压保护和过流保护的0V驱动电路，安全性显著提升。

Description

一种绝缘栅双极晶体管的驱动电路

技术领域

本实用新型涉及半导体驱动技术领域，尤其涉及一种绝缘栅双极晶体管的驱动电路。

背景技术

绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛，IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。IGBT驱动电路分为正压驱动和负压驱动，两者的区别在于关断时的门极电位。采用负压关断可以避免因米勒电容对门极电压的抬升作用而产生的误导通风险，还可以加快关断速度，减小关断损耗，从一定程度上提高耐压。现在主流IGBT驱动电路多是门级负压驱动，门级负压驱动是指在驱动半导体开关设备时，将驱动电压控制在设备阈值电压以下的一种驱动方式。这种驱动方式常常应用在需要快速关断的场合。在这种情况下，为了快速关断半导体开关设备，驱动电路会向设备的控制端施加一个负压，使得开关设备的栅源极电压迅速降低到阈值电压以下，从而实现设备的快速关断。现有技术中0V关断的驱动较少，而家电领域需要对成本进一步缩减，对0V驱动的需求较高。

实用新型内容

基于上述内容，本实用新型提供一种绝缘栅双极晶体管的驱动电路，旨在提供0V驱动。

一种绝缘栅双极晶体管的驱动电路，其特征在于，包括：

光电隔离驱动电路，所述光电隔离驱动电路的输入端接入PWM信号；

推挽输出电路，所述推挽输出电路的输入端连接所述光电隔离驱动电路的输出端；

米勒钳位电路，所述米勒钳位电路的输入端连接所述推挽输出电路的输出端，所述米勒钳位电路的输出端连接所述绝缘栅双极晶体管的栅极；

过流保护电路，所述过流保护电路的输入端连接所述推挽输出电路的输出端，所述过流保护电路的输出端连接所述光电隔离驱动电路的输入端；

集电极栅极钳位电路，所述集电极栅极钳位电路的第一端连接所述绝缘栅双极晶体管的栅极，所述集电极栅极钳位电路的第二端连接所述绝缘栅双极晶体管的集电极。

进一步的，所述光电隔离驱动电路包括第一电阻、第一电容、第二电阻、光电隔离驱动芯片和第二电容；

所述第一电阻的第一端接入所述PWM信号；

所述第一电阻的第二端连接所述第一电容的第一端和所述第二电阻的第一端；

所述第一电容和所述第二电阻并联，且所述第一电容的第二端和所述第二电阻的第二端相连并接入第二接地端；

所述光电隔离驱动芯片的第一输入端与所述第二电阻的第二端相连并接入所述第二接地端；

所述光电隔离驱动芯片的第二输入端连接所述过流保护电路的输出端；

所述光电隔离驱动芯片的第三输出端串联一个第二电容之后与所述光电隔离驱动芯片的第一输出端相连并接入第一接地端；

所述光电隔离驱动芯片的第三输出端还接入电源电压；

所述光电隔离驱动芯片的第二输出端连接所述推挽输出电路的输入端。

进一步的，所述推挽输出电路包括第四电阻、第一三极管和第二三极管；

所述第四电阻的第一端连接所述光电隔离驱动电路的输出端；

所述第四电阻的第二端、所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极相连；

所述第一三极管的集电极接入电源电压，所述第一三极管的发射极与所述第二三极管发射极相连；

所述第一三极管的发射极作为所述推挽输出电路的输出端连接所述米勒钳位电路的输入端。

进一步的，所述米勒钳位电路包括第六电阻和第三三极管；

所述第六电阻的第一端连接所述推挽输出电路的输出端；

所述第三三极管的基极连接所述第六电阻的第一端，所述第三三极管的发射极连接所述第六电阻的第二端，所述第三三极管的集电极接入第一接地端。

进一步的，所述集电极栅极钳位电路包括第一二极管、第二二极管和第三二极管；

所述第一二极管的阳极连接所述第二二极管的阳极和所述第三二极管的阳极；

所述第一二极管的阴极连接所述第一三极管的基极；

所述第二二极管的阴极连接所述绝缘栅双极晶体管的集电极并接入母线电压；

所述第三二极管的阴极连接所述绝缘栅双极晶体管的栅极。

进一步的，所述过流保护电路包括第四三极管、第五三极管、第五二极管、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第五电容、电压比较器、逻辑芯片；

所述第五二极管的阴极接入所述绝缘栅双极晶体管的集电极并接入母线电压；

所述第五二极管的阳极连接所述第八电阻的第一端；

所述第八电阻的第二端连接所述第五三极管的发射极并接入所述电压比较器的正向输入端；

所述第五电容的第一端接入所述第八电阻的第二端，所述第五电容的第二端连接所述第九电阻的第一端并接入所述第一接地端；

所述第九电阻的第二端分别连接所述电压比较器的负向输入端以及所述第十电阻的第一端；

所述第十电阻的第二端连接电源电压；

所述第五三极管的基极连接所述推挽输出电路的输出端；

所述第五三极管的集电极接入所述第一接地端；

所述第四三极管的基极连接所述电压比较器的输出端，所述第四三极管的发射极接入第三接地端；

所述第四三极管的集电极连接所述逻辑芯片的第一输入端；

所述第四三极管的集电极还与所述逻辑芯片的电源端、所述光电隔离驱动芯片的第三输出端连接并接入电源电压；

所述逻辑芯片的第二输入端连接所述第一电阻的第二端；

所述逻辑芯片的输出端连接所述光电隔离驱动芯片的第二输入端。

进一步的，还包括：

缓冲电路，所述缓冲电路的第一端连接所述绝缘栅双极晶体管的集电极，所述缓冲电路的第二端连接第一接地端。

进一步的，所述缓冲电路包括第五电阻、第四二极管和第四电容；

所述第五电阻和所述第四二极管并联，所述第五电阻的第一端和所述第四二极管的第一端相连并接入所述绝缘栅双极晶体管的集电极；

所述第五电阻的第二端和所述第四二极管的第二端相连并接入所述第四电容的第一端；

所述第四电容的第二端接入所述第一接地端。

进一步的，滤波电路，所述滤波电路的第一端连接所述绝缘栅双极晶体管的栅极，所述滤波电路的第二端连接第一接地端。

进一步的，所述滤波电路包括并联的第三电容和第七电阻；

所述第三电容的第一端和第七电阻的第一端相连并接入所述绝缘栅双极晶体管的栅极；

所述第三电容的第二端和第七电阻的第二端相连并接入所述第一接地端。

本实用新型的有益技术效果在于：集电极栅极钳位电路用于避免高压过冲损伤IGBT，对IGBT进行过压保护，过流保护电路在短路时关断IGBT防止进一步损伤IGBT，对IGBT进行过流保护。针对IGBT，提供一种具有过压保护和过流保护的0V驱动电路，安全性显著提升。

附图说明

图1为本实用新型提供的一种绝缘栅双极晶体管的驱动电路的电路结构图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，但不作为本实用新型的限定。

本实用新型提供一种绝缘栅双极晶体管的驱动电路，包括：

光电隔离驱动电路，所述光电隔离驱动电路的输入端接入PWM信号；

推挽输出电路，所述推挽输出电路的输入端连接所述光电隔离驱动电路的输出端；

米勒钳位电路，所述米勒钳位电路的输入端连接所述推挽输出电路的输出端，所述米勒钳位电路的输出端连接所述绝缘栅双极晶体管的栅极；

过流保护电路，所述过流保护电路的输入端连接所述推挽输出电路的输出端，所述过流保护电路的输出端连接所述光电隔离驱动电路的输入端；

集电极栅极钳位电路，所述集电极栅极钳位电路的第一端连接所述绝缘栅双极晶体管的栅极，所述集电极栅极钳位电路的第二端连接所述绝缘栅双极晶体管的集电极。

光电隔离电路可以在输入与输出之间提供一个隔离层，保护输入端的信号源，防止电流直接从输入端流向输出端，避免了电源噪声和电磁干扰。

推挽输出电路用于放大PWM信号，PWM信号指脉冲宽度调制信号。集电极栅极钳位电路用于避免高压过冲损伤IGBT，对IGBT进行过压保护。

米勒钳位电路用于防止IGBT关闭时的寄生开通。

过流保护电路在短路时关断IGBT防止进一步损伤IGBT，对IGBT进行过流保护。

集电极栅极钳位电路用于避免高压过冲损伤IGBT，对IGBT进行过压保护，过流保护电路在短路时关断IGBT防止进一步损伤IGBT，对IGBT进行过流保护。针对IGBT，提供一种具有过压保护和过流保护的0V驱动电路，安全性显著提升。

参见图1，进一步的，所述光电隔离驱动电路包括第一电阻(R1)、第一电容(C1)、第二电阻(R2)、光电隔离驱动芯片(U1)和第二电容(C2)；

所述第一电阻(R1)的第一端接入所述PWM信号；

所述第一电阻(R1)的第二端连接所述第一电容(C1)的第一端和所述第二电阻(R2)的第一端；

所述第一电容(C1)和所述第二电阻(R2)并联，且所述第一电容(C1)的第二端和所述第二电阻(R2)的第二端相连并接入第二接地端(EGND)；

所述光电隔离驱动芯片(U1)的第一输入端与所述第二电阻(R2)的第二端相连并接入所述第二接地端(EGND)；

所述光电隔离驱动芯片(U1)的第二输入端连接所述过流保护电路的输出端；

所述光电隔离驱动芯片(U1)的第三输出端串联一个第二电容(C2)之后与所述光电隔离驱动芯片(U1)的第一输出端相连并接入第一接地端(GND1)；

所述光电隔离驱动芯片(U1)的第三输出端还接入电源电压(VCC)；

所述光电隔离驱动芯片(U1)的第二输出端连接所述推挽输出电路的输入端。

所述光电隔离驱动芯片(U1)的第二输出端作为光电隔离驱动电路的输出电路连接推挽输出电路的输入端。

进一步的，所述推挽输出电路包括第四电阻(R4)、第一三极管(Q1)和第二三极管(Q2)；

所述第四电阻(R4)的第一端连接所述光电隔离驱动电路的输出端；

所述第四电阻(R4)的第二端、所述第一三极管(Q1)的基极和所述第二三极管(Q2)的基极相连；

所述第一三极管(Q1)的集电极接入电源电压(VCC，即驱动电源)，所述第一三极管(Q1)的发射极与所述第二三极管(Q2)发射极相连；

所述第一三极管(Q1)的发射极作为所述推挽输出电路的输出端连接所述米勒钳位电路(4)的输入端。

进一步的，第一三极管(Q1)为NPN型。

进一步的，第二三极管(Q2)为PNP型。

进一步的，所述米勒钳位电路包括第六电阻(R6)和第三三极管(Q3)；

所述第六电阻(R6)的第一端连接所述推挽输出电路的输出端；

所述第三三极管(Q3)的基极连接所述第六电阻(R6)的第一端，所述第三三极管(Q3)的发射极连接所述第六电阻(R6)的第二端，所述第三三极管(Q3)的集电极接入第一接地端(GND1)。

米勒钳位在于防止IGBT关闭时的寄生开通，在没有负压驱动时，在某些情况下已经关断的IGBT很可能再次被开通很短时间，造成很高的IGBT损耗，加入米勒钳位电路在IGBT关断时栅极和电源地即第一接地端GND1之间构建一条低阻低感通电路。

所述第三三极管(Q3)的发射极和所述第六电阻(R6)的第二端连接形成结点作为所述米勒钳位电路的输出端。

进一步的，所述集电极栅极钳位电路包括第一二极管(D1)、第二二极管(D2)和第三二极管(D3)；

所述第一二极管(D1)的阳极连接所述第二二极管(D2)的阳极和所述第三二极管(D3)的阳极；

所述第一二极管(D1)的阴极连接所述第一三极管(Q1)的基极；

所述第二二极管(D2)的阴极连接所述绝缘栅双极晶体管的集电极并接入母线电压；

所述第三二极管(D3)的阴极连接所述绝缘栅双极晶体管的栅极。

所述集电极栅极钳位电路可以有效抑制IGBT栅极的尖峰电压，防止栅极击穿。只要母线电压超过了某一临界值，第二二极管D2就会导通。

进一步的，所述过流保护电路包括第四三极管(Q4)、第五三极管(Q5)、第五二极管(D5)、第八电阻(R8)、第九电阻(R9)、第十电阻(R10)、第五电容(C5)、电压比较器(U2)、逻辑芯片(U3)；

所述第五二极管(D5)的阴极接入所述绝缘栅双极晶体管的集电极并接入母线电压；

所述第五二极管(D5)的阳极连接所述第八电阻(R8)的第一端；

所述第八电阻(R8)的第二端连接所述第五三极管(Q5)的发射极并接入所述电压比较器(U2)的正向输入端；

所述第五电容(C5)的第一端接入所述第八电阻(R8)的第二端，所述第五电容(C5)的第二端连接所述第九电阻(R9)的第一端并接入所述第一接地端(GND1)；

所述第九电阻(R9)的第二端分别连接所述电压比较器(U2)的负向输入端以及所述第十电阻(R10)的第一端；

所述第十电阻(R10)的第二端连接电源电压(VCC)；

所述第五三极管(Q5)的基极连接所述推挽输出电路的输出端；

所述第五三极管(Q5)的集电极接入所述第一接地端(GND1)；

所述第四三极管(Q4)的基极连接所述电压比较器(U2)的输出端，所述第四三极管(Q4)的发射极接入第三接地端(GND2)；

所述第四三极管(Q4)的集电极连接所述逻辑芯片(U3)的第一输入端；

所述第四三极管(Q4)的集电极还与所述逻辑芯片(U3)的电源端、所述光电隔离驱动芯片(U1)的第三输出端连接并接入电源电压(VCC)；

所述逻辑芯片(U3)的第二输入端连接所述第一电阻(R1)的第二端；

所述逻辑芯片(U3)的输出端连接所述光电隔离驱动芯片(U1)的第二输入端。

过流保护电路，用于在短路时及时检测和关断IGBT。通过电压比较器U2来监测IGBT的电压来看IGBT是否短路。

进一步的，还包括：

缓冲电路，所述缓冲电路的第一端连接所述绝缘栅双极晶体管的集电极，所述缓冲电路的第二端连接第一接地端(GND1)。

缓冲电路为RCD缓冲电路，主要用于在高频率的开关中降低有源开关的负载。

PWM信号经过滤波传输到光电隔离电路，光电隔离电路将PWM信号传输到推挽输出电路放大驱动，在经过一个滤波后将信号输入到IGBT。集电极栅极钳位电路避免关断过压时损伤IGBT。米勒钳位电路用于防止IGBT关闭时的寄生开通。过流保护电路在短路时关断IGBT防止进一步损伤IGBT。RCD缓冲电路在高频率的开关中降低有源开关的负载。

进一步的，所述缓冲电路包括第五电阻(R5)、第四二极管(D4)和第四电容(C4)；

所述第五电阻(R5)和所述第四二极管(D4)并联，所述第五电阻(R5)的第一端和所述第四二极管(D4)的第一端相连并接入所述绝缘栅双极晶体管的集电极；

所述第五电阻(R5)的第二端和所述第四二极管(D4)的第二端相连并接入所述第四电容(C4)的第一端；

所述第四电容(C4)的第二端接入所述第一接地端(GND1)。

进一步的，滤波电路，所述滤波电路的第一端连接所述绝缘栅双极晶体管的栅极，所述滤波电路的第二端连接第一接地端(GND1)。

进一步的，所述滤波电路包括并联的第三电容(C3)和第七电阻(R7)；

所述第三电容(C3)的第一端和第七电阻(R7)的第一端相连并接入所述绝缘栅双极晶体管的栅极；

所述第三电容(C3)的第二端和第七电阻(R7)的第二端相连并接入所述第一接地端(GND1)。

进一步的，还包括第十一电阻(R11)，所述第十一电阻(R11)连接在第一接地端GND1和第二接地端EGND之间，用于将信号地和电源地隔离。具体的，第十一电阻(R11)的第一端连接逻辑芯片上的接地端子连接形成结点并接入第二接地端EGND，第十一电阻(R11)的第二端与第二三极管Q2的集电极、第三三极管Q3的集电极、第九电阻的第二端、第五三极管Q5的集电极、并联的第三电容(C3)和第七电阻(R7)的第二端、IGBT的发射极相连形成结点并接入第一接地端(GND1)。

以上所述仅为本实用新型较佳的实施例，并非因此限制本实用新型的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本实用新型说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本实用新型的保护范围内。

Claims (10)

1.一种绝缘栅双极晶体管的驱动电路，其特征在于，包括：

光电隔离驱动电路(1)，所述光电隔离驱动电路(1)的输入端接入PWM信号；

推挽输出电路(2)，所述推挽输出电路(2)的输入端连接所述光电隔离驱动电路(1)的输出端；

米勒钳位电路(4)，所述米勒钳位电路(4)的输入端连接所述推挽输出电路(2)的输出端，所述米勒钳位电路(4)的输出端连接所述绝缘栅双极晶体管的栅极；

过流保护电路(5)，所述过流保护电路(5)的输入端连接所述推挽输出电路(2)的输出端，所述过流保护电路(5)的输出端连接所述光电隔离驱动电路(1)的输入端；

集电极栅极钳位电路(3)，所述集电极栅极钳位电路(3)的第一端连接所述绝缘栅双极晶体管的栅极，所述集电极栅极钳位电路(3)的第二端连接所述绝缘栅双极晶体管的集电极。

2.如权利要求1所述的一种绝缘栅双极晶体管的驱动电路，其特征在于，所述光电隔离驱动电路(1)包括第一电阻(R1)、第一电容(C1)、第二电阻(R2)、光电隔离驱动芯片(U1)和第二电容(C2)；

所述第一电阻(R1)的第一端接入所述PWM信号；

所述第一电阻(R1)的第二端连接所述第一电容(C1)的第一端和所述第二电阻(R2)的第一端；

所述第一电容(C1)和所述第二电阻(R2)并联，且所述第一电容(C1)的第二端和所述第二电阻(R2)的第二端相连并接入第二接地端(EGND)；

所述光电隔离驱动芯片(U1)的第一输入端与所述第二电阻(R2)的第二端相连并接入所述第二接地端(EGND)；

所述光电隔离驱动芯片(U1)的第二输入端连接所述过流保护电路(5)的输出端；

所述光电隔离驱动芯片(U1)的第三输出端串联一个第二电容(C2)之后与所述光电隔离驱动芯片(U1)的第一输出端相连并接入第一接地端(GND1)；

所述光电隔离驱动芯片(U1)的第三输出端还接入电源电压(VCC)；

所述光电隔离驱动芯片(U1)的第二输出端连接所述推挽输出电路(2)的输入端。

3.如权利要求1所述的一种绝缘栅双极晶体管的驱动电路，其特征在于，所述推挽输出电路(2)包括第四电阻(R4)、第一三极管(Q1)和第二三极管(Q2)；

所述第四电阻(R4)的第一端连接所述光电隔离驱动电路(1)的输出端；

所述第四电阻(R4)的第二端、所述第一三极管(Q1)的基极和所述第二三极管(Q2)的基极相连；

所述第一三极管(Q1)的集电极接入电源电压(VCC)，所述第一三极管(Q1)的发射极与所述第二三极管(Q2)发射极相连；

所述第一三极管(Q1)的发射极作为所述推挽输出电路(2)的输出端连接所述米勒钳位电路(4)的输入端。

4.如权利要求1所述的一种绝缘栅双极晶体管的驱动电路，其特征在于，所述米勒钳位电路(4)包括第六电阻(R6)和第三三极管(Q3)；

所述第六电阻(R6)的第一端连接所述推挽输出电路(2)的输出端；

所述第三三极管(Q3)的基极连接所述第六电阻(R6)的第一端，所述第三三极管(Q3)的发射极连接所述第六电阻(R6)的第二端，所述第三三极管(Q3)的集电极接入第一接地端(GND1)。

5.如权利要求3所述的一种绝缘栅双极晶体管的驱动电路，其特征在于，所述集电极栅极钳位电路(3)包括第一二极管(D1)、第二二极管(D2)和第三二极管(D3)；

所述第一二极管(D1)的阳极连接所述第二二极管(D2)的阳极和所述第三二极管(D3)的阳极；

所述第一二极管(D1)的阴极连接所述第一三极管(Q1)的基极；

所述第二二极管(D2)的阴极连接所述绝缘栅双极晶体管的集电极并接入母线电压；

所述第三二极管(D3)的阴极连接所述绝缘栅双极晶体管的栅极。

6.如权利要求2所述的一种绝缘栅双极晶体管的驱动电路，其特征在于，所述过流保护电路(5)包括第四三极管(Q4)、第五三极管(Q5)、第五二极管(D5)、第八电阻(R8)、第九电阻(R9)、第十电阻(R10)、第五电容(C5)、电压比较器(U2)、逻辑芯片(U3)；

所述第五二极管(D5)的阴极接入所述绝缘栅双极晶体管的集电极并接入母线电压；

所述第五二极管(D5)的阳极连接所述第八电阻(R8)的第一端；

所述第八电阻(R8)的第二端连接所述第五三极管(Q5)的发射极并接入所述电压比较器(U2)的正向输入端；

所述第五电容(C5)的第一端接入所述第八电阻(R8)的第二端，所述第五电容(C5)的第二端连接所述第九电阻(R9)的第一端并接入所述第一接地端(GND1)；

所述第九电阻(R9)的第二端分别连接所述电压比较器(U2)的负向输入端以及所述第十电阻(R10)的第一端；

所述第十电阻(R10)的第二端连接电源电压(VCC)；

所述第五三极管(Q5)的基极连接所述推挽输出电路(2)的输出端；

所述第五三极管(Q5)的集电极接入所述第一接地端(GND1)；

所述第四三极管(Q4)的基极连接所述电压比较器(U2)的输出端，所述第四三极管(Q4)的发射极接入第三接地端(GND2)；

所述第四三极管(Q4)的集电极连接所述逻辑芯片(U3)的第一输入端；

所述第四三极管(Q4)的集电极还与所述逻辑芯片(U3)的电源端、所述光电隔离驱动芯片(U1)的第三输出端连接并接入电源电压(VCC)；

所述逻辑芯片(U3)的第二输入端连接所述第一电阻(R1)的第二端；

所述逻辑芯片(U3)的输出端连接所述光电隔离驱动芯片(U1)的第二输入端。

7.如权利要求1所述的一种绝缘栅双极晶体管的驱动电路，其特征在于，还包括：

缓冲电路(6)，所述缓冲电路(6)的第一端连接所述绝缘栅双极晶体管的集电极，所述缓冲电路(6)的第二端连接第一接地端(GND1)。

8.如权利要求7所述的一种绝缘栅双极晶体管的驱动电路，其特征在于，所述缓冲电路(6)包括第五电阻(R5)、第四二极管(D4)和第四电容(C4)；

所述第五电阻(R5)和所述第四二极管(D4)并联，所述第五电阻(R5)的第一端和所述第四二极管(D4)的第一端相连并接入所述绝缘栅双极晶体管的集电极；

所述第五电阻(R5)的第二端和所述第四二极管(D4)的第二端相连并接入所述第四电容(C4)的第一端；

所述第四电容(C4)的第二端接入所述第一接地端(GND1)。

9.如权利要求1所述的一种绝缘栅双极晶体管的驱动电路，其特征在于，滤波电路(7)，所述滤波电路(7)的第一端连接所述绝缘栅双极晶体管的栅极，所述滤波电路(7)的第二端连接第一接地端(GND1)。

10.如权利要求9所述的一种绝缘栅双极晶体管的驱动电路，其特征在于，所述滤波电路(7)包括并联的第三电容(C3)和第七电阻(R7)；

所述第三电容(C3)的第一端和第七电阻(R7)的第一端相连并接入所述绝缘栅双极晶体管的栅极；

所述第三电容(C3)的第二端和第七电阻(R7)的第二端相连并接入所述第一接地端(GND1)。