CN1541447B - 带有体波谐振器的滤波系统 - Google Patents
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- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 55
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 42
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 28
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims description 6
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- MTRJKZUDDJZTLA-UHFFFAOYSA-N iron yttrium Chemical compound [Fe].[Y] MTRJKZUDDJZTLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims 6
- -1 (0<x≤3) Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910015711 MoOx Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 151
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 45
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 7
- 229910020684 PbZr Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910020215 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3PbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N Cyclobutane Chemical compound C1CCC1 PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 239000011494 foam glass Substances 0.000 description 1
- 239000006112 glass ceramic composition Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
- H03H9/582—Multiple crystal filters implemented with thin-film techniques
- H03H9/586—Means for mounting to a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/589—Acoustic mirrors
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
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Abstract
本发明涉及一种备有至少一个包含谐振器部件和反射部件的体波谐振器的滤波系统。谐振器部件包括第一电极(3)和第二电极(5)以及置于第一电极(3)与第二电极(5)之间的纹理结构的压电层(4)。
Description
技术领域
本发明涉及配备有至少一个包含谐振器部件和反射部件的体波谐振器的滤波系统，其中，谐振器部件具有第一电极和第二电极以及置于第一和第二电极之间的压电层。此外，本发明还涉及配备有滤波系统和体波谐振器的无线数据传榆系统、发射机、接收机以及移动无线电设备。
背景技术
移动无线电领域的迅速发展和无线电话的持续小型化，导致对各个组成部分提出更高的要求。因此，为了保护接收机不受来自其它系统的日益增多、且可能为干扰信号的影响，高频部分必需有高选择性。例如，这一点可借助于只让有限频带通过、而对高于和低于此范围的所有频率则用进行抑制的带通滤波器来实现。
例如，带通滤波器可能是由体波谐振器构成的体波滤波器，也称为体声波(BAW)滤波器。原则上，体波谐振器由三部分构成。第一部分产生声波并包含压电层。第二部分是置于压电层上方和下方的两个电极。第三部分即反射部件用于使衬底与压电层产生的振荡实现声隔离。
从WO98/16957中已了解一种这类体波谐振器。作为压电层的材料采用了陶瓷材料，如ZnO或AlN。
为了使由体波谐振器构成的体波滤波器达到最大带宽，需采用机电耦合系数k特别大的压电材料。因为机电耦合系数k决定了体波谐振器的谐振频率与反谐振频率之间的距离。
发明内容
因此，本发明的任务是提供一种带有经改进的体波谐振器的滤波系统，其谐振器的压电层呈现大的机电耦合系数k。
这个任务通过利用配备有至少一个包含谐振器部件和反射部件的体波谐振器的滤波系统加以解决，其中，谐振器部件具有第一电极和第二电极以及置于第一电极与第二电极之间纹理结构的压电层。
通过使压电层形成纹理结构，机电耦合系数k较之多晶压电层有显著增大。由于有更大的机电耦合系数k，故扩大了体波谐振器的谐振频率与反谐振频率之间的距离，从而展宽了滤波器的带宽。
压电层最好是单晶层。
单晶层能在压电层中形成完全理想的纹理结构。
此外，电极材料最好也是有纹理结构。
通过在纹理结构电极上制作压电层，便可能使压电层材料成为纹理结构。
使多层反射部件呈现为具有交替的高声阻抗和低声阻抗的多层结构是有利的。
这类反射部件能简单而廉价地制作。
高声阻抗层包含从以下各组材料中选出的材料将特别有利：Ta2O5，Si3N4，TiO2，ZnO，LiNbO3，LiTaO3，Al2O3，SiC，V2O5，Nb2O5，ZrO2，La2O3，WOx(0＜x≤3)，MoOx(0＜x≤3)，ZrC，WC，MoC，ThO2，CeO2，Nd2O3，Pr2O3，Sm2O3，Gd2O3，ReOx(0＜x≤3.5)，RuO2，IrO2，Y2O3，Sc2O3，LiGeO2，Bi12GeO20，GeO2，MgO，钇铝石榴石，钇铁石榴石，LiGaO2，HfO2，AlN和C。
低声阻抗层包含从SiO2、气凝胶和GaAs几类材料中选出的材料也特别有利。
在反射部件中使用优选材料的情况下，可以制成其阻抗有尽可能大的判别的材料组合，此外，假如材料呈现中等的声速，便可能利用不太厚的λ/4层，
还可能优先选择反射部件包含各具有至少两种材料的混合物的多层结构，其中，在每层内部，混合物成份相对于层厚呈连续和周期性变化。
对于这类反射部件来说，每一层中的层特性不是按照矩形函数变化，而是呈连续，例如呈正弦形变化。由此可以制作出在滤波系统的通带内呈现强反射，因而滤波系统所处的衬底能有效地与滤波系统去耦的反射部件。在滤波系统的通带之外，反射部件对声波呈现良好的透射。由此，滤波系统在其通带之外将与衬底声耦合，并有效地抑制通带之外的高次谐波频率。
此外，本发明涉及配备有至少一个体波谐振器的滤波系统的发射机、接收机、移动无线电设备和无绳数据传输系统，体波谐振器包含谐振器部件和反射部件，其中，谐振器部件第一电极和第二电极以及置于第一电极与第二电极之间的纹理结构压电层。本发明还涉及包含谐振器部件和反射部件的体波谐振器，其中，谐振器部件具有第一电极和第二电极以及置于第一电极与第二电极之间的纹理结构压电层。
附图说明
下面借助附图和10个实施方案对本发明进行说明。对此，
图1示出由体波谐振器构成的滤波系统的断面结构。
具体实施方式
根据图1，体波滤波系统具有衬底1，例如用陶瓷材料、带玻璃平面化层的陶瓷材料、玻璃陶瓷材料、玻璃材料、半导体材料，譬如硅、GaAs、InP、SiC或GaN，或蓝宝石制成的衬底。在用半导体材料作为衬底1时，还可覆盖SiO2或玻璃钝化层。反射部件2位于衬底1之上。反射部件2主要包含具有交替的高声阻抗和低声阻抗的多个层7、8、9、7、8、9层的厚度各为1/4谐振波长λ。反射部件2的总层数大多在3至12层之间。
对于高声阻抗层，应优先采用从以下各组材料中选出的材料：Ta2O5，Si3N4，TiO2，ZnO，LiNbO3，LiTaO3，Al2O3，SiC，V2O5，Nb2O5，ZrO2，La2O3，WOx(0＜x≤3)，MoOx(0＜x≤3)，ZrC，WC，MoC，ThO2，CeO2，Nd2O3，Pr2O3，Sm2O3，Gd2O3，ReOx(0＜x≤3.5)，RuO2，IrO2，Y2O3，Sc2O3，LiGeO2，Bi12GeO20，GeO2，MgO，钇铝石榴石，钇铁石榴石，LiGaO2，HfO2，AlN和C。对于低声阻抗层，则优先采用从SiO2、气凝胶和GaAs几种材料中选出的材料。反射部件2最好是选择包含由Ta2O5和SiO2或Si3N4和SiO2构成的交替层。
另外，反射部件2可能只由唯一的一层具有低声阻抗的声反射材料构成。这类声反射材料可能是厚度较小的气凝胶、干凝胶、泡沫玻璃、泡沫粘合材料、泡沫材料或塑料。
反射部件2也可能包含各有至少2种材料的混合物的若干层7、8、9。其中，在7、8、9每层内部，主要为非晶态的混合物成份相对于层厚呈连续和周期变化。这时，优先选择反射部件2的7、8、9每层都包含SiO2和Ta2O5或SiO2和Si3N4的混合物。在这种实施结构中，混合物的成份相对于7、8、9层的层厚呈周期性例如正弦形变化。
在反射部件2的上方叠置各包含第一电极3、压电层4和第二电极5的谐振器部件。电极3和电极5主要由声衰减较小的良导电材料制成。
例如，可以将下列材料用作压电层4的材料：添加和不添加La，Mn，Fe，Sb，Sr，Ni中的掺杂剂或这些掺杂剂的组合的AlN，ZnO，Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3，Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3，Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3，Pb(Sc1/3Nb2/3)O3-PbTiO3，Pb(Zn1/3Nb2/3)1-x- y(Mn1/2Nb1/2)xTiyO3(0≤x≤1，0≤y≤1)，Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3，Sr3TaGa3Si2O14，K(Sr1-xBax)2Nb5O15(0≤x≤1)，Na(Sr1- xBax)2Nb5O15(0≤x≤1)，BaTiO3，(K1-xNax)NbO3(0≤x≤1)，KTaO3，(Bi，Na，K，Pb，Ba)TiO3，(Bi，Na)TiO3，Bi7Ti4NbO21，(K1-xNax)NbO3-(Bi，Na，K，Pb，Ba)TiO3(0≤x≤1)，a(BixNa1-x)TiO3-b(KNbO3-c)1/2(Bi2O3-Sc2O3)(0≤x≤1，a+b+c＝1)，(BaaSrbCac)TixZr1-xO3(0≤x≤1，a+b+c＝1)，(BaaSrbLac)Bi4Ti4O15(a+b+c＝1)，Bi4Ti3O12，LiNbO3，La3Ga5.5Nb0.5O14，La3Ga5SiO14，La3Ga5.5Ta0.5O14以及PbZrxTi1-xO3(0≤x≤1)。
为了获得大的机电耦合系数k，使压电层4中的材料覆盖成纹理结构。在纹理结构的压电层4中，就外部样品几何形状而言，压电材料的晶体具有优选的晶粒取向，且晶向在统计上相互不是呈无规则排列。最好是选择在压电层4中以柱形生长覆盖的材料。
纹理结构的压电层4可以采用薄层法，例如溶胶-凝胶法、溅射法、CVD(化学汽相淀积)法或印制技术来实现。也可以通过键合或粘接已经烧结和机械加工的压电材料，将压电层4叠置到第一电极3上。
另一个可能的选择是所谓“样板晶粒生长法(TGG)”。在这种方法中，在单晶样板上覆盖多晶层。通过高温加热，多晶层将转变成纹理结构/单晶层。
压电层4的纹理结构可以利用其它方法，如激光退火改善为单晶态。
为了改善压电层4材料的生长、晶态和取向，可以在第一电极3上叠置籽晶层，例如由PbZrxTi1-xO3(0≤x≤1)或PbTiO3构成的籽晶层。
通过在纹理结构的第一电极3上淀积压电层4，可以影响压电层4的纹理结构。
在将AlN或ZnO用作压电层4的压电材料时，可考虑将下列金属用作纹理结构的电极3、5的材料：金属优先呈现立方面心体结构或最紧密排列的六方形结构，以及其表面显示具有原子的六边方排列的(111)取向。具有立方面心体排列和(111)取向的用于纹理结构电极3、5的可能材料例如有：Pt，Al，Al:Si，Al:Cu，Ti，Ni，Cu，Rh，Pd，Ag，I r，Au，Ce和Yb。具有最紧密的六方形排列和(111)取向的用于纹理结构的电极3，5的可能材料例如有：Ti，Co，Zn，Y，Zr，Tc，Ru，Hf，Re，Os，Pr，Nd，Pm，Sm，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm和Lu。也可选择由不同的适当金属材料组成的层系统。因此，纹理结构的电极3，5可能包括Ti/Pt，Ti/Al，Ti/Al:Si和Ti/Al:Cu。此外，还可能使用由具有立方面心体排列和(111)取向的金属制成的合金。还可能使用由具有立方面心体排列和(111)取向的金属结合具有例如立方内心排列以及其表面自发或通过吸收杂质原子转变成六方形对称的金属或非金属制成的合金。一种可能的这类合金是Pt0.68Ni0.32。
对于AlN或ZnO，利用(0001)峰点摇摆曲线的FWHM(半最大值处全宽)宽度来确定的纹理结构压电层4的C抽取向大多＜3°。
此外，在使用添加和不添加La，Mn，Fe，Sb，Sr，Ni中的或其组合的掺杂的Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3，Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3，Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3，Pb(Sc1/3Nb2/3)O3-PbTiO3，Pb(Zn1/3Nb2/3)1-x- y(Mn1/2Nb1/2)xTiyO3(0≤x≤1，0≤y≤1)，Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3，Sr3TaGa3Si2O14，K(Sr1-xBax)2Nb5O15(0≤x≤1)，Na(Sr1- xBax)2Nb5O15(0≤x≤1)，BaTiO3，(K1-xNax)NbO3(0≤x≤1)，KTaO3，(Bi，Na，K，Pb，Ba)TiO3，(Bi，Na)TiO3，Bi7Ti4NbO21，(K1-xNax)NbO3-(Bi，Na，K，Pb ，Ba)TiO3(0≤x≤1)，a(BixNa1-x)TiO3-b(KNbO3-c)1/2(Bi2O3-Sc2O3)(0≤x≤1，a+b+c＝1)，(BaaSrbCac)TixZr1-xO3(0≤x≤1，a+b+c＝1)，(BaaSrbLac)Bi4Ti4O15(a+b+c＝1)，Bi4Ti3O12，LiNbO3，La3Ga5.5Nb0.5O14，La3Ga5SiO14，La3Ga5.5Ta0.5O14以及PbZTxTi1-xO3(0≤x≤1)作为压电材料时，通过在纹理结构的第一电极3上淀积压电层4来影响压电层4的纹理结构。另外，在这种压电材料中，借助处于反射部件2与第一电极3之间覆盖的纹理结构阻挡层，也能影响压电层4的纹理结构。
因此，例如有可能通过使用由未经热预处理且具有(111)取向的Pt制成的第一电极3来生长出具有(111)取向的压电层4。通过使用由经热预处理且具有(111)取向的Pt制成的第一电极3，可能生长出具有(100)取向和(111)取向或只有(100)取向的压电层4。
通过使用由具有(100)取向的MgO构成的阻挡层，可以首先生长出(100)取向的Pt作为第一电极3。由此，可以在纹理结构的第一电极3上生长出上述压电材料的纹理结构层。
在整个滤波系统之上，可以叠置由有机材料或无机材料或两种材料的组合制成的保护层。作为有机材料，可以采用例如聚苯环丁烯(polybenzocyclobuten)或聚酰亚胺，而作为无机材料则可以采用Si3N4，SiO2或SixOyN2(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)。另外，可以在滤波系统的一个或多个体波谐振器上覆盖用于所要求的体波谐振器失谐的SiO2薄层。最好是只在体波谐振器的第二电极5上叠置SiO2薄层。SiO2薄层的厚度大多在10至100nm之间。
按照本发明的滤波系统，可用于无绳数据传输系统、移动通信设备、发射机或接收机中的信号滤波。
下面将说明本发明的一些能展示其典型实现可能性的实施例。
实施例1
由体波谐振器构成的滤波系统具有带SiO2钝化层的硅衬底1。在衬底1上叠置包含七层交替的SiO2和Si3N4的反射部件2。对此，在衬底1上方的第一层7包含SiO2。各包含第一电极3、压电层4和第二电极5的各个体波谐振器位于反射部件2的包含SiO2的最上层9上方。第一电极3包含Ti/Pt，其中，第一电极3的含Pt的层是以(111)取向生长。在每个第一电极3上叠置由具有(100)取向和(111)取向的PbZr0.35Ti0.55O3层作为压电层4。由TiW/Al制成的第二电极5位于每个压电层4上方。SiO2薄层处于每个体波谐振器的第二电极5的上方。各个体波谐振器在衬底的电连接使得到用于移动无线电设备的高频部分中信号滤波的滤波系统。
实施例2
由体波谐振器构成的滤波系统具有玻璃衬底1。在衬底1上叠置包含七层交替的SiO2和Ta2O5的反射部件2。其中，在衬底1上方的第一层包含SiO2。各包含第一电极3、压电层4和第二电极5的各个体波谐振器位于反射部件2的包含SiO2的最上层9上方。第一电极3包含Ti/Pt，其中，第一电极3的含Pt的层是以(111)取向生长。在每个第一电极3二叠置由以(100)取向和(111)取向的PbZr0.35Ti0.65O3构成的压电层4。由Pt制成的第二电极5位于每个压电层4的上方。SiO2薄层处于每个体波谐振器的第二电极5上方。各个体波谐振器在衬底1上的电连接使得到用于移动无线电设备的高频部分中信号滤波的滤波系统。
实施例3
由体波谐振器构成的滤波系统具有带SiO2钝化层的硅衬底1。在衬底1上叠置包含七层交替的SiO2和Ta2O5的反射部件2。其中，在衬底1上方的第一层7包含SiO2。各包含第一电极3、压电层4和第二电极5的各个体波谐振器位于反射部件2的包含SiO2的最上层9上方。第一电极3包含Ti/Pt，其中，第一电极3的含Pt的层是以(111)取向生长。在每个第一电极3上覆盖PbZr0.35Ti0.65O3薄籽晶层。在每个籽晶层上生长作为压电层4的具有(001)取向的KbNO3层。由TiW/Al制成的第二电极5位于每个压电层4上方。SiO2薄层处于每个体波谐振器的第二电极5上方。各个体波谐振器在衬底1上的电连接使得到用于移动无线电设备的高频部分中信号滤波的滤波系统。
实施例4
由体波谐振器构成的滤波系统具有玻璃衬底1。在衬底1上叠置包含多孔SiO2层的反射部件2。各包含第一电极3、压电层4和第二电极5的各个体波谐振器位于反射部件2之上。第一电极3包含Ti/Pt，其中，第一电极3的含Pt层以(111)取向生长。在每个第一电极3上生长出以(001)取向和(111)取向的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3层作为压电层4。由Pt制成的第二电极5位于每个压电层4上方。SiO2薄层处于每个体波谐振器的第二电极5上方。各个体波谐振器在衬底1上的电连接使得到用于移动无线电设备的高频部分中信号滤波的滤波系统。
实施例5
由体波谐振器构成的滤波系统具有带SiO2钝化层的硅衬底1。在衬底1上叠置包含七层交替的SiO2和Ta2O5的反射部件2。其中，在衬底1上方的第一层7包含SiO2。在反射部件2的包含SiO2的最上层9上方叠置具有(100)取向的MgO阻挡层。各包含第一电极3、压电层4和第二电极5的各个体波谐振器位于阻挡层上方。第一电极3包含Ti/Pt，其中，第一电极3的含Pt的层以(100)取向生长。在每个第一电极3上覆盖作为压电层4的具有(001)取向的Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3层。由Pt制成的第二电极5位于每个压电层4上方。SiO2薄层处于每个体波谐振器的第二电极5上方。各个体波谐振器在衬底1上的电连接使得到用于移动无线电设备的高频部分中信号滤波的滤波系统。
实施例6
由体波谐振器构成的滤波系统具有玻璃衬底1。在衬底1上叠置七层的反射部件2。7、8、9层的每一层都包含作为材料的SiO2和Ta2O5，其中，在7、8、9每层的内部，材料的成份以层厚d作为周期呈正弦形从纯SiO2变化到纯Ta2O5，再变回到纯SiO2。7、8、9每层的层厚为466nm。各包含第一电极3、压电层4和第二电极5的各个体波谐振器位于反射部件2的最上层9上方。第一电极3包含Ti/Pt，其中，第一电极3的含Pt的层以(111)取向生长。在每个第一电极3上叠置PbZr0.35Ti0.65C3薄籽晶层。在每个薄籽晶层上生长出作为压电层4的具有(001)取向的Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3层。由Pt制成的第二电极5位于每个压电层4上方。SiO2薄层处于每个体波谐振器的第二电极5上方。各个体波谐振器在衬底1上的电连接使得到用于移动无线电设备的高频部分中信号滤波的滤波系统。
实施例7
由体波谐振器构成的滤波系统具有带SiO2钝化层的硅衬底1。在衬底1上叠置包含七层交替的SiO2和Ta2O5的反射部件2。其中，在衬底1上方的第一层7包含SiO2。各包含第一电极3、压电层4和第二电极5的各个体波谐振器位于反射部件2的包含SiO2的最上层9上方。第一电极3包含Ti/Pt，其中，第一电极3的含Pt的层以(111)取向生长。在每个第一电极3上覆盖作为压电层4的具有(0001)取向的AlN纹理结构层。由Al制成的第二电极5位于每个压电层4上方。SiO2薄层处于每个体波谐振器的第二电极5上方。各个体波谐振器在衬底1的电连接使得到用于移动无线电设备的高频信号中信号滤波的滤波系统。
实施例8
由体波谐振器构成的滤波系统具有带SiO2钝化层的硅衬底1。在衬底1上叠置包含七层交替的SiO2和Si3N4的反射部件2。其中，在衬底1上方的第一层7包含SiO2。各包含第一电极3、压电层4和第二电极5的各个体波谐振器位于反射部件2的包含SiO2的最上层9上方。第一电极3包含Ti/Pt，其中，第一电极3的含P t的层以(111)取向生长。在每个第一电极3上叠置作为压电层4的具有(0001)取向的AlN纹理结构层。由Al制成的第二电极5位于每个压电层4上方。SiO2薄层位于每个体波谐振器的第二电极5上方。各个体波谐振器在衬底1上的电连接使得到用于移动无线电设备的高频部分中信号滤波的滤波系统。
实施例9
由体波谐振器构成的滤波系统具有带SiO2钝化层的硅衬底1。在衬底1上叠置包含九层交替的SiO2和Ta2O5的反射部件2。其中，在衬底1上方的第一层7包含SiO2。各包含第一电极3、压电层4和第二电极5的各个体波谐振器位于反射部件2的包含SiO2的最上层9上方。第一电极4包含具有(111)取向的Ti/Al:Cu。在每个第一电极3上叠置作为压电层4的具有(0001)取向的AlN纹理结构层。由Al制成的第二电极5位于每个压电层4上方。SiO2薄层处于每个体波谐振器的第二电极5上方。各个体波谐振器在衬底1上的电连接使得到用于移动无线电设备的高频部分中信号滤波的滤波系统。
实施例10
由体波谐振器构成的滤波系统具有带SiO2钝化层的硅衬底1。在衬底1上叠置包含七层交替的SiO2和Ta2O5的反射部件2。其中，在衬底1上方的第一层7包含SiO2。各包含第一电极3、压电层4和第二电极5的各个体波谐振器位于反射部件2的包含SiO2的最上层9上方。第一电极3包含Ti/Pt。其中，第一电极3的含Pt的层以(111)取向生长。在每个第一电极3上覆盖作为压电层4的由具有(0001)取向的ZnO纹理结构层。由Al制成的第二电极5位于每个压电层4上方。SiO2薄层处于每个体波谐振器的第二电极5上方。各个体波谐振器在衬底1上的电连接使得到用于移动无线电设备的高频部分中信号滤波的滤波系统。
Claims (11)
1.一种滤波系统，配备有包含谐振器部件和反射部件(2)的至少一个体波谐振器，其中，谐振部件具有第一电极和第二电极(3，5)以及处于第一电极与第二电极(3，5)之间的纹理结构的压电层(4)，反射部件(2)包含各具有至少两种材料的混合物的多层(7，8，9)，在每一层内部混合物的成份相对于层厚呈连续和周期性的变化。
2.权利要求1的滤波系统，
其特征在于，
压电层(4)是单晶层。
3.权利要求1的滤波系统，
其特征在于，
第一电极和第二电极(3，5)的材料是纹理结构的。
4.权利要求之1的滤波系统，
其特征在于，
反射部件(2)包含交替的高声阻抗和低声阻抗的多层(7，8，9)。
5.权利要求4的滤波系统，
其特征在于，
具有高声阻抗的层包含从下列各类材料中选出的材料：Ta2O5，Si3N4，TiO2，ZnO，LiNbO3，LiTaO3，Al2O3，SiC，V2O5，Nb2O5，ZrO2，La2O3，WOx(0＜x≤3)，MoOx，(0＜x≤3)，ZrC，WC，MoC，ThO2，CeO2，Nd2O3，Pr2O3，Sm2O3，Gd2O3，ReOx(0＜x≤3.5)，RuO2，IrO2，Y2O3，Sc2O3，LiGeO2，Bil2GeO20，GeO2，MgO，钇铝石榴石，钇铁石榴石，LiGaO2，HfO2，AlN和C。
6.权利要求4的滤波系统，
其特征在于，
具有低声阻抗的层包含从SiO2、气凝胶和GaAs几类材料中选出的材料。
7.一种移动无线电设备，配备有具有至少一个包含谐振器部件和反射部件(2)的体波谐振器的滤波系统，其中，谐振器部件具有第一电极和第二电极(3，5)以及处于第一电极与第二电极(3，5)之间的纹理结构的压电层(4)，反射部件(2)包含各具有至少两种材料的混合物的多层(7，8，9)，在每一层内部混合物的成份相对于层厚呈连续和周期性的变化。
8.一种发射机，配备有具有至少一个包含谐振器部件和反射部件(2)的体波谐振器的滤波系统，其中，谐振器部件具有第一电极和第二电极(3，5)以及处于第一电极与第二电极(3，5)之间的纹理结构的压电层(4)，反射部件(2)包含各具有至少两种材料的混合物的多层(7，8，9)，在每一层内部混合物的成份相对于层厚呈连续和周期性的变化。
9.一种接收机，配备有具有至少一个包含谐振器部件和反射部件(2)的体波谐振器的滤波器，其中，谐振器部件具有第一电极和第二电极(3，5)以及处于第一电极与第二电极(3，5)之间的纹理结构的压电层(4)，反射部件(2)包含各具有至少两种材料的混合物的多层(7，8，9)，在每一层内部混合物的成份相对于层厚呈连续和周期性的变化。
10.一种无线数据传输系统，配备有具有至少一个包含谐振器部件和反射部件(2)的体波谐振器的滤波器，其中，谐振器部件具有第一电极和第二电极(3，5)以及处于第一电极与第二电极(3，5)之间的纹理结构的压电层(4)，反射部件(2)包含各具有至少两种材料的混合物的多层(7，8，9)，在每一层内部混合物的成份相对于层厚呈连续和周期性的变化。
11.一种体波谐振器，包含谐振器部件和反射部件(2)，其中，谐振器部件具有第一电极和第二电极(3，5)以及处于第一电极与第二电极(3，5)之间的纹理结构的压电层(4)，反射部件(2)包含各具有至少两种材料的混合物的多层(7，8，9)，在每一层内部混合物的成份相对于层厚呈连续和周期性的变化。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP01306933 | 2001-08-14 | ||
| EP01306933.1 | 2001-08-14 | ||
| PCT/IB2002/003291 WO2003017481A1 (de) | 2001-08-14 | 2002-08-05 | Filteranordnung mit volumenwellen-resonator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1541447A CN1541447A (zh) | 2004-10-27 |
| CN1541447B true CN1541447B (zh) | 2010-04-21 |
Family
ID=8182190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN028158660A Expired - Fee Related CN1541447B (zh) | 2001-08-14 | 2002-08-05 | 带有体波谐振器的滤波系统 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6975182B2 (zh) |
| EP (1) | EP1419577A1 (zh) |
| JP (1) | JP2005500778A (zh) |
| CN (1) | CN1541447B (zh) |
| WO (1) | WO2003017481A1 (zh) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1419576B1 (de) * | 2001-08-14 | 2008-11-05 | Nxp B.V. | Filteranordnung mit volumenwellen-resonator |
| JP2005197983A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Tdk Corp | 薄膜バルク波共振器 |
| JP2005198117A (ja) * | 2004-01-09 | 2005-07-21 | Tdk Corp | 電子デバイス作製用構造体及びこれを用いた電子デバイスの製造方法 |
| JP2006019935A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Toshiba Corp | 薄膜圧電共振器及びその製造方法 |
| KR100671031B1 (ko) | 2004-07-09 | 2007-01-18 | 사공건 | 음향임피던스 정합을 이용한 유량 레벨 측정시스템 |
| JP4016983B2 (ja) * | 2004-12-07 | 2007-12-05 | 株式会社村田製作所 | 圧電薄膜共振子およびその製造方法 |
| WO2006064414A1 (en) * | 2004-12-15 | 2006-06-22 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Thin film acoustic reflector stack |
| JP2007129391A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 音響共振器及びフィルタ |
| FR2927743B1 (fr) * | 2008-02-15 | 2011-06-03 | St Microelectronics Sa | Circuit de filtrage comportant des resonateurs acoustiques couples |
| EP2436049B1 (en) * | 2009-05-28 | 2019-05-01 | Northrop Grumman Systems Corporation | Lateral over-moded bulk acoustic resonators |
| CN101924529B (zh) * | 2010-08-31 | 2012-10-10 | 庞慰 | 压电谐振器结构 |
| DE102011119660B4 (de) * | 2011-11-29 | 2014-12-11 | Epcos Ag | Mikroakustisches Bauelement mit Wellenleiterschicht |
| CN104917476B (zh) * | 2015-05-28 | 2022-04-12 | 苏州汉天下电子有限公司 | 一种声波谐振器的制造方法 |
| JP7036487B2 (ja) | 2016-07-07 | 2022-03-15 | サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド． | 弾性波フィルタ装置及びその製造方法 |
| CN110710106B (zh) * | 2017-07-04 | 2023-10-31 | 京瓷株式会社 | 弹性波装置、分波器及通信装置 |
| JP7038795B2 (ja) * | 2017-07-07 | 2022-03-18 | スカイワークス ソリューションズ，インコーポレイテッド | 圧電材料、弾性波共振器、フィルタ、電子デバイスモジュール及び電子デバイス |
| WO2020132999A1 (zh) * | 2018-12-26 | 2020-07-02 | 天津大学 | 带有温度补偿层的谐振器、滤波器 |
| JP2021141580A (ja) | 2020-02-28 | 2021-09-16 | スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. | バルク弾性波フィルタのための窒化アルミニウムドーパントスキーム |
| CN116639974A (zh) * | 2023-03-22 | 2023-08-25 | 中南大学 | 一种稀土改性knn-lt无铅压电陶瓷及其制备方法 |
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| JP3954395B2 (ja) * | 2001-10-26 | 2007-08-08 | 富士通株式会社 | 圧電薄膜共振子、フィルタ、および圧電薄膜共振子の製造方法 |
-
2002
- 2002-08-05 WO PCT/IB2002/003291 patent/WO2003017481A1/de active Application Filing
- 2002-08-05 US US10/486,452 patent/US6975182B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-05 CN CN028158660A patent/CN1541447B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-05 JP JP2003522268A patent/JP2005500778A/ja active Pending
- 2002-08-05 EP EP02755508A patent/EP1419577A1/de not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20040189423A1 (en) | 2004-09-30 |
| JP2005500778A (ja) | 2005-01-06 |
| CN1541447A (zh) | 2004-10-27 |
| WO2003017481A1 (de) | 2003-02-27 |
| US6975182B2 (en) | 2005-12-13 |
| EP1419577A1 (de) | 2004-05-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: NXP CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. Effective date: 20071102 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20071102 Address after: Holland Ian Deho Finn Applicant after: Koninkl Philips Electronics NV Address before: Holland Ian Deho Finn Applicant before: Koninklijke Philips Electronics N.V. |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100421 Termination date: 20200805 |