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CN1363854A - 有源矩阵型液晶显示装置 - Google Patents

有源矩阵型液晶显示装置 Download PDF

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CN1363854A
CN1363854A CN01136169A CN01136169A CN1363854A CN 1363854 A CN1363854 A CN 1363854A CN 01136169 A CN01136169 A CN 01136169A CN 01136169 A CN01136169 A CN 01136169A CN 1363854 A CN1363854 A CN 1363854A
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中村弥生
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Abstract

本发明提供的有源矩阵型液晶显示装置,将数据信号线3与像素电极5隔离,在数据信号线3和辅助电容线6的延伸突出部6a之间插入栅极绝缘膜12,通过将延伸突出部6a重合在像素电极5的周边部,来减小像素电极5和数据信号线3之间的寄生电容Cds。

Description

有源矩阵型液晶显示装置
技术领域
本发明涉及能够降低串扰(cross talk)的有源矩阵型液晶显示装置。
背景技术
图3表示现有的一有源矩阵型液晶显示装置的示例的局部透过平面图。该液晶显示装置包括玻璃基板1。在玻璃基板1的上表面侧矩阵状地设置扫描信号线2和数据信号线3，在其各交点附近设置薄膜晶体管4和像素电极5，在像素电极5的上边部下与扫描信号线2平行地设置辅助电容线6。
像素电极5按三角形排列。即，构成一个像素的R(红)、G(绿)、B(蓝)的三个像素电极5被配置在二等边三角形(希腊字母Δ)的各顶点对应的位置。因此，扫描信号线2在上下的像素电极5间沿行方向直线状地延伸设置，数据信号线3在左右的像素电极5间和上下的像素电极5间沿列方向弯曲设置。
下面，参照作为沿图3的Y-Y线的剖面图的图4来说明该液晶显示装置的具体构造。在玻璃基板1的上表面的规定处设置包含栅电极11的扫描信号线2，在另一规定处设置辅助电容线2，在其整个上表面设置氮化硅构成的栅绝缘膜12。在栅电极11上的栅绝缘膜12的上面的规定处设置本征非晶硅构成的半导体膜13。在半导体膜13上表面的规定处设置氮化硅构成的沟道保护膜14。在沟道保护膜14的上表面两侧和其两侧的半导体膜13的上表面上设置n型非晶硅构成的欧姆接触层15、16。
在一个欧姆接触层15的上表面和栅绝缘膜12的上表面的规定处设置包含漏电极17的数据信号线3。该情况下，数据信号线3为本征非晶硅膜3a、n型非晶硅膜3b、金属膜3c的三层构造。本征非晶硅膜3a在形成半导体膜13时由与半导体膜13相同的膜一起形成。n型非晶硅膜3b在欧姆接触层15、16形成时由与欧姆接触层15、16相同的膜一起形成。金属膜3c在通过铬等金属形成漏电极17时由与漏电极17相同的膜一起形成。
在另一欧姆接触层16的上表面上设置铬构成的源电极18。这里，通过栅电极11、栅绝缘膜12、半导体膜13、沟道14、欧姆接触层15、16、漏电极17和源电极18来构成薄膜晶体管3。包含薄膜晶体管3等的栅绝缘膜12的整个上表面上设置树脂构成的平坦化膜(层间绝缘膜)19。在平坦化膜19的上表面的规定处设置ITO构成的像素电极5。像素电极5通过平坦化膜19上设置的接触孔20连接到源电极18。
可是，在上述现有的液晶显示装置中，通过旋转涂敷法等来形成树脂构成的平坦化膜19，由于其膜厚为几μm左右比较厚，所以即使将像素电极5和数据信号线3重合，在像素电极5和数据信号线3之间也不发生短路。因此，使数据信号线3内沿列方向延伸的部分宽度比沿行方向延伸的部分的宽度稍宽，将沿该宽度的列方向延伸的数据信号线3的宽度方向两端部与左右方向相邻的像素电极5的相邻连接的边部重合。然后，使沿列方向延伸的数据信号线3具有遮光膜的功能，由此来提高开口率。作为一例，如果左右方向相邻的像素电极5的间隔G为在其间不产生短路的最小间隔为4μm、像素电极5和数据信号线3的重合宽度L在设计上为2μm以便在考虑对准精度的情况下也可重合，那么数据信号线3的最小宽度W为8μm。
在上述现有的液晶显示装置中，使沿列方向延伸的数据信号线3的宽度方向两端部与左右方向相邻的像素电极5的相邻边部重合，对沿列方向延伸的数据信号3具有作为遮光膜的功能。但是，为了高精细像素等而减小一个像素电极5的面积时，可观察到垂直串扰。即，如果使像素电极5与数据信号线3重合，则其之间的寄生电容Cds增加，该寄生电容Cds的增加成为产生垂直串扰的主要原因。寄生电容Cds和一个像素电极5的所有存储电容Cp之比β已知为
β＝Cds/Cp＝Cds/(Cds+Clc+Cs+Cgs){其中，Clc是一个像素电极5和对置电极(未图示)之间的液晶的电容，Cs是像素电极5和辅助电容线6之间的存储电容(以下称为辅助电容)，Cgs是像素电极5和扫描信号线2之间的寄生电容}，使该β的值越小，确实越可防止发生垂直串扰。但是，液晶显示装置有逐渐高精细化的倾向，由于伴随着这种趋势使像素电极的面积缩小，Clc变小，所以垂直串扰更加明显。
发明的内容
本发明的目的在于提供一种液晶显示装置，其可减小像素电极和数据信号线之间的寄生电容Cds，使串扰不明显。
为达到上述目的本发明采取以下技术方案：
一种有源矩阵型液晶显示装置，其包括：基板1；在基板1上
形成的像素电极5；连接到所述像素电极5的开关元件4；连接到所述开关元件4的数据信号线3；在所述数据信号线3和所述像素电极5之间插入的第1绝缘层19；将一部分重合在所述像素电极5上的辅助电容线6；以及在所述数据信号线3和所述辅助电容线6之间插入的第2绝缘层12；其特征在于，
所述辅助电容线6有与所述数据信号线3重合的一部分6a，
所述一部分6a具有比正上方的数据信号线3的宽度Wd宽的宽度Wc，并且被重合在所述像素电极5的周边部上。
所述的有源矩阵型液晶显示装置，其特征在于，所述像素电极5和所述数据信号线3之间的寄生电容Cds、与所述像素电极5的总存储电容Cs之比β＝Cds/Cp在0.045以下。
所述的有源矩阵型液晶显示装置，其特征在于，所述像素电极5和所述数据信号线3的寄生电容Cds在0.03fF/μm以下。
所述的有源矩阵型液晶显示装置，其特征在于，所述辅助电容线6的一部分6a沿所述数据信号线3延长。
所述的液晶显示装置，其特征在于，所述辅助电容线6的一部分6a沿所述像素电极5的对置的一对边延长。
所述的有源矩阵型液晶显示装置，其特征在于，所述数据信号线3与所述像素电极5实质上不重合。
所述的有源矩阵型液晶显示装置，其特征在于，所述数据信号线3与所述像素电极5隔离开0～1μm。
所述的有源矩阵型液晶显示装置，其特征在于，所述第1绝缘膜19和所述第2绝缘膜12由不同的材料来形成。
所述的有源矩阵型液晶显示装置，其特征在于，所述第1绝缘膜19具有比所述第2绝缘膜12大的厚度。
所述的有源矩阵型液晶显示装置，其特征在于，所述第1绝缘膜19有1μm～4μm的厚度。
一种有源矩阵型液晶显示装置，其包括：基板1；在基板1上形成的像素电极5；连接到所述像素电极5的开关元件4；连接到所述开关元件4的数据信号线3；以及在所述数据信号线3和所述像素电极5之间插入的第1绝缘层19，其特征在于，
所述像素电极5和所述数据信号线3之间的寄生电容Cds与所述像素电极5的总存储电容Cs之比β＝Cds/Cp在0.045以下。
所述的有源矩阵型液晶显示装置，其特征在于，所述像素电极5和所述数据信号线3的寄生电容Cds在0.03fF/μm以下。
所述的有源矩阵型液晶显示装置，其特征在于，所述数据信号线3与所述像素电极5实质上不重合。
所述的有源矩阵型液晶显示装置，其特征在于，所述数据信号线3与所述像素电极5隔离开0～1μm。
所述的有源矩阵型液晶显示装置，其特征在于，所述绝缘膜19由树脂形成。
所述的有源矩阵型液晶显示装置，其特征在于，所述绝缘膜19有1μm～4μm的厚度。
根据本发明，该液晶显示装置包括：基板；在所述基板上形成的像素电极；所述像素电极上连接的开关元件；所述开关元件上连接的数据信号线；以及插入在所述数据信号线和所述像素电极之间的绝缘层；
其特征在于，所述像素电极和所述数据信号线的寄生电容Cds与所述像素电极的所有存储电容Cs之比β＝Cds/Cp在0.045以下。
附图说明
图1是本发明一实施例的有源矩阵型液晶显示装置的主要部分的放大透射平面图；
图2是沿图1的II-II线剖切的剖面图；
图3是现有的有源矩阵型液晶显示装置的局部放大透射平面图；
图4是沿图3的IV-IV剖切的剖面图。
具体实施方式
图1是表示本发明一实施例的有源矩阵型液晶显示装置的主要部分的透射平面图，图2是表示沿X-X线剖切的剖面图。在这些图中，为便于说明，对于与图3和图4所示的现有装置相同名称部分附以相同的标号来说明。
如图1所示，该液晶显示装置包括玻璃基板1。在玻璃基板1的上表面侧矩阵状地设置扫描信号线2和数据信号线3，在它们的各交点附近设置薄膜晶体管4和像素电极5，在像素电极5的上边部下面将辅助电容线6与扫描信号线2平行地设置。
将像素电极5三角形排列。即，构成一个像素的R(红)、G(绿)、B(蓝)的三个像素电极5被配置在二等边三角形(希腊字母Δ)的各顶点对应的位置。因此，扫描信号线2在上下的像素电极5间中沿行方向直线状地延伸设置，数据信号线3的宽度为Wd，在左右的像素电极5间和上下的像素电极5间沿列方向弯曲设置。
从辅助电容线6的与数据信号线3的交叉部分，具有宽度Wc的延伸突出部6a在沿列方向延伸的数据信号线3的排列方向上延长。延伸突出部6a的宽度Wc比数据信号线3的宽度Wd宽。像素电极5的左右边部与辅助电容线的延伸突出部6a以重合宽度Lc重合，但不与数据信号线3重合，而隔离开空间S。
下面，参照沿图1的X-X线剖切的剖面图的图2来说明该液晶显示装置的具体构造。在玻璃基板1的上表面的规定处设置包含栅电极11的扫描信号线2，在另一规定处设置包含延伸突出部6a的辅助电容线6，在其整个上表面上设置氮化硅构成的栅绝缘膜12。在栅电极11上的栅绝缘膜12的上表面的规定处设置本征非晶硅构成的半导体膜13。在半导体膜13的上表面的规定处设置氮化硅构成的沟道保护膜14。沟道保护膜14的上表面两侧和其两侧的半导体膜13的上表面上设置n型非晶硅构成的欧姆接触层15、16。
在一个欧姆接触层15的上表面和栅绝缘膜12的上表面的规定处设置包含漏电极17的数据信号线3。在该情况下，数据信号线3具有本征非晶硅膜3a、n型非晶硅膜3b、金属膜3c的三层构造。本征非晶硅膜3a在形成半导体膜13时由与半导体膜13相同的膜一起形成。n型非晶硅膜3b在欧姆接触层15、16形成时由与欧姆接触层15、16相同的膜一起形成。金属膜3c在通过铬等金属形成漏电极17时由与漏电极17相同的膜一起形成。
在另一欧姆接触层16的上表面上设置铬构成的源电极18。这里，通过栅电极11、栅绝缘膜12、半导体膜13、沟道14、欧姆接触层15、16、漏电极17和源电极18来构成薄膜晶体管3。包含薄膜晶体管3等的栅绝缘膜12的整个上表面上设置树脂构成的平坦化膜(层间绝缘膜)19。在平坦化膜19的上表面的规定处设置ITO构成的像素电极5。像素电极5通过平坦化膜19上设置的接触孔20连接到源电极18。辅助电容线6的厚度为1500～3000，栅绝缘膜12的厚度为2000～4000，半导体膜13的厚度为200～1000，沟道保护膜14的厚度为1000～2000，欧姆接触层15、16的厚度为300～1000，漏电极17和源电极18的厚度为3000～5000，平坦化膜19的厚度为1μm～4μm左右。
如上所述，在该液晶显示装置中，从辅助电容线6的与数据信号线3交叉的部分起将比数据信号线3宽的延伸突出部6a部沿数据信号线3的排列方向延伸突出，使像素电极5的左右边部不与数据信号线3重合而与延伸突出部6a重合，所以可以减小像素电极5和数据信号线3之间的寄生电容Cds。因此，为了高精细像素等而减小一个像素电极5的面积，即使减小与此对应的液晶电容Cls，也可以使寄生电容Cds和一个像素电极5的所有存储电容Cp之比β{β＝Cds/Cp＝Cds/(Cds+Clc+Cs+Cgs)}成为观察不出垂直串扰的值。
这里，说明实验结果。首先，使通过旋转涂敷法等形成的树脂构成的平坦化膜19的膜厚为3μm，平坦化膜19的介电常数为3.0，在图1所示的实施例中，在像素电极5的左右边部和数据信号线3的间隔S为0～1μm时，寄生电容Cds为0.02～0.03fF/μm左右。相对于此，在图3所示的以往例中，像素电极5的左右边部和数据信号线3的重合部的宽度L为1～2μm左右时，寄生电容Cds为0.1fF/μm左右。因此，本实施例情况的寄生电容Cds可以减低到以往例情况的寄生电容Cds的1/4～1/5左右。这里，本发明人通过视认试验，在寄生电容Cds和一个像素电极5的所有存储电容Cp之比β{β＝Cds/Cp＝Cds/(Cds+Clc+Cs+Cgs)}为0.045以下时未观察到垂直串扰，而如果在该值以上，则垂直串扰变得明显。上述本发明的情况下，β为0.02～0.03左右，而在以往例的情况下，β为0.07～0.08左右。因此，使寄生电容Cds和一个像素电极5的所有存储电容Cp之比β在0.045以下非常重要。
在该液晶显示装置中，由于将像素电极5的左右边部与辅助电容线6的重合延伸突出部6a重合，所以该延伸突出部6a具有遮光膜的功能，可以提高开口率。顺便说明以下，即使考虑到像素电极5的左右边部和延伸突出部6a的重合部的宽度Lc、像素电极5和数据信号线3的间隔S和数据信号线3的宽度Wd，也可以使延伸突出部6a的最小宽度为8～9μm，可以获得与图3所示的以往例的情况(数据信号线3的最小宽度为8μm)大致相同的开口率。
但是，如果树脂构成的平坦化膜19的膜厚为比较厚的几μm，则由于像素电极和辅助电容线间的存储电容Cs变小，所以不能使寄生电容Cds和一个像素电极5的所有存储电容Cp之比β小。但是，在本发明中，由于在辅助电容线6上设置延伸突出部6a，与像素电极5重合宽度仅为2Lc，所以像素电极和辅助电容线间的存储电容Cs增大，可以减小寄生电容Cds和一个像素电极5的所有存储电容Cp之比β小。
本发明的效果：
如以上说明，根据本发明，由于使数据信号线的宽度与所述相邻的像素电极间的间隔相等或比其小，所以可以减小像素电极和数据信号线间的寄生电容Cds，此外，由于使辅助电容线的延伸突出部的宽度形成得比数据信号线宽，所以该延伸突出部具有作为遮光膜的功能，可以提高开口率。

Claims (16)

1.一种有源矩阵型液晶显示装置，其包括：基板(1)；在基板(1)上形成的像素电极(5)；连接到所述像素电极(5)的开关元件(4)；连接到所述开关元件(4)的数据信号线(3)；在所述数据信号线(3)和所述像素电极(5)之间插入的第1绝缘层(19)；将一部分重合在所述像素电极(5)上的辅助电容线(6)；以及在所述数据信号线(3)和所述辅助电容线(6)之间插入的第2绝缘层(12)；其特征在于，所述辅助电容线(6)有与所述数据信号线(3)重合的一部分(6a)，所述一部分(6a)具有比正上方的数据信号线(3)的宽度(Wd)宽的宽度(Wc)，并且被重合在所述像素电极(5)的周边部上。
2.如权利要求1所述的有源矩阵型液晶显示装置，其特征在于，所述像素电极(5)和所述数据信号线(3)之间的寄生电容Cds、与所述像素电极(5)的总存储电容Cs之比β＝Cds/Cp在0.045以下。
3.如权利要求1所述的有源矩阵型液晶显示装置，其特征在于，所述像素电极(5)和所述数据信号线(3)的寄生电容Cds在0.03fF/μm以下。
4.如权利要求1所述的有源矩阵型液晶显示装置，其特征在于，所述辅助电容线(6)的一部分(6a)沿所述数据信号线(3)延长。
5.如权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于，所述辅助电容线(6)的一部分(6a)沿所述像素电极(5)的对置的一对边延长。
6.如权利要求1所述的有源矩阵型液晶显示装置，其特征在于，所述数据信号线(3)与所述像素电极(5)实质上不重合。
7.如权利要求6所述的有源矩阵型液晶显示装置，其特征在于，所述数据信号线(3)与所述像素电极(5)隔离开0～1μm。
8.如权利要求1所述的有源矩阵型液晶显示装置，其特征在于，所述第1绝缘膜(19)和所述第2绝缘膜(12)由不同的材料来形成。
9.如权利要求1所述的有源矩阵型液晶显示装置，其特征在于，所述第1绝缘膜(19)具有比所述第2绝缘膜(12)大的厚度。
10.如权利要求1所述的有源矩阵型液晶显示装置，其特征在于，所述第1绝缘膜(19)有1μm～4μm的厚度。
11.一种有源矩阵型液晶显示装置，其包括：基板(1)；在基板(1)上形成的像素电极(5)；连接到所述像素电极(5)的开关元件(4)；连接到所述开关元件(4)的数据信号线(3)；以及在所述数据信号线(3)和所述像素电极(5)之间插入的第1绝缘层(19)，其特征在于，所述像素电极(5)和所述数据信号线(3)之间的寄生电容Cds与所述像素电极(5)的总存储电容Cs之比β＝Cds/Cp在0.045以下。
12.如权利要求11所述的有源矩阵型液晶显示装置，其特征在于，所述像素电极(5)和所述数据信号线(3)的寄生电容Cds在0.03fF/μm以下。
13.如权利要求11所述的有源矩阵型液晶显示装置，其特征在于，所述数据信号线(3)与所述像素电极(5)实质上不重合。
14.如权利要求11所述的有源矩阵型液晶显示装置，其特征在于，所述数据信号线(3)与所述像素电极(5)隔离开0～1μm。
15.如权利要求11所述的有源矩阵型液晶显示装置，其特征在于，所述绝缘膜(19)由树脂形成。
16.如权利要求11所述的有源矩阵型液晶显示装置，其特征在于，所述绝缘膜(19)有1μm～4μm的厚度。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100351690C (zh) * 2003-03-07 2007-11-28 卡西欧计算机株式会社 液晶显示装置
US7394513B2 (en) * 2004-02-04 2008-07-01 Sharp Kabushiki Kaisha Display device having particular signal lines
CN100451784C (zh) * 2004-01-29 2009-01-14 夏普株式会社 显示装置
CN100485470C (zh) * 2005-09-13 2009-05-06 爱普生映像元器件有限公司 液晶显示器及其制造方法
CN1808250B (zh) * 2004-12-20 2011-05-18 三星电子株式会社 薄膜晶体管阵列面板和显示设备
CN101598872B (zh) * 2008-06-04 2011-06-29 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示面板
CN101738799B (zh) * 2008-11-06 2011-09-07 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法
CN101738805B (zh) * 2009-12-03 2011-11-16 深超光电（深圳）有限公司 像素结构
CN102645804A (zh) * 2011-12-12 2012-08-22 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及制造方法和显示装置
CN107526220A (zh) * 2016-06-16 2017-12-29 三星显示有限公司 显示装置及其制造方法
WO2018024054A1 (en) * 2016-08-01 2018-02-08 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, manufacturing method thereof, and electronic device

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4954395B2 (ja) * 2001-07-31 2012-06-13 三菱電機株式会社 表示装置の断線修復方法
JP4051237B2 (ja) 2002-07-30 2008-02-20 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
KR100770472B1 (ko) * 2003-03-27 2007-10-26 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시소자용 어레이기판의 제조방법
US7372528B2 (en) * 2003-06-09 2008-05-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Array substrate, method of manufacturing the same and liquid crystal display apparatus having the same
JP4163611B2 (ja) 2003-12-26 2008-10-08 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
KR20060082105A (ko) * 2005-01-11 2006-07-14 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
WO2007139198A1 (ja) * 2006-05-31 2007-12-06 Nec Lcd Technologies, Ltd. 半透過型液晶表示装置
KR100857134B1 (ko) * 2006-11-27 2008-09-05 엘지디스플레이 주식회사 티엔 모드 액정표시장치와 그 어레이기판 및 그액정표시장치의 제조방법
KR100882245B1 (ko) * 2006-11-27 2009-02-06 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 이를 구비한 티엔 모드액정표시장치
KR101318305B1 (ko) * 2007-01-30 2013-10-15 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이를 이용한 표시 장치
TWI361329B (en) 2007-04-10 2012-04-01 Au Optronics Corp Array substrate and method for manufacturing the same
JP5292066B2 (ja) 2007-12-05 2013-09-18 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN101821791B (zh) * 2008-01-10 2012-11-21 夏普株式会社 有源矩阵基板及液晶显示装置
KR101273632B1 (ko) * 2008-06-12 2013-06-11 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
TW201033708A (en) * 2009-03-04 2010-09-16 Hannstar Display Corp Thin film transistor substrate and twisted nematic liquid crystal display panel
TWI420210B (zh) * 2009-08-03 2013-12-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 畫素結構及其製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3433779B2 (ja) * 1996-06-19 2003-08-04 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびその製造方法
US5914760A (en) * 1996-06-21 1999-06-22 Casio Computer Co., Ltd. Surface light source device and liquid crystal display device using the same
US6038006A (en) * 1996-09-02 2000-03-14 Casio Computer Co., Ltd. Liquid crystal display device with light shield and color filter overlapping two edges of pixel electrode
KR100259409B1 (ko) * 1996-09-23 2000-06-15 포만 제프리 엘 디지탈 정보 네트워크상에서의 전화 교환 시스템의 제어
JP3992797B2 (ja) * 1996-09-25 2007-10-17 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 液晶表示装置
KR19990080392A (ko) * 1998-04-16 1999-11-05 김영환 액정 표시 소자
KR100288772B1 (ko) * 1998-11-12 2001-05-02 윤종용 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100317621B1 (ko) * 1999-02-24 2001-12-22 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치
JP3269480B2 (ja) * 1999-03-08 2002-03-25 セイコーエプソン株式会社 透過型液晶表示装置
KR100640048B1 (ko) * 1999-12-17 2006-10-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그의 제조방법

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7545449B2 (en) 2003-03-07 2009-06-09 Casio Computer Co., Ltd. Liquid crystal display device having auxiliary capacitive electrode
CN100351690C (zh) * 2003-03-07 2007-11-28 卡西欧计算机株式会社 液晶显示装置
US8253872B2 (en) 2004-01-29 2012-08-28 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device having source-drain parasitic capacitances of a delta arrangement
CN100451784C (zh) * 2004-01-29 2009-01-14 夏普株式会社 显示装置
US7394513B2 (en) * 2004-02-04 2008-07-01 Sharp Kabushiki Kaisha Display device having particular signal lines
CN1808250B (zh) * 2004-12-20 2011-05-18 三星电子株式会社 薄膜晶体管阵列面板和显示设备
CN100485470C (zh) * 2005-09-13 2009-05-06 爱普生映像元器件有限公司 液晶显示器及其制造方法
CN101598872B (zh) * 2008-06-04 2011-06-29 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示面板
CN101738799B (zh) * 2008-11-06 2011-09-07 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法
CN101738805B (zh) * 2009-12-03 2011-11-16 深超光电（深圳）有限公司 像素结构
CN102645804A (zh) * 2011-12-12 2012-08-22 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及制造方法和显示装置
WO2013086919A1 (zh) * 2011-12-12 2013-06-20 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制造方法和显示装置
US9116407B2 (en) 2011-12-12 2015-08-25 Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and manufacturing method thereof and display device
CN102645804B (zh) * 2011-12-12 2015-12-02 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及制造方法和显示装置
CN107526220A (zh) * 2016-06-16 2017-12-29 三星显示有限公司 显示装置及其制造方法
CN107526220B (zh) * 2016-06-16 2022-10-11 三星显示有限公司 显示装置及其制造方法
WO2018024054A1 (en) * 2016-08-01 2018-02-08 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, manufacturing method thereof, and electronic device

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Publication number Publication date
KR20020037680A (ko) 2002-05-22
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