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CN113708606B - 一种pmos通路开关控制电路 - Google Patents

一种pmos通路开关控制电路 Download PDF

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CN113708606B CN202110954122.4A CN202110954122A CN113708606B CN 113708606 B CN113708606 B CN 113708606B CN 202110954122 A CN202110954122 A CN 202110954122A CN 113708606 B CN113708606 B CN 113708606B
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Abstract

本发明提供了一种PMOS通路开关控制电路，包括：电压钳位电路、电荷泵调压电路和第一PMOS管；电压钳位电路的第一端、电荷泵调压电路的输入端和第一PMOS管的源极均与电源连接；电压钳位电路的第二端和电荷泵调压电路的输出端均与第一PMOS管的栅极连接；第一PMOS管的漏极与待充电设备连接。本发明通过设置电荷泵调压电路能够在输出电压低于PMOS管的栅源电压时，保证PMOS管正常工作，进而提高充电器的供电效率。

Description

一种PMOS通路开关控制电路
技术领域
本发明涉及电源控制领域，特别是涉及一种PMOS通路开关控制电路。
背景技术
目前快充技术在智能手机、笔记本电脑、平板电脑等便携式智能移动电子上的普及率越来越高，尤其是USB PPS(Universal Serial Bus Programmable Power Supply通用串行总线可编程电源)支持3.3V～21V范围内20mV连续调压，能够支持电池直充技术，由于电池直充具有更高的效率，因此USB PPS快速成为USB PD(Universal Serial Bus PowerDelivery通用串行总线功率传输)适配器的基本需求。
当适配器支持USB PPS规范时，协议要求必须支持在3.3V～21V范围内实现20mV步进连续调压。而且在适配器和充电设备之间的快充协议沟通没有成功时，适配器必须输出零电位，当沟通成功充电设备发出电源需求申请时，适配器才能按照充电设备的申请输出相应的电源。因此，USB PD适配器输出端一般都有通路开关，用于电源通路的控制。
电源通路一般采用PMOS或者NMOS来实现。当采用PMOS作为电源通路开关时，现有技术如图1所示，在PMOS导通时，将PMOS栅极电压拉低，同时增加钳位电路保证栅源电压在PMOS安全工作电压范围内。假如PMOS栅源电压正常工作电压是5V，就会将栅源电压钳位到5V左右。如果充电设备支持USB PPS，同时发出的3.3～5V之间的电压申请时，适配器根据设备申请输出3.3V～5V。当充电器输出3.3～5.0V范围内电压，比如3.3V时，现有做法只能将PMOS管的栅极电压拉到地，此时VGS＝3.3V。由于VGS＝3.3V时，由于栅源电压较低，因此PMOS管的内阻变大，造成PMOS通路的功耗增大，由此会降低充电器供电效率，甚至造成充电器发热严重，造成系统不能正常工作。
发明内容
本发明的目的是提供一种PMOS通路开关控制电路，能够在输出电压低于PMOS管的栅源电压时，保证PMOS管正常工作，进而提高充电器的供电效率。
为实现上述目的，本发明提供了如下方案：
一种PMOS通路开关控制电路，包括：
电压钳位电路、电荷泵调压电路和第一PMOS管；
所述电压钳位电路的第一端、所述电荷泵调压电路的输入端和第一PMOS管的源极均与电源连接；
所述电压钳位电路的第二端和所述电荷泵调压电路的输出端均与所述第一PMOS管的栅极连接；
所述第一PMOS管的漏极与待充电设备连接。
可选的，所述电压钳位电路，具体包括：
n个第二PMOS管；
第i个第二PMOS管的栅极和漏极均与第i+1个第二PMOS管的源极连接；i＝1，...，n；
第1个第二PMOS管的源极作为所述电压钳位电路的第一端与所述电源连接；第n个第二PMOS管的栅极和漏极连接作为所述电压钳位电路的第二端分别与所述电荷泵调压电路的输出端和所述第一PMOS管的栅极连接。
可选的，所述电荷泵调压电路，具体包括：
输入电压检测电路、PMOS栅极驱动电路、负压电荷泵和附加电压线性转换器；
所述输入电压检测电路的输入端和所述附加电压线性转换器的第一输入端连接作为所述电荷泵调压电路的输入端与所述电源连接；
所述输入电压检测电路的输出端分别与所述附加电压线性转换器的第二输入端、所述PMOS栅极驱动电路的输入端和所述负压电荷泵的控制端连接；
所述附加电压线性转换器的输出端与所述负压电荷泵的第一端口连接；
所述负压电荷泵的第二端口和第三端口均接地；
所述负压电荷泵的第四端口和所述PMOS栅极驱动电路的输出端连接，作为所述电荷泵调压电路的输出端与所述第一PMOS管的栅极连接。
可选的，所述输入电压检测电路，具体包括：
第一电阻、第二电阻和第一运算放大器；
所述第一电阻的第一端、所述第二电阻的第一端和所述第一运算放大器的正输入端连接；
所述第一电阻的第二端作为所述输入电压检测电路的输入端与所述电源连接；
所述第二电阻的第二端接地；
所述第一运算放大器的负输入端输入参考电压；所述第一运算放大器的输出端作为所述输入电压检测电路的输出端分别于所述附加电压线性转换器的第二输入端、所述PMOS栅极驱动电路的输入端和所述负压电荷泵的控制端连接。
可选的，所述负压电荷泵，具体包括：
第一开关、第二开关、第三开关、第四开关和飞电容；
所述第一开关的第一端和所述第二开关的第一端均与所述飞电容的第一端连接；
所述第三开关的第一端和所述第四开关的第一端均与所述飞电容的第二端连接；
所述第一开关的第二端与所述第一端口连接；
所述第二开关的第二端与所述第二端口连接；
所述第三开关的第二端与所述第三端口连接；
所述第四开关的第二端与所述第四端口连接。
可选的，所述PMOS栅极驱动电路，具体包括：
上拉电路和下拉电路；
所述上拉电路的第一端作为所述PMOS栅极驱动电路的输入端与所述输入电压检测电路的输出端；所述上拉电路的第二端作为所述PMOS栅极驱动电路的输出端分别与所述第一PMOS管的栅极和所述下拉电路的第一端连接；所述下拉电路的第二端接地。
可选的，所述上拉电路，具体包括：
第一反相器和第三PMOS管；
所述第一反相器的电源端和所述第三PMOS管的源极连接作为所述上拉电路的第一端与所述第一PMOS管的源级连接；所述第一反相器的输入端与所述第一PMOS管的开关控制信号连接；
所述第一反相器的输出端与所述第三PMOS管的栅极连接；
所述第三PMOS管的漏极作为所述上拉电路的第二端与所述下拉电路的第一端连接。
可选的，所述下拉电路，具体包括：
第四PMOS管、第一NMOS管和第二反相器；
所述第四PMOS管的源极作为所述下拉电路的第一端与所述第三PMOS管的漏极连接；所述第四PMOS管的栅极输入钳位电平；所述第四PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极连接；
所述第一NMOS管的源极作为所述下拉电路的第二端接地；所述第一NMOS管的栅极与所述第二反相器的输出端连接；
所述第二反相器的输入端与所述第一PMOS管的开关控制信号连接。
根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：
本发明提供了一种PMOS通路开关控制电路，包括：本发明提供了一种PMOS通路开关控制电路，包括：电压钳位电路、电荷泵调压电路和第一PMOS管；电压钳位电路的第一端、电荷泵调压电路的输入端和第一PMOS管的源极均与电源连接；电压钳位电路的第二端和电荷泵调压电路的输出端均与第一PMOS管的栅极连接；第一PMOS管的漏极与待充电设备连接。本发明通过设置电荷泵调压电路能够在输出电压低于PMOS管的栅源电压时，保证PMOS管正常工作，进而提高充电器的供电效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中的PMOS通路开关控制电路；
图2为本发明实施例中的PMOS通路开关控制电路；
图3为本发明实施例中的附加电压线性转换器的第一电路图；
图4为本发明实施例中的附加电压线性转换器的第二电路图；
图5为本发明实施例中的负压电荷泵电路图；图5(a)为本发明实施例中的负压电荷泵开关控制图；图5(b)为本发明实施例中的负压电荷泵开关电路图；
图6为本发明实施例中的PMOS栅极驱动电路图；
图7为本发明实施例中的输入电压检测电路图；
图8为本发明实施例中的电压钳位电路图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的目的是提供一种PMOS通路开关控制电路，能够在输出电压低于PMOS管的栅源电压时，保证PMOS管正常工作，进而提高充电器的供电效率。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图2为本发明实施例中的PMOS通路开关控制电路，如图2所示，本发明提供了一种PMOS通路开关控制电路，包括：
电压钳位电路、电荷泵调压电路和第一PMOS管；
电压钳位电路的第一端、电荷泵调压电路的输入端和第一PMOS管的源极均与电源连接；
电压钳位电路的第二端和电荷泵调压电路的输出端均与第一PMOS管的栅极连接；
第一PMOS管的漏极与待充电设备连接。
图8为本发明实施例中的电压钳位电路图，如图8所示，本发明提供的电压钳位电路，具体包括：
n个第二PMOS管；
第i个第二PMOS管的栅极和漏极均与第i+1个第二PMOS管的源极连接；i＝1，...，n；
第1个第二PMOS管的源极作为电压钳位电路的第一端与电源连接；第n个第二PMOS管的栅极和漏极连接作为电压钳位电路的第二端分别与电荷泵调压电路的输出端和第一PMOS管的栅极连接。
其中，电荷泵调压电路，具体包括：
输入电压检测电路、PMOS栅极驱动电路、负压电荷泵和附加电压线性转换器；
输入电压检测电路的输入端和附加电压线性转换器的第一输入端连接作为电荷泵调压电路的输入端与电源连接；
输入电压检测电路的输出端分别与附加电压线性转换器的第二输入端、PMOS栅极驱动电路的输入端和负压电荷泵的控制端连接；
附加电压线性转换器的输出端与负压电荷泵的第一端口连接；
负压电荷泵的第二端口和第三端口均接地；
负压电荷泵的第四端口和PMOS栅极驱动电路的输出端连接，作为电荷泵调压电路的输出端与第一PMOS管的栅极连接。
其中，图7为本发明实施例中的输入电压检测电路图，如图7所示，本发明中的输入电压检测电路，具体包括：
第一电阻R1、第二电阻R2和第一运算放大器；
第一电阻的第一端、第二电阻的第一端和第一运算放大器的正输入端连接；
第一电阻的第二端作为输入电压检测电路的输入端与电源连接；
第二电阻的第二端接地；
第一运算放大器的负输入端输入参考电压；第一运算放大器的输出端作为输入电压检测电路的输出端分别于附加电压线性转换器的第二输入端、PMOS栅极驱动电路的输入端和负压电荷泵的控制端连接。
图5为本发明实施例中的负压电荷泵电路图，图5(a)为本发明实施例中的负压电荷泵开关控制图；图5(b)为本发明实施例中的负压电荷泵开关电路图；如图5所示，负压电荷泵，具体包括：
第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3、第四开关S4和飞电容；
第一开关的第一端和第二开关的第一端均与飞电容的第一端连接；
第三开关的第一端和第四开关的第一端均与飞电容的第二端连接；
第一开关的第二端与控制端连接；
第二开关的第二端与第二端口连接；
第三开关的第二端与第三端口连接；
第四开关的第二端与第四端口连接。
图6为本发明实施例中的PMOS栅极驱动电路图，如图6所示，本发明中PMOS栅极驱动电路，具体包括：
上拉电路和下拉电路；
上拉电路的第一端作为PMOS栅极驱动电路的输入端与输入电压检测电路的输出端；上拉电路的第二端作为PMOS栅极驱动电路的输出端分别与第一PMOS管的栅极和下拉电路的第一端连接；下拉电路的第二端接地。
具体的，上拉电路，具体包括：
第一反相器和第三PMOS管M1；
第一反相器的电源端和第三PMOS管的源极连接作为上拉电路的第一端与第一PMOS管的源级连接；第一反相器的输入端与所述第一PMOS管的开关控制信号连接；
第一反相器的输出端与第三PMOS管的栅极连接；
第三PMOS管的漏极作为上拉电路的第二端与下拉电路的第一端连接。
下拉电路，具体包括：
第四PMOS管M2、第一NMOS管M3和第二反相器；
第四PMOS管的源极作为下拉电路的第一端与第三PMOS管的漏极连接；第四PMOS管的栅极输入钳位电平；第四PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极连接；
第一NMOS管的源极作为下拉电路的第二端接地；第一NMOS管的栅极与第二反相器的输出端连接；
第二反相器的输入端与第一PMOS管的开关控制信号连接。
此外，本发明中的附加电压线性转换器具体电路图如图3-4所示。
具体的，为了解决现有PMOS通路开关控制电路的缺点，本发明提出一种根据输入电压的变化，利用电荷泵将通路PMOS管的栅源电压控制在恒定值的通路控制方法和电路。通过该电路，在传递的输入电源电压VIN较低时，也能保证通路PMOS管的栅源电压保持在一定的电压值，从而有效降低通路PMOS在传递低电源电压时的内阻，提升系统效率，并减小系统发热。
如图2所示，在现有的PMOS栅极驱动电路和VGS钳位电路的基础上，增加了一个输入电源VIN的检测电路、一个LDO作为附加电压线性转换器和一个负压电荷泵。
电压钳位电路是业界通用的电路，一般可以用一个齐纳二极管，选择反向击穿电压在PMOS栅源最大正常工作电压附近的齐纳二极管，利用齐纳二极管的反向击穿电压可以实现钳位电路的作用。PMOS栅极驱动电路的输出连接到PMOS栅极，同时一端连接到输入电压检测电路。PMOS栅极驱动电路也是业界通用的做法，如图6所示，通常可以用PMOS作为上拉，NMOS作为下拉，实现PMOS栅极的拉高和拉低，从而实现PMOS管的关断和导通。输入电压检测电路连接到输入电源VIN，输出连接到附加电压线性转换器，同时输出连接到PMOS栅极驱动电路和负压电荷泵，将VIN检测信号送给附加电压线性转换器，PMOS栅极驱动电路和负压电荷泵。其中输入电压检测电路，是业界通用电路，可以利用分压电阻和比较器对输入电压进行检测。附加电压线性转换器控制端连接到输入电压检测电路，输入端连接到VIN，输出端连接到负压电荷泵。负压电荷泵正输入端连接到附加电压线性转换器的输出端，负输出连接到PMOS栅极。
假设PMOS管的栅源开启的正常电压为VGSSET(通常可能为5V或者10V等)。当输入电压检测电路，检测到VIN>VGSSET时,附加电压线性转换器关闭，负压电荷泵关闭。PMOS通路开关控制电路和现有的常规控制电路工作方式相同，由PMOS栅极驱动电路下拉和上拉PMOS栅极，控制PMOS管的导通和关断。栅源电压钳位电路可以采用相应的反向击穿电压齐纳二极管实现。比如PMOS正常开始的栅源电压为5V，可以采用反向击穿电压5V左右的齐纳二极管来钳位，电压钳位电路保证VGS不超过VGSSET。当输入电压检测电路检测到VIN<VGSSET时，PMOS栅极驱动电路的下拉电路关闭，附加电压线性转换器开始工作，并根据VIN的变化从VIN产生VLDO＝VGSSET-VIN，并将VLDO送给负压电荷泵。负压电荷泵的输出端连接到PMOS栅极，负压电荷泵接收到VLDO，受输入电压检测电路的控制，负压电荷泵开始工作，负压电荷泵将栅极驱动到-VLDO＝-(VGSSET-VIN)，从而实现了VGS＝VIN+VLDO＝VGSSET。负压电荷泵如图5所示，其将栅极驱动到负电位的过程为：在第一阶段，开关S1和S3闭合，S2和S4断开。飞电容上极板被S1连接到LDO的输出，下极板被S3连接到地。因此电容被LDO充电，电容两端压差等于VLDO。在第二阶段，开关S1和S3断开，S2和S4闭合。电容上极板被S2连接到地，电容下极板被S4连接到输出端VOUT，同时电荷泵输出端VOUT连接到PMOS通路开关的栅极。由于电容两端电压保持不变，电容上极板接到地端，电荷泵在VOUT端输出负电压-VLDO。负压电荷泵的输入VIN是附加线性转换器的输出VLDO，其中VLDO＝VGSSET-VIN。因此PMOS管的栅极将会被驱动到负电位-(VGSSET-VIN)。因此PMOS栅源电压之差为VGS＝VIN+(VGSSET-VIN)＝VGSSET。从而保证了PMOS栅源电压维持在VGSSET，实现了PMOS导通电阻不随VIN下降而增加。
图3是本发明中提到的附加电压线性转换器的基本原理示意图。当检测到VIN<VGSSET，当发现VIN<VGSSET，该电路开始工作。其压差检测电路检测VIN和VGSSET的差值，同时输出一个和VIN和VGSSET的差值成正比的电压VR，作为后级LDO的参考电压，即VR＝K×(VGSSET-VIN)。其中，K为比例系数，后级LDO根据VR，从VIN产生VLDO＝VGSSET-VIN。LDO的原理是公知技术，在此不再做描述。
图4是对图3的具体描述，其具体原理是，用运算放大器将VGSSET转换为一个和VGSSET成正比的电流，经过PMOS镜像，转换成电流源
Figure BDA0003219750410000101
灌到一个电阻R上，产生一个和VGSSET成正比的电压。同时，用另一个运算放大器将VIN转换成一个和VIN成正比的电流，然后通过PMOS电流镜像，再通过一级NMOS电流镜像，转换成电流
Figure BDA0003219750410000102
然后连接到和电流源Isource连接的同一个电阻端。由此，可以在该电阻上产生一个和VGSSET与VIN的差值成正比的电压VR，VR＝R×(Isource-Isink)，即VR＝K×(VGSSET-VIN)。将VR输送给后级的LDO，后级LDO将VR放大到1/K倍，得到VLDO＝VGSSET-VIN。
图7是一种输入电压检测电路的实现方式。通过将输入电压用两个电阻分压之后，再将该分压信号连接到比较器正输入端，比较器负输入端连接到参考电压比较，从而检测输入电压是否高于VGSSET。当VIN＞VGSSET时，比较器输出高信号。当VIN＜VGSSET时，比较器输出高信号。电压检测电路是业界公知技术，实现方式多样。
电压钳位电路最简单的方式是采用齐纳二极管，利用齐纳二极管反向击穿电压来实现。当齐纳二极管两端所加电压超过齐纳二极管反向击穿电压，齐纳二极管反向击穿，将两端压降钳制在反向击穿电压。如图6中所示的齐纳二极管，就起到了PMOS栅源电压钳位的作用。另外还可以如图8所示的，采用多个MOS管串联的方式，来实现PMOS栅源电压的钳位功能。其中MOS管可以采用NMOS串联，也可以采用PMOS串联。另外还可以采用二极管或者三极管串联的方式实现，这些实现方式都是电压钳位电路的业界公知技术。
进一步的，还可以在图2的基础上做简化，也可以实现相同的目的。其中附加电压线性转换器可以是一个输出电压固定的通用的LDO。比如假设PMOS正常工作开启工作电压是VGSSET，比如VGSSET＝5V时，可以将LDO电压设定为固定的3V。当输入电压VIN＜VGSSET时，LDO输出固定3V，即VLDO＝3V。负压电荷泵开始工作，利用VLDO＝3V，将栅极电压泵到负电位。同时选取反向击穿电压在5V～6V左右的齐纳二极管作为电压钳位电路。由于钳位的齐纳二极管的作用，栅源电压被钳位在齐纳二极管的击穿电压，因此电荷泵并不能将栅极电压泵到-3V。因此也能实现将VGS电压保持在较大压差下，从而保证降低PMOS内阻。该方法实现简单，但是由于齐纳二极管处于击穿状态，会导致齐纳二极管击穿时漏电，增加了整个电路的耗电。
进一步的，当VIN<VGSSET，而PMOS导通时，PMOS栅极电压需要被驱动到负电压，图6所示的栅极驱动电路下拉通路需要关死，由于此时栅极电压是负电位，图6所示的PMOS管M2应该采用两个背靠背的PMOS串联，防止下拉通路关不死。这也是业界公知技术。
进一步的，电荷泵结构众多，控制方法多变，稍作改动也可以实现同样的功能。业内基于本发明对电荷泵电路细节的修改，或者对LDO电路细节的修改，都在本发明提出的基本原理限定范围内。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (7)

1.一种PMOS通路开关控制电路，其特征在于，所述电路，包括：
电压钳位电路、电荷泵调压电路和第一PMOS管；
所述电压钳位电路的第一端、所述电荷泵调压电路的输入端和第一PMOS管的源极均与电源连接；
所述电压钳位电路的第二端和所述电荷泵调压电路的输出端均与所述第一PMOS管的栅极连接；
所述第一PMOS管的漏极与待充电设备连接；
所述电荷泵调压电路，具体包括：
输入电压检测电路、PMOS栅极驱动电路、负压电荷泵和附加电压线性转换器；
所述输入电压检测电路的输入端和所述附加电压线性转换器的第一输入端连接作为所述电荷泵调压电路的输入端与所述电源连接；
所述输入电压检测电路的输出端分别与所述附加电压线性转换器的第二输入端、所述PMOS栅极驱动电路的输入端和所述负压电荷泵的控制端连接；
所述附加电压线性转换器的输出端与所述负压电荷泵的第一端口连接；
所述负压电荷泵的第二端口和第三端口均接地；
所述负压电荷泵的第四端口和所述PMOS栅极驱动电路的输出端连接，作为所述电荷泵调压电路的输出端与所述第一PMOS管的栅极连接。
2.根据权利要求1所述的PMOS通路开关控制电路，其特征在于，所述电压钳位电路，具体包括：
n个第二PMOS管；
第i个第二PMOS管的栅极和漏极均与第i+1个第二PMOS管的源极连接；i＝1，...，n；
第1个第二PMOS管的源极作为所述电压钳位电路的第一端与所述电源连接；第n个第二PMOS管的栅极和漏极连接作为所述电压钳位电路的第二端分别与所述电荷泵调压电路的输出端和所述第一PMOS管的栅极连接。
3.根据权利要求1所述的PMOS通路开关控制电路，其特征在于，所述输入电压检测电路，具体包括：
第一电阻、第二电阻和第一运算放大器；
所述第一电阻的第一端、所述第二电阻的第一端和所述第一运算放大器的正输入端连接；
所述第一电阻的第二端作为所述输入电压检测电路的输入端与所述电源连接；
所述第二电阻的第二端接地；
所述第一运算放大器的负输入端输入参考电压；所述第一运算放大器的输出端作为所述输入电压检测电路的输出端分别于所述附加电压线性转换器的第二输入端、所述PMOS栅极驱动电路的输入端和所述负压电荷泵的控制端连接。
4.根据权利要求1所述的PMOS通路开关控制电路，其特征在于，所述负压电荷泵，具体包括：
第一开关、第二开关、第三开关、第四开关和飞电容；
所述第一开关的第一端和所述第二开关的第一端均与所述飞电容的第一端连接；
所述第三开关的第一端和所述第四开关的第一端均与所述飞电容的第二端连接；
所述第一开关的第二端与所述第一端口连接；
所述第二开关的第二端与所述第二端口连接；
所述第三开关的第二端与所述第三端口连接；
所述第四开关的第二端与所述第四端口连接。
5.根据权利要求1所述的PMOS通路开关控制电路，其特征在于，所述PMOS栅极驱动电路，具体包括：
上拉电路和下拉电路；
所述上拉电路的第一端作为所述PMOS栅极驱动电路的输入端与所述输入电压检测电路的输出端连接；所述上拉电路的第二端作为所述PMOS栅极驱动电路的输出端分别与所述第一PMOS管的栅极和所述下拉电路的第一端连接；所述下拉电路的第二端接地。
6.根据权利要求5所述的PMOS通路开关控制电路，其特征在于，所述上拉电路，具体包括：
第一反相器和第三PMOS管；
所述第一反相器的输入端作为所述上拉电路的第一端与所述输入电压检测电路的输出端连接；
所述第一反相器的电源端和所述第三PMOS管的源极连接作为电源端与所述第一PMOS管的源极连接；所述第一反相器的输入端与所述第一PMOS管的开关控制信号连接；
所述第一反相器的输出端与所述第三PMOS管的栅极连接；
所述第三PMOS管的漏极作为所述上拉电路的第二端与所述下拉电路的第一端连接。
7.根据权利要求6所述的PMOS通路开关控制电路，其特征在于，所述下拉电路，具体包括：
第四PMOS管、第一NMOS管和第二反相器；
所述第四PMOS管的源极作为所述下拉电路的第一端与所述第三PMOS管的漏极连接；所述第四PMOS管的栅极输入钳位电平；所述第四PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极连接；
所述第一NMOS管的源极作为所述下拉电路的第二端接地；所述第一NMOS管的栅极与所述第二反相器的输出端连接；
所述第二反相器的输入端与所述第一PMOS管的开关控制信号连接。
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