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CN114512097B - 显示装置 - Google Patents

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CN114512097B CN202111375929.9A CN202111375929A CN114512097B CN 114512097 B CN114512097 B CN 114512097B CN 202111375929 A CN202111375929 A CN 202111375929A CN 114512097 B CN114512097 B CN 114512097B
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Abstract

本发明涉及显示装置。所述显示装置包括第一显示区域和具有比所述第一显示区域低的像素密度的第二显示区域。第一显示区域中的第一像素电路包括第一驱动晶体管、存储第一驱动晶体管的控制电压的第一存储电容器、以及向第一存储电容器写入数据信号的第一开关晶体管。第二显示区域中的第二像素电路包括第二驱动晶体管、存储第二驱动晶体管的控制电压的第二存储电容器、以及向第二存储电容器写入数据信号的第二开关晶体管。第二驱动晶体管的沟道宽度大于第一驱动晶体管的沟道宽度。第二开关晶体管的沟道宽度大于第一开关晶体管的沟道宽度。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED)元件是电流驱动的发光元件，因此具有诸如低功耗、宽视角和高对比度的优点，并有望为平板显示器的发展做出贡献。
OLED显示装置的显示区域有时包括具有不同像素密度的区域。例如，在一些移动装置(例如智能手机、平板类型的电脑等)中，在显示区域下方设置有用于拍摄图像的相机。为了使相机接收来自外部的光，将相机设置在像素密度低于周围区域的区域下方。
发明内容
为了减轻显示区域中的图像的显示质量的下降，需要将像素密度相对较低的区域中的像素单位的亮度设定为高于像素密度相对较高的通常区域(normal region)的像素单位的亮度。OLED元件是电流驱动元件，因此，与像素密度高的通常区域中的像素相比，像素密度低的区域中的像素被供应更大的电流。
亮度可以通过调整数据信号来改变，使得像素密度较低的区域中的像素比像素密度较高的通常区域中的像素被供应更大的电流，但这会导致数据信号幅度的大幅增加，从而导致显示设备的功耗增加。
通过将像素密度为1/n的区域中的驱动晶体管的沟道宽度设定为像素密度高的区域中的驱动晶体管的沟道宽度的n倍大，即使使用相同的数据信号，像素密度低的区域中像素的亮度也可以增加为n倍。在这种情况下，数据信号幅度不会增加，因此即使存在像素密度不同的区域，显示装置的功耗也不会增加。
驱动晶体管由存储电容器的电压控制。存储电容器的电压根据将数据信号发送到存储电容器的开关晶体管的从ON(导通)到OFF(断开)的切换而变化。变化量取决于驱动晶体管的栅极电容。驱动晶体管的栅极电容取决于沟道宽度，因此，如果驱动晶体管的沟道宽度不同，则对于相同的数据信号，由存储电容器存储的电压不同。
因此，如果将像素密度低的区域中的驱动晶体管的沟道宽度设定为像素密度高的区域中的驱动晶体管的沟道宽度的n倍大，则相同的驱动晶体管的栅极电位发生变化，这意味着不会由此产生n倍大的电流，从而导致具有不同像素密度的区域之间出现明显的边界。
本发明的一个方面是一种显示装置，包括：第一显示区域；以及具有比第一显示区域低的像素密度的第二显示区域。第一显示区域中的第一像素电路包括：第一驱动晶体管，所述第一驱动晶体管控制流向发光元件的驱动电流量；第一存储电容器，所述第一存储电容器存储第一驱动晶体管的控制电压；以及第一开关晶体管，所述第一开关晶体管将数据信号写入第一存储电容器。第二显示区域中的第二像素电路包括：第二驱动晶体管，所述第二驱动晶体管控制流向发光元件的驱动电流量；第二存储电容器，所述第二存储电容器存储第二驱动晶体管的控制电压；以及第二开关晶体管，所述第二开关晶体管将数据信号写入第二存储电容器。第二驱动晶体管的沟道宽度大于第一驱动晶体管的沟道宽度。第二开关晶体管的沟道宽度大于第一开关晶体管的沟道宽度。
根据本发明的一个方面，可以在减轻显示装置的功耗的增加的同时，减小具有不同像素密度的显示区域中驱动晶体管之间的栅极电位的差异，从而可以提高亮度的均匀性。由此，具有不同像素密度的区域之间的边界不太明显。
应当理解，前述概括描述和以下详细描述都是示例性和解释性的，而不是对本发明的限制。
附图说明
图1示意性地示出了OLED显示装置的配置示例。
图2示出了像素电路的配置示例。
图3示意性地示出了显示区域。
图4示出了图3中由点划线包围的区域的细节。
图5示意性地示出了TFT基板上的控制线的布局。
图6示出了低密度区域中的子像素的发光亮度特性的曲线图。
图7示出了像素电路的另一配置示例。
图8示出了像素电路的另一配置示例。
图9是示意性地示出通常区域中的驱动晶体管的结构的俯视图。
图10是示意性地示出低密度区域中的驱动晶体管的结构的俯视图。
图11示出了沿图10的线XI-XI的示意性剖面结构。
图12示出了通常区域中的驱动晶体管的一部分的构成元素。
图13示出了低密度区域中的驱动晶体管的一部分的构成元素。
具体实施方式
在下文中，将参考附图描述本发明的实施方式。应该注意的是，这些实施方式仅是实施本发明的示例，并不用于限制本发明的技术范围。
在下面的描述中，“像素”表示显示区域中的最小单位，并且是发出单一颜色光的元素，有时也称为“子像素”。不同颜色的多个像素，例如一组红色、蓝色和绿色的像素构成显示一个色点的元素，并且有时将该元素称为主像素。下面，为了清楚，如果区分分别显示单一颜色的元素和共同显示多个颜色的元素，则这些元素分别被称为子像素和主像素。本说明书的特征能够适用于进行单色显示且其显示区域由单色像素构成的显示装置。
下面，将说明显示装置的配置示例。显示装置的显示区域包括像素密度相对较低的第二显示区域(也称为低密度或低分辨率区域)和像素密度相对较高的第一显示区域(也称为通常区域或通常分辨率区域)。为了减轻显示区域中的图像的显示质量的下降，对于具有相同灰度级的图像数据，低密度区域中的像素的亮度被设定为高于通常区域中的像素的亮度。可以设置像素密度低于通常区域的多个低密度区域，并且每个低密度区域的像素密度可以不同。
在下面描述的示例中，像素的发光元件是电流驱动元件，例如是OLED(有机发光二极管)元件。因此，对于具有相同灰度级的图像数据，低密度区域中的像素被供应比通常区域中的像素更大的电流。
亮度可以通过调整数据信号来改变，使得像素密度较低的区域中的像素比像素密度较高的通常区域中的像素被供应更大的电流，但这会导致数据信号幅度的大幅增加，从而导致显示装置的功耗增加。
下面将描述在通常区域和低密度区域中包括具有不同沟道宽度的晶体管的OLED显示装置。低密度区域中的驱动晶体管的沟道宽度大于通常区域中的驱动晶体管的沟道宽度。对于表示图像帧中的相同灰度级(亮度)的图像像素数据，低密度区域中的驱动晶体管向OLED元件施加比通常区域中的驱动晶体管更大的驱动电流。
由此，可以在抑制低密度区域中的数据信号电压范围(也简称为数据信号范围)的同时提高低密度区域中的亮度，并且可以降低OLED显示装置的总体功耗。
通过将像素密度为1/n的区域中的驱动晶体管的沟道宽度设定为像素密度高的区域中的驱动晶体管的沟道宽度的n倍大，即使使用相同的数据信号，像素密度低的区域中的像素的亮度也可以增加为n倍。在这种情况下，数据信号幅度不会增加，因此，即使具有不同像素密度的区域，显示装置的功耗也不会增加。
在本说明书的一个实施方式中，向低密度区域内的存储电容器写入数据信号的开关晶体管的沟道宽度大于向通常区域内的存储电容器写入数据信号的开关晶体管的沟道宽度。
驱动晶体管由存储电容器存储的驱动电压控制。驱动晶体管的驱动电压根据将数据信号写入存储电容器的开关晶体管的从ON到OFF的切换而变动。变动的程度取决于驱动晶体管和开关晶体管的栅极电容。栅极电容取决于各自的沟道宽度。
因此，如果将像素密度低的区域中的驱动晶体管的沟道宽度设定为像素密度高的区域中的驱动晶体管的沟道宽度的n倍大，则相同的驱动晶体管的栅极电位发生变化，这意味着不会由此产生n倍大的电流，从而导致在具有不同像素密度的区域之间出现明显的边界。
除了驱动晶体管之外，通过增加数据写入开关晶体管的沟道宽度，可以减少由于驱动晶体管的沟道宽度增加引起的存储电容器的驱动电压的变动的变化。在本说明书的一个实施方式中，对于从外部源输入的图像数据的相同灰度级(亮度)，OLED显示装置将相同的数据信号写入通常区域和低密度区域。如上所述，通过增加驱动晶体管和数据写入开关晶体管两者的沟道宽度，可以减小在通常区域和低密度区域之间由存储电容器存储的驱动晶体管的最终栅极电压的差异。
由此，能够在减轻显示装置的功耗的增加的同时，减小像素密度不同的显示区域中的驱动晶体管之间的栅极电位的差异，从而能够提高显示亮度的均匀性。由此，像素密度不同的区域之间的边界不太明显。
在制造具有不同沟道宽度的像素电路时，在确保工艺余裕的同时减少制造偏差的装置布局是重要的。本说明书的一个实施方式对通常区域和低密度区域使用相同的像素电极形状，同时改变半导体层的沟道宽度，从而改变晶体管的沟道宽度。这使得像素电路结构的设计和制造更加容易。另外，通过采用规定的像素电极结构(包括形状和位置)，可以提高晶体管的尺寸调整比率精度。
[显示装置的配置]
将参考图1描述根据本说明书的一个实施方式的显示装置的总体配置。为了使描述更加清楚，有时会夸大图示的物体的尺寸、形状等。下面，作为显示装置的示例，将描述OLED显示装置。
图1示意性地示出了OLED显示装置10的配置示例。OLED显示装置10被构造为包括其上形成有OLED元件(发光元件)的TFT(薄膜晶体管)基板100和密封在OLED元件中的密封结构200。在TFT基板100的显示区域125外侧的阴极电极形成区域114的周围设置控制电路。具体而言，设置有扫描驱动器131、发射驱动器132、静电放电保护电路133、驱动器IC 134和解复用器136。
驱动器IC 134经由FPC(柔性印刷电路)135连接到外部装置。扫描驱动器131驱动TFT基板100的扫描线。发射驱动器132驱动发射控制线以控制来自每个像素的光的发射。静电放电保护电路133防止静电放电对TFT基板上的元件的破坏。例如，使用各向异性导电膜(ACF)来安装驱动器IC 134。
驱动器IC 134向扫描驱动器131和发射驱动器132供应包括电源和时序信号的控制信号。另外，驱动器IC 134向解复用器136供应电力和数据信号。解复用器136将驱动器IC134的一个引脚的输出依次输出到d条(d是2或更大的整数)数据线。解复用器136在扫描周期内将从驱动器IC 134输出数据信号至的数据线切换d次，从而对驱动器IC 134的输出引脚数量的d倍的数据线进行驱动。
[像素电路配置]
在TFT基板100上形成多个像素电路，该多个像素电路控制供应给多个子像素中的每一个子像素的阳极电极的电流。图2示出了像素电路的配置示例。每个像素电路包括驱动晶体管T1、选择晶体管T2、发射晶体管T3和存储电容器C1。像素电路控制来自OLED元件E1的光的发射。晶体管是TFT。
在图2的像素电路中，省略了用于补偿驱动晶体管的阈值电压的电路配置。图2的像素电路是示例，并且像素电路可以具有其他的电路配置。图2的像素电路使用P沟道型TFT，但像素电路可以使用N沟道型TFT。
选择晶体管T2是用于选择子像素的开关。选择晶体管T2为P沟道型(P型)TFT，其栅极端子与扫描线106连接，源极端子与数据线105连接，漏极端子与驱动晶体管T1的栅极端子连接。
驱动晶体管T1是用于驱动OLED元件E1的晶体管(驱动TFT)。驱动晶体管T1为P型TFT，其栅极端子连接到选择晶体管T2的漏极端子。驱动晶体管T1的源极端子连接到发送阳极电源电位VDD的电源线108。漏极端子连接到发射晶体管T3的源极端子。存储电容器C1形成在驱动晶体管T1的栅极端子和源极端子之间。
发射晶体管T3是控制驱动电流向OLED元件E1的供应和停止的开关。发射晶体管T3为P型TFT，其栅极端子连接到发射控制线107。发射晶体管T3的源极端子连接到驱动晶体管T1的漏极端子。发射晶体管T3的漏极端子连接到OLED元件E1。向OLED元件E1的阴极施加阴极电源电位VSS。
接下来，将描述像素电路的操作。扫描驱动器131向扫描线106输出选择脉冲，从而将选择晶体管T2切换为导通状态。经由数据线105从驱动器IC 134供应的数据电压被存储在存储电容器C1中。存储电容器C1在一帧时段内保持存储的电压。存储的电压使驱动晶体管T1的电导以模拟方式变化，并且驱动晶体管T1向OLED元件E1供应与发光灰度相对应的正向偏置电流。
发射晶体管T3位于驱动电流的供应路径上。发射驱动器132向发射控制线107输出控制信号，从而控制发射晶体管T3的导通/断开。当发射晶体管T3处于导通状态时，驱动电流被供应给OLED元件E1。当发射晶体管T3处于断开状态时，停止供应驱动电流。通过控制发射晶体管T3的导通/断开，可以控制一帧时段内的点亮时段(占空比)。
[像素布局]
图3示意性地示出了显示区域125。例如，OLED显示装置10安装在诸如智能手机或平板装置的移动装置上。显示区域125包括具有通常像素密度的通常区域451和具有低于通常区域451的像素密度(分辨率)的像素密度(分辨率)的低密度区域453。一个或多个相机465设置在低密度区域453的下方。在图3中，作为示例，多个相机之一用附图标记465表示。以下，有时将显示区域125中的子像素或主像素称为显示子像素或显示主像素。
低密度区域453设置在相机465的观察者侧，相机465使用穿过低密度区域453的光拍摄观察者侧的物体。为了不干扰由相机465执行的图像拍摄，低密度区域453的像素密度被设定为低于周围的通常区域451的像素密度。控制装置(未示出)例如将相机465拍摄的图像的数据发送到OLED显示装置10。图3示出了在其下方设置相机的区域作为低密度区域的示例，本说明书中的特征可以出于其他目的应用于包括像素密度相对较低的区域的显示装置。
低密度区域453由N列乘M行的主像素构成。主像素列由沿Y轴排列的主像素构成，Y轴是图3的竖直方向。主像素行由沿X轴排列的主像素构成，X轴为图3的水平方向。
图4示出了图3中由点划线包围的区域455的细节。图4示出了delta-nabla排列(也简称为delta排列)中的像素布局。本实施方式的特征也可以应用于具有不同像素布局的显示装置。
区域455是通常区域451和低密度区域453之间的边界附近的区域。在图4所示的示例中，低密度区域453的像素密度是通常区域451的像素密度的1/4。低密度区域453中的子像素被控制为针对相同的图像数据以通常区域451中的子像素的亮度的4倍的亮度发光。
显示区域125由呈面内排列的多个红色子像素51R、多个绿色子像素51G和多个蓝色子像素51B构成。在图4中，作为示例，1个红色子像素、1个绿色子像素和1个蓝色子像素用附图标记表示。在图4中，具有相同阴影图案的四边形(带有圆角)表示相同颜色的子像素。在图4中，子像素的形状是四边形，但是子像素可以使用任何形状，例如可以是六边形或八边形。
子像素列是在同一X轴位置上且沿Y轴方向延伸的子像素阵列。在子像素列中，红色子像素51R、蓝色子像素51B和绿色子像素51G循环排列。例如，同一子像素列中的子像素连接到同一条数据线。子像素行是在同一Y轴位置上且沿X轴方向延伸的相同颜色的子像素的阵列。例如，同一子像素行中的子像素连接到同一条扫描线。
在图4的配置示例中，通常区域451包括呈矩阵排列的两种类型的主像素：第一主像素53A和第二主像素53B。在图4中，作为示例，第一主像素中仅一个由附图标记53A表示。此外，作为示例，第二主像素中仅一个由附图标记53B表示。如果使用子像素渲染，则来自外部源的图像数据中的主像素与面板的主像素不一致。
在图4中，每个第一主像素53A呈三角形排列，其中一个顶点在左侧，两个顶点在右侧。此外，每个第二主像素53B呈三角形排列，其中一个顶点在右侧，两个顶点在左侧。
在第一主像素53A中，红色子像素51R和蓝色子像素51B连续地排列在同一子像素列中。包括绿色子像素51G的子像素列与包括红色子像素51R和蓝色子像素51B的子像素列的左侧相邻。绿色子像素51G在Y轴位置上位于红色子像素51R和蓝色子像素51B之间的中央。
在第二主像素53B中，红色子像素51R和蓝色子像素51B连续地排列在同一子像素列中。包括绿色子像素51G的子像素列与包括红色子像素51R和蓝色子像素51B的子像素列的右侧相邻。绿色子像素51G在Y方向上位于红色子像素51R和蓝色子像素51B之间的中央。
低密度区域453由与第一主像素53A具有相同配置的主像素53C构成。图4示出了五列乘四行的主像素53C。主像素53C规则地排列，主像素之间沿X轴和Y轴的距离是均等的。此外，相邻的主像素行偏移半间距(half pitch)。
为了使相机465能够进行图像拍摄，使光从观察者侧透射到相机465的透射区域(未示出)以适合的布置设置在相邻的主像素53C之间以及在低密度区域453与通常区域451之间。
低密度区域453的子像素布局具有从通常区域451的布局中排除一些子像素的配置。低密度区域453的子像素与通常区域451的子像素一起构成子像素行和子像素列。低密度区域453的每个子像素列与通常区域451的对应的子像素列一起构成一个子像素列，该一个子像素列连接到同一条数据线。低密度区域453的每个子像素行与通常区域451的对应的子像素行一起构成一个子像素行，该一个子像素行连接到同一条扫描线。
[配线布局]
下面，将说明OLED显示装置10的配线布局示例。图5示意性地示出了TFT基板100上的控制配线线路的布局，并且在图5的配置示例中，通常区域451中的像素电路的布局为条状排列。具体而言，沿Y轴延伸的子像素列分别由相同颜色的子像素构成。沿X轴延伸的子像素行由循环排列的红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素构成。低密度区域453具有从通常区域451的像素布局中排除一些像素的配置。低密度区域453中的空白区域不具有包括形成在其中的OLED元件的像素电路，仅具有透射区域和配线线路。
构成与透射区域相邻的主像素53A和53C的像素电路的晶体管被适当地遮光(未示出)。这是为了防止由于在相机拍摄图像时，外部光线从观察者侧进入透射区域并且外部光也经由TFT基板100和形成OLED元件的薄膜层进入像素电路而在晶体管中产生光辅助效应。当出现光辅助效应时，晶体管的阈值电压漂移，导致驱动电流发生变化。
多条扫描线106从扫描驱动器131沿X轴延伸。多条发射控制线107从发射驱动器132沿X轴延伸。在图5中，作为示例，分别用附图标记106和107表示一条扫描线和一条发射控制线。
在图5的配置示例中，扫描线106发送用于通常区域451和低密度区域453的选择信号。此外，发射控制线107向通常区域451和低密度区域453发送发射控制信号。
驱动器IC 134经由配线线路711向扫描驱动器131发送控制信号，并经由配线线路713向发射驱动器132发送控制信号。驱动器IC 134基于来自外部源的图像数据(图像信号)，控制来自扫描驱动器131的扫描信号(选择脉冲)和来自发射驱动器132的发射控制信号的时序。
驱动器IC 134经由配线线路705将通常区域451和低密度区域453的子像素的数据信号供应给解复用器136。作为示例，图5用附图标记705表示1条配线线路。驱动器IC 134根据来自外部源的一帧图像数据中的一个或多个子像素的灰度级来确定与通常区域451和低密度区域453的每个子像素相对应的每个像素电路的数据信号。
解复用器136在扫描周期内将驱动器IC 134的一个引脚的输出依次输出到N条(N为2或更大的整数)数据线105。在图5中，作为示例，用附图标记105表示沿Y轴延伸的多条数据线之一。
[发光控制方法]
下面，将说明OLED显示装置10的子像素的发光控制方法。驱动器IC 134控制通常区域451和低密度区域453的每个子像素(像素电路)的发光亮度。通常，假设相同的栅极电压，则驱动晶体管T1的驱动电流与沟道宽度成正比。在本说明书的一个实施方式中，低密度区域453中的驱动晶体管T1的沟道宽度大于通常区域451中的驱动晶体管的沟道宽度。由此，可以在低密度区域453中以较低的数据信号电压实现高亮度，从而降低功耗。像素电路的配置，或者换言之，晶体管和电容器的数量以及它们之间的连接关系对于通常区域451和低密度区域453是相同的。
在本说明书的一个实施方式中，驱动器IC 134对于通常区域451和低密度区域453中的相同亮度(灰度级)的像素电路，确定使用相同的数据信号。因此，如果要求低密度区域453的子像素的亮度是通常区域451的子像素亮度的四倍，则低密度区域453的驱动晶体管T1的沟道宽度例如被设定为通常区域451中的驱动晶体管T1的沟道宽度的四倍。这同样适用于沟道长度。可以将不同的数据信号发送到通常区域451和低密度区域453中的相同亮度的像素电路。低密度区域453中的驱动晶体管T1的沟道宽度的设计基于施加于其上的数据信号电压。
图6示出了低密度区域453中的子像素的发光亮度特性的曲线图。在该示例中，低密度区域453的密度是通常区域451的密度的四分之一，并且假设相同的图像信号，则低密度区域453中的子像素的亮度密度是通常区域451中的子像素亮度的四倍。
X轴表示数据信号电压，Y轴表示发光亮度。线891是驱动晶体管T1的沟道宽度等于通常区域451中的驱动晶体管T1的沟道宽度的情况下低密度区453中的子像素(OLED元件)的亮度特性曲线。该特性与通常区域451中的子像素的特性一致。
为了实现白色的灰度级，需要向低密度区域453的子像素施加大于施加到通常区域451的子像素的数据信号电压Vd0的数据信号电压Vd1。
线892是低密度区域453中的驱动晶体管T1的沟道宽度为通常区域451中的驱动晶体管T1的沟道宽度的四倍的情况下低密度区域453中的子像素的亮度特性曲线。通过使沟道宽度为四倍，在相同的数据信号电压Vd0下，低密度区域453中的子像素的亮度增加到400％。即，在与通常区域451的数据信号电压范围(最小亮度到最大亮度)相同的电压范围下，可以使低密度区域453中的子像素的亮度为四倍。通过缩小低密度区域453的数据信号电压范围，可以降低OLED显示装置的总体功耗。
低密度区域453的数据信号电压范围不需要与通常区域451的数据信号电压范围一致。通过将低密度区域453中的驱动晶体管T1的沟道宽度设定为大于通常区域451中的驱动晶体管T1的沟道宽度，可以缩小需要高亮度的低密度区域453的数据信号电压范围。
[数据信号写入晶体管]
接下来，将描述将数据信号写入存储电容器的晶体管的配置。在本说明书的一个实施方式中，向低密度区域453内的存储电容器写入数据信号的晶体管的沟道宽度大于向通常区域451内的存储电容器写入数据信号的晶体管的沟道宽度。在参考图2描述的像素电路配置中，晶体管T2是将数据信号写入存储电容器的第一开关晶体管或第二开关晶体管的示例。
当晶体管T2从导通切换到断开，并且数据信号从数据线105向存储电容器C1的发送结束时，存储在存储电容器C1中的电压(驱动晶体管T1的栅极电位)根据晶体管T2的栅极电位的变化而变化。驱动晶体管T1通过由存储电容器C1存储的最终电压来控制。
晶体管T2断开时的驱动电压变动ΔV(驱动晶体管T1的栅极电位变动)可由下式表示。
ΔV＝(VGH-VGL)Cgd/(Cgd+Cstg+Cdtft)
VGH和VGL表示扫描线106的高电平电位和低电平电位。Cgd表示数据写入开关晶体管T2的栅极/漏极电容。Cstg表示存储电容器C1的电容。Cdtft表示驱动晶体管T1的沟道电容。
随着驱动晶体管T1的沟道宽度增加，驱动晶体管T1的栅极电容Cdtft增加。如上式所示，随着驱动晶体管T1的栅极电容Cdtft增大，驱动电压变动ΔV减小。也就是说，如果仅是低密度区域453的驱动晶体管T1的沟道宽度增加，则低密度区域453中的存储电容器C1的电压与通常区域451中的存储电容器的电压不同。
随着数据写入开关晶体管T2的沟道宽度增加，数据写入开关晶体管T2的栅极/漏极电容Cgd增加。如上式所示，随着数据写入开关晶体管T2的栅极/漏极电容Cgd增大，驱动电压变动ΔV增大。换句话说，通过增加开关晶体管T2的沟道宽度，可以减小由于驱动晶体管T1的沟道宽度增加而导致的存储电容器的电压变动的变化。
在本说明书的一个实施方式中，由于开关晶体管T2从导通向断开的切换导致的驱动晶体管T1的栅极电位变动对于通常区域451和低密度区域453是相同的。开关晶体管T2的沟道宽度被确定为使得通常区域451中的驱动电压变动等于低密度区域453的驱动电压变动ΔV。
在设计像素电路时，例如根据低密度区域453所需的亮度来确定驱动晶体管T1的沟道宽度。此后，可以通过算术表达式或模拟来确定开关晶体管T2的沟道宽度，使得由于驱动晶体管T1的沟道宽度的增加而导致的驱动电压变动的变化被抵消。
像素电路的配置不限于图2的配置示例。在图2所示的像素电路中，开关晶体管T2连接到驱动晶体管的栅极，但是在另一个像素电路配置示例中，数据写入开关晶体管可以连接到驱动晶体管的源极。
图7示出了像素电路的另一配置示例。像素电路除了驱动晶体管T1、数据信号写入晶体管T2和发光控制晶体管T3之外，还包括晶体管T4、T5和T6。晶体管T1至T6均为P型TFT。晶体管T2被连接在驱动晶体管T1的源极和数据线105之间。晶体管T2是将数据信号写入存储电容器的第一晶体管或第二晶体管的示例。晶体管T4是当处于导通状态时将驱动晶体管T1的栅极电连接到漏极的第三开关晶体管或第四开关晶体管的示例。
晶体管T4连接到驱动晶体管T1的栅极和漏极。当处于导通状态时，晶体管T4将驱动晶体管T1的栅极电连接到漏极。晶体管T5连接到驱动晶体管T1的栅极和施加电源电位VINIT的电源线。晶体管T6连接到驱动晶体管T1的源极和施加电源电位VDD的电源线108。
扫描线106N-1从扫描驱动器131的第N-1个输出端子发送扫描信号。扫描线106N从扫描驱动器131的第N个输出端发送扫描信号。晶体管T2和T4由扫描线106N的扫描信号控制。晶体管T5由扫描线106N-1的扫描信号控制。晶体管T6由发射控制线107发送的发光控制信号控制。
在扫描线106N-1向像素电路施加低电平脉冲后，扫描线106N向像素电路施加低电平脉冲。在施加这些脉冲的时段，发射控制线107发送的发光控制信号处于高电平。当扫描线106N-1处于低电平时，晶体管T5导通，其他晶体管断开。因此，初始电位VINIT被施加到驱动晶体管T1的栅极以使栅极电位初始化。
接下来，当扫描线106N处于低电平时，晶体管T2和T4导通。其他晶体管断开。晶体管T4导通，因此驱动晶体管T1处于二极管连接状态。来自数据线105的数据信号经由晶体管T2、T1和T4被写入存储电容器C1。此时，补偿驱动晶体管T1的阈值电压的电压被写入存储电容器C1。
然后，晶体管T2和T4断开并且发光控制晶体管T3和T6导通。来自驱动晶体管T1的驱动电流被施加到OLED元件E1并且OLED元件E1发光。
在图7所示的像素配置示例中，数据写入开关晶体管T2使驱动晶体管T1的沟道电容与存储电容器C1的串联电容发生电压变动。开关晶体管T2从导通切换到断开时的驱动电压变动ΔV由下式表示：
ΔV＝(VGH-VGL)Cgd/(Cgd+Cdtft2)
1/Cdtft2＝1/Cstg+1/Cdtft
VGH和VGL表示扫描线的高电平和低电平。Cgd表示开关晶体管T2的栅极/漏极电容。Cstg表示存储电容器C1的电容。Cdtft表示驱动晶体管T1的沟道电容。
如在图2中的像素电路示例中所描述的，低密度区域453中的开关晶体管T2的沟道宽度大于通常区域451中的开关晶体管T2的沟道宽度。由此，由驱动晶体管T1沟道宽度的增加引起的存储电容器的电压变动的变化减小。此外，在本说明书的一个实施方式中，由于开关晶体管T2从导通切换到断开引起的驱动晶体管T1的栅极电位变动对于通常区域451和低密度区域453是相同的。低密度区域453的开关晶体管T2的沟道宽度被设定为使得由开关晶体管T2引起的驱动电压变动ΔV在通常区域451和低密度区域453中是相同的。
在图7所示的配置示例中，能够通过将驱动晶体管T1设定为二极管连接状态实现阈值补偿的开关晶体管T4也与数据写入开关晶体管T2同时被设定为导通/断开。当晶体管T4断开时，发生驱动电压变动。晶体管T4断开的影响可在在驱动晶体管T1的栅极看到，并且在驱动晶体管T1的沟道电容与存储电容C1的并联电容中产生电压变动。驱动电压变动ΔV由下式表示：
ΔV＝(VGH-VGL)Cgd2/(Cgd2+Cdtft+Cstg)
VGH和VGL表示扫描线的高电平和低电平。Cgd2表示开关晶体管T4的栅极/漏极电容。Cstg表示存储电容器C1的电容。Cdtft表示驱动晶体管T1的沟道电容。
上面对数据写入晶体管T2的描述也可以应用于用于二极管连接的开关晶体管T4。即，低密度区453中的开关晶体管T4的沟道宽度可以被设定为大于通常区域451中的开关晶体管T4的沟道宽度。
此外，在本说明书的一个实施方式中，由于开关晶体管T4从导通向断开的切换引起的驱动晶体管T1的栅极电位变动对于通常区域451和低密度区域453是相同的。低密度区域453的开关晶体管T4的沟道宽度被设定为使得由开关晶体管T4引起的驱动电压变动ΔV在通常区域451和低密度区域453中是相同的。
图8示出了像素电路的另一配置示例。像素电路除了驱动晶体管T1、数据信号写入晶体管T2和发光控制晶体管T9之外，还包括晶体管T7和T8。晶体管T9为N型TFT，其他晶体管为P型TFT。存储电容器C10由串联连接的两个电容器C11和C12构成。
晶体管T2被连接在电容器C11和C12之间的节点P1与数据线105之间。晶体管T2是将数据信号写入存储电容器的第一开关晶体管或第二开关晶体管的示例。晶体管T7连接到驱动晶体管T1的栅极和漏极。晶体管T7在处于导通状态时，将驱动晶体管T1的栅极电连接到漏极。晶体管T8连接到经由电容器C11和C12之间的节点P1施加电源电位VDD的电源线108。晶体管T9被连接在驱动晶体管T1的漏极和OLED元件E1之间。
扫描线106N-1从扫描驱动器131的第N-1个输出端子发送扫描信号。扫描线106N从扫描驱动器131的第N个输出端子发送扫描信号。晶体管T2由扫描线106N的扫描信号控制。晶体管T9、T7和T8由扫描线106N-1的扫描信号控制。
在扫描线106N-1对像素电路施加低电平脉冲后，扫描线106N对像素电路施加低电平脉冲。当扫描线106N-1处于低电平时，晶体管T7和T8导通，晶体管T2和T9断开。在此时段期间，阈值补偿电压被写入存储电容器C10。
接下来，扫描线106N-1切换为高电平，扫描线106N切换为低电平。当扫描线106N处于低电平时，晶体管T2导通。在此时段期间，数据信号经由晶体管T2被写入存储电容器C10。然后，扫描线106N切换到高电平并且OLED元件E1的发光时段开始。
在图8所示的像素电路示例中，存储电容器C10由两个电容器C11和C12构成。在数据信号的写入完成之后，节点P1的电位变动ΔVp1由下式表示：
ΔVp1＝(VGH-VGL)Cgd/(Cgd+Cstg1+Cvth2)
VGH和VGL表示扫描线的高电平和低电平。Cgd表示开关晶体管T2的栅极/漏极电容。Cstg1表示电容器C11的电容。Cvth2表示从节点P1的角度来看电容器C12和驱动晶体管T1的串联电容。
P1节点电位的变化量通过电容耦合使得节点P2的电位变化。因此，驱动晶体管T1的最终栅极电位变动量Vp2由下式表示：
ΔVp2＝ΔVp1·Cstg2/(Cstg2+Cdtft)
Cstg2表示电容器C12的电容。Cdtft表示驱动晶体管T1的沟道电容。ΔVp1和ΔVp2随着驱动晶体管T1的沟道宽度增加而减小。通过增加数据写入开关晶体管T2的沟道宽度，可以减小由于驱动晶体管T1的沟道宽度增加而导致的栅极电位变动的变化。
[装置结构]
下面将描述像素电路中的驱动晶体管的结构。在本说明书的一个实施方式中，除了半导体层的沟道宽度之外，驱动晶体管在通常区域451和低密度区域453中具有相同的配置参数。这使得像素电路的设计和制造更加容易。
图9是示意性地示出通常区域451中的驱动晶体管601的结构的俯视图。为了便于描述，省略了一些构成元素。驱动晶体管601包括半导体层610中的沟道部611和在俯视图中覆盖沟道部611的栅极电极621。
沟道部611是矩形的并且在图9的水平方向上延伸。沟道部611的宽度W1是图9中的竖直尺寸，并且是恒定的。沟道部611的长度为图9中的水平尺寸。栅极电极621是矩形的。在图9的配置示例，沟道部611为在半导体层中被栅极电极621覆盖的部分，沟道部611的长度L1与栅极电极621的水平尺寸一致。
栅极电极621和沟道部611在图9中水平对称。沟道部611的沿水平方向(长度方向)延伸的中心轴线与栅极电极621的沿长度方向延伸的中心轴线一致。另外，在竖直方向(宽度方向)上从沟道部611的各边缘到栅极电极621的各边缘的距离D1(最小值)在两侧是相同的。距离D1有时被称为沟道余裕或栅极余裕。在图9的配置示例中，距离D1是恒定的。
驱动晶体管601包括在俯视图中覆盖栅极电极621的电容器电极631。在栅极电极621和电容器电极631之间形成存储电容。在电容器电极631中形成开口632，源极/漏极金属层中的电极641经由穿过开口632的接触部642连接到栅极电极621。电极641将驱动晶体管的栅极电极621连接到像素电路内的其他电路元件。
源极/漏极金属层中的漏极电极644经由接触部643连接到半导体层，并经由接触部652连接到阳极电极651。沟道部611经由漏极电极644连接到阳极电极651。
图10是示意性地示出低密度区域453中的驱动晶体管602的结构的俯视图。为了便于描述，省略了一些构成元素。分别具有与图9的配置示例相同的附图标记的部件是与图9中的构成元素相同的构成元素。下面将主要描述与图9的配置示例的不同之处。
驱动晶体管602包括半导体层610中的沟道部811。沟道部811是矩形的并且在图10的水平方向上延伸。沟道部811的宽度W2是图10中的竖直尺寸，并且是恒定的。沟道部811的宽度W2大于通常区域451中的驱动晶体管601的沟道部的宽度W1。
驱动晶体管601和602除了其沟道宽度之外，在通常区域451和低密度区域453中具有相同的结构。由于沟道宽度不同，沟道部的边缘与栅极电极的边缘之间的沟道余裕或栅极余裕也是不同的。在图10的配置示例中，在垂竖直方向(宽度方向)上从沟道部811的各边缘到栅极电极621的各边缘的距离D2(最小值)在两侧是相同的。距离D2小于通常区域中的驱动晶体管601的距离D1。
图11示出了沿图10的线XI-XI的示意性剖面结构。在以下描述中，基板为柔性基板。在其他配置示例中，可以使用刚性基板。在以下描述中，“上”和“下”的指定表示图中的上方向或下方向。
柔性基板由多个层构成。具体而言，柔性基板从底部开始按以下述顺序包括聚酰亚胺膜851、非晶硅膜852、聚酰亚胺膜853、氮化硅膜854和氧化硅膜855。非晶硅膜852提高了聚酰亚胺膜851和853之间的附着性。氮化硅膜854阻止水分向像素电路的移动。
控制OLED元件的像素电路形成在氧化硅膜855上。OLED元件由下电极(例如阳极电极651)、上电极(例如阴极电极)和有机发光元件多层膜构成。在这些元件中，图11仅示出阳极电极651。
图11是顶部发射型像素结构的示例。在顶部发射型像素结构中，多个像素共用的阴极电极(未示出)设置在光发射到的侧(图的上侧；观察者侧)。阴极电极具有覆盖整个显示区域125的形状。在顶部发射型像素结构中，阳极电极651反射光并且阴极电极是光透射性的。
底部发射型像素结构具有透明阳极电极和反射性阴极电极，并且经由基板向外部(向观察者侧)发射光。另外，通过由光透射性材料形成阳极电极和阴极电极两者，可以实现透明显示装置。本发明的像素电路可以应用于任一类型的OLED显示装置，还可以应用于具有非OLED发光元件的显示装置。
图11所示的驱动晶体管具有顶栅结构。其他的晶体管类似地具有顶栅结构。多晶硅层存在于氧化硅膜855上。多晶硅层存在于由提供晶体管性质的本征多晶硅制成的沟道部811稍后将在栅极电极621上所形成的位置处。在多晶硅层两端存在源极/漏极区域812和813，源极/漏极区域812和813已经掺杂有高浓度的杂质以与其上面的配线层实现电连接。
在沟道部811与源极/漏极区域812和813之间，有时形成掺杂有低浓度杂质的LDD(轻掺杂漏极)。图中省略了LDD，以避免描述过于复杂。栅极电极621形成在多晶硅层之上，并且在它们之间具有栅极绝缘膜856。例如，栅极电极由钼制成。层间绝缘膜857形成在栅极电极621的层上。
电容器电极631形成在层间绝缘膜857上。例如，电容器电极631可以由与栅极电极621相同的材料制成。电容器电极631具有形成在其中的开口632。
绝缘有机平坦化膜858覆盖电容器电极631及其下方的层。包括源极/漏极电极的源极/漏极金属层形成在平坦化膜858上。源极/漏极金属层例如可以由Ti/Al/Ti层叠结构制成。图11示出了在源极/漏极金属层中包括的电极641和漏极电极644。
电极641经由接触部642连接到栅极电极621，接触部642穿透平坦化膜858、电容器电极631的开口632、和层间绝缘膜857。绝缘有机平坦化膜859形成在源极/漏极电极层上。阳极电极651形成在平坦化膜859上。
阳极电极651经由平坦化膜859的接触部652与漏极电极644连接。阳极电极651由中央反射金属层和夹着反射金属层的透明导电层构成。分隔OLED元件的绝缘像素限定层(PDL)860形成在阳极电极651上。OLED元件形成在像素限定层860中的开口中。
在阳极电极651上形成有机发光多层膜(未示出)。针对每种RGB颜色沉积有机发光材料，以在阳极电极651上形成有机发光多层膜。有机发光多层膜从底部开始按以下顺序由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、和电子注入层构成。有机发光多层膜的层结构由设计确定。
在有机发光多层膜上形成阴极电极(图11中未示出)。阴极电极是光透射性电极。阴极电极允许来自有机发光多层膜的可见光的一部分通过。例如，阴极电极层由诸如Al和Mg的金属或前述金属的合金制成。在阴极电极上形成密封结构。
下面将描述驱动晶体管的结构参数。图12示出通常区域451中的驱动晶体管601的一部分的构成元素。具体而言，图12示出了包括沟道部611的半导体层、栅极电极621和电容器电极中的开口632。
沟道部611和栅极电极621具有竖直和水平对称的形状和布置。在图12中，栅极电极621和沟道部611是在水平方向上线性延伸的矩形，并且具有在水平方向上延伸的相同中心轴线。在沟道部611的宽度方向上，从沟道部611的边缘到栅极电极的边缘的距离D1在两侧是相同的。
在图12的配置示例中，从栅极电极621的右边缘623A到半导体层中的弯曲部615A的距离L11与从栅极电极621的左边缘623B到半导体层中的弯曲部615B的距离L11是相同的。在图12的配置示例中，半导体层的弯曲部615A和615B是T形的，但是弯曲部可以是L形的。弯曲部的角度不必一定是直角。
如参考图9所描述的，电容器电极631设置为覆盖沟道部611和栅极电极621。另外，栅极电极621经由形成在电容器电极631中的开口632通过接触部642连接到源极/漏极金属层。
如图12所示，栅极电极621的中心轴线穿过接触部642接触栅极电极的区域。此外，在形成在电容器电极631中的开口632的内边缘(开口边缘)与接触部642之间存在距离为D3(最小距离)的间隙。
图13示出了低密度区域453中的驱动晶体管602的一部分的构成元件。具体而言，图13示出了包括沟道部811的半导体层、栅极电极621、和电容器电极中的开口632。与图12中所示的通常区域451中的驱动晶体管601相比，沟道部811的宽度W2更大。换言之，低密度区域453中与栅极电极621(第二栅极电极)重叠的半导体的宽度大于通常区域451中与栅极电极621(第一栅极电极)重叠的半导体的宽度。其它结构(包括栅极电极621的形状)与驱动晶体管601类似。
沟道部811和栅极电极621具有竖直和水平对称的形状和布置。在图13中，栅极电极621和沟道部811是沿水平方向线性延伸的矩形，并具有沿水平方向延伸的相同中心轴线。在沟道部811的宽度方向上，从沟道部811的边缘到栅极电极边缘的距离D2在两侧是相同的。距离D2小于通常区域中的驱动晶体管601的距离D1。
从栅极电极621的右边缘623A到半导体层中的弯曲部617A的距离L11与从栅极电极621的左边缘623B到半导体层中的弯曲部617B的距离L11相同。距离L11与通常区域中的驱动晶体管601的距离L11相同。在图13的配置示例中，半导体层的弯曲部617A和617B是T形的，但是弯曲部可以是L形的。弯曲部的角度不必一定是直角。
如参考图10所描述的，电容器电极631设置为覆盖沟道部811和栅极电极621。另外，栅极电极621经由形成在电容器电极631中的开口632通过接触部642连接到源极/漏极金属层。
如图13所示，栅极电极621的中心轴线穿过接触部642接触栅极电极的区域。此外，在形成在电容器电极631中的开口632的内边缘和接触部642之间存在距离为D3(最小距离)的间隙。间隙的距离D3与通常区域中的驱动晶体管601的间隙的距离D3相同。
如上所述，驱动晶体管的栅极电极和沟道部的中心轴线一致，并且它们之间的宽度方向距离(栅极余裕)D1或D2在两侧是相同的。由此，可以减少具有不同沟道宽度的驱动晶体管的制造过程中的变动的影响。另外，栅极电极的边缘与半导体层的弯曲部之间的距离在两端是相同的。由此，可以减少具有不同沟道宽度的驱动晶体管的制造过程中的变动的影响。一组距离可以在两侧是不同的。
如上所述，电容器电极631布置为覆盖沟道部611或811，并且与其下方的栅极电极621一起形成存储电容。此外，源极/漏极金属层和栅极电极621的接触部642通过形成在电容器电极631中的开口632形成。
为了防止由于沟道宽度的差异而对电路操作产生影响，减小与栅极电极直接连接的配线线路(电极)的边缘电容的差异很重要。从沟道侧的角度来看，通过在栅极电极的相对侧的中心附近设置接触部，可以有效地减小边缘电容的差异。
如上所述，通过用电容器电极层遮蔽驱动晶体管的栅极电极并经由小开口引出栅极电极，可以有效地减轻由于与其他配线线路的电容耦合引起的直接影响输出电流的Vgs的变动。
在本说明书的一个实施方式中，在低密度区域的驱动晶体管602中，电容器电极的开口632的内边缘与栅极电极的接触部642之间的距离D3(最小值)大于栅极电极621的边缘与沟道部811的边缘之间的距离D2(最小值)。由此，可以减少制造过程中的误差的影响。
具体而言，栅极电极621的层的形状相对于半导体层对准，并且电容器电极631的形状相对于栅极电极621的层对准。源极/漏极金属层的形状相对于栅极电极621的层或半导体层对准。因此，源极/漏极金属层的接触部642相对于电容器电极的开口632的对准为两个对准的组合(间接对准)。因此，通过将距离D3设定为大于距离D2，可以降低由于制造过程中的变化而导致接触部642和电容器电极631之间接触的可能性。
参考图12和图13的描述可以应用于其他开关晶体管，其中有关距离D3的部分被排除并且对于通常区域451和低密度区域453使用不同的沟道宽度。
如上所述，已经描述了本发明的实施方式；然而，本发明不限于前述实施方式。本领域技术人员可以在本发明的范围内容易地修改、添加或转换前述实施方式中的各个元素。一个实施方式的配置的一部分可以替换为另一实施方式的配置，或者一个实施方式的配置可以被并入到另一实施方式的配置中。

Claims (9)

1.一种显示装置，包括：
第一显示区域；以及
具有比所述第一显示区域低的像素密度的第二显示区域，
其中，所述第一显示区域中的第一像素电路包括：
第一驱动晶体管，所述第一驱动晶体管控制流向发光元件的驱动电流量；以及
第一存储电容器，所述第一存储电容器存储所述第一驱动晶体管的控制电压；
其中，所述第二显示区域中的第二像素电路包括：
第二驱动晶体管，所述第二驱动晶体管控制流向发光元件的驱动电流量；以及
第二存储电容器，所述第二存储电容器存储所述第二驱动晶体管的控制电压；
其中，所述第二驱动晶体管的沟道宽度大于所述第一驱动晶体管的沟道宽度，
其中，所述第一像素电路还包括第三开关晶体管，所述第三开关晶体管当处于导通状态时将所述第一驱动晶体管的栅极电连接到漏极，
其中，所述第二像素电路还包括第四开关晶体管，所述第四开关晶体管当处于导通状态时将所述第二驱动晶体管的栅极电连接到漏极，以及
其中，所述第四开关晶体管的沟道宽度大于所述第三开关晶体管的沟道宽度，以减小所述第一存储电容器存储的所述第一驱动晶体管的控制电压与所述第二存储电容器存储的所述第二驱动晶体管的控制电压之间的差异，其中，所述第一像素电路和所述第二像素电路被提供相同的数据信号。
2.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述第一像素电路还包括将数据信号写入所述第一存储电容器的第一开关晶体管，
其中，所述第二像素电路还包括将数据信号写入所述第二存储电容器的第二开关晶体管，以及
其中，所述第二开关晶体管的沟道宽度大于所述第一开关晶体管的沟道宽度。
3.根据权利要求2所述的显示装置，
其中，由将所述第一开关晶体管从导通切换到断开所引起的所述第一驱动晶体管中的栅极电位变动与由将所述第二开关晶体管从导通切换到断开所引起的所述第二驱动晶体管中的栅极电位变动相等。
4.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，由将所述第三开关晶体管从导通切换到断开所引起的所述第一驱动晶体管中的栅极电位变动与由将所述第四开关晶体管从导通切换到断开所引起的所述第二驱动晶体管中的栅极电位变动相等。
5.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述第一驱动晶体管包括第一栅极电极，
其中，所述第二驱动晶体管包括第二栅极电极，
其中，所述第一栅极电极的形状与所述第二栅极电极的形状相同，以及
其中，与所述第二栅极电极重叠的半导体的宽度大于与所述第一栅极电极重叠的半导体的宽度。
6.根据权利要求5所述的显示装置，
其中，从所述第一栅极电极的两个边缘到半导体层的弯曲部的距离相同，以及
其中，从所述第二栅极电极的两个边缘到半导体层的弯曲部的距离相同。
7.根据权利要求5所述的显示装置，
其中，在俯视图中，所述第一栅极电极的中心轴线与所述第一驱动晶体管的沟道的中心轴线一致，以及
其中，在俯视图中，所述第二栅极电极的中心轴线与所述第二驱动晶体管的沟道的中心轴线一致。
8.根据权利要求7所述的显示装置，还包括：
所述第一存储电容器的第一电容器电极，所述第一电容器电极覆盖所述第一驱动晶体管的沟道和所述第一栅极电极并且具有开口；
所述第二存储电容器的第二电容器电极，所述第二电容器电极覆盖所述第二驱动晶体管的沟道和所述第二栅极电极并且具有开口，
第一接触部，所述第一接触部经由所述第一电容器电极的开口接触所述第一栅极电极；以及
第二接触部，所述第二接触部经由所述第二电容器电极的开口接触所述第二栅极电极，
其中，所述第一栅极电极的中心轴线穿过所述第一接触部接触所述第一栅极电极的区域，以及
其中，所述第二栅极电极的中心轴线穿过所述第二接触部接触所述第二栅极电极的区域。
9.根据权利要求8所述的显示装置，
其中，在所述第一驱动晶体管的沟道宽度的方向上，所述第一接触部与所述第一电容器电极的开口边缘之间的距离的最小值大于所述第一栅极电极的边缘与所述第一驱动晶体管的沟道的边缘之间的距离的最小值，以及
其中，在所述第二驱动晶体管的沟道宽度的方向上，所述第二接触部与所述第二电容器电极的开口边缘之间的距离的最小值大于所述第二栅极电极的边缘与所述第二驱动晶体管的沟道的边缘之间的距离的最小值。
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