Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

CN114267813B - 有机电致发光器件及电子装置 - Google Patents

有机电致发光器件及电子装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114267813B
CN114267813B CN202111486171.6A CN202111486171A CN114267813B CN 114267813 B CN114267813 B CN 114267813B CN 202111486171 A CN202111486171 A CN 202111486171A CN 114267813 B CN114267813 B CN 114267813B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substituted
unsubstituted
group
compound
deuterium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202111486171.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114267813A (zh
Inventor
马天天
张孔燕
张鹤鸣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shaanxi Lighte Optoelectronics Material Co Ltd
Original Assignee
Beijing Laite Zhongcheng Photoelectric Material Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Laite Zhongcheng Photoelectric Material Technology Co ltd filed Critical Beijing Laite Zhongcheng Photoelectric Material Technology Co ltd
Priority to US18/039,931 priority Critical patent/US12102003B2/en
Priority to PCT/CN2022/076245 priority patent/WO2023087557A1/zh
Priority to JP2023536464A priority patent/JP7554519B2/ja
Priority to KR1020237019680A priority patent/KR102600406B1/ko
Publication of CN114267813A publication Critical patent/CN114267813A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114267813B publication Critical patent/CN114267813B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07BGENERAL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY; APPARATUS THEREFOR
    • C07B2200/00Indexing scheme relating to specific properties of organic compounds
    • C07B2200/05Isotopically modified compounds, e.g. labelled
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10Triplet emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/90Multiple hosts in the emissive layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请提供一种有机电致发光器件及电子装置,该有机电致电致发光器件包括阴极、阳极以及有机层。所述有机层包括有机发光层,所述有机发光层包括第一化合物和第二化合物;所述第一化合物选自式1所示的化合物;所述第二化合物选自式2所示的化合物。
Figure DDA0003396650130000011

Description

有机电致发光器件及电子装置
技术领域
本申请涉及有机电致发光领域,尤其涉及一种有机电致发光器件及电子装置。
背景技术
近年来,有机电致发光器件(OLED)成为国内外非常热门的新兴平面显示器产品,这是因为OLED显示器具有自发光、广视角、短反应时间、高效率、广色域等特性。
有机电致发光器件(OLED)通常包括阳极、阴极和在这两个电极之间形成的有机层。该有机层可以包括空穴注入层、空穴传输层、空穴辅助层、电子阻挡层、发光层(含有主体和掺杂剂材料)、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等。若对有机电致发光器件施加电压,则由阳极和阴极分别将空穴与电子注入到发光层。接着在发光层中,所注入的空穴与电子再结合,形成激子。激子处于激发态向外释放能量,进而使得发光层对外发光。
目前,有机电致发光器件的使用过程中仍存在性能较差的问题,例如存在驱动电压过高、发光效率过低或者寿命较短等问题,这些都影响了机电致发光器件的使用领域,因此,仍有必要对该领域进行进一步研究,以改善有机电致发光器件的性能。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本申请提供一种有机电致发光器件及电子装置,用以解决先有技术中的低发光效率和短的器件寿命的问题。
为实现上述发明目的,本申请采用如下技术方案:
根据本申请的第一方面,本申请提供一种有机电致发光器件,包括阴极、阳极以及有机层;
其中,所述阴极和所述阳极相对设置;
所述有机层位于所述阴极和所述阳极之间;
所述有机层包括有机发光层;
所述有机发光层包括第一化合物和第二化合物;
所述第一化合物选自式1所示的化合物:
Figure GDA0003797537650000011
X1,X2,X3分别独立地选自C(H)或N,且至少一个选自N;
各基团A分别独立地选自氢或式1-A,e为D的个数,选自0、1、2、3、4、5;且至少一个基团A选自式1-A;
a为基团A的个数,选自1、2、3、4、5、6或7;
各R1、R2、R3、R4、R5分别独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1-10的烷基;
n1表示取代基R1的个数,n1选自0、1、2、3或4,当n1大于1时,任意两个R1相同或不同;
n2表示取代基R2的个数,n2选自0、1或2,当n2大于1时,任意两个R2相同或不同;
n3表示取代基R3的个数,n3选自0、1、2、3或4,当n3大于1时,任意两个R3相同或不同;
n4表示取代基R4的个数,n4选自0、1、2、3或4,当n4大于1时,任意两个R4相同或不同;
n5表示取代基R5的个数,n5选自0、1、2、3、4或5,当n5大于1时,任意两个R5相同或不同;
L、L1、L2、各L3分别独立地选自单键、碳原子数为6-30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3-30的取代或未取代的亚杂芳基;
Ar1、Ar2分别独立地选自碳原子数为6-30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3-30的取代或未取代的杂芳基;
X选自O或S;
m选自0或1;
所述第二化合物选自式2所示的化合物:
Figure GDA0003797537650000021
其中,L4、L5分别独立地选自单键、碳原子数为6-30取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3-30的取代或未取代的亚杂芳基;
L6选自单键、碳原子数为6-30的取代或未取代的亚芳基;
Ar4、Ar5分别独立地选自碳原子数为6-30取代或未取代的芳基、碳原子数为3-30的取代或未取代的杂芳基;
Ar6选自碳原子数为6-30取代或未取代的芳基;
R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15分别独立地选自氢或氘,且R6、R12、R13和R14中的至少两个为氘;
R16选自氢或氘;
n16为R16的个数,选自1、2或3,当n16大于1时,任意两个R16相同或不同;
所述L、L1、L2、各L3、L4、L5、L6、Ar1、Ar2、Ar4、Ar5、Ar6中的取代基分别独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为3-12的杂芳基、碳原子数为6-12的芳基、碳原子数为3-12的三烷基硅基、碳原子数为18-24的三芳基硅基、碳原子数为1-10的烷基、碳原子数为1-10的卤代烷基、碳原子数为3-10的环烷基、碳原子数为2-10的杂环烷基、碳原子数为1-10的烷氧基;
任选地,在Ar4、Ar5、Ar6中,任意两个相邻的取代基形成环。
本申请旨在提供一种由特定发光层主体材料组合的有机电致发光器件,由具有强电子特性的第一化合物和具有相对强的空穴特性的第二化合物构成,以调节电荷平衡,从而使得有机电致发光器件具有优异的特性。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本申请的实施例,并与说明书一起用于解释本申请的原理。
图1是本申请的有机电致发光器件的一种实施方式的结构示意图。
图2是本申请一种实施方式的电子装置的结构示意图。
附图标记说明
100、阳极;200、阴极;300、有机层;310、空穴注入层;320、空穴传输层;321、空穴传输层;322、空穴辅助层;330、有机发光层;340、空穴阻挡层;350、电子传输层;360、电子注入层;400、电子装置。
通过上述附图,已示出本申请明确的实施例,后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本申请构思的范围,而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本申请的概念。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而,示例实施例能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的范例;相反,提供这些实施例使得本申请将更加全面和完整,并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。
在图中,为了清晰,可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。
所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。然而,本领域技术人员将意识到,可以实践本申请的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多,或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下,不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本申请的主要技术创意。
本申请提供了一种有机电致发光器件,包括阴极、阳极以及有机层;
其中,所述阴极和所述阳极相对设置;
所述有机层位于所述阴极和所述阳极之间;
所述有机层包括有机发光层;
所述有机发光层包括第一化合物和第二化合物;
所述第一化合物选自式1所示的化合物:
Figure GDA0003797537650000041
X1,X2,X3分别独立地选自C(H)或N,且至少一个选自N;
各基团A分别独立地选自氢或式1-A,e为D的个数,选自0、1、2、3、4、5;且至少一个基团A选自式1-A;
a为基团A的个数,选自1、2、3、4、5、6或7;
各R1、R2、R3、R4、R5分别独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1-10的烷基;
n1表示取代基R1的个数,n1选自0、1、2、3或4,当n1大于1时,任意两个R1相同或不同;
n2表示取代基R2的个数,n2选自0、1或2,当n2大于1时,任意两个R2相同或不同;
n3表示取代基R3的个数,n3选自0、1、2、3或4,当n3大于1时,任意两个R3相同或不同;
n4表示取代基R4的个数,n4选自0、1、2、3或4,当n4大于1时,任意两个R4相同或不同;
n5表示取代基R5的个数,n5选自0、1、2、3、4或5,当n5大于1时,任意两个R5相同或不同;
L、L1、L2、各L3分别独立地选自单键、碳原子数为6-30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3-30的取代或未取代的亚杂芳基;
Ar1、Ar2分别独立地选自碳原子数为6-30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3-30的取代或未取代的杂芳基;
X选自O或S;
m选自0或1;
所述第二化合物选自式2所示的化合物:
Figure GDA0003797537650000042
其中,L4、L5分别独立地选自单键、碳原子数为6-30取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3-30的取代或未取代的亚杂芳基;
L6选自单键、碳原子数为6-30的取代或未取代的亚芳基;
Ar4、Ar5分别独立地选自碳原子数为6-30取代或未取代的芳基、碳原子数为3-30的取代或未取代的杂芳基;
Ar6选自碳原子数为6-30取代或未取代的芳基;
R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15分别独立地选自氢或氘,且R6、R12、R13和R14中的至少两个为氘;
R16选自氢或氘;
n16为R16的个数,选自1、2或3,当n16大于1时,任意两个R16相同或不同;
所述L、L1、L2、各L3、L4、L5、L6、Ar1、Ar2、Ar4、Ar5、Ar6中的取代基分别独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为3-12的杂芳基、碳原子数为6-12的芳基、碳原子数为3-12的三烷基硅基、碳原子数为18-24的三芳基硅基、碳原子数为1-10的烷基、碳原子数为1-10的卤代烷基、碳原子数为3-10的环烷基、碳原子数为2-10的杂环烷基、碳原子数为1-10的烷氧基;
任选地,在Ar4、Ar5、Ar6中,任意两个相邻的取代基形成环。
本申请中,各基团A中,至少一个基团A选自式1-A,例如各基团A中,其中的一个基团A为式1-A,或者其中的两个基团A选自式1-A;或者其中的三个基团A选自式1-A。各基团A中,当两个以上基团A为式1-A时,各个式1-A可以相同或不同。
在本申请中,式1中的
Figure GDA0003797537650000051
(简称“结构1-B”),当m等于0时,表示X不存在,即结构1-B为
Figure GDA0003797537650000052
当m等于1时,结构1-B为
Figure GDA0003797537650000053
X为O或S。
在本申请中,结构1-B选自如下结构组成的组:
Figure GDA0003797537650000054
在本申请中,所采用的描述方式“……各自独立地选自”与“……分别独立地选自”可以互换,均应做广义理解,其既可以是指在不同基团中,相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响,也可以表示在相同的基团中,相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响。例如,“
Figure GDA0003797537650000055
其中,各q独立地为0、1、2或3,各R”独立地选自氢、氘、氟、氯”,其含义是:式Q-1表示苯环上有q个取代基R”,各个R”可以相同也可以不同,每个R”的选项之间互不影响;式Q-2表示联苯的每一个苯环上有q个取代基R”,两个苯环上的R”取代基的个数q可以相同或不同,各个R”可以相同也可以不同,每个R”的选项之间互不影响。
在本申请中,“取代或未取代的”这样的术语是指,在该术语后面记载的官能团可以具有或不具有取代基(下文为了便于描述,将取代基统称为Rc)。例如,“取代或未取代的芳基”是指具有取代基Rc的芳基或者非取代的芳基。其中上述的取代基即Rc例如可以为氘、卤素基团、氰基、碳原子数为3-12的杂芳基、碳原子数为6-12的芳基、碳原子数为3-12的三烷基硅基、碳原子数为18-24的三芳基硅基、碳原子数为1-10的烷基、碳原子数为1-10的卤代烷基、碳原子数为3-10的环烷基、碳原子数为2-10的杂环烷基、碳原子数为1-10的烷氧基。
在本申请中,“取代的”官能团可以被上述Rc中的一个或2个以上的取代基取代;当同一个原子上连接有两个取代基Rc时,这两个取代基Rc可以独立地存在或者相互连接以与所述原子形成螺环;当官能团中两个相邻的碳原子上各存在一个取代基Rc时,相邻的两个取代基Rc可以独立地存在或者与其所连接的官能团稠合成环。
在本申请中,化合物中的D为氘。
在本申请中,术语“任选”、“任选地”意味着随后所描述的事件可以发生但不必发生,该说明包括该事情发生或者不发生的情况。例如,“任选地,两个相邻取代基××形成环”意味着这两个取代基可以形成环但不是必须形成环,包括:两个相邻的取代基形成环的情景和两个相邻的取代基不形成环的情景。
在本申请中,“任意两个相邻的取代基形成环”中,“任意两个相邻的”可以包括同一个原子上具有两个取代基,还可以包括两个相邻的原子上分别具有一个取代基;其中,当同一个原子上具有两个取代基时,两个取代基可以与其共同连接的原子形成饱和或不饱和的环;当两个相邻的原子上分别具有一个取代基时,这两个取代基可以稠合成环。
在本申请中,“任选地,在Ar4、Ar5、Ar6中,任意两个相邻的取代基形成环”是指在Ar4、Ar5或、Ar6中,任意两个相邻的取代基可以形成环,也可以不形成环。举例而言,当Ar4中相邻的两个取代基成环时,该环的碳原子数可以为5-13,且该环可以是饱和的,也可以是不饱和的;该环例如:环己烷、环戊烷、金刚烷、苯环、萘环、芴环等,但不限于此。
在本申请中,取代或未取代的官能团的碳原子数,指的是所有碳原子数。举例而言,若L选自碳原子数为12的取代的亚芳基,则亚芳基及其上的取代基的所有碳原子数为12。例如:Ar1
Figure GDA0003797537650000061
则其碳原子数为7;L为
Figure GDA0003797537650000062
其碳原子数为12。
在本申请中,“烷基”可以包括直链烷基或支链烷基。烷基可具有1至10个碳原子,在本申请中,诸如“1至10”的数值范围是指给定范围中的各个整数;例如,"1至10个碳原子的烷基”是指可包括1、2、3、4、5、6、7、8、9或10个碳原子的烷基。此外,烷基可为取代的或未取代的。
可选地,烷基选自碳原子数为1-5的烷基,具体实例包括但不限于,甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基和戊基。
在本申请中,环烷基指的是含有脂环结构的饱和烃,包括单环和稠环结构。环烷基可具有3-10个碳原子,诸如“3至10”的数值范围是指给定范围中的各个整数;例如,“3至10个碳原子的环烷基”是指可包括3个、4个、5个、6个、7个、8个、9个或10个碳原子的环烷基。环烷基可为取代的或未取代的。环烷基的实例,如环戊烷基、环己烷基、金刚烷基。
在本申请中,芳基指的是衍生自芳香碳环的任选官能团或取代基。芳基可以是单环芳基(例如苯基)或多环芳基,换言之,芳基可以是单环芳基、稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个单环芳基、通过碳碳键共轭连接的单环芳基和稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个稠环芳基。即,除非另有说明,通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个芳香基团也可以视为本申请的芳基。其中,稠环芳基例如可以包括双环稠合芳基(例如萘基)、三环稠合芳基(例如菲基、芴基、蒽基)等。芳基中不含有B、N、O、S、P、Se和Si等杂原子。举例而言,在本申请中,联苯基、三联苯基等为芳基。芳基的实例可以包括但不限于,苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、四联苯基、三亚苯基、芘基、苯并荧蒽基、
Figure GDA0003797537650000071
基等。
本申请中,“取代或未取代的芳基”可含有6-30个碳原子,在一些实施方式中,取代或未取代的芳基中的碳原子数可以是6-25个,在一些实施方式中,取代或未取代的芳基中的碳原子数可以是6-20个,在另一些实施方式中,取代或未取代的芳基中的碳原子数可以是6-18个,在另一些实施方式中,取代或未取代的芳基中的碳原子数可以是6-12个。举例而言,本申请中,取代或未取代的芳基的碳原子数量可以是6个、12个、13个、14个、15个、18个、20个、24个、25个、28个、29个、30个,当然,碳原子数还可以是其他数量,在此不再一一列举。在本申请中,联苯基可以理解为苯基取代的芳基,也可以理解为未取代的芳基。
本申请中,涉及的亚芳基是指芳基进一步失去一个氢原子所形成的二价基团。
在本申请中,取代的芳基可以是芳基中的一个或者两个以上氢原子被诸如氘原子、卤素基团、氰基、芳基、杂芳基、三烷基硅基、烷基、环烷基、烷氧基等基团取代。应当理解地是,取代的芳基的碳原子数,指的是芳基和芳基上的取代基的碳原子总数,例如碳原子数为18的取代的芳基,指的是芳基及其取代基的总碳原子数为18。
在本申请中,作为L、L1、L2、各L3、L4、L5、L6、Ar1、Ar2、Ar4、Ar5、Ar6中的取代基的芳基,其具体实例包括但不限于:苯基、萘基、蒽基、菲基、二甲基芴基、联苯基等等。
在本申请中,杂芳基是指环中包括1、2、3、4、5或6个杂原子的一价芳香环或其衍生物,杂原子可以是B、O、N、P、Si、Se和S中的至少一种。杂芳基可以是单环杂芳基或多环杂芳基,换言之,杂芳基可以是单个芳香环体系,也可以是通过碳碳键共轭连接的多个芳香环体系,且任一芳香环体系为一个芳香单环或者一个芳香稠环。示例地,杂芳基可以包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、噁唑基、噁二唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、异噁唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、吩噻嗪基、硅芴基、二苯并呋喃基以及N-芳基咔唑基(如N-苯基咔唑基)、N-杂芳基咔唑基(如N-吡啶基咔唑基)、N-烷基咔唑基(如N-甲基咔唑基)等,而不限于此。其中,噻吩基、呋喃基、菲咯啉基等为单个芳香环体系类型的杂芳基,N-苯基咔唑基、N-吡啶基咔唑基为通过碳碳键共轭连接的多环体系类型的杂芳基。举例而言,本申请中,取代或未取代的杂芳基的碳原子数量可以是3个、4个、5个、6个、10个、12个、18个、20个、24个、25个、28个、29个、30个,当然,碳原子数还可以是其他数量,在此不再一一列举。
本申请中,涉及的亚杂芳基是指杂芳基进一步失去一个氢原子所形成的二价基团。
在本申请中,取代的杂芳基可以是杂芳基中的一个或者两个以上氢原子被诸如氘原子、卤素基团、氰基、芳基、杂芳基、三烷基硅基、烷基、环烷基、烷氧基等基团取代。应当理解的是,取代的杂芳基的碳原子数,指的是杂芳基和杂芳基上的取代基的碳原子总数。
在本申请中,作为L、L1、L2、各L3、L4、L5、L6、Ar1、Ar2、Ar4、Ar5、Ar6中的取代基的杂芳基,其具体实例包括但不限于:吡啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基。
在本申请中,卤素基团可以包括氟、碘、溴、氯等。
在本申请中,碳原子数为3-12的三烷基硅基的具体实例包括但不限于,三甲基硅基、三乙基硅基等。
在本申请中,碳原子数为18-24的三芳基硅基的具体实例包括但不限于,三苯基硅基。
在本申请中,碳原子数为1-10的卤代烷基的具体实例包括但不限于,三氟甲基。
本申请中,不定位连接键是指从环体系中伸出的单键
Figure GDA0003797537650000081
其表示该连接键的一端可以连接该键所贯穿的环体系中的任意位置,另一端连接化合物分子其余部分。
举例而言,如下式(f)中所示地,式(f)所表示的萘基通过两个贯穿双环的不定位连接键与分子其他位置连接,其所表示的含义,包括如式(f-1)-式(f-10)所示出的任一可能的连接方式。
Figure GDA0003797537650000082
再举例而言,如下式(X')中所示地,式(X')所表示的二苯并呋喃基通过一个从一侧苯环中间伸出的不定位连接键与分子其他位置连接,其所表示的含义,包括如式(X'-1)-式(X'-4)所示出的任一可能的连接方式。
Figure GDA0003797537650000083
下文中对于不定位连接或不定位取代的含义与此处相同,后续将不再进行赘述。
在本申请一些实施方式中,第一化合物选自如下化学式所示的化合物:
Figure GDA0003797537650000084
在本申请一些实施方式中,第一化合物选自如下化学式所示的化合物:
Figure GDA0003797537650000091
在本申请一些实施方式中,所述第一化合物中,X1、X2都为C(H),X3为N。
在本申请一些实施方式中,所述第一化合物中,X2、X3都为C(H),X1为N。
在本申请一些实施方式中,所述第一化合物中,X1、X3都为C(H),X2为N。
在本申请一些实施方式中,所述第一化合物中,X1、X2都为N,X3为C(H)。
在本申请一些实施方式中,所述第一化合物中,X1、X3都为N,X2为C(H)。
在本申请一些实施方式中,所述第一化合物中,X2、X3都为N,X1为C(H)。
在本申请一些实施方式中,所述第一化合物中,X1、X2、X3均为N。
在本申请一些实施方式中,所述第一化合物中,
Figure GDA0003797537650000092
至少含有一个氘。
在本申请一些实施方式中,a选自1或2。
在本申请一些实施方式中,n1、n2、n3均为0。
在本申请一些实施方式中,所述第一化合物中,L选自单键、亚苯基。
在本申请另一些实施方式中,所述第一化合物中,L选自单键或
Figure GDA0003797537650000093
可选地,所述第一化合物中,L选自单键或如下基团组成的组:
Figure GDA0003797537650000094
在本申请一些实施方式中,所述第一化合物中,L1、L2、各L3分别独立地选自单键、碳原子数为6-20的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为12-20的亚杂芳基。
可选地,所述L1、L2、各L3中的取代基分别独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1-5的烷基、苯基。
可选地,L1、L2分别独立地选自单键、碳原子数为6-12的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为12-18的亚杂芳基。
可选地,各L3选自单键、碳原子数为6-12的取代或未取代的亚芳基。
在本申请另一些实施方式中,所述第一化合物中,L1、L2、各L3分别独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代亚咔唑基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基。
可选地,所述L1、L2、各L3中的取代基分别独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基。
可选地,L1、L2分别独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代亚咔唑基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基。
可选地,各L3单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基。
在本申请一些实施方式中,各L3单键或如下基团组成的组:
Figure GDA0003797537650000101
在本申请一些实施方式中,L1、L2分别独立地选自单键、取代或未取代的基团G,其中未取代的基团G选自如下基团组成的组:
Figure GDA0003797537650000102
其中,
Figure GDA0003797537650000103
表示化学键;取代的基团G含有一个或多个取代基,所述取代基选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基;且当所述取代的基团G含有多个取代基时,所述取代基相同或者不相同。
可选地,L1和L2分别独立地选自单键或以下基团组成的组:
Figure GDA0003797537650000104
Figure GDA0003797537650000111
在本申请一些实施方式中,所述第一化合物中,Ar1、Ar2分别独立地选自碳原子数为6-25的芳基、碳原子数为5-20的取代或未取代的杂芳基。
可选地,所述Ar1、Ar2中的取代基分别独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1-5的烷基、碳原子数为5-10的环烷基、碳原子数为6-12的芳基、碳原子数为18的三芳基硅基。
在本申请另一些实施方式中,所述第一化合物中,Ar1、Ar2分别独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基。
可选地,所述Ar1、Ar2中的取代基分别独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基、三苯基硅基、环己烷基、金刚烷基。
在本申请一些实施方式中,所述第一化合物中,Ar1、Ar2分别独立地选自取代或未取代的基团G1,其中,未取代的基团G1选自如下基团组成的组:
Figure GDA0003797537650000112
其中,
Figure GDA0003797537650000113
表示化学键;取代的基团G1含有一个或多个取代基,所述取代基选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基、三苯基硅基、环己烷基、金刚烷基;且当所述取代的基团G1含有多个取代基时,所述取代基相同或者不相同。
可选地,Ar1、Ar2分别独立地选自如下基团组成的组:
Figure GDA0003797537650000114
Figure GDA0003797537650000121
在本申请一些实施方式中,所述第一化合物选自如下化合物组成的组:
Figure GDA0003797537650000122
Figure GDA0003797537650000131
Figure GDA0003797537650000141
Figure GDA0003797537650000151
Figure GDA0003797537650000161
Figure GDA0003797537650000171
Figure GDA0003797537650000181
Figure GDA0003797537650000191
Figure GDA0003797537650000201
Figure GDA0003797537650000211
Figure GDA0003797537650000221
Figure GDA0003797537650000231
在本申请一些实施方式中,所述第二化合物选自式3所示的化合物:
Figure GDA0003797537650000241
其中,L4、L5分别独立地选自单键、碳原子数为6-30取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3-30的取代或未取代的亚杂芳基;
L6选自单键、碳原子数为6-30的取代或未取代的亚芳基;
Ar4、Ar5分别独立地选自碳原子数为6-30取代或未取代的芳基、碳原子数为3-30的取代或未取代的杂芳基;
Ar6选自碳原子数为6-30取代或未取代的芳基;
R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15分别独立地选自氢或氘,且R6、R12、R13和R14中的至少两个为氘;
所述L4、L5、L6、Ar1、Ar2、Ar4、Ar5、Ar6中的取代基分别独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为3-12的杂芳基、碳原子数为6-12的芳基、碳原子数为3-12的三烷基硅基、碳原子数为18-24的三芳基硅基、碳原子数为1-10的烷基、碳原子数为1-10的卤代烷基、碳原子数为3-10的环烷基、碳原子数为2-10的杂环烷基、碳原子数为1-10的烷氧基;
任选地,在Ar4、Ar5、Ar6中,任意两个相邻的取代基形成环。
在本申请一些实施方式中,第二化合物选自如下化学式所示的化合物:
Figure GDA0003797537650000242
其中,在式2-4至2-6中,R16为氘,n16选自1、2或3。
优选地,在式2-4至2-6中,R16为氘,n16选自3。
在本申请一些实施方式中,所述第二化合物中,L4、L5分别独立地选自单键、碳原子数为6-12的取代或未取代的亚芳基、碳原子数的12-18的取代或未取代的亚杂芳基。
可选地,L4、L5中的取代基相同或不同,分别独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1-5的烷基、苯基。
在本申请另一些实施方式中,L4、L5分别独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚咔唑基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基。
可选地,L4、L5中的取代基相同或不同,分别独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基。
在本申请另一些实施方式中,L4、L5分别独立地选自单键、L4、L5分别独立地选自单键、取代或未取代基团V,其中,未取代的基团V选自如下基团组成的组:
Figure GDA0003797537650000251
其中,
Figure GDA0003797537650000252
表示化学键;取代的基团V含有一个或多个取代基,所述取代基选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基;且当所述取代的基团V含有多个取代基时,所述取代基相同或者不相同。
可选地,L4、L5分别独立地选自单键或者如下基团组成的组:
Figure GDA0003797537650000253
在本申请一些实施方式中,L6选自单键或亚苯基。
在本申请一些实施方式中,L6选自单键或如下基团组成的组:
Figure GDA0003797537650000254
在本申请一些实施方式中,Ar4、Ar5分别独立地选自碳原子数为6-25取代或未取代的芳基、碳原子数为12-20取代或未取代的亚杂芳基。
可选地,Ar4、Ar5中的取代基相同或不同,分别独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1-5的烷基、碳原子数为6-12的芳基。
任选地,在Ar4、Ar5中,任意两个相邻的取代基形成碳原子数为5-13的饱和或不饱和环。
可选地,在Ar4、Ar5中,任意两个相邻的取代基可以形成环己烷
Figure GDA0003797537650000261
环戊烷
Figure GDA0003797537650000262
苯环、萘环或芴环
Figure GDA0003797537650000263
具体地,Ar4、Ar5中的具体实例包括但不限于:氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基。
在本申请另一些实施方式中,Ar4、Ar5分别独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并噻吩基。
可选地,Ar4、Ar5中的取代基相同或不同,分别独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基。
任选地,在Ar4、Ar5中,任意两个相邻的取代基形成芴环
在本申请一些实施方式中,Ar4、Ar5分别独立地选自取代或未取代的基团W,其中,未取代的基团W选自以下基团组成的组:
Figure GDA0003797537650000264
其中,
Figure GDA0003797537650000265
表示化学键;取代的基团W含有一个或多个取代基,所述取代基选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基;且当所述取代的基团W含有多个取代基时,所述取代基相同或者不相同。
可选地,Ar4、Ar5分别独立地选自如下基团组成的组:
Figure GDA0003797537650000266
Figure GDA0003797537650000271
在本申请一些实施方式中,Ar6为碳原子数为6-20的取代或未取代的芳基。
可选地,Ar6为碳原子数为6-15的取代或未取代的芳基。
可选地,Ar6为碳原子数为6-12的取代或未取代的芳基。
可选地,Ar6中的取代基相同或不同,分别独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1-5的烷基、苯基。
具体地,Ar6中的取代基具体实例包括但不限于:氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基。
在本申请另一些实施方式中,Ar6选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基。
可选地,Ar6中的取代基相同或不同,分别独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基。
在本申请一些实施方式中,Ar6选自如下基团组成的组:
Figure GDA0003797537650000272
在本申请一些实施方式中,所述第二化合物中,R13、R14、R15均为氘或者R6、R11、R12均为氘。
当本申请所述第二化合物R13、R14、R15均为氘或者R6、R11、R12均为氘6均为氘时,第二化合物用于有机电致发光器件的主体材料时,使得器件性能得到明显改善。
在本申请一些实施方式中,所述第二化合物中,R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12均为氘。
在本申请一些具体的实施方式中,当本申请所述第二化合物中,R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12均为氘时,器件具备更低的工作电压、更高的发光效率和使用使用寿命。
可选地,所述第二化合物选自如下化合物组成的组:
Figure GDA0003797537650000281
Figure GDA0003797537650000291
Figure GDA0003797537650000301
Figure GDA0003797537650000311
Figure GDA0003797537650000321
Figure GDA0003797537650000331
Figure GDA0003797537650000341
Figure GDA0003797537650000351
Figure GDA0003797537650000361
Figure GDA0003797537650000371
Figure GDA0003797537650000381
Figure GDA0003797537650000391
Figure GDA0003797537650000401
Figure GDA0003797537650000411
Figure GDA0003797537650000421
Figure GDA0003797537650000431
Figure GDA0003797537650000441
Figure GDA0003797537650000451
Figure GDA0003797537650000461
Figure GDA0003797537650000471
Figure GDA0003797537650000481
Figure GDA0003797537650000491
Figure GDA0003797537650000501
Figure GDA0003797537650000511
Figure GDA0003797537650000521
Figure GDA0003797537650000531
Figure GDA0003797537650000541
Figure GDA0003797537650000551
本申请提供一种有机电致发光器件,该有机电致发光器件包括相对设置的阳极和阴极,阴极、阳极以及有机层。所述有机层包括有机发光层,所述有机发光层包括第一化合物和第二化合物。
在本申请一些实施方式中,第一化合物和第二化合物通过混合,用作有机发光层的主体材料。
在本申请一些实施方式中,本申请对有机发光层中的两类化合物的相对含量没有特别限定,可根据有机电致发光器件的具体应用进行选择。通常地,以两种化合物的总重量为基准,所述第一化合物的质量百分含量可以为1%~99%,所述第二化合物的质量百分含量可以为1%~99%。例如,所述第一化合物与第二化合物的质量比可以为1∶99,20∶80,30∶70,40∶60,45∶65,50∶50,55∶45,60∶40,70:30,80∶20,99∶1等。
在本申请的一些方式中,以两种化合物的总重量为基准,所述第一化合物的质量百分含量为20%~80%,所述第二化合物的质量百分含量为20%~80%。
在一些优选的实施方式中,以两种化合物的总重量为基准,所述第一化合物的质量百分含量为30%~60%,所述第二化合物的质量百分含量为40%~70%。优选地,所述第一化合物的质量百分含量为40%~60%,所述第二化合物的质量百分含量为40%~60%。更优选地,所述第一化合物的质量百分含量为40%~50%,所述第二化合物的质量百分含量为50%~60%。
在本申请一些实施方式中,所述有机电致发光器件为磷光器件。
在本申请的一些具体实施方式中,所述有机电致发光器件为绿色有机电致发光器件。
在本申请一些方式中,有机电致发光器件依次包括阳极(ITO/Ag/ITO)、空穴传输层、空穴辅助层、有机发光层、电子传输层、电子注入层、阴极(Mg-Ag混合物)和有机覆盖层。
在本申请的一种具体实施方式中,如图1所示,本申请的有机电致发光器件包括阳极100、与阳极100相对设置的阴极200、以及介于阳极层与阴极层之间的至少一层有机层300,该有机层300包括依次层叠设置的空穴注入层310、空穴传输层321、空穴辅助层322、有机发光层330、电子传输层350以及电子注入层360。
可选地,在有机发光层330和电子传输层350之间可以设置空穴阻挡层340。有机发光层330可以含有本申请第一方面所述的有机化合物。
可选地,阳极100包括以下阳极材料,其优选地是有助于空穴注入至有机层中的具有大逸出功(功函数,work function)材料。阳极材料具体实例包括:金属如镍、铂、钒、铬、铜、锌和金或它们的合金;金属氧化物如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO);组合的金属和氧化物如ZnO:Al或SnO2:Sb;或导电聚合物如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧基)噻吩](PEDT)、聚吡咯和聚苯胺,但不限于此。在本申请一种具体地实施方式中,阳极选用ITO/Ag/ITO。
可选地,空穴传输层321可以包括一种或者多种空穴传输材料,空穴传输材料可以选自咔唑多聚体、咔唑连接三芳胺类化合物或者其他类型的化合物,本申请对此不做特殊的限定。举例而言,在本申请的一些实施方式中,空穴传输层321由NPB组成。
Figure GDA0003797537650000561
Figure GDA0003797537650000571
可选地,空穴辅助层322可以包括一种或者多种空穴传输材料,空穴传输材料可以选自咔唑多聚体、咔唑连接三芳胺类化合物或者其他类型的化合物,本申请对此不做特殊的限定。举例而言,在本申请的一些实施方式中,空穴辅助层322由HT-7组成。
可选地,在阳极100和空穴传输层321之间还可以设置有空穴注入层310,以增强向第一空穴传输层321注入空穴的能力。空穴注入层310可以选用联苯胺衍生物、星爆状芳基胺类化合物、酞菁衍生物或者其他材料,本申请对此不做特殊的限制。所述空穴注入层310的材料例如可以选自如下化合物或者其任意组合;
Figure GDA0003797537650000572
在本申请的一种实施方式中,空穴注入层310由HAT-CN组成。
可选地,有机发光层330可以由单一发光材料组成,也可以包括主体材料和客体材料。可选地,有机发光层330由主体材料和客体材料组成,注入有机发光层330的空穴和注入有机发光层330的电子可以在有机发光层330复合而形成激子,激子将能量传递给主体材料,主体材料将能量传递给客体材料,进而使得客体材料能够发光。
有机发光层330的主体材料可以为金属螯合类化合物、双苯乙烯基衍生物、芳香族胺衍生物、二苯并呋喃衍生物或者其他类型的材料,本申请对此不做特殊的限制。
有机发光层330的客体材料可以为具有缩合芳基环的化合物或其衍生物、具有杂芳基环的化合物或其衍生物、芳香族胺衍生物或者其他材料,本申请对此不做特殊的限制。客体材料又称为掺杂材料或掺杂剂。按发光类型可以分为荧光掺杂剂和磷光掺杂剂。例如,所述绿光磷光掺杂剂的具体实例包括但不限于,
Figure GDA0003797537650000581
在本申请的一种实施方式中,所述有机电致发光器件为绿色有机电致发光器件,有机电致发光层340的主体材材料第一化合物和第二化合物,客体材料为Ir(ppy)2acac。
电子传输层350可以为单层结构,也可以为多层结构,其可以包括一种或者多种电子传输材料,电子传输材料可以选自苯并咪唑衍生物、噁二唑衍生物、喹喔啉衍生物或者其他电子传输材料,本申请对此不做特殊的限定。举例而言,在本申请的一些实施方式中,电子传输层350可以由ET-01和LiQ组成。所述电子传输层340的材料包含但不限于以下化合物:
Figure GDA0003797537650000582
在本申请的一种实施方式中,电子传输层340可以由ET-1(结构如下文所示)和LiQ组成。
可选地,在有机发光层330和电子传输层350设置空穴阻挡层340。空穴阻挡层可以包括一种或多种空穴阻挡材料,本申请对此不做特殊的限定。
可选地,阴极200包括以下阴极材料,其是有助于电子注入至有机层中的具有小逸出功的材料。阴极材料的具体实例包括:金属如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅或它们的合金;或多层材料如LiF/Al,Liq/Al,LiO2/Al,LiF/Ca,LiF/Al和BaF2/Ca,但不限于此。优选包括包括银和镁的金属电极作为阴极。
可选地,在阴极200和电子传输层350之间还可以设置有电子注入层360,以增强向电子传输层350注入电子的能力。电子注入层360可以包括有碱金属硫化物、碱金属卤化物等无机材料,或者可以包括碱金属与有机物的络合物。在本申请的一些实施方式中,电子注入层360可以包括镱(Yb)。
本申请还提供一种电子装置,该电子装置包括本申请所述的有机电致发光器件。
举例而言,如图2所示,本申请提供的电子装置为第一电子装置400,该第一电子装置400包括上述有机电致发光器件实施方式所描述的任意一种有机电致发光器件。该电子装置可以为显示装置、照明装置、光通讯装置或者其他类型的电子装置,例如可以包括但不限于电脑屏幕、手机屏幕、电视机、电子纸、应急照明灯、光模块等。由于第一电子装置400具有上述有机电致发光器件,因此具有相同的有益效果,本申请在此不再赘述。
下面将结合实施例详细描述本申请,但是,以下描述是用于解释本申请,而不是以任意方式限制本申请的范围。
合成实施例
所属领域的专业人员应该认识到,本申请所描述的化学反应可以用来合适地制备许多本申请的有机化合物,且用于制备本申请的化合物的其它方法都被认为是在本申请的范围之内。例如,根据本申请那些非例证的化合物的合成可以成功地被所属领域的技术人员通过修饰方法完成,如适当的保护干扰基团,通过利用其他已知的试剂除了本申请所描述的,或将反应条件做一些常规的修改。本申请中未提到的合成方法的化合物的都是通过商业途径获得的原料产品。
中间体Sub 1-A1合成
Figure GDA0003797537650000591
将1,3-二溴-5-氯苯(50.0g,184.9mmol),氘代苯硼酸(51.6g,406.8mmol),四(三苯基膦)钯(4.2g,3.6mmol),碳酸钾(76.6g,554.8mmol),四丁基溴化铵(1.1g,3.6mmol),甲苯(400mL),乙醇(200mL)和去离子水(100mL)加入圆底烧瓶中,氮气保护条件下搅拌升温至78℃,反应18小时;将反应混合物降至室温,水洗,分离有机相,使用无水硫酸镁干燥后减压除去溶剂;粗品使用正庚烷作为洗脱剂进行硅胶柱色谱提纯,得到白色固体中间体sub 1-A1(39.6g,收率78%)。
中间体Sub 1-A2的制备
Figure GDA0003797537650000592
Sub 1-A2合成
将5-氯联苯-3-基硼酸(30.0g,129.0mmol),氘代溴苯(23.0g,141.9mmol),四(三苯基膦)钯(2.9g,2.5mmol),碳酸钾(53.5g,387.2mmol),四丁基溴化铵(0.8g,2.5mmol),甲苯(240mL),乙醇(120mL)和去离子水(60mL)加入圆底烧瓶中,氮气保护条件下搅拌升温至78℃,反应16小时;将反应混合物降至室温,水洗,分离有机相,使用无水硫酸镁干燥后减压除去溶剂;粗品使用正庚烷作为洗脱剂进行硅胶柱色谱提纯,得到白色固体中间体sub 1-A2(21.5g,收率62%)。
中间体sub 1-A3的合成:
Figure GDA0003797537650000601
将2-氯-4-碘二苯并呋喃(35.0g,106.5mmol),氘代苯硼酸(14.8g,117.1mmol),四三苯基膦钯(2.4g,2.1mmol),碳酸钾(32.3g,234.3mmol),四丁基溴化铵(0.6g,2.1mmol),甲苯(280mL),水(140mL),乙醇(70mL)加入圆底烧瓶中,氮气保护下,于78℃搅拌反应4小时;降至室温,反应液用甲苯和水分液萃取3次,有机相使用无水硫酸镁干燥,减压除去溶剂得到粗品;以二氯甲烷/正庚烷作为洗脱剂将粗品使用硅胶柱色谱法提纯,得到白色固体化合物中间体sub 1-A3(22.6g,收率75%)。
中间体sub 1-I-A4的合成:
Figure GDA0003797537650000602
将间氯苯硼酸(42.4g,271.5mmol),氘代溴苯(40.0g,246.8mmol),四三苯基膦钯(2.8g,2.4mmol),碳酸钾(68.2g,493.7mmol),四丁基溴化铵(1.5g,4.9mmol),甲苯(320mL),水(160mL),乙醇(80mL)加入圆底烧瓶中,氮气保护下,于78℃搅拌反应12小时;降至室温,反应液用甲苯和水分液萃取3次,有机相使用无水硫酸镁干燥,减压除去溶剂得到粗品;以正庚烷作为洗脱剂将粗品使用硅胶柱色谱法提纯,得到白色固体化合物中间体sub1-I-A4(37.2g,78%)。
中间体sub A-II-A4是我合成
Figure GDA0003797537650000603
将sub1-I-A4(35.0g,180.7mmol),联硼酸频哪醇酯(55.0g,216.8mmol)、Pd(dppf)Cl2(1.3g,1.8mmol)、KOAc(35.4g,361.4mmol),加入1,4-二氧六环(350mL)在100℃温度条件下回流反应12h。当反应结束时,使用二氯甲烷和水进行提取。利用MgSO4来干燥和浓缩有机层,以二氯甲烷和正庚烷作为洗脱剂将粗品使用硅胶柱色谱法提纯,得到白色固体化合物继续用二氯甲烷和正庚烷重结晶进行提纯,获得化合物sub A-II-A4(39.6g,收率:77%)。
Figure GDA0003797537650000611
将sub A-II-A4(19.1g,66.9mmol),2-氯-4-碘二苯并呋喃(20.0g,60.8mmol),四三苯基膦钯(0.7g,0.6mmol),碳酸钾(16.8g,121.7mmol),四丁基溴化铵(0.2g,0.6mmol),甲苯(160mL),水(80mL),乙醇(40mL)加入圆底烧瓶中,氮气保护下,于78℃搅拌反应6小时;降至室温,反应液用甲苯和水分液萃取3次,有机相使用无水硫酸镁干燥,减压除去溶剂得到粗品;以二氯甲烷/正庚烷作为洗脱剂将粗品使用硅胶柱色谱法提纯,得到白色固体化合物中间体sub 1-A4(15.7g,72%)。
参照中间体sub 1-A4的合成方法,使用下表1中反应物A替代间氯苯硼酸,反应物B代替2-氯-4-碘二苯并呋喃,合成下表1中所示的中间体sub 1-AX:
表1:
Figure GDA0003797537650000612
Figure GDA0003797537650000621
中间体Sub A-1合成:
Figure GDA0003797537650000622
将sub 1-A1(35.0g,127.3mmol),吲哚并[2,3-A]咔唑(39.1g,152.8mmol),三(二亚苄基丙酮)二钯(2.3g,2.5mmol),x-phos(2.4g,5.0mmol),叔丁醇钠(30.5g,318.4mmol)和二甲苯(800mL)加入圆底烧瓶中,氮气保护下,于140℃搅拌反应5小时;降至室温,反应液使用甲苯和水分液萃取3次,有机相使用无水硫酸镁干燥,减压除去溶剂,得到粗品;以二氯甲烷/正庚烷作为洗脱剂将粗品使用硅胶柱色谱法提纯,得到黄色固体产物sub A-1(47.2g,收率75%)。
参照中间体sub A-1的合成方法,使用下表2中中间体sub 1-AX替代中间体sub 1-A1,以及反应物C替代吲哚并[2,3-A]咔唑,合成下表所示中间体sub-AX结构。
表2
Figure GDA0003797537650000623
Figure GDA0003797537650000631
化合物A38的合成:
Figure GDA0003797537650000641
将中间体sub A-1(6.0g,12.1mmol),反应物2-(4-联苯基)-4-氯-6-苯基-1,3,5三嗪(6.2g,18.1mmol)和N,N-二甲基甲酰胺(DMF)(90mL)加入圆底烧瓶中,氮气保护下,将体系温度降至-5℃,随后加入60%氢化钠(0.6g,14.5mmol)在室温下继续反应12h;反应完成有黄色固体析出,产物进行充分水洗,少量乙醇淋洗带走水得到粗品;以二氯甲烷/正庚烷重结晶提纯,得到化合物A38(6.5g,收率67%)。
参照化合物1的合成方法,使用下表3中反应物D替代中间体sub A-1,以及反应物E替代2-(4-联苯基)-4-氯-6-苯基-1,3,5三嗪,合成下表3中所示化合物。
表3
Figure GDA0003797537650000642
Figure GDA0003797537650000651
Figure GDA0003797537650000661
Figure GDA0003797537650000671
以上化合物的质谱数据如下表4所示。
表4
Figure GDA0003797537650000672
Figure GDA0003797537650000681
中间体K-1的合成:
Figure GDA0003797537650000682
将1,3-二氯苯-D4(30.0g,198.65mmol)放入四口烧瓶中,控制温度为25摄氏度,将发烟硝酸(13.77g,218.51mmol)和浓硫酸(19.48g,198.65mmol)依次滴加入,滴加完毕,静置分层,分离有机相,加入无水硫酸镁干燥后,减压除去溶剂,得到中间体K-1(30.99g;80%)。
中间体S-1的合成:
Figure GDA0003797537650000683
向干燥并经过氮气置换的500mL圆底烧瓶中,加入S-A(30g,146.41mmol),S-B(18.59g,146.41mmol),四(三苯基膦)钯(8.45g,7.32mmol),四丁基溴化铵(2.36g,7.32mmol),碳酸钾(30.35g,219.62mmol),甲苯(240mL),乙醇(120mL),去离子水(60mL),搅拌条件下升温至75-80℃,保持8h;而后将反应混合物降至室温,加入去离子水(200mL),搅拌15分钟,分离有机相,加入无水硫酸镁干燥后,减压除去溶剂;将所得粗产品使用二氯甲烷/正庚烷作为流动相进行硅胶柱色谱提纯,得到中间体S-1(9.1.g;30%)。
中间体A-1的合成:
Figure GDA0003797537650000684
向干燥并经过氮气置换的500mL圆底烧瓶中,加入2,4-二氯硝基苯(30g,156.26mmol),2-联苯硼酸(34.04g,171.88mmol),四(三苯基膦)钯(3.6g,3.12mmol),四丁基溴化铵(1.00g,3.13mmol),碳酸钾(64.79g,468.77mmol),甲苯(240mL),乙醇(120mL),去离子水(60mL),搅拌条件下升温至75-80℃,保持8h;而后将反应混合物降至室温,加入去离子水(200mL),搅拌15分钟,分离有机相,加入无水硫酸镁干燥后,减压除去溶剂;将所得粗产品使用1:6二氯甲烷/正庚烷作为流动相进行硅胶柱色谱提纯,得到中间体A-1(33.87g;70%)。
参照中间体A-1的合成方法,以下表5中原料1代替2,4-二氯硝基苯,SM-X替代2-联苯硼酸,合成下表5中的中间体A-X:
表5
Figure GDA0003797537650000691
Figure GDA0003797537650000701
中间体B-1的合成
Figure GDA0003797537650000702
向干燥并经过氮气置换的圆底烧瓶中,加入中间体A-1(30g,96.85mmol),三苯基膦(63.51g,242.14mmol),邻二氯苯(300mL),搅拌条件下升温至170℃,保持18h;而后将反应混合物降至室温,常压蒸馏除去邻二氯苯,加入去甲苯(200mL),搅拌15分钟,后减压除去溶剂;将所得粗产品使用二氯甲烷/正庚烷作为流动相进行硅胶柱色谱提纯,得到中间体B-1(13.45g;50%)。
参照中间体B-1合成方法,以中间体A-X代替中间体A-1合成下表6中的中间体B-X:
表6
Figure GDA0003797537650000711
Figure GDA0003797537650000721
Figure GDA0003797537650000731
中间体C-1的合成
Figure GDA0003797537650000732
向干燥并经过氮气置换的圆底烧瓶中,加入中间体B-1(15g,54.0mmol),碘苯(16.53g,81.0mmol),碘化亚铜(1.03g,5.4mmol),碳酸钾(18.63g,135.01mmol),邻菲罗啉(0.54g,2.7mmol),18-冠醚-6(1.43g,5.4mmol),DMF(150mL),搅拌条件下升温至150℃,保持16h;而后将反应混合物降至室温,加入乙酸乙酯(200mL)和去离子水(200mL),搅拌15分钟,分离有机相,加入无水硫酸镁干燥后,减压除去溶剂;将所得粗产品使用二氯甲烷/正庚烷作为流动相进行硅胶柱色谱提纯,得到中间体C-1(12.4g;65%)。
参照中间体C-1的合成方法,以下表7中的中间体B-X代替中间体B-1,原料2替代碘苯,合成下表7中的中间体C-X:
表7
Figure GDA0003797537650000733
Figure GDA0003797537650000741
Figure GDA0003797537650000751
Figure GDA0003797537650000761
Figure GDA0003797537650000771
Figure GDA0003797537650000781
Figure GDA0003797537650000791
中间体CM-1的合成
Figure GDA0003797537650000801
向干燥并经过氮气置换的圆底烧瓶中,加入中间体C-24(20g,56.04mmol),联硼酸频哪醇酯(21.35g,84.06mmol),三(二亚苄基丙酮)二钯(1.54g,1.68mmol),醋酸钾(11.00g,112.09mmol),2-二环己基磷-2’,4,’6’-三异丙基联苯(1.60g,3.36mmol),1,4-二氧六环(200mL),搅拌条件下升温至100℃,保持16h;而后将反应混合物降至室温,加入乙酸乙酯(200mL)和去离子水(200mL),搅拌15分钟,分离有机相,加入无水硫酸镁干燥后,减压除去溶剂;将所得粗产品使用二氯甲烷/正庚烷作为流动相进行硅胶柱色谱提纯,得到CM-1(17.6g;70%)。
参照CM-1的合成方法,以下表8中中间体C-25代替中间体C-24,合成下表8中的中间体CM-2:
表8
Figure GDA0003797537650000802
中间体D-1的合成
Figure GDA0003797537650000803
向干燥并经过氮气置换的圆底烧瓶中,加入氘代咔唑(20g,114.12mmol),N-溴代丁二酰亚胺(NBS)(50.78g,285.29mmol),DMF(200mL),搅拌条件下室温搅拌,保持16h;而后向反应混合物中,加入乙酸乙酯(200mL)和去离子水(200mL),分离有机相,加入无水硫酸镁干燥后,减压除去溶剂,得到中间体D-1(12.42g;43%)。
中间体E-1的合成
Figure GDA0003797537650000804
向干燥并经过氮气置换的圆底烧瓶中,加入中间体D-1(10g,39.50mmol),碘苯(12.08g,59.25mmol),碘化亚铜(0.75g,3.95mmol),碳酸钾(13.65g,98.76mmol),邻菲罗啉(0.39g,1.98mmol),18-冠醚-6(1.04g,3.95mmol),DMF(100mL),搅拌条件下升温至150℃,保持16h;而后将反应混合物降至室温,加入乙酸乙酯(200mL)和去离子水(200mL),搅拌15分钟,分离有机相,加入无水硫酸镁干燥后,减压除去溶剂;将所得粗产品使用二氯甲烷/正庚烷作为流动相进行硅胶柱色谱提纯,得到中间体E-1(6.89g;53%)。
参照中间体E-1的合成方法,以下表9中原料3替代碘苯,合成下表9中的中间体E-X:
表9
Figure GDA0003797537650000811
Figure GDA0003797537650000821
Figure GDA0003797537650000831
中间体F-1的合成
Figure GDA0003797537650000832
将中间体E-1(10g,30.37mmol)加入盛有THF(100ml)的三口瓶中,-80℃下滴加正丁基锂(2.07g,31.89mmol),滴加完后保温1h后滴加硼酸三甲酯(4.73g,45.56mmol),继续保温1h后升温至室温搅拌过夜。加入盐酸(2mol/L)调节PH至中性,后过滤得白色粗品,用正庚烷打浆得中间体F-1(5.36g,收率60%)。
参照中间体F-1的合成方法,以下表10中原料4替代E-1,合成下表10中的中间体F-X:
表10
Figure GDA0003797537650000833
Figure GDA0003797537650000841
Figure GDA0003797537650000851
化合物221的合成
Figure GDA0003797537650000852
向干燥并经过氮气置换的圆底烧瓶中,加入中间体C-1(10g,28.26mmol),中间体F-1(8.72g,29.67mmol),醋酸钯(0.06g,0.28mmol),x-phos(0.27g,0.56mmol),碳酸钾(7.81g,56.52mmol),甲苯(80mL),乙醇(40mL),去离子水(20mL),搅拌条件下升温至75-80℃,保持8h;而后将反应混合物降至室温,加入去离子水(200mL),搅拌15分钟,分离有机相,加入无水硫酸镁干燥后,减压除去溶剂;将所得粗产品使用二氯甲烷/正庚烷作为流动相进行硅胶柱色谱提纯,得到化合物221(12.03g;75%)。
参照化合物221的合成的方法,以下表11中原料C替代中间体C-1,原料F替代中间体F-1,合成下表11中的化合物:
表11
Figure GDA0003797537650000853
Figure GDA0003797537650000861
Figure GDA0003797537650000871
Figure GDA0003797537650000881
Figure GDA0003797537650000891
Figure GDA0003797537650000901
Figure GDA0003797537650000911
Figure GDA0003797537650000921
Figure GDA0003797537650000931
Figure GDA0003797537650000941
Figure GDA0003797537650000951
对以上合成化合物进行质谱分析,得到数据如下表12所示:
表12
Figure GDA0003797537650000952
Figure GDA0003797537650000961
部分化合物的核磁数据如下表13所示
表13
Figure GDA0003797537650000962
有机电致发光器件制备及评估
实施例1:绿色有机电致发光器件
通过以下过程制备阳极:将
Figure GDA0003797537650000963
总厚度为
Figure GDA0003797537650000964
的ITO基板切割成40mm(长)×40mm(宽)×0.7mm(厚)的尺寸,采用光刻工序,将其制备成具有阴极、阳极以及绝缘层图案的实验基板,并可利用紫外臭氧以及O2:N2等离子进行表面处理,以增加阳极的功函数,并可采用有机溶剂清洗ITO基板表面,以清除ITO基板表面的杂质及油污。
在实验基板(阳极)上真空蒸镀HAT-CN以形成厚度为
Figure GDA0003797537650000965
的空穴注入层(HIL),然后在空穴注入层上真空蒸镀NPB,以形成厚度为
Figure GDA0003797537650000966
的空穴传输层。
在空穴传输层上真空蒸镀TAPC,形成厚度为
Figure GDA0003797537650000967
的空穴辅助层。
接着,在空穴辅助层上,将化合物285(第二化合物)和化合物A6(第一化合物)以将以60%:40%的质量百分比共同蒸镀作为发光层主体,同时以8%的掺杂比例混合共蒸客体材料Ir(ppy)2acac,形成厚度为
Figure GDA0003797537650000968
的绿光发光层(EML)
在发光层上,将化合物ET-1和LiQ以1:1的重量比进行混合并蒸镀形成
Figure GDA0003797537650000972
厚的电子传输层(ETL),将Yb蒸镀在电子传输层上以形成厚度为
Figure GDA0003797537650000973
的电子注入层(EIL),然后将镁(Mg)和银(Ag)以1:9的蒸镀速率混合,真空蒸镀在电子注入层上,形成厚度为
Figure GDA0003797537650000974
的阴极。
此外,在上述阴极上真空蒸镀厚度为
Figure GDA0003797537650000975
的CP-1,从而完成绿色有机电致发光器件的制造。
实施例2-实施例56:
除了在制备发光层时,以表14中的化合物组合替代实施例1中的发光层主体化合物组合之外,利用与实施例1相同的方法制备有机电致发光器件。
比较例1-比较例4
除了在制备发光层时,以表15中的化合物组合替代实施例1中的发光层主体化合物组合之外,利用与实施例1相同的方法制备有机电致发光器件。
其中,在制备有机电致发光器件时,比较例与实施例所使用的各个材料的结构如下:
Figure GDA0003797537650000971
对实施例1-56和比较例1-4制备所得的绿色有机电致发光器件进行性能测试,具体在10mA/cm2的条件下测试了器件的IVL性能,T95器件寿命在20mA/cm2的条件下进行测试,测试结果展示在下表14中。
表14
Figure GDA0003797537650000981
Figure GDA0003797537650000991
根据表14的结果可知,本申请实施例相比于比较例1-4,电流效率Cd/A至少提高了16.2%,寿命至少提高了22.8%。
由上述结果可知,本申请提供一种由特定发光层主体材料组合的有机电致发光器件,相比于比较例1~4,器件性能得到了明显的改善。
实施例57-实施例58
除了在制备发光层时,以表15中的发光层主体化合物混合比例(质量百分比)替代实施例1中的发光层主体化合物混合比例之外,利用与实施例1相同的方法制备有机电致发光器件。
实施例59-实施例60
除了在制备发光层时,以表15中的发光层主体化合物混合比例(质量百分比)替代实施例2中的发光层主体化合物混合比例之外,利用与实施例2相同的方法制备有机电致发光器件。
表15
Figure GDA0003797537650000992
参照上表16,相较于实施例1和实施例2,实施例57~60改变了发光层主体化合物混合的质量比例。具体来说,实施例1与实施例57和实施例58相比,电流效率至少提高了7.5%。类似地,实施例2与实施例59和实施例60相比,电流效率至少提高了8.8%。因此,在不同的发光层主体化合物混合比例间,本申请第二化合物和第一化合物的质量比为60%:40%时,器件性能最优。
本申请有机电致发光器件,由的具有强电子特性的第一化合物和具有相对强的空穴特性的第二化合物构成,以调节电荷平衡,从而使得有机电致发光器件具有优异的特性。用于有机电致发光器件的第二化合物,使用特定3,3位连接的双咔唑作为母核,双咔唑连接键的邻位中至少两个进行氘代,且其中一个的咔唑环上连接芳基,双咔唑上连接供电子基团,这样特定的组合,不仅使得咔唑基团之间的扭曲角度减小,共轭性提高,从而提升了主体材料空穴迁移率以及电荷传输平衡性。
其次,本申请所用的两类材料上同时引入氘代基团,能够缩小化合物分子体积,降低两种化合物间的分子间距,提升载流子传输效率,从而显著提升材料的堆叠特性以及化学稳定性;使用上述两种材料作为绿色有机电致发光器件的混合主体材料,能够降低有机电致发光器件的工作电压,提升的发光效率以及寿命。

Claims (8)

1.一种有机电致发光器件,包括阴极、阳极以及有机层;
其中,所述阴极和所述阳极相对设置;
所述有机层位于所述阴极和所述阳极之间;
所述有机层包括有机发光层;
所述有机发光层包括第一化合物和第二化合物;
所述第一化合物选自式1所示的化合物:
Figure FDA0003764885550000011
X1,X2,X3分别独立地选自C(H)或N,且至少一个选自N;
各基团A分别独立地选自氢或式1-A,e为D的个数,选自0、1、2、3、4、5;且至少一个基团A选自式1-A;
a为A的个数,选自1、2、3、4、5、6或7;
各R1、R2、R3、R4、R5分别独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1-10的烷基;
n1表示取代基R1的个数,n1选自0、1、2、3或4,当n1大于1时,任意两个R1相同或不同;
n2表示取代基R2的个数,n2选自0、1或2,当n2大于1时,任意两个R2相同或不同;
n3表示取代基R3的个数,n3选自0、1、2、3或4,当n3大于1时,任意两个R3相同或不同;
n4表示取代基R4的个数,n4选自0、1、2、3或4,当n4大于1时,任意两个R4相同或不同;
n5表示取代基R5的个数,n5选自0、1、2、3、4或5,当n5大于1时,任意两个R5相同或不同;
D为氘;
L选自单键、亚苯基;
L1、L2、各L3分别独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代亚咔唑基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基;
所述L1、L2、各L3中的取代基分别独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基;
Ar1、Ar2分别独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基;
所述Ar1、Ar2中的取代基分别独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基、三苯基硅基、环己烷基、金刚烷基;
X选自O或S;
m选自0或1;
所述第二化合物选自式2所示的化合物:
Figure FDA0003764885550000021
其中,L4、L5分别独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚咔唑基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基;
所述L4、L5中的取代基相同或不同,分别独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基;
L6选自单键或亚苯基;
Ar4、Ar5分别独立地选自取代或未取代的基团W,其中,未取代的基团W选自以下基团组成的组:
Figure FDA0003764885550000022
其中,
Figure FDA0003764885550000023
表示化学键;取代的基团W含有一个或多个取代基,所述取代基选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基;且当所述取代的基团W含有多个取代基时,所述取代基相同或者不相同;
Ar6选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基;
R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15分别独立地选自氢或氘,且R6、R12、R13和R14中的至少两个为氘;
R16选自氢或氘;
n16为R16的个数,选自1、2或3,当n16大于1时,任意两个R16相同或不同;
所述Ar6中的取代基相同或不同,分别独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其中,所述第一化合物中,Ar1、Ar2分别独立地选自取代或未取代的基团G1,其中,未取代的基团G1选自如下基团组成的组:
Figure FDA0003764885550000031
其中,
Figure FDA0003764885550000032
表示化学键;取代的基团G1含有一个或多个取代基,所述取代基选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基、三苯基硅基、环己烷基、金刚烷基;且当所述取代的基团G1含有多个取代基时,所述取代基相同或者不相同。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其中,所述第一化合物选自如下化合物组成的组:
Figure FDA0003764885550000033
Figure FDA0003764885550000041
Figure FDA0003764885550000051
Figure FDA0003764885550000061
Figure FDA0003764885550000071
Figure FDA0003764885550000081
Figure FDA0003764885550000091
Figure FDA0003764885550000101
Figure FDA0003764885550000111
Figure FDA0003764885550000121
Figure FDA0003764885550000131
Figure FDA0003764885550000141
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其中,所述第二化合物中,Ar4、Ar5分别独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并噻吩基。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件,其中,Ar4、Ar5中的取代基相同或不同,分别独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基;
任选地,在Ar4、Ar5中,任意两个相邻的取代基形成芴环。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其中,所述第二化合物中,R13、R14、R15均为氘或者R6、R11、R12均为氘;
或者,所述第二化合物中,R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12均为氘。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其中,所述第二化合物选自如下化合物组成的组:
Figure FDA0003764885550000151
Figure FDA0003764885550000161
Figure FDA0003764885550000171
Figure FDA0003764885550000181
Figure FDA0003764885550000191
Figure FDA0003764885550000201
Figure FDA0003764885550000211
Figure FDA0003764885550000221
Figure FDA0003764885550000231
Figure FDA0003764885550000241
Figure FDA0003764885550000251
Figure FDA0003764885550000261
Figure FDA0003764885550000271
Figure FDA0003764885550000281
Figure FDA0003764885550000291
Figure FDA0003764885550000301
Figure FDA0003764885550000311
Figure FDA0003764885550000321
Figure FDA0003764885550000331
Figure FDA0003764885550000341
Figure FDA0003764885550000351
Figure FDA0003764885550000361
Figure FDA0003764885550000371
Figure FDA0003764885550000381
Figure FDA0003764885550000391
Figure FDA0003764885550000401
Figure FDA0003764885550000411
Figure FDA0003764885550000421
8.一种电子装置,其特征在于,包括权利要求1-7任意一项所述的有机电致发光器件。
CN202111486171.6A 2021-11-18 2021-12-07 有机电致发光器件及电子装置 Active CN114267813B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US18/039,931 US12102003B2 (en) 2021-11-18 2022-02-14 Organic electroluminescent devices and electronic apparatus
PCT/CN2022/076245 WO2023087557A1 (zh) 2021-11-18 2022-02-14 有机电致发光器件及电子装置
JP2023536464A JP7554519B2 (ja) 2021-11-18 2022-02-14 有機エレクトロルミネッセンスデバイス及び電子装置
KR1020237019680A KR102600406B1 (ko) 2021-11-18 2022-02-14 유기 전계 발광 소자 및 전자 장치

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2021113673902 2021-11-18
CN202111367390 2021-11-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114267813A CN114267813A (zh) 2022-04-01
CN114267813B true CN114267813B (zh) 2022-10-18

Family

ID=80826449

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111486171.6A Active CN114267813B (zh) 2021-11-18 2021-12-07 有机电致发光器件及电子装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US12102003B2 (zh)
JP (1) JP7554519B2 (zh)
KR (1) KR102600406B1 (zh)
CN (1) CN114267813B (zh)
WO (1) WO2023087557A1 (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103502243A (zh) * 2011-03-08 2014-01-08 罗门哈斯电子材料韩国有限公司 新有机电致发光化合物和使用该化合物的有机电致发光器件
CN110294703A (zh) * 2018-03-21 2019-10-01 三星Sdi株式会社 用于有机光电器件的组合物、有机光电器件及显示器件
CN113501823A (zh) * 2021-04-01 2021-10-15 陕西莱特光电材料股份有限公司 主体材料组合物和有机电致发光器件及电子装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6894913B2 (ja) 2016-09-30 2021-06-30 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 有機電界発光素子
CN110088926B (zh) * 2016-11-16 2021-07-27 保土谷化学工业株式会社 有机电致发光元件
KR20200002885A (ko) 2017-04-27 2020-01-08 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 유기 전계 발광 소자
US11767315B2 (en) * 2018-06-14 2023-09-26 Lg Chem, Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including same
KR20210058523A (ko) * 2019-11-14 2021-05-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102503221B1 (ko) 2019-11-21 2023-02-27 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102193015B1 (ko) 2020-03-11 2020-12-18 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
JP2024510490A (ja) * 2021-04-01 2024-03-07 三星エスディアイ株式会社 有機光電子素子用組成物、有機光電子素子および表示装置
WO2023282603A1 (ko) * 2021-07-06 2023-01-12 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
EP4369901A2 (en) * 2021-07-06 2024-05-15 Samsung SDI Co., Ltd. Composition for organic optoelectronic diode, organic optoelectronic diode, and display device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103502243A (zh) * 2011-03-08 2014-01-08 罗门哈斯电子材料韩国有限公司 新有机电致发光化合物和使用该化合物的有机电致发光器件
CN110294703A (zh) * 2018-03-21 2019-10-01 三星Sdi株式会社 用于有机光电器件的组合物、有机光电器件及显示器件
CN113501823A (zh) * 2021-04-01 2021-10-15 陕西莱特光电材料股份有限公司 主体材料组合物和有机电致发光器件及电子装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023551739A (ja) 2023-12-12
US20230397493A1 (en) 2023-12-07
US12102003B2 (en) 2024-09-24
KR20230107311A (ko) 2023-07-14
CN114267813A (zh) 2022-04-01
WO2023087557A1 (zh) 2023-05-25
JP7554519B2 (ja) 2024-09-20
KR102600406B1 (ko) 2023-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113501800B (zh) 有机电致发光材料、电子元件及电子装置
CN114105992B (zh) 含氮化合物及包含其的有机电致发光器件和电子装置
CN112110825B (zh) 一种芳胺化合物、使用其的电子元件及电子装置
CN114195700B (zh) 有机化合物及包含该有机化合物的有机电致发光器件和电子装置
CN113285038B (zh) 一种有机电致发光器件及电子装置
CN113480540B (zh) 一种有机化合物以及使用其的电子元件和电子装置
CN113801026B (zh) 含氮化合物及包含其的电子元件和电子装置
CN113735861A (zh) 有机化合物及使用其的电子元件和电子装置
CN113200992A (zh) 含氮化合物、有机电致发光器件和电子装置
CN114075176A (zh) 含氮化合物、有机电致发光器件和电子装置
CN115784904A (zh) 含氮化合物和电子元件及电子装置
CN115304615A (zh) 杂环化合物及有机电致发光器件和电子装置
CN114133351B (zh) 含氮化合物及包含其的电子元件和电子装置
CN115109051A (zh) 芳胺化合物及有机电致发光器件和电子装置
CN114335399A (zh) 有机电致发光器件及包括其的电子装置
CN114335367B (zh) 有机电致发光器件及电子装置
CN113764604B (zh) 一种组合物及包含其的电子元件和电子装置
CN115557937A (zh) 含氮化合物及包含其的有机电致发光器件和电子装置
CN114267813B (zh) 有机电致发光器件及电子装置
CN118005621B (zh) 含氮化合物及有机电致发光器件和电子装置
WO2024131005A1 (zh) 有机化合物、有机电致发光器件和电子装置
CN117603209A (zh) 有机化合物及包含其的有机电致发光器件和电子装置
CN113972332A (zh) 有机电致发光器件及包括其的电子装置
CN118206552A (zh) 有机化合物、有机电致发光器件和电子装置
CN118890949A (zh) 有机电致发光器件和电子装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20220511

Address after: 102200 room 111, room 101, floor 1-4, building 8, yard 12, Changsheng Road, science and Technology Park, Changping District, Beijing

Applicant after: Beijing Laite Zhongcheng photoelectric material technology Co.,Ltd.

Address before: Building 3, building 3, No. 99, Longfeng Road, hi tech Zone, Xi'an City, Shaanxi Province

Applicant before: SHAANXI LIGHTE OPTOELECTRONICS MATERIAL Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20240517

Address after: Building 3, building 3, No. 99, Longfeng Road, hi tech Zone, Xi'an City, Shaanxi Province

Patentee after: SHAANXI LIGHTE OPTOELECTRONICS MATERIAL Co.,Ltd.

Country or region after: China

Address before: 102200 room 111, room 101, floor 1-4, building 8, yard 12, Changsheng Road, science and Technology Park, Changping District, Beijing

Patentee before: Beijing Laite Zhongcheng photoelectric material technology Co.,Ltd.

Country or region before: China

TR01 Transfer of patent right