CN102470638A - 具有稳定黄光发射层的oled器件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种OLED器件,所述OLED器件包含阳极、阴极和位于所述阳极与阴极间的黄光发射层,所述光发射层包含9,10-二芳基蒽主体;黄光发射性5,6,11,12-四苯基并四苯衍生物,其中至少一个苯基经进一步取代;和非发光性经二芳基胺取代的9,10-二芳基取代的蒽稳定剂。本发明的器件能够在保持优异的颜色的同时提供诸如稳定性和效率等特征的改善。
Description
相关申请的交叉引用
引用了以下共同转让的申请:Kevin P.Klubek等于2007年1月30日递交的题为“OLEDS Having High Efficiency and Excellent Lifetime”的美国专利申请第11/668,515号(美国专利申请公开第2008/0182129号)和Marina E.Kondakov等于2009年2月27日递交的题为“OLED Device With Stabilized Green Light-Emitting Layer”的美国专利申请第12/394,935号,将上述申请的内容并入本说明书中。
技术领域
本发明涉及电致发光(EL)器件,更具体而言,涉及具有以下黄光发射层的有机发光二极管(OLED)器件,所述黄光发射层含有9,10-二芳基蒽主体、作为发光掺杂剂的经取代的红荧烯和经二芳基氨基取代的9,10-二芳基取代的蒽稳定剂。
背景技术
虽然有机电致发光(EL)器件为人所知已经超过20年,但其性能限制已成为多种合意应用的障碍。在其最简单形式中,有机发光器件(OLED)(也称为有机电致发光器件或有机内部结点发光器件)包含由有机发光结构体(也称为有机EL介质)分开的间隔电极,所述有机发光结构体响应于电极间施加的电势差而发光。至少一个所述电极是透光性的,并且有机发光结构体可具有多层有机薄膜,提供该多层有机薄膜分别用于从阳极注入和输送空穴,以及从阴极注入和输送电子,而发光源于在空穴输送薄膜和电子输送薄膜间的界面处形成的内结点处的电子-空穴复合。
近年来,EL器件已扩展到不仅包括诸如红色、绿色和蓝色等单色发光器件,还包括白色器件,即发射白光的器件。高效的白光产生OLED器件在工业中是高度合意的,并且被认为是若干应用(例如超薄光源、LCD显示器中的背光灯、车顶灯和办公室照明)中的低成本替代物。白光产生OLED器件应当明亮、高效并通常具有约(0.33,0.33)的国际照明委员会(CIE)1931色度坐标。在本发明的任何情况下,白光是经使用者感知认为具有白色的光。产生白光的常用颜色组合是红色、绿色和蓝色;蓝绿色和橙色;蓝色和黄色,不过还已知其他组合。
从早期发明至今,器件材料的进一步改善已经在诸如颜色、稳定性、发光效率和可制造性等属性中获得了改善的性能,例如美国专利第5,061,569号、第5,409,783号、第5,554,450号、第5,593,788号、第5,683,823号、第5,908,581号、第5,928,802号、第6,020,078号和第6,208,077号等中公开的那样。
尽管有了全部这些发展,但对于有机EL器件组件,如在保持高发光效率、长寿命以及高颜色纯度的同时还将提供更低的器件驱动电压并由此提供较低功耗的黄光发射层存在持续的需求。这样的黄光发射层可用于白光产生OLED中。
共同转让的美国专利申请公开第2008/0182129号公开了具有以下光发射层的OLED器件,所述光发射层含有蒽主体、经氨基取代的蒽掺杂剂,并且可包含额外的掺杂剂(包括并四苯)。
美国专利申请公开第2009/0001874号、第2008/0286445号以及EP1182183和WO2005029607均公开了其中光发射层可包含蒽、经氨基取代的蒽、并四苯和其他材料的OLED。
美国专利申请公开第2005/0079381号公开了具有以下光发射层的OLED,所述光发射层含有主体、发光掺杂剂和第一发光助掺杂剂(并四苯)。可以存在第二发光助掺杂剂,其为胺。
美国专利第6,951,693号、美国专利申请公开第2005/0153163号、第2007/0134512号、第2005/0260422号、第2006/0127698号、第2004/0209118号、第2007/059556号以及JP2003146951、KR2009046731、WO2007021117、WO2009061156、WO2009061145、WO2008013399、WO2007081179和WO2007058503已经描述了OLED器件中的经二芳基氨基取代的9,10-二芳基蒽。
已知苯基经取代的5,6,11,12-四苯基并四苯(红荧烯)衍生物为黄光发射体,参见美国专利第6,387,547号、第7,052,785号、第6,613,454号、美国专利申请公开第2005/0079381号和JP10289786。
然而,这些器件在高亮度、低驱动电压和足够的工作稳定性方面并不一定具有全部所需的EL特性。尽管有了全部这些发展,但仍需要改善效率、降低OLED器件的驱动电压并提供具有其他改进特征的实施方式。
发明内容
本发明提供一种OLED器件,所述OLED器件包含阳极、阴极和位于所述阳极与阴极间的黄光发射层,所述光发射层包含:
(a)9,10-二芳基蒽主体;
(b)式(2)所示的黄光发射性并四苯:
其中:
Ar1和Ar2为独立选择的苯基;
R1和R2独立地选自烷基或芳基,其中n和m独立地选自0、1和2;并且
R3和R4独立地选自氢、烷基、芳基或杂芳基,其中o和p独立地选自0或1,条件是o和p不同时为0;和
(c)式(3)所示的不发光性经二芳基胺取代的9,10-二芳基取代的蒽:
其中:
X1和X2为独立选择的具有6~30个芳核碳原子的芳基;
Ar1、Ar2、Ar3和Ar4各自独立地表示经取代或未经取代的具有6~30个芳核碳原子的芳基,其中Ar1和Ar2、或者Ar3和Ar4连接或不连接到一起;并且
n是1或2。
本发明的器件提供了以下特征的改善,如稳定性提高、效率提高或驱动电压降低,或者上述改善的组合。
附图说明
图1显示了本发明的OLED器件的一个实施方式的截面示意图。应理解的是,图1并不符合比例,因为单个层过薄且各层的厚度差过大以致于不能按比例绘制;和
图2显示了比较例OLED器件和发明例OLED器件的归一化EL光谱。
具体实施方式
本发明总体上如上所述。本发明的OLED器件是多层电致发光器件,其含有阴极、阳极、一个或多个光发射层(LEL)、一个或多个电子输送层(ETL)和一个或多个电子注入层(EIL),并可选地含有额外的层,例如一个或多个空穴注入层、一个或多个空穴输送层、一个或多个激子阻挡层、一个或多个间隔层、一个或多个连接层和一个或多个空穴阻挡层。
本发明的光发射层发射黄光。通常认为黄光是波长为约570nm~580nm的光,但稍长或稍短波长的适当混合光也会呈现黄色。以CIE色度坐标而言,黄光通常在约(0.5,0.5)的范围,其中CIEx为0.48~0.52,CIEy为(0.47~0.52)。
本发明的光发射层的主体是9,10-二芳基蒽。通常理解主体材料是非发射性的;即,产生很小量(小于总量的10%)的该层所产生的光。9,10-二芳基蒽,特别是当其不具有胺取代基时,通常发射蓝光。在黄光层中,蒽发出光的量(如果有的话)通过检查发出光的光谱可以容易地确定。
本发明的蒽主体如式(1)所示。
在式(1)中,R1和R6各自独立地表示具有6~24个碳原子的芳基,例如苯基或萘基。R2~R5和R7~R10各自独立地选自氢、1~24个碳原子的烷基或5~24个碳原子的芳香基(包括杂环芳香基)。在有用的主体中,蒽核不应直接取代有杂原子。
在一个适合的实施方式中,R1和R6各自代表独立选择的苯基、联苯基或萘基。R3代表氢或6~24个碳原子的芳香基。R2、R4、R5、R7~R10代表氢。
以下列出了有用的蒽主体的示例。
本发明的光发射层含有黄光发射性并四苯。并四苯(也称为萘并萘)包含以线性方式稠合在一起的4个苯基的核(core),并且不包含任何额外稠合至该核的芳香环。一种具体的并四苯衍生物是红荧烯,其为5,6,11,12-四苯基并四苯。红荧烯不是本发明的并四苯。本发明的并四苯是在5、6、11、12苯基中的至少一个、优选为至少两个上具有至少一个取代基的红荧烯衍生物。并四苯应当提供本发明的层的多于90%的总光输出,有利的是不能探测到来自蒽主体的输出,且来自稳定剂的输出少于约10%,并且光谱输出不应当因蒽主体和稳定剂的存在而受到显著干扰。光谱数据的显著变化可使用发射最大值(λmax)的偏移来定义。λmax偏移约10nm可认为是可忽略不计的光谱变化。
黄光发射性并四苯如式(2)所示:
其中Ar1和Ar2为独立选择的苯基,R1和R2独立地选自烷基或芳基,其中n和m独立地选自0、1和2,并且R3和R4独立地选自氢、烷基、芳基或杂芳基,其中o和p独立地选自0或1,条件是o和p不同时为0。
在式(2)中,Ar1和Ar2表示经取代或未经取代的苯环。对这些苯环而言,合适的非氢取代基是:烷基,优选为叔烷基,如叔丁基;芳基,优选为苯基;烯基,如苯乙烯基(-CH=CH-C6H5);炔基,如-C≡C-C6H5;氟;氨基,如二苯基氨基;或烷氧基,如甲氧基。
R1和R2独立地选自烷基,优选叔烷基,如叔丁基;或者芳基,优选为苯基或萘基。这些基团可以经取代或未经取代。优选的是n和m均为0或均为1。如果n或m是2以使得存在两个相邻的取代基,那么R1和R2可选地可稠合在一起以形成如环己基等非芳香环。不过,并四苯核上的相邻取代基不应形成额外的稠合芳香环。
R3和R4各自为位于5,11(或者6,12)-苯基上的单个取代基,优选位于并四苯核的对位。烷基或芳基取代基与R1和R2中所述相同。杂芳基包含至少一个杂原子作为芳香环的一部分。杂芳基不应当通过杂原子连接至并四苯核。合适的杂芳基的实例是苯并噻唑、苯并咪唑、苯并二唑(benzoxadiazoleole)、吡咯、嘌呤、菲咯啉、吡啶、噻吩、喹啉和异喹啉。这些杂芳基可以进一步进行取代。优选的是苯并噻唑基,特别是6-甲基苯并噻唑-2-基。
存在两种优选形式的有用的并四苯衍生物。第一种是式(2a)所示的并四苯:
其中,Ar1、Ar2、R3和R4与式(2)中所述相同。优选的是R3和R4相同并且位于并四苯核的对位。Ar1和Ar2最优选的取代基是未经取代的苯基。R3和R4最优选的取代基是杂芳基,特别是苯并噻唑。
第二种优选形式的并四苯如式(2b)所示:
其中,Ar1和Ar2与式(2)中所述相同,并且R1、R2、R3和R4均为相同的烷基或芳基。最优选的是R1、R2、R3和R4均为叔烷基。最优选的是Ar1和Ar2基是联苯基。
式(2)所示的化合物的一些示例如下:
本发明的光发射层还包含经二芳基胺取代的9,10-二芳基蒽作为非发光性稳定剂。经二芳基胺取代的9,10-二芳基蒽通常发射绿光。为了降低或避免经二芳基胺取代的9,10-二芳基蒽发光,稳定剂应当以使其激发态能量高于黄光发射性并四苯的激发态能量的方式进行选择。稳定剂发出绿光的量不应显著;换言之,不多于该层发出的总光量的10%,优选的是不多于该总光量的约5%。在黄光层中,经氨基取代的蒽发出光的量通过检查发出光的光谱可以容易地确定。
经二芳基胺取代的9,10-二芳基取代的蒽如式(3)所示:
其中,X1和X2为独立选择的具有6~30个芳核碳原子的芳基;Ar1、Ar2、Ar3和Ar4各自独立地表示经取代或未经取代的具有6~30个芳核碳原子的芳基,其中Ar1和Ar2、或者Ar3和Ar4连接或不连接到一起;并且n是1或2。二芳基胺取代基经由氮直接连接至蒽核。
优选的经二芳基胺取代的9,10-二芳基取代的蒽为下述那些:其中X1和X2是苯基或萘基,最优选的是苯基。优选的是,n是2,并且二芳基氨基位于蒽的2、6位。Ar1、Ar2、Ar3和Ar4优选是苯基、萘基,或者其中Ar1和Ar2、或Ar3和Ar4连接在一起形成咔唑环(carbAH-6ole ring)。这些基团中的任一个均可以进一步进行取代。
式(3)所示的化合物的一些示例如下:
除蒽外,本发明的黄光LEL可以包含额外的共主体。额外的共主体不应当明显发光,而且可以是例如另一种蒽,或叔胺化合物,例如已知可用于空穴输送层的那些叔胺化合物。如果作为单一主体存在,蒽主体的量可以是35体积%~99体积%,有利的是45体积%~98体积%。如果蒽作为主体混合物存在,则全部主体的总量也应该是45体积%~99体积%,有利的是45体积%~98体积%。对主体混合物中蒽的量没有限制,但适当的是主体总量的50体积%以上。本发明的黄光LEL含有经取代的并四苯作为黄光发射性化合物。并四苯的适宜范围是0.5体积%~20体积%,优选范围是1体积%~15体积%,最有利的范围是3体积%~10体积%。本发明的黄光LEL包含稳定剂化合物,该化合物为经二芳基氨基取代的9,10-二芳基蒽。稳定剂的适合范围是0.5体积%~45体积%,优选范围是1体积%~40体积%,最优选范围是5体积%~30体积%。根据这些范围,在本发明的黄光LEL中全部组分的优选浓度(以体积计)是:经二芳基氨基取代的9,10-二芳基蒽稳定剂为1体积%~40体积%,发光性并四苯为1体积%~15体积%,以及剩余物为主体。甚至更优选的是:经二芳基氨基取代的9,10-二芳基蒽稳定剂为5体积%~30体积%,并四苯为3体积%~10体积%,以及剩余物为主体。
本发明优选组合的实例是下述组合:其中蒽主体化合物选自AH-1、AH-4和AH-6,并四苯发光性化合物选自TD-1和TD-8,且经双(二芳基胺)9,10-取代的蒽稳定剂选自AS-1、AS-2、AS-12和AS-21。这些可能的组合中的任一种都是有利的。最有利的组合是:其中蒽主体化合物是AH-1,并四苯发光性化合物选自TD-1和TD-8,且经双(二芳基胺)9,10-取代的蒽掺杂剂是AS-1。
在一个合适的实施方式中,EL器件发白光,所述器件可以包含补色发光体(complimentary emitter)、白光发射体,或使用滤光器。为了产生白光发射器件,理想的是所述器件包含具有蓝色荧光发射体的层以及适于产生白光发射的适当比例的本发明的黄光发射层。本发明可以用于所谓的层叠器件构造体,例如,如美国专利第5,703,436号和第6,337,492号中所教导的。本发明的实施方式可以用于仅包含荧光元件来产生白光的层叠器件。本发明的黄光LEL是荧光层。白光器件还可以包含荧光发射材料和磷光发射材料的组合(有时称作混合型OLED器件)。
在一个有利的实施方式中,EL器件是显示装置的一部分。在另一合适的实施方式中,EL器件是区域照明装置的一部分。本发明的EL器件可用于需要稳定发光的任何装置中,例如灯、或静态或动态成像装置(例如电视机、手机、DVD播放机或计算机显示器)中的组件。
此处及本申请全文所用的化学术语一般如“Grant & Hackh′s Chemical Dictionary”(第5版,McGraw-Hill Book Company)中所定义。出于本发明的目的,杂环的定义中还包括那些包含配位键的环。配位键或配价键的定义可见于“Grant & Hackh′sChemical Dictionary”的第91页和第153页。包括多齿配体在内的配体的定义可分别见于“Grant & Hackh′s Chemical Dictionary”的第337页和第176页。除非另有具体说明,术语“经取代”或“取代基”的使用指非氢的任何基团或原子。此外,当使用术语“基团”时,其是指当取代基团包含可取代的氢时,其还旨在不仅涵盖该取代基的未经取代的形式,还涵盖其进一步取代有本文所述的任何一种或多种取代基团的形式,只要所述取代基不会破坏器件应用所必需的性质。必要时取代基本身可以进一步经所述取代基团取代一次或多次。采用的特定取代基可以由本领域技术人员进行选择,以获得具体应用合意的性质,该特定取代基可以包括例如吸电子基团、给电子基团和提供立体位阻(steric bulk)的基团。当分子可以具有两个以上取代基时,除非另有规定,这些取代基可连接到一起形成环,例如稠环。
基本的OLED资料以及OLED器件的层结构、材料选择和制造工序的描述可见于下述文献及其中引用的参考文献:Chen、Shi和Tang,“Recent Developments inMolecular Organic Electroluminescent Materials,”Macromol.Symp.125,1(1997);Hung和Chen,“Recent Progress of Molecular Organic Electroluminescent Materials andDevices,”Mat.Sci.and Eng.R39,143(2002);H.Yersin,“Highly Efficient OLEDS withPhosphorescent Materials”(Wiley-VCH(Weinheim),2007);K.Mullen和U.Scherf,“Organic Light Emitting Devices;Synthesis,Properties and Applications”(Wiley-VCH(Weinheim),2006);J.Kalinowski,“Organic Light-Emitting Diodes;Principles,Characteristics and Processes(Optical Engineering)”(Dekker(NY),2004);Z.Li和H.Meng,“Organic Light-Emitting Materials and Devices(Optical Science and Engineering)”(CRC/Tayler&Francis(Boca Raton),2007)以及J.Shinar,“Organic Light-EmittingDevices”(Springer(NY),2002)。
本发明能够应用于使用小分子材料、低聚材料、高分子材料或其组合的多种OLED构造体中。这些构造体涵盖具有单阳极和阴极的极简单的结构体到更复杂的器件,例如具有用来形成像素的阳极和阴极正交阵列的无源矩阵显示器,和其中例如用薄膜晶体管(TFT)独立控制各个像素的有源矩阵显示器。存在其中成功实施了本发明的有机层的多种构造体。对于本发明而言,基本需求是阴极、阳极和LEL。
本发明对小分子器件尤其有用的一个实施方式如图1中所示。OLED 100包含基板110、阳极120、空穴注入层130、空穴输送层(HTL)132、光发射层(LEL)134、空穴阻挡层(HBL)135、电子输送层(ETL)136、电子注入层(EIL)138和阴极140。LEL 134包含本发明的蒽主体、并四苯掺杂剂和稳定剂化合物的组合。在其他一些实施方式中,在LEL 134的任一侧存在可选的间隔层。这些间隔层通常不包含发光性材料。所有这些层类型将在下文详细描述。注意,作为另一选择,基板110可以放置得与阴极140相邻,或者基板110可以实际上构成阳极120或阴极140。并且,有机层的总组合厚度优选小于500nm。
在另一实施方式中,在ETL 136和LEL 134之间不存在HBL 135。在又一实施方式中,ETL 136可以再分为两个以上的子层。在一个示例中,OLED器件不具有HBL135而仅有一个HIL 130、EIL 138和ETL 136。在另一示例中,EIL 138进一步分为两个子层(未示出),即与ETL 136相邻的第一电子注入层(EIL1)和位于所述EIL1和阴极140之间的第二电子注入层(EIL2)。
OLED 100的阳极120和阴极140通过导电体160与电压/电流源150连接。在阳极120和阴极140间施加电压,使得阳极120处于比阴极140更高的正电势,从而使OLED工作。空穴从阳极120注入有机EL元件。增强的器件稳定性有时可以在OLED100处于AC模式工作时实现,在该模式中,偏压在循环的某一时期内发生反转且无电流流动。AC驱动的OLED的一个实例在美国专利第5,552,678号中有所描述。
对于全色显示器而言,可能需要LEL像素化。LEL的这种像素化沉积可以通过使用荫罩、集成荫罩(美国专利第5,294,870号)、从供体板进行的空间限制热染料转移(美国专利第5,688,551号、第5,851,709号和第6,066,357号)和喷墨法(美国专利第6,066,357号)来实现。
必要时本发明的OLED可以利用各种公知的光学效应来增强其发光性能。这包括优化层厚度来产生改善的光透射、提供电介质镜结构体、用吸光性电极替换反射性电极、在显示器上提供防眩涂层或防反射涂层、在显示器上提供偏振介质或在显示器上提供有色滤光片、中性密度滤光片或颜色转换滤光片。可以将滤光片、偏振片和防眩或防反射涂层专门提供在OLED上或提供为OLED的一部分。
本发明的实施方式能够提供具有良好的发光效率、良好的工作稳定性、优异的颜色和较低驱动电压的EL器件。本发明的实施方式还能够在器件的整个寿命内提供较低的电压上升,而且可以高度可重复地和一致地进行制造以提供良好的光效率。所述器件能够具有更低的功耗需求,并且在与电池一起使用时能够提供较长的电池寿命。
通过下文的具体实例对本发明及其优点进行进一步的说明。术语“百分比”或“百分数”和符号“%”表示特定的第一或第二化合物占本发明的层或器件的其他组分中的总材料的体积百分数(或薄膜厚度检测器上所测量的厚度比)。如果存在多于一种第二化合物,也可以将第二化合物的总体积表示为占本发明的层中全部材料的百分比。
实验结果
以下述方式构造EL器件1-1~1-20:
1.使涂布有约60nm的作为阳极的氧化铟锡(ITO)层的玻璃基板依次在商购清洁剂中进行超声、在去离子水中漂洗并暴露于氧等离子体中约1分钟。
2.随后真空沉积10nm的二吡嗪并[2,3-f:2′,3′-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈(HAT-CN)层,作为电子注入层(HIL)。
3.随后,将N,N′-二-1-萘基-N,N′-二苯基-4,4′-二氨基联苯(NPB)的空穴输送层(HTL)真空沉积至80nm的厚度。
4.随后将由表1所示的主体、黄光发射体和胺稳定剂的混合物构成的40nm光发射层真空沉积在HTL上。
5.将厚度为10nm的电子输送层(ETL,8-[1,1’-联苯基]-4-基-3,7,10-三苯基荧蒽和9-[1,1’-联苯基]-4-基-3,7,10-三苯基荧蒽的1∶1混合物)真空沉积在LEL上。
6.将20nm厚的电子注入层(EIL,具有49%8-羟基喹啉锂、49%4,7-二苯基-1,10-菲咯啉和1%锂金属)随后真空沉积在ETL上。
7.随后在EIL上形成100nm的铝阴极。
上述程序完成了EL器件的沉积。为了保护其不受周围环境影响,随后在干燥手套箱中将所述器件与干燥剂一起进行气密封装。在20mA/cm2的工作电流密度下,对由此形成的单元进行效率测试和颜色测试,其结果以发光产率(cd/A)、外量子效率(EQE)和CIE(国际照明委员会)坐标的形式报告。室温下在DC模式中于电流密度为80mA/cm2下对器件进行电老化。OLED器件的寿命(T50)或工作稳定性的定义为:80mA/cm2下亮度降低至新器件亮度的一半所需的小时数。Dpyn是5,12-二-1-芘基-萘并萘。
表1:黄光LEL变化
表1中的结果表明,在蒽主体与经取代的红荧烯黄光发射体的组合中添加经二芳基氨基取代的9,10-二取代的蒽能够出乎意料地提供稳定性的极大改善以及效率的改善。例如,比较在发明例样品1-3和1-11中添加经二芳基氨基取代的9,10-二取代的蒽稳定剂的结果与缺乏该稳定剂的比较例1-2和1-10的结果。从图2可以看出,对发光实际上没有影响,因而表明经二芳基氨基取代的9,10-二取代的蒽并未发出多于约5%的绿光。如在样品1-5和1-6中,使用非式(3)的胺(NPB)不能提供任何稳定化。使用经二芳基氨基取代的9,10-二取代的蒽和非式(2)的并四苯发射体也不能提供任何稳定化:参见样品1-6~1-8和1-12。该效果不依赖于任何特定的9,10-二芳基蒽主体(参见样品1-3和1-11)或任何特定的式(2)的化合物(参见样品1-4)。样品1-3和1-13~1-20的检查表明当式(2)的化合物以3%以上存在且经二芳基氨基取代的9,10-二取代的蒽稳定剂以5%以上存在时获得了最佳结果。
以下述方式构造EL器件2-1至2-7:
1.使涂布有约60nm的作为阳极的氧化铟锡(ITO)层的玻璃基板依次在商购清洁剂中进行超声、在去离子水中漂洗并暴露于氧等离子体中约1分钟。
2.随后真空沉积10nm的HAT-CN层,作为电子注入层(HIL)。
3.随后,将NPB的空穴输送层真空沉积至70nm的厚度。
4.将由表2所示的主体、黄光发射体和胺稳定剂的混合物构成的40nm光发射层随后真空沉积在HTL上。
5.将厚度为40nm的电子输送层(8-[1,1’-联苯基]-4-基-3,7,10-三苯基荧蒽和9-[1,1’-联苯基]-4-基-3,7,10-三苯基荧蒽的1∶1混合物)真空沉积在LEL上。
6.将3nm厚的2-(1,10-菲咯啉-2-基)酚化锂的电子注入层随后真空沉积在ETL上。
7.随后在EIL上形成100nm的铝阴极。
上述程序完成了EL器件的沉积。为了保护其不受周围环境影响,随后在干燥手套箱中将所述器件与干燥剂一起进行气密封装。样品2-4和2-5在步骤3~4间均具有额外的20nm厚的LEL(具有3%TD-1的NPB)。该额外的LEL还存在于样品2-6和2-7中,不同之处在于其厚度降为4nm,并且在步骤3和该额外的4nm厚LEL之间增加了额外的20nm厚的红光LEL(NPB主体,具有0.5%红光掺杂剂5,10,15,20-四苯基-二苯并[5,6]茚并[1,2,3-cd:1’,2’,3’-lm]苝)。结果列于表2中。
表2:黄光LEL变化
表2中的结果证明,使用经二芳基氨基取代的9,10-二取代的蒽使得具有9,10-二芳基蒽和式(2)的发射体的LEL稳定化。
虽然特别参考了本发明的某些优选实施方式对本发明做出详细描述,但应理解的是可以在本发明的主旨和范围内进行变型和改进。
部件列表
100OLED
110基板
120阳极
130空穴注入层(HIL)
132空穴输送层(HTL)
134光发射层(LEL)
135空穴阻挡层(HBL)
136电子输送层(ETL)
138电子注入层(EIL)
140阴极
150电压/电流源
160电连接体
Claims (7)
1.一种OLED器件,所述OLED器件包含阳极、阴极和位于所述阳极与阴极间的黄光发射层,所述光发射层包含:
(a)9,10-二芳基蒽主体;
(b)式(2)所示的黄光发射性并四苯:
其中:
Ar1和Ar2为独立选择的苯基;
R1和R2独立地选自烷基或芳基,其中n和m独立地选自0、1和2;并且
R3和R4独立地选自氢、烷基、芳基或杂芳基,其中o和p独立地选自0或1,条件是o和p不同时为0;和
(c)式(3)所示的非发光性经二芳基胺取代的9,10-二芳基取代的蒽:
其中:
X1和X2为独立选择的具有6~30个芳核碳原子的芳基;
Ar1、Ar2、Ar3和Ar4各自独立地表示经取代或未经取代的具有6~30个芳核碳原子的芳基,其中Ar1和Ar2、或者Ar3和Ar4连接或不连接到一起;并且
n是1或2。
3.如权利要求2所述的OLED器件,其中,在式(2a)的并四苯中,Ar1和Ar2均为未经取代的苯基,并且R3和R4均为相同的杂芳基。
6.如权利要求1所述的OLED器件,其中,在如式(3)所示的所述经二芳基胺取代的9,10-二芳基取代的蒽中,X1和X2独立地选自苯基或萘基;Ar1、Ar2、Ar3和Ar4独立地选自苯基或萘基;并且n是2。
7.如权利要求1所述的OLED器件,其中,在所述光发射层中,如式(3)所示的所述经二芳基胺9,10-二芳基取代的蒽以5体积%以上存在,如式(2)所示的所述并四苯以3%以上存在。
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